JP2003308026A - 平面型表示装置用電極付き基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 開口率を高く維持したまま配線の抵抗を下
げ、しかもその配線の上に形成する絶縁層への影響のな
い平坦性が得られる平面型表示装置用電極付き基板とそ
の製造方法の提供。 【解決手段】 基板１−ａに予め配線４を形成し、それ
を耐熱性と光透過性の高い熱可塑性を有する樹脂基板５
に加熱加圧して転写し基板１−ａを除去することで、配
線４が樹脂基板５に埋め込まれていて表面が平坦な基板
を得る。この得られた基板は表面が平坦なためその上に
形成される層の厚みばらつきやピンホールの発生がな
く、平面型表示装置用電極付き基板として優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低消費電力であり
かつ開口率の高い平面型表示装置用電極付き基板とその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面型表示機器は目覚しい発展を
遂げており真空を使ったＣＲＴのかなりの部分を代替し
て来ている。特に家庭用のテレビの分野にも進出して来
ておりしかも３０型程度の中型から大型の物も使われる
ようになった。しかしながらこうした大型の平面型表示
機器は液晶型でもプラズマディスプレー型でも極めて高
価にならざるを得ない。液晶型においては基本的に白色
光源の光のうち所望の波長の光のみ透過させるため光の
活用効率が低く大型になればなるほど明るさを確保する
ことは困難になる。当然光の利用効率を上げるため電極
の付いた基板の電極線が遮る面積を小さくする工夫（開
口率を大きくする工夫）は行われているが、逆に電極線
の幅を縮めるため信号を運ぶ回路として電気抵抗が高く
なり液晶のシャッターとしての諧調性が取れなくなり画
質が低下してしまう。勿論電極線の幅を縮めた分、電極
線の厚みを増やせば電気抵抗は抑えられるが電極線の上
に形成される絶縁層の電極線による段差での絶縁不良や
その表層の回路形成における平坦性が下がることによる
収率低下が避けられず、実質的には電極線の厚みは０．
３μｍ以下に抑えられている。

【０００３】日経ＢＰ社発行“日経マイクロデバイス別
冊フラット・ディスプレイ２００２実務編”Ｐ．１８５
の記載によれば、通常製造方法による構造では平坦なガ
ラスの上に配線を形成するため回路の厚み分だけ凸にな
り、逆に絶縁の歩留まりを確保するため回路の厚みを
０．３μｍ以下に制限せざるを得なかった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記に記載した如く、
これらの現行の方法では、開口率を確保するため電極線
の幅を抑えてなおかつ電極線の抵抗を抑え、更に表面の
平坦性を確保することは原理的に不可能である。本発明
は、かかる状況を鑑みてなされたものであり、平坦性の
確保と電極線の低電気抵抗を維持しつつ、電極線の幅を
狭くすることで開口率を高くした平面型表示装置用電極
付き基板とその製造方法を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、 １．ガラス転移温度が１３０℃以上、全光線透過率が８
５％以上を有する樹脂基板に導電体からなる配線が形成
されている基板において、該配線が該樹脂基板に埋め込
まれていて該配線の該樹脂基板表面からの突出高さが
０．１μｍ以下であることを特徴とする平面型表示装置
用電極付き基板。

【０００６】２．配線の幅が１０μｍ以下で、かつ配線
の厚みが０．５μｍ以上であることを特徴とする項１の
平面型表示装置用電極付き基板。 ３．配線幅を配線間隔で割った値が２％以下０．１％以
上であることを特徴とする項１または２に記載の平面型
表示装置用電極付き基板。 ４．配線厚みを配線幅で割った値が０．０２以上２以下
であることを特徴とする項１〜３に記載の平面型表示装
置用電極付き基板。

【０００７】５．配線を構成する導電体の表面の内樹脂
と接触している面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎ
ｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする項１〜４に記
載の平面型表示装置用電極付き基板。 ６．基板上に銅製配線を形成する工程、樹脂基板または
樹脂層を表面に形成したガラスに該銅製配線を内側に基
板を外側にして加熱加圧し該銅製配線を樹脂基板または
樹脂層に埋め込む工程と該基板を除去する工程を含む平
面型表示装置用電極付き基板の製造方法。

【０００８】７．基板の片面全面に銅層を形成する工
程、回路として必要な部分にレジストを形成する工程、
該レジストをマスクとして銅箔をエッチングで除去する
工程を含む製造方法によって基板上に銅製配線を形成す
ることを特徴とする項６の平面型表示装置用電極付き基
板の製造方法。 ８．片面に銅と異なるエッチング性を持つ異種金属の薄
層がメッキで形成された銅箔からなる基板の該異種金属
薄層上に、電解メッキにより銅層を形成することで基板
の片面全面に銅層を形成することを特徴とする項７の平
面型表示装置用電極付き基板の製造方法。

【０００９】９．アルミからなる基板の片面に電解メッ
キにより銅層を形成することで基板の片面全面に銅層を
形成することを特徴とする項７の平面型表示装置用電極
付き基板の製造方法。 １０．フィルムからなる基板の片面に無電解メッキまた
は電解メッキまたはスパッターにより銅層を形成するこ
とを含む方法で基板の片面全面に銅層を形成することを
特徴とする項７の平面型表示装置用電極付き基板の製造
方法。

【００１０】１１．金属製の基板に薄い銅層を形成する
工程、その後回路として形成される予定の場所を除いた
部分にレジストを形成する工程、該レジストをマスクと
して基板をカソード電極として電解メッキにより銅製配
線を形成する工程、該レジストを剥離する工程、該薄い
銅層の内銅製配線部分以外を除去する工程を含む製造方
法によって基板上に銅製配線を形成することを特徴とす
る項６の平面型表示装置用電極付き基板の製造方法。

【００１１】１２．ステンレス製の基板に電解メッキで
薄い銅層を形成する工程により、金属製の基板に薄い銅
層を形成することを特徴とする項１１の平面型表示装置
用電極付き基板の製造方法。 １３．アルミニウム製の基板に電解メッキで薄い銅層を
形成する工程により、金属製の基板に薄い銅層を形成す
ることを特徴とする項１１の平面型表示装置用電極付き
基板の製造方法。

【００１２】１４．銅製の基板に銅を溶解するエッチン
グ液に対して耐性をもつ金属を薄く形成後電解メッキで
薄い銅層を形成する工程により、金属製の基板に薄い銅
層を形成することを特徴とする項１１の平面型表示装置
用電極付き基板の製造方法。 １５．樹脂基板、または樹脂層を表面に形成したガラス
基板の樹脂層上に銅層を形成する工程、選択エッチング
法により銅製配線を形成する工程、銅製配線が形成され
た面に該樹脂が軟化する温度でも平坦性を維持できる板
を当て、該樹脂が軟化する温度まで加熱加圧し、該銅製
配線を樹脂層に埋め込み、樹脂が硬化するまで冷却した
後、板を外す工程を含むことを特徴とする平面型表示装
置用電極付き基板の製造方法。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。本発明に使用される樹脂基板は、平面表示装置では
その面に駆動用トランジスタを形成したり、信号保持用
のコンデンサーを形成する工程で熱処理が発生するた
め、ガラス転移温度が少なくとも１３０℃以上である樹
脂を使用する。好ましくは１５０℃、さらに好ましくは
２００℃である。また、本発明に使用される樹脂基板は
可視光の透過率が高いことも表示素子として重要な要素
である。フラットパネルディスプレイ材料として使用す
るためには、全光線透過率が８５％以上あることが必須
である。好ましくは８８％、さらに好ましくは９０％で
ある。

【００１４】このような条件を満たす樹脂の例として
は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテル
スルホン、また環状オレフィン共重合体などがあげられ
る。これらの樹脂単独、または混合物であってもよい。
樹脂特性として、上記のガラス転移温度および全光透過
率を満たせばよい。樹脂の特性としては熱可塑性を有し
ていることが必要であるが上記条件を満たす範囲で熱硬
化成分を一部有していてもかまわない。また、樹脂改質
のため種々の添加剤等を含んでいてもよい。その含有量
は、最終的樹脂材料の材質のＴｇおよび全光透過率が規
定の範囲に入るよう、各樹脂および添加剤により、適宜
定めればよい。例えばポリカーボネートの例としては、
ジェネラルエレクトリック社の「レキサン（登録商
標）」、環状オレフィン共重合体の例としては日本ゼオ
ン株式会社の「ＺＥＯＮＥＸ（登録商標）」、ＪＳＲ株
式会社の「ＡＲＴＯＮ（登録商標）」、三井化学株式会
社の「アペル（登録商標）」などが使用可能である。

【００１５】該配線の該樹脂面からの突出高さは０．１
μｍ以下である。これより突出が大きいと、この面にト
ランジスタやコンデンサーを形成する場合、その上に形
成する絶縁体に段差部分（配線と樹脂）によりピンホー
ルなどの欠陥が発生しやすくなり絶縁不良による不良率
が急増する。この突出高さは表面形状測定器を用いて、
樹脂表面と配線の段差を測定することにより測定され
る。配線の幅は１０μｍ以下で、かつ配線の厚みが０．
５μｍ以上が好ましい。これは種々の平面型表示素子で
現状最小２０μｍ程度の幅を持っているが１０μｍ以下
になれば人間の目で認識できなくなる幅になり眼球疲労
を防止できるからである。配線の厚みが０．５μｍより
薄くなると、回路抵抗が高くなり配線によるエネルギー
ロスが大きくなる。

【００１６】配線幅を配線間隔で割った値は２％以下
０．１％以上であることが好ましい。それはこの値が小
さい場合背面照明のエネルギー効率に影響を与え配線に
よるエネルギーロスを大幅に低減できるが、０．１％程
度になると他のエネルギーロス（例えば液晶自体やガラ
スによる）と同等になるのでこれ以上に下げても効果は
確認できなくなるためである。また、配線厚みを配線幅
で割った値は０．０２以上２以下であることが好まし
い。理論的には同じ断面積であれば配線の抵抗は同じに
なり、したがって液晶を駆動する性能は同等になるが、
配線が同じ断面積である場合、この値が大きければ、配
線回路の幅が狭くなり、配線によるエネルギーロスが低
くなる。しかし２より大きく取ると樹脂が配線を埋める
時に気泡を巻き込みその上に形成される絶縁層の欠陥が
増加して不良率が無視できなくなる。

【００１７】配線を構成する導電体の表面の内、樹脂と
接触している面（図７、符号Ａ、太線で表示された部
分）は中心線平均粗さＲａが１００ｎｍ以下５ｎｍ以上
であることが好ましい。配線は樹脂に埋め込まれている
が樹脂と配線の接着が不十分であるとその後の加工工程
での加熱による剥がれが発生しやはり不良率を大きくし
てしまう。そこで配線の表面に粗面化処理例えば黒化処
理（酸化によって微小な突起を形成し、その後酸化層の
み除去して凹凸を形成する処理）などを施し配線と樹脂
の密着力を上げる。ただしこの凹凸は５ｎｍ未満では密
着力が上がらず、逆に１００ｎｍを越えると光の散乱に
より画質が乱れる。

【００１８】次に、配線の形成方法を説明する。製造方
法は大きく分けて２つある。 （１）基板に回路を形成後、それを樹脂層に加熱圧着
し、最後に基板を除去する方法。 （２）樹脂層に全面銅層を形成してそれをエッチングで
回路にした後、平坦な板で加熱加圧することで樹脂層に
凸になっている回路を樹脂層の中に押し込む方法。

【００１９】（１）は基板に回路を形成する方法が更に
２つに分かれる。この基板に回路を形成する２つの方法
を説明する。まず第１の方法は、最終的には除去してし
まう基板の上に全面銅層を形成し、その銅層を回路上に
なる様フォトレジストによる部分的マスキングを施した
後銅層を溶解できるエッチング液で選択エッチングし、
レジストをその後除去して基板に回路が形成された物を
得る工程とその回路を樹脂層に加熱加圧することで押し
込み接着させる工程と最後に基板を除去して、樹脂層に
回路が埋め込まれた配線板を得る方法である。

【００２０】基板上に銅層を形成する方法としては最後
に基板を除去する方法によりさまざまなバリエーション
が存在する。例えば、 （ａ）厚い銅箔の表面に銅と異なるエッチング性を持つ
バリア金属例えばニッケルの薄層とその上に最終的に回
路になる銅層を形成する。この場合形成方法は何でも良
いが電解メッキで層状に形成する方法が最も低コストで
ある。銅箔はプリント基板に使われる電解銅箔の７０か
ら３５μｍ厚み程度で良い。その平坦面に例えばスルフ
ァミン酸ニッケル浴でニッケル−リン（合金層）を０．
１から１μｍ程度析出させその後硫酸銅メッキで回路と
して必要な厚みだけ銅層を形成する。 （ｂ）銅と異なる金属箔（例えばアルミ箔）で厚み８０
〜２００μｍ程度の物の上にピロリン酸銅メッキで最終
的に回路になる銅層を形成する。この場合アルミ箔の上
に銅メッキする前に亜鉛の置換メッキを施すと銅層のア
ルミに対する密着力が大きくなり途中工程での取り扱い
性が高まる。 （ｃ）ポリイミド等の耐熱性の高いフィルムに銅をスパ
ッターで０．１〜０．３μｍ程度形成し、その後、硫酸
銅メッキ等で最終的に回路になる銅層を形成する。

【００２１】上記記載の方法あるいはその他の方法によ
って得られた銅層にドライフィルムのようなレジスト層
を形成、選択露光するための回路予定個所が光を透過す
るマスクを当てて露光する。配線を形成するためのレジ
ストは液状でもフィルム状でも使えるが最低Ｌ／Ｓ＝５
／５程度の解像力が必要であり、従ってレジスト厚みも
１０μｍ以下のものが好ましい。なお露光に使うマスク
は寸法精度から最低ガラス基板を使ったエマルジョンマ
スク、好ましくはクロムマスクが良い。レジスト層を現
像して回路になるところ以外の銅層を露出させエッチン
グ液で銅層を除去する。最後にレジストを除去して基板
上に銅製配線を形成する。

【００２２】最後に樹脂層を加熱加圧し、その後基板を
除去するが、それには上記（ａ）〜（ｃ）の方法で基板
上に銅層を形成した場合に対応して下記のような方法が
ある。 （α）上記（ａ）の方法を用いて基板上に銅層を形成し
た場合、初めに基板とした銅箔を溶かし、バリア金属を
溶解しないエッチング液で銅箔を溶解する。その後逆に
バリア金属を溶解し、銅を溶解しない液でバリア金属を
溶解する。例えばバリア金属がニッケルの場合にニッケ
ルが表面に出る直前までは銅を溶かす液で速度の速いも
の、例えば塩化第２鉄で溶解し途中で濃硝酸に切り替え
ニッケル層が出るまで銅をエッチングする。最後に銅を
溶かさずニッケルを溶かす希硫酸でエッチングして回路
を露出させる。 （β）上記（ｂ）の方法を用いて基板上に銅層を形成し
た場合、初めに基板としてアルミを使い、アルカリ（例
えば水酸化ナトリウム）あるいは酸（例えば希塩酸）
で、アルミを溶解する。この場合、酸またはアルカリが
銅層に達しても銅はほとんど溶けず、層として残る。 （γ）上記（ｃ）の方法を用いて基板上に銅層を形成し
た場合、１５０℃〜１８０℃程度の温度で数時間加熱す
る。すると、銅層とポリイミド同士の密着力が無くなる
ので、ポリイミドフィルムを機械的に剥離する。

【００２３】最後に除去する基板に回路を形成する第２
の方法は基板を金属板としその上に非常に薄い銅層を電
解メッキで形成後回路とする予定の場所を除いてレジス
トを形成し、薄い銅層を電極として回路予定個所に銅製
回路を形成させる、最後にレジストを除去する方法であ
る。なお樹脂層に加熱加圧後基板除去後されに薄い銅層
を除去する。

【００２４】基板上に薄い銅層を形成する方法としては
最後に基板を除去する方法によりさまざまなバリエーシ
ョンが存在する。 （イ）基板として耐食性の高いステンレス板に電解メッ
キ（硫酸銅メッキでもピロリン酸銅メッキでも）で薄い
銅層を形成する。この場合樹脂層に加熱加圧後ステンレ
ス板は力を加えることで容易に薄い銅層との間で剥離を
起こし最後に薄い銅層のみエッチング速度の低い液で除
去する。 （ロ）基板としてアルミ箔を使用し、電解ピロリン酸銅
メッキで薄い銅層を形成する。この場合回路を形成した
基板を樹脂層に加熱加圧後銅を溶解しないアルミエッチ
ング液、例えば水酸化ナトリウムや希塩酸でアルミ基板
を除去し最後に薄い銅層のみエッチング速度の低い液で
除去する。 （ハ）基板として銅箔を用いニッケル等の銅を溶解する
エッチング液に対して耐性をもつ金属を薄く形成後電解
メッキで薄い銅層を形成する。この場合回路を形成した
基板を樹脂層に加熱加圧後ニッケルを溶解しない銅エッ
チング液で銅箔を溶解し、ニッケル層を露出させる。次
にニッケルを溶解し銅を溶解しないエッチング液でニッ
ケル層を除去し最後に薄い銅層のみエッチング速度の低
い液で除去する。

【００２５】最後に回路を予め形成した基板を最後に除
去するのではなく初めから樹脂基板に回路を形成する方
法を説明する。この方法は樹脂層に予め回路を構成する
銅箔層を全面に接着する。レジストを用いてその銅薄層
を所望の回路にエッチングで加工した後銅製配線が形成
された面に、該樹脂が軟化する温度でも平坦性を維持で
きる板を当て、該樹脂が軟化する温度まで加熱加圧し該
銅製配線を樹脂層に埋め込み、樹脂が硬化するまで冷却
した後、板を外す方法である。平坦な板の材質は、金
属、ガラス、ＰＴＦＥ樹脂等が使用できるが、樹脂表面
と直接接触するため、平坦かつ剥離しやすい素材が好ま
しい。樹脂の軟化温度および圧については、樹脂材料に
より適宜選択される。樹脂の軟化状態は、配線を埋め込
むことができるが樹脂自身が流動してしまわない程度が
好ましい。

【００２６】以下、本発明を実施例に基づいて説明す
る。

【実施例１】本実施例を図１に従って説明する。三井金
属鉱業株式会社製の３５μｍ銅箔（図１中符号１−ａ）
の光沢面側にニッケル層（図１中符号１１）を電解メッ
キで５μｍ形成した。その上に硫酸銅メッキで銅を３μ
ｍ形成した（図１中符号２）。この状態は図１−（ａ）
で表される。その上にドライフィルムレジスト（旭化成
株式会社製「サンフォート」（登録商標））ＡＸ１２４
の１０μｍ厚みの物を標準の条件でラミネートした。更
に配線幅１２μｍで配線のピッチが３００μｍのガラス
エマルジョンマスク（配線部分は透明）を当てて露光
し、続いて現像した。こうして回路として残す部分にレ
ジストパターン（図１中符号３）を形成した。この状態
は図１−（ｂ）で表される。次に濃硝酸で銅箔をエッチ
ングした。ニッケルはエッチングされず残った。この状
態は図１−（ｃ）で表される。その後３％水酸化ナトリ
ウムでドライフィルムレジストを剥離した。得られた銅
配線は厚みが３μｍ、幅が平均５μｍ、配線ピッチが３
００μｍであった。配線を構成する導電体の表面の内、
最終工程で樹脂と接触する面の中心線平均粗さ（Ｒａ）
は９５ｎｍであった。

【００２７】次に厚さ１ｍｍのポリカーボネート板（図
１中符号５）に前記キャリアー付き極薄銅箔の前述で形
成した銅配線がポリカーボネート製板と接し（この状態
は図１−（ｄ）で表される）、３５μｍ銅箔が外側にな
る様重ねて真空プレスに挿入した。真空にした後熱板を
２００℃まで上昇させた後２０ｋｇ／ｃｍ²で３０分間
加圧後加圧したまま熱板を冷却し熱板が４０℃になった
ら加圧をやめ真空を開放した。この状態は図１−（ｅ）
で表される。

【００２８】次に前記加圧成型した基板の３５μｍ厚銅
箔１−ａ、を初め塩化第2鉄で途中から濃硝酸でエッチ
ング除去した。この状態は図１−（ｆ）で表される。そ
の後銅を溶解せずニッケルのみエッチングする希硫酸で
ニッケルを除去した。この状態は図１−（ｇ）で表され
る。この結果可視光透過率９０％のポリカーボネート板
の表面に３００μｍピッチ、配線幅５μｍ厚み３μｍの
銅配線が埋め込まれた平坦性の高い平面型表示装置用電
極付き基板が得られた。表面形状測定器を用い銅配線と
ポリカーボネート板の段差、すなわち配線の該樹脂基板
表面からの突出高さを測定したところ０．０８μｍであ
った。

【００２９】

【実施例２】本実施例を図２に従って説明する。東洋ア
ルミニウム株式会社製アルミ箔（材質１Ｎ３０、硬質
箔、厚み１００μｍで特艶タイプ、図２中符号１−ｂ）
の表面をイソプロピルアルコールで脱脂した後０．９％
塩酸にＮａＨＦ２１００ｇ／Ｌとした溶液に３０秒浸し
その後奥野製薬株式会社製ジンケート処理液“サブスタ
ーＡＺ”をメーカー標準条件で処理した。水洗後ピロリ
ン酸銅メッキ液で０．６Ａ／ｄｍ²の電流密度で銅箔厚
み３μｍになるまでメッキした（図２中符号２）。次に
株式会社荏原電産製ブラウンオキサイド４９９液の標準
条件で褐色化処理をし、更に５％硫酸で２分処理して銅
酸化物を除去して粗化面を形成した。この状態は図２−
（ａ）で表される。

【００３０】粗化した銅箔側にドライフィルムレジスト
旭化成株式会社製“サンフォート（登録商標）”ＡＸ１
２４の１０μｍ厚みの物を標準の条件でラミネートし
た。更に配線幅１２μｍで配線のピッチが３００μｍの
ガラスエマルジョンマスク（配線部分は透明）を当てて
露光し、続いて現像した。こうして回路として残す部分
にレジストパターン（図２中符号３）を形成した。この
状態は図２−（ｂ）で表される。次に塩化第１鉄エッチ
ング液でエッチングし（図２−（ｃ））その後３％水酸
化ナトリウムでドライフィルムレジストを剥離した。得
られた銅配線（図２中符号４）は厚みが３μｍ、幅が平
均５μｍ、配線ピッチが３００μｍであった。

【００３１】次に厚さ１ｍｍのポリカーボネート板（図
２中符号５）に前記アルミ箔付き極薄銅配線板の前述で
形成した銅配線がポリカーボネート製板と接し（図２−
（ｄ））、アルミニウムが外側になる様重ねて真空プレ
スに挿入した。真空にした後熱板を２００℃まで上昇さ
せた後２０ｋｇ／ｃｍ²で３０分間加圧後加圧したまま
熱板を冷却し熱板が４０℃になったら加圧をやめ真空を
開放した。この状態は図２−（ｅ）で表される。

【００３２】次に前記加圧成型した基板のアルミ箔１０
０μｍを１５％塩酸でエッチング除去した。この状態は
図２−（ｆ）で表される。この結果可視光透過率９０％
のポリカーボネート板の表面に３００μｍピッチ、配線
幅５μｍ厚み３μｍの銅配線が埋め込まれ、平坦性の高
い平面型表示装置用電極付き基板が得られた。表面形状
測定器を用い銅配線とポリカーボネート板の段差、すな
わち配線の該樹脂基板表面からの突出高さを測定したと
ころ０．０６μｍであった。

【００３３】

【実施例３】厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ
・デュポン社製カプトンＥＮ（登録商標））を酸素プラ
ズマでスパッターした後銅を０．２μｍスパッターし
た。その上に硫酸銅メッキで銅を３μ形成した後銅表面
にドライフィルムレジスト旭化成株式会社製「サンフォ
ート（登録商標）」ＡＸ１２４の１０μｍ厚みの物を標
準の条件でラミネートした。更に配線幅１２μｍで配線
のピッチが３００μｍのガラスエマルジョンマスク（配
線部分は透明）を当てて露光し、続いて現像した。こう
して回路として残す部分にレジストパターンを形成し
た。次に塩化第１鉄エッチング液でエッチングしその後
３％水酸化ナトリウムでドライフィルムレジストを剥離
した。得られた銅配線は厚みが３μｍ、幅が平均５μ
ｍ、配線ピッチが３００μｍであった。

【００３４】次に厚さ１ｍｍのポリカーボネート製板に
前記スパッターで形成した銅層付きポリイミドフィルム
の前述で形成した銅配線がポリカーボネート製板と接
し、ポリイミドフィルムが外側になる様重ねて真空プレ
スに挿入した。真空にした後熱板を２００℃まで上昇さ
せた後２０ｋｇ／ｃｍ²で３０分間加圧後加圧したまま
熱板を冷却し熱板が４０℃になったら加圧をやめ真空を
開放した。次に前記加圧成型したポリカーボネート板か
らポリイミドフィルムを剥離した。

【００３５】この結果可視光透過率９０％のポリカーボ
ネート板の表面に３００μｍピッチ、配線幅５μｍ厚み
３μｍの銅配線が埋め込まれ、平坦性の高い平面型表示
装置用電極付き基板が得られた。表面形状測定器を用い
銅配線とポリカーボネート板の段差、すなわち配線の該
樹脂基板表面からの突出高さを測定したところ０．０７
μｍ以下であった。

【００３６】

【実施例４】本実施例を図３に従って説明する。厚さ
０．５ｍｍのステンレス板（材質３１６、図３中符号１
−ｂ）の表面をイソプロピルアルコールで脱脂した後硫
酸銅めっきを使い２Ａ／ｄｍ²の電流密度で銅層厚み
０．３μｍになるまでメッキした（図３中符号２−
ａ）。この状態は図３−（ａ）で表される。硫酸銅めっ
きで形成した銅表面にドライフィルムレジスト旭化成株
式会社製“サンフォート（登録商標）”ＡＸ１２４の１
０μｍ厚みの物を標準の条件でラミネートした。更に配
線幅８μｍで配線のピッチが３００μｍのガラスエマル
ジョンマスク（配線部分は不透明）を当てて露光し、続
いて現像した。こうして回路とする部分に以外にレジス
トパターン（図３中符号３）を形成した。この状態は図
３−（ｂ）で表される。再び硫酸銅めっきを使い２Ａ／
ｄｍ²の電流密度でレジストでマスクされていない回路
部分の銅厚みが８μｍになるまでめっきした。この状態
は図３−（ｃ）で表される。その後３％水酸化ナトリウ
ムでドライフィルムレジストを剥離した。

【００３７】次に厚さ１ｍｍのポリカーボネート製板に
前記ステンレス板に銅配線が形成した基板の形成された
銅配線がポリカーボネート製板と接し、ステンレス板が
外側になる様重ねて真空プレスに挿入した。真空にした
後熱板を２００℃まで上昇させた後２０ｋｇ／ｃｍ²で
３０分間加圧後加圧したまま熱板を冷却し熱板が４０℃
になったら加圧をやめ真空を開放した。次に前記加圧成
型したポリカーボネート板からステンレス板を剥離し
た。更に表面の０．３μｍの銅層を過硫酸アンモニウム
１００ｇ／ｌでエッチング除去した。

【００３８】この結果可視光透過率９０％のポリカーボ
ネート板の表面に３００μｍピッチ、配線幅８μｍ厚み
７μｍの銅配線が埋め込まれた平坦性の高い平面型表示
装置用電極付き基板が得られた。表面形状測定器を用い
銅配線とポリカーボネート板の段差、すなわち配線の該
樹脂基板表面からの突出高さを測定したところ０．０８
μｍであった。

【００３９】

【実施例５】本実施例を図４に従って説明する。東洋ア
ルミニウム株式会社製アルミ箔（材質１Ｎ３０、硬質
箔、厚み１００μｍで特艶タイプ、図４中符号１−ｂ）
の表面をイソプロピルアルコールで脱脂した後０．９％
塩酸にＮａＨＦ２１００ｇ／Ｌとした溶液に３０秒浸し
その後奥野製薬社製ジンケート処理液“サブスターＡ
Ｚ”をメーカー標準条件で処理した。水洗後ピロリン酸
銅メッキ液で０．６Ａ／ｄｍ²の電流密度で銅箔厚み
０．３μｍになるまでメッキした。この状態は図４−
（ａ）で表される。

【００４０】銅面（図４中符号２−ａ）にドライフィル
ムレジスト旭化成株式会社製“サンフォート（登録商
標）”ＡＸ１２４の１０μｍ厚みの物を標準の条件でラ
ミネートした。更に配線幅８μｍで配線のピッチが３０
０μｍのガラスエマルジョンマスク（配線部分は不透
明）を当てて露光し、続いて現像した。この状態は図４
−（ｂ）で表される。次に硫酸銅めっきを使い２Ａ／ｄ
ｍ²の電流密度でレジストでマスクされているところ以
外の回路部分の銅厚みが８μｍになるまでめっきした。
この状態は図４−（ｃ）で表される。次に過硫酸アンモ
ニウム１００ｇ／Ｌの液でエッチングして不要な銅の薄
層を除去し、その後３％水酸化ナトリウムでドライフィ
ルムレジストを剥離した。

【００４１】次に厚さ１ｍｍのポリカーボネート製板
（図４中符号５）に前記アルミ箔に銅配線が形成された
基板の形成された銅配線がポリカーボネート製板と接し
（図４−（ｄ））、アルミ箔が外側になる様重ねて真空
プレスに挿入した。真空にした後熱板を２００℃まで上
昇させて２０ｋｇ／ｃｍ²で３０分間加圧後加圧したま
ま熱板を冷却し熱板が４０℃になったら加圧をやめ真空
を開放した。この状態は図４−（ｅ）で表される。

【００４２】次に前記加圧成型したポリカーボネート板
に接着されたアルミ箔を１５％塩酸でエッチング除去し
た。この状態は図４−（ｆ）で表される。この結果可視
光透過率９０％のポリカーボネート板の表面に３００μ
ｍピッチ、配線幅８μｍ厚み７μｍの銅配線が埋め込ま
れた平坦性の高い平面型表示装置用電極付き基板が得ら
れた。表面形状測定器を用い銅配線とポリカーボネート
板の段差、すなわち配線の該樹脂基板表面からの突出高
さを測定したところ０．０８μｍであった。

【００４３】

【実施例６】本実施例を図５に従って説明する。三井金
属鉱業株式会社製の３５μｍ銅箔（図５中符号１−ａ）
の表面にニッケルを電解メッキで３μｍ形成した（図５
中符号１１）。その上に硫酸銅メッキで銅を０．３μｍ
形成した（図５中符号２）。この状態は図５−（ａ）で
表される。その上にドライフィルムレジスト旭化成株式
会社製“サンフォート（登録商標）”ＡＸ１２４の１０
μｍ厚みの物を標準の条件でラミネートした。更に配線
幅１２μｍで配線のピッチが３００μｍのガラスエマル
ジョンマスク（配線部分は不透明）を当てて露光し、続
いて現像した。こうして回路として残す部分以外ににレ
ジストパターン（図５中符号３）を形成した。この状態
は図５−（ｂ）で表される。次に硫酸銅めっきを使い２
Ａ／ｄｍ²の電流密度でレジストでマスクされていると
ころ以外の回路部分の銅厚みが８μｍになるまでめっき
した。この状態は図５−（ｃ）で表される。その後３％
水酸化ナトリウムでドライフィルムレジストを剥離した
後（図５−（ｄ））過硫酸アンモニウム１００ｇ／Ｌの
液でドライフィルムが載っていた部分の０．３μｍ銅層
が無くなるまでエッチングした（図５−（e））。

【００４４】次に厚さ１ｍｍのポリカーボネート製板
（図５中符号５）に前記銅箔に銅配線が形成された基板
の形成された銅配線がポリカーボネート製板と接し、銅
箔が外側になる様重ねて真空プレスに挿入した。真空に
した後熱板を２００℃まで上昇させて２０ｋｇ／ｃｍ²
で３０分間加圧後加圧したまま熱板を冷却し熱板が４０
℃になったら加圧をやめ真空を開放した（図５−
（ｆ））。次に前記加圧成型したポリカーボネート板に
接着された銅箔を濃硝酸でエッチング除去した（図５−
（ｇ））。その後銅を溶解せずニッケルのみエッチング
する希硫酸でニッケルを除去した（図５−（ｈ））。

【００４５】この結果可視光透過率９０％のポリカーボ
ネート板の表面に３００μｍピッチ、配線幅５μｍ厚み
７μｍの銅配線が埋め込まれた平坦性の高い平面型表示
装置用電極付き基板が得られた。表面形状測定器を用い
銅配線とポリカーボネート板の段差、すなわち配線の該
樹脂基板表面からの突出高さを測定したところ０．０８
μｍであった。

【００４６】

【実施例７】本実施例を図６に従って説明する。三井金
属鉱業株式会社製“ＭｉｃｒｏＴｈｉｎ（登録商標）”
Ｓ（３５μｍ銅箔の表面に３μｍ銅箔が形成された積層
体）の３μｍ銅箔側に、厚さ１ｍｍのポリカーボネート
製板（図６中符号５）を重ねて真空プレスに挿入した。
真空にした後熱板を２００℃まで上昇させて２０ｋｇ／
ｃｍ²で３０分間加圧後加圧したまま熱板を冷却し熱板
が４０℃になったら加圧をやめ真空を開放した。次に３
５μｍ銅箔を引き剥がした。これにより、３μｍ銅箔
（図６中符号２）とポリカーボネート板の積層体を作成
した（図６−（ａ））。

【００４７】３μｍ銅箔側にドライフィルムレジスト旭
化成株式会社製“サンフォート（登録商標）”ＡＸ１２
４の１０μｍ厚みの物を標準の条件でラミネートした。
更に配線幅１２μｍで配線のピッチが３００μｍのガラ
スエマルジョンマスク（配線部分は透明）を当てて露光
し、続いて現像した。こうして回路として残す部分にレ
ジストパターン（図６中符号３）を形成した（図６−
（ｂ））。次に塩化第１鉄エッチング液でエッチングし
その後３％水酸化ナトリウムでドライフィルムレジスト
を剥離した。得られた銅配線は厚みが３μｍ、幅が平均
５μｍ、配線ピッチが３００μｍであった（図６−
（ｃ））。

【００４８】次に再び得られた配線が形成されたポリカ
ーボネート板を両側から平坦に研磨されたステンレス板
（図６中符号６）ではさみ（図６−（ｄ））真空プレス
に挿入した。真空にした後熱板を２００℃まで上昇させ
て２０ｋｇ／ｃｍ²で３０分間加圧後加圧したまま熱板
を冷却し熱板が４０℃になったら加圧をやめ真空を開放
した。この結果可視光透過率９０％のポリカーボネート
板の表面に３００μｍピッチ、配線幅５μｍ厚み３μｍ
の銅配線が埋め込まれた平坦性の高い平面型表示装置用
電極付き基板が得られた（図６−（ｅ））。表面形状測
定器を用い銅配線とポリカーボネート板の段差を測定し
たところ０．０８μｍ以下であった。

【００４９】

【発明の効果】本願発明によれば開口率が高く、且つ配
線部分の電気抵抗が低い平面型表示装置用電極付き基板
を提供することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の工程を説明する図。

【図２】実施例２，３の工程を説明する図。

【図３】実施例４の工程を説明する図。

【図４】実施例５の工程を説明する図。

【図５】実施例６の工程を説明する図。

【図６】実施例７の工程を説明する図。

【図７】樹脂に埋め込まれた配線を構成する導電体の表
面の内、樹脂と接触している面を説明する図。

【符号の説明】

１−ａ 基板 １−ｂ 基板 ２ 銅層 ２−ａ 薄い銅層 ３ レジスト ４ 銅製配線 ４−ｂ メッキで形成された銅製配線 ５ 樹脂基板 ６ 樹脂基板が軟化する温度でも平坦性を維持でき
る板 １１ ニッケル層 Ａ 配線を構成する導電体の表面の内、樹脂と接触
している面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 JA05 JB03 JC03 JC08 JD14 LA01 2H092 GA33 GA41 HA14 HA19 MA32 NA07 NA28 PA01 5C094 AA04 AA10 AA24 AA43 DA13 EB02 EB10 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 JA01 JA08 JA11 JA20 5G435 AA03 AA17 KK05

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス転移温度が１３０℃以上、全光線
   透過率が８５％以上を有する樹脂基板に導電体からなる
   配線が形成されている基板において、該配線が該樹脂基
   板に埋め込まれていて該配線の該樹脂基板表面からの突
   出高さが０．１μｍ以下であることを特徴とする平面型
   表示装置用電極付き基板。
2. 【請求項２】 配線の幅が１０μｍ以下で、かつ配線の
   厚みが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１
   の平面型表示装置用電極付き基板。
3. 【請求項３】 配線幅を配線間隔で割った値が２％以下
   ０．１％以上であることを特徴とする請求項１または２
   に記載の平面型表示装置用電極付き基板。
4. 【請求項４】 配線厚みを配線幅で割った値が０．０２
   以上２以下であることを特徴とする請求項１〜３に記載
   の平面型表示装置用電極付き基板。
5. 【請求項５】 配線を構成する導電体の表面の内樹脂と
   接触している面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ
   以上５ｎｍ以下であることを特徴とする特許請求項１〜
   ４に記載の平面型表示装置用電極付き基板。
6. 【請求項６】 基板上に銅製配線を形成する工程、樹脂
   基板または樹脂層を表面に形成したガラスに該銅製配線
   を内側に基板を外側にして加熱加圧し該銅製配線を樹脂
   基板または樹脂層に埋め込む工程と該基板を除去する工
   程を含む平面型表示装置用電極付き基板の製造方法。
7. 【請求項７】 基板の片面全面に銅層を形成する工程、
   回路として必要な部分にレジストを形成する工程、該レ
   ジストをマスクとして銅箔をエッチングで除去する工程
   を含む製造方法によって基板上に銅製配線を形成するこ
   とを特徴とする請求項６の平面型表示装置用電極付き基
   板の製造方法。
8. 【請求項８】 片面に銅と異なるエッチング性を持つ異
   種金属の薄層がメッキで形成された銅箔からなる基板の
   該異種金属薄層上に、電解メッキにより銅層を形成する
   ことで基板の片面全面に銅層を形成することを特徴とす
   る請求項７の平面型表示装置用電極付き基板の製造方
   法。
9. 【請求項９】 アルミからなる基板の片面に電解メッキ
   により銅層を形成することで基板の片面全面に銅層を形
   成することを特徴とする請求項７の平面型表示装置用電
   極付き基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 フィルムからなる基板の片面に無電解
    メッキまたは電解メッキまたはスパッターにより銅層を
    形成することを含む方法で基板の片面全面に銅層を形成
    することを特徴とする請求項７の平面型表示装置用電極
    付き基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 金属製の基板に薄い銅層を形成する工
    程、その後回路として形成される予定の場所を除いた部
    分にレジストを形成する工程、該レジストをマスクとし
    て基板をカソード電極として電解メッキにより銅製配線
    を形成する工程、該レジストを剥離する工程、該薄い銅
    層の内銅製配線部分以外を除去する工程を含む製造方法
    によって基板上に銅製配線を形成することを特徴とする
    請求項６の平面型表示装置用電極付き基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 ステンレス製の基板に電解メッキで薄
    い銅層を形成する工程により、金属製の基板に薄い銅層
    を形成することを特徴とする請求項１１の平面型表示装
    置用電極付き基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 アルミニウム製の基板に電解メッキで
    薄い銅層を形成する工程により、金属製の基板に薄い銅
    層を形成することを特徴とする請求項１１の平面型表示
    装置用電極付き基板の製造方法。
14. 【請求項１４】 銅製の基板に銅を溶解するエッチング
    液に対して耐性をもつ金属を薄く形成後電解メッキで薄
    い銅層を形成する工程により、金属製の基板に薄い銅層
    を形成することを特徴とする請求項１１の平面型表示装
    置用電極付き基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 樹脂基板、または樹脂層を表面に形成
    したガラス基板の樹脂層上に銅層を形成する工程、選択
    エッチング法により銅製配線を形成する工程、銅製配線
    が形成された面に該樹脂が軟化する温度でも平坦性を維
    持できる板を当て、該樹脂が軟化する温度まで加熱加圧
    し、該銅製配線を樹脂層に埋め込み、樹脂が硬化するま
    で冷却した後、板を外す工程を含むことを特徴とする平
    面型表示装置用電極付き基板の製造方法。