JP6365922B2 - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このため、ポリマーフィルム上に形成されたフレキシブルCIGS太陽電池の光電変換特性向上のため、塩化ナトリウム(NaCl)によるリフトオフ層を設けて、このリフトオフ層から光吸収層へとNaを拡散させることが提案されている(例えば、特許文献1を参照)。
Mo電極層にフッ化ナトリウム(NaF)を添加し、Mo電極層から光吸収層へとNaを拡散させることが提案されている(例えば、特許文献2を参照)。しかし、Mo電極層にNaFを添加すると、Mo電極層と基板との間にNaが大量に集中し、Mo電極層と基板との界面に剥がれが発生するおそれがある。
ここで、2%のNaを添加したCIGS膜が開示されており、従来検討されていなかった高濃度のNaの添加においても、良好な発電効率を有するCIGS太陽電池が得られることが知られている(例えば、非特許文献3を参照)。
上記提案された、ナトリウム化合物が添加されたスパッタリングターゲットを製造した場合、硫酸ナトリウム及び亜硫酸ナトリウム、又は、セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸ナトリウムを添加すると、スパッタリングターゲットに変色が発生し、さらには、スパッタリング時に異常放電が発生しやすいなどの問題が多発していることがわかった。
(1)本発明に係るスパッタリングターゲットは、金属元素として、Ga:10〜40原子%、Na:0.3〜14.6原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する焼結体であって、前記焼結体中に、Naは、セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸ナトリウムのうち少なくとも1種からなるNa化合物で含有され、前記焼結体は、Na化合物相が分散している組織を有し、前記Na化合物相の平均粒径が10.0μm以下であり、前記焼結体は、理論密度比が90%以上、抗折強度が100N/mm 2 以上、バルク比抵抗が1mΩ・cm以下であることを特徴とする。
(2)前記(1)のスパッタリングターゲットは、前記焼結体中において、0.05mm2以上のNa化合物の凝集体が、ターゲット表面の1cm2面積内に平均1個以下であることを特徴とする。
(3)前記(1)又は(2)のスパッタリングターゲットでは、前記焼結体中の金属相は、平均結晶粒径が20μm以下であることを特徴とする。
(4)本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸ナトリウムのうち少なくとも1種からなるNa化合物粉末とCu−Ga粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、前記混合粉末を焼結して、Ga:10〜40原子%、Na:0.3〜14.6原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する焼結体を作製する工程と、を有し、前記Cu−Ga粉末は、Cu−Ga合金粉末、又は、Cu−Ga合金粉末及びCu粉末からなり、平均粒径が1〜45μmであって、粒径30μm以下の粒子が、前記Cu−Ga粉末の粉末全重量の50質量%以上を占めることを特徴とする。
(5)前記(4)の製造方法では、前記混合粉末を作製する工程の前に、前記Na化合物粉末を、70℃以上の温度で乾燥する工程を有することを特徴とする。
(6)前記(4)又は(5)の製造方法では、前記混合粉末を作製する工程の後に、前記混合粉末を、70℃以上の温度で乾燥する工程を有することを特徴とする。
(7)前記(4)乃至(6)のいずれかの製造方法では、前記混合粉末を焼結する工程で、前記混合粉末を非酸化性雰囲気又は真空中で焼結することを特徴とする。
上記のようにターゲットの密度を十分確保することと、抗折強度及び電気抵抗の確保と、上記凝集体の抑制とにより、高濃度のNaを含有しつつも変色、斑点の発生や異常放電が抑制され、さらには高強度を有して割れ難いスパッタリングターゲットを実現できる。
Na(原子%):Na/(Na+Cu+Ga)×100%
Ga(原子%):Ga/(Na+Cu+Ga)×100%
さらに、導電性のない特定Na化合物が大量添加されると、スパッタリング中において、異常放電が発生しやすくなるのに対し、本発明では、スパッタリングターゲットのバルク比抵抗を1mΩ・cm以下にすることで異常放電を回避している。
なお、上記特許文献5、6に記載されたスパッタリングターゲットには、Na化合物が添加されているが、同文献には、そのNa化合物の粒径等について何ら言及されてなく、しかも、それについての示唆もない。これに対して、本発明に係るスパッタリングターゲットにおいて、添加されたNa化合物に係る平均粒径を10.0μm以下とすることは、ターゲット表面の変色防止や、マイクロ・アーク異常放電の抑制に重要となる。
このスパッタリングターゲットでは、ターゲット素地中の金属相の平均粒径が20μm以下であるので、理論密度比が90%以上で、かつ、特定Na化合物を含有していても、ターゲット素材の靭性を良好に維持することができる。即ち、上述したように、ターゲット素材の吸湿を最小限にするために、ターゲット素材の理論密度比を90%以上にする必要があるが、ターゲット密度が向上することで、特定Na化合物を大量に含有する本発明のスパッタリングターゲットにおいては、ターゲット素材の脆性が増える傾向が強い。そのため、ターゲット素材の靭性を保つために、金属相の平均結晶粒径を20μm以下にすることが有効である。なお、平均粒径が20μmを超えると、ターゲット素材の機械加工時に欠陥が出やすくなる。
特定Na化合物が添加される際に、細かい金属粉と細かい特定Na化合物粉とを混ぜると、却って金属粉のネットワークが形成できなくなる。そこで、得られたターゲットの機械強度が低下し、導電性が低下する場合もあるため、Cu−Ga粉末の平均粒径を1μm以上とした。
また、本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法においては、前記混合粉末を作製する工程の後に、70℃以上の温度で乾燥させる工程を有することが好ましい。
これらのスパッタリングターゲットの製造方法では、特定Na化合物粉末を混合粉末とする前に70℃以上の温度で乾燥させる工程を有する、さらには、混合粉末を、70℃以上の温度で乾燥させる工程を有するので、特定Na化合物の粒子の分散性を図ると共に、原料粉末の混合後における再凝集を抑制することができる。なお、混合粉末を作製する工程の前に、特定Na化合物粉末を乾燥させただけで、混合後における再凝集を十分抑制できる場合には、混合粉末を作製する工程後の乾燥工程を省略することができる。
即ち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、混合粉末を非酸化性雰囲気又は真空中で焼結するので、より酸素含有量を低減することができる。
即ち、本発明に係るスパッタリングターゲット及びその製造方法によれば、Naが特定Na化合物の状態で含有され、ターゲット素材の理論密度比が90%以上、抗折強度が100N/mm2以上、バルク比抵抗が1mΩ・cm以下であり、ターゲット表面の1cm2面積内に、0.05mm2以上の特定Na化合物の凝集体が平均1個以下であるので、Naを含有しつつも、吸湿変色や異常放電が抑制され、さらには、高強度を有して割れ難い。したがって、本発明のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法によりCIGS薄膜型太陽電池の光吸収層を成膜することで、高い量産性を有して光吸収層へNaを添加することができ、発電効率の高い太陽電池を製造することが可能となる。
常圧焼結する場合、先ず、混合粉末を金属製金型に充填し、150MPaの圧力にて常温加圧して、成形体を作った。この成形体を、窒素と3%水素との混合雰囲気において焼成し、高密度の実施例9〜16及び参考例1〜8、17の焼結体を得た。
ホットプレス(HP)の場合、原料粉末を黒鉛モールドに充填して真空ホットプレスを行った。HIPの場合、常圧焼結と同様に成形体を作成し、この成形体を0.5mm厚みのステンレス容器に装入した後、真空脱気を経て封入し、HIP処理した。
また、これらの実施例と比較するため、表1乃至表3に示されるように、本発明の範囲から外れた条件による比較例1〜14のスパッタリングターゲットを作製した。
なお、作製された実施例9〜16、参考例1〜8、17及び比較例1〜14のスパッタリングターゲットについて、GaとNaとの含有量を、ICP法(高周波誘導結合プラズマ法)を用いて定量分析を行った結果が、表3の「焼結体組成(原子%)」欄に示されている。
<特定Na化合物粉末>
特定Na化合物粉末は、純度3N以上で、一次粒子径が0.01〜1.0μmのものが好ましい。
また、特定Na化合物中の吸着水分を、混合する前に、60〜140℃の環境で3〜24時間の乾燥を行うことにより取り除くことが好ましい。例えば、真空乾燥機中で真空環境にて、120℃、10時間の乾燥が有効である。
なお、特定Na化合物は、吸湿性が強く且つ水に溶解されるので、水を使う湿式の粉砕混合装置の使用は不適である。
混合工程における特定Na化合物粉末とCu−Ga粉末との混合粉末を用意するには、粉砕混合装置(例えば、ボールミル、ジェットミル、ヘンシェルミキサー、アトライター等)を用いた解砕方法や、混合方法が異なる、以下の(1)〜(3)の方法を利用できる。
(1)特定Na化合物粉末の解砕と、Cu−Ga粉末との混合とを別個に実施する場合
解砕によって得られる特定Na化合物の平均二次粒子径は、1〜5μmが好ましい。解砕工程は湿度RH:40%以下の乾燥した環境で行うことが好ましい。こうして得られた解砕後の特定Na化合物粉末は、上述の通り、混合前に70℃以上で乾燥することが好ましい。
次に、この特定Na化合物粉末とターゲット組成に調製したCu−Ga粉末とを、乾式混合装置を用いて相対湿度RH:40%以下の乾燥した環境にて混合し、混合粉末とする。なお、混合は還元性雰囲気中で行うことがさらに好ましい。
乾燥済み特定Na化合物粉末とターゲット組成に調製したCu−Ga粉末とを、同時に粉砕混合装置に充填し、混合と特定Na化合物粉末の解砕とを同時に行い、特定Na化合物粉末の平均二次粒子径が5μm以下になる時点で解砕を終了する。なお、上記混合は、湿度RH:40%以下の乾燥した環境にて行うことが好ましく、還元性雰囲気中で行うことがさらに好ましい。
先ず、ターゲット組成のCu/Gaの割合よりもGaの含有量の多いCu−Ga合金粉末(以下、高Ga粉末と称する。)と、ターゲット組成のCu/Gaの割合よりもGaの含有量の少ないCu−Ga合金粉末又はCu粉(以下、低Ga粉末と称する。)を用意する。
高Ga粉末を乾燥済みの特定Na化合物粉末と混合してから、さらに、低Ga粉末を追加し、均一になるように混合して混合粉末とする。ここで、高Ga粉末のGa原子比について、R1=Ga/(Ga+Cu)とし、低Ga粉末の原子比について、R2=Ga/(Ga+Cu)とし、Ga含有量(原子%)とCu含有量(原子%)とから求めた。
以上の混合は、すべて上記(1)及び(2)のような低湿度環境で行う。なお、還元性雰囲気中で行うことがさらに好ましい。
次に、上記(1)〜(3)のいずれかの方法で混合した原料粉末を、湿度RH:30%以下の乾燥環境でプラスチック樹脂性の袋に封入し保管する。これは、特定Na化合物の吸湿や吸湿による凝集を防止するためである。
Cu−Ga粉末に対する焼結中の酸化防止のため、焼結工程は、非酸化性の還元性雰囲気中、真空中又は不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
上記混合粉末を焼結する方法としては、例えば、以下の3つの方法が適用できる。
1)上記混合粉末を金型に充填し、冷間にてプレス成形した成形体あるいは成形モールドに充填、タッピングして一定の嵩密度を有する成形体を形成し、それを真空中、不活性ガス中又は還元性雰囲気中において焼結する。
2)上記混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中でホットプレス(HP)する。
3)上記混合粉末を、熱間静水圧プレス(HIP)法で焼結する。
次に、上記焼結工程で得たCu−Ga−特定Na化合物焼結体は、通常放電加工、切削加工又は研削加工を用いて、スパッタリングターゲットの指定形状に加工されて、本実施形態のスパッタリングターゲットが作製される。このとき、特定Na化合物は、水に溶解するため、加工の際には、冷却液を使わない乾式法、又は、水を含まない冷却液を使用する湿式法が好ましい。また、湿式法で予め加工した後、さらに、乾式法で表面を精密加工する方法もある。
なお、加工済みのスパッタリングターゲットを保管する際には、ターゲット自体の酸化、吸湿を防止するため、ターゲット全体を真空パック又は不活性ガス置換したパックを施すことが好ましい。
上記で作製したスパッタリングターゲットは、ArガスをスパッタガスとしたDCマグネトロンスパッタリングに供される。このとき、パルス電圧を付加するパルスDC電源を用いることが好ましいが、特定Na化合物含有量によっては、パルスなしのDC電源でもスパッタリング可能である。また、スパッタリング時の投入電力は、1〜10W/cm2が好ましい。
<理論密度比>
スパッタリングターゲットの理論密度比の測定は、重量/寸法で計算する。
即ち、理論密度比については、実際のCu/Ga割合、投入原料の種類、焼結条件により、気孔のない素地の密度(理論密度)が変わるため、以下のように計算する。
先ず、本実施形態のターゲット素材中のCu/Ga比と同様な割合で、Cu−Ga金属混合物を1200℃で溶解し、鋳造後に、徐冷で得られた10cm×10cm×10cmの無欠陥の鋳塊の密度を測定し、これを上記割合のCu−Ga合金の理論密度とする。
したがって、理論密度比は、(ターゲット密度)/(ターゲット理論密度)×100%となる。但し、ターゲット密度は、(重量)/(体積)である。
抗折強度については、焼結したターゲット素材をJIS R1601に従って加工し、曲げ強さ(抗折強度)を測定する。即ち、ターゲット素材を、長さ40mm×幅4mm×厚み3mmの棒状に加工し、抗折強度を測定した。
電気抵抗(バルク比抵抗)については、4探針法を用いて測定する。
<特定Na化合物凝集体について>
特定Na化合物凝集体のサイズ測定については、10倍光学顕微鏡でターゲット表面100cm2面積を観察し、写真撮影する(例えば、図1参照)。そして、この写真によって、凝集体サイズを計算し、0.05mm2以上の特定Na化合物凝集体の数をカウントする。さらに、凝集体は、特定Na化合物であることをSEMのEDX機能で確認する。また、ターゲット表面における1cm2面積内に存在する0.05mm2以上の特定Na化合物凝集体の平均個数は、ターゲット表面100cm2面積内の平均で計算する。特定Na化合物は水に溶けやすいため、観察用ターゲット表面は乾式加工により加工する。
次に、ターゲット素地中の特定Na化合物相の平均粒径については、測定を行うために以下のように観察用サンプルを作製し、粒径の計算を行う。
先ず、焼結したスパッタリングターゲットの任意部位を切断し、約5×10×3mmのブロック状サンプルを作成する。次に、該サンプルを表面粗さRa:0.5μm以下まで乾式研磨し、観察面を作製する。さらに、観察面をSEMにて100倍で写真撮影をし、1000μm×1000μm視野中の特定Na化合物相の断面積を計算し、投影面積円相当径に換算したのち、上記視野中の粒子の平均粒径を計算する。
上記金属相の平均粒径を測定するための観察用サンプルの作製方法及び平均粒径の計算は、以下の通りである。
先ず、上記ブロック状サンプルの観察面を、純水50ml、過酸化水素水5ml及びアンモニア水45mlからなるエッチング液に5秒間浸漬してエッチングする。
次に、エッチング面を250倍の光学顕微鏡で、合金組織を撮影する。このとき、500μm×1000μm視野中の結晶の断面積を計算し、投影面積円相当径に換算したのち、上記視野中の粒子の平均粒径を計算する。
また、上記で成膜された薄膜を基板から剥がし、ICP法を用いてNa、Gaの定量測定を行った。その結果が、表5の「膜組成(原子%)」欄に示されている。
また、実施例9〜16のスパッタリングターゲットでは、表5に示されるように、切削加工時の割れや欠けや表面チッピングは、いずれも発生していないのに対し、比較例1、3、5、6、10、12、13のスパッタリングターゲットでは、混合粉末の作製前、さらにはその作成後において、乾燥処理が施されなかったか、或いは、乾燥が不十分であったために、表5に示されるように、切削加工時の割れや欠けが発生している。
さらに、実施例9〜16のスパッタリングターゲットでは、表5に示されるように、スパッタリング時の著しい異常放電が、いずれも0回であるのに対し、比較例1、3〜6、9〜12、13、14では、いずれも1回又はそれを超えて多発している。一方、比較例2、7、8、11のスパッタリングターゲットでは、スパッタリング時の著しい異常放電は、いずれも0回であるが、連続放電後のターゲット表面には、放電痕が発生し、そのマイクロ・アーク異常放電も、300回を超えて多発し、安定したDCスパッタリングを行えなかった。
さらに、混合粉末を得る混合工程の前に、特定Na化合物粉末を、70℃以上の温度で乾燥させる工程を有する、さらには必要に応じて、混合工程で得られた混合粉末を、70℃以上の温度で乾燥させる工程を有するので、特定Na化合物の粒子の分散性が維持され、また、原料粉末の混合後における再凝集を抑制することができる。
Claims (7)
- 金属元素として、Ga:10〜40原子%、Na:0.3〜14.6原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する焼結体であって、
前記焼結体中に、Naは、セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸ナトリウムのうち少なくとも1種からなるNa化合物で含有され、
前記焼結体は、Na化合物相が分散している組織を有し、前記Na化合物相の平均粒径が10μm以下であり、
前記焼結体は、理論密度比が90%以上、抗折強度が100N/mm 2 以上、バルク比抵抗が1mΩ・cm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記焼結体中において、0.05mm2以上のNa化合物の凝集体が、ターゲット表面の1cm2面積内に平均1個以下であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記焼結体中の金属相は、平均結晶粒径が20μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸ナトリウムのうち少なくとも1種からなるNa化合物粉末とCu−Ga粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、
前記混合粉末を焼結して、Ga:10〜40原子%、Na:0.3〜14.6原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する焼結体を作製する工程と、を有し、
前記Cu−Ga粉末は、Cu−Ga合金粉末、又は、Cu−Ga合金粉末及びCu粉末からなり、平均粒径が1〜45μmであって、粒径30μm以下の粒子が、前記Cu−Ga粉末の粉末全重量の50質量%以上を占めることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記混合粉末を作製する工程の前に、前記Na化合物粉末を、70℃以上の温度で乾燥する工程を有することを特徴とする請求項4に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記混合粉末を作製する工程の後に、前記混合粉末を、70℃以上の温度で乾燥する工程を有することを特徴とする請求項4又は5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記混合粉末を焼結する工程で、前記混合粉末を非酸化性雰囲気又は真空中で焼結することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
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