JP7309867B2 - 光センサおよびセンシング装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 122
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 117
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 97
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 96
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 92
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 27
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- -1 Organo Ultramarine Chemical compound 0.000 description 32
- 239000000038 blue colorant Substances 0.000 description 21
- 239000001062 red colorant Substances 0.000 description 21
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical class C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000001060 yellow colorant Substances 0.000 description 18
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 14
- 239000000040 green colorant Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- NYGZLYXAPMMJTE-UHFFFAOYSA-M metanil yellow Chemical group [Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC(N=NC=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)=C1 NYGZLYXAPMMJTE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 239000001061 orange colorant Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N trans-dipyrrin Chemical compound C=1C=CNC=1/C=C1\C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZECQLHQEHJJSAN-UHFFFAOYSA-N 2,9-dihydro-1h-carbazole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1CCC=C2 ZECQLHQEHJJSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYAKNSNAABYQBU-UHFFFAOYSA-N 2h-dibenzofuran-1-one Chemical class O1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CCC2=O JYAKNSNAABYQBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBNVWXKPFORCRI-UHFFFAOYSA-N 2h-naphtho[2,3-f]quinolin-1-one Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=C4C(=O)CC=NC4=CC=C3C=C21 XBNVWXKPFORCRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N Benzopyrane Chemical compound C1=CC=C2C=CCOC2=C1 KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020187 CeF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002319 LaF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 229910017557 NdF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001007 Nylon 4 Polymers 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910002637 Pr6O11 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007271 Si2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004366 ThF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004369 ThO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000649 benzylidene group Chemical group [H]C(=[*])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N indium;oxotungsten Chemical compound [In].[W]=O ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical class [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-dioxoanthracen-1-yl)-4-[4-[[4-[4-[(9,10-dioxoanthracen-1-yl)carbamoyl]phenyl]phenyl]diazenyl]phenyl]benzamide Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2NC(=O)C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1N=NC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Chemical group 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000001053 orange pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000001057 purple pigment Substances 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical group C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZTPJDLYPMPRDF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-c]pyrazole Chemical compound N1=NC2=CC=NC2=C1 GZTPJDLYPMPRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGVMPKQSTZIOIU-UHFFFAOYSA-N quaterrylene Chemical group C12=C3C4=CC=C2C(C2=C56)=CC=C5C(C=57)=CC=CC7=CC=CC=5C6=CC=C2C1=CC=C3C1=CC=CC2=CC=CC4=C21 GGVMPKQSTZIOIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Inorganic materials [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001043 yellow dye Substances 0.000 description 1
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
- H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
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- H10K39/32—Organic image sensors
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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Description
<1> 赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、
光電変換素子は、波長800nm以上の赤外域に極大吸収波長λmaxを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、
光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長800nm以上の赤外域の光の透過率の最大値が60%以上で、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下である赤外光透過部材である、
光センサ。
<2> 上記赤外光透過部材は、上記量子ドットの極大吸収波長λmax±50nmの範囲の光の透過率の最大値が60%以上で、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下であり、
上記赤外光受光部では、上記量子ドットの極大吸収波長λmax±50nmの範囲のいずれかの波長の光を受光させる、<1>に記載の光センサ。
<3> 上記赤外光透過部材は、上記量子ドットの極大吸収波長λmax-200nm以上、上記量子ドットの極大吸収波長λmax+20nm以下の範囲に透過率50%となる波長が存在する、<1>または<2>に記載の光センサ。
<4> 上記赤外光透過部材は下記関係式(IR1)を満たす、<1>~<3>のいずれか1つに記載の光センサ:
(T1/T2)>5.0 ・・・(IR1)
T1は、上記量子ドットの極大吸収波長λmaxの光に対する上記赤外光透過部材の透過率であり、
T2は、上記量子ドットの極大吸収波長λmax×0.8の光に対する上記赤外光透過部材の透過率である。
<5> 上記赤外光透過部材は複数の色材を含有する樹脂膜を含む、<1>~<4>のいずれか1つに記載の光センサ。
<6> 上記樹脂膜は、上記量子ドットの極大吸収波長λmax-200nm以上、上記量子ドットの極大吸収波長λmax+20nm以下の範囲に、透過率50%となる波長が存在する、<5>に記載の光センサ。
<7> 上記赤外光透過部材は誘電体多層膜を含む、<1>~<6>のいずれか1つに記載の光センサ。
<8> 上記誘電体多層膜は、最大透過率が90%以上の透過波長帯域を複数有する、<7>に記載の光センサ。
<9> 上記赤外光透過部材は上記量子ドットの極大吸収波長λmaxの光に対する屈折率が1.8以上のマイクロレンズを含む、<1>~<8>のいずれか1つに記載の光センサ。
<10> 上記光電変換素子は、上記赤外光受光部にて受光させる光とは異なる波長の光を受光させる他の受光部を有し、
上記光学部材は、透過させる光の波長が異なる画素を複数含む光学フィルタを有する、<1>~<9>のいずれか1つに記載の光センサ。
<11> 上記光学フィルタの各画素が隔壁によって区画されている、<10>に記載の光センサ。
<12> 上記光電変換素子の、上記光学フィルタの各画素を透過した光を受光させる領域のそれぞれが隔壁または溝によって区画されている、<10>または<11>に記載の光センサ。
<13> 上記他の受光部は、上記赤外光受光部にて受光させる光よりも短波側の光を受光する、<10>~<12>のいずれか1つに記載の光センサ。
<14> 上記光学フィルタの上記他の受光部の光入射側の光路上に有する画素は、400nm以上、上記量子ドットの極大吸収波長λmax×0.8nm以下の範囲に透過率が60%以上になる波長が存在する、<10>~<13>のいずれか1つに記載の光センサ。
<15> 更に、上記量子ドットの極大吸収波長λmax±50nmの範囲に発光極大を有する発光装置を有する、<1>~<14>のいずれか1つに記載の光センサ。
<16> <1>~<15>のいずれか1つに記載の光センサを含むセンシング装置。
本明細書において、「~」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本発明の光センサは、
赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、
光電変換素子は、波長800nm以上の赤外域に極大吸収波長λmaxを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部を有し、
光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長800nm以上の赤外域の光の透過率の最大値が60%以上で、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下である赤外光透過部材であることを特徴とする。
(T1/T2)>5.0 ・・・(IR1)
T1は、量子ドットの極大吸収波長λmaxの光に対する赤外光透過部材の透過率であり、
T2は、量子ドットの極大吸収波長λmax×0.8の光に対する赤外光透過部材の透過率である。
C.I.Pigment Orange 2,5,13,16,17:1,31,34,36,38,43,46,48,49,51,52,55,59,60,61,62,64,71,73等(以上、オレンジ色顔料)、
C.I.Pigment Red 1,2,3,4,5,6,7,9,10,14,17,22,23,31,38,41,48:1,48:2,48:3,48:4,49,49:1,49:2,52:1,52:2,53:1,57:1,60:1,63:1,66,67,81:1,81:2,81:3,83,88,90,105,112,119,122,123,144,146,149,150,155,166,168,169,170,171,172,175,176,177,178,179,184,185,187,188,190,200,202,206,207,208,209,210,216,220,224,226,242,246,254,255,264,270,272,279,294(キサンテン系、Organo Ultramarine、Bluish Red),295(モノアゾ系),296(ジアゾ系)等(以上、赤色顔料)、
C.I.Pigment Green 7,10,36,37,58,59,62,63等(以上、緑色顔料)、
C.I.Pigment Violet 1,19,23,27,32,37,42,60(トリアリールメタン系),61(キサンテン系)等(以上、紫色顔料)、
C.I.Pigment Blue 1,2,15,15:1,15:2,15:3,15:4,15:6,16,22,29,60,64,66,79,80,87(モノアゾ系),88(メチン系)等(以上、青色顔料)。
(C1)赤色色材と青色色材とを含有する態様。
(C2)赤色色材と青色色材と黄色色材とを含有する態様。
(C3)赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材とを含有する態様。
(C4)赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材と緑色色材とを含有する態様。
(C5)赤色色材と青色色材と黄色色材と緑色色材とを含有する態様。
(C6)赤色色材と青色色材と緑色色材とを含有する態様。
(C7)黄色色材と紫色色材とを含有する態様。
上記(C2)の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材の質量比は、赤色色材:青色色材:黄色色材=10~80:20~80:10~40であることが好ましく、10~60:30~80:10~30であることがより好ましく、10~40:40~80:10~20であることが更に好ましい。
上記(C3)の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材との質量比は、赤色色材:青色色材:黄色色材:紫色色材=10~80:20~80:5~40:5~40であることが好ましく、10~60:25~80:5~30:5~30であることがより好ましく、10~40:25~50:10~30:10~30であることが更に好ましい。
上記(C4)の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材と紫色色材と緑色色材の質量比は、赤色色材:青色色材:黄色色材:紫色色材:緑色色材=10~80:20~80:5~40:5~40:5~40であることが好ましく、10~60:30~80:5~30:5~30:5~30であることがより好ましく、10~40:40~80:5~20:5~20:5~20であることが更に好ましい。
上記(C5)の態様において、赤色色材と青色色材と黄色色材と緑色色材の質量比は、赤色色材:青色色材:黄色色材:緑色色材=10~80:20~80:5~40:5~40であることが好ましく、10~60:30~80:5~30:5~30であることがより好ましく、10~40:40~80:5~20:5~20であることが更に好ましい。
上記(C6)の態様において、赤色色材と青色色材と緑色色材の質量比は、赤色色材:青色色材:緑色色材=10~80:20~80:10~40であることが好ましく、10~60:30~80:10~30であることがより好ましく、10~40:40~80:10~20であることが更に好ましい。
上記(C7)の態様において、黄色色材と紫色色材の質量比は、黄色色材:紫色色材=10~50:40~80であることが好ましく、20~40:50~70であることがより好ましく、30~40:60~70であることが更に好ましい。
図1に示す光センサ1は、支持体101上に光電変換素子201が設けられている。光電変換素子201の受光面が受光部をなしている。なお、図1に示す光センサ1では光電変換素子201の受光面全面が赤外光受光部をなしている。
図3を用いて第2の実施形態の光センサについて説明する。図3に示す光センサ2は、赤外線透過フィルタ402とバンドパスフィルタ502との間にマイクロレンズ702が設けられている点が第1の実施形態の光センサと相違している。
図4を用いて第3の実施形態の光センサについて説明する。図4に示す光センサ3の光電変換素子203は、複数の受光部203a~203dを有している。各受光部では、それぞれ異なる波長の光を受光する。図4に示す光センサ3においては、受光部203aが赤外光受光部である。受光部203b~203dは、受光部203a(赤外光受光部)にて受光する光よりも短波側の光を受光する受光部であることが好ましい。このような受光部としては、例えば、赤色光、青色光、緑色光、黄色光、マゼンタ色光、シアン色光などの可視光を受光する受光部(可視光受光部)などが挙げられる。また、受光部203b~203dは、受光部203aが受光する赤外光よりも短波側の赤外光を受光する受光部であってもよい。
本発明のセンシング装置は、上述した本発明の光センサを含む。センシング装置の種類としては、TOF(Time-of-Flight)カメラなどの測距装置、赤外光撮像装置、可視光-赤外光撮像装置、モーションセンサ、認証センサ、近接センサ、ジェスチャーセンサ、監視カメラ、水分センサ、自動運転装置、異常検査装置などが挙げられる。
101:支持体
201、203:光電変換素子
251:光電変換層
252:下部電極
253:上部電極
301:絶縁層
401、402:赤外線透過フィルタ
501~503:バンドパスフィルタ
601~603:赤外光透過部材
702、703a、703b、703c、703d:マイクロレンズ
803:光学フィルタ
811~814:画素
811a:赤外線透過フィルタの画素
812a~814a:着色画素
820:赤外線カットフィルタ
Claims (14)
- 赤外域を含む波長帯域の光を電気信号として取得可能な光電変換素子と、
前記光電変換素子上に設けられた絶縁層と、
前記光電変換素子への光入射側に設けられた光学部材とを有し、
前記光電変換素子は、波長800nm以上の赤外域に極大吸収波長λmaxを有する量子ドットを含み、かつ、赤外域の波長帯域の光を受光させる赤外光受光部と、前記赤外光受光部にて受光させる光とは異なる波長の光を受光させるシリコンフォトダイオードで構成された他の受光部と、を有し、
前記光学部材は、透過させる光の波長が異なる画素を複数含む光学フィルタを有し、
前記光電変換素子の赤外光受光部への光入射側の光路上にある光学部材は、波長800nm以上の赤外域の光の透過率の最大値が60%以上で、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下である赤外光透過部材であり、
前記赤外光透過部材は、複数の色材を含有する樹脂膜である赤外線透過フィルタを含み、前記赤外線透過フィルタは、波長800nm以上の赤外域の波長帯域の光のうち、前記光電変換素子の赤外光受光部で受光させる目的の波長の光の透過性が60%以上であり、かつ、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下であり、
前記赤外線透過フィルタは前記絶縁層上に設けられおり、
前記絶縁層の波長400~4000nmの範囲の光の透過率が70%以上である、
光センサ。 - 前記赤外光透過部材は、前記量子ドットの極大吸収波長λmax±50nmの範囲の光の透過率の最大値が60%以上で、波長400~650nmの範囲の光の平均透過率が10%以下であり、
前記赤外光受光部では、前記量子ドットの極大吸収波長λmax±50nmの範囲のいずれかの波長の光を受光させる、請求項1に記載の光センサ。 - 前記赤外光透過部材は、前記量子ドットの極大吸収波長λmax-200nm以上、前記量子ドットの極大吸収波長λmax+20nm以下の範囲に透過率50%となる波長が存在する、請求項1または2に記載の光センサ。
- 前記赤外光透過部材は下記関係式(IR1)を満たす、請求項1~3のいずれか1項に記載の光センサ:
(T1/T2)>5.0 ・・・(IR1)
T1は、前記量子ドットの極大吸収波長λmaxの光に対する前記赤外光透過部材の透過率であり、
T2は、前記量子ドットの極大吸収波長λmax×0.8の光に対する前記赤外光透過部材の透過率である。 - 前記樹脂膜は、前記量子ドットの極大吸収波長λmax-200nm以上、前記量子ドットの極大吸収波長λmax+20nm以下の範囲に、透過率50%となる波長が存在する、請求項1~4のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記赤外光透過部材は誘電体多層膜を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記誘電体多層膜は、最大透過率が90%以上の透過波長帯域を複数有する、請求項6に記載の光センサ。
- 前記赤外光透過部材は前記量子ドットの極大吸収波長λmaxの光に対する屈折率が1.8以上のマイクロレンズを含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記光学フィルタの各画素が隔壁によって区画されている、請求項1~8のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記光電変換素子の、前記光学フィルタの各画素を透過した光を受光させる領域のそれぞれが隔壁または溝によって区画されている、請求項1~9のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記他の受光部は、前記赤外光受光部にて受光させる光よりも短波側の光を受光する、請求項1~10のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記光学フィルタの前記他の受光部の光入射側の光路上に有する画素は、400nm以上、前記量子ドットの極大吸収波長λmax×0.8nm以下の範囲に透過率が60%以上になる波長が存在する、請求項1~11のいずれか1項に記載の光センサ。
- 更に、前記量子ドットの極大吸収波長λmax±50nmの範囲に発光極大を有する発光装置を有する、請求項1~12のいずれか1項に記載の光センサ。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の光センサを含むセンシング装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019102164 | 2019-05-31 | ||
JP2019102164 | 2019-05-31 | ||
PCT/JP2020/020440 WO2020241535A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-05-25 | 光センサおよびセンシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020241535A1 JPWO2020241535A1 (ja) | 2020-12-03 |
JP7309867B2 true JP7309867B2 (ja) | 2023-07-18 |
Family
ID=73552736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021522740A Active JP7309867B2 (ja) | 2019-05-31 | 2020-05-25 | 光センサおよびセンシング装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3979333A4 (ja) |
JP (1) | JP7309867B2 (ja) |
KR (1) | KR20220002432A (ja) |
TW (1) | TW202101781A (ja) |
WO (1) | WO2020241535A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI820822B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-11-01 | 天光材料科技股份有限公司 | 光二極體之結構 |
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JP2008081565A (ja) | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 顔料分散剤、及び顔料分散体 |
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JP6217067B2 (ja) | 2012-10-25 | 2017-10-25 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | カラーフィルタ用着色組成物およびカラーフィルタ |
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- 2020-05-25 WO PCT/JP2020/020440 patent/WO2020241535A1/ja unknown
- 2020-05-25 EP EP20814093.9A patent/EP3979333A4/en active Pending
- 2020-05-25 KR KR1020217038143A patent/KR20220002432A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-05-26 TW TW109117405A patent/TW202101781A/zh unknown
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TW202101781A (zh) | 2021-01-01 |
KR20220002432A (ko) | 2022-01-06 |
EP3979333A1 (en) | 2022-04-06 |
JPWO2020241535A1 (ja) | 2020-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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