JP4908257B2 - 積層体および積層体の製造方法 - Google Patents
積層体および積層体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4908257B2 JP4908257B2 JP2007036197A JP2007036197A JP4908257B2 JP 4908257 B2 JP4908257 B2 JP 4908257B2 JP 2007036197 A JP2007036197 A JP 2007036197A JP 2007036197 A JP2007036197 A JP 2007036197A JP 4908257 B2 JP4908257 B2 JP 4908257B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal thin
- metal
- layer
- insulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Description
本発明は、プリント配線板等の電気配線回路基板に好適に用いられる金属積層基板と、その製造方法に関する。
従来、基板上に金属薄膜を形成する方法には、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法、金属ペースト法等が知られている。
メッキ法によると、導電性を有する基材の上に、比較的容易に金属薄膜を形成することが可能であるが、絶縁基材の上に形成する場合には、導電層をはじめに形成する必要があるため、そのプロセスは煩雑なものになるという問題がある。また、メッキ法は溶液中での反応を利用するため、大量の廃液が副生し、この廃液処理に多大な手間とコストがかかるという問題があると共に、得られる金属薄膜の基板への密着性が充分ではない。
真空蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法等の気相法においては通常金属薄膜形成前に基板表面はプラズマ処理等の表面処理がなされるが、この表面処理によって基板がダメージを受ける場合がある。例えば、特許文献１にはポリイミドフィルムをプラズマ処理すると、表面層のイミド環が開裂し、酸素濃度条件の違いによって、酸素官能基や窒素官能基が生成することが開示されている。本文献１中には、酸素濃度（１〜１０）×１０−６Ｐａの条件でプラズマ処理を行ったのち銅を蒸着することによって窒素官能基と銅との相互作用によって初期の接着強度が１ｋN／ｍ程度の積層体が得られるとの記載があるが、ポリイミドが変性して生ずる窒素官能基の存在は、ポリイミドフィルムの耐熱性の低下や、吸湿性の増大など、フィルム物性が低下するという問題がある。
メッキ法によると、導電性を有する基材の上に、比較的容易に金属薄膜を形成することが可能であるが、絶縁基材の上に形成する場合には、導電層をはじめに形成する必要があるため、そのプロセスは煩雑なものになるという問題がある。また、メッキ法は溶液中での反応を利用するため、大量の廃液が副生し、この廃液処理に多大な手間とコストがかかるという問題があると共に、得られる金属薄膜の基板への密着性が充分ではない。
真空蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法等の気相法においては通常金属薄膜形成前に基板表面はプラズマ処理等の表面処理がなされるが、この表面処理によって基板がダメージを受ける場合がある。例えば、特許文献１にはポリイミドフィルムをプラズマ処理すると、表面層のイミド環が開裂し、酸素濃度条件の違いによって、酸素官能基や窒素官能基が生成することが開示されている。本文献１中には、酸素濃度（１〜１０）×１０−６Ｐａの条件でプラズマ処理を行ったのち銅を蒸着することによって窒素官能基と銅との相互作用によって初期の接着強度が１ｋN／ｍ程度の積層体が得られるとの記載があるが、ポリイミドが変性して生ずる窒素官能基の存在は、ポリイミドフィルムの耐熱性の低下や、吸湿性の増大など、フィルム物性が低下するという問題がある。
金属ペースト法は、金属フィラーを分散させた溶液を絶縁基板上に塗布し、加熱処理して金属薄膜を得る方法である。この方法によると、真空装置等の特別な装置を必要とせず、プロセスが簡易であるという利点を有するが、金属フィラーを溶融するには、通常、１０００℃以上の高温を必要とする。したがって、基材はセラミック基材等の耐熱性を有するものに限られ、また、基材が熱で損傷したり、加熱により生じた残留応力により基材が損傷を受けやすいという問題がある。さらに、得られる金属薄膜の基板への密着性が充分ではない。
特許文献２には、金属粉と反応性有機媒体からなる混合物を可溶性ポリイミド等の拡散および接着障壁である塗布層上に塗布し、加熱処理することで、基板への固着性が向上するとの記載がある。例えば、銅粉と、銅系反応性有機媒体からなる混合物から銅膜を形成する場合には、銅の酸化をふせぐため、保護雰囲気（酸素濃度３ｐｐｍ未満の窒素雰囲気あるいは水素を含む還元性雰囲気）中での加熱処理が好ましく、その場合に、テープテストをクリアする程度の固着性が得られるとの記載があるが、その接着強度は約１ｋN／ｍ程度であり、充分なものではない。また、２〜１０μｍの金属粉を用いるため、金属膜と基板との界面粗度が大きく、金属膜をフォトリソグラフィによって配線形成を行う用途においては、微細配線の形成が難しいという問題もある。
特許文献２には、金属粉と反応性有機媒体からなる混合物を可溶性ポリイミド等の拡散および接着障壁である塗布層上に塗布し、加熱処理することで、基板への固着性が向上するとの記載がある。例えば、銅粉と、銅系反応性有機媒体からなる混合物から銅膜を形成する場合には、銅の酸化をふせぐため、保護雰囲気（酸素濃度３ｐｐｍ未満の窒素雰囲気あるいは水素を含む還元性雰囲気）中での加熱処理が好ましく、その場合に、テープテストをクリアする程度の固着性が得られるとの記載があるが、その接着強度は約１ｋN／ｍ程度であり、充分なものではない。また、２〜１０μｍの金属粉を用いるため、金属膜と基板との界面粗度が大きく、金属膜をフォトリソグラフィによって配線形成を行う用途においては、微細配線の形成が難しいという問題もある。
一方、金属フィラーの粒径を低減することによって、金属ペーストの焼成温度を低減する技術は公知であり、例えば、特許文献３には、粒径１００ｎｍ以下の金属微粒子を分散した分散体を用いて金属薄膜を直接、絶縁基板上に形成する方法が開示されている。しかしながら、この方法で作成した金属薄膜の絶縁基板への密着性も充分ではない。さらに、ここで用いられている１００ｎｍ以下の金属粒子の製造方法は、低圧雰囲気で揮発した金属蒸気を急速冷却する方法であるために、大量生産が難しく、したがって、金属フィラーのコストが高くなるという問題を有している。
金属酸化物フィラーを分散させた金属酸化物ペーストを用いて、金属薄膜を直接、絶縁基板上に形成する方法も知られている。特許文献４には、結晶性高分子を含み、粒径３００ｎｍ以下の金属酸化物を分散させた金属酸化物ペーストを加熱し、結晶性高分子を分解させて金属薄膜を得る方法が開示されている。しかしながら、この方法では、３００ｎｍ以下の金属酸化物を結晶性高分子中にあらかじめ分散させる必要があり、非常な手間を必要とするのに加えて、結晶性高分子を分解するのに４００℃〜９００℃の高温を必要とする。したがって、使用可能な基材は、その温度以上の耐熱性を必要とし、その種類に制限があるという問題がある。また、得られる金属薄膜の基板への密着性も充分ではない。
金属酸化物フィラーを分散させた金属酸化物ペーストを用いて、金属薄膜を直接、絶縁基板上に形成する方法も知られている。特許文献４には、結晶性高分子を含み、粒径３００ｎｍ以下の金属酸化物を分散させた金属酸化物ペーストを加熱し、結晶性高分子を分解させて金属薄膜を得る方法が開示されている。しかしながら、この方法では、３００ｎｍ以下の金属酸化物を結晶性高分子中にあらかじめ分散させる必要があり、非常な手間を必要とするのに加えて、結晶性高分子を分解するのに４００℃〜９００℃の高温を必要とする。したがって、使用可能な基材は、その温度以上の耐熱性を必要とし、その種類に制限があるという問題がある。また、得られる金属薄膜の基板への密着性も充分ではない。
これらの課題を解決する金属薄膜の製造方法として、すでに本出願人は、安価な金属酸化物フィラーを分散させた分散体を基材上に塗布し、比較的低温での加熱処理によって金属薄膜を得るという方法を開示している（特許文献５）。この技術によって基板上に密着性が高く、薄い銅等の金属薄膜を容易に形成することが可能であり、ポリイミドフィルム等の上に銅膜を形成して、フレキシブルプリント配線板の材料としても使用することが可能であるが、さらなる密着性の改善が求められている。
特開２００５−５４２５９号公報
特表２００３−５０６８８２号公報
特許第２５６１５３７号
特開平５−９８１９５号公報
国際公開第０３／０５１５６２号パンフレット
本発明の課題は、金属薄膜と基板との密着性が高く、バルクの金属薄膜と同等程度の導電性を有し、微細配線形成性や、耐湿性等の特性にも優れた積層体およびその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、プラズマ処理等による基板の改質を必要とせずに、また、高温を必要としないで基板上に密着性の高い金属薄膜を形成する方法を提供することである。
本発明の他の目的は、プラズマ処理等による基板の改質を必要とせずに、また、高温を必要としないで基板上に密着性の高い金属薄膜を形成する方法を提供することである。
本発明者らは、上記の問題点を解決するために鋭意検討を進めた結果、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
（１） 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記金属薄膜層の体積抵抗率が４×１０−６Ωｃｍ未満であることを特徴とする積層体。
（２） 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記金属薄膜層の小角Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が３．０μｍ−１未満であることを特徴とする積層体。
（３） 前記金属薄膜層の小角Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が３．０μｍ−１未満であることを特徴とする（１）に記載の積層体
（４） 前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５） 前記金属薄膜層の上に、さらに金属メッキ層を有することを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。
（６） 前記絶縁性樹脂層が、イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂層であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の積層体。
（７） 前記絶縁性樹脂層が、熱可塑性ポリイミド樹脂を含むことを特徴とする（６）に記載の積層体。
（８） 前記金属薄膜層が銅を含み、かつ界面に存在する金属酸化物が酸化第一銅であることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の積層体。
（９） 絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（Ａ）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（Ｂ）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（Ｃ）とを含む積層体の製造方法。
（１０） 前記金属酸化物を形成する工程（Ｃ）が、酸化剤を含む雰囲気中で加熱処理することを特徴とする（９）に記載の積層体の製造方法。
（１１） 前記金属酸化物を形成する工程（Ｃ）が、酸素を２０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍ含む不活性雰囲気において、絶縁性樹脂層のガラス転移温度以上で加熱処理を行うことを特徴とする（１０）に記載の積層体の製造方法。
（１２） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｃ）が、乾式メッキ法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（１３） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、湿式メッキ法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（１４） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、非酸化性雰囲気中で加熱処理する方法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれに記載の積層体の製造方法。
（１５） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、還元性雰囲気中で加熱処理する方法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（１６） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布した後、加熱処理の前に、塗布膜の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項（１４）または（１５）に記載の積層体の製造方法。
（１７） 前記金属薄膜前駆体が、金属微粒子、金属酸化物微粒子および金属水酸化物微粒子からなる群から選ばれる少なくとも１種である（１４）または（１５）に記載の積層体の製造方法。
（１８） 前記金属薄膜前駆体が酸化第一銅微粒子である（１７）に記載の積層体の製造方法。
（１９） 前記分散体が、多価アルコールおよび／または直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含む請求項（１４）または（１５）に記載の積層体の製造方法。
（２０） （９）〜（１９）のいずれかに製造方法で製造することを特徴とする、（１）〜（８）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（２１） （１）〜（８）のいずれかに記載の積層体を用いて作られたプリント配線板。
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
（１） 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記金属薄膜層の体積抵抗率が４×１０−６Ωｃｍ未満であることを特徴とする積層体。
（２） 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記金属薄膜層の小角Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が３．０μｍ−１未満であることを特徴とする積層体。
（３） 前記金属薄膜層の小角Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が３．０μｍ−１未満であることを特徴とする（１）に記載の積層体
（４） 前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５） 前記金属薄膜層の上に、さらに金属メッキ層を有することを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。
（６） 前記絶縁性樹脂層が、イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂層であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の積層体。
（７） 前記絶縁性樹脂層が、熱可塑性ポリイミド樹脂を含むことを特徴とする（６）に記載の積層体。
（８） 前記金属薄膜層が銅を含み、かつ界面に存在する金属酸化物が酸化第一銅であることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の積層体。
（９） 絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（Ａ）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（Ｂ）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（Ｃ）とを含む積層体の製造方法。
（１０） 前記金属酸化物を形成する工程（Ｃ）が、酸化剤を含む雰囲気中で加熱処理することを特徴とする（９）に記載の積層体の製造方法。
（１１） 前記金属酸化物を形成する工程（Ｃ）が、酸素を２０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍ含む不活性雰囲気において、絶縁性樹脂層のガラス転移温度以上で加熱処理を行うことを特徴とする（１０）に記載の積層体の製造方法。
（１２） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｃ）が、乾式メッキ法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（１３） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、湿式メッキ法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（１４） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、非酸化性雰囲気中で加熱処理する方法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれに記載の積層体の製造方法。
（１５） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、還元性雰囲気中で加熱処理する方法からなることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（１６） 前記金属薄膜を形成する工程（Ｂ）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布した後、加熱処理の前に、塗布膜の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項（１４）または（１５）に記載の積層体の製造方法。
（１７） 前記金属薄膜前駆体が、金属微粒子、金属酸化物微粒子および金属水酸化物微粒子からなる群から選ばれる少なくとも１種である（１４）または（１５）に記載の積層体の製造方法。
（１８） 前記金属薄膜前駆体が酸化第一銅微粒子である（１７）に記載の積層体の製造方法。
（１９） 前記分散体が、多価アルコールおよび／または直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含む請求項（１４）または（１５）に記載の積層体の製造方法。
（２０） （９）〜（１９）のいずれかに製造方法で製造することを特徴とする、（１）〜（８）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（２１） （１）〜（８）のいずれかに記載の積層体を用いて作られたプリント配線板。
本発明の積層体は、金属薄膜と基板との密着性が特に高く、従来の金属薄膜と同等程度の導電性を有し、微細配線形成性や耐湿性等の特性にも優れる。また、本発明によると、金属の膜厚を任意にコントロールすることができ、薄膜の金属膜も容易に形成できるので、プリント配線板材料等として好適に使用することが可能である。さらに、基板上に金属薄膜を形成する際の、従来技術における前記の問題点が解決される。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の積層体は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在しすることに特徴がある。
本発明の積層体に用いられる絶縁基板は、有機材料および無機材料のいずれでもよいが、金属薄膜を形成する際に加熱処理を行うことから、耐熱性のものが好ましい。例えば、セラミックスやガラスなどの無機材料、ポリイミドフィルム等の耐熱性樹脂が好適に用いられる。
本発明の積層体は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在しすることに特徴がある。
本発明の積層体に用いられる絶縁基板は、有機材料および無機材料のいずれでもよいが、金属薄膜を形成する際に加熱処理を行うことから、耐熱性のものが好ましい。例えば、セラミックスやガラスなどの無機材料、ポリイミドフィルム等の耐熱性樹脂が好適に用いられる。
絶縁基板は、電気配線回路基板に通常用いられている程度の絶縁性を有するものであればよく、好ましくは、体積抵抗率として１０１３Ωｃｍ以上を有するものである。
本発明で、絶縁基板として特に好適に使用される熱硬化性ポリイミドフィルムは、ピロメリット酸またはピロメリット酸誘導体と、芳香族ジアミンとを縮合してなるもの、例えば、カプトン（登録商標、東レ・デュポン株式会社製）、アピカル（登録商標、鐘淵化学株式会社製）等、ビフェニルテトラカルボン酸またはビフェニルテトラカルボン酸誘導体と、芳香族ジアミンとを縮合してなるもの、例えば、ユーピレックス（登録商標、宇部興産株式会社製）等である。ポリイミドフィルムの膜厚は限定されないが、通常、２５〜１００μｍ程度のものを用途に応じて適宜選択して用いることができる。
本発明で、絶縁基板として特に好適に使用される熱硬化性ポリイミドフィルムは、ピロメリット酸またはピロメリット酸誘導体と、芳香族ジアミンとを縮合してなるもの、例えば、カプトン（登録商標、東レ・デュポン株式会社製）、アピカル（登録商標、鐘淵化学株式会社製）等、ビフェニルテトラカルボン酸またはビフェニルテトラカルボン酸誘導体と、芳香族ジアミンとを縮合してなるもの、例えば、ユーピレックス（登録商標、宇部興産株式会社製）等である。ポリイミドフィルムの膜厚は限定されないが、通常、２５〜１００μｍ程度のものを用途に応じて適宜選択して用いることができる。
本発明では、このような基板をそのまま用いてもよいが、その上に形成する絶縁性樹脂層との接着性を向上させるために、脱脂処理、酸またはアルカリによる化学処理、熱処理、プラズマ処理、コロナ放電処理、サンドブラスト処理等の表面処理を行ってもよい。
本発明では、上記絶縁基板上に絶縁性樹脂層が形成され、さらにその上に金属薄膜が積層される。絶縁性樹脂は金属薄膜層との間に接着強度が発現し、配線加工に問題を与えない限り特に制限はないが、接着強度の発現の観点で好ましい樹脂は、イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂である。
イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂としては、熱可塑性のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が例示できる。ポリイミド樹脂とは、イミド結合を有する樹脂であって、通常は、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを縮合させることによって得られる。ポリアミド樹脂とは、アミド結合を有する樹脂であり、ジカルボン酸またはジカルボン酸のハロゲン化物成分とジアミン成分を縮合させることによって得られる。また、ポリアミドイミド樹脂はアミド結合と、イミド結合を共に有する。これらの樹脂は、通常、電気配線の絶縁膜として用いられている程度の絶縁性を有することが好ましく、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上の絶縁性を有することが好ましい。
本発明では、上記絶縁基板上に絶縁性樹脂層が形成され、さらにその上に金属薄膜が積層される。絶縁性樹脂は金属薄膜層との間に接着強度が発現し、配線加工に問題を与えない限り特に制限はないが、接着強度の発現の観点で好ましい樹脂は、イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂である。
イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂としては、熱可塑性のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が例示できる。ポリイミド樹脂とは、イミド結合を有する樹脂であって、通常は、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを縮合させることによって得られる。ポリアミド樹脂とは、アミド結合を有する樹脂であり、ジカルボン酸またはジカルボン酸のハロゲン化物成分とジアミン成分を縮合させることによって得られる。また、ポリアミドイミド樹脂はアミド結合と、イミド結合を共に有する。これらの樹脂は、通常、電気配線の絶縁膜として用いられている程度の絶縁性を有することが好ましく、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上の絶縁性を有することが好ましい。
イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性樹脂の中で特に好ましいのは、熱可塑性ポリイミド樹脂である。
熱可塑性ポリイミド樹脂は、ガラス転移温度以上の加熱によって弾性率が大きく低下する。本発明における熱可塑性ポリイミド系樹脂のガラス転移温度は、ポリイミド樹脂の硬度、金属薄膜と絶縁基板との密着性の観点から、好ましくは１５０℃以上、３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上、３００℃以下である。
熱可塑性ポリイミド樹脂は、ガラス転移温度以上の加熱によって弾性率が大きく低下する。本発明における熱可塑性ポリイミド系樹脂のガラス転移温度は、ポリイミド樹脂の硬度、金属薄膜と絶縁基板との密着性の観点から、好ましくは１５０℃以上、３５０℃以下、より好ましくは１５０℃以上、３００℃以下である。
熱可塑性ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフルオロメタン二無水物等の少なくとも１種を用い、ジアミン成分としては、〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３，３‘−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）パーフルオロプロパン等の少なくとも１種を用いて重合反応させたものを用いることが好ましい。
熱可塑性ポリイミド樹脂は、それぞれ、単独でも、２種以上を混合して用いてもよく、また、異なる化学組成をもった樹脂から複数の層が形成されていてもよい。
本発明の積層体におけるイミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性絶縁性樹脂層の厚さは、絶縁基板と金属薄膜層との密着性、経済性の観点から０．１〜２０μｍの範囲が好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましい。
本発明では、上記絶縁性樹脂層上に金属薄膜層が積層される。
本発明における金属薄膜層の金属種は、絶縁性樹脂層上に成膜できる限りにおいて特に制限はなく、銅、銀、ニッケル、パラジウム、などが好ましく用いられる。プリント配線板用途として特に好ましいのは、銅である。
本発明の積層体におけるイミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性絶縁性樹脂層の厚さは、絶縁基板と金属薄膜層との密着性、経済性の観点から０．１〜２０μｍの範囲が好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましい。
本発明では、上記絶縁性樹脂層上に金属薄膜層が積層される。
本発明における金属薄膜層の金属種は、絶縁性樹脂層上に成膜できる限りにおいて特に制限はなく、銅、銀、ニッケル、パラジウム、などが好ましく用いられる。プリント配線板用途として特に好ましいのは、銅である。
前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の界面粗さが１００ｎｍ未満であると、微細回路形成が容易になるので好ましい。また、特に高い接着強度を発現するためには、界面粗さは３〜５０ｎｍであると好ましく、特に好ましい界面粗さは５〜２０ｎｍである。界面において金属粒子が絶縁性樹脂層に埋め込まれる形態をとると、アンカー効果による接着機構が付加されるので、特に高い接着強度を発現することが可能であり好ましい。本発明の積層体における金属薄膜層の厚みに制限はないが、通常０．０１〜５０μｍである。
金属薄膜層の体積抵抗率が１．６×１０−６Ωｃｍ以上４×１０−６Ωｃｍ未満である場合には、電気回路特性が向上し、また、金属薄膜層の上に金属メッキ層を電気メッキで形成する場合に緻密なメッキ層を容易に形成できるので好ましい。特に好ましい金属薄膜層の体積抵抗率は１．６×１０−６Ωｃｍ以上３×１０−６Ωｃｍ未満である。
金属薄膜層の体積抵抗率が１．６×１０−６Ωｃｍ以上４×１０−６Ωｃｍ未満である場合には、電気回路特性が向上し、また、金属薄膜層の上に金属メッキ層を電気メッキで形成する場合に緻密なメッキ層を容易に形成できるので好ましい。特に好ましい金属薄膜層の体積抵抗率は１．６×１０−６Ωｃｍ以上３×１０−６Ωｃｍ未満である。
金属薄膜層の小角Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が０μｍ−１以上３．０μｍ−１未満である場合には、金属薄膜層の力学特性が向上するので好ましい。特に好ましい金属薄膜層の比表面積は０．５μｍ−１以上２．５μｍ−１未満である。
小角Ｘ線散乱測定による比表面積の見積もりは次のようにして算出することができる。金属薄膜層に垂直にＸ線を入射し、透過した散乱光を検出器で検出して得られた散乱プロフィールに対して、文献(Roe,R-J., Methods of X-Ray and Neutron Scattering in PolymerScience, Oxford, New York, 2000、Orthaber,D., Bergmann,A., and Glatter,O., J. Appl. Cryst. 33,218(2000))に示されるように、空セル散乱補正、絶対強度補正、必要に応じてスリット補正を施すことにより絶対強度化された薄膜からの散乱プロフィールＩ（ｑ）を得ることができる。ｑは式１で表される散乱ベクトルの絶対値、θはブラッグ角、λは入射Ｘ線波長である。
小角Ｘ線散乱測定による比表面積の見積もりは次のようにして算出することができる。金属薄膜層に垂直にＸ線を入射し、透過した散乱光を検出器で検出して得られた散乱プロフィールに対して、文献(Roe,R-J., Methods of X-Ray and Neutron Scattering in PolymerScience, Oxford, New York, 2000、Orthaber,D., Bergmann,A., and Glatter,O., J. Appl. Cryst. 33,218(2000))に示されるように、空セル散乱補正、絶対強度補正、必要に応じてスリット補正を施すことにより絶対強度化された薄膜からの散乱プロフィールＩ（ｑ）を得ることができる。ｑは式１で表される散乱ベクトルの絶対値、θはブラッグ角、λは入射Ｘ線波長である。
なお、２次元検出器を用いている場合は円環平均等により１次元散乱プロフィールに変換する。さらに、Ｘ線散乱は、Ｉ（ｑ）をｑに対して両対数プロットした時、傾きが約−４乗の直線になるｑ範囲、すなわちＰｏｒｏｄ領域で測定を行わなければならない。文献(Roe,R-J., Methods of X-Ray and Neutron Scattering in PolymerScience, Oxford, New York, 2000、Porod,G., Kolloid-Z. 124, 83(1951))に示されるように、このＰｏｒｏｄ領域ではＩ（ｑ）は比表面積Ｓを用いて式２で表される。
なお、Ｓは比表面積、Δρは薄膜を構成している成分とボイドを構成している成分の電子密度差である。ボイドが空気の場合は薄膜を構成している成分の１立方ナノメーター中の電子数でよい。以上より、Ｐｏｒｏｄ領域において散乱測定し、絶対強度化したＩ（ｑ）を式２でフィッティングすることにより、比表面積Ｓを求めることができる。
本発明の積層体は、金属薄膜層と絶縁性樹脂層の接触界面に金属酸化物が存在することに特徴がある。
界面に存在する金属酸化物は金属薄膜層と絶縁性樹脂層の間の接着強度を増大させる効果があり、従って界面全域に渡って均一に分布していることが好ましい。金属酸化物による接着強度の増大効果の理由は必ずしも明確でないが、イミド基もしくはアミド基を有する絶縁性樹脂層に対しては、イミド基もしくはアミド基との間で好ましい化学的結合を形成するためと考えられる。
本発明の積層体は、金属薄膜層と絶縁性樹脂層の接触界面に金属酸化物が存在することに特徴がある。
界面に存在する金属酸化物は金属薄膜層と絶縁性樹脂層の間の接着強度を増大させる効果があり、従って界面全域に渡って均一に分布していることが好ましい。金属酸化物による接着強度の増大効果の理由は必ずしも明確でないが、イミド基もしくはアミド基を有する絶縁性樹脂層に対しては、イミド基もしくはアミド基との間で好ましい化学的結合を形成するためと考えられる。
本発明では、絶縁性樹脂層をプラズマ処理等でイミド基もしくはアミド基の変性処理を行わなくても、金属酸化物の存在により高い接着強度が発現する。プラズマ処理では通常はイミド基もしくはアミド基がプラズマの高いエネルギーによって他の窒素含有極性基に変換されて、これが接着性改善に寄与すると言われているが、そのような極性基は吸湿性や金属イオンマイグレーションに悪影響を与える懸念がある。本発明ではそのような処理を行わなくても接着強度が高いという特徴がある。
本発明における金属酸化物の厚みに特に制限はないが、接着強度及び導電性の観点から、通常１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲である。金属酸化物の種類は、酸化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化銀、酸化ルテニウム、酸化オスミウム、酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化クロム、などが例示できる。特に酸化第一銅は接着向上効果が特に優れるので、特に好ましく用いられる。本発明における金属薄膜層と金属酸化物の組み合わせにおいて、特に好ましいものは、金属薄膜層が銅を含み、金属酸化物が酸化第一銅である場合である。
本発明における金属酸化物の厚みに特に制限はないが、接着強度及び導電性の観点から、通常１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲である。金属酸化物の種類は、酸化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化銀、酸化ルテニウム、酸化オスミウム、酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化クロム、などが例示できる。特に酸化第一銅は接着向上効果が特に優れるので、特に好ましく用いられる。本発明における金属薄膜層と金属酸化物の組み合わせにおいて、特に好ましいものは、金属薄膜層が銅を含み、金属酸化物が酸化第一銅である場合である。
上述の金属薄膜層の上にさらにメッキを施して金属メッキ層を有する積層体は、金属薄膜層に金属メッキ層が電気的特性、力学的特性等の特性を付加することが可能であり、好ましい。金属メッキ層の金属種に特に制限はないが、導電性や安定性の観点から好ましいのは、銅、ニッケル、金等である。特に銅は抵抗値が低く、また工業的な入手の容易性からも好ましい。金属メッキ層の厚みに制限はないが、通常は、０．０５〜５０μｍである。
次に、本発明の積層体の製造方法について説明する。
本発明の積層体の製造方法は、絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（１）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（２）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（３）とを含む。
次に、本発明の積層体の製造方法について説明する。
本発明の積層体の製造方法は、絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（１）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜を形成する工程（２）と、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（３）とを含む。
絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程は、絶縁性樹脂の溶液を絶縁基板上に塗布して乾燥処理を行うか、もしくは絶縁性樹脂前駆体溶液を絶縁基板上に塗布し加熱処理行うことで絶縁性樹脂層を形成する方法などを例示することができる。
例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂層の形成方法は、絶縁基板上に熱可塑性ポリイミド樹脂の溶液を塗布した後、脱溶剤処理を行って熱可塑性ポリイミド樹脂からなる層を絶縁基板上に形成させる方法（Ａ−１）と、絶縁基板上に熱可塑性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って熱可塑性ポリイミド樹脂からなる層を絶縁基板上に形成させる方法（Ａ−２）がある。
例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂層の形成方法は、絶縁基板上に熱可塑性ポリイミド樹脂の溶液を塗布した後、脱溶剤処理を行って熱可塑性ポリイミド樹脂からなる層を絶縁基板上に形成させる方法（Ａ−１）と、絶縁基板上に熱可塑性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布した後、脱溶剤および脱水縮合反応のための熱処理を行って熱可塑性ポリイミド樹脂からなる層を絶縁基板上に形成させる方法（Ａ−２）がある。
（Ａ−１）の方法においては、絶縁基板上に塗工された熱可塑性ポリイミド樹脂溶液は、熱処理等の方法により溶剤が除去される。この際、熱処理は低温から徐々に高温に上昇させながら行うのが好ましい。熱処理を急激に高温で行うと、樹脂表面にスキン層が生成して溶剤が蒸発しにくくなったり、発泡する場合がある。
（Ａ−２）の方法によると、熱可塑性ポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布後、熱処理により溶剤が除去され、脱水縮合反応によりイミド閉環が行われる。この熱処理に関して、脱溶剤処理およびイミド閉環処理は同時に行ってもよいし、逐次的に行ってもよい。熱処理は低温から徐々に高温まで上昇させながら熱処理するのが望ましい。複数のポリイミド前駆体を積層して用いることも可能であり、この場合、積層体における各ポリイミド樹脂層間に十分な接着力を付与するためには、複数の前駆体溶液の一括または逐次の塗工を行うか、イミド閉環反応温度以下での脱溶剤処理の後、前駆体のポリイミドへの加熱変換を一括して行うのが好ましい。ポリイミド樹脂前駆体としては、ポリアミック酸、ジイソシアナート付加体等の加熱によって熱可塑性ポリイミドを生成する化合物を指す。
（Ａ−２）の方法によると、熱可塑性ポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布後、熱処理により溶剤が除去され、脱水縮合反応によりイミド閉環が行われる。この熱処理に関して、脱溶剤処理およびイミド閉環処理は同時に行ってもよいし、逐次的に行ってもよい。熱処理は低温から徐々に高温まで上昇させながら熱処理するのが望ましい。複数のポリイミド前駆体を積層して用いることも可能であり、この場合、積層体における各ポリイミド樹脂層間に十分な接着力を付与するためには、複数の前駆体溶液の一括または逐次の塗工を行うか、イミド閉環反応温度以下での脱溶剤処理の後、前駆体のポリイミドへの加熱変換を一括して行うのが好ましい。ポリイミド樹脂前駆体としては、ポリアミック酸、ジイソシアナート付加体等の加熱によって熱可塑性ポリイミドを生成する化合物を指す。
絶縁基板上に、イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂または熱可塑性絶縁性樹脂前駆体等の溶液を塗布する方法は限定されるものではなく、例えば、ディップコート、バーコート、スピンコート、ロールコート、スプレーコート等が用いられる。塗布する際の溶液に用いられる溶媒には、通常、有機溶媒が用いられる。有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタム、プチロラクタム、テトラヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス２−（２−メトキシエトキシ）エチルエーテル、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、ピリジン、ピコリン等が挙げられる。これらの溶媒は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して用いることもできる。
前記溶液の濃度は、イミド結合および／またはアミド結合を有する絶縁性樹脂または絶縁性樹脂前駆体の重合度にもよるが、膜厚調整の観点、及び溶液粘土の観点から通常５〜３０重量％であり、好ましくは１０〜２０重量％である。溶液粘度が高い場合には、塗膜表面に平滑性を与えるための平滑剤、レベリング材、脱泡剤等の各種添加剤を必要に応じて添加することができる。溶剤の蒸発速度を調節するために、均一に溶解する範囲で芳香族炭化水素系溶媒を使用することもできる。さらに、公知のアミン系硬化剤等の硬化剤、シランカップリング剤、エポキシ化合物等の接着性付与剤、ゴム等の可撓性付与剤等の各種添加剤や触媒を加えてもよい。
本発明の積層体の製造方法においては、絶縁性樹脂層の形成（工程（１））に引き続き、前記樹脂層の上に金属薄膜層を形成する（工程（２））。
金属薄膜層の形成手法は特に制約はなく、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの乾式メッキ法や、無電解メッキや電解メッキなどの湿式メッキ法、などの手法が適用可能である。
金属薄膜層の形成方法として、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、非酸化性雰囲気で加熱処理する方法も適用可能である。
非酸化性雰囲気としては、不活性雰囲気もしくは還元性雰囲気が例示される。不活性雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム等の雰囲気を例示でき、また、還元性雰囲気としては、水素、一酸化炭素などの雰囲気を例示できる。還元性雰囲気においては、還元性を損なわない程度の１０００ｐｐｍ程度までの酸化性ガスが含まれていてもい。
金属薄膜層の形成手法は特に制約はなく、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの乾式メッキ法や、無電解メッキや電解メッキなどの湿式メッキ法、などの手法が適用可能である。
金属薄膜層の形成方法として、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、非酸化性雰囲気で加熱処理する方法も適用可能である。
非酸化性雰囲気としては、不活性雰囲気もしくは還元性雰囲気が例示される。不活性雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム等の雰囲気を例示でき、また、還元性雰囲気としては、水素、一酸化炭素などの雰囲気を例示できる。還元性雰囲気においては、還元性を損なわない程度の１０００ｐｐｍ程度までの酸化性ガスが含まれていてもい。
金属薄膜前駆体とは、加熱処理等の後処理によって金属薄膜が形成できる化合物を指し、例えば加熱処理によって互いに融着する一次粒子径２００ｎｍ以下の金属薄膜前駆体微粒子や、加熱処理によって金属に還元され金属薄膜を形成する金属錯体などを例示できる。
比較的厚い金属薄膜を形成するためには、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液の中で特に好ましいものは、一次粒子径２００ｎｍ以下の金属薄膜前駆体微粒子の分散体である。
加熱処理によって互いに融着する金属薄膜前駆体微粒子とは、この前駆体微粒子を含む分散体を膜状に塗布し、加熱することによって金属微粒子同士が相互に接合して、見かけ上、連続した金属層で形成された薄膜を形成する微粒子である。
比較的厚い金属薄膜を形成するためには、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液の中で特に好ましいものは、一次粒子径２００ｎｍ以下の金属薄膜前駆体微粒子の分散体である。
加熱処理によって互いに融着する金属薄膜前駆体微粒子とは、この前駆体微粒子を含む分散体を膜状に塗布し、加熱することによって金属微粒子同士が相互に接合して、見かけ上、連続した金属層で形成された薄膜を形成する微粒子である。
金属薄膜前駆体微粒子は、加熱処理によって緻密な金属薄膜が得るという観点から、一次粒子径が２００ｎｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。また、分散体の粘度、取り扱い性の観点から、１次粒子径は１ｎｍ以上であることが好ましい。
本発明で用いられる金属薄膜前駆体微粒子としては、加熱処理によって金属薄膜を形成する限り制限は無く、好ましくは、金属微粒子、金属水酸化物微粒子および金属酸化物微粒子が挙げられる。
金属微粒子としては、湿式法やガス中蒸発法等の手法により形成される金属微粒子が好ましく、特に銅微粒子が好ましい。
本発明で用いられる金属薄膜前駆体微粒子としては、加熱処理によって金属薄膜を形成する限り制限は無く、好ましくは、金属微粒子、金属水酸化物微粒子および金属酸化物微粒子が挙げられる。
金属微粒子としては、湿式法やガス中蒸発法等の手法により形成される金属微粒子が好ましく、特に銅微粒子が好ましい。
金属水酸化物微粒子としては、水酸化銅、水酸化ニッケル、水酸化コバルト等の化合物からなる微粒子を例示できるが、特に銅薄膜を与える金属水酸化物微粒子としては、水酸化銅微粒子が好ましい。
金属酸化物微粒子は、分散媒中への分散性や、加熱処理による金属薄膜形成の容易性から、特に好ましい。金属酸化物微粒子としては、例えば、酸化銅、酸化銀、酸化パラジウム、酸化ニッケル等が挙げられる。加熱処理によって銅を与えることが可能な酸化銅としては、酸化第一銅、酸化第二銅、その他の酸化数をもった酸化銅のいずれも使用可能である。酸化第一銅微粒子は、容易に還元が可能であるので特に好ましい。
金属酸化物微粒子は、分散媒中への分散性や、加熱処理による金属薄膜形成の容易性から、特に好ましい。金属酸化物微粒子としては、例えば、酸化銅、酸化銀、酸化パラジウム、酸化ニッケル等が挙げられる。加熱処理によって銅を与えることが可能な酸化銅としては、酸化第一銅、酸化第二銅、その他の酸化数をもった酸化銅のいずれも使用可能である。酸化第一銅微粒子は、容易に還元が可能であるので特に好ましい。
これらの金属酸化物微粒子は、市販品を用いてもよいし、公知の合成方法を用いて合成することも可能である。例えば、粒子径が１００ｎｍ未満の酸化第一銅超微粒子の合成方法としては、アセチルアセトナト銅錯体をポリオール溶媒中で２００℃程度で加熱して合成する方法が公知である（アンゲバンテ ケミ インターナショナル エディション、４０号、２巻、ｐ.３５９、２００１年）。
本発明の金属薄膜前駆体微粒子分散体に用いる分散媒は、微粒子を均一に分散できるものであれば制限は無い。
分散体が多価アルコールおよび／または直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含有すると、加熱処理して、金属薄膜前駆体微粒子から、金属薄膜を得るときの成膜性を向上させるので、さらに好ましい。
本発明の金属薄膜前駆体微粒子分散体に用いる分散媒は、微粒子を均一に分散できるものであれば制限は無い。
分散体が多価アルコールおよび／または直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含有すると、加熱処理して、金属薄膜前駆体微粒子から、金属薄膜を得るときの成膜性を向上させるので、さらに好ましい。
多価アルコールは、分子中に複数の水酸基を有する化合物である。多価アルコールは、その沸点が適度に高いため揮発しにくく、これを用いると、分散体の印刷性および金属薄膜形成時の成膜性に優れるので好ましい。多価アルコールの中で好ましいのは、炭素数が１０以下の多価アルコ−ルであり、その中でも粘度の低い、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール等が特に好ましい。これらの多価アルコールは単独で用いてもよいし、複数を混合して用いてもよい。
多価アルコールが金属薄膜形成時の成膜性を向上させる理由は必ずしも明らかではないが、金属薄膜前駆体微粒子が金属酸化物微粒子または金属水酸化物微粒子の場合には、多価アルコールが微粒子表面の水酸基と相互作用して粒子表面を保護し、粒子間の凝集を抑制する働きがあるものと思われる。また多価アルコールには、金属酸化物微粒子または金属水酸化物微粒子を還元する効果もあるので好ましい。
分散体が直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含有すると、金属薄膜形成時の成膜性を向上させる効果に加えて、加熱処理して得られる金属薄膜の抵抗値が低減するので好ましい。直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物が成膜性を向上させ、かつ抵抗値を低減させる理由は、直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物が易分解・易焼失性バインダーとして加熱処理中の金属薄膜前駆体微粒子の局所的な造粒を防ぐためと考えられる。
分散体が直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含有すると、金属薄膜形成時の成膜性を向上させる効果に加えて、加熱処理して得られる金属薄膜の抵抗値が低減するので好ましい。直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物が成膜性を向上させ、かつ抵抗値を低減させる理由は、直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物が易分解・易焼失性バインダーとして加熱処理中の金属薄膜前駆体微粒子の局所的な造粒を防ぐためと考えられる。
直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物の好ましい数平均分子量は、１５０〜６００である。分子量がこの範囲にあると、金属薄膜形成時の成膜性が極めて高く、一方、容易に分解・焼失するので得られる金属薄膜の体積抵抗率が下がりやすい。数平均分子量が１５０より小さいと、焼成して金属薄膜を得るときの成膜性が低下する傾向があり、数平均分子量が６００を越えると、得られる金属薄膜の体積抵抗率が高くなる傾向がある。
直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物は、繰り返し単位が炭素数２〜６のアルキレン基であることが好ましい。直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物、２元以上のポリエ−テルコポリマ−やポリエ−テルブロックコポリマ−であってもよい。
直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物は、繰り返し単位が炭素数２〜６のアルキレン基であることが好ましい。直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物、２元以上のポリエ−テルコポリマ−やポリエ−テルブロックコポリマ−であってもよい。
具体的には、ポリエチレングリコ−ル、ポリプロピレングリコ−ル、ポリブチレングリコ−ルのようなポリエ−テルホモポリマ−のほかに、エチレングリコ−ル／プロピレングリコ−ル、エチレングリコ−ル／ブチレングリコ−ルの２元コポリマ−、エチレングリコ−ル／プロピレングリコ−ル／エチレングリコ−ル、プロピレングリコ−ル／エチレングリコ−ル／プロピレングリコ−ル、エチレングリコ−ル／ブチレングリコ−ル／エチレングリコ−ル等の直鎖状の３元コポリマ−が挙げられるがこれらに限定されるものではない。ブロックコポリマ−としては、ポリエチレングリコ−ルポリプロピレングリコ−ル、ポリエチレングリコ−ルポリブチレングリコ−ルのような２元ブロックコポリマ−、さらにポリエチレングリコ−ルポリプロピレングリコ−ルポリエチレングリコ−ル、ポリプロピレングリコ−ルポリエチレングリコ−ルポリプロピレングリコ−ル、ポリエチレングリコ−ルポリブチレングリコ−ルポリエチレングリコ−ル等の直鎖状の３元ブロックコポリマ−のようなポリエ−テルブロックコポリマ−が挙げられる。
直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物の末端の構造は、微粒子の分散性や分散媒への溶解性に悪影響を与えない限り制限は無いが、少なくとも一つの末端がアルキル基であると、焼成時におけるポリエーテル化合物の分解・焼失性が向上し、得られる金属薄膜の体積抵抗率が下がるので好ましい。アルキル基の長さが長すぎると、微粒子の分散性を阻害して分散体の粘度が増大する傾向があるので、アルキル基の長さとしては、炭素数１〜４が好ましい。少なくとも一つの末端がアルキル基であることによって、焼成時の分解・焼失性が向上する理由は定かではないが、微粒子とポリエーテル化合物の間、またはポリエーテル化合物とポリエーテル化合物間の水素結合等に基づく相互作用の力が弱まることが寄与しているものと推察される。
直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物の特に好ましい構造は、一つの末端がアルキル基であり、もう一方の末端が水酸基である構造であり、例えば、ポリエチレングリコールメチルエーテル、ポリプロピレングリコールメチルエーテル等が挙げられる。
分散体中の金属薄膜前駆体微粒子の割合に制限はないが、分散体総量に対して、重量％で、好ましくは５〜９０％、より好ましくは２０〜８０％である。分散体中の微粒子の重量がこれらの範囲にある場合には、微粒子の分散状態が良好であり、また、１回の塗布・加熱処理によって適度な厚さの金属薄膜が得られるので好ましい。
分散体中の多価アルコールの割合は、分散体総量に対して、重量％で、好ましくは５〜７０％、より好ましくは１０〜５０％である。
分散体中の金属薄膜前駆体微粒子の割合に制限はないが、分散体総量に対して、重量％で、好ましくは５〜９０％、より好ましくは２０〜８０％である。分散体中の微粒子の重量がこれらの範囲にある場合には、微粒子の分散状態が良好であり、また、１回の塗布・加熱処理によって適度な厚さの金属薄膜が得られるので好ましい。
分散体中の多価アルコールの割合は、分散体総量に対して、重量％で、好ましくは５〜７０％、より好ましくは１０〜５０％である。
分散体中の直鎖状脂肪族ポリエ−テル化合物の割合は、分散体総量に対して、重量％で、好ましくは０．１〜７０％、より好ましくは１〜５０％である。ポリエ−テル化合物の添加量が０．１％未満である場合には、得られる金属薄膜の緻密性が低くなる場合や、基材との密着性が低下する場合があり、一方、ポリエ−テル化合物の添加量が７０％を越えると、分散体の粘度が増加する場合がある。
金属薄膜前駆体微粒子に対するポリエーテル化合物の好ましい重量比は、用いる微粒子の種類とポリエーテル化合物の種類により異なるが、通常は０．０１〜１０の範囲である。この範囲にあると得られる金属薄膜の緻密性が向上し、その体積抵抗率がさらに低下する。
金属薄膜前駆体微粒子に対するポリエーテル化合物の好ましい重量比は、用いる微粒子の種類とポリエーテル化合物の種類により異なるが、通常は０．０１〜１０の範囲である。この範囲にあると得られる金属薄膜の緻密性が向上し、その体積抵抗率がさらに低下する。
本発明では、上記分散体に、必要に応じ、消泡剤、レベリング剤、粘度調整剤、安定剤等の添加剤を添加してもよい。
上記分散体の製造には、粉体を液体に分散する一般的な方法を用いることができる。例えば、金属薄膜前駆体微粒子と分散媒と直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物等の構成原料を混合した後、超音波法、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法で分散を施せばよい。これらの分散手段のうち、複数を組み合わせて分散を行うことも可能である。これらの分散処理は室温で行ってもよく、分散体の粘度を下げるために、加熱して行ってもよい。金属薄膜前駆体微粒子以外の構成物が固体である場合には、これらを液状になる温度に加熱しながら微粒子を加え、上記操作を行うことが好ましい。分散体が流動可能な固体となる場合には、ずり応力を加えながら分散を行うことが好ましく、３本ロール法、ミキサー法等が好ましい。
上記分散体の製造には、粉体を液体に分散する一般的な方法を用いることができる。例えば、金属薄膜前駆体微粒子と分散媒と直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物等の構成原料を混合した後、超音波法、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法で分散を施せばよい。これらの分散手段のうち、複数を組み合わせて分散を行うことも可能である。これらの分散処理は室温で行ってもよく、分散体の粘度を下げるために、加熱して行ってもよい。金属薄膜前駆体微粒子以外の構成物が固体である場合には、これらを液状になる温度に加熱しながら微粒子を加え、上記操作を行うことが好ましい。分散体が流動可能な固体となる場合には、ずり応力を加えながら分散を行うことが好ましく、３本ロール法、ミキサー法等が好ましい。
金属薄膜前駆体の分散体もしくは溶液を塗布する方法として、例えば、ディップコーティング方法、スプレー塗布方法、スピンコーティング方法、バーコーティング方法、ロールコーティング方法、インクジェット方法、コンタクトプリンティング方法、スクリーン印刷方法等が挙げられる。分散体の粘度にあわせ、最適な塗布手法を適宜選択すればよい。塗布する分散体の膜厚を調整することによって、最終的に得られる金属薄膜の膜厚を調整することが可能である。
塗布した分散体もしくは溶液は、加熱処理を行う前に、乾燥工程を経ることによって、緻密な金属薄膜層が形成できる場合があり、好ましい。乾燥工程とは金属薄膜前駆体の金属薄膜化が起こる温度より低い温度で、分散媒などの易揮発性物質を揮発させる操作を指し、その温度は分散体を構成する組成物の揮発温度を考慮して適宜定めればよいが、通常５０〜２００度の温度範囲において行われる。
塗布した分散体もしくは溶液は、加熱処理を行う前に、乾燥工程を経ることによって、緻密な金属薄膜層が形成できる場合があり、好ましい。乾燥工程とは金属薄膜前駆体の金属薄膜化が起こる温度より低い温度で、分散媒などの易揮発性物質を揮発させる操作を指し、その温度は分散体を構成する組成物の揮発温度を考慮して適宜定めればよいが、通常５０〜２００度の温度範囲において行われる。
金属配線形成前駆体の分散体もしくは溶液を、回路形状に塗布し加熱処理すると、金属回路パターンを形成でき、本用途には、例えば、インクジェットプリンターやディスペンサー等、ドロップオンデマンドタイプの塗布装置が用いられる。
インクジェット法においては、分散体もしくは溶液をインクジェットプリンターヘッドに入れて、ピエゾ素子等に電気駆動によって微小振動を加えることによって金属薄膜前駆体を含む液滴が吐出される。ディスペンサー法においては、分散体を先端に吐出針のついたディスペンサーチューブに入れ、空気圧を加えることによって金属薄膜前駆体を含む液滴が吐出される。
インクジェット法においては、分散体もしくは溶液をインクジェットプリンターヘッドに入れて、ピエゾ素子等に電気駆動によって微小振動を加えることによって金属薄膜前駆体を含む液滴が吐出される。ディスペンサー法においては、分散体を先端に吐出針のついたディスペンサーチューブに入れ、空気圧を加えることによって金属薄膜前駆体を含む液滴が吐出される。
回路パターンは、インクジェットヘッドやディスペンサー吐出針をロボットによって平面方向に動かすことにより任意のパターンを形成することができる。これらの塗布手法においては、段差を有する基板においても、ロボットを垂直方向に動かすことで、段差に追従した回路を形成することも可能である。
インクジェット法においては、描画される配線パターンの線幅は、インクジェットプリンターヘッドから吐出される液滴サイズとその着弾パターンを制御することにより、またディスペンサー法においては吐出針から吐出される液滴の幅を吐出針の内外径や、吐出圧、描画スピード等によってコントロールすることにより、描画される配線パターンの線幅を調整することが可能である。
インクジェット法においては、描画される配線パターンの線幅は、インクジェットプリンターヘッドから吐出される液滴サイズとその着弾パターンを制御することにより、またディスペンサー法においては吐出針から吐出される液滴の幅を吐出針の内外径や、吐出圧、描画スピード等によってコントロールすることにより、描画される配線パターンの線幅を調整することが可能である。
回路形状に塗布する用途においては、塗布する分散体もしくは溶液の線幅は、通常は１〜４００μｍの範囲であり、得られる金属配線の線幅は０．５〜３００μｍである。また、塗布する厚みを調整することによって、最終的に得られる金属配線の厚みを調整することが可能である。通常は、塗布する分散体の厚みは０．１〜１００μｍであり、得られる金属配線の厚みは０．０５〜５０μｍである。
本発明の積層体の製造方法においては、絶縁性樹脂層の上に金属薄膜層を形成する（工程（２））に引き続き、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する（（工程（３））。
本発明の積層体の製造方法においては、絶縁性樹脂層の上に金属薄膜層を形成する（工程（２））に引き続き、前記金属薄膜と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する（（工程（３））。
金属薄膜と絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する方法として好ましい方法は、酸化剤を含む不活性雰囲気中で加熱処理する方法である。
酸化剤は、絶縁性樹脂層と金属薄膜層との界面に金属酸化物を形成できる限りにおいて特に制限はなく、酸素、オゾン、水、などが例示される。雰囲気中の酸化剤の濃度は、金属薄膜層の酸化の容易さなどを考慮して、適宜定めればよい。
加熱処理は、熱可塑性の絶縁性樹脂のガラス転移温度以上で行うことが好ましく、ガラス転移温度より４０〜１００℃高い温度がより好ましく、通常は、２００℃以上４００℃以下の温度で行われる。例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂を用いた場合に、そのガラス転移温度が２６０℃である場合、そのガラス転移温度よりも高い３００℃〜３６０℃で加熱処理する。
酸化剤は、絶縁性樹脂層と金属薄膜層との界面に金属酸化物を形成できる限りにおいて特に制限はなく、酸素、オゾン、水、などが例示される。雰囲気中の酸化剤の濃度は、金属薄膜層の酸化の容易さなどを考慮して、適宜定めればよい。
加熱処理は、熱可塑性の絶縁性樹脂のガラス転移温度以上で行うことが好ましく、ガラス転移温度より４０〜１００℃高い温度がより好ましく、通常は、２００℃以上４００℃以下の温度で行われる。例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂を用いた場合に、そのガラス転移温度が２６０℃である場合、そのガラス転移温度よりも高い３００℃〜３６０℃で加熱処理する。
加熱処理によって得られる金属薄膜層が銅等の酸化を受けやすい金属種である場合には、酸化剤を含有する非酸化性雰囲気で加熱処理することが好ましく、特に好ましいのは、酸素を２０〜２０００ｐｐｍ程度に調整した不活性雰囲気での加熱処理である。不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、窒素等の不活性ガスの雰囲気を指す。酸素濃度が２０ｐｐｍ未満では、界面の金属酸化物の生成に長時間の加熱処理を有する場合があるし、一方、酸素濃度が２０００ｐｐｍを超えると、酸化が過剰となって金属薄膜層の導電性が低下する場合がある。加熱温度と、加熱時間は、界面の酸化の受けやすさ等に併せて適宜定めればよいが、加熱温度は通常２００℃〜５００℃、加熱時間は通常１分〜１２０分の範囲である。
これらの加熱処理には、遠赤外線、赤外線、マイクロ波、電子線等の放射線加熱炉や、電気炉、オーブン等の加熱手段が用いられる。
本発明の製造方法において積層体の接着強度が向上する理由は必ずしも明確ではないが、熱可塑性絶縁性樹脂のＴｇ以上の温度で熱処理を行うことによって金属薄膜層との接着界面が増大すると同時に、界面に生成する酸化物が絶縁性樹脂層との化学的結合も増大させるからではないかと推察される。
本発明では、上述の様にして得られる金属薄膜層の上に金属メッキを施して金属メッキ層を形成し、金属薄膜層に機能・特性を付与することができる。金属薄膜の上に金属メッキを施す手法としては、乾式メッキ法及び湿式メッキ法が挙げられる。成膜速度の観点から好ましいのは湿式メッキ法である。湿式メッキ法としては、無電解メッキ法及び電解メッキ法のいずれも使用することができるが、メッキの成膜速度と、得られる金属膜の緻密性の観点から好ましいのは電解メッキ法である。
メッキの金属種に特に制限はないが、導電性や安定性の観点から好ましいのは、銅、ニッケル、金等である。銅は特に抵抗値が低く、また工業的な入手の容易性からも好ましい。メッキ工程は、必要に応じ被メッキ面を脱脂及び／または酸化層除去した後、メッキ反応液に基材を浸して行う。電解メッキであれば基材の被メッキ面に通電することによってメッキ層を形成することが可能となる。
本発明の製造方法において積層体の接着強度が向上する理由は必ずしも明確ではないが、熱可塑性絶縁性樹脂のＴｇ以上の温度で熱処理を行うことによって金属薄膜層との接着界面が増大すると同時に、界面に生成する酸化物が絶縁性樹脂層との化学的結合も増大させるからではないかと推察される。
本発明では、上述の様にして得られる金属薄膜層の上に金属メッキを施して金属メッキ層を形成し、金属薄膜層に機能・特性を付与することができる。金属薄膜の上に金属メッキを施す手法としては、乾式メッキ法及び湿式メッキ法が挙げられる。成膜速度の観点から好ましいのは湿式メッキ法である。湿式メッキ法としては、無電解メッキ法及び電解メッキ法のいずれも使用することができるが、メッキの成膜速度と、得られる金属膜の緻密性の観点から好ましいのは電解メッキ法である。
メッキの金属種に特に制限はないが、導電性や安定性の観点から好ましいのは、銅、ニッケル、金等である。銅は特に抵抗値が低く、また工業的な入手の容易性からも好ましい。メッキ工程は、必要に応じ被メッキ面を脱脂及び／または酸化層除去した後、メッキ反応液に基材を浸して行う。電解メッキであれば基材の被メッキ面に通電することによってメッキ層を形成することが可能となる。
以下に、本発明の実施例および比較例を示す。本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
金属薄膜前駆体微粒子の粒子径、金属薄膜の体積抵抗率、接着性・接着強度、およびイミド化転化率の測定法は以下のとおりである。
（１）金属薄膜前駆体微粒子の粒子径
カーボン蒸着された銅メッシュ上に、溶解・希釈した微粒子分散体を１滴たらし、減圧乾燥したサンプルを作成する。（株）日立製作所製透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−４０００ＦＸ）を用いて観察し、視野の中から、粒子径が比較的そろっている個所を３ヶ所選択し、被測定物の粒子径測定に最も適した倍率で撮影する。おのおのの写真から、一番多数存在すると思われる粒子を３点選択し、その直径をものさしで測り、倍率をかけて一次粒子径を算出する。これらの値の平均値を粒子径とする。
金属薄膜前駆体微粒子の粒子径、金属薄膜の体積抵抗率、接着性・接着強度、およびイミド化転化率の測定法は以下のとおりである。
（１）金属薄膜前駆体微粒子の粒子径
カーボン蒸着された銅メッシュ上に、溶解・希釈した微粒子分散体を１滴たらし、減圧乾燥したサンプルを作成する。（株）日立製作所製透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−４０００ＦＸ）を用いて観察し、視野の中から、粒子径が比較的そろっている個所を３ヶ所選択し、被測定物の粒子径測定に最も適した倍率で撮影する。おのおのの写真から、一番多数存在すると思われる粒子を３点選択し、その直径をものさしで測り、倍率をかけて一次粒子径を算出する。これらの値の平均値を粒子径とする。
（２）金属薄膜の体積抵抗率
低抵抗率計「ロレスタ−（登録商標）」ＧＰ（三菱化学株式会社製）を用いて測定する。
（３）テープ剥離試験および接着強度測定（１８０度剥離試験）
テープ剥離試験は、得られた金属薄膜上にスコッチテープ（登録商標、住友スリーエム株式会社製）を貼り、これを剥がす際に、金属薄膜がスコッチテープに付着して基板から剥がれたか否かで判定する。
接着強度測定のための試料は、次のようにして作成する。得られた金属薄膜上に電気メッキにより金属膜を厚付けし、金属部分の総厚みを約１５μｍにした後、カッターナイフで幅３ｍｍ、長さ５０ｍｍの切れ込みを入れる。１８０度剥離試験は、幅３ｍｍの側面の一方を少し剥離してアルミテープを貼り、このテープ部分を剥離試験機に固定し、１８０度方向に引き上げて、剥離するに必要な力を測定して、接着強度（ｋN／ｍ）とする。
低抵抗率計「ロレスタ−（登録商標）」ＧＰ（三菱化学株式会社製）を用いて測定する。
（３）テープ剥離試験および接着強度測定（１８０度剥離試験）
テープ剥離試験は、得られた金属薄膜上にスコッチテープ（登録商標、住友スリーエム株式会社製）を貼り、これを剥がす際に、金属薄膜がスコッチテープに付着して基板から剥がれたか否かで判定する。
接着強度測定のための試料は、次のようにして作成する。得られた金属薄膜上に電気メッキにより金属膜を厚付けし、金属部分の総厚みを約１５μｍにした後、カッターナイフで幅３ｍｍ、長さ５０ｍｍの切れ込みを入れる。１８０度剥離試験は、幅３ｍｍの側面の一方を少し剥離してアルミテープを貼り、このテープ部分を剥離試験機に固定し、１８０度方向に引き上げて、剥離するに必要な力を測定して、接着強度（ｋN／ｍ）とする。
（４）金属薄膜、および金属薄膜と絶縁性樹脂層との界面形態の観察
金属薄膜の形態は積層体の断面ＴＥＭ像を（株）日立製作所製透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−４０００ＦＸ）を用いて観察する。金属薄膜層と絶縁性樹脂層の接触界面の表面粗さは以下のようにして観察する。界面部分の断面ＴＥＭ像をスキャナーでデジタル化し、融着して得られる金属薄膜界面の８ビットのグレースケール画像を取得する。２値化処理を施した後エッジ抽出を行い、金属薄膜の界面プロファイル像（ラインイメージ）を得る。また、画像プロファイル像の両端を結ぶ直線からの、ラインイメージの絶縁性樹脂層側への変位量を用いて、金属薄膜層と絶縁性樹脂層の接触界面の表面粗さ（Ｒａ）を見積もる。
金属薄膜の形態は積層体の断面ＴＥＭ像を（株）日立製作所製透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−４０００ＦＸ）を用いて観察する。金属薄膜層と絶縁性樹脂層の接触界面の表面粗さは以下のようにして観察する。界面部分の断面ＴＥＭ像をスキャナーでデジタル化し、融着して得られる金属薄膜界面の８ビットのグレースケール画像を取得する。２値化処理を施した後エッジ抽出を行い、金属薄膜の界面プロファイル像（ラインイメージ）を得る。また、画像プロファイル像の両端を結ぶ直線からの、ラインイメージの絶縁性樹脂層側への変位量を用いて、金属薄膜層と絶縁性樹脂層の接触界面の表面粗さ（Ｒａ）を見積もる。
（５）金属薄膜層の比表面積の見積もり
小角Ｘ線散乱は出力１８ｋＷの回転陰極型Ｘ線発生器を用い、イメージングプレートを検出器として測定した。入射Ｘ線波長は０．１５４ｎｍ、カメラ長は９８０ｍｍ、１試料あたりの測定時間は３０分である。散乱測定はベースフィルムとしてカプトンフィルムが付いた状態の銅薄膜１枚に対し、膜面の法線方向からＸ線を入射することで行った。空セル散乱測定ではベースフィルムのカプトンフィルムに対して同様の測定を行った。さらに、空セル補正のためにカプトンフィルムの付いた銅薄膜、及びカプトンフィルムの入射Ｘ線波長における透過率測定もあわせて行った。なお、イメージングプレートにより得られた２次元散乱パターンはバックグラウンド補正を行った後、円環平均することにより１次元した。これらのデータを用い、文献１，２，３の方法に従いＩ（ｑ）を得た。なお、絶対強度補正の際に必要な銅薄膜の厚みは、断面の走査型電子顕微鏡写真から求めた。こうして得られたＩ（ｑ）に対し、式２でフィッティングを行うことにより比表面積を得た。
小角Ｘ線散乱は出力１８ｋＷの回転陰極型Ｘ線発生器を用い、イメージングプレートを検出器として測定した。入射Ｘ線波長は０．１５４ｎｍ、カメラ長は９８０ｍｍ、１試料あたりの測定時間は３０分である。散乱測定はベースフィルムとしてカプトンフィルムが付いた状態の銅薄膜１枚に対し、膜面の法線方向からＸ線を入射することで行った。空セル散乱測定ではベースフィルムのカプトンフィルムに対して同様の測定を行った。さらに、空セル補正のためにカプトンフィルムの付いた銅薄膜、及びカプトンフィルムの入射Ｘ線波長における透過率測定もあわせて行った。なお、イメージングプレートにより得られた２次元散乱パターンはバックグラウンド補正を行った後、円環平均することにより１次元した。これらのデータを用い、文献１，２，３の方法に従いＩ（ｑ）を得た。なお、絶対強度補正の際に必要な銅薄膜の厚みは、断面の走査型電子顕微鏡写真から求めた。こうして得られたＩ（ｑ）に対し、式２でフィッティングを行うことにより比表面積を得た。
［実施例１］
（熱可塑性ポリイミド溶液の合成）
２，２’−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルプロパン１．０モルと３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１．０モルの比率となるように秤量し、ＮＭＰを固形分濃度が１０ｗｔ％になるように加え、５０℃で１０時間攪拌溶解し、熱可塑性ポリイミド前駆体であるポリアミド酸溶液を得た。この熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度は２６０℃であった。
（熱可塑性ポリイミド層を有する基板の作成）
２０×３０ｃｍ角に切り出したポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製カプトンフィルム、膜厚５０μｍ）をバーコーターにセットし、膜厚が３０μｍになるようにバーコート塗布した後、ホットプレート上で９０℃×１０分、１２０℃×１０分、１５０℃×１０分、１８０℃×１０分、２５０℃×６０分、３００℃×６０分の条件で加熱し、熱可塑性ポリイミド樹脂を表面に有するポリイミド基板を得た。
（熱可塑性ポリイミド溶液の合成）
２，２’−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルプロパン１．０モルと３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１．０モルの比率となるように秤量し、ＮＭＰを固形分濃度が１０ｗｔ％になるように加え、５０℃で１０時間攪拌溶解し、熱可塑性ポリイミド前駆体であるポリアミド酸溶液を得た。この熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度は２６０℃であった。
（熱可塑性ポリイミド層を有する基板の作成）
２０×３０ｃｍ角に切り出したポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製カプトンフィルム、膜厚５０μｍ）をバーコーターにセットし、膜厚が３０μｍになるようにバーコート塗布した後、ホットプレート上で９０℃×１０分、１２０℃×１０分、１５０℃×１０分、１８０℃×１０分、２５０℃×６０分、３００℃×６０分の条件で加熱し、熱可塑性ポリイミド樹脂を表面に有するポリイミド基板を得た。
（金属薄膜の形成）
上記ポリイミド基板をスパッタ装置にセットし、表面清浄化のための逆スパッタを行った後、銅をターゲットとしてＡｒ流量１８ｃｍ３/ｍｉｎ、スパッタ圧力６．０×１０−１Ｐａ、スパッタ電力３００Ｗで約９分間スパッタすることで０．３μｍの銅薄膜を得た。銅薄膜の比表面積は１．４μｍ−１であった。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度２００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
硫酸銅五水和物（和光純薬工業株式会社）８０ｇと硫酸１８０ｇとを、精製水１リットルに溶解し、電解メッキ浴を作成した。上記で得られた銅膜表面を脱脂・酸洗したのち、メッキ浴に浸し、室温にて、３Ａ／ｄｍ２の電流密度で、電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍの積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．０ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは３ｎｍであった。
上記ポリイミド基板をスパッタ装置にセットし、表面清浄化のための逆スパッタを行った後、銅をターゲットとしてＡｒ流量１８ｃｍ３/ｍｉｎ、スパッタ圧力６．０×１０−１Ｐａ、スパッタ電力３００Ｗで約９分間スパッタすることで０．３μｍの銅薄膜を得た。銅薄膜の比表面積は１．４μｍ−１であった。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度２００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
硫酸銅五水和物（和光純薬工業株式会社）８０ｇと硫酸１８０ｇとを、精製水１リットルに溶解し、電解メッキ浴を作成した。上記で得られた銅膜表面を脱脂・酸洗したのち、メッキ浴に浸し、室温にて、３Ａ／ｄｍ２の電流密度で、電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍの積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．０ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは３ｎｍであった。
［実施例２］
（金属薄膜の形成）
実施例１と同様の手法で作成したポリイミド基板を真空蒸着装置にセットし、系内を真空排気した後、銅を蒸着することで０．３μｍの銅薄膜を得た。銅薄膜の体積抵抗率は１．７μΩｃｍであった。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度２００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の手法で電解銅メッキ処理を行って１５μｍの積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．２ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは６ｎｍであった。
（金属薄膜の形成）
実施例１と同様の手法で作成したポリイミド基板を真空蒸着装置にセットし、系内を真空排気した後、銅を蒸着することで０．３μｍの銅薄膜を得た。銅薄膜の体積抵抗率は１．７μΩｃｍであった。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度２００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の手法で電解銅メッキ処理を行って１５μｍの積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．２ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは６ｎｍであった。
［実施例３］
（金属薄膜前駆体微粒子および分散体の調製）
無水酢酸銅（和光純薬工業株式会社製）８ｇに精製水７０ｍｌを加えた。２５℃で攪拌しながらヒドラジン対酢酸銅のモル比が１．２になるように６４重量％のヒドラジン抱水物２．６ｍｌを加えて反応させ、粒子径２０ｎｍの酸化第一銅微粒子を得た。得られた酸化第一銅３ｇに対し、ポリエチレングリコールメチルエーテル（数平均分子量３５０、アルドリッチ製）２ｇと、ジエチレングリコール７ｇを加え、超音波分散を施して酸化第一銅分散体を得た。
（金属薄膜の形成）
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、前述の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚２０μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３５０℃×３０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚１μｍ、体積抵抗率２．３×１０−６Ωｃｍの銅薄膜を有する基板が得られた。
（金属薄膜前駆体微粒子および分散体の調製）
無水酢酸銅（和光純薬工業株式会社製）８ｇに精製水７０ｍｌを加えた。２５℃で攪拌しながらヒドラジン対酢酸銅のモル比が１．２になるように６４重量％のヒドラジン抱水物２．６ｍｌを加えて反応させ、粒子径２０ｎｍの酸化第一銅微粒子を得た。得られた酸化第一銅３ｇに対し、ポリエチレングリコールメチルエーテル（数平均分子量３５０、アルドリッチ製）２ｇと、ジエチレングリコール７ｇを加え、超音波分散を施して酸化第一銅分散体を得た。
（金属薄膜の形成）
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、前述の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚２０μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３５０℃×３０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚１μｍ、体積抵抗率２．３×１０−６Ωｃｍの銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度１００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．５ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面形態分析を行った所、金属薄膜層の一部が熱可塑性ポリイミド層中に埋め込まれて密着しており、その深さは１０〜３０ｎｍであり、Ｒａは１０ｎｍであった。
（プリント配線板の特性）
上記で得られた積層基板に対し、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍの櫛型電極をフォトリソにより作成したところ、配線の直線性はきわめて高く、微細配線形成性が高いことが確認された。また、ピンホールに起因すると考えられる配線の断線は観察されなかった。作成した櫛型電極を温度８５℃×湿度８５％、印加電圧５０Ｖの条件でマイグレーション試験を行ったが、１０００時間経過後においても配線間の絶縁性は１０１３Ω台を維持し、吸湿に伴う絶縁性の低下などは観察されなかった。
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度１００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．５ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面形態分析を行った所、金属薄膜層の一部が熱可塑性ポリイミド層中に埋め込まれて密着しており、その深さは１０〜３０ｎｍであり、Ｒａは１０ｎｍであった。
（プリント配線板の特性）
上記で得られた積層基板に対し、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍの櫛型電極をフォトリソにより作成したところ、配線の直線性はきわめて高く、微細配線形成性が高いことが確認された。また、ピンホールに起因すると考えられる配線の断線は観察されなかった。作成した櫛型電極を温度８５℃×湿度８５％、印加電圧５０Ｖの条件でマイグレーション試験を行ったが、１０００時間経過後においても配線間の絶縁性は１０１３Ω台を維持し、吸湿に伴う絶縁性の低下などは観察されなかった。
［実施例４］
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、実施例２と同様の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚１５μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３３０℃×２０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚０．７μｍ、Ｘ線散乱強度から見積もられる比表面積が１．８μｍ−１の銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度１５０ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．５ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは９ｎｍであった。
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、実施例２と同様の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚１５μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３３０℃×２０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚０．７μｍ、Ｘ線散乱強度から見積もられる比表面積が１．８μｍ−１の銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度１５０ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．５ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは９ｎｍであった。
［実施例５］加熱処理条件依存性
加熱処理条件を、酸素濃度１０００ｐｐｍ、３５０℃×１０分の条件で行う以外は実施例３と同一の条件で、メッキ層を有する積層基板を形成した。接着強度は１．３ｋN／ｍであった。また、銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。
加熱処理条件を、酸素濃度１０００ｐｐｍ、３５０℃×１０分の条件で行う以外は実施例３と同一の条件で、メッキ層を有する積層基板を形成した。接着強度は１．３ｋN／ｍであった。また、銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。
［実施例６］加熱処理条件依存性
加熱処理条件を、酸素濃度５０ｐｐｍ、３５０℃×１０分の条件で行う以外は実施例３と同一の条件で、メッキ層を有する積層基板を形成した。接着強度は１．１ｋN／ｍであった。また、銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。
加熱処理条件を、酸素濃度５０ｐｐｍ、３５０℃×１０分の条件で行う以外は実施例３と同一の条件で、メッキ層を有する積層基板を形成した。接着強度は１．１ｋN／ｍであった。また、銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。
［実施例７］加熱処理条件依存性
加熱処理条件を、酸素濃度２０００ｐｐｍ、３５０℃×１０分の条件で行う以外は実施例３と同一の条件で、メッキ層を有する積層基板を形成した。接着強度は１．０ｋN／ｍであった。また、銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。
加熱処理条件を、酸素濃度２０００ｐｐｍ、３５０℃×１０分の条件で行う以外は実施例３と同一の条件で、メッキ層を有する積層基板を形成した。接着強度は１．０ｋN／ｍであった。また、銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。
［実施例８］焼成工程の前に乾燥工程を入れる例
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、実施例３の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚２０μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、オーブン中で１５０℃×５分乾燥した後、その乾燥膜を電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３５０℃×３０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚１μｍ、体積抵抗率２．０×１０−６Ωｃｍの銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度２００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．３ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは７ｎｍであった。
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、実施例３の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚２０μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、オーブン中で１５０℃×５分乾燥した後、その乾燥膜を電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３５０℃×３０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚１μｍ、体積抵抗率２．０×１０−６Ωｃｍの銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度２００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．３ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは７ｎｍであった。
［実施例９］焼成工程の前に乾燥工程を入れる例
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、実施例３の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚１８μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、オーブン中で１４０℃×５分乾燥した後、その乾燥膜を電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３５０℃×１０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚０．８μｍ、Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が１．２μｍ−１の銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度３００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．２ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは９ｎｍであった。
実施例１と同様に作成したポリイミド基板をバーコーターにセットし、実施例３の酸化第一銅分散体を滴下した後、膜厚１８μｍになるように塗布した。次に、この塗布膜を、オーブン中で１４０℃×５分乾燥した後、その乾燥膜を電気炉に入れ、水素１００％の条件で、３５０℃×１０分の条件で上記ポリイミド膜のガラス転移温度（２７０℃）よりも高い温度で焼成した。すると、膜厚０．８μｍ、Ｘ線散乱から見積もられる比表面積が１．２μｍ−１の銅薄膜を有する基板が得られた。
（加熱処理）
上記銅薄膜を有する基板を、酸素濃度３００ｐｐｍに調整した窒素雰囲気において、３５０℃で１０分間加熱処理を行った。
（メッキ層の付与と、接着強度の測定、剥離界面の解析）
実施例１と同様の電解銅メッキを施し、金属層の総厚み（銅薄膜層＋メッキで形成された銅膜）が１５μｍである、積層基板を完成させた。１８０度剥離試験による接着強度は、１．２ｋN／ｍと非常に高かった。銅層とポリイミド層の剥離界面について、銅の界面をＸＰＳ分析した所、酸化第一銅の存在が確認できた。界面のＲａは９ｎｍであった。
［実施例１０］分散体をパターン塗布する例
（金属配線の形成）
実施例１で得たポリイミド基板をディスペンサー（武蔵エンジニアリング株式会社製）のテーブルに真空吸着した。ディスペンサーチューブに充填した上記分散体の先端にシリンジ（ＦＮ−０．５０Ｎ（内径５０μｍ）、武蔵エンジニアリング株式会社製）を固定して、ディスペンサーのエア供給チューブに接続した後、ディスペンサーロボットの所定位置に固定した。チューブに空気圧をかけ、分散体を押し出しながら、あらかじめプログラムした配線パターンにディスペンサーロボットを動かして、分散体を回路形状に塗布した。この時の、基板とシリンジ先端のギャップは７０μｍに調整した。
次に、この塗布基板を、実施例３と同様の条件で水素１００％雰囲気で加熱処理した後、さらに、酸素１００ｐｐｍの窒素雰囲気で３５０℃×１０分の加熱処理を行って銅配線基板を得た。４端子法で測定した銅配線の抵抗値は２．４×１０−６Ωｃｍであった。銅膜と熱可塑性ポリイミド樹脂層との間には、酸化第一銅が確認された。別に、ベタ膜を形成して求めた接着強度は１．２ｋN／ｍと高かった。
（金属配線の形成）
実施例１で得たポリイミド基板をディスペンサー（武蔵エンジニアリング株式会社製）のテーブルに真空吸着した。ディスペンサーチューブに充填した上記分散体の先端にシリンジ（ＦＮ−０．５０Ｎ（内径５０μｍ）、武蔵エンジニアリング株式会社製）を固定して、ディスペンサーのエア供給チューブに接続した後、ディスペンサーロボットの所定位置に固定した。チューブに空気圧をかけ、分散体を押し出しながら、あらかじめプログラムした配線パターンにディスペンサーロボットを動かして、分散体を回路形状に塗布した。この時の、基板とシリンジ先端のギャップは７０μｍに調整した。
次に、この塗布基板を、実施例３と同様の条件で水素１００％雰囲気で加熱処理した後、さらに、酸素１００ｐｐｍの窒素雰囲気で３５０℃×１０分の加熱処理を行って銅配線基板を得た。４端子法で測定した銅配線の抵抗値は２．４×１０−６Ωｃｍであった。銅膜と熱可塑性ポリイミド樹脂層との間には、酸化第一銅が確認された。別に、ベタ膜を形成して求めた接着強度は１．２ｋN／ｍと高かった。
［比較例１］
熱可塑性ポリイミド膜を形成しないポリイミド基板（東レ・デュポン社製カプトンフィルム、膜厚５０μｍ）に対して、実施例１と同様の手法で銅薄膜を形成したが、形成した銅薄膜はテープ剥離試験ですべて剥がれた。
熱可塑性ポリイミド膜を形成しないポリイミド基板（東レ・デュポン社製カプトンフィルム、膜厚５０μｍ）に対して、実施例１と同様の手法で銅薄膜を形成したが、形成した銅薄膜はテープ剥離試験ですべて剥がれた。
［比較例２］
酸素雰囲気での加熱処理を行わない以外は、実施例１と同様の操作で、銅薄膜を形成したが、形成した銅薄膜はテープ剥離試験ですべて剥がれた。剥離した銅薄膜面を元素分析したが、酸化銅は観察されなかった。
酸素雰囲気での加熱処理を行わない以外は、実施例１と同様の操作で、銅薄膜を形成したが、形成した銅薄膜はテープ剥離試験ですべて剥がれた。剥離した銅薄膜面を元素分析したが、酸化銅は観察されなかった。
本発明の積層体は、バルクの金属薄膜と同等程度の高い導電性を有し、かつ金属薄膜と基板との密着性がきわめて高い。また、金属膜の膜厚を任意にコントロールすることができ、薄膜の金属膜も容易に形成できるので、プリント配線板の材料等として特に好適に使用することが可能である。特にポリイミドフィルムを絶縁基板に用いた積層体はフレキシブルプリント配線板の材料として好適に用いられる。本発明の積層体は、絶縁性樹脂と金属層との界面の粗度が極めて低いので、配線直線性が高いファインピッチの配線形成が可能である。本発明の積層体は、従来のサブトラクティブ法による回路形成のみならず、セミアディティブ工法にも好適に用いることができる。特に、金属薄膜層上にメッキ層を形成しない形態の積層基板はフラッシュエッチングで容易に除去可能な特に薄膜の金属薄膜層を有するので、セミアディティブ工法には特に好適に用いられる。
また、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を用いて、インクジェット法等で配線パターン形状を直接描画し、これを加熱処理することによって、接着性の高い金属配線を形成することが可能である。従って、プリント配線板の回路形成だけでなく、プラズマディスプレイパネルや液晶パネル等のフラットパネルディスプレイ製造におけるガラス基板上に形成されたバス電極、アドレス電極の製造にも使用することができる。
また、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を用いて、インクジェット法等で配線パターン形状を直接描画し、これを加熱処理することによって、接着性の高い金属配線を形成することが可能である。従って、プリント配線板の回路形成だけでなく、プラズマディスプレイパネルや液晶パネル等のフラットパネルディスプレイ製造におけるガラス基板上に形成されたバス電極、アドレス電極の製造にも使用することができる。
Claims (19)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記金属薄膜層の体積抵抗率が３×１０−６Ωｃｍ未満であって、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在することを特徴とする積層体。
- 前記金属薄膜層の小角X線散乱から見積もられる比表面積が３．０μｍ−１未満であることを特徴とする請求項１に記載の積層体。
- 前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層体。
- 前記金属薄膜層の上に、さらに金属メッキ層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
- 前記絶縁性樹脂層が、イミド結合および／またはアミド結合を有する熱可塑性の絶縁性樹脂層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
- 前記絶縁性樹脂層が、熱可塑性ポリイミド樹脂を含むことを特徴とする請求項５に記載の積層体。
- 前記金属薄膜層が銅を含み、かつ前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層との界面に存在する金属酸化物が酸化第一銅であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の積層体。
- 絶縁基板上に、絶縁性樹脂層を形成する工程（１）と、前記絶縁性樹脂層の上に金属薄膜層を形成する工程（２）と、前記金属薄膜層と前記絶縁性樹脂層との界面に金属酸化物を形成する工程（３）とを含む請求項１〜７のいずれかに記載の積層体の製造方法。
- 前記金属酸化物を形成する工程（３）が、酸化剤を含む雰囲気中で加熱処理することを特徴とする請求項８に記載の積層体の製造方法。
- 前記金属酸化物を形成する工程（３）が、酸素を２０ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍ含む不活性雰囲気において、絶縁性樹脂層のガラス転移温度以上で加熱処理を行うことを特徴とする請求項９に記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜を形成する工程（２）が、乾式メッキ法からなることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜を形成する工程（２）が、湿式メッキ法からなることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜を形成する工程（２）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、非酸化性雰囲気中で加熱処理する方法からなることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜を形成する工程（２）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布し、還元性雰囲気中で加熱処理する方法からなることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜を形成する工程（２）が、金属薄膜前駆体を含有する分散体もしくは溶液を塗布した後、加熱処理の前に、塗布膜の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１３または１４に記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜前駆体が、金属微粒子、金属酸化物微粒子および金属水酸化物微粒子からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１３または１４に記載の積層体の製造方法。
- 前記金属薄膜前駆体が酸化第一銅微粒子である請求項１６に記載の積層体の製造方法。
- 前記分散体が、多価アルコールおよび／または直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含む請求項１３または１４に記載の積層体の製造方法。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の積層体を用いて作られたプリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007036197A JP4908257B2 (ja) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 積層体および積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007036197A JP4908257B2 (ja) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 積層体および積層体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008200875A JP2008200875A (ja) | 2008-09-04 |
| JP4908257B2 true JP4908257B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=39778868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007036197A Active JP4908257B2 (ja) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 積層体および積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4908257B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5387034B2 (ja) | 2009-02-20 | 2014-01-15 | 大日本印刷株式会社 | 導電性基板 |
| JP2011104815A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 積層体および積層体の製造方法 |
| JP2012055236A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Suntory Holdings Ltd | 焼酎の製造方法 |
| CA2980683A1 (en) | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Soc Corporation | Fuse production method, fuse, circuit board production method and circuit board |
| JP6985745B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2021-12-22 | ナミックス株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| US11570899B2 (en) * | 2018-06-29 | 2023-01-31 | Material Concept, Inc. | Circuit board and production method therefor, and electronic device and production method therefor |
| JP2023110689A (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-09 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電装品、及び電装品の製造方法 |
| WO2024038701A1 (ja) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | 株式会社ダイセル | 積層体および積層体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11268183A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Mitsui Chem Inc | ポリイミド−金属積層体およびその製造方法 |
| WO2003051562A1 (fr) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Dispersion d'oxyde metallique |
| JP2003308026A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Asahi Kasei Corp | 平面型表示装置用電極付き基板とその製造方法 |
| JP4798986B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-10-19 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
| JP4716717B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-07-06 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 回路板の製造方法 |
| JP2006278936A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Asahi Kasei Corp | 金属層を備えた基板の製造方法。 |
-
2007
- 2007-02-16 JP JP2007036197A patent/JP4908257B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008200875A (ja) | 2008-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5137575B2 (ja) | 積層体及びその製造方法 | |
| JP4948199B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| JP4908257B2 (ja) | 積層体および積層体の製造方法 | |
| JP5177558B2 (ja) | 導電性ペースト並びにこれを用いた導電性塗膜及び導電性フィルム | |
| JP2011104815A (ja) | 積層体および積層体の製造方法 | |
| JP6543921B2 (ja) | 導電性基板 | |
| JP2006305914A (ja) | 積層基板の製造方法 | |
| JP2011044522A (ja) | 積層体及び積層体の製造方法 | |
| JPWO2020158604A1 (ja) | 積層体及びその製造方法、複合積層体の製造方法、並びにポリマーフィルムの製造方法 | |
| JP2015018674A (ja) | 導電膜形成用組成物、導電膜の製造方法、および、導電膜 | |
| JP4606192B2 (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JP4606191B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| JP5730562B2 (ja) | 亜酸化銅粒子分散体 | |
| JP4798986B2 (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| JP4628971B2 (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| JP2009196249A (ja) | 積層体および積層体の製造方法 | |
| JP4716717B2 (ja) | 回路板の製造方法 | |
| JP4693378B2 (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| JP6546084B2 (ja) | プリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法 | |
| JP4994086B2 (ja) | 金属薄膜前駆体分散液 | |
| JP2005150233A (ja) | 回路基板形成方法 | |
| JP2006278936A (ja) | 金属層を備えた基板の製造方法。 | |
| JP6547748B2 (ja) | 導電性塗膜の製造方法及び導電性塗膜 | |
| JP6869954B2 (ja) | 導電層形成用塗布液、導電層の製造方法及び導電層 | |
| JP6940805B2 (ja) | 印刷回路板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090401 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111125 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20111125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120112 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4908257 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |