TWI668216B - Oxygen-carbon compound, resin composition containing the same, and filter containing the resin composition - Google Patents

Abstract

本發明提供一種於可見光、近紅外區域之吸收光譜中無肩峰(或大幅度減少)之新穎氧碳系化合物。本發明之氧碳系化合物之特徵在於以下述式(1)或下述式(2)表示。

[式(1)及式(2)中，R^a1~R^a4分別獨立地為下述式(3)所表示之結構單位。

(式(3)中，環A為4~9員之不飽和烴環；X及Y分別獨立地為官能基；n為0~6之整數，且為m以下(含)(其中，m為自環A之構成員 數減去3而獲得之值)，於n為2以上(含)之情形時，多個Y可相同亦可不同；環B為可具有取代基之芳香族烴環、芳香族雜環或包含該等環結構之縮合環；*表示與式(1)中之4員環或式(2)中之5員環之鍵結部位)]

Description

氧碳系化合物、含有其之樹脂組成物、及含有該樹脂組成物之濾光片

本發明係關於一種具有所謂方酸鎓(squarylium)骨架或克酮鎓(croconium)骨架之新穎氧碳系化合物、含有其之樹脂組成物(以下，有時簡稱為樹脂組成物)、及含有該樹脂組成物之濾光片等。

化合物中具有方酸鎓骨架或克酮鎓骨架之氧碳系化合物作為於可見光、近紅外區域有吸收之色素有用，例如被期待作為可見光或紅外光之截止濾光片、近紅外線吸收膜、安全油墨(security ink)等之利用。

具有方酸鎓骨架或克酮鎓骨架之氧碳系化合物通常以方酸或克酮酸為原料，藉由向該原料之兩端導入雜環基而合成。作為雜環基，含吡咯環之基、尤其是含吲哚環之基廣為人知，作為該吲哚系方酸鎓化合物或吲哚系克酮鎓化合物等氧碳系化合物，例如有如以下之報告。

專利文獻1中揭示有如下述式所示之方酸鎓化合物(請求項2)。

專利文獻2中揭示有如下述式所示之方酸鎓化合物(實施例14)。

進而，專利文獻2中亦揭示有如下述式所示之克酮鎓化合物(實施例17)。

專利文獻3中揭示有如下述式所示之方酸鎓化合物(請求項1)。

(式中，基Ar¹、Ar²分別獨立地表示下述式(A)~(C) 中之任一取代基；其中，不包括Ar¹、Ar²同為式(A)之情形)

又，專利文獻4中揭示有如下述式所示之方酸鎓化合物(式17)。

專利文獻5中一併揭示有下述式之方酸鎓化合物及其吸收波長，並揭示有將其用於近紅外線截止濾光片。

非專利文獻1中揭示有如下述式所示之方酸鎓化合物(化合物3a-g)。

非專利文獻2中揭示有如下述式所示之克酮鎓化合物(化合物3a-g)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-308602號公報

[專利文獻2]日本特開平6-25165號公報

[專利文獻3]日本特開2014-148567號公報

[專利文獻4]美國專利第5,543,086號說明書

[專利文獻5]日本特開2014-059550號公報

[非專利文獻]

[非專利文獻1]Tetrahedron Letters, 1999, vol40, 4067-4068

[非專利文獻2]Tetrahedron Letters, 2002, vol43, 8391-8393

如上所述，專利文獻1~3或非專利文獻1~2所揭示之吲哚系方酸鎓化合物或吲哚系克酮鎓化合物係使方酸鎓骨架或克酮鎓骨架與含氮環(吲哚環、二氫咔唑環)經由1個(不形成環結構之)次甲基而鍵結，藉此使含氮環與方酸鎓骨架或克酮鎓骨架共軛而成者。又，專利文獻4及5所揭示之氧碳系化合物係不經由1個(不形成環結構之)次甲基而使氧碳系化合物與苯環鍵結而成者。

此外，專利文獻1、非專利文獻1及非專利文獻2所揭示之方酸鎓化合物或克酮鎓化合物均於對波長吸收光譜進行測定時，在小於吸收最大波長之波長側觀察到較大之肩峰(參照專利文獻1之圖1~圖3、非專利文獻1之圖1、非專利文獻2之圖1)。因此，要求去除(或減少)此種 肩峰而進一步提高分光能力。再者，雖然於專利文獻2中並未揭示波長吸收光譜之測定結果，但專利文獻2所記載之方酸鎓化合物及克酮鎓化合物亦於含氮環(二氫咔唑環)與方酸鎓骨架或克酮鎓骨架鍵結時經由不形成環結構之次甲基，於該方面與專利文獻1、非專利文獻1及非專利文獻2所揭示之化合物相同，若參照申請人之結果，則可推測分光能力較差。

又，可知專利文獻3~5所揭示之含有方酸鎓化合物之樹脂組成物雖然充分吸收最大吸收波長附近之紅色波長(610~750nm)之光，但為藍色系光之波長區域之波長400~450nm下之光之穿透率不充分。因此，可知穿透該等樹脂組成物之光之色調會發生變化。因此，為了使穿透樹脂組成物之光之色調儘量不發生變化，而要求進一步提高波長400~450nm下之光之穿透率。

進而，專利文獻3~5所揭示之方酸鎓化合物亦存在於對波長吸收光譜進行測定時在小於吸收最大波長之波長側可觀察到較大之肩峰之情況。因此，亦期望去除(或減少)此種肩峰而進一步提高分光能力。

於此種狀況下，本發明揭示有如下課題：藉由如下方式進行分子設計，而提供一種新穎之氧碳系化合物；該方式係：於方酸鎓骨架或克酮鎓骨架上鍵結有含有含氮5員環(吡咯環)之基之氧碳系化合物中，以鍵結於方酸鎓骨架或克酮鎓骨架上之碳原子形成烴環。又，本發明進而揭示有如下課題：提供一種充分吸收紅色波長之光，並且於400~450nm下之光之平均穿透率較高之樹脂組成物。又，本發明揭示有如下之其他課題：較佳為於該新穎之氧碳系化合物及含有其之樹脂組成物中，製成於可見光、近紅外區域之吸收光譜中不存在肩峰(或大幅度減少)者。

本發明人等為了解決上述課題而反覆進行潛心研究，結果發現，藉由於經由碳原子於方酸鎓骨架或克酮鎓骨架上鍵結含氮5員環之情形時，以鍵結含氮5員環與方酸鎓骨架或克酮鎓骨架之次甲基成為環結構之方式進行分子設計，可獲得先前未知之新的氧碳系化合物；並且該化合物及使用該化合物之樹脂組成物與先前之氧碳系化合物(方酸鎓化合物或克酮鎓化合物)相比，於可見光、近紅外區域之吸收光譜中不存在出現於小於吸收最大波長之波長側之肩峰(或大幅度減少)，從而完成本發明。又，本發明者人發現，藉由使用以上述方式進行分子設計之化合物，而成為充分吸收紅色波長之光，並且於400~450nm下之光之平均穿透率較高之樹脂組成物。

即，本發明之氧碳(oxocarbon)系化合物之特徵在於：其係以下述式(1)或下述式(2)表示。

[式(1)及式(2)中，R^a1~R^a4分別獨立地為下述式(3)所表示之結構單位。

(式(3)中，環A為4~9員之不飽和烴環。

X及Y分別獨立地為有機基或極性官能基。

n為0~6之整數，且為m以下(含)(其中，m為自環A之構成員數減去3而獲得之值)，於n為2以上(含)之情形時，多個Y可相同亦可不同。

環B為可具有取代基之芳香族烴環、芳香族雜環或包含該等環結構之縮合環。

再者，*表示與式(1)中之4員環或式(2)中之5員環之鍵結部位)]

於本發明之氧碳系化合物之較佳之態樣中，上述環B為苯環或萘環，上述Y為烷基或羥基，上述X為烷基或芳基。

本發明亦包含含有上述本發明之氧碳系化合物與樹脂成分之樹脂組成物。

於本發明之樹脂組成物中，較佳為進而含有選自酮類、二醇衍生物、醯胺類、酯類、吡咯啶酮類、芳香族烴類、脂肪族烴類及醚類中之至少一種以上之溶劑，尤佳為上述醯胺類之使用量於樹脂組成物100質量%中為60質量%以下(含)。又，於本發明之樹脂組成物中，較佳為上述樹脂成分為選自聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、 聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚碸樹脂、環氧系樹脂、及聚環烯烴樹脂中之至少一種以上。

進而，本發明亦包含含有上述本發明之樹脂組成物之成形體及面狀成形體。

除此以外，本發明亦包含一種光學濾光片(以下，有時簡稱為濾光片)，其具有由上述樹脂組成物形成之樹脂層或樹脂膜。進而，本發明亦包含一種光學濾光片，其係具備支持體、及設置於上述支持體之單面或兩面之樹脂層之光學濾光片，其特徵在於：上述樹脂層係藉由上述樹脂組成物所形成。此外，本發明之濾光片較佳為上述樹脂層或上述樹脂膜之波長400~450nm下之分光光線之平均穿透率為81%以上(含)。

進而，本發明亦包含一種近紅外線截止濾光片，上述光學濾光片具備介電質多層膜。除此以外，本發明亦包含一種攝像元件，其含有上述光學濾光片與上述近紅外線截止濾光片中之至少一者。

再者，於本說明書中，所謂方酸鎓骨架係指上述式(1)中除去R^a1及R^a2而成之結構，所謂克酮鎓骨架係指上述式(2)中除去R^a3及R^a4而成之結構。

根據本發明，可獲得一種於可見光、近紅外區域之吸收光譜中，不存在出現於小於吸收最大波長之波長側之肩峰(或大幅度減少)之新穎之氧碳系化合物。該氧碳系化合物及含有其之樹脂組成物與其成形體可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收，而可色純度良好且有效率地吸收所需之紅色波長區域之光。因此，可較佳地用於要求選擇性非常高 之穿透性之光學用途。

又，根據本發明，藉由製成含有特定之氧碳系化合物之樹脂組成物，400~450nm之平均穿透率變高，而可選擇性地吸收所需之紅色波長之光。因此，本發明之樹脂組成物具有較高之選擇穿透性，故而可較佳地用於光學用途。

圖1係表示實施例1-1中所獲得之方酸鎓化合物01之MS圖譜(正、負模式)的圖。

圖2係用以說明吸收光譜中之面積比X之模式圖。

圖3係修正表示實施例1-1、比較例1-1及比較例1-2中所獲得之方酸鎓化合物之吸收光譜之圖。

圖4係修正表示實施例2-1、比較例2-1及比較例2-2中所獲得之樹脂組成物之吸收光譜之圖。

圖5係表示實施例3-12及比較例3-3中所獲得之樹脂層之波長與穿透率之關係的圖。

圖6係表示含有方酸鎓化合物01之樹脂層及含有比較方酸鎓化合物5之樹脂層之波長與穿透率之關係的圖。

1.氧碳系化合物

本發明之新穎之氧碳系化合物係化學結構中具有氧碳骨架之化合物， 具體而言，以具有方酸鎓骨架之下述式(1)或具有克酮鎓骨架之下述式(2)表示。此處，式(1)及式(2)中之R^a1~R^a4分別獨立地為下述式(3)所表示之特定之結構單位。

式(3)中，*表示與式(1)所表示之方酸鎓骨架或式(2)所表示之克酮鎓骨架之鍵結部位，本發明具有如下特徵：鍵結於方酸鎓骨架或克酮鎓骨架上之碳原子(上述式(3)中以箭頭表示之碳原子)形成烴環(環A)。藉由該結構上之特徵，本發明之氧碳系化合物(方酸鎓化合物或克酮鎓化合物)成為於400~450nm下之光之平均穿透率優異者。又，本發明之氧碳系化合物由於可去除(或大幅度減少)可見光、近紅外區域之吸收光譜中小於吸收最大波長之波長側之肩峰，因此可色純度良好且有效率地對吸收最大波長區域之光進行吸收。

式(3)中，環A係構成員數為4~9員之不飽和烴環。環A 只要為於鍵結於方酸鎓骨架或克酮鎓骨架上之碳原子(上述式(3)中以箭頭表示之碳原子)與構成吡咯環之碳原子之間至少具有1個雙鍵之不飽和烴環即可，可為除了該雙鍵以外亦具有不飽和鍵(較佳為雙鍵)者，較佳為環A所具有之雙鍵為1個。環A較佳為5~8員環，更佳為6~8員環。

作為環A之結構，例如可列舉：環丁烯、環戊烯、環戊二烯、環己烯、環己二烯、環庚烯、環庚二烯、環庚三烯、環辛烯、環辛二烯、環辛三烯、環壬烯、環壬二烯、環壬三烯、環壬四烯等環烯結構。其中，較佳為環戊烯、環己烯、環庚烯、環辛烯等環烷單烯。

式(3)中，n為0~6之整數，且為m以下(含)(其中，m為自環A之構成員數減去3而獲得之值)。n較佳為0~5之整數，更佳為0~3之整數，進而較佳為0~2之整數。於n為1以上(含)之情形時，鍵結於構成環A之碳原子上之氫原子被取代為Y。

式(3)中，X及Y為有機基或極性官能基。

作為X及Y之例之有機基，例如可列舉：烷基、烷氧基、烷硫基氧基(烷硫基)、烷氧基羰基、烷基磺醯基、芳基、芳烷基、芳氧基、芳硫基氧基(芳硫基)、芳氧基羰基、芳基磺醯基、芳基亞磺醯基、醯胺基(-NHCOR)、磺醯胺基(-NHSO₂R)、羧基(羧酸基)、苯并噻唑基、鹵化烷基、氰基等。又，作為極性官能基，可列舉：鹵素基、羥基、硝基、胺基、磺基(磺酸基)等。

作為上述烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、三級丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八 烷基、十九烷基、二十烷基等直鏈狀或支鏈狀之烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基等脂環式烷基；等。烷基之碳數較佳為1~20，更佳為1~10，進而較佳為1~6，尤其是於脂環式烷基之情形時較佳為3以上(含)。上述烷基亦可具有取代基，作為烷基所具有之取代基，可列舉：鹵素基、羥基、羧基、烷氧基、氰基、硝基、胺基、磺基等。

作為上述烷氧基，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基、十八烷氧基、十九烷氧基、二十烷氧基等。烷氧基之碳數較佳為1~20，更佳為1~10，尤佳為1~5。上述烷氧基中之烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。

作為上述烷硫基(烷硫基氧基)，例如可列舉：甲硫基氧基(甲硫基)、乙硫基氧基(乙硫基)、丙硫基氧基(丙硫基)、丁硫基氧基(丁硫基)、戊硫基氧基(戊硫基)、己硫基氧基(己硫基)、庚硫基氧基(庚硫基)、辛硫基氧基(辛硫基)、壬硫基氧基(壬硫基)、癸硫基氧基(癸硫基)、十一烷硫基氧基(十一烷硫基)、十二烷硫基氧基(十二烷硫基)、十三烷硫基氧基(十三烷硫基)、十四烷硫基氧基(十四烷硫基)、十五烷硫基氧基(十五烷硫基)、十六烷硫基氧基(十六烷硫基)、十七烷硫基氧基(十七烷硫基)、十八烷硫基氧基(十八烷硫基)、十九烷硫基氧基(十九烷硫基)、二十烷硫基氧基(二十烷硫基)等。烷硫基之碳數較佳為1~20，更佳為1~10，尤佳為1~5。上述烷硫基中之烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。

作為上述烷氧基羰基，例如除了可列舉甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、癸氧基羰基、十八烷氧基羰基等未經取代之烷氧基羰基以外，亦可列舉三氟甲氧基羰基等經取代之烷氧基羰基。此處，作為取代基，可列舉鹵素基等。烷氧基羰基之碳數較佳為2~20，更佳為2~10，尤佳為2~5。上述烷氧基羰基中之烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。

作為上述烷基磺醯基，例如可列舉：甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、異丙基磺醯基、丁基磺醯基、己基磺醯基、環己基磺醯基、2-乙基己基磺醯基、辛基磺醯基、甲氧基甲基磺醯基、氰基甲基磺醯基、三氟甲基磺醯基之經取代或未經取代之烷基磺醯基等。烷基磺醯基之碳數較佳為1~20，更佳為1~10，尤佳為1~5。上述烷基磺醯基中之烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。

作為上述芳基，例如可列舉：苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、茚基、薁基、茀基、聯三苯基、聯四苯基、并環戊二烯基、并環庚三烯基、伸聯苯基、二環戊二烯并苯基、苊基、丙烯合萘基等。芳基之碳數較佳為6~20，更佳為6~15。上述芳基亦可具有取代基，作為芳基所具有之取代基，可列舉：烷基、烷氧基、鹵素基、氰基、硝基、硫氰酸酯基、醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺甲醯基、磺基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、胺磺醯基等。

作為上述芳烷基，例如可列舉：苄基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、苯戊基等。上述芳烷基亦可具有取代基，作為芳烷基所具有之取代基，可列舉：烷基、烷氧基、鹵素基、氰基、硝基、硫氰酸酯基、醯基、 烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺甲醯基、磺基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、胺磺醯基等。芳烷基之碳數較佳為6~25，更佳為6~15。

作為上述芳氧基，例如可列舉：苯氧基、聯苯氧基、萘氧基、蒽氧基、菲氧基、芘氧基、茚氧基、薁氧基、茀氧基、聯三苯氧基、聯四苯氧基、并環戊二烯氧基、并環庚三烯氧基、伸聯苯氧基、二環戊二烯并苯氧基、苊氧基、丙烯合萘氧基等。芳氧基之碳數較佳為6~25，更佳為6~15。

作為上述芳硫基氧基(芳硫基)，例如可列舉：苯硫基氧基、聯苯硫基氧基、萘硫基氧基、蒽硫基氧基、菲硫基氧基、芘硫基氧基、茚硫基氧基、薁硫基氧基、茀硫基氧基、聯三苯硫基氧基、聯四苯硫基氧基、并環戊二烯硫基氧基、并環庚三烯硫基氧基、伸聯苯硫基氧基、二環戊二烯并苯硫基氧基、苊硫基氧基、丙烯合萘硫基氧基等。芳硫基氧基之碳數較佳為6~25，更佳為6~15。

作為上述芳氧基羰基，例如可列舉：苯氧基羰基、4-二甲基胺基苯氧基羰基、4-二乙基胺基苯氧基羰基、2-氯苯氧基羰基、2-甲基苯氧基羰基、2-甲氧基苯氧基羰基、2-丁氧基苯氧基羰基、3-氯苯氧基羰基、3-三氟甲基苯氧基羰基、3-氰基苯氧基羰基、3-硝基苯氧基羰基、4-氟苯氧基羰基、4-氰基苯氧基羰基、4-甲氧基苯氧基羰基等經取代或未經取代之苯氧基羰基；1-萘氧基羰基、2-萘氧基羰基等經取代或未經取代之萘氧基羰基；等。芳氧基羰基之碳數較佳為6~25，更佳為6~15。

作為上述芳基磺醯基，例如可列舉：苯基磺醯基、1-萘基磺醯基、2-萘基磺醯基、2-氯苯基磺醯基、2-甲基苯基磺醯基、2-甲氧基苯基磺醯基、2-丁氧基苯基磺醯基、2-氟苯基磺醯基、3-甲基苯基磺醯基、3-氯苯基磺醯基、3-三氟甲基苯基磺醯基、3-氰基苯基磺醯基、3-硝基苯基磺醯基、3-氟苯基磺醯基、4-甲基苯基磺醯基、4-氟苯基磺醯基、4-氰基苯基磺醯基、4-甲氧基苯基磺醯基、4-二甲基胺基苯基磺醯基等經取代或未經取代之苯基磺醯基；1-萘基磺醯基、2-萘基磺醯基等經取代或未經取代之萘基磺醯基；等。芳基磺醯基之碳數較佳為6~25，更佳為6~15。

作為上述芳基亞磺醯基，例如可列舉：苯基亞磺醯基、2-氯苯基亞磺醯基、2-甲基苯基亞磺醯基、2-甲氧基苯基亞磺醯基、2-丁氧基苯基亞磺醯基、2-氟苯基亞磺醯基、3-甲基苯基亞磺醯基、3-氯苯基亞磺醯基、3-三氟甲基苯基亞磺醯基、3-氰基苯基亞磺醯基、3-硝基苯基亞磺醯基、4-甲基苯基亞磺醯基、4-氟苯基亞磺醯基、4-氰基苯基亞磺醯基、4-甲氧基苯基亞磺醯基、4-二甲基胺基苯基亞磺醯基等經取代或未經取代之苯基亞磺醯基；1-萘基亞磺醯基、2-萘基亞磺醯基等經取代或未經取代之萘基亞磺醯基；等。芳基亞磺醯基之碳數較佳為6~25，更佳為6~15。

作為上述醯胺基(-NHCOR)，可列舉R為碳數1~20之直鏈狀或支鏈狀之烷基、芳基、芳烷基(aralkyl)、烷芳基(alaryl)、鹵化烴基者等。

作為上述磺醯胺基(-NHSO₂R)，可列舉R為碳數1~20 之直鏈狀或支鏈狀之烷基、芳基、芳烷基(aralkyl)、烷芳基(alaryl)、鹵化烴基者等。

作為上述鹵化烷基，例如可列舉：氟甲基、3-氟丙基、3-氯丙基、6-氟己基、4-氟環己基等單鹵化烷基；二氯甲基等二鹵化烷基；1,1-二氫-全氟乙基、1,1-二氫-全氟正丙基、1,1-二氫-全氟正丁基、2,2-雙(三氟甲基)丙基、2,2,2-三氯乙基等具有三鹵化甲基單位之烷基；三氟甲基、全氟乙基、全氟正戊基、全氟正己基等全鹵化烷基；等。鹵化烷基之碳數較佳為1~20，更佳為1~10，尤佳為1~5。作為鹵化烷基之鹵素，較佳為氟原子、氯原子、溴原子，尤佳為氟原子。

作為上述鹵素基，可列舉：氟基、氯基、溴基、碘基等。

作為X之例之有機基或極性官能基，上述中，較佳為烷基、烷氧基羰基、芳基，更佳為烷基或芳基。於該情形時，若為直鏈狀或支鏈狀之烷基，則烷基之碳數較佳為1~6，更佳為1~4，若為脂環式之烷基，則烷基之碳數較佳為4~7，更佳為5~6。芳基之碳數較佳為6~10，更佳為6~8。具體而言，作為X之例之有機基或極性官能基，可較佳地列舉：甲基、乙基、異丙基、異丁基、三級丁基、環戊基、環己基、苯基等。

作為Y之例之有機基或極性官能基，上述中，較佳為烷基、烷氧基、鹵素基、苯基、烷氧基羰基(酯基)、醯胺基、磺醯胺基、羥基，更佳為烷基或羥基。於該情形時，烷基之碳數較佳為1~5，更佳為1~3，進而較佳為1~2。具體而言，作為Y之例之有機基或極性官能基，可較佳地列舉：甲基、乙基、羥基等。

於上述n為2以上(含)而存在多個Y之情形時，各Y可相同亦可不 同。又，於上述n為2以上(含)之情形時，多個Y可分別鍵結於不同之碳原子上，亦可2個Y鍵結於1個碳原子上。

式(3)中，環B為可具有取代基之芳香族烴環、芳香族雜環或含有該等環結構之縮合環。作為環B，例如，可列舉具有下述式(A-1)~(A-14)之結構之環、及該等環之1個以上(含)氫原子經任意取代基取代而成之環。該等中，較佳為苯環(A-1)、萘環(A-2、A-3)、喹啉環(A-8、A-13、A-14)或於該等上取代有上述取代基之環。此處，作為取代基，可列舉作為X及Y之例之有機基或極性官能基之上述基，該等中尤佳為：烷基(尤佳為碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀烷基)、芳基、烷氧基(較佳為碳數1~4之烷氧基)、烷硫基(尤佳為碳數1~2)、胺基、醯胺基、磺醯胺基、芳香族雜環基、羥基、硫醇基、苯并噻唑基等供電子性基；鹵素基(尤佳為氟基、氯基、溴基)、鹵化烷基(較佳為碳數1~3之全鹵化烷基)、氰基、烷氧基羰基(酯基)、羧基(羧酸基)、羧酸酯基、羧酸醯胺基、磺基(磺酸基)、硝基等吸電子性基，且尤佳為吸電子性基，最佳為鹵素基。環B之取代基個數可為1個，亦可為2個以上(含)(例如，2或3)。又，亦可不具有取代基。於具有取代基之情形時，其個數較佳為1~3，更佳為1~2，尤佳為1。

再者，上述式(A-1)~(A-14)係包含吡咯環之一部分而表示環B者，例如，式(A-1)係包含下圖中a之箭頭所表示之吡咯環之β位之碳原子、與下圖中b之箭頭所表示之吡咯環之α位之碳原子而表述者。

再者，作為具有方酸鎓骨架之化合物(1)中之特定之結構單位的R^a1與R^a2可為同一結構，亦可不同。就容易製造之方面而言，較佳為R^a1與R^a2為同一結構。同樣地，作為具有克酮鎓骨架之化合物(2)中之特定之結構單位的R^a3與R^a4可為同一結構，亦可不同，更佳之態樣為同一結構。

尤佳之氧碳系化合物係如下所述之化合物：具有式(1)之方酸鎓骨架，並且於上述式(3)之結構單位中，環A為環戊烯、環己烯、環庚烯、或環辛烯(最佳為環己烯)，X為碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數3~6之環烷基、碳數6~10之芳基、或碳數2~5之烷氧基羰基，環B為苯環(A-1)、萘環(A-2、A-3)、喹啉環(A-8、A-13、A-14)。於該尤佳之氧碳系化合物中，於環B具有取代基之情形時，作為取代基，較佳為芳基、碳數1~4之烷基、碳數1~4之烷氧基、碳數1~2之烷硫基、硝基、碳數1~4之鹵化烷基(尤其是全氟烷基)、羧基、鹵素基、氰基、苯并噻唑基。於該取代基為鹵素基之情形時，較佳為於環B上取代有1~3個鹵素基。較佳為取代基中至少一個鍵結於作為環B之苯環中相對於吡咯環之NH基所鍵結之部位而成為對位之碳原子上。尤其是若於該對位上鍵結有硝基、碳數1~4之鹵化烷基(尤其是全氟烷基)、羧基、鹵素基、氰基等吸電子性基，則可進一步選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

又，於欲獲得於可見光區域具有較高之穿透性之樹脂組成物之情形 時，環B上之上述取代基較佳為供電子性基以外之基，更佳為選自烷基、羧酸酯基、羧酸醯胺基、鹵素基、羧基、硝基、氰基中之至少一種。該等取代基可進一步具有其他取代基，亦可為未經取代。

另一方面，於欲增大樹脂組成物之最大吸收波長之情形時，環B上之上述取代基較佳為供電子性基，更佳為選自烷氧基、硫代烷氧基、二烷基胺基、醯胺基、苯基、萘基、苯氧基、萘氧基、芳香族雜環基、胺基、羥基、硫醇基中之至少一種。該等取代基可進一步具有其他取代基，亦可為未經取代。

如以上之式(3)所表示之特定之結構單位鍵結於式(1)所表示之方酸鎓骨架或式(2)所表示之克酮鎓骨架上而成之本發明的氧碳系化合物存在互變異構物。詳細而言，於鍵結於式(1)所表示之方酸鎓骨架上之情形時，除了下述(1)所表示之化合物以外，存在(1a)或(1b)所表示之互變異構物。另一方面，於鍵結於式(2)所表示之克酮鎓骨架上之情形時，除了下述(2)所表示之化合物以外，存在(2a)、(2b)或(2c)所表示之互變異構物。本發明之氧碳系化合物不僅包含(1)或(2)所表示之化合物，而且亦包含各自所對應之互變異構物。

2.氧碳系化合物之製造方法

本發明之氧碳系化合物之製造方法並無特別限定，例如，可以下述式(4)：

(式(4)中，環A、環B、X、Y及n與式(3)相同)所表示之含吡咯環之化合物作為中間原料，藉由使其與方酸或克酮酸反應而製造。

用作中間原料之含吡咯環之化合物可藉由適當採用公知之合成方法而合成。例如，於環A為環己烯、環B為苯環、n=0之情形(即，4a-取代-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)時，可藉由鹽酸苯肼與2-取代環己酮之反應而合成，將成為X之取代基導入至環己酮之2位即可。進而，若以成為Y之取代基對環己酮之3位、4位、5位、6位進行修飾，則可排列 為n為1以上(含)且環A具有Y之化合物。除此以外，環B之結構可藉由將鹽酸苯肼變更為其他芳香族肼鹽酸鹽而進行排列，環A之構成員數可藉由將2-取代環己酮變更為成環碳數不同之其他2-取代環烷酮而進行排列。

又，用作中間原料之含吡咯環之化合物例如可藉由以下之論文所記載之合成法而合成含吡咯環之化合物。

SAJJADIFAR ET AL：'New 3H-Indole Synthesis by Fischer's Method.Part I.'Molecules 2010,no.15,April 2010,pages 2491-2498

於方酸或克酮酸與含吡咯環之化合物之反應中，含吡咯環之化合物之使用量較佳為相對於方酸或克酮酸，為1倍mol以上(含)，更佳為1.5倍mol以上(含)，進而較佳為2倍mol以上(含)，且較佳為5倍mol以下(含)，更佳為4倍mol以下(含)，進而較佳為3倍mol以下(含)。

方酸或克酮酸與含吡咯環之化合物之反應較佳為於溶劑存在下實施，作為可使用之溶劑，例如可列舉：氯仿、二氯甲烷等氯系烴類；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類；THF、二烷、環戊基甲基醚、二異丙醚、二乙醚等醚類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等醯胺類；等。該等溶劑可單獨使用，亦可組合兩種以上而使用。

上述溶劑之使用量(合計)較佳為相對於方酸或克酮酸，為1倍質量以上(含)，更佳為5倍質量以上(含)，進而較佳為10倍質量以上(含)，且上限例如為100倍質量以下(含)。

於方酸或克酮酸與含吡咯環之化合物之反應中，反應溫度適 當設定即可，例如較佳為80℃以上(含)，更佳為100℃以上(含)，且較佳為170℃以下(含)，更佳為140℃以下(含)。本反應尤其是在回流狀態下進行為宜。又，反應時間亦無特別限定，例如，較佳為0.5小時以上(含)，更佳為1小時以上(含)，且較佳為24小時以下(含)，更佳為12小時以下(含)。又，反應時之環境較佳為設為非活性氣體(氮氣、氬氣等)環境。

又，方酸鎓系化合物可藉由適當採用使含吡咯環之化合物與方酸進行反應之公知之合成方法而合成。例如，可藉由以下之論文所記載之合成法合成含吡咯環之化合物。

Serguei Miltsov ET AL；'New Cyanine Dyes：Norindosquarocyanines',Tetrahedron Letters,Volume 40,Issue 21,May 1999,pages 4067-4068

上述克酮鎓系化合物之合成方法並無特別限定，可藉由適當採用使含吡咯環之化合物與克酮酸進行反應之公知之合成方法而合成。例如，可藉由日本特開2002-286931號公報、日本特開2007-31644號公報、日本特開2007-31645號公報、日本特開2007-169315號公報所記載之方法進行合成。

藉由上述反應而獲得之氧碳系化合物可視需要藉由過濾、矽膠管柱層析法、氧化鋁柱層析法、昇華精製、再結晶、晶析等公知之精製手段適當進行精製。

再者，關於藉由上述反應而獲得之氧碳系化合物之化學結構，可使用質譜法、單晶X射線結構解析法、傅立葉變換紅外分光法、核磁共振分光法等公知之方法進行解析。

3.樹脂組成物

本發明之樹脂組成物含有上述本發明之上述氧碳系化合物、與樹脂成分。進而，本發明之樹脂組成物可視需要含有溶劑、各種添加劑等。該樹脂組成物由於氧碳系化合物之光吸收特性優異，因此400~450nm之平均穿透率變高，另一方面，紅色波長之光之吸收率變高，選擇穿透性優異。由本發明之樹脂組成物可形成樹脂膜或設置於濾光片等上之樹脂層等。以下，存在樹脂層包含樹脂膜之情況。

3.1.氧碳系化合物

本發明之樹脂組成物中所含之本發明之上述氧碳系化合物可為方酸鎓系化合物，亦可為克酮鎓系化合物，亦可為兩者之混合物。又，氧碳系化合物可僅為一種，亦可為兩種以上。

上述氧碳系化合物係作為色素而發揮功能者，於本發明之樹脂組成物中，可於無損本發明之效果之範圍內與本發明之氧碳系化合物一併含有公知之其他色素。作為本發明之樹脂組成物亦可含有之色素，例如可列舉：本發明之氧碳系化合物以外之方酸鎓系色素或克酮鎓系色素；作為中心金屬離子而亦可具有銅(例如，Cu(II))或鋅(例如，Zn(II))等之環狀四吡咯系色素(卟啉類、二氫卟酚(chlorin)類、酞青類、膽鹼類等)、花青系色素、聯四芮(quaterrylene)系色素、萘酚菁(naphthalocyanine)系色素、鎳錯合物系色素、銅離子系色素、二亞銨系色素、亞酞青(subphthalocyanine)系色素、系色素、偶氮系色素、二吡咯亞甲基(dipyrromethene)系色素等。該等其他色素較理想為以無損本發明之效果之方式，於400~1100nm之波長區域具有吸收最大波長。該等其他色素可僅為一種，亦可為兩種以上。

於本發明之樹脂組成物亦含有其他色素之情形時，其他色素之含量相對於本發明之氧碳系化合物與其他色素之合計100質量%，較佳為60質量%以下(含)，更佳為40質量%以下(含)，進而較佳為20質量%以下(含)，尤佳為實質上不含其他色素。

本發明之氧碳系化合物於樹脂組成物中所占之含量較佳為設為與上述其他色素之合計量(總色素量)成為特定之範圍。具體而言，本發明之氧碳系化合物與其他色素之合計量於樹脂組成物之固形物成分100質量%中，較佳為0.01質量%以上(含)，更佳為0.3質量%以上(含)，進而較佳為1質量%以上(含)。又，就使均勻之成膜容易進行之方面而言，本發明所使用之氧碳系化合物與其他色素之合計量之上限於樹脂組成物之固形物成分100質量%中，較佳為25質量%以下(含)，更佳為20質量%以下(含)，進而較佳為15質量%以下(含)。

本發明之樹脂組成物若於樹脂溶液之保管時或塗佈膜之乾燥時、熱硬化時存在氧，則因氧碳系化合物之結構變化、由分解物之產生引起之吸光特性之變化、可見光穿透率之降低等原因，有樹脂組成物之耐久性降低之虞。因此，於樹脂溶液之保管時或塗佈膜之乾燥步驟、熱硬化步驟時，較佳為氧濃度較低，具體而言，氧濃度較佳為10體積%以下(含)。通常之空氣中之氧濃度約為20體積%，藉由於10體積%以下(含)之環境下保存或使用，而可進一步抑制由光或熱引起之氧碳系化合物之物性降低。氧濃度更佳為3體積%以下(含)，進而較佳為1體積%以下(含)，尤佳為0.5體積%以下(含)，最佳為0.3體積%以下(含)。再者，氧濃度可藉由氧濃度計(例如，NEW COSMOS ELECTRIC公司製造之Cosmotector(註 冊商標)XPO-318)進行測定。

將氧濃度設為上述範圍之手段並無特別限定，例如，較佳為將系統中之氧氣置換為非活性氣體，於非活性氣體環境下進行硬化。非活性氣體並無特別限定，例如，除了氮氣以外，可列舉氦氣、氖氣、氬氣等稀有氣體。其中，較佳為氬氣、氮氣，尤佳為氮氣。又，可為減壓下、常壓下、加壓下之任一環境下。

3.2.樹脂成分

本發明之樹脂組成物中所含之樹脂成分只要為可充分溶解或分散上述氧碳系化合物者，則無特別限制，可使用公知之樹脂。又，作為樹脂成分，不僅可使用聚合已結束之樹脂，而且亦可使用為樹脂原料(包括樹脂之前驅物或該前驅物之原料、構成樹脂之單體等)，且於成形樹脂組成物時進行聚合反應或交聯反應而併入樹脂中者。但由於根據本發明之氧碳系化合物之結構或於使用其他色素之情形時其他色素之結構，而亦有存在於藉由聚合反應而獲得之反應液中之未反應物、反應性末端官能基、離子性基、觸媒、酸/鹼性基等導致該結構之一部分或全部分解之可能性，因此於此種情形時，較理想為使用聚合結束、並經單離(視需要為經精製)之樹脂。

作為可用作樹脂成分之樹脂，例如可列舉：聚(醯胺)醯亞胺樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、(甲基)丙烯酸胺酯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚烯烴樹脂(例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂)、聚環烯烴樹脂、三聚氰胺系樹脂、胺酯(urethane)系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺樹脂(例如尼龍)、芳族聚醯胺樹脂、聚醯亞胺系樹脂、醇酸系樹脂、酚系樹脂、聚碸樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂(例如 聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等)、丁醛樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醚系樹脂、ABS樹脂(丙烯腈丁二烯苯乙烯樹脂)、AS樹脂(丙烯腈-苯乙烯共聚物)；(甲基)丙烯酸矽酮系樹脂、烷基聚矽氧烷系樹脂、矽酮樹脂、矽酮胺酯樹脂、矽酮聚酯樹脂、矽酮丙烯酸樹脂等改質矽酮樹脂；氟化芳香族聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基氟樹脂(PFA)、氟化聚芳基醚酮(FPEK)、氟化聚醯亞胺(FPI)、氟化聚醯胺酸(FPAA)、氟化聚醚腈(FPEN)等氟系樹脂；等。該等樹脂成分可僅為一種，亦可為兩種以上。

作為可用作樹脂成分之樹脂，上述中，較佳為溶劑可溶性樹脂。若樹脂成分為溶劑可溶性樹脂，則可將所獲得之樹脂組成物塗料化，例如藉由旋轉塗佈法或溶劑澆鑄法等進行成膜，藉此可容易地製作面狀成形體(包括膜等)。再者，於本說明書中，所謂溶劑可溶性樹脂意指可溶於有機溶劑之樹脂，例如較佳為相對於所使用之有機溶劑100質量份而溶解1質量份以上(含)之樹脂。

作為溶劑可溶性樹脂，可使用熱塑性樹脂，亦可使用硬化性樹脂。就樹脂之儲存穩定性、抑制乾燥步驟中之穿透率變化之觀點而言，較佳為熱塑性樹脂，就塗膜之耐熱性、硬度、耐溶劑性之觀點而言，較佳為硬化性樹脂。為了有效地發揮熱塑性樹脂與硬化性樹脂之優點，亦較佳為混合使用之形態。又，於製成下文所述之具備防反射層、紫外線反射層、近紅外線反射層等之光學濾光片之情形時，較佳為於高溫下製造樹脂層。藉此，於藉由蒸鍍或濺鍍等方法將防反射層、紫外線反射層、近紅外線反射層等積層於樹脂層上之情形時，可製成更緻密且具有高強度、高耐久性、 優異之光學特性之光學濾光片。為了於高溫下製造樹脂層，較佳為本發明之樹脂組成物所使用之樹脂之耐熱性較高，即本發明之樹脂組成物所使用之樹脂之Tg較高。具體而言，上述樹脂之Tg較佳為100℃以上(含)，更佳為130℃以上(含)，進而較佳為170℃以上(含)，最佳為250℃以上(含)。

作為用作溶劑可溶性樹脂之熱塑性樹脂，例如可列舉：聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚碸樹脂、聚環烯烴樹脂等，作為用作溶劑可溶性樹脂之硬化性樹脂，可列舉：環氧系樹脂、胺酯系樹脂、酚系樹脂等。溶劑可溶性樹脂較佳為選自聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚碸樹脂、聚環烯烴樹脂、環氧系樹脂中之至少一種，更佳為選自聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚環烯烴樹脂、環氧系樹脂中之至少一種，進而較佳為選自聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚碸樹脂、聚環烯烴樹脂、環氧系樹脂中之至少一種，最佳為選自聚(醯胺)醯亞胺樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚環烯烴樹脂、環氧系樹脂中之至少一種。以下，對聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚碸樹脂、聚環烯烴樹脂、及環氧系樹脂進行詳細說明。

(I)熱塑性樹脂

3.2.1.聚(醯胺)醯亞胺樹脂

首先，本說明書中所謂之聚(醯胺)醯亞胺樹脂包含狹義之聚醯亞胺樹脂(意指含有醯亞胺鍵、不含醯胺鍵之樹脂，此處所謂之醯胺鍵意指無 法藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵)、及聚醯胺醯亞胺樹脂(意指含有無法藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵與醯亞胺鍵之樹脂)之兩者。

聚醯亞胺樹脂中之醯亞胺鍵通常藉由具有醯胺鍵及與其鄰接之羧基之鍵結鏈(於本發明中，亦將該鍵結鏈稱為醯胺酸。通常為於鄰接於鍵結有醯胺鍵之碳原子之碳原子上鍵結有羧基之結構)中之醯胺鍵與羧基之脫水反應而形成。於藉由脫水反應由聚醯胺酸產生聚醯亞胺樹脂時，分子內有可能殘存若干量之醯胺酸。因此，於本發明中提及「聚醯亞胺樹脂」之情形時，係含有醯亞胺鍵，而不含無法藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵，但亦可不含或含有若干量之可藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵。較佳為聚醯亞胺樹脂中之醯亞胺鍵含有率(相對於可藉由醯亞胺化反應進行醯亞胺化之醯胺鍵數與醯亞胺鍵數之合計量100莫耳%之醯亞胺鍵數之比例)為80莫耳%以上(含)之聚醯亞胺樹脂。更佳為90莫耳%以上(含)，進而較佳為95莫耳%以上(含)，尤佳為98莫耳%以上(含)。

聚(醯胺)醯亞胺樹脂係含有無法藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵與醯亞胺鍵者，關於可藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵，可不含或含有若干量。於含有可藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵之情形時，相對於醯胺鍵數(無法藉由脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵數與可藉由脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵數的和)與醯亞胺鍵數之合計量100莫耳%之可藉由醯胺酸之脫水反應形成醯亞胺鍵之醯胺鍵之含有率較佳為未達20莫耳%。更佳為未達10莫耳%，進而較 佳為未達5莫耳%，尤佳為未達2莫耳%。

聚(醯胺)醯亞胺樹脂就可獲得較高之透明性之方面而言，較佳為芳香環較少，例如，聚(醯胺)醯亞胺樹脂之總質量100%中之芳香環之質量較佳為65%以下(含)，更佳為45%以下(含)，進而較佳為30%以下(含)。

作為聚(醯胺)醯亞胺樹脂，例如，較佳為具有下述式(10)：

(式中，R^p1相同或不同，表示有機基)所表示之重複單位之化合物。

作為上述式(10)中之R^p1，較佳為2價之有機基，其中，較佳為碳數2~39之2價之有機基。又，該有機基較佳為含有一種或兩種以上之烴骨架。作為烴骨架，較佳為脂肪族鏈狀烴、脂肪族環狀烴、芳香族烴。又，該有機基亦可為具有雜環骨架者。

又，作為上述式(10)中之R^p1，較佳為含有具有選自上述之烴骨架及/或雜環骨架中之相同或不同之兩種以上，且該等經由碳-碳鍵、或與碳-碳鍵不同之鍵結基鍵結而成之骨架者。作為鍵結基，例如，可列舉-O-、-SO₂-、-CO-、-Si(CH₃)₂-、-C₂H₄O-、-S-等。再者，上述式(10)所表示之重複單位中之各R^p1可相同亦可不同。

上述R^p1所表示之有機基可直接鍵結於氮原子上，亦可具有 -O-、-SO₂-、-CO-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-Si(CH₃)₂-、-C₂H₄O-、-S-等作為鍵結基。再者，式(10)中之環己基環上之氫原子之一部分或全部可被取代，但較佳為未經取代(全部為氫原子之形態)者。上述式(10)所表示之重複單位可相同亦可不同，可為嵌段狀、無規狀等任意形態。

作為上述聚(醯胺)醯亞胺樹脂中之較佳者，例如，可列舉具有下述式(10-1)：

所表示之重複單位之化合物。

聚(醯胺)醯亞胺樹脂可藉由使由多元羧酸化合物與多元胺化合物及/或多元異氰酸酯化合物之反應獲得之聚(醯胺)醯亞胺樹脂之原料(有時亦稱為「聚(醯胺)醯亞胺前驅物」)進行醯亞胺化反應而得。

3.2.2.氟化芳香族聚合物

作為氟化芳香族聚合物，可列舉由含有至少具有1個以上(含)之氟原子之芳香族環與選自醚鍵、酮鍵、碸鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵及酯鍵之群中之至少1個鍵之重複單位所構成之聚合物等，具體而言，例如，可列舉具有含氟原子之芳香族環之聚醯亞胺、聚醚、聚醚醯亞胺、聚醚酮、聚醚碸、聚醯胺醚、聚醯胺、聚醚腈、聚酯等。該等中，較佳為具有含有至少具有1個以上(含)之氟原子之芳香族環與醚鍵之重複單位作為必需單位 之聚合物，更佳為含有下述式(11-1)或(11-2)所表示之重複單位之具有氟原子之聚醚酮。其中，尤佳為氟化聚醚酮(FPEK)。再者，式(11-1)或(11-2)所表示之重複單位可相同亦可不同，可為嵌段狀、無規狀等任意形態。

上述式(11-1)中，R^q1表示碳數1~150之具有芳香族環之2價之有機鏈。Z表示2價之鏈或直接鍵。x及y為0以上(含)之整數，且滿足x+y=1~8，相同或不同地表示鍵結於芳香族環上之氟原子個數。n¹表示聚合度，較佳為2~5000之範圍內，更佳為5~500之範圍內。

上述式(11-2)中，R^q2表示可具有取代基之碳數1~12之烷基、碳數1~12之烷氧基、碳數1~12之烷基胺基、碳數1~12之烷硫基、碳數6~20之芳基、碳數6~20之芳氧基、碳數6~20之芳基胺基或碳數6~20之芳硫基。R^q3表示碳數1~150之具有芳香族環之2價之有機鏈。z係鍵結於芳香族環上之氟原子個數，為1或2。n¹表示聚合度，較佳為2~5000之範圍內，更佳為5~500之範圍內。

於上述式(11-1)中，x+y較佳為2~8之範圍內，更佳 為4~8之範圍內。又，作為醚結構部分(-O-R^q1-O-)鍵結於芳香族環上之位置，較佳為相對於Z為對位。

3.2.3.(甲基)丙烯酸系樹脂

(甲基)丙烯酸系樹脂具有源自(甲基)丙烯酸酯及/或(甲基)丙烯酸之單位作為必需之構成單位，亦可具有源自(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸之衍生物之構成單位。再者，所謂「(甲基)丙烯酸基」意指「丙烯酸基」及/或「甲基丙烯酸基」。

作為(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸酯衍生物，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸與羥基烴之酯類((甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、(甲基)丙烯酸芳烷基酯等)、(甲基)丙烯酸二環戊氧基乙酯等導入醚鍵之衍生物；(甲基)丙烯酸氯甲酯、(甲基)丙烯酸2-氯乙酯等導入鹵素之衍生物；導入羥基之衍生物；含烯丙基之(甲基)丙烯酸酯類；含乙烯基之(甲基)丙烯酸酯類。

作為上述(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸衍生物，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸等(甲基)丙烯酸類；甲基丙烯酸甲酯、丁烯酸等烷基化(甲基)丙烯酸類；2-(羥甲基)丙烯酸、2-(羥乙基)丙烯酸等羥基烷基化(甲基)丙烯酸類等。該等中，尤其是就耐熱性及透明性之觀點而言，較佳為甲基丙烯酸甲酯。

(甲基)丙烯酸酯(單位)、(甲基)丙烯酸(單位)及該等之衍生物 (單位)可分別僅具有一種，亦可具有兩種以上。

上述導入羥基之衍生物包括：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯、(甲基)丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；2-(羥甲基)丙烯酸烷基酯(例如，2-(羥甲基)丙烯酸甲酯、2-(羥甲基)丙烯酸乙酯、2-(羥甲基)丙烯酸異丙酯、2-(羥甲基)丙烯酸正丁酯、2-(羥甲基)丙烯酸三級丁酯等)、2-(羥乙基)丙烯酸烷基酯(例如，2-(羥乙基)丙烯酸甲酯等)之2-(羥基烷基)丙烯酸烷基酯。

上述含烯丙基之(甲基)丙烯酸酯類包括於α位鍵結有含烯丙基之取代基之丙烯酸酯類，例如，較佳為烯丙氧基甲基丙烯酸酯類、2-(N-烯丙基胺基甲基)丙烯酸酯類。具體而言，較佳為：α-烯丙氧基甲基丙烯酸甲酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸乙酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸丁酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸三級丁酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸環己酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸二環戊二烯酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸異莰基酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸金剛烷基酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸苄酯等烯丙氧基甲基丙烯酸酯類；2-(N-烯丙基N-甲基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-烯丙基N-乙基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-烯丙基N-三級丁基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-烯丙基N-環己基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-烯丙基N-苯基胺基甲基)丙烯酸甲酯等2-(N-烯丙基胺基甲基)丙烯酸酯類。該等中，較佳為α-烯丙氧基甲基丙烯酸甲酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸乙酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸環己酯、α-烯丙氧基甲基丙烯酸苄酯，其中尤佳為α-烯丙氧基甲基 丙烯酸甲酯(AMA)。

上述含乙烯基之(甲基)丙烯酸酯類包括於α位上鍵結有含乙烯基之取代基之丙烯酸酯類，例如，較佳為乙烯氧基甲基丙烯酸酯類、2-(N-乙烯基胺基甲基)丙烯酸酯類。具體而言，較佳為：α-乙烯氧基甲基丙烯酸甲酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸乙酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸丁酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸三級丁酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸環己酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸二環戊二烯酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸異莰基酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸金剛烷基酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸苄酯等乙烯氧基甲基丙烯酸酯類；N-甲基-N-乙烯基-2-(甲氧基羰基)烯丙基胺、N-乙基-N-乙烯基-2-(甲氧基羰基)烯丙基胺、N-三級丁基-N-乙烯基-2-(甲氧基羰基)烯丙基胺、N-環己基-N-乙烯基-2-(甲氧基羰基)烯丙基胺、N-苯基-N-乙烯基-2-(甲氧基羰基)烯丙基胺等N-甲基-N-乙烯基-2-(甲氧基羰基)烯丙基胺類；2-(N-乙烯基N-甲基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-乙烯基N-乙基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-乙烯基N-三級丁基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-乙烯基N-環己基胺基甲基)丙烯酸甲酯、2-(N-乙烯基N-苯基胺基甲基)丙烯酸甲酯等2-(N-乙烯基胺基甲基)丙烯酸酯類。該等中，較佳為α-乙烯氧基甲基丙烯酸甲酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸乙酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸環己酯、α-乙烯氧基甲基丙烯酸苄酯，尤佳為α-乙烯氧基甲基丙烯酸甲酯。

(甲基)丙烯酸系樹脂亦可具有藉由使上述之(甲基)丙烯酸系單體與其他單體共聚合而導入之其他構成單位。藉由使(甲基)丙烯 酸系單體與其他單體共聚合，可提高(甲基)丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度。(甲基)丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度較佳為110℃以上(含)，更佳為120℃以上(含)。作為其他單體，例如可列舉：苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、α-羥基甲基苯乙烯、α-羥基乙基苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、甲基烯丙醇、烯丙醇、N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺、乙烯、丙烯、4-甲基-1-戊烯、乙酸乙烯酯、2-羥基甲基-1-丁烯、甲基乙烯基酮、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基咔唑等具有聚合性雙鍵之單體。該等其他單體(單位)可僅具有一種，亦可具有兩種以上。

(甲基)丙烯酸系樹脂之全部構成單位中之源自(甲基)丙烯酸系單體之構成單位(即，(甲基)丙烯酸酯單位、(甲基)丙烯酸單位及源自該等之衍生物之構成單位)之合計比例較佳為50質量%以上(含)，更佳為60質量%以上(含)，進而較佳為70質量%以上(含)。並不特別存在上限，最佳為100質量%。

較佳為構成(甲基)丙烯酸系樹脂之主鏈含有環結構。(甲基)丙烯酸系樹脂中之主鏈環結構並無特別限定，可為利用-(C=O)N-鍵、(C=O)-O-鍵等含羰基之鍵之環結構，亦可為不含羰基之環結構。作為含有羰基之環結構，例如可列舉：內酯環結構、戊二酸酐結構、戊二醯亞胺結構、順丁烯二酸酐結構、N-取代順丁烯二醯亞胺結構等。更佳為內酯環結構、戊二酸酐結構、戊二醯亞胺結構中之任一者，尤佳為內酯環結構。

作為上述順丁烯二酸酐結構或上述N-取代順丁烯二醯亞 胺結構，例如，可較佳地列舉下述式(12-1)所示之結構(於下述式(12-1)中，於X^s2為氧原子之情形時，成為順丁烯二酸酐結構，於X^s2為氮原子之情形時，成為N-取代順丁烯二醯亞胺結構)。

上述式(12-1)中之R^s7、R^s8互相獨立為氫原子或甲基，X^s2為氧原子或氮原子。於X^s2為氧原子時，不存在R^s9，於X^s2為氮原子時，R^s9為氫原子、碳數1至6之直鏈烷基(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)、環戊基、環己基、苄基或苯基。

上述式(12-1)中之X^s2為氧原子之順丁烯二酸酐結構例如可藉由使順丁烯二酸酐與(甲基)丙烯酸酯等一併聚合而形成。

上述式(12-1)中之X^s2為氮原子之N-取代順丁烯二醯亞胺結構例如可藉由使N-苯基順丁烯二醯亞胺等N-取代順丁烯二醯亞胺與(甲基)丙烯酸酯等一併聚合而形成。

詳細而言，主鏈具有順丁烯二酸酐結構或N-取代順丁烯二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂例如可藉由日本特開昭57-153008號公報、日本特開2007-31537號公報中所記載之方法而製造。

又，(甲基)丙烯酸系樹脂中之主鏈環結構中，作為不含羰 基之環結構，可列舉：氧雜環丁烷環、四氫吖唉環等含氧或含氮四員環；四氫呋喃環、吡咯啶環等含氧或含氮五員環；四氫吡喃環、哌啶環等含氧或含氮六員環等。

作為具有五員環或六員環結構之例，例如，可較佳地列舉下述式(12-2)所示之結構或下述式(12-3)所示之結構，作為具有四員環或五員環結構之例，例如，可較佳地列舉下述式(12-4)或下述式(12-5)所示之結構。主鏈具有環結構之(甲基)丙烯酸系樹脂具有該等各結構之一者以上即可，通常多數情況下組合式(12-2)之結構與式(12-3)之結構而具有，或多數情況下組合式(12-4)之結構與式(12-5)之結構而具有。

(式中，R^s10及R^s11相同或不同，為氫原子或可經鹵素原子取代之碳數1~20之烴基。X¹、Y¹及Z¹相同或不同，為亞甲基、氧原子、或亞胺基。其中，X¹、Y¹及Z¹中至少一者為氧原子或亞胺基)

於上述式(12-2)及上述式(12-3)所示之結構中，較佳為X¹及Z¹為亞甲基、Y¹為氧原子。即，於上述式(12-2)及上述式(12-3)中，較佳為四氫呋喃環結構或四氫吡喃環結構。又，R^s10及R^s11較佳為碳數1~5之烴基，尤佳為甲基。

具有上述式(12-2)之環結構及/或式(12-3)之環結構 之樹脂例如可藉由單獨將上述含烯丙基之(甲基)丙烯酸酯類聚合或使其與其他單體一併聚合而製造。

(式中，R^s12及R^s13為氫原子或可經鹵素原子取代之碳數1~20之烴基。X²及Y²相同或不同，為亞甲基、氧原子、或亞胺基。其中，X²及Y²中至少一者為氧原子或亞胺基)

於上述式(12-4)及上述式(12-5)所示之結構中，較佳為X²為亞甲基、Y²為氧原子之氧雜環丁烷環結構或四氫呋喃環結構。又，R^s12及R^s13較佳為碳數1~5之烴基，尤佳為甲基。

具有上述式(12-4)之環結構及/或式(12-5)之環結構之樹脂例如可藉由單獨將上述含乙烯基之(甲基)丙烯酸酯類聚合或使其與其他單體一併聚合而製造。

3.2.4.聚碸樹脂

典型而言，聚碸樹脂係具有含有2價之芳香族基(自芳香族化合物中去除2個鍵結於該芳香環上之氫原子而成之殘基)、磺醯基(-SO₂-)及氧原子之重複單位之樹脂。就耐熱性或耐化學品性之方面而言，聚碸樹脂較佳為具有下述式(D)所表示之重複單位(以下稱為「重複單位(D)」)或下述式(E)所表示之重複單位(以下稱為「重複單位(E)」)，進而亦可 具有一種以上之下述式(F)所表示之重複單位(以下稱為「重複單位(F)」)等其他重複單位。

(D)-Ph¹-SO₂-Ph²-O-

(Ph¹及Ph²分別獨立地表示伸苯基。位於上述伸苯基上之氫原子可分別獨立地被取代為烷基、芳基或鹵素原子)

(E)-Ph³-SO₂-Ph⁴-O-Ph⁵-R'-Ph⁶-O-

(Ph³、Ph⁴、Ph⁵及Ph⁶表示伸苯基。位於上述伸苯基上之氫原子可分別獨立地被取代為烷基、芳基或鹵素原子。R'表示亞烷基、氧原子或硫原子)

(F)-(Ph⁷)_n-O-

(Ph⁷表示伸苯基。位於上述伸苯基上之氫原子可分別獨立地被取代為烷基、芳基或鹵素原子。n表示1~3之整數。於n為2以上(含)之情形時，以多個存在之Ph⁷互相可相同亦可不同)

Ph¹~Ph⁷中之任一者所表示之伸苯基可為對伸苯基，亦可為間伸苯基，亦可為鄰伸苯基，由於所獲得之樹脂之耐熱性、強度變高，因此較佳為對伸苯基。作為可取代位於上述伸苯基上之氫原子之烷基之例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、正己基、正庚基、2-乙基己基、正辛基、正壬基及正癸基，其碳數較佳為1~10。作為可取代位於上述伸苯基上之氫原子之芳基之例，可列舉：苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、1-萘基及2-萘基，其碳數較佳為6~20。作為可取代位於上述伸苯基上之氫原子之鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。於位於上述伸苯基上之氫原子經該等基取代之情形時，其個數較佳為每一個上述伸苯基分別獨立地為1 個或2個，更佳為1個。作為R所表示之亞烷基之例，可列舉亞甲基、亞乙基、亞異丙基及1-亞丁基，其碳數較佳為1~5。

作為芳香族聚碸樹脂之市售品，例如，可列舉住友化學公司製造之Sumikaexcel PES3600P或住友化學公司製造之Sumikaexcel PES4100P(具有重複單位(D)之芳香族聚碸樹脂)、SOLVAY SPECIALTY POLYMERS公司製造之UDEL(註冊商標)P-1700(具有重複單位(E)之芳香族聚碸樹脂)等。再者，芳香族聚碸樹脂之末端基可根據其製法適當進行選擇，作為其例，可列舉-Cl、-OH、-OR(R：烷基)。

3.2.5.聚環烯烴樹脂

所謂聚環烯烴樹脂係指含有聚環烯烴作為構成聚合物之單體成分之聚合物或共聚物(以下稱為(共)聚合物)，可為僅由單體成分為一種或兩種以上之聚環烯烴構成之(共)聚合物，亦可為含有聚環烯烴及其他單體作為單體成分之(共)聚合物。作為上述其他單體，例如，可列舉乙烯、丙烯等碳數2以上(含)之α-烯烴、(甲基)丙烯酸酯等。

聚環烯烴樹脂較佳為主鏈具有環狀烯烴骨架之聚合物，其中，更佳為作為均聚物或共聚物之聚環烯烴樹脂。作為較佳之聚環烯烴樹脂，可列舉：下述結構式(13)、(14)所表示之聚環烯烴樹脂(以下稱為降莰烯系樹脂)、下述結構式(15)所表示之聚環烯烴樹脂(以下稱為改質降莰烯系樹脂)、下述結構式(16)所表示之聚環烯烴樹脂(以下稱為環狀烯烴系共聚合樹脂)。

(式(13)中，m¹為1以上(含)之整數，R^b1及R^b2表示氫原子或烷基，各自可相同，亦可不同。該等R^b1及R^b2可鍵結而形成環)

(式(14)中，m²及n²中之任一者或均為1以上(含)之整數。R^c1及R^c2表示氫原子或烷基，各自可相同，亦可不同。該等R^c1及R^c2可鍵結而形成環)

(式(15)中，m³為1以上(含)之整數，R^d1~R^d4表示氫 原子或烷基，R^d5表示烷氧基羰基(較佳為甲氧基羰基或乙氧基羰基)，R^d1~R^d4各自可相同，亦可不同。該等R^d1及R^d2可鍵結而形成環)

(式(16)中，m⁴及n⁴為1以上(含)之整數，R^e1~R^e4表示氫原子或烷基，R^e5表示氫原子、烷基、烷氧基羰基(較佳為甲氧基羰基或乙氧基羰基)，R^e1~R^e4各自可相同，亦可不同。該等R^e1及R^e2可鍵結而形成環)

聚環烯烴樹脂中，較佳為選自由降莰烯系樹脂、改質降莰烯系樹脂、及環狀烯烴系共聚合樹脂所組成之群中之至少一種樹脂。該等聚環烯烴樹脂可單獨使用一種，或可組合兩種以上而使用。

作為聚環烯烴樹脂，亦可使用市售品。作為市售品，例如可列舉：ZEONEX(註冊商標)(日本ZEON公司製造，降莰烯系單體之開環複分解聚合物氫化聚合物；降莰烯系樹脂)、ZEONOR(註冊商標)(日本ZEON公司製造，基於二環戊二烯與四環戊十二烯之開環聚合之共聚物；降莰烯系樹脂)、ARTON(註冊商標)(JSR公司製造，以二環戊二烯及甲基丙烯酸酯作為原料之含有極性基之環狀烯烴樹脂；改質降莰烯系樹脂)、TOPAS(註冊商標)(Polyplastics公司製造，降莰烯與乙烯之共聚物；環狀 烯烴系共聚合樹脂)、APEL(註冊商標)(三井化學公司製造，四環十二烯與乙烯之共聚物；環狀烯烴系共聚合樹脂)等。

於樹脂層用組成物含有可溶聚環烯烴樹脂之情形時，可為可溶聚環烯烴樹脂本身構成樹脂層，亦可為可溶聚環烯烴樹脂藉由交聯反應等變化而得者構成樹脂層。

樹脂層用組成物中之可溶聚環烯烴樹脂之含量相對於樹脂層用組成物(包含溶劑在內之總量)100質量%，較佳為1~30質量%，更佳為2~20質量%，進而較佳為3~10質量%。

(II)硬化性樹脂

硬化性樹脂可為藉由熱進行硬化(聚合)之樹脂，亦可為藉由光進行硬化(聚合)之樹脂。所獲得之樹脂層(硬化膜)之耐熱性(耐熱分解性及耐熱著色性)或耐化學品性優異。

硬化性樹脂係含有一種或兩種以上之具有硬化性之官能基之有機化合物之樹脂，上述所謂硬化性之官能基為藉由熱或光進行硬化反應之官能基(即意指使樹脂組成物進行硬化反應之基)，例如，除了環氧乙烷基(環氧乙烷環)或環氧基以外，較佳為：氧雜環丁烷基(氧雜環丁烷環)、環硫乙烷基、二氧雜環戊烷基、三氧雜環戊烷基、乙烯醚基、乙烯基、苯乙烯基等陽離子硬化性基；丙烯酸基、甲基丙烯酸基、乙烯基等自由基硬化性基；等。因此，上述硬化性樹脂較佳為含有具有陽離子硬化性基之化合物及/或具有自由基硬化性基之化合物。藉此，直至硬化性樹脂之硬化為止之時間變短，生產性進一步提高，所獲得之硬化物之耐熱性(耐熱分解性、耐熱著色性)亦進一步變得優異。其中，就由於樹脂之硬化收縮率較低，因 此不易引起樹脂層之剝離，藉由模具等進行之形狀賦予變得容易進行之方面而言，更佳為含有具有陽離子硬化性基之化合物之樹脂。

於使用上述硬化性樹脂之情形時，較佳為添加硬化劑。硬化劑可使用一種或併用兩種以上。硬化劑根據硬化反應或硬化性樹脂之種類等適當選擇即可。作為硬化劑，通常使用者即可，例如，可列舉熱潛伏性陽離子硬化觸媒、熱潛伏性自由基硬化觸媒、酸酐系觸媒、酚系觸媒、胺系觸媒等。其中，就生產性之方面而言，較佳為使用硬化速度大之熱潛伏性陽離子硬化觸媒或熱潛伏性自由基硬化觸媒，就減小硬化物之收縮量之目的而言，尤其是使用熱潛伏性陽離子硬化觸媒更佳。又，於進行藉由活性能量線照射之硬化之情形時，可使用光聚合起始劑作為硬化劑。作為光聚合起始劑，較佳為使用光潛伏性陽離子硬化觸媒、光潛伏性自由基硬化觸媒，就減小硬化物之收縮量之目的而言，尤其是使用光潛伏性陽離子硬化觸媒更佳。

作為上述陽離子硬化觸媒，尤佳為由下述式(17)：

(式中，R相同或不同而表示可具有取代基之烴基。x為1~5之整數，相同或不同而表示鍵結於芳香環上之氟原子個數。a為1以上(含)之整數，b為0以上(含)之整數，且滿足a+b=3)所表示之路易斯酸(有機硼烷)與路易斯鹼所構成之形態。

於添加陽離子硬化觸媒或自由基硬化觸媒之情形時，其添加量以不包含溶劑等之有效成分量(固形物成分換算)計，相對於硬化性樹脂100質量份，較佳為設為0.01~25質量份。再者，於添加由式(17)所表示之路易斯酸與路易斯鹼所構成之陽離子硬化觸媒之情形時，以該路易斯酸與路易斯鹼之合計量作為添加量。

於使用陽離子硬化觸媒之硬化方法中，例如與如酸酐硬化之加成型硬化方法之情形相比，所獲得之硬化物之耐熱性、化學穩定性、耐濕性等光學用途所要求之特性更優異。又，與使用銻系鋶鹽等先前之陽離子硬化觸媒之情形相比，硬化時、成膜時、製品使用時之熱之影響所引起之樹脂組成物之著色減少，可獲得耐濕熱性或耐溫度衝擊性等耐久性更優異之硬化物。

作為上述樹脂組成物之硬化方法，並無特別限定，例如，可較佳地使用熱硬化或光硬化(利用活性能量線照射之硬化)等各種方法。作為熱硬化，較佳為於30~400℃左右進行硬化，作為光硬化，較佳為以10~10000mJ/cm²進行硬化。就提高樹脂之硬化性之觀點而言，硬化溫度較佳為100℃以上(含)，更佳為130℃以上(含)，進而較佳為150℃以上(含)。另一方面，就抑制色素之劣化之觀點而言，硬化溫度較佳為未達300℃，更佳為未達250℃，進而較佳為未達230℃。又，就提高樹脂之硬化性之觀點而言，硬化時間較佳為1分鐘以上(含)，更佳為10分鐘以上(含)，進而較佳為30分鐘以上(含)。另一方面，就抑制色素之劣化之觀點而言，硬化時間較佳為未達10小時，更佳為未達5小時，進而較佳為未達2小時。

3.2.6.環氧系樹脂

作為環氧系樹脂，並無特別限定，例如，可列舉將醇類等環氧丙基化而獲得之環氧丙醚系環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、環氧丙胺系環氧樹脂、環氧丙酯系環氧樹脂等。該等可單獨使用，亦可使用兩種以上。

作為環氧系樹脂，其中，較佳為具有脂環式環氧化合物骨架之環氧系樹脂，更佳為具有環氧環己烷骨架之環氧系樹脂、直接或經由烴基對環狀脂肪族烴加成環氧基而獲得之環氧系樹脂。作為具有環氧環己烷骨架之環氧系樹脂或者直接或經由烴基對環狀脂肪族烴加成環氧基而獲得之環氧系樹脂，可列舉如下所述者。

Daicel公司製造之Celloxide(註冊商標)2021P(3,4-環氧環己烯基甲基-3',4'-環氧環己烯羧酸酯)

Daicel公司製造之EHPE3150(2,2-雙(羥甲基)-1-丁醇之1,2-環氧-4-(2-環氧乙烷基)環己烷加成物)

Daicel公司製造之EHPE3150CE(2,2-雙(羥甲基)-1-丁醇之1,2-環氧-4-(2-環氧乙烷基)環己烷加成物與3,4-環氧環己烯基甲基-3,4'-環氧環己烯羧酸酯)

Daicel公司製造之Celloxide(註冊商標)3000(1,2,8,9-二環氧檸檬烯)

Daicel公司製造之Celloxide(註冊商標)2000(1,2-環氧-4-乙烯基環己烷)

上述中，更佳為Daicel公司製造之Celloxide(註冊商標)2021P、Daicel公司製造之EHPE3150。

3.3.溶劑

就簡便實施塗佈操作之觀點而言，本發明之樹脂組成物可含有溶劑。

作為可使用之溶劑，根據樹脂成分之種類等適當選擇即可，於本發明中，作為溶劑，較佳為偶極矩為4D(Debye)以下(含)之溶劑。藉由將偶極矩為4D以下(含)之溶劑與氧碳系化合物併用，可充分地抑制由光或熱引起之氧碳系化合物之物性降低，而可穩定地保存或使用。溶劑之偶極矩較佳為3.5D以下(含)，更佳為3D以下(含)。如此上述溶劑尤佳為偶極矩為3D以下(含)。偶極矩之下限並無特別限定，較佳為0D以上(含)。

作為上述偶極矩為4D以下(含)之溶劑，例如可列舉以下化合物等，該等可使用一種或兩種以上。

甲基乙基酮(亦稱為2-丁酮)(偶極矩：2.76D)、甲基異丁基酮(亦稱為4-甲基-2-戊酮)(偶極矩：2.56D)、環戊酮(偶極矩：3.3D)、環己酮(偶極矩：3.01D)等酮類；PGMEA(亦稱為2-乙醯氧基-1-甲氧基丙烷或丙二醇單甲醚乙酸酯)(偶極矩：1.8D)、乙二醇單正丁醚(偶極矩：2.08D)、乙二醇單乙醚(偶極矩：2.08D)、乙二醇乙醚乙酸酯等二醇衍生物(例如，醚化合物、酯化合物、醚酯化合物等)；四氫呋喃(偶極矩：1.70D)、二烷(偶極矩：3.0D)、二乙醚(偶極矩：1.12D)、二丁醚(偶極矩：1.22D)等醚類；乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯等酯類；甲基溶纖素(亦稱為2-甲氧基乙醇)(偶極矩：2.1D)等醇類；N,N-二甲基乙醯胺(偶極矩：3.72D)等醯胺類；N-甲基吡咯啶酮(更具體而言，1-甲基-2-吡咯啶酮(偶極矩：4.08D))等吡咯啶酮類； 甲苯(偶極矩：0.37D)、二甲苯(偶極矩：1D以下(含))等芳香族烴類；環己烷、乙基環己烷(偶極矩：0D)、庚烷(偶極矩：0.0D)、檸檬烯(偶極矩：1D以下(含))等脂肪族烴類；氯苯、鄰二氯苯(偶極矩：2.27D)等含鹵素芳香族烴類；等。

該等中，較佳為：含有環結構之酮類(稱為環狀酮)；含有環結構之醚類(稱為環狀醚)；鏈狀結構之醇類(亦稱為鏈狀醇)；二醇衍生物中鏈狀結構之乙酸酯類(亦稱為鏈狀乙酸酯)；芳香族烴；脂肪族烴。如此上述溶劑係選自由環狀酮、環狀醚、鏈狀醇、鏈狀乙酸酯、芳香族烴及脂肪族烴所組成之群中之至少一種之形態亦為本發明之較佳形態之一。

又，上述偶極矩為4D以下(含)之溶劑較佳為沸點為90℃以上(含)。例如，於上述組成物進而含有樹脂之情形時，藉由至少含有上述沸點之溶劑，可充分地抑制於塗佈時等揮發之情況，亦可抑制不均等之產生。沸點更佳為100℃以上(含)，進而較佳為110℃以上(含)，尤佳為120℃以上(含)，最佳為130℃以上(含)。又，上限並無特別限定，例如較佳為250℃以下(含)。

於本發明中，除了偶極矩為4D以下(含)之溶劑以外，亦可含有一種或兩種以上之其他溶劑，就進一步提高本發明之效果之觀點而言，較佳為溶劑之總量(偶極矩為4D以下(含)之溶劑與其他溶劑之合計量)100質量%中，使用50質量%以上(含)之偶極矩為4D以下(含)之溶劑。更佳為70質量%以上(含)，進而較佳為90質量%以上(含)。

其他溶劑並無特別限定，較佳為本發明所使用之溶劑總量 100質量%中之水分含量為3質量%以下(含)。

上述組成物中，溶劑之含量並無特別限定，例如於上述組成物含有溶劑之情形時，較佳為相對於樹脂總量(固形物成分)100質量份而將溶劑之總量(偶極矩為4D以下(含)之溶劑與其他溶劑之合計量)設為10~4000質量份。更佳為300~3000質量份，進而較佳為500~2000質量份。又，於上述組成物不含樹脂之情形時，較佳為相對於氧碳系化合物之總量1質量份而將溶劑之總量設為1~10000質量份。更佳為10~8000質量份，進而較佳為100~5000質量份。

尤其是於作為溶劑而單獨使用醯胺類或與其他溶劑併用之情形時，有醯胺類將上述氧碳系化合物分解之虞，因此較佳為醯胺類之使用量較少，尤佳為不含醯胺類。具體而言，醯胺類之使用量於樹脂組成物(包括溶劑在內之總量)100質量%中，較佳為60質量%以下(含)，更佳為40質量%以下(含)，進而較佳為20質量%以下(含)，尤佳為5質量%以下(含)，最佳為0質量%(即，不含醯胺類)。

3.4.各種添加劑

於無損本發明之效果之範圍內，本發明之樹脂組成物亦可視需要含有紫外線吸收劑、塑化劑、界面活性劑、分散劑、表面張力調整劑、黏度調整劑、消泡劑、防腐劑、比電阻調整劑、密接性提高劑等各種添加劑。

4.成形體、面狀成形體

上述樹脂組成物對於成形體、成形零件之塗佈、樹脂膜、或面狀成形體之製造有用。該成形體可藉由利用射出成形、擠出成形、真空成形、壓縮成形、吹塑成形、溶劑澆鑄法等公知方法將本發明之樹脂組成物成形為 特定形狀而獲得。於本發明中，有將尤其是成形為膜狀或板狀者稱為「面狀成形體」之情況。再者，上述「面狀成形體」亦包含形成於支持體上之膜狀之本發明之樹脂組成物成形物與支持體成為一體者(有時亦稱為「積層片」)。

本發明之成形體或面狀成形體之形狀並無特別限定，若為面狀成形體，則例如可列舉厚度未達200μm之膜、厚度為200μm以上(含)之板狀物。

尤佳之成形體為面狀成形體，更佳為光學濾光片。本發明之光學濾光片較佳為具有由本發明之樹脂組成物形成之樹脂層或樹脂膜。樹脂層或樹脂膜之最大吸收波長下之分光光線穿透率較佳為20%以下(含)，更佳為15%以下(含)，進而較佳為10%以下(含)，尤佳為5%以下(含)，進而尤佳為2.5%以下(含)，最佳為1%以下(含)。該光學濾光片較佳為具備支持體、與設置於支持體之單面或兩面之膜狀之樹脂層，該樹脂層使用上述本發明之樹脂組成物。此種積層片或濾光片除了可藉由例如下述方法以外，亦可藉由混練法等製造：藉由旋轉塗佈法或溶劑澆鑄法將經塗料化之樹脂組成物塗佈於支持體上，加以乾燥或硬化，藉此形成之方法；或藉由將由樹脂組成物形成之樹脂膜熱壓接於支持體而形成之方法。由樹脂組成物形成之樹脂層之膜厚並無特別限定，例如較佳為0.5μm以上(含)、15μm以下(含)，更佳為1μm以上(含)、10μm以下(含)，進而較佳為1μm以上(含)、5μm以下(含)，最佳為1μm以上(含)、3μm以下(含)。作為支持體，可使用樹脂板、膜、玻璃基板等，較佳為玻璃基板或膜，更佳為膜。支持體用膜例如較佳為由上文作為較佳之樹脂成分而說 明之樹脂所形成者。

又，作為上述以外之形態，由本發明之樹脂組成物形成之單層之樹脂膜(面狀成形體)亦為較佳之形態。由樹脂組成物形成之單層之樹脂膜(面狀成形體)之膜厚並無特別限定，例如較佳為30μm以上(含)、200μm以下(含)，更佳為50μm以上(含)、150μm以下(含)。

此種積層片、濾光片、單層之樹脂膜例如可於光元件用途、顯示元件用途、機械零件、電氣/電子零件等各種用途中較佳地使用。

5.吸收光譜中之特徵

本發明之氧碳系化合物及含有其之本發明之樹脂組成物與其成形體係於可見光、近紅外區域之吸收光譜中不存在肩峰(或大幅度減少)者，藉此可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

本發明之氧碳系化合物及含有其之本發明之樹脂組成物與其成形體於在以吸收最大值之吸光度成為1.000之方式對可見光、近紅外區域之吸收光譜進行修正而獲得之圖中，將自吸光度成為0.1時之波長(λ_0.1)至吸光度成為0.5時之波長(λ_0.5)為止之峰面積(圖2中之S₁)設為S₁，將自吸光度成為0.5時之波長(λ_0.5)至吸光度成為1時之波長(λ₁)為止之峰面積(圖2中之S₂)設為S₂時，較佳為下述式：X=S₂/S₁所表示之面積比X為128以上(含)，更佳為130以上(含)。肩峰通常於自波峰上升起至吸光度成為0.5為止之吸收區域(面積S₁之區域)中可見，該吸收區域之面積(面積S₁)越小(換言之，面積比X越大)，表示肩峰越降低，而變得有利於更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

本發明中之氧碳系化合物之最大吸收波長(λmax)於方酸 鎓系化合物之情形時，較佳為550~1000nm(更佳為600~900nm)，於克酮鎓系化合物之情形時，較佳為700~1200nm(更佳為750~1100nm)。

又，由於本發明之上述光學濾光片於其樹脂層中含有特定之氧碳系化合物，因此於550~1200nm之範圍內具有最大吸收波長(λmax)，紅色光之吸收特性優異。尤其是於含有方酸鎓系化合物作為氧碳系化合物之情形時，於較佳為550~1000nm、更佳為600~900nm、進而較佳為600~800nm、最佳為650~750nm下具有最大吸收波長，於含有克酮鎓系化合物作為氧碳系化合物之情形時，於較佳為700~1200nm、更佳為750~1100nm下具有最大吸收波長。此外，由於上述光學濾光片含有特定之氧碳系化合物，因此作為其特徵，除了於上述最大吸收波長下之光吸收特性較高以外，亦可列舉於400~450nm下之光之平均穿透率較高。為了作為光學濾光片而發揮出充分之性能，光學濾光片之於最大吸收波長下之分光光線穿透率較佳為20%以下(含)，更佳為15%以下(含)，進而較佳為10%以下(含)，尤佳為5%以下(含)，進而尤佳為2.5%以下(含)，最佳為1%以下(含)。於在最大吸收波長下表現出此種分光光線穿透率之光學濾光片中，於波長400~450nm下之分光光線之平均穿透率例如較佳為81%以上(含)(較佳為82%以上(含)，更佳為83%以上(含))。若使用此種本發明之濾光片，則400~450nm之平均穿透率變高，另一方面，紅色波長之光之吸收率變高，可認為具有較高之選擇穿透性。另一方面，若於波長400~450nm下之分光光線之平均穿透率未達81%，則藍色系之光之穿透不充分，有穿透濾光片之光之色調發生變化之虞。又，由於本發明之光學濾光片可降低穿透光或反射光之角度依存性，因此可獲得適合於明度或色調之變化較少之能 見度修正用途之近紅外線截止濾光片。再者，下文對於400~500nm下之光之平均穿透率及最大吸收波長之求法進行說明。

又，本發明之濾光片較佳為於可見光、近紅外區域之吸收光譜中不存在肩峰(或大幅度減少)者。藉此可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

6.其他

本發明之濾光片之一例具備支持體、與設置於支持體之單面或兩面之樹脂層，但亦可於支持體與樹脂層之間設置基底層。基底層可僅於支持體之單面具有，亦可於兩面具有。又，基底層可為單層結構或多層結構中之任一種。

基底層較佳為由含有矽烷偶合劑之組成物所形成。藉由使基底層用組成物含有此種矽烷偶合劑，具有提高與支持體之密接性之效果或藉由撥水作用抑制水分滲入基底層中之效果，其結果為可獲得耐熱性或耐濕熱性優異之濾光片。具體而言，於回焊步驟、濕熱環境下之使用中，可抑制剝離等。矽烷偶合劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

基底層用組成物之製備方法並無特別限定，可藉由於矽烷偶合劑中添加液體介質及觸媒，利用通常之方法加以混合而獲得。液體介質為水、醇等即可，可使用一種或兩種以上。又，觸媒可為有機酸或無機酸中之任一種。

作為基底層之形成方法，可使用公知之方法，較佳為藉由將基底層用組成物(底塗液)塗佈於支持體上並加熱乾燥而形成之方法。

於支持體為玻璃基板之情形時，就提高接著性之觀點而言， 基底層較佳為由含有具有胺基、環氧基、或巰基之矽烷偶合劑之基底層用組成物所形成。於為由含有具有胺基之矽烷偶合劑之組成物所形成者之情形時，較佳為具有一級胺基之矽烷偶合劑。若使用含有具有一級胺基之矽烷偶合劑之基底層用組成物，則與含有具有一級胺基以外之胺基之矽烷偶合劑之情形相比，與玻璃基板之接著性變得非常良好。又，液體介質較佳為選自水、乙醇、及異丙醇中之至少一種。藉由添加液體介質，於含有胺基、環氧基、或巰基之矽烷偶合劑中烷氧基水解而生成矽烷醇基，該矽烷醇基經由與位於玻璃基板表面之羥基之氫鍵結而轉移至玻璃基板表面。然後，經過矽烷醇基之脫水縮合反應而與玻璃基板表面生成牢固之共價鍵，藉此玻璃基板與基底層之密接性提高。又，觸媒只要為於含有胺基、環氧基、或巰基之矽烷偶合劑之水解反應時作為觸媒發揮作用者即可，可為有機酸或無機酸中之任一種，較佳為使用甲酸。

藉由將矽烷偶合劑添加至樹脂層用組成物中而非基底層用組成物中，亦可提高濾光片之接著性。於該情形時，就提高接著性之觀點而言，樹脂層較佳為由添加有具有胺基、環氧基、或巰基之矽烷偶合劑之樹脂層用組成物所形成。於將矽烷偶合劑與上述式(1)或式(2)所表示之氧碳系化合物混合之情形時，由於含胺基之矽烷偶合劑會與上述氧碳系化合物反應，有產生反應物之析出或樹脂層用組成物之光譜變化之虞，因此較佳為含巰基之矽烷偶合劑。又，於混合使用上述氧碳系化合物與含巰基之矽烷偶合劑之情形時，有時亦可提高400~600nm之穿透率，因此較佳為含巰基之矽烷偶合劑。

由於本發明之樹脂組成物存在於製膜後產生光條或凹陷等 外觀上之缺陷之可能性，因此較佳為視需要而添加調平劑(表面調整劑)或界面活性劑等添加劑。作為添加劑，有效的是矽酮系添加劑、丙烯酸系添加劑、氟系添加劑等，就樹脂層之接著性或防止樹脂層中之添加劑之溢出之觀點而言，較佳為矽酮系添加劑或丙烯酸系添加劑。作為添加劑，例如，可列舉作為表面調整劑之BYK-Chemie公司之BYK(註冊商標)系列，較佳為BYK(註冊商標)-306、330、337、354、355、378、392等。作為添加量，較佳為相對於樹脂100質量份，添加劑為0.001~10質量份，更佳為0.01~5質量份。若添加劑之添加量過剩，則存在塗佈後之樹脂層產生混濁之情形，若添加劑之添加量過少，則無法充分消除外觀上之缺陷。

本發明之光學濾光片除了使用本發明之樹脂組成物所形成之樹脂層或樹脂膜以外，亦可積層具有減少螢光燈等之映入之防反射性及/或防眩性之層、具有防損傷性能之層、具有上述以外之功能之層，亦可積層透明基材、玻璃基板、濾光片等。

本發明之光學濾光片較佳為具備反射紫外線之紫外線反射膜及/或反射近紅外線之近紅外線反射膜(以下，一併稱為「不可見光反射膜」)。作為此種不可見光反射膜，可使用鋁蒸鍍膜、貴金屬薄膜、分散有以氧化銦作為主成分且含有少量氧化錫之金屬氧化物微粒子之樹脂膜、交替積層有高折射率材料層與低折射率材料層之介電質多層膜等。不可見光反射膜可設置於樹脂層或支持體之單面，亦可設置於兩面。於設置於單面之情形時，製造成本或製造容易性優異，於設置於兩面之情形時，可獲得具有較高之強度、不易產生翹曲之紫外線截止濾光片或近紅外線截止濾光片。又，於積層有近紅外線反射膜之情形時，可獲得可更確實地截止近 紅外線之近紅外線截止濾光片。

作為不可見光反射膜，較佳為使用交替積層有高折射率材料層與低折射率材料層之介電質多層膜。作為構成高折射率材料層之材料，可使用折射率為1.7以上(含)之材料，選擇折射率之範圍通常為1.7~2.5之材料。作為構成高折射率材料層之材料，例如可列舉：氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鑭、氧化釔、氧化銦、氧化鈮、氧化鉭、氧化錫、氧化鉍等氧化物；氮化矽等氮化物；上述氧化物或上述氮化物之混合物、或者於該等中摻雜含有鋁或銅等金屬或碳者(例如，摻錫氧化銦(ITO)、摻銻氧化錫(ATO))等。作為構成低折射率材料層之材料，可使用折射率為1.6以下(含)之材料，選擇折射率之範圍通常為1.2~1.6之材料。作為構成低折射率材料層之材料，例如可列舉：二氧化矽(silica)、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂、六氟化鋁鈉等。

本發明之光學濾光片較佳為具備防反射膜。作為防反射膜，較佳為使用交替積層有高折射率材料層與低折射率材料層之介電質多層膜。作為構成高折射率材料層之材料，可使用折射率為1.7以上(含)之材料，選擇折射率之範圍通常為1.7~2.5之材料。作為構成高折射率材料層之材料，例如可列舉：氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鑭、氧化釔、氧化銦、氧化鈮、氧化鉭、氧化錫、氧化鉍等氧化物；氮化矽等氮化物；上述氧化物或上述氮化物之混合物、或者於該等中摻雜含有鋁或銅等金屬或碳者(例如，摻錫氧化銦(ITO)、摻銻氧化錫(ATO))等。作為構成低折射率材料層之材料，可使用折射率為1.6以下(含)之材料，選擇折射率之範圍通常為1.2~1.6之材料。作為構成低折射率材料層之材料，例如可列舉：二氧化 矽(silica)、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂、六氟化鋁鈉等。

上述不可見光反射膜及/或上述防反射膜較佳為氧不會自空氣層(外部氣體側)向樹脂層穿透(可阻斷氧)之積層膜。如上文所述，氧濃度越低，氧碳系化合物之耐久性越提高，因此較佳為積層阻氧能力較高之不可見光反射膜或防反射膜。為了提高阻氧能力，較佳為將積層膜之至少1層製成緻密之膜(更佳為將全部層製成緻密之膜)，且較佳為加厚積層膜之至少1層之厚度(更佳為加厚全部層之厚度)，亦較佳為併用兩者。作為製作緻密之膜之方法，使用公知之技術即可，例如，可列舉將蒸鍍時之真空度設為高真空、提高蒸鍍溫度、藉由離子輔助法(IAD)進行蒸鍍等，亦可使用上述以外之方法製作緻密之膜。具體而言，較佳為於真空度為5×10^-2Pa以下(含)之數值下進行蒸鍍，且較佳為蒸鍍溫度為80℃以上(含)且300℃以下(含)。又，於藉由IAD法之蒸鍍中，較佳為輔助加速電壓為500V以上(含)且1200V以下(含)、輔助加速電流為500mA以上(含)且1200mA以下(含)。若蒸鍍溫度過高，則由於樹脂層之溫度成為樹脂層所使用之樹脂之Tg以上，因此有蒸鍍導致樹脂層劣化之虞，若蒸鍍溫度過低，則有蒸鍍膜(不可見光反射膜及/或上述防反射膜)未成為緻密之膜之虞。又，於藉由IAD法進行蒸鍍之情形時，與蒸鍍溫度同樣，若為過弱之輔助電壓/輔助電流，則有蒸鍍膜(不可見光反射膜及/或上述防反射膜)未成為緻密之膜(填充密度較高之膜)之虞，若為過強之輔助電壓/輔助電流，則有使樹脂層劣化之虞。較佳為藉由將各種條件設為最佳化，而製作阻氧能力較高之緻密之膜，且不會使樹脂層劣化，或減小劣化。

藉由對本發明之光學濾光片積層阻氧能力較高之不可見光 反射膜、防反射膜、或其他層，可飛躍性地提高本發明之氧碳系化合物之耐久性，而獲得耐久性、光學特性優異之光學濾光片、近紅外線截止濾光片。又，亦可用作包含本發明之光學濾光片或對上述光學濾光片積層介電質多層膜而成之近紅外線截止濾光片之攝像元件。

藉由視需要而對本發明之光學濾光片積層不可見光反射膜、防反射膜、或其他層，可較佳地用作可見光截止濾光片、紅外線截止濾光片、近紅外線截止濾光片、安全濾光片、隔熱/吸熱濾光片、帶通濾光片、(日用&夜用)監視攝影機用濾光片、夜視攝影機用濾光片、雙波段濾光片、可見光影像感測器/紅外線感測器用濾光片、氖光/螢光等會對感測器造成異常之光之截止濾光片。

[實施例]

以下，列舉實施例對本發明進行更具體地說明，但本發明當然不受下述實施例所限制，當然亦可於可符合上文、下文所記載之主旨之範圍內適當施加變更而實施，該等均包含於本發明之技術範圍內。

以下，「%」表示「質量%」，「份」表示「質量份」。

(化學結構之解析方法)

將所獲得之化合物約1mg塗佈附著於玻璃棒上，利用直接離子化單元(DART)(島津製作所公司製造之「DART-OS」，加熱器溫度500℃)進行離子化，並利用質譜儀(島津製作所公司製造之「LCMS-2020」，M/Z=50-2000，正、負同時掃描)測定所獲得之化合物之MS圖譜。

(最大吸收波長及穿透率之測定方法)

使用分光光度計(島津製作所公司製造之UV-1800)，以測定間距1nm 測定樹脂層積層基板之吸收光譜(透射光譜)，求出波長200~1100nm之光之穿透率。然後，以於波長650~750nm下成為吸收最大值之波長作為最大吸收波長。又，以於波長400~450nm下每隔1nm測定間距所測得之51個穿透率之平均值作為400~450nm之平均穿透率。

(PCT(Pressure Cooker Test)試驗)

關於供試材(樹脂層積層基板)，利用切割器(NT公司製造之A-300)於設置於供試材上之樹脂層上切出切口，沿縱列、橫列分別以2mm間隔設置10條交叉切割線，藉此製作81塊4mm²之四邊形，而製作評價用樣品基板。繼而，將該評價用樣品基板於120℃、2個大氣壓、濕度100%之高壓高溫高濕槽(個人壓力鍋(personal pressure cooker)PC-242HS-E(平山製作所公司製造)、動作模式1)中放置15小時或50小時。繼而，於室溫下貼附膠帶(3M公司製造之Scotch(註冊商標)透明膠帶透明美色(註冊商標))以避免空氣進入，放置10秒。其後，於1秒以內將膠帶自基板剝離，按照下述基準進行評價。再者，於任意方塊中均以剝離力恆定之方式將膠帶剝離。

○：所製作之81塊四邊形中，均未產生剝離。

△：所製作之81塊四邊形中，1~9塊產生剝離。

×：所製作之81塊四邊形中，10~81塊產生剝離。

將實施例中所使用之比較方酸鎓化合物3、4之結構式示於以下。作為比較方酸鎓化合物3，使用美國專利第5,543,086號說明書之式17所揭示之方酸鎓化合物。

再者，藉由上述方法對比較方酸鎓化合物3、4進行分析，確認具有如 以下所示之結構。

(實施例1-1)

基於以下之流程合成方酸鎓化合物01。詳細內容如以下所述。

1)中間原料01(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之 合成

於300mL之四口燒瓶中添加由鹽酸苯肼14.46g(0.100mol)及2-甲基環己酮11.22g(0.100mol)組成之原料組成物、與作為溶劑之乙酸130g，一面於流通氮氣之情況下(5mL/min)使用磁攪拌器進行攪拌，一面於回流條件下反應2小時。反應結束後，向分液漏斗中添加反應液與乙酸乙酯200mL及水300mL，劇烈攪拌並僅萃取有機相，於所萃取之有機相中添加硫酸鎂(無水)進行脫水。自該有機相中將固形物(無機分)過濾分離後，使用蒸發器將溶劑蒸餾去除。將溶劑蒸餾去除後，使用真空乾燥機進一步於60℃下乾燥12小時，從而獲得12.50g之中間原料01(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於鹽酸苯肼之產率：67.5mol%)。

2)方酸鎓化合物01之合成

於500mL之四口燒瓶中添加上述所獲得之12.50g(0.068mol)之中間原料01、方酸3.31g(0.029mmol)、1-丁醇130g、及甲苯130g，於流通氮氣之情況下(10mL/min)使用磁攪拌器進行攪拌，且一面使用迪安-斯塔克裝置去除溶出之水，一面於回流條件下反應3小時。反應結束後，藉由蒸發器將溶劑蒸餾去除後，加入甲醇50g，一面於回流條件下攪拌30分鐘，一面進行晶析、洗淨處理。將溶液冷卻至室溫後，使用真空乾燥機於60℃下將藉由過濾獲得之濾餅乾燥12小時，從而獲得8.0g之作為目標物之方酸鎓化合物01(相對於方酸之產率：62.3mol%)。

藉由上述方法對所獲得之化合物測定MS圖譜，結果如圖1所示般於正、負模式下均檢測出來自目標物之訊號，而確認到具有如表1所示之結構。

(實施例1-2)

1)中間原料02(4a-二級丁基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物而使用鹽酸苯肼4.34g(0.03mol)及2-二級丁基環己酮4.63g(0.03mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得3.57g之中間原料02(4a-二級丁基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於鹽酸苯肼之產率：52.3mol%)。

2)方酸鎓化合物02之合成

使用0.28g(0.001mol)之上述所獲得之中間原料02代替中間原料01，並將方酸之量設為0.06g(0.001mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.15g之作為目標物之方酸鎓化合物02(相對於方酸之產率：46.4mol%)。

(實施例1-3)

1)中間原料03(4a-異丙基-2-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-2-醇)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼0.45g(0.004mol)及5-羥基-2-異丙基-5-甲基環己酮0.70g(0.004mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得0.51g之中間原料03(4a-異丙基-2-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-2-醇)(相對於鹽酸苯肼之產率：50.9mol%)。

2)方酸鎓化合物03之合成

使用0.43g(0.002mol)之上述所獲得之中間原料03代替中間原料01，將方酸之量設為0.10g(0.001mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸 鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.02g之作為目標物之方酸鎓化合物03(相對於方酸之產率：4.0mol%)。

(實施例1-4)

1)中間原料04(4a-異丙基-2-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼2.16g(0.020mol)及2-異丙基-5-甲基環己酮3.09g(0.020mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.05g之中間原料04(4a-異丙基-2-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於鹽酸苯肼之產率：89.1mol%)。

2)方酸鎓化合物04之合成

使用4.05g(0.018mol)之上述所獲得之中間原料04代替中間原料01，將方酸之量設為1.03g(0.009mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.51g之作為目標物之方酸鎓化合物04(相對於方酸之產率：10.6mol%)。

(實施例1-5)

1)中間原料05(2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-4a-羧酸乙酯)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼4.34g(0.03mol)及2-氧代環己烷羧酸乙酯5.11g(0.03mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得5.44g之中間原料05(2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-4a-羧酸乙酯)(相對於鹽酸苯肼之產率：74.5mol%)。

2)方酸鎓化合物05之合成

使用1.32g(0.005mol)之上述所獲得之中間原料05代替中間原料01， 將方酸之量設為0.27g(0.002mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.32g之作為目標物之方酸鎓化合物05(相對於方酸之產率：21.3mol%)。

(實施例1-6)

1)中間原料06(4a-苯基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼4.09g(0.028mol)及2-苯基環己酮4.93g(0.028mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得5.71g之中間原料06(4a-苯基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於鹽酸苯肼之產率：81.5mol%)。

2)方酸鎓化合物06之合成

使用3.46g上述所獲得之中間原料06(0.014mol)代替中間原料01，將方酸之量設為0.80g(0.007mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得1.12g作為目標物之方酸鎓化合物06(相對於方酸之產率：28.0mol%)。

(實施例1-7)

1)中間原料07(6,8-二氟-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用2,4-二氟苯肼鹽酸鹽3.97g(0.022mol)及2-甲基環己酮4.94g(0.044mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.63g之中間原料07(6,8-二氟-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於2,4-二氟苯肼鹽酸鹽之產率：95.1mol%)。

2)方酸鎓化合物07之合成

使用4.43g(0.020mol)之上述所獲得之中間原料07代替中間原料01，將方酸之量設為1.14g(0.010mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.80g之作為目標物之方酸鎓化合物07(相對於方酸之產率：15.6mol%)。

(實施例1-8)

1)中間原料08(6,8-二氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用2,4-二氯苯肼鹽酸鹽1.71g(0.008mol)及2-甲基環己酮1.08g(0.01mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得2.07g之中間原料08(6,8-二氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於2,4-二氯苯肼鹽酸鹽之產率：89.7mol%)。

2)方酸鎓化合物08之合成

使用1.91g(0.008mol)之上述所獲得之中間原料08代替中間原料01，將方酸之量設為0.43g(0.004mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.80g之作為目標物之方酸鎓化合物08(相對於方酸之產率32.6mol%)。

(實施例1-9)

1)中間原料09(5,7-二氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用3,5-二氯苯肼鹽酸鹽1.93g(0.009mol)及2- 甲基環己酮1.22g(0.011mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得2.09g之中間原料09(5,7-二氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於3,5-二氯苯肼鹽酸鹽之產率：91.0mol%)。

2)方酸鎓化合物09之合成

使用1.27g(0.005mol)之上述所獲得之中間原料09代替中間原料01，將方酸之量設為0.29g(0.003mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.30g之作為目標物之方酸鎓化合物09(相對於方酸之產率：19.8mol%)。

(實施例1-10)

1)中間原料10-1(2,4,5-三氯苯肼鹽酸鹽)之合成

於500mL之四口燒瓶中添加鹽酸100mL，藉由冰水浴將內溫冷卻為5℃以下(含)。繼而，以內溫不超過5℃之方式，添加2,4,5-三氯苯胺8.64g(0.044mol)並使其溶解。於放熱結束後，於將內溫維持於5℃以下(含)之狀態下，歷經1小時滴加亞硝酸鈉3.28g(0.048mol)與蒸餾水25g之混合液。滴加結束後，於將內溫維持於5℃以下(含)之狀態下進一步歷經1小時滴加氯化錫二水合物49.64g(0.220mol)與鹽酸50mL之混合液。反應結束後，使用真空乾燥機，於60℃下將過濾分離而獲得之濾餅乾燥12小時，從而獲得8.50g之中間原料10-1(2,4,5-三氯苯肼鹽酸鹽)(相對於2,4,5-三氯苯胺之產率：78.0mol%)。

2)中間原料10-2(5,6,8-三氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料10-1(2,4,5-三氯苯肼鹽酸鹽)3.69g(0.015mol)及2-甲基環己酮3.34g(0.030mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.09g之中間原料10-2(5,6,8-三氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於2,4,5-三氯苯肼鹽酸鹽之產率：95.1mol%)。

3)方酸鎓化合物10之合成

使用4.33g(0.015mol)之上述所獲得之中間原料10-2代替中間原料01，將方酸之量設為0.86g(0.008mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得1.30g之作為目標物之方酸鎓化合物10(相對於方酸之產率：26.3mol%)。

(實施例1-11)

1)中間原料11-1(2,4-二溴苯肼鹽酸鹽)之合成

使用2,4-二溴苯胺代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得10.20g之中間原料11-1(2,4-二溴苯肼鹽酸鹽)(相對於2,4-二溴苯胺之產率：84.3mol%)。

2)中間原料11-2(6,8-二溴-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料11-1(2,4-二溴苯肼鹽酸鹽)12.10g(0.040mol)及2-甲基環己酮6.73g(0.060mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得10.81g之中間原料11-2(6,8-二溴-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於2,4-二溴苯肼鹽酸鹽之產率：78.8mol%)。

3)方酸鎓化合物11之合成

使用10.63g(0.031mol)之上述所獲得之中間原料11-2代替中間原料01，將方酸之量設為1.77g(0.016mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得3.70g之作為目標物之方酸鎓化合物11(相對於方酸之產率：31.2mol%)。

(實施例1-12)

1)中間原料12-1(4-甲硫基苯肼鹽酸鹽)之合成

使用4-甲硫基苯胺代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得5.50g之中間原料12-1(4-甲硫基苯肼鹽酸鹽)(相對於4-甲硫基苯胺之產率：65.7mol%)。

2)中間原料12-2(4a-甲基-6-(甲硫基)-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料12-1(4-甲硫基苯肼鹽酸鹽)2.86g(0.015mol)及2-甲基環己酮1.68g(0.015mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得2.52g之中間原料12-2(4a-甲基-6-(甲硫基)-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-甲硫基苯肼鹽酸鹽之產率：72.6mol%)。

3)方酸鎓化合物12之合成

使用2.31g(0.010mol)之上述所獲得之中間原料12-2代替中間原料01，將方酸之量設為0.57g(0.005mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.50g之作為目標物之方酸鎓化合物12(相對於方酸之產率：17.4mol%)。

(實施例1-13)

1)中間原料13(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-8-羧酸)之合成

作為原料組成物，使用2-羧基苯肼鹽酸鹽4.53g(0.024mol)及2-甲基環己酮2.69g(0.024mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.93g之中間原料13(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-8-羧酸)(相對於2-羧基苯肼鹽酸鹽之產率：89.6mol%)。

2)方酸鎓化合物13之合成

使用3.44g(0.015mol)之上述所獲得之中間原料13代替中間原料01，將方酸之量設為0.86g(0.008mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得2.40g之作為目標物之方酸鎓化合物13(相對於方酸之產率：58.6mol%)。

(實施例1-14)

1)中間原料14(4a-甲基-6-硝基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-硝基苯肼鹽酸鹽4.45g(0.023mol)及2-甲基環己酮5.16g(0.046mol)，以及作為溶劑，使用乙酸與鹽酸之混合液(混合比率以質量比計為1：1)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得5.05g之中間原料14(4a-甲基-6-硝基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-硝基苯肼鹽酸鹽之產率：95.4mol%)。

2)方酸鎓化合物14之合成

使用4.00g(0.017mol)之上述所獲得之中間原料14代替中間原料01，將方酸之量設為0.99g(0.009mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得3.10g之作為目標物之方酸鎓化合物14(相對於方酸之產率：65.5mol%)。

(實施例1-15)

1)中間原料15(6b-甲基-7,8,9,10-四氫-6bH-苯并[a]咔唑)之合成

作為原料組成物，使用1-萘肼鹽酸鹽2.00g(0.01mol)及2-甲基環己酮2.31g(0.021mol)，以及作為溶劑，使用乙酸與鹽酸之混合液(混合比率以質量比計為1：1)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得1.50g之中間原料15(6b-甲基-7,8,9,10-四氫-6bH-苯并[a]咔唑)(相對於1-萘肼鹽酸鹽之產率：62.0mol%)。

2)方酸鎓化合物15之合成

使用1.41g(0.006mol)之上述所獲得之中間原料15代替中間原料01，將方酸之量設為0.34g(0.003mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.40g之作為目標物之方酸鎓化合物15(相對於方酸之產率：23.1mol%)。

(實施例1-16)

1)中間原料16(8b-環戊基-1,2,3,8b-四氫環戊[b]吲哚)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼4.34g(0.030mol)及2-環戊基環戊酮4.57g(0.030mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得1.57g之中間原料16(8b-環戊基-1,2,3,8b-四氫環戊[b] 吲哚)(相對於鹽酸苯肼之產率：23.2mol%)。

2)方酸鎓化合物16之合成

使用0.94g(0.004mol)之上述所獲得之中間原料16代替中間原料01，將方酸之量設為0.24g(0.002mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.495g之作為目標物之方酸鎓化合物16(相對於方酸之產率：22.5mol%)。

(實施例1-17)

1)中間原料17-1(2-甲基環庚酮)之合成

於300mL之四口燒瓶中添加氫氧化鉀7.21g(0.120mol)及二甲基亞碸150cc，於室溫下攪拌30分鐘。繼而，滴加碘甲烷5.68g(0.040mol)與環庚酮4.49g(0.040mol)之混合液，以內溫成為40℃之方式加溫，一面攪拌2小時一面使之反應。反應結束後，向分液漏斗中添加反應液與乙酸乙酯200mL及水300mL，劇烈攪拌，並僅萃取有機相，於所萃取之有機相中添加硫酸鎂(無水)進行脫水。自該有機相中將固形物成分(無機分)過濾分離後，使用蒸發器將溶劑蒸餾去除。將溶劑蒸餾去除後，使用真空乾燥機於40℃下進一步乾燥12小時，從而獲得2.85g之中間原料17-1(2-甲基環庚酮)(相對於環庚酮之產率：56.5mol%)。

2)中間原料17-2(10a-甲基-6,7,8,9,10,10a-六氫環庚[b]吲哚)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼2.54g(0.024mol)及上述所獲得之中間原料17-1(2-甲基環庚酮)2.97g(0.024mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.11g之中間原料17-2(10a -甲基-6,7,8,9,10,10a-六氫環庚[b]吲哚)(相對於鹽酸苯肼之產率：87.6mol%)。

3)方酸鎓化合物17之合成

使用2.09g(0.011mol)之上述所獲得之中間原料17-2代替中間原料01，將方酸之量設為0.60g(0.005mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法進行反應，藉由蒸發器將所獲得之反應液濃縮，藉由管柱層析法對所獲得之固形物進行精製，並將經精製之單離物進一步於甲醇中進行再結晶，從而獲得0.04g之作為目標物之方酸鎓化合物17(相對於方酸之產率：1.5mol%)。

(實施例1-18)

1)中間原料18-1(2-甲基環辛酮)之合成

使用環辛酮5.55g(0.044mol)代替環庚酮，除此以外，藉由與實施例1-17(中間原料17-1之合成)同樣之方法獲得5.75g之中間原料18-1(2-甲基環辛酮)(相對於環辛酮之產率：92.7mol%)。

2)中間原料18-2(11a-甲基-7,8,9,10,11,11a-六氫-6H-環辛[b]吲哚)之合成

作為原料組成物，使用鹽酸苯肼4.30g(0.040mol)及上述所獲得之中間原料18-1(2-甲基環辛酮)5.58g(0.040mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得7.00g之中間原料18-2(11a-甲基-7,8,9,10,11,11a-六氫-6H-環辛[b]吲哚)(相對於鹽酸苯肼之產率：82.5mol%)。

3)方酸鎓化合物18之合成

使用3.52g(0.017mol)之上述所獲得之中間原料18-2代替中間原料17-2，將方酸之量設為0.94g(0.008mol)，除此以外，藉由與實施例1-17(方酸鎓化合物17之合成)同樣之方法獲得0.04g之作為目標物之方酸鎓化合物18(相對於方酸之產率：0.9mol%)。

(比較例1-1：比較方酸鎓化合物1之合成)

使用6.98g(0.044mol)之2,3,3-三甲基-3H-吲哚代替中間原料01，將方酸之量設為2.5g(0.022mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得7.63g之作為目標物之比較方酸鎓化合物1(相對於方酸之產率：87.8mol%)。

(比較例1-2：比較方酸鎓化合物2之合成)

使用2.43g(0.014mol)之2-乙基-3,3-二甲基-3H-吲哚代替中間原料01，將方酸之量設為0.80g(0.007mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得2.30g之作為目標物之比較方酸鎓化合物2(相對於方酸之產率：76.1mol%)。

(實施例1-19)

1)中間原料19(6-氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-氯苯肼鹽酸鹽5.37g(0.030mol)及2-甲 基環己酮3.37g(0.030mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.73g之中間原料19(6-氯-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-氯苯肼鹽酸鹽之產率：71.8mol%)。

2)方酸鎓化合物19之合成

使用4.61g(0.021mol)之上述所獲得之中間原料19代替中間原料01，將方酸之量設為1.20g(0.011mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得2.1g之作為目標物之方酸鎓化合物19(相對於方酸之產率：39.4mol%)。

(實施例1-20)

1)中間原料20(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-6-羧酸)之合成

作為原料組成物，使用4-羧基苯肼鹽酸鹽5.97g(0.031mol)及2-甲基環己酮3.48g(0.031mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得7.06g之中間原料20(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-6-羧酸)(相對於4-羧基苯肼鹽酸鹽之產率：99.3mol%)。

2)方酸鎓化合物20之合成

使用3.44g(0.015mol)之上述所獲得之中間原料20代替中間原料01，將方酸之量設為0.86g(0.008mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得2.0g之作為目標物之方酸鎓化合物20(相對於方酸之產率：49.7mol%)。

(實施例1-21)

1)中間原料21(4a,6-二甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-甲基苯肼鹽酸鹽4.53g(0.028mol)及2-甲基環己酮3.14g(0.028mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得3.20g之中間原料21(4a,6-二甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-甲基苯肼鹽酸鹽之產率：57.3mol%)。

2)方酸鎓化合物21之合成

使用2.85g(0.010mol)之上述所獲得之中間原料21代替中間原料01，將方酸之量設為0.57g(0.005mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得1.1g之作為目標物之方酸鎓化合物21(相對於方酸之產率：46.2mol%)。

(實施例1-22)

1)中間原料22(6-溴-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-溴苯肼鹽酸鹽5.25g(0.023mol)及2-甲基環己酮2.58g(0.023mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得5.68g之中間原料22(6-溴-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-溴苯肼鹽酸鹽之產率：93.5mol%)。

2)方酸鎓化合物22之合成

使用5.66g(0.015mol)之上述所獲得之中間原料22代替中間原料01，將方酸之量設為0.86g(0.008mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得2.7g之作為目標物之方酸鎓化合物22(相對於方酸之產率：60.0mol%)。

(實施例1-23)

1)中間原料23-1(4-三氟甲基苯肼鹽酸鹽)之合成

使用4-三氟甲基苯胺代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得8.0g之中間原料23-1(4-三氟甲基苯肼鹽酸鹽)(相對於4-三氟甲基苯胺之產率：62.4mol%)。

2)中間原料23-2(6-三氟甲基-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料23-1(4-三氟甲基苯肼鹽酸鹽)3.47g(0.016mol)及2-甲基環己酮1.79g(0.016mol)，除此以外，藉由與實施例1-14(中間原料14之合成)同樣之方法獲得4.00g之中間原料23-2(6-三氟甲基-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-三氟甲基苯肼鹽酸鹽之產率：98.7mol%)。

3)方酸鎓化合物23之合成

使用4.00g(0.016mol)之上述所獲得之中間原料23-2代替中間原料01，將方酸之量設為0.90g(0.008mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.20g之作為目標物之方酸鎓化合物23(相對於方酸之產率：4.5mol%)。

(實施例1-24)

1)中間原料24-1(2-苯基苯肼鹽酸鹽)之合成

使用2-苯基苯胺代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得13.0g之中間原料24-1(2-苯基苯肼鹽酸鹽)(相對於2-苯基苯胺之產率：99.2mol%)。

基於以下之流程合成方酸鎓化合物24。詳細內容如以下所 述。

於200mL之四口燒瓶中添加由上述所獲得之中間原料24-1(2-苯基苯肼鹽酸鹽)5.08g(0.023mol)及2-甲基環己酮2.58g(0.023mol)所組成之原料組成物、與作為溶劑之1-丁醇58g，一面於流通氮氣之情況下(5mL/min)使用磁攪拌器進行攪拌，一面於內溫80℃下反應6小時。反應結束後，將溶液冷卻至室溫後，將藉由過濾獲得之濾液轉移至300mL之四口燒瓶中，向其中添加方酸2.00g(0.018mol)與甲苯92g，於流通氮氣之情況下(5mL/min)使用磁攪拌器進行攪拌，且一面使用迪安-斯塔克裝置去除溶出之水，一面於回流條件下反應6小時。反應結束後，將溶液冷卻至室溫後，以甲醇50g將藉由過濾獲得之濾餅噴淋洗淨。使用真空乾燥機於60℃下將所獲得之洗淨濾餅乾燥12小時，從而獲得2.45g之作為目標物之方酸鎓化合物24(相對於方酸之產率：23.2mol%)。

(實施例1-25)

1)中間原料25(6-甲氧基-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-甲氧基苯肼鹽酸鹽4.99g(0.028mol)及2-甲基環己酮3.14g(0.028mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得3.20g之中間原料25(6-甲氧基-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-甲氧基苯肼鹽酸鹽之產率：53.1mol%)。

2)方酸鎓化合物25之合成

使用2.46g(0.008mol)之上述所獲得之中間原料25代替中間原料01，將方酸之量設為0.46g(0.004mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.30g之作為目標物之方酸鎓化合物25(相對於方酸之產率：14.7mol%)。

(實施例1-26)

1)中間原料26-1(5-肼基喹啉鹽酸鹽)之合成

使用5-胺基喹啉代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得6.5g之中間原料26-1(5-肼基喹啉鹽酸鹽)(相對於5-胺基喹啉之產率：95.6mol%)。

2)中間原料26-2(6b-甲基-7,8,9,10-四氫-6bH-吡啶并[3,2-a]咔唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料26-1(5-肼基喹啉鹽酸鹽)6.5g(0.033mol)及2-甲基環己酮3.70g(0.033mol)，除此以外， 藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得4.69g之中間原料26-2(6b-甲基-7,8,9,10-四氫-6bH-吡啶并[3,2-a]咔唑)(相對於5-肼基喹啉鹽酸鹽之產率：60.1mol%)。

3)方酸鎓化合物26之合成

使用4.25g(0.018mol)之上述所獲得之中間原料26-2代替中間原料01，將方酸之量設為1.03g(0.009mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.77g之作為目標物之方酸鎓化合物26(相對於方酸之產率：15.5mol%)。

(實施例1-27)

1)中間原料27-1(8-肼基喹啉鹽酸鹽)之合成

使用8-胺基喹啉代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得11.27g之中間原料27-1(8-肼基喹啉鹽酸鹽)(相對於8-胺基喹啉之產率：96.0mol%)。

2)中間原料27-2(6b-甲基-7,8,9,10-四氫-6bH-吡啶并[2,3-a]咔唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料27-1(8-肼基喹啉鹽酸鹽)4.99g(0.025mol)及2-甲基環己酮2.80g(0.025mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得3.37g之中間原料27-2(6b-甲基-7,8,9,10-四氫-6bH-吡啶并[2,3-a]咔唑)(相對於8-肼基喹啉鹽酸鹽之產率：57.0mol%)。

3)方酸鎓化合物27之合成

使用2.13g(0.009mol)之上述所獲得之中間原料27-2代替中間原料 01，將方酸之量設為0.51g(0.005mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得1.19g之作為目標物之方酸鎓化合物27(相對於方酸之產率：48.0mol%)。

(實施例1-28)

1)中間原料28(6-氰基-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-氰基苯肼鹽酸鹽5.43g(0.032mol)及2-甲基環己酮3.59g(0.032mol)，除此以外，藉由與實施例1-14(中間原料14之合成)同樣之方法獲得1.82g之中間原料28(6-氰基-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)(相對於4-氰基苯肼鹽酸鹽之產率：25.9mol%)。

2)方酸鎓化合物28之合成

使用1.68g(0.008mol)之上述所獲得之中間原料28代替中間原料01，將方酸之量設為0.046g(0.004mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.15g之作為目標物之方酸鎓化合物28(相對於方酸之產率：7.2mol%)。

(實施例1-29)

1)中間原料29(6-氟-4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑)之合成

作為原料組成物，使用4-氟苯肼鹽酸鹽5.09g(0.031mol)及2-甲基環己酮3.51g(0.031mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得6.15g之中間原料29(6-氟-4a-甲基-2,3,4,4a -四氫-1H-咔唑)(相對於4-氟苯肼鹽酸鹽之產率：96.7mol%)。

2)方酸鎓化合物29之合成

使用6.15g(0.030mol)之上述所獲得之中間原料29代替中間原料01，將方酸之量設為1.79g(0.016mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得2.7g之作為目標物之方酸鎓化合物29(相對於方酸之產率：38.9mol%)。

(實施例1-30)

1)中間原料30-1(2-(4-胺基苯基)苯并噻唑)之合成

於200mL之四口燒瓶中添加由2-胺基苯硫酚6.26g(0.05mol)及4-胺基苯甲酸6.86g(0.05mol)所組成之原料組成物、與作為溶劑之聚磷酸125g，一面於流通氮氣之情況下(5mL/min)使用磁攪拌器進行攪拌，一面以內溫成為195℃之方式加溫，使之反應約5小時。反應結束後，將反應液投入約1L之3M氫氧化鈉水溶液中進行晶析。將所析出之目標物過濾分離，以約500ml之蒸餾水對濾餅進行水洗。於40℃下將所獲得之濕濾餅乾燥12小時，從而獲得10.8g之中間原料30-1(2-(4-胺基苯基)苯并噻唑)(相對於2-胺基苯硫酚之產率：95.3mol%)。

2)中間原料30-2(2-(4-肼基苯基)苯并[d]噻唑鹽酸鹽)之合成

使用2-(4-胺基苯基)苯并噻唑代替2,4,5-三氯苯胺，除此以外，藉由與實施例1-10(中間原料10-1之合成)同樣之方法獲得10.0g之中間原料30-2(2-(4-肼基苯基)苯并[d]噻唑鹽酸鹽)(相對於2-(4-胺基苯基)苯并噻唑之產率：81.3mol%)。

3)中間原料30-3(2-(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-6-基)苯并[d]噻唑)之合成

作為原料組成物，使用上述所獲得之中間原料30-2(2-(4-肼基苯基)苯并[d]噻唑鹽酸鹽)5.56g(0.015mol)及2-甲基環己酮2.96g(0.030mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(中間原料01之合成)同樣之方法獲得1.45g之中間原料30-3(2-(4a-甲基-2,3,4,4a-四氫-1H-咔唑-6-基)苯并[d]噻唑)(相對於2-(4-肼基苯基)苯并[d]噻唑鹽酸鹽之產率：30.8mol%)。

4)方酸鎓化合物30之合成

使用1.45g(0.003mol)之上述所獲得之中間原料30-3代替中間原料01，將方酸之量設為0.24g(0.002mol)，除此以外，藉由與實施例1-1(方酸鎓化合物01之合成)同樣之方法獲得0.9g之作為目標物之方酸鎓化合物30(相對於方酸之產率：71.6mol%)。

藉由上述解析方法對上述所獲得之方酸鎓化合物02~30及比較方酸鎓化合物1、2進行分析，結果可確認具有如表1或表2所示之結構。

藉由以下之方法對以上所獲得之氧碳系化合物(方酸鎓化合物01~30)及比較方酸鎓化合物1、2之吸收最大波長進行測定。具體而言， 將約1mg之所獲得之化合物溶解於約3g之氯仿中，製備測定用溶液，將該測定用溶液加入至1cm見方之石英製槽中，以吸收最大值之吸光度收斂於0.950至1.050之範圍內之方式視需要而追加氯仿，對濃度進行調整後，使用分光光度計(島津製作所股份有限公司製造之「UV-1800」)對吸收光譜進行測定。然後，獲得以吸收最大值之吸光度成為1.000之方式對所獲得之吸收光譜進行修正而獲得之吸收光譜。將各化合物之吸收最大波長與面積比X示於表3。又，將方酸鎓化合物01及比較方酸鎓化合物1、2之吸收光譜示於圖3。

(實施例2-1)

1)脂環式聚醯亞胺之二甲基乙醯胺溶液之製備

將1,2,4,5-環己烷四羧酸(東京化成公司製造：純度98%，Mw=260.20)5質量份與乙酸酐(和光純藥公司製造)44質量份裝入至燒瓶中，一面攪拌一面以氮氣對反應器內進行置換。於氮氣環境下進行升溫，並回流10分鐘。繼而，一面攪拌一面冷卻至室溫而析出結晶，將所析出之結晶固液分離並加以乾燥，從而獲得1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐之結晶。

繼而，於氮氣氣流下向具備溫度計、攪拌器、氮氣導入管、附側管之滴加漏斗、迪安-斯塔克裝置、冷卻管之燒瓶中裝入4,4'-二胺基二苯醚(和光純藥公司製造：Mw=200.24)8.9質量份、與作為溶劑之二甲基乙醯胺76質量份而製成溶液後，於室溫下歷經1小時將上述所獲得之1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐(Mw=224.17)10質量份以固體狀態分批投入，並於室溫下攪拌2小時。繼而，添加作為共沸脫水劑之甲苯26質量份，於130℃下反應3小時，藉由迪安-斯塔克裝置將回流共沸之生成水分離。繼 而，一面升溫為194℃一面將二甲苯蒸餾去除後，冷卻而獲得脂環式聚醯亞胺之二甲基乙醯胺溶液。

2)樹脂組成物之製備及面狀成形體之製作

以二甲基乙醯胺稀釋上述所獲得之脂環式聚醯亞胺之二甲基乙醯胺溶液，將樹脂固形物成分濃度調整為8質量%。於該8質量%溶液12.31質量份中混合0.015質量份之實施例1-1中所獲得之方酸鎓化合物01，使其溶解後，過濾所獲得之溶液而去除不溶成分等，製成樹脂組成物01。

繼而，藉由旋轉塗佈將所獲得之樹脂組成物塗佈於玻璃基板上，於150℃下燒成20分鐘，而製作厚度2μm之塗膜(面狀成形體)。

(實施例2-2~實施例2-30及比較例2-1~比較例2-2)

使用方酸鎓化合物02~方酸鎓化合物30、比較方酸鎓化合物1或比較方酸鎓化合物2代替方酸鎓化合物01，除此以外，以與實施例2-1同樣之方式製備樹脂組成物02~30及樹脂組成物C1、C2，使用各自獲得之樹脂組成物，與實施例1同樣地製作面狀成形體(塗膜)。

藉由以下之方法測定以上所獲得之樹脂組成物01~30及樹脂組成物C1、C2之吸收最大波長。具體而言，對於由各樹脂組成物製作之面狀成形體(塗膜)，使用分光光度計(島津製作所股份有限公司製造之「UV-1800」)測定吸收光譜。然後，獲得以吸收最大值之吸光度成為1.000之方式對所獲得之吸收光譜進行修正而獲得之吸收光譜。將各樹脂組成物之吸收最大波長與面積比X示於表3。又，將樹脂組成物01及樹脂組成物C1、C2之吸收光譜示於圖4。

根據圖3可知，於比較方酸鎓化合物1、2(圖中表述為「比較化合物1」、「比較化合物2」)中，於小於吸收最大波長之波長側觀察到 較大之肩峰，但於本發明之方酸鎓化合物01(圖中表述為「化合物01」)中，同樣之肩峰大致消失，而可獲得平滑之吸收波形。此種情況根據圖中所附之肩峰之切線之斜率亦可明確。此種本發明之方酸鎓化合物01與比較方酸鎓化合物1、2相比，可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。又，根據比較方酸鎓化合物1、2與方酸鎓化合物01之結構比較，認為如方酸鎓化合物01之平滑之吸收波形係藉由如本發明之化合物群般以方酸鎓骨架或克酮鎓骨架與吲哚環之鍵結部位成為環結構之一部分之方式進行結構設計而首次得以表現。

又，如表3所述，本發明之化合物群(方酸鎓化合物01~30)之面積比X大於比較方酸鎓化合物1、2之面積比X。因此，可知本發明之化合物群可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

根據圖4可知，於比較用之樹脂組成物C1、C2(圖中表述為「比較化合物1」、「比較化合物2」)中，於小於吸收最大波長之波長側觀察到較大之肩峰，但於本發明之樹脂組成物01(圖中表述為「化合物01」)中，同樣之肩峰大致消失，而可獲得平滑之吸收波形。

又，如表3所述，本發明之樹脂組成物群(樹脂組成物01~30)之面積比X大於比較用之樹脂組成物C1、C2之面積比X。因此，可知本發明之樹脂組成物群可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

根據以上內容，認為上述之本發明之化合物群之效果(吸收最大區域之光之選擇性吸收)於製成樹脂組成物之情形時亦同樣得以發揮。

以下，對實施例3-1~54及比較例3-1~10進行說明。

(聚醯亞胺樹脂A之製作)

將1,2,4,5-環己烷四羧酸(Aldrich製造，純度95%)5份與乙酸酐(和光純藥製造)44份裝入至燒瓶中，一面攪拌一面以氮氣對反應器內進行置換。於氮氣環境下升溫至溶劑之回流溫度，使溶劑回流10分鐘。其後，一面攪拌一面冷卻至室溫，而析出結晶。將所析出之結晶固液分離並加以乾燥，獲得目標物(1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐)之結晶。繼而，於氮氣氣流下向具備溫度計、攪拌器、氮氣導入管、附側管之滴加漏斗、迪安-斯塔克裝置、冷卻管之燒瓶中裝入4,4'-二胺基二苯醚(和光純藥製造)0.89份、與作為溶劑之N-甲基-2-吡咯啶酮7.6份並溶解後，於室溫下歷經1小時將1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐1份以固體狀態分批投入，並於室溫下攪拌2小時。添加作為共沸脫水劑之二甲苯2.6份，於180℃下反應3小時，藉由迪安-斯塔克裝置將回流共沸之生成水分離。一面升溫至190℃一面將二甲苯蒸餾去除後，進行冷卻而獲得聚醯亞胺之N-甲基-2-吡咯啶酮溶液。以γ-丁內酯進一步稀釋該N-甲基-2-吡咯啶酮溶液，製成固形物成分3%之聚醯亞胺樹脂溶液。相對於該聚醯亞胺樹脂溶液1份而以甲醇50份進行再沈澱，並固液分離。以γ-丁內酯將經固液分離之聚醯亞胺樹脂溶解，再次製成固形物成分3%之聚醯亞胺樹脂溶液，與上述同樣地以甲醇50份進行再沈澱，並固液分離。將再沈澱所獲得之樹脂加以乾燥而獲得聚醯亞胺樹脂A。又，藉由示差掃描熱量計測定聚醯亞胺樹脂A之玻璃轉移溫度(Tg)，結果為297℃。

(丙烯酸系樹脂B之合成方法)

於附有攪拌裝置、溫度感測器、冷卻管、氮氣導入管之反應器中裝入60份之α-烯丙氧基甲基丙烯酸甲酯(AMA)、作為聚合溶劑之140份之4 -甲基-2-戊酮(甲基異丁基酮，MIBK)(初始單體濃度=30質量%)，向其中通入氮氣，並且升溫至100℃後，添加作為起始劑之0.12份之1,1'-偶氮雙(環己烷-1-甲腈)(和光純藥製造，商品名：V-40)，而開始聚合。將聚合反應進行6小時，結果獲得聚合轉化率=97%、烯丙基轉化率=96%、Mw=21000之聚合物。對該聚合物測定5%質量減少溫度，結果為360℃。相對於所獲得之丙烯酸系聚合物溶液5份，而以甲醇500份進行再沈澱，並固液分離。再次以MIBK溶解經固液分離之丙烯酸系樹脂，製成固形物成分10%之丙烯酸系樹脂溶液，與上述同樣地以甲醇500份進行再沈澱，並固液分離。將再沈澱所獲得之樹脂加以乾燥而獲得丙烯酸系樹脂B。又，藉由示差掃描熱量計測定丙烯酸系樹脂B之Tg，結果為70℃。

(丙烯酸系樹脂B'之合成方法)

於附有攪拌翼、溫度感測器、冷卻管、氣體導入管之反應容器中裝入作為單體之α-烯丙氧基甲基丙烯酸甲酯(AMA)21.0份及N-環己基順丁烯二醯亞胺9.0份、作為聚合溶劑之乙酸乙酯45.0份，一面流通氮氣一面進行攪拌，而開始升溫。確認內溫穩定為70℃後，添加偶氮系自由基聚合起始劑(Japan Finechem公司製造之ABN-V)0.03份而開始聚合。一面以內溫成為69℃~71℃之方式進行調整，一面繼續反應3.5小時後，冷卻至室溫。使用作為稀釋溶劑之四氫呋喃、作為不良溶劑之正己烷進行再沈澱操作，藉由抽氣過濾將沈澱物分離。使用減壓乾燥器於減壓、80℃下將沈澱物乾燥2小時，而獲得丙烯酸系樹脂B'。

對於所獲得之丙烯酸系樹脂B'，藉由凝膠滲透層析裝置對重量平均分子量進行測定，結果為50400。又，藉由示差掃描熱量計對Tg進行測定， 結果為134℃。

(氟化芳香族聚合物C之合成方法)

於具備溫度計、冷卻管、氣體導入管、及攪拌機之反應器中裝入BPDE(4,4'-雙(2,3,4,5,6-五氟苯甲醯基)二苯醚)16.74份、HF(9,9-雙(4-羥基苯基)茀)10.5份、碳酸鉀4.34份、DMAc(二甲基乙醯胺)90份。將該混合物加溫為80℃，並反應8小時。反應結束後，一面藉由攪拌器劇烈攪拌反應溶液，一面注入至1%乙酸水溶液中。將所析出之反應物過濾分離，藉由蒸餾水及甲醇洗淨後，進行減壓乾燥，而獲得氟化芳香族聚合物C(氟化聚芳基醚酮(FPEK))。所獲得之聚合物之Tg為242℃，數量平均分子量(Mn)為70770。再者，上述合成例中之數量平均分子量係藉由以下之方法進行測定。藉由凝膠滲透層析儀(管柱：兩根TSKgel SuperMultiporeHZ-N 4.6* 150，溶離液：四氫呋喃，標準樣品：TSK聚苯乙烯標準品)進行測定。

(實施例3-1)

<樹脂層用組成物溶液之製備、塗佈>

於將6份之聚醯亞胺樹脂A溶解於94份之環戊酮中而成之樹脂溶液中混合0.6份之方酸鎓化合物01並將其溶解，而製作樹脂層用組成物溶液。將該樹脂層用組成物溶液過濾而去除不溶成分等後，製作樹脂層用組成物溶液。將該樹脂層用組成物溶液於玻璃基板上滴0.6cc後，使用旋轉塗佈機(Mikasa股份有限公司製造之1H-D7)，歷經0.2秒使其成為1000轉，將該轉速保持10秒，其後歷經0.2秒成為0轉(rpm)，而成膜樹脂層。使用精密恆溫器(Yamato Scientific公司製造之DH611)，於100℃下將成膜有樹 脂層之玻璃基板初始乾燥3分鐘後，使用無氧化烘箱(Yamato Scientific公司製造之DN610I)於50℃下氮氣置換30分鐘後，於15分鐘左右升溫為200℃，並於200℃下追加乾燥(氮氣環境下)30分鐘，而獲得具備樹脂層之玻璃基板(以下稱為樹脂層積層基板)。對該樹脂層積層基板之穿透率進行測定，結果最大吸收波長(峰頂)之穿透率為2.5%。乾燥後之樹脂層之膜厚為1μm。再者，乾燥後之樹脂層之膜厚係使用測微計測定樹脂層積層基板之厚度及玻璃基板之厚度，而以兩者之差作為乾燥後之樹脂層之膜厚。將樹脂層積層基板之構成、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表4中。

(實施例3-2~11、比較例3-1、3-2)

於實施例3-1中，如表4所示般變更樹脂之量、溶劑之種類及量、色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例2~11、比較例3-1、3-2中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作、塗佈樹脂層用組成物溶液。將樹脂層積層基板之構成、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表4中。

(實施例3-12~16、比較例3-3~7)

於實施例3-1中，如表5所示般變更樹脂之種類及量、溶劑之種類及量、色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。其中，實施例3-16及比較例3-7於塗佈後不進行100℃、3分鐘之初始乾燥而進行加熱。再者，於實施例3-12~16、比較例3-3~7中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作並塗佈樹脂層用組成物溶液。作為樹脂，使用聚環烯烴樹脂P(JSR公司製造之ARTON(註冊商標)(改質降莰烯系樹脂))、上述丙烯酸系樹脂B、聚碸樹脂(SOLVAY SPECIALTY POLYMERS公司製造之UDEL(註冊商標)P-1700)、上述氟化芳香族聚合物C、環氧系樹脂(Daicel公司製造之EHPE3150，Daicel公司製造之Celloxide(註冊商標)2021P)。又，作為溶劑，使用環戊酮、鄰二氯苯、PGMEA(2-乙醯氧基-1-甲氧基丙烷)。再者，下文對實施例3-16及比較例3-7所添加之陽離子硬化觸媒D進行說明。將樹脂層積層基板之構成、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表5中。

製備例1(含TPB粉末之合成)

依照國際公開第1997/031924號公報所記載之合成法，製備TPB(三(五氟苯基)硼烷)含量7%之Andoh Parachemie公司製造之Isopar(註冊商標)E溶液255g。於60℃下向該溶液中滴加水。滴加途中有白色結晶析出。將反應液冷卻至室溫後，對所獲得之漿料進行抽氣過濾，並以正庚烷洗淨。於60℃下將所獲得之濾餅減壓乾燥後，獲得作為白色結晶之TPB水錯合物(含TPB粉末B)18.7g。該錯合物之水分量為9.2%(卡氏水分計)，TPB含有率為90.8%。對乾燥後之錯合物實施¹⁹F-NMR分析及GC分析，未檢測出TPB以外之波峰。

將¹⁹F-NMR之測定結果示於以下。

¹⁹F-NMR(CDCl³)ppm(標準物質：CFCl³ 0ppm)

δ=-135.6(6F,m)

δ=-156.5(3F,dd)

δ=-163.5(6F,d)

製備例2(陽離子硬化觸媒D之製備)

向製備例1中所獲得之含TPB粉末B：2g(TPB純度：1.816g(3.547mmol)、水：0.184g(10.211mmol))添加γ-丁內酯1.1g，於室溫下混合10分鐘。其後，添加2mol/L氨-乙醇溶液2.6g，於室溫下混合60分鐘，而製成陽離子硬化觸媒D(TPB觸媒)之均勻溶液。將其設為陽離子硬化觸媒D。

(實施例3-17)

將聚醯亞胺樹脂A溶解於N,N-二甲基乙醯胺中，使用溶劑澆鑄法進行成膜，以乾燥後之厚度成為100μm之方式製作膜。再者，乾燥係於氮氣、250℃下充分進行，殘留溶劑為1.5%。於該聚醯亞胺膜之兩面，使用與實施例3-1相同之樹脂組成物，以最大吸收波長(峰頂)之穿透率成為2.5%之方式進行兩面塗佈。所獲得之吸收膜係於成為基材(支持體)之膜上塗佈含有色素之樹脂組成物而形成者。將400~450nm之平均穿透率及最大吸收波長之結果彙總於以下之表6中。

(比較例3-8)

以與實施例3-17同樣之方式，獲得聚醯亞胺膜後，使用與比較例3-1相同之樹脂組成物，藉由與實施例3-17同樣之方法進行兩面塗佈而獲得吸收膜。將400~450nm之平均穿透率及最大吸收波長之結果彙總於以下之表6中。

(實施例3-18)

將上述聚環烯烴樹脂P溶解於鄰二氯苯中，進一步溶解方酸鎓化合物01。對該樹脂溶液進行過濾，使用溶劑澆鑄法，以乾燥後之厚度成為50μm、最大吸收波長(峰頂)之穿透率成為2.5%之方式塗佈於玻璃基板上，於120℃下乾燥30分鐘後，自玻璃基板剝離。進一步追加於150℃、氮氣下將所剝離之膜乾燥30分鐘。所獲得之吸收膜並非塗佈於支持體上者，其係單層而有吸收之膜。將400~450nm之平均穿透率及最大吸收波長之結果彙總於以下之表6中。

(比較例3-9)

除了使用比較方酸鎓化合物3以外，以與實施例3-18同樣之方式獲得吸收膜。將400~450nm之平均穿透率及最大吸收波長之結果彙總於以下之表6中。

(實施例3-19~30)

於實施例3-1中，如表7所示般變更樹脂之量、溶劑之量、色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例3-19~30中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作、塗佈樹脂層用組成物溶液。將樹脂層積層基板之構成、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表7中。

(實施例3-31)

(基底層用組成物(底塗液))

<底塗液之製作>

將矽烷偶合劑(Shin-Etsu Silicones公司製造之KBM-903(3-胺基丙基三甲氧基矽烷))1.52份、乙醇2份、水0.455份、及甲酸水溶液0.26份混合、溶解而製作混合液S。繼而以99份乙醇稀釋溶解1份混合液S而製作底塗液No.1。

<底塗液之塗佈>

將上述底塗液於玻璃基板(SCHOTT公司製造之D263Teco，60mm×60mm×0.3mm)上滴1cc後，使用旋轉塗佈機(Mikasa股份有限公司製造之1H-D7)，歷經3秒使其成為2200轉(rpm)，將該轉速保持20秒，其後歷經3秒成為0轉(rpm)，而成膜基底層。使用精密恆溫器(Yamato Scientific公司製造之DH611)，於100℃下將基底層成膜後之玻璃基板乾燥10分鐘， 從而獲得具備基底層之玻璃基板(以下稱為基底層積層基板)。

<樹脂層用組成物溶液之製備、塗佈>

於實施例3-1中，將樹脂層用組成物溶液滴於上述基底層積層基板之基底層上(直接與基底層相接之面)，代替將樹脂層用組成物溶液滴於玻璃基板上，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例3-31中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作、塗佈樹脂層用組成物溶液。將樹脂層積層基板之構成、PCT試驗之結果、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表8中。

(實施例3-32~36)

於實施例3-31中，如表8所示般變更色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-31同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例3-32~36中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作、塗佈樹脂層用組成物溶液。將樹脂層積層基板之構成、PCT試驗之結果、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表8中。

(實施例3-37~39、42、43)

於實施例3-31中，如表9所示般變更樹脂之種類及量、溶劑之種類及量、色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-31同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例3-37~39、42、43中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作並塗佈樹脂層用組成物溶液。作為樹脂，使用聚環烯烴樹脂P(JSR公司製造之ARTON(註冊商標)(改質降莰烯系樹脂))RX4500、聚環烯烴樹脂Q(Polyplastics公司製造之TOPAS(註冊商標)(環狀烯烴系共聚合樹脂)5013F04)。又，作為溶劑，使用鄰二氯苯、二甲苯。將樹脂層積層基板之構成、PCT試驗之結果、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表9中。

(實施例3-40、41)

於實施例3-1中，如表9所示般變更樹脂之種類及量、溶劑之種類及量、色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例3-40、41中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作並塗佈樹脂層用組成物溶液。作為樹脂，使用上述聚環烯烴樹脂P、上述聚環烯烴樹脂Q。又，作為溶劑，使用鄰二氯苯、二甲苯。將樹脂層積層基板之構成、PCT試驗之結果、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表9中。

(實施例3-44~47)

於實施例3-1中，將樹脂之種類及量變更為15份之丙烯酸系樹脂B'，將溶劑之種類及量變更為85份之環戊酮，且如表10所示般變更色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。再者，於實施例3-44~47中，以最大吸收波長之穿透率成為2.5%之方式製作並塗佈樹脂層用組成物溶液。將樹脂層積層基板之構成、400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表10中。

(實施例3-48、比較例3-10)

於實施例3-1中，如表11所示般變更樹脂之種類及量、溶劑之種類及量、色素之種類及量，除此以外，以與實施例3-1同樣之方式獲得樹脂層積層基板。於實施例3-48、比較例3-10中，以最大吸收波長之穿透率成為12%之方式製作並塗佈樹脂層用組成物溶液。將400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表11中。

(實施例3-49~54)

於實施例3-31中，如表12所示般變更樹脂之種類及量、溶劑之種類及量、色素之種類及量，並添加硬化劑及添加劑，除此以外，以與實施例3-31同樣之方式獲得實施例3-49~52之樹脂層積層基板。又，於實施例3-16中，如表12所示般變更樹脂之種類及量、溶劑之種類及量、硬化劑之種類及量、色素之種類及量，並添加添加劑，除此以外，以與實施例3-16同樣之方式獲得實施例3-53~54之樹脂層積層基板。於實施例3-49~54中，以最大吸收波長之穿透率成為0.5%之方式製作並塗佈樹脂層用組成物溶液。將400~450nm之平均穿透率、及最大吸收波長之結果彙總於以下之表12中。於實施例3-53~54中，作為矽烷偶合劑，使用Dow Corning Toray公司製造之Z-6062(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)。又，於實施例3-49~54中，作為添加劑，使用BYK-Chemie公司之BYK(註冊商標)-306(矽 酮系添加劑)，且作為硬化劑，使用上文所述之陽離子硬化觸媒D或藉由以下之調整方法所製備之陽離子硬化觸媒E。

製備例3(陽離子硬化觸媒E之製備)

於製備例2中，將γ-丁內酯變更為甲苯，除此以外，以與製備例2同樣之方式製成陽離子硬化觸媒(TPB觸媒)之均勻溶液。將其設為陽離子硬化觸媒E。

圖5係表示實施例3-12之樹脂層及比較例3-3之樹脂層中之波長與穿透率之關係之圖。根據圖5可知，於含有比較方酸鎓化合物3之比較例3-3之樹脂層中，吸收最大波長下之穿透率為2.5%，但400~450nm之平均穿透率僅為76%左右。然而，於含有方酸鎓化合物01之實施例3-12之樹脂層中，吸收最大波長下之穿透率為2.5%，另一方面，400~450nm之平均穿透率為84%左右。因此，含有方酸鎓化合物01之樹脂組成物與含有比較方酸鎓化合物3之樹脂層相比，具有較高之選擇穿透性。

又，根據圖5可知，於含有比較方酸鎓化合物3之比較例3-3之樹脂 層中，於小於吸收最大波長之波長側觀察到較大之肩峰，但於含有方酸鎓化合物01之實施例3-12之樹脂層中，同樣之肩峰大致消失，而可獲得平滑之吸收波形。因此，含有方酸鎓化合物01之樹脂層與含有比較方酸鎓化合物3之樹脂層相比，可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

圖6係表示於上述聚環烯烴樹脂P中含有方酸鎓化合物01之樹脂層及含有下述式(18)之方酸鎓化合物(以下稱為比較方酸鎓化合物5)之樹脂層中之波長與吸光度之關係之圖。於圖6中可知，亦與圖5同樣地，含有方酸鎓化合物01之樹脂層之選擇穿透性優異。

又，根據圖6可知，與圖5同樣地，於上述聚環烯烴樹脂P含有比較方酸鎓化合物5之樹脂層中，於小於吸收最大波長之波長側觀察到較大之肩峰，但於含有方酸鎓化合物01之樹脂層中，同樣之肩峰大致消失，而可獲得平滑之吸收波形。因此，含有方酸鎓化合物01之樹脂層與含有比較方酸鎓化合物5之樹脂層相比，可更有選擇性地對吸收最大區域之光進行吸收。

於實施例3-1~54中所獲得之光學濾光片之單面積層防反 射膜，於另一面積層近紅外反射膜，而製作近紅外線截止濾光片。藉由IAD法交替地蒸鍍二氧化矽層與氧化鈦層，藉此製作近紅外線反射膜及防反射膜。再者，使蒸鍍二氧化矽層及氧化鈦層時之蒸鍍溫度成為各樹脂之Tg以下。

使用實施例3-1~54中所獲得之光學濾光片所製作之近紅外線截止濾光片均表現出良好之穿透率特性，亦幾乎不存在穿透光之角度依存性。作為代表，對於在實施例3-12之光學濾光片上蒸鍍防反射膜及近紅外線反射膜而成之近紅外線截止濾光片，將以入射角度0°入射光時之各波長下之穿透率及以入射角度30°入射光時之各波長下之穿透率之測定結果示於表13。又，以入射角度0°入射光時之穿透率成為50%之波長為631nm，以入射角度30°入射光時之穿透率成為50%之波長為629nm，不論光之入射角度如何，穿透率成為50%之波長大致相同。

又，對使用實施例3-1~54中所獲得之光學濾光片所製作之近紅外線截止濾光片實施耐紫外線性、耐濕熱性、耐水性、耐候性、耐衝擊性、耐熱性評價，結果可知，任一近紅外線截止濾光片均不存在色素之劣化，而表現出非常優異之耐久性。

[產業上之可利用性]

本發明之新穎氧碳系化合物由於不存在出現於可見光、近紅外區域之吸收光譜之波峰中之肩峰(或大幅度減少)，因此可用作吸收可見光及近紅外線之色素。又，本發明之樹脂組成物與使用利用了習知之氧碳系化合物之濾光片之情形相比，於波長400~450nm下之光之平均穿透率較高，且可消除(或大幅度減少)吸收最大波長附近之肩峰，因此可色純度良好且有效率地吸收所需之近紅外線區域之光。因此，本發明之新穎氧碳系化合物及使用該化合物之樹脂組成物可用於：具有吸收、截止近紅外線及一部分可見光之功能之半導體受光元件用之光學濾光片；於節能用途中阻斷熱線之近紅外線吸收膜或近紅外線吸收板；作為安全油墨或不可見條形碼油墨之資訊顯示材料；利用可見光及近紅外光之太陽電池用材料；電漿顯示面板(PDP)或CCD用之吸收特定波長之濾光片；雷射熔接用之光熱轉換材料；不易產生由加壓或加熱引起之異常之利用光之光定影法(閃光定影法用之靜電顯影用色劑)；等。

Claims (17)

1. 一種氧碳(oxocarbon)系化合物，其以下述式(1)或下述式(2)表示， [式(1)及式(2)中，R^a1~R^a4分別獨立地為下述式(3)所表示之結構單位； (式(3)中，環A為4~9員之不飽和烴環；X及Y分別獨立地為有機基或極性官能基，上述極性官能基不包含有機基；n為0~6之整數，且為m以下(含)(其中，m為自環A之構成員數減去3而獲得之值)，於n為2以上(含)之情形時，多個Y可相同亦可不同；環B為可具有取代基之芳香族烴環、芳香族雜環或包含該等環結構 之縮合環；再者，*表示與式(1)中之4員環或式(2)中之5員環之鍵結部位)]。
2. 如申請專利範圍第1項之氧碳系化合物，其中，上述環B為苯環或萘環。
3. 如申請專利範圍第1或2項之氧碳系化合物，其中，上述Y為烷基或羥基。
4. 如申請專利範圍第1或2項之氧碳系化合物，其中，上述X為烷基或芳基。
5. 一種樹脂組成物，其含有申請專利範圍第1至4項中任一項之氧碳系化合物、及樹脂成分。
6. 如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其進而含有選自酮類、二醇衍生物、醯胺類、酯類、吡咯啶酮類、芳香族烴類、脂肪族烴類及醚類中之至少一種以上之溶劑，上述二醇衍生物不包含酯類及醚類。
7. 如申請專利範圍第5或6項之樹脂組成物，其中，上述樹脂成分為選自聚(醯胺)醯亞胺樹脂、氟化芳香族聚合物、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、聚碸樹脂、環氧系樹脂、及聚環烯烴樹脂中之至少一種以上，上述聚(醯胺)醯亞胺樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚醯胺樹脂、聚碸樹脂、環氧系樹脂、及聚環烯烴樹脂不含有具有氟原子之芳香族環。
8. 如申請專利範圍第6項之樹脂組成物，其中，上述醯胺類之使用量於樹脂組成物100質量%中為60質量%以下(含)。
9. 一種成形體，其包含申請專利範圍第5至8項中任一項之樹脂組成物。
10. 一種面狀成形體，其包含申請專利範圍第5至8項中任一項之樹脂組成物。
11. 一種光學濾光片，其具有由申請專利範圍第5至8項中任一項之樹脂組成物所形成之樹脂層。
12. 一種光學濾光片，其具備支持體、及設置於上述支持體之單面或兩面的樹脂層，其特徵在於：上述樹脂層係由申請專利範圍第5至8項中任一項之樹脂組成物所形成。
13. 如申請專利範圍第11或12項之光學濾光片，其中，上述樹脂層之波長400~450nm下之分光光線之平均穿透率為81%以上(含)。
14. 一種光學濾光片，其具有藉由申請專利範圍第5至8項中任一項之樹脂組成物所形成之樹脂膜。
15. 如申請專利範圍第14項之光學濾光片，其中，上述樹脂膜之波長400~450nm下之分光光線之平均穿透率為81%以上(含)。
16. 一種近紅外線截止濾光片，其中，申請專利範圍第11至15項中任一項之光學濾光片具備介電質多層膜。
17. 一種攝像元件，其含有申請專利範圍第11至15項中任一項之光學濾光片與申請專利範圍第16項之近紅外線截止濾光片中之至少一者。