CN112514004A - 导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器 - Google Patents

导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN112514004A
CN112514004A CN201980051144.0A CN201980051144A CN112514004A CN 112514004 A CN112514004 A CN 112514004A CN 201980051144 A CN201980051144 A CN 201980051144A CN 112514004 A CN112514004 A CN 112514004A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal wire
conductive
thin metal
less
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980051144.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112514004B (zh
Inventor
上城武司
飞田空
杉本哲郎
伴野裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
Publication of CN112514004A publication Critical patent/CN112514004A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112514004B publication Critical patent/CN112514004B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0277—Bendability or stretchability details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675—Constructional details
    • G02F1/1676—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1275—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675—Constructional details
    • G02F1/16757—Microcapsules
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/037—Hollow conductors, i.e. conductors partially or completely surrounding a void, e.g. hollow waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明的目的在于，提供充分维持透明性和导电性且挠性也优异的导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。一种导电性薄膜，其具有透明基材、以及在前述透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部，前述金属细线图案由金属细线构成，且满足下述(i)或(ii)的条件。(i)前述金属细线具有空隙，且在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线截面积记作SM，且将前述金属细线的截面所包含的总空隙截面积记作SVtotal时，SVtotal/SM为0.10以上且0.40以下；(ii)在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离前述透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，且将金属细线界面处的前述金属细线的宽度记作W0时，W0.90/W0为0.40以上且0.90以下。

Description

导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面 板和平板显示器
技术领域
本发明涉及导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
背景技术
以往，电子纸、触摸面板和平板显示器等电子设备中采用使用了氧化铟锡(以下也称为“ITO”)的透明导电性薄膜。今后，对于电子设备的进一步高附加价值化而言，大面积化、提高响应性、柔性化较为重要。因此，对于其中使用的导电性薄膜要求既维持高透射率又提高导电性和挠性。
ITO的材料固有的导电率低，因此，为了表现出高导电性而需要厚膜化，透射率随之降低。此外，通过厚膜化而容易因弯曲、卷曲、挠曲(bending test)等变形而产生裂纹，因此，使用了ITO的导电性薄膜难以同时实现高的透射率、导电性、挠性。
因而，致力于进行替代ITO的导电性薄膜的研究开发，在透明基材上具有经图案化的金属细线的导电性薄膜备受关注。金属细线与作为氧化物的ITO相比导电率高，可期待使用了其的导电性薄膜显示高导电性。此外，金属细线的延性也高，因此，使用了其的导电性薄膜的导电性和挠性优异。
另一方面，与ITO不同的是，金属细线因不透明而可视性高，例如，需要通过将金属细线的线宽细线化至5μm以下来实现低可视性和高透射率。关于这一点，非专利文献1公开了通过印刷而在塑料基板上制作最小线宽为0.8μm的金属细线的技术。
此外，使用了金属细线的导电性薄膜存在如下问题：由于操作、设备安装中的弯曲、卷曲、挠曲等变形而容易发生金属细线的断线、自透明基材的剥离，发生导电性的降低、缺陷。针对这种问题，作为提供具有与基板的密合性良好的金属细线图案的透明电极的方法，已知在透明树脂基板与金属细线图案之间形成多孔层，且在金属细线图案上形成透明导电性保护层的方法(例如参照专利文献1)。需要说明的是，专利文献1中的多孔层在制造过程中具有多个孔，但其在形成金属细线时用作使油墨浸渍于该多个孔的锚固层，在最终得到的透明电极的状态下不具有多个孔。
此外，作为这种导电性薄膜，专利文献2公开了一种导电片，其具有基体以及在基体的一个主表面形成的导电部，至少导电部借助粘合剂而粘接于其它物体，导电部具有由金属细线形成的网格状结构部。该文献中，使基体的主表面与金属细线的侧壁所成的角为锐角，使导电部与粘合剂的剥离粘合力在特定范围内。由此，导电片能够抑制导电片与粘合剂之间的气泡混入，能够容易进行粘合剂的粘贴作业和重新粘贴操作，进而能够提高触摸面板的成品率。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：Nature Communications 7,Article number：11402
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/034920号
专利文献2：日本特开2012-185607号公报
发明内容
发明要解决的问题
此处，专利文献1中研究的金属细线的线宽为10μm以上。根据本发明人等的研究可知：为了提高对导电性薄膜要求的透明性而使用例如线宽为5μm以下的金属细线时，即便使用专利文献1中记载那样的多孔层，也存在因导电性薄膜的弯曲、卷曲、挠曲等变形而导致其导电性降低的课题。
本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于，提供维持透明性和导电性且挠性优异的导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述课题而进行深入研究且反复实验，结果发现：通过在金属细线内设置空隙，且将金属细线的截面积中的总空隙截面积的比调整至特定范围，能够抑制由具有该金属细线的导电性薄膜的弯曲、卷曲、挠曲等变形导致的金属细线的断线或自透明基材的剥离，维持低可视性和高导电性，且提高挠性。此外，本发明人等发现：在与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，且将金属细线界面处的前述金属细线的宽度记作W0时，通过将W0.90/W0调整至特定范围内而能够更均匀地形成保护层等覆盖层。本发明人等发现：通过这些之中的任意手段而能够解决上述课题，从而完成了本发明。
本发明如下所示。
〔1〕一种导电性薄膜，其具有透明基材、以及在前述透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部，
前述金属细线图案由金属细线构成，且满足下述(i)或(ii)的条件：
(i)前述金属细线具有空隙，且在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线截面积记作SM，将前述金属细线的截面所包含的总空隙截面积记作SVtotal时，SVtotal/SM为0.10以上且0.40以下；
(ii)在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离前述透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，将金属细线界面处的前述金属细线的宽度记作W0时，W0.90/W0为0.40以上且0.90以下。
〔2〕根据〔1〕所述的导电性薄膜，其中，(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)为0.84以上且1.71以下。
〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线在前述透明基材侧的前述金属细线的界面具有前述空隙。
〔4〕根据〔1〕～〔3〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，将前述金属细线的最大厚度记作T时，将自前述透明基材侧的金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.2时，SV0.2/SVtotal为0.15以上且0.60以下。
〔5〕根据〔1〕～〔4〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，将前述金属细线的最大厚度记作T时，将自前述透明基材侧的金属细线界面起至0.8T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.8时，SV0.8/SVtotal为0.80以上且1.00以下。
〔6〕根据〔1〕～〔5〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，(SV0.2+SV0.8)/SVtotal超过1.00且为1.60以下。
〔7〕根据〔1〕～〔6〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，将距离前述透明基材侧的金属细线界面为0.50T的厚度处的金属细线的宽度记作W0.50时，
W0.50/W0为0.70以上且小于1.00。
〔8〕根据〔1〕～〔7〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，W0.90/W0.50为0.50以上且0.95以下。
〔9〕根据〔1〕～〔8〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，W0.50/W0大于W0.90/W0.50。
〔10〕根据〔1〕～〔9〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线的线宽为0.1μm以上且5.0μm以下。
〔11〕根据〔1〕～〔10〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线的纵横比为0.05以上且1.00以下。
〔12〕根据〔1〕～〔11〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述导电性薄膜的薄层电阻为0.1Ω/sq以上且1,000Ω/sq以下。
〔13〕根据〔1〕～〔12〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述导电性薄膜的可见光透射率为80％以上且100％以下。
〔14〕根据〔1〕～〔13〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述导电性薄膜的雾度为0.01％以上且5.00％以下。
〔15〕根据〔1〕～〔14〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线图案的开口率为80％以上且小于100％。
〔16〕根据〔1〕～〔15〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线图案为网格图案。
〔17〕根据〔1〕～〔16〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线图案为线图案。
〔18〕根据〔1〕～〔17〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，前述金属细线包含从由金、银、铜或铝组成的组中选择的至少1种以上的金属元素。
〔19〕根据〔1〕～〔18〕中任一项所述的导电性薄膜，其中，在前述透明基材与前述导电部之间具有中间层。
〔20〕根据〔19〕所述的导电性薄膜，其中，前述中间层包含从由硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物和镁氟化物组成的组中选择的至少1种。
〔21〕根据〔1〕～〔20〕中任一项所述的导电性薄膜，其还具有覆盖前述导电部的保护层。
〔22〕一种导电性薄膜卷，其是将〔1〕～〔21〕中任一项所述的导电性薄膜卷绕而成的。
〔23〕一种电子纸，其具备〔1〕～〔22〕中任一项所述的导电性薄膜。
〔24〕一种触摸面板，其具备〔1〕～〔23〕中任一项所述的导电性薄膜。
〔25〕一种平板显示器，其具备〔1〕～〔24〕中任一项所述的导电性薄膜。
发明的效果
根据本发明，可提供维持透明性和导电性且挠性优异的导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
附图说明
图1是表示具有网格图案的本实施方式的导电性薄膜的一个方式的俯视图
图2是表示具有网格图案的本实施方式的导电性薄膜的另一方式的俯视图
图3是表示具有线图案的本实施方式的导电性薄膜的一个方式的俯视图
图4是表示具有线图案的本实施方式的导电性薄膜的另一方式的俯视图
图5是图1的导电性薄膜的III-III'的部分截面图
图6是用于说明具有网格图案的本实施方式的导电性薄膜的开口率与节距的关系的金属细线图案的俯视图
图7是用于说明具有线图案的本实施方式的导电性薄膜的开口率与节距的关系的金属细线图案的俯视图
图8是具备覆盖层的一般的导电性薄膜的III-III'的部分截面图
图9是具备覆盖层时的图1的导电性薄膜的III-III'的部分截面图
图10是表示具备本实施方式的导电性薄膜的电子纸的一个方式的俯视图
图11是本实施方式的电子纸的V-V'的部分截面图
图12是表示具备以往的导电性薄膜的电子纸的一个方式的俯视图
图13是表示具备本实施方式的导电性薄膜的触摸面板的一个方式的立体图
图14是表示具备本实施方式的导电性薄膜的触摸面板的另一方式的立体图
图15是用于说明薄层电阻的测定方法的立体图
图16是实施例A1的电子显微镜照片
图17是实施例B1的金属细线的截面SEM像
图18是实施例B7的金属细线的截面SEM像
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式(以下称为“本实施方式”)进行详细说明，但本发明不限定于此，可以在不超出其主旨的范围内进行各种变形。本实施方式的各数值范围中的上限值和下限值可以任意组合而构成任意的数值范围。此外，在附图中，为了便于说明，各部分的结构有时适当简化来表示，各部分的尺寸等不限定于附图的条件。
[导电性薄膜]
本实施方式的导电性薄膜是具有透明基材以及在前述透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部的导电性薄膜。
本实施方式的导电性薄膜中的前述金属细线图案由金属细线构成。
本实施方式的导电性薄膜满足下述(i)或(ii)的条件。
(i)前述金属细线具有空隙，且在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线截面积记作SM，将前述金属细线的截面所包含的总空隙截面积记作SVtotal时，SVtotal/SM为0.10以上且0.40以下；
(ii)在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离前述透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，将金属细线界面处的前述金属细线的宽度记作W0时，W0.90/W0为0.40以上且0.90以下。
根据本实施方式的导电性薄膜，可提供充分维持透明性和导电性且挠性优异的导电性薄膜。进而，可提供能够在金属细线表面上更均匀地形成保护层等覆盖层且能够赋予耐候性等功能性的导电性薄膜。
以下，将满足条件(i)的本实施方式的导电性薄膜作为第一实施方式的导电性薄膜来进行说明，将满足条件(ii)的本实施方式的导电性薄膜作为第二实施方式的导电性薄膜来进行说明。需要说明的是，本实施方式的导电性薄膜也可以满足(i)和(ii)的条件。
为了兼具通过调整SVtotal/SM来提高挠性和通过调整W0.90/W0而能够均匀地形成覆盖层的效果，且实现更高的导电性，理想的是将(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)调整至特定的范围。(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)是表示不包括空隙在内的金属细线的截面积大小的指标。(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)优选为0.84以上且1.71以下。下限值更优选为1.00以上、进一步优选为1.10以上、特别优选为1.15以上。如果(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)为0.84以上，则能够充分增大不包括空隙在内的金属细线的截面积，因此导电性优异。另一方面，如果(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)为1.71以下，则能够充分发挥出上述SVtotal/SM和W0.90/W0的效果。从导电性的观点出发，优选将(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)调整至大数值。需要说明的是，(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)的最大值为2.00，此时，金属细线没有空隙，截面形状呈现正方形状或长方形状。
(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)的值没有特别限定，通过调整例如形成金属细线时的烧成(sintering)条件而能够控制其增减。另外，也可以通过控制后述SVtotal/SM等各值的方法来调整。为了使金属细线图案中的W0.90/W0分别在期望范围内，可列举出如下方法：以成为实现期望范围的形状的方式使用粘度调节剂等来调整油墨粘度，和/或，在图案形成工序中控制在油墨被涂布于版(printing plate)、转印介质后至转印于基材为止的时间的方法；控制例如将转印介质表面上的油墨转印至凸版时的工艺时间的方法。
〔第一实施方式的导电性薄膜〕
第一实施方式的导电性薄膜的特征在于，其具有透明基材、以及在前述透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部，前述金属细线图案由金属细线构成，前述金属细线具有空隙，在与前述金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，将金属细线截面积记作SM，将前述金属细线的截面所包含的总空隙截面积记作SVtotal时，SVtotal/SM为0.10以上且0.40以下。
此处，专利文献1中研究的金属细线的线宽为10μm以上。根据本发明人等的研究可知：为了提高导电性薄膜所寻求的透明性而使用线宽5μm以下的金属细线时，即便使用专利文献1中记载那样的多孔层，针对由导电性薄膜的弯曲、卷曲、挠曲等变形导致的金属细线的断线或自透明基材的剥离的、抑制导电性降低的效果也不充分。
可推测这是因为：对于线宽5μm以下的金属细线而言，由于导电性油墨向多孔层中的渗透量少，此外，金属细线与透明树脂基板的接触面积也少，因此，即便制成专利文献1那样的构成，也无法确保金属细线与透明树脂基板的充分密合性。
第一实施方式是鉴于上述问题而进行的，其目的在于，提供充分维持透明性和导电性且挠性优异的导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
并且，根据上述第一实施方式，可提供充分维持透明性和导电性且挠性优异的导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
图1中，作为本实施方式的导电性薄膜的一个方式，示出金属细线图案为网格图案的导电性薄膜的俯视图。本实施方式的导电性薄膜10在透明基材11上具有包含金属细线图案12的导电部13。
在透明基材11上，除了形成导电部13之外，也可以根据导电性薄膜10的使用用途而形成有用于连接于控制器等的取出电极(未图示)。需要说明的是，透明基材11可以在单面或两面具有导电部13，也可以在一个面具有多个导电部13。导电部13包含以能够使其通电或有电(带电)的方式构成的金属细线图案12。将本实施方式的导电性薄膜10组装至电子设备时，导电部13作为电子纸、触摸面板和平板显示器等的画面部分的透明电极而发挥功能。
在这种导电性薄膜中，金属细线的线宽越细，则由导电性薄膜的弯曲、卷曲、挠曲等导致的金属细线的断线、自透明基材的剥离越显著，即便通过将金属细线用保护层进行覆盖或者用锚固层使密合性提高来加强金属细线，金属细线自身的机械特性自身也不变。因此，很难说这种方法能够完全解决具有细的金属细线的导电性薄膜的挠性课题。
与此相对，根据第一实施方式，通过制成对这种金属细线自身设置有成为缓冲部的空隙的构成，从而调整金属细线自身的机械特性。由此，即便在从可视性的观点出发缩细金属细线的情况下，也能够确保金属细线的挠性。此外，对于这种金属细线而言，通过将空隙设为规定范围，从而能够确保挠性而不损害导电性。进而，使用了这种金属细线的导电性薄膜能够通过印刷来制作，因此，与通过真空蒸镀法、溅射法而制膜的使用了ITO的导电性薄膜相比，在制造上的低成本化、降低环境负担的观点上也是优异的。
〔导电部〕
导电部是配置在透明基材上且由金属细线构成的金属细线图案。金属细线图案可以是规则的图案，也可以是不规则的图案。第一实施方式中，构成金属细线图案的金属细线在与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面中，以规定的比例具有空隙。
第一实施方式中的SVtotal/SM为0.10以上且0.40以下，优选为0.13以上且0.37以下，更优选为0.15以上且0.35以下，进一步优选为0.17以上且0.33以下。通过使SVtotal/SM为0.10以上，能够缓和与挠曲相伴的应力集中，挠性进一步提高。此外，通过使SVtotal/SM为0.40以下，在导电性进一步提高的基础上，金属细线的机械强度进一步提高。SVtotal和SM可以由与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的电子显微镜照片来计算。
针对金属细线的截面内的空隙的偏重存在性和均匀性，没有特别限定，空隙可以大致均匀地分布在金属细线截面中，也可以例如偏重存在于透明基材侧的金属细线的界面，还可以偏重存在于金属细线的表面侧(与透明基材侧相反的一侧)。其中，金属细线优选在透明基材侧的金属细线的界面具有空隙。通过制成这种构成，存在挠性进一步提高的倾向。需要说明的是，“界面具有空隙”是指“至少一部分空隙与透明基材接触”，在具有后述中间层的情况下，是指“至少一部分空隙与中间层接触”。
作为其原理，没有特别限定，可以如下考虑。如第一实施方式的导电性薄膜那样，使透明基材和金属细线之类的刚性、延性等机械性质不同的两种部件因弯曲、卷曲、挠曲等而发生变形时，应力会集中于其界面，通过反复该变形，可能发生金属细线的断线、剥离。此时，通过使透明基材侧的金属细线的界面具有空隙，应力容易被缓和，挠性进一步提高。此外，从使金属细线的挠性具备各向同性的观点出发，金属细线的截面中的空隙优选均匀分布。并且，如果从这两种观点出发，则优选如下方式：金属细线在透明基材侧的金属细线的界面具有空隙，且一部分空隙分布在金属细线的截面内。
上述偏重存在性和均匀性可以使用特定厚度区域内的空隙截面积来表示。例如，将自透明基材侧的金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.2时，SV0.2/SVtotal成为表示在透明基材侧的金属细线的界面侧的区域中存在的空隙的比例的指标。这种SV0.2/SVtotal优选为0.15以上且0.60以下，更优选为0.18以上且0.55以下，进一步优选为0.20以上且0.50以下。通过使SV0.2/SVtotal为0.15以上，透明基材侧的金属细线的界面处的应力容易被缓和，存在挠性进一步提高的倾向。此外，通过使SV0.2/SVtotal为0.60以下，透明基材与金属细线的接触面积变大，密合性进一步提高，且存在于其它区域的空隙比例相对变大，因此，存在各向同性的挠性进一步提高的倾向。需要说明的是，本实施方式中，T是指：从透明基材侧的金属细线界面起至金属细线表面为止的厚度之中的最大厚度，可通过电子显微镜照片来测定。
此外，将自透明基材侧的金属细线界面起至0.8T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.8时，SV0.8/SVtotal成为表示在除金属细线的表面侧之外的区域中存在的空隙的比例的指标。这种SV0.8/SVtotal优选为0.80以上且1.00以下，下限值更优选为0.85以上，进一步优选为0.90以上。通过使SV0.8/SVtotal为0.80以上，透明基材侧的金属细线的界面处的应力容易被缓和，存在挠性进一步提高的倾向，此外，存在导电性也提高的倾向。
如上那样，通过将SVtotal/SM、优选进一步将SV0.2/SVtotal、SV0.8/SVtotal调整至特定的范围，能够抑制由导电性薄膜的弯曲、卷曲、挠曲等变形导致的金属细线的断线、自透明基材的剥离，既维持低可视性和高导电性又提高挠性。
(SV0.2+SV0.8)/SVtotal是表示金属细线的界面侧(自金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域)相对于金属细线的表面侧(自0.8T起至T为止的厚度区域)的空隙的偏重存在程度的指标。若在金属细线的界面侧、即自金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域中存在空隙，且(SV0.2+SV0.8)/SVtotal超过1.00，则表示与金属细线的表面侧相比，空隙更偏重存在于界面侧。(SV0.2+SV0.8)/SVtotal优选超过1.00且为1.60以下，更优选为1.10以上且1.55以下，进一步优选为1.15以上且1.50以下。若(SV0.2+SV0.8)/SVtotal超过1.00，则空隙偏重存在于金属细线的界面侧，因此，金属细线的界面处的应力容易被缓和，存在挠性进一步提高的倾向。若(SV0.2+SV0.8)/SVtotal为1.60以下，则在除界面之外的区域中存在的空隙比例相对变大，因此，存在各向同性的挠性进一步提高的倾向。需要说明的是，(SV0.2+SV0.8)/SVtotal的最大值为2.00，此时，空隙均存在于自透明基材侧的金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域内。
SVtotal/SM、SV0.2/SVtotal、SV0.8/SVtotal和(SV0.2+SV0.8)/SVtotal的各值没有特别限定，可通过调整例如形成金属细线时的烧成条件来控制其增减。金属细线可通过使用包含金属成分的油墨在透明基材上形成图案，并对其进行烧成而使金属成分彼此结合来形成。在该烧成工序中，可以认为金属成分难以一边扩散、聚集一边与附近的金属成分熔接而形成金属成分烧结膜(layer)。因此，通过调整烧成时的能量(例如热、等离子体、电子射线、光源的照射能量)、烧成时间来调整金属成分的扩散、聚集，由此能够调整金属细线中的空隙量。此外，通过调整油墨中所包含的表面活性剂、分散剂、还原剂的种类、含量，也能够利用在烧成中产生的它们的分解气体来调整金属细线中的空隙量。
本说明书中的SVtotal/SM、SV0.2/SVtotal、SV0.8/SVtotal和(SV0.2+SV0.8)/SVtotal可以由与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的电子显微镜照片来计算。以下，针对具体测定方法进行记载。需要说明的是，从防止金属细线截面的氧化、污染的观点出发，后述金属细线的截面的形成、SEM观察优选在氩气等非活性气氛下、真空中进行。
首先，对导电性薄膜进行切割，得到包含与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的测定样品。测定样品的制作方法只要是能够抑制由截面的形成/加工对金属细线截面造成的损伤(变形)的方法，就没有特别限定，可优选采用使用了离子束的加工法(例如BIB(宽离子束；Broad Ion Beam)加工法、FIB(聚焦离子束；Focused Ion Beam)加工法)、精密机械研磨、超薄切片机等。尤其是，从抑制对金属细线截面造成的损伤的观点出发，优选采用使用了氩气离子束的BIB加工法。本实施方式和实施例中使用BIB加工法。
以下，针对使用BIB加工法来形成金属细线的截面的方法进行说明。首先，在与金属细线的延伸方向正交的面切割导电性薄膜，得到露出想要观察的截面的试样。此时，试样的截面有可能因切割加工而承受略微的变形。因而，在BIB加工法中，用宽离子束对有可能承受该略微变形的截面进行切削，得到无变形的精细截面。具体而言，首先使遮蔽板密合于试样之中的未形成导电部一侧的透明基材的表面。此时，使遮蔽板以露出想要用宽离子束进行切削的部分且不露出其它部分的方式密合于试样。接着，从遮蔽板的上方照射宽离子束。由此，所露出的部分(有可能承受变形的截面)因宽离子束而被切削，得到具有未受到变形的截面的测定样品。需要说明的是，通过从透明基材面侧照射宽离子束，与从导电部侧照射宽离子束的情况相比，能够获得更精细的金属细线的截面。
或者，在与金属细线的延伸方向正交的面切割导电性薄膜时，可以直接用宽离子束进行切割。此时，使遮蔽板密合于导电性薄膜的未形成导电部一侧的透明基材面，并从遮蔽板的上方照射宽离子束。
利用SEM来观察如上操作而得到的测定样品，得到金属细线截面的SEM像。可以由所得SEM图像分别算出SM、SVtotal、SV0.2和SV0.8，并算出SVtotal/SM、SV0.2/SVtotal、SV0.8/SVtotal和(SV0.2+SV0.8)/SVtotal。需要说明的是，金属细线截面积SM是包括上述金属细线的截面的结构体和空隙在内的总截面积。
需要说明的是，在计算SVtotal/SM、SV0.2/SVtotal、SV0.8/SVtotal和(SV0.2+SV0.8)/SVtotal时，可以辅助性地使用旭化成株式会社制的IP-1000(软件名：A像君)、ImageJ等公知的图像处理软件。本实施方式和实施例中，利用ImageJ。
金属细线没有特别限定，优选具有包含从由例如金、银、铜或铝组成的组中选择的至少1种以上金属元素的导电性成分。尤其是，从成本和导电性的观点出发，导电性成分优选以银或铜作为主成分，进而从成本的观点出发，铜更优选为主成分。本实施方式中，“主成分”是指占据50质量％以上的成分。
进而，金属细线可以在包含导电性成分的基础上，还包含非导电性成分。作为非导电性成分，没有特别限定，可列举出例如金属氧化物、金属化合物、有机化合物等。需要说明的是，作为这些非导电性成分，可列举出以后述油墨所包含的成分为来源的成分，且该成分是油墨所包含的成分之中历经烧成后残留于金属细线中的金属氧化物、金属化合物和有机化合物等。导电性成分的含有比例优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上，进一步优选为70质量％以上。导电性成分的含有比例的上限没有特别限定，为100质量％。此外，非导电性成分的含有比例优选为50质量％以下，更优选为40质量％以下、进一步优选为30质量％以下。非导电性成分的含有比例的下限没有特别限定，为0质量％。
(金属细线图案)
金属细线图案可根据作为目标的电子设备的用途来设计，没有特别限定，可列举出例如多个金属细线交叉成网格状而形成的网格图案(图1和2)、形成有多个大致平行的金属细线的线图案(图3和4)。此外，金属细线图案可以为网格图案与线图案组合而成的图案。网格图案的网格可以是图1所示那样的正方形或长方形，也可以是图2所示那样的菱形等多边形。此外，构成线图案的金属细线可以是图3所示那样的直线，也可以是图4所示那样的曲线。进而，对于构成网格图案的金属细线而言，也可以将金属细线制成曲线。
本实施方式的金属细线的线宽W是指：从透明基材11的配置有金属细线图案12的一面侧，将金属细线14投影在透明基材11的表面上时的金属细线14的线宽。图5中示出图1的导电性薄膜的III-III'的部分截面图。若以该图5为例，则在具有梯形截面的金属细线14中，与透明基材11接触的金属细线14的面的宽度成为线宽W。此外，金属细线的厚度T是指考虑了表面粗糙度时的最大厚度，节距P是指线宽W与金属细线之间的距离之和。
(线宽W)
金属细线的线宽W优选为0.1μm以上且5.0μm以下，更优选为0.2μm以上且4.0μm以下，进一步优选为0.3μm以上且3.0μm以下，更进一步优选为0.4μm以上且2.5μm以下。通过使金属细线的线宽W为0.1μm以上，存在导电性进一步提高的倾向。此外，存在能够充分抑制由金属细线表面的氧化、腐蚀等导致的导电性降低的倾向。进而，在使开口率相同的情况下，金属细线的线宽越细，则越能够增加金属细线的根数。由此，导电性薄膜的电场分布变得更均匀，能够制作(fabricate)分辨率更高的电子设备。此外，即便一部分金属细线发生断线，其它金属细线也能够弥补由此导致的影响。另一方面，通过使金属细线的线宽W为5.0μm以下，存在金属细线的可视性进一步降低、导电性薄膜的透明性进一步提高的倾向。
金属细线的厚度T优选为10nm以上且1,000nm以下。厚度T的下限更优选为50nm以上，进一步优选为75nm以上。通过使金属细线的厚度T为10nm以上，存在导电性进一步提高的倾向。此外，存在能够充分抑制由金属细线表面的氧化、腐蚀等导致的导电性降低的倾向。另一方面，通过使金属细线的厚度T为1,000nm以下，能够在宽视角下表现出高透明性。
(纵横比)
用金属细线的厚度T相对于金属细线的线宽W表示的纵横比优选为0.05以上且1.00以下。纵横比的下限更优选为0.08以上、进一步优选为0.10以上。通过使纵横比为0.05以上，存在能够进一步提高导电性而不降低透射率的倾向。
(节距)
金属细线图案的节距P优选为5μm以上，更优选为50μm以上，进一步优选为100μm以上。通过使金属细线图案的节距P为5μm以上，能够获得良好的透射率。此外，金属细线图案的节距P优选为1,000μm以下，更优选为500μm以下，进一步优选为250μm以下。通过使金属细线图案的节距P为1,000μm以下，存在能够进一步提高导电性的倾向。需要说明的是，金属细线图案的形状为网格图案时，通过使线宽1μm的金属细线图案的节距为200μm，能够使开口率为99％。
需要说明的是，金属细线图案的线宽、纵横比和节距可通过利用电子显微镜等观察导电性薄膜截面来确认。此外，金属细线图案的线宽和节距也可利用激光显微镜、光学显微镜进行观察。此外，节距与开口率具有后述关系式，因此，如果获知一者则能够算出另一者。此外，作为将金属细线图案的线宽、纵横比和节距调整至期望范围的方法，可列举出：调整在后述导电性薄膜的制造方法中使用的版(printing plate)的槽的方法、调整油墨中的金属颗粒的平均粒径的方法等。
(开口率)
金属细线图案的开口率的下限值优选为60％以上，更优选为70％以上，进一步优选为80％以上，特别优选为90％以上。通过使金属细线图案的开口率为上述特定值以上，存在导电性薄膜的透射率进一步提高的倾向。此外，金属细线图案的开口率的上限值优选小于100％，更优选为95％以下，进一步优选为90％以下，更进一步优选为80％以下，再进一步优选为70％以下，特别优选为60％以下。通过使金属细线图案的开口率为上述特定值以下，存在导电性薄膜的导电性进一步提高的倾向。金属细线图案的开口率的合适值还因金属细线图案的形状而异。此外，金属细线图案的开口率可根据作为目标的电子设备的要求性能(透射率和薄层电阻)来适当组合上述上限值和下限值。
需要说明的是，“金属细线图案的开口率”可针对透明基材上的形成有金属细线图案的区域，利用下式来计算。透明基材上的形成有金属细线图案的区域是指图1的用S表示的范围，不包括未形成金属细线图案的边缘部等。
开口率＝(1-金属细线图案所占的面积/透明基材的面积)×100
此外，开口率与节距的关系式因金属细线图案的形状而异，可如下那样地计算。图6示出具有图案单元16的网格图案(方格(格子)图案)的示意图。在该网格图案的情况下，开口率与节距具有下述关系式。
开口率＝{开口部15的面积/图案单元16的面积}×100
＝{((节距P1-线宽W1)×(节距P2-线宽W2))/(节距P1×节距P2)}×100
此外，图7示出线图案的示意图。在该线图案的情况下，开口率与节距具有下述关系式。
开口率＝{(节距P-线宽W)/节距P}×100
(薄层电阻)
导电性薄膜的薄层电阻优选为0.1Ω/sq以上且1,000Ω/sq以下，更优选为0.1Ω/sq以上且500Ω/sq以下，进一步优选为0.1Ω/sq以上且300Ω/sq以下，更进一步优选为0.1Ω/sq以上且200Ω/sq以下，再进一步优选为0.1Ω/sq以上且100Ω/sq以下，再进一步优选为0.1Ω/sq以上且20Ω/sq以下，再进一步优选为0.1Ω/sq以上且10Ω/sq以下。薄层电阻越低，则存在电力损耗越受到抑制的倾向。因此，通过使用薄层电阻低的导电性薄膜，能够获得耗电量少的电子纸、触摸面板和平板显示器。导电性薄膜的薄层电阻可通过以下的方法来测定。
图15中示出用于说明薄层电阻的测定方法的立体图。首先，从导电性薄膜中将整面配置有金属细线图案的部分切成矩形状，得到测定样品。在所得测定样品的两端部形成与金属细线图案电连接的薄层电阻测定用集电部，测定集电部之间的电阻R(Ω)。可使用所得电阻R(Ω)和测定样品的集电部之间的距离L(mm)、纵深方向的长度D(mm)，并通过下式来算出薄层电阻Rs(Ω/sq)。
Rs＝R/L×D
导电性薄膜的薄层电阻存在随着金属细线的纵横比(厚度)的增加而降低的倾向。此外，也可以通过选择构成金属细线的金属材料种类来进行调整。
存在薄层电阻越低则电力损耗越受到抑制的倾向。因此，能够获得耗电量少的电子纸、触摸面板和平板显示器。
(可见光透射率)
导电性薄膜的可见光透射率优选为80％以上且100％以下，更优选为90％以上且100％以下。此处，可见光透射率可通过根据JIS K 7361-1:1997的总透光率算出该可见光(360～830nm)的范围的透射率来进行测定。
存在通过减小金属细线图案的线宽或者提高开口率而使导电性薄膜的可见光透射率进一步提高的倾向。
(雾度)
导电性薄膜的雾度优选为0.01％以上且5.00％以下。雾度的上限更优选为3.00％以下、进一步优选为1.00％以下。如果雾度的上限为5.00％以下，则能够充分降低导电性薄膜对于可见光的发雾。本说明书中的雾度可根据JIS K 7136:2000的雾度来进行测定。
〔透明基材〕
透明基材的“透明”是指可见光透射率优选为80％以上，是指更优选为90％以上，是指进一步优选为95％以上。此处，可见光透射率可按照JIS K 7361-1:1997进行测定。
作为透明基材的材料，没有特别限定，可列举出例如玻璃等透明无机基材；丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、尼龙、芳香族聚酰胺、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺等透明有机基材。其中，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二醇酯。通过使用聚对苯二甲酸乙二醇酯，存在用于制造导电性薄膜的生产率(削减成本的效果)更优异、且透明基材与金属细线的密合性进一步提高的倾向。此外，通过使用聚酰亚胺，存在导电性薄膜的耐热性进一步提高的倾向。进而，通过使用聚萘二甲酸乙二醇酯，存在透明基材与金属细线的密合性更优异的倾向。
透明基材可以由1种材料形成，也可以层叠有2种以上的材料。此外，透明基材为层叠有2种以上材料的多层体时，该透明基材可以是有机基材或无机基材彼此层叠而得的多层体，也可以是层叠有有机基材和无机基材的多层体。
透明基材的厚度优选为5μm以上且500μm以下，更优选为10μm以上且100μm以下。
〔中间层〕
本实施方式的导电性薄膜可以在透明基材与导电部之间具有中间层。该中间层可有助于提高透明基材与导电部的金属细线之间的密合性。
作为中间层所包含的成分，没有特别限定，可列举出例如硅化合物(例如(聚)硅烷类、(聚)硅氮烷类、(聚)硅硫烷类、(聚)硅氧烷类、硅、硅碳化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氯化物、硅酸盐、沸石、硅化物等)、铝化合物(例如铝氧化物等)、镁化合物(例如镁氟化物)等。其中，优选为从由硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物和镁氟化物组成的组中选择的至少1种。通过使用这种成分，存在导电性薄膜的透明性和耐久性进一步提高的倾向，用于制造导电性薄膜的生产率(成本削减效果)更优异。中间层可通过PVD、CVD等气相成膜法；涂布在分散介质中分散有上述中间层所包含的成分的中间体形成组合物并干燥的方法来进行成膜。中间体形成组合物可根据需要而含有分散剂、表面活性剂、粘结剂等。
中间层的厚度优选为0.01μm以上且500μm以下，更优选为0.05μm以上且300μm以下，进一步优选为0.10μm以上且200μm以下。通过使中间层的厚度为0.01μm以上，从而表现出中间层与金属细线的密合性，如果中间层的厚度为500μm以下，则能够确保透明基材的挠性。
通过将中间层层叠在透明基材上，在利用等离子体等烧成手段使油墨中的金属成分发生烧结时，能够防止因等离子体等而使未被金属细线图案部覆盖的部位的透明基材发生蚀刻。
进而，为了防止由静电导致的金属细线图案的断线，该中间层优选具备抗静电功能。为了使中间层具有抗静电功能，中间层优选包含导电性无机氧化物和导电性有机化合物中的至少任意者。作为导电性有机化合物，可列举出例如导电性的有机硅烷化合物、脂肪族共轭系的聚乙炔、芳香族共轭系的聚(对苯撑)、杂环式共轭系的聚吡咯等。这些之中，优选为导电性的有机硅烷化合物。
中间层的体积电阻率优选为100Ωcm以上且100000Ωcm以下、更优选为1000Ωcm以上且10000Ωcm以下、进一步优选为2000Ωcm以上且8000Ωcm以下。通过使中间层的体积电阻率为100000Ωcm以下，能够表现出抗静电功能。此外，通过使中间层的体积电阻率为100Ωcm以上，能够适合地用于金属细线图案间的导电并不优选的触摸面板等用途。体积电阻率可通过中间层内的导电性无机氧化物、导电性有机化合物等发挥出抗静电功能的成分的含量来调整。例如，中间层包含耐等离子体性高的硅氧化物(体积电阻率为1014Ω·cm以上)和作为导电性有机化合物的有机硅烷化合物时，通过增加导电性的有机硅烷化合物的含量而能够降低体积电阻率。另一方面，通过增加硅氧化物的含量，体积电阻率会增加，但因具有高的耐等离子体性而能够制成薄膜，不会损害光学特性。
〔保护层〕
此外，第一实施方式的导电性薄膜可以设置有覆盖导电部的保护层。保护层可以仅覆盖构成导电部的金属细线，也可以覆盖金属细线与透明基材(或中间层)的表面。
作为保护层的材料，只要具有透光性且能够表现出与金属细线、透明基材(或中间层)密合的良好密合性，就没有特别限定，可以使用例如酚醛树脂、热固化型环氧树脂、热固化性聚酰亚胺、三聚氰胺树脂、脲树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、有机硅树脂等热固化性树脂；氨基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸类树脂丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、有机硅丙烯酸酯、UV固化型环氧树脂等UV固化性树脂；市售的涂布剂等。
保护层的厚度优选为0.01μm以上且1.00μm以下，更优选为0.03μm以上且0.80μm以下，进一步优选为0.05μm以上且0.50μm以下。通过使保护层的厚度为0.01μm以上，能够防止被保护层保护的金属细线的氧化，通过使保护层的厚度为1.00μm以下，能够提高导电性薄膜的透明性。
〔导电性薄膜的制造方法〕
本实施方式的导电性薄膜的制造方法没有特别限定，可列举出例如具有如下工序的方法：使用包含金属成分的油墨在透明基材上形成图案的图案形成工序；以及对该图案进行烧成而形成金属细线的烧成工序。此外，本实施方式的导电性薄膜的制造方法中，在图案形成工序之前，可以包括在透明基材的表面形成中间层的中间层形成工序。
〔中间层形成工序〕
中间层形成工序是在透明基材的表面形成中间层的工序。作为中间层的形成方法，没有特别限定，可列举出例如利用物理蒸镀法(PVD)、化学蒸镀法(CVD)等气相成膜法，在透明基材表面形成蒸镀膜的方法；通过在透明基材表面涂布中间层形成用组合物，并进行干燥而形成涂膜的方法。
中间层形成用组合物中包含作为上述中间层所含的成分而例示出的成分或其前体且包含溶剂，也可以根据需要而含有表面活性剂、分散剂、粘结剂等。
〔图案形成工序〕
图案形成工序是使用包含金属成分的油墨来形成图案的工序。图案形成工序只要是使用具有期望的金属细线图案的槽的版的有版印刷方法，就没有特别限定，可以具有如下工序：例如在转印介质表面涂布油墨的工序；使涂布有油墨的转印介质表面与凸版的凸部表面相对，并进行按压、接触而使转印介质表面上的油墨转移(transfer)至凸版的凸部表面的工序；以及，使涂布有油墨的转印介质表面与透明基材的表面相对，进行按压、接触而将残留于转印介质表面的油墨转印至透明基材的表面的工序。需要说明的是，在透明基材形成有中间层的情况下，油墨被转印至中间层表面。
(油墨)
上述图案形成工序所使用的油墨包含金属成分和溶剂，也可根据需要而包含表面活性剂、分散剂、还原剂等。金属成分可以以金属颗粒的形式包含于油墨中，也可以以金属络合物的形式包含于油墨中。需要说明的是，作为此处提及的金属成分所包含的金属元素种类，没有特别限定，可列举出例如金、银、铜、铝。这些之中，优选为银或铜，更优选为铜。
使用金属颗粒时，其平均一次粒径优选为100nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为30nm以下。此外，金属颗粒的平均一次粒径的下限没有特别限定，可列举出1nm以上。通过使金属颗粒的平均一次粒径为100nm以下，能够进一步缩细所得金属细线的线宽W。需要说明的是，本实施方式中，“平均一次粒径”是指1个个金属颗粒(所谓一次颗粒)的粒径，与多个金属颗粒聚集而形成的聚集体(所谓二次颗粒)的粒径、即平均二次粒径有所区分。
作为金属颗粒，可以是铜氧化物等金属氧化物、金属化合物、芯部为铜且壳部为铜氧化物那样的核/壳颗粒的方式。可从分散性、烧结性的观点出发适当决定金属颗粒的方式。
在油墨中，金属颗粒的含量相对于油墨组合物的总质量优选为1质量％以上且40质量％以下，更优选为5质量％以上且35质量％以下，进一步优选为10质量％以上且35质量％以下。如果油墨中的金属颗粒的含量相对于油墨组合物的总质量为1质量％以上，则能够获得具有导电性的金属细线图案，如果为40质量％以下，则能够将油墨印刷成金属细线图案状。
作为表面活性剂，没有特别限定，可列举出例如有机硅系表面活性剂、氟系表面活性剂等。通过使用这种表面活性剂，存在油墨对转印介质(橡皮布)的涂布性、所涂布的油墨的平滑性提高、能够获得更均匀的涂膜的倾向。需要说明的是，表面活性剂优选以能够分散金属成分且烧成时不易残留的方式构成。
在油墨中，表面活性剂的含量相对于油墨组合物的总质量优选为0.01质量％以上且10质量％以下，更优选为0.1质量％以上且5质量％以下，进一步优选为0.5质量％以上且2质量％以下。如果油墨中的表面活性剂的含量相对于油墨组合物的总质量为0.01质量％以上，则能够提高油墨的涂布性、所涂布的油墨的平滑性，如果为10质量％以下，则能够获得电阻低的金属细线图案。
此外，作为分散剂，没有特别限定，可列举出例如与金属成分进行非共价键合或发生相互作用的分散剂、与金属成分进行共价键合的分散剂。可列举出具有磷酸基作为进行非共价键合或发生相互作用的官能团的分散剂。通过使用这种分散剂，存在金属成分的分散性进一步提高的倾向。
在油墨中，分散剂的含量相对于油墨组合物的总质量优选为0.1质量％以上且30质量％以下，更优选为1质量％以上且20质量％以下，进一步优选为2质量％以上且10质量％以下。如果油墨中的分散剂的含量相对于油墨组合物的总质量为0.1质量％以上，则能够获得分散有金属颗粒的油墨，如果为30质量％以下，则能够获得电阻低的金属细线图案。
进而，作为溶剂，可列举出一元醇和多元醇等醇系溶剂；烷基醚系溶剂；烃系溶剂；酮系溶剂；酯系溶剂等。它们可以单独使用，也可以组合使用1种以上。可列举出例如碳原子数10以下的一元醇与碳原子数10以下的多元醇的组合使用等。通过使用这种溶剂，存在油墨对转印介质(橡皮布)的涂布性、油墨从转印介质向凸版的转移性、油墨从转印介质向透明基材的转印性和金属成分的分散性进一步提高的倾向。需要说明的是，溶剂优选以能够分散金属成分且烧成时不易残留的方式构成。
在油墨中，溶剂的含量是上述金属颗粒、表面活性剂、分散剂等成分的余量，例如，相对于油墨组合物的总质量，优选为50质量％以上且99质量％以下，更优选为60质量％以上且90质量％以下，进一步优选为70质量％以上且80质量％以下。如果油墨中的溶剂含量相对于油墨组合物的总质量为50质量％以上，则能够将油墨印刷成金属细线图案状，如果是99质量％以下，则能够获得具有导电性的金属细线图案。
需要说明的是，可从利用在烧成中产生的它们的分解气体等来调整金属细线中的空隙量的观点出发适当调整油墨所包含的上述成分的含量。
〔烧成工序〕
烧成工序是将图案进行烧成而形成金属细线的工序，由此，能够得到具有与涂布油墨所得的图案相同金属细线图案的导电部。烧成只要是金属成分发生熔接而能够形成金属成分烧结膜的方法，就没有特别限定。烧成可以在例如烧成炉中进行，也可以使用等离子体、加热催化剂、紫外线、真空紫外线、电子射线、红外线灯退火、闪光灯退火、激光等来进行。所得烧结膜容易氧化时，优选在非氧化性气氛中进行烧成。此外，在仅利用油墨可包含的还原剂时金属氧化物等难以被还原的情况下，优选在还原性气氛中进行烧成。
非氧化性气氛是指不含氧气等氧化性气体的气氛，有非活性气氛和还原性气氛。非活性气氛是指例如被氩气、氦气、氖气、氮气等非活性气体充满的气氛。此外，还原性气氛是指存在氢气、一氧化碳等还原性气体的气氛。可以将这些气体填充至烧成炉中，以密闭体系的形式对油墨的涂布膜(分散体涂布膜)进行烧成。此外，也可以将烧成炉制成流通体系，一边流通这些气体一边对涂布膜进行烧成。将涂布膜在非氧化性气氛中进行烧成时，优选将烧成炉中暂时抽真空而去除烧成炉中的氧气，并利用非氧化性气体进行置换。此外，烧成可以在加压气氛中进行，也可以在减压气氛中进行。
烧成温度没有特别限定，优选为20℃以上且400℃以下，更优选为50℃以上且300℃以下，进一步优选为80℃以上且200℃以下。通过使烧成温度为400℃以下，能够使用耐热性低的基板，故而优选。此外，通过使烧成温度为20℃以上，存在会充分进行烧结膜的形成、导电性变得良好的倾向，故而优选。需要说明的是，所得烧结膜包含源自金属成分的导电性成分，除此之外，可以根据油墨所使用的成分、烧成温度而包含非导电性成分。
其中，从通过调整金属成分的扩散、聚集来调整金属细线中的空隙量的观点出发，作为烧成时的能量，优选使用例如热、等离子体、电子射线、光源，优选使用闪光灯退火。此外，从同样的观点出发，烧成时间优选为100μsec～50msec，更优选为800μsec～10msec，进一步优选为1msec～2.4msec。需要说明的是，根据需要，可多次使用闪光灯退火来进行烧成。
此外，在上述观点的基础上，为了能够促进金属成分的熔接，获得具有更高导电性的导电性薄膜，更优选使用基于等离子体的烧成方法。从同样的观点出发，等离子体的输出功率优选为0.5kW以上，更优选为0.6kW以上，进一步优选为0.7kW以上。等离子体的输出功率的上限值没有特别限定，只要是所使用的透明基材、中间层没有损伤的范围即可。此外，烧成时间的下限值取决于等离子体输出功率，从生产率的观点出发，上限值优选为1000sec以下，更优选为600sec以下。需要说明的是，根据需要，也可以多次使用等离子体烧成来进行烧成。
〔保护层形成工序〕
本实施方式的导电性薄膜的制造方法中，可以在烧成工序之后，包括形成用于覆盖导电部的保护层的保护层形成工序。作为保护层形成工序的具体例，可列举出：通过将形成保护层的成分或它们的前体、它们溶解或分散于溶剂而得的保护层形成组合物涂布于导电部，实施干燥、加热或UV照射等而形成保护层的方法。作为涂布保护层的方法，只要是对导电部涂布层而不使导电部露出至气氛中的方法，就没有特别限定，可以使用例如旋涂、模涂、棒涂等。作为形成保护层的成分，可列举出〔保护层〕一项中例示出的成分。此外，保护层形成组合物可根据需要而包含分散剂、表面活性剂、粘结剂等。
〔第二实施方式的导电性薄膜〕
第二实施方式的导电性薄膜是具有透明基材、以及在透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部的导电性薄膜。前述金属细线图案由金属细线构成，在与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，将金属细线界面处的金属细线的宽度记作W0时，W0.90/W0为0.40以上且0.90以下。
此外，对于例如使用专利文献2所示那样的金属细线的导电性薄膜而言，出于提高耐候性、进一步赋予功能性的目的，可以在金属细线表面上设置保护层、功能性层等覆盖层。例如，出于抑制构成所露出的金属细线的金属原子经时性地被氧化而导致导电性降低的目的，可以在金属细线上形成保护层。然而，一般的金属细线的截面形状是大致正方形状或大致长方形状，若想要利用保护层来充分保护这种金属细线，则产生保护层的厚度变薄的部分，从未被保护层充分保护的金属细线的部位经时性地被氧化，存在导电性降低的课题。
因此，本实施方式涉及能够在金属细线表面上更均匀地形成保护层等覆盖层的导电性薄膜、导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究。其结果发现：在与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，将金属细线界面处的前述金属细线的宽度记作W0时，通过将W0.90/W0调整至特定范围内，能够解决上述课题，从而完成了本实施方式。
根据本实施方式，可提供能够在金属细线表面更均匀地形成保护层等覆盖层的导电性薄膜、导电性薄膜卷、电子纸、触摸面板和平板显示器。
金属细线图案是将包含金属成分的油墨转印在透明基材上而形成的，因此，金属细线的表面不一定是平坦面，其具有凹凸面。因此，难以规定金属细线的表面与侧壁面所成的角，作为表现该角的弧度的参数，限定了W0.90/W0。
将一般的导电性薄膜示于图8。对于图8所示那样的具有W0.90/W0超过0.90的金属细线14的导电性薄膜而言，若在金属细线14上形成覆盖层17，则如图8所示那样，在形成角的附近产生覆盖层的厚度较薄的部分。与此相对，若在图9所示那样的W0.90/W0为0.90以下的金属细线14A上形成覆盖层17，则即使在形成角的附近也会形成充分厚度的覆盖层17。因此，在图9的覆盖层17为保护层的情况下，不会产生保护层的厚度变薄的部分，抑制金属细线中的金属原子经时性地被氧化，由此能够抑制导电性的降低。
此外，通过使W0.90/W0为0.40以上，能够确保金属细线的截面积，因此，能够使导电性薄膜的导电性充分。
从同样的观点出发，W0.90/W0优选为0.55以上且0.85以下。
将距离透明基材侧的金属细线界面为0.50T的高度处的金属细线的宽度记作W0.50时，W0.50/W0优选为0.70以上且小于1.00、更优选为0.75以上且0.99以下、进一步优选为0.80以上且0.95以下。通过使W0.50/W0小于1.00，在0.50T的区域中难以产生覆盖层的厚度变薄的部分，在例如覆盖层为保护层的情况下，能够抑制金属细线中的金属原子的氧化，其结果能够进一步抑制经时性的导电性降低。另一方面，若W0.50/W0为0.70以上，则能够确保金属细线的截面积，因此，能够使导电性薄膜的导电性更充分。
此外，W0.90/W0.50优选为0.50以上且0.95以下、更优选为0.55以上且0.90以下、进一步优选为0.60以上且0.85以下。通过使W0.90/W0.50为0.95以下，在0.90T～0.50T的区域内存在能够更充分地增厚覆盖层的倾向，因此，在例如覆盖层为保护层的情况下，能够抑制金属细线中的金属原子的氧化，其结果能够进一步抑制经时性的导电性降低。通过使W0.90/W0.50为0.50以上，能够确保金属细线的截面积，因此，存在能够进一步提高导电性薄膜的导电性的倾向。
第二实施方式的导电性薄膜中，优选W0.50/W0大于W0.90/W0.50。由此，存在降低金属细线的截面中的边缘、附着于金属细线的覆盖层的膜厚均匀性进一步提高的倾向。
在距离透明基材侧的金属细线界面为0.90T的厚度处的高度位置，优选未形成角。由此，在距离金属细线界面为0.90T的厚度处的高度位置的区域中，存在能够进一步充分加厚覆盖层的倾向。
优选的是：从距离透明基材侧的金属细线界面为0.50T的厚度处的高度位置朝向0.90T的厚度处的高度位置，金属细线的宽度递减。由此，在0.90T～0.50T的区域中，存在能够进一步充分加厚覆盖层的倾向。
由于金属细线的表面不一定是平坦面，大多具有凹凸面，因此，与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面形状无法严格限定，可列举出大致梯形状、大致半圆状、大致半椭圆状等。此处提及的“大致梯形状”是指，相当于梯形的脚的部分可以是直线(边)也可以是曲线，相当于梯形的脚的部分为曲线时，是指可以向外侧凸起，也可以向内侧凸起。此外，对于“大致梯形状”而言，相当于上边的部分可以是直线(边)，也可以具有凹凸。
本说明书中，在与金属细线的延伸方向正交的前述金属细线的截面中，自金属细线界面起规定的高度处的金属细线的宽度可以由与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的电子显微镜照片来计算。以下，针对具体测定方法进行记载。需要说明的是，从防止金属细线截面的氧化、污染的观点出发，后述金属细线的截面的形成、SEM观察优选在氩气等非活性气氛下、真空中进行。
首先，对导电性薄膜进行切割，得到包含与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的测定样品。测定样品的制作方法只要是能够抑制由截面的形成/加工对金属细线截面造成的损伤(变形)的方法，就没有特别限定，可优选采用使用了离子束的加工法(例如BIB(Broad Ion Beam)加工法、FIB(Focused Ion Beam)加工法)、精密机械研磨、超薄切片机等。尤其是，从抑制对金属细线截面造成的损伤的观点出发，优选采用使用了氩气离子束的BIB加工法。本实施方式和实施例中使用BIB加工法。
以下，针对使用BIB加工法来形成金属细线的截面的方法进行说明。首先，在与金属细线的延伸方向正交的面切割导电性薄膜，得到露出想要观察的截面的试样。此时，试样的截面有可能因切割加工而承受略微的变形。因而，在BIB加工法中，用宽离子束对有可能承受该略微变形的截面进行切削，得到无变形的精细截面。具体而言，首先使遮蔽板密合于试样之中的未形成导电部一侧的透明基材的表面。此时，使遮蔽板以露出想要用宽离子束进行切削的部分且不露出其它部分的方式密合于试样。接着，从遮蔽板的上方照射宽离子束。由此，所露出的部分(有可能承受变形的截面)因宽离子束而被切削，得到具有未受到变形的截面的测定样品。需要说明的是，通过从透明基材面侧照射宽离子束，与从导电部侧照射宽离子束的情况相比，能够获得更精细的金属细线的截面。
或者，在与金属细线的延伸方向正交的面切割导电性薄膜时，可以直接用宽离子束进行切割。此时，使遮蔽板密合于导电性薄膜的未形成导电部一侧的透明基材面，并从遮蔽板的上方照射宽离子束。
利用SEM来观察如上操作而得到的测定样品，得到金属细线截面的SEM像。
根据金属细线截面的SEM像，算出自透明基材侧的金属细线界面起至金属细线表面为止的最大厚度T。此处提及的“最大厚度T”是指：从透明基材侧的金属细线界面起至金属细线表面为止的厚度之中的最大厚度。以该最大厚度T作为基准，算出规定厚度处的金属细线的宽度。
图1中，作为本实施方式的导电性薄膜的一个方式，示出金属细线图案为网格图案的导电性薄膜的俯视图。本实施方式的导电性薄膜10在透明基材11上具有包含金属细线图案12的导电部13。
在透明基材11上，除了形成导电部13之外，也可以根据导电性薄膜10的使用用途而形成有用于连接于控制器等的取出电极(未图示)。需要说明的是，透明基材11可以在单面或两面具有导电部13，也可以在一个面具有多个导电部13。导电部13包含以能够使其通电或有电(带电)的方式构成的金属细线图案12。将本实施方式的导电性薄膜10组装至电子设备时，导电部13作为电子纸、触摸面板和平板显示器等的画面部分的透明电极而发挥功能。
〔透明基材〕
透明基材的“透明”是指可见光透射率优选为80％以上，是指更优选为90％以上，是指进一步优选为95％以上。此处，可见光透射率可按照JIS K 7361-1:1997进行测定。
作为透明基材的材料，没有特别限定，可列举出例如玻璃等透明无机基材；丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、尼龙、芳香族聚酰胺、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺等透明有机基材。其中，通过使用聚对苯二甲酸乙二醇酯，用于制造导电性薄膜的生产率(成本削减效果)更优异。此外，通过使用聚酰亚胺，导电性薄膜的耐热性更优异。进而，通过使用聚对苯二甲酸乙二醇酯和/或聚萘二甲酸乙二醇酯，透明基材与金属细线的密合性更优异。
透明基材可以由1种材料形成，也可以层叠有2种以上的材料。此外，透明基材为层叠有2种以上材料的多层体时，透明基材可以是有机基材或无机基材彼此层叠而得的多层体，也可以是层叠有有机基材和无机基材的多层体。
透明基材的厚度优选为5μm以上且500μm以下，更优选为10μm以上且100μm以下。
〔中间层〕
本实施方式的导电性薄膜可以在透明基材与导电部之间具有中间层。该中间层可有助于提高透明基材与导电部的金属细线之间的密合性。
作为中间层所包含的成分，没有特别限定，可列举出例如硅化合物(例如(聚)硅烷类、(聚)硅氮烷类、(聚)硅硫烷类、(聚)硅氧烷类、硅、硅碳化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氯化物、硅酸盐、沸石、硅化物等)、铝化合物(例如铝氧化物等)、镁化合物(例如镁氟化物)等。其中，优选为从由硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物和镁氟化物组成的组中选择的至少1种。通过使用这种成分，存在导电性薄膜的透明性和耐久性进一步提高的倾向，用于制造导电性薄膜的生产率(成本削减效果)更优异。中间层可通过PVD、CVD等气相成膜法；涂布在分散介质中分散有上述中间层所包含的成分的中间体形成组合物并干燥的方法来进行成膜。中间体形成组合物可根据需要而含有分散剂、表面活性剂、粘结剂等。
中间层的厚度优选为0.01μm以上且500μm以下，更优选为0.05μm以上且300μm以下，进一步优选为0.10μm以上且200μm以下。通过使中间层的厚度为0.01μm以上，从而表现出中间层与金属细线的密合性，如果中间层的厚度为500μm以下，则能够确保透明基材的挠性。
通过将中间层层叠在透明基材上，在利用等离子体等烧成手段使油墨中的金属成分发生烧结时，能够防止因等离子体等而使未被金属细线图案部覆盖的部位的透明基材发生蚀刻。
进而，为了防止由静电导致的金属细线图案的断线，该中间层优选具备抗静电功能。为了使中间层具有抗静电功能，中间层优选包含导电性无机氧化物和导电性有机化合物中的至少任意者。作为导电性有机化合物，可列举出例如导电性的有机硅烷化合物、脂肪族共轭系的聚乙炔、芳香族共轭系的聚(对苯撑)、杂环式共轭系的聚吡咯等。这些之中，优选为导电性的有机硅烷化合物。
中间层的体积电阻率优选为100Ωcm以上且100000Ωcm以下、更优选为1000Ωcm以上且10000Ωcm以下、进一步优选为2000Ωcm以上且8000Ωcm以下。通过使中间层的体积电阻率为100000Ωcm以下，能够表现出抗静电功能。此外，通过使中间层的体积电阻率为100Ωcm以上，能够适合地用于金属细线图案间的导电并不优选的触摸面板等用途。体积电阻率可通过中间层内的导电性无机氧化物、导电性有机化合物等发挥出抗静电功能的成分的含量来调整。例如，中间层包含耐等离子体性高的硅氧化物(体积电阻率为1014Ω·cm以上)和作为导电性有机化合物的有机硅烷化合物时，通过增加导电性的有机硅烷化合物的含量而能够降低体积电阻率。另一方面，通过增加硅氧化物的含量，体积电阻率会增加，但因具有高的耐等离子体性而能够制成薄膜，不会损害光学特性。
〔保护层〕
此外，本实施方式的导电性薄膜可以设置有覆盖导电部的保护层。保护层可以仅覆盖构成导电部的金属细线，也可以覆盖金属细线与透明基材(或中间层)的表面。
作为保护层的材料，只要具有透光性且能够表现出与金属细线、透明基材(或中间层)密合的良好密合性，就没有特别限定，可以使用例如酚醛树脂、热固化型环氧树脂、热固化性聚酰亚胺、三聚氰胺树脂、脲树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、有机硅树脂等热固化性树脂；氨基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸类树脂丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、有机硅丙烯酸酯、UV固化型环氧树脂等UV固化性树脂；市售的涂布剂等。
保护层的厚度优选为0.01μm以上且1.00μm以下，更优选为0.03μm以上且0.80μm以下，进一步优选为0.05μm以上且0.50μm以下。通过使保护层的厚度为0.01μm以上，能够充分防止被保护层保护的金属细线的氧化，通过使保护层的厚度为1.00μm以下，能够提高导电性薄膜的透明性。
〔导电部〕
第二实施方式中的导电部是配置在透明基材上且由金属细线构成的金属细线图案。金属细线图案可以是规则的图案，也可以是不规则的图案。金属细线没有特别限定，优选具有例如包含从由金、银、铜或铝组成的组中选择的至少1种以上金属元素的导电性成分。尤其是，从成本和导电性的观点出发，导电性成分优选以银或铜作为主成分，进一步从成本的观点出发，更优选铜为主成分。本实施方式中，“主成分”是指占据50质量％以上的成分。
通过使用这种材料，存在导电性薄膜的导电性进一步提高的倾向，用于制造导电性薄膜的生产率(成本削减效果)优异。
进而，金属细线可以在包含导电性成分的基础上，还包含非导电性成分。作为非导电性成分，没有特别限定，可列举出例如金属氧化物、金属化合物和有机化合物。需要说明的是，作为非导电性成分，可列举出以后述油墨所包含的成分为来源的成分，且该成分是油墨所包含的成分之中历经烧成后残留于金属细线中的金属氧化物、金属化合物和有机化合物。导电性成分的含有比例优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上，进一步优选为70质量％以上。导电性成分的含有比例的上限没有特别限定，为100质量％。此外，非导电性成分的含有比例优选为50质量％以下，更优选为40质量％以下、进一步优选为30质量％以下。非导电性成分的含有比例的下限没有特别限定，为0质量％。
(金属细线图案)
金属细线图案可根据作为目标的电子设备的用途来设计，没有特别限定，可列举出例如多个金属细线交叉成网格状而形成的网格图案(图1和2)、形成有多个大致平行的金属细线的线图案(图3和4)。此外，金属细线图案可以为网格图案与线图案组合而成的图案。网格图案的网格可以是图1所示那样的正方形或长方形，也可以是图2所示那样的菱形等多边形。此外，构成线图案的金属细线可以是图3所示那样的直线，也可以是图4所示那样的曲线。进而，对于构成网格图案的金属细线而言，也可以将金属细线制成曲线。
关于第二实施方式的金属细线界面处的金属细线的宽度W0，若以图9为例，则在具有大致梯形的截面的金属细线14A中，与透明基材11接触的金属细线14A的面的宽度成为线宽W0。金属细线图案的线宽W0和最大厚度T、0.50T、0.90T分别如图9所示那样地定义。节距P是线宽W0与金属细线间的距离之和。
第二实施方式的金属细线界面处的金属细线的宽度W0例如为0.1μm以上且5.0μm以下，优选为0.2μm以上4.0μm以下，更优选为0.3μm以上且3.0μm以下，进一步优选为0.4μm以上且2.5μm以下。如果金属细线的线宽为0.1μm以上，则能够充分确保金属细线的导电性。进而，将开口率设为相同的情况下，金属细线的线宽越细，则越能够增加金属细线的根数。由此，导电性薄膜的电场分布变得更均匀，能够制作分辨率更高的电子设备。此外，即便一部分金属细线发生断线，其它金属细线也能够弥补由此导致的影响。另一方面，如果金属细线的线宽为5.0μm以下，则存在金属细线的可视性进一步降低、导电性薄膜的透明性进一步提高的倾向。
金属细线的最大厚度T优选为10nm以上且1,000nm以下。最大厚度T的下限更优选为50nm以上，进一步优选为75nm以上。通过使金属细线的最大厚度T为10nm以上，存在导电性进一步提高的倾向。另一方面，通过使金属细线的厚度T为1,000nm以下，能够在宽视角下表现出高透明性。
(纵横比)
用金属细线的最大厚度T相对于金属细线的宽度W0表示的纵横比优选为0.05以上且1.00以下。纵横比的下限更优选为0.08以上、进一步优选为0.10以上。通过使纵横比为0.05以上，存在能够进一步提高导电性而不降低透射率的倾向。
(节距)
金属细线图案的节距P优选为5μm以上，更优选为50μm以上，进一步优选为100μm以上。通过使金属细线图案的节距P为5μm以上，能够获得良好的透射率。此外，金属细线图案的节距P优选为1,000μm以下，更优选为500μm以下，进一步优选为250μm以下。通过使金属细线图案的节距P为1,000μm以下，存在能够进一步提高导电性的倾向。需要说明的是，金属细线图案的形状为网格图案时，通过使线宽1μm的金属细线图案的节距为200μm，能够使开口率为99％。
需要说明的是，金属细线图案的线宽、纵横比和节距可通过利用电子显微镜等观察导电性薄膜截面来确认。此外，金属细线图案的线宽和节距也可利用激光显微镜、光学显微镜进行观察。此外，节距与开口率具有后述关系式，因此，如果获知一者则能够算出另一者。此外，作为将金属细线图案的线宽、纵横比和节距调整至期望范围的方法，可列举出：调整在后述导电性薄膜的制造方法中使用的版的槽的方法、调整油墨中的金属颗粒的平均粒径的方法等。
(开口率)
金属细线图案的开口率优选为60％以上，更优选为70％以上，进一步优选为80％以上，特别优选为90％以上。通过使金属细线图案的开口率为上述特定值以上，存在导电性薄膜的透射性(transparency)进一步提高的倾向。此外，金属细线图案的开口率优选小于100％，更优选为95％以下，进一步优选为90％以下，更进一步优选为80％以下，再进一步优选为70％以下，特别优选为60％以下。通过使金属细线图案的开口率为上述特定值以下，存在导电性薄膜的导电性进一步提高的倾向。金属细线图案的开口率的合适值还因金属细线图案的形状而异。此外，金属细线图案的开口率可根据作为目标的电子设备的要求性能(透射率和薄层电阻)来适当组合上述上限值和下限值。
需要说明的是，“金属细线图案的开口率”可针对透明基材上的形成有金属细线图案的区域，利用下式来计算。透明基材上的形成有金属细线图案的区域是指图1的用S表示的范围，不包括未形成金属细线图案的边缘部等。
金属细线图案的开口率
＝(1-金属细线图案所占的面积/透明基材的面积)×100
此外，开口率与节距的关系式因金属细线图案的形状而异，可如下那样地计算。图6示出具有图案单元16的网格图案(方格(格子)图案)的示意图。在该网格图案的情况下，开口率与节距具有下述关系式。
开口率＝{开口部15的面积/图案单元16的面积}×100
＝{((节距P1-线宽W1)×(节距P2-线宽W2))/(节距P1×节距P2)}×100
此外，图7示出线图案的示意图。在该线图案的情况下，开口率与节距具有下述关系式。
开口率＝{(节距P-线宽W)/节距P}×100
(薄层电阻)
导电性薄膜的薄层电阻优选为0.1Ω/sq以上且1,000Ω/sq以下，更优选为0.1Ω/sq以上且500Ω/sq以下，进一步优选为0.1Ω/sq以上且300Ω/sq以下，更进一步优选为0.1Ω/sq以上且200Ω/sq以下，再进一步优选为0.1Ω/sq以上且100Ω/sq以下，再进一步优选为0.1Ω/sq以上且20Ω/sq以下，再进一步优选为0.1Ω/sq以上且10Ω/sq以下。导电性薄膜的薄层电阻可通过以下的方法来测定。
首先，从导电性薄膜中将正面配置有金属细线图案的部分切成矩形状，得到测定样品。在所得测定样品的两端部形成与金属细线图案电连接的薄层电阻测定用集电部，测定设置于两端部的集电部之间的电阻R(Ω)。可使用上述电阻R(Ω)以及与测定样品的集电部之间的距离相当的宽度方向的长度L(mm)、纵深方向的长度D(mm)，并通过下式来算出薄层电阻Rs(Ω/sq)。
Rs＝R/L×D
存在薄层电阻越低则电力损耗越受到抑制的倾向。因此，能够获得耗电量少的电子纸、触摸面板和平板显示器。
导电性薄膜的薄层电阻存在通过使金属细线的纵横比(高度)提高而降低的倾向。此外，也可以通过构成金属细线的金属材料种类的选择来调整。
(可见光透射率)
导电性薄膜的可见光透射率优选为80％以上且100％以下，更优选为90％以上且100％以下。此处，可见光透射率可通过根据JIS K 7361-1:1997的总透光率算出该可见光(360～830nm)的范围的透射率来进行测定。
存在通过减小金属细线图案的线宽或者提高开口率而使导电性薄膜的可见光透射率提高的倾向。
(雾度)
导电性薄膜的雾度优选为0.01％以上且5.00％以下。雾度的上限更优选为3.00％以下、进一步优选为1.00％以下。如果雾度的上限为5.00％以下，则能够充分降低导电性薄膜对于可见光的发雾。本说明书中的雾度可根据JIS K 7136:2000的雾度来进行测定。
〔第二实施方式的导电性薄膜的制造方法〕
第二实施方式的导电性薄膜的制造方法没有特别限定，可列举出例如具有如下工序的方法：使用包含金属成分的油墨在透明基材上形成图案的图案形成工序；以及对该图案进行烧成而形成金属细线的烧成工序。此外，第二实施方式的导电性薄膜的制造方法中，在图案形成工序之前，可以包括在透明基材的表面形成中间层的中间层形成工序。
〔中间层形成工序〕
作为中间层形成工序的具体例，可列举出：通过使用PVD、CVD等气相制膜法，使形成中间层的成分在透明基材的表面成膜而形成中间层的方法。作为中间层形成工序的其它具体例，可列举出：通过将使形成中间层的成分分散至分散介质而成的中间体形成组合物涂布于透明基材的表面并使其干燥而形成中间层的方法。作为形成中间层的成分，可列举出在〔中间层〕一项中例示出的成分。此外，中间层形成组合物也可以根据需要而包含分散剂、表面活性剂、粘结剂等。
〔图案形成工序〕
图案形成工序是使用包含金属成分的油墨来形成图案的工序。图案形成工序只要是使用具有期望的金属细线图案的槽的版的有版印刷方法，就没有特别限定，可以具有如下工序：例如在转印介质表面涂布油墨的工序；使涂布有油墨的转印介质表面与凸版的凸部表面相对，并进行按压、接触而使转印介质表面上的油墨转移至凸版的凸部表面的工序；以及，使涂布有油墨的转印介质表面与透明基材的表面相对，进行按压、接触而将残留于转印介质表面的油墨转印至透明基材的表面的工序。需要说明的是，在透明基材形成有中间层的情况下，油墨被转印至中间层表面。
(油墨)
上述图案形成工序所使用的油墨包含金属成分和溶剂，也可根据需要而包含表面活性剂、分散剂、还原剂等。金属成分可以以金属颗粒的形式包含于油墨中，也可以以金属络合物的形式包含于油墨中。需要说明的是，作为此处提及的金属成分所包含的金属元素种类，没有特别限定，可列举出例如金、银、铜、铝。这些之中，优选为银或铜，更优选为铜。
金属颗粒的平均一次粒径优选为100nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为30nm以下。此外，金属颗粒的平均一次粒径的下限没有特别限定，可列举出1nm以上。通过使金属颗粒的平均一次粒径为100nm以下，能够进一步缩细所得金属细线的宽度W0。需要说明的是，本实施方式中，“平均一次粒径”是指1个个金属颗粒(所谓一次颗粒)的粒径，与多个金属颗粒聚集而形成的聚集体(所谓二次颗粒)的粒径、即平均二次粒径有所区分。
作为金属颗粒，可以是铜氧化物等金属氧化物、金属化合物、芯部为铜且壳部为铜氧化物那样的核/壳颗粒的方式。可从分散性、烧结性的观点出发适当决定金属颗粒的方式。
在油墨中，金属颗粒的含量相对于油墨组合物的总质量优选为1质量％以上且40质量％以下，更优选为5质量％以上且35质量％以下，进一步优选为10质量％以上且35质量％以下。如果油墨中的金属颗粒的含量相对于油墨组合物的总质量为1质量％以上，则能够获得具有导电性的金属细线图案，如果为40质量％以下，则能够将油墨印刷成金属细线图案状。
作为表面活性剂，没有特别限定，可列举出例如有机硅系表面活性剂、氟系表面活性剂等。通过使用这种表面活性剂，存在油墨对转印介质(橡皮布)的涂布性、所涂布的油墨的平滑性提高、能够获得更均匀的涂膜的倾向。需要说明的是，表面活性剂优选以能够分散金属成分且烧成时不易残留的方式构成。
在油墨中，表面活性剂的含量相对于油墨组合物的总质量优选为0.01质量％以上且10质量％以下，更优选为0.1质量％以上且20质量％以下，进一步优选为2质量％以上且10质量％以下。如果油墨中的表面活性剂的含量相对于油墨组合物的总质量为0.01质量％以上，则能够提高油墨的涂布性、所涂布的油墨的平滑性，如果为10质量％以下，则能够获得电阻低的金属细线图案。
此外，作为分散剂，没有特别限定，可列举出例如与金属成分表面进行非共价键合或发生相互作用的分散剂、与金属成分表面进行共价键合的分散剂。可列举出具有磷酸基作为进行非共价键合或发生相互作用的官能团的分散剂。通过使用这种分散剂，存在金属成分的分散性进一步提高的倾向。
在油墨中，分散剂的含量相对于油墨组合物的总质量优选为0.1质量％以上且30质量％以下，更优选为1质量％以上且20质量％以下，进一步优选为2质量％以上且10质量％以下。如果油墨中的分散剂的含量相对于油墨组合物的总质量为0.1质量％以上，则能够获得分散有金属颗粒的油墨，如果为30质量％以下，则能够获得电阻低的金属细线图案。
进而，作为溶剂，可列举出一元醇和多元醇等醇系溶剂；烷基醚系溶剂；烃系溶剂；酮系溶剂；酯系溶剂等。它们可以单独使用，也可以组合使用1种以上。可列举出例如碳原子数10以下的一元醇与碳原子数10以下的多元醇的组合使用等。通过使用这种溶剂，存在油墨对转印介质(橡皮布)的涂布性、油墨从转印介质向凸版的转移性、油墨从转印介质向透明基材的转印性和金属成分的分散性进一步提高的倾向。需要说明的是，溶剂优选以能够分散金属成分且烧成时不易残留的方式构成。
在油墨中，溶剂的含量是上述金属颗粒、表面活性剂、分散剂等成分的余量，例如，相对于油墨组合物的总质量，优选为50质量％以上且99质量％以下，更优选为60质量％以上且90质量％以下，进一步优选为70质量％以上且80质量％以下。如果油墨中的溶剂含量相对于油墨组合物的总质量为50质量％以上，则能够将油墨印刷成金属细线图案状，如果是99质量％以下，则能够获得具有导电性的金属细线图案。
为了使金属细线图案中的W0.90/W0、W0.50/W0、W0.90/W0.50分别在期望范围内，可列举出：以成为实现期望范围的形状的方式使用粘度调节剂等来调整油墨粘度，和/或，在图案形成工序中，控制将转印介质表面上的油墨转印于凸版时的工艺时间的方法。
〔烧成工序〕
烧成工序中，将例如向透明基材或中间层的表面转印的油墨中的金属成分进行烧结。烧成只要是金属成分发生熔接而能够形成金属成分烧结膜的方法，就没有特别限定。烧成可以在例如烧成炉中进行，也可以使用等离子体、加热催化剂、紫外线、真空紫外线、电子射线、红外线灯退火、闪光灯退火、激光等来进行。所得烧结膜容易氧化时，优选在非氧化性气氛中进行烧成。此外，在仅利用油墨可包含的还原剂时金属氧化物等难以被还原的情况下，优选在还原性气氛中进行烧成。
非氧化性气氛是指不含氧气等氧化性气体的气氛，有非活性气氛和还原性气氛。非活性气氛是指例如被氩气、氦气、氖气、氮气等非活性气体充满的气氛。此外，还原性气氛是指存在氢气、一氧化碳等还原性气体的气氛。可以将这些气体填充至烧成炉中，以密闭体系的形式对油墨的涂布膜(分散体涂布膜)进行烧成。此外，也可以将烧成炉制成流通体系，一边流通这些气体一边对分散体涂布膜进行烧成。将分散体涂布膜在非氧化性气氛中进行烧成时，优选将烧成炉中暂时抽真空而去除烧成炉中的氧气，并利用非氧化性气体进行置换。此外，烧成可以在加压气氛中进行，也可以在减压气氛中进行。
烧成温度没有特别限定，优选为20℃以上且400℃以下，更优选为50℃以上且300℃以下，进一步优选为80℃以上且200℃以下。通过使烧成温度为400℃以下，能够使用耐热性低的基板，故而优选。此外，通过使烧成温度为20℃以上，存在会充分进行烧结膜的形成、导电性变得良好的倾向，故而优选。需要说明的是，所得烧结膜包含源自金属成分的导电性成分，除此之外，可以根据油墨所使用的成分、烧成温度而包含非导电性成分。
其中，从通过调整金属成分的扩散、聚集来调整金属细线中的空隙量的观点出发，作为烧成时的能量，优选使用例如热、等离子体、电子射线、光源，优选使用闪光灯退火。此外，从同样的观点出发，烧成时间优选为100μsec～50msec，更优选为800μsec～10msec，进一步优选为1msec～2.4msec。需要说明的是，根据需要，可多次使用闪光灯退火来进行烧成。
此外，在上述观点的基础上，为了能够促进金属成分的熔接，获得具有更高导电性的导电性薄膜，更优选使用基于等离子体的烧成方法。从同样的观点出发，等离子体的输出功率优选为0.5kW以上，更优选为0.6kW以上，进一步优选为0.7kW以上。等离子体的输出功率的上限值没有特别限定，只要是所使用的透明基材、中间层没有损伤的范围即可。此外，烧成时间的下限值取决于等离子体输出功率，从生产率的观点出发，上限值优选为1000sec以下，更优选为600sec以下。需要说明的是，根据需要，也可以多次使用等离子体烧成来进行烧成。
〔保护层形成工序〕
本实施方式的导电性薄膜的制造方法中，可以在烧成工序之后，包括形成用于覆盖导电部的保护层的保护层形成工序。作为保护层形成工序的具体例，可列举出：通过将形成保护层的成分或它们的前体、它们溶解或分散于溶剂而得的保护层形成组合物涂布于导电部，实施干燥、加热或UV照射等而形成保护层的方法。作为涂布保护层的方法，只要是对导电部涂布层而不使导电部露出至气氛中的方法，就没有特别限定，可以使用例如旋涂、模涂、棒涂等。作为形成保护层的成分，可列举出〔保护层〕一项中例示出的成分。此外，保护层形成组合物可根据需要而包含分散剂、表面活性剂、粘结剂等。
〔导电性薄膜卷〕
本实施方式的导电性薄膜卷是将上述导电性薄膜卷绕而成的。导电性薄膜卷可以在中心部具有用于卷绕导电性薄膜的卷芯。本实施方式的导电性薄膜卷可根据期望用途(例如电子纸、触摸面板、平板显示器等)而切割成适当尺寸并使用。
〔电子纸〕
本实施方式的电子纸只要具备上述导电性薄膜，就没有特别限定。图10示出表示具备本实施方式的导电性薄膜(网格图案)的电子纸的一个方式的俯视图，图11示出本实施方式的电子纸的V-V'的部分截面图，图12示出表示具备与图10具有相同开口率且金属细线的线宽较宽的现有导电性薄膜的电子纸的一个方式的俯视图。
如图10所示那样，电子纸20以在杯21上配置金属细线图案12且能够对杯21施加电场的方式来构成。具体而言，如图11所示那样，在电子纸20的杯21中容纳有带电的黑色颜料22和带电的白色颜料23，通过底部电极(bottom electrode)24与导电性薄膜10之间的电场来控制带电黑色颜料22与带电白色颜料23的行动。
此时，如图10与图12的对比所示那样，即使开口率相同，金属细线图案较细时，在杯21的正上方横穿的金属细线14也变多，能够利用杯21均匀地施加电场。因此，具备本实施方式的导电性薄膜10的电子纸20能够提供更高分辨率的图像。需要说明的是，本实施方式的电子纸20的构成不限定于上述。
〔触摸面板〕
本实施方式的触摸面板只要具备上述导电性薄膜，就没有特别限定。图13示出表示具备本实施方式的导电性薄膜(线图案)的触摸面板的一个方式的立体图。在静电容量方式的触摸面板30中，在绝缘体31的表面和背面存在两片导电性薄膜10，两片导电性薄膜10以线图案交叉的方式对置。此外，导电性薄膜10可以具有取出电极32。取出电极32将金属细线14与用于对金属细线14进行通电切换的控制器33(CPU等)加以连接。
此外，图14示出表示具备本实施方式的导电性薄膜(线图案)的触摸面板的另一方式的立体图。该触摸面板30在本实施方式的导电性薄膜10的两面具备金属细线图案12，用以代替在绝缘体31的表面和背面具备两片导电性薄膜10。由此，在绝缘体31(透明基材11)的表面和背面具备两个金属细线图案12。
需要说明的是，本实施方式的触摸面板不限定于静电容量方式，可以制成电阻膜方式、投影型静电容量方式和表面型静电容量方式等。
〔平板显示器〕
本实施方式的平板显示器只要具备上述导电性薄膜，就没有特别限定。
实施例
以下，示出实施例和比较例来具体说明本发明的实施方式，但本发明完全不限定于以下的实施例和比较例。
《透明基材》
[透明基材A1的制备]
将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)用作透明基材，在PET上涂布包含硅氧化物纳米颗粒和导电性的有机硅烷化合物的中间层形成用组合物，进行干燥，制膜出具有抗静电功能且厚度150nm、体积电阻率5000Ωcm的含有硅氧化物的膜作为中间层，从而得到透明基材A1。
[透明基材A2的制备]
使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)代替PET来作为透明基材，除此之外，通过与透明基材A1的制备方法相同的方法，得到透明基材A2。
《油墨》
[油墨A1]
将铜氧化物纳米颗粒(CIK NANOTEC公司制氧化铜微粒)20质量份、分散剂(BYKCHEMIE公司制、制品名：Disperbyk-145)4质量份、表面活性剂(SEIMI CHEMICAL公司制、制品名：S-611)1质量份和有机溶剂(正丁醇和2-丙二醇)75质量份混合，制备分散有铜氧化物纳米颗粒的油墨A1。
[油墨A2]
向DIC公司制的银纳米油墨(RAGT-29)100质量份中添加乙醇50质量份，制备油墨A2。
<实施例A1>
《导电性薄膜的制备》
首先，在转印介质表面涂布油墨，接着，使涂布有油墨的转印介质表面与具有金属细线图案的槽的版对置，进行按压、接触，使转印介质表面上的一部分油墨转移至版的凸部表面。其后，使涂布有除转移的油墨之外的油墨的转印介质表面与透明基材对置，进行按压使其接触，使期望的金属细线图案状的油墨转印在透明基材上。接着，使用Nova Centrix公司制的Pulseforge1300，利用以下的条件并通过闪光灯退火对油墨的图案实施烧成，得到具有线宽1μm的网格图案的金属细线的导电性薄膜。所得导电性薄膜中的金属细线的可视性低，目视下确认不到金属细线。将所得导电性薄膜的各种特性示于表1。
·光源：氙闪光灯
·照射波长：200～1,500nm
·照射能量：30J/cm2
·照射时间：1,500μsec
·环境：室温环境下
《导电性薄膜的评价》
[薄层电阻]
通过以下方法来测定所得导电性薄膜的薄层电阻Rs0(Ω/sq)。首先，从导电性薄膜的整面配置有金属细线图案的部分中切出100mm见方的测定样品。接着，使用丝网印刷装置，在所得测定样品的表面的宽度方向的两端部涂布银糊剂，进行干燥，如图15所示那样地形成宽度10mm×纵深100mm的长条集电部。接着，通过使欧姆表的测定端子接触的两端子法来测定样品两端部的集电部之间的电阻R(Ω)。使用下述式，由所得电阻算出薄层电阻Rs0(Ω/sq)。将结果示于下述表1。需要说明的是，表面具有保护层的导电薄膜的薄层电阻通过制作金属细线图案之中的集电部露出且其它金属细线图案被保护层覆盖的导电性薄膜，并进行测定。具体而言，在利用上述方法而形成的集电部进行掩蔽，形成保护层，最后去除掩蔽，由此制作仅漏出集电部的导电性薄膜。
Rs0＝R/L×D
L：80(mm)：集电部之间的距离
D：100(mm)：测定样品的纵深
[可见光透射率和雾度]
按照JIS K 7361-1:1997的总透光率，算出具有360～830nm波长的可见光的透射率，由此测定导电性薄膜的可见光透射率。此外，按照JIS K 7136:2000来测定导电性薄膜的雾度。将结果示于下述表1。
[金属细线截面的SEM观察]
从所得导电性薄膜中切出数mm见方的小片，使用日本电子公司制的SM-09010CP，在加速电压为4kV的条件下，通过上述方法并利用氩气离子束来实施BIB加工，制作包含与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的测定样品。接着，对金属细线的截面表面进行用于赋予导电性的Os等离子体涂布处理。
接着，使用日立High-Technologies公司制的扫描电子显微镜(SU8220)，利用以下的条件，得到金属细线的截面的SEM像。
·加速电压：1kV
·发射电流：10μA
·测定倍率：50,000倍
·检测器：Upper检测器
·工作距离：约3mm
使用所得金属细线的截面的SEM像，测定金属细线的厚度T。
使用ImageJ来进行金属细线的截面的SEM像的图像分析。具体而言，针对SEM像(8bit)，仅提取金属细线的截面，利用中值滤波器处理来去除图像所包含的微细噪音。接着，针对所提取的金属细线的截面，实施二值化处理，分别算出SM、SVtotal、SV0.2和SV0.8，并算出SVtotal/SM、SV0.2/SVtotal和SV0.8/SVtotal。将结果示于以下表1。此外，将实施例A1的与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的电子显微镜照片示于图16。
[挠性]
为了评价所得导电性薄膜的挠性，进行反复弯曲性试验，测定其前后的薄层电阻变化率(％)。在缺乏挠性的情况下，因金属细线断线等而导致薄层电阻变化率变大，在挠性优异的情况下，薄层电阻变化率变小。
首先，通过与上述相同的方法，测定反复弯曲性试验前的导电性薄膜的薄层电阻Rs0(Ω/sq)。接着，针对导电性薄膜，作为弯曲性试验机而使用井本制作所制的薄膜弯曲试验机(IMC-1304)，按照JISC 5016:1994，在以下的条件下进行反复弯曲性试验。
·弯曲半径：5mm
·试验冲程：20mm
·弯曲速度：90rpm
·弯曲次数：10,000次
最后，测定反复弯曲性试验后的导电性薄膜的薄层电阻Rs1(Ω/sq)，利用下式来算出薄层电阻变化率。
(薄层电阻变化率)＝Rs1/Rs0×100
将结果示于下述表1。
<实施例A2～A12和比较例A1～A4、以及参考例A1～A2>
如表1所示那样，分别变更透明基材、油墨、线宽和烧成条件等，除此之外，通过与实施例A1相同的操作来制作导电性薄膜，并进行评价。将结果示于下述表1。需要说明的是，除了参考例之外，所得导电性薄膜中的金属细线的可视性低，目视下确认不到金属细线。
[表1]
Figure BDA0002923043030000461
由实施例A1～A12、比较例A1～A4和参考例A1～A2可知：在金属细线的线宽为5μm以下的区域内，通过将金属细线截面积中的总空隙截面积之比调整至特定范围，可获得同时兼具高透明性(即，由小线宽实现的低可视性)、高导电性(即，低薄层电阻)和挠性的导电性薄膜。
[透明基材B1的制备]
将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)用作透明基材，通过溅射法在其上成膜出含有硅氧化物且厚度50nm的中间层，由此得到透明基材B1。需要说明的是，透明基材B1是在作为透明基材的PET上层叠有中间层的形态。
[透明基材B2的制备]
将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)用作透明基材，在PET上涂布包含硅氧化物纳米颗粒和导电性的有机硅烷化合物的中间层形成用组合物，进行干燥，制膜出具有抗静电功能且厚度150nm、体积电阻率5000Ωcm的含有硅氧化物的膜作为中间层，从而得到透明基材B2。
[油墨B1]
将铜氧化物纳米颗粒(CIK NANOTEC公司制氧化铜微粒)20质量份、分散剂(BYKCHEMIE公司制、制品名：Disperbyk-145)4质量份、表面活性剂(SEIMI CHEMICAL公司制、制品名：S-611)1质量份和有机溶剂(正丁醇和2-丙二醇)75质量份混合，制备分散有铜氧化物纳米颗粒的油墨B1。
[实施例B1～B10和比较例B1～B4]
首先，在转印介质表面涂布油墨，接着，使涂布有油墨的转印介质表面与具有金属细线图案的槽的版对置，进行按压、接触，使转印介质表面上的一部分油墨转移至版的凸部表面。其后，使涂布有残留的油墨的转印介质表面与表2所示的透明基材对置，进行按压使其接触，使期望的金属细线图案状的油墨转印在透明基材上。在该形成工序中，通过变更将油墨转印至凸版时的工艺时间来控制各实施例和比较例的W0.90/W0、W0.50/W0的值。工艺时间越长，则W0.90/W0、W0.50/W0变得越小。接着，使用Nova Centrix公司制的Pulseforge1300，在室温环境下通过闪光灯退火对金属细线图案状的油墨进行烧成，得到具有表2所示线宽的网格图案的金属细线的导电性薄膜。所得导电性薄膜均是金属细线的可视性低，目视下确认不到金属细线。将所得导电性薄膜的各种特性示于表2。
以下示出导电性薄膜的各种特性的评价方法。
[薄层电阻]
通过以下方法来测定所得导电性薄膜的薄层电阻Rs0(Ω/sq)。首先，从导电性薄膜的形成有金属细线图案的区域中切出宽度方向100mm×纵深方向100mm这一大小的矩形的测定样品。接着，使用丝网印刷装置，在该测定样品的表面的宽度方向的两端部涂布银糊剂并进行干燥，如图15所示那样，形成宽度方向10mm×纵深方向100mm的集电部。接着，利用使其与欧姆表的测定端子接触的两端子法来测定所形成的集电部之间的电阻R(Ω)。接着，使用去除测定样品的集电部且配置有金属细线图案的区域的宽度方向的长度(相当于集电部之间的距离)L：80(mm)、纵深方向的长度D：100(mm)，利用下述式来计算薄层电阻Rs0(Ω/sq)。
Rs0＝R/L×D
需要说明的是，表面具有保护层的导电薄膜的薄层电阻通过制作金属细线图案之中的集电部露出且其它金属细线图案被保护层覆盖的导电性薄膜，并进行测定。具体而言，在利用上述方法而形成的集电部进行掩蔽，形成保护层，最后去除掩蔽，由此制作仅漏出集电部的导电性薄膜。
[可见光透射率和雾度]
按照JIS K 7361-1:1997的总透光率，算出具有360～830nm波长的可见光的透射率，由此测定导电性薄膜的可见光透射率。此外，按照JIS K 7136:2000来测定导电性薄膜的雾度。。
[金属细线截面的SEM观察]
从所得导电性薄膜中切出数mm见方的小片，使用日本电子公司制的SM-09010CP，在加速电压为4kV的条件下，通过上述方法并利用氩气离子束来实施BIB加工，制作包含与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的测定样品。接着，对金属细线的截面表面进行用于赋予导电性的Os等离子体涂布处理。
接着，使用日立High-Technologies公司制的扫描电子显微镜(SU8220)，利用以下的条件，得到金属细线的截面的SEM像。
·加速电压：1kV
·发射电流：10μA
·测定倍率：50,000倍
·检测器：Upper检测器
·工作距离：约3mm
图17示出实施例B1的金属细线的截面SEM像。图18示出实施例B7的金属细线的截面SEM像。首先，由所得金属细线的截面的SEM像算出自透明基材侧的金属细线界面起至金属细线表面为止的最大厚度T。接着，算出金属细线界面处的金属细线的宽度W0、距离透明基材侧的金属细线界面为0.50T、0.90T的高度处的金属细线的宽度W0.50、W0.90。使用它们，分别计算W0.90/W0、W0.50/W0、W0.90/W0.50。
[保护层的形成]
在实施例B1～B10和比较例B1～B4各自的导电性薄膜的金属细线上，使用热固化型环氧树脂并利用相同的形成条件来形成保护层。接着，在25℃、50％RH的环境下进行7天的保存试验，其后测定保存试验后的导电性薄膜的薄层电阻Rs1，通过下式来算出相对于保存试验前的薄层电阻Rs0的薄层电阻变化率(％)。
(薄层电阻变化率)＝Rs1/Rs0×100
[表2]
Figure BDA0002923043030000501
由实施例B1～B5和比较例B1～B2、以及实施例B6～B10和比较例B3～B4可知：通过将W0.90/W0调整至特定范围内，可获得能够在金属细线表面更均匀地形成保护层等覆盖层的导电性薄膜。
[透明基材C1的制备]
将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)用作透明基材，在PET上涂布包含硅氧化物纳米颗粒和导电性的有机硅烷化合物的中间层形成用组合物，进行干燥，制膜出具有抗静电功能且厚度150nm、体积电阻率5000Ωcm的含有硅氧化物的膜作为中间层，从而得到透明基材C1。
[油墨C1]
将粒径21nm的氧化亚铜纳米颗粒20质量份、分散剂(BYK CHEMIE公司制、制品名：Disperbyk-145)4质量份、表面活性剂(SEIMI CHEMICAL公司制、制品名：S-611)1质量份和乙醇75质量份进行混合/分散，制备氧化亚铜纳米颗粒的含有比例为20质量％的油墨C1。
<实施例C1～C17和比较例C1～C12>
《导电性薄膜的制备》
首先，在转印介质表面涂布油墨C1，接着，使涂布有油墨的转印介质表面与具有金属细线图案的槽的版对置，进行按压、接触，使转印介质表面上的一部分油墨转移至版的凸部表面。其后，使涂布有剩余油墨的转印介质表面与透明基材对置，进行按压使其接触，使期望的金属细线图案状的油墨转印至透明基材上。在该形成工序中，通过变更将油墨转印至凸版时的工艺时间来控制各实施例和比较例的W0.90/W0、W0.50/W0的值。工艺时间越长，则W0.90/W0、W0.50/W0变得越小。接着，对于油墨的图案，使用等离子体烧成装置并利用表3中记载的条件来进行烧成和还原，得到具有网格图案的金属细线的导电性薄膜。将所得导电性薄膜的各种特性示于表3。所得导电性薄膜均是金属细线的可视性低，在目视下确认不到金属细线。
以下示出导电性薄膜的各种特性的评价方法。
[薄层电阻]
通过以下方法来测定所得导电性薄膜的薄层电阻Rs0(Ω/sq)。首先，从导电性薄膜的整面配置有金属细线图案的部分中切出100mm见方的测定样品。接着，使用丝网印刷装置，在所得测定样品的表面的宽度方向的两端部涂布银糊剂，进行干燥，如图15所示那样地形成宽度10mm×纵深100mm的长条集电部。接着，通过使欧姆表的测定端子接触的两端子法来测定样品两端部的集电部之间的电阻R(Ω)。使用下述式，由所得电阻算出薄层电阻Rs0(Ω/sq)。需要说明的是，表面具有保护层的导电薄膜的薄层电阻通过制作金属细线图案之中的集电部露出且其它金属细线图案被保护层覆盖的导电性薄膜，并进行测定。具体而言，在利用上述方法而形成的集电部进行掩蔽，形成保护层，最后去除掩蔽，由此制作仅漏出集电部的导电性薄膜。
Rs0＝R/L×D
L：80(mm)：集电部之间的距离
D：100(mm)：测定样品的纵深
[可见光透射率和雾度]
按照JIS K 7361-1:1997的总透光率，算出具有360～830nm波长的可见光的透射率，由此测定导电性薄膜的可见光透射率。此外，按照JIS K 7136:2000来测定导电性薄膜的雾度。
[金属细线截面的SEM观察]
从所得导电性薄膜中切出数mm见方的小片，使用日本电子公司制的SM-09010CP，在加速电压为4kV的条件下，通过上述方法并利用氩气离子束来实施BIB加工，制作包含与金属细线的延伸方向正交的金属细线的截面的测定样品。接着，对金属细线的截面表面进行用于赋予导电性的Os等离子体涂布处理。
接着，使用日立High-Technologies公司制的扫描电子显微镜(SU8220)，利用以下的条件，得到金属细线的截面的SEM像。
·加速电压：1kV
·发射电流：10μA
·测定倍率：50,000倍
·检测器：Upper检测器
·工作距离：约3mm
首先，由所得金属细线的截面的SEM像算出自透明基材侧的金属细线界面起至金属细线表面为止的最大厚度T。
使用ImageJ来进行金属细线的截面的SEM像的图像分析。具体而言，针对SEM像(8bit)，仅提取金属细线的截面，利用中值滤波器处理来去除图像所包含的微细噪音。接着，针对所提取的金属细线的截面，实施二值化处理分别算出SM、SVtotal、SV0.2和SV0.8，并算出SVtotal/SM、SV0.2/SVtotal、SV0.8/SVtotal和(SV0.2+SV0.8)/SVtotal。
接着，算出金属细线界面处的金属细线的宽度W0、距离透明基材侧的金属细线界面为0.50T、0.90T的高度处的金属细线的宽度W0.50、W0.90。使用它们，分别算出W0.90/W0、W0.50/W0、W0.90/W0.50。
进而，使用它们，算出(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)。
[挠性]
为了评价所得导电性薄膜的挠性，在60℃、90％RH的环境下进行反复弯曲性试验，测定其前后的薄层电阻变化率(％)。在缺乏耐久性的情况下，因金属细线的断线、氧化等而导致薄层电阻变化率变大，在耐久性优异的情况下，薄层电阻变化率变小。
首先，使用热固化型环氧树脂，在导电性薄膜的金属细线上形成保护层。并且，通过与上述相同的方法，测定反复弯曲性试验前的导电性薄膜的薄层电阻Rs0(Ω/sq)。接着，针对导电性薄膜，使用市售的弯曲性试验机，并按照JISC 5016:1994，利用以下的条件进行反复弯曲性试验。
·弯曲半径：5mm
·试验冲程：20mm
·弯曲速度：60rpm
·弯曲次数：10,000次
最后，测定反复弯曲性试验后的导电性薄膜的薄层电阻Rs1(Ω/sq)，利用下式来计算薄层电阻变化率。
(薄层电阻变化率)＝Rs1/Rs0×100
[表3-1]
Figure BDA0002923043030000551
[表3-2]
Figure BDA0002923043030000561
由实施例C1～C17和比较例C1～C12可知：通过将SVtotal/SM调整至0.1～0.4的范围，从而实现由细线化带来的低可视性和高透射率，且挠性提高。进而可知：通过将W0.90/W0调整至0.4～0.9的范围，能够在金属细线表面更均匀地形成保护层，高温高湿下的金属细线的氧化受到抑制。并且可知：通过将(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)调整至0.84～1.71，能够兼具上述效果，且表现出更高的导电性。
本本申请基于2018年7月30日向日本特许厅申请的日本专利申请(特愿2018-142101和特愿2018-142057)，并将这些内容作为参照而援引至此。
产业上的可利用性
本发明的导电性薄膜可适合地用作电子纸、触摸面板和平板显示器等的透明电极，具有产业上的可利用性。
附图标记说明
10…导电性薄膜
11…透明基材
12…金属细线图案
13…导电部
14…金属细线
15…开口部
16…图案单元
20…电子纸
21…杯
22…黑色颜料
23…白色颜料
24…底部电极
30…触摸面板
31…绝缘体
32…取出电极
33…控制器

Claims (25)

1.一种导电性薄膜，其具有透明基材、以及在所述透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部，其特征在于，
所述金属细线图案由金属细线构成，且满足下述(i)或(ii)的条件：
(i)所述金属细线具有空隙，且在与所述金属细线的延伸方向正交的所述金属细线的截面中，将金属细线截面积记作SM，将所述金属细线的截面所包含的总空隙截面积记作SVtotal时，SVtotal/SM为0.10以上且0.40以下；
(ii)在与所述金属细线的延伸方向正交的所述金属细线的截面中，将金属细线的最大厚度记作T，将距离所述透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90，将金属细线界面处的所述金属细线的宽度记作W0时，W0.90/W0为0.40以上且0.90以下。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)为0.84以上且1.71以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线在所述透明基材侧的所述金属细线的界面具有所述空隙。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性薄膜，其中，将所述金属细线的最大厚度记作T时，将自所述透明基材侧的金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.2时，SV0.2/SVtotal为0.15以上且0.60以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性薄膜，其中，将所述金属细线的最大厚度记作T时，将自所述透明基材侧的金属细线界面起至0.8T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.8时，SV0.8/SVtotal为0.80以上且1.00以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的导电性薄膜，其中，(SV0.2+SV0.8)/SVtotal超过1.00且为1.60以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的导电性薄膜，其中，将距离所述透明基材侧的金属细线界面为0.50T的厚度处的金属细线的宽度记作W0.50时，
W0.50/W0为0.70以上且小于1.00。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的导电性薄膜，其中，W0.90/W0.50为0.50以上且0.95以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的导电性薄膜，其中，W0.50/W0大于W0.90/W0.50。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线的线宽为0.1μm以上且5.0μm以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线的纵横比为0.05以上且1.00以下。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述导电性薄膜的薄层电阻为0.1Ω/sq以上且1,000Ω/sq以下。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述导电性薄膜的可见光透射率为80％以上且100％以下。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述导电性薄膜的雾度为0.01％以上且5.00％以下。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线图案的开口率为80％以上且小于100％。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线图案为网格图案。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线图案为线图案。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的导电性薄膜，其中，所述金属细线包含从由金、银、铜或铝组成的组中选择的至少1种以上的金属元素。
19.根据权利要求1～18中任一项所述的导电性薄膜，其中，在所述透明基材与所述导电部之间具有中间层。
20.根据权利要求19所述的导电性薄膜，其中，所述中间层包含从由硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物和镁氟化物组成的组中选择的至少1种。
21.根据权利要求1～20中任一项所述的导电性薄膜，其还具有覆盖所述导电部的保护层。
22.一种导电性薄膜卷，其是将权利要求1～21中任一项所述的导电性薄膜卷绕而成的。
23.一种电子纸，其具备权利要求1～21中任一项所述的导电性薄膜。
24.一种触摸面板，其具备权利要求1～21中任一项所述的导电性薄膜。
25.一种平板显示器，其具备权利要求1～21中任一项所述的导电性薄膜。
CN201980051144.0A 2018-07-30 2019-07-30 导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸 Active CN112514004B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-142057 2018-07-30
JP2018142057 2018-07-30
JP2018142101 2018-07-30
JP2018-142101 2018-07-30
PCT/JP2019/029912 WO2020027162A1 (ja) 2018-07-30 2019-07-30 導電性フィルム、並びに、それを用いた導電性フィルムロール、電子ペーパー、タッチパネル、及びフラットパネルディスプレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112514004A true CN112514004A (zh) 2021-03-16
CN112514004B CN112514004B (zh) 2022-11-08

Family

ID=69231885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980051144.0A Active CN112514004B (zh) 2018-07-30 2019-07-30 导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11877391B2 (zh)
EP (1) EP3832668A4 (zh)
JP (2) JP7070988B2 (zh)
CN (1) CN112514004B (zh)
TW (1) TWI766178B (zh)
WO (1) WO2020027162A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230056766A1 (en) 2020-02-13 2023-02-23 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Transparent antenna and rf tag
WO2022190825A1 (ja) * 2021-03-11 2022-09-15 富士フイルム株式会社 タッチパネル用導電部材及びタッチパネル用導電部材の製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008243946A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Dainippon Printing Co Ltd 導電性基板及びその製造方法
JP2010080826A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波シールド材
CN102326460A (zh) * 2009-02-20 2012-01-18 大日本印刷株式会社 导电性基板
JP2012185607A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Fujifilm Corp 導電シート及びタッチパネル
CN103329642A (zh) * 2011-01-18 2013-09-25 富士胶片株式会社 导电膜和设置有该导电膜的显示装置
WO2014034920A1 (ja) * 2012-09-03 2014-03-06 コニカミノルタ株式会社 透明電極およびその製造方法ならびに有機電子デバイス
US20150268770A1 (en) * 2013-09-11 2015-09-24 Ronald Steven Cok Multi-layer micro-wire structure
JP2016139688A (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 大日本印刷株式会社 導電パターン基板の製造方法
US20170277324A1 (en) * 2014-09-05 2017-09-28 Amosense Co., Ltd. Touch sensor for touch screen panel and manufacturing method therefor
WO2018008530A1 (ja) * 2016-07-08 2018-01-11 旭化成株式会社 導電性フィルム、電子ペーパー、タッチパネル、及びフラットパネルディスプレイ
CN107615224A (zh) * 2015-06-09 2018-01-19 旭化成株式会社 触摸面板用水性树脂组合物、转印薄膜和固化膜层叠体以及树脂图案的制造方法和触摸面板显示装置

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448037A (en) 1992-08-03 1995-09-05 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Transparent panel heater and method for manufacturing same
JP2000312057A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Kyocera Corp 配線基板およびその製造方法
US6703586B1 (en) 2002-09-16 2004-03-09 Southwall Technologies, Inc. Localization of heating of a conductively coated window
JP2004205353A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Denso Corp フローセンサ及びその製造方法
JP4679087B2 (ja) 2004-07-09 2011-04-27 グンゼ株式会社 透明面状発熱体及びその製造方法
US7200921B2 (en) 2005-02-04 2007-04-10 Automotive Components Holdings, Llc Method of manufacturing a heated windshield
DE602006021215D1 (de) 2005-09-20 2011-05-19 Kyocera Corp Oberflächenwellenelement und oberflächenwellenanordnung
US20070187383A1 (en) 2006-01-19 2007-08-16 Wipfler Richard T Patterned conductive elements for resistively heated glazing
JP5344283B2 (ja) 2008-10-27 2013-11-20 富士電機株式会社 磁気記録媒体
JPWO2010064630A1 (ja) 2008-12-02 2012-05-10 大日本印刷株式会社 電磁波シールド材、及びその製造方法
JP5487787B2 (ja) 2009-08-04 2014-05-07 大日本印刷株式会社 透明導電部材
JP5636735B2 (ja) 2009-09-24 2014-12-10 大日本印刷株式会社 透明アンテナ用エレメント及び透明アンテナ
KR101221689B1 (ko) 2009-12-29 2013-01-11 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
JP5526964B2 (ja) 2010-04-15 2014-06-18 三菱化学株式会社 透明面状発熱積層体
KR20130032659A (ko) 2011-09-23 2013-04-02 삼성전기주식회사 투명발열장치
JP2013206722A (ja) 2012-03-28 2013-10-07 Fujifilm Corp 液状組成物、金属銅膜、及び導体配線、並びに金属銅膜の製造方法
US9947932B2 (en) 2013-03-08 2018-04-17 Ford Global Technologies, Llc Lithium-air battery cathodes and methods of making the same
US10424648B2 (en) 2013-07-23 2019-09-24 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Copper and/or copper oxide dispersion, and electroconductive film formed using dispersion
JP6404663B2 (ja) 2014-09-30 2018-10-10 株式会社カネカ 透明導電積層体の製造方法
JP2016091658A (ja) 2014-10-30 2016-05-23 大日本印刷株式会社 発熱板、導電性パターンシートおよび中間部材
JP6577708B2 (ja) 2014-12-05 2019-09-18 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびそれを用いたタッチセンサ
JP6561456B2 (ja) 2014-12-10 2019-08-21 岩崎電気株式会社 照明器具
WO2016108656A1 (ko) 2014-12-31 2016-07-07 코오롱인더스트리 주식회사 투명 면상 발열체
JP6814398B2 (ja) 2015-01-29 2021-01-20 大日本印刷株式会社 発熱板、導電性パターンシートおよび発熱板を備えた乗り物
US20160249413A1 (en) 2015-02-23 2016-08-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent planar heater
US11104813B2 (en) 2015-06-02 2021-08-31 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Dispersion
JP6819102B2 (ja) 2015-07-10 2021-01-27 大日本印刷株式会社 化粧シート、化粧板及び化粧板の製造方法
JP6668703B2 (ja) 2015-11-24 2020-03-18 株式会社デンソー 透明ヒータ
EP3179826B1 (en) 2015-12-09 2020-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Heating element including nano-material filler
JP2017143094A (ja) 2016-02-08 2017-08-17 日立化成株式会社 ヒートシンク、熱電変換モジュール、ヒートシンクの製造方法
JP6834176B2 (ja) 2016-05-26 2021-02-24 大日本印刷株式会社 加熱電極装置、通電加熱パネル
WO2018003399A1 (ja) 2016-06-30 2018-01-04 株式会社コイネックス 銅配線およびその製造方法およびそれを用いた電子機器、タッチパッド、タッチパネル
JP6836867B2 (ja) 2016-09-20 2021-03-03 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスの製造方法
JP7033264B2 (ja) 2016-11-02 2022-03-10 大日本印刷株式会社 導電体付きシート、発熱板および乗り物
TWI608639B (zh) 2016-12-06 2017-12-11 財團法人工業技術研究院 可撓熱電結構與其形成方法
JP2018142057A (ja) 2017-02-27 2018-09-13 セイコーエプソン株式会社 デバイス監視装置、デバイス監視プログラムおよびデバイス監視装置の制御方法
JP6747339B2 (ja) 2017-02-27 2020-08-26 株式会社オートネットワーク技術研究所 プログラム更新方法
TWI665332B (zh) 2017-03-16 2019-07-11 日商旭化成股份有限公司 分散體及使用該分散體的附導電性圖案之構造體的製造方法以及附導電性圖案之構造體
US10645760B2 (en) 2017-05-16 2020-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Heater device and method for producing the same
CN116209147A (zh) 2017-07-18 2023-06-02 旭化成株式会社 层积体及其制造方法、以及铜布线
JP7291078B2 (ja) 2017-07-27 2023-06-14 旭化成株式会社 酸化銅インク及びこれを用いた導電性基板の製造方法、塗膜を含む製品及びこれを用いた製品の製造方法、導電性パターン付製品の製造方法、並びに、導電性パターン付製品
JP7069676B2 (ja) 2017-12-08 2022-05-18 大日本印刷株式会社 熱制御用積層体、並びに、それを用いた放熱ユニット、発熱ユニット、表示装置及び窓用のガラス
JP2018138456A (ja) 2018-03-22 2018-09-06 大日本印刷株式会社 合わせガラス、加熱機構付きガラス及び乗り物

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008243946A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Dainippon Printing Co Ltd 導電性基板及びその製造方法
JP2010080826A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波シールド材
CN102326460A (zh) * 2009-02-20 2012-01-18 大日本印刷株式会社 导电性基板
CN103329642A (zh) * 2011-01-18 2013-09-25 富士胶片株式会社 导电膜和设置有该导电膜的显示装置
JP2012185607A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Fujifilm Corp 導電シート及びタッチパネル
WO2014034920A1 (ja) * 2012-09-03 2014-03-06 コニカミノルタ株式会社 透明電極およびその製造方法ならびに有機電子デバイス
US20150268770A1 (en) * 2013-09-11 2015-09-24 Ronald Steven Cok Multi-layer micro-wire structure
US20170277324A1 (en) * 2014-09-05 2017-09-28 Amosense Co., Ltd. Touch sensor for touch screen panel and manufacturing method therefor
JP2016139688A (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 大日本印刷株式会社 導電パターン基板の製造方法
CN107615224A (zh) * 2015-06-09 2018-01-19 旭化成株式会社 触摸面板用水性树脂组合物、转印薄膜和固化膜层叠体以及树脂图案的制造方法和触摸面板显示装置
WO2018008530A1 (ja) * 2016-07-08 2018-01-11 旭化成株式会社 導電性フィルム、電子ペーパー、タッチパネル、及びフラットパネルディスプレイ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨小健等: "用喷墨打印法直接形成铜导电线路图形", 《印制电路信息》 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP7070988B2 (ja) 2022-05-18
TW202012157A (zh) 2020-04-01
WO2020027162A1 (ja) 2020-02-06
CN112514004B (zh) 2022-11-08
EP3832668A1 (en) 2021-06-09
JP7295989B2 (ja) 2023-06-21
US11877391B2 (en) 2024-01-16
JP2022115901A (ja) 2022-08-09
EP3832668A4 (en) 2021-09-22
JPWO2020027162A1 (ja) 2021-08-02
US20210321512A1 (en) 2021-10-14
TWI766178B (zh) 2022-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7295989B2 (ja) 導電性フィルム、並びに、それを用いた導電性フィルムロール、電子ペーパー、タッチパネル、及びフラットパネルディスプレイ
US11620028B2 (en) Conductive film and conductive film roll, electronic paper, touch panel and flat-panel display comprising the same
KR102173346B1 (ko) 도전성 필름, 전자 페이퍼, 터치 패널, 및 플랫 패널 디스플레이
JP7305805B2 (ja) 透明ヒータ
JP2022154511A (ja) 導電性薄膜及びその製造方法、並びに、導電性シート
JP2022154657A (ja) 導電性シート、及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant