CN102326460A - 导电性基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在聚酰亚胺等基材上优选形成有铜布线等图案状的金属微粒烧结膜且金属微粒烧结膜与基材的附着性高并具有优异的导电性的导电性基板。本发明的导电性基板为，在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层，并对该印刷层进行烧成处理来形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板，所述金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上，且所述金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下，本发明还涉及所述导电性基板的制造方法。

Description

导电性基板
技术领域
本发明涉及导电性基板，进一步详细地说，涉及在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层，并对该印刷层进行烧成处理形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板及该导电性基板的制造方法。
背景技术
一直以来，作为柔版印刷布线板等使用的是，在用聚酰亚胺树脂形成的基材上形成有电路图案的布线板。作为形成这样的电路图案的方法，至今使用的是如下的方法：在贴合有金属箔的基材上涂布光致抗蚀剂等，曝光成所期望的电路图案，利用化学蚀刻形成图案。
但是在该方法中，虽然由于可以使用金属箔作为导电性的布线，所以可以制造体积电阻率减小、且高性能的导电性基板，但使用这样的光刻技术的该方法有如下的缺点：不仅工序数较多、繁杂，而且需要使用光致抗蚀材料等。另外，在聚酰亚胺等的基材上利用铜等直接形成电路时，难以使其附着，对此以往采用的是如下的方法：在基材与电路的界面上形成赋予附着性的层，或者使被覆面粗糙来提高附着性。但是，如果形成附着层则存在导电性、绝缘性下降的问题，而在使被覆面粗糙的方法中存在由被覆界面的凹凸带来的导电性下降的问题。
针对这些问题，有人提出了如下的技术：在聚酰亚胺树脂上涂布碱水溶液，使聚酰亚胺树脂的酰亚胺环开裂生成羧基，并使含有金属离子的溶液与其接触而生成金属盐，通过还原反应得到金属薄膜(参照专利文献1的权利要求书)。于是，金属处于被包埋在聚酰亚胺树脂的表层部内的状态，利用锚固锁定效果，可得到附着性高的薄膜(参照专利文献1的段落0049)。
但是，在该方法中，由于铜在聚酰亚胺中移动，所以布线会短路，或者因界面的凹凸增大，存在电可靠性降低的问题。
另外，有人提出了由形成于绝缘基板上的绝缘树脂层、和形成于绝缘树脂层上的金属薄膜层形成的层叠体，其中在绝缘树脂层和金属薄膜层的接触界面存在金属氧化物(参照专利文献2的权利要求书)。专利文献2中提到，金属氧化物可使绝缘树脂层和金属薄膜层的粘接强度增大(参照专利文献2的段落0020)。
然而，专利文献2公开的层叠体中，金属氧化物层尤其是氧化铜的层不耐強酸，可预测到利用电解铜镀敷法使布线厚膜化时，金属氧化物层会发生溶解，附着性下降。
专利文献1：日本特开2005-45236号公报
专利文献2：日本特开2008-200875号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是在这种状况下完成的，其目的在于提供一种在聚酰亚胺等的基材上形成有铜布线等金属微粒烧结膜的、金属微粒烧结膜与基材的附着性高、且具有优异的导电性的导电性基板及该导电性基板的制造方法。
用于解决技术问题的方案
本发明人等为了实现上述目的而反复进行了精心研究，结果发现，如果使用在基板上印刷金属等微粒并使粒子彼此烧结来形成薄膜的技术，就能够在基材上直接形成金属薄膜。另一方面，发现即便使用该技术，也存在基材与金属薄膜的界面的附着性下降的问题，其原因为在烧结的同时由粒子之间的凝聚会引起颗粒生长，在与基板界面之间产生空隙。关于产生该空隙的问题，经进一步研究后发现，通过在由粒子之间的凝聚造成的颗粒生长开始之前用短时间进行烧结，使由X射线衍射结果得到的微晶直径生长为25nm以上，由此形成在膜中、基材界面不产生空隙的结构，使基材与金属薄膜的界面平滑，且得到高附着性。另外发现，在金属薄膜中，未残存有机物等的情况下可以得到更高的附着性。本发明是基于上述见解而完成的。
即，本发明提供一种导电性基板，其为在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层，并对该印刷层进行烧成(firing)处理形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板，上述金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上，且上述金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种在聚酰亚胺等基材上形成有铜布线等图案状的金属微粒烧结膜的、金属微粒烧结膜与基材的附着性高且具有优异的导电性的导电性基板。
附图说明
图1为实施例1所述的本发明的导电性基板的截面的扫描型电子显微镜照片。
图2为比较例2所述的导电性基板的截面的扫描型电子显微镜照片。
图3为实施例1所述的本发明的导电性基板的X射线结构衍射的结果。
图4为进行实施例1所述的本发明的导电性基板的离子蚀刻深度方向元素分析的结果。
图5为比较例2中制造的导电性基板的X射线结构衍射的结果。
具体实施方式
首先，本发明的导电性基板为在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层，并对该印刷层进行烧成处理形成金属微粒烧结膜而成的。
(基材)
作为本发明中使用的基材，只要是能用于导电性基板的物质就没有特别的限制，例如，可以使用钠钙玻璃、无碱玻璃、硼硅酸玻璃、高变形点玻璃、石英玻璃等玻璃基板、氧化铝、氧化硅等陶瓷基板等无机材料，进而还可以使用高分子材料、纸等。
另外，本发明如后所述，由于金属或金属氧化物微粒在低温且短时间内进行烧结并形成导电性薄膜，所以对基材造成损伤的情形较少，可以不使用高变形点玻璃等耐热性高的特殊的玻璃，即使是耐热性低的通常的钠钙玻璃等也可以使用。进而，塑料等高分子材料也可以作为基材使用，尤其是在能够使用聚酰亚胺等树脂膜这一点上非常有用的。
作为能够用作基材的高分子材料，可以根据用途举出各种物质，但优选熔点200℃以上的物质，例如，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、环氧树脂、玻璃-环氧树脂、聚苯醚等。其中，从耐热性、机械强度、电绝缘性、耐药品性等观点考虑，优选聚酰亚胺树脂。
在本发明的导电性基板中，即便对于聚酰亚胺基材，金属微粒烧结膜的附着性良好的理由尚不可确定，但可推测这是因为聚酰亚胺表面存在的若干的羧基等极性强的官能团、和具有本发明所述的特殊结构的金属微粒烧结膜在界面产生离子键等化学性相互作用而致的。
对于基材的厚度没有特别的限制，基材为无机材料时，通常为0.1～10mm左右，优选为0.5～5mm。
另一方面，基材为塑料基材时，通常为10～300μm的范围。为10μm以上时，在形成导电层时可以抑制基材的变形，且在形成的导电层的形状稳定性的方面是优选的。另外，为300μm以下时，在连续进行卷绕加工的情况下，从柔软性的方面是优选的。
(金属或金属氧化物微粒)
作为金属的种类，只要是具有导电性的物质就没有特别的限制，可举出金、银、铂、钯、铑、铱、钌、饿等贵金属；铜、镍、锡、铁、铬等贱金属。
其中，从具有高的导电性、且能够容易维持微粒的观点出发，优选金、银、铜、及镍，若再考虑导电性、经济性、耐迁移性等则优选铜。
这些金属可以单独使用1种，也可以混合2种以上、或合金化后使用。另外，作为金属氧化物，可优选举出氧化银、氧化亚铜、氧化铜或这些的混合物等。其中，特别优选铜的化合物，尤其是铜的氧化物(氧化亚铜、氧化铜或这些的混合物)。
还有，此处的金属氧化物包括金属的表面已被氧化的形态，本发明中，优选表面已被氧化的铜。
作为上述金属微粒及金属氧化物微粒的调制方法有各种方法，可以用如下方法的方法制作：利用机械/化学法等进行的粉碎金属粉而得到的物理方法；CVD法、蒸镀法、溅射法、热等离子体法、激光法之类化学干式法；利用热分解法、化学还原法、电分解法、超声波法、激光烧蚀法、超临界流体法、微波合成法等进行的称为化学湿式法的方法。
就所得微粒而言，为了制成分散液，优选将微粒用聚乙烯吡咯烷酮等水溶性高分子或接枝共聚高分子之类的保护剂、表面活性剂、具有与金属相互作用的巯基或氨基、羟基、羧基的化合物包覆。另外，根据合成法的不同，有时原料的热分解物或金属氧化物也会对粒子表面进行保护，并有助于分散性。用热分解法或化学还原法等湿式法制作时，还原剂等有时可直接作为微粒的保护剂而起作用。
另外，为了提高分散液的分散稳定性，可以进行微粒的表面处理，或者添加由高分子、离子性化合物、表面活性剂等形成的分散剂。
上述微粒的平均一次粒径优选1～200nm的范围。平均一次粒径为1nm以上时，分散液的分散稳定性良好，形成导电性薄膜时的导电性变良好。另一方面，平均一次粒径为200nm以下时，可维持低熔点，可以进行充分的烧结，并得到高的导电性。由以上的观点出发，微粒的平均一次粒径优选1～100nm的范围，更优选1～70nm的范围，特别优选2～50nm的范围。此处，分散液中的微粒的平均一次粒径利用透射型电子显微镜的观察图像进行测定。
还有，这些微粒可以是由单晶形成的微粒，也可以是较小的微晶多个聚集而成的多晶微粒。
作为构成微粒的分散液(涂布液)并使上述微粒分散的分散剂，可以使用水及/或有机溶剂。作为有机溶剂，可举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、乙二醇、二甘醇、三甘醇、丙二醇、甘油等醇类；甲苯、二甲苯等芳香族烃；丙酮、甲乙酮、甲基异丁酮等酮类；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯等酯类；四氢呋喃、二噁烷、乙二醇单甲醚(甲基溶纤剂)、乙二醇单乙醚(乙基溶纤剂)、乙二醇单丁醚(丁基溶纤剂)等醚类；己烷、癸烷、十二烷、十四烷等脂肪族烃；环己烷等脂环式烃等。
进而，为了提高造膜性、赋予印刷适性并提高分散性，例如也可以将聚酯树脂、丙烯酸树脂、或者聚氨酯树脂等作为树脂粘合剂添加到分散液中。另外，根据需要，也可以添加粘度调节剂、表面张力调节剂、或者稳定剂等。
本发明的微粒分散液优选固体成分浓度为5～60质量％的范围。固体成分浓度为5质量％以上时可得到充分的导电性，为60质量％以下时，粘度足够低，微粒分散液对基材的印刷是容易的。从以上观点考虑，微粒分散液中的固体成分浓度更优选10～50质量％的范围。
作为在基材上印刷微粒分散液的方法没有特别限定，可以使用凹版印刷、丝网印刷、喷淋涂布、旋转涂布、逗点涂布、棒涂布、刀式涂布、胶版印刷、柔版印刷、喷墨印刷、调配(dispenser)印刷等方法。其中，从可以进行微细的图案化的观点出发，优选凹版印刷、柔版印刷、丝网印刷、及喷墨印刷。
另外，本发明中，由于可以在基材上将微粒分散液直接印刷成所期望的图案，所以与使用以往的光致抗蚀的方法比较，可以显著提高生产性。
基材上的微粒分散液在印刷后可以用通常的方法进行干燥。具体而言，例如，使用通常的烘箱等，在80～140℃左右的温度下加热0.1～20分钟左右使其干燥。干燥后的印刷部分的膜厚可以根据用途等改变适宜的涂布量、微粒的平均一次粒径等来加以控制，但通常为0.01～00μm的范围，优选0.1～50μm的范围。
(烧成处理)
接着，就本发明中的烧成而言，只要是能使金属或金属化合物微粒熔接并形成导电性薄膜的方法，则没有特别的限制，例如，可以在烧成炉进行，也可以使用等离子体、加热催化、紫外线、真空紫外线、电子射线、红外线灯退火、闪光灯退火、激光等。从金属微粒烧结膜的导电性的观点出发，这些烧成优选在非活性气体环境下或还原性气体环境下进行。
这些烧成处理优选在短时间内进行，升温速度在100℃/分钟以上，优选在200℃/分钟以上进行。烧成反应需要的时间优选设为5分钟以内，进一步优选设为2分钟以内，由此可以抑制颗粒生长。
另外，金属微粒含有贱金属或氧化物时，优选产生具有还原性的活性源的方法。进而，基材为树脂或低耐热基材时，为了防止基材的热损伤，优选使用从涂布层的表层加热微粒的方法。
在如上所述的烧成方法中，尤其是利用通过施加微波能量产生的表面波等离子体(以下有时称为“微波表面波等离子体”。)进行的烧成处理，对基材的热损伤较少，可以进行大面积的处理，且可以进行短时间的烧成处理。
本发明中，优选通过曝于微波表面波等离子体中进行烧成处理，形成由金属微粒烧结膜、尤其是图案状的金属微粒烧结膜构成的导电层。
还有，在表面波等离子体的处理之前，为了除去印刷了含有金属或金属氧化物微粒的涂布液的印刷层中所含的分散剂等有机物，优选在大气下或含有氧气的气氛下，在200～500℃左右的温度加热10分钟～2小时左右。利用该加热，可氧化分解除去有机物。
<表面波等离子体的产生方法>
上述表面波等离子体的产生方法没有特别的限制，例如，可以使用从减压状态的烧成处理室的照射窗供给微波能量，在该烧成处理室内沿着照射窗产生表面波等离子体的无电极等离子体产生手段。
作为上述等离子体产生手段，例如可以从烧成处理室的照射窗供给频率2450MHz的微波能量，在该处理室内产生电子温度约1eV以下、电子密度约1×1011～1×l013cm-3的微波表面波等离子体。
还有，微波能量通常为频率300MHz～3000GHz的电磁波，例如，可以使用2450MHz的电磁波。此时，由于作为微波振荡装置的磁控管的精度误差等因素，具有2450MHz/±50MHz频率范围。
这样的微波表面波等离子体具有等离子体密度高、电子温度低的特性，且可以使上述印刷层在低温且短时间内进行烧成处理，可以形成由致密且平滑的金属微粒烧结膜构成的导电层。表面波等离子体对于处理面，在面内照射密度均匀的等离子体。其结果与其他的烧成方式相比较，在面内进行部分粒子的烧结等的形成不均匀的膜的情况减少，还可以防止颗粒生长，因此可得到非常致密且平滑的膜。另外，无需在面内处理室内设置电极，因此可以防止源自电极的杂质的污染，另外可以防止处理材料受到由异常放电带来的损伤。进而，在使用塑料基材时，该基材的损伤较少。
另外，微波表面波等离子体适于提高金属微粒烧结膜例如对聚酰亚胺之类的树脂基材的附着性。作为该理由，可推测原因为微波表面波等离子体在与金属微粒烧结膜的界面容易产生羟基、羧基等极性官能团。
本发明中，使微波表面波等离子体在还原性气体的环境、优选在氢气环境下产生。由此，金属微粒表面存在的绝缘性的氧化物被还原除去，形成导电性能良好的导电层。
如上所述，由于使微波表面波等离子体在还原性气体的环境下产生，并对上述印刷层进行烧成处理，从而还原除去了金属微粒表面存在的氧化物，因此在本发明中，作为金属微粒，可以使用表面已被氧化的粒子、已被氧化到内部的粒子。
还有，作为形成还原性环境的还原性气体，可举出氢气、一氧化碳、氨气等气体，或者这些的混合气体，特别是考虑副产物少的特点优选氢气。
另外，还原性气体中，如果混合使用氮气、氦气、氩气、氖气、氪气、氙气等非活性气体，则有容易产生等离子体等效果。
如上所述地利用微波表面波等离子体进行烧成处理形成的金属微粒烧结膜，厚度为50nm～2μm左右，优选100～1000nm。
本发明的导电性基板，其特征在于，利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上。微晶直径为25nm以上时，可以得到基材与金属微粒烧结膜的高附着性。进而从获得更高的附着性的观点出发，利用X射线衍射测定的微晶直径优选为28nm以上。对微晶直径的上限值而言，没有特别限制，通常为100nm左右。
作为X射线衍射测定的方法，使用薄膜X射线衍射装置，得到X射线衍射峰。由得到的结果，关于强度最强的的晶面的峰，使用谢乐(シェラ一)公式(D＝kλ/βcosθ；D：微晶直径(nm)；k：常数，这甲使用0.9；λ：X射线波长(CuKα线)0.154nm；β：半值峰宽度(rad))算出微晶直径。
另外，金属微粒烧结膜为铜的情况下，在用上述方法得到的X射线衍射图案中，(111)面的峰面积优选为(200)面的峰面积的2倍以上。该峰面积之比为2倍以上时，从与基材的附着性方面考虑是优选的。从以上的观点出发，该比率更优选为2.2倍以上。
另外，本发明的导电性基板，其特征在于，金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下。该空隙率为1％以下时，金属微粒烧结膜与基材的附着性高。从以上的观点考虑，该空隙率优选为05％以下。
该空隙率是通过如下方法算出的：使用扫描型电子显微镜对金属微粒烧结膜截面进行观察，对得到的图像通过图像处理将黑色的部分作为空隙，由空隙部分的面积比算出。其中，空隙率从除去基材的金属微粒烧结膜算出，基材与金属微粒烧结膜的界面的空隙包含在金属微粒烧结膜的一方。
另外，金属微粒烧结膜内部的、利用X射线光电子分光法测定的碳含量优选不足5％。该碳量不足5％时，在烧结膜的致密性、及导电性方面是有利的。从以上的观点出发，该碳量更优选不足1％。
该碳量的测定中，使用X射线光电子分光装置边对金属微粒烧结膜进行蚀刻边进行碳的元素分析。进行蚀刻至金属微粒烧结膜与基材的界面，并以得到的全元素量中的碳的相对量(％)表示该碳量。
本发明的导电性基板为，在基材上具有以良好附着性设置的导电层、优选图案状的导电层的、可靠性及导电性良好的基板。即，构成该导电层的金属微粒烧结膜直接地附着在基材上，而与基材之间不具有异种金属层或金属氧化物层，因此导电性、绝缘性不会下降。另外，由于基材的表面是平滑的，所以与金属微粒烧结膜的界面没有凹凸，导电性不会下降。
使用这样的本发明的导电性基板的电子部材，例如可有效利用于印刷布线板、多层印刷布线板、柔版印刷布线板等。
实施例
下面利用实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明不受这些例子的任何限定。
(评价方法)
对由该例得到的导电性基板利用以下的方法进行评价。
1表面电阻
使用表面电阻计(Dia Instruments CO.，LTD制“Loresta GP”)，利用4探针法测定表面电阻，由膜厚算出体积电阻率。
2.扫描型电子显微镜观察
使用Hitachi High-Technologies Corporation制的扫描型电子显微镜(SEM)“S-4800”，以1～5kV加速电压进行观察。使用薄片切片机切断试样，对任意的5处在宽度1μm的范围内以10万倍的倍率进行截面观察。通过图像处理，算出空隙部分在金属膜中所占的面积比，以5处的平均值作为空隙率。另外，由SEM照片观察基材有无损伤，并测定金属微粒烧结膜的膜厚。
3.金属微粒烧结膜的微晶直径
使用薄膜X射线衍射装置(Rikaku Corporation制“ATX-E”)，进行X射线衍射测定。作为X射线源使用CuKα射线(波长；0.154nm)，测定角度(2θ)为20～100度。由得到的结果根据谢乐公式算出微晶直径。
4金属微粒烧结膜中的元素分析
使用X射线光电子分光装置((株)岛津制作所制“ESCA-3400”)，对离子蚀刻深度方向进行元素分析。蚀刻条件如下，进行蚀刻直到检测不到金属元素为止。
使用气体；氩气，加速电压：0.1kV，放射电流：30mA
以金属元素成分量变为50％的点作为金属微粒烧结膜与基材的界面，求出从表面和界面分别除去10％的部分的金属微粒烧结膜内部的碳原子的相对量(参照图4)。
5.附着性(棋盘格子剥離试验)
将金属微粒烧结膜侧的表面用切刀切成1mm间隔的纵横10个分区的棋盘格子状，贴合粘合性胶带(Nichiban Co.，Ltd制“Cellotape(注册商标)”，宽度24mm)后进行剥离，以格子的剥离程度进行评价。作为剥离的标记方法，将100个棋盘格子完全没有被剥离的标记为100/100，90个残留10个被剥离的标记为90/100，100个棋盘格子全部被剥离的标记为0/100。
实施例1
利用旋涂法将平均一次粒径为5nm的铜纳米粒子甲苯分散液(ULVAC MATETRIAL，INC.制固体成分30质量％)涂布在厚度75μm的聚酰亚胺膜(DUPONT-TORAY公司制“KAPTON 200H”)上，使其自然干燥。然后，为了除去有机成分，对涂布铜微粒而成的基板在大气下预先在300℃进行烧成30分钟。
接着，利用微波表面波等离子体处理装置(MSP-1500、MOCRO电子(株)制)进行处理。等离子体处理中，使用氢气，将氢气导入压力设为20Pa，氢气流量设为100sccm，以1000W的微波输出功率，从升温开始进行30秒钟的等离子体处理。升温速度为约400℃/min，到达温度为230℃。
对得到的铜纳米粒子烧结膜利用上述方法进行评价，结果示于表1。
图1为实施例1的导电性基板的截面的扫描型电子显微镜照片(以下称为“SEM照片1”)。从该SEM照片1明显可知，实施例1的导电性基板的金属微粒烧结膜的厚度约300nm，且基材中没有损伤。另外，从该SEM照片算出的空隙率为0.1％以下。
另外，图3为实施例1的导电性基板的X射线结构衍射的结果，横轴是指测定角度(2θ)，纵轴是指X射线检测强度(cps)。由该结果，算出金属微粒烧结膜中的微晶直径为41.2nm。
然后，图4为对实施例1的导电性基板的离子蚀刻深度方向进行元素分析的结果。碳含量为0.5％。
实施例2
将微波输出功率设为800W，升温速度设为约320℃/min，到达温度设为190℃，除此以外，与实施例1相同。对得到的铜纳米粒子烧结膜与实施例1同样进行评价，结果示于表1。
实施例3
将微波输出功率设为600W，升温速度设为约250℃/min，到达温度设为150℃，除此以外，与实施例1相同。对得到的铜纳米粒子烧结膜与实施例1同样进行评价，结果示于表1。
比较例1
实施例1中，代替由微波表面波等离子体进行的烧成处理，使用高频率等离子体装置(ED-350特型、CANON ANELVA ENGINEERINGCORPORATION制)进行烧成，除此以外，与实施例1同样地进行操作得到铜纳米粒子烧结膜。作为烧成的具体的方法，氢气导入压力设为10Pa，氢气流量设为100sccm，输出功率设为300W，升温速度设为约100℃/min，将到达温度设为120℃，到达120℃后，进行3分钟处理。对得到的铜纳米粒子烧结膜，进行与实施例1同样的评价，结果示于表1。
比较例2
实施例1中，代替由微波表面波等离子体进行的烧成处理，使用电炉(NEMS(株)制)进行烧成，除此以外，与实施例1同样操作得到铜纳米粒子烧结膜。作为烧成的具体的方法，在氢气4％、氩气96％的还原气氛下，以10℃/min升温到300℃后保持30分钟，然后自然冷却。
对得到的铜纳米粒子烧结膜，进行与实施例1同样的评价，结果示于表1。另外，图2中示出截面的扫描型电子显微镜照片(以下为“SEM照片2”)，图5示出X射线结构衍射的结果。
由图5的结果算出金属微粒烧结膜中的微晶直径为23.9nm。
另外，由该SEM照片2清楚可知，比较例2的导电性基板的金属微粒烧结膜的厚度约为500nm，且基材没有损伤。但是，与SEM照片1比较可清楚看到空隙更多，由该SEM照片2算出的空隙率为11.1％。
[表1]
Figure BDA0000085094380000121
产业上的利用可能性
本发明的导电性基板中，基材与金属微粒烧结膜的附着性高，且导电性优异。另外，利用印刷法可直接在基材形成电路图案。因此，该导电性基板可有效利用于印刷布线板、多层印刷布线板、柔版印刷布线板、电磁波防护罩等。

Claims (16)

1.一种导电性基板，其中，所述导电性基板为，在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层，并对该印刷层进行烧成处理来形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板，
所述金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上，且所述金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下。
2.如权利要求1所述的导电性基板，其中，所述金属微粒烧结膜内部的、利用X射线光电子分光法测定的碳含量不足5％。
3.如权利要求1或2所述的导电性基板，其中，所述金属或金属氧化物为选自铜、氧化铜及表面已被氧化的铜中的至少1种。
4.如权利要求3所述的导电性基板，其中，X射线衍射图案中，(111)面的峰面积为(200)面的峰面积的2倍以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性基板，其中，在所述金属微粒烧结膜与基材之间不具有异种金属层或金属氧化物层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的导电性基板，其中，所述基材为聚酰亚胺树脂。
7.如权利要求1～6中任一项所述的导电性基板，其中，所述烧成在非活性气体环境下或还原性气体环境下进行。
8.如权利要求1～7中任一项所述的导电性基板，其中，所述烧成利用通过施加微波能量产生的表面波等离子体进行。
9.一种导电性基板的制造方法，其中，所述制造方法具有如下工序：
在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层的工序、以及对该印刷层进行烧成处理而形成金属微粒烧结膜的工序，
金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上，且金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下。
10.如权利要求9所述的导电性基板的制造方法，其中，所述金属微粒烧结膜内部的、利用X射线光电子分光法测定的碳含量不足5％。
11.如权利要求9或10所述的导电性基板的制造方法，其中，所述金属或金属氧化物为选自铜、氧化铜、及表面已被氧化的铜中的至少1种。
12.如权利要求11所述的导电性基板的制造方法，其中，X射线衍射图案中，(111)面的峰面积为(200)面的峰面积的2倍以上。
13.如权利要求9～12中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，在所述金属微粒烧结膜与基材之间不具有异种金属层或金属氧化物层。
14.如权利要求9～13中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述基材为聚酰亚胺树脂。
15.如权利要求9～l4中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述烧成在非活性气体环境下或还原性气体环境下进行。
16.如权利要求9～15中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述烧成利用通过施加微波能量产生的表面波等离子体进行。
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