CN101236897A - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101236897A
CN101236897A CNA2008100094499A CN200810009449A CN101236897A CN 101236897 A CN101236897 A CN 101236897A CN A2008100094499 A CNA2008100094499 A CN A2008100094499A CN 200810009449 A CN200810009449 A CN 200810009449A CN 101236897 A CN101236897 A CN 101236897A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
substrate
semiconductor device
organic compound
manufacture method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100094499A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101236897B (zh
Inventor
神保安弘
伊佐敏行
本田达也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to CN201310052224.2A priority Critical patent/CN103456686B/zh
Publication of CN101236897A publication Critical patent/CN101236897A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101236897B publication Critical patent/CN101236897B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种包括薄膜晶体管、发光元件和无源元件等的半导体装置的制造方法。另外，本发明还涉及一种电子设备，该电子设备安装有以液晶显示面板为代表的电光学装置、包括发光元件的发光显示装置或以无线方式能够收发信息的IC标签作为部件。
注意，在本说明书中，“半导体装置”是指一种通过利用半导体特性来发挥功能的所有装置，亦即，电光学装置、发光装置、半导体电路、IC标签、以及电子设备均属于半导体装置。
背景技术
近年来，通过使用形成于具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜(厚度大约有几nm至几百nm)来构成薄膜晶体管的技术正受到关注。薄膜晶体管在诸如IC和电光学装置的电子装置中获得了广泛应用，特别地，正在加快开发作为图像显示装置的开关元件的薄膜晶体管。
就采用这种图像显示装置的应用而言，各种应用受到期待。特别地，已关注了对便携式设备的使用。尽管目前广泛采用了玻璃衬底和石英衬底，但存在容易破碎和重量大的缺点。另外，在进行大量生产的情况下，玻璃衬底和石英衬底难以大型化，从而对此不适合。因此，已试图在挠性衬底上、典型地在具有柔性的塑料膜上形成薄膜晶体管。
于是，已提出了一种技术，其中将形成在玻璃衬底上的包括薄膜晶体管的半导体元件从衬底剥离开，然后将它转移在例如塑料膜等其他基材上。
本申请人提出了专利文献1和专利文献2所记载的剥离及转移技术。专利文献1特别公开了采用湿法蚀刻去除用作剥离层的氧化硅膜来进行剥离的技术。另外，专利文献2公开了采用干法蚀刻去除用作剥离层的硅膜来进行剥离的技术。
此外，本申请人提出了在专利文献3中所记载的剥离及转移技术。在专利文献3中公开了如下技术：当在衬底上形成金属层(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir)并在其上层叠形成氧化物层时，在金属层和氧化物层的界面中形成所述金属层的金属氧化物层，在之后的工序中利用该金属氧化物层来进行剥离。
[专利文献1]日本专利申请公开平8-288522号公报
[专利文献2]日本专利申请公开平8-250745号公报
[专利文献3]日本专利申请公开2003-174153号公报
发明内容
本发明公开一种技术，即将通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，典型为使用了非晶体半导体膜或通过激光晶化而形成的晶体半导体膜等的薄膜晶体管、使用了有机半导体膜的薄膜晶体管、发光元件、无源元件(传感元件、天线、电阻元件、电容元件等)等从玻璃衬底剥离，并转移到挠性衬底(典型为塑料膜)上。
使用了非晶体半导体膜等的薄膜晶体管和使用了有机半导体膜的薄膜晶体管可以直接形成在塑料膜上。但是，由于塑料膜很软并且容易弯曲，因此需要采用专用制造设备作为处理该塑料膜的制造设备。
此外，当在塑料膜上直接形成使用了非晶体半导体膜等的薄膜晶体管或使用了有机半导体膜的薄膜晶体管的情形中，有因暴露于在制造薄膜晶体管的工艺的过程中使用的溶剂或蚀刻气体而导致塑料膜本身变质的担忧。此外，当在塑料膜上直接形成使用ZnO的薄膜晶体管的情形中，在通过溅射法等产生的等离子体照射到塑料膜时，塑料膜本身会变形。此外，还有由于在薄膜晶体管的制造工艺的过程中塑料膜吸收或放出水分等而造成元件污染的担忧。此外，塑料膜具有比玻璃衬底低的耐热性且比玻璃衬底大的热伸缩性，因此，在制造工艺中细致地控制所有处理温度是很困难的。
另外，在大量生产使用了塑料膜的半导体装置时，在很多情况下采用以卷倒卷方式供应的制造设备。然而，在采用卷倒卷方式的情况下，不能使用现有的半导体制造设备。另外，位置对准的精度很低，因此不容易进行微细加工。由此，不容易成品率好地制造获得与使用了现有的玻璃衬底而制造的半导体装置同等的特性的半导体装置。
于是，本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括在较低温度下，典型在有机化合物可耐受的温度下的工艺制造的元件，典型为使用了非晶体半导体膜等的薄膜晶体管、使用了通过激光晶化而制造的晶体半导体膜的薄膜晶体管、使用了有机半导体膜的薄膜晶体管、发光元件、以及无源元件(传感元件、天线、电阻元件、电容元件等)等，并且很薄。另外，还提供具有挠性的半导体装置的制造方法。
在本发明的一种结构中，半导体装置的制造方法包括如下工序：在衬底上形成金属膜(优选形成钼膜)；在金属膜上形成金属氧化膜(优选形成氧化钼膜)；在金属氧化膜上形成非金属无机膜；在非金属无机膜上形成有机化合物膜；在有机化合物膜上形成半导体元件；以及从衬底剥离半导体元件。金属氧化膜可以是由与金属膜的金属相同的金属构成的氧化物膜。在本发明的其他结构中，半导体装置的制造方法包括如下工序：在衬底上形成金属膜(优选形成钼膜)；在金属膜上形成金属氧化膜(优选形成氧化钼膜)；在金属氧化膜上形成非金属无机膜；在非金属无机膜上形成有机化合物膜；在有机化合物膜上形成导电膜；以及从衬底玻璃导电膜。金属氧化膜也可以是由与金属膜的金属相同的金属构成的氧化物膜。本发明的其他结构的特征在于：在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)及在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，在有机化合物膜上形成在较低温度下，典型在有机化合物可耐受的温度下的工艺制造的元件(典型为使用了非晶体半导体膜或通过激光晶化而制造的晶体半导体膜等的薄膜晶体管、使用了有机半导体膜的薄膜晶体管、发光元件、以及无源元件(传感元件、天线、电阻元件、电容元件等)等)，然后将其元件从玻璃衬底剥离。钼具有其耐热性低于钨的缺点。例如，在进行500℃以上的热处理时，钼膜会剥离，因此将制造工艺中的温度优选设定为低于500℃。另外，氧化钼膜很脆弱。在本发明中，在具有该脆弱性的氧化钼膜附近进行剥离。典型地说，借助于由钼膜、氧化钼膜、以及非金属无机膜构成的叠层结构，可以在具有脆弱性的氧化钼膜附近进行剥离，因而即使使用较大的衬底也可以成品率好地进行剥离。
另外，在将包括形成于设置在玻璃衬底上的氧化钼膜上的有机化合物的元件(发光元件或有机薄膜晶体管等)剥离时，由于发光元件或有机薄膜晶体管等所包含的有机化合物层的紧密性低，所以不是在金属层附近剥离而是在有机化合物层中或有机化合物层的界面剥离，从而有损坏包含有机化合物的元件的担忧。另外，由于通过印刷法而形成的材料层的紧密性也很低，所以同样地有时在材料层中或层的界面剥离。但是，在采用本发明的使用了氧化钼膜的剥离法的情况下，由于氧化钼膜很脆弱，所以可以用较小力量进行剥离。另外，由于不一定需要为了剥离特别进行的衬底整体的加热处理或激光照射等，所以工艺简化。
此外，与其他金属元素相比，钼具有蒸汽压小且气体放出量少的优点。由此，可以将形成在钼膜上的元件的污染抑制到最小。
注意，在此在玻璃衬底上形成钼膜，但不限制于玻璃衬底，也可使用石英衬底、陶瓷衬底、半导体衬底等。另外，虽然在钼膜上形成氧化钼膜，但也可以以与钼膜接触的方式形成氧化钼膜。
本发明可以在使用现有的大型玻璃衬底用制造设备来形成薄膜晶体管等的元件之后进行剥离。从而，可以大幅度地降低设备成本。
另外，通过在接触于氧化钼膜的非金属无机膜和半导体元件之间形成厚度为5μm以上，优选为10μm以上且100μm以下的有机化合物膜，可以使该有机化合物膜发挥作为之后形成的半导体装置的支撑构件的功能。另外，借助于当制造有机化合物膜时的加热处理，容易进行之后所进行的在氧化钼膜附近的剥离。
本说明书所公开的发明的结构是一种将半导体元件形成在挠性衬底上的制造方法，其中在衬底上形成钼膜，在钼膜上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上形成非金属无机膜，在非金属无机膜上形成有机化合物膜，在有机化合物膜上形成非晶体半导体膜，并且使用该非晶体半导体膜形成半导体元件，然后从衬底剥离包括非金属无机膜、有机化合物膜、以及半导体元件的叠层体。
本发明不是在挠性衬底上按顺序层叠材料层来形成半导体元件，而是在使用形成在玻璃衬底、陶瓷衬底或石英衬底上的非晶体硅膜形成半导体元件之后将其从玻璃衬底、陶瓷衬底或石英衬底剥离。另外，还可以将挠性衬底固定在中间夹着半导体元件与衬底相反一侧，然后从衬底剥离半导体元件。再者，还可以将元件固定在两个挠性衬底之间。
另外，本发明的其他结构是一种将有机薄膜晶体管等的元件形成在挠性衬底上的制造方法，其中在衬底上形成钼膜，在钼膜上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上形成非金属无机膜，在非金属无机膜上形成有机化合物膜，在有机化合物膜上形成含有有机化合物的半导体膜，并且使用含有有机化合物的半导体膜形成半导体元件，然后将包括非金属无机膜、有机化合物膜、以及半导体元件的叠层体从衬底剥离。
另外，本发明的其他结构是一种将有机发光元件或无机发光元件等的发光元件形成在挠性衬底上的制造方法，其中在衬底上形成钼膜，在钼膜上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上形成非金属无机膜，在非金属无机膜上形成有机化合物膜，在有机化合物膜上形成第一电极，在第一电极上形成包含有机化合物或无机化合物的发光层，在发光层上形成第二电极，并且将挠性衬底贴合在第二电极上，然后将包括非金属无机膜、有机化合物膜、第一电极、发光层、以及第二电极的叠层体从衬底剥离。
另外，本发明的其他结构是一种将天线等的无源元件形成在挠性衬底上的制造方法，其中在衬底上形成钼膜，在钼膜上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上形成非金属无机膜，在非金属无机膜上形成有机化合物膜，在有机化合物膜上通过印刷法印刷导电层并对该导电层进行焙烧，并且贴合导电层及半导体构件，然后将非金属无机膜、有机化合物膜、导电层、以及半导体构件从衬底剥离。
另外，本发明的其他结构为如下：在衬底上形成钼膜，在钼膜上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上形成非金属无机膜，在非金属无机膜上形成有机化合物膜，在有机化合物膜上通过印刷法印刷导电层并对该导电层进行焙烧，并且将包括非金属无机膜、有机化合物膜、以及导电层的叠层体从衬底剥离，然后将半导体构件连接到导电层。
此外，在上述各个结构中，还可以进行用于促进剥离的预处理，例如，优选在剥离之前部分地照射激光。具体而言，使用固体激光器(脉冲激发Q开关Nd:YAG激光器)，并采用基波的二次谐波(532nm)或三次谐波(355nm)，来照射较弱的激光(激光源的照射能量为1mJ至2mJ)即可。另外，还可以用尖锐的构件切入切口。
另外，不论薄膜晶体管的元件结构如何，均可以应用本发明。例如，本发明可以应用于顶栅型薄膜晶体管、底栅型(反交错型)薄膜晶体管或者交错型薄膜晶体管。此外，不局限于单栅极结构的晶体管，也可以采用具有多个沟道形成区域的多栅极型晶体管，例如，双栅极型晶体管。
此外，通过本发明，可以制造具有柔性并且薄的大型显示装置。不仅可以制造无源矩阵型液晶显示装置和无源矩阵型发光装置，也可以制造有源矩阵型液晶显示装置和有源矩阵型发光装置。
注意，在本说明书中，钼膜是指以钼为主要成分的膜，只要在膜中的钼组成比为50％以上就没有特别的限制，从而可以添加Co或Sn等以便提高薄膜的机械强度。另外，为了减少钼膜的脆弱性，可以使钼膜含有氮。
另外，挠性衬底是指膜状的塑料衬底，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSU)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等的塑料衬底。
根据本发明，即使使用对角距离超过1m的大面积衬底，也可以顺利进行剥离工序。另外，通过在氧化钼膜及半导体元件之间设置有机化合物膜，可以使该有机化合物膜发挥作为半导体装置的支撑构件的功能。由此，也可以无需设置过多的用于支撑半导体装置的支撑衬底，可以实现成本的降低。
附图说明
图1A至1E是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图；
图2A至2D是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图；
图3A至3D是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图；
图4A至4D是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图；
图5A至5C是说明本发明的半导体装置的结构的俯视图及截面图；
图6是说明本发明的半导体装置的结构的立体图；
图7是说明本发明的半导体装置的结构的俯视图；
图8A和8B是说明本发明的半导体装置的结构的俯视图；
图9是说明本发明的半导体装置的结构的截面图；
图10A至10C是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图，并且图10D是立体图；
图11A至11D是说明可应用于本发明的天线的形状的俯视图；
图12A和12B分别是说明本发明的半导体装置的结构的图及说明电子设备的一例的图；
图13A至13G是说明本发明的半导体装置的用途的图；
图14A至14C是示出了电子设备的一例的图；
图15A和15B是示出了有机薄膜晶体管的截面结构的一例的图；
图16A至16F是说明本发明的半导体装置的制造方法的截面图；
图17A和17B是说明使用本发明而制造的薄膜晶体管的电流电压特性的图。
具体实施方式
下面，将参照附图说明本发明的实施方式。但是，本发明可以通过多种不同的方式来实施，所属技术领域的普通人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在本实施方式所记载的内容中。另外，在用于说明实施方式的所有附图中使用相同附图标记表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。
实施方式1
在此，使用图1说明制造液晶显示装置的例子。
在衬底100上形成钼膜101。作为衬底100使用玻璃衬底。另外，作为钼膜101，使用通过溅射法获得的30nm至200nm的钼膜。由于有时在溅射法中固定衬底，所以容易发生衬底边缘附近的钼膜的厚度不均匀。因此，优选通过干法蚀刻去除边缘部分的钼膜。
接着，在钼膜101上形成氧化钼膜102。可以通过蒸镀法形成氧化钼膜102。另外，还可以以与钼膜101接触的方式形成氧化钼膜102而使钼膜101的表面氧化来形成氧化钼膜102。作为氧化钼膜102的形成方法，既可以使用纯水或臭氧水使钼膜的表面氧化，又可以利用氧等离子体或一氧化二氮等离子体进行氧化。另外，也可以在含氧的气氛中进行加热来形成氧化钼膜102。
接着，在氧化钼膜102上形成非金属无机膜103。非金属无机膜103是由无机化合物或除了金属单体以外的单体形成的膜。作为无机化合物有金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物等。典型地有氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、氮氧化铝、硅锗、氮化碳、ITO、氧化锡等，但不局限于此。另外，作为除了金属单体以外的单体，典型地有硅、锗、碳等。典型为非晶硅、非晶锗、DLC(类金刚石碳)等，但不局限于此。可以通过CVD法、溅射法、蒸镀法等形成非金属无机膜103。
另外，在通过溅射法或CVD法形成非金属无机膜103的情况下，还可以在将非金属无机膜103的原料气体的一部分(例如，一氧化二氮或氧)引入到处理室内并产生等离子体来在钼膜101的表面上形成氧化钼膜102之后将其他原料气体供应给处理室内，以形成非金属无机膜103。
接着，在非金属无机膜103上形成有机化合物膜104。优选使用具有耐受之后的工艺温度(180℃以上且500℃以下，优选是200℃以上且400℃以下，更优选是250℃以上且350℃以下)的耐热温度的材料来形成有机化合物膜104。而且，优选是具有高耐弯曲性且不容易产生裂缝的弹性材料。再者，优选使用具有透光性的材料来形成。若有机化合物膜104具有透光性，则可以制造透过型液晶显示装置。通过以5μm以上，优选以10μm以上且100μm以下的厚度形成有机化合物膜104，可以使它发挥作为之后形成的半导体装置的支撑构件的功能。由此，也可以无需设置过多的用于支撑半导体装置的支撑衬底。有机化合物膜104的制造方法为如下：在非金属无机膜103上涂敷组分，并且以180℃以上且低于500℃，优选以200℃以上且400℃以下，更优选以250℃以上且350℃以下的温度焙烧。借助于在有机化合物膜104的制造工序中的加热处理，可以使氧化钼弱化，而容易实现之后在钼膜101附近进行的剥离。作为有机化合物膜104的典型例子，有聚酰亚胺、聚苯并唑、硅酮等。图1A是完成上述工序时的截面工序图。
接着，也可以在有机化合物膜104上形成无机绝缘膜105。无机绝缘膜105用作基底绝缘膜，并且是为了抑制来自玻璃衬底或有机化合物的杂质混入到之后形成的半导体膜中而形成的，因此，在必要时形成。作为无机绝缘膜105，可以形成氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、氮氧化铝等。作为用作基底绝缘膜的典型一例，采用由二层结构构成的无机绝缘膜105，其中通过等离子体CVD(PCVD)法层叠形成有以SiH4、NH3及N2O为反应气体形成的50nm至100nm厚的氮氧化硅膜、以及以SiH4及N2O为反应气体形成的100nm至150nm厚的氧氮化硅膜。另外，作为无机绝缘膜105，还可以采用按顺序层叠了氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、以及氮化硅膜而成的三层结构。
接着，在无机绝缘膜105上形成第一导电膜，并在第一导电膜上形成掩模。使用选自Ta、W、Ti、Al、Cu、Cr、Nd等的元素；以所述元素为主要成分的合金材料；或以所述元素为主要成分的化合物材料的单层或它们的叠层形成第一导电膜。此外，作为第一导电膜的形成方法，适当地使用溅射法、蒸镀法、CVD法、涂敷法等。接着，使用掩模蚀刻第一导电膜来形成栅电极106。
接着，在栅电极106上形成栅极绝缘膜107。作为栅极绝缘膜107，使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的绝缘膜。此外，作为栅极绝缘膜107，还可以使用通过涂敷并焙烧含有硅氧烷聚合物的组分而获得的膜、光固化有机树脂膜、热固化有机树脂膜等。
接着，在栅极绝缘膜107上形成非晶体半导体膜108。非晶体半导体膜108由非晶体半导体膜或微晶半导体膜形成，所述非晶体半导体膜和微晶半导体膜是使用以硅烷或锗烷为代表的半导体材料气体通过气相生长法、溅射法或热CVD法制造的。本实施方式中示出了作为半导体膜使用非晶体半导体膜的例子。另外，作为半导体膜，也可以使用通过溅射法或PLD(脉冲激光沉积)法制造的ZnO或锌镓铟的氧化物，但是，在此情况下，栅极绝缘膜优选为含有铝或钛的氧化物。
接着，形成厚度为20nm至80nm的含有赋予n型的杂质元素的半导体膜，作为含有一种导电类型的杂质元素的半导体膜。通过已知方法诸如等离子体CVD法或溅射法等将含有赋予n型的杂质元素的半导体膜形成在整个表面上。图1B是完成上述工序时的截面工序图。
接着，使用通过已知的光刻技术形成的掩模蚀刻非晶体半导体膜108及含有一种导电类型的杂质元素的半导体膜109，来获得岛状非晶体半导体层及含有一种导电类型的杂质元素的半导体层。另外，还可以替代已知的光刻技术，使用液滴喷射法或印刷法(凸版印刷、平板印刷、凹版印刷、丝网印刷等)形成掩模，来进行选择性的蚀刻。
接着，通过液滴喷射法选择性地喷射含有导电材料(Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)、Al(铝)等)的组分来形成源电极及漏电极112、113。另外，也可以替代液滴喷射法，通过溅射法形成金属膜(Ta、W、Ti、Al、Cu、Cr、Nd等)并且使用通过已知的光刻技术形成的掩模蚀刻金属膜来形成源电极及漏电极112、113。
接着，通过以源电极及漏电极112、113为掩模蚀刻含有赋予一种导电类型的杂质的半导体层，来形成含有赋予一种导电类型的杂质元素的半导体层114和115。另外，以源电极及漏电极112、113为掩模蚀刻岛状非晶体半导体层的上部，来形成岛状非晶体半导体层116。岛状非晶体半导体层116的露出了的部分是用作薄膜晶体管的沟道形成区域的部分。
接着，形成保护膜117，以防止非晶体半导体层116的沟道形成区域被杂质污染。作为保护膜117，使用以通过溅射法或PCVD法获得的氮化硅或氮氧化硅为主要成分的材料。还可以在形成保护膜之后进行氢化处理。通过上述工序制造薄膜晶体管111。
接着，在保护膜117上形成层间绝缘膜118。对于层间绝缘膜118，使用例如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺甲醛树脂或聚氨酯树脂等的树脂材料。另外，可以使用例如苯并环丁烯、聚对二甲苯、具有透过性的聚酰亚胺等的有机材料。另外，作为层间绝缘膜118，还可以使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的绝缘膜，并且也可以层叠这些绝缘膜和上述树脂材料。
接着，使用通过已知的光刻技术形成的掩模选择性地去除保护膜117及层间绝缘膜118，来形成到达源电极或漏电极112的接触孔。
接着，通过液滴喷射法选择性地喷射含有导电材料(Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)、Al(铝)等)的组分来形成与源电极或漏电极112电连接的第一电极119。另外，通过液滴喷射法形成在与第一电极119之间产生平行于衬底面的方向的电场的第二电极120。另外，优选等间距地布置第一电极119和第二电极120，也可以使电极的俯视形状成为梳齿形状。另外，第一电极119和第二电极120用作液晶显示装置的像素电极。
接着，形成覆盖第一电极119和第二电极120的取向膜121。图1C是完成上述工序时的截面工序图。
接着，使用液晶材料，在此使用高分子分散型液晶将挠性衬底133与衬底100相对置地固定。根据液晶和高分子材料的分散状态，高分子分散型液晶可以大致分为两种类型。一种为液晶的小滴分散在高分子材料中并且该液晶处于非连续状态(被称作PDLC)，另一种为在液晶中形成有高分子材料的网络并且该液晶处于连续状态(被称作PNLC)。本实施方式可以采用任一类型，但是在此使用PDLC。在本实施方式中，由包含液晶132的高分子材料131固定挠性衬底133。如果需要，也可以以围绕高分子材料131的方式布置密封材料。另外，如果需要，还可以使用控制高分子材料131的厚度的孔隙材料(圆珠型隔离物、柱状隔离物、纤维等)。而且，还可以使用已知的液晶材料而替代高分子分散型液晶。
接着，从衬底100剥离包括非金属无机膜103、有机化合物膜104、薄膜晶体管111及挠性衬底133的叠层体134。由于氧化钼膜有脆弱性，所以用较小的力量就可以进行剥离。图1D示出了在氧化钼膜102和非金属无机膜103的界面进行分离的情况，但是，进行分离的部分只要是薄膜晶体管不破坏的从非金属无机膜103到衬底100之间的区域即可，没有特别的限制。例如，既可以在钼膜或氧化钼膜中进行分离，又可以在衬底和钼膜的界面或钼膜和氧化钼膜的界面进行分离。但是，在制造透过型液晶显示装置的情况下，如果在衬底和钼膜的界面进行分离而钼膜残留在非金属无机膜103上，优选之后去除钼膜。另外，根据需要，还可以去除非金属无机膜103。
另外，当在包括有机化合物膜104、薄膜晶体管111、以及挠性衬底133的叠层体中包括多个液晶显示装置时，也可以分断所述叠层体以来获得多个液晶显示装置。借助于这种工序，可以通过一次剥离工序制造多个液晶显示装置。
通过上述工序，如图1E所示，可以制造使用非晶硅薄膜晶体管的有源矩阵型液晶显示装置135。通过液滴喷射法形成的导电膜的紧密性较低，但是，在采用本发明的使用钼膜的剥离法的情况下，即使将通过液滴喷射法形成的导电层用作一部分布线，也可以在氧化钼膜附近(在本实施方式中，氧化钼膜102和非金属无机膜103的界面)进行剥离。本实施方式中的液晶显示装置是薄型并且具有柔性。另外，通过在氧化钼膜及薄膜晶体管之间设置有机化合物膜，可以使该有机化合物膜发挥作为液晶显示装置的支撑构件的功能。由此，也可以无需形成过多的用于支撑液晶显示装置的支撑衬底，可以实现成本的降低。
另外，在液晶显示装置的机械强度低的情况下，也可以使用粘合层将柔性衬底固定在剥离了的表面上。在此情况下，优选使用具有与柔性衬底133相同的热膨胀系数的柔性衬底，以便与温度变化无关地保持衬底之间的间隔。
另外，还可以替代高分子分散型液晶，使用电子墨水来制造电泳显示器。在此情况下，在形成第一电极119和第二电极120之后，通过印刷法涂敷电子墨水并进行焙烧，并且用柔性衬底133固定即可。然后，剥离衬底并使用另一个柔性衬底进行密封即可。
实施方式2
在此，使用图2说明制造使用有机薄膜晶体管的有源矩阵型发光装置的例子。
与实施方式1同样，在衬底100上形成钼膜101，在钼膜101上形成氧化钼膜102，在氧化钼膜102上形成非金属无机膜103，并且在非金属无机膜103上形成有机化合物膜104。图2A是完成上述工序时的截面工序图。
接着，也可以在有机化合物膜104上形成无机绝缘膜105。接下来，在有机化合物膜104或无机绝缘膜105上形成用作栅电极的导电层211。用于导电层211的材料只要是通过氮化及/或氧化而具有绝缘性的金属即可，特别优选是钽、铌、铝、铜或钛。另外，还有钨、铬、镍、钴、镁等。对于导电层211的形成方法没有特别限制，在通过溅射法或蒸镀法等形成膜之后，通过蚀刻等方法将该膜加工成所需形状即可。另外，也可以通过喷墨法等并使用包含导电物质的液滴形成导电层211。
接着，通过使导电层211氮化及/或氧化形成由上述金属的氮化物、氧化物或氧氮化物构成的栅极绝缘膜212。另外，导电层中的除了被绝缘化的栅极绝缘膜212之外的部分用作栅电极。
接着，形成覆盖栅极绝缘膜212的半导体层213。作为形成半导体层213的有机半导体材料，只要是具有载流子传输性且通过电场效应可能调制载流子密度的有机材料，就可以使用低分子材料和高分子材料，其种类不特别限制。可以举出多环芳香族化合物、共扼双键化合物、金属酞菁络合物、电荷传输络合物、稠环四羧酸二酰亚胺类、低聚噻吩类、富勒烯类、碳纳米管等。例如，可使用聚吡咯、聚噻吩、聚(3烷基噻吩)、聚噻吩乙烯、聚(对苯乙烯)、聚苯胺、聚二乙炔、聚薁、聚芘、聚咔唑、聚硒吩、聚呋喃、聚(对亚苯基)、聚吲哚、聚哒嗪、并四苯、并六苯、并七苯、芘、屈(chrysene)、苝、蔻、涤纶(terylene)、卵苯(ovalene)、quaterrylene、circumanthracene、三酚基二嗪、三酚基二噻嗪、并六苯-6、15-醌、聚乙烯基咔唑、聚苯硫醚、聚亚乙烯基硫醚、聚乙烯基吡啶、萘四羧酸二酰亚胺、蒽四羧酸二酰亚胺、C60、C70、C76、C78、C84及其衍生物。另外，作为其具体例子，可以举出通常作为P型半导体的并四苯、并五苯、六价噻吩(6T)、铜酞菁、双-(1，2，5-噻二唑并)-对喹啉并双(1，3-二硫醇)、红荧烯、聚(2，5-噻吩乙烯)(PTV)、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)(P3HT)或聚(9，9’-二辛基-芴-共-双噻吩)(F8T2)，和通常作为N型半导体的7，7，8，8，-四氰基对醌二甲烷(TCNQ)、3，4，9，10-苝四羧酸二酐(PTCDA)、1，4，5，8-萘四羧酸二酐(NTCDA)、N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四羧酸二酰亚胺(PTCDI-C8H)、十六氟代酞菁铜(F16CuPc)、N，N’-2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，7-二15氟代己基-1，4，5，8-萘四羧酸二亚胺(NTCDI-C8F)、3’，4’-二丁基-5，5”-双(二氰基亚甲基)-5，5”-二氢-2，2’：5’，2”-三噻吩)(DCMT)、亚甲基富勒烯[6，6]-苯基C61酪酸甲酯(PCBM)等。注意，在有机半导体中，P型或N型的特性不是固有特性，而取决于与注入载流子的电极之间的关系，或当进行载流子注入时的电场强度，存在易于变成P型或N型的倾向，然而，可将有机半导体用作P型半导体和N型半导体。在本实施方式中，更优选采用P型半导体。
由这些有机半导体材料构成的膜可以通过蒸镀法、旋涂法或液滴喷射法等的方法来形成。
接着，在半导体层213上形成缓冲层214，以便提高紧密性和界面的化学稳定性。作为缓冲层214，可以使用具有导电性的有机材料(呈现电子接受性的有机化合物如7，7，8，8-四氰基喹啉并二甲烷(TCNQ)、2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)等)、或者有机化合物和金属氧化物的复合材料。另外，如果不需要，也可以不提供缓冲层214。
接着，在缓冲层214上形成源电极及漏电极215。用于源电极及漏电极215的材料没有特别的限制，可以使用金、铂、铝、钨、钛、铜、钽、铌、铬、镍、钴、镁等的金属；以及包含它们的合金。另外，作为用于源电极及漏电极215的其他材料，可以举出导电高分子化合物等如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、聚二乙炔等。另外，只要半导体层213不分解，源电极及漏电极215的形成方法就不特别限制。可以在通过溅射法或蒸镀法等形成膜之后，通过蚀刻等方法将该膜加工成需要的形状来制造源电极及漏电极215。另外，也可以使用包含导电物质的液滴通过喷墨法等形成源电极及漏电极215。通过上述工序可以完成有机晶体管227。
此外，可以以与半导体层213的下表面接触的方式形成有机绝缘材料如聚酰亚胺、聚酰胺酸或聚乙烯基苯等的膜。借助于这种结构，可以进一步提高有机半导体材料的取向，而且还进一步提高栅极绝缘膜212和半导体层213的紧密性。
接下来，对于使用有机晶体管227的发光装置的制造方法进行说明。
接着，形成覆盖有机晶体管227的层间绝缘膜228。接着，选择性地蚀刻层间绝缘膜228来形成到达源电极及漏电极215的一方的接触孔。接着，形成电连接到源电极及漏电极215的一方的第一电极210。接着，形成覆盖第一电极210的端部的分隔壁221。分隔壁221使用绝缘材料而形成，并且具有对多个布置为互相相邻的第一电极210之间进行绝缘的功能。
接着，在第一电极210的不与分隔壁221接触的区域上形成发光层222。作为用于发光层222的材料，使用有机化合物的单层或叠层、或者无机化合物的单层或叠层的情况较多，但在本说明书中还包括如下结构：在由有机化合物构成的膜的一部分中使用无机化合物。发光元件中的各层的层叠方法没有限制。只要能够形成叠层，都可以采用任何一种方法如真空蒸镀法、旋涂法、喷墨法、浸渍涂敷法等。
接着，在发光层222上形成第二电极223。由第一电极210、第二电极223和发光层222重叠的部分构成发光元件。另外，该发光元件包括：含有能够获得通过施加电场而发生的场致发光(ElectroLuminescence)的有机化合物的层或无机化合物的层(下文中称作EL层)、阳极、以及阴极。特别地，使用了ZnS:Mn的无机薄膜的无机EL和使用了有机蒸镀膜的有机EL显示高亮度且高效率的EL发光，从而适于应用到显示器上。注意，对发光元件的结构没有特别的限制。
接着，在第二电极223上形成保护膜224。另外，如果不需要，也可以不提供保护膜224。
接着，使用粘合层226将柔性衬底225固定在保护膜224上。虽然未图示，但也可以围绕粘合层226地设置密封材料，以便加强密封。图2B是完成上述工序时的截面工序图。
接着，从衬底100剥离包括非金属无机膜103、有机化合物膜104、有机晶体管227、发光元件及柔性衬底225的叠层体229。图2C示出了在氧化钼膜102和非金属无机膜103的界面进行分离的情况。另外，根据需要，还可以在剥离叠层体229之后去除非金属无机膜103。
另外，当在包括有机化合物膜104、有机晶体管227、以及柔性衬底225的叠层体229中包括多个发光示装置时，也可以分断所述叠层体以获得多个发光装置。借助于这种工序，可以通过一次剥离工序制造多个发光装置230。
通过上述工序，可以制造使用有机晶体管的有源矩阵型发光装置230。例如，通过蒸镀法形成的发光层的紧密性较低，但是，如果采用本发明的使用氧化钼膜附近的剥离法，即使使用通过蒸镀法形成的发光层，也可以在氧化钼膜附近(本实施方式中的氧化钼膜102和非金属无机膜103的界面)进行剥离。本实施方式中的发光装置是薄型且具有柔性。另外，通过将有机化合物膜设置在氧化钼膜及薄膜晶体管之间，可以使该有机化合物膜发挥作为发光装置的支撑构件的功能。由此，也可以无需形成过多的用于支撑发光装置的支撑衬底，而可以实现成本的降低。
另外，不限制于图2C所示的有机晶体管227的结构，也可以采用图15A或15B所示的结构。
图15A所示的结构被称作底接触型结构。注意，使用相同的符号表示与图2相同的部分。在使用底接触型结构的情况下，可以容易地将诸如光刻等工序用于源极布线及漏极布线的微加工。因此，根据其优点和缺点适当地选择有机晶体管的结构即可。
在衬底100上层叠钼膜101、氧化钼膜102、非金属无机膜103、有机化合物膜104、以及无机绝缘膜105。在无机绝缘膜105上形成栅电极251。用于栅电极251的材料没有特别限制，例如可以举出如金、铂、铝、钨、钛、铜、钼、钽、铌、铬、镍、钴、镁等金属；包含上述金属的合金；导电高分子化合物如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、聚二乙炔、掺杂有杂质的多晶硅等。制造栅电极251的方法没有特别限制，可以在通过溅射法、蒸镀法等成膜之后，通过进行蚀刻等方法将其加工成所需形状而制造。另外，也可以使用含有导电物质的液滴通过喷墨法等形成。
接着，形成覆盖栅电极251的栅极绝缘膜252。将无机绝缘材料如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等用于栅极绝缘膜252。另外，这些栅极绝缘膜252可以通过诸如浸渍法、旋涂法、液滴喷射法等的涂敷法、CVD法、溅射法等的方法来形成。还可以对该栅极绝缘膜252进行使用高密度等离子体的氮化及/或氧化处理。通过进行高密度等离子体氮化，还可以获得以更高浓度含有氮的氮化硅膜。高密度等离子体是通过使用高频微波如2.45GHz来产生的。使用这种高密度等离子体的等离子体激发来激活氧(或含有氧的气体)或氮(或含有氮的气体)等，并且使其与绝缘膜反应。由于活性种的动能低，因此与现有的等离子体处理相比以低电子温度为特征的高密度等离子体可以形成等离子体损伤较少且缺陷较少的膜。另外，通过使用高密度等离子体，可以减小栅极绝缘膜252表面的粗糙度，因此能够提高载流子的迁移率。另外，可以使得构成在栅极绝缘膜252上形成的半导体层的有机半导体材料的取向易于一致。
接着，在栅极绝缘膜252上形成源电极及漏电极215。接着，在源电极及漏电极215之间形成半导体层213。半导体层213可以使用与上述的图2B所示的半导体层213相同的材料。
另外，对于图15B的结构进行说明。图15B的结构被称为顶栅型结构。
在衬底100上层叠钼膜101、氧化钼膜102、非金属无机膜103、有机化合物膜104、以及无机绝缘膜105。在无机绝缘膜105上形成源电极及漏电极414、415。接着，在源电极及漏电极414、415之间形成半导体层413。接着，形成覆盖半导体层413和源电极及漏电极414、415的栅极绝缘膜442。接着，在栅极绝缘膜442上形成栅电极441。栅电极441中间夹着栅极绝缘膜442与半导体层413重叠。
像这样，即使采用各种有机晶体管的结构，也可以通过本发明进行剥离。例如，通过涂敷法形成的半导体层的紧密性较低，但是，如果采用本发明的使用氧化钼膜附近的剥离法，即使使用通过涂敷法形成的半导体层，也可以在钼膜附近(本实施方式中的氧化钼膜102和非金属无机膜103的界面)进行剥离。
此外，还可以替代有机晶体管，而使用将通过溅射法或PLD法制造的ZnO或锌镓铟的氧化物用于半导体层的晶体管。在此情况下，可以应用图15A和15B的结构。另外，在将ZnO或锌镓铟的氧化物用于半导体层的情况下，栅极绝缘膜优选为含有铝或钛的氧化物。像这样，在形成其制造工艺中包括向衬底照射等离子体的步骤的晶体管时，也可以有效地应用本发明，并且可以在能够耐受等离子体处理的衬底上形成晶体管之后，贴合对于等离子体的耐性低的柔性衬底并进行剥离，来制造发光装置。
另外，在发光装置的机械强度低的情况下，也可以使用粘合层将柔性衬底固定在剥离了的表面上。在此情况下，优选使用具有与柔性衬底225相同的热膨胀系数的柔性衬底，以便与温度变化无关地保持衬底之间的间隔。
此外，本实施方式可以与实施方式1自由地组合。例如，可以替代实施方式1所示的非晶薄膜晶体管，而使用实施方式2所示的有机晶体管来制造液晶显示装置。另外，也可以替代实施方式2所示的有机晶体管，而使用实施方式1所示的非晶薄膜晶体管来制造发光装置。
实施方式3
在此，使用图5至图9说明在柔性衬底上制造无源矩阵型发光装置的例子。
无源矩阵型(简单矩阵型)发光装置具有如下结构：条状(带状)并列的多个阳极和条状并列的多个阴极被设置为彼此正交，并且该交叉部分夹有发光层或荧光层。从而，在被选择(被施加电压)的阳极和被选择的阴极的交叉点上的像素发光。
图5A示出在将柔性衬底贴在发光元件的第二电极516上之前的像素部分的俯视图。图5B是以在图5A中的虚线A-A’切割的截面图，而图5C是以虚线B-B’切割的截面图。
与实施方式2同样，在衬底100上层叠钼膜101、氧化钼膜102、非金属无机膜103、有机化合物膜104、以及无机绝缘膜105。在无机绝缘膜105上以等间距条状布置有多个第一电极513。另外，在第一电极513上提供有具有对应于各个像素的开口部分的分隔壁514。具有开口部分的分隔壁514由绝缘材料(光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯)或SOG膜(例如包含烷基的SiOx膜))构成。另外，对应于各个像素的开口部分用作发光区域521。
在具有开口部分的分隔壁514上设置与第一电极513交叉且彼此平行的多个反锥形的分隔壁522。根据光刻法利用未被曝光的部分保留作为图形的正性光敏树脂，并通过调整曝光量或显影时间，以使图形下方的部分更多地被蚀刻，来形成反锥形的分隔壁522。
图6是当刚形成了彼此平行的多个反锥形的分隔壁522之后的立体图。
反锥形的分隔壁522的高度设定为比包括发光层的叠层膜及导电膜的总和的厚度大。当将包括发光层的叠层膜和导电膜层叠形成在具有图6所示的结构的衬底上时，如图5所示，分离为彼此电隔离的多个区域，而形成各包括发光层的叠层膜515R、515G、515B、以及第二电极516。第二电极516是在与第一电极513交叉的方向上延伸的互相平行的条状电极。另外，包括发光层的叠层膜及导电膜还形成在反锥形的分隔壁522上，但其被与包括发光层的叠层膜515R、515G、515B以及第二电极116隔开。
在此示出了形成一种发光装置的例子，即，选择性地形成包括发光层的叠层膜515R、515G、515B，来形成可以获得3种发光(R、G、B)的能够执行全色显示的发光装置。包括发光层的叠层膜515R、515G、515B分别形成为互相平行的条状图形。
另外，可以在整个表面上形成包括发射相同颜色的光的发光层的叠层膜，来提供单色发光元件，从而可以制造能够执行单色显示的发光装置或能够执行局部彩色显示的发光装置。另外，也可以通过组合能够发射白色发光的发光装置和彩色滤光片，来制造能够执行全色显示的发光装置。
接着，使用图7表示安装有FPC等的发光模块的俯视图。
注意，本说明书中的发光装置是指图像显示装置、发光装置、或光源(包括照明装置)。另外，发光装置还包括在发光装置配备有连接器诸如FPC(柔性印刷电路)、TAB(载带自动键合)带或TCP(载带封装)的模块；印刷线路板固定到TAB带或TCP端部的模块；IC(集成电路)通过COG(玻璃上芯片)方式直接安装在发光元件上的模块。
如图7所示，在构成图像显示的像素部分中，扫描线组和数据线组彼此正交。
图5的第一电极513相当于图7的扫描线602，第二电极516相当于数据线603，反锥形的分隔壁522相当于分隔壁604。在数据线603和扫描线602之间夹有发光层，并且由区域605表示的交叉部分成为一个像素。
另外，数据线603在布线端部与由导电层829及导电层830形成的连接布线608电连接，且连接布线608通过输入端子607连接到FPC609b。并且，扫描线602通过输入端子606连接到FPC 609a。
接着，使用粘合层固定柔性衬底。
接着，从衬底100剥离发光元件。另外，根据需要，还可以在剥离之后去除非金属无机膜103。
另外，如果需要，可以在发光元件的出射表面上适当地设置诸如偏振片、圆偏振片(包括椭圆偏振片)、相位差板(λ/4板，λ/2板)、以及彩色滤光片等的光学膜。另外，可以通过在偏振片或圆偏振片上设置抗反射膜，降低反映。另外，可以执行利用表面的凹凸扩散反射光来降低眩光的抗眩光处理。
通过上述工序，可以制造具有柔性的无源矩阵型发光装置。由于当安装FPC时进行热压处理，因而优选在硬衬底上进行。根据本发明，可以通过在安装FPC之后进行剥离，而制造具有柔性且薄型的发光装置。
图7示出了在衬底上没有设置驱动电路的例子，而下面使用图8说明安装了具有驱动电路的IC芯片的发光模块的制造方法的一例。
首先，与实施方式1同样，在衬底100上层叠钼膜、氧化钼膜、绝缘膜。在该绝缘膜上形成扫描线602(也用作阳极)，该扫描线602具有下层为具有反射性的金属膜而上层为透明氧化物导电膜的叠层结构。与此同时，还形成连接布线608、709a、709b、以及输入端子。
接着，设置具有对应于各个像素的开口部分的分隔壁。接着，在具有开口部分的分隔壁(未图示)上设置与扫描线602交叉且彼此平行的多个反锥形的分隔壁604。图8A是完成上述工序时的俯视图。
接着，通过层叠形成包括发光层的叠层膜和透明导电膜，如图8B所示分离为彼此电隔离的多个区域，并且形成包括发光层的叠层膜及由透明导电膜构成的数据线603。由透明导电膜构成的数据线603是在与扫描线602交叉的方向上延伸的互相平行的条状电极。
接着，利用COG方式在像素部分周围(外侧)区域中分别安装扫描线侧IC 706和数据线侧IC 707，该扫描线侧IC 706和数据线侧IC 707形成有用来将各个信号传送到像素部分的驱动电路。除了COG方式以外，还可以采用TCP或引线键合方式来安装。TCP是一种在TAB带上安装有IC的封装方式，将TAB带连接到元件形成衬底上的布线来安装IC。扫描线侧IC 706及数据线侧IC 707可以用硅衬底，也可以在其上形成了由薄膜晶体管形成的驱动电路的玻璃衬底、石英衬底、或塑料衬底。另外，虽然示出了一个IC设置在单侧上的例子，但也可以在单侧上设置被分成多个的IC。
另外，数据线603在布线端部与连接布线608电连接，并且连接布线608与数据线侧IC 707连接。这是因为难以在反锥形的分隔壁604上形成数据线侧IC 707的缘故。
以这种结构形成的扫描线侧IC 706通过连接布线709a连接到FPC 711a。另外，数据线侧IC 707通过连接布线709b连接到FPC711b。
另外，安装IC芯片712(存储器芯片、CPU芯片、电源电路芯片等)以实现集成化。
接着，以覆盖IC芯片712的方式使用粘合层固定柔性衬底。
接着，从衬底100剥离发光元件。另外，根据需要，也可以在剥离之后去除非金属无机膜103。图9示出了沿图8B中的虚线C-D切割的截面结构的一例。
扫描线602具有由二层构成的叠层结构，下层812是具有反射性的金属膜，而上层813是透明氧化物导电膜。优选用功函数高的导电膜来形成上层813。例如，可以采用除了包含铟锡氧化物(ITO)的膜之外，还包含如下材料的膜：透明导电材料诸如包含Si元素的铟锡氧化物或将氧化锌(ZnO)混合到氧化铟中的铟锌氧化物(IZO)等、或者组合这些的化合物。另外，下层812使用Ag膜、Al膜或Al合金膜来形成。
用于使相邻的扫描线之间绝缘的分隔壁514由树脂形成，并且由分隔壁包围的区域对应于发光区域而具有相同面积。
数据线603(阴极)形成为与扫描线602(阳极)交叉。数据线603(阴极)使用由ITO、包含Si元素的铟锡氧化物或将氧化锌(ZnO)混合到氧化铟中的IZO等组成的透明导电膜。由于本实施方式示出了发光透过柔性衬底820中的顶部出射型发光装置的例子，故重要的是数据线603要透明。
布置有多个发光元件的像素部分、端子部分、以及周围部分使用粘合层817与柔性衬底820贴合，上述发光元件位于扫描线和数据线中间夹着具有发光层的叠层膜815彼此交叉的部分。作为粘合层817，可以使用紫外线固化树脂、热固化树脂、硅酮树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、PVC(聚氯乙烯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)、或EVA(乙烯醋酸乙烯酯)。
在端子部分形成连接布线709b，在该部分将和外部电路连接的FPC(柔性印刷线路板)711b贴合。连接布线709b具有由具有反射性的金属膜827、透明氧化物导电膜826、以及从第二电极延伸的氧化导电膜组成的叠层结构，但不局限于此。
可以采用使用各向异性导电材料或金属凸块的连接方法或引线键合方式来安装FPC 711b。在图9中，用各向异性导电接合材料831连接。
另外，数据线侧IC 707通过各向异性导电材料824和825电连接到像素部分的周围，该数据线侧IC 707形成有用来将各个信号传送到像素部分的驱动电路。另外，为了形成对应于彩色显示的像素部分，在XGA显示级的情况下要求具有3072个数据线和768个扫描线。以该数量构成的数据线及扫描线在像素部分的端部处被分成几个块而形成引出线，并根据IC的输出端子的节距被集中。
通过上述工序，可以制造发光模块，该发光模块被外侧形成有非金属无机膜103的有机化合物膜104和柔性衬底820密封且安装有IC芯片。由于当安装IC芯片时进行热压处理，因此优选在硬衬底上进行。根据本发明，可以在安装IC芯片之后进行剥离来形成发光装置。
实施方式4
在本实施方式中，示出制造用作无线芯片的半导体装置的方式。本实施方式所示的半导体装置的特征在于以非接触的方式能够读取和写入数据。数据传送方式大致分为如下三种：相对布置一对线圈并通过互感应进行通讯的电磁耦合方式；通过感应电磁场进行通讯的电磁感应方式；以及利用电波进行通讯的电波方式，并且可以使用其中任一种方式。
另外，用于传送数据的天线的设置方法有如下两种：在设置有多个元件及存储元件的半导体构件(以下称为元件衬底)上设置端子部分，并且将设置在另外的衬底上的天线连接到所述端子部分来设置天线；以及在设置有多个半导体元件及无源元件等的元件衬底上形成天线。
以下示出将设置在另外的衬底上的天线连接到元件衬底上的端子部分来设置天线的制造方法。
首先，如图10A所示，与实施方式1同样地在衬底100上形成钼膜101，在钼膜101上形成氧化钼膜102，在氧化钼膜102上形成非金属无机膜103，并且在非金属无机膜103上形成有机化合物膜104。另外，如果需要，还可以如实施方式1所示那样在有机化合物膜104上形成无机绝缘膜105。
接着，如图10B所示，在有机化合物膜104上形成用作天线的导电层904。通过液滴喷射法(喷墨法、分配器法等)喷射含有诸如金、银、铜等的导电体的液滴或膏并进行干燥和焙烧来形成用作天线的导电层904。通过使用液滴喷射法形成用作天线的导电层904，可以减少工序数目，从而可以减少成本。另外，还可以使用丝网印刷法形成导电层904。在使用丝网印刷法的情况下，通过选择性地印刷导电膏而提供用作天线的导电层904，所述导电膏是将粒径为几nm至几十μm的导电颗粒溶解或分散于有机树脂中而成的。作为导电颗粒，可以使用选自银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、钽(Ta)、钼(Mo)及钛(Ti)等中的任一种以上的金属颗粒、卤化银的微粒或分散性纳米颗粒。另外，作为包含在导电膏中的有机树脂，可以使用选自用作金属颗粒的结合剂、溶剂、分散剂及覆盖材料的有机树脂中的一种或多种。典型地，可以举出如环氧树脂和硅酮树脂等有机树脂。另外，当形成导电层904时，优选在挤出导电膏后进行焙烧。另外，还可以使用含有焊料或者无铅焊料作为其主要成分的微粒，在这种情况下，优选使用粒径为20μm以下的微粒。焊料或者无铅焊料具有低成本的优点。此外，除了上述材料之外，也可以将陶瓷或铁氧体等用于天线。
在使用丝网印刷法或液滴喷射法形成天线的情况下，将其形成为所需形状，然后进行焙烧。该焙烧温度为200℃至300℃。虽然在低于200℃的温度下也可以进行焙烧，但是在低于200℃的情况下，有可能发生不仅不能确保天线的导电性，还缩短天线的通讯距离的问题。考虑到上述问题，优选在另外的衬底即具有耐热性的衬底上形成天线，然后剥离它并将它连接到元件衬底。
另外，除了丝网印刷法之外，还可以使用凹版印刷法等，并且可以通过镀敷法等使用导电材料来形成天线。
接着，如图10C所示那样进行剥离，将非金属无机膜103从衬底100分离。由于本发明的使用氧化钼膜的剥离方法用较小力量就可以进行剥离，所以提高成品率。另外，由于本发明的使用氧化钼膜附近的剥离方法用较小力量就可以进行剥离，而不需要500℃以上的热处理，所以可以在剥离时抑制有机化合物膜104的变形，因而对导电层904造成的损坏也少。另外，根据需要，也可以在剥离工序之后去除非金属无机膜103。
接着，如图10D所示，在有机化合物膜104的设置有导电层904的表面上布置元件衬底907。通过使用各向异性导电材料进行压合，实现元件衬底的端子部分和导电层904之间的电连接。
另外，虽然在图10中示出了在从衬底100剥离包括导电层904的叠层体之后将导电层904和元件衬底907连接的情况，但是还可以在对导电层904进行焙烧并将导电层904和元件衬底907连接之后从衬底100剥离包括导电层904的叠层体。
另外，当在叠层体上形成多个用作天线的导电层904时，也可以在分断该叠层体来形成具有用作天线的导电层904的多个叠层体之后将元件衬底连接到该导电层904。
另外，在图10D中，虽然示出了提供其面积小于有机化合物膜104的元件衬底907的例子，但没有特别限制。既可以提供其面积与有机化合物膜104大致相同的元件衬底，又可以提供其面积大于有机化合物膜104的元件衬底。
通过上述工序，完成用作IC标签的半导体装置。上述半导体装置是薄型且具有柔性。另外，通过在氧化钼膜及用作天线的导电层之间设置有机化合物膜，可以使该有机化合物膜发挥作为半导体装置的支撑构件的功能。由此，也可以无需设置过多的用于支撑半导体装置的支撑衬底，而可以实现成本的降低。
另外，最后，也可以贴合有机化合物膜104和另一个挠性衬底来封闭元件衬底907，以保护元件衬底907。
接着，使用图3说明在设置有元件及存储元件的元件衬底上形成天线来制造用作无线芯片的半导体装置的方法。
与实施方式1同样，如图3A所示，在衬底100上形成钼膜101，在钼膜101上形成氧化钼膜102，在氧化钼膜102上形成非金属无机膜103，在非金属无机膜103上形成有机化合物膜104，并且在有机化合物膜104上形成无机绝缘膜105。
接着，在无机绝缘膜105上形成非晶体半导体膜。与实施方式1所示的非晶体半导体膜108同样地形成非晶体半导体膜。在此，通过等离子体CVD法形成厚度为10nm以上且100nm以下，优选为20nm以上且80nm以下的非晶体硅膜。
接着，对非晶体半导体膜扫描激光束302，来形成晶体半导体膜。在图3A中，示出了通过进行对非晶体半导体膜301扫描激光束的激光退火法来形成晶体半导体膜303的例子。
在通过激光退火法进行晶化的情况下，可以使用脉冲状或连续波的激光器。另外，激光波长为可见至紫外区域(800nm以下)，优选为紫外区域(400nm以下)，以使激光束高效率地吸收到半导体膜中。作为激光振荡器，可以使用如下激光振荡器：KrF、ArF、XeCl、XeF等的受激准分子激光振荡器；N2、He、He-Cd、Ar、He-Ne、HF等的气体激光振荡器；使用了掺杂有Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti、Yb、或Tm的YAG、GdVO4、YVO4、YLF、YAlO3、ScO3、Lu2O3、Y2O3等的结晶的固体激光振荡器；以及氦镉振荡器等的金属蒸汽激光振荡器等。另外，在固体激光振荡器中，优选应用基波的三次谐波至五次谐波。激光是通过光学系统聚焦而利用的，例如将激光加工成线状来进行激光退火。实施者适当地选择激光退火的条件，例如，将激光脉冲振荡频率设定为30Hz，并且将激光能量密度设定为100mJ/cm2至500mJ/cm2(典型为300mJ/cm2至400mJ/cm2)。而且，将线状光束照射到衬底的整个表面上，并将此时的线状光束的重合比(重叠比)设定为80％至98％。像这样可以形成晶体半导体膜。
在此，将受激准分子激光束照射到非晶体硅膜上来形成晶体硅膜。
另外，优选在将激光束照射到非晶体硅膜之前照射其能量小于用来晶化的激光束的激光束来去除在非晶体硅膜中的氢，以防止氢从非晶体半导体膜中喷出。
接着，选择性地蚀刻晶体半导体膜303来形成半导体层321、322。在此，作为蚀刻晶体半导体膜的方法，可以使用干法蚀刻、湿法蚀刻等。在此，在晶体半导体膜上涂敷抗蚀剂，然后进行曝光及显影来形成抗蚀剂掩模。接着，使用抗蚀剂掩模通过将SF6∶O2的流量比设定为4∶15的干法刻蚀选择性地蚀刻晶体半导体膜。之后去除抗蚀剂掩模。
接着，在半导体层321、322上形成栅极绝缘膜323。栅极绝缘膜323通过使用氮化硅、含有氧的氮化硅、氧化硅、含有氮的氧化硅等的单层或叠层结构形成。在此，通过等离子体CVD法形成厚度为115nm的含氮的氧化硅。
接着，形成栅电极324、325。栅电极324、325可以通过使用金属或添加有一种导电类型的杂质的多晶半导体形成。在使用金属时，可以使用钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝(Al)等。另外，也可以使用使金属氮化了的金属氮化物。或者，也可以采用层叠由所述金属氮化物构成的第一层和由所述金属构成的第二层而成的结构。另外，可以使用液滴喷射法在栅极绝缘膜上喷射含有微粒的膏，并且对此进行干燥及焙烧来形成。另外，也可以通过印刷法将含有微粒的膏印刷在栅极绝缘膜上，并且对此进行干燥及焙烧来形成。作为微粒的典型例子，也可以采用以金、铜、金和银的合金、金和铜的合金、银和铜的合金、以及金、银和铜的合金中的任一个为主要成分的微粒。在此，通过溅射法在栅极绝缘膜323上形成厚度为30nm的氮化钽膜、以及厚度为370nm的钨膜，然后使用通过光刻工序形成的抗蚀剂掩模选择性地蚀刻氮化钽膜及钨膜，来形成具有氮化钽膜的端部比钨膜的端部向外部延伸得更远的形状的栅电极324、325。
接着，以栅电极324、325为掩模，对半导体层321、322分别添加赋予n型的杂质元素及赋予p型的杂质元素，来形成源区及漏区326至329。另外，形成与栅电极324、325的一部分重叠的低浓度杂质区域331至334。在此，对源区及漏区326至329、以及低浓度杂质区域331至334掺杂作为赋予n型的杂质元素的磷。
之后，也可以激活添加到半导体膜的杂质元素。在此，也可以照射激光束来激活杂质。通过以上工序，形成薄膜晶体管320a、320b。另外，作为薄膜晶体管320a、320b形成n沟道型薄膜晶体管。另外，虽然未图示，但由p沟道型薄膜晶体管及n沟道型薄膜晶体管构成驱动电路。
接着，形成使薄膜晶体管320a、320b的栅电极及布线绝缘的层间绝缘膜。在此，作为层间绝缘膜，层叠形成氧化硅膜335a、氮化硅膜335b、以及氧化硅膜335c。另外，在层间绝缘膜的一部分的氧化硅膜335c上形成连接到薄膜晶体管320a、320b的源区及漏区326至329的布线336至339。在此，在通过溅射法连续形成100nm厚的Ti膜、333nm厚的Al膜、以及100nm厚的Ti膜之后，使用通过光刻工序形成的抗蚀剂掩模选择性地蚀刻，来形成布线336至339。之后去除抗蚀剂掩模。
接着，在连接到薄膜晶体管320b的布线339上形成用作天线的导电层313。可以与图10所示的用作天线的导电层904同样地形成用作天线的导电层313。另外，可以在通过溅射法形成导电层之后，使用通过光刻工序形成的掩模选择性地蚀刻导电层，来形成用作天线的导电层313。
之后，还可以在用作天线的导电层313及层间绝缘膜上形成钝化膜314。通过形成钝化膜314，可以防止用作天线的导电层313和薄膜晶体管320a、320b受来自外部的水分、氧、杂质的影响而引起污染。使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、DLC(类金刚石碳)、碳化氮等形成钝化膜314。
接着，如图3C所示，使用粘合层341将柔性衬底342固定在钝化膜314上。
接着，从衬底100剥离包括非金属无机膜103、有机化合物膜104、薄膜晶体管320a、320b、用作天线的导电层313、以及柔性衬底342的叠层体343。由于氧化钼膜有脆弱性，所以用较小的力量就可以从衬底剥离叠层体。另外，根据需要，也可以在剥离之后去除非金属无机膜103。
另外，当在包括非金属无机膜103、有机化合物膜104、薄膜晶体管320a、320b、用作天线的导电层313、以及柔性衬底342的叠层体343中包括多个半导体装置时，也可以分断所述叠层体以获得多个半导体装置。借助于这种工序，可以通过一次剥离工序制造多个半导体装置。
通过以上工序完成用作IC标签的半导体装置344。本实施方式的半导体装置是薄型且具有柔性。另外，通过在氧化钼膜及薄膜晶体管之间设置有机化合物膜，可以使该有机化合物膜发挥作为半导体装置的支撑构件的功能。由此，也可以无需设置过多的用于支撑半导体装置的支撑构件，而可以实现成本的降低。
在此，作为半导体装置中的信号传送方式，应用电磁耦合方式或电磁感应方式(例如，13.56MHz频带)。由于利用磁场密度的变化所引起的电磁感应，因此，虽然在图10D中将用作天线的导电层的俯视形状形成为环形(例如，环形天线)或者螺旋形(例如，螺旋天线)，但是没有特别限制。
另外，作为半导体装置中的信号传送方式，还可以使用微波方式(例如UHF频带(860MHz至960MHz频带)、2.45GHz频带等)。在此情况下，考虑用于信号传送的电磁波的波长，适当地设定用作天线的导电层的形状如长度等即可。图11A至11D示出了形成在有机化合物膜104上的用作天线的导电层912和具有集成电路的芯片状半导体装置913的例子。例如，可以将用作天线的导电层的俯视形状形成为线状(例如，偶极天线(参照图11A))、平坦的形状(例如平板天线(参照图11B))、或者蝴蝶型的形状(参照图11C、11D)等。另外，用作天线的导电层的形状不局限于线状，还可以考虑到电磁波的波长而采用曲线状、S字形或者组合它们的形状来设置。
另外，参照图12A说明通过上述工序获得的半导体装置的结构。如图12A所示，根据本发明而获得的半导体装置1120具有以非接触的方式进行数据通信的功能，并且包括电源电路1111、时钟产生电路1112、数据解调/调制电路1113、控制其他电路的控制电路1114、接口电路1115、存储电路1116、数据总线1117、天线1118、传感器1121、以及传感器电路1122。
电源电路1111是基于由天线1118输入的交流信号，产生供应给半导体装置1120内的各个电路的各种电源的电路。时钟产生电路1112是基于由天线1118输入的交流信号，产生供应给半导体装置1120内的各个电路的各种时钟信号的电路。数据解调/调制电路1113具有解调/调制与通讯器1119进行通信的数据的功能。控制电路1114具有控制存储电路1116的功能。天线1118具有收发电波的功能。通讯器1119与半导体装置进行通信，控制该半导体装置并且控制关于其数据的处理。注意，半导体装置不局限于上述结构，例如可以为追加有其他部件如电源电压的限幅电路或专用于加密处理的硬件的结构。
存储电路1116的特征在于具有存储元件，该存储元件在一对导电层之间夹有有机化合物层或相变层。另外，存储电路1116可以仅具有在一对导电层之间夹有有机化合物层或相变层的存储元件，并且还可以具有其他结构的存储电路。该其他结构的存储电路相当于选自例如DRAM、SRAM、FeRAM、掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM及闪存中的一种或多种。
传感器1121由半导体元件如电阻元件、电容耦合元件、电感耦合元件、光电动势元件、光电转换元件、热电动势元件、晶体管、热敏电阻和二极管等形成。传感器电路1122检测阻抗、电抗、电感、电压或电流的变化，并且进行模拟/数字转换(A/D转换)，将信号输出到控制电路1114。
本实施方式可以与实施方式1或实施方式2自由地组合。例如，可以使用根据实施方式1或实施方式2而获得的薄膜晶体管来形成集成电路，并且将进行剥离了的元件衬底和设置有根据本实施方式而获得的天线的柔性衬底贴合在一起，来实现电导通。
通过本发明，可以形成用作具有处理器电路的IC标签(以下也称为IC芯片、处理器芯片、无线芯片、无线处理器、无线存储器和无线标签)的半导体装置。根据本发明而获得的半导体装置的用途很广泛，例如可以将其安装在纸币、硬币、有价证券类、证书类、无记名债券类、包装用容器类、书籍类、记录媒体、个人用品、交通工具类、食品类、衣物类、保健用品类、生活用品类、药品类、以及电子设备等上来使用。
纸币和硬币是在市场中流通的货币，并且包括在特定区域以与货币相同方式使用的东西(兑换券)、纪念币等。有价证券类是指支票、证券、期票等，并且可以设置有具有处理器电路的IC标签90(参照图13A)。证书类是指驾驶执照、居住证等，并且可以设置有IC标签91(参照图13B)。交通工具类是指车辆如自行车等、船舶等，并且可以设置有IC标签96(参考图13C)。无记名债券类是指邮票、米券、各种礼品券等。包装用容器类是指用于盒饭等的包装纸、塑料瓶等，并且可以设置有IC标签93(参照图13D)。书籍类是指书，并且可以设置有IC标签94(参照图13E)。记录媒体是指DVD软件、录像带等，并且可以设置有IC标签95(参照图13F)。个人用品是指包、眼镜等，并且可以设置有具有处理器电路的芯片97(参照图13G)。食品类是指粮食、饮料等。衣物类是指服装、鞋等。保健用品类是指医疗设备、健康用具等。生活用品类是指家具、照明设备等。药品类是指医药药品、农药等。电子设备是指液晶显示装置、EL显示装置、电视装置(电视接收机和薄型电视接收机)、移动电话等。
根据本发明而获得的半导体装置通过安装在印刷衬底上、粘贴到表面上、或者嵌入等的方法被固定到物品上。例如，当设置于书时，将半导体装置嵌入到纸中，当设置于由有机树脂构成的包装时，将半导体装置嵌入到该有机树脂中，以固定到各个物品上。由于本发明的半导体装置实现了小型、薄型和轻重量，所以在将它固定到物品上之后也没有损失物品本身的外观设计。另外，通过将根据本发明而获得的半导体装置设置在纸币、硬币、有价证券类、无记名债券类、证书类等上，可以添加认证功能，并且通过利用该认证功能，可以防止伪造。另外，通过将根据本发明而获得的半导体装置设置在包装用容器类、记录媒体、个人用品、食品类、衣物类、生活用品类、电子设备等上，可以提高系统如检查系统等的效率。
接着，参照附图说明安装有根据本发明而获得的半导体装置的电子设备的一个方式。在此示例的电子设备是移动电话，包括机壳2700和2706、面板2701、机架2702、印刷线路板2703、操作按钮2704、以及电池2705(参照图12B)。面板2701可自由装卸地安装在机架2702中，并且机架2702嵌入到印刷线路板2703上。根据安装有面板2701的电子设备，适当地改变机架2702的形状和尺寸。在印刷线路板2703上，安装有多个封装了的半导体装置，并且可以使用根据本发明而获得的半导体装置作为这些半导体装置之一。安装在印刷线路板2703上的多个半导体装置具有下列中的任一种功能：控制器、中央处理单元(CPU)、存储器、电源电路、音频处理电路、收发电路等。
面板2701通过连接膜2708与印刷线路板2703连接。上述面板2701、机架2702、以及印刷线路板2703与操作按钮2704和电池2705一起安装在机壳2700和2706中。布置包括在面板2701中的像素区域2709使得可以从设置在机壳2700中的窗口看到。
如上那样，根据本发明而获得的半导体装置使用柔性衬底，因此，其特征在于薄型和轻重量。由于上述特征，可以有效地利用电子设备的机壳2700和2706内部的有限空间。
注意，机壳2700和2706示出了移动电话的外部形状作为一例，根据本实施方式的电子设备可以根据其功能或用途来转换成各种方式。
实施方式5
在此使用图4说明制造具有使用了非晶体半导体膜的半导体元件的半导体装置的例子。作为使用了非晶体半导体膜的半导体元件，有薄膜晶体管、二极管、电阻元件等。在此使用光电转换元件的例子来说明，在该光电转换元件中，作为使用了非晶体半导体膜的半导体元件采用二极管。
与实施方式1同样，在衬底100上形成钼膜101，在钼膜101上形成氧化钼膜102，在氧化钼膜102上形成非金属无机膜103，并且在非金属无机膜103上形成有机化合物膜104。图4A是完成上述工序时的截面工序图。
接着，在有机化合物膜104上形成无机绝缘膜105，并且在无机绝缘膜105上形成第一导电层242a至242c。接着形成光电转换层243a至243c，以使第一导电层242a至242c的一部分露出。接着，在光电转换层243a至243c上且第一导电层242a至242c的露出部分的一部分形成第二导电层244a至244c。在此，由第一导电层242a、光电转换层243a、以及第二导电层244a构成光电转换元件241a。另外，由第一导电层242b、光电转换层243b、以及第二导电层244b构成光电转换元件241b。另外，由第一导电层242c、光电转换层243c、以及第二导电层244c构成光电转换元件241c。另外，以与第二光电转换元件241b的第一导电层242b接触的方式形成光电转换元件241a的第二导电层244a，以使光电转换元件241a至241c实现串联连接。另外，以与第三光电转换元件241c的第一导电层242c接触的方式形成光电转换元件241b的第二导电层244b。以与第四光电转换元件的第一导电层接触的方式形成光电转换元件241c的第二导电层244c。
在光从有机化合物膜104侧入射的情况下，使用可以与由非晶体半导体膜形成的光电转换层243a至243c进行欧姆接触并且具有透光性的导电膜形成第一导电层242a至242c。典型地，可以采用ITO(氧化铟氧化锡合金)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)、含有氧化硅的氧化铟锡等。另外，使用可以与由非晶体半导体膜形成的光电转换层243a至243c进行欧姆接触的金属膜形成第二导电层244a至244c。作为其典型例子，使用选自铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钼(Mo)、钯(Pd)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)，和金(Au)中的一种元素；或者以50％以上的浓度包含该元素的合金材料来形成。
另一方面，在光从第二导电层244a至244c侧入射的情况下，将可以与由非晶体半导体膜形成的光电转换层243a至243c进行欧姆接触的金属膜用于第一导电层242a至242c，并且将可以与由非晶体半导体膜形成的光电转换层243a至243c进行欧姆接触且具有透光性的电极用于第二导电层244a至244c。
光电转换层243a至243c可以由具有非晶体半导体膜的半导体层形成。作为其典型例子，可以举出非晶体硅层、非晶体硅锗层、碳化硅层、它们的PN结层、或它们的PIN结层。在本实施方式中，使用PIN结的非晶硅形成光电转换层243a至243c。
使用粘合材料246将挠性衬底245贴合在第二导电层244a至244c上。
接着，从衬底100剥离包括非金属无机膜103、有机化合物膜104、光电转换元件241a至241c、以及柔性衬底245的叠层体247。由于氧化钼膜有脆弱性，所以用较小的力量就可以进行剥离。另外，根据需要，也可以在剥离之后去除非金属无机膜103。
另外，当在包括非金属无机膜103、有机化合物膜104、光电转换元件241a至241c、以及挠性衬底245的叠层体247中包括多个半导体装置时，也可以分断所述叠层体以获得多个半导体装置。借助于这种工序，可以通过一次剥离工序制造多个半导体装置248。
通过上述工序，可以制造具有柔性且薄的半导体装置。
另外，通过安装根据本实施方式制造的半导体装置，可以制造各种电子设备。作为电子设备，可以举出移动电话、笔记本个人电脑、游戏机、汽车导航系统、便携式音响设备、便携式AV设备、影像拍摄装置如数字照相机、胶片照相机和一次成像照相机等、室内空调、汽车空调、通风和空调设备、电子壶、CRT型投影TV、照明器具、照明设备等。以下示出这些电子设备的具体例子。
可以将本实施方式的光学转换元件用作光传感器，并且可以将该光传感器用在移动电话、笔记本个人电脑、数字照相机、游戏机、汽车导航系统、便携式音响设备等中，作为用于最佳地调节显示其亮度、背光照度的传感器及节省电池的传感器。另外，还可以将本实施方式的光学转换元件用作太阳能电池，并且可以将该太阳能电池安装在这些电子设备中作为电池。这些半导体装置小且可以高度地集成，因此可以实现电子设备的小型化。
另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作光传感器，并且将该光传感器安装在移动电话的操作开关和便携式AV设备中，作为用于控制背光LED和冷阴极管的接通和关断的传感器、以及用于节省电池的传感器。通过安装光传感器，在明亮的环境下关断开关，并可以减少由于长期按钮操作的电池消耗。由于本发明的半导体装置小且可以高度地集成，因此可以实现电子设备的小型化和功耗的节省。
另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作光传感器，并且可以将该光传感器安装在影像拍摄装置如数字照相机、胶片照相机和一次成像照相机等中，作为用于控制闪光调光器的传感器或用于控制光圈的传感器。另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作太阳能电池，并且可以将该太阳能电池设置在电子设备中作为电池。这些半导体装置小且可以高度地集成，因此可以实现电子设备的小型化。
另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作光传感器，并且将该光传感器安装在室内空调、汽车空调、以及通风和空调设备中，作为用于控制风量或温度的传感器。本发明的半导体装置小且可以高度地集成，因此可以实现电子设备的小型化和功耗的节省。
另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作光传感器，并且将该光传感器安装在电子壶中，作为用于控制保温温度的传感器。在室内照明关断之后，可以通过本发明的光传感器将保温温度设定为很低。另外，该光传感器很小且薄，因此可以将它安装在任意位置上，因而可以实现节省功耗。
另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作光传感器，并且将该光传感器安装在CRT型投影TV的显示器中，作为用于调节扫描线的位置(RGB扫描线的定位(数字自动聚焦))的传感器。由于本发明的半导体装置小且能够高度地集成，可以实现电子设备的小型化，并且安装在任意位置上。另外，可以实现CRT型投影TV的高速自动控制。
另外，可以将本实施方式的光电转换元件用作光传感器，并且将该光传感器用于各种家用照明器具、室外灯、街灯、无人管理的公用设施、运动场、汽车、计算器等，作为用于控制各种照明器具和照明设备的接通和关断的传感器。通过本发明的传感器可以节省功耗。另外，通过将本实施方式的光电转换元件用作太阳能电池，并且将该太阳能电池安装在上述电子设备中作为电池，可以使电池薄型化以减少其尺寸，因而可以实现电子设备的小型化。
实施方式6
根据本发明而获得的液晶显示装置或发光装置可以用于各种模块(有源矩阵型液晶模块、有源矩阵型EL模块)上。换句话说，其显示部分安装有上述各种模块的所有电子设备均可以实施本发明。
作为这种电子设备，可以举出影像拍摄装置如摄像机和数字照相机等、头戴式显示器(护目镜型显示器)、汽车导航系统、投影机、汽车音响、个人电脑、便携式信息终端(移动电脑、移动电话或电子书籍等)等。图14示出了其一例。
图14A和14B表示电视装置。显示面板可以以如下方式等中的任一种方式形成：仅形成有像素部分，并且通过TAB方式或COG方式安装扫描线侧驱动电路和信号线侧驱动电路；形成薄膜晶体管，并且将像素部分和扫描线侧驱动电路集成地形成在衬底上，而另外安装信号线侧驱动电路作为驱动IC；将像素部分、信号线侧驱动电路和扫描线侧驱动电路集成地形成在衬底上。
作为其他外部电路的结构，图像信号的输入侧由以下电路构成，即：放大在由调谐器接收的信号中的图像信号的图像信号放大电路、将从其输出的信号变换为对应于红、绿、蓝的各种颜色的颜色信号的图像信号处理电路、以及将其图像信号变换为驱动IC的输入规格的控制电路等。控制电路向扫描线侧和信号线侧分别输出信号。在进行数字驱动的情况下，也可以采用在信号线侧设置信号分割电路，并且将输入数字信号分割为多个来供应的结构。
在由调谐器接收的信号中的音频信号被送到音频信号放大电路，其输出经过音频信号处理电路提供到扬声器。控制电路从输入部分接受接收台(接收频率)或音量的控制信息，并将信号传送到调谐器或音频信号处理电路。
如图14A和14B所示，可以将显示模块组装在机壳中来完成电视装置。将安装了FPC为止的显示面板还称为显示模块。由显示模块形成主画面2003，作为其他附属设备还具有扬声器部分2009、操作开关等。如上所述，可以完成电视装置。
如图14A所示，在框体2001中组装利用了显示元件的显示用面板2002，并且可以由接收机2005接收普通的电视广播，而且通过介于调制解调器2004连接到有线或无线方式的通讯网络，从而还可以进行单向(从发送者到接收者)或双向(在发送者和接收者之间，或者在接收者之间)的信息通讯。电视装置的操作可以由组装在机壳中的开关或另外的遥控装置2006进行，并且该遥控装置也可以设置有显示输出信息的显示部分2007。
另外，电视装置还可以附加有如下结构：除了主画面2003以外，使用第二显示用面板形成辅助画面2008，并显示频道或音量等。在这种结构中，也可以采用优越于视角的EL显示用面板形成主画面2003，并且采用能够以低耗电量进行显示的液晶显示用面板形成辅助画面。另外，为了优先地减小耗电量，也可以采用如下结构：使用液晶显示用面板形成主画面2003，使用EL显示用面板形成辅助画面，并且辅助画面能够点亮和熄灭。
图14B为例如具有20英寸至80英寸的大型显示部分的电视装置，包括机壳2010、操作部分的键盘部分2012、显示部分2011、扬声器部分2013等。本发明应用于显示部分2011的制造。由于图14B的显示部分使用了可弯曲的柔性衬底，因此形成为显示部分弯曲了的电视装置。因为可以像这样自由地设计显示部分的形状，所以可以制造所需形状的电视装置。
通过本发明，可以以简单工序形成显示装置，因此还可以实现成本的降低。由此，采用了本发明的电视装置即使具有较大画面的显示部分也可以以较低的成本制造。
当然，本发明不局限于电视装置，还可以应用于个人电脑的监视器、铁路的车站或飞机场等中的信息显示屏、街头的广告显示屏等大面积显示媒体的各种用途中。
另外，图14C是便携式信息终端(电子书籍)，包括主体3001、显示部分3002和3003、记录媒体3004、操作开关3005和天线3006等。本发明的剥离方法可以应用于显示部分3002、3003的制造。通过使用柔性衬底可以实现便携式信息终端的薄型化及轻量化。
本实施方式可以与实施方式1至3中的任一个自由地组合。
实施方式7
在本实施方式中，示出了作为实施方式6所记载的显示部分使用电泳显示装置的例子。典型地，该电泳显示装置应用于便携式信息终端(电子书籍)的显示部分3002或显示部分3003。
电泳显示装置(电泳显示器)也被称作电子纸，并且具有如下优点：与纸同样的易读性、耗电量比其他的显示装置小、可形成为薄而轻的形状。
作为电泳显示器可以考虑到各种各样的形式，一般的电泳显示器为如下器件，即，具有多个微囊，该微囊包含具有正电荷的第一粒子、具有负电荷的第二粒子及溶剂，并且通过对微囊施加电场使微囊中的第一粒子和第二粒子分别向彼此相反的方向移动，来仅显示集合在一方的粒子的颜色。注意，第一粒子或第二粒子包含染料，并且在没有电场的情况下不移动。第一粒子的颜色和第二粒子的颜色不同(包括无色)。
这样，电泳显示器是利用介电电泳效应的显示器，该介电电泳效应是如下：介电常数高的第一粒子或第二粒子移动到高电场区域。电泳显示器不需要使用液晶显示装置所需的偏振片和对置衬底，从而可以使其厚度和重量减少一半。
将在其中分散有所述微囊的溶剂称作电子墨水，该电子墨水可以印刷到玻璃、塑料、布、纸等的表面上。另外，还可以通过使用彩色滤光片或具有色素的粒子来进行彩色显示。
此外，在衬底上适当地布置多个所述微囊，使得微囊夹在两个电极之间而完成显示装置，并且若对微囊施加电场则可以进行显示。例如，可以使用根据实施方式1或实施方式2而获得的有源矩阵衬底。虽然还可以将电子墨水直接印刷在塑料衬底上，但在采用有源矩阵型的情形中，与将元件形成在对热或有机溶剂的耐性低的塑料衬底上的情况相比，优选在玻璃衬底上形成元件及电子墨水，然后根据实施方式1或实施方式2剥离玻璃衬底。
此外，作为微囊中的第一粒子及第二粒子，采用选自导电材料、绝缘材料、半导体材料、磁性材料、液晶材料、铁电性材料、场致发光材料、电致变色材料、磁泳材料中的一种或这些材料的组合材料即可。
本实施方式可以与实施方式1、2或6中的任一个自由地组合。
实施例1
本实施例示出了在本发明的剥离工序前后的作为半导体元件的一例的薄膜晶体管的电流电压特性的变化。
使用图16示出本实施例的薄膜晶体管的制造工序。
如图16A所示，在衬底100上形成钼膜101，在钼膜101上形成氧化钼膜102，在氧化钼膜102上形成非金属无机膜103，在非金属无机膜103上形成有机化合物膜104，在有机化合物膜104上形成无机绝缘膜105，并且在无机绝缘膜105上形成第一导电膜151。
在此，作为衬底100使用由康宁公司制造的玻璃衬底。
另外，作为钼膜101，通过溅射法形成50nm厚的钼膜。在此，使用钼靶子，作为溅射气体使用流量为30sccm的氩气体，将处理室内的压力设定为0.4Pa，并且将电源功率设定为1.5kW。
另外，将N2O气体填充到等离子体CVD设备的处理室内产生等离子体，并使钼膜101的表面氧化来形成氧化钼膜102。
另外，作为非金属无机膜103，通过等离子体CVD法形成100nm厚的氧氮化硅膜。在此，作为原料气体使用流量为100sccm的SiH4及流量为1000sccm的N2O，将处理室内的压力设定为80Pa，将电源功率设定为300kW，并且将成膜温度设定为280℃。另外，电源频率为13.56MHz，电极间距离为24.5mm，以及电极尺寸为60.3cm×49.3cm＝2972.8cm2。
另外，作为有机化合物膜104，在通过旋涂法涂敷组分并以800℃加热五分钟之后以300℃加热三十分钟，来形成15μm厚的聚酰亚胺。
另外，作为无机绝缘膜105，在通过等离子体CVD法形成50nm厚的氮氧化硅膜之后形成100nm厚的氧氮化硅膜。在此，作为原料气体使用流量为15sccm的SiH4、流量为1200sccm的H2、流量为150sccm的NH3及流量为20sccm的N2O，将处理室内的压力设定为40Pa，将电源功率设定为250kW，并且将成膜温度设定为280℃。另外，电源频率为13.56MHz，电极间距离24.5mm，电极尺寸为60.3cm×49.3cm＝2972.8cm2。
作为第一导电膜151，以与钼膜101相同的条件形成100nm厚的钼膜。
接着，在对第一导电膜151进行表面改性处理之后，形成憎液膜(未图示)并对憎液膜照射UV光，然后形成第一掩模152。
在此，在第一导电膜151的表面上没有形成憎液膜，所以使用过氧化氢对第一导电膜的表面进行短时间的处理，来对第一导电膜151进行表面改性。另外，为了控制第一掩模152的形状而形成憎液膜。若憎液膜的表面的表面张力高，喷射到其上的组分的润湿性低，因此，可能有第一掩模被分断而不成为所需形状的担忧。由此，将UV光照射到憎液膜上来控制憎液膜的表面张力。在此，以170℃将十七氟癸基三甲氧基硅烷蒸镀十分钟，使第一导电膜表面吸附十七氟癸基三甲氧基硅烷来形成憎液膜。
使用酚醛清漆树脂并且通过喷墨法喷射组分，以120℃加热三分钟，来形成第一掩模152。
接着，蚀刻没有被第一掩模152覆盖的第一导电膜151，来形成图16B所示的栅电极161。之后，去除第一掩模152。
在此，使用流量为50sccm的CF4及流量为45sccm的O2作为蚀刻气体，将处理室内的压力设定为13.33Pa，以500W的电源功率对第一导电膜151进行干法蚀刻。
接着，在无机绝缘膜105、栅电极161上形成栅极绝缘膜162，在栅极绝缘膜162上形成非晶体半导体膜163，并且在非晶体半导体膜163上形成n型半导体膜164。
作为栅极绝缘膜162，通过等离子体CVD法形成300nm厚的氮化硅膜，作为非晶体半导体膜163，通过等离子体CVD法形成150nm厚的非晶体硅膜，并且作为n型半导体膜164，通过等离子体CVD法形成50nm厚的n型非晶体硅膜。
在此，作为栅极绝缘膜162所形成的氮化硅膜的成膜条件为如下：作为原料气体使用流量为40sccm的SiH4、流量为500sccm的H2、流量为550sccm的NH3、以及流量为140sccm的N2O，将处理室内的压力设定为100Pa，并且将电源功率设定为370kW。另外，作为非晶体半导体膜163所形成的非晶体硅膜的成膜条件为如下：作为原料气体使用流量为280sccm的SiH4以及流量为300sccm的H2，将处理室内的压力设定为170Pa，并且将电源功率设定为60kW。另外，作为n型半导体膜164所形成的n型非晶体硅膜的成膜条件为如下：作为原料气体使用流量为100sccm的SiH4以及流量为170sccm的0.5％PH3(氢稀释)，将处理室内的压力设定为170Pa，并且将电源功率设定为60kW。另外，当进行这些成膜时，成膜温度为280℃，电源频率为13.56MHz，电极间距离为24.5mm，并且电极尺寸为60.3cm×49.3cm＝2972.8cm2。
接着，在将憎液膜(未图示)形成在n型半导体膜164上之后形成第二掩模165。另外，对n型半导体膜164进行的表面改性处理、憎液膜的形成、以及对憎液膜进行的UV光的照射与在第一导电膜151上的第一掩模152的形成前处理相同。
使用酚醛清漆树脂并且通过喷墨法喷射组分，以120℃加热三分钟，来形成第二掩模165。
接着，使用第二掩模165并蚀刻n型半导体膜164来形成图16C所示的n型半导体层172，并且使用第二掩模165并蚀刻非晶体半导体膜163来形成非晶体半导体层171。
在此，在使用流量为60sccm的Cl2和流量为10sccm的CF4作为蚀刻气体，将处理室内的压力设定为13.3Pa，并且将电源功率设定为750W的条件下对非晶体半导体膜163及n型半导体膜164进行干法蚀刻。之后，去除第二掩模165。
接着，虽然未图示，但在栅极绝缘膜162上形成第三掩模并蚀刻栅极绝缘膜162的一部分来形成使栅电极161的一部分露出的接触孔。之后，去除第三掩模。
在此，在使用流量为35sccm的CHF3作为蚀刻气体，将处理室内的压力设定为3.33Pa，并且将电源功率设定为1000W的条件下对栅极绝缘膜162进行干法蚀刻。
接着，在栅电极161、栅极绝缘膜162、非晶体半导体层171、以及n型半导体层172的露出部分形成第二导电膜173。接着，虽然未图示，但在对第二导电膜173进行表面改性处理之后形成憎液膜并且对该憎液膜的表面照射UV光，然后形成第四掩模174、175。另外，对第二导电膜173进行的表面改性处理、憎液膜的形成、以及对憎液膜进行的UV光的照射与在第一导电膜151上的第一掩模152的形成前处理相同。
在此，作为第二导电膜173，以与第一导电膜151相同的条件形成200nm厚的钼膜。另外，作为第四掩模174、175，以与第一掩模152相同的条件由酚醛清漆树脂形成。
接着，使用第四掩模174、175蚀刻第二导电膜173来形成图16D所示的源电极及漏电极181、182。另外，虽然未图示，但还形成了连接到栅电极161的连接布线。
在此，通过用磷酸、醋酸、以及硝酸的混合溶液的湿法蚀刻蚀刻第二导电膜173。之后，去除第四掩模174、175。
接着，将源电极及漏电极181、182作为掩模蚀刻n型半导体层172来形成源区及漏区183、184。此时，非晶体半导体层171也少许被蚀刻。将此时的非晶体半导体层示为非晶体半导体层185。
接着，在栅极绝缘膜162、源电极及漏电极181、182、非晶体半导体层185的露出部分形成第三绝缘膜186。第三绝缘膜186用作钝化膜。
在此，作为第三绝缘膜186以与栅极绝缘膜162相同的成膜条件形成200nm厚的氮化硅膜。
接着，在第三绝缘膜186上形成第五掩模187至189，然后蚀刻第三绝缘膜186来形成绝缘膜191，并且使源电极及漏电极181、182、以及与栅电极连接的连接布线各个的一部分露出。通过该工序，可以测定所制造的薄膜晶体管的电流电压特性。之后，去除第五掩模187至189。
在此，以与将接触孔形成在栅极绝缘膜中时相同的条件通过干法蚀刻蚀刻第三绝缘膜186。
接着，为了提高薄膜晶体管的电流电压特性而进行加热处理。在此，以250℃加热十二分钟。可以通过该加热而降低截止电流(Ioff)。通过上述工序制造薄膜晶体管192。
在此，测定薄膜晶体管192的电流电压特性。图17A示出了其测定结果。
接着，在将加强用胶带贴合到衬底的端部并且从该胶带侧向衬底100切入切口之后，如图16F所示，从衬底100分离非金属无机膜103。在此示出了在氧化钼膜102中产生分离而从衬底100分离非金属无机膜103的图。
接着，图17B示出测定了从衬底100剥离的薄膜晶体管192的电流电压特性的结果。另外，图表1示出了图17A及17B的测定结果。另外，所测定的薄膜晶体管的沟道长度为50μm，沟道宽度为170μm。
[图表1]
    剥离之前   剥离之后
  亚阈值摆幅(V/dec)     0.59   0.56
  Vth(V)     5.39   5.28
  μFE(cm2/(V·s))     0.66   0.61
  On/off比(Vd＝1V)     7.54×105   6.50×105
  On/off比(Vd＝14V)     1.72×106   1.97×106
从图17可知：在剥离前后，薄膜晶体管的电流电压特性及迁移率几乎没变。
从上述内容可知：可以在避免形成在衬底上的薄膜晶体管的特性的降低的同时制造具有柔性的半导体装置。
本说明书根据2007年2月2日在日本专利局受理的日本专利申请编号2007-023747而制作，所述申请内容包括在本说明书中。

Claims (31)

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成金属膜；
在所述金属膜上形成金属氧化膜；
在所述金属氧化膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
在所述有机化合物膜上形成半导体元件；以及
从所述衬底剥离所述半导体元件。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属氧化膜包含与所述金属膜的金属相同的金属的氧化物。
3.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成金属膜；
在所述金属膜上形成金属氧化膜；
在所述金属氧化膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
在所述有机化合物膜上形成导电层；以及
从所述衬底剥离所述导电层。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属氧化膜包含与所述金属膜的金属相同的金属的氧化物。
5.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成钼膜；
在所述钼膜上形成氧化钼膜；
在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
在所述有机化合物膜上形成非晶体半导体膜；
使用所述非晶体半导体膜形成半导体元件；以及
从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述有机化合物膜和所述半导体元件的叠层体。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述有机化合物膜通过在180℃以上且低于500℃的温度下加热来形成。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还包括如下工序，即在从所述衬底剥离所述叠层体之前部分照射激光束。
8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述衬底是选自如下组中的衬底：玻璃衬底、陶瓷衬底、以及石英衬底。
9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中以与所述钼膜接触的方式形成所述氧化钼膜。
10.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成钼膜；
在所述钼膜上形成氧化钼膜；
在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
在所述有机化合物膜上形成包含有机化合物的半导体膜；
使用所述包含有机化合物的半导体膜形成半导体元件，以及
从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述有机化合物膜和所述半导体元件的叠层体。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述有机化合物膜通过在180℃以上且低于500℃的温度下加热来形成。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括如下工序，即在从所述衬底剥离所述叠层体之前部分照射激光束。
13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述衬底是选自如下组中的衬底：玻璃衬底、陶瓷衬底、以及石英衬底。
14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中以与所述钼膜接触的方式形成所述氧化钼膜。
15.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成钼膜；
在所述钼膜上形成氧化钼膜；
在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
在所述有机化合物膜上形成第一电极；
在所述第一电极上形成发光层；
在所述发光层上形成第二电极；
在所述第二电极上贴合挠性衬底；以及
从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述有机化合物膜、所述第一电极、所述发光层、所述第二电极和所述挠性衬底的叠层体。
16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中所述有机化合物膜通过在180℃以上且低于500℃的温度下加热来形成。
17.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，还包括如下工序，即在从所述衬底剥离所述叠层体之前部分照射激光束。
18.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中所述衬底是选自如下组中的衬底：玻璃衬底、陶瓷衬底、以及石英衬底。
19.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中以与所述钼膜接触的方式形成所述氧化钼膜。
20.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成钼膜；
在所述钼膜上形成氧化钼膜；
在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
通过印刷法在所述有机化合物膜上印刷导电层；
在所述印刷之后对所述导电层进行焙烧；
将半导体构件和所述导电层彼此贴合；以及
从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述有机化合物膜和所述导电层的叠层体、以及所述半导体构件。
21.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电层是天线。
22.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中所述有机化合物膜通过在180℃以上且低于500℃的温度下加热来形成。
23.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，还包括如下工序，即在从所述衬底剥离所述叠层体及所述半导体构件之前部分照射激光束。
24.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中所述衬底是选自如下组中的衬底：玻璃衬底、陶瓷衬底、以及石英衬底。
25.根据权利要求20所述的半导体装置的制造方法，其中以与所述钼膜接触的方式形成所述氧化钼膜。
26.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
在衬底上形成钼膜；
在所述钼膜上形成氧化钼膜；
在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜；
在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；
通过印刷法在所述有机化合物膜上印刷导电层；
在所述印刷之后对所述导电层进行焙烧；
从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述有机化合物膜和所述导电层的叠层体；以及
在从所述衬底剥离所述叠层体之后将半导体构件连接到所述导电层。
27.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电层是天线。
28.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其中所述有机化合物膜通过在180℃以上且低于500℃的温度下加热来形成。
29.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，还包括如下工序，即在从所述衬底剥离所述叠层体之前部分照射激光束。
30.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其中所述衬底是选自如下组中的衬底：玻璃衬底、陶瓷衬底、以及石英衬底。
31.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其中以与所述钼膜接触的方式形成所述氧化钼膜。
CN2008100094499A 2007-02-02 2008-02-02 半导体装置的制造方法 Expired - Fee Related CN101236897B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310052224.2A CN103456686B (zh) 2007-02-02 2008-02-02 半导体装置的制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-023747 2007-02-02
JP2007023747 2007-02-02
JP2007023747 2007-02-02

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310052224.2A Division CN103456686B (zh) 2007-02-02 2008-02-02 半导体装置的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101236897A true CN101236897A (zh) 2008-08-06
CN101236897B CN101236897B (zh) 2013-03-27

Family

ID=39787195

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100094499A Expired - Fee Related CN101236897B (zh) 2007-02-02 2008-02-02 半导体装置的制造方法
CN201310052224.2A Expired - Fee Related CN103456686B (zh) 2007-02-02 2008-02-02 半导体装置的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310052224.2A Expired - Fee Related CN103456686B (zh) 2007-02-02 2008-02-02 半导体装置的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US7968382B2 (zh)
JP (4) JP5214988B2 (zh)
KR (2) KR101470806B1 (zh)
CN (2) CN101236897B (zh)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102082150A (zh) * 2009-08-28 2011-06-01 三星移动显示器株式会社 柔性显示器及其制造方法
CN102484544A (zh) * 2009-07-07 2012-05-30 格马尔托股份有限公司 射频场指示器装置及制造方法
CN102629609A (zh) * 2011-07-22 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶面板、显示装置
CN102105992B (zh) * 2008-11-27 2013-03-27 三菱重工业株式会社 光电转换装置的制造方法
CN102074616B (zh) * 2009-11-19 2013-03-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种选择性发射极太阳能电池的制备方法
WO2014084078A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 信越化学工業株式会社 金属電極用表面修飾剤、表面修飾された金属電極、及び表面修飾された金属電極の製造方法
CN104051496A (zh) * 2014-06-04 2014-09-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN104701257A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 旭硝子株式会社 电子设备的制造方法
US9443981B2 (en) 2009-02-20 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
CN106537309A (zh) * 2014-07-17 2017-03-22 富士胶片株式会社 导电性薄膜、带触摸面板的显示装置
CN106711348A (zh) * 2016-12-29 2017-05-24 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN106935595A (zh) * 2015-10-22 2017-07-07 Nlt科技股份有限公司 薄膜装置和薄膜装置的制造方法
CN107533823A (zh) * 2015-04-20 2018-01-02 Pi-克瑞斯托株式会社 有源矩阵阵列装置的制造方法和通过该方法制造的有源矩阵阵列装置
CN108242424A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 京东方科技集团股份有限公司 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
CN108496110A (zh) * 2016-01-29 2018-09-04 奥特司科技株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN109904198A (zh) * 2019-02-22 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
CN110832626A (zh) * 2017-06-30 2020-02-21 夏普株式会社 可挠性显示装置以及可挠性显示装置的制造方法
CN110993829A (zh) * 2013-08-30 2020-04-10 株式会社半导体能源研究所 支撑体供应装置、叠层体制造装置
CN111487826A (zh) * 2020-05-12 2020-08-04 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示终端

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5163641B2 (ja) * 2007-02-27 2013-03-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法
JP5388500B2 (ja) 2007-08-30 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8120497B2 (en) * 2007-11-06 2012-02-21 Merrick Systems, Inc. RFID transponder enclosure for harsh environments
US20090135366A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 World Properties, Inc. PDLC with thermally transferred electrode
US7829971B2 (en) * 2007-12-14 2010-11-09 Denso Corporation Semiconductor apparatus
US20090193676A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Guo Shengguang Shoe Drying Apparatus
WO2009104371A1 (ja) * 2008-02-20 2009-08-27 シャープ株式会社 フレキシブル半導体基板の製造方法
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
TWI574423B (zh) * 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
US8742531B2 (en) * 2008-12-08 2014-06-03 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Electrical devices including dendritic metal electrodes
JP4894910B2 (ja) * 2009-01-15 2012-03-14 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びにその半導体装置を内蔵する多層基板
JP5545970B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2011009704A (ja) * 2009-05-26 2011-01-13 Seiko Epson Corp 薄膜装置、薄膜装置を備えた可撓性回路基板、及び薄膜装置の製造方法
WO2011002046A1 (en) * 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP2284922A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-16 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of manufacturing an opto-electric device
CN102024410B (zh) 2009-09-16 2014-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
US9024312B2 (en) 2009-09-30 2015-05-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor
KR101155900B1 (ko) * 2009-11-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 무기막, 상기 무기막을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101084230B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2011233858A (ja) * 2010-04-09 2011-11-17 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜素子、および薄膜トランジスタ
US8634228B2 (en) * 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
JP5852874B2 (ja) * 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5872912B2 (ja) * 2011-01-21 2016-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9054160B2 (en) 2011-04-15 2015-06-09 International Business Machines Corporation Interconnect structure and method for fabricating on-chip interconnect structures by image reversal
US8900988B2 (en) 2011-04-15 2014-12-02 International Business Machines Corporation Method for forming self-aligned airgap interconnect structures
US8890318B2 (en) 2011-04-15 2014-11-18 International Business Machines Corporation Middle of line structures
JP5990745B2 (ja) * 2011-05-31 2016-09-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 接合体の製造方法及び接合体
CN102903829B (zh) * 2011-07-26 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
US20130062732A1 (en) 2011-09-08 2013-03-14 International Business Machines Corporation Interconnect structures with functional components and methods for fabrication
JP2013069769A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Ulvac Japan Ltd Ｔｆｔ基板の製造方法およびレーザーアニール装置
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device
KR101300791B1 (ko) * 2011-12-15 2013-08-29 한국생산기술연구원 전자빔 조사를 이용한 몰리브덴 박막의 전도도 향상 방법
US9087753B2 (en) 2012-05-10 2015-07-21 International Business Machines Corporation Printed transistor and fabrication method
US9252390B2 (en) * 2012-08-07 2016-02-02 Joled Inc. Production method for joined body, and joined body
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) * 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP5993666B2 (ja) * 2012-09-03 2016-09-14 国立大学法人埼玉大学 積層体の製造方法
KR101989001B1 (ko) * 2012-09-07 2019-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN102955312B (zh) * 2012-11-14 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102132697B1 (ko) 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
KR20150127367A (ko) * 2014-05-07 2015-11-17 삼성전자주식회사 개구 매립 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조 방법
JP6311901B2 (ja) * 2014-06-26 2018-04-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及び有機ｅｌ表示装置
JP6603486B2 (ja) 2014-06-27 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
DE202014103821U1 (de) * 2014-07-09 2014-09-09 Carmen Diegel Flexible elektrische Leiterstruktur
DE102014110268B4 (de) * 2014-07-22 2017-11-02 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR102256084B1 (ko) * 2014-08-04 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법
KR102296917B1 (ko) 2014-09-15 2021-09-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102328677B1 (ko) * 2014-10-17 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107111970B (zh) 2014-10-28 2021-08-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
CN111477657B (zh) 2014-10-28 2024-03-05 株式会社半导体能源研究所 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
CN104362077A (zh) * 2014-10-31 2015-02-18 华南理工大学 一种衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
EP3070741B1 (en) * 2015-03-18 2020-07-29 Emberion Oy An apparatus comprising a sensor arrangemenet and associated fabrication method
CN104788900A (zh) * 2015-03-31 2015-07-22 苏州市鼎立包装有限公司 一种电绝缘性包装材料及其制备方法
KR102385339B1 (ko) * 2015-04-21 2022-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102469186B1 (ko) 2015-04-30 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2017007554A2 (en) * 2015-06-09 2017-01-12 Georgia Tech Research Corporation Devices with organic semiconductor layers electrically-doped over a controlled depth
KR102427672B1 (ko) * 2015-08-11 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6654466B2 (ja) * 2015-08-31 2020-02-26 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR102480052B1 (ko) * 2016-06-09 2022-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
CN106098939A (zh) * 2016-08-26 2016-11-09 武汉华星光电技术有限公司 激光无损剥离柔性基板的方法
CN106356472A (zh) * 2016-10-18 2017-01-25 武汉华星光电技术有限公司 Oled器件制作方法及oled器件
KR102527366B1 (ko) * 2016-10-19 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈의 박리 방법 및 표시 모듈의 제조 방법
CN110249711B (zh) * 2017-02-02 2022-04-22 日本先锋公司 光装置
CN106991956A (zh) * 2017-06-05 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法和其制备方法、显示装置
CN108190941B (zh) * 2017-12-31 2020-05-12 乐清海创智能科技有限公司 稀磁半导体及其制备方法
WO2019146636A1 (ja) * 2018-01-23 2019-08-01 日本板硝子株式会社 被膜付き基板及び被膜付き基板の製造方法
KR20190137458A (ko) * 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
CN109087936A (zh) * 2018-08-24 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制备方法
WO2020065710A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
KR20230055875A (ko) 2021-10-19 2023-04-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US11908723B2 (en) * 2021-12-03 2024-02-20 International Business Machines Corporation Silicon handler with laser-release layers

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06250745A (ja) 1993-02-25 1994-09-09 Toto Ltd 湯水混合装置
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3406727B2 (ja) 1995-03-10 2003-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
KR100481994B1 (ko) 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP2000243943A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP4727024B2 (ja) * 2000-07-17 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4869471B2 (ja) * 2000-07-17 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4747401B2 (ja) 2000-08-07 2011-08-17 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2002082627A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Sony Corp 表示装置
JP3757840B2 (ja) * 2000-11-30 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 半導体チップ実装基板、電気光学装置、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
TWI221645B (en) * 2001-01-19 2004-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6743488B2 (en) * 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP4244120B2 (ja) 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4527068B2 (ja) * 2001-07-16 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法、半導体装置の作製方法、及び電子書籍の作製方法
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4163225B2 (ja) * 2001-09-17 2008-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び発光装置
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP4391126B2 (ja) 2002-05-15 2009-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI263339B (en) 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2004047975A (ja) * 2002-05-17 2004-02-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法
DE60325669D1 (de) 2002-05-17 2009-02-26 Semiconductor Energy Lab Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
TWI272641B (en) * 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6821811B2 (en) * 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
JP2004079291A (ja) 2002-08-13 2004-03-11 Matsushita Electric Works Ltd 有機電界発光素子
JP4185341B2 (ja) 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP4290953B2 (ja) 2002-09-26 2009-07-08 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置、有機ｅｌ素子および画像表示装置の製造方法
JP4408044B2 (ja) * 2003-01-15 2010-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4138672B2 (ja) 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP2005079395A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Seiko Epson Corp 積層体及びその製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2005085705A (ja) 2003-09-10 2005-03-31 Seiko Epson Corp 電気デバイス及びその製造方法、電子機器
JP4403399B2 (ja) * 2003-09-19 2010-01-27 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP2005093329A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp 表示素子およびこれを用いた表示装置
JP4295588B2 (ja) 2003-09-22 2009-07-15 大日本印刷株式会社 反射防止ガスバリア性基板
JP2005111702A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性基材とディスプレイ用基板および有機ｅｌディスプレイ
CN100477240C (zh) * 2003-10-06 2009-04-08 株式会社半导体能源研究所 半导体器件以及制造该器件的方法
CN100489569C (zh) 2003-10-28 2009-05-20 株式会社半导体能源研究所 制作光学膜的方法
US7084045B2 (en) * 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4836445B2 (ja) * 2003-12-12 2011-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7994617B2 (en) 2004-02-06 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4989854B2 (ja) * 2004-02-06 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7586171B2 (en) * 2004-04-14 2009-09-08 Yong Cao Organic electronic device comprising conductive members and processes for forming and using the organic electronic device
JP2005340455A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Seiko Epson Corp 実装構造体、電気光学装置、および電子機器
US7217949B2 (en) 2004-07-01 2007-05-15 International Business Machines Corporation Strained Si MOSFET on tensile-strained SiGe-on-insulator (SGOI)
KR101254277B1 (ko) 2004-07-30 2013-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 라미네이팅 시스템, ｉｃ 시트, ｉｃ 시트 두루마리, 및ｉｃ 칩의 제조방법
US7927971B2 (en) 2004-07-30 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4749074B2 (ja) * 2004-07-30 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｉｃチップの作製方法及び装置
JP5041686B2 (ja) * 2004-07-30 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜集積回路の剥離方法および半導体装置の作製方法
US8040469B2 (en) 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
JP4954515B2 (ja) 2004-09-10 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP2006114493A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP5008289B2 (ja) * 2004-09-24 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法
KR101150996B1 (ko) 2004-09-24 2012-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
KR100700013B1 (ko) * 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
US7449372B2 (en) * 2004-12-17 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device
JP5046529B2 (ja) * 2005-02-25 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2006255918A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Toray Ind Inc 光学用フィルム積層体
JP4624152B2 (ja) * 2005-03-24 2011-02-02 富士フイルム株式会社 プラスチックフィルム、ガスバリアフィルム、およびそれを用いた画像表示素子
JP2006265383A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 樹脂組成物、それを用いたフィルムおよび画像表示装置
US7687372B2 (en) * 2005-04-08 2010-03-30 Versatilis Llc System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor
US7485511B2 (en) 2005-06-01 2009-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Integrated circuit device and method for manufacturing integrated circuit device
JP5210501B2 (ja) * 2005-06-01 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8269227B2 (en) * 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2007012781A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Alps Electric Co Ltd 回路基板の製造方法及び回路基板及び表示装置
JP2007012411A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP4785447B2 (ja) * 2005-07-15 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1760798B1 (en) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5224676B2 (ja) 2005-11-08 2013-07-03 キヤノン株式会社 表示装置の製造方法
FR2893750B1 (fr) * 2005-11-22 2008-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif electronique flexible du type ecran comportant une pluralite de composants en couches minces.
US8900970B2 (en) 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
KR100838066B1 (ko) * 2006-07-14 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 장치

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102105992B (zh) * 2008-11-27 2013-03-27 三菱重工业株式会社 光电转换装置的制造方法
US9443981B2 (en) 2009-02-20 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US9859306B2 (en) 2009-02-20 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10096623B2 (en) 2009-02-20 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10586811B2 (en) 2009-02-20 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US11824062B2 (en) 2009-02-20 2023-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
CN108447775A (zh) * 2009-02-20 2018-08-24 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置
US11011549B2 (en) 2009-02-20 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
CN102484544A (zh) * 2009-07-07 2012-05-30 格马尔托股份有限公司 射频场指示器装置及制造方法
CN102484544B (zh) * 2009-07-07 2016-08-10 格马尔托股份有限公司 射频场指示器装置及制造方法
US9623633B2 (en) 2009-08-28 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display and method for manufacturing the same
CN102082150A (zh) * 2009-08-28 2011-06-01 三星移动显示器株式会社 柔性显示器及其制造方法
CN102074616B (zh) * 2009-11-19 2013-03-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种选择性发射极太阳能电池的制备方法
US8928828B2 (en) 2011-07-22 2015-01-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, liquid crystal panel, and display device
CN102629609A (zh) * 2011-07-22 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶面板、显示装置
US10727410B2 (en) 2012-11-28 2020-07-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Surface modifier for transparent oxide electrode, surface-modified transparent oxide electrode, and method for producing surface-modified transparent oxide electrode
WO2014084078A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 信越化学工業株式会社 金属電極用表面修飾剤、表面修飾された金属電極、及び表面修飾された金属電極の製造方法
US9947871B2 (en) 2012-11-28 2018-04-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Surface modifier for metal electrode, surface-modified metal electrode, and method for producing surface-modified metal electrode
CN110993829A (zh) * 2013-08-30 2020-04-10 株式会社半导体能源研究所 支撑体供应装置、叠层体制造装置
CN110993829B (zh) * 2013-08-30 2022-07-26 株式会社半导体能源研究所 支撑体供应装置、叠层体制造装置
CN104701257A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 旭硝子株式会社 电子设备的制造方法
CN104051496A (zh) * 2014-06-04 2014-09-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN106537309A (zh) * 2014-07-17 2017-03-22 富士胶片株式会社 导电性薄膜、带触摸面板的显示装置
CN107533823A (zh) * 2015-04-20 2018-01-02 Pi-克瑞斯托株式会社 有源矩阵阵列装置的制造方法和通过该方法制造的有源矩阵阵列装置
CN106935595A (zh) * 2015-10-22 2017-07-07 Nlt科技股份有限公司 薄膜装置和薄膜装置的制造方法
CN108496110A (zh) * 2016-01-29 2018-09-04 奥特司科技株式会社 液晶显示装置及其制造方法
US10818878B2 (en) 2016-12-26 2020-10-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of flexible panel, flexible panel and display device
CN108242424A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 京东方科技集团股份有限公司 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
CN108242424B (zh) * 2016-12-26 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
WO2018120765A1 (zh) * 2016-12-26 2018-07-05 京东方科技集团股份有限公司 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
CN106711348A (zh) * 2016-12-29 2017-05-24 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN106711348B (zh) * 2016-12-29 2020-05-12 上海天马微电子有限公司 一种柔性有机发光显示面板的制备方法及显示装置
CN110832626A (zh) * 2017-06-30 2020-02-21 夏普株式会社 可挠性显示装置以及可挠性显示装置的制造方法
CN110832626B (zh) * 2017-06-30 2024-03-12 夏普株式会社 可挠性显示装置
CN109904198A (zh) * 2019-02-22 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
CN111487826A (zh) * 2020-05-12 2020-08-04 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示终端

Also Published As

Publication number Publication date
US7968382B2 (en) 2011-06-28
JP2013153177A (ja) 2013-08-08
CN103456686A (zh) 2013-12-18
KR101470806B1 (ko) 2014-12-09
JP2008211191A (ja) 2008-09-11
CN103456686B (zh) 2016-09-14
KR20080072571A (ko) 2008-08-06
CN101236897B (zh) 2013-03-27
KR101467973B1 (ko) 2014-12-02
KR20140041655A (ko) 2014-04-04
US20090004772A1 (en) 2009-01-01
JP6175174B2 (ja) 2017-08-02
JP6014195B2 (ja) 2016-10-25
US8994060B2 (en) 2015-03-31
US20110248291A1 (en) 2011-10-13
JP5214988B2 (ja) 2013-06-19
JP2017010053A (ja) 2017-01-12
US9184221B2 (en) 2015-11-10
JP2015167135A (ja) 2015-09-24
US20150270321A1 (en) 2015-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101236897B (zh) 半导体装置的制造方法
CN101064247B (zh) 半导体装置的制造方法
JP5388500B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP5745723B2 (ja) 半導体装置
JP5364242B2 (ja) 半導体装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130327

Termination date: 20220202

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee