WO2018120765A1 - 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置。该柔性面板的制作方法包括:在衬底基板(101)上形成变形材料层(110),变形材料层(110)包括形状记忆材料;在变形材料层(110)远离衬底基板(101)的一侧形成柔性面板本体(120);驱动变形材料层(110)以使柔性面板本体(120)至少局部可剥离;以及剥离衬底基板(101)。由此,该柔性面板的制作方法可通过驱动变形材料层(110)变形来大大降低柔性面板本体(120)和变形材料层(110)与衬底基板(101)之间的结合力,从而可使衬底基板(101)很容易剥离,从而得到柔性面板。另外还可避免剥离时力量太大而导致的柔性面板损伤,从而可提高柔性面板的良率。

Description

柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
本申请要求于2016年12月26日递交的中国专利申请第201611219101.3号的优先权,在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
技术领域
本公开的实施例涉及一种柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,柔性显示技术越来越得到重视。柔性显示技术可用于各种各样的电子设备中,尤其是可穿戴电子设备,从而为人们提供更丰富的交互体验。
另一方面,随着材料技术的不断发展,形状记忆材料逐渐引起了人们的关注。通常,形状记忆材料包括形状记忆合金、形状记忆陶瓷、形状记忆聚合物等。其共同特性是:经形变固定之后,通过加热等外部条件刺激,又可恢复到预先设定的状态。
发明内容
一种柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置。该柔性面板的制作方法可通过驱动变形材料层变形来大大降低柔性面板本体和变形材料层与衬底基板之间的结合力,从而可使衬底基板很容易剥离,从而得到柔性面板。另外还可避免剥离时力量太大而导致的柔性面板损伤,从而可提高柔性面板的良率。
本公开至少一个实施例提供一种柔性面板的制作方法,其包括:在衬底基板上形成变形材料层,所述变形材料层包括形状记忆材料;在所述变形材料层远离所述衬底基板的一侧形成柔性面板本体;驱动所述变形材料层以使所述柔性面板本体与所述衬底基板至少局部可剥离;以及剥离所述衬底基板。
例如,在本发明一实施例提供的柔性面板的制作方法中,驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变并与所述衬底基板至少局部分离。
例如,在本发明一实施例提供的柔性面板的制作方法中,变形后的所述变 形材料层的形状包括至少一个弯曲部。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变并与所述衬底基板至少局部分离还包括:利用化学驱动方式或物理驱动方式驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变并与所述衬底基板至少局部分离。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,所述化学驱动方式包括:改变pH值、平衡离子置换、螯合反应或氧化还原反应。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,还包括:在形成所述柔性面板本体之前,固定所述变形材料层的初始形状;以及在剥离所述衬底基板之后,驱动所述变形材料层恢复所述初始形状。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,所述变形材料层包括形状记忆材料。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,所述形状记忆材料包括:形状记忆合金、形状记忆陶瓷或有机形状记忆材料中的至少之一。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,其还包括:在驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变之前,对所述柔性面板本体进行封装。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,所述弯曲部的曲率半径大于1米。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,所述柔性面板本体包括柔性显示面板和柔性触控面板至少之一。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,形成所述柔性面板本体还包括:在所述变形材料层上形成柔性薄膜;在所述柔性薄膜上形成薄膜晶体管;以及在所述薄膜晶体管上形成第一电极。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,形成所述柔性面板本体还包括:在所述变形材料层上直接形成薄膜晶体管;以及在所述薄膜晶体管阵列上形成第一电极。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板的制作方法中,形成所述柔性面板本体还包括:在所述第一电极上形成有机发光层。
本公开至少一个实施例提供一种柔性面板,其包括:变形材料层,包括形状记忆材料;以及柔性面板本体,设置在所述变形材料层上,所述变形材料层 可在驱动下发生变形。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板中,所述变形材料层被配置为在驱动下恢复初始形状。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板中,所述柔性面板本体整面设置在所述变形材料层上。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板中,所述变形材料层变形后包括至少一个弯曲部。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板中,所述形状记忆材料包括:形状记忆合金、形状记忆陶瓷或有机形状记忆材料。
例如,在本公开一实施例提供的柔性面板中,所述弯曲部的曲率半径大于1米。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置,其包括上述任一项所述的柔性面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的一种柔性面板的制作方法的流程图;
图2为本公开一实施例提供的一种柔性面板的制作方法的步骤图;
图3为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的制作方法的步骤图;
图4为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的制作方法的步骤图;
图5为本公开一实施例提供的一种柔性面板的结构示意图;
图6为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的结构示意图;
图7为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的制作方法的流程图;
图8为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的制作方法的步骤图;
图9为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的制作方法的步骤图;以及
图10为本公开一实施例提供的另一种柔性面板的制作方法的步骤图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开 实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
本公开实施例提供一种柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置。该柔性面板的制作方法包括:在衬底基板上形成变形材料层,变形材料层包括形状记忆材料;在变形材料层远离衬底基板的一侧形成柔性面板本体;驱动变形材料层以使所述柔性面板本体至少局部可剥离;以及剥离所述衬底基板。由此,该柔性面板的制作方法可先在刚性的衬底基板上形成柔性面板本体,然后通过变形材料层的变形使柔性面板本体与衬底基板至少局部分离,从而可大大降低柔性面板本体和变形材料层与衬底基板之间的结合力,从而可使衬底基板很容易剥离,从而得到柔性面板。另外还可避免剥离时力量太大而导致的柔性面板损伤,从而可提高柔性面板的良率。
下面结合附图对本公开实施例提供的柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置进行说明。
本公开至少一个实施例提供一种柔性面板的制作方法,如图1所示,其包括以下步骤S101-S104。
步骤S101:在衬底基板上形成变形材料层,变形材料层包括形状记忆材料。
例如,如图2所示,在刚性的衬底基板101上形成变形材料层110。衬底基板101可为硬质的基板,例如玻璃基板、石英基板、塑料基板等。
例如,衬底基板101可为平坦的基板。
步骤S102:在变形材料层远离衬底基板的一侧形成柔性面板本体。
例如,如图2所示,在衬底基板101上形成柔性面板本体120。柔性面板本体120可为柔性显示面板和/或柔性触控面板。
步骤S103:驱动变形材料层以使柔性面板本体至少局部可剥离。
例如,如图3所示,驱动变形材料层110并使其形状改变,从而与衬底基板101至少局部分离,从而使柔性面板本体120至少局部可剥离。
例如,变形后的变形材料层110包括至少一个弯曲部115。
步骤S104:剥离衬底基板。
例如,如图4所示,剥离衬底基板,从而获得柔性面板。
在本实施例提供的柔性面板的制作方法中,通过在硬质的衬底基板上形成变形材料层和柔性面板本体,然后通过驱动变形材料层变形并产生至少一个弯曲部,至少一个弯曲部具有与衬底基板接触的部分和与衬底基板分离的部分,可大大降低柔性面板本体和变形材料层与衬底基板之间的结合力,从而可使衬底基板很容易剥离,从而得到柔性面板。另外,采用本实施例提供的柔性面板的制作方法可避免剥离时力量太大而导致的柔性面板损伤,从而可提高柔性面板的良率。另一方面,由于在衬底基板上形成变形材料层和柔性面板本体可采用现有的非柔性面板本体的制作设备,从而可降低本实施例提供的柔性面板的制作方法的成本。需要说明的是,在本实施例提供的柔性面板的制作方法中,剥离衬底基板之后,变形材料层可根据实际情况去除,或者保留,本实施例在此不作限制。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,变形后的变形材料层的形状包括多个弯曲部。
例如,当需要制作的柔性面板为柔性显示面板或柔性触控面板时,如果变形材料层影响柔性显示面板的显示或柔性触控面板的触控,或影响柔性显示面板或柔性触控面板的轻薄,此时可去除变形材料层,例如可通过溶解等方式去除变形材料层。
例如,当需要制作的柔性面板为柔性显示面板或柔性触控面板时,如果变形材料层不影响柔性显示面板的显示或柔性触控面板的触控,变形材料层可保留。并且,还可通过电驱动或者热驱动等方式使变形材料层变形,为采用本实施例提供的柔性面板的制作方法制作的柔性面板的电子设备提供更多的功能和交互体验。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,弯曲部的曲率半径大于1米。由此,可防止变形材料层形变量太大而导致的不良。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,可利用化学驱动 方式或物理驱动方式驱动变形材料层以使变形材料层的形状改变并与衬底基板至少局部分离。
例如,化学驱动方式可包括:改变pH值、平衡离子置换、螯合反应或氧化还原反应。例如,通过将在衬底基板、变形材料层以及柔性面板本体浸入事先配置好的溶液中,从而实现改变变形材料层的pH值或与变形材料层发生平衡离子置换、螯合反应或氧化还原反应。当然,本公开实施例包括但不限于此,还可根据变形材料的性质选择其他化学驱动方式。另外,由于采用调整pH值的方式可利用非柔性面板(通常的面板)制作设备中的湿刻设备进行,从而可进一步降低本实施例提供的柔性面板的制作方法的成本。
例如,物理驱动方式可包括:改变温度(热驱动)或电驱动等。例如,通过将衬底基板、变形材料层以及柔性面板本体置于加热机台上或对衬底基板、变形材料层以及柔性面板施加电压。当然,本公开实施例包括但不限于此,还可根据变形材料的性质选择其他物理驱动方式。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,该制作方法还可包括:在形成柔性面板本体之前,固定变形材料层的初始形状,例如平坦形状;以及在剥离衬底基板之后,驱动变形材料层恢复初始形状。
例如,在衬底基板上形成变形材料层之后,在变形材料层上形成柔性面板本体之前,固定变形材料层的初始形状。例如通过加热等方式时该变形材料层的形状固定。然后,如图5所示,在剥离衬底基板之后,驱动变形材料层恢复之前固定的初始形状。需要说明的是,上述的驱动可包括增加外界刺激(物理驱动方式或化学驱动方式),也可为撤销在驱动变形材料层以使变形材料层的形状改变并与衬底基板至少局部分离的步骤中的外界刺激(物理驱动方式或化学驱动方式),本公开实施例在此不作限制。另外,如图6所示,在驱动变形材料层恢复之前固定的初始形状之后,可去除变形材料层。当然,也可保留变形材料层,本公开实施例在此不作限制。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,变形材料层包括形状记忆材料。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,形状记忆材料可包括:形状记忆合金、形状记忆陶瓷或有机形状记忆材料中的至少之一。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,变形材料层为有机形状记忆材料,例如,皂化聚丙烯酰胺、聚乙烯醇和聚丙烯酸混合物薄膜等。 当变形材料层采用皂化聚丙烯酰胺、聚乙烯醇和聚丙烯酸混合物薄膜时,可通过调整pH值驱动该变形材料层变形并可控制该变形材料层的形变量,从而防止过度变形而导致的不良。另外,由于采用调整pH值的方式可利用非柔性面板本体制作设备中的湿刻设备进行,从而可进一步降低本实施例提供的柔性面板的制作方法的成本。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,还可包括:在驱动变形材料层以使变形材料层的形状改变之前,对柔性面板本体进行封装。由此,可防止在驱动变形材料层变形的物理驱动方式或化学驱动方式对柔性面板本体造成不良影响。
本公开至少一个实施例提供一种柔性面板的制作方法,如图7所示,在变形材料层上形成柔性面板本体可包括以下步骤S201-S203。
步骤S201:在变形材料层上形成柔性薄膜。
例如,如图8所示,在变形材料层110上形成柔性薄膜124。
步骤S202:在柔性薄膜124上形成薄膜晶体管122。
例如,如图8所示,在柔性薄膜124上形成栅极1221;在栅极1221和柔性薄膜124上形成覆盖栅极1221的栅极绝缘层1222;在栅极绝缘层1222上栅极1221所在的位置处形成有源层1223;在有源层1223上形成刻蚀阻挡层1226;在刻蚀阻挡层1226上形成源极1224和漏极1225。源极1224和漏极1225通过刻蚀阻挡层1226中的过孔与有源层1223分别相连。图8中示出的栅极1221、栅极绝缘层1222、有源层1223、刻蚀阻挡层1226、源极1224和漏极1225可构成ESL(Etching Stop Layer)结构的薄膜晶体管122,本公开实施例包括但不限于此,薄膜晶体管122还可为顶栅结构或背沟道刻蚀结构的薄膜晶体管。
步骤S203:在薄膜晶体管122上形成第一电极123。
例如,如图8所示,在源极1224和漏极1225上形成钝化层1227,在薄膜晶体管122和钝化层1227上形成第一电极123。第一电极123通过钝化层1227中的过孔与漏极1225电性相连。需要说明的是,当第一电极123为像素电极时,该柔性面板本体可为柔性液晶显示面板。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板的制作方法中,还可直接在变形材料层上形成薄膜晶体管,在薄膜晶体管上形成第一电极。
例如,如图9所示,在变形材料层110上形成栅极1221;在栅极1221和变形材料层110上形成覆盖栅极1221的栅极绝缘层1222;在栅极绝缘层1222 上栅极1221所在的位置处形成有源层1223;在有源层1223上形成刻蚀阻挡层1226;在刻蚀阻挡层1226上形成源极1224和漏极1225。源极1224和漏极1225通过刻蚀阻挡层1226中的过孔与有源层1223分别相连。在源极1224和漏极1225上形成钝化层1227,在薄膜晶体管122和钝化层1227上形成第一电极123。第一电极123通过钝化层1227中的过孔与漏极1225电性相连。在图9中示出的栅极1221、栅极绝缘层1222、有源层1223、刻蚀阻挡层1226、源极1224和漏极1225可构成ESL(Etching Stop Layer)结构的薄膜晶体管122。当然,本公开实施例包括但不限于此,薄膜晶体管122还可为顶栅结构或背沟道刻蚀结构的薄膜晶体管。
例如,在本实施例一示例提供的一种柔性面板的制作方法,还可包括在第一电极上形成有机发光层。
例如,如图10所示,在第一电极123上形成有机发光层125。此时,第一电极123为阳极,该柔性面板本体可为柔性OLED显示面板。当然,本公开实施例包括但不限于此,还可在该柔性面板本体中形成触控电极结构以形成柔性触控面板。
本公开至少一个实施例提供一种柔性面板,如图5所示,该柔性面板包括变形材料层110和柔性面板本体120。柔性面板本体120设置在变形材料层110上,例如,如图5所示,柔性面板本体120直接设置在变形材料层110上,也就是说柔性面板本体120与变形材料层110接触设置。并且,变形材料层110可在驱动下发生变形,如图4所示,并且变形后的变形材料层110的形状包括至少一个弯曲部。
在本实施例提供的柔性面板中,可通过在平坦的衬底基板上形成上述的柔性面板,并且变形材料层设置在衬底基板和柔性面板本体之间,然后通过驱动变形材料层变形并产生至少一个弯曲部,至少一个弯曲部具有与衬底基板接触的部分和与衬底基板分离的部分,可大大降低柔性面板本体和变形材料层与衬底基板之间的结合力,从而可使衬底基板很容易剥离,从而得到上述的柔性面板。另外,可通过电驱动或者热驱动等方式使变形材料层变形,为采用本实施例提供的柔性面板的电子设备提供更多的功能和交互体验。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板中,如图5所示,柔性面板本体120整面设置在变形材料层110上。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板中,变形材料层可在驱动下恢复 初始形状,例如平坦形状。具体可参见实施例一的相关描述,本实施例在此不再赘述。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板中,变形材料层包括形状记忆材料。
例如,形状记忆材料可形状记忆合金、形状记忆陶瓷或有机形状记忆材料。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板中,变形材料层为有机形状记忆材料,例如,皂化聚丙烯酰胺、聚乙烯醇和聚丙烯酸混合物薄膜等。当变形材料层采用皂化聚丙烯酰胺、聚乙烯醇和聚丙烯酸混合物薄膜时,可通过调整pH值驱动该变形材料层变形并可控制该变形材料层的形变量,从而防止过度变形而导致的不良。另外,由于采用调整pH值的方式可利用非柔性面板本体制作设备中的湿刻设备进行,从而可进一步降低本实施例提供的柔性面板的成本。
例如,在本实施例一示例提供的柔性面板中,弯曲部的曲率半径大于1米。由此,可防止变形材料层形变量太大而导致的不良。
例如,如图8所示,柔性面板本体120可包括柔性薄膜124、在柔性薄膜124上设置的栅极1221;在栅极1221和柔性薄膜124上设置的并覆盖栅极1221的栅极绝缘层1222;在栅极绝缘层1222上栅极1221所在的位置处设置的有源层1223;在有源层1223上设置的刻蚀阻挡层1226;在刻蚀阻挡层1226上设置的源极1224和漏极1225,源极1224和漏极1225通过刻蚀阻挡层1226中的过孔与有源层1223分别相连;在源极1224和漏极1225上设置的钝化层1227;以及在薄膜晶体管122和钝化层1227上设置的第一电极123,第一电极123通过钝化层1227中的过孔与漏极1225电性相连。图8中示出的栅极1221、栅极绝缘层1222、有源层1223、刻蚀阻挡层1226、源极1224和漏极1225可构成ESL(Etching Stop Layer)结构的薄膜晶体管122,本公开实施例包括但不限于此,薄膜晶体管122还可为顶栅结构或背沟道刻蚀结构的薄膜晶体管。
例如,如图9所示,柔性面板本体120可包括在变形材料层110上设置的栅极1221;在栅极1221和变形材料层110上设置的并覆盖栅极1221的栅极绝缘层1222;在栅极绝缘层1222上栅极1221所在的位置处设置的有源层1223;在有源层1223上设置的刻蚀阻挡层1226;在刻蚀阻挡层1226上设置的源极1224和漏极1225。源极1224和漏极1225通过刻蚀阻挡层1226中的过孔与有源层1223分别相连。在源极1224和漏极1225上设置的钝化层1227,在薄膜晶体管122和钝化层1227上设置的第一电极123。第一电极123通过钝化层 1227中的过孔与漏极1225电性相连。
例如,如图10所示,柔性面板本体120可包括在第一电极123上设置的有机发光层125。此时,第一电极123为阳极,该柔性面板可为柔性OLED显示面板。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置,其包括上述实施例中任一项的柔性面板。由于其具有上述实施例中任一项的柔性面板,因此该显示装置具有与上述柔性面板的技术效果对应的技术效果,具体可参见上述实施例三种的相关描述,本公开实施例在此不再赘述。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下,本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

  1. 一种柔性面板的制作方法,包括:
    在衬底基板上形成变形材料层,所述变形材料层包括形状记忆材料;
    在所述变形材料层远离所述衬底基板的一侧形成柔性面板本体;
    驱动所述变形材料层以使所述柔性面板本体至少局部可剥离;以及
    剥离所述衬底基板。
  2. 根据权利要求1所述的柔性面板的制作方法,其中,驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变并与所述衬底基板至少局部分离。
  3. 根据权利要求1所述的柔性面板的制作方法,其中,变形后的所述变形材料层的形状包括至少一个弯曲部。
  4. 根据权利要求2所述的柔性面板的制作方法,驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变并与所述衬底基板至少局部分离包括:
    利用化学驱动方式或物理驱动方式驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变并与所述衬底基板至少局部分离。
  5. 根据权利要求4所述的柔性面板的制作方法,所述化学驱动方式包括:改变pH值、平衡离子置换、螯合反应或氧化还原反应。
  6. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,还包括:
    在形成所述柔性面板本体之前,固定所述变形材料层的初始形状;以及
    在剥离所述衬底基板之后,驱动所述变形材料层恢复所述初始形状。
  7. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,其中,所述形状记忆材料包括:形状记忆合金、形状记忆陶瓷和有机形状记忆材料中的至少之一。
  8. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,还包括:
    在驱动所述变形材料层以使所述变形材料层的形状改变之前,对所述柔性面板本体进行封装。
  9. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,其中,所述弯曲部的曲率半径大于1米。
  10. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,其中,所述柔性面板本体包括柔性显示面板和柔性触控面板至少之一。
  11. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,形成所述柔 性面板本体包括:
    在所述变形材料层上形成柔性薄膜;
    在所述柔性薄膜上形成薄膜晶体管;以及
    在所述薄膜晶体管上形成第一电极。
  12. 根据权利要求1-5中任一项所述的柔性面板的制作方法,形成所述柔性面板本体包括:
    在所述变形材料层上直接形成薄膜晶体管;以及
    在所述薄膜晶体管阵列上形成第一电极。
  13. 根据权利要求11或12所述的柔性面板的制作方法,形成所述柔性面板本体还包括:
    在所述第一电极上形成有机发光层。
  14. 一种柔性面板,包括:
    变形材料层,包括形状以及材料;以及
    柔性面板本体,设置在所述变形材料层上,
    其中,所述变形材料层被配置为在驱动下发生变形。
  15. 根据权利要求14所述的柔性面板,其中,所述变形材料层被配置为在驱动下恢复初始形状。
  16. 根据权利要求14所述的柔性面板,其中,所述柔性面板本体整面设置在所述变形材料层上。
  17. 根据权利要求14-16中任一项所述的柔性面板,其中,所述变形材料层变形后的所述变形材料层的形状包括至少一个弯曲部。
  18. 根据权利要求14-16中任一项所述的柔性面板,其中,所述形状记忆材料包括:形状记忆合金、形状记忆陶瓷或有机形状记忆材料。
  19. 根据权利要求17所述的柔性面板,其中,所述弯曲部的曲率半径大于1米。
  20. 一种显示装置,包括根据权利要求14-19中任一项所述的柔性面板。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106910431A (zh) * 2017-05-04 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示屏及改变柔性显示屏的形状的方法
CN108389888B (zh) 2018-04-28 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制造方法、显示装置
CN113169072A (zh) * 2018-12-24 2021-07-23 深圳市柔宇科技股份有限公司 电子器件及其制作方法
CN111725435A (zh) * 2020-06-08 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 曲面显示器及其制备方法
CN114188498A (zh) * 2021-12-03 2022-03-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1194452A (zh) * 1997-03-26 1998-09-30 佳能株式会社 薄膜形成工艺
CN101154561A (zh) * 2006-09-29 2008-04-02 株式会社半导体能源研究所 剥离装置及半导体装置的制造方法
CN101236897A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN105449124A (zh) * 2015-12-01 2016-03-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2232796C (en) 1997-03-26 2002-01-22 Canon Kabushiki Kaisha Thin film forming process
JPH11109880A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Japan Aviation Electron Ind Ltd 表示装置
JP2003280546A (ja) * 2002-03-27 2003-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 自己変形型フレキシブルディスプレイ及びそれを用いた情報処理端末
KR101037794B1 (ko) * 2004-12-30 2011-05-27 삼성전자주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JP2011062978A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp インプリント方法に用いる剥離板、モールド構造体及びインプリント方法
KR101084230B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
DE102013209913B4 (de) * 2012-06-08 2018-07-12 GM Global Technology Operations, LLC (n.d. Ges. d. Staates Delaware) Oberflächentexturierung mithilfe technischer Strukturen
KR102066075B1 (ko) * 2012-12-12 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이용 기판 및 그 제조방법
KR101950847B1 (ko) * 2012-12-20 2019-02-21 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 모듈, 그 제조방법 및 이를 구동 제어하는 방법
WO2014130033A2 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 Empire Technology Development Llc Shape memory alloy apparatus and methods of formation and operation thereof
KR20150069078A (ko) * 2013-12-12 2015-06-23 한국전자통신연구원 플렉서블 디스플레이 제조방법
KR102338062B1 (ko) * 2014-06-30 2021-12-13 엘지디스플레이 주식회사 형상 기억 복합체 및 이를 포함하는 가변형 표시장치
KR102343892B1 (ko) * 2015-01-15 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
US10345905B2 (en) * 2015-09-08 2019-07-09 Apple Inc. Electronic devices with deformable displays
CN105355645B (zh) 2015-11-06 2019-07-26 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、显示装置
CN105428312B (zh) * 2015-11-18 2018-05-01 上海大学 柔性衬底的制备和分离方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1194452A (zh) * 1997-03-26 1998-09-30 佳能株式会社 薄膜形成工艺
CN101154561A (zh) * 2006-09-29 2008-04-02 株式会社半导体能源研究所 剥离装置及半导体装置的制造方法
CN101236897A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN105449124A (zh) * 2015-12-01 2016-03-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3561863A4 *

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Publication number Publication date
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US10818878B2 (en) 2020-10-27
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