CN104701257A - 电子设备的制造方法 - Google Patents

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CN104701257A CN201410740114.XA CN201410740114A CN104701257A CN 104701257 A CN104701257 A CN 104701257A CN 201410740114 A CN201410740114 A CN 201410740114A CN 104701257 A CN104701257 A CN 104701257A
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牛光耀
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Abstract

本发明涉及电子设备的制造方法，包括：玻璃层叠体制造工序，获得具有带无机层的支承基板和玻璃基板的玻璃层叠体，该带无机层的支承基板具有作为玻璃板的支承基板和配置在所述支承基板上的无机层，该玻璃基板以能够剥离的方式层叠在所述无机层上；构件形成工序，在所述玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子设备用构件，获得带电子设备用构件的层叠体；照射工序，通过照射激光束去除所述带电子设备用构件的层叠体中的所述无机层的周缘部的一部分或全部，形成所述无机层的去除部位；和分离工序，以所述去除部位为剥离起点从所述带电子设备用构件的层叠体上剥离所述带无机层的支承基板，获得具有所述玻璃基板和所述电子设备用构件的电子设备。

Description

电子设备的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子设备的制造方法。
背景技术
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子设备(电子机器)的薄型化、轻量化正在推进，这些电子设备所使用的玻璃基板的薄板化正在推进。另一方面，在因薄板化而使玻璃基板的强度不足时，在电子设备的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。
因此，最近，基于提高玻璃基板的处理性的观点考虑，提出了以下方法：准备在带无机薄膜的支承玻璃的无机薄膜上层叠玻璃基板而成的层叠体，并在层叠体的玻璃基板上实施了元件(电子设备用构件)的制造处理之后，从层叠体上分离玻璃基板(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国特开2011-184284号公报
专利文献2：日本国特开2003-174153号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献2中，记载有一种“为了促进剥离”而从“具有透光性的基板”侧整面照射YAG激光等激光束的技术([0112]～[0118]、图4)。
本发明人等按照专利文献2所记载的技术从支承玻璃侧向无机薄膜整面照射激光束。其结果，虽然能够看到剥离性提高，但是明确可知有时玻璃基板上的电子设备用构件产生了损伤。考虑这是由于激光束透过无机薄膜和玻璃基板也照射到了电子设备用构件上。
本发明是鉴于以上方面而做成的，其目的在于提供一种抑制由激光束照射导致的电子设备用构件的损伤、并且提高玻璃基板与无机层之间的剥离性的电子设备的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了达到上述目的而进行了深入研究，结果发现，通过照射激光束仅去除与电子设备用构件的非形成区域对应的无机层的周缘部，并以该去除部位为起点进行剥离，从而能够避免对电子设备用构件照射激光束，能够提高玻璃基板与无机层之间的剥离性，完成了本发明。
即，本发明提供以下(1)～(6)。
(1)一种电子设备的制造方法，其包括以下工序：玻璃层叠体制造工序，获得具有带无机层的支承基板和玻璃基板的玻璃层叠体，该带无机层的支承基板具有作为玻璃板的支承基板和配置在所述支承基板上的无机层，该玻璃基板以能够剥离的方式层叠在所述无机层上；构件形成工序，在所述玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子设备用构件，获得带电子设备用构件的层叠体；照射工序，通过照射激光束去除所述带电子设备用构件的层叠体中的所述无机层的周缘部的一部分或全部，形成所述无机层的去除部位；以及分离工序，以所述去除部位为剥离起点从所述带电子设备用构件的层叠体上剥离所述带无机层的支承基板，获得具有所述玻璃基板和所述电子设备用构件的电子设备。
(2)根据上述(1)所述的电子设备的制造方法，其中，所述电子设备用构件形成于所述玻璃基板的表面上的一部分，所述激光束向所述无机层的周缘部中的与所述玻璃基板的表面的未形成有所述电子设备用构件的非形成区域对应的区域的一部分或全部进行照射。
(3)根据上述(1)或(2)所述的电子设备的制造方法，其中，所述照射工序是从所述支承基板侧或所述玻璃基板侧向所述无机层照射所述激光束的工序。
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，所述去除部位是包括所述无机层的角或边在内的部位。
(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，所述激光束的光源是YAG激光。
(6)根据上述(1)～(5)中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，所述激光束的光束形状是平顶型。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种抑制由激光束照射导致的电子设备用构件的损伤、并且提高玻璃基板与无机层之间的剥离性的电子设备的制造方法。
附图说明
图1是玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
图2是表示构件形成工序的示意性剖视图。
图3的(A)和(B)是表示照射工序的示意性剖视图。
图4是表示分离工序的示意性剖视图。
附图标记说明
10玻璃层叠体；12支承基板；14无机层；14a无机层表面(无机层的与支承基板侧相反侧的表面)；15去除部位；16带无机层的支承基板；18玻璃基板；18a玻璃基板的第1主面；18b玻璃基板的第2主面；20电子设备用构件；22带电子设备用构件的层叠体；24电子设备；41激光束。
具体实施方式
以下，首先，说明玻璃层叠体及其制造方法(玻璃层叠体制造工序)，之后参照附图说明本发明的电子设备的制造方法的优选方式。
但是，本发明并不限定于以下实施方式，不脱离本发明的范围地能够对以下实施方式施加各种变形和替换。
玻璃层叠体是大致使无机层介于支承基板与玻璃基板之间而成的构件，由此，即使是在高温条件下的处理之后，无机层与玻璃基板之间的剥离性也优异。
＜玻璃层叠体＞
图1是玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
如图1所示，玻璃层叠体10包括由支承基板12和无机层14形成的带无机层的支承基板16与玻璃基板18。在玻璃层叠体10中，将带无机层的支承基板16的无机层14的无机层表面14a(与支承基板12侧相反侧的表面)与玻璃基板18的第1主面18a作为层叠面，带无机层的支承基板16与玻璃基板18以能够剥离的方式进行层叠。即，无机层14的一个面固定于支承基板12，并且其另一个面与玻璃基板18的第1主面18a相接触，无机层14与玻璃基板18之间的界面以能够剥离的方式密合。换言之，无机层14相对于玻璃基板18的第1主面18a具有易剥离性。
另外，直至后述的构件形成工序都使用该玻璃层叠体10。即，直至在该玻璃基板18的第2主面18b表面上形成液晶显示装置等电子设备用构件都使用该玻璃层叠体10。之后，带无机层的支承基板16在与玻璃基板18之间的界面处剥离，带无机层的支承基板16不会成为构成电子设备的构件。分离后的带无机层的支承基板16与新的玻璃基板18相层叠，并能够作为新的玻璃层叠体10进行再利用。
在本发明中，在上述固定与(能够剥离的)密合中，剥离强度(即，剥离所需的应力)存在差异，固定是指与密合相比，剥离强度大。具体地说，无机层14与支承基板12之间的界面的剥离强度大于玻璃层叠体10中的无机层14与玻璃基板18之间的界面的剥离强度。
另外，能够剥离的密合也是指在能够剥离的同时、能够不产生所固定的面的剥离地进行剥离。即，在玻璃层叠体10中，在进行将玻璃基板18与支承基板12分离的操作的情况下，是指在密合的面(无机层14与玻璃基板18之间的界面)处进行剥离、在固定的面处不进行剥离。因而，若进行将玻璃层叠体10分离为玻璃基板18与支承基板12的操作，则玻璃层叠体10被分离为玻璃基板18与带无机层的支承基板16这两个基板。
以下，首先，详细说明构成玻璃层叠体10的带无机层的支承基板16和玻璃基板18，之后详细说明玻璃层叠体10的制造顺序(玻璃层叠体制造工序)。
[带无机层的支承基板]
带无机层的支承基板16包括支承基板12和配置(固定)在其表面上的无机层14。无机层14为了与后述的玻璃基板18以能够剥离地的方式密合而配置在带无机层的支承基板16中的最外侧。
以下，详细说明支承基板12和无机层14的形态。
(支承基板)
支承基板12具有第1主面与第2主面，是与配置在第1主面上的无机层14合作支承玻璃基板18进行加强、并在后述的构件形成工序(制造电子设备用构件的工序)中制造电子设备用构件时防止玻璃基板18变形、划伤、破损等的基板。
在本发明中，支承基板12是玻璃板。在构件形成工序伴随有热处理的情况下，支承基板12优选由与玻璃基板18之间的线膨胀系数之差较小的材料形成，更优选为由与玻璃基板18相同的玻璃材料形成的玻璃板。
支承基板12的厚度既可以比后述的玻璃基板18厚，也可以比后述的玻璃基板18薄。优选的是，根据玻璃基板18的厚度、无机层14的厚度以及后述的玻璃层叠体10的厚度选择支承基板12的厚度。例如，现有的构件形成工序被设计为对厚度0.5mm的基板进行处理，在玻璃基板18的厚度与无机层14的厚度之和为0.1mm的情况下，将支承基板12的厚度设为0.4mm。支承基板12的厚度在一般情况下优选为0.2mm～5.0mm。
作为支承基板12的玻璃板的厚度基于易处理、难以裂纹等的理由考虑而优选为0.08mm以上。另外，玻璃板的厚度基于期望在形成电子设备用构件后进行剥离时不产生裂纹而适度地挠曲那样的刚性的理由考虑而优选为1.0mm以下。
(无机层)
无机层14是配置(固定)在支承基板12的第1主面上、且与玻璃基板18的第1主面18a相接触的层。通过将无机层14设置在支承基板12上，从而即使在高温条件下的长时间处理之后，也能够抑制玻璃基板18的粘接，并进行剥离。
作为无机层14的组成，并不特别限定，例如除了氧化铟锡(ITO)等氧化物以外，还能够含有选自由金属硅化物、氮化物、碳化物及碳氮化物组成的组中的至少一种。
其中，基于玻璃基板18对于无机层14的剥离性更优异的方面考虑，优选的是含有选自由硅化钨、氮化铝、氮化钛、氮化硅及碳化硅组成的组中的至少一种。
其中，更优选的是，含有氮化硅(以下，也记作“SiN”)和/或碳化硅(以下，也记作“SiC”)。优选上述成分的理由推测是由于金属硅化物、氮化物、碳化物及碳氮化物中所含有的Si、N或C与同这些元素相组合的元素之间的电负性之差的大小。若电负性之差较小，则极化较小，难以通过与水之间的反应生成羟基，因此，玻璃基板对于无机层14的剥离性变得更良好。更具体地说，在SiN中Si元素与N元素之间的电负性之差为1.14，在AlN中Al元素与N元素之间的电负性之差为1.43，在TiN中Ti元素与N元素之间的电负性之差为1.50。比较三者可知，SiN中的电负性之差最小，玻璃基板18对于无机层14的剥离性也更优异。
另外，在无机层14中，也可以含有两种以上的上述成分。
这种无机层14的组成能够利用X射线光电子能谱法(XPS)来进行测定。
金属硅化物的组成并不特限制，但是基于玻璃基板18的剥离性更优异的方面考虑，优选的是含有选自由W、Fe、Mn、Mg、Mo、Cr、Ru、Re、Co、Ni、Ta、Ti、Zr及Ba组成的组中的至少一种。而且，通过改变上述金属/硅元素比，能够调整无机层14表面的OH基数、表面平坦度，也能够控制无机层14与玻璃基板18之间的密合力。
另外，氮化物的组成并不特限制，但是基于玻璃基板18的剥离性更优异的方面考虑，优选的是含有选自由Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Sn、In、B、Cr、Mo及Ba组成的组中的至少一种元素。而且，通过改变上述金属/氮元素比，能够调整无机层14表面的OH基数、表面平坦度，也能够控制无机层14与玻璃基板18之间的密合力。
另外，碳化物和碳氮化物的组成并不特限制，但是基于玻璃基板18的剥离性更优异的方面考虑，优选的是含有选自由Ti、W、Si、Zr及Nb组成的组中的至少一种元素。而且，通过改变上述金属/碳元素比，能够调整无机层14表面的OH基数、表面平坦度，也能够控制无机层14与玻璃基板18之间的密合力。
另外，选自由无机层14所含有的金属硅化物、氮化物、碳化物及碳氮化物组成的组中的至少一种元素的一部分可以被氧化。即，也可以含有氧原子(氧元素)(O)。
例如，无机层14所含有的氮化硅(SiN)也可以是氮氧化硅(以下，也记作“SiNO”)，另外，碳化硅(SiC)也可以是碳氧化硅(以下，也记作“SiCO”)。
因而，在本发明中，作为无机层14的组成的优选方式，可列举选自由SiC、SiCO、SiN及SiNO组成的组中的至少一种。
可是，若无机层14所含有的氧过多，则后述的激光束41(参照图3的(A))的吸收性降低，通过照射激光束41难以去除无机层14，有时剥离性较差。
因此，如果后述的激光束41的光能(能量密度)例如是相同的7J/cm2，则SiCO或SiNO中的含氧量例如可列举7质量％以下，优选小于5质量％。
无机层表面14a的表面粗糙度Ra优选为2.00nm以下，更优选为1.00nm以下，进一步优选为0.20nm～1.00nm。另外，Ra(算术平均粗糙度)根据日本工业标准JIS B 0601(2001年修正)来进行测定。日本工业标准JIS B 0601(2001年修正)的内容作为参照被引用于此。
无机层14的25℃～300℃下的平均线膨胀系数(以下，简称作“平均线膨胀系数”)并不特别限定，但是基于使用玻璃板作为支承基板12的观点考虑而优选为10×10-7/℃～200×10-7/℃。如果在该范围内，则与玻璃板(SiO2)之间的平均线膨胀系数之差变小，能够抑制高温环境下的玻璃基板18与带无机层的支承基板16之间的位置偏移。
在无机层14中，优选的是含有上述成分作为主要成分。在此，主要成分是指这些成分的总含量相对于无机层14总量为80质量％以上，优选为90质量％以上，更优选为98质量％以上，进一步优选为99质量％以上，特别优选为99.999质量％以上。
作为无机层14的厚度，基于耐擦伤性、表面粗糙度以及成本的观点考虑而优选为5nm～5000nm，更优选为10nm～500nm。
另外，若无机层14过薄，则后述的激光束41(参照图3的(A))的吸收性降低，通过照射激光束41难以去除无机层14，有时剥离性较差。因此，基于易于去除无机层14、使剥离性更良好的观点考虑，无机层14的厚度优选超过10nm。
无机层14在图1中被记载为单层，但是也可以为两层以上的层叠。在为两层以上的层叠的情况下，各层也可以是不同的组成。另外，在该情况下，“无机层的厚度”是指所有层的合计厚度。
无机层14通常如图1所示设置在支承基板12的整个面上，在支承基板12为矩形的情况下同样地成为矩形，但是在不损害本发明的效果的范围内，也可以设置于支承基板12表面上的一部分。例如，无机层14也可以呈岛状、条状设置在支承基板12表面上。
无机层14显示出优异的耐热性。因此，即使将玻璃层叠体10曝露于高温条件下，也难以引起无机层自身的化学变化，即使在与后述的玻璃基板18之间也难以产生化学键合，难以产生玻璃基板18与无机层14相结合而无法剥离的情况。
(带无机层的支承基板的制造方法)
作为带无机层的支承基板16的制造方法，并不特别限定，能够采用公知的方法。例如可列举通过蒸镀法、溅射法或CVD法在支承基板12上设置由预定的成分形成的无机层14的方法。
另外，制造条件根据所使用的材料等而适度地选择最佳条件。
另外，在支承基板12上形成了无机层14之后，为了控制无机层表面14a的表面粗糙度Ra，能够实施对无机层14的表面进行切削的处理。作为该处理，例如可列举离子溅射法等。
[玻璃基板]
玻璃基板18的第1主面18a与无机层14密合，在与无机层14侧相反侧的第2主面18b上设有后述的电子设备用构件。
玻璃基板18的种类是一般的玻璃基板较好，例如可列举LCD、OLED等显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板18的耐药品性、耐透湿性优异，并且热收缩率较低。作为热收缩率的指标，使用日本工业标准JIS R 3102(1995年修正)所规定的线膨胀系数。日本工业标准JIS R 3102(1995年修正)的内容作为参照被引用于此。
玻璃基板18是将玻璃原料熔融、并将熔融玻璃成形为板状而获得的。这种成形方法是一般的成形方法较好，例如可列举浮法、熔融法、狭缝下拉法、垂直引上法、拉伯斯法等。另外，特别是厚度较薄的玻璃基板是利用通过将暂时成形为板状的玻璃加热到能够成形的温度、并利用拉伸等方法进行拉伸使其变薄的方法(平拉法)进行成形而获得的。
玻璃基板18的玻璃并不特别限定，但是优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃及其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选以氧化物计的氧化硅的含量为40质量％～90质量％的玻璃。
作为玻璃基板18的玻璃，采用与设备的种类、其制造工序相适合的玻璃。例如，液晶面板用的玻璃基板由于碱金属成分的溶出易于对液晶带来影响而由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)形成(但是，通常含有碱土类金属成分)。这样，玻璃基板18的玻璃根据应用的设备的种类及其制造工序适当地选择。
玻璃基板18的厚度并不特别限定，但是基于玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的观点考虑，通常为0.8mm以下，优选为0.3mm以下，进一步优选为0.15mm以下。当超过0.8mm时，不会满足玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的要求。当为0.3mm以下时，能够赋予玻璃基板18良好的挠性。当为0.15mm以下时，能够将玻璃基板18卷绕为卷状。另外，玻璃基板18的厚度基于玻璃基板18的制造较容易、玻璃基板18的处理较容易等理由而优选为0.03mm以上。
另外，玻璃基板18也可以由两层以上形成，在该情况下，形成各层的材料既可以是同种材料，也可以是不同种材料。另外，在该情况下，“玻璃基板的厚度”是指所有层的合计厚度。
＜玻璃层叠体及其制造方法(玻璃层叠体制造工序)＞
玻璃层叠体10是将上述带无机层的支承基板16的无机层表面14a与玻璃基板18的第1主面18a作为层叠面、并以能够剥离的方式层叠带无机层的支承基板16与玻璃基板18而成的层叠体。换言之，是在支承基板12与玻璃基板18之间夹设有无机层14的层叠体。
作为玻璃层叠体的制造方法，并不特别限定，具体地说，可列举在常压环境下重叠了带无机层的支承基板16与玻璃基板18之后、例如通过玻璃基板18的自重或者轻轻地按压玻璃基板18的第2主面18b的一个部位来使重合面内产生密合起点、并自该密合起点自然地扩大密合的方法；通过使用辊、冲压进行压接来扩大自密合起点的密合的方法等。基于辊、冲压的压接由于在无机层14与玻璃基板18进一步密合的基础上比较容易地去除了混入两者之间的气泡而优选。
另外，若利用真空层压法、真空冲压法进行压接，则能够理想地进行气泡的混入的抑制、良好的密合的确保，故而更优选。通过在真空下进行压接，从而即使在残留有微小的气泡的情况下，气泡也不会因加热而生长，也具有难以导致变形缺陷这样的优点。
当以能够剥离的方式使带无机层的支承基板16与玻璃基板18密合时，优选的是对无机层14和玻璃基板18的相互接触侧的面充分地进行清洗，在清洁度较高的环境下进行层叠。清洁度越高，相互接触侧的面的平坦性越良好，故而优选。
清洗的方法并不特别限定，例如可列举在利用碱水溶液对无机层14或玻璃基板18的表面进行了清洗之后、进一步使用水进行清洗的方法。
玻璃层叠体10能够用于各种用途，例如可列举制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、在表面上形成有电路的半导体晶圆等电子元件的用途等。另外，在该用途中，多是玻璃层叠体10曝露于高温条件(例如，350℃以上)下(例如，1小时以上)的情况。
在此，显示装置用面板包括LCD、OLED、电子纸、等离子显示器面板、场发射面板、量子点LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)快门面板等。
＜电子设备的制造方法＞
接着，详细说明本发明的电子设备的制造方法的优选实施方式。
图2～图4是依次表示本发明的电子设备的制造方法的优选实施方式中的各个制造工序的示意性剖视图。本发明的电子设备的优选实施方式包括玻璃层叠体制造工序、构件形成工序、照射工序以及分离工序。
以下，参照图2，详细说明在各个工序中使用的材料及其顺序。另外，关于玻璃层叠体制造工序，由于与上述相同，因此省略说明。
首先，详细说明构件形成工序。
[构件形成工序]
构件形成工序是大致如图2所示在玻璃层叠体10中的玻璃基板18的第2主面18b上形成电子设备用构件20、并制造带电子设备用构件的层叠体22的工序。
此时，电子设备用构件20也可以不形成在玻璃基板18的第2主面18b的整个面上。即，如图2所示，也可以在玻璃基板18(第2主面18b)的周缘部留有非形成区域地形成在第2主面18b上。
在此，玻璃基板18(第2主面18b)的周缘部是指构成玻璃基板18(第2主面18b)的外缘的区域，是与占有该区域的内侧的中央区域相区别的相对概念。
即，电子设备用构件20也可以形成于玻璃基板18(第2主面18b)上的中央区域。
首先，详细说明在本工序中使用的电子设备用构件20，之后详细说明工序的顺序。
(电子设备用构件(功能性元件))
电子设备用构件20是形成在玻璃层叠体10中的玻璃基板18的第2主面18b上的构成电子设备的至少一部分的构件。更具体地说，作为电子设备用构件20，可列举用于显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、在表面上形成有电路的半导体晶圆等电子元件等的构件。作为显示装置用面板，包括有机EL面板、等离子显示器面板、场发射面板等。
例如，作为太阳能电池用构件，在硅型中可列举正极的氧化锡等的透明电极、用p层/i层/n层表示的硅层以及负极的金属等，此外，还能够列举与化合物型、色素敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
另外，作为薄膜二次电池用构件，在锂离子型中可列举正极和负极的金属或金属氧化物等的透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，此外，还能够列举与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
另外，作为电子元件用构件，在CCD、CMOS中可列举导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，此外，还能够列举压力传感器·加速度传感器等各种传感器、与刚性印刷基板、挠性印刷基板、刚挠性印刷基板等对应的各种构件等。
(工序的顺序)
上述带电子设备用构件的层叠体22的制造方法并不特别限定，根据电子设备用构件的构成构件的种类，利用以往公知的方法，在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主面18b上形成电子设备用构件20。
另外，电子设备用构件20也可以不是最终形成在玻璃基板18的第2主面18b上的构件的全部(以下，称作“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下，称作“部分构件”)。也能够在之后的工序中将带部分构件的玻璃基板设为带全部构件的玻璃基板(相当于后述的电子设备)。另外，在带全部构件的玻璃基板中，也可以在其剥离面(第1主面)上形成有其他电子设备用构件。另外，组装带全部构件的层叠体，之后，从带全部构件的层叠体上剥离带无机层的支承基板16，也能够制造出电子设备。而且，使用两张带全部构件的层叠体组装电子设备，之后，从带全部构件的层叠体上剥离两张带无机层的支承基板16，也能够制造出具有两张玻璃基板的电子设备。
例如，以制造OLED的情况为例，为了在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主面18b的表面上形成有机EL结构体，进行形成透明电极、进而在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层·空穴输送层·发光层·电子输送层等、形成背面电极、使用密封板进行密封等的各种层形成、处理。作为这些层形成、处理，具体地说，可列举成膜处理、蒸镀处理、密封板的粘接处理等。
另外，例如，TFT-LCD的制造方法包括在使用抗蚀液利用CVD法和溅射法等一般的成膜法在玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主面18b上形成的金属膜和金属氧化膜等上形成图案并形成薄膜晶体管(TFT)的TFT形成工序；在另一玻璃层叠体10的玻璃基板18的第2主面18b上使用抗蚀液形成图案并形成滤色片(CF)的CF形成工序；以及将带TFT的设备基板与带CF的设备基板层叠的粘合工序等各种工序。
在TFT形成工序、CF形成工序中，利用公知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板18的第2主面18b上形成TFT、CF。此时，使用抗蚀液作为图案形成用的涂敷液。
另外，在形成TFT、CF之前，根据需要，也可以对玻璃基板18的第2主面18b进行清洗。作为清洗方法，能够使用公知的干式清洗、湿式清洗。
在粘合工序中，向带TFT的层叠体与带CF的层叠体之间注入液晶材料并进行层叠。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴下注入法。
[照射工序]
照射工序是大致如图3的(A)所示通过照射激光束41去除带电子设备用构件的层叠体22中的无机层14的周缘部的一部分或全部、从而如图3的(B)所示在无机层14的周缘部的一部分或全部上形成去除部位15的工序。在照射工序中形成的去除部位15成为后述的分离工序中的剥离起点。
激光束41的照射方向并不特别限定，既可以从玻璃基板18侧向无机层14照射，也可以如图3的(A)所示从支承基板12侧向无机层14照射。玻璃基板18自不必说是玻璃板，支承基板12也是玻璃板，因此激光束41透过玻璃板18或支承基板12，到达无机层14。
可是，基于避免激光束41向玻璃基板18上的电子设备用构件20照射的观点、以及抑制由向成为产品的玻璃基板18的照射造成的破坏的观点考虑，优选如图3的(A)所示从支承基板12侧向无机层14照射。
另外，激光束41也可以设为从带电子设备用构件的层叠体22的侧面向无机层14照射。
激光束41所照射的部位是无机层14的周缘部的一部分或全部。另外，也可以是无机层14的周缘部的一部分或全部、并且与玻璃基板18的第2主面18b上的电子设备用构件20的非形成区域对应的无机层14的区域的一部分或全部。
可是，优选的是，激光束41所照射的部位(成为去除部位15的部位)的宽度(图3的(A)和(B)中的左右方向的长度)比电子设备用构件20的非形成区域的宽度(图3的(A)和(B)中的左右方向的长度)窄。
那么，例如，如图3的(A)所示，在从支承基板12侧向无机层14照射了激光束41时，认为激光束41透过了无机层14和玻璃基板18。
但是，在本发明中，激光束41并不是整面照射，而是向无机层14的周缘部的一部分或全部照射。特别是，也可以向无机层14的周缘部中的与电子设备用构件20的非形成区域对应的区域的一部分或全部照射。因此，即使是在激光束41透过了无机层14和玻璃基板18的情况下，也避免了激光束41的照射到达电子设备用构件20并对电子设备用构件20产生损伤。
另外，由于激光束41不是整面照射，因此照射激光束41时的所需时间变短，带来了低成本化、高生产率。
另外，关于形成在玻璃基板18上的电子设备用构件，只要是即使因激光束41的照射而破损、也不会对后述的电子设备24(参照图4)的功能带来任何影响(实质上不构成电子设备24)的构件，就也可以形成于上述非形成区域。因此，实质上不构成电子设备24的电子设备用构件并不包含于本发明的电子设备用构件20。
无机层14的周缘部处的激光束41的照射部位(成为去除部位15的部位)为无机层14的周缘部的一部分或全部，优选为一部分。在为无机层14的周缘部的一部分的情况下，例如，若包括无机层14的玻璃层叠体10设为矩形，则去除部位15可列举包括无机层14的角或边的部位。
更具体地说，在去除部位15为包括无机层14的角的部位的情况下，其俯视时的形状例如可列举三角形或四边形，优选俯视时的以无机层14的一个顶点为顶点所具有的一个边为3mm以上的三角形或四边形，更优选俯视时的以无机层14的一个顶点为顶点所具有的一个边为5mm以上且小于20mm的三角形，进一步优选俯视时的以无机层14的一个顶点为顶点所具有的一个边为5mm以上且小于10mm的三角形。
另外，在去除部位15为包括无机层14的边的部位的情况下，其俯视时的形状例如可列举俯视时的距无机层14的一个边(无机层14的端面)的深度(距离)为3mm以上的四边形，深度优选小于10mm。
而且，俯视时的无机层14上的去除部位15的面积例如可列举100mm2以上，优选900mm2以上。
作为在照射工序中使用的激光束41的光源，并不特别限定，例如可列举UV激光(波长：355nm)、绿色激光(波长：532nm)、半导体激光(波长：808nm、940nm、975nm)、光纤激光(波长：1060nm～1100nm)、YAG激光(波长：1064nm、2080nm、2940nm)等。
激光束41的振荡方式没有限制，能够使用使激光束连续振荡的CW激光、使激光束断续振荡的脉冲激光中的任一者。
另外，激光束41的光束形状(强度分布)并不特别限定，既可以是平顶型(TH)，也可以是高斯型(GA)。可是，在如图3的(A)所示从支承基板12侧进行照射的情况下，基于抑制由激光束41到达至玻璃基板18对玻璃基板18造成的破坏的观点考虑而优选平顶型(TH)。
另外，激光束41的光能(也称作能量密度(每单位面积的能量))根据所照射的无机层14的材质、厚度等适当地进行变更，例如可列举4J/cm2～10J/cm2，基于抑制对支承基板12和玻璃基板18的破坏的观点、以及低成本化的观点考虑而优选更低的光能。
[分离工序]
分离工序是如图4所示从在上述照射工序中形成了去除部位15的带电子设备用构件的层叠体22上以去除部位15为剥离起点剥离带无机层的支承基板16、并获得包括电子设备用构件20和玻璃基板18的电子设备24(带电子设备用构件的玻璃基板)的工序。
即，在本发明的分离工序中，不是以带电子设备用构件的层叠体22的任意部位为剥离起点，而是以上述去除部位15为剥离起点，以掀起去除部位15的方式剥离带无机层的支承基板16。
此时，具体地说，在去除部位15为角的情况下，自角倾斜地以三角形状的剥离面扩展的方式进行剥离，另外，在去除部位15为边的情况下，自一个边以长方形状的剥离面扩展的方式进行剥离。
通过这样的分离工序，带电子设备用构件的层叠体22被分离为带无机层的支承基板16与带电子设备用构件的玻璃基板24。
另外，在剥离时的玻璃基板18上的电子设备用构件20为部分构件的情况下，在分离后，也能够将剩余的构成构件形成在玻璃基板18上。
将无机层14的无机层表面14a与玻璃基板18的第1主面18a剥离(分离)的方法只要以去除部位15为剥离起点(剥离的起首)，就不特别限定。例如，能够对去除部位15吹送水与压缩空气的混合流体来进行剥离。
另外，也可以使用特定的装置，例如，能够使用国际公开第2011/024689号所记载的剥离装置(未图示)。此时，设为带电子设备用构件的层叠体22的支承基板12位于上侧、电子设备用构件20位于下侧的状态，自去除部位15依次使垫片(未图示)上升。这样的话，在无机层14与玻璃基板18之间的界面处形成空气层，该空气层在界面的整面上扩展，能够容易地剥离带无机层的支承基板16。
通过上述工序获得的电子设备24适合于制造在便携式电话、智能手机、PDA、平板型PC等移动终端中使用的小型的显示装置。显示装置主要是LCD或OLED，作为LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型的任意的显示装置的情况下都能够应用。
另外，在上述中，以电子设备用构件形成于玻璃基板上的中央区域的方式为例进行了说明，但是本发明并不限定于这种方式，电子设备用构件也可以形成于包括玻璃基板的周缘部的至少一部分的区域。即使在该情况下，激光束也向无机层的周缘部中的与玻璃基板的第2主面上的电子设备用构件的非形成区域对应的区域的一部分或全部照射较好。
【实施例】
以下，利用实施例等具体说明本发明，但是本发明并不被这些例子所限定。
在以下例子(实施例和比较例)中，作为玻璃基板，使用了由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(200mm×200mm、厚度0.2mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制商品名“AN100”)。
另外，作为支承基板，使用了同样由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(200mm×200mm、厚度0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制商品名“AN100”)。
＜例I-1～8＞
(含有SiC或SiCO的无机层的形成)
对支承基板的一个主面进行纯水清洗，之后进行UV清洗并进行清洁化。进而，在清洁化后的面上，使用SiC靶材导入Ar气体或Ar与O2的混合气体，同时利用磁控溅射法(室温、成膜压力5mTorr、能量密度4.9W/cm2)形成含有SiC或SiCO的无机层，获得带无机层的支承基板。关于所形成的无机层的厚度(单位：nm)和O2量(单位：质量％)，表示在下述第1表中。另外，所形成的无机层的表面粗糙度Ra处于0.2nm～0.5nm的范围内。
(玻璃基板的层叠)
接着，对玻璃基板的第1主面进行纯水清洗，之后进行UV清洗并进行清洁化。在各个例子的带无机层的支承基板的无机层的无机层表面与玻璃基板的清洁化后的第1主面上，实施由碱水溶液进行的清洗和由水进行的清洗，对各个面进行清洁化。之后，在无机层表面上重叠玻璃基板，在必要情况下，使用真空冲压进行压接，使无机层与玻璃基板层叠，获得玻璃层叠体。
(电子设备用构件的形成)
接着，为了制作OLED，在所获得的各个例子的玻璃层叠体的玻璃基板上形成电子设备用构件。
更具体地说，在玻璃层叠体的玻璃基板的第2主面上，利用溅射法形成钼膜，通过采用了光刻法的蚀刻形成栅电极。接着，利用等离子CVD法，在设置了栅电极的玻璃基板的第2主面侧，进一步依次形成氮化硅膜、本征非晶硅(intrinsic amorphous silicon)膜、n型非晶硅膜，接下来利用溅射法形成钼膜，通过采用了光刻法的蚀刻，形成栅绝缘膜、半导体元件部以及源电极/漏电极。接着，利用等离子CVD法，在玻璃基板的第2主面侧，进一步形成氮化硅膜并在形成了钝化层之后，利用溅射法形成氧化铟锡膜，通过采用了光刻法的蚀刻，形成像素电极。
接下来，在玻璃基板的第2主面侧，进一步利用蒸镀法依次形成作为空穴注入层的4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺膜、作为空穴输送层的双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺膜、作为发光层的在8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)中混合40体积％的2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)而成的膜、作为电子输送层的Alq3膜。接着，在玻璃基板的第2主面侧利用溅射法形成铝膜，通过采用了光刻法的蚀刻形成对电极。接着，在形成了对电极的玻璃基板的第2主面上，借助紫外线固化型的粘接层再粘贴一张玻璃基板并进行密封。通过上述顺序获得的、在玻璃基板上具有有机EL结构体的玻璃层叠体相当于带电子设备用构件的层叠体。
形成在玻璃基板的第2主面上的栅电极等电子设备用构件都不是形成在距玻璃基板的端面10mm的区域内的周缘部上，而是仅形成于占据周缘部的内侧的中央区域，该周缘部成为电子设备用构件的非形成区域。
(激光束的照射(去除部位的形成))
从作为玻璃板的支承基板侧向无机层的周缘部照射YAG基本波激光束(波长：1060nm、频率：6kHz、输出：480W、脉冲宽度：40ns)，形成作为无机层的周缘部的一部分的去除部位。另外，无机层的周缘部与电子设备用构件的非形成区域相对应。
激光束的光束形状为高斯型，但是根据需要，利用透镜整形为平顶型。
在下述第1表中，记载了照射的激光束的光束形状(平顶型(TH)或高斯型(GA))和光能(单位：J/cm2)。
在下述第1表中，也记载了通过照射激光束而形成的去除部位的形状。
当在作为无机层的周缘部的一部分的角上形成了去除部位时，在记载为“角”之后，记载两边自顶点的长度(单位：mm×mm)。
另外，当在作为无机层的周缘部的一部分的边上形成了去除部位时，在记载为“边”之后，记载端面的长度和距端面的距离(单位：mm×mm)。
另外，当对无机层的整面照射了激光束时，记载为“整面”。
(剥离)
在形成了去除部位之后，接下来使用国际公开第2011/024689号的图1所记载的剥离装置(未图示)，以去除部位15为剥离起点进行剥离。具体地说，在使带电子设备用构件的层叠体的密封体侧真空吸附于工作台(未图示)的基础上，将垫片(未图示)安装在支承基板上，并自去除部位15依次使垫片上升。这样，将带无机层的支承基板分离，获得OLED面板(相当于电子设备。以下称作面板A)。另外，在任意例子中都能够进行剥离(分离)，因此在下述第1表的“剥离性”的项目中记载为“○”。
(耐损伤性)
关于相当于电子设备的面板A，对由照射激光导致的损伤的程度进行了评价。将评价结果表示在下述第1表中。
在面板A上连接IC驱动器，在常温常压下使其驱动，当在驱动区域内确认没有显示不均时记载为“○”，当确认有显示不均等不良情况时记载为“×”。只要是“○”，就能够评价为抑制了玻璃基板上的电子设备用构件的损伤(耐损伤性优异)。
另外，关于形成有电子设备用构件的玻璃基板的周缘部，也对耐损伤性进行了评价。利用光学显微镜观察玻璃基板，当确认没有裂缝、裂纹时记载为“○”，当确认有不会导致裂纹的程度的细微的裂缝时记载为“△”。不管是“○”还是“△”，在实用方面都是没有问题的，但是优选“○”。
[表1]
如上述第1表所示，可知例I-1～7均抑制了玻璃基板上的电子设备用构件的损伤，并且剥离性也优异。
另一方面，例I-8虽然剥离性良好，但是确认有电子设备用构件的损伤。考虑这是由于整面照射激光束，因此激光束也到达了形成于除周缘部以外的区域的电子设备用构件。
＜例II＞
除了形成含有ITO的无机层以外，与例I-1相同地制作相当于电子设备的OLED面板。与例I相同地进行评价，结果抑制了玻璃基板上的电子设备用构件的损伤，并且剥离性也优异。
参照特定的实施方式并且详细地说明了本发明，但是对于本领域技术人员而言，不脱离本发明的精神与范围地能够施加各种变更、修改是不言自明的。
本申请是基于2013年12月5日提出申请的日本专利申请2013-251726的申请，其内容作为参照被引用于此。

Claims (6)

1.一种电子设备的制造方法，其包括以下工序：
玻璃层叠体制造工序，获得具有带无机层的支承基板和玻璃基板的玻璃层叠体，该带无机层的支承基板具有作为玻璃板的支承基板和配置在所述支承基板上的无机层，该玻璃基板以能够剥离的方式层叠在所述无机层上；
构件形成工序，在所述玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子设备用构件，获得带电子设备用构件的层叠体；
照射工序，通过照射激光束去除所述带电子设备用构件的层叠体中的所述无机层的周缘部的一部分或全部，形成所述无机层的去除部位；以及
分离工序，以所述去除部位为剥离起点从所述带电子设备用构件的层叠体上剥离所述带无机层的支承基板，获得具有所述玻璃基板和所述电子设备用构件的电子设备。
2.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其中，
所述电子设备用构件形成于所述玻璃基板的表面上的一部分，所述激光束向所述无机层的周缘部中的与所述玻璃基板的表面的未形成有所述电子设备用构件的非形成区域对应的区域的一部分或全部进行照射。
3.根据权利要求1或2所述的电子设备的制造方法，其中，
所述照射工序是从所述支承基板侧或所述玻璃基板侧向所述无机层照射所述激光束的工序。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，
所述去除部位是包括所述无机层的角或边在内的部位。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，
所述激光束的光源是YAG激光。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，
所述激光束的光束形状是平顶型。
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