CN107924253A - 导电性基板 - Google Patents

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Abstract

提供一种导电性基板，其包括：透明基材；金属层，形成在上述透明基材的至少一个面侧，且具有与上述透明基材相对的第1金属层表面、及位于上述第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面；黑化层，形成在上述第2金属层表面上。上述金属层的上述第2金属层表面的表面粗糙度Ra为0.01μm以上0.1μm以下。

Description

导电性基板
技术领域
本发明涉及一种导电性基板。
背景技术
如专利文献1所述，历来使用的触控面板用透明导电性薄膜中，在高分子薄膜上形成有作为透明导电膜的ITO(氧化铟-锡)膜。
在此，近年来具备触控面板的显示器趋于大画面化发展，与此相应地，用于触控面板的透明导电性薄膜等导电性基板也被要求大面积化。然而，ITO因其电阻值高，而存在无法应对导电性基板的大面积化的问题。
从而，例如专利文献2、3所述，在探讨使用铜等的金属箔来代替ITO膜的技术。然而，例如在布线层采用铜等的金属箔的情况下，由于铜等的金属箔具有金属光泽，因反射而会导致显示器的识别性降低的问题。
对此，另在研究一种导电性基板，其中与由铜等的金属箔构成的布线层一同形成有由黑色材料构成的黑化层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国特开2003-151358号公报
专利文献2：日本国特开2011-018194号公报
专利文献3：日本国特开2013-069261号公报
发明内容
本发明要解决的课题
然而近年来，有格外要求抑制导电性基板光反射率的情况发生，针对这种要求，仅靠设置黑化层的效果有时不够充分。
鉴于上述现有技术的问题，本发明的一形态的目的在于提供一种光反射率被充分抑制的导电性基板。
解决上述课题的手段
为了解决上述问题，本发明的一形态提供一种导电性基板，其包括：透明基材；金属层，形成在所述透明基材的至少一个面侧，且具有与所述透明基材相对的第1金属层表面、及位于所述第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面；黑化层，形成在所述第2金属层表面上，所述金属层的所述第2金属层表面的表面粗糙度Ra为0.01μm以上0.1μm以下。
发明的效果
根据本发明的一形态，能够提供一种光反射率被充分抑制的导电性基板。
附图说明
图1A是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。
图1B是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。
图2A是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。
图2B是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。
图3是本发明的实施方式的具有网格状布线的导电性基板的俯视图。
图4A是沿着图3的A-A’线的剖面图。
图4B是沿着图3的A-A’线的剖面图。
图5是本发明的实施方式的辊对辊溅镀装置的说明图。
图6是本发明的实施方式的辊对辊镀层装置的说明图。
图7是第2金属层表面的表面粗糙度与第2黑化层表面的表面粗糙度的相关图。
图8是第2金属层表面的表面粗糙度与反射率的相关图。
具体实施方式
以下，关于本发明的导电性基板及导电性基板的制造方法的一实施方式进行说明。
(导电性基板)
本实施方式的导电性基板可以是具有透明基材、金属层及黑化层的结构。
在此，金属层可以形成在透明基材的至少一个面侧，并具有与透明基材相对的第1金属层表面、及位于第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面。并且，第2金属层表面的表面粗糙度Ra可为0.01μm以上0.1μm以下。另外，黑化层可形成在第2金属层表面上。
另外，本实施方式的导电性基板包括，在透明基材的表面上具有金属层及黑化层且对金属层等进行图形化之前的基板，以及对金属层等进行图形化而形成布线形状的基板，即布线基板。
在此，首先关于本实施方式的导电性基板中包含的各部件说明如下。
关于透明基材并无特别限定，能够优选使用可使可见光透射的绝缘体薄膜、玻璃基板等。
作为可使可见光透射的绝缘体薄膜的材料，例如能够优选使用聚酰胺类薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯类薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯类薄膜、环烯烃类薄膜、聚亚酰胺类薄膜、聚碳酸酯类薄膜等的树脂薄膜等。
尤其是，作为可使可见光透射的绝缘体薄膜的材料，更可以优选使用聚酰胺、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、COP(环烯烃共聚物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚亚酰胺、聚碳酸酯等。
关于透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板时被要求的强度或静电容量、光透射率等，任意选择。作为透明基材的厚度例如可以是10μm以上200μm以下。尤其用于触控面板用途的情况下，透明基材的厚度优选为20μm以上120μm以下，更优选为20μm以上100μm以下。用于触控面板用途的情况下，例如针对格外要求减小显示器整体厚度的用途，透明基材的厚度优选为20μm以上50μm以下。
透明基材的全光线透射率高者为佳，例如，全光线透射率优选为30％以上、更优选为60％以上。通过使透明基材的全光线透射率满足上述范围，例如在用于触控面板用途的情况下，能够充分确保显示器的识别性。
在此，可以根据JIS K 7361-1规定的方法来评价透明基材的全光线透射率。
以下，关于金属层进行说明。
关于构成金属层的材料并无特别限定，可以选择导电率符合其用途的材料，例如构成金属层的材料优选是由Cu及从Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中选择的至少1种以上的金属构成的铜合金，或含铜材料。另外，金属层也可以是由铜构成的铜层。
关于在透明基材的至少一个面上形成金属层时的金属层的结构并无特别限定，为了避免光透射率降低，金属层与透明基材之间，或金属层与黑化层之间不宜配置粘合剂。即，优选将金属层直接形成在其他部件的上面。
为了在其他部件的上面直接形成金属层，优选金属层具有金属薄膜层。另外，金属层也可以具有金属薄膜层及金属镀层。
例如，可以在透明基材的至少一个面上，通过干式镀法形成金属薄膜层，并以所述金属薄膜层作为金属层。由此，不通过粘合剂就能够在透明基材的至少一个面上形成金属层。
作为通过干式镀法进行金属薄膜层成膜的具体方法，例如可以举出溅镀法、离子镀法或蒸镀法等。
另外，想进一步加厚金属层的膜厚时，通过干式镀法进行金属薄膜层成膜之后，可以通过湿式镀法进行金属镀层的成膜。即，例如可以在透明基材或黑化层上，通过干式镀法形成金属薄膜层，并以所述金属薄膜层作为供电层，通过湿式镀法形成金属镀层。在此情况下，金属层将具有金属薄膜层及金属镀层。并且，由于金属层具有金属薄膜层及金属镀层，在此也无需通过粘合剂就能够在透明基材上直接形成金属层。
如上所述，通过仅采用干式镀法或组合干式镀法及湿式镀法来形成金属层，从而无需通过粘合剂就能够在透明基材或黑化层上直接形成金属层，因此优选上述方法。
关于金属层的厚度并无特别限定，可以根据将金属层用于布线时提供给所述布线的电流的大小或布线宽度等，任意选择。
然而，随着金属层增厚，为了形成布线图案而进行蚀刻时需要更多的蚀刻时间，从而容易发生侧蚀，有时会造成难以形成细线等的问题。因此，金属层的厚度优选为5μm以下，更优选为3μm以下。
另外，尤其从降低导电性基板的电阻值，以能够提供充分的电流的观点而论，例如，金属层的厚度优选为50nm以上，更优选为60nm以上，进而优选为150nm以上。
在此，金属层如上所述具有金属薄膜层与金属镀层的情况下，金属薄膜层的厚度与金属镀层的厚度的合计厚度优选在上述范围内。
无论金属层是由金属薄膜层构成的情况，还是由金属薄膜层及金属镀层构成的情况，关于金属薄膜层的厚度均无特别限定，例如优选为50nm以上500nm以下。
本实施方式的导电性基板，可以在透明基材的至少一个面上具有所述金属层及黑化层。如上所述，例如通过在金属层的表面配置黑化层，能够抑制导电性基板的反射率。然而，在格外要求抑制导电性基板的光反射率的情况下，仅靠形成黑化层，有时无法充分应求上述要求。
对此，本发明的发明者们，关于能够格外抑制导电性基板的光反射率的方法，进行了锐意研究。其结果发现，当形成在透明基材的至少一个面上的金属层的导电性基板表层侧的面的表面粗糙度Ra满足规定范围时，能够格外抑制导电性基板的光反射，从而完成了本发明。
根据本发明的发明者们的研究，即使在导电性基板上配置有例如黑化层的情况下，对导电性基板照射的光的一部分有时仍会透过黑化层，而到达金属层的表面。并且，所述光在金属层表面被反射后，会再次透过黑化层，因此，有时无法充分抑制导电性基板的光反射率。对此，本实施方式的导电性基板中，使金属层的位于导电性基板表层侧的面的表面粗糙度Ra满足规定范围，例如，使透射黑化层之后达到金属层的光漫反射，从而能够抑制导电性基板的反射率。
将与透明基材相对的金属层的面作为第1金属层表面，将位于第1金属层表面的相反侧的面作为第2金属层表面。在此，金属层的第2金属层表面是位于与透明基材相对的第1金属层表面的相反侧的面，即，位于导电性基板的表层侧的面。在此情况下，金属层的第2金属层表面的表面粗糙度Ra优选为0.01μm以上0.1μm以下、更优选为0.02μm以上0.07μm以下。
通过将第2金属层表面的表面粗糙度Ra设为0.01μm以上，能够使到达金属层表面的光漫反射，从而抑制导电性基板的光反射率。
然而，金属层的第2金属层表面的表面粗糙度Ra过大时，可能对导电性基板的色调造成影响。因此，金属层的第2金属层表面的表面粗糙度Ra优选为0.1μm以下。
在此，关于表面粗糙度Ra，JIS B 0601(2013)中规定了算数平均粗糙度，例如可以通过触针法或光学方法等进行评价。
以下，关于黑化层进行说明。
由于金属层具有金属光泽，因此，若仅是在透明基材上对金属层进行蚀刻来形成布线，金属层会反射光，例如用为触控面板用布线基板的情况下，会造成显示器的识别性降低的问题。对此，为了抑制金属层表面的光反射，本实施方式的导电性基板中，可以在透明基材的至少一个面上设置黑化层。
黑化层优选包含例如从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中选择的至少1种以上的金属。另外，黑化层还可以包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素。
作为黑化层的材料，可以更优选使用从氧化铜、氮化铜、硫化铜、硫化镍、镍锌、锡镍、铬及其化合物中选择的任1种以上的材料。在此，使用这些材料时，黑化层也可以包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素。
关于黑化层的形成方法并无特别限定，可以采用任意方法形成，例如可以采用干式法或湿式法来进行成膜。
采用干式法进行黑化层成膜的情况下，关于其具体方法并无特别限定，例如可以优选使用溅镀法、离子镀法或蒸镀法等干式镀法。采用干式法进行黑化层成膜的情况下，由于溅镀法容易控制膜厚，因此更为优选。在此，还可以向黑化层添加如上所述从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素，在此情况下更优选使用反应性溅镀法。
采用湿式法进行黑化层成膜的情况下，可以使用与黑化层的材料相应的镀液，并通过例如镀敷法(plating)来进行成膜。
在此，由于湿式法的成膜生产性尤其高，因此优选采用湿式法来进行黑化层成膜。并且，采用湿式法来进行黑化层成膜的情况下，作为黑化层的材料可以优选使用镍锌。其理由在于，使用镍锌进行黑化层成膜的情况下，对环境的影响小，且容易通过湿式镀法来进行成膜。
可以使用至少包含镍离子及锌离子的镀液，采用镀敷法来进行镍锌黑化层成膜。在此，优选以能够调整镀液中锌浓度的方式来构成镀液，以能够调整黑化层中包含的锌量。
关于黑化层的厚度并无特别限定，例如优选为15nm以上、更优选为25nm以上。其理由在于，黑化层的厚度薄的情况下，有时无法充分抑制金属层表面的光反射，因此，如上所述优选将黑化层的厚度设为15nm以上，以构成能够格外抑制金属层表面的光反射的结构。
关于黑化层的厚度的上限值并无特别限定，然而，超出必要的增厚会使基板容易因应力发生弯曲。另外，黑化层超出必要的增厚，会导致成膜所需时间及形成布线时的蚀刻所需时间延长，而导致成本上升。因此，黑化层的厚度优选为70nm以下，更优选为50nm以下。
另外，从进一步抑制导电性基板的光反射率的观点而言，优选黑化层的表面粗糙度Ra也在规定范围。并且，将黑化层的与透明基材相对的面作为第1黑化层表面，将位于与第1黑化层表面的相反侧的面作为第2黑化层表面。在此，第2黑化层表面是位于与透明基材相对的第1黑化层表面的相反侧的面，即，位于导电性基板的表层侧的面。
在此情况下，第2黑化层表面的表面粗糙度Ra优选为0.016μm以上0.09μm以下，更优选为0.02μm以上0.07μm以下。
其理由在于，通过将第2黑化层表面的表面粗糙度Ra设为0.016μm以上，能够在黑化层表面对光进行漫反射，从而能够格外抑制导电性基板的光反射率。然而，第2黑化层表面的表面粗糙度Ra超过0.09μm时，黑化层的色调有时会发白。黑化层的色调发白的情况下，若将导电性基板用于显示器用触控面板等用途，可能会导致显示器的识别性降低，因此优选为0.09μm以下。
另外，本实施方式的导电性基板可以具有1层或2层以上的黑化层。本实施方式的导电性基板中包含的全黑化层的第2黑化层表面的表面粗糙度Ra可以在上述范围，也可以是一部分黑化层的第2黑化层表面的表面粗糙度在上述范围。在此，通过使第2黑化层表面的表面粗糙度满足上述范围，能够获得可格外抑制导电性基板的光反射率的效果，因此，关于导电性基板中包含的黑化层，优选至少最表层侧的黑化层的第2黑化层表面的表面粗糙度充分满足上述范围。
具体而言，例如下述图2A所示的导电性基板20A的情况，优选其第2黑化层132的第2黑化层表面132a的表面粗糙度充分满足上述范围。另外，下述图2B所示的导电性基板20B的情况，优选其第2黑化层132A及/或132B的第2黑化层表面的表面粗糙度充分满足上述范围。
以下，关于本实施方式的导电性基板的结构例进行说明。
如上所述，本实施方式的导电性基板可以具有透明基材、金属层及黑化层。在此，关于金属层及黑化层的层数并无特别限定，可以各形成1层，也可以各形成多层。
为了抑制金属层表面的光反射，优选在金属层表面的尤其想要抑制光反射的面上配置黑化层。因此，例如抑制第1金属层表面及第2金属层表面的光反射的情况下，能够采用以黑化层与金属层的第1金属层表面及第2金属层表面接触的方式形成2层黑化层的叠层结构。即，可以具有金属层被黑化层夹持的结构。
关于具体的结构例，以下参照图1A、图1B、图2A、图2B进行说明。图1A、图1B、图2A、图2B例示了本实施方式的导电性基板在其透明基材、金属层、黑化层的叠层方向的平行面上的剖面图。
例如图1A所示的导电性基板10A，可以在透明基材11的一个面11a侧依次叠层金属层12及黑化层13各一层。
在图1A所示的导电性基板10A中，金属层12的与透明基材11相对的面为第1金属层表面12a，位于第1金属层表面12a的相反侧的面为第2金属层表面12b。另外，黑化层13的与透明基材11相对的面为第1黑化层表面13a，位于第1黑化层表面13a的相反侧的面为第2黑化层表面13b。如图1A所示的导电性基板10A，本实施方式的导电性基板具有黑化层13形成于金属层12的第2金属层表面12b上的叠层结构。即，以覆盖金属层12的第2金属层表面12b的方式形成黑化层13。
另外，如图1B所示的导电性基板10B，可以在透明基材11的一个面11a侧及另一个面(另一面)11b侧，分别依次叠层一层金属层12A、12B及黑化层13A、13B。
如上所述，可以在金属层的第2金属层表面上配置黑化层，除了所述黑化层之外，在透明基材与金属层之间也可以配置黑化层。即，可以采用在透明基材11的1个面侧设有多层黑化层的结构。例如，像图2A所示的导电性基板20A那样，可以在透明基材11的一个面11a侧，依次叠层第1黑化层131、金属层12、第2黑化层132。图2A所示的导电性基板20A具有除了配置于金属层12的第2金属层表面上的第2黑化层132之外，还在透明基材11与金属层12之间配置有第1黑化层131的叠层结构。
在此情况下，也可以采用在透明基材11的两面叠层金属层、第1黑化层、第2黑化层的结构。具体而言，如图2B所示的导电性基板20B，可以在透明基材11的一个面11a侧及另一个面(另一面)11b侧，分别依次叠层第1黑化层131A、131B与金属层12A、12B与第2黑化层132A、132B。
另外，图1B及图2B中表示了在透明基材的两面叠层金属层、黑化层的情况下，以透明基材11作为对称面使叠层于透明基材11上下侧的层彼此对称的配置例，而本实施方式并不限定于此。例如，也可以在图2B中，使透明基材11的一个面11a侧的结构成为与第1A相同的结构，即，依次叠层金属层12及黑化层13，从而在透明基材11的上下构成非对称的叠层。
以上说明了本实施方式的导电性基板，在本实施方式的导电性基板中，在透明基材上设置金属层及黑化层，并使金属层的第2金属层表面的表面粗糙度满足规定范围，因此能够格外抑制金属层的光反射。
关于本实施方式的导电性基板的光反射程度并无特别限定，例如，本实施方式的导电性基板对波长400nm以上700nm以下的光的反射率的平均(平均反射率)优选为20％以下，更优选为15％以下。其理由在于，对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为20％以下的情况下，例如用为触控面板用导电性基板时，能够格外提高显示器的识别性。
通过向黑化层照射光并进行测定的方式，能够测定反射率。即，对导电性基板中包含的金属层及黑化层，可以从黑化层侧进行测定。
具体而言，例如图1A所示，在透明基材11的一个面11a依次叠层有金属层12、黑化层13的情况下，以能够向黑化层13照射光的方式，可对最表面A照射光并进行测定。
另外，如下所述，通过对金属层及黑化层进行蚀刻，可以在导电性基板上形成布线，上述反射率表示在除去导电性基板中的透明基材的情况下，被配置在最表面的黑化层的光射入侧表面的反射率。因此，在进行蚀刻处理前或进行蚀刻处理之后，优选残留有金属层基黑化层的部分的测定值满足上述范围。
在此，对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率是指，使波长在400nm以上700nm以下的范围内变化并进行测定的测定结果的平均值。测定时，关于波长变化的幅度并无特别限定，例如，优选以10nm为单位变更波长并对上述波长范围的光进行测定，更优选以1nm为单位变更波长并对上述波长范围的光进行测定。
本实施方式的导电性基板如上所述可优选用为触控面板用导电性基板。在此情况下，导电性基板可以采用具有网格状布线的结构。
通过对以上说明的本实施方式的导电性基板的金属层及黑化层进行蚀刻，能够获得具有网格状布线的导电性基板。
例如，可由双层布线形成网格状布线。具体结构例如图3所示。图3表示了沿着金属层、黑化层的叠层方向从上面侧观察具有网格状布线的导电性基板30的图。图3所示的导电性基板30包括透明基材11、与图中Y轴方向平行的多个布线31A、与X轴方向平行的布线31B。在此，通过对金属层进行蚀刻形成了布线31A、31B，在所述布线31A、31B的上面及/或下面形成有未图示的黑化层。另外，黑化层被蚀刻成与布线31A、31B相同的形状。
关于透明基材11与布线31A、31B的配置并无特别限定。透明基材11与布线的配置结构如图4A、4B所示。图4A、4B相当于沿着图3的A-A’线的剖面图。
首先，如图4A所示，可以在透明基材11的上下面分别配置布线31A、31B。在此，在布线31A的上面及31B的下面分别配置有被蚀刻成与布线相同形状的黑化层32A及32B。
另外，如图4B所示，可以使用1组透明基材11，以夹着一个透明基材11的方式在其上下面配置布线31A、31B，并且，一个布线31B被配置在透明基材11之间。在此情况下，在布线31A、31B的上面配置有被蚀刻成与布线相同形状的黑化层32A及32B。
在此，优选将黑化层配置在金属层表面的尤其想要抑制光反射的面上。因此，在图4B所示的导电性基板中，例如，有必要抑制来自图中下面侧的光反射的情况下，除了黑化层32A、32B之外，还可以在布线31A、31B与透明基材11之间设置被蚀刻成与布线相同形状的黑化层。
例如，使用如图1B、图2B所示的在透明基材11的两面具备金属层12A、12B及黑化层13A、13B(131A、132A、131B、132B)的导电性基板，能够形成如图3及图4A所示的具有网格状布线的导电性基板。
以使用图1B的导电性基板来形成的情况为例进行说明，首先，对透明基材11的一个面11a侧的金属层12A及黑化层13A进行蚀刻，形成沿着X轴方向彼此隔着规定间隔，并与图1B中的Y轴方向平行配置的多个线状图案。图1B中的Y轴方向表示图1B中与纸面垂直的方向。
然后，对透明基材11的另一个面11b侧的金属层12B及黑化层13B进行蚀刻，形成沿着Y轴方向彼此隔着规定间隔，并与图1B中X轴方向平行配置的多个线状图案。在此，图1B中的X轴方向表示与各层的宽度方向平行的方向。
通过以上操作，能够形成如图3、图4A所示的具有网格状布线的导电性基板。并且，可以同时对透明基材11的两面进行蚀刻。即，可以对金属层12A、12B及黑化层13A、13B同时进行蚀刻。
通过使用2枚如图1A或图2A所示的导电性基板，能够形成如图3所示的具有网格状布线的导电性基板。例如使用2枚如图1A所示的导电性基板来形成的情况下，对2枚如图1A所示的导电性基板的金属层12及黑化层13分别进行蚀刻，形成沿着Y轴方向彼此隔着规定间隔，并与X轴方向平行配置的多个线状图案。然后，将通过上述蚀刻处理形成于各导电性基板上的线状图案调整成彼此交叉的方向，并贴合2枚导电性基板，从而能够获得具有网格状布线的导电性基板。贴合2枚导电性基板时，关于贴合面并无特别限定，如图4B所示，可以对导电性基板的叠层有金属层12等的面即例如图1A中的第2黑化层表面13b、未叠层金属层12等的面即图1A中的面11b进行贴合。
在此，黑化层优选被配置在金属层表面的尤其想要抑制光反射的面。因此，在图4B所示的导电性基板中，在有必要抑制来自图中下面侧的光反射的情况下，除了黑化层32A、32B之外，还可以在布线31A、31B与透明基材11之间设置黑化层。在此情况下，可由图2A所示的导电性基板20A代替图1A所示的导电性基板10A，并与上述情况同样进行蚀刻，从而能够构成在布线31A、31B与透明基材11之间也设有黑化层的结构。
另外，例如还可以对透明基材11的未叠层金属层12等的面即图1A中的面11b彼此进行贴合，以获得剖面如图4A所示的结构。
关于如图3、图4A及图4B所示的具有网格状布线的导电性基板的布线的宽度、布线之间的距离并无特别限定，例如，可以根据流通于布线的电流量等进行选择。
另外，图3、图4A及图4B中表示了组合直线形状的布线来形成网格状布线(布线图案)的例子，而本实施方式并不限定于此，构成布线图案的布线可以是任意形状。例如，构成网格状布线图案的布线的形状可以分别是锯齿型弯曲的线(z型直线)等各种形状，以防止在显示器的画像之间发生叠纹(干涉纹)。
具有上述由2层布线构成的网格状布线的导电性基板，可以优选用为例如投影型静电容量方式的触控面板用导电性基板。
(导电性基板的制造方法)
以下，关于本实施方式的导电性基板的制造方法的构成例进行说明。
本实施方式的导电性基板的制造方法可以包括：透明基材准备工序，准备透明基材；金属层形成工序，在透明基材的至少一个面侧形成金属层，所述金属层具有与透明基材相对的第1金属层表面、位于与第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面；黑化层形成工序，在第2金属层表面上形成黑化层。
另外，第2金属层表面的表面粗糙度Ra优选为0.01μm以上0.1μm以下。
以下关于本实施方式的导电性基板的制造方法进行说明，除了以下说明的内容之外可以采用与上述导电性基板相同的结构，因此省略赘述。
准备透明基材的工序是指准备例如由可使可见光透射的绝缘体薄膜、玻璃基板等构成的透明基材的工序，关于具体的操作并无特别限定。例如，为了便于提供给下续各工序，可以根据需要将透明基材切割成任意的尺寸等。在此，关于可以适宜使用的透明基材前文中已有说明，因此省略赘述。
其次，关于金属层形成工序进行说明。
在此，如前文所述，金属层优选具有金属薄膜层。另外，金属层还可以具有金属薄膜层及金属镀层。因此，金属层形成工序可以包括，例如通过干式镀法形成金属薄膜层的工序。另外，金属层形成工序还可以包括，通过干式镀法形成金属薄膜层的工序，及，以所述金属薄膜层作为供电层，通过作为湿式镀法之一的电镀法来形成金属镀层的工序。
如上所述，仅使用干式镀法，或组合干式镀法及湿式镀法来形成金属层，无需通过粘合剂就能够在透明基材或黑化层上直接形成金属层，因此优选上述方法。
关于形成金属薄膜层的工序中使用的干式镀法并无特别限定，例如可以使用蒸镀法、溅镀法或离子镀法等。另外，作为蒸镀法可以优选使用真空蒸镀法。由于溅镀法尤其容易控制膜厚，因此作为形成金属薄膜层的工序中使用的干式镀法更优选使用溅镀法。
例如，可以使用辊对辊溅镀装置，适宜进行金属薄膜层成膜。
以使用辊对辊溅镀装置的情况为例，来说明形成金属薄膜成的工序。
图5表示了辊对辊溅镀装置50的一结构例。
辊对辊溅镀装置50具有框体51，可将其几乎全部构成部件容纳于所述框体51中。
图5中的框体51的形状被表示为长方体形，然而对框体51的形状并无特别限定，可根据其内部收容的装置、设置位置、耐压性能等，采用任意的形状。例如，框体51的形状可以是圆筒形状。
在此，成膜开始时，为了除去与成膜无关的残留气体，优选将框体51内部减压至10-3Pa以下，更优选减压至10-4Pa以下。在此，无需使框体51内部的整体都减压至上述压力，也可以仅使图中配置有用于进行溅镀的下述罐辊53的下侧区域减压至上述压力。
在框体51内，可以配置用于提供金属薄膜层成膜基材的卷出辊52、罐辊53、溅镀阴极54a～54d、卷取辊55等。另外，在金属薄膜层成膜基材的搬运路径上，除了上述各辊之外，还可以设置导向辊或加热器56等。
卷出辊52、罐辊53、卷取辊55等可从伺服电机获得动力。可以通过粉末离合器等的扭矩控制，使卷出辊52、卷取辊55保持金属薄膜层成膜基材的张力平衡。
关于罐辊53的结构并无特别限定，例如可以是表面被施以硬质铬镀层加工，内部有来自框体51外部的冷媒或热媒循环，从而能够保持大致恒定的温度的结构。
溅镀阴极54a～54d优选为磁控管阴极式，并与罐辊53相对配置。关于溅镀阴极54a～54d的尺寸并无特别限定，但优选溅镀阴极54a～54d的沿着金属薄膜层成膜基材的宽度方向的尺寸比金属薄膜层成膜基材的宽度大。
金属薄膜层成膜基材被搬运至辊对辊真空成膜装置即辊对辊溅镀装置50内，然后在与罐辊53相对的溅镀阴极54a～54d进行金属薄膜层成膜。
使用辊对辊溅镀装置50进行金属薄膜层成膜的情况下，在溅镀阴极54a～54d装配与成膜组成物相对应的靶(target)。并且，使用真空泵57a及57b，对卷出辊52上已设有金属薄膜层成膜基材的装置内进行真空排气，然后可以通过气体提供部件58向框体51内导入氩等溅镀气体。关于气体提供部件58的结构并无特别限定，可以具有未图示的气体储藏罐。并且，在气体储藏罐与框体51之间，按不同的气体种类设置质量流量控制器(MFC)581a及581b、阀582a及582b，以能够控制向框体51内提供各气体的量。图5表示了设置2组质量流量控制器及阀的例子，然而对设置数量并无特别限定，可以根据所使用的气体的种类选择设置的数量。向框体51内提供溅镀气体时，优选通过调整溅镀气体的流量、及设于真空泵57b与框体51之间的压力调整阀59的开度，使装置内保持例如0.13Pa以上1.3Pa以下，并进行成膜。
在此状态下，例如以每分1m以上20m以下的速度由卷出辊52搬运基材，并由与溅镀阴极54a～54d连接的溅镀用直流电源提供电力，来进行溅镀放电。由此能够在基材上连续形成所希望的铜薄膜层。
在此，辊对辊溅镀装置50，除了上述部件之外还可以设置任意的部件。例如图5所示，可以设置用于测定框体51内的真空度的真空计60a、60b或通气阀61a、61b等。
以下，关于形成金属镀层的工序进行说明。关于以湿式镀法形成金属镀层的工序中的条件，即，电镀处理的条件并无特别限定，采用常用法中的诸条件即可。例如，将形成有金属薄膜层的基材放入装有金属镀液的镀槽内，通过对电流密度、基材的搬运速度进行控制，能够形成金属镀层。
在此，图6表示了可适用于本实施方式的导电性基板的制造方法中通过湿式镀法形成金属镀层的工序的辊对辊连续电镀装置(以下称之为镀层装置70)的一结构例。
在透明基材的至少一个面形成有金属薄膜层的附带金属薄膜层的透明基材F2由卷出辊71卷出，在电镀槽72内被反复浸渍于镀液721中并被连续搬运。在此，721a指镀液的液面。
在附带金属薄膜层的透明基材F2被浸渍于镀液721中的期间，通过电镀在金属薄膜层的表面形成金属镀层，形成了规定膜厚的金属层，然后作为导电性基板S由卷取辊73卷取。在此，附带金属薄膜层的透明基材F2的搬运速度优选在0.1m/分～数十m/分的范围。
具体而言，附带金属薄膜层的透明基材F2由卷出辊71卷出，经过供电辊74a，被浸渍于电镀槽72内的于镀液721中。附带金属薄膜层的透明基材F2进入电镀槽72内之后，经由反转辊75a其搬运方向被反转，并经由供电辊74b而被引向电镀槽72之外。
如上所述，通过由镀液外的供电辊74a～74e及镀液内的反转辊75a～75d对附带金属薄膜层的透明基材F2进行搬运，使之反复多次(图6中为4次)浸渍于镀液中。并且，在电镀槽72内的附带金属薄膜层的透明基材F2的搬运路径上配置有阳极76a～76h，能够在附带金属薄膜层的透明基材F2的金属薄膜层上形成金属镀层。
可以在供电辊74a与阳极76a之间预先连接电源(未图示)。从而，供电辊74a、阳极76a、镀液、附带金属薄膜层的透明基材F2可构成电镀电路。
在此，关于阳极76a的结构并无特别限定，例如能够使用表面经过导电性陶瓷涂层的阳极等。
另外，在电镀槽72的外部，可以具备向镀液721提供用于构成金属镀层的金属离子的结构。关于向镀液721提供金属离子的方法并无特别限定，例如，作为金属离子提供铜离子的情况下，可以采用以下任一种提供方法。
例如，通过向镀槽72提供氧化铜水溶液、氢氧化铜水溶液、碳酸化水溶液等，能够向镀槽72内的镀液721提供铜离子。
或者，向镀液721中添加微量的铁离子，以使无氧铜球溶解，从而向镀槽72内的镀液721提供铜离子。
关于形成金属镀层时的电流密度，优选随着从阳极76a向搬运方向的下游侧推移，使所述电流密度阶段式上升，并在阳极76g至76h达到最大电流密度。
通过这样使电流密度上升，能够防止成膜的金属镀层发生变色。尤其是金属镀层的膜厚较薄的情况下，电流密度高时容易发生金属镀层的变色，因此，除了进行下述周期性反电流(Periodic Reverse)镀层时的反向电流之外，镀层时的电流密度优选为0.1A/dm2以上8A/dm2以下。其理由在于，电流密度为0.1A/dm2以上时，能够以充分的速度进行金属镀层的成膜，电流密度为8A/dm2以下时，能够抑制成膜的金属镀层发生外观不良。
在本实施方式的导电性基板中，如上所述，通过金属层形成工序形成的金属层可以包括与透明基材相对的第1金属层表面、位于第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面。并且，第2金属层表面的表面粗糙度Ra优选为0.01μm以上0.1μm以下。
金属层的第2金属层表面即为金属层的表面当中位于导电性基板的表层侧的表面。并且，关于将第2金属层表面设为所希望的表面粗糙度Ra的方法并无特别限定，可以采用任意的方法。
作为将第2金属层表面设为所希望的表面粗糙度Ra的方法，例如可以举出通过蚀刻或化学研磨来对成膜之后的金属层表面进行表面处理，从而获得所希望的表面粗糙度的方法。
另外，可以举出通过选择进行金属薄膜层成膜时的溅镀条件，从而使金属薄膜层的最表面的表面粗糙度满足所希望的表面粗糙度的方法。另外，在金属层仅由金属薄膜层构成的情况下，可以选择溅镀条件，从而将金属层薄膜层的最表面设为所希望的金属层表面粗糙度。另外，在金属层具有金属薄膜层及金属镀层的情况下，在金属薄膜层上形成金属镀层时，可以选择金属薄膜层成膜时的溅镀条件，以使金属镀层的表面粗糙度成为所希望的金属层表面粗糙度。
作为其他方法，在金属层包含金属薄膜层与金属镀层的情况下，通过选择金属镀层成膜时的镀层条件，能够将金属层的最表面设为所希望的表面粗糙度。
具体例如可以举出，在进行金属镀层成膜时，在金属镀层成膜工序的后半的任意时间，降低电流密度(Dk值)使之低于通常镀层时的水平，从而以低电流密度进行金属镀层成膜的方法。通过以低电流密度进行金属镀层成膜，与降低电流密度之前相比，可以使成膜的金属镀层的表面变得更为粗糙，因此，通过调整电流密度，能够获得所希望的表面粗糙度。
另外，金属镀层成膜时通过进行PR电流(周期性反向电流)镀层，能够将金属层的表面粗糙度设为所希望的表面粗糙度。PR电流镀层是一种在金属镀层成膜时使电流方向在任意时间反转的镀层方法，可使电流方向周期性反转。PR电流镀层中，通过使电流方向反转，使成膜的金属镀层一部分溶解。因此，容易调整金属镀层的表面粗糙镀。
作为将第2金属层表面设为所希望的表面粗糙度的方法，举出了对金属层进行蚀刻或化学研磨的方法、选择金属薄膜层的溅度条件的方法、使用低电流密度的镀法、PR电流镀敷法，可以选择其中任一种方法来实施。或者，可以通过选择并组合2种以上的方法，使第2金属层表面具有所希望的表面粗糙度。
作为将第2金属层表面设为所希望的表面粗糙度的方法，在上述方法中尤其优选使用PR电流镀敷法。其理由在于，在进行镀层时，通过使提供的电流方向在任意的时间反转，能够较容易的将金属层的表面设为所希望的粗糙度。
以下，关于利用PR电流镀敷法将第2金属层表面的表面粗糙度设为所希望的范围的方法进行说明。
在利用PR电流镀敷法将第2金属层表面的表面粗糙度设为所希望的范围的情况下，在从金属镀层的第2金属镀层表面开始的100nm以上1500nm以下的范围，优选利用PR电流镀敷法进行成膜。另外，在利用PR电流镀敷法对金属镀层中的一部分进行成膜的情况下，例如，通过通常的电镀法开始进行金属镀层的成膜之后，对于从第2金属膜表面开始的规定范围的厚度，可以利用PR电流镀敷法进行金属镀层的成膜。
使用PR电流的情况下，施加电流方向与通常镀层时的电流(正电流)相反的反向电流，其电流值可为正电流的1倍以上9倍以下。其理由在于，通过将反向电流设为正电流的1倍以上，能够使成膜的金属镀层的表面的一部分高效熔化。另外，通过将反向电流设为9倍以下，能够防止金属镀层的表面急速熔化，及第2金属层表面的表面粗糙度过大。
作为反向电流时间比率，优选是利用PR电流镀敷法进行镀层的镀层时间中的1％以上20％以下。其理由在于，通过将镀层时间中的反向电流时间比率设为1％以上，能够使成膜的金属镀层的表面的一部分充分熔化，以提高表面粗糙度。另外，通过将镀层时间中的反向电流时间比率设为20％以下，能够防止成膜的金属镀层的表面大幅度熔化，及防止金属镀层的成膜速度大幅度降低。
另外，PR电流镀敷法中，从反向电流流过之后到下一个反向电流流入为止的间隔，即，反向电流的周期优选为10毫秒(ms)以上300毫秒以下，更优选为20毫秒以上300毫秒以下。其理由在于，反向电流流过之后流通正电流的时间小于10毫秒时，在正电流再次开始流通之后尚未能充分进行金属镀层成膜的情况下就会有反向电流流入，而有可能造成金属镀层的成膜速度下降，生产性降低。另外，反向电流流过之后流通正电流的时间超过300毫秒时，从正电流开始流通之后到下一个反向电流流入为止成膜的金属镀层的膜厚可能会增厚。如上所述，流通正电流进行成膜的金属镀层的膜厚增厚的情况下，流通正电流之前利用反向电流提高金属镀层的表面粗糙度的效果可能会因此降低，而造成生产性降低。
此外，可以通过适当调整镀层电压，以实现例如上述电流密度、反向电流与正电流的镀层时间等。
由图6所示的镀层装置70实施PR电流镀敷法的情况下，例如，在位于附带金属薄膜层的透明基板F2的搬运路径的下游侧的1个以上的阳极，通过使正电流与反向电流周期性反转的PR电流流通，能够实施所述PR电流镀敷法。流通PR电流的阳极数，取决于采用PR电流法从金属镀层的表面向透明基材侧进行金属镀层的成膜范围的比率。例如，在设于镀槽72内的阳极76a～76h中，在阳极76h使正电流与反向电流周期性反转即提供PR电流，还可以根据需要向阳极76g、阳极76f、阳极76e等提供PR电流。
另外，还可以向全部阳极提供PR电流，通过PR电流镀敷法来形成全部金属镀层，然而，用于PR电流的整流器价格高，因此会导致制造成本上升。并且，无需通过PR电流镀敷法来形成金属镀层整体，例如，采用PR电流镀敷法，从第2金属层表面开始向透明基材的方向，以100nm以上1500nm以下的膜厚进行成膜时，可以将第2金属层表面的表面粗糙镀设为所希望的范围。由此，如上所述，关于设置在镀层装置70的阳极，优选仅对位于附带金属薄膜层的透明基板F2的搬运路径的下游侧的一部分阳极提供PR电流。
以下，关于黑化层形成工序进行说明。
黑化层形成工序中，可以采用任意的方法来形成黑化层。例如，可以采用干式法或湿式法来进行成膜。
采用干式法进行黑化层成膜时，关于其具体方法并无特别限定，例如可以优选使用溅镀法、离子镀法或蒸镀法等干式镀法。采用干式法进行黑化层成膜时，溅镀法容易控制膜厚，因此更优选使用溅镀法。在此，如上所述，在黑化层中还可以添加从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素，在此情况下更优选使用反应性溅镀法。
采用湿式法形成黑化层的情况下，可以使用与黑化层的材料相应的镀液，例如采用镀法进行成膜。
在此，由于湿式法的成膜生产性尤其良好，因此优选采用湿式法形成黑化层。并且，采用湿式法形成黑化层的情况下，作为黑化层的材料优选使用镍锌。
通过使用至少包含镍离子及锌离子的镀液的镀法，能够形成镍锌黑化层。在此，采用电镀法形成镍锌黑化层的情况下，例如能够使用在金属层形成工序中说明的辊对辊连续电镀装置。作为向镀液721提供镍离子及锌离子的方法，例如可以举出提供金属盐水溶液的方法。
在黑化层形成工序形成的黑化层可以具有与透明基材相对的第1黑化层表面、位于第1黑化层表面的相反侧的第2黑化层表面。并且，第2黑化层表面的表面粗糙度优选为0.016μm以上0.09μm以下，更优选为0.02μm以上0.07μm以下。
其理由在于，通过将第2黑化层表面的表面粗糙度设为0.016μm以上，可以在黑化层表面漫反射光，从而能够格外抑制导电性基板的光反射率。然而，第2黑化层表面的表面粗糙度超过0.09μm时，黑化层的色调有时会发白。由于黑化层的色调发白，若将导电性基板用于显示器用触控面板等用于的情况下，可能会导致显示器的识别性降低，因此优选为0.09μm以下。
黑化层的厚度例如优选为15nm以上、更优选为25nm以上。另外，关于黑化层的厚度的上限值并无特别限定，例如，黑化层的厚度优选为70nm以下，更优选为50nm以下。
关于使第2黑化层表面的表面粗糙度满足上述范围的方法并无特别限定，例如可以采用与上文所述的将第2金属层表面的表面粗糙度设为规定范围的方法相同的方法。具体而言，可以举出对成膜的黑化层的第2黑化层表面进行蚀刻或化学研磨的方法、通过溅镀法形成黑化层时选择溅镀条件的方法。另外，通过电镀法形成黑化层的情况下，可以采用低电流密度电镀法、PR电流镀敷法等。
在此，黑化层如上所述其厚度优选为数十nm程度。由于黑化层的膜厚薄者为佳，因此，位于黑化层的下层的层表面，例如，金属层的第2金属层表面的表面粗糙镀对黑化层的影响较强。在此，例如在具有规定的表面粗糙度的金属层的第2金属层表面上，不采用低电流密度的镀敷法等，而采用常用的镀敷法形成黑化层，从而可使黑化层的第2黑化层表面具有所希望的表面粗糙度。
在此，如上所述，除了形成在金属层的第2金属层表面上的黑化层之外，还可以在透明基材与金属层之间配置黑化层。在此情况下，还可以在准备透明基材的工序之后、金属层形成工序之前，实施黑化层形成工序。在此，透明基材是通常的绝缘性材料，因此用于在透明基材与金属层之间形成黑化层的黑化层形成工序中，优选采用干式法形成黑化层。关于其他事项，可以采用与上述黑化层形成工序同样的方式实施。
并且，通过以上说明的导电性基板的制造方法获得的导电性基板，可以是具有网格状布线的导电性基板。在此情况下，除了上述工序之外，还可以包括通过对金属层、黑化层进行蚀刻来形成布线的蚀刻工序。
在所述蚀刻工序中，例如，在导电性基板的最表面形成具有开口部的保护层，所述开口部与通过蚀刻被除去的部分对应。图1A所示的导电性基板的情况，可以在导电性基板的最表面的叠层有黑化层13等的一侧的面，即最表面A上形成保护层。在此，图1A中的导电性基板的最表面A表示与黑化层表面13b相同的面。另外，关于具有与通过蚀刻被除去的部分对应的开口部的保护层的形成方法，并无特别限定，例如可以通过光刻法形成。
然后，通过从保护层上面提供蚀刻液，能够实施金属层12、黑化层13的蚀刻。
在此，如图1B所示在透明基材11的两面配置有金属层、黑化层的情况下，可以在导电性基板的最表面A以及B分别形成具有规定形状的开口部的保护层，并对形成于透明基材11的两面的金属层、黑化层同时进行蚀刻。
另外，对形成于透明基材11的两侧的金属层及黑化层，也可以对每侧分别进行蚀刻。即，例如，可以在进行金属层12A及黑化层13A的蚀刻之后，进行金属层12B及黑化层13B的蚀刻。
关于在蚀刻工序中使用的蚀刻液并无特别限定，可以根据构成蚀刻对象层的材料，任意选择。例如，可以按每层变更蚀刻液，或者也可以使用相同的蚀刻液同时对金属层及黑化层进行蚀刻。
关于在蚀刻工序形成的图案并无特别限定，可以是任意形状。例如，图1A所示的导电性基板10A的情况，如前文所述可以使金属层12及黑化层13形成包含多个直线或锯齿型弯曲线(z型直线)的图案。
另外，图1B所示的导电性基板10B的情况，可以由金属层12A与金属层12B形成网格状布线的图案。在此情况下，优选分别进行图案化，以使黑化层13A成为与金属层12A相同的形状、使黑化层13B成为与金属层12B相同的形状。
另外，例如通过图案化工序对上述导电性基板10A的金属层12等进行图案化之后，还可以实施对图案化的2枚以上的导电性基板进行叠层的叠层工序。叠层时，例如以使各导电性基板的金属层的图案交叉的方式进行叠层，从而可获得具有网格状布线的叠层导电性基板。
关于对叠层的2枚以上的导电性基板进行固定的方法并无特别限定，例如可以利用粘合剂等进行固定。
以上，说明了本实施方式的导电性基板及导电性基板的制造方法。根据所述导电性基板，具有第1金属层表面及第2金属层表面的金属层的第2金属层表面的表面粗糙度为0.01μm以上0.1μm以下。因此，能够抑制通过黑化层到达金属层表面的光的光反射，能够格外降低导电性基板的反射率，例如，用为触控面板用导电性基板的情况下，能够抑制识别性的减低。
实施例
以下根据本发明的实施例及比较例，进一步详细说明本发明，而本发明并不限定于这些实施例。
(评价方法)
关于以下实施例、比较例中制作的导电性基板的评价方法进行说明。
(1)反射率
对以下各实施例、比较例中制作的导电性基板的反射率进行了测定。
将反射率测定单元设定在紫外可视分光光度计(株式会社岛津制作所制造型号：UV-2550)，进行了测定。
如下所述，在各实施例、比较例中制作了具有如图1A所示的结构的导电性基板。因此，进行反射率测定时，对图1A所示的导电性基板10A的叠层有黑化层13的侧露出的最表面A，以入射角5°、受光角5°、照射了波长400nm以上700nm以下范围的光。在此，在波长400nm以上700nm以下的范围内，使照射到导电性基板的光按每1nm变化并进行了测定，并以测定结果的平均值作为所述导电性基板的反射率。
(2)表面粗糙度
使用形状分析激光显微镜(KEYENCE社制造型号：VK-X150)测定了表面粗糙度Ra。
(导电性基板的制作条件)
以下说明各实施例、比较例中的导电性基板的制作条件及评价结果。
[实施例1]
制作了具有如图1A所示的结构的导电性基板。
(透明基材准备工序、金属层形成工序)
首先，准备了宽度500mm、厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)制的透明基材，并使用图5所示的辊对辊溅镀装置，在所述透明基材上形成了作为金属薄膜层的厚度200nm的铜薄膜层。其次，在铜薄膜层上形成了作为金属镀层的铜镀层。并且，对作为透明基材使用的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂制的透明基材，根据JIS K 7361-1规定的方法进行了全光线透射率评价，其结果为97％。
关于作为金属层的铜层的成膜条件进行说明。在此，作为金属层的铜层如下所述，其具有铜薄膜层及铜镀层。
在图5所示的辊对辊溅镀装置50的卷出辊52上设置了上述透明基材。另外，在溅镀阴极54a～54d设置了铜靶。
然后，将辊对辊溅镀装置50的加热器56加热至100℃，对透明基材进行加热，除去了基材中包含的水分。
进行排气使辊对辊溅镀装置50的框体51内的压力降至1×10-4Pa，然后由气体提供部件58向框体51内仅导入氩气，将压力调整至0.3Pa。然后，按每分钟2m的速度从卷出辊52搬送透明基材，并由与溅镀阴极54a～54d接触的溅镀用直流电源提供电力，进行溅镀放电，在透明基材上连续形成了作为金属薄膜层的铜薄膜层。通过所述操作，在透明基材上以200nm的厚度形成了作为金属薄膜层的铜薄膜层。
然后，利用电镀法，利用电流密度(Dk值)为1A/dm2的直流电流，析出构成了400nm的铜镀层。
对获得的金属层即铜层的第2金属层表面12b进行蚀刻处理之后，对第2金属层表面12b的表面粗糙度进行了测定，确认到平均表面粗糙度为0.022μm。
(黑化层形成工序)
然后，在金属层12的上面，即第2金属层表面，形成了60nm厚的黑化层13。作为黑化层形成了镍锌层。
在图6所示的辊对辊连续电镀装置70中，对全部的阳极提供正电流，使其电流密度成为0.4A/dm2，并作为镀液使用了包含镍离子及锌离子的镍·锌镀液，此外按照与上述铜镀层相同的方式进行了成膜。
对获得的黑化层的第2黑化层表面的平均表面粗糙度进行测定的结果为0.025μm。
另外，对制作的导电性基板的反射率进行测定的结果，反射率的平均为13.99％。
其结果如表1所示。
[实施例2]
形成铜镀层时，利用直流电流并按照与实施例1同样的电流密度(Dk值)，析出形成了厚度200nm的铜镀层，然后利用PR电源，进一步进行析出，形成了厚度200nm的铜镀层，从而形成了合计400nm的铜镀层，以及，对铜层的第2金属层表面未进行蚀刻处理。此外按照与实施例1相同的方式制作了导电性基板。
在此，提供PR电流时，正电流的电流密度(Dk值)为3A/dm2，反向电流的电流值为正电流的电流值的3倍。并且，反向电流占PR电流镀敷法的镀层时间中的10％，从提供反向电流开始至下一次提供反向电流为止的时间，即，正电流的提供时间为50毫秒。
对获得的金属层即铜层的第2金属层表面的平均表面粗糙度进行测定的结果，确认到平均粗糙度为0.057μm。
另外，在金属层上，与实施例1同样形成了黑化层，其结果黑化层的第2黑化层表面的平均表面粗糙度为0.060μm。
对制作的导电性基板的反射率进行测定的结果，反射率的平均为5.53％。
其结果如表1所示。
[比较例1]
利用电镀法，通过直流电流进行析出，形成膜厚4000nm的铜镀层，对铜层的第2金属层表面未进行蚀刻处理，此外按照与实施例1同样的方式，制作了导电性基板。
对金属层的第2金属层表面的平均表面粗糙度进行测定的结果为0.009μm。
另外，在金属层上，与实施例1同样形成了黑化层，然后对黑化层的第2黑化层表面的平均表面粗糙度进行测定的结果为0.015μm。
对制作的导电性基板的反射率进行测定的结果，反射率的平均为20.76％，确认到超出导电性基板规格中规定的20％的基准。因此，未能用作导电性基板。
其结果如表1所示。
[比较例2]
形成金属镀层时，利用直流电流析出形成了厚度2000nm的铜镀层，然后利用PR电源，进一步进行析出，形成了厚度2000nm的铜镀层，从而形成了合计4000nm的铜镀层，以及，对铜层的第2金属层表面未进行蚀刻处理。此外按照与实施例1相同的方式制作了导电性基板。
在此，提供PR电流时，反向电流的电流值与正电流的电流值相同。并且，反向电流占镀层时间中的5％，从提供反向电流开始至下一次提供反向电流为止的时间，即，正电流的提供时间为100毫秒。
对获得的金属层即铜层的第2金属层表面的平均表面粗糙度进行测定的结果，确认到平均粗糙度为0.105μm。
另外，在金属层上，与实施例1同样形成了黑化层，其结果黑化层的第2黑化层表面的平均表面粗糙度为0.094μm。
对制作的导电性基板的反射率进行测定的结果，反射率的平均为0.73％。然而，黑化层的色调不良，因此未能用作导电性基板。
其结果如表1所示。
[表1]
图7表示对各实施例及比较例进行测定的第2金属层表面的表面粗糙度与第2黑化层表面的表面粗糙度的关系，图8表示第2金属层表面的表面粗糙度与反射率的关系。
如图7所示，可确认到，第2金属层表面的表面粗糙度与形成在第2金属层表面的黑化层的第2黑化层表面的表面粗糙度表面粗糙度彼此为大体直线状的关系。其理由在于，黑化层的膜厚较薄，因此第2金属层表面的表面粗糙度与第2黑化层表面的表面粗糙度大体成为等值。
另外，从图8可确认到，通过将第2金属层表面的表面粗糙度Ra设为0.01μm以上，能够大幅降低导电性基板的反射率。
以上，根据实施方式及实施例等说明了导电性基板，而本发明并不限定于以上实施方式及实施例。在权利要求所记载的本发明要旨的范围内，可以进行各种变形及变更。
本申请基于2015年8月26日向日本专利厅提出的专利申请2015-166771号请求优先权，并引用专利申请2015-166771号的全部内容。
符号说明
10A、10B、20A、20B、30 导电性基板
11 透明基材
12、12A、12B 金属层
13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B 黑化层
12a 第1金属层表面
12b 第2金属层表面
13a 第1黑化层表面
13b、132a 第2黑化层表面
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种导电性基板，其包括：
透明基材；
金属层，形成在所述透明基材的至少一个面侧，并具有与所述透明基材相对的第1金属层表面、及位于所述第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面；以及
黑化层，形成在所述第2金属层表面上，
所述金属层的所述第2金属层表面的表面粗糙度Ra为0.01μm以上0.1μm以下，
所述导电性基板对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为20％以下。
2.根据权利要求1所述的导电性基板，其中，
所述黑化层具有与所述透明基材相对的第1黑化层表面、及位于所述第1黑化层表面的相反侧的第2黑化层表面，
所述第2黑化层表面的表面粗糙度Ra为0.016μm以上0.09μm以下。
3.(修改后)根据权利要求1或2所述的导电性基板，其中，
所述金属层的厚度为50nm以上，
所述黑化层的厚度为15nm以上。
4.(修改后)根据权利要求1至3中的任一项所述的导电性基板，其中，
所述导电性基板具有网格状的布线。
5.(删除)。
说明或声明(按照条约第19条的修改)
1.修改内容
(1)将原权利要求3并入权利要求1中。
(2)将原权利要求4、5改为权利要求3、4。
(3)删除权利要求5。
2.说明
将权利要求3中记载的“所述导电性基板对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为20％以下”并入权利要求1中。
反射率会根据取平均值还是取特定波长时的值，以及，即使取平均值时也根据所测定的波长范围而大有不同。
此外，文献1(CN104749830A)中并未记载或暗示对波长400nm以上700以下的光的平均反射率为20％的导电性基板。

Claims (5)

1.一种导电性基板，其包括：
透明基材；
金属层，形成在所述透明基材的至少一个面侧，并具有与所述透明基材相对的第1金属层表面、及位于所述第1金属层表面的相反侧的第2金属层表面；以及
黑化层，形成在所述第2金属层表面上，
所述金属层的所述第2金属层表面的表面粗糙度Ra为0.01μm以上0.1μm以下。
2.根据权利要求1所述的导电性基板，其中，
所述黑化层具有与所述透明基材相对的第1黑化层表面、及位于所述第1黑化层表面的相反侧的第2黑化层表面，
所述第2黑化层表面的表面粗糙度Ra为0.016μm以上0.09μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电性基板，其中，
所述导电性基板对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为20％以下。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的导电性基板，其中，
所述金属层的厚度为50nm以上，
所述黑化层的厚度为15nm以上。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的导电性基板，其中，
所述导电性基板具有网格状的布线。
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