WO2020241535A1 - 光センサおよびセンシング装置 - Google Patents

光センサおよびセンシング装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020241535A1
WO2020241535A1 PCT/JP2020/020440 JP2020020440W WO2020241535A1 WO 2020241535 A1 WO2020241535 A1 WO 2020241535A1 JP 2020020440 W JP2020020440 W JP 2020020440W WO 2020241535 A1 WO2020241535 A1 WO 2020241535A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
wavelength
optical sensor
infrared
max
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/020440
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
哲志 宮田
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Priority to JP2021522740A priority Critical patent/JP7309867B2/ja
Priority to KR1020217038143A priority patent/KR20220002432A/ko
Priority to EP20814093.9A priority patent/EP3979333A4/en
Publication of WO2020241535A1 publication Critical patent/WO2020241535A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14669—Infrared imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/206—Filters comprising particles embedded in a solid matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G02B5/223—Absorbing filters containing organic substances, e.g. dyes, inks or pigments
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to an optical sensor and a sensing device. More specifically, the present invention relates to an optical sensor and a sensing device that detect light including infrared light.
  • a substance reduced to about several nm to a dozen nm will show physical properties different from those in the bulk state. Such a phenomenon is called a quantum size effect or the like, and a substance in which such an effect is exhibited is called a quantum dot.
  • the bandgap (light absorption wavelength and emission wavelength) of quantum dots can be adjusted by changing the size.
  • quantum dots As a material for photoelectric conversion elements is being studied.
  • Patent Document 1 includes a pixel array region in which pixels including a photoelectric conversion unit having any of a compound semiconductor, amorphous silicon, germanium, a quantum dot photoelectric conversion film, and an organic photoelectric conversion film are two-dimensionally arranged in a matrix.
  • Infrared light (infrared) has a longer wavelength than visible light, so it is less likely to scatter and can be used for distance measurement and three-dimensional measurement. Infrared light is invisible to humans and animals, so even if the subject is illuminated with an infrared light source at night, the subject will not be noticed, and it will be used for shooting nocturnal wild animals and for crime prevention. It can also be used to shoot without stimulating.
  • an optical sensor that senses infrared light can be applied to various applications, and various studies have been made on such an optical sensor.
  • Quantum dots can easily adjust absorption peaks, etc. by controlling the particle size. However, it has a relatively high photoelectric conversion ability even on the short wave side of the main absorption peak. For this reason, an optical sensor using quantum dots as a photoelectric conversion element may detect light in a wide wavelength range. Therefore, when applying an optical sensor using quantum dots as a photoelectric conversion element to an optical sensor that senses infrared light, there is room for improvement in reducing noise derived from sunlight.
  • an object of the present invention is to provide a novel optical sensor and sensing device capable of detecting infrared light without noise.
  • the present invention provides: ⁇ 1> It has a photoelectric conversion element capable of acquiring light in a wavelength band including an infrared region as an electric signal, and an optical member provided on the light incident side to the photoelectric conversion element.
  • the photoelectric conversion element includes a quantum dot having a maximum absorption wavelength ⁇ max in an infrared region having a wavelength of 800 nm or more, and has an infrared light receiving unit that receives light in a wavelength band in the infrared region.
  • the optical member on the optical path on the light incident side of the photoelectric conversion element to the infrared light receiving portion has a maximum value of 60% or more of light transmittance in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more and a wavelength in the range of 400 to 650 nm.
  • An infrared light transmitting member having an average light transmittance of 10% or less.
  • Optical sensor. ⁇ 2> The infrared light transmitting member has a maximum value of light transmittance in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots of 60% or more, and an average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm.
  • the optical sensor according to ⁇ 1> wherein the infrared light receiving unit receives light having a wavelength in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots.
  • the infrared light transmitting member has a wavelength having a transmittance of 50% in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max of ⁇ 200 nm or more of the quantum dot and the maximum absorption wavelength ⁇ max + 20 nm or less of the quantum dot.
  • ⁇ 4> The optical sensor according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the infrared light transmitting member satisfies the following relational expression (IR1): (T 1 / T 2 )> 5.0 ⁇ ⁇ ⁇ (IR1)
  • T 1 is the transmittance of the infrared light transmitting member with respect to the light having the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots.
  • T 2 is the transmittance of the infrared light transmitting member with respect to light having a maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 0.8 of the quantum dots.
  • IR1> the infrared light transmitting member includes a resin film containing a plurality of coloring materials.
  • the resin film has a wavelength having a transmittance of 50% in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max of ⁇ 200 nm or more of the quantum dots and the maximum absorption wavelength ⁇ max + 20 nm or less of the quantum dots.
  • the dielectric multilayer film has a plurality of transmission wavelength bands having a maximum transmittance of 90% or more.
  • the infrared light transmitting member includes a microlens having a refractive index of 1.8 or more with respect to light having a maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots.
  • Optical sensor. ⁇ 10>
  • the photoelectric conversion element has another light receiving unit that receives light having a wavelength different from the light received by the infrared light receiving unit.
  • the optical sensor according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, wherein the optical member has an optical filter including a plurality of pixels having different wavelengths of transmitted light.
  • each pixel of the optical filter is partitioned by a partition wall.
  • each region of the photoelectric conversion element that receives light transmitted through each pixel of the optical filter is partitioned by a partition wall or a groove.
  • the other light receiving unit receives light on the short wave side of the light received by the infrared light receiving unit.
  • the pixels on the optical path on the light incident side of the other light receiving portion of the optical filter have a transmittance of 60% or more in the range of 400 nm or more and the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 0.8 nm or less of the quantum dots.
  • optical sensor according to any one of ⁇ 10> to ⁇ 13>, wherein there is a wavelength that becomes.
  • ⁇ 15> The optical sensor according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>, further comprising a light emitting device having a maximum light emitting wavelength in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots.
  • a sensing device including the optical sensor according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>.
  • the optical sensor of the present invention It has a photoelectric conversion element capable of acquiring light in a wavelength band including an infrared region as an electric signal, and an optical member provided on the light incident side to the photoelectric conversion element.
  • the photoelectric conversion element includes a quantum dot having a maximum absorption wavelength ⁇ max in an infrared region having a wavelength of 800 nm or more, and has an infrared light receiving unit that receives light in a wavelength band in the infrared region.
  • the optical member on the optical path on the light incident side of the photoelectric conversion element to the infrared light receiving portion has a maximum value of 60% or more of light transmittance in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more and a wavelength in the range of 400 to 650 nm. It is an infrared light transmitting member having an average light transmittance of 10% or less.
  • the optical sensor of the present invention uses a photoelectric conversion element containing quantum dots having a maximum absorption wavelength ⁇ max in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more, and the light incident side of the photoelectric conversion element on the infrared light receiving portion.
  • the infrared light transmitting member on the optical path of the above, the infrared light receiving unit can receive infrared light of a target wavelength with less noise derived from sunlight. Therefore, the accuracy of sensing using infrared light can be improved.
  • the optical sensor of the present invention uses quantum dots for the photoelectric conversion element, the absorption wavelength can be adjusted by adjusting the size of the quantum dots and the like.
  • the absorption wavelength can be shifted to the long wave side
  • the absorption wavelength can be shifted to the short wave side. Therefore, the spectral design of the optical sensor can be easily changed or adjusted, and the design can be easily changed according to the application and purpose of the optical sensor.
  • the infrared light transmitting member may be composed of only a single member or layer, but may be composed of a plurality of members or layers arranged on an optical path. Further, the optical member may be composed only of an infrared light transmitting member having the above spectral characteristics, and another light transmitting member having a spectral characteristic different from the above spectral characteristics can receive infrared light from the photoelectric conversion element. It may be held on an optical path different from the part. Examples of the infrared light transmitting member include a resin film containing a coloring material, a dielectric multilayer film, and a combination thereof.
  • the spectral characteristics of the resin film can be adjusted by appropriately adjusting the type and content of the coloring material contained in the resin film.
  • the spectral characteristics of the dielectric multilayer film can be adjusted by adjusting the types, film thickness, number of layers, etc. of the high refractive index material layer and the low refractive index material layer described later. ..
  • the photoelectric conversion element can also acquire light in the visible wavelength band (preferably light in the wavelength band of 400 to 700 nm) as an electric signal, that is, has sensitivity to light in the visible wavelength band. It may be a thing. Even if the photoelectric conversion element has sensitivity to light in the visible wavelength band, by providing the infrared light transmitting member, the infrared light receiving portion does not involve noise derived from sunlight and has a target wavelength. Infrared light can be selectively received. When the photoelectric conversion element is also sensitive to light in the visible wavelength band, the light in the visible wavelength band and the wavelength in the infrared region can be adjusted by appropriately adjusting the structure of the optical member. It can also be an optical sensor that can simultaneously detect light in the band.
  • the visible wavelength band preferably light in the wavelength band of 400 to 700 nm
  • the infrared light receiving portion does not involve noise derived from sunlight and has a target wavelength. Infrared light can be selectively received.
  • the photoelectric conversion element is also sensitive to light in the
  • the photoelectric conversion element has a layer containing quantum dots (hereinafter, also referred to as a quantum dot layer) as a photoelectric conversion layer.
  • the photoelectric conversion layer may be only a quantum dot layer, or may further include another photoelectric conversion layer made of a material other than the quantum dots.
  • Examples of other photoelectric conversion layers include silicon photodiodes.
  • a silicon photodiode and a quantum dot layer are combined, and light in a desired infrared region is photoelectrically converted by the quantum dot layer to convert light in a visible wavelength band (preferably light in a wavelength band of 400 to 700 nm).
  • Photoelectric conversion may be performed with a silicon photodiode. In this case as well, by providing the infrared light transmitting member on the infrared light receiving portion of the photoelectric conversion element, it is possible to selectively receive infrared light of a target wavelength without accompanying noise derived from sunlight. ..
  • the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots used in the photoelectric conversion element is present in the range of 800 nm or more, preferably in the range of 800 to 4500 nm, more preferably in the range of 800 to 3500 nm, and more preferably in the range of 800 to 2500 nm. It is more preferred to be in the range.
  • Examples of the material of the quantum dots include semiconductors such as III-V compound semiconductors, II-VI compound semiconductors, IV-VI compound semiconductors, silicon, and carbon. Specific examples include CdS, CdSe, PbS, PbSe, InAs and the like.
  • a ligand may be coordinated on the surface of the quantum dot. Examples of the ligand include compounds having a coordinating group such as an amino group, a carboxy group, a mercapto group, a phosphine group, and a phosphine oxide group.
  • a polydentate ligand is preferable, a polydentate ligand in which at least one of the coordinating groups is selected from an amino group or a mercapto group is more preferable, and at least one of the coordinating groups is an amino group.
  • 2-3 loci ligands selected from mercapto groups are more preferred.
  • Specific examples include hexylamine, decylamine, hexadecylamine, octadecylamine, oleylamine, myristylamine, laurylamine, oleic acid, mercaptopropionic acid, trioctylphosphine, and trioctylphosphine oxide.
  • a ligand having a low molecular weight can be expected to have an effect of improving the photoelectric conversion ability by improving the conductivity.
  • the ligand of the quantum dot may be replaced during the film formation.
  • both stability and conductivity can be achieved.
  • the ligand specialized for stability include a ligand having a long-chain steric repulsive group such as octadecylamine, and the ligand specialized for conductivity includes a low molecular weight arrangement such as mercaptopropionic acid. The rank is mentioned.
  • the shape of the quantum dot is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a rod shape, and an elliptical spherical shape.
  • the average particle size of the quantum dots is preferably 0.1 to 100 nm, more preferably 0.5 to 50 nm, and even more preferably 1 to 25 nm.
  • the average particle size of the quantum dots is a value measured by a dynamic light scattering method.
  • the table below shows the relationship between the average particle size of the quantum dots and the maximum absorption wavelength when PbS is used as the material of the quantum dots.
  • Quantum dots with a spherical shape were used.
  • the maximum absorption wavelength of the quantum dots was measured as follows. That is, a quantum dot layer was formed by applying a toluene solution containing 4% by mass of the quantum dots (ligand oleic acid) described in the table below on a glass substrate by a spin coating method. The absorbance of this quantum dot layer in the wavelength range of 400 to 3300 nm was measured to determine the maximum absorption wavelength ⁇ max .
  • the infrared light transmitting member has a range of the maximum absorption wavelength of the quantum dot ⁇ max ⁇ 50 nm (preferably a range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 40 nm of the quantum dot, more preferably a range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 30 nm of the quantum dot.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 20 nm of the quantum dot, particularly preferably the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 10 nm of the quantum dot) is 60% or more, and the wavelength is 400 to 400 to.
  • the average transmittance of light in the range of 650 nm is 10% or less, and it is preferable that the infrared light receiving unit receives light having a wavelength in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots. According to this aspect, visible light noise in the infrared light receiving unit can be suppressed, and the accuracy of sensing using infrared light can be further improved.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots indicated by the infrared light transmitting member is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more. Further, the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm of the infrared light transmitting member is preferably 20% or less, and more preferably 10% or less.
  • the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots used in the photoelectric conversion element is 800 nm or more and less than 900 nm, and the spectral characteristics of the infrared light transmitting member are such that the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm is 10%. Below (preferably 7.5% or less, more preferably 5% or less), the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more is 60% or more (preferably 80% or more, more preferably 90% or more). ).
  • the spectral characteristics of the light transmitting member are in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot ⁇ max ⁇ 50 nm (preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 40 nm of the quantum dot, more preferably the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of max ⁇ 30 nm, more preferably the maximum absorption wavelength of the quantum dot ⁇ max ⁇ 20 nm) is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
  • the maximum value of the light transmittance in the wavelength range of 400 to 650 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less.
  • the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots used in the photoelectric conversion element is 900 nm or more and less than 1000 nm, and the spectral characteristics of the infrared light transmitting member are such that the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 750 nm is 10%. Below (preferably 7.5% or less, more preferably 5% or less), the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 900 nm or more is 60% or more (preferably 80% or more, more preferably 90% or more). ).
  • the spectral characteristics of the light transmitting member are in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot ⁇ max ⁇ 50 nm (preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 40 nm of the quantum dot, more preferably the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of max ⁇ 30 nm, more preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 20 nm of the quantum dot) is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
  • the maximum value of the light transmittance in the wavelength range of 400 to 750 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less.
  • the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots used in the photoelectric conversion element is 1000 nm or more and less than 1100 nm, and the spectral characteristics of the infrared light transmitting member are such that the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 850 nm is 10%. Below (preferably 7.5% or less, more preferably 5% or less), the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 1000 nm or more is 60% or more (preferably 80% or more, more preferably 90% or more). ).
  • the spectral characteristics of the light transmitting member are in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot ⁇ max ⁇ 50 nm (preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 40 nm of the quantum dot, more preferably the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of max ⁇ 30 nm, more preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 20 nm of the quantum dot) is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
  • the maximum value of the light transmittance in the wavelength range of 400 to 850 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less.
  • the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dots used in the photoelectric conversion element is 1100 nm or more, and the spectral characteristics of the infrared light transmitting member are such that the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 950 nm is 10% or less ( (Preferably 7.5% or less, more preferably 5% or less), and the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 1100 nm or more is 60% or more (preferably 80% or more, more preferably 90% or more).
  • the spectral characteristics of the light transmitting member are in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot ⁇ max ⁇ 50 nm (preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 40 nm of the quantum dot, more preferably the maximum absorption wavelength ⁇ of the quantum dot.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of max ⁇ 30 nm, more preferably in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 20 nm of the quantum dot) is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
  • the maximum value of the light transmittance in the wavelength range of 400 to 950 nm is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less.
  • the infrared light transmitting member has a range of the maximum absorption wavelength of the quantum dot ⁇ max ⁇ 200 nm or more and the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dot or less (preferably in the range of ⁇ max 175 to ⁇ max +10 nm, more preferably ⁇ max. It is preferable that a wavelength having a transmittance of 50% exists in the range of ⁇ 150 to ⁇ max + 20 nm).
  • Such infrared light transmitting member because of the high permeability of light of the maximum absorption wavelength lambda max vicinity of the quantum dots, the maximum absorption wavelength lambda max vicinity of the quantum dots is incident to the infrared light receiving portion of the quantum dots The amount of light can be increased, and the accuracy of sensing using infrared light can be further improved.
  • the infrared light transmitting member preferably satisfies the following relational expression (IR1). Since such an infrared light transmitting member can selectively transmit light in the vicinity of the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dot, light in the vicinity of the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dot in the infrared light receiving unit can be transmitted.
  • the signal noise ratio (SN ratio) and the like can be increased.
  • the value of (T 1 / T 2 ) in the following relational expression (IR1) is preferably 5 or more, more preferably 7.5 or more, and further preferably 10 or more.
  • T 1 is the transmittance of the infrared light transmitting member with respect to the light having the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dot.
  • T 2 is the transmittance of the infrared light transmitting member with respect to the light having the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 0.8 of the quantum dot.
  • the infrared light transmitting member may include a resin film containing a plurality of coloring materials. According to this aspect, it is easy to adjust the spectral characteristics of the infrared light transmitting member to a desired range.
  • the resin film is preferably an infrared transmissive filter. Examples of the color material contained in the resin film include chromatic color materials such as red color material, green color material, blue color material, yellow color material, purple color material, and orange color material.
  • the pigments used as chromatic coloring materials include those shown below.
  • a halogenated zinc phthalocyanine having an average of 10 to 14 halogen atoms in one molecule, an average of 8 to 12 bromine atoms, and an average of 2 to 5 chlorine atoms. Pigments can also be used. Specific examples include the compounds described in International Publication No. 2015/118720. Further, as a green color material, the compound described in Chinese Patent Application No. 106909027, the phthalocyanine compound having a phosphate ester described in International Publication No. 2012/10395 as a ligand, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-008014. The phthalocyanine compound of the above and the phthalocyanine compound described in JP-A-2018-180023 can also be used.
  • an aluminum phthalocyanine compound having a phosphorus atom can also be used. Specific examples include the compounds described in paragraphs 0022 to 0030 of JP2012-247591A and paragraph numbers 0047 of JP2011-157478A.
  • the compounds described in JP-A-2017-201003 the compounds described in JP-A-2017-197719, and paragraph numbers 0011 to 0062 and 0137-0276 of JP-A-2017-171912.
  • the quinophthalone compound described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-008014, the compound represented by the following formula (QP1), and the compound represented by the following formula (QP2) can also be used.
  • X 1 to X 16 independently represent a hydrogen atom or a halogen atom, and Z 1 represents an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.
  • Specific examples of the compound represented by the formula (QP1) include the compounds described in paragraph No. 0016 of Japanese Patent No. 6443711.
  • Y 1 ⁇ Y 3 represents a halogen atom independently.
  • n and m represent integers of 0 to 6, and p represents an integer of 0 to 5.
  • N + m is 1 or more.
  • Specific examples of the compound represented by the formula (QP2) include the compounds described in paragraphs 0047 to 0048 of Japanese Patent No. 6432077.
  • the diketopyrrolopyrrole compound described in WO2012 / 102399, the diketopyrrolopyrrole compound described in WO2012 / 117965, the naphtholazo compound described in JP2012-229344A, and the like are used. You can also.
  • red pigment a compound having a structure in which an aromatic ring group having an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom bonded to the aromatic ring is bonded to a diketopyrrolopyrrole skeleton can also be used. it can.
  • Dyes can also be used as the coloring material.
  • the dye is not particularly limited, and a known dye can be used.
  • pyrazole azo system anilino azo system, triarylmethane system, anthraquinone system, anthraquinone system, benzylidene system, oxonol system, pyrazolotriazole azo system, pyridone azo system, cyanine system, phenothiazine system, pyrrolopyrazole azomethine system, xanthene system
  • Examples thereof include phthalocyanine-based, benzopyran-based, indigo-based, and pyrromethene-based dyes.
  • the thiazole compound described in JP2012-158649A, the azo compound described in JP2011-184493, and the azo compound described in JP2011-145540 can also be preferably used.
  • the yellow dye the quinophthalone compounds described in paragraphs 0011 to 0034 of JP2013-054339A, the quinophthalone compounds described in paragraphs 0013 to 0058 of JP2014-026228, and the like can also be used.
  • the coloring material contained in the resin film preferably forms black by combining two or more kinds of chromatic coloring materials.
  • Examples of the combination of chromatic color materials in the case of forming black by combining two or more kinds of chromatic color materials include the following aspects (C1) to (C7).
  • C1 An embodiment containing a red color material and a blue color material.
  • C2) An embodiment containing a red color material, a blue color material, and a yellow color material.
  • C3 An embodiment containing a red color material, a blue color material, a yellow color material, and a purple color material.
  • C4 An embodiment containing a red color material, a blue color material, a yellow color material, a purple color material, and a green color material.
  • C5 An embodiment containing a red color material, a blue color material, a yellow color material, and a green color material.
  • C6 An embodiment containing a red color material, a blue color material, and a green color material.
  • C7 An embodiment containing a yellow color material and a purple color material.
  • the mass ratio of the red color material, the blue color material, the yellow color material, the purple color material, and the green color material is as follows: red color material: blue color material: yellow color material: purple color material: green color.
  • the coloring material contained in the resin film may be a pigment or a dye. Pigments and dyes may be included. Pigments are preferable because they have excellent long-term reliability.
  • the average particle size of the pigment contained in the resin film is preferably 1 to 150 nm.
  • the lower limit is preferably 1 nm or more, more preferably 5 nm or more.
  • the upper limit is preferably 150 nm or less, more preferably 100 nm or less, and even more preferably 50 nm or less. When the average particle size of the pigment is in the above range, the transparency of the target wavelength is good.
  • the average particle size of the pigment in the resin film is a value of the volume cumulative particle size D50 obtained by the dynamic light scattering method.
  • the resin film may further contain an infrared absorber.
  • infrared absorbers include pyrolopyrrole compounds, cyanine compounds, squarylium compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, quaterylene compounds, merocyanine compounds, croconium compounds, oxonor compounds, iminium compounds, dithiol compounds, triarylmethane compounds, pyromethene compounds and azomethine.
  • infrared absorbers include pyrolopyrrole compounds, cyanine compounds, squarylium compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, quaterylene compounds, merocyanine compounds, croconium compounds, oxonor compounds, iminium compounds, dithiol compounds, triarylmethane compounds, pyromethene compounds and azomethine.
  • examples thereof include compounds, anthraquinone compounds, dibenzofuranone compounds, dithiolene
  • Examples of the pyrrolopyrrole compound include the compounds described in paragraphs 0016 to 0058 of JP2009-263614, the compounds described in paragraphs 0037 to 0052 of JP2011-066731, and International Publication No. 2015/166783. Examples thereof include the compounds described in paragraphs 0010 to 0033.
  • Examples of the squarylium compound include the compounds described in paragraphs 0044 to 0049 of JP2011-208101A, the compounds described in paragraphs 0060 to 0061 of Patent No. 6065169, and paragraph numbers 0040 of International Publication No. 2016/181987. , The compound described in JP-A-2015-176046, the compound described in paragraph number 0072 of International Publication No.
  • JP2012-077153 the oxytitanium phthalocyanine described in JP2006-343631, and paragraphs 0013 to 0029 of JP2013-195480.
  • vanadium phthalocyanine compound described in Japanese Patent No. 6081771.
  • examples of the naphthalocyanine compound include the compounds described in paragraph No. 0093 of JP2012-077153.
  • Examples of the dithiolene metal complex include the compounds described in Japanese Patent No. 5733804.
  • the metal oxide include indium tin oxide, antimony oxide, zinc oxide, Al-doped zinc oxide, fluorine-doped tin dioxide, niobium-doped titanium dioxide, tungsten oxide and the like.
  • tungsten oxide paragraph number 0080 of JP-A-2016-006476 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.
  • the metal boride include lanthanum hexaboride. Examples of commercially available lanthanum boride, LaB 6 -F (manufactured by Japan New Metals Co., Ltd.), and the like. Further, as the metal boride, the compound described in International Publication No. 2017/119394 can also be used. Examples of commercially available indium tin oxide products include F-ITO (manufactured by DOWA Hi-Tech Co., Ltd.).
  • Examples of the infrared absorber include a squarylium compound described in JP-A-2017-197437, a squarylium compound described in JP-A-2017-025311, a squarylium compound described in International Publication No. 2016/154782, and Patent No. 5884953. , The squalylium compound described in Japanese Patent No. 6036689, the squalylium compound described in Japanese Patent No. 581604, the squalylium compound described in paragraph numbers 0090 to 0107 of International Publication No. 2017/213047, JP-A-2018.
  • Squalylium compounds compounds having a pyrrolbis-type squalylium skeleton or croconium skeleton described in JP-A-2017-141215, dihydrocarbazolebis-type squarylium compounds described in JP-A-2017-082029, JP-A-2017-068120
  • the asymmetric compound described in paragraphs 0027 to 0114 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-067963, the pyrrol ring-containing compound (carbazole type) described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-067963, the phthalocyanine compound described in Japanese Patent No. 6251530, and the like can also be used. it can.
  • the maximum value of the light transmittance in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more indicated by the resin film is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more. Further, it is preferable that the resin film has high transparency of light having a wavelength of the desired wavelength to be received by the infrared light receiving portion of the photoelectric conversion element among the light having a wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more.
  • the transmittance of light having the above-mentioned wavelength is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, and further preferably 80% or more.
  • the resin film has a maximum absorption wavelength of quantum dots of ⁇ max- 200 nm or more and a maximum absorption wavelength of quantum dots of ⁇ max or less (preferably in the range of ⁇ max -175 to ⁇ max + 10 nm, more preferably ⁇ max -150 to. It is preferable that a wavelength having a transmittance of 50% exists in the range of ⁇ max + 20 nm (in the range of nm). According to this aspect, the signal noise ratio (SN ratio) in the infrared light receiving unit can be increased.
  • the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm indicated by the resin film is preferably low, more preferably 10% or less, and further preferably 5% or less.
  • the infrared light transmitting member may include a dielectric multilayer film. According to this aspect, light shielding and transmission can be performed more steeply. Among them, it is preferable that the infrared light transmitting member includes a dielectric multilayer film and the above-mentioned resin film because it is easy to adjust to more excellent spectral characteristics.
  • the resin film and the dielectric multilayer film may be in contact with each other, and the resin film and the dielectric multilayer film may be separated from each other. Further, the dielectric multilayer film is preferably provided on the light incident side of the resin film for the reason of reducing the angle dependence.
  • dielectric multilayer film examples include those in which a plurality of layers of a dielectric thin film having a high refractive index (high refractive index material layer) and a dielectric thin film having a low refractive index (low refractive index material layer) are alternately laminated.
  • the number of laminated dielectric thin films in the dielectric multilayer film is not particularly limited, but is preferably 2 to 100 layers, more preferably 4 to 60 layers, and even more preferably 6 to 40 layers.
  • a material having a refractive index of 1.7 to 2.5 is preferable.
  • Specific examples include Sb 2 O 3 , Sb 2 S 3 , Bi 2 O 3 , CeO 2 , CeF 3 , HfO 2 , La 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Pr 6 O 11 , Sc 2 O 3 , SiO. , Ta 2 O 5 , TiO 2 , TlCl, Y 2 O 3 , ZnSe, ZnS, ZrO 2, and the like.
  • a material having a refractive index of 1.2 to 1.6 is preferable.
  • the method for forming the dielectric multilayer film is not particularly limited, and for example, an ion plating method, a vacuum deposition method such as an ion beam, a physical vapor deposition method (PVD method) such as sputtering, or a chemical vapor deposition method. (CVD method) and the like.
  • the thickness of each of the high refractive index material layer and the low refractive index material layer is preferably 0.1 ⁇ to 0.5 ⁇ of the wavelength ⁇ (nm) of the light to be blocked.
  • the dielectric multilayer film preferably has a transmission wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more. Further, it is preferable that the wavelength range of the transmission wavelength band includes a wavelength of interest to be received by the infrared light receiving unit. Further, the maximum transmittance in the transmission wavelength band is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more. The maximum transmittance in the light-shielding wavelength band is preferably 20% or less, more preferably 10% or less, and further preferably 5% or less. Further, the average transmittance in the transmission wavelength band is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, and further preferably 80% or more.
  • the wavelength range of the transmission wavelength band, when the center wavelength lambda t1 wavelengths showing a maximum transmittance is preferably the central wavelength lambda t1 ⁇ 100 nm, more preferably the central wavelength lambda t1 ⁇ 75 nm, It is more preferable that the center wavelength is ⁇ t1 ⁇ 50 nm.
  • the dielectric multilayer film may have only one transmission wavelength band (preferably, a transmission wavelength band having a maximum transmittance of 90% or more), or may have a plurality of transmission wavelength bands.
  • a dielectric multilayer film having a plurality of transmission wavelength bands is used, light of different wavelength bands can be incident on the photoelectric conversion element, and the optical sensor can simultaneously detect light of different wavelengths. be able to.
  • the infrared light transmitting member may include a microlens having a refractive index of 1.8 or more with respect to light having a maximum absorption wavelength of ⁇ max of quantum dots. According to this aspect, the focusing rate of infrared light can be increased, and the accuracy of sensing using infrared light can be further improved.
  • the material used to form the high microlenses refractive index for light having a maximum absorption wavelength lambda max of the quantum dots, using the color material having no absorption in the lambda max has an absorption maximum at a shorter wavelength than lambda max resin Examples include membranes.
  • the photoelectric conversion element has another light receiving unit that receives light having a wavelength different from the light received by the infrared light receiving unit, and the optical member includes an optical filter containing a plurality of pixels having different wavelengths of transmitted light. You may have.
  • the pixels on the optical path on the light incident side of the other light receiving portion of the optical filter have a transmittance of 60% or more (preferably 70% or more) in the range of 400 nm or more and the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 0.8 nm of the quantum dots. , More preferably 80% or more). Examples of such pixels include colored pixels such as red pixels, blue pixels, green pixels, yellow pixels, cyan pixels, and magenta pixels.
  • the other light receiving unit is preferably a light receiving unit that receives light on the short wave side of the light received by the infrared light receiving unit. Further, it is also preferable that the other light receiving unit is a light receiving unit that receives light on the short wave side of the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dot.
  • the pixels included in the optical filter the pixels existing on the optical path on the light incident side to the infrared light receiving portion are a part of the members constituting the infrared light transmitting member.
  • Each pixel of the optical filter may be partitioned by a partition wall. Further, each region (light receiving portion) of the photoelectric conversion element that receives light transmitted through each pixel of the optical filter may be partitioned by a partition wall or a groove. According to these aspects, the external quantum efficiency and the like can be increased.
  • the material of the partition wall is not particularly limited. Examples thereof include organic materials such as siloxane resin and fluororesin, and inorganic particles such as silica particles.
  • the partition wall may be made of a metal such as tungsten or aluminum. Further, it may be a laminate of a metal and a black matrix. In the case of a laminated body, the stacking order of the metal and the black matrix is not particularly limited.
  • the optical sensor may further have a light emitting device having a light emitting maximum in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dot.
  • a light emitting device having a light emitting maximum in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dot. Examples of such a light emitting device include a light emitting diode and a laser.
  • optical sensor of the present invention An embodiment of the optical sensor of the present invention will be described below with reference to the drawings.
  • the arrows in the figure represent the incident light on the photoelectric conversion element.
  • a photoelectric conversion element 201 is provided on the support 101.
  • the light receiving surface of the photoelectric conversion element 201 forms a light receiving portion.
  • the entire light receiving surface of the photoelectric conversion element 201 forms an infrared light receiving portion.
  • the support 101 is not particularly limited.
  • a glass substrate, a ceramics substrate, a resin substrate, a semiconductor substrate and the like can be mentioned.
  • the semiconductor substrate include a silicon substrate, an SOI (Silicon on Insulator) substrate, and a substrate in which a silicon epitaxial growth layer is formed on a silicon layer of an SOI substrate.
  • the support 101 may be formed with a transfer gate for reading out the signal charge photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 201. Further, a wiring portion may be formed on the support 101.
  • Examples of the type of photoelectric conversion element 201 include a photoconductor type photoelectric conversion element and a photodiode type photoelectric conversion element.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of the photoelectric conversion element 201.
  • the photoelectric conversion element 201 shown in FIG. 2 includes a lower electrode 252, an upper electrode 253 facing the lower electrode 252, and a photoelectric conversion layer 251 provided between the lower electrode 252 and the upper electrode 253.
  • the photoelectric conversion element 201 shown in FIG. 2 is used by injecting light from above the upper electrode 253.
  • a charge transport layer may be provided between the photoelectric conversion layer 251 and the lower electrode 252 and / or between the photoelectric conversion layer 251 and the upper electrode 253.
  • the upper electrode and the lower electrode are collectively referred to as an electrode.
  • the charge transport layer By providing a charge transport layer between these electrodes and the photoelectric conversion layer 251 it is possible to improve the charge separation efficiency in the photoelectric conversion layer 251 and improve the light receiving sensitivity of infrared light or the like. ..
  • the charge transport layer include a hole transport layer and an electron transport layer.
  • PEDOT PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly (4-styrenesulfonic acid)), and the like MoO 3.
  • the material of the electron transport layer include ZnO 2 and TiO 2 .
  • the upper electrode 253 is preferably a transparent electrode made of a conductive material that is transparent to light in the wavelength band of 400 to ( ⁇ max +300) nm.
  • a transparent electrode may be used as in the upper electrode 253, and the lower electrode 252 may not be a transparent electrode.
  • transparent to light of a certain wavelength means transmitting light of that wavelength by 70% or more.
  • the light transmittance of the upper electrode 253 in the wavelength band of 400 to ( ⁇ max +300) nm is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.
  • Suitable materials for the upper electrode 253 and the lower electrode 252 include metals, alloys, metal oxides, metal nitrides, metal borides, organic conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), and indium tungsten oxide (IWO), and metal nitrides such as titanium nitride.
  • conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), and indium tungsten oxide (IWO)
  • metal nitrides such as titanium nitride.
  • Metals such as gold, platinum, silver, chromium, nickel, and aluminum, as well as mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, and polypyrro. Examples thereof include organic conductive materials such as-le, and laminates of these and ITO.
  • the method of forming the electrodes can be appropriately selected depending on the material used.
  • indium tin oxide (ITO) can be formed by a method such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (sol-gel method or the like), or a dispersion of indium tin oxide.
  • the electrodes may be separated and the light receiving portion of the photoelectric conversion element 201 may be divided into a plurality of light receiving portions.
  • the photoelectric conversion layer 251 includes quantum dots having a maximum absorption wavelength ⁇ max in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more.
  • the maximum absorption wavelength ⁇ max of the quantum dot is preferably in the range of 800 to 4000 nm, more preferably in the range of 800 to 3000 nm, and even more preferably in the range of 800 to 2000 nm. Examples of the material of the quantum dots include those described above.
  • Examples of the method for forming the photoelectric conversion layer 251 include a wet film forming method and a dry film forming method.
  • Examples of the forming method by the dry film forming method include a chemical vapor deposition method and a physical vapor deposition method.
  • a composition for a photoelectric conversion layer containing quantum dots and a solvent can be used, and the composition can be formed by coating on a support such as an electrode by a conventionally known coating method.
  • Examples of the coating method include a dropping method (drop casting); a slit coating method; a spray method; a roll coating method; a rotary coating method (spin coating method); a casting coating method; a slit and spin method; a pre-wet method (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. The method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-145395); Inkjet (for example, on-demand method, piezo method, thermal method), ejection system printing such as nozzle jet, flexographic printing, screen printing, gravure printing, reverse offset printing, metal mask.
  • Various printing methods such as a printing method; a transfer method using a mold or the like; a nanoimprint method and the like can be mentioned.
  • an insulating layer 301 is provided on the photoelectric conversion element 201.
  • the insulating layer 301 may be an inorganic film or an organic film. Inorganic films are preferred because of their insulating properties and reduced film thickness. Examples of the insulating layer of the inorganic film include oxides. Examples of the insulating layer of the organic film include a resin film.
  • the light transmittance in the wavelength band of 400 to 4000 nm indicated by the insulating layer 301 is preferably high, more preferably 70% or more, further preferably 80% or more, and more preferably 90% or more. It is more preferable, and 95% or more is particularly preferable.
  • an infrared transmission filter 401 is provided on the insulating layer 301.
  • the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more indicated by the infrared transmission filter 401 is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more.
  • the infrared transmission filter 401 is required to have high transmittance of light having a wavelength of a target wavelength to be received by the infrared light receiving unit of the photoelectric conversion element 201 among the light in the wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more.
  • the transmittance of light having the above-mentioned wavelength is more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • the infrared light receiving unit of the photoelectric conversion element 201 receives light of any wavelength in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots contained in the photoelectric conversion layer 251, the infrared transmission filter 401
  • the maximum value of the light transmittance in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dot indicated by is more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, and further preferably 80% or more. Is particularly preferable.
  • the infrared transmission filter 401 preferably has low light transmittance in the wavelength band of the visible region, and more preferably has an average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm of 10% or less. It is more preferably 5.5% or less, and particularly preferably 5% or less.
  • Examples of the infrared transmission filter 401 include those composed of a resin film containing a coloring material.
  • the coloring material include chromatic color materials such as red color material, green color material, blue color material, yellow color material, purple color material, and orange color material.
  • the color material contained in the infrared transmission filter 401 preferably forms black by combining two or more kinds of chromatic color materials.
  • Examples of the combination of the chromatic color materials in the case of forming black by the combination of two or more kinds of chromatic color materials include the above-described aspects (C1) to (C7).
  • the infrared transmission filter 401 may further contain an infrared absorber. By including the infrared absorber in the infrared transmission filter 401, the wavelength of the transmitted light can be shifted to the longer wavelength side. Examples of the infrared absorber include those described above.
  • the infrared transmission filter 401 can be formed by using a composition containing a coloring material and a resin.
  • Examples of the composition used for forming the infrared transmission filter 401 include the compositions described in International Publication No. 2016/190162.
  • the infrared transmittance filter 401 has a maximum absorption wavelength of quantum dots of ⁇ max -200 nm or more and a maximum absorption wavelength of quantum dots of ⁇ max + 20 nm or less (preferably in a range of ⁇ max -175 to ⁇ max + 20 nm) contained in the photoelectric conversion layer 251. , More preferably in the range of ⁇ max ⁇ 150 to ⁇ max + 20 nm), it is preferable that a wavelength having a transmittance of 50% exists. Further, the maximum value of the light transmittance in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots indicated by the infrared transmission filter 401 is preferably 70% or more, and more preferably 90% or more.
  • the infrared transmission filter 401 may include a plurality of pixels having different wavelengths of transmitted light. Further, a partition wall may be provided between the pixels. When the infrared transmission filter 401 includes a plurality of such pixels, it is preferable that in the photoelectric conversion element 201, the electrodes are separated and the light receiving portion is divided into a plurality of parts. Further, in the photoelectric conversion layer 251 of the photoelectric conversion element 201, each region (light receiving portion) for receiving light transmitted through each pixel of the infrared transmission filter 401 may be partitioned by a partition wall or a groove.
  • a bandpass filter 501 is provided on the infrared transmission filter 401.
  • the bandpass filter 501 is provided at a distance above the infrared transmission filter 401 in FIG. 1, the bandpass filter 501 may be provided on the surface of the infrared transmission filter 401. Further, an intermediate layer such as an adhesive layer or a flattening layer may be provided between the infrared transmission filter 401 and the bandpass filter 501.
  • Examples of the bandpass filter 501 include a dielectric multilayer film and the like.
  • Examples of the dielectric multilayer film include those described above.
  • the bandpass filter 501 preferably has a transmission wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more. Further, it is preferable that the wavelength range of the transmission wavelength band of the bandpass filter 501 includes a wavelength of interest to be received by the infrared light receiving unit. Further, the maximum transmittance in the transmission wavelength band is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more. The maximum transmittance in the light-shielding wavelength band is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and even more preferably 10% or less. Further, the average transmittance in the transmission wavelength band is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, and further preferably 80% or more.
  • the wavelength range of the transmission wavelength band, when the center wavelength lambda t1 wavelengths showing a maximum transmittance is preferably the central wavelength lambda t1 ⁇ 100 nm, more preferably the central wavelength lambda t1 ⁇ 50 nm, It is more preferable that the center wavelength is ⁇ t1 ⁇ 25 nm.
  • the bandpass filter 501 may have only one transmission wavelength band (preferably, a transmission wavelength band having a maximum transmittance of 90% or more), or may have a plurality of transmission wavelength bands. In the optical sensor having the structure shown in FIG. 1, it is preferable that the bandpass filter 501 has only one transmission wavelength band.
  • the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm indicated by the bandpass filter 501 is preferably low, more preferably 10% or less, further preferably 5% or less, and 2% or less. It is particularly preferable to have.
  • an infrared light transmitting member 601 is composed of an infrared transmitting filter 401 and a bandpass filter 501. Therefore, in the optical sensor 1 shown in FIG. 1, the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more is 60% or more, and the wavelength range is 400 to 650 nm, by adding the infrared transmittance filter 401 and the bandpass filter 501. Satisfies the spectral characteristics that the average transmittance of light is 10% or less. The above-mentioned ones are mentioned as a preferable embodiment of the spectral characteristics of the infrared light transmitting member 601.
  • an infrared light transmitting member 601 is composed of an infrared transmitting filter 401 and a bandpass filter 501, and the infrared transmitting filter 401 is used for light in an infrared region having a wavelength of 800 nm or more.
  • the bandpass filter 501 may be omitted when the maximum value of the transmittance is 60% or more and the spectral characteristics that the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm is 10% or less are satisfied.
  • the bandpass filter 501 satisfies the above-mentioned spectral characteristics, the infrared transmission filter 401 may be omitted.
  • the optical sensor 1 may further have a light emitting device. It is preferable that the light emitting device is arranged so that light can be incident on the photoelectric conversion element 201.
  • the type of the light emitting device is not particularly limited, and examples thereof include a light emitting diode and a laser.
  • the light emitting device preferably has a maximum light emitting wavelength in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots.
  • the spectral characteristics of the infrared light transmitting member 601 are the combined spectral characteristics of the infrared transmitting filter 401 and the bandpass filter 501.
  • the optical sensor of the second embodiment will be described with reference to FIG.
  • the optical sensor 2 shown in FIG. 3 is different from the optical sensor of the first embodiment in that a microlens 702 is provided between the infrared transmission filter 402 and the bandpass filter 502.
  • the infrared light transmitting member 602 is composed of the infrared transmitting filter 402, the bandpass filter 502, and the microlens 702. Therefore, in the optical sensor 1 shown in FIG. 3, the maximum value of the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more is 60% or more by adding the infrared transmittance filter 402, the bandpass filter 502, and the microlens 702, and the wavelength is 400. It satisfies the spectral characteristics that the average transmittance of light in the range of about 650 nm is 10% or less.
  • the above-mentioned preferred embodiments of the spectral characteristics of the infrared transmission filter 402, the bandpass filter 502, and the infrared light transmission member 602 can be mentioned.
  • the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more indicated by the microlens 702 is preferably high, and the maximum value of the above-mentioned transmittance is more preferably 60% or more, further preferably 80% or more. It is particularly preferably 90% or more. Further, it is preferable that the microlens 702 has high transmission of light having a wavelength of a target wavelength to be received by the infrared light receiving unit of the photoelectric conversion element 201 among the light in the wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more.
  • the light transmittance of the above-mentioned wavelength is more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • the microlens 702 preferably has a high refractive index for light having a maximum absorption wavelength of ⁇ max of the quantum dots contained in the photoelectric conversion layer because it is easy to enhance the light condensing property and suppress light leakage. It is more preferably 1.8 or more, and further preferably 1.9 or more.
  • a microlens 702 is provided between the infrared transmission filter 402 and the bandpass filter 502, but the microlens 702 is provided on the light incident side of the bandpass filter 502. You may.
  • the optical sensor 2 may further have a light emitting device as in the optical sensor 1 of the first embodiment.
  • the infrared light transmitting member 602 is composed of the infrared transmitting filter 402, the bandpass filter 502, and the microlens 702, but the infrared transmitting filter 402 and the microlens 702 are described above.
  • the bandpass filter 502 may be omitted if the spectral characteristics are satisfied.
  • the bandpass filter 502 and the microlens 702 satisfy the above-mentioned spectral characteristics, the infrared transmission filter 402 may be omitted.
  • the spectral characteristics of the infrared light transmitting member 602 are the combined spectral characteristics of the infrared transmitting filter 402, the bandpass filter 502, and the microlens 702.
  • the optical sensor of the third embodiment will be described with reference to FIG.
  • the photoelectric conversion element 203 of the optical sensor 3 shown in FIG. 4 has a plurality of light receiving units 203a to 203d. Each light receiving unit receives light having a different wavelength.
  • the light receiving unit 203a is an infrared light receiving unit.
  • the light receiving units 203b to 203d are preferably light receiving units that receive light on the short wave side of the light received by the light receiving unit 203a (infrared light receiving unit).
  • Examples of such a light receiving unit include a light receiving unit (visible light receiving unit) that receives visible light such as red light, blue light, green light, yellow light, magenta light, and cyan light. Further, the light receiving units 203b to 203d may be light receiving units that receive infrared light on the short wave side of the infrared light received by the light receiving unit 203a.
  • a light receiving unit visible light receiving unit
  • the light receiving units 203b to 203d may be light receiving units that receive infrared light on the short wave side of the infrared light received by the light receiving unit 203a.
  • an optical filter 803 is provided on the insulating layer 301.
  • the optical filter 803 includes pixels 811 to 814 having different wavelengths of transmitted light. It is preferable that the pixels 811 to 814 of the optical filter 803 are resin films containing a coloring material, respectively.
  • the pixel 811 is a part of the members constituting the infrared light transmitting member in the present invention.
  • the pixel 811 located on the optical path on the light incident side to the light receiving portion 203a (infrared light receiving portion) in the photoelectric conversion element 203 is a pixel of the infrared transmission filter.
  • the maximum value of the light transmittance in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more indicated by the pixel 811 is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more.
  • the pixel 811 has high transparency of light having a wavelength received by the light receiving portion 203a (infrared light receiving portion) of the photoelectric conversion element 203 among the light in the wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more.
  • the light transmission rate of the above-mentioned wavelength is more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • the light receiving unit 203a (infrared light receiving unit) of the photoelectric conversion element 203 receives light of any wavelength in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots included in the photoelectric conversion element 203.
  • the maximum value of the light transmittance in the range of the maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 50 nm of the quantum dots indicated by the pixel 811 is more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, and further preferably 80% or more. Is particularly preferable.
  • the pixels 812 to 814 located on the optical path on the light incident side to the light receiving units 203b to 203d in the photoelectric conversion element 203 have wavelengths different from the wavelength of the light transmitted through the pixel 811. It is not particularly limited as long as it is a pixel that transmits the light of, but it is preferable that the pixel transmits light having a wavelength on the short wave side of the wavelength of the light transmitted through the pixel 811.
  • the pixels 812 to 814 are preferably pixels having a wavelength having a transmittance of 60% or more in a range of 400 nm or more and a maximum absorption wavelength ⁇ max ⁇ 0.8 nm or less of the quantum dots.
  • pixels examples include colored pixels such as red pixels, blue pixels, green pixels, yellow pixels, cyan pixels, and magenta pixels.
  • Specific examples of the combination of pixels 812 to 814 include a combination in which the pixel 812 is a red pixel, the pixel 813 is a blue pixel, and the pixel 814 is a green pixel, the pixel 812 is a yellow pixel, the pixel 813 is a cyan pixel, and the pixel 814 is a magenta. Examples include combinations that are color pixels.
  • an infrared cut filter is provided on the surface of the pixels 812 to 814 on the light incident side or the light emitting side from the pixels 812 to 814. According to this aspect, it is possible to increase the sensitivity of visible light in the light receiving units 203b to 203d and reduce noise derived from infrared rays. Examples of such an optical filter include those shown in FIG. In FIG. 5, reference numeral 811a is a pixel of an infrared transmission filter, reference numeral 812a to 814a are colored pixels, and reference numeral 820 is an infrared cut filter.
  • the optical filter 803 of the optical sensor 3 shown in FIG. 4 has four types of pixels (pixels 811 to 814), but the types of pixels may be two types or three types. Often, there may be five or more types. It can be adjusted as appropriate according to the application and purpose. Further, although not shown, each pixel of the optical filter 803 may be partitioned by a partition wall. Examples of the partition wall include those described above.
  • microlenses 703a to 703d are provided on the optical filter 803.
  • the microlens 703a located on the optical path of the light receiving portion 203a (infrared light receiving portion) of the photoelectric conversion element 203 is a part of the members constituting the infrared light transmitting member in the present invention.
  • the microlens 703a and the microlenses 703b to 703d may have the same spectral characteristics or may have different spectral characteristics.
  • the microlens 703a and the microlenses 703b to 703d have the same spectral characteristics, they can be manufactured in the same process, and the number of microlens manufacturing steps can be reduced. Excellent in sex.
  • the microlens 703a and the microlenses 703b to 703d have different spectral characteristics, the sensitivity of the light received by each light receiving unit can be increased or the noise can be further reduced.
  • the transmittance of light in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more indicated by the microlens 703a located on the optical path of the light receiving portion 203a (infrared light receiving portion) of the photoelectric conversion element 203 is preferably high, and the maximum value of the above-mentioned transmittance is high. Is more preferably 60% or more, further preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more. Further, the microlens 703a has high transmission of light having a wavelength of a target wavelength to be received by the light receiving portion 203a (infrared light receiving portion) of the photoelectric conversion element 203 among the light having a wavelength band in the infrared region of 800 nm or more.
  • the transmittance of light having the above-mentioned wavelength is more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • the microlens 703a has a high refractive index for light having a maximum absorption wavelength of ⁇ max of the quantum dots contained in the photoelectric conversion layer because it is easy to enhance the light condensing property and suppress light leakage. It is preferably 1.8 or more, more preferably 1.9 or more.
  • the microlenses 703b to 703d located on the optical path of the light receiving units 203b to 203d of the photoelectric conversion element 203 preferably have high light transmittance of the wavelength of the target to be received by the light receiving units 203b to 203d, and are described above.
  • the transmittance of light having a wavelength is more preferably 60% or more, further preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more.
  • the microlenses 703b to 703d preferably have a refractive index of light having a wavelength of 589.3 nm of 1.8 or more, and more preferably 1.9 or more.
  • all of the microlenses 703a to 703d have a minimum value of light transmittance in the wavelength range of 400 to ⁇ max ⁇ 1.2 nm of 60% or more (preferably 80% or more, more preferably 90% or more). It is also preferable that it is a thing. Further, it is also preferable that all of the microlenses 703a to 703d have a refractive index of 1.8 or more (preferably 1.9 or more) of light having a wavelength of 589.3 nm.
  • the optical sensor 3 shown in FIG. 4 is provided with a bandpass filter 503 on the microlenses 703a to 703d.
  • the bandpass filter 503 is a part of the members constituting the infrared light transmitting member in the present invention.
  • the bandpass filter 503 is provided at a distance above the microlenses 703a to 703d in FIG. 4, the bandpass filter 503 may be provided on the surface of the microlenses 703a to 703d. Further, an intermediate layer such as an adhesive layer or a flattening layer may be provided between the microlenses 703a to 703d and the bandpass filter 503.
  • Examples of the bandpass filter 503 include a dielectric multilayer film and the like.
  • Examples of the dielectric multilayer film include those described above.
  • the bandpass filter 503 preferably has a transmission wavelength band in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more. Further, it is preferable that the wavelength range of the transmission wavelength band of the bandpass filter 503 includes the wavelength of interest to be received by the light receiving units 203a to 203d.
  • the transmission wavelength band of the bandpass filter 503 may be only one or two or more. When there are two or more transmission wavelength bands, the wavelength range of any of the transmission wavelength bands may include the wavelength of interest to be received by the light receiving units 203a to 203d.
  • the maximum transmittance in the transmission wavelength band is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more.
  • the maximum transmittance in the light-shielding wavelength band is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and even more preferably 10% or less.
  • the average transmittance in the transmission wavelength band is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, and further preferably 80% or more.
  • the wavelength range of the transmission wavelength band, when the center wavelength lambda t1 wavelengths showing a maximum transmittance is preferably the central wavelength lambda t1 ⁇ 100 nm, more preferably the central wavelength lambda t1 ⁇ 50 nm, It is more preferable that the center wavelength is ⁇ t1 ⁇ 25 nm.
  • the infrared light transmitting member 603 is composed of the pixels 811 of the optical filter 803, the microlens 703a, and the bandpass filter 503. Therefore, in the optical sensor 3 shown in FIG. 4, the maximum value of the light transmittance in the infrared region having a wavelength of 800 nm or more is 60% or more by adding the pixels 811 of the optical filter 803, the microlens 703a, and the bandpass filter 503. It satisfies the spectral characteristic that the average transmittance of light in the wavelength range of 400 to 650 nm is 10% or less.
  • the above-mentioned ones are mentioned as a preferable embodiment of the spectral characteristics of the infrared light transmitting member 603.
  • the optical sensor 3 may further have a light emitting device, as in the optical sensor 1 of the first embodiment.
  • the infrared light transmitting member 603 is composed of the pixel 811 of the optical filter 803, the microlens 703a, and the bandpass filter 503.
  • the pixel 811 of the optical filter 803 and the microlens When the above-mentioned spectral characteristics are satisfied with 703a, the bandpass filter 503 may be omitted.
  • the spectral characteristics of the infrared light transmitting member 603 are the combined spectral characteristics of the pixel 811, the microlens 703a, and the bandpass filter 503.
  • the sensing device of the present invention includes the above-mentioned optical sensor of the present invention.
  • Types of sensing devices include distance measuring devices such as TOF (Time-of-Flight) cameras, infrared light imaging devices, visible / infrared light imaging devices, motion sensors, authentication sensors, proximity sensors, gesture sensors, and monitoring. Examples include cameras, moisture sensors, automatic operation devices, and abnormality inspection devices.
  • Optical sensor 101 Support 201, 203: Photoelectric conversion element 251: Photoelectric conversion layer 252: Lower electrode 253: Upper electrode 301: Insulation layer 401, 402: Infrared transmission filter 501 to 503: Band pass filter 601 to 603: Infrared light transmitting member 702, 703a, 703b, 703c, 703d: Microlens 803: Optical filter 811 to 814: Pixel 811a: Infrared transmitting filter pixel 812a to 814a: Colored pixel 820: Infrared cut filter

Abstract

赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、光電変換素子は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に極大吸収波長λｍａｘを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である光センサ及びセンシング装置。

Description

光センサおよびセンシング装置
　本発明は、光センサおよびセンシング装置に関する。より詳しくは、赤外光を含む光を検出する光センサおよびセンシング装置に関する。
　数ｎｍ～十数ｎｍ程度にまで小さくされた物質は、バルク状態とは異なる物性を示すようになる。このような現象は、量子サイズ効果などと呼ばれ、また、このような効果が発現する物質は、量子ドットと呼ばれている。量子ドットは、サイズを変化させることで、そのバンドギャップ（光吸収波長や発光波長）を調整することができる。
　近年、量子ドットについての研究が進められている。例えば、量子ドットを光電変換素子の素材に用いることが検討されている。
　特許文献１には、化合物半導体、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、量子ドット光電変換膜および有機光電変換膜のいずれかを有する光電変換部を備える画素が行列状に２次元配置された画素アレイ領域を備え、画素アレイ領域の最外周、または、画素アレイ領域の有効画素領域より外側に、常に一定の電圧を印加した画素である電圧印加画素を有する固体撮像素子に関する発明が記載されている。
国際公開第２０１７／１５０１６７号
　赤外光（赤外線）は可視光に比べて波長が長いので散乱しにくく、距離計測や、３次元計測などにも活用可能である。また、赤外光は人間、動物などの目に見えないので、夜間に被写体を赤外光光源で照らしても被写体に気付かれることなく、夜行性の野生動物を撮影する用途、防犯用途として相手を刺激せずに撮影することにも使用可能である。このように、赤外光に感知する光センサは、様々な用途に展開が可能であり、このような光センサについて種々の検討がなされている。
　量子ドットは、粒径を制御することで簡便に吸収ピークなどを調整できる。しかしながら、メインの吸収ピークよりも短波側でも比較的高い光電変換能を有している。このため、量子ドットを光電変換素子に用いた光センサでは、幅広い波長範囲の光を検出してしまうことがあった。このため、量子ドットを光電変換素子に用いた光センサを赤外光に感知する光センサに適用するにあたり、太陽光由来のノイズの低減に関して改善の余地があった。
　よって、本発明の目的は、ノイズを伴わずに赤外光を検出できる新規な光センサ及びセンシング装置を提供することにある。
　本発明は以下を提供する。
＜１＞　赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、
　光電変換素子は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に極大吸収波長λｍａｘを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、
　光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である赤外光透過部材である、
　光センサ。
＜２＞　上記赤外光透過部材は、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下であり、
　上記赤外光受光部では、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を受光させる、＜１＞に記載の光センサ。
＜３＞　上記赤外光透過部材は、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ＋２０ｎｍ以下の範囲に透過率５０％となる波長が存在する、＜１＞または＜２＞に記載の光センサ。
＜４＞　上記赤外光透過部材は下記関係式（ＩＲ１）を満たす、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の光センサ：
　（Ｔ１／Ｔ２）＞５．０　　　・・・（ＩＲ１）
　Ｔ１は、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する上記赤外光透過部材の透過率であり、
　Ｔ２は、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８の光に対する上記赤外光透過部材の透過率である。
＜５＞　上記赤外光透過部材は複数の色材を含有する樹脂膜を含む、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜６＞　上記樹脂膜は、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ＋２０ｎｍ以下の範囲に、透過率５０％となる波長が存在する、＜５＞に記載の光センサ。
＜７＞　上記赤外光透過部材は誘電体多層膜を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜８＞　上記誘電体多層膜は、最大透過率が９０％以上の透過波長帯域を複数有する、＜７＞に記載の光センサ。
＜９＞　上記赤外光透過部材は上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する屈折率が１．８以上のマイクロレンズを含む、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜１０＞　上記光電変換素子は、上記赤外光受光部にて受光させる光とは異なる波長の光を受光させる他の受光部を有し、
　上記光学部材は、透過させる光の波長が異なる画素を複数含む光学フィルタを有する、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜１１＞　上記光学フィルタの各画素が隔壁によって区画されている、＜１０＞に記載の光センサ。
＜１２＞　上記光電変換素子の、上記光学フィルタの各画素を透過した光を受光させる領域のそれぞれが隔壁または溝によって区画されている、＜１０＞または＜１１＞に記載の光センサ。
＜１３＞　上記他の受光部は、上記赤外光受光部にて受光させる光よりも短波側の光を受光する、＜１０＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜１４＞　上記光学フィルタの上記他の受光部の光入射側の光路上に有する画素は、４００ｎｍ以上、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８ｎｍ以下の範囲に透過率が６０％以上になる波長が存在する、＜１０＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜１５＞　更に、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲に発光極大を有する発光装置を有する、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の光センサ。
＜１６＞　＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の光センサを含むセンシング装置。
　本発明によれば、ノイズを伴わずに赤外光を検出できる新規な光センサ、測距装置および撮像装置を提供することができる。
本発明の光センサの一実施形態を示す概略図である。 本発明の光センサに用いられる光電変換素子の一実施形態を示す概略図である。 本発明の光センサの他の実施形態を示す概略図である。 本発明の光センサの他の実施形態を示す概略図である。 光学フィルタの一実施形態を示す概略図である。
　以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
　本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
　本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
＜光センサ＞
　本発明の光センサは、
　赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、
　光電変換素子は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に極大吸収波長λｍａｘを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、
　光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である赤外光透過部材であることを特徴とする。
　本発明の光センサは、光電変換素子として波長８００ｎｍ以上の赤外域に極大吸収波長λｍａｘを有する量子ドットを含むものを用い、かつ、この光電変換素子における赤外光受光部への光入射側の光路上に、上記赤外光透過部材を設けたことにより、赤外光受光部にて太陽光由来のノイズの少ない目的波長の赤外光を受光することができる。このため、赤外光を利用したセンシングの精度を高めることができる。また、本発明の光センサは、量子ドットを光電変換素子に用いているが、量子ドットのサイズなどを調整することで、吸収波長を調整することができる。例えば、量子ドットのサイズを大きくすることで、吸収波長を長波側にシフトさせることができ、量子ドットのサイズを小さくすることで、吸収波長を短波側にシフトさせることができる。このため、光センサの分光設計の変更や調整などを容易に行うことができ、光センサの用途や目的に応じた設計変更が簡便である。
　赤外光透過部材は、単一の部材又は層のみで構成されていてもよいが、光路上に複数の部材又は層が配置されて構成されていてもよい。また、光学部材は、上記分光特性を有する赤外光透過部材のみで構成されていてもよく、上記分光特性とは異なる分光特性を有する他の光透過部材を、光電変換素子の赤外光受光部とは別の光路上に有していてもよい。赤外光透過部材としては、例えば、色材を含む樹脂膜、誘電体多層膜及びこれらを組み合わせたものなどが挙げられる。例えば、色材を含む樹脂膜の場合は、樹脂膜に含まれる色材の種類や含有量を適宜調整することで、樹脂膜の分光特性を調整することができる。また、誘電体多層膜については、後述する高屈折率材料層および低屈折率材料層の種類、膜厚、積層数などを調整することで、誘電体多層膜の分光特性を調整することができる。
　光電変換素子は、可視域の波長帯域の光（好ましくは波長４００～７００ｎｍの波長帯域の光）も電気信号として取得可能なもの、すなわち、可視域の波長帯域の光に対しても感度を有するものであってもよい。光電変換素子が可視域の波長帯域の光に感度を有していても、上記赤外光透過部材を設けたことにより、赤外光受光部にて太陽光由来のノイズを伴わずに目的波長の赤外光を選択的に受光させることができる。また、光電変換素子が可視域の波長帯域の光にも感度を有している場合には、光学部材の構造などを適宜調整することにより、可視域の波長帯域の光と、赤外域の波長帯域の光とを同時に検出可能な光センサとすることもできる。
　光電変換素子は、光電変換層として量子ドットを含む層（以下、量子ドット層といもいう）を有することが好ましい。光電変換素子は、光電変換層は、量子ドット層のみであってもよく、量子ドット以外の材料で構成された他の光電変換層をさらに含んでいてもよい。他の光電変換層としては、シリコンフォトダイオードなどが挙げられる。例えば、シリコンフォトダイオードと量子ドット層とを組み合わせ、所望の赤外域の光を量子ドット層にて光電変換し、可視域の波長帯域の光（好ましくは波長４００～７００ｎｍの波長帯域の光）をシリコンフォトダイオードにて光電変換してもよい。この場合も光電変換素子の赤外光受光部上に上記赤外光透過部材を設けたことにより、太陽光由来のノイズを伴わずに目的波長の赤外光を選択的に受光させることができる。
　光電変換素子に用いられる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘは８００ｎｍ以上に存在し、８００～４５００ｎｍの範囲に存在することが好ましく、８００～３５００ｎｍの範囲に存在することがより好ましく、８００～２５００ｎｍの範囲に存在することが更に好ましい。
　量子ドットの材質としては、ＩＩＩ－Ｖ化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ化合物半導体、ＩＶ－ＶＩ化合物半導体、シリコンなどの半導体や、カーボンなどが挙げられる。具体例としては、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＩｎＡｓなどが挙げられる。量子ドットの表面には配位子が配位していてもよい。配位子としては、アミノ基、カルボキシ基、メルカプト基、ホスフィン基、およびホスフィンオキシド基等の配位性基を有する化合物が挙げられる。配位子としては、多座配位子が好ましく、配位性基の少なくとも１つがアミノ基またはメルカプト基から選択される多座配位子がより好ましく、配位性基の少なくとも１つがアミノ基またはメルカプト基から選択される２～３座配位子が更に好ましい。具体例としては、ヘキシルアミン、デシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、オレイルアミン、ミリスチルアミン、ラウリルアミン、オレイン酸、メルカプトプロピオン酸、トリオクチルホスフィン、およびトリオクチルホスフィンオキシド等が挙げられる。中でも低分子量な配位子であると、導電性の向上による光電変換能の向上という効果が期待できる。
　また、量子ドットの配位子は成膜中に置換しても良い。この場合、成膜前に安定性に特化した配位子を使用し、成膜後に導電性に特化した配位子を使用することで、安定性と導電性を両立することが出来る。安定性に特化した配位子としては、オクタデシルアミンなどの長鎖立体反発基を有する配位子が挙げられ、導電性に特化した配位子としてはメルカプトプロピオン酸などの低分子量な配位子が挙げられる。
　量子ドットの形状としては、特に限定はされず、球形、棒状、楕円球状などが挙げられる。量子ドットの形状が球形の場合、量子ドットの平均粒子径は０．１～１００ｎｍであることが好ましく、０．５～５０ｎｍであることがより好ましく、１～２５ｎｍであることが更に好ましい。なお、本明細書において、量子ドットの平均粒子径は、動的光散乱法で測定した値である。
　量子ドットの材質としてＰｂＳを用いた場合の、量子ドットの平均粒子径と、極大吸収波長との関係を下記表に示す。量子ドットは球状の形状のものを用いた。量子ドットの極大吸収波長は以下のようにして測定した。すなわち、ガラス基板上に、下記表に記載の量子ドット（配位子オレイン酸）を４質量％を含むトルエン溶液をスピンコート法で塗布して量子ドット層を形成した。この量子ドット層の波長４００～３３００ｎｍの範囲の吸光度を測定し、極大吸収波長λｍａｘを求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　赤外光透過部材は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲（好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±４０ｎｍの範囲、より好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±３０ｎｍの範囲、さらに好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±２０ｎｍの範囲、特に好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±１０ｎｍの範囲）の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下であり、赤外光受光部では、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を受光させることが好ましい。この態様によれば、赤外光受光部での可視光ノイズを抑制し、赤外光を利用したセンシングの精度をより高めることができる。赤外光透過部材が示す、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。また、赤外光透過部材の波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率は２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
　量子ドットの極大吸収波長λｍａｘと、赤外光透過部材の分光特性の好ましい組み合わせの一例としては、以下の（１）～（４）に示す態様が挙げられる。
　（１）：光電変換素子に用いられる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘが８００ｎｍ以上９００ｎｍ未満で、赤外光透過部材の分光特性は、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下（好ましくは７．５％以下、より好ましくは５％以下）で、波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上（好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上）である態様。この態様において、光透過部材の分光特性は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲（好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±４０ｎｍの範囲、より好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±３０ｎｍの範囲、さらに好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±２０ｎｍの範囲）の光の透過率の最大値が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。また、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。
　（２）：光電変換素子に用いられる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘが９００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満で、赤外光透過部材の分光特性は、波長４００～７５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下（好ましくは７．５％以下、より好ましくは５％以下）で、波長９００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上（好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上）である態様。この態様において、光透過部材の分光特性は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲（好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±４０ｎｍの範囲、より好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±３０ｎｍの範囲、さらに好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±２０ｎｍの範囲）の光の透過率の最大値が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。また、波長４００～７５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。
　（３）：光電変換素子に用いられる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘが１０００ｎｍ以上１１００ｎｍ未満で、赤外光透過部材の分光特性は、波長４００～８５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下（好ましくは７．５％以下、より好ましくは５％以下）で、波長１０００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上（好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上）である態様。この態様において、光透過部材の分光特性は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲（好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±４０ｎｍの範囲、より好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±３０ｎｍの範囲、さらに好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±２０ｎｍの範囲）の光の透過率の最大値が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。また、波長４００～８５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。
　（４）：光電変換素子に用いられる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘが１１００ｎｍ以上で、赤外光透過部材の分光特性は、波長４００～９５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下（好ましくは７．５％以下、より好ましくは５％以下）で、波長１１００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上（好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上）である態様。この態様において、光透過部材の分光特性は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲（好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±４０ｎｍの範囲、より好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±３０ｎｍの範囲、さらに好ましくは量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±２０ｎｍの範囲）の光の透過率の最大値が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。また、波長４００～９５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。
　赤外光透過部材は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ以下の範囲（好ましくはλｍａｘ－１７５～λｍａｘ＋１０ｎｍの範囲、より好ましくはλｍａｘ－１５０～λｍａｘ＋２０ｎｍの範囲）に透過率５０％となる波長が存在することが好ましい。このような赤外光透過部材は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ近傍の光の透過性が高いので、量子ドットの赤外光受光部に入射される量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ近傍の光の光量を高めることができ、赤外光を利用したセンシングの精度をより高めることができる。
　赤外光透過部材は下記関係式（ＩＲ１）を満たすことが好ましい。このような赤外光透過部材は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ近傍の光を選択的に透過させることができるので、赤外光受光部での量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ近傍の光の信号雑音比（ＳＮ比）などを高めることができる。下記関係式（ＩＲ１）の（Ｔ１／Ｔ２）の値は、５以上であることが好ましく、７．５以上であることがより好ましく、１０以上であることが更に好ましい。
　（Ｔ１／Ｔ２）＞５．０　　　・・・（ＩＲ１）
　Ｔ１は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する赤外光透過部材の透過率であり、
　Ｔ２は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８の光に対する赤外光透過部材の透過率である。
　赤外光透過部材は複数の色材を含有する樹脂膜を含んでいてよい。この態様によれば、赤外光透過部材の分光特性を所望の範囲に調整しやすい。樹脂膜は赤外線透過フィルタであることが好ましい。樹脂膜に含まれる色材としては、赤色色材、緑色色材、青色色材、黄色色材、紫色色材、オレンジ色色材などの有彩色色材が挙げられる。
　有彩色色材として用いられる顔料としては以下に示すものが挙げられる。
　カラーインデックス（Ｃ．Ｉ．）Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　１，２，３，４，５，６，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，２０，２４，３１，３２，３４，３５，３５：１，３６，３６：１，３７，３７：１，４０，４２，４３，５３，５５，６０，６１，６２，６３，６５，７３，７４，７７，８１，８３，８６，９３，９４，９５，９７，９８，１００，１０１，１０４，１０６，１０８，１０９，１１０，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８，１１９，１２０，１２３，１２５，１２６，１２７，１２８，１２９，１３７，１３８，１３９，１４７，１４８，１５０，１５１，１５２，１５３，１５４，１５５，１５６，１６１，１６２，１６４，１６６，１６７，１６８，１６９，１７０，１７１，１７２，１７３，１７４，１７５，１７６，１７７，１７９，１８０，１８１，１８２，１８５，１８７，１８８，１９３，１９４，１９９，２１３，２１４，２１５，２２８，２３１，２３２（メチン系），２３３（キノリン系）等（以上、黄色顔料）、
　Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｏｒａｎｇｅ　２，５，１３，１６，１７：１，３１，３４，３６，３８，４３，４６，４８，４９，５１，５２，５５，５９，６０，６１，６２，６４，７１，７３等（以上、オレンジ色顔料）、
　Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｒｅｄ　１，２，３，４，５，６，７，９，１０，１４，１７，２２，２３，３１，３８，４１，４８：１，４８：２，４８：３，４８：４，４９，４９：１，４９：２，５２：１，５２：２，５３：１，５７：１，６０：１，６３：１，６６，６７，８１：１，８１：２，８１：３，８３，８８，９０，１０５，１１２，１１９，１２２，１２３，１４４，１４６，１４９，１５０，１５５，１６６，１６８，１６９，１７０，１７１，１７２，１７５，１７６，１７７，１７８，１７９，１８４，１８５，１８７，１８８，１９０，２００，２０２，２０６，２０７，２０８，２０９，２１０，２１６，２２０，２２４，２２６，２４２，２４６，２５４，２５５，２６４，２７０，２７２，２７９，２９４（キサンテン系、Ｏｒｇａｎｏ　Ｕｌｔｒａｍａｒｉｎｅ、Ｂｌｕｉｓｈ　Ｒｅｄ），２９５（モノアゾ系），２９６（ジアゾ系）等（以上、赤色顔料）、
　Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｇｒｅｅｎ　７，１０，３６，３７，５８，５９，６２，６３等（以上、緑色顔料）、
　Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１，１９，２３，２７，３２，３７，４２，６０（トリアリールメタン系），６１（キサンテン系）等（以上、紫色顔料）、
　Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ　Ｂｌｕｅ　１，２，１５，１５：１，１５：２，１５：３，１５：４，１５：６，１６，２２，２９，６０，６４，６６，７９，８０，８７（モノアゾ系），８８（メチン系）等（以上、青色顔料）。
　また、緑色色材として、１分子中のハロゲン原子数が平均１０～１４個であり、臭素原子数が平均８～１２個であり、塩素原子数が平均２～５個であるハロゲン化亜鉛フタロシアニン顔料を用いることもできる。具体例としては、国際公開第２０１５／１１８７２０号に記載の化合物が挙げられる。また、緑色色材として中国特許出願第１０６９０９０２７号明細書に記載の化合物、国際公開第２０１２／１０２３９５号に記載のリン酸エステルを配位子として有するフタロシアニン化合物、特開２０１９－００８０１４号公報に記載のフタロシアニン化合物および特開２０１８－１８００２３号公報に記載のフタロシアニン化合物を用いることもできる。
　また、青色色材として、リン原子を有するアルミニウムフタロシアニン化合物を用いることもできる。具体例としては、特開２０１２－２４７５９１号公報の段落番号００２２～００３０、特開２０１１－１５７４７８号公報の段落番号００４７に記載の化合物が挙げられる。
　また、黄色色材として、特開２０１７－２０１００３号公報に記載の化合物、特開２０１７－１９７７１９号公報に記載の化合物、特開２０１７－１７１９１２号公報の段落番号００１１～００６２、０１３７～０２７６に記載の化合物、特開２０１７－１７１９１３号公報の段落番号００１０～００６２、０１３８～０２９５に記載の化合物、特開２０１７－１７１９１４号公報の段落番号００１１～００６２、０１３９～０１９０に記載の化合物、特開２０１７－１７１９１５号公報の段落番号００１０～００６５、０１４２～０２２２に記載の化合物、特開２０１３－０５４３３９号公報の段落番号００１１～００３４に記載のキノフタロン化合物、特開２０１４－０２６２２８号公報の段落番号００１３～００５８に記載のキノフタロン化合物、特開２０１８－０６２６４４号公報に記載のイソインドリン化合物、特開２０１８－２０３７９８号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１８－０６２５７８号公報に記載のキノフタロン化合物、特許第６４３２０７７号公報に記載のキノフタロン化合物、特許第６４３２０７６号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１８－１５５８８１号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１８－１１１７５７号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１８－０４０８３５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１７－１９７６４０号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１６－１４５２８２号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１４－０８５５６５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１４－０２１１３９号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１３－２０９６１４号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１３－２０９４３５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１３－１８１０１５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１３－０６１６２２号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１３－０５４３３９号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１３－０３２４８６号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１２－２２６１１０号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２００８－０７４９８７号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２００８－０８１５６５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２００８－０７４９８６号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２００８－０７４９８５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２００８－０５０４２０号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２００８－０３１２８１号公報に記載のキノフタロン化合物、特公昭４８－０３２７６５号公報に記載のキノフタロン化合物、特開２０１９－００８０１４号公報に記載のキノフタロン化合物、下記式（ＱＰ１）で表される化合物、下記式（ＱＰ２）で表される化合物を用いることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（ＱＰ１）中、Ｘ１～Ｘ１６は各々独立に水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｚ１は炭素数１～３のアルキレン基を表す。式（ＱＰ１）で表される化合物の具体例としては、特許第６４４３７１１号公報の段落番号００１６に記載されている化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（ＱＰ２）中、Ｙ１～Ｙ３は、それぞれ独立にハロゲン原子を示す。ｎ、ｍは０～６の整数、ｐは０～５の整数を表す。（ｎ＋ｍ）は１以上である。式（ＱＰ２）で表される化合物の具体例としては、特許６４３２０７７号公報の段落番号００４７～００４８に記載されている化合物が挙げられる。
　赤色色材として、特開２０１７－２０１３８４号公報に記載の構造中に少なくとも１つ臭素原子が置換したジケトピロロピロール化合物、特許第６２４８８３８号の段落番号００１６～００２２に記載のジケトピロロピロール化合物、国際公開第２０１２／１０２３９９号に記載のジケトピロロピロール化合物、国際公開第２０１２／１１７９６５号に記載のジケトピロロピロール化合物、特開２０１２－２２９３４４号公報に記載のナフトールアゾ化合物などを用いることもできる。また、赤色顔料として、芳香族環に対して、酸素原子、硫黄原子または窒素原子が結合した基が導入された芳香族環基がジケトピロロピロール骨格に結合した構造を有する化合物を用いることもできる。
　色材には染料を用いることもできる。染料としては特に制限はなく、公知の染料が使用できる。例えば、ピラゾールアゾ系、アニリノアゾ系、トリアリールメタン系、アントラキノン系、アントラピリドン系、ベンジリデン系、オキソノール系、ピラゾロトリアゾールアゾ系、ピリドンアゾ系、シアニン系、フェノチアジン系、ピロロピラゾールアゾメチン系、キサンテン系、フタロシアニン系、ベンゾピラン系、インジゴ系、ピロメテン系等の染料が挙げられる。また、特開２０１２－１５８６４９号公報に記載のチアゾール化合物、特開２０１１－１８４４９３号公報に記載のアゾ化合物、特開２０１１－１４５５４０号公報に記載のアゾ化合物も好ましく用いることができる。また、黄色染料として、特開２０１３－０５４３３９号公報の段落番号００１１～００３４に記載のキノフタロン化合物、特開２０１４－０２６２２８号公報の段落番号００１３～００５８に記載のキノフタロン化合物などを用いることもできる。
　樹脂膜に含まれる色材は、２種以上の有彩色色材の組み合わせで黒色を形成していることが好ましい。２種以上の有彩色色材の組み合わせで黒色を形成する場合の、有彩色色材の組み合わせとしては、例えば以下の（Ｃ１）～（Ｃ７）の態様が挙げられる。
　（Ｃ１）赤色色材と青色色材とを含有する態様。
　（Ｃ２）赤色色材と青色色材と黄色色材とを含有する態様。
　（Ｃ３）赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材とを含有する態様。
　（Ｃ４）赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材と緑色色材とを含有する態様。
　（Ｃ５）赤色色材と青色色材と黄色色材と緑色色材とを含有する態様。
　（Ｃ６）赤色色材と青色色材と緑色色材とを含有する態様。
　（Ｃ７）黄色色材と紫色色材とを含有する態様。
　上記（Ｃ１）の態様において、赤色色材と青色色材との質量比は、赤色色材：青色色材＝２０～８０：２０～８０であることが好ましく、２０～６０：４０～８０であることがより好ましく、２０～５０：５０～８０であることが更に好ましい。
　上記（Ｃ２）の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材の質量比は、赤色色材：青色色材：黄色色材＝１０～８０：２０～８０：１０～４０であることが好ましく、１０～６０：３０～８０：１０～３０であることがより好ましく、１０～４０：４０～８０：１０～２０であることが更に好ましい。
　上記（Ｃ３）の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材との質量比は、赤色色材：青色色材：黄色色材：紫色色材＝１０～８０：２０～８０：５～４０：５～４０であることが好ましく、１０～６０：２５～８０：５～３０：５～３０であることがより好ましく、１０～４０：２５～５０：１０～３０：１０～３０であることが更に好ましい。
　上記（Ｃ４）の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材と緑色色材の質量比は、赤色色材：青色色材：黄色色材：紫色色材：緑色色材＝１０～８０：２０～８０：５～４０：５～４０：５～４０であることが好ましく、１０～６０：３０～８０：５～３０：５～３０：５～３０であることがより好ましく、１０～４０：４０～８０：５～２０：５～２０：５～２０であることが更に好ましい。
　上記（Ｃ５）の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材と緑色色材の質量比は、赤色色材：青色色材：黄色色材：緑色色材＝１０～８０：２０～８０：５～４０：５～４０であることが好ましく、１０～６０：３０～８０：５～３０：５～３０であることがより好ましく、１０～４０：４０～８０：５～２０：５～２０であることが更に好ましい。
　上記（Ｃ６）の態様において、赤色色材と青色色材と緑色色材の質量比は、赤色色材：青色色材：緑色色材＝１０～８０：２０～８０：１０～４０であることが好ましく、１０～６０：３０～８０：１０～３０であることがより好ましく、１０～４０：４０～８０：１０～２０であることが更に好ましい。
　上記（Ｃ７）の態様において、黄色色材と紫色色材の質量比は、黄色色材：紫色色材＝１０～５０：４０～８０であることが好ましく、２０～４０：５０～７０であることがより好ましく、３０～４０：６０～７０であることが更に好ましい。
　樹脂膜に含まれる色材は、顔料であってもよく、染料であってもよい。顔料と染料とを含んでいてもよい。長期信頼性に優れるという理由から顔料であることが好ましい。また、樹脂膜中に含まれる顔料の平均粒子径は、１～１５０ｎｍが好ましい。下限は１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましい。上限は、１５０ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましく、５０ｎｍ以下が更に好ましい。顔料の平均粒子径が上記範囲であれば、目的波長の透過性が良好である。なお、樹脂膜中の顔料の平均粒子径は、動的光散乱法によって得られる体積累積粒子径Ｄ５０の値である。
　上記樹脂膜はさらに赤外線吸収剤を含有していてもよい。樹脂膜に赤外線吸収剤を含有させることで透過させる光の波長をより長波長側にシフトさせることができる。赤外線吸収剤としては、ピロロピロール化合物、シアニン化合物、スクアリリウム化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、クアテリレン化合物、メロシアニン化合物、クロコニウム化合物、オキソノール化合物、イミニウム化合物、ジチオール化合物、トリアリールメタン化合物、ピロメテン化合物、アゾメチン化合物、アントラキノン化合物、ジベンゾフラノン化合物、ジチオレン金属錯体、金属酸化物、金属ホウ化物等が挙げられる。ピロロピロール化合物としては、特開２００９－２６３６１４号公報の段落番号００１６～００５８に記載の化合物、特開２０１１－０６８７３１号公報の段落番号００３７～００５２に記載の化合物、国際公開第２０１５／１６６８７３号の段落番号００１０～００３３に記載の化合物などが挙げられる。スクアリリウム化合物としては、特開２０１１－２０８１０１号公報の段落番号００４４～００４９に記載の化合物、特許第６０６５１６９号公報の段落番号００６０～００６１に記載の化合物、国際公開第２０１６／１８１９８７号の段落番号００４０に記載の化合物、特開２０１５－１７６０４６号公報に記載の化合物、国際公開第２０１６／１９０１６２号の段落番号００７２に記載の化合物、特開２０１６－０７４６４９号公報の段落番号０１９６～０２２８に記載の化合物、特開２０１７－０６７９６３号公報の段落番号０１２４に記載の化合物、国際公開第２０１７／１３５３５９号に記載の化合物、特開２０１７－１１４９５６号公報に記載の化合物、特許６１９７９４０号公報に記載の化合物、国際公開第２０１６／１２０１６６号に記載の化合物などが挙げられる。シアニン化合物としては、特開２００９－１０８２６７号公報の段落番号００４４～００４５に記載の化合物、特開２００２－１９４０４０号公報の段落番号００２６～００３０に記載の化合物、特開２０１５－１７２００４号公報に記載の化合物、特開２０１５－１７２１０２号公報に記載の化合物、特開２００８－０８８４２６号公報に記載の化合物、国際公開第２０１６／１９０１６２号の段落番号００９０に記載の化合物、特開２０１７－０３１３９４号公報に記載の化合物などが挙げられる。クロコニウム化合物としては、特開２０１７－０８２０２９号公報に記載の化合物が挙げられる。イミニウム化合物としては、例えば、特表２００８－５２８７０６号公報に記載の化合物、特開２０１２－０１２３９９号公報に記載の化合物、特開２００７－０９２０６０号公報に記載の化合物、国際公開第２０１８／０４３５６４号の段落番号００４８～００６３に記載の化合物が挙げられる。フタロシアニン化合物としては、特開２０１２－０７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物、特開２００６－３４３６３１号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニン、特開２０１３－１９５４８０号公報の段落番号００１３～００２９に記載の化合物、特許第６０８１７７１号公報に記載のバナジウムフタロシアニン化合物が挙げられる。ナフタロシアニン化合物としては、特開２０１２－０７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物が挙げられる。ジチオレン金属錯体としては、特許第５７３３８０４号公報に記載の化合物が挙げられる。金属酸化物としては、例えば、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛、Ａｌドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ二酸化スズ、ニオブドープ二酸化チタン、酸化タングステンなどが挙げられる。酸化タングステンの詳細については、特開２０１６－００６４７６号公報の段落番号００８０を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。金属ホウ化物としては、ホウ化ランタンなどが挙げられる。ホウ化ランタンの市販品としては、ＬａＢ６－Ｆ（日本新金属（株）製）などが挙げられる。また、金属ホウ化物としては、国際公開第２０１７／１１９３９４号に記載の化合物を用いることもできる。酸化インジウムスズの市販品としては、Ｆ－ＩＴＯ（ＤＯＷＡハイテック（株）製）などが挙げられる。
　赤外線吸収剤としては、特開２０１７－１９７４３７号公報に記載のスクアリリウム化合物、特開２０１７－０２５３１１号公報に記載のスクアリリウム化合物、国際公開第２０１６／１５４７８２号に記載のスクアリリウム化合物、特許第５８８４９５３号公報に記載のスクアリリウム化合物、特許第６０３６６８９号公報に記載のスクアリリウム化合物、特許第５８１０６０４号公報に記載のスクアリリウム化合物、国際公開第２０１７／２１３０４７号の段落番号００９０～０１０７に記載のスクアリリウム化合物、特開２０１８－０５４７６０号公報の段落番号００１９～００７５に記載のピロール環含有化合物、特開２０１８－０４０９５５号公報の段落番号００７８～００８２に記載のピロール環含有化合物、特開２０１８－００２７７３号公報の段落番号００４３～００６９に記載のピロール環含有化合物、特開２０１８－０４１０４７号公報の段落番号００２４～００８６に記載のアミドα位に芳香環を有するスクアリリウム化合物、特開２０１７－１７９１３１号公報に記載のアミド連結型スクアリリウム化合物、特開２０１７－１４１２１５号公報に記載のピロールビス型スクアリリウム骨格又はクロコニウム骨格を有する化合物、特開２０１７－０８２０２９号公報に記載されたジヒドロカルバゾールビス型のスクアリリウム化合物、特開２０１７－０６８１２０号公報の段落番号００２７～０１１４に記載の非対称型の化合物、特開２０１７－０６７９６３号公報に記載されたピロール環含有化合物（カルバゾール型）、特許第６２５１５３０号公報に記載されたフタロシアニン化合物などを用いることもできる。
　上記樹脂膜が示す波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値は６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、上記樹脂膜は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の波長帯域の光のうち、光電変換素子の赤外光受光部に受光させる目的の波長の光の透過性が高いものであることが好ましい。前述の波長の光の透過率は６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましい。
　上記樹脂膜は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ以下の範囲（好ましくはλｍａｘ－１７５～λｍａｘ＋１０ｎｍの範囲、より好ましくはλｍａｘ－１５０～λｍａｘ＋２０ｎｍの範囲ｎｍの範囲）に、透過率５０％となる波長が存在することが好ましい。この態様によれば、赤外光受光部での信号雑音比（ＳＮ比）などを高めることができる。
　上記樹脂膜が示す波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率は低いことが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。
　赤外光透過部材は誘電体多層膜を含んでいてもよい。この態様によれば、より急峻に遮光と透過を行うことが出来る。なかでも、より優れた分光特性に調整しやすいという理由から赤外光透過部材は誘電体多層膜と上述した樹脂膜とを含んでいることが好ましい。樹脂膜と誘電体多層膜とは接していてもよく、樹脂膜と誘電体多層膜とは離隔していてもよい。また、誘電体多層膜は角度依存性の軽減という理由から樹脂膜の光入射側に設けられていることが好ましい。
　誘電体多層膜としては、高屈折率の誘電体薄膜（高屈折率材料層）と低屈折率の誘電体薄膜（低屈折率材料層）とを交互に複数層積層したものが挙げられる。誘電体多層膜における誘電体薄膜の積層数は、特に限定はないが、２～１００層が好ましく、４～６０層がより好ましく、６～４０層が更に好ましい。高屈折率材料層の形成に用いられる材料としては、屈折率が１．７～２．５の材料が好ましい。具体例としては、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｅＦ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｌＣｌ、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｒＯ２などが挙げられる。低屈折率材料層の形成に用いられる材料としては、屈折率が１．２～１．６の材料が好ましい。具体例としては、Ａｌ２Ｏ３、ＢｉＦ３、ＣａＦ２、ＬａＦ３、ＰｂＣｌ２、ＰｂＦ２、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＮｄＦ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３、ＮａＦ、ＴｈＯ２、ＴｈＦ４、Ｎａ３ＡｌＦ６などが挙げられる。誘電体多層膜の形成方法としては、特に制限はないが、例えば、イオンプレーティング、イオンビーム等の真空蒸着法、スパッタリング等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などが挙げられる。高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みは、遮断しようとする光の波長λ（ｎｍ）の０．１λ～０．５λの厚みであることが好ましい。
　誘電体多層膜は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に透過波長帯域が存在することが好ましい。また、透過波長帯域の波長範囲には、赤外光受光部に受光させる目的の波長が含まれていることが好ましい。また、透過波長帯域の最大透過率は７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、遮光波長帯域の最大透過率は２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。また、透過波長帯域の平均透過率は６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましい。また、透過波長帯域の波長範囲は、最大透過率を示す波長を中心波長λｔ１とした場合、中心波長λｔ１±１００ｎｍであることが好ましく、中心波長λｔ１±７５ｎｍであることがより好ましく、中心波長λｔ１±５０ｎｍであることが更に好ましい。
　誘電体多層膜は、透過波長帯域（好ましくは、最大透過率が９０％以上の透過波長帯域）を１つのみ有していてもよく、複数有していてもよい。複数の透過波長帯域を有する誘電体多層膜を用いた場合には、光電変換素子へ異なる波長帯域の光を入射させることもでき、異なる波長の光を同時に検出することが可能な光センサとすることができる。
　赤外光透過部材は量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する屈折率が１．８以上のマイクロレンズを含んでいてもよい。この態様によれば、赤外光の集光率を高めることができ、赤外光を利用したセンシングの精度をより高めることができる。量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する屈折率の高いマイクロレンズの形成に用いられる材質としては、λｍａｘより短波に吸収極大を有しλｍａｘに吸収を有さない色材を用いた樹脂膜などが挙げられる。
　光電変換素子は、赤外光受光部にて受光させる光とは異なる波長の光を受光させる他の受光部を有し、光学部材は、透過させる光の波長が異なる画素を複数含む光学フィルタを有していてもよい。上記光学フィルタの他の受光部の光入射側の光路上に有する画素は、４００ｎｍ以上、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８ｎｍの範囲に透過率が６０％以上（好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上）になる波長が存在することが好ましい。このような画素の一例としては、赤色画素、青色画素、緑色画素、黄色画素、シアン色画素、マゼンタ色画素などの着色画素が挙げられる。他の受光部は、赤外光受光部にて受光させる光よりも短波側の光を受光させる受光部であることが好ましい。また、他の受光部は、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘよりも短波側の光を受光させる受光部であることも好ましい。なお、光学フィルタに含まれる画素のうち、赤外光受光部への光入射側の光路上に存在する画素は、赤外光透過部材を構成する部材の一部である。
　上記光学フィルタの各画素は隔壁によって区画されていてもよい。また、光電変換素子の、上記光学フィルタの各画素を透過した光を受光させる領域（受光部）のそれぞれは、隔壁または溝によって区画されていてもよい。これらの態様によれば、外部量子効率などを高めることができる。
　上記隔壁の材質としては、特に限定はない。例えば、シロキサン樹脂、フッ素樹脂などの有機材料や、シリカ粒子などの無機粒子が挙げられる。また、隔壁は、タングステン、アルミニウムなどの金属で構成されていてもよい。また、金属とブラックマトリックスとの積層体であってもよい。積層体の場合、金属とブラックマトリックスとの積層順序は特に限定はない。
　光センサは、更に、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲に発光極大を有する発光装置を有していてもよい。このような発光装置としては、発光ダイオード、レーザーなどが挙げられる。
　本発明の光センサの実施形態について、以下図面を用いて説明する。なお、図中の矢印は光電変換素子への入射光を表す。
（第１の実施形態）
　図１に示す光センサ１は、支持体１０１上に光電変換素子２０１が設けられている。光電変換素子２０１の受光面が受光部をなしている。なお、図１に示す光センサ１では光電変換素子２０１の受光面全面が赤外光受光部をなしている。
　支持体１０１としては、特に限定はない。例えば、ガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板、半導体基板などが挙げられる。半導体基板としては、シリコン基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＩ基板のシリコン層上にシリコンエピタキシャル成長層を形成した基板などが挙げられる。また、支持体１０１には、光電変換素子２０１によって光電変換された信号電荷を読み出すための転送ゲートが形成されていてもよい。また、支持体１０１には、配線部が形成されてもよい。
　光電変換素子２０１の種類としては、フォトコンダクタ型の光電変換素子、フォトダイオード型の光電変換素子が挙げられる。
　図２を合わせて参照しながら光電変換素子２０１について更に詳しく説明する。図２は、光電変換素子２０１の一例を示す概略図である。図２に示す光電変換素子２０１は、下部電極２５２と、下部電極２５２に対向する上部電極２５３と、下部電極２５２と上部電極２５３との間に設けられた光電変換層２５１とを含んでいる。図２に示す光電変換素子２０１は、上部電極２５３の上方から光を入射して用いられる。なお、図示しないが、光電変換層２５１と下部電極２５２との間、および／または光電変換層２５１と上部電極２５３との間には電荷輸送層が設けられていてもよい。以下、上部電極と下部電極とを合わせて単に電極ともいう。これらの電極と光電変換層２５１との間に電荷輸送層を設けることで、光電変換層２５１での電荷の分離効率を向上させることができ、赤外光などの受光感度を向上させることができる。電荷輸送層としては正孔輸送層、電子輸送層が挙げられる。正孔輸送層の材料としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（４－スチレンスルホン酸））、ＭｏＯ３などが挙げられる。電子輸送層の材料としては、ＺｎＯ２、ＴｉＯ２などが挙げられる。
　上部電極２５３は、４００～（λｍａｘ＋３００）ｎｍの波長帯域の光に対して透明な導電材料で構成された透明電極であることが好ましい。下部電極２５２は上部電極２５３と同様に透明電極を用いてもよく、透明電極でなくてもよい。本明細書において「ある波長の光に対して透明」とは、その波長の光を７０％以上透過させることをいう。上部電極２５３の４００～（λｍａｘ＋３００）ｎｍの波長帯域の光の透過率は９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
　上部電極２５３および下部電極２５２の材料としては、金属、合金、金属酸化物、金属窒化物、金属ホウ化物、有機導電性化合物、これらの混合物等が好適に挙げられる。具体例としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムタングステン（ＩＷＯ）等の導電性金属酸化物、窒化チタン等の金属窒化物、金、白金、銀、クロム、ニッケル、アルミニウム等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ－ル等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。
　電極（上部電極、下部電極）の形成方法としては、用いる材料によって適宜選択することができる。例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム錫の分散物の塗布などの方法で形成することができる。
　なお、図示しないが、電極が区切られて光電変換素子２０１の受光部が複数に分割されていてもよい。
　光電変換層２５１は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に極大吸収波長λｍａｘを有する量子ドットを含む。量子ドットの極大吸収波長λｍａｘは８００～４０００ｎｍの範囲に存在することが好ましく、８００～３０００ｎｍの範囲に存在することがより好ましく、８００～２０００ｎｍの範囲に存在することが更に好ましい。量子ドットの材質としては、上述したものが挙げられる。
　光電変換層２５１の形成方法としては、湿式成膜法、乾式成膜法などが挙げられる。乾式成膜法での形成方法としては、化学気相蒸着法、物理気相蒸着法などが挙げられる。湿式成膜法で形成する場合には、量子ドットと溶剤を含む光電変換層用組成物を用い、従来公知の塗布方法にて電極などの支持体上に塗布して形成することができる。塗布方法としては、滴下法（ドロップキャスト）；スリットコート法；スプレー法；ロールコート法；回転塗布法（スピンコート法）；流延塗布法；スリットアンドスピン法；プリウェット法（たとえば、特開２００９－１４５３９５号公報に記載されている方法）；インクジェット（例えばオンデマンド方式、ピエゾ方式、サーマル方式）、ノズルジェット等の吐出系印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転オフセット印刷、メタルマスク印刷法などの各種印刷法；金型等を用いた転写法；ナノインプリント法などが挙げられる。
　図１に示す光センサ１では、光電変換素子２０１上に絶縁層３０１が設けられている。絶縁層３０１は無機膜であってもよく、有機膜であってもよい。絶縁性と膜厚を下げるという理由から無機膜が好ましい。無機膜の絶縁層としては、酸化物などが挙げられる。有機膜の絶縁層としては、樹脂膜などが挙げられる。
　絶縁層３０１が示す４００～４０００ｎｍの波長帯域の光の透過率は高いことが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることがより一層好ましく、９５％以上であることが特に好ましい。
　図１に示す光センサ１では、絶縁層３０１上に赤外線透過フィルタ４０１が設けられている。赤外線透過フィルタ４０１が示す波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値は６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、赤外線透過フィルタ４０１は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の波長帯域の光のうち、光電変換素子２０１の赤外光受光部で受光させる目的の波長の光の透過性が高いものであることが好ましく、前述の波長の光の透過率が６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。例えば、光電変換素子２０１の赤外光受光部にて、光電変換層２５１に含まれる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を受光させる場合、赤外線透過フィルタ４０１が示す上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
　また、赤外線透過フィルタ４０１は可視域の波長帯域の光の透過性が低いものであることが好ましく、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下であることがより好ましく、７．５％以下であることが更に好ましく、５％以下であることが特に好ましい。
　赤外線透過フィルタ４０１としては、色材を含む樹脂膜で構成されたものなどが挙げられる。色材としては、赤色色材、緑色色材、青色色材、黄色色材、紫色色材、オレンジ色色材などの有彩色色材が挙げられる。赤外線透過フィルタ４０１に含まれる色材は、２種以上の有彩色色材の組み合わせで黒色を形成していることが好ましい。２種以上の有彩色色材の組み合わせで黒色を形成する場合の、有彩色色材の組み合わせとしては、上述した（Ｃ１）～（Ｃ７）の態様が挙げられる。
　赤外線透過フィルタ４０１はさらに赤外線吸収剤を含有していてもよい。赤外線透過フィルタ４０１に赤外線吸収剤を含有させることで透過させる光の波長をより長波長側にシフトさせることができる。赤外線吸収剤としては、上述したものが挙げられる。
　赤外線透過フィルタ４０１は、色材と樹脂とを含む組成物を用いて形成することができる。赤外線透過フィルタ４０１の形成に用いられる組成物としては、国際公開第２０１６／１９０１６２号に記載された組成物などが挙げられる。
　赤外線透過フィルタ４０１は、光電変換層２５１に含まれる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ＋２０ｎｍ以下の範囲（好ましくはλｍａｘ－１７５～λｍａｘ＋２０ｎｍの範囲、より好ましくはλｍａｘ－１５０～λｍａｘ＋２０ｎｍの範囲）に、透過率５０％となる波長が存在することが好ましい。また、赤外線透過フィルタ４０１が示す上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は７０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
　なお、図示しないが、赤外線透過フィルタ４０１は透過させる光の波長が異なる画素を複数含んでいてもよい。また、画素間には隔壁が設けられていてもよい。赤外線透過フィルタ４０１がこのような画素を複数含んでいる場合は、光電変換素子２０１においては、電極が区切られて受光部が複数に分割されていることが好ましい。また、光電変換素子２０１の光電変換層２５１は、隔壁または溝によって、赤外線透過フィルタ４０１の各画素を透過した光を受光する領域（受光部）のそれぞれが区画されていてもよい。
　図１に示す光センサ１では、赤外線透過フィルタ４０１上にバンドパスフィルタ５０１が設けられている。
　なお、図１では、赤外線透過フィルタ４０１の上方に距離を置いてバンドパスフィルタ５０１が設けられているが、赤外線透過フィルタ４０１の表面にバンドパスフィルタ５０１が設けられていてもよい。また、赤外線透過フィルタ４０１とバンドパスフィルタ５０１との間に接着層や平坦化層などの中間層が設けられていてもよい。
　バンドパスフィルタ５０１としては、誘電体多層膜などが挙げられる。誘電体多層膜としては上述したものが挙げられる。
　バンドパスフィルタ５０１は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に透過波長帯域が存在することが好ましい。また、バンドパスフィルタ５０１の透過波長帯域の波長範囲に、赤外光受光部にて受光させる目的の波長が含まれていることが好ましい。また、透過波長帯域の最大透過率は７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、遮光波長帯域の最大透過率は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。また、透過波長帯域の平均透過率は６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましい。また、透過波長帯域の波長範囲は、最大透過率を示す波長を中心波長λｔ１とした場合、中心波長λｔ１±１００ｎｍであることが好ましく、中心波長λｔ１±５０ｎｍであることがより好ましく、中心波長λｔ１±２５ｎｍであることが更に好ましい。
　バンドパスフィルタ５０１は、透過波長帯域（好ましくは、最大透過率が９０％以上の透過波長帯域）を１つのみ有していてもよく、複数有していてもよい。図１に示す構造の光センサにおいては、バンドパスフィルタ５０１の透過波長帯域は１つのみであることが好ましい。
　また、バンドパスフィルタ５０１が示す波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率は低いことが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましく、２％以下であることが特に好ましい。
　図１に示す光センサ１では、赤外線透過フィルタ４０１とバンドパスフィルタ５０１とで赤外光透過部材６０１が構成されている。したがって、図１に示す光センサ１では、赤外線透過フィルタ４０１とバンドパスフィルタ５０１との合算により波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である分光特性を満たしている。赤外光透過部材６０１の分光特性の好ましい態様については上述したものが挙げられる。
　なお、図１に示す光センサ１では、赤外線透過フィルタ４０１とバンドパスフィルタ５０１とで赤外光透過部材６０１が構成されているが、赤外線透過フィルタ４０１が、波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である分光特性を満たしている場合には、バンドパスフィルタ５０１を省いてもよい。同様に、バンドパスフィルタ５０１が、上述した分光特性を満たしている場合には、赤外線透過フィルタ４０１を省いてもよい。
　また、図１では図示していないが、光センサ１はさらに発光装置を有していてもよい。発光装置は光電変換素子２０１に光を入射できるように配置されていることが好ましい。発光装置の種類としては、特に限定はないが、発光ダイオード、レーザーなどが挙げられる。発光装置としては、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲に発光極大を有するものであることが好ましい。
　図１に示す光センサ１の具体的態様としては、以下の表に示す態様が挙げられる。なお、赤外光透過部材６０１の分光特性は、赤外線透過フィルタ４０１とバンドパスフィルタ５０１との合算での分光特性である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
（第２の実施形態）
　図３を用いて第２の実施形態の光センサについて説明する。図３に示す光センサ２は、赤外線透過フィルタ４０２とバンドパスフィルタ５０２との間にマイクロレンズ７０２が設けられている点が第１の実施形態の光センサと相違している。
　この実施形態の光センサでは、赤外線透過フィルタ４０２とバンドパスフィルタ５０２とマイクロレンズ７０２とで赤外光透過部材６０２が構成されている。したがって、図３に示す光センサ１では、赤外線透過フィルタ４０２とバンドパスフィルタ５０２とマイクロレンズ７０２との合算により波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である分光特性を満たしている。赤外線透過フィルタ４０２、バンドパスフィルタ５０２、赤外光透過部材６０２の分光特性の好ましい態様については上述したものが挙げられる。
　マイクロレンズ７０２が示す波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率は高いことが好ましく、前述の透過率の最大値は６０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることが特に好ましい。また、マイクロレンズ７０２は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の波長帯域の光のうち、光電変換素子２０１の赤外光受光部で受光させる目的の波長の光の透過性が高いものであることが好ましく、前述の波長の光の透過率が６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
　マイクロレンズ７０２は、光の集光性を高めたり、光漏れなどを抑制しやすいという理由から、光電変換層に含まれる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する屈折率が高いことが好ましく、１．８以上であることがより好ましく、１．９以上であることが更に好ましい。
　なお、図３に示す光センサでは、赤外線透過フィルタ４０２とバンドパスフィルタ５０２との間にマイクロレンズ７０２が設けられているが、バンドパスフィルタ５０２よりも光入射側にマイクロレンズ７０２が設けられていてもよい。
　また、図３では図示していないが、上記第１の実施形態の光センサ１と同様、光センサ２はさらに発光装置を有していてもよい。
　また、図３に示す光センサ１では、赤外線透過フィルタ４０２とバンドパスフィルタ５０２とマイクロレンズ７０２とで赤外光透過部材６０２が構成されているが、赤外線透過フィルタ４０２とマイクロレンズ７０２とで上述した分光特性を満たしている場合には、バンドパスフィルタ５０２を省いてもよい。同様に、バンドパスフィルタ５０２とマイクロレンズ７０２とで上述した分光特性を満たしている場合には、赤外線透過フィルタ４０２を省いてもよい。
　図３に示す光センサ２の具体的態様としては、以下の表に示す態様が挙げられる。なお、赤外光透過部材６０２の分光特性は、赤外線透過フィルタ４０２とバンドパスフィルタ５０２とマイクロレンズ７０２の合算での分光特性である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
（第３の実施形態）
　図４を用いて第３の実施形態の光センサについて説明する。図４に示す光センサ３の光電変換素子２０３は、複数の受光部２０３ａ～２０３ｄを有している。各受光部では、それぞれ異なる波長の光を受光する。図４に示す光センサ３においては、受光部２０３ａが赤外光受光部である。受光部２０３ｂ～２０３ｄは、受光部２０３ａ（赤外光受光部）にて受光する光よりも短波側の光を受光する受光部であることが好ましい。このような受光部としては、例えば、赤色光、青色光、緑色光、黄色光、マゼンタ色光、シアン色光などの可視光を受光する受光部（可視光受光部）などが挙げられる。また、受光部２０３ｂ～２０３ｄは、受光部２０３ａが受光する赤外光よりも短波側の赤外光を受光する受光部であってもよい。
　図４に示す光センサ３では、絶縁層３０１上に光学フィルタ８０３が設けられている。この光学フィルタ８０３は透過させる光の波長が異なる画素８１１～８１４を含んでいる。光学フィルタ８０３の画素８１１～８１４はそれぞれ色材を含む樹脂膜であることが好ましい。なお、画素８１１は本発明における赤外光透過部材を構成する部材の一部である。
　光学フィルタ８０３が有する複数の画素のうち、光電変換素子２０３における受光部２０３ａ（赤外光受光部）への光入射側の光路上に位置する画素８１１は赤外線透過フィルタの画素である。画素８１１が示す波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値は６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、画素８１１は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の波長帯域の光のうち、光電変換素子２０３の受光部２０３ａ（赤外光受光部）が受光する波長の光の透過性が高いものであることが好ましく、前述の波長の光の透過率が６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。また、光電変換素子２０３の受光部２０３ａ（赤外光受光部）にて、光電変換素子２０３に含まれる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を受光させる場合、画素８１１が示す上記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値は６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
　光学フィルタ８０３が有する複数の画素のうち、光電変換素子２０３における受光部２０３ｂ～２０３ｄへの光入射側の光路上に位置する画素８１２～８１４は、画素８１１を透過する光の波長とは異なる波長の光を透過させる画素であればよく、特に限定はされないが、画素８１１を透過する光の波長よりも短波側の波長の光を透過させる画素であることが好ましい。例えば、画素８１２～８１４は、４００ｎｍ以上、量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８ｎｍ以下の範囲に透過率が６０％以上になる波長が存在する画素であることが好ましい。このような画素としては、赤色画素、青色画素、緑色画素、黄色画素、シアン色画素、マゼンタ色画素などの着色画素が挙げられる。画素８１２～８１４の組み合わせの具体例としては、画素８１２が赤色画素、画素８１３が青色画素、画素８１４が緑色画素である組み合わせ、画素８１２が黄色画素、画素８１３がシアン色画素、画素８１４がマゼンタ色画素である組み合わせなどが挙げられる。
　画素８１２～８１４が着色画素の場合は、画素８１２～８１４の光入射側または画素８１２～８１４からの光射出側の表面に赤外線カットフィルタが設けられていることが好ましい。この態様によれば、受光部２０３ｂ～２０３ｄでの可視光の感度を高めたり、赤外線由来のノイズを低減することができる。このような光学フィルタとしては例えば図５に示すものが挙げられる。図５において、符号８１１ａは赤外線透過フィルタの画素であり、符号８１２ａ～８１４ａは着色画素であり、符号８２０は赤外線カットフィルタである。
　なお、図４に示す光センサ３の光学フィルタ８０３は、４種類の画素（画素８１１～８１４）を有しているが、画素の種類は２種類であってもよく、３種類であってもよく、５種類以上であってもよい。用途や目的に応じて適宜調整することができる。また、図示しないが光学フィルタ８０３の各画素は隔壁で区画されていてもよい。隔壁については上述したものが挙げられる。
　図４に示す光センサ３においては、光学フィルタ８０３上にマイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄが設けられている。光電変換素子２０３の受光部２０３ａ（赤外光受光部）の光路上に位置するマイクロレンズ７０３ａは、本発明における赤外光透過部材を構成する部材の一部である。
　マイクロレンズ７０３ａとマイクロレンズ７０３ｂ～７０３ｄは同一の分光特性を有するものであってもよく、異なる分光特性を有するものであってもよい。マイクロレンズ７０３ａとマイクロレンズ７０３ｂ～７０３ｄとが同一の分光特性を有するものである場合は、これらを同一の工程で製造することもでき、マイクロレンズの製造工程数を削減することができるので、生産性に優れる。また、マイクロレンズ７０３ａとマイクロレンズ７０３ｂ～７０３ｄとがそれぞれ異なる分光特性を有するものを用いた場合には、各受光部が受光した光の感度を高めたり、ノイズをより低減することもできる。
　光電変換素子２０３の受光部２０３ａ（赤外光受光部）の光路上に位置するマイクロレンズ７０３ａが示す波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率は高いことが好ましく、前述の透過率の最大値が６０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることが特に好ましい。また、マイクロレンズ７０３ａは、波長８００ｎｍ以上の赤外域の波長帯域の光のうち、光電変換素子２０３の受光部２０３ａ（赤外光受光部）に受光させる目的の波長の光の透過性が高いものであることが好ましく、前述の波長の光の透過率が６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。また、マイクロレンズ７０３ａは、光の集光性を高めたり、光漏れなどを抑制しやすいという理由から、光電変換層に含まれる量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する屈折率は高いことが好ましく、１．８以上であることがより好ましく、１．９以上であることが更に好ましい。
　光電変換素子２０３の受光部２０３ｂ～２０３ｄの光路上に位置するマイクロレンズ７０３ｂ～７０３ｄは、受光部２０３ｂ～２０３ｄに受光させる目的の波長の光の透過性が高いものであることが好ましく、前述の波長の光の透過率が６０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることが特に好ましい。また、マイクロレンズ７０３ｂ～７０３ｄは、波長５８９．３ｎｍの光の屈折率が１．８以上であることが好ましく、１．９以上であることがより好ましい。
　また、マイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄは、いずれも波長４００～λｍａｘ×１．２ｎｍの範囲の光の透過率の最小値が６０％以上（好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上）であるものであることも好ましい。また、マイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄは、いずれも波長５８９．３ｎｍの光の屈折率が１．８以上（好ましくは１．９以上）であるものであることも好ましい。
　図４に示す光センサ３は、マイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄ上にバンドパスフィルタ５０３が設けられている。バンドパスフィルタ５０３は、本発明における赤外光透過部材を構成する部材の一部である。
　なお、図４では、マイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄの上方に距離を置いてバンドパスフィルタ５０３が設けられているが、マイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄの表面にバンドパスフィルタ５０３が設けられていてもよい。また、マイクロレンズ７０３ａ～７０３ｄとバンドパスフィルタ５０３との間に接着層や平坦化層などの中間層が設けられていてもよい。
　バンドパスフィルタ５０３としては、誘電体多層膜などが挙げられる。誘電体多層膜としては上述したものが挙げられる。
　バンドパスフィルタ５０３は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に透過波長帯域が存在するものであることが好ましい。また、バンドパスフィルタ５０３の透過波長帯域の波長範囲に、受光部２０３ａ～２０３ｄにて受光させる目的の波長が含まれていることが好ましい。バンドパスフィルタ５０３の透過波長帯域は、１つのみであってもよく、２以上であってもよい。透過波長帯域が２以上存在する場合は、いずれかの透過波長帯域の波長範囲に、受光部２０３ａ～２０３ｄにて受光させる目的の波長が含まれていればよい。
　透過波長帯域の最大透過率は６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、遮光波長帯域の最大透過率は２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。また、透過波長帯域の平均透過率は６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましい。また、透過波長帯域の波長範囲は、最大透過率を示す波長を中心波長λｔ１とした場合、中心波長λｔ１±１００ｎｍであることが好ましく、中心波長λｔ１±５０ｎｍであることがより好ましく、中心波長λｔ１±２５ｎｍであることが更に好ましい。
　図４に示す光センサ３では、光学フィルタ８０３の画素８１１と、マイクロレンズ７０３ａと、バンドパスフィルタ５０３とで赤外光透過部材６０３が構成されている。したがって、図４に示す光センサ３では、光学フィルタ８０３の画素８１１と、マイクロレンズ７０３ａと、バンドパスフィルタ５０３との合算により波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である分光特性を満たしている。赤外光透過部材６０３の分光特性の好ましい態様については上述したものが挙げられる。
　なお、図４では図示していないが、上記第１の実施形態の光センサ１と同様、光センサ３はさらに発光装置を有していてもよい。
　また、図４に示す光センサ１では、光学フィルタ８０３の画素８１１とマイクロレンズ７０３ａとバンドパスフィルタ５０３とで赤外光透過部材６０３が構成されているが、光学フィルタ８０３の画素８１１とマイクロレンズ７０３ａとで上述した分光特性を満たしている場合には、バンドパスフィルタ５０３を省いてもよい。
　図４に示す光センサ３の具体的態様としては、以下の表に示す態様が挙げられる。なお、赤外光透過部材６０３の分光特性は、画素８１１とマイクロレンズ７０３ａとバンドパスフィルタ５０３との合算での分光特性である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
＜センシング装置＞
　本発明のセンシング装置は、上述した本発明の光センサを含む。センシング装置の種類としては、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ－ｏｆ－Ｆｌｉｇｈｔ）カメラなどの測距装置、赤外光撮像装置、可視光－赤外光撮像装置、モーションセンサ、認証センサ、近接センサ、ジェスチャーセンサ、監視カメラ、水分センサ、自動運転装置、異常検査装置などが挙げられる。
１～３：光センサ
１０１：支持体
２０１、２０３：光電変換素子
２５１：光電変換層
２５２：下部電極
２５３：上部電極
３０１：絶縁層
４０１、４０２：赤外線透過フィルタ
５０１～５０３：バンドパスフィルタ
６０１～６０３：赤外光透過部材
７０２、７０３ａ、７０３ｂ、７０３ｃ、７０３ｄ：マイクロレンズ
８０３：光学フィルタ
８１１～８１４：画素
８１１ａ：赤外線透過フィルタの画素
８１２ａ～８１４ａ：着色画素
８２０：赤外線カットフィルタ

Claims (16)

  1. 　赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、前記光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、
    　前記光電変換素子は、波長８００ｎｍ以上の赤外域に極大吸収波長λｍａｘを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、
    　前記光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長８００ｎｍ以上の赤外域の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下である赤外光透過部材である、
    　光センサ。
  2. 　前記赤外光透過部材は、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲の光の透過率の最大値が６０％以上で、波長４００～６５０ｎｍの範囲の光の平均透過率が１０％以下であり、
    　前記赤外光受光部では、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲のいずれかの波長の光を受光させる、請求項１に記載の光センサ。
  3. 　前記赤外光透過部材は、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ＋２０ｎｍ以下の範囲に透過率５０％となる波長が存在する、請求項１または２に記載の光センサ。
  4. 　前記赤外光透過部材は下記関係式（ＩＲ１）を満たす、請求項１～３のいずれか１項に記載の光センサ：
    　（Ｔ１／Ｔ２）＞５．０　　　・・・（ＩＲ１）
    　Ｔ１は、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する前記赤外光透過部材の透過率であり、
    　Ｔ２は、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８の光に対する前記赤外光透過部材の透過率である。
  5. 　前記赤外光透過部材は複数の色材を含有する樹脂膜を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の光センサ。
  6. 　前記樹脂膜は、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ－２００ｎｍ以上、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ＋２０ｎｍ以下の範囲に、透過率５０％となる波長が存在する、請求項５に記載の光センサ。
  7. 　前記赤外光透過部材は誘電体多層膜を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の光センサ。
  8. 　前記誘電体多層膜は、最大透過率が９０％以上の透過波長帯域を複数有する、請求項７に記載の光センサ。
  9. 　前記赤外光透過部材は前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘの光に対する屈折率が１．８以上のマイクロレンズを含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の光センサ。
  10. 　前記光電変換素子は、前記赤外光受光部にて受光させる光とは異なる波長の光を受光させる他の受光部を有し、
    　前記光学部材は、透過させる光の波長が異なる画素を複数含む光学フィルタを有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の光センサ。
  11. 　前記光学フィルタの各画素が隔壁によって区画されている、請求項１０に記載の光センサ。
  12. 　前記光電変換素子の、前記光学フィルタの各画素を透過した光を受光させる領域のそれぞれが隔壁または溝によって区画されている、請求項１０または１１に記載の光センサ。
  13. 　前記他の受光部は、前記赤外光受光部にて受光させる光よりも短波側の光を受光する、請求項１０～１２のいずれか１項に記載の光センサ。
  14. 　前記光学フィルタの前記他の受光部の光入射側の光路上に有する画素は、４００ｎｍ以上、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ×０．８ｎｍ以下の範囲に透過率が６０％以上になる波長が存在する、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の光センサ。
  15. 　更に、前記量子ドットの極大吸収波長λｍａｘ±５０ｎｍの範囲に発光極大を有する発光装置を有する、請求項１～１４のいずれか１項に記載の光センサ。
  16. 　請求項１～１５のいずれか１項に記載の光センサを含むセンシング装置。
PCT/JP2020/020440 2019-05-31 2020-05-25 光センサおよびセンシング装置 WO2020241535A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021522740A JP7309867B2 (ja) 2019-05-31 2020-05-25 光センサおよびセンシング装置
KR1020217038143A KR20220002432A (ko) 2019-05-31 2020-05-25 광 센서 및 센싱 장치
EP20814093.9A EP3979333A4 (en) 2019-05-31 2020-05-25 OPTICAL SENSOR AND DETECTION DEVICE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019102164 2019-05-31
JP2019-102164 2019-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020241535A1 true WO2020241535A1 (ja) 2020-12-03

Family

ID=73552736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/020440 WO2020241535A1 (ja) 2019-05-31 2020-05-25 光センサおよびセンシング装置

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3979333A4 (ja)
JP (1) JP7309867B2 (ja)
KR (1) KR20220002432A (ja)
TW (1) TW202101781A (ja)
WO (1) WO2020241535A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023234094A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、イメージセンサおよび光検出素子の製造方法
WO2023234096A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、イメージセンサおよび光検出素子の製造方法
WO2023234095A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、イメージセンサおよび光検出素子の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI820822B (zh) * 2021-08-23 2023-11-01 天光材料科技股份有限公司 光二極體之結構

Citations (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4832765B1 (ja) 1970-12-29 1973-10-09
JPS5733804B2 (ja) 1976-12-16 1982-07-19
JPS5810604B2 (ja) 1974-08-26 1983-02-26 ワ−ナ− エレクトリツク ブレ−ク アンド クラツチ コムパニイ クラツチブレ−キクミタテタイ
JPS6036689B2 (ja) 1978-02-22 1985-08-22 関西電力株式会社 接地混触検出装置
JPS6248838B2 (ja) 1980-10-29 1987-10-15 Seikoo Epuson Kk
JPS6251530B2 (ja) 1980-05-27 1987-10-30 Nippon Electric Co
JPH0132077B2 (ja) 1979-05-22 1989-06-29 Wiggins Teape Uk Plc
JPH0132076B2 (ja) 1984-05-18 1989-06-29 Toppan Printing Co Ltd
JPH0143711B2 (ja) 1984-08-10 1989-09-22 Ube Industries
JP2002194040A (ja) 2000-12-25 2002-07-10 Nippon Kayaku Co Ltd エネルギー線硬化型樹脂組成物
JP2006343631A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 固体撮像素子用近赤外線吸収組成物およびこれを用いた固体撮像素子
JP2007092060A (ja) 2005-09-05 2007-04-12 Fujifilm Corp 近赤外線吸収色素化合物の製造方法
JP2008031281A (ja) 2006-07-28 2008-02-14 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散剤、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008050420A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散剤、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008074985A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008074987A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料添加剤、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008074986A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料組成物及び顔料分散体
JP2008081565A (ja) 2006-09-27 2008-04-10 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散剤、及び顔料分散体
JP2008088426A (ja) 2006-09-06 2008-04-17 Nippon Kayaku Co Ltd 新規シアニン化合物及びその用途
JP2008528706A (ja) 2005-02-04 2008-07-31 株式会社日本触媒 ホウ酸塩および近赤外線吸収材料
JP2009108267A (ja) 2007-10-31 2009-05-21 Fujifilm Corp シアニン化合物およびそれを含んでなる近赤外線吸収組成物
JP2009145395A (ja) 2007-12-11 2009-07-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法
JP2009263614A (ja) 2008-03-30 2009-11-12 Fujifilm Corp 赤外線吸収性化合物および該化合物からなる微粒子
JP2010191424A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Samsung Electronics Co Ltd 量子ドットを備える高分子分散型ディスプレイパネル及びそれを備えるディスプレイ装置
JP2011068731A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Fujifilm Corp 近赤外吸収性色素を含有する硬化性組成物、インク用組成物および近赤外線吸収フィルタの製造方法
JP2011145540A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、カラーフィルタ、その製造方法、及びそれを具備する液晶表示装置並びに有機ｅｌ表示装置
JP2011157478A (ja) 2010-02-01 2011-08-18 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 着色組成物、カラーフィルタ用感光性着色組成物、カラーフィルタおよびカラー表示装置
JP2011184493A (ja) 2010-03-05 2011-09-22 Nippon Kayaku Co Ltd アゾ染料
JP2011208101A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Fujifilm Corp スクアリリウム化合物及びその製造方法並びに赤外線吸収剤
JP2012012399A (ja) 2004-09-06 2012-01-19 Nippon Kayaku Co Ltd ジイモニウム化合物
JP2012077153A (ja) 2010-09-30 2012-04-19 Fujifilm Corp 着色組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに液晶表示装置
WO2012102395A1 (ja) 2011-01-28 2012-08-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
WO2012102399A1 (ja) 2011-01-28 2012-08-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用ジケトピロロピロール系顔料組成物、カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012158649A (ja) 2011-01-31 2012-08-23 Nippon Kayaku Co Ltd 新規なチアゾール系カチオン染料
WO2012117965A1 (ja) 2011-03-02 2012-09-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用顔料組成物、着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012226110A (ja) 2011-04-19 2012-11-15 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色剤、着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012229344A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd アゾ顔料、着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012247591A (ja) 2011-05-27 2012-12-13 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用感光性着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013032486A (ja) 2011-03-18 2013-02-14 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン色素、およびその用途
JP2013054339A (ja) 2011-08-10 2013-03-21 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013061622A (ja) 2011-08-23 2013-04-04 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013181015A (ja) 2012-03-02 2013-09-12 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン化合物
JP2013195480A (ja) 2012-03-16 2013-09-30 Fujifilm Corp 赤外線吸収性組成物および赤外線カットフィルタ
JP2013209435A (ja) 2012-03-30 2013-10-10 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン色素、およびそれを用いた着色感光性組成物、およびその用途
JP2013209614A (ja) 2012-02-29 2013-10-10 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン色素単量体、およびそれを用いた着色性ポリマー、およびそれを用いた着色感光性組成物、およびその用途
JP2014021139A (ja) 2012-07-12 2014-02-03 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物およびカラーフィルタ
JP2014026228A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 有機ｅｌ表示装置用緑色着色組成物、カラーフィルタ、および有機ｅｌ表示装置
JP2014085565A (ja) 2012-10-25 2014-05-12 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物およびカラーフィルタ
WO2015118720A1 (ja) 2014-02-07 2015-08-13 Dic株式会社 カラーフィルタ用緑色顔料組成物およびカラーフィルタ
JP2015172102A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 Jsr株式会社 新規シアニン化合物、光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2015172004A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 Jsr株式会社 新規シアニン化合物、光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2015176046A (ja) 2014-03-17 2015-10-05 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタ
WO2015166873A1 (ja) 2014-05-01 2015-11-05 富士フイルム株式会社 赤外線センサ、近赤外線吸収組成物、感光性樹脂組成物、化合物、近赤外線吸収フィルタおよび撮像装置
JP2016006476A (ja) 2014-01-21 2016-01-14 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、ならびに、カメラモジュールおよびその製造方法
JP5884953B2 (ja) 2013-10-17 2016-03-15 Jsr株式会社 光学フィルター、固体撮像装置およびカメラモジュール
JP2016074649A (ja) 2014-10-08 2016-05-12 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物ならびにこれを含む樹脂組成物および成形体
WO2016120166A1 (en) 2015-01-27 2016-08-04 Sony Corporation Squaraine-based molecules as material for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
JP2016145282A (ja) 2015-02-06 2016-08-12 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 顔料、カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
WO2016154782A1 (en) 2015-03-27 2016-10-06 Dow Global Technologies Llc Squarylium compounds used for lcd color filters
WO2016181987A1 (ja) 2015-05-12 2016-11-17 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび撮像装置
WO2016190162A1 (ja) 2015-05-22 2016-12-01 富士フイルム株式会社 着色組成物、膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子および赤外線センサ
JP6065169B1 (ja) 2015-02-18 2017-01-25 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび撮像装置
JP2017025311A (ja) 2015-07-16 2017-02-02 富士ゼロックス株式会社 水性インク、インクカートリッジ、インク乾燥装置、インク乾燥方法、記録装置、及び記録方法
JP2017031394A (ja) 2015-07-28 2017-02-09 Jsr株式会社 新規シアニン化合物、光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP6081771B2 (ja) 2012-04-27 2017-02-15 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物およびこれを用いる熱線吸収材
JP2017068120A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物の混合物
JP2017067963A (ja) 2015-09-29 2017-04-06 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物
JP2017082029A (ja) 2015-10-22 2017-05-18 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物
JP2017114956A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. 新規化合物及び着色硬化性樹脂組成物
CN106909027A (zh) 2015-12-23 2017-06-30 东友精细化工有限公司 着色感光性树脂组合物、滤色器及其制法、图像显示装置
WO2017119394A1 (ja) 2016-01-04 2017-07-13 住友金属鉱山株式会社 ホウ化物粒子、ホウ化物粒子分散液、赤外線遮蔽透明基材、赤外線遮蔽光学部材、赤外線遮蔽粒子分散体、赤外線遮蔽合わせ透明基材、赤外線遮蔽粒子分散粉、及びマスターバッチ
WO2017135359A1 (ja) 2016-02-02 2017-08-10 旭硝子株式会社 近赤外線吸収色素、光学フィルタおよび撮像装置
JP2017141215A (ja) 2016-02-08 2017-08-17 国立大学法人愛媛大学 新規オキソカーボン系化合物
WO2017150167A1 (ja) 2016-02-29 2017-09-08 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP2017171912A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017171913A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017171914A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017171915A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017179131A (ja) 2016-03-30 2017-10-05 株式会社日本触媒 スクアリリウム化合物
JP2017197437A (ja) 2016-04-25 2017-11-02 コニカミノルタケミカル株式会社 耐熱性を有するスクアリリウム化合物
JP2017197640A (ja) 2016-04-27 2017-11-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 キノフタロン化合物、該キノフタロン化合物を用いた顔料分散剤、カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP2017197719A (ja) 2016-03-23 2017-11-02 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017201384A (ja) 2016-04-28 2017-11-09 Dic株式会社 カラーフィルタ用顔料組成物、その製造方法及びカラーフィルタ
JP2017201003A (ja) 2016-04-28 2017-11-09 Jsr株式会社 着色組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、表示素子及び固体撮像素子
WO2017213047A1 (ja) 2016-06-08 2017-12-14 Jsr株式会社 光学フィルターおよび光学センサー装置
JP2018002773A (ja) 2016-06-28 2018-01-11 株式会社日本触媒 発光用材料及び発光成型体
WO2018043564A1 (ja) 2016-08-31 2018-03-08 Jsr株式会社 光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2018041047A (ja) 2016-09-09 2018-03-15 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物、樹脂組成物、および光選択透過フィルター
JP2018040835A (ja) 2016-09-05 2018-03-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP2018040955A (ja) 2016-09-07 2018-03-15 株式会社日本触媒 樹脂組成物、光学フィルター、および樹脂組成物の製造方法
JP2018054760A (ja) 2016-09-27 2018-04-05 株式会社日本触媒 光選択吸収樹脂積層体
JP2018062578A (ja) 2016-10-13 2018-04-19 Dic株式会社 新規キノフタロン化合物
JP2018062644A (ja) 2016-09-02 2018-04-19 住友化学株式会社 着色組成物及び化合物
JP2018111757A (ja) 2017-01-10 2018-07-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 キノフタロン化合物、該キノフタロン化合物を用いた顔料分散剤、カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP2018155881A (ja) 2017-03-16 2018-10-04 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用感光性着色組成物およびカラーフィルタ
JP2018180023A (ja) 2017-04-03 2018-11-15 Dic株式会社 カラーフィルタ用顔料組成物及びカラーフィルタ
JP2018203798A (ja) 2017-05-30 2018-12-27 Dic株式会社 キノフタロン化合物
JP2019008014A (ja) 2017-06-21 2019-01-17 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用感光性着色組成物およびカラーフィルタ
JP2019507899A (ja) * 2016-01-21 2019-03-22 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光学カモフラージュフィルター

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694309A (en) * 1979-12-27 1981-07-30 Fuji Photo Film Co Ltd Multicolor optical filter and its production
JP5866248B2 (ja) 2012-04-27 2016-02-17 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
WO2018077870A1 (en) * 2016-10-25 2018-05-03 Trinamix Gmbh Nfrared optical detector with integrated filter
WO2018092600A1 (ja) 2016-11-18 2018-05-24 富士フイルム株式会社 構造体、固体撮像素子、赤外線センサおよび組成物
JP7066316B2 (ja) * 2016-12-13 2022-05-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び電子機器

Patent Citations (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4832765B1 (ja) 1970-12-29 1973-10-09
JPS5810604B2 (ja) 1974-08-26 1983-02-26 ワ−ナ− エレクトリツク ブレ−ク アンド クラツチ コムパニイ クラツチブレ−キクミタテタイ
JPS5733804B2 (ja) 1976-12-16 1982-07-19
JPS6036689B2 (ja) 1978-02-22 1985-08-22 関西電力株式会社 接地混触検出装置
JPH0132077B2 (ja) 1979-05-22 1989-06-29 Wiggins Teape Uk Plc
JPS6251530B2 (ja) 1980-05-27 1987-10-30 Nippon Electric Co
JPS6248838B2 (ja) 1980-10-29 1987-10-15 Seikoo Epuson Kk
JPH0132076B2 (ja) 1984-05-18 1989-06-29 Toppan Printing Co Ltd
JPH0143711B2 (ja) 1984-08-10 1989-09-22 Ube Industries
JP2002194040A (ja) 2000-12-25 2002-07-10 Nippon Kayaku Co Ltd エネルギー線硬化型樹脂組成物
JP2012012399A (ja) 2004-09-06 2012-01-19 Nippon Kayaku Co Ltd ジイモニウム化合物
JP2008528706A (ja) 2005-02-04 2008-07-31 株式会社日本触媒 ホウ酸塩および近赤外線吸収材料
JP2006343631A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 固体撮像素子用近赤外線吸収組成物およびこれを用いた固体撮像素子
JP2007092060A (ja) 2005-09-05 2007-04-12 Fujifilm Corp 近赤外線吸収色素化合物の製造方法
JP2008031281A (ja) 2006-07-28 2008-02-14 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散剤、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008050420A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散剤、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008088426A (ja) 2006-09-06 2008-04-17 Nippon Kayaku Co Ltd 新規シアニン化合物及びその用途
JP2008074985A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008074987A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料添加剤、顔料組成物及び顔料分散体
JP2008074986A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料組成物及び顔料分散体
JP2008081565A (ja) 2006-09-27 2008-04-10 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散剤、及び顔料分散体
JP2009108267A (ja) 2007-10-31 2009-05-21 Fujifilm Corp シアニン化合物およびそれを含んでなる近赤外線吸収組成物
JP2009145395A (ja) 2007-12-11 2009-07-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法
JP2009263614A (ja) 2008-03-30 2009-11-12 Fujifilm Corp 赤外線吸収性化合物および該化合物からなる微粒子
JP2010191424A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Samsung Electronics Co Ltd 量子ドットを備える高分子分散型ディスプレイパネル及びそれを備えるディスプレイ装置
JP2011068731A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Fujifilm Corp 近赤外吸収性色素を含有する硬化性組成物、インク用組成物および近赤外線吸収フィルタの製造方法
JP2011145540A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、カラーフィルタ、その製造方法、及びそれを具備する液晶表示装置並びに有機ｅｌ表示装置
JP2011157478A (ja) 2010-02-01 2011-08-18 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 着色組成物、カラーフィルタ用感光性着色組成物、カラーフィルタおよびカラー表示装置
JP2011184493A (ja) 2010-03-05 2011-09-22 Nippon Kayaku Co Ltd アゾ染料
JP2011208101A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Fujifilm Corp スクアリリウム化合物及びその製造方法並びに赤外線吸収剤
JP2012077153A (ja) 2010-09-30 2012-04-19 Fujifilm Corp 着色組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに液晶表示装置
WO2012102395A1 (ja) 2011-01-28 2012-08-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
WO2012102399A1 (ja) 2011-01-28 2012-08-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用ジケトピロロピロール系顔料組成物、カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012158649A (ja) 2011-01-31 2012-08-23 Nippon Kayaku Co Ltd 新規なチアゾール系カチオン染料
WO2012117965A1 (ja) 2011-03-02 2012-09-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用顔料組成物、着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013032486A (ja) 2011-03-18 2013-02-14 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン色素、およびその用途
JP2012226110A (ja) 2011-04-19 2012-11-15 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色剤、着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012229344A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd アゾ顔料、着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2012247591A (ja) 2011-05-27 2012-12-13 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用感光性着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013054339A (ja) 2011-08-10 2013-03-21 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013061622A (ja) 2011-08-23 2013-04-04 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP2013209614A (ja) 2012-02-29 2013-10-10 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン色素単量体、およびそれを用いた着色性ポリマー、およびそれを用いた着色感光性組成物、およびその用途
JP2013181015A (ja) 2012-03-02 2013-09-12 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン化合物
JP2013195480A (ja) 2012-03-16 2013-09-30 Fujifilm Corp 赤外線吸収性組成物および赤外線カットフィルタ
JP2013209435A (ja) 2012-03-30 2013-10-10 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd キノフタロン色素、およびそれを用いた着色感光性組成物、およびその用途
JP6081771B2 (ja) 2012-04-27 2017-02-15 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物およびこれを用いる熱線吸収材
JP2014021139A (ja) 2012-07-12 2014-02-03 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物およびカラーフィルタ
JP2014026228A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 有機ｅｌ表示装置用緑色着色組成物、カラーフィルタ、および有機ｅｌ表示装置
JP2014085565A (ja) 2012-10-25 2014-05-12 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物およびカラーフィルタ
JP5884953B2 (ja) 2013-10-17 2016-03-15 Jsr株式会社 光学フィルター、固体撮像装置およびカメラモジュール
JP2016006476A (ja) 2014-01-21 2016-01-14 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、ならびに、カメラモジュールおよびその製造方法
WO2015118720A1 (ja) 2014-02-07 2015-08-13 Dic株式会社 カラーフィルタ用緑色顔料組成物およびカラーフィルタ
JP2015172004A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 Jsr株式会社 新規シアニン化合物、光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2015172102A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 Jsr株式会社 新規シアニン化合物、光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2015176046A (ja) 2014-03-17 2015-10-05 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタ
WO2015166873A1 (ja) 2014-05-01 2015-11-05 富士フイルム株式会社 赤外線センサ、近赤外線吸収組成物、感光性樹脂組成物、化合物、近赤外線吸収フィルタおよび撮像装置
JP2016074649A (ja) 2014-10-08 2016-05-12 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物ならびにこれを含む樹脂組成物および成形体
WO2016120166A1 (en) 2015-01-27 2016-08-04 Sony Corporation Squaraine-based molecules as material for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
JP2016145282A (ja) 2015-02-06 2016-08-12 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 顔料、カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
JP6197940B2 (ja) 2015-02-18 2017-09-20 旭硝子株式会社 スクアリリウム系色素、樹脂膜、光学フィルタおよび撮像装置
JP6065169B1 (ja) 2015-02-18 2017-01-25 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび撮像装置
WO2016154782A1 (en) 2015-03-27 2016-10-06 Dow Global Technologies Llc Squarylium compounds used for lcd color filters
WO2016181987A1 (ja) 2015-05-12 2016-11-17 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび撮像装置
WO2016190162A1 (ja) 2015-05-22 2016-12-01 富士フイルム株式会社 着色組成物、膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子および赤外線センサ
JP2017025311A (ja) 2015-07-16 2017-02-02 富士ゼロックス株式会社 水性インク、インクカートリッジ、インク乾燥装置、インク乾燥方法、記録装置、及び記録方法
JP2017031394A (ja) 2015-07-28 2017-02-09 Jsr株式会社 新規シアニン化合物、光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2017067963A (ja) 2015-09-29 2017-04-06 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物
JP2017068120A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物の混合物
JP2017082029A (ja) 2015-10-22 2017-05-18 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物
JP2017114956A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. 新規化合物及び着色硬化性樹脂組成物
CN106909027A (zh) 2015-12-23 2017-06-30 东友精细化工有限公司 着色感光性树脂组合物、滤色器及其制法、图像显示装置
WO2017119394A1 (ja) 2016-01-04 2017-07-13 住友金属鉱山株式会社 ホウ化物粒子、ホウ化物粒子分散液、赤外線遮蔽透明基材、赤外線遮蔽光学部材、赤外線遮蔽粒子分散体、赤外線遮蔽合わせ透明基材、赤外線遮蔽粒子分散粉、及びマスターバッチ
JP2019507899A (ja) * 2016-01-21 2019-03-22 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光学カモフラージュフィルター
WO2017135359A1 (ja) 2016-02-02 2017-08-10 旭硝子株式会社 近赤外線吸収色素、光学フィルタおよび撮像装置
JP2017141215A (ja) 2016-02-08 2017-08-17 国立大学法人愛媛大学 新規オキソカーボン系化合物
WO2017150167A1 (ja) 2016-02-29 2017-09-08 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP2017171912A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017171913A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017171915A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017197719A (ja) 2016-03-23 2017-11-02 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017171914A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー 金属アゾ顔料
JP2017179131A (ja) 2016-03-30 2017-10-05 株式会社日本触媒 スクアリリウム化合物
JP2017197437A (ja) 2016-04-25 2017-11-02 コニカミノルタケミカル株式会社 耐熱性を有するスクアリリウム化合物
JP2017197640A (ja) 2016-04-27 2017-11-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 キノフタロン化合物、該キノフタロン化合物を用いた顔料分散剤、カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP2017201384A (ja) 2016-04-28 2017-11-09 Dic株式会社 カラーフィルタ用顔料組成物、その製造方法及びカラーフィルタ
JP2017201003A (ja) 2016-04-28 2017-11-09 Jsr株式会社 着色組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、表示素子及び固体撮像素子
WO2017213047A1 (ja) 2016-06-08 2017-12-14 Jsr株式会社 光学フィルターおよび光学センサー装置
JP2018002773A (ja) 2016-06-28 2018-01-11 株式会社日本触媒 発光用材料及び発光成型体
WO2018043564A1 (ja) 2016-08-31 2018-03-08 Jsr株式会社 光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP2018062644A (ja) 2016-09-02 2018-04-19 住友化学株式会社 着色組成物及び化合物
JP2018040835A (ja) 2016-09-05 2018-03-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP2018040955A (ja) 2016-09-07 2018-03-15 株式会社日本触媒 樹脂組成物、光学フィルター、および樹脂組成物の製造方法
JP2018041047A (ja) 2016-09-09 2018-03-15 株式会社日本触媒 オキソカーボン系化合物、樹脂組成物、および光選択透過フィルター
JP2018054760A (ja) 2016-09-27 2018-04-05 株式会社日本触媒 光選択吸収樹脂積層体
JP2018062578A (ja) 2016-10-13 2018-04-19 Dic株式会社 新規キノフタロン化合物
JP2018111757A (ja) 2017-01-10 2018-07-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 キノフタロン化合物、該キノフタロン化合物を用いた顔料分散剤、カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP2018155881A (ja) 2017-03-16 2018-10-04 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用感光性着色組成物およびカラーフィルタ
JP2018180023A (ja) 2017-04-03 2018-11-15 Dic株式会社 カラーフィルタ用顔料組成物及びカラーフィルタ
JP2018203798A (ja) 2017-05-30 2018-12-27 Dic株式会社 キノフタロン化合物
JP2019008014A (ja) 2017-06-21 2019-01-17 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用感光性着色組成物およびカラーフィルタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3979333A4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023234094A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、イメージセンサおよび光検出素子の製造方法
WO2023234096A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、イメージセンサおよび光検出素子の製造方法
WO2023234095A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 富士フイルム株式会社 光検出素子、イメージセンサおよび光検出素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020241535A1 (ja) 2020-12-03
KR20220002432A (ko) 2022-01-06
EP3979333A4 (en) 2022-08-17
EP3979333A1 (en) 2022-04-06
TW202101781A (zh) 2021-01-01
JP7309867B2 (ja) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020241535A1 (ja) 光センサおよびセンシング装置
CN110120398B (zh) 图像传感器和电子装置
KR102071548B1 (ko) 분광계 장치
US7230226B2 (en) Photoelectric conversion layer stack type color solid-state image sensing device
US10869018B2 (en) Optical imaging system for 3D image acquisition apparatus and 3D image acquisition apparatus including the optical imaging system
JP7148617B2 (ja) 構造体、光センサおよび画像表示装置
WO2015079662A1 (ja) 撮像素子
US10812738B2 (en) Electronic device configured to reduce light loss of possible light image and obtain distance information of an object
US20150331163A1 (en) Image capturing element and image capturing apparatus
KR102632442B1 (ko) 이미지 센서 및 전자 장치
CN111477692B (zh) 光电二极管和有机传感器以及电子装置
CN115461878A (zh) 光电转换膜、分散液、光检测元件及图像传感器
US10361241B2 (en) Dispersion material, photoelectric conversion device, and imaging unit
KR101907970B1 (ko) 광학물품 및 이를 포함하는 광학필터
JP7348283B2 (ja) 光検出素子、光検出素子の製造方法およびイメージセンサ
JP2007220941A (ja) 光電変換装置
CN115699337A (zh) 半导体膜、半导体膜的制造方法、光检测元件及图像传感器
CN115066757A (zh) 半导体膜、光检测元件、图像传感器及半导体膜的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20814093

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021522740

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217038143

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020814093

Country of ref document: EP

Effective date: 20220103