JP2009145395A - プリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】液浸露光プロセスに必要なレジスト保護膜形成用組成物の消費量を削減することができるレジスト保護膜用プリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布し、レジスト保護膜を形成する前に、前記レジスト膜上に塗布又は散布される溶剤であるプリウェット剤として、アルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤を用いる。アルコール系溶剤としては4−メチル−2−ペンタノールが特に好ましく、エーテル系溶剤としてはジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、1,8−シネオールが特に好ましい。
【選択図】なし
【解決手段】レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布し、レジスト保護膜を形成する前に、前記レジスト膜上に塗布又は散布される溶剤であるプリウェット剤として、アルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤を用いる。アルコール系溶剤としては4−メチル−2−ペンタノールが特に好ましく、エーテル系溶剤としてはジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、1,8−シネオールが特に好ましい。
【選択図】なし
Description
本発明は、液浸露光プロセスに利用可能なプリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法に関する。
近年、新たなリソグラフィー技術として、液浸露光プロセスが報告されている(非特許文献1〜3参照)。この液浸露光プロセスによれば、従来の露光光路空間を、いわゆる液浸露光用液体(例えば、純水やフッ素系不活性液体等)で置換することにより、同じ露光波長の光源を用いても、より高解像度で、かつ、焦点深度にも優れるホトレジストパターンを形成することができる(特許文献1〜3参照)。
上述のような液浸露光プロセスにおいては、露光時にレジスト膜が直接に屈折率液体(浸漬液)に接触するので、レジスト膜は液体による侵襲を受けることになる。このため、レジスト膜上にレジスト保護膜を形成する必要がある。
現在、レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布する方法としては、回転塗布法(スピンコーティング法)が主流となっている。この回転塗布法では、基板を高速で回転させながらレジスト膜の中心部にレジスト保護膜形成用組成物を滴下し、遠心力によってレジスト保護膜形成用組成物をレジスト膜全体に拡散させる。その後、レジスト保護膜形成用組成物の滴下を停止し、基板の回転を継続することにより余分なレジスト保護膜形成用組成物を振り切って膜厚を整えるとともに、乾燥を行う。
この回転塗布法では、基板を回転させたときの遠心力によってレジスト保護膜形成用組成物を拡散させていたため、基板の外周部から相当量のレジスト保護膜形成用組成物が飛散し、結果としてレジスト保護膜形成用組成物の消費量が多くなってしまう。このため、製造コストの削減等の観点から、レジスト保護膜形成用組成物の消費量を削減する方法が望まれている。
「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー B(Journal of Vacuum Science & Technology B)」、(米国)、1999年、第17巻、6号、3306−3309頁 「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー B(Journal of Vacuum Science & Technology B)」、(米国)、2001年、第19巻、6号、2353−2356頁 「プロシーディングス・オブ・エスピーアイイー(Proceedings of SPIE)」、(米国)、2002年、第4691巻、459−465頁 国際公開第2004/068242号パンフレット
国際公開第2004/074937号パンフレット
特開2005−264131号公報
特開平7−320999号公報
特開2004−39828号公報
「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー B(Journal of Vacuum Science & Technology B)」、(米国)、1999年、第17巻、6号、3306−3309頁 「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー B(Journal of Vacuum Science & Technology B)」、(米国)、2001年、第19巻、6号、2353−2356頁 「プロシーディングス・オブ・エスピーアイイー(Proceedings of SPIE)」、(米国)、2002年、第4691巻、459−465頁
レジスト組成物を基板に塗布する際にも同様の問題が生じており、レジスト組成物の消費量を削減するために、レジスト組成物の塗布前に基板上にプリウェット剤を塗布又は散布しておき、レジスト組成物の拡散を容易にする方法(プリウェット方法)が提案されている(特許文献4、5)。このプリウェット剤としては、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)、PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)、EL(乳酸エチル)等が使用されている。
しかし、レジスト保護膜形成用組成物の消費量を削減するために、これらのプリウェット剤をレジスト膜上に塗布又は散布すると、レジスト膜がプリウェット剤に溶解してしまう。このため、これらのプリウェット剤をレジスト保護膜形成用組成物の消費量削減のために転用することはできない。
本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、液浸露光プロセスに必要なレジスト保護膜形成用組成物の消費量を削減することができるプリウェット剤、及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、特定の溶剤をプリウェット剤として用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的に本発明は以下のようなものを提供する。
本発明の第一の態様は、レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布し、レジスト保護膜を形成する前に、前記レジスト膜上に塗布又は散布される溶剤であるプリウェット剤であって、前記プリウェット剤がアルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤であることを特徴とするプリウェット剤である。
本発明の第二の態様は、レジスト膜上に本発明の第一の態様のプリウェット剤を塗布又は散布する工程と、前記プリウェット剤を塗布した前記レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布する工程と、を有することを特徴とするレジスト保護膜形成方法である。
本発明によれば、液浸露光プロセスにおいて、レジスト保護膜形成用組成物の消費量を削減することができる。
本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨を限定するものではない。
<プリウェット剤>
本発明のプリウェット剤は、アルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤であり、レジスト膜上にレジスト保護膜を形成する前に、レジスト膜上に塗布又は散布される。
本発明のプリウェット剤は、アルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤であり、レジスト膜上にレジスト保護膜を形成する前に、レジスト膜上に塗布又は散布される。
レジスト保護膜形成用組成物をアルコール系溶剤で調製した場合には、プリウェット剤はアルコール系溶剤であることが好ましい。これに対し、レジスト保護膜形成用組成物をエーテル系溶剤で調製した場合には、プリウェット剤はエーテル系溶剤であることが好ましい。
レジスト保護膜形成用組成物をアルコール系溶剤及びエーテル系溶剤で調製した場合には、プリウェット剤はアルコール系溶剤とエーテル系溶剤の混合溶剤であることが好ましい。
<<アルコール系溶剤>>
アルコール系溶剤としては、特に限定されないが、以下の一般式(1)で表される構造を有するものを好ましく用いることができる。
アルコール系溶剤としては、特に限定されないが、以下の一般式(1)で表される構造を有するものを好ましく用いることができる。
R1の炭素数は4以上であることが好ましい。炭素数が4以上であるとレジスト膜を溶解しにくくなる傾向がある。なお、溶剤としての取扱い性の観点から、炭素数は20以下、特には10以下のものであることが好ましい。
式(1)で表されるアルコールとしては、例えば1−ヘキサノール、1−ペンタノール、1−ヘプタノール、1−オクタノール、2−メチルブタノール、3−メチルペンタノール、3−メチルヘキサノール、3−エチルヘキサノール、イソブタノール、3−メチルブタノール、4−メチルペンタノール等の第一アルコール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、2−ブタノール、3−ヘキサノール、4−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、2−メチル−4−ヘキサノール、2−メチル−3−ヘキサノール、2−メチル−4−ヘプタノール等の第二アルコール、2−メチル−2−ブタノール、2−メチル−2−プロパノール、2−メチル−2−ペンタノール等の第三アルコールが挙げられる。これらの中でも、特に第二アルコールが好ましい。
当該アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基は特に限定されないが、例えば、ハロゲン元素、またはハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
これらのアルコール溶剤の中でも、特に1−ヘキサノール、イソブタノール、4−メチル−2−ペンタノールが好ましく、4−メチル−2−ペンタノールが最も好ましい。
<<エーテル系溶剤>>
エーテル系溶剤としては、特に限定されないが、例えば以下の一般式(2)で表される構造を有するものを好ましく用いることができる。
エーテル系溶剤としては、特に限定されないが、例えば以下の一般式(2)で表される構造を有するものを好ましく用いることができる。
R2、R3の炭素数は4以上が好ましい。炭素数が4以上であるとレジスト膜を溶解しにくくなる傾向がある。なお、溶剤としての取扱い性の観点から、炭素数は20以下、特には15以下のものであることが好ましい。
式(2)で表されるエーテルとしては、例えば、エチルメチルエーテル、ブチルプロピルエーテル、ブチルペンチルエーテル、ジブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジペンチルエーテル、メトキシ−2−メチルブタン、エトキシ−2−メチルブタン、メトキシ−2−メチルペンタン、2−メチルブトキシ−2−メチルペンタン、3−メチルブトキシ−2−メチルヘキサン、エチルイソアミルエーテル、プロピルイソアミルエーテル、ブチルイソアミルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソヘキシルエーテル等が挙げられる。
R2、R3は互いに結合し、環構造を形成してもよい。R2、R3が環構造を形成しているエーテル系溶剤としては、例えば1,8−シネオール、1,4−シネオール等が挙げられる。
当該アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基は特に限定されないが、例えば、フルオロ基が挙げられる。置換基を有するエーテルとして例えばハイドロフルオロエーテル等が挙げられる。
これらのエーテル系溶剤の中でも、特にジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、1,8−シネオールが好ましい。
<レジスト膜>
レジスト膜形成のためのレジスト組成物は、特に限定されるものでなく、ネガ型及びポジ型ホトレジストを含めて、アルカリ水溶液で現像可能なホトレジスト組成物を任意に使用できる。
レジスト膜形成のためのレジスト組成物は、特に限定されるものでなく、ネガ型及びポジ型ホトレジストを含めて、アルカリ水溶液で現像可能なホトレジスト組成物を任意に使用できる。
このようなホトレジスト組成物としては、(i)ナフトキノンジアジド化合物及びノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジスト組成物、(ii)露光により酸を発生する酸発生剤、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物、及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト組成物、(iii)露光により酸を発生する酸発生剤、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト組成物、並びに(iv)露光により酸を発生する酸発生剤、架橋剤、及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジスト組成物、等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
<レジスト保護膜形成方法>
本発明のレジスト保護膜形成方法は、レジスト膜上に本発明のプリウェット剤を塗布又は散布する工程と、前記プリウェット剤を塗布した前記レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布する工程と、を有することを特徴とする。
本発明のレジスト保護膜形成方法は、レジスト膜上に本発明のプリウェット剤を塗布又は散布する工程と、前記プリウェット剤を塗布した前記レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布する工程と、を有することを特徴とする。
塗布とは、レジスト膜表面にプリウェット剤を塗りつけることをいう。プリウェット剤をレジスト膜表面に塗りつける方法として、例えば回転塗布等が挙げられる。
回転塗布では、先ず、レジスト膜が形成された基板を1000rpm程度の回転速度で回転させて基板の温度を均一しておく。
次いで、温度を均一にするために回転させている基板の回転を停止する。そして、基板の略中心にプリウェット剤を滴下した後、ウエハを1000rpm以下の所定の回転速度で回転させる。これにより、プリウェット剤は遠心力によって基板全体に拡散する。
散布とは、プリウェット剤をレジスト膜上に塗りつけることなく拡げることをいう。例えば、プリウェット剤を霧状にして、スプレーを用いてレジスト膜上に噴霧することによりレジスト膜上にプリウェット剤を拡げる方法等が挙げられる。
レジスト膜上にプリウェット剤を塗布又は散布した後、レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を回転塗布する。
先ず、基板の回転速度を所定値まで上昇させて基板の略中心にレジスト保護膜形成用組成物を滴下し、遠心力によってレジスト膜上全体に拡散させる。このとき、プリウェット剤が基板表面に塗布されているため、濡れ性が向上し、少量のレジスト液であってもレジスト膜全体に拡散させることができる。レジスト保護膜形成用組成物を塗布する際の回転速度は、200mmの基板の場合には2000〜6000rpm、300mmの基板の場合には1000〜4000rpmであることが好ましい。
次いで、レジスト保護膜形成用組成物の滴下を停止し、基板の回転速度を所定値まで減速させて、レジスト保護膜の膜厚を調整する。この際の回転速度は、50〜1000rpmが好ましい。なお、この工程は必須なものではなく、必要に応じて行われる。
次いで、基板の回転速度を再び上昇させ、余分なレジスト保護膜形成用組成物を振り切る。この際の回転速度は、200mmの基板の場合には1500〜4000rpm、300mmの基板の場合には1000〜3000rpmであることが好ましい。
その後、基板の回転を継続させたまま、レジスト保護膜の乾燥を行う。この際の回転速度は、200mm基板の場合には1000〜2000rpm、300mm基板の場合には500〜1500rpmであることが好ましい。
実施例1から6及び比較例1から3に示す溶剤をプリウェット剤として用いた場合に、レジスト膜が受ける侵襲の程度を評価した。
実施例1:イソブタノール
実施例2:1−ヘキサノール
実施例3:4−メチル−2−ペンタノール
実施例4:ジブチルエーテル
実施例5:ジイソアミルエーテル
実施例6:1,8−シネオール
比較例1:PGMEA
比較例2:PGME
比較例3:EL
実施例1:イソブタノール
実施例2:1−ヘキサノール
実施例3:4−メチル−2−ペンタノール
実施例4:ジブチルエーテル
実施例5:ジイソアミルエーテル
実施例6:1,8−シネオール
比較例1:PGMEA
比較例2:PGME
比較例3:EL
<レジスト膜が受ける侵襲の程度の評価>
下記の樹脂成分、光酸発生剤、酸失活剤を下記溶剤に溶解し、レジスト組成物を調製した。
下記の樹脂成分、光酸発生剤、酸失活剤を下記溶剤に溶解し、レジスト組成物を調製した。
樹脂成分:下記一般式(3)で表される重合体(Mw=10000)・・・100質量部
(一般式(3)中、Rはメチル基又は水素原子である。モル分率はl/n/m=2/4/4である。)
光酸発生剤:1)下記式の化合物・・・2.0質量部
2)下記式の化合物・・・0.8質量部
酸失活剤:1)トリエタノールアミン 0.25質量%
2)γ−ブチロラクトン 25.0質量%
溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:プロピレングリコールモノメチルエーテル=6:4(質量比)の混合溶剤
光酸発生剤:1)下記式の化合物・・・2.0質量部
2)γ−ブチロラクトン 25.0質量%
溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:プロピレングリコールモノメチルエーテル=6:4(質量比)の混合溶剤
上記樹脂について、上記一般式(3)中のRが水素原子である割合が0%、20%、40%、60%、80%の5種類の樹脂を用いてレジスト組成物を調製した。
このレジスト組成物を基板上にスピンコーターを用いて塗布した後、乾燥させて膜厚0.1μmのレジスト膜を得た。
このレジスト膜上に、実施例又は比較例のプリウェット剤を滴下し回転塗布した。塗布は、「Act−8」(製品名:東京エレクトロン社製)を用いて行い、回転速度0rpmで100mlのプリウェット剤を盛り、30秒間浸漬後、2000rpmでスピンドライする条件で行った。その後レジスト膜の膜厚の減少量を測定した(表1)。
表1から分かるように、比較例1から3の溶剤は、レジスト膜をほとんど溶解してしまうため、レジスト膜上に塗布するプリウェット剤として用いることはできない。実施例1から6の溶剤は、レジスト膜をほとんど溶解しないため、レジスト膜に塗布するプリウェット剤として好ましく使用することができる。
[レジスト保護膜形成用組成物消費量の削減効果]
レジスト膜に塗布するプリウェット剤として使用可能な実施例1から4のプリウェット剤について、レジスト保護膜形成用組成物の消費量の削減効果を評価した。
レジスト膜に塗布するプリウェット剤として使用可能な実施例1から4のプリウェット剤について、レジスト保護膜形成用組成物の消費量の削減効果を評価した。
先ず、300mmのシリコンウエハ上に形成したレジスト膜(製品名:TARF−P6111(東京応化工業社製))上に、上記実施例1から4に示すプリウェット剤を滴下し、回転塗布した。塗布は、「Lithius−i」(製品名:東京エレクトロン社製)を用いて、滴下時間:1秒、滴下速度:1mL/秒、滴下後回転速度:2000rpmの条件で行った。次いで、基板上に下記レジスト保護膜形成用組成物を滴下し、回転塗布した。塗布は、滴下速度:1mL/秒、滴下時回転速度:2000rpmの条件で行った。なお、比較例4については、プリウェット剤の塗布を行わず、下記レジスト保護膜形成用組成物のみを塗布した。そして、レジスト膜全面を覆うのに必要な最小のレジスト保護膜形成用組成物の消費量を測定した。結果を表2に示す。
(レジスト保護膜形成用組成物)
下記式で示すポリマー(Mw=4200、Mw/Mn=1.45)を下記式で示す溶剤に溶解し、樹脂濃度が2.5質量%になるように調整したものを用いた。
ポリマー:下記式で表されるポリマー
溶剤:ジイソアミルエーテル/4−メチル−2−ペンタノール(80/20:質量比)
下記式で示すポリマー(Mw=4200、Mw/Mn=1.45)を下記式で示す溶剤に溶解し、樹脂濃度が2.5質量%になるように調整したものを用いた。
ポリマー:下記式で表されるポリマー
表2から分かるように、本発明のプリウェット剤を、レジスト保護膜形成用組成物の塗布前にレジスト膜上に塗布すると、レジスト保護膜形成用組成物の消費量を大幅に削減することができる。
Claims (7)
- レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布し、レジスト保護膜を形成する前に、前記レジスト膜上に塗布又は散布される溶剤であるプリウェット剤であって、
前記プリウェット剤がアルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤であることを特徴とするプリウェット剤。 - 前記アルコール系溶剤が、分岐状のアルキル基を有する第2アルコールであることを特徴とする請求項2に記載のプリウェット剤。
- 前記アルコール系溶剤が、4−メチル−2−ペンタノールであることを特徴とする請求項3に記載のプリウェット剤。
- 前記エーテル系溶剤が、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、又は1,8−シネオールであることを特徴とする請求項5に記載のプリウェット剤。
- レジスト膜上に請求項1から6のいずれかに記載のプリウェット剤を塗布又は散布する工程と、
前記プリウェット剤を塗布した前記レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布する工程と、を有することを特徴とするレジスト保護膜形成方法。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011095484A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2013073124A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Jsr Corp | 液浸上層膜形成用組成物 |
JP2015530233A (ja) * | 2012-08-07 | 2015-10-15 | ビーエーエスエフ コーティングス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングBASF Coatings GmbH | 色および/または効果を与える多層塗膜の製造方法 |
WO2017158914A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、硬化膜、光学センサおよび膜の製造方法 |
WO2017169569A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用組成物の製造方法、パターン形成方法、および、電子デバイスの製造方法 |
WO2019054281A1 (ja) | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、積層体、赤外線透過フィルタ、固体撮像素子および赤外線センサ |
WO2020059509A1 (ja) | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、硬化膜、赤外線透過フィルタ、積層体、固体撮像素子、センサ、及び、パターン形成方法 |
WO2020241535A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 光センサおよびセンシング装置 |
WO2020262270A1 (ja) | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜および光センサ |
WO2021039205A1 (ja) | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、パターン形成方法、積層体、固体撮像素子、赤外線センサ、画像表示装置、カメラモジュール、及び、化合物 |
WO2021039253A1 (ja) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、並びに、センサモジュール |
WO2021199748A1 (ja) | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜及び光センサ |
WO2022130773A1 (ja) | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
WO2022131191A1 (ja) | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
WO2022196599A1 (ja) | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 富士フイルム株式会社 | 膜および光センサ |
WO2023054142A1 (ja) | 2021-09-29 | 2023-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、樹脂、膜および光センサ |
-
2007
- 2007-12-11 JP JP2007319618A patent/JP2009145395A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011095484A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JPWO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-04 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP5234221B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-10 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
US8501389B2 (en) | 2010-03-23 | 2013-08-06 | Jsr Corporation | Upper layer-forming composition and resist patterning method |
KR101839631B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2018-03-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 상층막 형성용 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
JP2013073124A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Jsr Corp | 液浸上層膜形成用組成物 |
JP2015530233A (ja) * | 2012-08-07 | 2015-10-15 | ビーエーエスエフ コーティングス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングBASF Coatings GmbH | 色および/または効果を与える多層塗膜の製造方法 |
WO2017158914A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、硬化膜、光学センサおよび膜の製造方法 |
WO2017169569A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用組成物の製造方法、パターン形成方法、および、電子デバイスの製造方法 |
WO2019054281A1 (ja) | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、積層体、赤外線透過フィルタ、固体撮像素子および赤外線センサ |
WO2020059509A1 (ja) | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、硬化膜、赤外線透過フィルタ、積層体、固体撮像素子、センサ、及び、パターン形成方法 |
WO2020241535A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 光センサおよびセンシング装置 |
WO2020262270A1 (ja) | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜および光センサ |
WO2021039205A1 (ja) | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、パターン形成方法、積層体、固体撮像素子、赤外線センサ、画像表示装置、カメラモジュール、及び、化合物 |
WO2021039253A1 (ja) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、並びに、センサモジュール |
WO2021199748A1 (ja) | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜及び光センサ |
WO2022131191A1 (ja) | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
WO2022130773A1 (ja) | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
WO2022196599A1 (ja) | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 富士フイルム株式会社 | 膜および光センサ |
WO2023054142A1 (ja) | 2021-09-29 | 2023-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、樹脂、膜および光センサ |
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