CN107614757A - 黑化镀液、导电性基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，且pH值为4.0以上6.5以下的黑化镀液。

Description

黑化镀液、导电性基板

技术领域

本发明涉及一种黑化镀液、导电性基板。

背景技术

电容式触控面板，通过检测接近面板表面的物体所引起的静电容量的变化，将该接近的物体于面板表面上的位置信息变换成电信号。电容式触控面板中使用的导电性基板被设置在显示器的表面，因此要求导电性基板的导电层的材料具有反射率低、不易目视判别的特性。

因此，作为电容式触控面板中使用的导电层的材料，使用反射率低、不易目视判别的材料，并在透明基板或透明薄膜上形成配线。

例如，专利文献1公开了一种包含高分子薄膜以及透明导电膜的透明导电性薄膜，该透明导电膜由在该高分子薄膜上通过气相成膜法形成的金属氧化物构成，还公开了作为由金属氧化物构成的透明导电膜使用氧化铟-氧化锡(ITO)膜的内容。

然而，近年来具备触控面板的显示器进而趋向大画面化，随之，用于触控面板的透明导电性薄膜等的导电性基板也被要求大面积化。可是，ITO因其电阻值高，而存在无法应对导电性基板的大面积化的问题。

对此，作为导电层的材料，在研究使用铜等金属来代替ITO的方法。然而，由于金属具有金属光泽，因反射会造成显示器的识别性降低的问题。因此，在研究导电层的表面经黑化处理，即通过干式法(dry method)形成黑色材料的层的导电性基板。

<现有技术文献>

<专利文献>

专利文献1：(日本)特开2003-151358号公报

发明内容

<本发明要解决的课题>

然而，历来研究的黑色材料，无法对采用铜等金属的导电层表面的光反射进行充分抑制。另外，若要通过干式法对导电层表面进行充分的黑化处理，需要时间，而生产率低。

鉴于现有技术中的上述问题，本发明的一个形态的目的在于提供一种用于形成能够充分抑制金属层表面的光反射的黑化层的黑化镀液。

<解决上述课题的手段>

为了解决上述问题，本发明的一个形态，提供一种包含硫酸镍(Nickel sulfate)、硫酸锌(Zinc sulfate)、氨基磺酸(Amido sulfuric acid)，且pH值为4.0以上6.5以下的黑化镀液。

<发明的效果>

根据本发明的一个形态，能够提供一种黑化镀液，其用于形成能够充分抑制金属层表面的光反射的黑化层。

附图说明

图1A是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。

图1B是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。

图2A是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。

图2B是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。

图3是本发明的实施方式的具有网格状配线的导电性基板的俯视图。

图4A是沿着图3中的A-A’线的剖面图。

图4B是沿着图3中的A-A’线的剖面图。

具体实施方式

以下，关于本发明的黑化镀液、导电性基板的一实施方式进行说明。

(黑化镀液)

本实施方式的黑化镀液可包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，且pH值为4.0以上6.5以下。

关于如何以高生产率形成可充分抑制金属层表面的光反射的黑化层的方法，本发明的发明者们进行了锐意研究。

历来，黑化处理采用干式法，因此生产率较低。对此，本发明的发明者们，为了以高生产率形成黑化层，研究了采用湿式法形成黑化层的方法。从而，就适于进行黑化层成膜的黑化镀液进行了研究。

在研究黑化镀液的过程中，本发明的发明者们发现，作为黑化层通过使用包含镍与锌的层，能够抑制金属层表面的光反射，从而能够抑制导电性基板的反射率。由此，黑化镀液优选是能够形成包含镍与锌的层的镀液。

因此，本实施方式的黑化镀液可以包含硫酸镍与硫酸锌。并且，通过包含具有络合剂功效的氨基磺酸，能够抑制所形成的黑化层中产生色斑。

在此，黑化镀液的pH值小于4.0时，形成的黑化层有时并不能成为可充分抑制光反射的颜色，因此pH值优选为4.0以上。另外，黑化镀液的pH值超过6.5时，黑化镀液成分的一部分有时会发生析出等，若使用该黑化镀液形成黑化层，则有可能在黑化层形成色斑。因此，黑化镀液的pH值优选为6.5以下。

关于调整黑化镀液的pH值时使用的药剂并无特别限定，但优选使用不含金属成分的碱性药剂，以避免对成膜的黑化层结构造成影响。因此，例如优选使用氨水(ammoniawater)来调整pH值。即，黑化镀液中，作为pH值调整剂可以包含氨(氨水)。

如上所述，本实施方式的黑化镀液可以包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，对各成分的含有量并无特别限定，可以根据所要形成的黑化层被要求的反射率抑制程度等，任意选择。

例如，硫酸镍被认为以硫酸镍6水合物的形式存在于黑化镀液中，黑化镀液中的硫酸镍6水合物的浓度优选为30g/L以上。其理由在于，通过将硫酸镍6水合物的浓度设为30g/L以上，在形成的黑化层中可提供充足的镍，从而能够抑制黑化层发生色斑等。关于黑化镀液中的硫酸镍6水合物的浓度的上限值并无特别限定，例如可以添加硫酸镍6水合物饱和浓度以下的浓度。尤其从抑制在使用黑化镀液进行黑化层成膜之前镀液中产生析出物等的观点而言，优选为100g/L以下。

另外，硫酸锌被认为以硫酸锌7水合物的形式存在于黑化镀液中，黑化镀液中的硫酸锌7水合物的浓度优选为1.0g/L以上7.5g/L以下。其理由在于，通过将黑化镀液中的硫酸锌7水合物的浓度设为1.0g/L以上，能够使形成的黑化层成为更适于抑制金属层表面的光反射的颜色，从而尤其能够抑制导电性基板的光反射率。另外，将硫酸锌7水合物的浓度设为大于7.5g/L时，成膜的黑化层有时会发生色斑等，因此优选7.5g/L以下。

另外，相对于黑化镀液中作为金属成分的镍及锌的合计含有量(含有重量)，作为金属成分的锌的含有量(含有重量)比率优选为2重量％以上20重量％以下。

黑化层通过同时含有镍与锌，能够成为适于抑制金属层表面的光反射的颜色。并且，相对于黑化镀液中作为金属成分的镍及锌的合计重量，作为金属成分的锌的比率为2重量％以上时，可获得尤其适于抑制金属层表面的光反射的颜色，从而能够抑制导电性基板的反射率。

然而，锌的比率过高时，形成的黑化层可能会发生色斑等。因此，相对于黑化镀液中作为金属成分的镍及锌的合计重量，作为金属成分的锌的比率优选为20重量％以下。

关于黑化镀液中氨基磺酸的浓度并无特别限定，例如优选为10g/L以上30g/L以下。

本实施方式的黑化镀液中，除了硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸之外，还可以包含任意成份。例如，作为添加剂可以添加钼(Mo)化合物及/或锡(Sn)化合物。

根据以上说明的本实施方式的黑化镀液，适合用于形成可充分抑制导电性基板的金属层表面的光反射的黑化层。另外，通过使用本实施方式的黑化镀液，能够采用电镀法等湿式法进行黑化层成膜，因此，与历来的干式成膜的黑化层相比，能够以高生产率形成黑化层。

(导电性基板)

以下，关于本实施方式的导电性基板的一结构例进行说明。

本实施方式的导电性基板可以包括透明基材、形成于透明基材的至少一个面上的金属层、及使用黑化镀液形成于金属层上的黑化层。

另外，本实施方式中的导电性基板是指，在透明基材的表面具备金属层及黑化层且对金属层等进行图案化之前的基板，以及对金属层等进行图案化之后的基板，即，配线基板。

在此，首先关于导电性基板中包含的各构件进行说明。

作为透明基材并无特别限定，能够优选使用可使可见光通过的树脂基板(树脂薄膜)或玻璃基板等透明基材。

作为可使可见光通过的树脂基板的材料，例如可以优选使用聚酰胺(polyamide)类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)类树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)类树脂、环烯烃(Cycloolefin)类树脂、聚亚酰胺(Polyimide)类树脂、聚碳酸酯(polycarbonate)类树脂等树脂。尤其是，作为可使可见光通过的树脂基板的材料，更可优选使用聚酰胺、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、COP(环烯烃聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚亚酰胺、聚碳酸酯等。

关于透明基材的厚度并无特别限定，可以根据用于导电性基板时被要求的强度、静电容量或透光率等，任意选择。透明基材的厚度例如可以是10μm以上200μm以下。尤其是用于触控面板用途的情况下，透明基材的厚度优选为20μm以上120μm以下，更优选为20μm以上100μm以下。用于触控面板的用途的情况下，例如在尤其要求削减显示器整体厚度的用途中，透明基材的厚度优选为20μm以上50μm以下。

透明基材优选具有高的全光线透射率，例如其全光线透射率优选为30％以上，更优选为60％以上。通过使透明基材的全光线透射率保持上述范围，例如在用于触控面板用途时，可充分保证显示器的识别性。

在此，可以根据JIS K 7361-1规定的方法来评价透明基材的全光线透射率。

其次，关于金属层进行说明。

关于构成金属层的材料并无特别限定，可以选择电导率符合用途的材料，例如，构成金属层的材料优选是Cu以及从Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中选择的至少1种以上的金属的铜合金或含铜材料。另外，金属层也可以是由铜构成的铜层。

关于在透明基材上形成金属层的方法并无特别限定，但为了避免透光率降低，透明基材与金属层之间不配置粘合剂为佳。即，优选在透明基材的至少一个面上直接形成金属层。另外，如下所述在透明基材与金属层之间配置密接层的情况下，优选在密接层的上面直接形成金属层。

由于是在透明基材等的上面直接形成金属层，因此金属层优选具有金属薄膜层。另外，金属层也可以具有金属薄膜层与金属镀层。

例如，在透明基材上，可通过干式镀法形成金属薄膜层，并以该金属薄膜层作为金属层。由此，不使用粘合剂，就能够在透明基材上直接形成金属层。并且，作为干式镀法，例如可以优选使用溅镀法、蒸镀法或离子镀法等。

另外，对金属层的膜厚进行加厚时，以金属薄膜层作为供电层，并通过作为湿式镀法之一种的电镀法来形成金属镀层，从而能够获得具有金属薄膜层及金属镀层的金属层。金属层通过具备金属薄膜层及金属镀层，在此情况下也能够在透明基材上直接形成金属层，而无需使用粘合剂。

关于金属层的厚度并无特别限定，将金属层用为配线的情况下，可以根据提供给该配线的电流大小或配线宽度等，任意选择。

然而，随着金属层的增厚，为了形成配线图案而进行蚀刻时，蚀刻所需时间更长，而容易发生侧蚀，造成不易形成细线等的问题。因此，金属层的厚度优选为5μm以下，更优选为3μm以下。

另外，尤其从降低导电性基板的电阻值，以提供充分的电流的观点而言，例如金属层的厚度优选为50nm以上，更优选为60nm以上，进而优选为150nm以上。

另外，金属层如上所述具有金属薄膜层及金属镀层的情况下，金属薄膜层的厚度与金属镀层的厚度的合计优选在上述范围内。

在金属层由金属薄膜层构成的情况下，或具有金属薄膜层及金属镀层的情况下，关于金属薄膜层的厚度并无特别限定，例如优选为50nm以上500nm以下。

如下所述，例如通过对金属层进行图案化来构成所希望的配线图案，可将金属层用为配线。并且，与历来用于透明导电膜的ITO相比，金属层可降低电阻值，因此，通过设置金属层，能够减小导电性基板的电阻值。

以下，关于黑化层进行说明。

能够使用上文所述的黑化镀液来进行黑化层成膜。因此，例如在形成金属层之后，可以通过电镀法等湿式法，在金属层的上面形成黑化层。

因此，黑化层可以是包含镍与锌的层，更具体而言是湿式黑化层。

关于黑化镀液以上已作说明，在此省略赘述。

关于黑化层的厚度并无特别限定，例如优选为30nm以上，更优选为50nm以上。其理由在于，通过将黑化层的厚度设为30nm以上，尤其能够抑制金属层表面的光反射。

关于黑化层的厚度的上限值并无特别限定，然而不必要的加厚会使成膜所需时间或形成配线时的蚀刻所需时间延长，而造成成本上升。因此，黑化层的厚度优选为120nm以下，更优选为90nm以下。

另外，除了上述透明基材、金属层及黑化层之外，导电性基板上还可以设置任意的层。例如可以设置密接层。

关于密接层的结构例进行说明。

如上所述，可以在透明基材上形成金属层，然而，在透明基材上直接形成金属层的情况下，透明基材与金属层的密接性有时不够充分。因此，在透明基材的上面直接形成有金属层的情况下，在制造过程中或使用时，金属层有时会从透明基材剥离。

对此，本实施方式的导电性基板中，为了提高透明基材与金属层的密接性，可以在透明基材上配置密接层。

通过在透明基材与金属层之间配置密接层，能够提高透明基材与金属层的密接性，从而抑制金属层从透明基材剥离。

另外，还可以使密接层发挥作为黑化层的功能。从而，能够抑制来自金属层的下面侧，即透明基材侧的光在金属层发生光反射。

关于构成密接层的材料并无特别限定，可以根据透明基材及金属层的密接力、被要求的金属层表面的光反射抑制程度、相对于导电性基板的使用环境(例如，湿度或温度)的稳定性程度等，任意选择。

密接层优选包含例如从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中选择的至少1种以上的金属。另外，密接层还可以包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素。

另外，密接层可以包含从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中选择的至少2种以上金属的金属合金。在这种情况下，密接层还可以包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素。此时，作为从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中选择的至少2种以上金属的金属合金，可以优选使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。

关于密接层的成膜方法并无特别限定，优选通过干式镀法进行成膜。作为干式镀法，例如可以优选使用溅镀法、离子镀法或蒸镀法等。在通过干式法进行密接层成膜的情况下，容易控制膜厚，因此更优选使用溅镀法。另外，如上所述，还可以在密接层添加从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素，这种情况下更优选使用反应性溅镀法。

密接层包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素的情况下，通过在进行密接层成膜时的氛围中预先添加包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素的气体，能够将这些元素添加到密接层中。例如，想在密接层添加碳时使用一氧化碳气体及/或二氧化碳气体，想添加氧时使用氧气，想添加氢时使用氢气及/或水，想添加氮时使用氮气，可预先将这些气体添加在进行干式镀层时的氛围中。

优选将包含从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素的气体添加在惰性气体中，并以此作为进行干式镀层时的氛围气体。作为惰性气体并无特别限定，例如可以优选使用氩。

通过如上所述的干式镀法进行密接层的成膜，能够提高透明基材与密接层的密接性。并且，密接层中作为主成分例如可以包含金属，因此其与金属层的密接性也高。由此，通过在透明基材与金属层之间配置密接层，能够抑制金属层的剥离。

关于密接层的厚度并无特别限定，例如优选3nm以上50nm以下，更优选3nm以上35nm以下，进而优选3nm以上33nm以下。

关于密接层，其具有作为黑化层的功能的情况下，即，抑制金属层的光反射的情况下，如上所述，密接层的厚度优选为3nm以上。

关于密接层的厚度的上限值并无特别限定，但是，不必要的加厚会使成膜所需时间或形成配线时的蚀刻所需时间延长，而导致成本上升。因此，密接层的厚度如上所述，优选为50nm以下，更优选为35nm以下，进而优选为33nm以下。

以下，关于导电性基板的结构例进行说明。

如上所述，本实施方式的导电性基板可以具有透明基材、金属层及黑化层。另外，也可以任意设置密接层等的层。

关于具体的结构例，以下参照图1A、图1B进行说明。图1A、图1B例示了本实施方式的导电性基板的与透明基材、金属层及黑化层的叠层方向平行的面上的剖面图。

本实施方式的导电性基板例如可以具有，在透明基材的至少一个面上，从透明基材侧依次叠层有金属层与黑化层的结构。

具体而言，例如像图1A所示的导电性基板10A那样，可以在透明基材11的一个面11a侧依次叠层金属层12及黑化层13各一层。另外，像图1B所示的导电性基板10B那样，还可以在透明基材11的一个面11a及另一个面(另一面)11b侧，分别依次叠层金属层12A、12B及黑化层13A、13B各一层。

另外，还可以是例如作为任意层设置有密接层的结构。在此情况下，例如可以是，在透明基材的至少一个面上，从透明基材侧依次形成有密接层、金属层及黑化层的结构。

具体而言，例如像图2A所示的导电性基板20A那样，可以在透明基材11的一个面11a侧，依次叠层密接层14、金属层12及黑化层13。

在此情况下，也可以是在透明基材11的两面叠层有密接层、金属层及黑化层的结构。具体而言，像图2B所示的导电性基板20B那样，可以在透明基材11的一个面11a及另一个面11b侧，分别依次叠层密接层14A、14B与金属层12A、12B及黑化层13A、13B。

另外，图1B、图2B中展示了在透明基材的两面叠层有金属层、黑化层等时，以透明基材11作为对称面，将叠层于透明基材11上下的层构成对称配置的例子，但并不限定于该形态。例如，图2B中，透明基材11的一个面11a侧的结构也可以与图1B的结构同样，采用不设密接层14A而依次叠层有金属层12A与黑化层13A的形态，使叠层于透明基材11上下的层成为非对称结构。

然而，在本实施方式的导电性基板中，通过在透明基材上设置金属层及黑化层，能够抑制金属层的光反射，从而抑制导电性基板的反射率。

关于本实施方式的导电性基板的反射率程度并无特别限定，例如为了提高用为触控面板用导电性基板时的显示器的识别性，低反射率为佳。例如，波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率优选为20％以下，更优选为19％以下。

可通过向导电性基板的黑化层照射光并进行测定的方式来测定反射率。具体而言，例如图1A所示，在透明基材11的一个面11a侧依次叠层有金属层12及黑化层13的情况下，可以通过向黑化层13照射光的方式，对黑化层13的表面A照射光，并进行测定。进行测定时，例如按波长1nm的间隔，如上所述，向导电性基板的黑化层13照射波长400nm以上700nm以下的光，并将测定的值的平均值作为该导电性基板的反射率。

本实施方式的导电性基板可以优选用于触控面板用导电性基板。在此情况下，导电性基板可以是具有网格状配线的结构。

通过对以上说明的本实施方式的导电性基板的金属层及黑化层进行蚀刻，可以获得具有网格状配线的导电性基板。

例如，可以通过双层配线，构成网格状配线。具体的结构例如图3所示。图3是表示从金属层等的叠层方向的上面侧观看具有网格状配线的导电性基板30时的图，为了使配线图案清晰易懂，在此省略了对透明基材及金属层进行图案化而形成的配线31A及31B之外的层。

图3所示的导电性基板30具有透明基材11、与图中Y轴方向平行的多个配线31A、与X轴方向平行的配线31B。并且，通过对金属层进行蚀刻而形成配线31A及31B，且在该配线31A及31B的上面或下面形成有未图示的黑化层。另外，黑化层被蚀刻成与配线31A及31B相同的形状。

关于透明基材11、配线31A及31B的配置并无特别限定。透明基材11与配线的配置结构例如图4A、图4B所示。图4A、图4B相当于图3中的A-A′线的剖面图。

首先，如图4A所示，在透明基材11的上下面可以分别配置配线31A及31B。另外，图4A中，在配线31A的上面及31B的下面，配置有被蚀刻成与配线相同形状的黑化层32A及32B。

另外，如图4B所示，可以使用1组透明基材11，夹着一个透明基材11，在其上下面配置配线31A及31B，并且，一个配线31B被配置在透明基材11之间。在此情况下，在配线31A、31B的上面配置有被蚀刻成与配线相同形状的黑化层32A、32B。另外，如上文所述，除了金属层及黑化层之外，还可以设置密接层。因此，在图4A、图4B任一个情况下，均能够例如在配线31A及/或配线31B与透明基材11之间设置密接层。设置密接层的情况下，密接层也优选被蚀刻成与配线31A、31B相同的形状。

可以使用如图1B所示的、在透明基材11的两面设有金属层12A、12B及黑化层13A、13B的导电性基板，来形成具有图3及图4A所示的网格状配线的导电性基板。

以使用图1B的导电性基板来形成的情况为例进行说明，首先，对透明基材11的一个面11a侧的金属层12A、黑化层13A进行蚀刻，形成沿着X轴方向隔开规定间隔配置的、与图1B中Y轴方向平行的多个线状图案。在此，图1B中的X轴方向表示与各层的宽度方向平行的方向。另外，图1B中的Y轴方向表示图1B中与纸面垂直的方向。

然后，对透明基材11的另一面11b侧的金属层12B、黑化层13B进行蚀刻，形成沿着Y轴方向隔开规定间隔配置的、与图1B中X轴方向平行的多个线状图案。

通过以上操作，能够形成具有如图3、图4A所示的网格状配线的导电性基板。并且，可以同时对透明基材11的两面进行蚀刻。即，可以对金属层12A、12B及黑化层13A、13B同时进行蚀刻。另外，通过使用图2B所示的导电性基板进行同样的蚀刻，能够制作成图4A中在配线31A、31B与透明基材11之间还设有被图案化成与配线31A、31B相同形状的密接层的导电性基板。

通过使用2枚如图1A或图2A所示的导电性基板，能够形成如图3所示的具有网格状配线的导电性基板。以使用2枚如图1A所示的导电性基板形成的情况为例进行说明，对2枚如图1A所示的导电性基板，分别对金属层12及黑化层13进行蚀刻，形成沿着Y轴方向隔开规定间隔配置的、与X轴方向平行的多个线状图案。然后，将通过上述蚀刻处理形成在各导电性基板上的线状图案设置成彼此交叉的方向，并贴合2枚导电性基板，从而能够获得具有网格状配线的导电性基板。贴合2枚导电性基板时，关于贴合面并无特别限定。例如，可以对叠层有金属层12等的图1A中的表面A及未叠层金属层12等的图1A中的另一面11b进行贴合，获得如图4B所示的结构。

另外，也可以例如对透明基材11上未叠层金属层12等的图1A中的另一面11b彼此进行贴合，获得剖面如图4A所示的结构。

并且，通过用图2A所示的导电性基板代替图1A所示的导电性基板，能够制作成图4A、图4B中的，在配线31A及31B与透明基材11之间还设有被图案化成与配线31A及31B相同形状的密接层的导电性基板。

关于如图3、图4A及图4B所示的具有网格状配线的导电性基板中的配线的宽度、配线之间的距离并无特别限定，例如，可以根据流通于配线的电流量等进行选择。

另外，图3、图4A及图4B中表示了组合直线形状的配线来形成网格状配线(配线图案)的例子，而本形态并不限定于此，构成配线图案的配线可以是任意形状。例如，构成网格状配线图案的配线的形状可以分别是锯齿型弯曲的线(z型直线)等各种形状，以防在显示器的画像之间发生叠纹(干涉纹)。

具有上述由2层配线构成的网格状配线的导电性基板，可以优选用于例如投影型静电容量方式的触控面板用导电性基板。

根据以上说明的本实施方式的导电性基板，其具有在透明基材的至少一个面上形成的金属层上叠层黑化层的结构。并且，由于使用上文所述的黑化镀液形成黑化层，从而能够充分抑制金属层表面的光反射，获得反射率低的导电性基板。另外，用于例如触控面板等用途时，能够提高显示器的识别性。

另外，使用上文所述的黑化镀液并以湿式法形成黑化层，因此，与历来使用干式法进行黑化层成膜的情况相比，能够以高生产率生产导电性基板。

(导电性基板的制造方法)

以下，关于本实施方式的导电性基板的制造方法的一结构例进行说明。

本实施方式的导电性基板的制造方法可以包括以下工序。

在透明基材的至少一个面上形成金属层的金属层形成工序。

使用黑化镀液在金属层上形成黑化层的黑化层形成工序。

另外，作为黑化镀液可以使用上文所述的包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，且pH值为4.0以上6.5以下的黑化镀液。

以下，关于本实施方式的导电性基板的制造方法进行具体说明。

另外，本实施方式的导电性基板的制造方法，适合制造上述导电性基板。因此，除了以下说明的内容之外，可以使用与上述导电性基板相同的结构，因此省略一部分说明。

可以预先准备欲提供给金属层形成工序的透明基材。关于使用的透明基材的种类并无特别限定，可以优选使用上文所述的可使可见光通过的树脂基板(树脂薄膜)、玻璃基板等透明基材。还可以根据需要，将透明基材预先切割成任意的尺寸。

另外，如上文所述，金属层优选具有金属薄膜层。另外，金属层还可以具有金属薄膜层及金属镀层。因此，金属层形成工序可以包含例如以干式镀法形成金属薄膜层的工序。另外，金属层形成工序还可以包括，以干式镀法形成金属薄膜层的工序，以及，以该金属薄膜层作为供电层，通过作为湿式镀法之一种的电镀法来形成金属镀层的工序。

关于形成金属薄膜层的工序中使用的干式镀法并无特别限定，例如可以使用蒸镀法、溅镀法或离子镀法等。另外，作为蒸镀法可以优选使用真空蒸镀法。由于溅镀法尤其容易控制膜厚，因此作为形成金属薄膜层的工序中使用的干式镀法更优选使用溅镀法。

以下，关于形成金属镀层的工序进行说明。关于以湿式镀法形成金属镀层的工序中的条件，即，电镀处理的条件并无特别限定，採用常用法中的诸条件即可。例如，将形成有金属薄膜层的基材放入装有金属镀液的镀槽内，并通过对电流密度、基材的搬运速度进行控制，可以形成金属镀层。

以下，关于黑化层形成工序进行说明。

在黑化层形成工序中，可以使用上文所述的包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，且pH值为4.0以上6.5以下的黑化镀液形成黑化层。

可以通过湿式法形成黑化层。具体而言，例如，能够以金属层作为供电层，在装有上文所述的黑化镀液的镀槽内，以电镀法在金属层上形成黑化层。如上所述，以金属层作为供电层，并以电镀法形成黑化层，由此能够在金属层的与透明基材相对的面的相反侧的面整体上形成黑化层。

关于黑化镀液前文中已作说明，因此省略赘述。

在本实施方式的导电性基板的制造方法中，除了上述工序之外，还可以实施任意的工序。

例如，在透明基材与金属层之间形成密接层的情况下，可以实施在透明基材的用于形成金属层的面上形成密接层的密接层形成工序。实施密接层形成工序的情况下，可以在密接层形成工序之后实施金属层形成工序，在金属层形成工序，可以在本工序中透明基材上已形成有密接层的基材之上形成金属薄膜层。

在密接层形成工序中，关于密接层的成膜方法并无特别限定，优选以干式镀法进行成膜。作为干式镀法，例如可以优选使用溅镀法、离子镀法或蒸镀法等。以干式法进行密接层成膜时容易控制膜厚，因此优选使用溅镀法。另外，如上文所述，可以在密接层添加从碳、氧、氢、氮中选择的1种以上的元素，在此情况下更优选使用反应性溅镀法。

通过本实施方式的导电性基板的制造方法获得的导电性基板，例如可以用于触控面板等各种用途。并且，用于各种用途时，优选对本实施方式的导电性基板中包含的金属层及黑化层进行图案化。另外，在设置密接层的情况下，优选对密接层也进行图案化。例如可以按照所希望的配线图案，对金属层及黑化层进行图案化，根据情况还对密接层进行图案化，优选以相同形状对金属层及黑化层进行图案化，根据情况还对密接层进行图案化。

因此，本实施方式的导电性基板的制造方法可以包括对金属层及黑化层进行图案化的图案化工序。并且，形成有密接层的情况下，图案化工序可以是对密接层、金属层及黑化层进行图案化的工序。

关于图案化工序的具体顺序并无特别限定，可以按照任意顺序实施。例如，如图1A所示在透明基材11上叠层有金属层12、黑化层13的导电性基板10A的情况下，首先可以实施掩膜配置步骤，在黑化层13上的表面A配置具有所希望的图案的掩膜。其次，可以实施蚀刻步骤，向黑化层13上的表面A，即，配置有掩膜的面侧提供蚀刻液。

关于蚀刻步骤中使用的蚀刻液并无特别限定，可以根据将进行蚀刻的层的构成材料，任意选择。例如，可以按每层变更蚀刻液，或者也可以使用相同的蚀刻液同时对金属层及黑化层进行蚀刻，根据情况还对密接层进行图案化。

另外，对如图1B所示在透明基材11的一个面11a、另一面11b上叠层有金属层12A、12B及黑化层13A、13B的导电性基板10B，也可以实施图案化工序。在此情况下，例如可以实施在黑化层13A、13B上的表面A及表面B配置具有所希望的图案的掩膜的掩膜配置步骤。其次，可以实施向黑化层13A、13B上的表面A及表面B，即，配置有掩膜的面侧提供蚀刻液的蚀刻步骤。

关于在蚀刻步骤形成的图案并无特别限定，可以是任意形状。例如，图1A所示的导电性基板10A的情况，如上文所述可以使金属层12及黑化层13形成包含多个直线或锯齿型弯曲线(z型直线)的图案。

另外，图1B所示的导电性基板10B的情况，可以使金属层12A与金属层12B形成网格状配线的图案。在此情况下，优选使黑化层13A成为与金属层12A相同的形状、使黑化层13B成为与金属层12B相同的形状的方式分别进行图案化。

另外，例如通过图案化工序对上述导电性基板10A进行金属层12等的图案化之后，还可以实施对图案化的2枚以上的导电性基板进行叠层的叠层工序。叠层时，例如以使各导电性基板的金属层的图案交叉的方式进行叠层，从而可获得具备网格状配线的叠层导电性基板。

关于对叠层的2枚以上的导电性基板进行固定的方法并无特别限定，例如可以利用粘合剂等进行固定。

通过以上说明的本实施方式的导电性基板的制造方法获得的导电性基板，具有在透明基材的至少一个面上形成的金属层上叠层有黑化层的结构。并且，使用上文所述的黑化镀液形成黑化层，因此能够充分抑制金属层表面的光反射，获得反射率底的导电性基板。另外，例如用于触控面板等用途的情况下，能够提高显示器的识别性。

并且，由于能够使用上文所述的黑化镀液以湿式法形成黑化层，因此与历来使用干式法进行黑化层成膜的情况相比，能够以高生产率生产导电性基板。

【实施例】

以下根据具体的实施例、比较例进行说明，而本发明并不限定于这些实施例。

(评价方法)

首先，关于获得的导电性基板的评价方法进行说明。

(1)反射率

将反射率测定单元设定在紫外可见分光光度计(株式会社岛津制作所制造型号：UV-2600)，进行了测定。

如下所述，在各实验例中制作了具有如图1A所示的结构的导电性基板。因此，进行反射率测定时，对图1A所示的导电性基板10A的黑化层13的表面A，以入射角5°、受光角5°、及波长1nm的间隔照射了波长400nm以上700nm以下的光，并测定了正反射率，并以其平均值作为该导电性基板的反射率(平均反射率)。

(2)黑化层的外观评价

对形成的黑化层的外观进行了目视评价，不含色斑呈色均匀的情况判断为良好，产生色斑的情况判断为不良。

(3)判定

导电性基板的反射率为20％以下，且黑化层的外观评价良好的导电性基板判定为“〇”。

导电性基板的反射率超过20％，及/或黑化层的外观评价被判断为不良的导电性基板判定为“×”

(试料的制作条件)

在以下各实验例中，按照以下说明的条件制作导电性基板，并按照上述评价方法进行了评价。

[实验例1]

在实验例1中，调制了镀液的pH值不同的实验例1-1～实验例1-6等6种类的黑化镀液，然后使用各实验例的黑化镀液制作了导电性基板并进行了评价。实验例1-2～实验例1-5是实施例，实验例1-1及实验例1-6是比较例。

(1)黑化镀液

关于本实验例中制作的黑化镀液进行说明。

本实验例中制作的黑化镀液，按照硫酸镍6水合物的浓度成为40g/L、硫酸锌7水合物的浓度成为5g/L、氨基磺酸的浓度成为11g/L的方式混合了各成份。并且，为了使实验例1-1～实验例1-6的各黑化镀液的pH值成为表1所示的值，添加氨水调制了各实验例的黑化镀液。

(2)导电性基板

(金属层形成工序)

在长度100m、宽度500mm、厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)制的透明基材的一个面上形成了金属层。并且，对作为透明基材使用的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂制的透明基材，根据JIS K 7361-1规定的方法进行全光线透射率评价的结果为97％。

在金属层形成工序中，实施了金属薄膜层形成工序及金属镀层形成工序。

首先，关于金属薄膜层形成工序进行说明。

在金属薄膜层形成工序中，作为基材使用上述透明基材，并在透明基材的一个面上，作为金属薄膜层形成了铜薄膜层。

在金属薄膜层形成工序中，首先，将预先加热至60℃并除去了水分的上述透明基材，设置在溅镀装置的腔内。

其次，进行排气使腔内成为1×10^-3Pa，然后导入氩气，使腔内压力成为1.3Pa。

向预先设置在溅镀装置的阴极的铜靶提供电力，在透明基材的一个面上形成厚度0.2μm的铜薄膜层。

然后，在金属镀层形成工序中，作为金属镀层形成了铜镀层。在此，以电镀法形成了厚度0.3μm的铜镀层。

通过实施以上的金属薄膜层形成工序及金属镀层形成工序，作为金属层形成了厚度0.5μm的铜层。

将通过金属层形成工序制作的、透明基材上形成有厚度0.5μm的铜层的基板，在20g/L的硫酸中浸渍30sec，洗浄后实施了以下的黑化层形成工序。

(黑化层形成工序)

在黑化层形成工序中，使用在各实验例预先制作的黑化镀液，通过电镀法在金属层的一个面上形成了黑化层。另外，在黑化层形成工序中，所有的实验例中均以黑化镀液的温度为40℃、电流密度为0.4A/dm²、镀膜时间为50sec的条件进行电镀，形成了黑化层。

形成的黑化层的膜厚为70nm。

对通过以上工序获得的导电性基板，实施了上文所述的反射率及外观评价。其结果如表1所示。

[表1]

从表1所示的结果可确认到，使用黑化镀液的pH值为4.0以上6.5以下的实验例1-2～实验例1-5的黑化镀液制作成的导电性基板被判定为“〇”。即，确认到使用作为实施例的实验例1-2～实验例1-5的黑化镀液制作的导电性基板，其反射率为20％以下，黑化层不含色斑，颜色均匀。

相对于此，确认到黑化镀液的pH值为3.5的作为比较例的实验例1-1中，制作成的导电性基板的反射率27％，较高，而被判定为“×”。另外，确认到黑化镀液的pH值为7的作为比较例的实验例1-6中，形成的黑化层有色斑生成，被判定为“×”。

[实验例2]

在实验例2中，调制了黑化镀液中的硫酸镍6水合物的浓度不同的实验例2-1～实验例2-3的3种黑化镀液，然后使用各实验例的黑化镀液制作导电性基板，并进行了评价。实验例2-1～实验例2-3均为实施例。

(1)黑化镀液

关于本实验例中制作的黑化镀液进行说明。

以硫酸镍6水合物、硫酸锌7水合物及氨基磺酸成为规定浓度的方式，混合而调制成了本实验例中制作的黑化镀液。

本实验例的黑化镀液中添加的硫酸镍6水合物的浓度，在实验例2-1～实验例2-3中分别如表2所示的值。

在各实验例中，以按照表2所示的浓度添加硫酸镍6水合物时，作为金属成分的锌的含有量相对于作为金属成分的镍及锌的合计含有量的比率即金属锌率成为10.0重量％的方式，添加了硫酸锌7水合物。

关于氨基磺酸，以使其浓度成为11g/L的方式添加。并且，为了使黑化镀液的pH值成为6，还添加氨水来调制了各实验例的黑化镀液。

(2)导电性基板

在黑化层形成工序中，除了使用各实验例的黑化镀液之外，其他按照与实验例1相同的方式，制作了各实验例的导电性基板。

对获得的导电性基板实施了反射率及外观评价。其结果如表2所示。

[表2]

从表2的结果可确认到，使用硫酸镍6水合物的浓度在30g/L～50g/L范围的实验例2-1～实验例2-3的黑化镀液制作的导电性基板被判定为“〇”。即，确认到使用作为实施例的实验例2-1～实验例2-3的黑化镀液制作的导电性基板，其反射率为20％以下，黑化层不含色斑，颜色均匀。

[实验例3]

实验例3中，调制了黑化镀液中的硫酸锌7水合物的浓度不同的实验例3-1～实验例3-7的7种类的黑化镀液，然后使用各实验例的黑化镀液制作了导电性基板，并进行了评价。实验例3-1～实验例3-7均为实施例。

(1)黑化镀液

以下，关于本实验例中制作的黑化镀液进行说明。

以硫酸镍6水合物、硫酸锌7水合物及氨基磺酸成为规定浓度的方式，混合而调制成了本实验例中制作的黑化镀液。

关于本实验例的黑化镀液中的硫酸锌7水合物的浓度，实验例3-1～实验例3-7中分别按表3所示的值进行了添加。

另外，在各实验例中，以按照表3所示的浓度添加硫酸锌7水合物时，作为金属成分的镍及锌的合计含有量保持一定的方式，添加了硫酸镍6水合物。具体而言，按表3所示的浓度进行添加。

关于氨基磺酸，以使其浓度成为11g/L的方式进行了添加。并且，为了使黑化镀液的pH值成为6，还添加氨水来调制了各实验例的黑化镀液。

表3中还一同表示了各实验例中调制的黑化镀液的金属锌率。

(2)导电性基板

黑化层形成工序中，除了使用各实验例的黑化镀液之外，其他按照与实验例1相同的方式制作了各实验例的导电性基板。

对获得的导电性基板，实施了上文所述的反射率及外观评价。其结果如表3所示。

[表3]

从表3的结果可确认到，使用硫酸锌7水合物的浓度在1.0g/L～7.5g/L范围的实验例3-1～实验例3-7的黑化镀液制作的导电性基板被判定为“〇”。即确认到，使用作为实施例的实验例3-1～实验例3-7的黑化镀液制作的导电性基板，其反射率为20％以下，黑化层不含色斑，颜色均匀。

以上根据实施方式及实施例等说明了黑化镀液及导电性基板，但本发明并不限定于上记实施方式及实施例等。在权利要求记载的本发明要旨的范围内，可以进行各种变形、变更。

本申请根据2015年5月25日向日本国专利厅提交的日本专利申请2015-105752号专利申请，请求优先权，并且该国际申请中引用日本专利申请2015-105752号专利申请之全部内容。

符号说明

10A、10B、20A、20B、30 导电性基板

11 透明基材

12、12A、12B 金属层

13、13A、13B、32A、32B 黑化层

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种黑化镀液，包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，且pH值为4.0以上6.5以下，硫酸锌7水合物的浓度为1.0g/L以上7.5g/L以下。

2.如权利要求1所述的黑化镀液，其中，

使用氨水调整pH值。

3.如权利要求1或2所述的黑化镀液，其中，

硫酸镍6水合物的浓度为30g/L以上。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的黑化镀液，其中，

作为金属成分的锌的含量相对于作为金属成分的镍及锌的合计含量的比率为2重量％以上20重量％以下。

5.一种导电性基板，包括：

透明基材；

金属层，形成在所述透明基材的至少一个面上；以及

黑化层，使用权利要求1至4中的任一项所述的黑化镀液形成在所述金属层上。

6.如权利要求5所述的导电性基板，其中，

所述黑化层的厚度为30nm以上120nm以下。

说明或声明(按照条约第19条的修改)

1.修改内容

(1)在权利要求1追加了“硫酸锌7水合物的浓度为1.0g/L以上7.5g/L以下”的内容。

(2)删除了权利要求3中“硫酸锌7水合物的浓度为1.0g/L以上7.5g/L以下”的内容。

2.说明

文献1(JP03-024295A)中未记载或提示黑化镀液中硫酸锌7水合物的浓度为1.0g/L以上7.5g/L以下的内容。

Claims (6)

1.一种黑化镀液，包含硫酸镍、硫酸锌及氨基磺酸，且pH值为4.0以上6.5以下。

2.如权利要求1所述的黑化镀液，其中，

使用氨水调整pH值。

3.如权利要求1或2所述的黑化镀液，其中，

硫酸镍6水合物的浓度为30g/L以上，

硫酸锌7水合物的浓度为1.0g/L以上7.5g/L以下。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的黑化镀液，其中，

作为金属成分的锌的含量相对于作为金属成分的镍及锌的合计含量的比率为2重量％以上20重量％以下。

5.一种导电性基板，包括：

透明基材；

金属层，形成在所述透明基材的至少一个面上；以及

黑化层，使用权利要求1至4中的任一项所述的黑化镀液形成在所述金属层上。

6.如权利要求5所述的导电性基板，其中，

所述黑化层的厚度为30nm以上120nm以下。