JP6282058B2 - 有機溶剤現像液 - Google Patents
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Description
有機溶剤(S)が、金属化合物(W)と反応する官能基を持たない、有機溶剤現像液である。
塗布膜を位置選択的に露光する工程と、
露光された塗布膜中の非パターン部を第一の態様に係る有機溶剤現像液に溶解させてレジストパターンを現像しながら、レジストパターン上に含金属化合物からなる被膜を形成する工程と、を含む、レジストパターン形成方法である。
本発明に係る有機溶剤現像液は、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)が有機溶剤(S)に溶解しているものである。有機溶剤現像液に含まれる有機溶剤(S)は、金属化合物(W)と反応する官能基を持たない。以下、有機溶剤現像液に含まれる必須又は任意の成分について、順に説明する。
膜形成用材料は、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)(以下、金属化合物とも記す)を必須に含む。このような金属化合物(W)を含む膜形成用材料を基板の表面に塗布することで、基板表面で金属化合物(W)が大気中の水分等で加水分解され、水酸基を有する金属化合物が生成する。そして、水酸基を有する金属化合物間で脱水縮合が生じることで、金属化合物(W)に含まれる金属元素と同種の金属を含む金属酸化物の薄膜が、基板の表面に形成される。
Rm−nMXn・・・(1)
式(1)中、Mは、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ニオブ、ケイ素、ホウ素、ランタニド、イットリウム、バリウム、コバルト、鉄、ジルコニウム、及びタンタルからなる群より選択される金属原子である。Rは、炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基である。Xは、炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基、イソシアネート基、及びハロゲン原子からなる群より選択される基である。mは、金属原子Mの価数である。nは2以上m以下の整数である。
R4−nSiXn・・・(2)
式(2)中、Rは、炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基である。Xは、イソシアネート基、及びハロゲン原子からなる群より選択される基である。nは2以上4以下の整数である。一般式(2)において、Xはイソシアネート基であるのが好ましく、nは4であるのが好ましい。
有機溶剤現像液に含まれる有機溶剤(S)は、従来よりレジストパターンの現像に用いられている有機溶剤であって、金属化合物(W)と反応する官能基を持たないものであれば特に限定されない。金属化合物(W)と反応する官能基には、加水分解により水酸基を生成し得る基と直接反応する官能基と、加水分解により生じる水酸基と反応する官能基との双方が含まれる。金属化合物(W)と反応する官能基としては、例えば、ビニル基等の炭素−炭素二重結合を有する基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
有機溶剤現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。添加剤としては例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
以上説明した有機溶剤現像液を用いて、以下の方法に従ってレジストパターンを形成する。
具体的には、
基板上にフォトレジスト組成物を塗布して塗布膜を形成する工程と、
塗布膜を位置選択的に露光する工程と、
露光された塗布膜中の非パターン部を有機溶剤現像液に溶解させてレジストパターンを現像しながら、レジストパターン上に含金属化合物からなる被膜を形成する工程と、を含む方法によってレジストパターンが形成される。
レジスト組成物に含まれる(A)成分として、下記の構成単位から構成される樹脂を用いた。なお、各構成単位内に記載される数字は、各構成単位の樹脂に含まれる全構成単位に対するモル%を意味する。なお、下記の構成単位から構成される樹脂の質量平均分子量は7000であり、分散度は1.66であった。
レジスト組成物に含まれる(B)成分である光酸発生剤としては、下式の化合物を用いた。
レジスト組成物に含まれる(C)成分である溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)の含有量が90質量%であり、シクロヘキサンノン(CH)の含有量が10質量%である、PGMEAとCHとの混合溶剤を用いた。
レジスト組成物に含まれる(D)成分であるクエンチャーとしては、下式の化合物を用いた。
レジスト組成物に含まれる(E)成分である、有機カルボン酸としてはサリチル酸を用いた。
レジスト組成物に含まれる(F)成分である、含フッ素化合物としては、下記の構成単位から構成される樹脂を用いた。なお、各構成単位内に記載される数字は、各構成単位の樹脂に含まれる全構成単位に対するモル%を意味する。なお、下記の構成単位から構成される樹脂の質量平均分子量は23000であり、分散度は1.30であった。
膜厚82nm「ARC29A(ブリューワサイエンス社製)」の反射防止膜が形成されたシリコンウエハ上に、上記のフォトレジスト組成物をスピンナー塗布し、105℃で60秒間ベーク処理することにより、膜厚100nmのフォトレジスト膜を形成した。その後、得られたフォトレジスト膜に対し、露光装置(ニコン株式会社製、商品名「NSR−S302A」)を用いて、スペース幅130nm、ピッチ幅260nmのマスクを介して所定のパターンで露光を行い、95℃で60秒間加熱処理した。
現像液を、Si(NCO)4を含まない酢酸−n−ブチルに変更することの他は、実施例1と同様にしてラインアンドスペースパターンを得た。得られたラインアンドスペースパターンを、200℃で60秒間ベークした。ベーク前のラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡で観察したところ、ラインアンドスペースパターンの形状が実施例1で得たベーク前のラインアンドスペースパターンの形状と同等であることが確認された。他方、ベーク後のラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡で観察したところ、レジストパターンの熱変形によりラインアンドスペースパターンは熱だれを起こして矩形性を保っていなかった。
Claims (6)
- 加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)が有機溶剤(S)に溶解している有機溶剤現像液であって、
前記有機溶剤(S)が、前記金属化合物(W)と反応する官能基を持たず、水酸基を有する有機溶媒を含まない、有機溶剤現像液。 - 加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)(ただし、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の金属アルコキシド及びアルカリ金属カーボネートを除く。)が有機溶剤(S)に溶解している有機溶剤現像液であって、
前記有機溶剤(S)が、前記金属化合物(W)と反応する官能基を持たない、有機溶剤現像液。 - 前記金属化合物(W)が、ケイ素原子に結合するイソシアネート基を2つ以上有するケイ素化合物である、請求項1又は2に記載の有機溶剤現像液。
- 前記有機溶剤(S)のLogP値が3.5以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機溶剤現像液。
- 前記有機溶剤(S)が、N、O、S、及びPから選択される1以上のヘテロ原子を含む有機溶剤である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機溶剤現像液。
- 基板上にフォトレジスト組成物を塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を位置選択的に露光する工程と、
露光された前記塗布膜中の非パターン部を請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機溶剤現像液に溶解させてレジストパターンを現像しながら、前記レジストパターン上に含金属化合物からなる被膜を形成する工程と、を含む、レジストパターン形成方法。
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