JP5840748B2 - 酸素含有量が低いCu−Ga系合金粉末およびスパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)原子%で、Gaを25%以上、35%以下含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる、Cu−Ga系合金の溶湯をN2 ガスによりアトマイズして酸素含有量を100ppm以下のCu−Ga系合金粉末を得ることを特徴とするCu−Ga系合金粉末の製造方法。
(2)前記(1)に記載の製造方法により得られたCu−Ga系合金粉末を原料とし、これを400〜850℃の温度で固化成形することを特徴とするCu−Ga系スパッタリングターゲット材の製造方法。
にある。
本発明の最も重要な点は、Ga含有量と結晶粒径および高温固化成形により、酸素含有量の低いCu−Ga系ターゲット材およびこの原料となるCu−Ga系合金粉末を得ていることである。本発明におけるGa含有量の領域のCu−Ga合金をN2 ガスアトマイズの製造法により粉末とすると、Gaが25%未満、もしくは35%超える含有量に当たる範囲のCu−Ga系合金よりも酸素含有量が低くなることを見出した。
Gaを25%以上、35%以下
Ga含有量が25%以上、35%以下の範囲にすることで、100ppm以下の低い酸素含有量を有するCu−Ga系合金粉末が実現できる。25%未満もしくは35%超えては、酸素含有量が増加してしまう。その理由は、上述したように、Cu−Ga系の2元状態図において、上記範囲でのGa含有量の領域で生成する相が、主にCu9 Ga4 相で、この相と酸素との親和性が低いことが影響すると考えられる。特にN2 ガスアトマイズ法の製造法により顕著であり、その範囲を25%以上、35%以下とした。
本合金粉末はガスアトマイズ法やディスクアトマイズ法に代表される水アトマイズ法以外のアトマイズ法により作製することが好ましい。すなわち、真空溶解法などで得た溶製材や急冷薄帯法により得た薄帯を原料にこれらを粉砕する粉砕法や水アトマイズ法などの方法では酸素含有量が高くなってしまう。なお、タンク内の置換や溶湯に吹き付けるガスはArやN2 などがあるが、N2 を用いると更に低酸素が実現されるため、より好ましい。
本発明ターゲット材は高温で固化成形することにより、固化成形時の酸素増加を少なく抑制できる。400℃未満では酸素増加が大きく、850℃を超えると溶融してしまう。好ましくは650℃以上、830℃以下とする。より好ましくは700℃以上、800℃以下とする。なお、歩留まりの観点からはホットプレスによる固化成形が好ましい。また、本用途のスパッタリングターゲット材は大型化する傾向にあり、十分な密度も成形体を安定的に得るために、成形圧力は10MPa以上、成形時間は0.5時間以上が好ましい。一方、粉末から固化成形する際の酸素量の増加をできるだけ少なくする観点からは熱間静水圧法(HIP法)が好ましい。この場合は、成形圧力は50MPa以上、成形時間は2時間以上が好ましい。
表1に示す組成に秤量した溶解原料を、耐火物坩堝にて20kg溶解し、内径8mmのノズルからこの溶湯を出湯し、表1に示すガスによって噴霧した。これら粉末を目開き500μmの網により分級し、500μm以下の粉末について酸素分析を行なった。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (2)
- 原子%で、Gaを25%以上、35%以下含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる、Cu−Ga系合金の溶湯をN2 ガスによりアトマイズして酸素含有量を100ppm以下のCu−Ga系合金粉末を得ることを特徴とするCu−Ga系合金粉末の製造方法。
- 請求項1に記載の製造方法により得られたCu−Ga系合金粉末を原料とし、これを400〜850℃の温度で固化成形することを特徴とするCu−Ga系スパッタリングターゲット材の製造方法。
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