JP2000045065A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JP2000045065A JP2000045065A JP10212568A JP21256898A JP2000045065A JP 2000045065 A JP2000045065 A JP 2000045065A JP 10212568 A JP10212568 A JP 10212568A JP 21256898 A JP21256898 A JP 21256898A JP 2000045065 A JP2000045065 A JP 2000045065A
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- target
- sputtering target
- ray diffraction
- hkl
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 既存のスパッタリング条件を大幅に変更する
ことなく、成膜速度を向上させることができるスパッタ
リングターゲットを提供する。 【解決手段】 スパッタリングターゲットのスパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上であるターゲット材によりスパッタ
リングターゲットを構成する。
ことなく、成膜速度を向上させることができるスパッタ
リングターゲットを提供する。 【解決手段】 スパッタリングターゲットのスパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上であるターゲット材によりスパッタ
リングターゲットを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ等の半導体素
子を構成する金属配線，磁気記録媒体を構成する金属薄
膜，半導体素子製造用のマスクを構成する遮光膜，及び
液晶ディスプレイに代表されるフラットパネル表示素子
を構成する金属薄膜等を形成するための金属からなるス
パッタリングターゲットに関するものである。
子を構成する金属配線，磁気記録媒体を構成する金属薄
膜，半導体素子製造用のマスクを構成する遮光膜，及び
液晶ディスプレイに代表されるフラットパネル表示素子
を構成する金属薄膜等を形成するための金属からなるス
パッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体素子を構成する金属配
線，磁気記録媒体を構成する金属薄膜，半導体素子製造
用のマスクを構成する遮光膜，及び液晶ディスプレイに
代表されるフラットパネル表示素子を構成する金属薄膜
等を形成する場合、一つの方法としてスパッタリング法
が使用されている。
線，磁気記録媒体を構成する金属薄膜，半導体素子製造
用のマスクを構成する遮光膜，及び液晶ディスプレイに
代表されるフラットパネル表示素子を構成する金属薄膜
等を形成する場合、一つの方法としてスパッタリング法
が使用されている。
【０００３】スパッタリング法の場合、これらの薄膜を
形成するために用いられるスパッタリングターゲット
は、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｗ等に代表
される金属又はそれらの合金等からなるスパッタリング
ターゲット材を所定の形状に加工し、必要であればバッ
キングプレート等にボンディングして得られる。また、
ここで用いられるスパッタリングターゲット材は、溶解
鋳造法，鍛造法，粉末圧延法，冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）法，ホットプレス法，及び熱間静水圧プレス（ＨＩ
Ｐ）法等さまざまな方法により作製される。
形成するために用いられるスパッタリングターゲット
は、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｗ等に代表
される金属又はそれらの合金等からなるスパッタリング
ターゲット材を所定の形状に加工し、必要であればバッ
キングプレート等にボンディングして得られる。また、
ここで用いられるスパッタリングターゲット材は、溶解
鋳造法，鍛造法，粉末圧延法，冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）法，ホットプレス法，及び熱間静水圧プレス（ＨＩ
Ｐ）法等さまざまな方法により作製される。
【０００４】スパッタリング法では、上記のスパッタリ
ングターゲットを、基板に対向する形でセットし、真空
条件下にて、Ａｒ等のガスを流し基板とターゲットの間
に所定の電圧をかけることにより放電させ、イオン化し
たＡｒをスパッタリングターゲットに衝突させることに
より、基板上にターゲット材と同じ組成の薄膜を形成す
る。この後形成された薄膜はそれぞれの目的に応じたプ
ロセスを経て半導体素子、磁気記録媒体、半導体素子製
造用のマスク、液晶ディスプレイ等の構成部となる。
ングターゲットを、基板に対向する形でセットし、真空
条件下にて、Ａｒ等のガスを流し基板とターゲットの間
に所定の電圧をかけることにより放電させ、イオン化し
たＡｒをスパッタリングターゲットに衝突させることに
より、基板上にターゲット材と同じ組成の薄膜を形成す
る。この後形成された薄膜はそれぞれの目的に応じたプ
ロセスを経て半導体素子、磁気記録媒体、半導体素子製
造用のマスク、液晶ディスプレイ等の構成部となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般にス
パッタリングプロセスはスループットが遅いという欠点
があり、最終製品のコスト低減のためにも、スループッ
トを上げる必要がある。
パッタリングプロセスはスループットが遅いという欠点
があり、最終製品のコスト低減のためにも、スループッ
トを上げる必要がある。
【０００６】スパッタリング時の成膜速度は、ガス圧
力，投入電力，ターゲット−基板間距離等のスパッタリ
ング条件に依存するが、これらのスパッタリング条件は
また形成される薄膜の特性にも影響する。通常は、形成
される薄膜の特性が優先されるため、必ずしも十分な成
膜速度が得られるスパッタリング条件で成膜を実施する
ことができない状況である。
力，投入電力，ターゲット−基板間距離等のスパッタリ
ング条件に依存するが、これらのスパッタリング条件は
また形成される薄膜の特性にも影響する。通常は、形成
される薄膜の特性が優先されるため、必ずしも十分な成
膜速度が得られるスパッタリング条件で成膜を実施する
ことができない状況である。
【０００７】また、スパッタリングターゲット材は、溶
解鋳造法，鍛造法，粉末圧延法，ホットプレス法，冷間
静水圧プレス（ＣＩＰ）法，ホットプレス法，及び熱間
静水圧プレス（ＨＩＰ）法等さまざまな方法により作製
されるため、各製造方法で作製されたターゲット材の組
織はそれぞれ異なる。
解鋳造法，鍛造法，粉末圧延法，ホットプレス法，冷間
静水圧プレス（ＣＩＰ）法，ホットプレス法，及び熱間
静水圧プレス（ＨＩＰ）法等さまざまな方法により作製
されるため、各製造方法で作製されたターゲット材の組
織はそれぞれ異なる。
【０００８】スパッタ面におけるターゲット材料の結晶
配向とスパッタ粒子の放出方向の因果関係は例えば、東
京大学出版会発行の「スパッタリング現象」（金原粲
書）のｐ２７〜２９に述べられているが、どのような組
織又は結晶組織を持ったターゲットが成膜速度に対して
有効であるか分からない状況であった。
配向とスパッタ粒子の放出方向の因果関係は例えば、東
京大学出版会発行の「スパッタリング現象」（金原粲
書）のｐ２７〜２９に述べられているが、どのような組
織又は結晶組織を持ったターゲットが成膜速度に対して
有効であるか分からない状況であった。
【０００９】本発明はこのような事情に着目してなされ
たものであり、その目的は従来のものがもつ上記のよう
な問題点を改善し、スパッタリング条件を大幅に変更せ
ずに成膜速度を向上させることが出来るスパッタリング
ターゲットを提供しようとするものである。
たものであり、その目的は従来のものがもつ上記のよう
な問題点を改善し、スパッタリング条件を大幅に変更せ
ずに成膜速度を向上させることが出来るスパッタリング
ターゲットを提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
ターゲットは、スパッタリングターゲットのスパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上であることを特徴とするスパッタリ
ングターゲットである。即ち、スパッタ面の測定により
得られたＸ線回折パターンにおけるｈｋｌ回折線の相対
強度をＩsp（ｈｋｌ）、側面の測定により得られたＸ線
回折パターンにおけるｈｋｌ回折線の相対強度をＩsd
（ｈｋｌ）としたとき、スパッタ面の測定により得られ
たＸ線回折パターンにおける３強線の各々についてＩsp
（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値が０．７から１．３の
範囲にあり、かつ、相対密度が９５％以上であることを
特徴とするスパッタリングターゲットである。さらに、
本発明のスパッタリングターゲットは、基板に対向する
面の面積が０．３ｍ2以上である大型の枚葉式スパッタ
リングターゲットとすることもできる。
ターゲットは、スパッタリングターゲットのスパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上であることを特徴とするスパッタリ
ングターゲットである。即ち、スパッタ面の測定により
得られたＸ線回折パターンにおけるｈｋｌ回折線の相対
強度をＩsp（ｈｋｌ）、側面の測定により得られたＸ線
回折パターンにおけるｈｋｌ回折線の相対強度をＩsd
（ｈｋｌ）としたとき、スパッタ面の測定により得られ
たＸ線回折パターンにおける３強線の各々についてＩsp
（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値が０．７から１．３の
範囲にあり、かつ、相対密度が９５％以上であることを
特徴とするスパッタリングターゲットである。さらに、
本発明のスパッタリングターゲットは、基板に対向する
面の面積が０．３ｍ2以上である大型の枚葉式スパッタ
リングターゲットとすることもできる。
【００１１】ここで相対強度とはＸ線回折パターンのピ
ーク（回折線）のうち最大の強度を示すピーク（回折
線）の強度を１００として得られる各ピーク（回折線）
の回折強度の相対値である。また、３強線とはＸ線回折
パターンのピーク（回折線）のうち回折強度が最も大き
い３本のピーク（回折線）であり、本発明のスパッタリ
ングターゲットは、スパッタ面の測定により得られたＸ
線回折パターンにおける３強線の各々について、Ｉsp
（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値が０．７から１．３の
範囲にあるものである。
ーク（回折線）のうち最大の強度を示すピーク（回折
線）の強度を１００として得られる各ピーク（回折線）
の回折強度の相対値である。また、３強線とはＸ線回折
パターンのピーク（回折線）のうち回折強度が最も大き
い３本のピーク（回折線）であり、本発明のスパッタリ
ングターゲットは、スパッタ面の測定により得られたＸ
線回折パターンにおける３強線の各々について、Ｉsp
（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値が０．７から１．３の
範囲にあるものである。
【００１２】なお、本発明において、Ｘ線回折パターン
が実質的に同じであるとは、回折線の位置及びその相対
強度が実質的に同じであることであり、３強線について
のみの比較でもターゲットの結晶状態を十分に反映させ
ることが可能であるので、本発明では、上記のように３
強腺の相対強度の比が０．７〜１．３であるとき実質的
に同じであるとみなす。
が実質的に同じであるとは、回折線の位置及びその相対
強度が実質的に同じであることであり、３強線について
のみの比較でもターゲットの結晶状態を十分に反映させ
ることが可能であるので、本発明では、上記のように３
強腺の相対強度の比が０．７〜１．３であるとき実質的
に同じであるとみなす。
【００１３】本発明者らは、スパッタリングターゲット
材を種々の異なる方法で作製し、そのスパッタリング速
度を各種スパッタリングガス圧条件にて評価した結果、
本発明のスパッタリングターゲットを用いた場合には、
そうでないスパッタリングターゲットを用いた場合に比
べて、同一のスパッタリング条件において約１０％ほど
成膜速度が大きくなり、かつ、アーキング特性も良好で
あることを見出した。
材を種々の異なる方法で作製し、そのスパッタリング速
度を各種スパッタリングガス圧条件にて評価した結果、
本発明のスパッタリングターゲットを用いた場合には、
そうでないスパッタリングターゲットを用いた場合に比
べて、同一のスパッタリング条件において約１０％ほど
成膜速度が大きくなり、かつ、アーキング特性も良好で
あることを見出した。
【００１４】より具体的には、相対密度が９５％以上の
スパッタリングターゲットであって、かつ、スパッタ面
の測定により得られたＸ線回折パターンにおける３強線
の各々について、Ｉsp（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値
が０．７から１．３の範囲にあるスパッタリングターゲ
ットを用いることにより、そうでないスパッタリングタ
ーゲットを用いた場合に比べて、約１０％ほど成膜速度
が大きくなり、かつ、アーキングが発生しない等、アー
キング特性も良好であることを見出したものである。
スパッタリングターゲットであって、かつ、スパッタ面
の測定により得られたＸ線回折パターンにおける３強線
の各々について、Ｉsp（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値
が０．７から１．３の範囲にあるスパッタリングターゲ
ットを用いることにより、そうでないスパッタリングタ
ーゲットを用いた場合に比べて、約１０％ほど成膜速度
が大きくなり、かつ、アーキングが発生しない等、アー
キング特性も良好であることを見出したものである。
【００１５】このような差が生じる原因について詳細は
明らかではないが、スパッタリングターゲットのスパッ
タ面表面の結晶配向性とターゲットから放出されるスパ
ッタ粒子の放出角度や、スパッタ率が関係していると考
えられる。
明らかではないが、スパッタリングターゲットのスパッ
タ面表面の結晶配向性とターゲットから放出されるスパ
ッタ粒子の放出角度や、スパッタ率が関係していると考
えられる。
【００１６】また、従来のように、圧延を施すことによ
り密度を高めたスパッタリングターゲットでは、圧延処
理によってターゲット中の不純物の表面積が拡大し、そ
の結果、放電特性に影響を与えるため、相対密度９５％
以上のターゲットを用いた場合でも、スパッタ中にアー
キングが発生する等、アーキング特性が良くないことが
認められた。なお、圧延処理を行うことによって、ター
ゲット中の結晶粒の配向性が変化するため、スパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンに相違が生じる。これに対し、本
発明のスパッタリングターゲットでは、圧延処理を行わ
ないため、相対密度を９５％以上とすることにより、タ
ーゲット中の空孔量を低減し、異常放電が少なくパーテ
ィクル発生量が少ないスパッタリングターゲットが実現
できる。
り密度を高めたスパッタリングターゲットでは、圧延処
理によってターゲット中の不純物の表面積が拡大し、そ
の結果、放電特性に影響を与えるため、相対密度９５％
以上のターゲットを用いた場合でも、スパッタ中にアー
キングが発生する等、アーキング特性が良くないことが
認められた。なお、圧延処理を行うことによって、ター
ゲット中の結晶粒の配向性が変化するため、スパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンに相違が生じる。これに対し、本
発明のスパッタリングターゲットでは、圧延処理を行わ
ないため、相対密度を９５％以上とすることにより、タ
ーゲット中の空孔量を低減し、異常放電が少なくパーテ
ィクル発生量が少ないスパッタリングターゲットが実現
できる。
【００１７】なお、本発明のスパッタリングターゲット
を構成するターゲット材は粉末冶金法により得られるも
のであれば良く、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ，
Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ等の金属又は
それらの合金等を例示することができる。
を構成するターゲット材は粉末冶金法により得られるも
のであれば良く、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ，
Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ等の金属又は
それらの合金等を例示することができる。
【００１８】さらに、近年ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）
製造に採用されている枚葉式スパッタ装置においては、
ターゲットサイズが６００ｍｍ×５００ｍｍ以上の大型
のものが使用されているが、従来のように０．３ｍ2以
上のサイズである大型スパッタリングターゲットはその
製造の容易さから、粉末または焼結体を圧延することに
より製造されており、このターゲットの場合、既に述べ
たように、ターゲット中の不純物が圧延処理により拡大
し放電特性に悪影響を与えることや、成膜速度の点で特
性が不十分であった。しかしながら本発明のスパッタリ
ングターゲットを用いることにより、基板に対向する面
の面積が０．３ｍ2以上である大型のスパッタリングタ
ーゲットにおいても、スループットに直接関わる成膜速
度を増大することができ、生産性を向上させることが可
能となる。
製造に採用されている枚葉式スパッタ装置においては、
ターゲットサイズが６００ｍｍ×５００ｍｍ以上の大型
のものが使用されているが、従来のように０．３ｍ2以
上のサイズである大型スパッタリングターゲットはその
製造の容易さから、粉末または焼結体を圧延することに
より製造されており、このターゲットの場合、既に述べ
たように、ターゲット中の不純物が圧延処理により拡大
し放電特性に悪影響を与えることや、成膜速度の点で特
性が不十分であった。しかしながら本発明のスパッタリ
ングターゲットを用いることにより、基板に対向する面
の面積が０．３ｍ2以上である大型のスパッタリングタ
ーゲットにおいても、スループットに直接関わる成膜速
度を増大することができ、生産性を向上させることが可
能となる。
【００１９】なお、本発明のスパッタリングターゲット
は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず目的のターゲット組成と同じ組成の原料粉末又は２
種類以上の組成の粉末でその合計の組成が目的のターゲ
ット組成と同じである原料粉末を用意する。これらの原
料粉末には、市販の粉末をそのまま使用しても良いし、
又は目的の組成を有する原料を一度真空溶解炉、ＥＢ溶
解炉等により溶解しそれらを鋳造したものを粉砕し原料
粉末を得ることも可能である。
は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず目的のターゲット組成と同じ組成の原料粉末又は２
種類以上の組成の粉末でその合計の組成が目的のターゲ
ット組成と同じである原料粉末を用意する。これらの原
料粉末には、市販の粉末をそのまま使用しても良いし、
又は目的の組成を有する原料を一度真空溶解炉、ＥＢ溶
解炉等により溶解しそれらを鋳造したものを粉砕し原料
粉末を得ることも可能である。
【００２０】これらの原料粉末を２０００ｋｇ／ｃｍ2
以上の圧力で冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）法等により所
定の形状に一次成形し、その後原料粉末の融点の２／３
以下の温度及び１０００ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力条件で
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法にて相対密度９５％以上
の焼結体を得る。なお、一次成形を２０００ｋｇ／ｃｍ
2以上の圧力でしなければ、その後の焼結で十分な密度
が得られ難く、また、融点の２／３以上の温度で焼成し
た場合は、ターゲット組織中の急激な粒成長が生じる場
合が有り、その結果、結晶性に異方性が生じ、本発明の
目的のターゲットを得ることが困難になる。その後これ
らの焼結体を所望のターゲット形状に加工し表面仕上げ
を行いスパッタリングターゲットを得る。
以上の圧力で冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）法等により所
定の形状に一次成形し、その後原料粉末の融点の２／３
以下の温度及び１０００ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力条件で
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法にて相対密度９５％以上
の焼結体を得る。なお、一次成形を２０００ｋｇ／ｃｍ
2以上の圧力でしなければ、その後の焼結で十分な密度
が得られ難く、また、融点の２／３以上の温度で焼成し
た場合は、ターゲット組織中の急激な粒成長が生じる場
合が有り、その結果、結晶性に異方性が生じ、本発明の
目的のターゲットを得ることが困難になる。その後これ
らの焼結体を所望のターゲット形状に加工し表面仕上げ
を行いスパッタリングターゲットを得る。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例をもってさらに詳細に
説明するが、本発明は何らこれらに限定されるものでは
無い。
説明するが、本発明は何らこれらに限定されるものでは
無い。
【００２２】（実施例１）原料粉として粒径が６０メッ
シュ以下のＣｒ粉末をゴム型に充填した。その後、封止
処理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件
により一次成形を実施した。この一次成形体の密度はＣ
ｒの理論密度を１００％とした相対密度で７５％であっ
た。この一次成形体を金属材質からなる缶に入れ、到達
真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで脱気処理を
行い封止したのち、温度１２００℃，圧力１０００ｋｇ
／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し、インゴットサ
イズが２００ｍｍ×３１０ｍｍ×４９ｍｍｔで相対密度
９９％以上のＣｒ焼結体を得た。この焼結体を冷却後、
機械加工により１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔ
のサイズに切り出しターゲット材とした。得られたター
ゲット材より結晶配向性測定サンプルを任意の位置より
切り出し、スパッタ面に平行な面とその面に直交する側
面に平行な面における結晶配向性をＸ線回折装置により
調べた。Ｘ線回折装置は理学電機製ＲＡＤ−Ｃを使用し
た。測定条件はＣｕ−Ｋα（グラファイトモノクロメー
ター使用），加速電圧５０ｋＶ，電流２００ｍＡとし、
スキャン条件は２θ＝１０°〜１００°，ステップ幅
０．０４°，１秒間測定とした。Ｘ線が照射される測定
試料の面積は一連の測定において一定に保たれるように
調整した。この時のスパッタ面及び側面のＸ線回折測定
結果を表１に示す。
シュ以下のＣｒ粉末をゴム型に充填した。その後、封止
処理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件
により一次成形を実施した。この一次成形体の密度はＣ
ｒの理論密度を１００％とした相対密度で７５％であっ
た。この一次成形体を金属材質からなる缶に入れ、到達
真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで脱気処理を
行い封止したのち、温度１２００℃，圧力１０００ｋｇ
／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し、インゴットサ
イズが２００ｍｍ×３１０ｍｍ×４９ｍｍｔで相対密度
９９％以上のＣｒ焼結体を得た。この焼結体を冷却後、
機械加工により１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔ
のサイズに切り出しターゲット材とした。得られたター
ゲット材より結晶配向性測定サンプルを任意の位置より
切り出し、スパッタ面に平行な面とその面に直交する側
面に平行な面における結晶配向性をＸ線回折装置により
調べた。Ｘ線回折装置は理学電機製ＲＡＤ−Ｃを使用し
た。測定条件はＣｕ−Ｋα（グラファイトモノクロメー
ター使用），加速電圧５０ｋＶ，電流２００ｍＡとし、
スキャン条件は２θ＝１０°〜１００°，ステップ幅
０．０４°，１秒間測定とした。Ｘ線が照射される測定
試料の面積は一連の測定において一定に保たれるように
調整した。この時のスパッタ面及び側面のＸ線回折測定
結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】また、上記のターゲット材を１２７ｍｍ×
１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整形し、これをＣｕ製のバッキ
ングプレートにボンディングしてスパッタリングターゲ
ットを作成した。
１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整形し、これをＣｕ製のバッキ
ングプレートにボンディングしてスパッタリングターゲ
ットを作成した。
【００２５】作成されたスパッタリングターゲットをス
パッタ装置（ＵＬＶＡＣ社製ＳＭＯ−６）に装着し、ガ
ラス基板上にＣｒ薄膜を成膜することにより成膜速度の
測定を行った。スパッタリングにおける条件は次の通り
とした。スパッタリングガス：Ａｒ，スパッタリングガ
ス圧：０．５，２．０，５．０ｍＴｏｒｒ，スパッタリ
ング電力：２．０ｋＷ，基板：Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５
９（５０×５０ｍｍ2）。また、成膜速度測定の際に、
Ａｒガス圧５．０ｍＴｏｒｒ，スパッタリング電力２．
０ｋＷの条件にて１０ｍｉｎプレスパッタリングを実施
した。その後、投入電力２．０ｋＷにて１０ｍｉｎ成膜
し形成された薄膜の膜厚を測定した。膜厚測定には、表
面形状測定器（ＵＬＶＡＣ社製Ｄｅｋｔａｋ３０３０）
を使用した。上記３種のスパッタリングガス圧にて基板
上に成膜したＣｒ薄膜の膜厚測定を行い成膜時間で除し
た値を成膜速度［ｎｍ／ｓｅｃ］とした。
パッタ装置（ＵＬＶＡＣ社製ＳＭＯ−６）に装着し、ガ
ラス基板上にＣｒ薄膜を成膜することにより成膜速度の
測定を行った。スパッタリングにおける条件は次の通り
とした。スパッタリングガス：Ａｒ，スパッタリングガ
ス圧：０．５，２．０，５．０ｍＴｏｒｒ，スパッタリ
ング電力：２．０ｋＷ，基板：Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５
９（５０×５０ｍｍ2）。また、成膜速度測定の際に、
Ａｒガス圧５．０ｍＴｏｒｒ，スパッタリング電力２．
０ｋＷの条件にて１０ｍｉｎプレスパッタリングを実施
した。その後、投入電力２．０ｋＷにて１０ｍｉｎ成膜
し形成された薄膜の膜厚を測定した。膜厚測定には、表
面形状測定器（ＵＬＶＡＣ社製Ｄｅｋｔａｋ３０３０）
を使用した。上記３種のスパッタリングガス圧にて基板
上に成膜したＣｒ薄膜の膜厚測定を行い成膜時間で除し
た値を成膜速度［ｎｍ／ｓｅｃ］とした。
【００２６】また、スパッタリング中における放電安定
性を評価するため、上記スパッタリングターゲットをス
パッタ装置（ＵＬＶＡＣ社製ＳＭＯ−６）に装着し、ア
ーキング特性を評価した。放電条件はスパッタリングガ
ス：Ａｒ，スパッタリングガス圧：２．０ｍＴｏｒｒ，
スパッタリング電力：２．０ｋＷで、積算スパッタリン
グ電力が５ｋＷｈに達するまで連続放電し、その間に発
生したアーキング回数を測定した。アーキングはＤＣ電
源供給ケーブルに直接コイルを１００ターン巻き、オシ
ロスコープにてアーキングを観察した。
性を評価するため、上記スパッタリングターゲットをス
パッタ装置（ＵＬＶＡＣ社製ＳＭＯ−６）に装着し、ア
ーキング特性を評価した。放電条件はスパッタリングガ
ス：Ａｒ，スパッタリングガス圧：２．０ｍＴｏｒｒ，
スパッタリング電力：２．０ｋＷで、積算スパッタリン
グ電力が５ｋＷｈに達するまで連続放電し、その間に発
生したアーキング回数を測定した。アーキングはＤＣ電
源供給ケーブルに直接コイルを１００ターン巻き、オシ
ロスコープにてアーキングを観察した。
【００２７】成膜速度及びアーキング特性の測定結果を
表９に示す。
表９に示す。
【００２８】（実施例２）原料粉として粒径が１００メ
ッシュ以下のＣｒ粉末をゴム型に充填したこと以外は実
施例１と同様にして相対密度９９％以上のターゲット材
を作製し、実施例１と同様の方法にて結晶配向性、成膜
速度及びアーキング特性を評価した。スパッタ面及び側
面のＸ線回折測定結果を表２に、成膜速度及びアーキン
グ特性の測定結果を表９に示す。
ッシュ以下のＣｒ粉末をゴム型に充填したこと以外は実
施例１と同様にして相対密度９９％以上のターゲット材
を作製し、実施例１と同様の方法にて結晶配向性、成膜
速度及びアーキング特性を評価した。スパッタ面及び側
面のＸ線回折測定結果を表２に、成膜速度及びアーキン
グ特性の測定結果を表９に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】（実施例３）原料粉として粒径が６０メッ
シュ以下のＣｒ粉末をゴム型に充填し、実施例１と同様
の方法にてインゴットサイズが５９０ｍｍ×７１０ｍｍ
×１００ｍｍｔで相対密度が９９％以上のＣｒ焼結体を
得た後、機械加工によりに５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×６
ｍｍｔのサイズに切り出し、ターゲット材を作製した。
また、実施例１と同様の方法にて結晶配向性を評価する
とともに、実施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×
６ｍｍｔのターゲット材を切り出し、これをＣｕ製のバ
ッキングプレートにボンディングしてスパッタリングタ
ーゲットを作成し、成膜速度及びアーキング特性を評価
した。スパッタ面及び側面のＸ線回折測定結果を表３
に、成膜速度及びアーキング特性の測定結果を表９に示
す。
シュ以下のＣｒ粉末をゴム型に充填し、実施例１と同様
の方法にてインゴットサイズが５９０ｍｍ×７１０ｍｍ
×１００ｍｍｔで相対密度が９９％以上のＣｒ焼結体を
得た後、機械加工によりに５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×６
ｍｍｔのサイズに切り出し、ターゲット材を作製した。
また、実施例１と同様の方法にて結晶配向性を評価する
とともに、実施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×
６ｍｍｔのターゲット材を切り出し、これをＣｕ製のバ
ッキングプレートにボンディングしてスパッタリングタ
ーゲットを作成し、成膜速度及びアーキング特性を評価
した。スパッタ面及び側面のＸ線回折測定結果を表３
に、成膜速度及びアーキング特性の測定結果を表９に示
す。
【００３１】
【表３】
【００３２】（実施例４）原料粉として平均粒径が１０
ミクロン以下のＭｏ粉末をゴム型に充填した。その後、
封止処理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の
条件により一次成形を実施した。この一次成形体の密度
はＭｏの理論密度を１００％とした相対密度で７５％で
あった。この一次成形体を金属材質からなる缶に入れ、
到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで脱気処
理を行い封止したのち、温度１２００℃，圧力１０００
ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し、インゴッ
トサイズが５９０ｍｍ×７１０ｍｍ×１００ｍｍｔで相
対密度９７％以上のＭｏ焼結体を得た。この焼結体を冷
却後、機械加工により５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×６ｍｍ
ｔのサイズに切り出しターゲット材とした。得られたタ
ーゲット材より結晶配向性測定サンプルを任意の位置よ
り切り出し、スパッタ面に平行な面とその面に直交する
側面に平行な面における結晶配向性を実施例１と同様の
方法にて評価した。この時のスパッタ面及び側面のＸ線
回折測定結果を表４に示す。また、実施例１と同様に１
２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔのターゲット材を切り
出し、これをＣｕ製のバッキングプレートにボンディン
グしてスパッタリングターゲットを作成し、Ｍｏ薄膜を
形成することにより成膜速度及びアーキング特性を評価
した。これらの測定結果を表９に示す。
ミクロン以下のＭｏ粉末をゴム型に充填した。その後、
封止処理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の
条件により一次成形を実施した。この一次成形体の密度
はＭｏの理論密度を１００％とした相対密度で７５％で
あった。この一次成形体を金属材質からなる缶に入れ、
到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで脱気処
理を行い封止したのち、温度１２００℃，圧力１０００
ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し、インゴッ
トサイズが５９０ｍｍ×７１０ｍｍ×１００ｍｍｔで相
対密度９７％以上のＭｏ焼結体を得た。この焼結体を冷
却後、機械加工により５５０ｍｍ×６５０ｍｍ×６ｍｍ
ｔのサイズに切り出しターゲット材とした。得られたタ
ーゲット材より結晶配向性測定サンプルを任意の位置よ
り切り出し、スパッタ面に平行な面とその面に直交する
側面に平行な面における結晶配向性を実施例１と同様の
方法にて評価した。この時のスパッタ面及び側面のＸ線
回折測定結果を表４に示す。また、実施例１と同様に１
２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔのターゲット材を切り
出し、これをＣｕ製のバッキングプレートにボンディン
グしてスパッタリングターゲットを作成し、Ｍｏ薄膜を
形成することにより成膜速度及びアーキング特性を評価
した。これらの測定結果を表９に示す。
【００３３】
【表４】
【００３４】（比較例１）原料粉として粒径が６０メッ
シュ以下のＣｒ粉末をカーボンモールドに充填し真空雰
囲気中で温度１４００℃，圧力２００ｋｇ／ｃｍ2，時
間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、サイズが
１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密度９６％
のＣｒ焼結体を得た。この焼結体を加熱処理後、鍛造圧
延処理により相対密度９８％以上に加工し、さらに機械
加工により１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔのサ
イズに加工してターゲット材とした。得られたターゲッ
ト材より結晶配向性測定サンプルを任意の位置より切り
出し、スパッタ面とその面に直交する側面に平行な面に
おける結晶配向性を実施例１と同様の方法で調べた。結
果を表５に示す。
シュ以下のＣｒ粉末をカーボンモールドに充填し真空雰
囲気中で温度１４００℃，圧力２００ｋｇ／ｃｍ2，時
間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、サイズが
１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密度９６％
のＣｒ焼結体を得た。この焼結体を加熱処理後、鍛造圧
延処理により相対密度９８％以上に加工し、さらに機械
加工により１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔのサ
イズに加工してターゲット材とした。得られたターゲッ
ト材より結晶配向性測定サンプルを任意の位置より切り
出し、スパッタ面とその面に直交する側面に平行な面に
おける結晶配向性を実施例１と同様の方法で調べた。結
果を表５に示す。
【００３５】
【表５】
【００３６】さらに、上記で得られたターゲット材を実
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
して得られた成膜速度及びアーキング特性の測定結果を
表９に示す。
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
して得られた成膜速度及びアーキング特性の測定結果を
表９に示す。
【００３７】（比較例２）原料粉として平均粒径が１０
ミクロン以下のＭｏ粉末をカーボンモールドに充填し真
空雰囲気中で温度１４００℃，圧力２００ｋｇ／ｃ
ｍ2，時間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、
サイズが１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密
度９４％のＭｏ焼結体を得た。この焼結体を加熱処理
後、鍛造圧延処理により相対密度９８％以上に加工し、
さらに機械加工により１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６
ｍｍｔのサイズに加工してターゲット材とした。得られ
たターゲット材より結晶配向性測定サンプルを任意の位
置より切り出し、スパッタ面とその面に直交する側面に
平行な面における結晶配向性を実施例１と同様の方法で
調べた。結果を表６に示す。
ミクロン以下のＭｏ粉末をカーボンモールドに充填し真
空雰囲気中で温度１４００℃，圧力２００ｋｇ／ｃ
ｍ2，時間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、
サイズが１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密
度９４％のＭｏ焼結体を得た。この焼結体を加熱処理
後、鍛造圧延処理により相対密度９８％以上に加工し、
さらに機械加工により１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６
ｍｍｔのサイズに加工してターゲット材とした。得られ
たターゲット材より結晶配向性測定サンプルを任意の位
置より切り出し、スパッタ面とその面に直交する側面に
平行な面における結晶配向性を実施例１と同様の方法で
調べた。結果を表６に示す。
【００３８】
【表６】
【００３９】さらに、上記で得られたターゲット材を実
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
してＭｏ薄膜を形成して得られた成膜速度及びアーキン
グ特性の測定結果を表９に示す。
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
してＭｏ薄膜を形成して得られた成膜速度及びアーキン
グ特性の測定結果を表９に示す。
【００４０】（比較例３）原料粉として粒径が６０メッ
シュ以下のＣｒ粉末をカーボンモールドに充填し真空雰
囲気中で温度１２００℃，圧力２００ｋｇ／ｃｍ2，時
間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、サイズが
１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密度９２％
のＣｒ焼結体を得た。この焼結体を機械加工により１２
７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに加工しタ
ーゲット材とした。得られたターゲット材より結晶配向
性測定サンプルを任意の位置より切り出し、スパッタ面
とその面に直交する側面に平行な面における結晶配向性
を実施例１と同様の方法で調べた。結果を表６に示す。
シュ以下のＣｒ粉末をカーボンモールドに充填し真空雰
囲気中で温度１２００℃，圧力２００ｋｇ／ｃｍ2，時
間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、サイズが
１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密度９２％
のＣｒ焼結体を得た。この焼結体を機械加工により１２
７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに加工しタ
ーゲット材とした。得られたターゲット材より結晶配向
性測定サンプルを任意の位置より切り出し、スパッタ面
とその面に直交する側面に平行な面における結晶配向性
を実施例１と同様の方法で調べた。結果を表６に示す。
【００４１】
【表７】
【００４２】さらに、上記で得られたターゲット材を実
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
して得られた成膜速度及びアーキング特性の測定結果を
表９に示す。
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
して得られた成膜速度及びアーキング特性の測定結果を
表９に示す。
【００４３】（比較例４）原料粉として平均粒径が１０
ミクロン以下のＭｏ粉末をカーボンモールドに充填し真
空雰囲気中で温度１２５０℃，圧力２００ｋｇ／ｃ
ｍ2，時間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、
サイズが１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密
度９１％のＭｏ焼結体を得た。この焼結体を機械加工に
より１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに
加工しターゲット材とした。得られたターゲット材より
結晶配向性測定サンプルを任意の位置より切り出し、ス
パッタ面とその面に直交する側面に平行な面における結
晶配向性を実施例１と同様の方法で調べた。結果を表８
に示す。
ミクロン以下のＭｏ粉末をカーボンモールドに充填し真
空雰囲気中で温度１２５０℃，圧力２００ｋｇ／ｃ
ｍ2，時間２ｈの条件にてホットプレス処理を実施し、
サイズが１３１ｍｍ×２１０ｍｍ×２０ｍｍｔ，相対密
度９１％のＭｏ焼結体を得た。この焼結体を機械加工に
より１２７ｍｍ×１９０．５ｍｍ×６ｍｍｔのサイズに
加工しターゲット材とした。得られたターゲット材より
結晶配向性測定サンプルを任意の位置より切り出し、ス
パッタ面とその面に直交する側面に平行な面における結
晶配向性を実施例１と同様の方法で調べた。結果を表８
に示す。
【００４４】
【表８】
【００４５】さらに、上記で得られたターゲット材を実
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
してＭｏ薄膜を形成して得られた成膜速度及びアーキン
グ特性の測定結果を表９に示す。
施例１と同様に１２７ｍｍ×１９０ｍｍ×６ｍｍｔに整
形してスパッタリングターゲットを作成した。作成され
たスパッタリングターゲットを用いて実施例１と同様に
してＭｏ薄膜を形成して得られた成膜速度及びアーキン
グ特性の測定結果を表９に示す。
【００４６】
【表９】
【００４７】以上の結果より、スパッタリングターゲッ
トのスパッタ面のＸ線回折パターンと前記スパッタ面に
ほぼ直交する側面のＸ線回折パターンが実質的に同じで
あるスパッタリングターゲットを用いた場合の成膜速度
は、そうでないスパッタリングターゲットを用いた場合
に比べて約１０％ほど大きいことが分かる。また、相対
密度を９５％以上とすることによりターゲット中の空孔
量を低減し、異常放電が少なくパーティクル発生量が少
ないスパッタリングターゲットが実現できることが分か
る。なお、比較例１及び比較例２に示されるように、圧
延を施したターゲットにおいてはアーキング特性が良く
ないことが認められるが、これはターゲット中の不純物
の表面積が圧延処理によって拡大し放電特性に影響を与
えたためと考えられる。
トのスパッタ面のＸ線回折パターンと前記スパッタ面に
ほぼ直交する側面のＸ線回折パターンが実質的に同じで
あるスパッタリングターゲットを用いた場合の成膜速度
は、そうでないスパッタリングターゲットを用いた場合
に比べて約１０％ほど大きいことが分かる。また、相対
密度を９５％以上とすることによりターゲット中の空孔
量を低減し、異常放電が少なくパーティクル発生量が少
ないスパッタリングターゲットが実現できることが分か
る。なお、比較例１及び比較例２に示されるように、圧
延を施したターゲットにおいてはアーキング特性が良く
ないことが認められるが、これはターゲット中の不純物
の表面積が圧延処理によって拡大し放電特性に影響を与
えたためと考えられる。
【００４８】さらに、近年ＬＣＤ製造に採用されている
枚葉式スパッタ装置におけるように、ターゲットサイズ
が非常に大きい場合（６５０ｍｍ×５５０ｍｍ）におい
ても、本発明のスパッタリングターゲットを用いること
により、スループットに直接関わる成膜速度を増大する
ことができ、生産性を向上させることが可能となること
が分かる。
枚葉式スパッタ装置におけるように、ターゲットサイズ
が非常に大きい場合（６５０ｍｍ×５５０ｍｍ）におい
ても、本発明のスパッタリングターゲットを用いること
により、スループットに直接関わる成膜速度を増大する
ことができ、生産性を向上させることが可能となること
が分かる。
【００４９】
【発明の効果】スパッタリングターゲットのスパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上のスパッタリングターゲットを使用
することにより、薄膜形成プロセスにおいて既存の成膜
条件を変更することなく、成膜速度を増大させることが
でき、従来問題となっていたスループットの向上と高品
位な薄膜形成が可能となる。また、ターゲットライフも
伸びることから、最終的には製品のコストを低減するこ
とができる。
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上のスパッタリングターゲットを使用
することにより、薄膜形成プロセスにおいて既存の成膜
条件を変更することなく、成膜速度を増大させることが
でき、従来問題となっていたスループットの向上と高品
位な薄膜形成が可能となる。また、ターゲットライフも
伸びることから、最終的には製品のコストを低減するこ
とができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 スパッタリングターゲットのスパッタ面
のＸ線回折パターンと前記スパッタ面にほぼ直交する側
面のＸ線回折パターンが実質的に同じであり、かつ、相
対密度が９５％以上であることを特徴とするスパッタリ
ングターゲット。 - 【請求項２】 スパッタリングターゲットのスパッタ面
の測定により得られたＸ線回折パターンにおけるｈｋｌ
回折線の相対強度をＩsp（ｈｋｌ）、側面の測定により
得られたＸ線回折パターンにおけるｈｋｌ回折線の相対
強度をＩsd（ｈｋｌ）とした時、スパッタ面の測定によ
り得られたＸ線回折パターンにおける３強線について、
Ｉsp（ｈｋｌ）／Ｉsd（ｈｋｌ）の値が０．７から１．
３の範囲にあり、かつ、相対密度が９５％以上であるこ
とを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 スパッタリングターゲットの基板に対向
する面の面積が０．３ｍ2以上であることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載のスパッタリングターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10212568A JP2000045065A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10212568A JP2000045065A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000045065A true JP2000045065A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16624861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10212568A Pending JP2000045065A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000045065A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001316806A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Hitachi Metals Ltd | 高純度Ａｌターゲットおよび配線膜 |
| JP2010265544A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Kobelco Kaken:Kk | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2015042787A (ja) * | 2010-07-16 | 2015-03-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5730788B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2015-06-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN111836913A (zh) * | 2018-04-09 | 2020-10-27 | 三菱综合材料株式会社 | 溅射靶材 |
| JP2021006655A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US11427888B2 (en) | 2019-01-07 | 2022-08-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target material |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP10212568A patent/JP2000045065A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001316806A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Hitachi Metals Ltd | 高純度Ａｌターゲットおよび配線膜 |
| JP2010265544A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Kobelco Kaken:Kk | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5730788B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2015-06-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2015042787A (ja) * | 2010-07-16 | 2015-03-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5701879B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2015-04-15 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN111836913A (zh) * | 2018-04-09 | 2020-10-27 | 三菱综合材料株式会社 | 溅射靶材 |
| US11427888B2 (en) | 2019-01-07 | 2022-08-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target material |
| JP2021006655A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
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