JP2007220856A - 多層セラミック基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】積層されたセラミック層と、これらのセラミック層に形成された内部導体膜と、所定のセラミック層を貫通して形成されたビアホール導体とを備えており、これらの導体を形成するための導電性ペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径10nm以上50nm以下の銀粉と55nm以上150nm以下の銀粉からなることを特徴としている。結晶子径の異なる銀粉を混合することにより、セラミック層の焼結により発生する力に追随するように銀の焼結が進行する。これにより、セラミック層と導体間に発生し得る構造欠陥を抑制するだけでなく、導体は銀粉のみであることから、良好な接続を得て低抵抗化を可能にする。
【選択図】図1
Description
ここで、
Dhkl:結晶子径の大きさ
λ:測定X線の波長
β(rad):結晶子の大きさによる回折線の広がり(半値幅)
θ(rad):測定されるピークの角度
K:Scherrer定数
ここで、結晶子径と焼結開始温度とは非常に密接な関係を有するものであり、結晶子径が小さいものであるほど、焼結開始温度が早くなる傾向がある。
(表1)に示した、異なる結晶子径の銀粉を50/50の等量で配合した導電性ペーストを用いて、多層セラミック基板を作製し、評価を行なった。なお、*で示したものは本発明の範囲外のサンプルである。
(表2)に示すように、異なる結晶子径の銀粉を50/50の等量で配合した導電性ペーストを用いて、無収縮多層セラミック基板を作製し、評価を行なった。なお、*で示したものは本発明の範囲外のサンプルである。
結晶子径30nmと100nmの銀粉を用意し、結晶子径30nmの混合比率を変えた導電性ペーストを用い多層セラミック基板を作製し、評価を行なった。その結果を図3に示す。
無収縮多層セラミック基板についても、実施例3と同様に結晶子径30nmと100nmの銀粉を用意し、結晶子径30nmの混合比率を変えた導電性ペーストを用い、多層セラミック基板を作製し、評価を行なった。その結果を図4に示す。
2 セラミック層
3 ビアホール導体
4 内部導体膜
5 表層導体膜
6 ビアホール導体とセラミック層との間隙による構造欠陥
7 ビアホール導体のセラミック層への隆起による構造欠陥
8 内部導体膜とセラミック層との間隙による構造欠陥
9 表層導体膜の収縮による欠陥
10 無収縮多層セラミック基板
11 収縮抑制層
Claims (5)
- 積層された複数のセラミック層と、これらのセラミック層に形成された内部導体膜と、前記積層された複数のセラミック層のうち所定のセラミック層を貫通して形成されたビアホール導体とを備えた多層セラミック基板において、前記ビアホール導体を形成するために充填される導電性ペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径10nm以上50nm以下の銀粉と55nm以上150nm以下の銀粉を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
- 積層された複数のセラミック層と、これらのセラミック層に形成された内部導体膜を備えた多層セラミック基板において、前記内部導体膜を形成するための導電性ビアペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径10nm以上50nm以下の銀粉と55nm以上150nm以下の銀粉を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
- 積層された複数のセラミック層と、これらのセラミック層に形成された内部導体膜を備えた多層セラミック基板において、前記多層セラミック基板表面に形成される表層導体膜を形成するための導電性ビアペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径10nm以上50nm以下の銀粉と55nm以上150nm以下の銀粉を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
- 請求項1から3のいずれか1つに記載の多層セラミック基板において、焼成前の多層セラミック層の少なくとも一方の主面に、前記多層セラミック層の焼成条件では焼結しない収縮抑制層を密着させ、これを前記多層セラミック層の焼成条件で焼成した後、未焼結の収縮抑制層を除去することにより得られる、XY方向の焼成収縮を抑制した多層セラミック基板。
- 前記多層セラミック基板において、前記10nm以上50nm以下の銀粉の混合比率がすべての銀重量に対して15wt%以上85wt%以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の多層セラミック基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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A621 | Written request for application examination |
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