JP2018041047A - オキソカーボン系化合物、樹脂組成物、および光選択透過フィルター - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂硬化物中で、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に複数の吸収ピークを示すオキソカーボン系化合物とこれを含む樹脂組成物、および波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の複数の波長域の光線をカットすることができる光選択透過フィルターを提供する。【解決手段】オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収ピークＸを有し、樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収ピークＺを有する樹脂組成物。オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する光吸収層を有し、光吸収層が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収ピークＺを有する光選択透過フィルター。【選択図】図１

Description

本発明は、オキソカーボン系化合物、オキソカーボン系化合物を含有する樹脂組成物、および光選択透過フィルターに関する。

携帯電話用カメラ、デジタルカメラ、車載用カメラ、ビデオカメラ、表示素子（ＬＥＤ等）等の撮像装置には、被写体の光を電気信号等に変換して出力する撮像素子が通常使用されている。このような撮像素子は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）等の検出素子（センサー）およびレンズを備えるとともに、高性能化のため、画像処理等の妨げとなる光学ノイズ（例えばゴーストやフレア）を除去するための近赤外線カットフィルターを備える場合がある。例えば特許文献１、２には、６６０〜７１０ｎｍの波長域に極大吸収波長を有するオキソカーボン系化合物（近赤外線吸収色素）を含有する近赤外線カットフィルターが開示されている。通常の可視光用の撮像素子の場合、７００ｎｍ前後の波長域に極大吸収波長を有する色素を含む光学フィルターを設けることで、光学特性の入射角度依存性が低減し、視野角度を改善することができる。

一方、撮像素子には、監視カメラ等、暗視下での撮影機能が求められるものがある。夜間などの暗視下での撮影は、人の目では見えない状態での撮影となるので、例えば、近赤外領域の光線を照射して、その反射光を撮像素子で受光することにより行う。また、可視光（昼光）下と暗視下の両方での撮影が求められる撮像素子もある。

特開２０１４−１４８５６７号公報 特開２０１４−０５９５５０号公報

暗視用の撮像素子においても、通常の可視光用の撮像素子と同様に、光学特性の入射角度依存性を低減することが求められるが、暗視用の撮像素子では、可視光用の近赤外線カットフィルター（例えば、７００ｎｍ前後の波長域に極大吸収波長を有するカットフィルター）を用いても入射角度依存性を低減することは難しく、例えば８００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長範囲内で所望の波長域の光線を吸収するカットフィルターを設ける必要がある。さらに、可視光用と暗視用の両方を兼ねる撮像素子の場合は、これら両方の撮影において光学特性の入射角依存性を低減することが好ましく、そのような撮像素子では、７００ｎｍ前後の波長域の光線をカットするともに８００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域の光線をカットするフィルター（マルチバンドフィルター）を備えることが望ましい。しかし、マルチバンドフィルターを近赤外線吸収色素によって実現する場合、通常は２種類以上の近赤外線吸収色素を混ぜて用いることにより近赤外領域（例えば６００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長範囲）の複数の波長域の光線をカットする必要があり、その場合、可視透過率が低下するなど、透過させたい波長域の光線透過率が低下する傾向となる。これに対して、１種類の近赤外線吸収色素によって近赤外領域の複数の波長域の光線をカットできれば、可視光透過率の低下も抑えられ、マルチバンドフィルターに好適に適用することができる。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂硬化物中で、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に複数の吸収ピークを示すオキソカーボン系化合物とこれを含む樹脂組成物、および波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の複数の波長域の光線をカットすることができる光選択透過フィルターを提供することにある。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］ オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを１つ以上有し、
前記樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを前記未硬化物よりも多く有することを特徴とする樹脂組成物。
［２］ オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＸを有し、
前記樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有することを特徴とする樹脂組成物。
［３］ 吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも１００ｎｍ以上大きい［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ 吸収ピークＸの極大吸収波長λ_Xと吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yとの差が５０ｎｍ以内である［２］または［３］に記載の樹脂組成物。
［５］ 吸収ピークＹは、極大吸収波長λ_Yでの透過率が２０％のとき、透過率５０％におけるピーク幅が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である［２］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ 吸収ピークＺは、極大吸収波長λ_Zでの透過率が２０％のとき、透過率５０％におけるピーク幅が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である［２］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ ［２］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物を硬化した光吸収層。
［８］ オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する光吸収層を有し、
前記光吸収層が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有することを特徴とする光選択透過フィルター。
［９］ 吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも１００ｎｍ以上大きい［８］に記載の光選択透過フィルター。
［１０］ 吸収ピークＺの吸収強度は吸収ピークＹの吸収強度の０．２倍以上２倍以下である［８］または［９］に記載の光選択透過フィルター。
［１１］ 吸収ピークＹおよび／または吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率が３０％以下であり、かつ波長４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲の平均透過率が８５％以上である［８］〜［１０］のいずれかに記載の光選択透過フィルター。
［１２］ 吸収ピークＹおよび吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率がともに５０％以下であり、かつ吸収ピークＹと吸収ピークＺの間に透過率が８０％以上となる透過帯を有する［８］〜［１１］のいずれかに記載の光選択透過フィルター。
［１３］ 下記式（１）または下記式（２）で表されることを特徴とするオキソカーボン系化合物。

［式（１）および式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立して、下記式（３）で表される基を表す。］

［式（３）中、
Ｒ⁵〜Ｒ⁸はそれぞれ独立して、水素原子、有機基または極性官能基を表し、
Ｒ⁹は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、
Ｒ¹⁰は、直鎖状または分岐状のアルキル基、または当該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−の一部が−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられた基を表し、
＊は式（１）中の４員環または式（２）中の５員環との結合部位を表す。］
［１４］ 前記Ｒ¹⁰は、下記式（４）で表される基を表す［１３］に記載のオキソカーボン系化合物。
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ¹¹ （４）
［式（４）中、Ｒ¹¹は、炭素数３〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。］
［１５］ ［８］〜［１２］のいずれかに記載の光選択透過フィルターを有することを特徴とする撮像素子。

本発明の樹脂組成物を用いれば、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲に複数の吸収ピークを示す光選択透過フィルターを形成することができる。このようにして得られた光選択透過フィルターは、可視光透過率を高く維持しつつ、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲に複数の吸収帯を有するマルチバンドフィルターへ適用することができる。

実施例１で作製した樹脂組成物の未硬化物と光選択透過フィルターの透過スペクトルを表す。 比較例１で作製した樹脂組成物の未硬化物と光選択透過フィルターの透過スペクトルを表す。

本発明は、オキソカーボン系化合物を含有する樹脂組成物と、当該樹脂組成物を硬化した光吸収層を有する光選択透過フィルターに関するものである。オキソカーボン系化合物には、スクアリリウム化合物やクロコニウム化合物のように赤色〜近赤外領域（例えば６００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲）に吸収ピークを有する化合物が知られている。当該化合物は、通常６００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲に大きな吸収を１つ示し、当該波長範囲の光線の透過をカットするとともに、可視光領域の広い範囲で高い光線透過率を示し、また８００ｎｍ以上の波長範囲においても高い光線透過率を示す。オキソカーボン系化合物は、このような光吸収特性を利用して、近赤外線カットフィルター等に用いられる。

一方、本発明者らが様々なオキソカーボン系化合物の光吸収特性を検討したところ、オキソカーボン系化合物の中には、溶液中または未硬化の樹脂組成物中で観測されない吸収ピークが、硬化した樹脂組成物中で新たに観測されものがあることが明らかになった。このようなオキソカーボン系化合物は、通常６００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲に大きな吸収を示す吸収ピークに加えて、それよりも長波長側にもう１つ大きな吸収ピークを示し、新たに発現した吸収ピーク以外に透過率の変化はほとんど見られないことが分かった。そのため、このようなオキソカーボン系化合物を含有する樹脂組成物、および当該樹脂組成物を硬化した光吸収層を有する光選択透過フィルターは、可視光透過率を高く維持しつつ、赤色〜近赤外領域（例えば６００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長範囲）に複数の吸収帯を有するマルチバンドフィルターへの適用が可能となる。

上記のように樹脂硬化物中でオキソカーボン系化合物の新たな吸収ピークが発現する理由は定かではないが、樹脂硬化物中でオキソカーボン系化合物どうしがＨ会合体、Ｊ会合体またはそれらに類似の会合体を形成したり、オキソカーボン系化合物どうしが相互作用することにより電荷移動錯体を形成したり、禁制遷移の活性化などの変化が起きているためと推測される。本発明ではこの現象を「特定状態」と称する。このような特定状態を示すオキソカーボン系化合物は、溶液中や未硬化の樹脂組成物中では自由に動くことができるため、オキソカーボン系化合物の単分子に由来する吸収ピークしか示さないのに対し、樹脂硬化物中ではオキソカーボン系化合物どうしの相互作用によって特定状態となることにより、オキソカーボン系化合物の吸収ピークが長波長シフトし、その結果、オキソカーボン系化合物の単分子に由来する吸収ピークに加えて特定状態に由来する吸収ピークが発現すると考えられる。

本発明は、このように樹脂硬化物中で新たな吸収ピークを発現するオキソカーボン系化合物を含有する樹脂組成物と、当該オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する光吸収層を有する光選択透過フィルターを提供する。

樹脂組成物および光吸収層に含まれる樹脂としては、公知の樹脂を用いることができる。樹脂組成物および光吸収層を構成する樹脂は、透明性が高い樹脂であることが好ましく、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、（メタ）アクリルウレタン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂）、シクロオレフィン系樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、スチレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド樹脂（例えば、ナイロン）、アラミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アルキド樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等）、ブチラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリスルホン樹脂、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂）、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル−スチレン共重合体）、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂（例えば、（メタ）アクリルシリコーン系樹脂、アルキルポリシロキサン系樹脂、シリコーンウレタン樹脂、シリコーンポリエステル樹脂、シリコーンアクリル樹脂等）、フッ素系樹脂（例えば、フッ素化芳香族ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化ポリアリールエーテルケトン（ＦＰＥＫ）、フッ素化ポリイミド（ＦＰＩ）、フッ素化ポリアミド酸（ＦＰＡＡ）、フッ素化ポリエーテルニトリル（ＦＰＥＮ）等）等が挙げられる。これらの中でも、耐光性に優れる点から、（メタ）アクリル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、フッ素化芳香族ポリマーが好ましい。

（メタ）アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸またはその誘導体由来の繰り返し単位を有する重合体であり、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等の（メタ）アクリル酸エステル由来の繰り返し単位を有する樹脂が好ましく用いられる。（メタ）アクリル系樹脂は主鎖に環構造を有するものも好ましく、例えば、ラクトン環構造、無水グルタル酸構造、グルタルイミド構造、無水マレイン酸構造、マレイミド環構造等のカルボニル基含有環構造；オキセタン環構造、アゼチジン環構造、テトラヒドロフラン環構造、ピロリジン環構造、テトラヒドロピラン環構造、ピペリジン環構造等のカルボニル基非含有環構造が挙げられる。なお、カルボニル基含有環構造には、イミド基などのカルボニル基誘導体基を含有する構造も含む。カルボニル基含有環構造を有する（メタ）アクリル系樹脂は、例えば、特開２００４−１６８８８２号公報、特開２００８−１７９６７７号公報、国際公開第２００５／５４３１１号、特開２００７−３１５３７号公報等に記載されたものを用いることができる。

シクロオレフィン系樹脂は、モノマー成分の少なくとも一部としてシクロオレフィンを用い、これを重合して得られる重合体であり、主鎖の一部に脂環構造を有するものであれば特に限定されない。シクロオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリプラスチック社製のトパス（登録商標）、三井化学社製のアペル（登録商標）、日本ゼオン社製のゼオネックス（登録商標）およびゼオノア（登録商標）、ＪＳＲ社製のアートン（登録商標）等を用いることができる。

ポリイミド樹脂は、主鎖の繰り返し単位にイミド結合を含む重合体であり、例えば、テトラカルボン酸２無水物とジアミンとを重合させてポリアミド酸を得て、これを脱水・環化（イミド化）させることにより製造することができる。ポリイミド樹脂としては、芳香族環がイミド結合で連結された芳香族ポリイミドを用いることが好ましい。ポリイミド樹脂は、例えば、デュポン社製のカプトン（登録商標）、三井化学社製のオーラム（登録商標）、サンゴバン社製のメルディン（登録商標）、東レプラスチック精工社製のＴＰＳ（登録商標）ＴＩ３０００シリーズ等を用いることができる。

ポリアミドイミド樹脂は、主鎖の繰り返し単位にアミド結合とイミド結合を含む重合体である。ポリアミドイミド樹脂は、例えば、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のトーロン（登録商標）、東洋紡社製のバイロマックス（登録商標）、東レプラスチック精工社製のＴＰＳ（登録商標）ＴＩ５０００シリーズ等を用いることができる。

エポキシ樹脂は、エポキシ化合物（プレポリマー）を硬化剤や硬化触媒の存在下で架橋することで硬化可能な樹脂である。エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、水添エポキシ化合物等が挙げられ、例えば、大阪ガスケミカル社製のフルオレンエポキシ（オグソール（登録商標）ＰＧ−１００）、三菱化学社製のビスフェノールＡ型エポキシ化合物（ＪＥＲ（登録商標）８２８ＥＬ）や水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（ＪＥＲ（登録商標）ＹＸ８０００）、ダイセル社製の脂環式液状エポキシ化合物（セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ）等を用いることができる。

ポリスルホン樹脂は、芳香族環とスルホニル基（−ＳＯ₂−）と酸素原子とを含む繰り返し単位を有する重合体である。ポリスルホン樹脂は、例えば、住友化学社製のスミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ３６００ＰやＰＥＳ４１００Ｐ、ソルベイスペシャルティポリマーズ社製のＵＤＥＬ（登録商標）Ｐ−１７００等を用いることができる。

フッ素化芳香族ポリマーは、１以上のフッ素原子を有する芳香族環と、エーテル結合、ケトン結合、スルホン結合、アミド結合、イミド結合およびエステル結合よりなる群から選ばれる少なくとも１つの結合とを含む繰り返し単位を有する重合体であり、これらの中でも、１以上のフッ素原子を有する芳香族環とエーテル結合とを含む繰り返し単位を必須的に含む重合体であることが好ましい。フッ素化芳香族ポリマーは、例えば、特開２００８−１８１１２１号公報に記載されたものを用いることができる。

樹脂組成物や光吸収層を構成する樹脂はガラス転移温度（Ｔｇ）が高いことが好ましく、これにより、樹脂組成物を硬化して得られる光吸収層の耐熱性を高めることができる。樹脂のガラス転移温度は、例えば、１１０℃以上が好ましく、１２０℃以上がより好ましく、１３０℃以上がさらに好ましい。前記樹脂のガラス転移温度の上限は特に限定されないが、光吸収層を形成する際の成形加工性を高める点から、例えば３８０℃以下が好ましい。

樹脂組成物や光吸収層に含まれるオキソカーボン系化合物は、炭素酸化物を基本骨格として含む化合物であれば特に限定されないが、赤色〜近赤外領域に吸収波長を有し、可視光領域の透過率が比較的高い化合物として広く知られているスクアリリウム化合物またはクロコニウム化合物を用いることが好ましい。オキソカーボン系化合物は、スクアリリウム化合物であってもよいし、クロコニウム化合物であってもよいし、両者が含まれていてもよい。なおオキソカーボン系化合物としては、分子の平面性がより高いスクアリリウム化合物の方が、特定状態の形成容易性の点から好ましい。樹脂組成物や光吸収層に含まれるオキソカーボン系化合物は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。

スクアリリウム化合物としては、下記式（１）で表されるスクアリリウム骨格を有する化合物が具体的に示され、クロコニウム化合物としては、下記式（２）で表されるクロコニウム骨格を有する化合物が具体的に示される。下記式（１）および式（２）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立して有機基を表す。なお、スクアリリウム化合物やクロコニウム化合物には、共鳴関係にある化合物が存在している場合があり、下記式（１）で表されるスクアリリウム化合物や下記式（２）で表されるクロコニウムには、これら全ての共鳴関係にある化合物が含まれる。

スクアリリウム化合物は、上記式（１）において、Ｒ¹とＲ²の少なくとも一方が、スクアリリウム骨格とπ共役系で繋がった、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、芳香族複素環、またはこれらの環構造を含む縮合環を表すものが好ましい。クロコニウム化合物は、上記式（２）において、Ｒ³とＲ⁴の少なくとも一方が、クロコニウム骨格とπ共役系で繋がった、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、芳香族複素環、またはこれらの環構造を含む縮合環を表すものが好ましい。このようなスクアリリウム化合物またはクロコニウム化合物を用いることにより、π共役系がスクアリリウム骨格またはクロコニウム骨格から芳香族炭化水素環や芳香族複素環にかけて広がって、近赤外領域の光の透過を選択的にカットしやすくなる。より好ましくは、上記式（１）において、Ｒ¹とＲ²の両方が、スクアリリウム骨格とπ共役系で繋がった、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、芳香族複素環、またはこれらの環構造を含む縮合環を表し、上記式（２）において、Ｒ³とＲ⁴の両方が、クロコニウム骨格とπ共役系で繋がった、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、芳香族複素環、またはこれらの環構造を含む縮合環を表す。

芳香族炭化水素環としては、炭素数６〜１４のものが挙げられ、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、フルオランテン環、シクロテトラデカヘプタエン環等が挙げられる。中でも、置換基を有していてもよい５員または６員の芳香族炭化水素環が好ましい。

芳香族複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員または６員の単環性芳香族複素環、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族複素環等が挙げられ、具体的には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、プリン環、プテリジン環等が挙げられる。中でも、置換基を有していてもよい５員または６員の芳香族複素環が好ましい。

芳香族炭化水素環と芳香族複素環を含む縮合環としては、例えば、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、ベンゾピラン環、アクリジン環、キサンテン環、カルバゾール環等が挙げられる。

芳香族炭化水素環、芳香族複素環、またはこれらの環構造を含む縮合環は、スクアリリウム骨格またはクロコニウム骨格と直接結合していてもよく、π共役系を有する連結基を介してスクアリリウム骨格またはクロコニウム骨格と結合していてもよい。いずれの場合も、スクアリリウム骨格またはクロコニウム骨格からこれらの環構造にかけてπ共役系が広がるように構成されていればよい。π共役を有する連結基としては、例えば、−ＣＲ^a1＝、−（ＣＲ^a2＝ＣＲ^a3）_h−（式中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、水素原子、有機基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^a2とＲ^a3は互いに繋がって環を形成していてもよく、ｈは１以上の整数を表す）で表される基が示される。Ｒ^a1〜Ｒ^a3の有機基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。

芳香族炭化水素環、芳香族複素環、またはこれらの環構造を含む縮合環が有していてもよい置換基の種類は特に限定されず、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオオキシ基（アルキルチオ基）、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオオキシ基（アリールチオ基）、アリールオキシカルボニル基、アリールスルホニル基、アリールスルフィニル基、ヘテロアリール基、アミド基、スルホンアミド基、カルボキシ基（カルボン酸基）、シアノ基、ハロゲノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホ基（スルホン酸基）等が挙げられる。

オキソカーボン系化合物は、上記式（１）および式（２）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴がそれぞれ独立して、下記式（３）で示される基であるものが好ましい。式（３）中、Ｒ⁵〜Ｒ⁸はそれぞれ独立して、水素原子、有機基または極性官能基を表し、Ｒ⁹は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ¹⁰は、直鎖状または分岐状のアルキル基、または当該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−の一部が−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられた基を表し、＊は式（１）中の４員環または式（２）中の５員環との結合部位を表す。

オキソカーボン系化合物が上記式（３）で示される基を有していれば、オキソカーボン系化合物が特定状態をとりやすくなり、溶液中または未硬化の樹脂組成物中では観測されない吸収ピークが、樹脂硬化物中で新たに観測されやすくなる。そしてオキソカーボン系化合物が特定状態をとる結果、オキソカーボン系化合物の吸収ピークが単分子のものよりも長波長シフトすると考えられる。

式（３）で示される基を有するオキソカーボン系化合物としては、例えば下記に示す化合物が示される。

式（３）のＲ⁵〜Ｒ⁸の有機基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオオキシ基（アルキルチオ基）、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオオキシ基（アリールチオ基）、アリールオキシカルボニル基、アリールスルホニル基、アリールスルフィニル基、ヘテロアリール基、アミド基、スルホンアミド基、カルボキシ基（カルボン酸基）、シアノ基等が挙げられる。式（１）のＲ⁵〜Ｒ⁸の極性官能基としては、ハロゲノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホ基（スルホン酸基）等が挙げられる。

前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等の直鎖状または分岐状のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基等の脂環式アルキル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は１〜２０が好ましく、具体的には、直鎖状または分岐状のアルキル基であれば炭素数１〜２０が好ましく、より好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜４であり、脂環式のアルキル基であれば炭素数４〜１０が好ましく、５〜８がより好ましい。前記アルキル基は置換基を有していてもよく、アルキル基が有する置換基としては、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、スルホ基等が挙げられる。ハロゲノ基を有するアルキル基としては、モノハロゲノアルキル基、ジハロゲノアルキル基、トリハロメチル単位を有するアルキル基、パーハロゲノアルキル基等が挙げられる。ハロゲノ基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が好ましく、特にフッ素原子が好ましい。

前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、１〜２０が好ましく、より好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜４である。前記アルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状であってもよく分岐状であってもよい。

前記アルキルチオオキシ基（アルキルチオ基）としては、例えば、メチルチオオキシ基（メチルチオ基）、エチルチオオキシ基（エチルチオ基）、プロピルチオオキシ基（プロピルチオ基）、ブチルチオオキシ基（ブチルチオ基）、ペンチルチオオキシ基（ペンチルチオ基）、ヘキシルチオオキシ基（ヘキシルチオ基）、ヘプチルチオオキシ基（ヘプチルチオ基）、オクチルチオオキシ基（オクチルチオ基）、ノニルチオオキシ基（ノニルチオ基）、デシルチオオキシ基（デシルチオ基）、ウンデシルチオオキシ基（ウンデシルチオ基）、ドデシルチオオキシ基（ドデシルチオ基）、トリデシルチオオキシ基（トリデシルチオ基）、テトラデシルチオオキシ基（テトラデシルチオ基）、ペンタデシルチオオキシ基（ペンタデシルチオ基）、ヘキサデシルチオオキシ基（ヘキサデシルチオ基）、ヘプタデシルチオオキシ基（ヘプタデシルチオ基）、オクタデシルチオオキシ基（オクタデシルチオ基）、ノナデシルチオオキシ基（ノナデシルチオ基）、イコシルチオオキシ基（イコシルチオ基）等が挙げられる。アルキルチオオキシ基の炭素数は、１〜２０が好ましく、より好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜４である。前記アルキルチオオキシ基中のアルキル基は、直鎖状であってもよいし分岐状であってもよい。

前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル基等の無置換アルコキシカルボニル基の他、トリフルオロメチルオキシカルボニル基等の置換アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで置換基としては、ハロゲノ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、より好ましくは２〜１０であり、さらに好ましくは２〜４である。前記アルコキシカルボニル基中のアルキル基は、直鎖状であってもよく分岐状であってもよい。

前記アルキルスルホニル基としては、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ヘキシルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、オクチルスルホニル基、メトキシメチルスルホニル基、シアノメチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基の置換または無置換のアルキルスルホニル基等が挙げられる。アルキルスルホニル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、より好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜４である。前記アルキルスルホニル基中のアルキル基は、直鎖状であってもよく分岐状であってもよい。

前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、インデニル基、アズレニル基、フルオレニル基、ターフェニル基、クオーターフェニル基、ペンタレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、インダセニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基等が挙げられる。アリール基の炭素数は、６〜２５が好ましく、より好ましくは６〜１５である。前記アリール基は置換基を有していてもよく、アリール基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ヘテロアリール基、ハロゲノ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、チオシアネート基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基等が挙げられる。前記アリール基は、ヘテロアリール基と縮環していてもよい。

前記アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基等が挙げられる。前記アラルキル基は置換基を有していてもよく、アラルキル基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲノ基、シアノ基、ニトロ基、チオシアネート基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基等が挙げられる。アラルキル基の炭素数は、７〜２５が好ましく、より好ましくは７〜１５である。

前記アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、フェナントリルオキシ基、ピレニルオキシ基、インデニルオキシ基、アズレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、ターフェニルオキシ基、クオーターフェニルオキシ基、ペンタレニルオキシ基、ヘプタレニルオキシ基、ビフェニレニルオキシ基、インダセニルオキシ基、アセナフチレニルオキシ基、フェナレニルオキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基の炭素数は、６〜２５が好ましく、より好ましくは６〜１５である。

前記アリールチオオキシ基（アリールチオ基）としては、例えば、フェニルチオオキシ基、ビフェニルチオオキシ基、ナフチルチオオキシ基、アントリルチオオキシ基、フェナントリルチオオキシ基、ピレニルチオオキシ基、インデニルチオオキシ基、アズレニルチオオキシ基、フルオレニルチオオキシ基、ターフェニルチオオキシ基、クオーターフェニルチオオキシ基、ペンタレニルチオオキシ基、ヘプタレニルチオオキシ基、ビフェニレニルチオオキシ基、インダセニルチオオキシ基、アセナフチレニルチオオキシ基、フェナレニルチオオキシ基等が挙げられる。アリールチオオキシ基の炭素数は、６〜２５が好ましく、より好ましくは６〜１５である。

前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェノキシカルボニル基、４−ジメチルアミノフェニルオキシカルボニル基、４−ジエチルアミノフェニルオキシカルボニル基、２−クロロフェニルオキシカルボニル基、２−メチルフェニルオキシカルボニル基、２−メトキシフェニルオキシカルボニル基、２−ブトキシフェニルオキシカルボニル基、３−クロロフェニルオキシカルボニル基、３−トリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル基、３−シアノフェニルオキシカルボニル基、３−ニトロフェニルオキシカルボニル基、４−フルオロフェニルオキシカルボニル基、４−シアノフェニルオキシカルボニル基、４−メトキシフェニルオキシカルボニル基等の置換または無置換のフェニルオキシカルボニル基；１−ナフチルオキシカルボニル基、２−ナフチルオキシカルボニル基等の置換または無置換のナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。アリールオキシカルボニル基の炭素数は、７〜２５が好ましく、より好ましくは７〜１５である。

前記アリールスルホニル基としては、例えば、フェニルスルホニル基、１−ナフチルスルホニル基、２−ナフチルスルホニル基、２−クロロフェニルスルホニル基、２−メチルフェニルスルホニル基、２−メトキシフェニルスルホニル基、２−ブトキシフェニルスルホニル基、２−フルオロフェニルスルホニル基、３−メチルフェニルスルホニル基、３−クロロフェニルスルホニル基、３−トリフルオロメチルフェニルスルホニル基、３−シアノフェニルスルホニル基、３−ニトロフェニルスルホニル基、３−フルオロフェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、４−フルオロフェニルスルホニル基、４−シアノフェニルスルホニル基、４−メトキシフェニルスルホニル基、４−ジメチルアミノフェニルスルホニル基等の置換または無置換のフェニルスルホニル基；１−ナフチルスルホニル基、２−ナフチルスルホニル基等の置換または無置換のナフチルスルホニル基等が挙げられる。アリールスルホニル基の炭素数は、６〜２５が好ましく、より好ましくは６〜１５である。

前記アリールスルフィニル基としては、例えば、フェニルスルフィニル基、２−クロロフェニルスルフィニル基、２−メチルフェニルスルフィニル基、２−メトキシフェニルスルフィニル基、２−ブトキシフェニルスルフィニル基、２−フルオロフェニルスルフィニル基、３−メチルフェニルスルフィニル基、３−クロロフェニルスルフィニル基、３−トリフルオロメチルフェニルスルフィニル基、３−シアノフェニルスルフィニル基、３−ニトロフェニルスルフィニル基、４−メチルフェニルスルフィニル基、４−フルオロフェニルスルフィニル基、４−シアノフェニルスルフィニル基、４−メトキシフェニルスルフィニル基、４−ジメチルアミノフェニルスルフィニル基等の置換または無置換のフェニルスルフィニル基；１−ナフチルスルフィニル基、２−ナフチルスルフィニル基等の置換または無置換のナフチルスルフィニル基等が挙げられる。アリールスルフィニル基の炭素数は、６〜２５が好ましく、より好ましくは６〜１５である。

前記ヘテロアリール基としては、例えば、チエニル基、チオピラニル基、イソチオクロメニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラリジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フラニル基、ピラニル基等が挙げられる。ヘテロアリール基の炭素数は、２〜２０が好ましく、より好ましくは３〜１５である。前記ヘテロアリール基は置換基を有していてもよく、ヘテロアリール基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲノ基、水酸基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、チオシアネート基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基等が挙げられる。前記ヘテロアリール基は、アリール基と縮環していてもよい。

前記アミド基としては、式：−ＮＨＣＯＲ^b1で表され、Ｒ^b1がアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基であるもの等が挙げられる。アルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基としては上記に例示した置換基が具体的に挙げられ、水素原子の一部がハロゲン原子によって置換されていてもよい。

前記スルホンアミド基としては、式：−ＮＨＳＯ₂Ｒ^b2で表され、Ｒ^b2がアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基であるもの等が挙げられる。アルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基としては上記に例示した置換基が具体的に挙げられ、水素原子の一部がハロゲン原子によって置換されていてもよい。

前記ハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられる。

前記アミノ基としては、式：−ＮＲ^b3Ｒ^b4で表され、Ｒ^b3およびＲ^b4がそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基であるもの等が挙げられる。アルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基としては上記に例示した置換基が具体的に挙げられ、アルケニル基とアルキニル基としては、上記に例示したアルキル基の炭素−炭素単結合の一部が二重結合または三重結合に置き換わった置換基が挙げられ、これらの置換基は水素原子の一部がハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、Ｒ^b3とＲ^b4は互いに連結して環形成していてもよい。

式（３）のＲ⁵〜Ｒ⁸としては、上記の中でも、水素原子、炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基、炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルコキシ基、アミノ基または水酸基が好ましい。このようなオキソカーボン系化合物は製造が比較的容易であり、特定状態をとりやすくなる。また、Ｒ⁵〜Ｒ⁸を適宜選択することにより、オキソカーボン系化合物の最大吸収波長を所望の波長域に制御することができる。特に、オキソカーボン系化合物の製造容易性の点から、Ｒ⁵とＲ⁸は水素原子であることが好ましい。さらに、Ｒ⁶はアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましく、Ｒ⁷はアミノ基であることが好ましい。なお、Ｒ⁶のアルキル基またはアルコキシ基は、炭素数１〜３がより好ましく、炭素数１または２がさらに好ましい。

Ｒ⁷のアミノ基としては、下記式（５）で表されるアミノ基が好ましい。下記式（５）において、Ｒ¹²およびＲ¹³はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ¹²とＲ¹³は互いに連結して環形成していてもよい。Ｒ⁷にこのようなアミノ基が結合していれば、オキソカーボン系化合物の単分子に由来する吸収ピークが長波長側にシフトして、オキソカーボン系化合物を近赤外線カットフィルターの吸収色素として好適に用いやすくなる。
−ＮＲ¹²Ｒ¹³ （５）

上記式（５）のＲ¹²とＲ¹³の直鎖状または分岐状のアルキル基は、炭素数１〜３がより好ましく、炭素数１または２がさらに好ましい。Ｒ¹²とＲ¹³が互いに連結した環構造としては、炭素数２〜８の直鎖状アルキレン基の両末端が式（５）の窒素原子に結合した構造が挙げられ、当該炭素数は２〜６がより好ましく、２〜５がさらに好ましい。

式（３）のＲ⁹のアリール基またはヘテロアリール基としては、上記に説明した芳香族炭化水素環や芳香族複素環が挙げられる。アリール基とヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、上記に説明した芳香族炭化水素環や芳香族複素環が有していてもよい置換基が挙げられる。中でも、Ｒ⁹としては、５員または６員の単環のアリール基またはヘテロアリール基が好ましく、これらの基が有していてもよい置換基としては、炭素数１〜４（好ましくは炭素数１〜３であり、より好ましくは炭素数１または２）の直鎖状または分岐状のアルキル基、炭素数１〜４（好ましくは炭素数１〜３であり、より好ましくは炭素数１または２）の直鎖状または分岐状のアルコキシ基、アミノ基または水酸基が好ましい。当該アミノ基としては、上記式（５）で表されるアミノ基が好ましい。Ｒ⁹のアリール基またはヘテロアリール基は、置換基を有しないものも好ましい。

式（３）のＲ¹⁰の直鎖状または分岐状のアルキル基、または当該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−の一部が−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられた基は、ある程度の長さの鎖状に形成されることが好ましく、例えばＲ¹⁰がアルキル基である場合は、その炭素数は５以上が好ましく、７以上がより好ましく、９以上がさらに好ましい。Ｒ¹⁰のアルキル基の炭素数の上限は特に限定されないが、例えば２０以下が好ましく、１８以下がより好ましく、１６以下がさらに好ましい。置換基Ｒ¹⁰はそのように形成されたアルキル基の−ＣＨ₂−の一部が−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられてもよく、例えば−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が−ＣＯ−Ｏ−や−ＣＯ−ＮＨ−などで置き換えられてもよい。

オキソカーボン系化合物の製造容易性、特に上記式（３）で表される基の形成容易性の点からは、Ｒ¹⁰は、下記式（４）で示される基を表すことが好ましい。式（４）中、Ｒ¹¹は、炭素数３〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ¹¹ （４）

式（４）のＲ¹¹のアルキル基としては、炭素数５以上がより好ましく、７以上がさらに好ましく、また１８以下がより好ましく、１６以下がさらに好ましい。Ｒ¹¹のアルキル基としては、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、ヘキシル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。

特定状態の形成容易性の点から、オキソカーボン系化合物としては、下記式（６）に示されるスクアリリウム化合物または下記式（７）に示されるクロコニウム化合物が特に好ましく用いられる。下記式（６）および（７）におけるＲ⁵〜Ｒ⁹、Ｒ¹¹の具体例や好適態様は上記に説明した通りである。

本発明の樹脂組成物は上記に説明したようなオキソカーボン系化合物と樹脂とを含有し、樹脂組成物に含まれるオキソカーボン系化合物に由来して、未硬化の樹脂組成物中では観測されない吸収ピークが、硬化した樹脂組成物中で新たに観測されるようになる。具体的には、本発明の樹脂組成物は、樹脂組成物の未硬化物が波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを１つ以上有し、樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを未硬化物よりも多く有するものとなる。樹脂組成物は、硬化物中でオキソカーボン系化合物の一部が特定状態をとることにより、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲において、樹脂組成物の未硬化物よりも多くの吸収ピークを有するものと考えられる。本発明において、樹脂硬化物中で新たな吸収ピークを発現するオキソカーボン系化合物を、「特定オキソカーボン系化合物」と称することがある。

なお本発明において、「未硬化」とは、樹脂組成物が流動性を有する状態を意味し、「硬化」とは、樹脂組成物の流動性が低下して実質的に流動性を有しない状態を意味する。「硬化」には、樹脂の反応（例えば、重合反応や架橋反応）によって樹脂組成物が固まる場合や、樹脂組成物に含まれる溶媒が除去されて樹脂組成物が固まる場合などが含まれる。

波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲の吸収ピークの数は、樹脂組成物に含まれる近赤外線吸収色素の種類と数によって変わり、例えば、樹脂組成物中に近赤外線吸収色素として特定オキソカーボン系化合物が１種類のみ含まれる場合は、通常、樹脂組成物の未硬化物で波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収ピークが１つ発現し、樹脂組成物の硬化物で同波長範囲に吸収ピークが２つ発現する。樹脂組成物中に、特定オキソカーボン系化合物が１種類含まれるとともに、それ以外の近赤外線吸収色素が１種類含まれる場合は、樹脂組成物の未硬化物で波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収ピークが２つ発現し、樹脂組成物の硬化物で同波長範囲に吸収ピークが３つ発現する。樹脂組成物中に、特定オキソカーボン系化合物が２種類含まれ、それ以外に近赤外線吸収色素が含まれない場合は、樹脂組成物の未硬化物で波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収ピークが２つ発現し、樹脂組成物の硬化物で同波長範囲に吸収ピークが４つ発現する。ただし、各近赤外線吸収色素の吸収ピークは、吸収極大が隠れる程度に重ならないものとする。

このように樹脂組成物に特定オキソカーボン系化合物が含まれることで、樹脂組成物の硬化物は、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に複数の吸収ピークを発現するものになる。そのため、このような樹脂組成物を硬化して光選択透過フィルターを形成すれば、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に複数の吸収帯を有するマルチバンドフィルターを形成することができる。光選択透過フィルターを近赤外線カットフィルターに適用する観点からは、上記に説明した波長範囲は６５０ｎｍ以上が好ましく、６７０ｎｍ以上がさらに好ましく、また１０００ｎｍ以下が好ましく、９５０ｎｍ以下がより好ましい。

吸収ピークは、樹脂組成物の未硬化物と硬化物についてそれぞれ、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲を含む透過スペクトル（透過プロファイル）を測定することにより求める。樹脂組成物の未硬化物については、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲で最大吸収波長の透過率が２０％となるように溶媒で希釈したものを測定する。樹脂組成物の硬化物については、樹脂組成物（未硬化物）をガラス基板（平均透過率９１％）上に塗工し硬化させて樹脂積層基板を形成し、この樹脂積層基板の透過スペクトルを測定したときに、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲で最大吸収波長の透過率が２０％となるように色素濃度や厚みを調整したものを測定する。吸収ピークは、透過スペクトルを測定したときに、極大吸収波長においてそれより長波長側および短波長側と比較して透過率が少なくとも３％減少する場合に吸収ピークとして数える。平均透過率９１％のガラス基板としては、例えば、ＳＣＨＯＴＴ社製のＤ２６３Ｔｅｃｏ（厚さ０．３ｍｍ）を用いることができる。

本発明の樹脂組成物は、オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有し、樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＸを有し、樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有するものでもある。すなわち、樹脂組成物は少なくとも１種のオキソカーボン系化合物（特定オキソカーボン系化合物）と樹脂とを含有し、樹脂組成物の未硬化物は、前記１種のオキソカーボン系化合物に由来して、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＸを有し、樹脂組成物の硬化物は、前記１種のオキソカーボン系化合物に由来して、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有する。なお、樹脂組成物の未硬化物は、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークを有しない。この場合、上記に説明したように、樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを１つ以上有し、樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを未硬化物よりも多く有するものとなる。

吸収ピークＸの極大吸収波長λ_Xと吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yは、上記に説明したように６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に存在するが、樹脂組成物を硬化して得られる光吸収層を近赤外線カットフィルターに好適に適用する観点から、その下限は６５０ｎｍ以上であることが好ましく、６７０ｎｍ以上がより好ましく、また上限は７８０ｎｍ以下が好ましく、７６０ｎｍ以下がより好ましい。吸収ピークＸと吸収ピークＹはオキソカーボン系化合物の単分子に由来して発現する吸収ピークであり、樹脂組成物の未硬化物における極大吸収波長λ_Xと硬化物における極大吸収波長λ_Yは多少値が変わることがあっても、通常は同じような値を示す。そのため、極大吸収波長λ_Xと極大吸収波長λ_Yとの差は５０ｎｍ以内であることが好ましく、３０ｎｍ以内がより好ましく、２０ｎｍ以内がさらに好ましく、１０ｎｍ以内が特に好ましい。なお、極大吸収波長λ_Xと極大吸収波長λ_Yは、樹脂組成物の未硬化物および硬化物のそれぞれについて、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲で極大かつ最大を示す波長を意味する。

吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは、上記に説明したように８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に存在するが、その上限は１０００ｎｍ以下が好ましく、９５０ｎｍ以下がより好ましい。吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zはまた、吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも１００ｎｍ以上大きいことが好ましく、１２５ｎｍ以上大きいことがより好ましく、１５０ｎｍ以上大きいことがさらに好ましい。吸収ピークＺは樹脂硬化物中でオキソカーボン系化合物が特定状態をとることで発現するピークと考えられ、このように吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yと吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zが離れていれば、吸収ピークＹと吸収ピークＺが互いにほとんど重ならない独立したピークとして発現しやすくなる。そのため、樹脂組成物を硬化して光吸収層を形成した際に、当該光吸収層を、近赤外線領域に複数の吸収帯を有するマルチバンドフィルターに用いることが容易になる。極大吸収波長λ_Yと極大吸収波長λ_Zの差の上限は特に限定されないが、吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは、吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも２５０ｎｍ以下大きいことが好ましく、２２５ｎｍ以下大きいことがより好ましく、２００ｎｍ以下大きいことがさらに好ましい。なお、極大吸収波長λ_Zは、樹脂組成物の硬化物について、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲で極大かつ最大を示す波長を意味する。

吸収ピークＹは、極大吸収波長λ_Yでの透過率が２０％のとき、透過率５０％におけるピーク幅（半値幅）が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることが好ましい。このように吸収ピークＹが発現すれば、樹脂組成物を硬化して光吸収層を形成したときに、吸収ピークＹを利用して、可視光用撮像素子のカットフィルターに適用することが容易になる。吸収ピークＹの前記ピーク幅は、好ましくは１００ｎｍ以下である。吸収ピークＹのピーク幅は、樹脂組成物（未硬化物）をガラス基板（平均透過率９１％）上に塗工し硬化させて樹脂積層基板を形成し、この樹脂積層基板の透過スペクトルを測定したときに、極大吸収波長λ_Yの透過率が２０％となるように色素濃度や厚みを調整したものを測定する。得られた透過スペクトルについて、吸収ピークＹの透過率５０％におけるピーク幅を測定する。

吸収ピークＺは、極大吸収波長λ_Zでの透過率が２０％のとき、透過率５０％におけるピーク幅（半値幅）が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることが好ましい。このように吸収ピークＺが発現すれば、樹脂組成物を硬化して光吸収層を形成したときに、吸収ピークＺを利用して、暗視用撮像素子のカットフィルターに適用することが容易になる。吸収ピークＺの前記ピーク幅は、好ましくは１００ｎｍ以下である。吸収ピークＺのピーク幅は、樹脂組成物（未硬化物）をガラス基板（平均透過率９１％）上に塗工し硬化させて樹脂積層基板を形成し、この樹脂積層基板の透過スペクトルを測定したときに、極大吸収波長λ_Zの透過率が２０％となるように色素濃度や厚みを調整したものを測定する。得られた透過スペクトルについて、吸収ピークＺの透過率５０％におけるピーク幅を測定する。

オキソカーボン系化合物は一種の色素と見なすことができるが、樹脂組成物は、上記に説明した特定オキソカーボン系化合物とともに他の色素を含有していてもよい。樹脂組成物に含まれていてもよい色素としては、例えば、特定オキソカーボン系化合物以外のオキソカーボン系化合物（スクアリリウム系色素やクロコニウム系色素）、中心金属イオンとして銅（例えば、Ｃｕ（ＩＩ））や亜鉛（例えば、Ｚｎ（ＩＩ））等を有していてもよい環状テトラピロール系色素（ポルフィリン類、クロリン類、フタロシアニン類、コリン類等）、シアニン系色素、クアテリレン系色素、ナフタロシアニン系色素、ニッケル錯体系色素、銅イオン系色素、ジインモニウム系色素、サブフタロシアニン系色素、キサンテン系色素、アゾ系色素、ジピロメテン系色素等が挙げられる。これら他の色素は、１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

樹脂組成物が他の色素をも含有する場合、他の色素の含有量は、オキソカーボン系化合物と他の色素の合計１００質量％に対し、６０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましく、他の色素を実質的に含まないことが特に好ましい。

樹脂組成物に含まれるオキソカーボン系化合物としては、上記に説明した特定オキソカーボン系化合物が主成分として含まれることが好ましく、これにより樹脂組成物の硬化物が特定状態に由来する吸収ピークをより強い強度で発現しやすくなる。特定オキソカーボン系化合物の含有量は、全オキソカーボン系化合物１００質量％中、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。また、特定オキソカーボン系化合物のみを用いることも好ましい。

樹脂組成物の硬化物が、近赤外領域の所定の波長領域の光線をカットしつつ、可視光領域の光線を比較的高い透過率で透過できるようにする点からは、樹脂組成物に含まれるオキソカーボン系化合物の種類は少ないことが好ましい。樹脂組成物層に含まれるオキソカーボン系化合物は、特定オキソカーボン系化合物を含む３種類以下が好ましく、２種類以下がより好ましく、特定オキソカーボン系化合物１種類のみを含むことが特に好ましい。

樹脂組成物中のオキソカーボン系化合物の含有量は、所望の性能を発現させる点から、樹脂組成物の固形分１００質量％中、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、１質量％以上がさらに好ましい。また、樹脂組成物の成形性や成膜性等を高める点から、樹脂組成物中のオキソカーボン系化合物の含有量は、樹脂組成物の固形分１００質量％中、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。樹脂組成物が他の色素も含有する場合は、オキソカーボン系化合物と他の色素との合計含有量が上記範囲にあることが好ましい。光吸収層中のオキソカーボン系化合物の含有量についても同様である。

樹脂組成物は、例えば、３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長域に吸収能を有する化合物（紫外線吸収剤）を含有していてもよい。これらの化合物の存在により、３５０ｎｍ〜４００ｎｍ波長域の光に起因する樹脂の劣化を抑制することができる。３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長域に吸収能を有する化合物としては、例えば、ＢＡＳＦ社製のＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）シリーズを用いることができる。

樹脂組成物は、任意の有機微粒子または無機微粒子を含有してもよい。有機微粒子または無機微粒子は、例えば、光吸収層に、屈折率や導電性等に関する機能を付与するために用いられる。光吸収層の高屈折率化や導電性付与に有用な微粒子の具体例として、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化スズ、スズドープ酸化インジウム、アンチモンドープ酸化スズ、インジウムドープ酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アンチモン等が挙げられる。一方、吸収層の低屈折率化に有用な微粒子の具体例として、フッ化マグネシウム、シリカ、中空シリカ等が挙げられる。防眩性付与に有用な微粒子の具体例としては、上記の微粒子に加え、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン等の無機微粒子：シリコーン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアミン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂及びこれらの共重合樹脂等の有機微粒子が挙げられる。吸収層は、これらの微粒子を１種のみ含有していてもよく、２種以上含有していてもよい。

樹脂組成物には、必要に応じて、可塑剤、界面活性剤、分散剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、消泡剤、防腐剤、比抵抗調整剤、ｐＨ調整剤、密着性向上剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。また、樹脂を硬化させるための硬化触媒や硬化速度調整剤が含まれていてもよい。

本発明では、上記に説明したような特定オキソカーボン系化合物を含有する樹脂組成物を硬化することにより光吸収層を得ることができ、光吸収層は光選択透過フィルターに適用することができる。樹脂組成物は、射出成形等の成形に用いることのできる熱可塑性樹脂組成物であってもよく、スピンコート法や溶媒キャスト法等により塗工できるよう塗料化された樹脂組成物であってもよい。

樹脂組成物が熱可塑性樹脂組成物である場合は、当該樹脂組成物を、射出成形、押出成形、真空成形、圧縮成形、ブロー成形等をすることにより光吸収層を形成することができる。この方法では、樹脂として熱可塑性樹脂を用い、当該熱可塑性樹脂にオキソカーボン系化合物を配合し、加熱成形することにより、光吸収層を形成することができる。例えば、ベース樹脂の粉体またはペレットにオキソカーボン系化合物を添加し、１５０℃〜３５０℃程度に加熱し、溶解させた後、成形するとよい。また樹脂を混練する際に、可塑剤等の通常の樹脂成形に用いる添加剤を加えてもよい。

樹脂組成物が塗料化された樹脂組成物である場合は、オキソカーボン系化合物を含む液状またはペースト状の樹脂組成物を、透明基板（例えば、樹脂板、フィルム、ガラス板等）上に塗工することで、透明基板上に光吸収層を形成することができる。塗料化された樹脂組成物としては、例えばオキソカーボン系化合物を、樹脂を含む溶媒（溶剤）に溶解させたものや、オキソカーボン系化合物を数μｍ以下に微粒化して樹脂のエマルジョン中に分散したもの等が挙げられる。なお、厚みの薄い光吸収層を形成することが容易な点から、樹脂組成物は溶媒を含むものが好ましい。

溶媒としては、有機溶剤を用いることが好ましく、例えば、メチルエチルケトン（２−ブタノン）、メチルイソブチルケトン（４−メチル−２−ペンタノン）、シクロヘキサノン等のケトン類；ＰＧＭＥＡ（２−アセトキシ−１−メトキシプロパン）、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート等のグリコール誘導体（エーテル化合物、エステル化合物、エーテルエステル化合物等）；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類；Ｎ−メチル−ピロリドン（具体的には、１−メチル−２−ピロリドン等）等のピロリドン類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；シクロヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類；等が挙げられる。溶媒の含有量としては、樹脂組成物１００質量％中、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上がより好ましく、また１００質量％未満が好ましく、９５質量％以下がより好ましい。溶媒の含有量をこのような範囲内に調整することにより、オキソカーボン系化合物濃度の高い樹脂組成物を得ることが容易になる。

塗料化された樹脂組成物の塗工方法としては、スピンコート法、溶媒キャスト法、ロールコート法、スプレーコート法、バーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法等が好適に用いられる。これらの中でも、スピンコート法が、薄くて均一な厚みの光吸収層を形成しやすい点で、好ましく用いられる。スピンコート法では、例えば、塗料化された樹脂組成物を透明基板上に載せた後、室温（２５℃）付近で、回転数５００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍで１０秒〜６０秒間程度回転させることにより、透明基板上に薄くて均一な厚みの塗膜を形成することができる。その後、例えば１５０℃〜３５０℃で加熱することにより、光吸収層を形成することができる。

光吸収層の厚さは特に限定されず、光選択透過フィルターの所望の光学性能や強度に応じて適宜調整すればよい。なお、薄くて高強度の光選択透過フィルターを得ることが容易な点から、光吸収層は透明基板上に設けることが好ましく、このように光選択透過フィルターを形成することにより光吸収層も薄く形成することができる。この場合の光吸収層の厚さは、例えば５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましく、これにより厚さの薄い光選択透過フィルターとすることができる。光吸収層の厚さの下限としては、例えば０．５μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がより好ましい。なお、光吸収層は３μｍよりも厚く形成することも当然可能である。

透明基板としては、ガラス基板を用いることが好ましい。光吸収層をガラス基板上に設けることにより、耐熱性に優れた光選択透過フィルターを得ることができる。このようにして得られた光選択透過フィルターは、例えば、半田リフローにより、光選択透過フィルターを電子部品に実装することが可能となり、電子部品の小型化を図ることができる。またガラス基板は、高温にさらされても割れや反りが起こりにくいため、光吸収層との密着性を確保しやすくなる。

ガラス基板は、透明な（すなわち可視光線透過性を有する）板状のガラスであれば、特に制限なく用いることができる。ガラス基板に用いられるガラスは、二酸化ケイ素を主成分とするものが好ましく、ケイ素と酸素以外の原子あるいはイオンを含有していてもよい。このような原子やイオンとしては、例えば、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、バリウム、ホウ素、アルミニウム、鉄、銀、銅、コバルト、ニッケル、鉛、亜鉛、およびこれらのイオンが挙げられる。ガラス基板の厚みは、例えば、強度を確保する点から、０．０５ｍｍ以上が好ましく、０．１ｍｍ以上がより好ましく、また薄型化の点から、０．４ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下がより好ましい。

光吸収層が透明基板上に形成される場合、光吸収層は、透明基板（ガラス基板）の片面のみに設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。また、透明基板と光吸収層の間には別の層が設けられていてもよく、当該別の層としては、光吸収層と透明基板との密着性を高めるためのプライマー層等が挙げられる。

上記のように形成された光吸収層は、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有するものとなる。すなわち、光吸収層は特定オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有するため、その樹脂硬化物である光吸収層中で特定オキソカーボン系化合物の一部が特定状態をとり、赤色〜近赤外領域（６００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長範囲）に吸収ピークＹと吸収ピークＺを示すものとなる。例えば、特定状態をとらないオキソカーボン系化合物を２種類用いて吸収ピークＹと吸収ピークＺを発現させる場合は、吸収ピークＺを与えるオキソカーボン系化合物のｓｏｒｅｔバンドが可視光領域の一部にかかり、可視光領域の透過率が低下するところ、本発明に係る光吸収層を用いれば、可視光領域の透過率を高く保ちつつ、赤色〜近赤外領域（６００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長範囲）に複数の吸収帯を有するマルチバンドフィルターを形成することができる。

光吸収層の示す吸収ピークＹと吸収ピークＺのそれぞれの極大吸収波長λ_Yとλ_Zの好適範囲は上記に説明した通りである。また、上記に説明したように、吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは前記吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも１００ｎｍ以上大きいことが好ましく、１２５ｎｍ以上大きいことがより好ましく、１５０ｎｍ以上大きいことがさらに好ましく、また２５０ｎｍ以下大きいことが好ましく、２２５ｎｍ以下大きいことがより好ましく、２００ｎｍ以下大きいことがさらに好ましい。

吸収ピークＺの吸収強度は吸収ピークＹの吸収強度の０．２倍以上２倍以下であることが好ましい。このように各吸収ピークがそれぞれの波長域において吸収強度を示せば、光吸収層を用いて光選択透過フィルターを形成した際にマルチバンドフィルターに好適に適用できるようになる。吸収ピークＺの吸収強度は吸収ピークＹの吸収強度の０．４倍以上が好ましく、０．６倍以上がより好ましく、また１．７倍以下が好ましく、１．５倍以下がより好ましい。

吸収強度は、各吸収ピークの極大吸収波長における透過率を対数変換することにより求める。なおその際、透明基板上に光吸収層を形成した光吸収層積層基板として透過率を測定する場合は、透明基板の透過率を別途測定し、その透過率で補正した値を用いる。例えば、透過率９１％のガラス基板上に光吸収層を形成した光吸収層積層基板について透過率を測定した場合、吸収強度は次式により求める：吸収強度＝ｌｏｇ₁₀［極大吸収波長の透過率（％）／９１］。この場合の吸収ピークＹの吸収強度に対する吸収ピークＺの吸収強度の比は、ｌｏｇ₁₀［極大吸収波長λ_Zの透過率（％）／９１］÷ｌｏｇ₁₀［極大吸収波長λ_Yの透過率（％）／９１］を計算することにより求められる。

光吸収層は、吸収ピークＹおよび／または吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率が３０％以下であり、かつ波長４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲の平均透過率が８５％以上であることが好ましい。このように光吸収層が形成されていれば、吸収ピークＹおよび／または吸収ピークＺに基づき近赤外領域の所定波長の光線をカットすることができるとともに、可視光領域の光線透過率を高めることができる。吸収ピークＹおよび／または吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率は２５％以下がより好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１５％以下がさらにより好ましい。

光吸収層を、近赤外線領域に複数の吸収帯を有するマルチバンドフィルターに用いる場合は、吸収ピークＹと吸収ピークＺはともに極大吸収波長での透過率が５０％以下であり、かつ吸収ピークＹと吸収ピークＺの間には、透過率が８０％以上となる透過帯を有することが好ましく、これにより吸収ピークＹと吸収ピークＺが独立した吸収ピークとして存在しやすくなる。なお、吸収ピークＹと吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率はともに４０％以下がより好ましく、３０％以下がさらに好ましく、２５％以下がさらにより好ましい。吸収ピークＹと吸収ピークＺの間の透過帯の幅、すなわち吸収ピークＹと吸収ピークＺの間で透過率が連続して８０％以上となる波長範囲は、２５ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上がより好ましく、７５ｎｍ以上がさらに好ましい。

光吸収層の透過率は、光吸収層単体の透過スペクトルを測定することにより求めてもよいし、透明基板上に光吸収層を形成した光吸収層積層基板として透過率を測定するような場合は、光吸収層積層基板の透過スペクトルと透明基板の透過スペクトルをそれぞれ測り、光吸収層積層基板の透過スペクトルを透明基板の透過スペクトルで補正することにより、光吸収層の正味の透過スペクトルを求めてもよい。後者の場合、光吸収層積層基板の透過スペクトルと透明基板の透過スペクトルをそれぞれ対数（ｌｏｇ₁₀）変換し、その差分を指数変換することにより、光吸収層の正味の透過スペクトルを求めることができる。なお透過スペクトルは、測定ピッチ１ｎｍごとに透過率を測定することにより求め、測定ピッチ（１ｎｍ）未満における波長の透過率の値は、１ｎｍピッチの透過率の測定値から線形補間することにより算出する。波長４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲の平均透過率は、同波長範囲において測定ピッチ１ｎｍごとに測定した１０１個の透過率の平均値から求める。

光吸収層中のオキソカーボン系化合物の含有量は、所望の光学性能に応じて適宜調整すればよいが、光吸収層が上記に説明した光学特性を満足するように形成することが容易な点から、光吸収層１００質量％中、オキソカーボン系化合物の含有量は１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましく、また３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましく、１５質量％以下が特に好ましい。

光選択透過フィルターは、光吸収層上に誘電体多層膜が設けられてもよい。光吸収層が透明基板上に形成される場合は、誘電体多層膜は光吸収層の透明基板とは反対側に設けられることが好ましく、さらに光吸収層の透明基板側にも設けられてもよい。誘電体多層膜によって所望の波長範囲の光線を透過させたりカットすることができ、光選択透過フィルターに、反射防止膜（可視光反射防止膜）、赤外線反射膜、紫外線反射膜等としての機能を付与することができる。誘電体多層膜はこれら２つ以上の機能を備えることもでき、少なくとも可視光反射防止膜と赤外線反射膜としての機能を有することが好ましい。

誘電体多層膜は、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層して形成することができる。高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．７以上の材料を用いることができ、屈折率の範囲が１．７〜２．５の材料が選択されることが好ましい。高屈折率材料層を構成する材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化インジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化錫、酸化ビスマス等の酸化物；窒化ケイ素等の窒化物；前記酸化物や前記窒化物の混合物やそれらにアルミニウムや銅等の金属や炭素を含有ドープしたもの（例えば、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ））等が挙げられる。低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以下の材料を用いることができ、屈折率の範囲が１．２〜１．６の材料が選択されることが好ましい。低屈折率材料層を構成する材料としては、例えば、酸化ケイ素（シリカ、ＳｉＯｘ（ｘ＝１〜２））、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウム、六フッ化アルミニウムナトリウム等が挙げられる。

誘電体多層膜は、蒸着膜として形成することができる。誘電体多層膜の蒸着は公知の方法により行えばよい。例えば、蒸発源の加熱手段としては、抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱、レーザビーム加熱等の公知の加熱手段を用いることができる。蒸着の際の真空度は５×１０^-2Ｐａ以下（絶対圧）とすることが好ましく、蒸着温度は、例えば８０℃以上３００℃以下とすることが好ましい。なお蒸着としては、イオンアシスト蒸着を用いることが好ましく、これにより緻密かつ平滑性の高い誘電体多層膜を形成しやすくなり、所望の光学性能を付与させやすくなる。イオンアシストとしては、イオン銃、イオンプレーティング、プラズマ銃等を用いることができる。

誘電体多層膜の厚みは特に限定されず、例えば０．０１μｍ〜１０μｍの範囲であればよい。誘電体多層膜の層数は、反射防止膜や赤外線反射膜としての光学性能を発揮させる観点から、例えば２層〜８０層であることが好ましい。

光選択透過フィルターは、上記に説明した光吸収層、透明基板、誘電体多層膜以外に、他の層（膜）を有していてもよい。他の層（膜）としては、防眩性を有する層、傷付き防止性能を有する層、金属膜、その他の機能を有する透明基材等が挙げられる。

光選択透過フィルターの厚みは、例えば、１ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、例えば、撮像素子の小型化への要請に十分に応えることができる。光選択透過フィルターの厚みは、より好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは３００μｍ以下、さらにより好ましくは１５０μｍ以下であり、また３０μｍ以上が好ましく、５０μｍ以上がより好ましい。

本発明の光選択透過フィルターは、撮像素子用途に特に好適である。本発明には、光選択透過フィルターを有する撮像素子も含まれる。撮像素子は、固体撮像素子やイメージセンサチップとも称され、被写体の光を電気信号に変換し、電気信号として出力する電子部品である。撮像素子は、通常、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）等の検出素子（センサー）を有し、レンズを有していてもよい。撮像素子は、例えば、携帯電話用カメラ、デジタルカメラ、車載用カメラ、監視カメラ、表示素子（ＬＥＤ等）等に用いられる。撮像素子は、本発明の光選択透過フィルターを１または２以上含み、必要に応じて、さらに他の部材を有していてもよい。

以下に、実施例を示すことにより本発明を更に詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。

（１）光選択透過フィルターの製造原料の調製
（１−１）調製例１（近赤外線吸収色素Ａの合成）
３００ｍＬの２口フラスコに、３−ヨード−４−メチルアニリン１１．９１ｇ（０．０６４ｍｏｌ）、ピロリジン１３．６６ｇ（０．１９２ｍｏｌ）、ヨウ化銅１．２２ｇ（０．００６ｍｏｌ）、炭酸カリウム１７．６９ｇ（０．１２８ｍｏｌ）、Ｌ−プロリン１．４７ｇ（０．１３ｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド４２ｇを仕込み、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、９０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、反応液をイオン交換水に加えて酢酸エチルで抽出操作を行った。得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体１−１（４−メチル−３−（ピロリジン−１−イル）アニリン）８．７ｇを得た。３−ヨード−４−メチルアニリンに対する収率は７７．１ｍｏｌ％であった。

次いで、３００ｍＬの４口フラスコに、中間体１−１を２．８ｇ（０．１６ｍｏｌ）、ＤＬ−マンデル酸を４．８７ｇ（０．０３２ｍｏｌ）、トルエンを８３ｇ入れ、窒素流通下（２０ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、還流条件下にて７時間反応させた。反応終了後、反応液をろ過して得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体２−１を３．１ｇ得た。中間体１−１に対する収率は６２％であった。

次いで、１００ｍＬの３口フラスコに、中間体２−１を１．４ｇ（０．０４５ｍｏｌ）、３，５，５−トリメチルヘキサノイルクロリドを５．６ｇ（０．０３１５ｍｏｌ）、トリエチルアミンを６．８３ｇ（０．０６７５ｍｏｌ）、クロロホルムを８０ｇ入れ、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、室温にて１２時間反応させた。反応終了後、反応液をイオン交換水に加えて酢酸エチルで抽出操作を行った。得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体３−１を０．８２ｇ得た。中間体２−１に対する収率は４０．６％であった。

次いで、５０ｍＬの３口フラスコに、中間体３−１を０．８ｇ（０．００１７８ｍｏｌ）、スクアリン酸を０．２３ｇ（０．０００８９ｍｏｌ）、１−ブタノールを１０．０ｇ、トルエンを１０．０ｇ加え、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、ディーンスターク装置を用いて溶出してくる水を取り除きながら、還流下で１．５時間反応させた。反応終了後、反応液をエバポレーターで濃縮して溶媒を留去後、メタノールを５０ｇ加えて撹拌し、晶析を行った。析出した結晶をろ過により取得し、得られた結晶をメタノールでリンスしてウェットケーキを得た。このウェットケーキを真空乾燥機を用いて６０℃で１２時間乾燥し、スクアリリウム化合物である近赤外線吸収色素Ａを０．０８ｇ得た。スクアリン酸に対する収率は９．２ｍｏｌ％であった。

（１−２）調製例２（近赤外線吸収色素Ｂの合成）
調製例１と同様にして中間体２−１を合成し、１００ｍＬの３口フラスコに、得られた中間体２−１を０．５６ｇ（０．０１８ｍｏｌ）、ラウロイルクロリドを４．７２ｇ（０．０２１６ｍｏｌ）、トリエチルアミンを２．７３ｇ（０．０２７ｍｏｌ）、クロロホルムを８０を入れ、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、室温にて１２時間反応させた。反応終了後、反応液をイオン交換水に加えて酢酸エチルで抽出操作を行った。得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体３−２を０．４９ｇ得た。中間体２−１に対する収率は５５．１％であった。

次いで、５０ｍＬの３口フラスコに、中間体３−２を０．４９ｇ（０．００１ｍｏｌ）、スクアリン酸を０．０６ｇ（０．０００５ｍｏｌ）、１−ブタノールを５．０ｇ、トルエンを５．０ｇ加え、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、ディーンスターク装置を用いて溶出してくる水を取り除きながら、還流下で２時間反応させた。反応終了後、反応液をエバポレーターで濃縮して溶媒を留去後、メタノールを５０ｇ加えて撹拌し、晶析を行った。析出した結晶をろ過により取得し、得られた結晶をメタノールでリンスしてウェットケーキを得た。このウェットケーキを真空乾燥機を用いて６０℃で１２時間乾燥し、スクアリリウム化合物である近赤外線吸収色素Ｂを０．０１ｇ得た。スクアリン酸に対する収率は２．０ｍｏｌ％であった。

（１−３）調製例３（近赤外線吸収色素Ｃの合成）
３００ｍＬの２口フラスコに、３−ヨード−４−メトキシアニリン２．１２ｇ（０．００８５ｍｏｌ）、ピロリジン３．６２ｇ（０．０５２ｍｏｌ）、ヨウ化銅０．３２ｇ（０．００１８ｍｏｌ）、炭酸カリウム４．７ｇ（０．０３４ｍｏｌ）、Ｌ−プロリン０．４０ｇ（０．００４ｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１４ｇを仕込み、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、９０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、反応液をイオン交換水に加えて酢酸エチルで抽出操作を行った。得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体１−２（４−メトキシ−３−（ピロリジン−１−イル）アニリン）１．３７ｇを得た。３−ヨード−４−メトキシアニリンに対する収率は８４．０ｍｏｌ％であった。

次いで、３００ｍＬの４口フラスコに、中間体１−２を１．２５ｇ（０．００６５ｍｏｌ）、ＤＬ−マンデル酸を１．９８ｇ（０．０１３ｍｏｌ）、トルエンを４０ｇ入れ、窒素流通下（２０ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、還流条件下にて６時間反応させた。反応終了後、反応液をろ過して得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体２−２を０．６５ｇ得た。中間体１−２に対する収率は３１％であった。

次いで、１００ｍＬの３口フラスコに、中間体２−２を０．６５ｇ（０．０２０ｍｏｌ）、３，５，５−トリメチルヘキサノイルクロリドを３．３２ｇ（０．０１８８ｍｏｌ）、トリエチルアミンを３．２２ｇ（０．０３１８ｍｏｌ）、クロロホルムを８０ｇ入れ、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、室温にて１２時間反応させた。反応終了後、反応液をイオン交換水に加えて酢酸エチルで抽出操作を行った。得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体３−３を０．６ｇ得た。中間体２−２に対する収率は６４．５％であった。

次いで、５０ｍＬの３口フラスコに、中間体３−３を０．６ｇ（０．００１２９ｍｏｌ）、スクアリン酸を０．０７ｇ（０．０００６５ｍｏｌ）、１−ブタノールを１０．０ｇ、トルエンを１０．０ｇ加え、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、ディーンスターク装置を用いて溶出してくる水を取り除きながら、還流下で１．５時間反応させた。反応終了後、反応液をエバポレーターで濃縮して溶媒を留去後、メタノールを５０ｇ加えて撹拌し、晶析を行った。析出した結晶をろ過により取得し、得られた結晶をメタノールでリンスしてウェットケーキを得た。このウェットケーキを真空乾燥機を用いて６０℃で１２時間乾燥し、スクアリリウム化合物である近赤外線吸収色素Ｃを０．２ｇ得た。スクアリン酸に対する収率は３０．８ｍｏｌ％であった。

（１−４）調製例４（近赤外線吸収色素Ｄの合成）
調製例１と同様にして中間体１−１を合成し、１００ｍＬの３口フラスコに、得られた中間体１−１を０．９７ｇ（０．００５５ｍｏｌ）、３，５，５−トリメチルヘキサノイルクロリドを１．９４ｇ（０．０１１ｍｏｌ）、トリエチルアミンを１．６７ｇ（０．０１６５ｍｏｌ）、クロロホルムを８０ｇ入れ、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、室温にて１２時間反応させた。反応終了後、反応液をイオン交換水に加えて酢酸エチルで抽出操作を行った。得られた有機相をエバポレーターで濃縮し、濃縮液をシリカゲルによるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）によって精製処理を行い、中間体３−４を１．３９ｇ得た。中間体１−１に対する収率は８０．０％であった。

次いで、５０ｍＬの３口フラスコに、中間体３−４を０．９５ｇ（０．００３ｍｏｌ）、スクアリン酸を０．１７ｇ（０．００１５ｍｏｌ）、１−ブタノールを１０．０ｇ、トルエンを１０．０ｇ加え、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、ディーンスターク装置を用いて溶出してくる水を取り除きながら、還流下で１．５時間反応させた。反応終了後、反応液をエバポレーターで濃縮して溶媒を留去後、メタノールを５０ｇ加えて撹拌し、晶析を行った。析出した結晶をろ過により取得し、得られた結晶をメタノールでリンスしてウェットケーキを得た。このウェットケーキを真空乾燥機を用いて６０℃で１２時間乾燥し、スクアリリウム化合物である近赤外線吸収色素Ｄを０．４ｇ得た。スクアリン酸に対する収率は３６．４ｍｏｌ％であった。

（１−５）調製例５（近赤外線吸収色素Ｅの合成）
調製例１と同様にして中間体２−１を合成し、５０ｍＬの３口フラスコに、中間体２−１を０．７７ｇ（０．００３ｍｏｌ）、スクアリン酸を０．１５ｇ（０．００１ｍｏｌ）、１−ブタノールを１０．０ｇ、トルエンを１０．０ｇ加え、窒素流通下（５ｍＬ／ｍｉｎ）、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、ディーンスターク装置を用いて溶出してくる水を取り除きながら、還流下で４時間反応させた。反応終了後、反応液をエバポレーターで濃縮して溶媒を留去後、メタノール５０ｇを加えて撹拌し、晶析を行った。析出した結晶をろ過により取得し、得られた結晶をメタノールでリンスしてウェットケーキを得た。このウェットケーキを真空乾燥機を用いて６０℃で１２時間乾燥し、スクアリリウム化合物である近赤外線吸収色素Ｅを０．８ｇ得た。スクアリン酸に対する収率は８８．９ｍｏｌ％であった。

（１−６）調製例６（近赤外線吸収色素Ｆの合成）
特開２００１−１０６６８９の実施例７に記載の方法に従って、下記に示す近赤外線吸収色素Ｆ（フタロシアニン化合物）を合成した。

（１−７）調製例７（樹脂Ａの調製）
撹拌翼、温度センサー、冷却管、ガス導入管を備えた反応容器に、単量体としてα−アリルオキシメチルアクリル酸メチル（ＡＭＡ）２１．０部、Ｎ−フェニルマレイミド９．０部、重合溶媒として酢酸エチル４５．０部を仕込み、窒素ガスの流通下、撹拌しながら昇温した。反応容器内の温度が７０℃で安定した後、アゾ系ラジカル重合開始剤（日本ファインケム社製、ＡＢＮ−Ｖ）０．０３部を添加し、重合反応を開始した。反応容器内の温度を６９℃〜７１℃に維持しながら３．５時間反応させ、その後、室温まで冷却した。希釈溶媒としてテトラヒドロフランを加え、貧溶媒としてｎ−ヘキサンを用いて再沈殿処理を行い、沈殿物を吸引ろ過により分離した。得られた沈殿物を減圧乾燥器を用いて減圧下８０℃で２時間乾燥し、樹脂Ａを得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィ装置により樹脂Ａの重量平均分子量を測定したところ、３１，６００であった。また、示差走査熱量計により樹脂Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を測定したところ、１５２℃であった。

（１−８）調製例８（樹脂Ｂの調製）
撹拌翼、温度センサー、冷却管、ガス導入管を備えた反応容器に、単量体としてα−アリルオキシメチルアクリル酸メチル（ＡＭＡ）２１．０部、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド９．０部、重合溶媒として酢酸エチル４５．０部を仕込み、窒素ガスの流通下、撹拌しながら昇温した。反応容器内の温度が７０℃で安定した後、アゾ系ラジカル重合開始剤（日本ファインケム社製、ＡＢＮ−Ｖ）０．０３部を添加し、重合反応を開始した。反応容器内の温度を６９℃〜７１℃に維持しながら３．５時間反応させ、その後、室温まで冷却した。希釈溶媒としてテトラヒドロフランを加え、貧溶媒としてｎ−ヘキサンを用いて再沈殿処理を行い、沈殿物を吸引ろ過により分離した。得られた沈殿物を減圧乾燥器を用いて減圧下８０℃で２時間乾燥し、樹脂Ｂを得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィ装置により樹脂Ｂの重量平均分子量を測定したところ、５０，４００であった。また、示差走査熱量計により樹脂Ｂのガラス転移温度（Ｔｇ）を測定したところ、１３４℃であった。

（２）光選択透過フィルターの製造例
（２−１）実施例１
シクロペンタノン８０質量部に樹脂Ａを２０質量部溶解させた樹脂溶液に、近赤外線吸収色素Ａを０．６質量部加えて溶解し、ろ過により不溶分等を取り除くことにより、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をガラス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、Ｄ２６３Ｔｅｃｏ、６０ｍｍ×６０ｍｍ×０．３ｍｍ）上に０．６ｃｃ垂らした後、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−Ｄ７）を用いて樹脂組成物をガラス基板上に成膜した。樹脂組成物を成膜したガラス基板を、精密恒温器（ヤマト科学社製、ＤＨ６１１）を用いて１００℃で３分初期乾燥した後に、イナートオーブン（ヤマト科学社製、ＤＮ６１０Ｉ）を用いて５０℃で３０分間窒素置換した後、１０分程度で１５０℃に昇温し、１５０℃で３０分間窒素雰囲気下で追加乾燥することにより、ガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層は、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲における最大吸収波長の透過率が２０％となるように形成した。ガラス基板上に形成した光吸収層の厚みは２μｍであった。なお、光吸収層の厚みは、光吸収層を形成したガラス基板の厚みとガラス基板単独の厚みをそれぞれマイクロメーターにより測定し、両者の差から求めた。

（２−２）実施例２
実施例１において、近赤外線吸収色素Ａの代わりに近赤外線吸収色素Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にしてガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層の厚みは２μｍであった。

（２−３）実施例３
シクロペンタノン８０質量部に樹脂Ａを２０質量部溶解させた樹脂溶液に、近赤外線吸収色素Ｃを０．６質量部加えて溶解し、ろ過により不溶分等を取り除くことにより、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をガラス基板上に０．６ｃｃ垂らした後、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−Ｄ７）を用いて樹脂組成物をガラス基板上に成膜した。樹脂組成物を成膜したガラス基板を、精密恒温器（ヤマト科学社製、ＤＨ６１１）を用いて１００℃で３分乾燥することにより、ガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層は、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲における最大吸収波長の透過率が２０％となるように形成した。ガラス基板上に形成した光吸収層の厚みは２μｍであった。

（２−４）実施例４
実施例１において、樹脂Ａの代わりに樹脂Ｂを用い、近赤外線吸収色素Ａの代わりに近赤外線吸収色素Ｃを用いた以外は、実施例１と同様にしてガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層の厚みは２μｍであった。

（２−５）比較例１
実施例３において、近赤外線吸収色素Ｃの代わりに近赤外線吸収色素Ｄを用いた以外は、実施例３と同様にしてガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層の厚みは２μｍであった。

（２−６）比較例２
実施例３において、近赤外線吸収色素Ｃの代わりに近赤外線吸収色素Ｅを用いた以外は、実施例３と同様にしてガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層の厚みは２μｍであった。

（２−７）比較例３
シクロペンタノン５０質量部とトルエン３０質量部の混合溶媒に樹脂Ａを２０質量部溶解させた樹脂溶液に、近赤外線吸収色素Ｄを０．６質量部と近赤外線吸収色素Ｆを０．４質量部加えて溶解し、ろ過により不溶分等を取り除くことにより、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をガラス基板上に０．６ｃｃ垂らした後、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−Ｄ７）を用い樹脂組成物をガラス基板上に成膜した。樹脂組成物を成膜したガラス基板を、精密恒温器（ヤマト科学社製、ＤＨ６１１）を用いて１００℃で３分乾燥することにより、ガラス基板上に光吸収層を形成した。光吸収層は、６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲における最大吸収波長の透過率が２０％となるように形成した。ガラス基板上に形成した光吸収層の厚みは２μｍであった。

（３）樹脂組成物および光選択透過フィルターの評価
（３−１）分光測定方法
実施例１〜４および比較例１〜３で作製した各光選択透過フィルターについて、分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−１８００）を用いて、光線透過率を測定ピッチ１ｎｍで測定し、波長３００ｎｍ〜１１００ｎｍにおける透過スペクトル（吸収スペクトル）を求めた。また、実施例１〜４および比較例１〜２で調製した各樹脂組成物（未硬化物）について、同様に光線透過率を測定ピッチ１ｎｍで測定し、波長３００ｎｍ〜１１００ｎｍにおける透過スペクトル（吸収スペクトル）を求めた。樹脂組成物の未硬化物は、最大吸収波長で透過率が２０％となるように溶媒であるシクロペンタノンで希釈したものを測定した（ベースライン：シクロペンタノン溶液）。これらの光線透過率の測定結果から、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲における吸収ピークの極大吸収波長とその吸収強度比を求めた。

吸収強度比は、波長８００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲におけるピークＺの吸収強度を、波長６００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲におけるピークＹの吸収強度で除することにより、算出した。各吸収強度は、ガラス基板による吸収の影響を考慮して、光選択透過フィルターの透過率とガラス基板の透過率（９１％）から、次式により求めた：吸収強度＝ｌｏｇ₁₀（吸収ピークにおける透過率／９１）。

光選択透過フィルターについては、波長４５０ｎｍ〜５５０ｎｍにおいて測定ピッチ１ｎｍごとに測定した１０１個の透過率の平均値から、可視光透過率も求めた。

（３−２）半値幅の測定方法
実施例１〜４および比較例１〜３で調製した各樹脂組成物（未硬化物）をガラス基板（ＳＣＨＯＴＴ社製、Ｄ２６３Ｔｅｃｏ、６０ｍｍ×６０ｍｍ×０．３ｍｍ、平均透過率９１％）上に塗工し硬化させて樹脂積層基板を作製し、この樹脂積層基板について、分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−１８００）を用いて、測定ピッチ１ｎｍで透過スペクトル（吸収スペクトル）を測定した。得られた透過スペクトルから、波長６００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において極大吸収を示すピークＹと、波長８００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲において極大吸収を示すピークＺの半値幅をそれぞれ求めた。ピークＹの半値幅は、ピークＹの極大吸収波長λ_Yの透過率が２０％となるように樹脂層（光吸収層）の厚みを調整した樹脂積層基板の透過スペクトルを測定し、ピークＹの透過率５０％におけるピーク幅を半値幅として求めた。ピークＺの半値幅は、ピークＺの極大吸収波長λ_Zの透過率が２０％となるように樹脂層（光吸収層）の厚みを調整した樹脂積層基板の透過スペクトルを測定し、ピークＺの透過率５０％におけるピーク幅を半値幅として求めた。

（３−３）結果
実施例および比較例で作製した樹脂組成物と光選択透過フィルターの透過率の測定結果を表１に示し、実施例１と比較例１の樹脂組成物の未硬化物と光選択透過フィルターの各透過スペクトルを図１および図２に示す。実施例１〜４では、樹脂組成物の未硬化物は波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲（詳細には７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲）に吸収ピークを１つのみ示したが、当該樹脂組成物の硬化物をガラス基板上に形成した光選択透過フィルター（樹脂積層基板）では、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲に吸収ピークを２つ示した。具体的には、波長７００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収ピークＹを示し、波長８００ｎｍ以上１０００ｎｍの範囲に吸収ピークＺを示した。また、このときの可視光透過率は、光選択透過フィルターとして８５％以上であり、樹脂層（光吸収層）の正味の可視光透過率は９３％以上であった。一方、比較例１、２では、樹脂組成物の未硬化物と硬化物のいずれも、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲に吸収ピークを１つのみ示した。比較例３では、２種類の近赤外線吸収色素が樹脂組成物に含まれていたため、樹脂組成物の未硬化物と硬化物のいずれも、波長６００ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲に吸収ピークを２つ示した。比較例３では、可視光透過率が、光選択透過フィルターとして７７％であり、樹脂層（光吸収層）の正味の可視光透過率は８５％未満であった。比較例３では、２種類の近赤外線吸収色素を用いたことにより、可視光透過率が実施例１〜４よりも低下した。

なお、実施例１〜４と比較例１、２の樹脂組成物の未硬化物はいずれも、最大吸収波長における吸光度が１のときに波長８００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の吸光度が０．０１５以下となり（ベースライン：シクロペンタノン溶液）、波長８００ｎｍ〜１０００ｎｍに範囲に吸収ピークがないものと判断された。

本発明のオキソカーボン系化合物、樹脂組成物および光選択透過フィルターは、例えば、携帯電話用カメラ、デジタルカメラ、車載用カメラ、監視カメラ、表示素子（ＬＥＤ等）等の電子部品や、セキュリティインク、レーザー溶着におけるレーザー光の吸収体等に用いることができる。

Claims (15)

1. オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、
   前記樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを１つ以上有し、
   前記樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に極大吸収を有する吸収ピークを前記未硬化物よりも多く有することを特徴とする樹脂組成物。
2. オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、
   前記樹脂組成物の未硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＸを有し、
   前記樹脂組成物の硬化物が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に極大吸収を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有することを特徴とする樹脂組成物。
3. 吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも１００ｎｍ以上大きい請求項２に記載の樹脂組成物。
4. 吸収ピークＸの極大吸収波長λ_Xと吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yとの差が５０ｎｍ以内である請求項２または３に記載の樹脂組成物。
5. 吸収ピークＹは、極大吸収波長λ_Yでの透過率が２０％のとき、透過率５０％におけるピーク幅が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である請求項２〜４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
6. 吸収ピークＺは、極大吸収波長λ_Zでの透過率が２０％のとき、透過率５０％におけるピーク幅が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である請求項２〜５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の樹脂組成物を硬化した光吸収層。
8. オキソカーボン系化合物と樹脂とを含有する光吸収層を有し、
   前記光吸収層が、波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＹを有するとともに、波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下の範囲に吸収極大を有する吸収ピークＺを有することを特徴とする光選択透過フィルター。
9. 吸収ピークＺの極大吸収波長λ_Zは吸収ピークＹの極大吸収波長λ_Yよりも１００ｎｍ以上大きい請求項８に記載の光選択透過フィルター。
10. 吸収ピークＺの吸収強度は吸収ピークＹの吸収強度の０．２倍以上２倍以下である請求項８または９に記載の光選択透過フィルター。
11. 吸収ピークＹおよび／または吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率が３０％以下であり、かつ波長４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲の平均透過率が８５％以上である請求項８〜１０のいずれか一項に記載の光選択透過フィルター。
12. 吸収ピークＹおよび吸収ピークＺの極大吸収波長での透過率がともに５０％以下であり、かつ吸収ピークＹと吸収ピークＺの間に透過率が８０％以上となる透過帯を有する請求項８〜１１のいずれか一項に記載の光選択透過フィルター。
13. 下記式（１）または下記式（２）で表されることを特徴とするオキソカーボン系化合物。
    

    

    ［式（１）および式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立して、下記式（３）で表される基を表す。］
    

    

    ［式（３）中、
    Ｒ⁵〜Ｒ⁸はそれぞれ独立して、水素原子、有機基または極性官能基を表し、
    Ｒ⁹は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、
    Ｒ¹⁰は、直鎖状または分岐状のアルキル基、または当該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−の一部が−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられた基を表し、
    ＊は式（１）中の４員環または式（２）中の５員環との結合部位を表す。］
14. 前記Ｒ¹⁰は、下記式（４）で表される基を表す請求項１３に記載のオキソカーボン系化合物。
    −Ｏ−ＣＯ−Ｒ¹¹ （４）
    ［式（４）中、Ｒ¹¹は、炭素数３〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。］
15. 請求項８〜１２のいずれか一項に記載の光選択透過フィルターを有することを特徴とする撮像素子。

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