TWI597319B - 分散劑，導電性基板用金屬粒子分散體，及導電性基板之製造方法 - Google Patents

分散劑，導電性基板用金屬粒子分散體，及導電性基板之製造方法 Download PDF

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Description

分散劑，導電性基板用金屬粒子分散體，及導電性基板之製造方法
本發明係關於一種分散劑、導電性基板用金屬粒子分散體、及導電性基板之製造方法。
先前，關於在基材上施加有導電性佈線之電路基板之製造，一直採用於貼合有金屬箔之基材上塗佈光阻劑，以所需之電路圖案進行曝光，並藉由化學蝕刻而形成圖案的方法等。根據上述光阻法，由於使用金屬箔作為導電性之佈線，故而可製造體積電阻率小且高性能之導電性基板。另一方面，該方法存在步驟數較多、較為繁雜並且需要光阻材料等缺點。
相對於此，藉由使用分散有金屬粒子之金屬粒子分散體，藉由網版印刷或噴墨印刷等印刷製程而於基材上直接印刷圖案，並使金屬粒子燒結，而形成電路圖案的方法備受矚目。根據於基材上直接印刷圖案之方法，與習知之光阻法等相比，生產性飛躍性地提昇。
眾所周知金屬粒子會因微細化而戲劇性地使熔點降低。其原因在於隨著金屬粒子之粒徑減小，粒子之比表面積增加，表面能量增大。若利用該效果，則可於低於習知之溫度下進行金屬粒子彼此之燒結，即便對於先前難以使用之耐熱性較低之樹脂基材，亦期 待變得可利用印刷而形成電路。然而，金屬粒子之粒徑越小，越難製備分散性或分散穩定性良好之分散體。
專利文獻1中記載有利用噴墨印刷方式，藉由導電性金屬膏而形成電路圖案的方法。專利文獻1中記載有為了使金屬超微粒子成為相互不直接接觸之狀態，利用具有可與該金屬超微粒子中所含之金屬元素配位性鍵結之含有氮、氧、硫原子之基的化合物而被覆金屬超微粒子的方法。作為金屬表面之被膜中所利用之具有含有氮、氧、硫原子之基之化合物，可列舉烷基胺、烷烴硫醇、烷烴二醇等。專利文獻1中舉出了於進行導電性金屬膏之燒成時，使該烷基胺等自金屬表面脫離般，具體而言為碳數4~20之相對低分子量之化合物。
專利文獻2中記載有粒子表面具有巰基羧酸及/或其鹽之金屬粒子、及包含陽離子系界面活性劑及低極性非水溶劑之金屬分散液。根據專利文獻2，記載有金屬粒子之粒子表面所具有之巰基羧酸或其鹽於溶劑中解離而成為電陰性，使該巰基羧酸離子與陽離子系界面活性劑靜電鍵結，藉此可於低極性非水溶劑中使金屬粒子保持分散穩定性。然而，專利文獻1及2之方法係均使用低分子量之化合物使金屬粒子分散者，金屬粒子之分散穩定性並不充分。
專利文獻3中記載有特定之金屬微粒子、具有特定之聚酯骨架之高分子分散劑、及含有分散介質之金屬微粒子分散體。根據專利文獻3，記載有上述特定之高分子分散劑表現出金屬微粒子之分散性較高之效果，並且於後續之燒結步驟中容易揮散。然而，專利文獻3之方法中，金屬微粒子分散體之保存穩定性並不充分，保管一定時間後會觀察到金屬粒子之沈澱。
專利文獻4中，作為不設置特別之加熱燒成步驟或利用 溶劑進行之保護劑去除步驟，僅於室溫下乾燥而形成於實用上具有充分之低電阻值之金屬皮膜的方法，記載有使水性溶液中具有金屬化合物、特定之聚合物、及還原劑的含金屬奈米粒子之複合體。根據專利文獻4，可認為於水性溶液中，上述特定之聚合物所具有之硫醚型硫官能基與磷酸酯殘基容易配位於金屬奈米粒子表面，但會因去除水性溶劑而脫配位，使上述聚合物與金屬奈米粒子發生相分離，由此導致金屬奈米粒子彼此之融合。此種專利文獻4中，必須使用水性溶劑。若使用水性溶劑，則對基材之塗佈性較差，又，容易產生氣泡，因此存在難以形成均勻之膜之情況。又，水性溶劑之乾燥性較差，塗膜之乾燥需要時間，因此生產性較差。因此，對於導電性基板之製造要求以容易操作之有機溶劑進行成膜。又，專利文獻4之方法中，上述特定之聚合物會殘留於金屬皮膜中，所獲得之導電性基板之導電性並不充分，於基材與金屬皮膜之密接性方面存在問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2002-324966號公報
專利文獻2：日本專利特開2008-127679號公報
專利文獻3：國際公開第2011/040189號說明書
專利文獻4：日本專利第4697356號公報
於為了提高金屬粒子之分散性或分散穩定性，而使用高分子分散劑作為分散劑使金屬粒子分散之情形時，尤其是以低溫進行 燒成時或以短時間進行燒成時，有時該高分子分散劑會殘存於金屬膜中，有時所獲得之基板之體積電阻率提高，而無法獲得作為導電性基板之充分之性能。另一方面，若為了抑制分散劑之殘存而減少分散劑之添加量或使用低分子量之分散劑，則金屬粒子之分散性、分散穩定性變得不充分。又，金屬粒子有時會於燒成時發生氧化，有時於燒結後無法獲得較高之導電性。因此，獲得分散性、分散穩定性較高，且於燒成後可形成具有較高之導電性之膜的分散體係非常困難之課題。
本發明係基於此種狀況而成者，其目的在於提供一種具有優異之分散性、可抑制所分散粒子的氧化之分散劑，分散性、分散穩定性優異、抑制金屬粒子之沈澱、抑制燒成後之膜中之有機成分之殘存的導電性基板用金屬粒子分散體，及可獲得抑制燒成後之有機成分之殘存、具有優異之導電性之導電性基板的導電性基板之製造方法。
本發明者等人為了達成上述目的，反覆進行努力研究，結果獲得如下見解：藉由將特定之金屬粒子與特定之分散劑組合使用，可形成分散性、分散穩定性優異，並且即便於以低溫或短時間進行燒成之情形時，亦可自膜中容易地分解或去除有機成分，結果具有較高之導電性的膜。本發明係基於上述見解而完成者。
本發明之分散劑含有具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體。
[化1]
(通式(I)中，A為直接鍵結或2價連結基，R1為氫原子或甲基，R2為氫原子、烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、或-O-R7所表示之1價基，R7為烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、-C(R8)(R9)-C(R10)(R11)-OH、或-CH2-C(R12)(R13)-CH2-OH所表示之1價基；R4及R5分別獨立為氫原子或甲基；R6為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO、-CO-CH=CH2、-CO-C(CH3)=CH2或-CH2COOR14所表示之1價基，R14為氫原子或碳數1~5之烷基；R8、R9、R10、R11、R12及R13分別獨立為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基，R8及R10亦可相互鍵結而形成環構造；於形成上述環狀構造之情形時，亦可具有取代基R15，R15為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基；上述烴基亦可具有取代基；s表示1~18之整數，t表示1~5之整數，u表示1~18之整數；通式(II)中，L表示直接鍵結或2價連結基，R3表示氫原子或甲基，Polymer表示具有至少1種下述通式(III)或通式(IV)所表示之構成單元之高分子鏈)
[化2]
(通式(III)及通式(IV)中，R17為氫原子或甲基，R18為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21、-CO-O-R22或-O-CO-R23所表示之1價基；R19及R20分別獨立為氫原子或甲基；R21為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO或-CH2COOR24所表示之1價基，R22為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21所表示之1價基；R23為碳數1~18之烷基，R24表示氫原子或碳數1~5之烷基；上述烴基亦可具有取代基；m表示1~5之整數，n及n'表示5~200之整數；x表示1~18之整數，y表示1~5之整數，z表示1~18之整數)。
本發明之導電性基板用金屬粒子分散體之特徵在於：含有金屬粒子、分散劑、及有機溶劑，且上述分散劑為具有上述通式(I)所表示之構成單元及上述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體。
又，本發明之導電性基板之製造方法具有：將包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液塗佈於基材上而形成塗膜的步驟，及對該塗膜進行燒成處理之步驟，該導電性基板用金屬粒子分散體含有金屬粒子、分散劑、及有機溶劑，且上述分散劑為具有上述通式(I)所表示之構成單元及上述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體。
於本發明之分散劑、本發明之導電性基板用金屬粒子分散體、及本發明之導電性基板之製造方法中，就抑制所分散之粒子之 氧化之方面而言，上述接枝共聚合體較佳為進而具有下述通式(V)所表示之構成單元。
(通式(V)中，R25為氫原子或甲基，Q為直接鍵結或2價連結基)。
於本發明之導電性基板用金屬粒子分散體、及本發明之導電性基板之製造方法中，就獲得具有優異之導電性之導線性基板之方面而言，上述金屬粒子較佳為選自金、銀、銅、及該等之氧化物中之1種以上之金屬粒子。
根據本發明，可提供一種具有優異之分散性，可抑制所分散之粒子之氧化的分散劑，分散性、分散穩定性優異、抑制金屬粒子之沈澱、抑制燒成後之膜中之有機成分之殘存的導電性基板用金屬粒子分散體，及可獲得抑制燒成後之有機成分之殘存且具有優異之導電性之導電性基板的導電性基板之製造方法。
1‧‧‧基材
2‧‧‧金屬膜
100‧‧‧基板
圖1係表示藉由本發明之製造方法而獲得之導電性基板之一例的概略圖。
以下，對本發明之分散劑、導電性基板用金屬粒子分散體、及導電性基板之製造方法進行說明。再者，於本發明中，(甲基)丙烯酸係表示丙烯酸或甲基丙烯酸中之任一者，(甲基)丙烯酸酯係表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯中之任一者。
[分散劑]
本發明之分散劑含有具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體。
(通式(I)中，A為直接鍵結或2價連結基，R1為氫原子或甲基，R2為氫原子、烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、或-O-R7所表示之1價基，R7為烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、-C(R8)(R9)-C(R10)(R11)-OH、或-CH2-C(R12)(R13)-CH2-OH所表示之1價基；R4及R5分別獨立為氫原子或甲基；R6為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO、-CO-CH=CH2、-CO-C(CH3)=CH2或-CH2COOR14所表示之1價基，R14為氫原子或碳數1~5之烷基；R8、R9、R10、R11、R12及R13分別獨立為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基，R8及R10亦可相互鍵結而形成環構造；於形成上述環狀構造之情形時，亦可具有取代基R15，R15為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯 鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基；上述烴基亦可具有取代基；s表示1~18之整數，t表示1~5之整數，u表示1~18之整數；通式(II)中，L表示直接鍵結或2價連結基，R3表示氫原子或甲基，Polymer表示具有至少1種下述通式(III)或通式(IV)所表示之構成單元之高分子鏈)
(通式(III)及通式(IV)中，R17為氫原子或甲基，R18為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21、-CO-O-R22或-O-CO-R23所表示之1價基；R19及R20分別獨立為氫原子或甲基；R21為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO或-CH2COOR24所表示之1價基，R22為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]zR21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21所表示之1價基；R23為碳數1~18之烷基，R24表示氫原子或碳數1~5之烷基；上述烴基亦可具有取代基；m表示1~5之整數，n及n'表示5~200之整數；x表示1~18之整數，y表示1~5之整數，z表示1~18之整數)
本發明之分散劑中所含之接枝共聚合體藉由將上述通式(I)所表示之構成單元所具有之膦(P-H)部位吸附於所分散之粒子表面，而提高分散性及分散穩定性。進而，該膦部位由於具有還原性，故而推定出該磷原子部位吸附之粒子之氧化受到抑制。
<通式(I)所表示之構成單元>
於通式(I)中，A為直接鍵結或2價連結基。所謂直接鍵結係表示通式(I)之磷原子不經由連結基而直接鍵結於通式(I)之碳原子上。
作為A中之2價連結基，只要可連結主鏈骨架之碳原子與磷原子，則並無特別限制。作為A中之2價連結基，例如可列舉：直鏈、分支或環狀之伸烷基、具有羥基之直鏈、分支或環狀之伸烷基、伸芳基、-CONH-基、-COO-基、-NHCOO-基、醚基(-O-基)、硫醚基(-S-基)、及該等之組合等。再者，於本發明中，2價連結基之鍵結之方向為任意。即，於2價連結基包括-CONH-之情形時，可為-CO為主鏈之碳原子側且-NH為側鏈之磷原子側，反之，亦可為-NH為主鏈之碳原子側且-CO為側鏈之磷原子側。
其中，就分散性之方面而言，通式(I)中之A較佳為包含-CONH-基或-COO-基之2價連結基。例如，於A為包含-COO-基之2價連結基之情形時，通式(I)所表示之構成單元可列舉下述式(I-1)所表示之構造。
(通式(I-1)中，R1及R2與通式(I)相同，A'為可具有羥基之碳數1~ 8之伸烷基、-[CH(Ra)-CH(Rb)-O]x-、或-[(CH2)y-O]z-(CH2)y-O-、-[CH(Rc)]w-O-，Ra、Rb及Rc分別獨立為氫原子、甲基或羥基；x表示1~18之整數，y表示1~5之整數，z表示1~18之整數，w表示1~18之整數)。
A'中之碳數1~8之伸烷基可為直鏈狀、分支狀或環狀中之任一者，例如為亞甲基、伸乙基、三亞甲基、伸丙基、各種伸丁基、各種伸戊基、各種伸己基、各種伸辛基等，一部分氫亦可取代為羥基。x為1~18之整數，較佳為1~4之整數，更佳為1~2之整數，y為1~5之整數，較佳為1~4之整數，更佳為2或3。z為1~18之整數，較佳為1~4之整數，更佳為1~2之整數。w為1~18之整數，較佳為1~4之整數。
作為通式(I)中之A之較佳之具體例，例如可列舉-COO-CH2CH(OH)CH2-O-、-CONH-、-COO-等，但並不限定於該等。
作為R6及R7、以及R8、R9、R10、R11、R12及R13中之烴基，例如可列舉碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、芳烷基、及芳基等。
上述碳數1~18之烷基可為直鏈狀、分支狀、環狀中之任一者，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、環戊基、環己基、基、異基、二環戊基、金剛烷基、經低級烷基取代之金剛烷基等。上述碳數2~18之烯基可為直鏈狀、分支狀、環狀中之任一者。作為此種烯基，例如可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯基等。烯基之雙鍵之位置並無限定，就所獲得之聚合物之反應性之方面而言，較佳為於烯基之末端具有雙鍵。作為芳基，可列舉：苯基、聯苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基等，亦可進而具有取代基。芳基之碳數較佳 為6~24，進而較佳為6~12。又，作為芳烷基，可列舉：苄基、苯乙基、萘基甲基、聯苯基甲基等，亦可進而具有取代基。芳烷基之碳數較佳為7~20，進而較佳為7~14。
上述烷基或烯基亦可具有取代基，作為該取代基，可列舉F、Cl、Br等鹵素原子、硝基等。又，作為上述芳基或芳烷基等芳香環之取代基，除了碳數1~4之直鏈狀、分支狀之烷基以外，可列舉烯基、硝基、鹵素原子等。再者，上述較佳之碳數不包括取代基之碳數。
R2及R7中，s為1~18之整數，t為1~5之整數，u為1~18之整數。s較佳為1~4之整數，更佳為1~2之整數，t較佳為1~4之整數，更佳為2或3。u較佳為1~4之整數，更佳為1~2之整數。
R8、R9、R10、R11、R12及R13中之以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基係指-R'-O-R"、-R'-(C=O)-O-R"、或-R'-O-(C=O)-R"(R'及R"為烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基)所表示之基。1個基之中亦可具有2個以上醚鍵及酯鍵。於烴基為1價之情形時，可列舉烷基、烯基、芳烷基、芳基，於烴基為2價之情形時，可列舉伸烷基、伸烯基、伸芳基、及該等之組合之基。
於將R8與R10鍵結而形成環構造之情形時，形成環構造之碳原子數較佳為5~8，更佳為6、即6員環，較佳為形成環己烷環。取代基R15中之烴基或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基可與上述R8、R9、R10、R11、R12及R13中相同者。
作為上述通式(I)所表示之構成單元，就所分散之粒子之 分散性及分散穩定性優異之方面而言，較佳為上述通式(I)中之R2為氫原子、羥基、甲基、乙基、可具有取代基之芳基或芳烷基、乙烯基、烯丙基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、或-[(CH2)t-O]u-R6、或者-O-R7所表示之1價基，且，R7為甲基、乙基、可具有取代基之芳基或芳烷基、乙烯基、烯丙基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、或-[(CH2)t-O]u-R6，R4及R5分別獨立為氫原子或甲基，R6為-CO-CH=CH2或-CO-C(CH3)=CH2者。其中，就分散性之方面而言，更佳為可具有取代基之芳基。另一方面，就提高還原力，抑制所分散之粒子之氧化之方面而言，R2較佳為氫原子。
<通式(II)所表示之構成單元>
上述接枝共聚合體藉由具有側鏈包含高分子鏈之上述通式(II)所表示之構成單元，而成為溶劑親和性良好、粒子之分散性及分散穩定性良好者。
上述通式(II)中，L為直接鍵結或2價連結基。作為L中之2價連結基，只要可將源自乙烯性不飽和雙鍵之碳原子與高分子鏈連結，則並無特別限制。作為L中之2價連結基，例如可列舉：直鏈、分支或環狀之伸烷基、具有羥基之直鏈、分支或環狀之伸烷基、伸芳基、-CONH-基、-COO-基、-NHCOO-基、醚基(-O-基)、硫醚基(-S-基)、及該等之組合等。再者，於本發明中，2價連結基之鍵結之方向任意。即，於2價連結基包括-CONH-之情形時，可為-CO為主鏈之碳原子側且-NH為側鏈之高分子鏈側，反之，亦可為-NH為主鏈之碳原子側且-CO為側鏈之高分子鏈側。
上述通式(II)中，Polymer表示具有至少1種上述通式(III) 或上述通式(IV)所表示之構成單元之高分子鏈。式(III)中，R17為氫原子或甲基，R18為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21、-CO-O-R22或-O-CO-R23所表示之1價基。作為R18中之烴基，較佳為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、芳烷基、或芳基。上述碳數1~18之烷基可為直鏈狀、分支狀、環狀中之任一者，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、環戊基、環己基、基、異基、二環戊基、金剛烷基、經低級烷基取代之金剛烷基等。上述碳數2~18之烯基可為直鏈狀、分支狀、環狀中之任一者。作為此種烯基，例如可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯基等。
作為R18中之芳基，可列舉苯基、聯苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基等。芳基之碳數較佳為6~24，進而較佳為6~12。作為R18中之芳烷基，可列舉苄基、苯乙基、萘基甲基、聯苯基甲基等。芳烷基之碳數較佳為7~20，進而較佳為7~14。
R21為氫原子、或者碳數1~18之烷基、芳烷基、芳基、-CHO、-CH2CHO或-CH2COOR24所表示之1價基，R22為碳數1~18之烷基、芳烷基、芳基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、或-[CO-(CH2)y-O]z-R21所表示之1價基。R23為碳數1~18之烷基，R24表示氫原子或碳數1~5之烷基。上述R21及R22中之碳數1~18之烷基、芳烷基、芳基係如上述R18所示。上述R23及R24中之烷基係如上述R18所示。於上述R18、R21、R22、及R23為具有芳香環之基之情形時，該芳香環亦可進而具有取代基。作為該取代基，例如，除了碳數1~5之直鏈狀、分支狀、環狀之烷基以外，可列舉烯基、硝基、F、Cl、Br等鹵素原子等。再者，上述較佳之碳數不包括取代基 之碳數。上述R18及R22中，x為1~18之整數，y為1~5之整數，z為1~18之整數。x較佳為1~4之整數，更佳為1~2之整數，y較佳為1~4之整數，更佳為2或3。z較佳為1~4之整數，更佳為1~2之整數。
進而，上述R18、R21、R22及R23於不妨礙上述接枝共聚合體之分散性能等範圍內，可進而設為經烷氧基、羥基、羧基、胺基、環氧基、異氰酸酯基、氫鍵形成基等取代基取代而成者。又，亦可設為於合成具有該等取代基之接枝共聚合體後，與具有與該取代基反應之官能基及聚合性基的化合物反應而加成有聚合性基者。例如，可使具有羧基之接枝共聚合體與(甲基)丙烯酸環氧丙酯反應，或使具有異氰酸酯基之接枝共聚合體與(甲基)丙烯酸羥乙酯反應，而加成聚合性基。
通式(III)所表示之構成單元中所含之高分子鏈較佳為於上述之構成單元之中具有源自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸異酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基環己烷等之構成單元者。然而，並不限定於該等。
通式(IV)中，m為1~5之整數，較佳為2~5之整數，更佳為4或5之整數。又，高分子鏈之構成單元之單元數n及n'只要為5~200之整數即可，並無特別限定，較佳為5~100之範圍內。
於本發明中，作為上述R18及R22，其中，較佳為使用與後述有機溶劑之溶解性優異者，只要配合用於金屬粒子分散體之有機 溶劑而適當選擇即可。具體而言，例如於利用通常使用上述有機溶劑作為金屬粒子分散體之有機溶劑的醚醇乙酸酯系、醚系、酯系等有機溶劑之情形時，較佳為甲基、乙基、異丁基、正丁基、2-乙基己基、苄基等。此處，如此設定上述R18及R22之原因在於，藉由包含上述R18及R22之構成單元對上述有機溶劑具有溶解性，上述單體之鹼部分所形成之鹽形成部位對金屬粒子具有較高之吸附性，可製成金屬粒子之分散性及穩定性尤其優異者。
Polymer中之高分子鏈之質量平均分子量Mw較佳為500~15000之範圍內，更佳為1000~8000之範圍內。藉由為上述範圍，可保持作為分散劑之充分之立體排斥效果，並且亦可抑制由立體效果導致之金屬粒子之分散所需時間之增大。
又，Polymer中之高分子鏈相對於作為標準組合使用之有機溶劑，較佳為23℃下之溶解度為50(g/100g溶劑)以上。該高分子鏈之溶解性可以製備接枝共聚合體時導入高分子鏈之原料具有上述溶解度之情況為標準。例如，於為了對接枝共聚合體中導入高分子鏈而使用於高分子鏈及其末端上包含具有乙烯性不飽和雙鍵之基的聚合性低聚物之情形時，只要該聚合性低聚物具有上述溶解度即可。又，於藉由包含具有乙烯性不飽和雙鍵之基之單體形成共聚合物後，使用包含可與共聚合物中所含之反應性基反應之反應性基的高分子鏈，導入高分子鏈之情形時，只要包含該反應性基之高分子鏈具有上述溶解度即可。
上述高分子鏈可為均聚物，亦可為共聚合物。又，通式(II)所表示之構成單元中所含之高分子鏈於接枝共聚合體中可為單獨1種，亦可混合2種以上。
於上述接枝共聚合體中，上述通式(I)所表示之構成單元較佳為含有3~80質量%之比率，更佳為5~50質量%，進而較佳為10~40質量%。若接枝共聚合體中之通式(I)所表示之構成單元之含量為上述範圍內，則接枝共聚合體中與粒子之親和性部位之比率變得適當，且可抑制對有機溶劑之溶解性之降低，因此對金屬粒子之吸附性變得良好，可獲得優異之分散性及分散穩定性。再者，上述構成單元之含有比率係根據合成具有通式(I)所表示之構成單元之接枝共聚合體時之添加量而算出。
又，上述接枝共聚合體之質量平均分子量Mw較佳為1000~100000之範圍內，更佳為3000~30000之範圍內，進而較佳為5000~20000之範圍內。藉由為上述範圍，可使金屬粒子均勻地分散。
再者，上述質量平均分子量Mw係藉由GPC(凝膠滲透層析法)測得之值。測定係使用東梭製造之HLC-8120GPC，將溶出溶劑設為添加有0.01莫耳/升之溴化鋰之N-甲基吡咯啶酮，校準曲線用聚苯乙烯標準為Mw377400、210500、96000、50400、20650、10850、5460、2930、1300、580(以上為Polymer Laboratories製造之Easi PS-2系列)及Mw1090000(東梭製造)，測定管柱為TSK-GEL ALPHA-M×2根(東梭製造)而進行。
本發明中所使用之上述接枝共聚合體除了上述通式(I)所表示之構成單元及上述通式(II)所表示之構成單元以外，亦可進而具有其他構成單元。適當選擇可與誘導上述通式(I)所表示之構成單元之含有乙烯性不飽和雙鍵之單體等共聚合的含有乙烯性不飽和雙鍵之單體而共聚合，可導入其他構成單元。其中，於本發明中，上述接枝共聚合體較佳為進而具有下述通式(V)所表示之構成單元。
(通式(V)中，R25為氫原子或甲基，Q為直接鍵結或2價連結基)
上述通式(V)所表示之構成單元吸附所分散之各種粒子，並且具有還原性，因此推定所吸附之粒子係氧化受到抑制或使氧化物粒子還原者。因此，於上述接枝共聚合體具有上述通式(V)所表示之構成單元之情形時，抑制所分散之粒子之由氧化導致之分解等，於製成導電性基板用微粒子分散體之情形時，所獲得之導電性基板之導電率優異。
上述化學式(V)中，Q為直接鍵結或2價連結基。所謂直接鍵結，係表示吡咯啶酮之氮原子不經由連結基而直接鍵結於化學式(V)之碳原子上。作為Q中之2價連結基，例如可列舉：碳數1~10之伸烷基、伸芳基、-CONH-基、-COO-基、碳數1~10之醚基(-R'-OR"-：R'及R"分別獨立為伸烷基)及該等之組合等。化學式(V)中之Q可較佳地使用直接鍵結、碳數1~10之伸烷基、或包含-COO-基之2價連結基。
(接枝共聚合體之製造方法)
於本發明中，作為接枝共聚合體之製造方法，只要為可製造具有上述通式(I)所表示之構成單元及上述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體的方法即可，並無特別限定。例如可列舉：含有下述通式(I')所表示之單體、於具有至少1種上述通式(III)或上述通式(IV)所表示 之構成單元之高分子鏈及其末端上具有乙烯性不飽和雙鍵之基的聚合性低聚物、及視需要含有乙烯基吡咯啶酮作為共聚合成分進行共聚合，製造接枝共聚合體的方法；或使上述通式(II)所表示之構成單元與具有環氧丙基等反應性基之單體共聚合後，將具有所需之構造之膦酸加成於具有反應性基之單體中，藉此製成上述通式(I)所表示之構成單元的方法。亦可視需要進而使用其他單體，使用公知之聚合手段製造接枝共聚合體。
(通式(I')中，R1、R2及A與通式(I)相同)
又，於將上述通式(I')所表示之單體與包含具有其他乙烯性不飽和雙鍵之基的單體加成聚合而形成共聚合物後，使用包含可與共聚合物中所含之反應性基反應之反應性基的高分子鏈，導入高分子鏈亦可。具體而言，例如亦可為於合成具有烷氧基、羥基、羧基、胺基、環氧基、異氰酸酯基、氫鍵形成基等取代基之共聚合物後，與包含與該取代基反應之官能基之高分子鏈反應，導入高分子鏈而成者。例如，可使側鏈上具有羧基之共聚合物與末端上具有環氧丙基之高分子鏈反應，或使側鏈上具有異氰酸酯基之共聚合物與末端上具有羥基之高分子鏈反應，而導入高分子鏈。再者，上述聚合亦可使用通常用於聚合之添加劑、例如聚合起始劑、分散穩定劑、鏈轉移劑等。
上述通式(I')所表示之單體之製造方法例如可藉由使具 有所需之構造之膦酸化合物與具有環氧丙基、氧雜環丁烷基或羥基等及乙烯性不飽和雙鍵的化合物反應而獲得。
上述接枝共聚合體中，上述通式(I)所表示之構成單元較佳為含有3~80質量%之比率，更佳為5~50質量%，進而較佳為10~40質量%。若接枝共聚合體中之通式(I)所表示之構成單元之含量為上述範圍內，則具有與粒子之親和性之部位之比率變得適當，且可抑制對有機溶劑之溶解性之降低，因此對金屬粒子之吸附性變得良好，可獲得優異之分散性及分散穩定性。再者，於本發明中，接枝共聚合體中之構成單元之含有比率係根據合成接枝共聚合體時之各構成單元之添加量而算出。
又，於上述接枝共聚合體包含上述通式(V)所表示之構成單元之情形時，該通式(V)所表示之構成單元較佳為含有5~50質量%之比率，更佳為10~40質量%。
可利用本發明之分散劑分散之粒子並不限定於後述之金屬粒子。本發明之分散劑例如可較佳地使金屬粒子、金屬氧化物、顏料等分散。本發明之分散劑中，上述通式(I)所表示之構成單元與所分散之粒子之親和性較高，並且具有還原性，因此於例如使有機顏料分散之情形時，可使該有機顏料之分散性及分散穩定性優異，並且可防止由氧化引起之褪色等。
[導電性基板用金屬粒子分散體]
本發明之導電性基板用金屬粒子分散體之特徵在於：含有金屬粒子、分散劑、及有機溶劑，且上述分散劑為具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體。
(通式(I)及通式(II)中之各符號係如上所述)
本發明之導電性基板用金屬粒子分散體使用上述本發明之分散劑使金屬粒子分散，因此於有機溶劑中不產生沈澱，而使分散性及分散穩定性優異，抑制金屬粒子之氧化，或使金屬粒子中所含之金屬氧化物還原，藉此所獲得之導電性基板成為導電性優異者。
作為藉由上述特定組合發揮如上述之特定效果的作用，亦有未明確之部分，係推定為如下述般。從前，金屬粒子分散體為了於燒成時抑制有機成分殘存，而使用相對低分子量之分散劑。然而，低分子量之分散劑之分散性或分散穩定性並不充分。尤其，金屬粒子與分散體中之各成分相比比重較大，因此存在於保存時金屬粒子沈澱之問題。本發明之金屬粒子分散體藉由使用具有通式(I)所表示之構成單元之接枝聚合物作為分散劑使金屬粒子分散，而使分散劑中之含磷部位成為溶劑不溶性，推定為較強地吸附於金屬粒子之表面，藉此穩定化者。如此，上述特定之分散劑包圍金屬粒子，且穩定地存在於有機溶劑中，因此推測出不易產生金屬粒子彼此之凝集，分散性及分散穩定性優異，可抑制金屬粒子沈澱。又，若使用上述特定之分散劑，則於以低溫或短時間進行燒成之情形時，亦可容易地自膜中分解或去除有機成分，因此分散劑之殘存較少，所獲得之金屬膜成為體積電阻率較低之具有優異之導電性者。該機制尚未明確，但可推定為若 使用上述特定之分散劑，則與習知之高分子分散劑相比，金屬粒子之分散性提高，分散粒子變小，藉此變得容易融合，及上述特定之分散劑於相對低溫下亦容易分解或揮發。進而，上述特定之分散劑中，可推定出通式(I)所表示之構成單元中所含之膦(P-H)部極可能具有還原性或氧化抑制效果。利用該等之協同效果，推定出可達成優異之導電性。
本發明之導電性基板用金屬粒子分散體係含有金屬粒子、分散劑、及有機溶劑者，於無損本發明之效果之範圍內，亦可視需要進而含有其他成分。以下，對此種本發明之導電性基板用金屬粒子分散體之各成分進行說明，但分散劑係如上述本發明之分散劑所述，故而此處省略說明。
<金屬粒子>
於本發明中，金屬粒子只要自燒成後產生導電性之金屬粒子之中適當選擇即可。作為金屬之種類，例如可列舉：金、銀、銅、鎳、錫、鐵、鉻、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨、銦、鋅、鉬、錳、鈦、鋁等。再者，於本發明中，金屬粒子除了金屬狀態之粒子以外，亦包括合金狀態之粒子或金屬化合物之粒子等。又，例如，金屬狀態之粒子之表面被氧化而成為金屬氧化物之情況，或使2種以上金屬形成核殼構造之情況等，1個粒子中亦可含有金屬、合金及金屬化合物中之1種以上。作為金屬粒子，其中，就具有較高之導電性，且可容易地維持微粒子之方面而言，較佳為包含選自金、銀、銅、鎳及該等之氧化物中之1種以上之金屬粒子，更佳為包含選自金、銀、銅及該等之氧化物中之1種以上之金屬粒子。
作為上述金屬化合物，例如可列舉金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物等。該等金屬化合物較佳為於燒成時分解而成為金屬狀態。作為具有銀之金屬化合物，例如可列舉氧化銀、有機銀化合物等。又，作為具有銅之金屬化合物，例如可列舉氧化亞銅、氧化銅、及該等之混合物等銅氧化物等。又，作為合金，例如可列舉銅-鎳合金、銀-鈀合金、銅-錫合金、銀-銅合金、銅-錳合金等。上述金屬粒子亦可為藉由有機保護劑被覆表面者。
金屬粒子於包含上述金屬、合金及金屬化合物粒子之1種以上之金屬粒子中，可單獨使用1種或組合2種以上而使用。
上述金屬粒子之製備方法只要自習知公知之方法中適當選擇即可。例如可使用如下方法獲得金屬粒子：藉由機械化學法等將金屬粉粉碎之物理性方法；化學氣相法(CVD法)或蒸鍍法、濺鍍法、熱電漿法、雷射法之類的化學性乾式法；利用熱分解法、化學還原法、電解法、超音波法、雷射剝蝕法、超臨界流體法、微波合成法等之化學性濕式法等。
例如，蒸鍍法係於高真空下，於包含分散劑之低蒸汽壓液體中與加熱蒸發之金屬之蒸汽接觸而製造微粒子。又，作為化學還原法之1種，可列舉於錯合劑及有機保護劑之存在下，於有機溶劑中混合金屬氧化物與還原劑而產生之方法。
所謂上述錯合劑，係指將該錯合劑所具有之配位子之施體原子與金屬離子或金屬原子鍵結，而形成金屬錯合物者。作為上述施體原子，可較佳地列舉氮原子、氧原子、硫原子。作為氮原子為施體原子之錯合劑，例如可列舉胺類、咪唑及吡啶等含有氮之雜環化合物類等，但並不限定於該等。又，上述有機保護劑係用於經純化之金 屬粒子之分散穩定化或粒徑控制者，具體而言，除了明膠、阿拉伯膠、酪蛋白等蛋白質系；澱粉、糊精等天然高分子；羥乙基纖維素等纖維素系；聚乙烯醇等親水性合成高分子以外，亦可為脂肪酸、烷基胺等相對低分子量之化合物。其中，就分散穩定性之方面而言，較佳為蛋白質系之有機保護劑。再者，除了上述方法以外，可適當使用市售之金屬粒子。
金屬粒子之平均一次粒徑只要根據用途而適當設定即可，通常於1~1000nm之範圍內設定。其中，就分散性、分散穩定性優異，不易產生沈澱物之方面而言，金屬粒子之平均一次粒徑較佳為2~500nm。再者，上述金屬粒子之平均一次粒徑可利用自電子顯微鏡照片直接測量一次粒子之大小的方法而求出。具體而言，測量每個一次粒子之短軸徑與長軸徑，將該平均值設為該粒子之粒徑。其次，針對100個以上粒子，近似為所求出之粒徑之長方體，分別求出各粒子之體積(質量)，再求出體積平均粒徑，將其設為平均粒徑。再者，電子顯微鏡亦可使用穿透型(TEM)、掃描型(SEM)或掃描穿透型(STEM)中之任一者而獲得相同之結果。
本發明之導電性基板用金屬粒子分散體中，金屬粒子之含量只要根據用途適當選擇即可，就分散性之方面而言，相對於金屬粒子分散體之總量，較佳為5~95質量%，進而更佳為20~90質量%之範圍內。於本發明中，藉由與下述之分散劑組合使用，於與習知相比提高金屬粒子之含量之情形時，亦可製成金屬粒子之分散性或分散穩定性優異、不易產生沈澱物者。
<有機溶劑>
本發明之金屬粒子分散體中，有機溶劑只要為不與金屬粒子分散體中之各成分反應，而可使該等溶解或分散的有機溶劑即可，並無特別限定。具體而言，可列舉：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇等醇系；甲氧基醇、乙氧基醇、甲氧基乙氧基乙醇、乙氧基乙氧基乙醇、丙二醇單甲醚等醚醇系；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸3-甲氧基丁酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯等酯系；丙酮、甲基異丁基酮、環己酮、甲基乙基酮等酮系；乙酸甲氧基乙酯、乙酸甲氧基丙酯、乙酸甲氧基丁酯、乙酸乙氧基乙酯、乙酸乙基賽路蘇、乙酸甲氧基乙氧基乙酯、乙酸乙氧基乙氧基乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等醚醇乙酸酯系；二乙醚、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙基醚、四氫呋喃等醚系；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等非質子性醯胺系；γ-丁內酯等內酯系；苯、甲苯、二甲苯、萘等不飽和烴系；正庚烷、正己烷、正辛烷等飽和烴系等有機溶劑。
該等之中，可較佳地使用丙二醇單甲醚等醚醇系；乙酸甲氧基乙酯、乙酸乙氧基乙酯、乙酸乙基賽路蘇、乙酸甲氧基乙氧基乙酯、乙酸乙氧基乙氧基乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等醚醇乙酸酯系；乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙基醚、丙二醇二乙醚等醚系；乙酸3-甲氧基丁酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯等酯系等。其中，作為本發明中所使用之有機溶劑，就分散劑之溶解性或塗佈適性之方面而言，較佳為MBA(乙酸3-甲氧基丁酯)、PGMEA(丙二醇單甲醚乙酸酯)、DMDG(二乙二醇二甲醚)、二乙二醇甲基乙基醚、PGME(丙二醇單甲醚)或將該等混合而成者。
本發明之金屬粒子分散體中之有機溶劑之含量只要可使該金屬粒子分散體之各構成均勻地溶解或分散即可，並無特別限 定。於本發明中，該金屬粒子分散體中之固形份含量較佳為5~95質量%之範圍，更佳為20~90質量%之範圍。藉由為上述範圍，可成為適合塗佈之黏度。
<其他成分>
本發明之金屬粒子分散體於無損本發明之效果之範圍內亦可視需要含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：錯合劑、有機保護劑、還原劑、用以提高潤濕性之界面活性劑、用以提高密接性之矽烷偶合劑、消泡劑、抗收縮劑、抗氧化劑、抗凝集劑、黏度調整劑等。又，只要無損本發明之效果，亦可含有其他分散劑。
<金屬粒子分散體之製造方法>
於本發明中，金屬粒子分散體之製造方法只要為可良好地使金屬粒子分散之方法即可，可自習知公知之方法中適當選擇而使用。具體而言，例如，於上述有機溶劑中混合、攪拌上述分散劑，製備分散劑溶液後，於該分散劑溶液中混合金屬粒子及視需要之其他成分，使用公知之攪拌機、或分散機等使之分散，藉此可製備金屬粒子分散體。作為用以進行分散處理之分散機，可列舉：超音波分散機、雙輥研磨機、三輥研磨機等輥磨機、磨碎機、班布里混合機、塗料攪拌器、捏合機、均質機、球磨機、砂磨機、珠磨機等。
[導電性基板之製造方法]
本發明之導電性基板之製造方法之特徵在於具有：將包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液塗佈於基材上而形成塗膜的步驟，及 對該塗膜進行燒成處理之步驟，該導電性基板用金屬粒子分散體含有金屬粒子、分散劑、有機溶劑，且上述分散劑為具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體。
(通式(I)及通式(II)中之各符號係如上所述)
根據本發明之導電性基板之製造方法，可獲得抑制燒結後之有機成分之殘存，具有優異之導電性之導電性基板。
本發明之導電性基板之製造方法係至少具有形成塗膜之步驟、與對該塗膜進行燒成處理之步驟者，只要無損本發明之效果，亦可視需要具有其他步驟。以下，依序對此種本發明之導電性基板之製造方法之各步驟進行說明。
<將包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液塗佈於基材上而形成塗膜之步驟>
該步驟係將包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液塗佈於基材上而形成塗膜之步驟。以下，對該步驟之詳細內容進行說明。再者，該導電性基板用金屬粒子分散體之構成成分與上述本發明之導電性基板用金屬粒子分散體相同，故而此處省略說明。
(包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液)
包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液可將上述本發明之導電性基板用金屬粒子分散體直接製成塗佈液，亦可視需要添加有機溶劑或其他成分而製成塗佈液。作為有機溶劑及其他成分，例如可使用上述本發明之導電性基板用金屬粒子分散體中舉出之有機溶劑，或界面活性劑、矽烷偶合劑、消泡劑、抗收縮劑、抗氧化劑、抗凝集劑、黏度調整劑等。進而，於無損本發明之效果之範圍內，就造膜性、印刷適性或分散性之方面而言，亦可添加丙烯酸系樹脂或聚酯樹脂等樹脂黏合劑。
(基材)
本發明中使用之基材只要於導電性基板中使用之基材之中根據用途適當選擇即可。例如可使用鈉鈣玻璃、無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、高應變點玻璃、石英玻璃等玻璃，亦可使用氧化鋁、二氧化矽等無機材料，進而亦可使用高分子材料或紙等。上述本發明之導電性基板用金屬微粒子分散體即便於低於習知之溫度下進行燒成處理，亦可獲得導電性優異之金屬膜，因此可較佳地使用習知難以應用之鈉鈣玻璃或高分子材料，尤其可使用樹脂膜，就此方面而言非常有用。
作為樹脂膜，例如可列舉：聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚碸、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、環氧樹脂、酚系樹脂、玻璃-環氧樹脂、聚苯醚、丙烯酸樹脂、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、聚降烯等聚環烯烴、及液晶性高分子化合物等。
又，亦可於基材表面進行用以控制於使包含上述金屬粒子分散體之塗佈液之塗膜形成為圖案狀之情形時的圖案之形狀，或賦 予與包含上述金屬粒子分散體之塗佈液之塗膜之間之密接性的處理。作為基材表面之處理方法，可自習知公知之方法之中適當選擇。具體而言，例如可進行電暈處理、紫外線(UV，Ultraviolet)處理、真空紫外線燈處理、電漿處理等乾式處理，胺系矽烷偶合劑、咪唑系矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋁偶合劑處理等藥液處理，多孔質二氧化矽、或纖維素系受容層等多孔質膜形成處理，活性能量射線硬化型樹脂層、熱硬化型樹脂層、熱可塑性樹脂層等樹脂層形成處理。藉由該處理使基材表面具有拒液性，藉此於基材上使包含金屬粒子分散體之塗佈液之塗膜形成為圖案狀時，可抑制塗佈液之濕潤擴散，形成高精細之圖案。又，藉由於基材表面形成多孔質膜等油墨受容層，而可浸透溶劑成分，形成高精細之圖案。反之，藉由使基材表面具有親液性，而可提高對基材之塗佈性。該等基材表面之處理可根據用途或目的而分別使用。
該基材之形狀只要根據用途而適當選擇即可，可為平板狀，亦可為具有曲面者，但通常為平板狀。於使用平板狀之基材之情形時，該基材之厚度只要根據用途適當設定即可，例如可設為10μm~1mm左右。
(塗佈方法)
將上述塗佈液塗佈於上述基材上之方法只要自習知公知之方法中適當選擇即可。例如可列舉：凹版印刷、凹版套版印刷、反轉套版印刷、網版印刷、噴塗、旋轉塗佈、刮刀式塗佈、棒式塗佈、刮塗、狹縫式塗佈、套版印刷、柔性版印刷、噴墨印刷、分注器印刷等方法。其中，就可進行微細之圖案化之方面而言，較佳為凹版印刷、凹版套版印刷、反轉套版印刷、柔性版印刷、網版印刷、及噴墨印刷。尤其， 本發明中使用之金屬粒子分散體之分散性優異，因此不發生於噴墨之噴嘴堵塞或噴出偏移之情況，故而亦可較佳地使用噴墨印刷。
基材上之塗佈液亦可於印刷後利用通常之方法乾燥。乾燥後之印刷部分之膜厚可適當改變塗佈量或金屬粒子之平均一次粒徑等而控制，只要根據用途適當調整即可，通常為0.01~50μm之範圍，較佳為0.1~20μm。
<對塗膜進行燒成處理之步驟>
該步驟係對上述步驟中獲得之塗膜進行燒成處理，而形成金屬膜之步驟。燒成方法可自習知公知之燒成處理方法之中適當選擇而使用。作為燒成方法之具體例，例如，除了藉由燒成爐(烘箱)進行加熱之方法以外，可列舉：紅外線加熱、還原氣體環境下之燒成、利用雷射退火之燒成、微波加熱等方法。本發明之導電性基板用金屬粒子分散體於以低溫進行燒成之情況或以短時間進行燒成之情況下，均可形成有機成分之殘留較少之金屬膜，因此與習知之方法相比，亦可以低溫進行燒成處理。
於本發明中，其中，就可獲得有機成分之殘留較少且導電性優異之金屬膜之方面而言，燒成處理之步驟較佳為利用藉由微波能量之施加產生之表面波電漿而進行燒成處理之步驟(以下有時稱為電漿燒成)、或藉由脈衝光之照射進行燒成處理之步驟(以下有時稱為脈衝光燒成)中之任一者。若使用該等方法，則可減少對基材之熱損害，並且亦可抑制燒成時之金屬之氧化。又，由於為短時間燒成，故亦存在生產性較高之優點。
(電漿燒成)
就所獲得之燒結膜之導電性之觀點而言，使用微波表面波電漿之燒成較佳為於惰性氣體環境下或還原性氣體環境下進行。尤其，於本發明中，較佳為於還原性氣體環境下產生微波表面波電漿，其中，更佳為於氫氣環境下下產生。藉此，將存在於金屬粒子表面之絕緣性之氧化物還原去除，而形成導電性能良好之導電圖案。
作為形成還原性環境之還原性氣體，可列舉氫氣、一氧化碳、氨氣等氣體，或該等之混合氣體，尤其，就副產物較少之方面而言，較佳為氫氣。再者，若於還原性氣體中混合使用氮、氦、氬、氖、氪、氙等惰性氣體，則有變得容易產生電漿等效果。
為了於微波表面波電漿處理之前，去除塗佈有包含金屬粒子分散體之塗佈液之塗膜中所含之分散劑等有機物，亦可於大氣下或於包含氧氣之環境下，以50~200℃左右之溫度進行燒成1分鐘至2小時左右。再者，該處理亦可於減壓下進行。藉由該燒成，將有機物氧化分解去除，於微波表面波電漿處理中促進金屬粒子之燒結。
上述微波表面波電漿之產生方法只要自習知公知之方法之中適當選擇即可。例如可使用自減壓狀態之燒成處理室之照射窗供給微波能量，於該燒成處理室內沿照射窗產生表面波電漿的無電極電漿產生手段等。
作為上述無電極電漿產生手段之具體例，例如可自燒成處理室之照射窗供給頻率2450MHz之微波能量，於該處理室內產生電子溫度約為1eV以下、電子密度為1×1011~1×1013cm-3之微波表面波電漿。再者，微波能量係通常頻率為300MHz~3000GHz之電磁波，例如可使用2450MHz之電磁波。此時，於微波共振裝置中使用磁控管 之情形時，由於精度誤差等，故而保持為2450MHz/±50MHz之頻率範圍。
此種微波表面波電漿具有電漿密度較高、電子溫度較低之特性，可以低溫且短時間對上述塗膜進行燒成處理，且可形成緻密且平滑之金屬粒子燒結膜。微波表面波電漿係對處理面之面內照射均勻密度之電漿。其結果，與其他燒成方式相比，於面內部分性地進行粒子之燒結等而形成不均勻之膜之情況較少，又，可防止晶粒成長，因此可獲得非常緻密且平滑之膜。又，無需於面內處理室內設置電極，因此可防止源自電極之雜質之污染，又，可防止對處理材料由異常之放電導致之損害。進而，推測出微波表面波電漿由於電子溫度較低，故而蝕刻基材之能力較小，可減少對基材之損害。
(脈衝光燒成)
所謂脈衝光燒成係指藉由脈衝光之照射以極短時間進行燒成之方法。此處，本發明中所謂脈衝光，係指點燈時間為相對短時間之光，將該點燈時間稱為脈衝寬度。脈衝光之光源並無特別限定，可列舉封入有氙等稀有氣體之閃光燈或雷射等。其中，較佳為照射具有紫外線至紅外線之連續波長光譜的光，具體而言，較佳為使用氙閃光燈。於使用此種光源之情形時，可獲得與加熱同時進行UV照射之情況相同之效果，可以極短時間進行燒成。又，於使用此種光源之情形時，藉由控制脈衝寬度與照射能量，可僅對包含金屬粒子分散體之塗佈液之塗膜及其附近進行加熱，而可抑制熱對基材之影響。於本發明中，脈衝光之脈衝寬度只要適當調整即可，較佳為設定於1μs~10000μs之間，更佳為設為10μs~5000μs之範圍內。又，脈衝光每1次之照射 能量較佳為0.1J/cm2~100J/cm2，更佳為0.5J/cm2~50J/cm2。脈衝光燒成中，脈衝光之照射次數只要根據塗膜之組成或膜厚、面積等而適當調整即可，照射次數可僅為1次，亦可重複進行2次以上。其中，較佳為將照射次數設為1~100次，較佳為設為1~50次。於照射複數次脈衝光之情形時，脈衝光之照射間隔只要適當調整即可。其中，較佳為將照射間隔設定為10μ秒~2秒之範圍內，更佳為設定為100μ秒~1秒之範圍內。藉由如上所述般設定脈衝光，可抑制對基材之影響，並且可抑制金屬粒子之氧化，且，金屬粒子分散體中所含之分散劑亦容易脫離或分解，而可獲得導電性優異之導電性基板。
此種脈衝光燒成可僅將包含金屬粒子分散體之塗佈液之塗膜、及其附近加熱，可以低溫且短時間對上述塗膜進行燒成處理，且可形成緻密且平滑之金屬粒子燒結膜。脈衝光燒成可藉由適當調整脈衝光之脈衝寬度與照射能量，而控制加熱溫度與處理深度。其結果，形成不均勻之膜之情況較少，又，可防止晶粒成長，因此獲得非常緻密且平滑之膜。又，由於可以極短時間進行燒成，故而可抑制金屬粒子之氧化，可獲得導電性優異之燒結膜。上述脈衝光燒成可於大氣中、大氣壓下進行，亦可於惰性環境下、還原環境下、減壓下進行。又，亦可一面加熱塗膜一面進行脈衝光燒成。
如此獲得之導電性基板之金屬膜之厚度只要根據用途適當調整即可，通常，厚度為0.01~50μm左右，較佳為0.05~30μm，更佳為0.1~20μm。又，上述金屬膜之體積電阻率較佳為1.0×10-4Ω．cm以下。
本發明之製造方法亦可為於基材上將包含金屬粒子分散體之塗佈液塗佈成圖案狀，形成塗佈膜，對該塗佈膜進行燒成處理， 形成圖案狀之金屬膜的圖案狀導電性基板之製造方法。
藉由本發明之導電性基板之製造方法獲得之導電性基板可抑制燒結後之有機成分之殘存，具有優異之導電性。作為使用此種導電性基板之電子構件，可有效地用於表面電阻較低之電磁波遮罩用膜、導電膜、軟性印刷佈線板等中。
[實施例]
以下，以所示之實施例對本發明具體地進行說明。並不藉由該等記載限制本發明。
(合成例1 銅粒子之製造)
將氧化銅64g、作為有機保護劑之明膠5.1g添加至650mL之純水中，進行混合而製成混合液。使用15%之氨水，將該混合液之pH值調整為10後，歷時20分鐘自室溫升溫至90℃。於升溫後，一面攪拌一面添加150mL之純水中混合有作為錯合劑之1%之巰基乙酸溶液6.4g及80%之肼單水合物75g的混合液，歷時1小時與氧化銅反應，獲得銅粒子。利用掃描穿透型電子顯微鏡(STEM)觀察所獲得之銅粒子，結果平均一次粒徑為50nm。
(合成例2 含磷單體1之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中，添加丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)100.23質量份、苯基膦酸(東京化成製造)50.00質量份、及對甲氧基苯酚0.13質量份，一面以乾燥空氣起泡，一面加溫至溫度100℃。歷時30分鐘滴加PGMEA 50.00質量份、甲基丙烯酸環氧丙酯50.02質量份之混合溶液，加熱攪拌1小時， 藉此獲得下述化學式(1)所表示之含磷單體1之40.00%溶液。藉由1H-NMR測定確認環氧基之消失。又，藉由31P-NMR測定確認膦酸酯之生成。
(合成例3 含磷單體2之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中，添加丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)70.00質量份、次磷酸溶液(Wako製造)50.00質量份、及對甲氧基苯酚0.14質量份，一面以乾燥空氣起泡，一面加溫至溫度100℃。歷時30分鐘滴加PGMEA 48.48質量份、甲基丙烯酸環氧丙酯53.84質量份之混合溶液，加熱攪拌1小時，藉此獲得下述化學式(2)所表示之含磷單體2之35.50%溶液。藉由1H-NMR測定確認環氧基之消失。又，藉由31P-NMR測定確認膦酸酯之生成。
(比較合成例1 含磷單體3之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、氮氣用進氣口、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中，添加二乙二醇乙基甲基醚(EMDG)142.61質量份、苯基膦酸(日產化學製造)50.00質量份、及對甲氧基苯酚0.10質量份，一面於氮氣氣流下攪拌，一面加溫至溫度120℃。歷時30分鐘滴加甲基丙烯酸環氧丙酯44.96質量份，加熱攪拌2小時，藉此獲得不具有膦(P-H)部位之含磷單體3之40.0質量%溶液。藉由1H-NMR測定確認環氧基之消失。又，藉由31P-NMR測定確認膦酸酯之生成。
(合成例4 巨單體MM-1之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、氮氣用進氣口、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中添加PGMEA 100.0質量份，一面於氮氣氣流下攪拌，一面加溫至溫度90℃。歷時1.5小時滴加甲基丙烯酸甲酯50.0質量份、甲基丙烯酸丁酯15.0質量份、甲基丙烯酸苄酯15.0質量份、甲基丙烯酸乙氧基乙酯20.0質量份、2-巰基乙醇4.0質量份、PERBUTYL O(日油製造)1.3質量份之混合溶液，進而反應3小時。其次，停止氮氣氣流，將該反應溶液冷卻至80℃，添加Karenz MOI(昭和電工製造)8.74質量份、二月桂酸二丁基錫0.125質量份、對甲氧基苯酚0.125質量份、及PGMEA 10質量份，攪拌3小時，藉此獲得巨單體MM-1之49.8質量%溶液。利用GPC(凝膠滲透層析法)，於N-甲基吡咯啶酮、0.01mol/L溴化鋰添加/聚苯乙烯標準之條件下確認所獲得之巨單體MM-1，結果質量平均分子量(Mw)3657、數量平均分子量(Mn)1772、分子量分佈(Mw/Mn)為2.06。
(實施例1 接枝共聚合體GP-1之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、氮氣用進氣口、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中添加PGMEA 85.0質量份，一面於氮氣氣流下攪拌，一面加溫至溫度85℃。歷時1.5小時滴加1-乙烯基-2-吡咯啶酮8.33質量份、合成例2之含磷單體1 20.82質量份、合成例4之巨單體MM-1溶液66.93質量份(有效固形份33.33質量份)、正十二硫醇1.25質量份、PGMEA 20.0質量份、偶氮雙異丁腈(AIBN)0.5質量份之混合溶液，加熱攪拌3小時後，歷時10分鐘滴加AIBN 0.10質量份、PGMEA 10.0質量份之混合液，進而於相同溫度下熟化1小時，藉此獲得接枝共聚合體GP-1之24.8質量%溶液。所獲得之接枝共聚合體GP-1中，GPC測定之結果為質量平均分子量(Mw)10235、數量平均分子量(Mn)4264、分子量分佈(Mw/Mn)為2.40。
(實施例2 接枝共聚合體GP-2之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、氮氣用進氣口、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中添加PGMEA 85.0質量份，一面於氮氣氣流下攪拌，一面加溫至溫度85℃。歷時1.5小時滴加合成例2之含磷單體1 41.63質量份、合成例4之巨單體MM-1溶液66.93質量份(有效固形份33.33質量份)、正十二硫醇1.25質量份、PGMEA 20.0質量份、AIBN 0.5質量份之混合溶液，加熱攪拌3小時後，歷時10分鐘滴加AIBN 0.10質量份、PGMEA 10.0質量份之混合液，進而於相同溫度下熟化1小時，藉此獲得接枝共聚合體GP-2之23.5質量%溶液。所獲得之接枝共聚合體GP-2中，GPC測定之結果為質量平均分子量(Mw)11050、數量平均分子量(Mn)4702、分子量分佈(Mw/Mn)為2.35。
(實施例3 接枝共聚合體GP-3之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、氮氣用進氣口、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中添加PGMEA 85.0質量份，一面於氮氣氣流下攪拌，一面加溫至溫度85℃。歷時1.5小時滴加1-乙烯基-2-吡咯啶酮8.33質量份、合成例3之含磷單體2 23.46質量份、合成例4之巨單體MM-1溶液66.93質量份(有效固形份33.33質量份)、正十二硫醇1.25質量份、PGMEA 20.0質量份、偶氮雙異丁腈(AIBN)0.5質量份之混合溶液，加熱攪拌3小時後，歷時10分鐘滴加AIBN 0.10質量份、PGMEA 10.0質量份之混合液，進而於相同溫度下熟化1小時，藉此獲得接枝共聚合體GP-3之24.00質量%溶液。所獲得之接枝共聚合體GP-3中，GPC測定之結果為質量平均分子量(Mw)12500、數量平均分子量(Mn)4800、分子量分佈(Mw/Mn)為2.60。
(實施例4 接枝共聚合體GP-4之合成)
於具備冷卻管、添加用漏斗、氮氣用進氣口、機械攪拌機、及數位溫度計之反應器中添加PGMEA 85.0質量份，一面於氮氣氣流下攪拌，一面加溫至溫度85℃。歷時1.5小時滴加合成例3之含磷單體2 46.92質量份、合成例4之巨單體MM-1溶液66.93質量份(有效固形份33.33質量份)、正十二硫醇1.25質量份、PGMEA 20.0質量份、AIBN 0.5質量份之混合溶液，加熱攪拌3小時後，歷時10分鐘滴加AIBN 0.10質量份、PGMEA 10.0質量份之混合液，進而於相同溫度下熟化1小時，藉此獲得接枝共聚合體GP-4之22.40質量%溶液。所獲得之接枝共聚合體GP-4中，GPC測定之結果為質量平均分子量(Mw)10420、數量平 均分子量(Mn)4220、分子量分佈(Mw/Mn)為2.47。
(比較例1 接枝共聚合體GP-5之合成)
於實施例1中，使用比較合成例1之不具有膦(P-H)部位之含磷單體3 20.82質量份代替合成例2之含磷單體1，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得接枝共聚合體GP-5之24.8質量%溶液。所獲得之接枝共聚合體GP-5中，GPC測定之結果為質量平均分子量(Mw)11030、數量平均分子量(Mn)4300、分子量分佈(Mw/Mn)為2.57。
(實施例5 金屬粒子分散體之製備)
將合成例1中獲得之銅粒子6.0質量份、實施例1中獲得之接枝共聚合體GP-1 1.81質量份、及PGMEA 7.19質量份混合，利用塗料振盪機(淺田鐵工製造)以2mm氧化鋯珠分散1小時之預分散，進而以0.1mm氧化鋯珠分散4小時之正式分散，而獲得金屬粒子分散體1。
(實施例6 金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用實施例2之接枝共聚合體GP-2 1.91質量份代替接枝共聚合體GP-1，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得金屬粒子分散體2。
(實施例7 金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用實施例3之接枝共聚合體GP-3 1.88質量份代替接枝共聚合體GP-1，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得金屬粒子分散體3。
(實施例8 金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用實施例4之接枝共聚合體GP-4 2.01質量份代替接枝共聚合體GP-1，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得金屬粒子分散體4。
(實施例9 金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用核殼粒子(核心(銅)、外殼(氧化銅))(QSI-Nano製造：平均一次粒徑35nm)6.0質量份代替銅粒子，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得金屬粒子分散體5。
(實施例10 金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用核殼粒子(核心(銅)、外殼(氧化銅))(QSI-Nano製造：平均一次粒徑35nm)6.0質量份代替銅粒子，使用實施例2之接枝共聚合體GP-2 1.91質量份代替接枝共聚合體GP-1，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得金屬粒子分散體6。
(比較例2 比較金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用以固形份換算計為0.45質量份之聚乙烯基吡咯啶酮(質量平均分子量10,000，日本觸媒製造，K-15)代替接枝共聚合體GP-1，以IPA8.55質量份代替PGMEA，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得比較金屬粒子分散體1。
(比較例3 比較金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用以固形份換算計為0.45質量份之聚乙烯基吡咯啶酮(質量平均分子量10,000，日本觸媒製造，K-15)代替接枝共聚合體GP-1，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得比較金屬粒子分散體2。
(比較例4 比較金屬粒子分散體之製備)
於實施例5中，使用比較例1之接枝共聚合體GP-5 1.81質量份代替接枝共聚合體GP-1，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得比較金屬粒子分散體3。
(比較例5 比較金屬粒子分散體之製備)
於比較例2中，使用核殼粒子(核心(銅)、外殼(氧化銅))(QSI-Nano製造：平均一次粒徑35nm)6.0質量份代替銅粒子，除此以外，以與比較例2相同之方式獲得比較金屬粒子分散體4。
(比較例6 比較金屬粒子分散體之製備)
於比較例3中，使用核殼粒子(核心(銅)、外殼(氧化銅))(QSI-Nano製造：平均一次粒徑35nm)6.0質量份代替銅粒子，除此以外，以與比較例3相同之方式獲得比較金屬粒子分散體5。
(評價) (1)金屬粒子分散體之分散性評價
作為金屬粒子之分散性之評價，進行各實施例及比較例中獲得之金屬粒子分散體中之金屬粒子之平均分散粒徑之測定。平均分散粒徑 之測定係使用日機裝製造之「Microtrac粒度分佈計UPA-EX150」。又，將各實施例及比較例中獲得之金屬粒子分散體於冷藏(5℃)下靜置1週，以目視觀察靜置後之金屬微粒子分散體中之沈澱物。
[分散性評價基準]
○：平均分散粒徑為150nm以下且無沈澱物
×：平均分散粒徑超過150nm且有沈澱物
將分散性之評價結果示於表1。
(2)導電性基板之製造
利用線棒塗佈器將各實施例及比較例中獲得之金屬粒子分散體塗佈於聚醯亞胺膜(商品名：Kapton 300H，東麗-杜邦製造，厚度75μm)上，於100℃下乾燥15分鐘，製成膜厚為1μm之塗膜。使用脈衝式氙氣燈裝置(SINTERON 2000(Xenon Corporation製造))，於脈衝寬度500μ秒、施加電壓3.8kV下照射1次，藉由光燒成製作導電性基板。
<塗佈適性評價>
將各實施例及比較例中獲得之金屬粒子分散體形成塗膜後，燒成前以目視觀察金屬粒子分散體之塗膜之膜質，藉此進行塗佈適性評價。
[塗佈適性評價基準]
○：無收縮，塗膜均勻。
×：有收縮，塗膜不均勻。
<導電性評價>
對進行光燒成獲得之導電性基板進行導電性評價。使用表面電阻 計(DIA INSTRUMENTS製造之「Loresta GP」，PSP型探針)，使4探針接觸於各實施例及比較例之導電性基板之金屬膜，藉由4探針法測定片材電阻值。將結果示於表1。片材電阻值越低，導電性越優異。再者，利用該測定法獲得之片材電阻值之測定上限為108Ω/□。
[結果之匯總]
藉由實施例1~4獲得之使用具有通式(I)所表示之構成單元及通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體GP-1~GP-4的實施例5~10之金屬粒子分散體未產生沈澱物，分散性優異。又，實施例5~10之金屬粒子分散體之塗膜未收縮而可形成均勻之塗膜。進而，使用實施例5~10之金屬粒子分散體形成之導電性基板之導電性優異。如比較例3及比較例6所述，於使用聚乙烯基吡咯啶酮作為分散劑之情形時，無法使金屬粒子分散於PGMEA中。如比較例2及5所述，藉由將溶劑設為屬水性溶劑之IPA，可使用聚乙烯基吡咯啶酮使金屬粒子分散，但平均分散粒徑較大，而產生沈澱物。如比較例2及5所述，使用水性溶劑之金屬粒子分散體發生收縮，無法均勻地塗佈。又，使用此種比較例2及5之金屬粒子分散體獲得之導電性基板與實施例相比，導電性較差。比較例4之金屬微粒子分散體未產生沈澱物，分散性優異，塗佈適性亦良好。然而，比較例4之導電性基板與實施例5~10相比，導電性較差。比較例4之分散劑不具有膦(P-H)部位，因此推測為還原性較弱，金屬粒子之氧化抑制不充分。另一方面，藉由實施例1~4獲得之具有通式(I)所表示之構成單元及通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體GP-1~GP-4中，通式(I)所表示之構成單元包含具有還原性之膦(P-H)部位，因此推定為抑制所吸附之金屬粒子之氧化，獲得優異之導電性者。根據實施例9及10之結果，可明確了解藉由使用本發明之分散劑，於使用表面為氧化銅之核殼粒子之情形時，亦可獲得優異之導電性。

Claims (8)

  1. 一種分散劑，其含有具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體， (通式(I)中，A為直接鍵結或2價連結基，R1為氫原子或甲基，R2為氫原子、烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、或-O-R7所表示之1價基，R7為烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、-C(R8)(R9)-C(R10)(R11)-OH、或-CH2-C(R12)(R13)-CH2-OH所表示之1價基；R4及R5分別獨立為氫原子或甲基；R6為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO、-CO-CH=CH2、-CO-C(CH3)=CH2或-CH2COOR14所表示之1價基，R14為氫原子或碳數1~5之烷基；R8、R9、R10、R11、R12及R13分別獨立為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基，R8及R10亦可相互鍵結而形成環構造；於形成上述環狀構造之情形時，亦可具有取代基R15，R15為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基；上述烴基亦可具有取代基；s表示1~18之整數，t表示1~5之整數，u表示1~18之整數；通式(II)中，L表示直接鍵結或2價連結基，R3表示氫原子或甲基，Polymer表示具有至少1種下述通式(III)或通式(IV)所表示之構成單 元之高分子(polymer)鏈) (通式(III)及通式(IV)中，R17為氫原子或甲基，R18為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21、-CO-O-R22或-O-CO-R23所表示之1價基；R19及R20分別獨立為氫原子或甲基；R21為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO或-CH2COOR24所表示之1價基，R22為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21所表示之1價基；R23為碳數1~18之烷基，R24表示氫原子或碳數1~5之烷基；上述烴基亦可具有取代基；m表示1~5之整數，n及n'表示5~200之整數；x表示1~18之整數，y表示1~5之整數，z表示1~18之整數)。
  2. 如申請專利範圍第1項之分散劑，其中，上述接枝共聚合體進而具有下述通式(V)所表示之構成單元， (通式(V)中，R25為氫原子或甲基，Q為直接鍵結或2價連結基)。
  3. 一種導電性基板用金屬粒子分散體，其含有金屬粒子、分散劑、及 有機溶劑，且上述分散劑為具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體， (通式(I)中，A為直接鍵結或2價連結基，R1為氫原子或甲基，R2為氫原子、烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、或-O-R7所表示之1價基，R7為烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、-C(R8)(R9)-C(R10)(R11)-OH、或-CH2-C(R12)(R13)-CH2-OH所表示之1價基；R4及R5分別獨立為氫原子或甲基；R6為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO、-CO-CH=CH2、-CO-C(CH3)=CH2或-CH2COOR14所表示之1價基，R14為氫原子或碳數1~5之烷基；R8、R9、R10、R11、R12及R13分別獨立為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基，R8及R10亦可相互鍵結而形成環構造；於形成上述環狀構造之情形時，亦可具有取代基R15，R15為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基；上述烴基亦可具有取代基；s表示1~18之整數，t表示1~5之整數，u表示1~18之整數；通式(II)中，L表示直接鍵結或2價連結基，R3表示氫原子或甲基，Polymer表示具有至少1種下述通式(III)或通式(IV)所表示之構成單元之高分子(polymer)鏈) (通式(III)及通式(IV)中，R17為氫原子或甲基，R18為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21、-CO-O-R22或-O-CO-R23所表示之1價基；R19及R20分別獨立為氫原子或甲基；R21為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO或-CH2COOR24所表示之1價基，R22為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21所表示之1價基；R23為碳數1~18之烷基，R24表示氫原子或碳數1~5之烷基；上述烴基亦可具有取代基；m表示1~5之整數，n及n'表示5~200之整數；x表示1~18之整數，y表示1~5之整數，z表示1~18之整數)。
  4. 如申請專利範圍第3項之導電性基板用金屬粒子分散體，其中，上述接枝共聚合體進而具有下述通式(V)所表示之構成單元， (通式(V)中，R25為氫原子或甲基，Q為直接鍵結或2價連結基)。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之導電性基板用金屬粒子分散體，其中，上述金屬粒子為包含選自金、銀、銅、及該等之氧化物中之1種以 上之金屬粒子。
  6. 一種導電性基板之製造方法，其具有：將包含導電性基板用金屬粒子分散體之塗佈液塗佈於基材上而形成塗膜的步驟；及對該塗膜進行燒成處理之步驟；該導電性基板用金屬粒子分散體含有金屬粒子、分散劑、有機溶劑，且上述分散劑為具有下述通式(I)所表示之構成單元及下述通式(II)所表示之構成單元之接枝共聚合體， (通式(I)中，A為直接鍵結或2價連結基，R1為氫原子或甲基，R2為氫原子、烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、或-O-R7所表示之1價基，R7為烴基、-[CH(R4)-CH(R5)-O]s-R6、-[(CH2)t-O]u-R6、-C(R8)(R9)-C(R10)(R11)-OH、或-CH2-C(R12)(R13)-CH2-OH所表示之1價基；R4及R5分別獨立為氫原子或甲基；R6為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO、-CO-CH=CH2、-CO-C(CH3)=CH2或-CH2COOR14所表示之1價基，R14為氫原子或碳數1~5之烷基；R8、R9、R10、R11、R12及R13分別獨立為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基，R8及R10亦可相互鍵結而形成環構造；於形成上述環狀構造之情形時，亦可具有取代基R15，R15為氫原子、烴基、或以醚鍵及酯鍵中之至少1種鍵結烴基而成之基；上述烴基亦可具有取代基； s表示1~18之整數，t表示1~5之整數，u表示1~18之整數；通式(II)中，L表示直接鍵結或2價連結基，R3表示氫原子或甲基，Polymer表示具有至少1種下述通式(III)或通式(IV)所表示之構成單元之高分子(polymer)鏈) (通式(III)及通式(IV)中，R17為氫原子或甲基，R18為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21、-CO-O-R22或-O-CO-R23所表示之1價基；R19及R20分別獨立為氫原子或甲基；R21為氫原子、烴基、-CHO、-CH2CHO或-CH2COOR24所表示之1價基，R22為烴基、氰基、-[CH(R19)-CH(R20)-O]x-R21、-[(CH2)y-O]z-R21、-[CO-(CH2)y-O]z-R21所表示之1價基；R23為碳數1~18之烷基，R24表示氫原子或碳數1~5之烷基；上述烴基亦可具有取代基；m表示1~5之整數，n及n'表示5~200之整數；x表示1~18之整數，y表示1~5之整數，z表示1~18之整數)。
  7. 如申請專利範圍第6項之導電性基板之製造方法，其中，上述接枝共聚合體進而具有下述通式(V)所表示之構成單元，[化9] (通式(V)中，R25為氫原子或甲基，Q為直接鍵結或2價連結基)。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之導電性基板之製造方法，其中，上述金屬粒子為包含選自金、銀、銅、及該等之氧化物中之1種以上之金屬粒子。
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