WO2017110511A1 - 光学フィルタおよび固体撮像素子ならびに電子機器 - Google Patents

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望 瀧口
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    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Definitions

  • the present disclosure relates to, for example, an optical filter that can be used as an infrared light cut filter, a solid-state imaging device including the optical filter, and an electronic apparatus.
  • an imaging device such as a video camera or a digital still camera is equipped with a solid-state imaging device (image sensor) having a CCD (Charge-Coupled Device) or CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) structure.
  • CCD image sensors and CMOS image sensors have sensitivity from the near ultraviolet wavelength band to the near infrared wavelength band.
  • an optical signal in a wavelength band other than human visibility visible region; wavelength of about 400 to 700 nm
  • an infrared light cut filter is disposed in front of the solid-state imaging element (light incident direction), thereby removing light in the near infrared wavelength band.
  • Patent Document 1 discloses an absorption infrared light cut filter using a material that absorbs light in the infrared region.
  • materials for the absorption-type infrared light cut filter cyanine compounds, phthalocyanine compounds, and squarylium compounds that absorb light in the infrared region are used.
  • squarylium compounds are attracting attention because they have a steep absorption peak in the vicinity of 750 nm, as described in Patent Document 2, for example.
  • squarylium dye has a slight absorption property in the visible region. For this reason, it is required to improve transparency in the visible region.
  • An optical filter according to an embodiment of the present disclosure includes at least one squarylium compound represented by the following general formula (1) or general formula (2).
  • X1 and X2 are each independently an oxygen atom or a dicyanomethylene (—C (CN) 2 ) group
  • R3 and R12 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a group thereof.
  • R4, R5, R13, and R14 are each independently a hydrogen atom, a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a derivative thereof
  • R1, R2, R6 to R11, R15 to R18 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, a partial fluoroalkyl group, Fluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfanyl group, alkylsulfanyl group, Sulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acy
  • R20 to R22, R24 to R26 and R29 to R31, R33 to R35 are each independently a hydrogen atom or carbon
  • R23 and R32 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a derivative thereof R19, R27.
  • R28 and R36 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, partial fluoro Alkyl group, perfluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfur group Anyl group, alkylsulfanyl group, arylsulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acylamino group, acyloxy group, carbonyl group, carboxy A group, a carboxamide group, a carboalkoxy group, an acyl group, a sulfonyl
  • a solid-state imaging device includes a photoelectric conversion unit, an on-chip lens provided on the photoelectric conversion unit, and the optical filter according to the embodiment of the present disclosure.
  • An electronic apparatus includes the solid-state imaging element according to the embodiment of the present disclosure.
  • the optical filter of one embodiment of the present disclosure, the solid-state imaging device of one embodiment, and the electronic device of one embodiment include at least one squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2). did. This reduces the absorption characteristics in the visible region.
  • the solid-state imaging device of one embodiment, and the electronic apparatus of one embodiment at least one squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is included. Since it did in this way, the absorption characteristic in a visible region is reduced and it becomes possible to improve the transparency of a visible region. Therefore, it is possible to provide a solid-state imaging device and an electronic device having high optical characteristics.
  • FIG. 12 is a plan view illustrating an overall configuration of an imaging apparatus according to Application Example 1.
  • FIG. It is a block diagram showing the whole structure concerning the application example 2 (electronic device). It is a block diagram showing the whole structure concerning the application example 3 (plasma display device).
  • FIG. 6 is a light absorption characteristic diagram at each wavelength in Experimental Examples 1 to 6.
  • FIG. 1 illustrates a cross-sectional configuration of the solid-state imaging device (solid-state imaging device 10) according to the first embodiment of the present disclosure.
  • This solid-state image sensor 10 constitutes one pixel (for example, unit pixel P) in an image capturing apparatus (for example, solid-state image capturing apparatus 1) such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor (both shown in FIG. 10).
  • the solid-state imaging device 10 has a configuration in which a color filter layer 12, an on-chip lens 13, a planarization layer 14, and an infrared absorption layer 15 are stacked in this order on the photoelectric conversion layer 11 on which the photoelectric conversion unit 11B is formed.
  • the infrared absorption layer 15 is formed using a squarylium compound, and this squarylium compound is obtained by substituting the anthracene derivative at positions 1 and 3 of the square acid site.
  • the photoelectric conversion layer 11 detects incident light as an electrical signal.
  • a plurality of photoelectric conversion units 11B are formed on a substrate 11A such as silicon (Si).
  • the structure of the photoelectric conversion layer 11 is not particularly limited, and a CCD or CMOS structure or the like can be adopted.
  • the photoelectric conversion unit 11B may be arranged one-dimensionally (linearly) on the substrate 11A, or may be arranged two-dimensionally (matrix).
  • the color filter layer 12 includes, for example, a red filter 12R that transmits light in the red wavelength region, a green filter 12G that transmits light in the green wavelength region, and a blue filter 12B that transmits light in the blue wavelength region.
  • These color filters (red filter 12R, green filter 12B, blue filter 12B) are regularly arranged (for example, Bayer array).
  • the solid-state imaging device 1 can obtain light reception data of a color corresponding to the color arrangement.
  • the transmission wavelengths of the color filters 12R, 12B, and 12B constituting the color filter layer 12 are not limited to the above three colors of red, green, and blue, but are appropriately selected according to the specifications of the solid-state imaging device. be able to.
  • the material which forms red filter 12R, green filter 12B, and blue filter 12B is not specifically limited, either can use a well-known material, respectively.
  • the red filter 12R, the green filter 12G, and the blue filter 12B are respectively disposed on the corresponding photoelectric conversion units 11B. Thereby, the light of the specific wavelength range which each permeate
  • the output of each photoelectric conversion unit 11B is the intensity of light transmitted through each color filter 12R, 12B, 12B.
  • the color filter layer 12 may have a maximum absorption wavelength in an infrared wavelength region (for example, 600 nm or more and 1500 nm or less).
  • the infrared light removal performance can be further improved by providing the color filter layer 12 with infrared absorption capability.
  • each color filter 12R, 12B, 12B may contain a material that absorbs infrared light (infrared light absorbing material).
  • Examples of the infrared light absorbing material include a squarylium compound in which the 1,3-positions of a square acid site constituting the infrared absorbing layer 15 to be described later are substituted with an anthracene derivative, and a cycle of KCuPO 4 , iron oxide, tungsten oxide, and the like.
  • conductive oxides such as indium tin oxide (ITO), diimonium compounds, anthraquinone compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds, azo complexes, Ni complexes, Co complexes, Cu complexes, Examples include Fe complexes, pyrrolopyrrole compounds, thiourea compounds, and acetylene polymers.
  • squarylium compounds compounds containing transition metals, conductive oxides, phthalocyanine compounds, azo complexes, Ni complexes, Co complexes, Cu complexes, Fe complexes It is preferable to use a pyrrolopyrrole compound.
  • the color filter layer 12 is provided as necessary. For example, when obtaining a monochrome image from the output of each photoelectric conversion unit 11B, the color filter layer 12 is unnecessary. When the color filter layer 12 is not provided, the on-chip lens 13 may be laminated directly on the photoelectric conversion layer 11 or may be laminated via some layer.
  • the on-chip lens 13 has light transparency and collects incident light toward the photoelectric conversion unit 11B.
  • the on-chip lens 13 is formed using a high refractive index material having a refractive index higher than 1.5, for example.
  • a high refractive index material having a refractive index higher than 1.5
  • examples of such a material include inorganic materials such as silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiN), but an organic material having a high refractive index such as an episulfide resin, a thietane compound, or a resin thereof may be used. Good.
  • the refractive index of the on-chip lens 13 can be further increased by using a metal thietane compound or a polymerizable composition containing the same.
  • oxides and nitrides having a refractive index of about 2 to 2.5 such as TiO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , ZnO, and Si 3 N 4 should be added to these resins.
  • the on-chip lens 13 having a higher refractive index can be formed.
  • the shape of the on-chip lens 13 is not particularly limited, and various lens shapes such as a hemispherical shape and a semicylindrical shape can be used. As shown in FIG. 1, the on-chip lens 13 is provided for each photoelectric conversion unit 11B, and both have the same shape.
  • “same” refers to a product manufactured using the same material and through the same process, but does not exclude variations due to various conditions during manufacturing.
  • the on-chip lens 13 may be provided with one on-chip lens in the plurality of photoelectric conversion units 11B.
  • the on-chip lens 13 can be formed by, for example, forming a lens-shaped resist film on a lens material film and then performing an etch back process.
  • the on-chip lens 13 may be formed by, for example, patterning a photosensitive resin film with a photolithography technique and then deforming it into a lens shape by a reflow process.
  • the flattening layer 14 is for flattening the surface by embedding irregularities formed by the on-chip lens 13.
  • a material for forming the planarization layer 14 it is preferable to use a low refractive index material that has optical transparency and a smaller refractive index than the on-chip lens 13.
  • the light incident on the on-chip lens 13 from the planarization layer 14 is refracted at the interface between the planarization layer 14 and the on-chip lens 13 and is condensed on the photoelectric conversion unit 11B corresponding to each on-chip lens 13.
  • the refractive index of the flattening layer 14 may be smaller than that of the on-chip lens 13, but from the viewpoint of the lens effect of the on-chip lens 13, the difference in refractive index between the flattening layer 14 and the on-chip lens 13 is preferably as large as possible.
  • the thickness of the planarization layer 14 in the stacking direction (hereinafter simply referred to as thickness) is, for example, about 10 nm to 2 ⁇ m, but is not limited to this range and is preferably thinner.
  • the infrared absorption layer 15 removes an infrared light component contained in the incident light to the photoelectric conversion unit 11B, and is provided on the flattening layer 14, for example.
  • the infrared absorption layer 15 includes an infrared light absorbing material, and for example, the 1,3-positions of the square acid mother nucleus constituting the squarylium molecule represented by the following general formula (1) and general formula (2) are substituted with an anthracene derivative. It is formed to contain at least one type of squarylium compound.
  • the infrared absorption layer 15 that selectively absorbs infrared light is formed.
  • X1 and X2 are each independently an oxygen atom or a dicyanomethylene (—C (CN) 2 ) group
  • R3 and R12 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a group thereof.
  • R4, R5, R13, and R14 are each independently a hydrogen atom, a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a derivative thereof
  • R1, R2, R6 to R11, R15 to R18 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, a partial fluoroalkyl group, Fluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfanyl group, alkylsulfanyl group, Sulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acy
  • R20 to R22, R24 to R26 and R29 to R31, R33 to R35 are each independently a hydrogen atom or carbon
  • R23 and R32 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a derivative thereof R19, R27.
  • R28 and R36 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, partial fluoro Alkyl group, perfluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfur group Anyl group, alkylsulfanyl group, arylsulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acylamino group, acyloxy group, carbonyl group, carboxy A group, a carboxamide group, a carboalkoxy group, an acyl group, a sulfonyl
  • At least one of R1 and R10 in the general formula (1) is independently a group capable of forming a hydrogen bond in the molecule.
  • at least one of R19, R27, R28 and R36 in the general formula (2) is a group capable of forming a hydrogen bond in the molecule. Examples of such a group include a hydroxy (—OH) group, an amino (—NH 2 ) group, and an amide (—C ( ⁇ O) —NR37R38; R37 and R38 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group). It is done.
  • At least one of R1, R10 of the squarylium compound represented by the general formula (1) and at least one of R19, R27, R28, R36 of the squarylium compound represented by the general formula (2) is an intramolecular hydrogen.
  • R3 and R12 in the general formula (1) and R23 and R32 in the general formula (2) are each preferably a group having an electron donating property higher than that of hydrogen (H).
  • the group having higher electron donating property than hydrogen (H) include a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, an amino group, an alkylamino group, Examples thereof include an arylamino group, an alkoxy group, and derivatives thereof.
  • carbon number of an alkyl chain 1-10 is desirable. Thereby, the synthesis difficulty of the squarylium compound which has the said structure reduces.
  • Such squarylium compounds for example, squarylium compounds represented by the general formula (1) include, for example, the 2,4-positions (X1, X1) of the square acid as represented by the following formulas (1-1) to (1-47): Examples thereof include a squarylium compound having a symmetrical structure in which an anthracene derivative having an oxygen atom in X2) and having the same molecular structure is bonded to the 1,3-positions.
  • the squarylium compound having a symmetric structure is not necessarily used.
  • a squarylium compound having an asymmetric structure in which the anthracene skeletons of the squarylium compounds represented by the formulas (1-1) to (1-47) are appropriately combined is used. Also good.
  • squarylium compounds represented by the following formulas (1-48) to (1-54) may be mentioned.
  • one of the 2,4-positions (X1, X2) of the square acid as shown in the following formulas (2-1) to (2-47) is substituted with a dicyanomethylene group, and the same molecular structure is obtained at the 1,3-position.
  • a squarylium compound having a symmetric structure in which an anthracene derivative having an anion is bonded is substituted with a 2,4-positions (X1, X2) of the square acid as shown in the following formulas (2-1) to (2-47) is substituted with a dicyanomethylene group, and the same molecular structure is obtained at the 1,3-position.
  • a squarylium compound having a symmetric structure in which an anthracene derivative having an anion is bonded.
  • the squarylium compound in which one of the 2,4-positions (X1, X2) of these square acids is substituted with a dicyanomethylene group may have not only a symmetric structure but also an asymmetric structure.
  • squarylium compounds represented by the following formulas (2-48) to (2-54) may be mentioned.
  • squarylium compound represented by the general formula (2) for example, at the 2,4-position (X3, X4) of the square acid as represented by the following formulas (3-1) to (3-54):
  • An example is a squarylium compound having a symmetric structure in which an anthracene derivative having an oxygen atom and the same molecular structure is bonded to the 1,3-positions.
  • the squarylium compound having a symmetric structure is not necessarily used.
  • a squarylium compound having an asymmetric structure in which the anthracene skeletons of the squarylium compounds represented by the formulas (3-1) to (3-54) are appropriately combined is used. Also good.
  • squarylium compounds represented by the following formulas (3-55) to (1-132) may be mentioned.
  • one of the 2,4-positions (X3, X4) of the square acid is substituted with a dicyanomethylene group, and the same molecular structure is obtained at the 1,3-position.
  • a squarylium compound having a symmetric structure in which an anthracene derivative having an anion is bonded is bonded.
  • the squarylium compound in which one of the 2,4-positions (X3, X4) of these square acids is substituted with a dicyanomethylene group may have not only a symmetric structure but also an asymmetric structure.
  • squarylium compounds represented by the following formulas (4-55) to (4-132) may be mentioned.
  • the infrared absorption layer 15 can be formed of a resin composition containing the squarylium compound and a binder resin.
  • the binder resin used for the infrared absorption layer 15 is not particularly limited, and various resins such as a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin can be used.
  • the binder resin preferably has, for example, a glass transition point Tg of 150 ° C. or higher, more preferably a melting point of 150 ° C. or higher, more preferably a heating yellowing temperature. Is 150 ° C. or higher.
  • binder resins examples include epoxy resins, acrylic resins, silicone (siloxane) resins, polycarbonate resins, and polyethylene resins.
  • thermosetting or photocurable resin that does not have an absorption maximum wavelength of 400 nm to 600 nm.
  • the binder resin when a resin containing a functional group having a strong oxidizing power such as a carboxyl group is used as the binder resin, the squarylium compound may be oxidized and the heat resistance may be lowered. Therefore, as the binder resin, a resin composed of a bond having a high stability such as a siloxane bond (—Si—O—) or a carbon-oxygen bond (—C—O—) and a relatively weak oxidizing power is used. In particular, a resin having a siloxane bond as a main skeleton is preferable.
  • the dispersion state of the squarylium compound in the resin composition is not particularly limited and may be a molecular dispersion state, but from the viewpoint of improving the transparency in the visible region, the binder resin is in a state in which the squarylium compound is compatible. It is preferable to do.
  • the infrared absorption layer 15 may contain a curing agent or a curing auxiliary agent for curing the binder resin.
  • curing agents and hardening adjuvants can be suitably selected with the monomer contained in binder resin, it is preferable to use what does not have an absorption maximum wavelength in the visible light region of 400 nm or more and 600 nm or less, for example.
  • the infrared absorption layer 15 may contain one or more compounds having different absorption maximum wavelengths from the squarylium compound. Further, for example, as shown in FIG. 2, the infrared absorption layer 15 includes a first absorption layer 15A containing the squarylium compound and a squarylium compound containing one or more compounds having different absorption maximum wavelengths. It is good also as a laminated structure with 2 absorption layers 15B. As described above, by using a plurality of compounds having different absorption maximum wavelengths, it is possible to absorb infrared light having a wavelength with a low absorptivity in the squarylium compound, and it is possible to further improve the imaging performance. The order of stacking the first absorption layer 15A and the second absorption layer 15B is not particularly limited.
  • the infrared absorption layer 15 includes oxide fine particles for improving heat resistance, leveling agents, dispersants such as surfactants, antioxidants, and dyes such as squarylium compounds. Various additives such as stabilizers may be blended.
  • the infrared absorption layer 15 is a compound containing a transition metal of the fourth period of the periodic table, such as KCuPO 4 , iron oxide and tungsten oxide, which is cited as an example of the material constituting the color filter layer 12, oxidation Conductive oxides such as indium tin (ITO), diimonium compounds, anthraquinone compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds, azo complexes, Ni complexes, Co complexes, Cu complexes, Fe complexes, pyrrolopyrrole compounds, thiourea compounds and acetylene polymers May be included.
  • ITO indium tin
  • diimonium compounds such as indium tin (ITO), diimonium compounds, anthraquinone compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds, azo complexes, Ni complexes, Co complexes, Cu complexes, Fe complexes, pyrrolopyrrole compounds, thiourea compounds
  • the thickness of the infrared absorption layer 15 is preferably 0.5 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, for example, from the viewpoint of thinning the solid-state imaging device 10.
  • the infrared absorption layer 15 is formed with a constant thickness regardless of the shape of the on-chip lens 13. be able to.
  • the thickness of the infrared absorption layer 15 since the thickness of the infrared absorption layer 15 does not affect the distance between the on-chip lens 13 and the photoelectric conversion unit 11B, the thickness of the infrared absorption layer 15 is sufficient to remove the infrared light component. Can be set.
  • the infrared absorption layer 15 is prepared by dissolving the resin composition containing the squarylium compound and the binder resin in, for example, chloroform, and preparing an ink.
  • the ink is then applied, for example, by spin coating, second coating, slit coating, It can be formed by coating on a base material such as a glass substrate, a quartz substrate, or a resin substrate using a coating method such as a dispensing method. Alternatively, it may be formed by directly coating on the planarizing layer 14.
  • the solvent of the resin composition is not limited to chloroform, and may be appropriately selected according to the coating method and the compatibility of squarylium and the binder resin.
  • chloroform for example, methanol, ethanol, ethyl acetate, butyl acetate, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, tetrahydrofuran, methylene chloride, anisole, hexane, cyclohexane, cyclopentanone, dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, Examples include propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • an infrared absorbing dye containing a commonly used squarylium compound has a slight absorption characteristic in the visible region as shown in FIG.
  • the transparency in the visible region is defined as (maximum absorbance in the visible region (400 nm or more and less than 600 nm)) / (maximum absorbance in the infrared region (600 nm or more and 1500 nm or less)), generally used infrared light
  • the maximum absorbance in the visible region with respect to the maximum absorbance in the infrared region in the cut filter was, for example, 0.05 or more.
  • the infrared filter is formed using the squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) as the infrared absorbing dye.
  • the absorption characteristic in the visible region is reduced. Specifically, the maximum absorbance in the visible region relative to the maximum absorbance in the infrared region is less than 0.05.
  • the squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is used as the infrared absorbing dye forming the infrared absorbing layer 15.
  • the light absorption characteristic in the visible region of the commonly used squarylium compound is reduced, and the transparency of the infrared absorption layer 15 in the visible region can be improved. Therefore, it is possible to provide the solid-state imaging device 10 having high optical characteristics.
  • a squarylium compound having a group capable of forming an intramolecular hydrogen bond in at least one of R1 and R10 in the general formula (1), or R19, R27, R28, and R36 in the general formula (2) Improving the heat resistance of the infrared absorption layer 15 together with the transparency in the visible region by providing the infrared absorption layer 15 using a squarylium compound having a group capable of forming an intramolecular hydrogen bond in at least one of Is possible.
  • FIG. 5 illustrates a cross-sectional configuration of a solid-state imaging device (solid-state imaging device 20) according to Modification 1 of the present disclosure.
  • This solid-state imaging device 20 is different from the first embodiment in that a protective layer 16 is provided on the infrared absorption layer 15.
  • a protective layer 16 is provided on the infrared absorption layer 15.
  • the protective layer 16 is formed, for example, continuously on the upper surface and side surfaces of the infrared absorption layer 15. It may be formed only on the side surface.
  • the protective layer 16 protects the infrared absorption layer 15 chemically and physically.
  • the protective layer 16 is provided on the infrared absorption layer 15, it is possible to reduce the decomposition and alteration of the material constituting the infrared absorption layer 15 due to the influence of light, oxygen, and the like. . Thereby, in addition to the effect of the said embodiment, there exists an effect that it becomes possible to acquire the imaging performance excellent over the long term stably.
  • FIG. 6 illustrates a cross-sectional configuration of a solid-state imaging device (solid-state imaging device 30) according to Modification 2 of the present disclosure.
  • This solid-state imaging device 30 is different from the first embodiment and the first modification in that the light reflection preventing layer 17 is provided on the uppermost layer on the light incident surface side, for example, the protective layer 16.
  • the protective layer 16 can be omitted as appropriate. In that case, the antireflection layer 17 may be formed on the infrared absorption layer 15.
  • the high refractive index material for forming the light reflection prevention layer 17 TiO 2, Nb 2 O 5, TiO 2, Nb 2 O 5, CeO 2, Ta 2 O 5, ZnO, ZrO 2, In 2 O 3, SnO 2 and HfO 2 . These may be used alone or in combination of two or more.
  • the low refractive index material include MgF 2 , AlF 3 , MgF 2 , AlF 3, and SiO 2 . These may be used alone or in combination of two or more.
  • the incident light to the solid-state imaging device may be slightly reflected at the interface of each layer.
  • the light (reflected light) reflected at the interface reaches the photoelectric conversion unit 11B, light that is not the original imaging light enters the photoelectric conversion unit 11B, resulting in a decrease in imaging performance.
  • the light reflection preventing layer 17 is provided in the uppermost layer on the light incident surface side of the solid-state imaging device 30, so that it is possible to reduce re-reflection of reflected light. Therefore, in addition to the effects in the above-described embodiment and Modification 1, there is an effect that it is possible to suppress a decrease in imaging performance due to re-reflection of reflected light.
  • FIG. 7 illustrates a cross-sectional configuration of a solid-state imaging device (solid-state imaging device 40) according to Modification 3 of the present disclosure.
  • This solid-state imaging device 40 is different from the first embodiment in that the bandpass layer 18 is provided on the light incident surface side of the infrared absorption layer 15.
  • the protective layer 16 may also be provided in the solid-state imaging device 40 of the present modification. In that case, the protective layer 16 may be provided above the bandpass layer 18, or may be provided between the bandpass layer 18 and the infrared absorption layer 15.
  • the antireflection layer 17 may be provided on the uppermost layer of the solid-state imaging device 40 as in Modification 2 described above.
  • the bandpass layer 18 reflects (shields) part or all of purple light, light having a shorter wavelength, infrared light, or both, and is a first reflective layer made of a high refractive index material. And a second reflective layer made of a material having a lower refractive index than that of the first reflective layer.
  • the high-refractive-index material for forming the first reflective layer TiO 2, Nb 2 O 5 , TiO 2, Nb 2 O 5, CeO 2, Ta 2 O 5, ZnO, ZrO 2, In 2 O 3 , SnO 2, HfO 2 and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.
  • the low refractive index material forming the second reflective layer include MgF 2 , AlF 3 , MgF 2 , AlF 3, and SiO 2. These may be used alone or in combination of two or more. May be used.
  • the number of laminated layers of the first reflective layer and the second reflective layer is not particularly limited, and can be appropriately set according to required performance.
  • the bandpass layer 18 is provided on the infrared absorption layer 15 of the solid-state imaging device 40, the infrared light component is removed from the incident light in the bandpass layer 18 together with the infrared absorption layer 15. It becomes possible. Since the bandpass layer 18 uses light interference between multilayer films, the transmission wavelength may shift depending on the incident angle of incident light. Even in such a case, since the transmission wavelength band can be maintained by the infrared absorption layer 15 in which the transmission wavelength does not shift in principle, it is possible to maintain excellent imaging performance.
  • FIG. 8 illustrates a cross-sectional configuration of a solid-state imaging device (solid-state imaging device 50) according to Modification 4 of the present disclosure.
  • the solid-state imaging device 50 includes a support substrate 21 that supports the infrared absorption layer 15, and the infrared absorption layer 15 is laminated on the planarization layer 14 via the adhesive layer 22.
  • the protective layer 16 in the first modification, the light reflection preventing layer 17 in the second modification, and the bandpass layer 18 in the third modification may be provided.
  • the support substrate 21 is made of a material having strength and transparency capable of supporting the infrared absorption layer 15, such as glass, quartz, or a transparent resin sheet made of PET, PED, or the like.
  • the adhesive layer 22 is for bonding the planarizing layer 14 and the infrared absorption layer 15 and can be formed of a material having transparency. Examples of the material of the adhesive layer 22 include synthetic resins.
  • the infrared absorption layer 15 is formed on the support substrate 21 side, the infrared absorption layer 15 can be manufactured in a separate process from the other layers, and the manufacturing flexibility is improved. To do.
  • FIG. 9 illustrates a cross-sectional configuration of a reversible recording medium (reversible recording medium 4) according to the second embodiment of the present disclosure.
  • a recording layer 32 is provided on a support substrate 31 as a display medium capable of recording and erasing information reversibly by heat, for example.
  • a protective layer 33 is stacked on the recording layer 32.
  • FIG. 9 schematically shows the configuration of the reversible recording medium 4 and may differ from actual dimensions and shapes.
  • the supporting substrate 31 can be made of a known material as long as it is excellent in heat resistance and has high dimensional stability in the plane direction.
  • the supporting substrate 31 is composed of an inorganic material, a metal material, a plastic material, or the like.
  • the inorganic material include silicon (Si), silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), and aluminum oxide (AlO x ).
  • Silicon oxide includes glass or spin-on-glass (SOG).
  • metal material examples include aluminum (Al), nickel (Ni), and stainless steel
  • plastic material examples include polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethyl ether. Ketone (PEEK) etc. are mentioned.
  • the support substrate 31 may be light transmissive or non-light transmissive. This is because since the image is displayed on the protective layer 33 side, the support substrate 31 does not necessarily need to be light transmissive.
  • the support substrate 31 may be a rigid substrate such as a wafer, or may be formed of a flexible thin glass or film. By using a flexible material for the support substrate 31, a flexible (foldable) reversible recording medium can be realized. In addition, the support substrate 31 can improve the visibility at the time of recording information by using a material having a high reflectance with respect to visible light having a white color or a metallic color.
  • the recording layer 32 is capable of reversibly recording and erasing information, and is formed using, for example, a material capable of reversibly controlling a coloration (coloring) state or a color erasing state by heat. ing. Specifically, it is formed of, for example, a polymer material including a color developing compound, a photothermal conversion material, and a developer / color reducing agent.
  • the polymer material is preferably one in which the color developing compound, the photothermal conversion material, and the developer / color reducing agent are easily dispersed uniformly.
  • Specific polymer materials include, for example, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, ethyl cellulose, polystyrene, styrene copolymer, phenoxy resin, polyester, aromatic polyester, polyurethane, polycarbonate. , Polyacrylic acid ester, polymethacrylic acid ester, acrylic acid copolymer, maleic acid polymer, polyvinyl alcohol, modified polyvinyl alcohol, hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose and starch.
  • Examples of the color developing compound include leuco dyes.
  • leuco dyes include existing thermal paper dyes, and specific examples thereof include compounds represented by the following formula (10) and containing, for example, a group having an electron donating group in the molecule. It is done.
  • the developing / color-reducing agent is, for example, for developing a colorless coloring compound or decoloring a coloring compound exhibiting an arbitrary color.
  • Examples of the developing / color-reducing agent include phenol derivatives, salicylic acid derivatives and urea derivatives.
  • a compound containing a group having an electron accepting property in the molecule shown in the following general formula (11) can be given.
  • X is any of H, OH, COOH, and halogen.
  • Y is —NHCO—, —CONH—, —NHCONH—, —CONHCO—, —NHNHCO—, —CONHNH—, —CONHNHCO—, —NHCONCONH -, -NHCONHCO-, -CONHCONH-, -NHNHCONH-, -NHCONHNH-, -CONHNHCONH-, -NHCONHNHCO-, -CONHNHCONH- R39 and R40 each independently has 2 to 26 carbon atoms.
  • the photothermal conversion material absorbs light in a specific wavelength range (for example, laser light) and converts it into heat.
  • a specific wavelength range for example, laser light
  • the photothermal conversion material for example, it is preferable to use an infrared absorbing dye having almost no absorption in the visible region so as not to inhibit the color development of the color developing compound.
  • the photothermal conversion material itself has a fastness that does not decompose during the photothermal conversion.
  • the squarylium compounds represented by the general formula (1) or the general formula (2) mentioned in the first embodiment can be given.
  • the recording layer 32 may contain various additives such as a sensitizer and an ultraviolet absorber in addition to the color developing compound, the photothermal conversion material, and the developer / subtractor.
  • a sensitizer lowers the decoloring temperature to improve the erasing sensitivity, or lowers the coloring temperature to improve the recording sensitivity, and enables coloring and erasing with lower energy. .
  • the protective layer 33 protects the surface of the recording layer 32, and can be formed using, for example, a known ultraviolet curable resin or thermosetting resin.
  • the thickness of the protective layer 33 is preferably, for example, from 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m, and more preferably from 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m. This is because if the protective layer 33 is too thin, a sufficient protective effect cannot be obtained, and if it is too thick, heat transfer is difficult.
  • the squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) is used as the photothermal conversion material constituting the recording layer 32 of the reversible recording medium 4.
  • the squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has a low absorption characteristic in the visible region, that is, a high transparency in a wavelength region absorbed by the color-forming compound. Display performance of the recording medium 4 can be improved.
  • a squarylium compound having a group capable of forming an internal hydrogen bond has high heat resistance as well as transparency in the visible region as described above.
  • a squarylium compound having a group capable of forming an intramolecular hydrogen bond in at least one of R1 and R10 in the general formula (1), or R19, R27, R28, and R36 in the general formula (2) It is possible to improve the durability of the reversible recording medium 4 by using a squarylium compound having a group capable of forming an intramolecular hydrogen bond in at least one of the above.
  • the squarylium compounds represented by the general formula (1) and the general formula (2) are both promising as photothermal conversion materials, but the squarylium compound represented by the general formula (2) is more desirable.
  • the squarylium compound represented by the general formula (2) is likely to make the main absorption peak position longer in wavelength. Therefore, by using the squarylium compound represented by the general formula (2) as the photothermal conversion material constituting the recording layer 32 of the reversible recording medium 4 of the present embodiment, the wavelength of the laser used for recording or erasing can be freely selected. The degree can be improved.
  • the solid-state imaging devices 10 to 50 described in the first embodiment and the first to fourth modifications can be applied to a solid-state imaging device 1 described later, an electronic apparatus 2 (for example, a camera) including the imaging device, and the like.
  • the infrared absorption layer 15 used in the solid-state imaging devices 10 to 50 can be used as an optical filter, for example, as a heat ray shielding film, for example, in addition to the plasma display 3 described later.
  • FIG. 10 illustrates the overall configuration of an imaging apparatus (solid-state imaging apparatus 1) using the solid-state imaging elements 10 to 50 described in the above-described embodiments and the like for each unit pixel P.
  • This solid-state imaging device 1 is a CMOS image sensor, and has a pixel unit 1a as an imaging area on a semiconductor substrate (substrate 41), and a row scanning unit 131, for example, in the peripheral region of the pixel unit 1a.
  • the peripheral circuit unit 130 includes a selection unit 133, a horizontal selection unit 133, and a system control unit 132.
  • the pixel unit 1a has, for example, a plurality of unit pixels P (corresponding to the solid-state imaging device 1) arranged two-dimensionally in a matrix.
  • a pixel drive line Lread (specifically, a row selection line and a reset control line) is wired for each pixel row, and a vertical signal line Lsig is wired for each pixel column.
  • the pixel drive line Lread transmits a drive signal for reading a signal from the pixel.
  • One end of the pixel drive line Lread is connected to an output end corresponding to each row of the row scanning unit 131.
  • the row scanning unit 131 is configured by a shift register, an address decoder, or the like, and is a pixel driving unit that drives each unit pixel P of the pixel unit 1a, for example, in units of rows.
  • a signal output from each unit pixel P of the pixel row that is selectively scanned by the row scanning unit 131 is supplied to the horizontal selection unit 133 through each of the vertical signal lines Lsig.
  • the horizontal selection unit 133 is configured by an amplifier, a horizontal selection switch, and the like provided for each vertical signal line Lsig.
  • the horizontal selection unit 133 is configured by a shift register, an address decoder, and the like, and drives each horizontal selection switch of the horizontal selection unit 133 in order while scanning. By the selective scanning by the horizontal selection unit 133, the signal of each pixel transmitted through each of the vertical signal lines Lsig is sequentially output to the horizontal signal line 135 and transmitted to the outside of the substrate 41 through the horizontal signal line 135.
  • the circuit portion including the row scanning unit 131, the horizontal selection unit 133, the column scanning unit 134, and the horizontal signal line 135 may be formed directly on the substrate 41 or provided in the external control IC. There may be. In addition, these circuit portions may be formed on another substrate connected by a cable or the like.
  • the system control unit 132 receives a clock given from the outside of the substrate 41, data for instructing an operation mode, and the like, and outputs data such as internal information of the solid-state imaging device 1.
  • the system control unit 132 further includes a timing generator that generates various timing signals, and the row scanning unit 131, the horizontal selection unit 133, the horizontal selection unit 133, and the like based on the various timing signals generated by the timing generator. Peripheral circuit drive control.
  • FIG. 11 shows a schematic configuration of the electronic apparatus 2 (camera) as an example.
  • the electronic device 2 is, for example, a video camera that can shoot a still image or a moving image, and includes a solid-state imaging device 1, an optical system (optical lens) 210, a shutter device 211, the solid-state imaging device 1, and the shutter device 211.
  • a driving unit 213 for driving and a signal processing unit 212 are provided.
  • the optical system 210 guides image light (incident light) from the subject to the pixel unit 1 a of the solid-state imaging device 1.
  • the optical system 210 may be composed of a plurality of optical lenses.
  • the shutter device 211 controls the light irradiation period and the light shielding period to the solid-state imaging device 1.
  • the drive unit 213 controls the transfer operation of the solid-state imaging device 1 and the shutter operation of the shutter device 211.
  • the signal processing unit 212 performs various kinds of signal processing on the signal output from the solid-state imaging device 1.
  • the video signal Dout after the signal processing is stored in a storage medium such as a memory, or is output to a monitor or the like.
  • FIG. 12 shows a schematic configuration of the plasma display 3.
  • the plasma display 3 includes, for example, a display panel 55, an A / D converter 51 that performs A / D conversion on an input video signal SV to generate video data DV, and an image that stores the generated video data DV.
  • an A / D converter 51, an image memory 52, and a sustain driver are provided by a timing controller (not shown).
  • the operations of 53 and the data driver 54 are timing-controlled.
  • Example> Next, examples of the present disclosure will be described.
  • an infrared absorbing ink was prepared by dissolving and mixing the squarylium compound represented by the above formula (1-7) and a polycarbonate resin in cyclopentanone. After applying this ink on a glass substrate using a spin coater, an infrared absorption layer having a thickness of 5 ⁇ m was formed by heating and drying to obtain a sample (Experimental Example 1).
  • the light absorption spectrum of the infrared absorption layer was measured using an ultraviolet-visible near-infrared spectrophotometer, and transparency in the visible region (the maximum absorbance in the visible region relative to the maximum absorbance in the infrared region; absorption) Strength ratio).
  • FIG. 13 shows the light absorption characteristics at each wavelength in Experimental Examples 1 to 6, and Table 1 summarizes the constituent materials and absorption intensity ratios of the infrared absorption layers in Experimental Examples 1 to 6.
  • the photoelectric conversion element (Experimental Examples 1 to 3) formed using the squarylium compound in which the infrared absorption layer is substituted with an anthracene derivative at positions 1 and 3 of the square acid site is compared with Experimental Examples 4 to 6.
  • the absorption intensity ratio is greatly reduced. That is, by using a squarylium compound in which the 1,3-position of the square acid site is substituted with an anthracene derivative, an absorption layer in the visible region can be reduced, and an infrared absorbing layer with improved transparency in the visible region can be obtained. all right.
  • each photoelectric conversion part 11B detected the red light (R), green light (G), and blue light (B) separately as the solid-state image sensor 10, for example, the example was shown, However, the present invention is not limited to this, and a vertical spectral type solid-state imaging device that separately extracts B / G / R signals from one pixel may be used.
  • the solid-state imaging devices 10 to 50, the reversible recording medium 4 and the like of the present disclosure need not include all the components described in the above embodiments, and conversely, may include other layers. Good.
  • a plurality of recording layers 32 may be laminated, and another layer such as a heat insulating layer may be provided between the plurality of recording layers 32.
  • An optical filter comprising at least one squarylium compound represented by the following general formula (1) or general formula (2).
  • (X1 and X2 are each independently an oxygen atom or a dicyanomethylene (—C (CN) 2 ) group
  • R3 and R12 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a group thereof.
  • R4, R5, R13, and R14 are each independently a hydrogen atom, a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a derivative thereof
  • R1, R2, R6 to R11, R15 to R18 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, a partial fluoroalkyl group, Fluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfanyl group, alkylsulfanyl group, Sulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acy
  • R20 to R22, R24 to R26 and R29 to R31, R33 to R35 are each independently a hydrogen atom or carbon
  • R23 and R32 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a derivative thereof R19, R27.
  • R28 and R36 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, partial fluoro Alkyl group, perfluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfur group Anyl group, alkylsulfanyl group, arylsulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acylamino group, acyloxy group, carbonyl group, carboxy A group, a carboxamide group, a carboalkoxy group, an acyl group, a sulfonyl
  • the group that forms the hydrogen bond is a hydroxy (—OH) group, an amino (—NH 2 ) group, or an amide (—C ( ⁇ O) —NR37R38; R37 and R38 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group).
  • the squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) has a maximum absorption in the range of 650 nm to 1500 nm, and the visible region (maximum absorbance in the infrared region (600 nm to 1500 nm)) ( The optical filter according to any one of [1] to [7], wherein a maximum absorbance of 400 nm or more and less than 600 nm is less than 0.05. [9] The optical filter according to any one of [1] to [8], comprising a squarylium compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) and a binder resin.
  • a photoelectric conversion unit An on-chip lens provided on the photoelectric conversion unit;
  • a solid-state imaging device comprising: an optical filter provided on the on-chip lens and including at least one squarylium compound represented by the following general formula (1) or general formula (2).
  • (X1 and X2 are each independently an oxygen atom or a dicyanomethylene (—C (CN) 2 ) group, and R3 and R12 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a group thereof.
  • R4, R5, R13, and R14 are each independently a hydrogen atom, a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a derivative thereof
  • R1, R2, R6 to R11, R15 to R18 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, a partial fluoroalkyl group, Fluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfanyl group, alkylsulfanyl group, Sulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acy
  • R20 to R22, R24 to R26 and R29 to R31, R33 to R35 are each independently a hydrogen atom or carbon
  • R23 and R32 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a derivative thereof R19, R27.
  • R28 and R36 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, partial fluoro Alkyl group, perfluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfur group Anyl group, alkylsulfanyl group, arylsulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acylamino group, acyloxy group, carbonyl group, carboxy A group, a carboxamide group, a carboalkoxy group, an acyl group, a sulfonyl
  • the optical filter is configured by laminating a first absorption layer containing the squarylium compound and a second absorption layer containing a dye having an absorption maximum wavelength different from that of the squarylium compound.
  • the solid-state imaging device described.
  • Each pixel includes one or more solid-state image sensors,
  • the solid-state imaging device is A photoelectric conversion unit; An on-chip lens provided on the photoelectric conversion unit; An electronic device comprising: an optical filter provided on the on-chip lens and including at least one squarylium compound represented by the following general formula (1) or general formula (2).
  • X1 and X2 are each independently an oxygen atom or a dicyanomethylene (—C (CN) 2 ) group
  • R3 and R12 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a group thereof.
  • R4, R5, R13, and R14 are each independently a hydrogen atom, a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a derivative thereof
  • R1, R2, R6 to R11, R15 to R18 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, a partial fluoroalkyl group, Fluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfanyl group, alkylsulfanyl group, Sulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acy
  • R20 to R22, R24 to R26 and R29 to R31, R33 to R35 are each independently a hydrogen atom or carbon
  • R23 and R32 are each independently a linear or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a derivative thereof R19, R27.
  • R28 and R36 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a phenyl group, a group having a linear or condensed aromatic compound, a group having a halide, partial fluoro Alkyl group, perfluoroalkyl group, silylalkyl group, silylalkoxy group, arylsilyl group, arylsulfur group Anyl group, alkylsulfanyl group, arylsulfonyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfide group, alkylsulfide group, amino group, alkylamino group, arylamino group, hydroxy group, alkoxy group, acylamino group, acyloxy group, carbonyl group, carboxy A group, a carboxamide group, a carboalkoxy group, an acyl group, a sulfonyl

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Abstract

本開示の一実施形態の光学フィルタは、一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む。

Description

光学フィルタおよび固体撮像素子ならびに電子機器
　本開示は、例えば、赤外光カットフィルタとして用いることが可能な光学フィルタおよびこれを備えた固体撮像素子ならびに電子機器に関する。
　一般に、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等の撮像装置には、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）構造の固体撮像素子（イメージセンサ）が搭載されている。ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサは、近紫外波長帯域から近赤外波長帯域に対して感度を有している。撮像装置においては、人の視感度（可視領域；波長４００～７００ｎｍ程度）以外の波長帯域の光信号はノイズ成分となり、画像品質を低下させる原因となる。このため、一般の撮像装置では、固体撮像素子の手前（光入射方向）に赤外光カットフィルタを配置し、これによって近赤外波長帯域の光を除去している。
　赤外光カットフィルタとしては、例えば特許文献１では、赤外領域の光を吸収する材料を用いた吸収型赤外光カットフィルタが開示されている。吸収型赤外光カットフィルタの材料としては、赤外領域の光を吸収するシアニン系化合物、フタロシアニン系化合物およびスクアリリウム系化合物が用いられている。特にスクアリリウム系化合物は、例えば特許文献２に記載されているように、７５０ｎｍ付近に急峻な吸収ピークを有するため注目されている。
国際公開番号ＷＯ２００４／０３０６２８号 特開２００６－０１１２２５号公報
　しかしながら、スクアリリウム色素は、可視領域に僅かに吸収特性を有する。このため、可視領域の透明性を改善することが求められている。
　可視領域の透明性を向上させることが可能な光学フィルタおよび固体撮像素子ならびに電子機器を提供することが望ましい。
　本開示の一実施形態の光学フィルタは、下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含むものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
　本開示の一実施形態の固体撮像素子は、光電変換部と、光電変換部上に設けられたオンチップレンズと、上記本開示の一実施形態の光学フィルタを有するものである。
　本開示の一実施形態の電子機器は、上記本開示の一実施形態の固体撮像素子を備えたものである。
　本開示の一実施形態の光学フィルタおよび一実施形態の固体撮像素子ならびに一実施形態の電子機器では、上記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含むようにした。これにより、可視領域における吸収特性が低減される。
　本開示の一実施形態の光学フィルタおよび一実施形態の固体撮像素子ならびに一実施形態の電子機器によれば、上記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含むようにしたので、可視領域における吸収特性が低減され、可視領域の透明性を向上させることが可能となる。よって、高い光学特性を有する固体撮像素子および電子機器を提供することが可能となる。
　なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
本開示の第１の実施の形態に係る固体撮像素子の断面構成の一例を表す模式図である。 本開示の第１の実施の形態に係る固体撮像素子の断面構成の他の例を表す模式図である。 一般的なスクアリリウム系化合物の吸光特性図である。 本開示のスクアリリウム系化合物の吸光特性図である。 本開示の変形例１に係る固体撮像素子の断面構成を表す模式図である。 本開示の変形例２に係る固体撮像素子の断面構成を表す模式図である。 本開示の変形例３に係る固体撮像素子の断面構成を表す模式図である。 本開示の変形例４に係る固体撮像素子の断面構成を表す模式図である。 本開示の第２の実施の形態に係る可逆性記録媒体の断面構成を表す模式図である。 適用例１に係る撮像装置の全体構成を表す平面図である。 適用例２（電子機器）に係る全体構成を表すブロック図である。 適用例３（プラズマ表示装置）に係る全体構成を表すブロック図である。 実験例１～６における各波長における吸光特性図である。
　以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．第１の実施の形態（オンチップレンズ上に赤外吸収層を設けた例）
　１－１．固体撮像素子の構成
　１－２．固体撮像素子の動作
　１－３．作用・効果
２．変形例
　２－１．変形例１
　２－２．変形例２
　２－３．変形例３
　２－４．変形例４
３．第２の実施の形態（スクアリリウム化合物を光熱変換材料として用いた例）
　３－１．可逆性記録媒体の構成
　３－２．作用・効果
４．適用例
５．実施例
＜１．第１の実施の形態＞
　図１は、本開示の第１の実施の形態の固体撮像素子（固体撮像素子１０）の断面構成を表したものである。この固体撮像素子１０は、例えば、ＣＣＤイメージセンサまたはＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像装置（例えば、固体撮像装置１）において１つの画素（例えば、単位画素Ｐ）を構成するものである（いずれも、図１０参照）。固体撮像素子１０は、光電変換部１１Ｂが形成された光電変換層１１上にカラーフィルタ層１２、オンチップレンズ１３、平坦化層１４および赤外吸収層１５がこの順に積層された構成を有する。本実施の形態では、赤外吸収層１５は、スクアリリウム化合物を用いて形成されており、このスクアリリウム化合物は、四角酸部位の１，３位がアントラセン誘導体に置換されたものである。
（１－１．固体撮像素子の構成）
　光電変換層１１は、入射した光を電気信号として検出するものであり、例えばシリコン（Ｓｉ）等の基板１１Ａに複数の光電変換部１１Ｂが形成されている。光電変換層１１の構造は、特に限定されるものではなく、ＣＣＤやＣＭＯＳ構造等を採用することができる。光電変換部１１Ｂは、例えば基板１１Ａに１次元的（線状）に配置されていてもよいし、２次元的（行列）に配置されていてもよい。
　カラーフィルタ層１２は、例えば赤色波長域の光を透過させる赤色フィルタ１２Ｒ、緑色波長域の光を透過させる緑色フィルタ１２Ｇおよび青色波長域の光を透過させる青色フィルタ１２Ｂから構成されている。これらの色フィルタ（赤色フィルタ１２Ｒ，緑色フィルタ１２Ｂ，青色フィルタ１２Ｂ）は、規則的（例えばベイヤー配列）に配置されている。このようなカラーフィルタ層１２を設けることにより、固体撮像装置１では、その色配列に対応した色の受光データが得られる。なお、カラーフィルタ層１２を構成する各色フィルタ１２Ｒ，１２Ｂ，１２Ｂの透過波長は、上記赤色、緑色および青色の３色に限定されるものではなく、固体撮像素子の仕様等に応じて適宜選択することができる。また、赤色フィルタ１２Ｒ，緑色フィルタ１２Ｂおよび青色フィルタ１２Ｂを形成する材料も、特に限定されるものではなく、それぞれ、公知の材料を用いることができる。
　赤色フィルタ１２Ｒ、緑色フィルタ１２Ｇおよび青色フィルタ１２Ｂは、それぞれ対応する光電変換部１１Ｂ上に配置されている。これにより、各光電変換部１１Ｂには、それぞれ各色フィルタ１２Ｒ、１２Ｂ、１２Ｂを透過した特定の波長域の光が入射する。各光電変換部１１Ｂの出力は、各色フィルタ１２Ｒ、１２Ｂ、１２Ｂを透過した光の強度となる。
　また、カラーフィルタ層１２は、赤外波長域（例えば、６００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下）に極大吸収波長を有していてもよい。このように、後述する赤外吸収層１５に加えて、カラーフィルタ層１２に赤外線吸収能を付与することにより、赤外光除去性能を更に向上させることができる。カラーフィルタ層１２に赤外光吸収能を付与するには、例えば各色フィルタ１２Ｒ、１２Ｂ、１２Ｂに、赤外光を吸収する材料（赤外光吸収材料）を含有させればよい。
　赤外光吸収材料としては、例えば後述する赤外吸収層１５を構成する四角酸部位の１，３位がアントラセン誘導体に置換されたスクアリリウム化合物の他、ＫＣｕＰＯ4、酸化鉄および酸化タングステン等の周期表の第４周期の遷移金属を含有する化合物、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性酸化物、ジイモニウム化合物、アントラキノン化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、アゾ錯体、Ｎｉ錯体、Ｃｏ錯体、Ｃｕ錯体、Ｆｅ錯体、ピロロピロール化合物、チオ尿素化合物およびアセチレンポリマーが挙げられる。これらの赤外光吸収材料の中でも、特に、耐熱性の観点から、スクアリリウム化合物、遷移金属を含有する化合物、導電性酸化物、フタロシアニン化合物、アゾ錯体、Ｎｉ錯体、Ｃｏ錯体、Ｃｕ錯体、Ｆｅ錯体、ピロロピロール化合物を用いることが好ましい。
　なお、カラーフィルタ層１２は、必要に応じて設けられるものであり、例えば各光電変換部１１Ｂの出力からモノクロ画像を得る場合は、カラーフィルタ層１２は不要である。カラーフィルタ層１２を設けない場合には、オンチップレンズ１３は、光電変換層１１上に直接積層してもよいが、何らかの層を介して積層してもよい。
　オンチップレンズ１３は、光透過性を有し、光電変換部１１Ｂに向かって入射光を集光させるものである。オンチップレンズ１３は、例えば屈折率が１．５よりも高い高屈折率材料を用いて形成されている。このような材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機材料が挙げられるが、エピスルフィド系樹脂、チエタン化合物やその樹脂等の高屈折率の有機材料を用いてもよい。また、この他、金属チエタン化合物やそれを含む重合性組成物を用いることにより、オンチップレンズ１３の屈折率をさらに高めることができる。更に、これらの樹脂に、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｎＯ及びＳｉ3Ｎ4等の屈折率が２～２．５程度の酸化物や窒化物を添加することにより、より高屈折率なオンチップレンズ１３を形成することができる。
　オンチップレンズ１３の形状は、特に限定されるものではなく、半球形状や半円筒状等の各種レンズ形状を用いることができる。オンチップレンズ１３は、図１に示したように、光電変換部１１Ｂごとに設けられており、共に同一の形状を有する。ここで、同一とは同一材料を用い、同一工程を経て製造されたものを言うが、製造時の各種条件によるばらつきを排除するものではない。また、オンチップレンズ１３は、複数の光電変換部１１Ｂに１つのオンチップレンズを設けるようにしてもよい。
　オンチップレンズ１３は、例えばレンズ材膜上にレンズ形状のレジスト膜を形成したのち、エッチバック処理を施すことにより形成することができる。この他、オンチップレンズ１３は、例えば感光性樹脂膜をフォトリソグラフィ技術でパターン加工したのち、リフロー処理によってレンズ形状に変形させることで形成してもよい。
　平坦化層１４は、オンチップレンズ１３によって形成された凹凸を埋設して表面を平坦化するものである。平坦化層１４を形成する材料としては、光透過性を有すると共に、オンチップレンズ１３よりも屈折率が小さい低屈折率材料を用いことが好ましい。これにより、平坦化層１４からオンチップレンズ１３に入射した光は、平坦化層１４とオンチップレンズ１３との界面において屈折し、各オンチップレンズ１３に対応する光電変換部１１Ｂに集光される。
　平坦化層１４の屈折率は、オンチップレンズ１３よりも小さければよいが、オンチップレンズ１３によるレンズ効果の観点から、平坦化層１４とオンチップレンズ１３の屈折率の差は大きいほど好ましい。平坦化層１４を形成する低屈折率材料としては、例えは多孔質シリカ（屈折率ｎ≦１．２）、ＭｇＦ等のフッ素化合物（屈折率ｎ≦１．２）およびシリコーン系樹脂（屈折率ｎ＝１．３～１．４）が挙げられる。平坦化層１４の積層方向の膜厚（以下、単に厚みという）は、例えば１０ｎｍ～２μｍ程度であるが、この範囲に限定されるものではなく、より薄いほうが好ましい。
　赤外吸収層１５は、光電変換部１１Ｂへの入射光に含まれる赤外光成分を除去するものであり、例えば平坦化層１４上に設けられている。赤外吸収層１５は、赤外光吸収材料を含み、例えば下記一般式（１）および一般式（２）で表わしたスクアリリウム分子を構成する四角酸母核の１，３位がアントラセン誘導体で置換されたスクアリリウム化合物を少なくとも１種含んで形成されている。一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を用いることにより、赤外光を選択的に吸収する赤外吸収層１５が形成される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
　また、一般式（１）におけるＲ１，Ｒ１０は、各々独立して少なくとも１つが分子内で水素結合を形成可能な基であることが好ましい。一般式（２）におけるＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６も各々独立して少なくとも１つが分子内で水素結合を形成可能な基であることが好ましい。このような基としては、例えばヒドロキシ（－ＯＨ）基，アミノ（－ＮＨ2）基またはアミド（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ３７Ｒ３８；Ｒ３７およびＲ３８は各々独立して水素原子またはアルキル基）が挙げられる。このように、一般式（１）に示したスクアリリウム化合物のＲ１，Ｒ１０の少なくとも一方、一般式（２）に示したスクアリリウム化合物のＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６のうちの少なくとも１つが、分子内水素結合を形成することが可能な基で置換されたスクアリリウム化合物を用いることによって、赤外吸収層１５の耐熱性が向上する。
　更に、一般式（１）におけるＲ３，Ｒ１２および一般式（２）におけるＲ２３およびＲ３２は、各々独立してさらに水素（Ｈ）よりも高い電子供与性を有する基であることが好ましい。水素（Ｈ）よりも高い電子供与性を有する基としては、例えば直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基あるいはそれらの誘導体が挙げられる。なお、アルキル鎖の炭素数は１以上１０以下が望ましい。これにより、上記構成を有するスクアリリウム化合物の合成難易度が低減する。
　このようなスクアリリウム化合物、例えば一般式（１）に示したスクアリリウム化合物としては、例えば以下の式（１－１）～（１－４７）に示したような四角酸の２，４位（Ｘ１，Ｘ２）に酸素原子を有し、１，３位に同じ分子構造を有するアントラセン誘導体が結合した対称構造を有するスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　また、必ずしも対称構造を有するスクアリリウム化合物である必要はなく、例えば式（１－１）～（１－４７）に示したスクアリリウム化合物のアントラセン骨格部を適宜組み合わせた、非対称構造のスクアリリウム化合物を用いてもよい。一例としては、下記式（１－４８）～（１－５４）に示したスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　更に、下記式（２－１）～（２－４７）に示したような四角酸の２，４位（Ｘ１，Ｘ２）の一方がジシアノメチレン基に置換され、１，３位に同じ分子構造を有するアントラセン誘導体が結合した対称構造を有するスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　また、これら四角酸の２，４位（Ｘ１，Ｘ２）の一方がジシアノメチレン基に置換されたスクアリリウム化合物についても、対称構造だけでなく非対称構造であってもよい。一例としては、下記式（２－４８）～（２－５４）に示したスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　更にまた、例えば一般式（２）に示したスクアリリウム化合物としては、例えば以下の式（３－１）～（３－５４）に示したような四角酸の２，４位（Ｘ３，Ｘ４）に酸素原子を有し、１，３位に同じ分子構造を有するアントラセン誘導体が結合した対称構造を有するスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　また、必ずしも対称構造を有するスクアリリウム化合物である必要はなく、例えば式（３－１）～（３－５４）に示したスクアリリウム化合物のアントラセン骨格部を適宜組み合わせた、非対称構造のスクアリリウム化合物を用いてもよい。一例としては、下記式（３－５５）～（１－１３２）に示したスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　更に、下記式（４－１）～（４－５４）に示したような四角酸の２，４位（Ｘ３，Ｘ４）の一方がジシアノメチレン基に置換され、１，３位に同じ分子構造を有するアントラセン誘導体が結合した対称構造を有するスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　また、これら四角酸の２，４位（Ｘ３，Ｘ４）の一方がジシアノメチレン基に置換されたスクアリリウム化合物についても、対称構造だけでなく非対称構造であってもよい。一例としては、下記式（４－５５）～（４－１３２）に示したスクアリリウム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　赤外吸収層１５は、上記スクアリリウム化合物と、バインダー樹脂とを含有する樹脂組成物によって形成することができる。赤外吸収層１５に用いるバインダー樹脂は、特に限定されるものではなく、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂等の各種樹脂を用いることができる。但し、耐熱性および撮像性能の観点から、バインダー樹脂は、例えばガラス転移点Ｔｇが１５０℃以上のものが好ましく、より好ましくは、さらに融点も１５０℃以上のもの、さらに好ましくは、加熱黄変温度が１５０℃以上のものである。このようなバインダー樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン（シロキサン）系樹脂、ポリカーボネート系樹脂およびポリエチレン系樹脂が挙げられる。これらの樹脂の中でも、特に、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下に吸収極大波長を有さない熱硬化型または光硬化型の樹脂を使用することが好ましい。
　また、バインダー樹脂としてカルボキシル基等のように酸化力の強い官能基を含む樹脂を用いる場合には、スクアリリウム化合物が酸化されて耐熱性が低下する虞がある。このため、バインダー樹脂は、シロキサン結合（－Ｓｉ－Ｏ－）や炭素－酸素結合（－Ｃ－Ｏ－）等の安定性が高く、酸化力が比較的弱い結合で構成されている樹脂を用いることが好ましく、特に、シロキサン結合を主骨格とする樹脂が好適である。
　なお、樹脂組成物におけるスクアリリウム化合物の分散状態は、特に限定されるものではなく、分子分散状態でもよいが、可視領域の透明性の向上の観点から、バインダー樹脂にスクアリリウム化合物が相溶した状態とすることが好ましい。
　また、赤外吸収層１５には、上記スクアリリウム化合物およびバインダー樹脂の他に、バインダー樹脂を硬化させるための硬化剤や硬化補助剤が添加されていてもよい。これら硬化剤や硬化補助剤は、バインダー樹脂に含まれるモノマーによって適宜選択することができるが、例えば４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の可視光領域に吸収極大波長を有さないものを用いることが好ましい。
　更に、赤外吸収層１５には、上記スクアリリウム化合物とは吸収極大波長が異なる１または２種以上の化合物を含有していてもよい。また、赤外吸収層１５は、例えば、図２に示したように、上記スクアリリウム化合物を含む第１吸収層１５Ａと、スクアリリウム化合物とは吸収極大波長が異なる１または２種以上の化合物を含む第２吸収層１５Ｂとの積層構造としてもよい。このように、吸収極大波長が異なる複数の化合物を併用することにより、スクアリリウム化合物では吸収率が低い波長の赤外光も吸収することが可能となり、撮像性能をさらに向上させることが可能となる。なお、第１吸収層１５Ａと第２吸収層１５Ｂとの積層順は特に問わない。
　更に、赤外吸収層１５には、上記各成分の他に、耐熱性を向上させるための酸化物微粒子、レべリング剤、界面活性剤等の分散剤、酸化防止剤およびスクアリリウム化合物等の色素の安定化剤等の各種添加剤が配合されていてもよい。更にまた、赤外吸収層１５は、上記カラーフィルタ層１２を構成する材料の一例として挙げた、ＫＣｕＰＯ4、酸化鉄および酸化タングステン等の周期表の第４周期の遷移金属を含有する化合物、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性酸化物、ジイモニウム化合物、アントラキノン化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、アゾ錯体、Ｎｉ錯体、Ｃｏ錯体、Ｃｕ錯体、Ｆｅ錯体、ピロロピロール化合物、チオ尿素化合物およびアセチレンポリマーを含んでいてもよい。
　赤外吸収層１５の厚みは、固体撮像素子１０の薄型化の観点から、例えば０．５μｍ以上２００μｍ以下とすることが好ましい。本実施の形態の固体撮像素子１０では、オンチップレンズ１３上に平坦化層１４が設けられているため、オンチップレンズ１３の形状に関わらず、赤外吸収層１５を一定の厚みで形成することができる。また、本実施の形態では、赤外吸収層１５の厚みがオンチップレンズ１３と光電変換部１１Ｂの距離に影響しないため、赤外吸収層１５の厚みは、赤外光成分を十分除去できる厚さに設定することが可能となる。
　赤外吸収層１５は、上記スクアリリウム化合物およびバインダー樹脂等を含有する樹脂組成物を、例えばクロロホルムに溶解してインクを調製したのち、このインクを例えばスピンコート法、第コート法、スリットコート法およびディスペンス法等の塗布法を用いて、例えばガラス基板、石英基板あるいは樹脂基板等の基材上に塗布することにより形成することができる。また、平坦化層１４上に直接塗布して形成するようにしてもよい。なお、上記樹脂組成物の溶媒は、クロロホルムに限らず、塗布方法およびスクアリリウムとバインダー樹脂の相溶性に合わせて適宜選択すればよい。クロロホルムの他には、例えばメタノール、エタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、アニソール、ヘキサン、シクロヘキサン、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
（１－２．固体撮像素子の動作）
　上記のような固体撮像素子１０では、例えば固体撮像装置１の単位画素Ｐにおいて、次のようにして信号電荷が取得される。即ち、図１に示したように、固体撮像素子１０に入射した光（入射光Ｌ）は、赤外吸収層１５により赤外光成分が除去される。赤外光成分が除去された入射光Ｌは、平坦化層１４とオンチップレンズ１３との界面で屈折し、カラーフィルタ層１２の色フィルタ１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂによって、所定の波長域以外の成分が除去されたのち、各光電変換部１１Ｂに集光される。集光された光は、各光電変換部１１Ｂにおいて光電変換され、信号電荷として取得される。
（１－３．作用・効果）
　前述したように、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等の撮像装置に搭載されている固体撮像素子（イメージセンサ）には、画像品質を向上させるために、ノイズ成分となる可視領域以外の光をカットする光学フィルタが配置されている。この光学フィルタのうち、赤外波長域の光を除去する赤外光カットフィルタには、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物およびスクアリリウム系化合物等の赤外吸収色素が用いられている。特にスクアリリウム系化合物は、６５０ｎｍ付近に急峻な吸収ピークを有するため注目されている。
　しかしながら、一般に用いられているスクアリリウム系化合物（例えば、式（５））を含む赤外吸収色素は、図３に示したように、可視領域に僅かながら吸収特性を有する。例えば、可視領域の透明性を、（可視領域（４００ｎｍ以上６００ｎｍ未満）の最大吸光度）／（赤外領域（６００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下）の最大吸光度）と定義した場合、一般に用いられている赤外光カットフィルタにおける赤外領域の最大吸光度に対する可視領域の最大吸光度は、例えば０．０５以上であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　これに対して、本実施の形態の光学フィルタ（赤外吸収層１５）では、赤外吸収色素として上記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を用いて形成することにより、図４に示したように、可視領域における吸収特性が低減される。具体的には、赤外領域の最大吸光度に対する可視領域の最大吸光度は、０．０５未満になる。
　以上、本実施の形態の固体撮像素子１０では、赤外吸収層１５を形成する赤外吸収色素として上記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を用いるようにした。これにより、一般に用いられているスクアリリウム化合物の可視領域における吸光特性が低減され、赤外吸収層１５の可視領域における透明性を向上させることが可能となる。よって、高い光学特性を有する固体撮像素子１０を提供することが可能となる。
　また、赤外吸収色素として、一般式（１）におけるＲ１，Ｒ１０の少なくとも一方に分子内水素結合を形成可能な基を有するスクアリリウム化合物、または、一般式（２）におけるＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６の少なくとも１つに分子内水素結合を形成可能な基を有するスクアリリウム化合物を用いて赤外吸収層１５を設けることにより、可視領域の透明性と共に、赤外吸収層１５の耐熱性を向上させることが可能となる。
　更に、一般式（１）におけるＲ3，Ｒ12および一般式（２）におけるＲ２３およびＲ３２に上述した水素（Ｈ）よりも高い電子供与性を有する基を備えたスクアリリウム化合物を用いることにより、スクアリリウム化合物の合成難易度を低下させることが可能となる。
＜２．変形例＞
　以下に、上記第１の実施の形態の変形例（変形例１～４）および第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
（２－１．変形例１）
　図５は、本開示の変形例１に係る固体撮像素子（固体撮像素子２０）の断面構成を表したものである。この固体撮像素子２０は、赤外吸収層１５上に保護層１６が設けられている点が、上記第１の実施の形態とは異なる。なお、ここでは、保護層１６が赤外吸収層１５上に設けられている例を示しているが、保護層１６は、赤外吸収層１５の上面および側面に、例えば連続して形成されていてもよく、また、側面のみに形成されていてもよい。
　保護層１６は、赤外吸収層１５を化学的および物理的に保護するものである。保護層１６を形成する材料としては、酸化銀（Ｉ）（Ａｇ2Ｏ）、一酸化銀（ＡｇＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ3）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、酸化セリウム（ＩＶ）（ＣｅＯ2）、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）、硫化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｓ3）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ3）、酸化ハフニウム（ＩＶ）（ＨｆＯ2）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ化ランタン（ＬａＦ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ヘキサフルオロアルミン酸ナトリウム（Ｎａ3ＡｌＦ6）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、ニッケルクロム合金（Ｎｉ－Ｃｒ）、ニッケルクロム合金の窒化物（ＮｉＣｒＮｘ）、窒酸化物（ＯｘＮｙ）、窒化シリコン（ＳｉＮ4）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、三酸化チタン（Ｔｉ2Ｏ3）、五酸化チタン（Ｔｉ3Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、フッ化イットリウム（ＹＦ3）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）および酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　本変形例では、赤外吸収層１５上に保護層１６を設けるようにしたので、光や酸素等の影響による赤外吸収層１５を構成する材料の分解や変質の発生を低減することができる。これにより、上記実施の形態の効果に加えて、長期に亘って優れた撮像性能を安定して得ることが可能となるという効果を奏する。
（２－２．変形例２）
　図６は、本開示の変形例２に係る固体撮像素子（固体撮像素子３０）の断面構成を表したものである。この固体撮像素子３０は、光入射面側の最上層、例えば保護層１６上に光反射防止層１７が設けられている点が、上記第１の実施の形態および変形例１とは異なる。なお、保護層１６は適宜省略することができる。その場合には、光反射防止層１７は赤外吸収層１５上に形成すればよい。
　光反射防止層１７を形成する高屈折率材料としては、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＨｆＯ2等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、低屈折率材料としては、ＭｇＦ2、ＡｌＦ3、ＭｇＦ2、ＡｌＦ3およびＳｉＯ2等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
　一般に、固体撮像素子への入射光は、各層の界面においてわずかに反射される場合がある。界面において反射された光（反射光）が光電変換部１１Ｂに到達すると、本来の結像光でない光が光電変換部１１Ｂに入射することになり、撮像性の低下を招く。
　本変形例では、固体撮像素子３０の光入射面側の最上層に光反射防止層１７を設けるようにしたので反射光の再反射を低減することが可能となる。よって、上記実施の形態および変形例１における効果に加えて、反射光の再反射による撮像性能の低下を抑制することが可能となるという効果を奏する。
（２－３．変形例３）
　図７は、本開示の変形例３に係る固体撮像素子（固体撮像素子４０）の断面構成を表したものである。この固体撮像素子４０は、赤外吸収層１５よりも光入射面側にバンドパス層１８が設けられている点が、上記第１の実施の形態とは異なる。なお、本変形例の固体撮像素子４０においても、上記保護層１６が設けられていてもよい。その場合には、保護層１６は、バンドパス層１８よりも上層に設けられていてもよく、また、バンドパス層１８と赤外吸収層１５との間に設けられていてもよい。更に、本変形例の固体撮像素子４０では、上記変形例２のように、固体撮像素子４０の最上層に光反射防止層１７を設けるようにしてもよい。
　バンドパス層１８は、紫色の光の一部もしくは全部と、それより短い波長の光と、赤外光またはその両方を反射（遮蔽）するものであり、高屈折率材料からなる第１反射層と、この第１反射層よりも低屈折率材料からなる第２反射層とが交互に積層された構成となっている。
　ここで、第１反射層を形成する高屈折率材料としては、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＨｆＯ2等が挙げられ、これらは単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、第２反射層を形成する低屈折率材料としては、ＭｇＦ2、ＡｌＦ3、ＭｇＦ2、ＡｌＦ3およびＳｉＯ2等が挙げられ、これらは単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、第１反射層と第２反射層の積層数は、特に限定されるものではなく、要求される性能に応じて適宜設定することができる。
　本変形例では、固体撮像素子４０の赤外吸収層１５上にバンドパス層１８を設けるようにしたので、赤外吸収層１５と共にバンドパス層１８においても入射光から赤外光成分を除去することが可能となる。バンドパス層１８は、多層膜間の光の干渉を利用しているため、入射光の入射角度によっては透過波長がシフトする場合がある。このような場合であっても、透過波長のシフトが原理的に生じない赤外吸収層１５によって透過波長帯域を維持することができるため、優れた撮像性能を維持することが可能となる。
（２－４．変形例４）
　図８は、本開示の変形例４に係る固体撮像素子（固体撮像素子５０）の断面構成を表したものである。この固体撮像素子５０は、赤外吸収層１５を支持する支持基板２１を備えたものであり、赤外吸収層１５が接着層２２を介して平坦化層１４に積層されている点が、上記第１の実施の形態とは異なる。なお、本変形例においても、上記変形例１における保護層１６、変形例２における光反射防止層１７および変形例３におけるバンドパス層１８を設けるようにしてもよい。
　支持基板２１は、赤外吸収層１５を支持可能な強度と透明性を有する材料、例えばガラス、石英、あるいはＰＥＴやＰＥＤ等からなる透明樹脂シート等によって構成されたものである。
　接着層２２は、平坦化層１４と赤外吸収層１５とのを貼合するものであり、透明性を有する材料によって形成することができる。接着層２２の材料としては、例えば合成樹脂等が挙げられる。
　本変形例では、赤外吸収層１５が支持基板２１側に形成されているため、赤外吸収層１５を、その他の層とは別工程で製造することが可能となり、製造の自由度が向上する。
＜３．第２の実施の形態＞
　図９は、本開示の第２の実施の形態に係る可逆性記録媒体（可逆性記録媒体４）の断面構成を表したものである。可逆性記録媒体４は、支持基板３１上に、例えば、熱により可逆的に情報の記録や消去が可能な表示媒体として記録層３２が設けられたものである。記録層３２上には、保護層３３が積層されている。なお、図９は、可逆性記録媒体４の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる場合がある。
（３－１．可逆性記録媒体の構成）
　支持基板３１は、耐熱性に優れ、平面方向の寸法安定性の高い材料であれば、公知の材料を適宜使用することができ、例えば、無機材料，金属材料またはプラスチック材料等により構成されている。無機材料としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、酸化ケイ素（ＳｉＯX）、窒化ケイ素（ＳｉＮX）または酸化アルミニウム（ＡｌＯX）等が挙げられる。酸化ケイ素には、ガラスまたはスピンオングラス（ＳＯＧ）等が含まれる。金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）またはステンレス等が挙げられ、プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）またはポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。
　この支持基板３１は、光透過性でもよいし、非光透過性でもよい。保護層３３側に画像が表示されるため、支持基板３１は必ずしも光透過性である必要がないからである。支持基板３１は、ウェハ等の剛性を有する基板でもよいし、可撓性を有する薄層ガラスまたはフィルム等により構成してもよい。支持基板３１に可撓性材料を用いることにより、フレキシブル（折り曲げ可能）な可逆性記録媒体を実現できる。なお、支持基板３１は、白色、あるいは金属色を有する可視光に対して反射率の高い材料を用いることで、情報の記録を行った際の視認性を向上させることができる。
　記録層３２は、可逆的な情報の記録および消去が可能なものであり、例えば、熱により可逆的に呈色（発色）状態または消色状態を制御することが可能な材料を用いて形成されている。具体的には、例えば、呈色性化合物、光熱変換材料および顕・減色剤を含む、例えば高分子材料によって形成されている。高分子材料は、呈色性化合物、光熱変換材料および顕・減色剤が均質に分散しやすいものが好ましい。具体的な高分子材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－ 酢酸ビニル共重合体、エチルセルロース、ポリスチレン、スチレン系共重合体、フェノキシ樹脂、ポリエステル、芳香族ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、アクリル酸系共重合体、マレイン酸系重合体、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースおよびデンプン等が挙げられる。
　呈色性化合物は、例えば、ロイコ色素が挙げられる。ロイコ色素としては、例えば、既存の感熱紙用染料が挙げられ、具体的には、一例として、下記式（１０）に示した、分子内に、例えば電子供与性を有する基を含む化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　顕・減色剤は、例えば、無色の呈色性化合物を発色または、任意の色を呈している呈色性化合物を消色させるためのものである。顕・減色剤は、フェノール誘導体、サリチル酸誘導体および尿素誘導体等が挙げられる。具体的には、例えば、下記一般式（１１）に示した、分子内に電子受容性を有する基を含む化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
 （Ｘは、Ｈ，ＯＨ，ＣＯＯＨ，ハロゲンのいずれかである。Ｙは、－ＮＨＣＯ－，－ＣＯＮＨ－，－ＮＨＣＯＮＨ－，－ＣＯＮＨＣＯ－，－ＮＨＮＨＣＯ－，－ＣＯＮＨＮＨ－，－ＣＯＮＨＮＨＣＯ－，－ＮＨＣＯＣＯＮＨ－，－ＮＨＣＯＮＨＣＯ－，－ＣＯＮＨＣＯＮＨ－，－ＮＨＮＨＣＯＮＨ－，－ＮＨＣＯＮＨＮＨ－，－ＣＯＮＨＮＨＣＯＮＨ－，－ＮＨＣＯＮＨＮＨＣＯ－，－ＣＯＮＨＮＨＣＯＮＨ－のいずれかである。Ｒ３９およびＲ４０は、各々独立して、炭素数２～２６の炭化水素基であり、且つ、Ｒ３９およびＲ４０の炭素数の合計が９以上３０以下である。Ｚは、－ＣＯＯ－，－ＯＣＯ－，－Ｏ－，－ＣＯＮＨ－，－ＮＨＣＯ－，－ＮＨＣＯＮＨ－，－ＮＨＮＨＣＯ－，－ＣＯＮＨＮＨ－，－ＣＨ（ＣnＨ2nＯＨ）－（但し、ｎ＝０～５）のいずれかである。ａは０または１である。）
　光熱変換材料は、特定の波長域の光（例えば、レーザ光）を吸収して熱に変換するものである。光熱変換材料としては、例えば、呈色性化合物の発色を阻害しないように、可視領域にほとんど吸収を持たない赤外線吸収色素を用いることが好ましい。また、光熱変換時に光熱変換材料自体が分解しないような堅牢性を有することが好ましい。具体的には、上記第１の実施の形態で挙げた、上記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物が挙げられる。
　なお、記録層３２には、呈色性化合物、光熱変換材料および顕・減色剤の他に、増感剤および紫外線吸収剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。増感剤は、消色温度を低下させて消去感度を向上させたり、発色温度を低下させて記録感度を向上させるものであり、より低エネルギーでの発色および消色を可能にするものである。
　保護層３３は、記録層３２の表面を保護するものであり、例えば、公知の紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いて形成することができる。保護層３３の厚みは、例えば、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、さらに０．５μｍ以上５μｍ以下であることが望ましい。保護層３３は、薄すぎると十分な保護効果が得られず、厚すぎると伝熱しにくくなるからである。
（３－２．作用・効果）
　本実施の形態では、可逆性記録媒体４の記録層３２を構成する光熱変換材料として、上記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を用いるようにした。一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物は、上記のように、可視領域における吸収特性が低い、即ち、呈色性化合物が吸収する波長域に対する透明性が高いため、可逆性記録媒体４の表示性能を向上させることが可能となる。
　また、一般式（１）におけるＲ１，Ｒ１０の少なくとも一方に分子内水素結合を形成可能な基を有するスクアリリウム化合物、または、一般式（２）におけるＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６の少なくとも１つに分子内水素結合を形成可能な基を有するスクアリリウム化合物は、上記のように可視領域の透明性と共に、高い耐熱性を有する。このため、光熱変換材料として、一般式（１）におけるＲ１，Ｒ１０の少なくとも一方に分子内水素結合を形成可能な基を有するスクアリリウム化合物、または、一般式（２）におけるＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６の少なくとも１つに分子内水素結合を形成可能な基を有するスクアリリウム化合物を用いることにより、可逆性記録媒体４の耐久性を向上させることが可能となる。
　更に、一般式（１）および一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物は、共に光熱変換材料として有望であるが、一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物の方がより望ましい。一般的なスクアリリウム化合物では、可視領域の透明性を維持しつつ、例えば８５０ｎｍ以上の波長にメイン吸収ピーク位置をシフトさせることは難しい。これに対して、一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物は、メイン吸収ピーク位置を長波長化しやすいからである。このため、本実施の形態の可逆性記録媒体４の記録層３２を構成する光熱変換材料として一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を用いることによって、記録または消去時に用いるレーザの波長選択の自由度を向上させることが可能となる。
＜４．適用例＞
　上記第１の実施の形態および変形例１～４において説明した固体撮像素子１０～５０は、後述する固体撮像装置１、撮像装置を備えた電子機器２（例えばカメラ）等に適用することができる。また、固体撮像素子１０～５０に用いた赤外吸収層１５は、光学フィルタとして、例えば後述するプラズマディスプレイ３のほか、例えば熱線遮蔽フィルムとして用いることができる。
（適用例１）
　図１０は、上記実施の形態等において説明した固体撮像素子１０～５０を各単位画素Ｐに用いた撮像装置（固体撮像装置１）の全体構成を表したものである。この固体撮像装置１は、ＣＭＯＳイメージセンサであり、半導体基板（基板４１）上に、撮像エリアとしての画素部１ａを有すると共に、この画素部１ａの周辺領域に、例えば、行走査部１３１、水平選択部１３３、水平選択部１３３およびシステム制御部１３２からなる周辺回路部１３０を有している。
　画素部１ａは、例えば、行列状に２次元配置された複数の単位画素Ｐ（固体撮像装置１に相当）を有している。この単位画素Ｐには、例えば、画素行ごとに画素駆動線Ｌread（具体的には行選択線およびリセット制御線）が配線され、画素列ごとに垂直信号線Ｌsigが配線されている。画素駆動線Ｌreadは、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。画素駆動線Ｌreadの一端は、行走査部１３１の各行に対応した出力端に接続されている。
　行走査部１３１は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部１ａの各単位画素Ｐを、例えば、行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部１３１によって選択走査された画素行の各単位画素Ｐから出力される信号は、垂直信号線Ｌsigの各々を通して水平選択部１３３に供給される。水平選択部１３３は、垂直信号線Ｌsigごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。
　水平選択部１３３は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部１３３の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この水平選択部１３３による選択走査により、垂直信号線Ｌsigの各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線１３５に出力され、当該水平信号線１３５を通して基板４１の外部へ伝送される。
　行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４および水平信号線１３５からなる回路部分は、基板４１上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ＩＣに配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。
　システム制御部１３２は、基板４１の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータ等を受け取り、また、固体撮像装置１の内部情報等のデータを出力するものである。システム制御部１３２はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部１３１、水平選択部１３３および水平選択部１３３等の周辺回路の駆動制御を行う。
（適用例２）
　上述した固体撮像装置１は、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話等、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図１１に、その一例として、電子機器２（カメラ）の概略構成を表わしたものである。この電子機器２は、例えば、静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１と、光学系（光学レンズ）２１０と、シャッタ装置２１１と、固体撮像装置１およびシャッタ装置２１１を駆動する駆動部２１３と、信号処理部２１２とを有する。
　光学系２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の画素部１ａへ導くものである。この光学系２１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置２１１は、固体撮像装置１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部２１３は、固体撮像装置１の転送動作およびシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部２１２は、固体撮像装置１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄoutは、メモリ等の記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
（適用例３）
　更に、上記実施の形態で説明した赤外吸収層１５は、例えば、プラズマ表示装置（プラズマディスプレイ３）に用いられる赤外線軽減フィルタ（ＩＲカットフィルタ）として用いることができる。図１２は、プラズマディスプレイ３の概略構成を表したものである。このプラズマディスプレイ３は、例えば表示パネル５５と、入力された映像信号ＳＶにＡ／Ｄ変換を施して映像データＤＶを生成するＡ／Ｄ変換器５１と、生成された映像データＤＶを格納する画像メモリ５２と、表示パネル５５に駆動パルスを出力するサスティンドライバ５３，データドライバ５４により主に構成され、ここでは簡便のため図示しないタイミング制御部によってＡ／Ｄ変換器５１，画像メモリ５２，サスティンドライバ５３およびデータドライバ５４の動作がタイミング制御されている。
＜５．実施例＞
　次に、本開示の実施例について説明する。まず、上記式（１－７）に示したスクアリリウム化合物とポリカーボネート樹脂をシクロペンタノンに溶解し混合した赤外吸収インクを調製した。このインクをガラス基板上に、スピンコータを用いて塗布したのち、加熱乾燥することで膜厚５μｍの赤外吸収層を成膜し、サンプル（実験例１）とした。この他、赤外吸収層の材料として、下記式（６）に示したスクアリリウム化合物（実験例２）、上記式（３－３）に示したスクアリリウム化合物（実験例３）、下記式（７）～（９）に示したスクアリリウム化合物（実験例４～６）を用い、上記と同様の方法を用いて赤外吸収層を成膜し、サンプル（実験例２～６）とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　これら実験例１～６について、紫外可視近赤外分光高度計を用いて赤外吸収層の光吸収スペクトルを測定して可視領域における透明性（赤外領域の最大吸光度に対する可視領域の最大吸光度；吸収強度比）を評価した。図１３は、実験例１～６の各波長における吸光特性を表したものであり、表１は、実験例１～６の赤外吸収層の構成材料および吸収強度比をまとめたものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000045
　表１から、赤外吸収層を四角酸部位の１，３位がアントラセン誘導体に置換されたスクアリリウム化合物を用いて形成した光電変換素子（実験例１～３）は、実験例４～６と比較して吸収強度比が大幅に低減されることがわかった。即ち、四角酸部位の１，３位がアントラセン誘導体に置換されたスクアリリウム化合物を用いることで、可視領域における吸収特性が低減され、可視領域における透明性を向上した赤外吸収層が得られることがわかった。
　以上、第１，第２の実施の形態、変形例１～４および実施例を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば変形例２に示した固体撮像素子３０では、光反射防止層１７の効果を損なわない範囲でコーティング層等の他の層が設けられていてもよい。
　また、上記実施の形態等では、例えば固体撮像素子１０として各光電変換部１１Ｂが赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ）および青色光（Ｂ）をそれぞれ個別に検出する例を示したが、これに限らず、１画素から、Ｂ／Ｇ／Ｒの信号を別々に取り出す縦分光型の固体撮像素子を用いてもよい。
　更に、本開示の固体撮像素子１０～５０および可逆性記録媒体４等では、上記実施の形態で説明した各構成要素を全て備えている必要はなく、また逆に他の層を備えていてもよい。例えば、可逆性記録媒体４は、複数の記録層３２が積層されていていてもよく、また、複数の記録層３２の間に、例えば断熱層等の他の層が設けられていてもよい。
　なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本開示は、以下のような構成であってもよい。
[１]
　下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む光学フィルタ。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
 （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
［２］
　前記一般式（１）におけるＲ１，Ｒ１０は、各々独立して少なくとも一方が水素結合を形成可能な基である、前記［１］に記載の光学フィルタ。
［３］
　前記水素結合を形成する基は、ヒドロキシ（－ＯＨ）基，アミノ（－ＮＨ2）基またはアミド（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ３７Ｒ３８；Ｒ３７およびＲ３８は各々独立して水素原子またはアルキル基）である、前記［２］に記載の光学フィルタ。
［４］
　前記一般式（１）で表わされるスクアリリウム化合物のＲ３およびＲ１２は、各々独立して水素（Ｈ）よりも高い電子供与性を有する基である、前記［１］乃至［３］のうちのいずれかに記載の光学フィルタ。
［５］
　前記一般式（２）におけるＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８およびＲ３６は、各々独立して少なくとも１つが水素結合を形成可能な基である、前記［１］乃至［４］のうちのいずれかに記載の光学フィルタ。
［６］
　前記水素結合を形成する基は、ヒドロキシ（－ＯＨ）基，アミノ（－ＮＨ2）基またはアミド（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ３７Ｒ３８；Ｒ３７およびＲ３８は各々独立して水素原子またはアルキル基）である、前記［５］に記載の光学フィルタ。
［７］
　前記一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物のＲ２３およびＲ３２は、各々独立してさらに電子供与性を有する基である、前記［１］乃至［６］のうちのいずれかに記載の光学フィルタ。
［８］
　前記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物は、６５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の範囲に極大吸収は量を有し、赤外領域（６００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下）の最大吸光度に対する可視領域（４００ｎｍ以上６００ｎｍ未満）の最大吸光度は、０．０５未満である、前記［１］乃至［７］のうちのいずれかに記載の光学フィルタ。
［９］
　前記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物と、バインダー樹脂とを含有する、前記［１］乃至［８］のうちのいずれかに記載の光学フィルタ。
［１０］
　前記バインダー樹脂は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下に吸収極大波長を有しない熱硬化型または光硬化型の樹脂である、前記［９］に記載の光学フィルタ。
［１１］
　前記バインダー樹脂は、シロキサン結合を主骨格とする樹脂である、前記［９］または［１０］に記載の光学フィルタ。
［１２］
　更に、前記スクアリリウム化合物とは吸収極大波長が異なる１または２種以上の色素を含む、前記［１］乃至［１１］のうちのいずれかに記載の光学フィルタ。
［１３］
　光電変換部と、
　前記光電変換部の上に設けられたオンチップレンズと、
　前記オンチップレンズの上に設けられ、下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む光学フィルタと
　を備えた固体撮像素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
 （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
 （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
［１４］
　前記光学フィルタは、前記スクアリリウム化合物を含有する第１吸収層と、前記スクアリリウム化合物とは吸収極大波長が異なる色素を含有する第２吸収層とが積層されて構成されている、前記［１３］に記載の固体撮像素子。
［１５］
　前記光学フィルタの厚みは、０．５μｍ以上２００μｍ以下である、前記［１３］または［１４］に記載の固体撮像素子。
［１６］
　各画素が１または複数の固体撮像素子を含み、
　前記固体撮像素子は、
　光電変換部と、
　前記光電変換部の上に設けられたオンチップレンズと、
　前記オンチップレンズの上に設けられ、下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む光学フィルタと
　を備えた電子機器。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
 （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
 （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
　本出願は、日本国特許庁において２０１５年１２月２５日に出願された日本特許出願番号２０１５－２５３０６８号および２０１６年５月１２日に出願された日本特許出願番号２０１６－０９６１６３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (16)

  1. 　下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む光学フィルタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
  2. 　前記一般式（１）におけるＲ１，Ｒ１０は、各々独立して少なくとも一方が水素結合を形成可能な基である、請求項１に記載の光学フィルタ。
  3. 　前記水素結合を形成する基は、ヒドロキシ（－ＯＨ）基，アミノ（－ＮＨ2）基またはアミド（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ３７Ｒ３８；Ｒ３７およびＲ３８は各々独立して水素原子またはアルキル基）である、請求項２に記載の光学フィルタ。
  4. 　前記一般式（１）で表わされるスクアリリウム化合物のＲ３およびＲ１２は、各々独立して水素（Ｈ）よりも高い電子供与性を有する基である、請求項１に記載の光学フィルタ。
  5. 　前記一般式（２）におけるＲ１９，Ｒ２７，Ｒ２８およびＲ３６は、各々独立して少なくとも１つが水素結合を形成可能な基である、請求項１に記載の光学フィルタ。
  6. 　前記水素結合を形成する基は、ヒドロキシ（－ＯＨ）基，アミノ（－ＮＨ2）基またはアミド（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ３７Ｒ３８；Ｒ３７およびＲ３８は各々独立して水素原子またはアルキル基）である、請求項５に記載の光学フィルタ。
  7. 　前記一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物のＲ２３およびＲ３２は、各々独立してさらに電子供与性を有する基である、請求項１に記載の光学フィルタ。
  8. 　前記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物は、６５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の範囲に極大吸収は量を有し、赤外領域（６００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下）の最大吸光度に対する可視領域（４００ｎｍ以上６００ｎｍ未満）の最大吸光度は、０．０５未満である、請求項１に記載の光学フィルタ。
  9. 　前記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物と、バインダー樹脂とを含有する、請求項１に記載の光学フィルタ。
  10. 　前記バインダー樹脂は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下に吸収極大波長を有しない熱硬化型または光硬化型の樹脂である、請求項９に記載の光学フィルタ。
  11. 　前記バインダー樹脂は、シロキサン結合を主骨格とする樹脂である、請求項９に記載の光学フィルタ。
  12. 　更に、前記スクアリリウム化合物とは吸収極大波長が異なる１または２種以上の色素を含む、請求項１に記載の光学フィルタ。
  13. 　光電変換部と、
    　前記光電変換部の上に設けられたオンチップレンズと、
    　前記オンチップレンズの上に設けられ、下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む光学フィルタと
    　を備えた固体撮像素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
  14. 　前記光学フィルタは、前記スクアリリウム化合物を含有する第１吸収層と、前記スクアリリウム化合物とは吸収極大波長が異なる色素を含有する第２吸収層とが積層されて構成されている、請求項１３に記載の固体撮像素子。
  15. 　前記光学フィルタの厚みは、０．５μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１３に記載の固体撮像素子。
  16. 　各画素が１または複数の固体撮像素子を含み、
    　前記固体撮像素子は、
    　光電変換部と、
    　前記光電変換部の上に設けられたオンチップレンズと、
    　前記オンチップレンズの上に設けられ、下記一般式（１）または一般式（２）で表わされるスクアリリウム化合物を少なくとも１種含む光学フィルタと
    　を備えた電子機器。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （Ｘ１およびＸ２は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ３，Ｒ１２は各々独立して炭素数１以上８以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ１３，Ｒ１４は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６～Ｒ１１，Ｒ１５～Ｒ１８は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     （Ｘ３およびＸ４は各々独立して酸素原子またはジシアノメチレン（－Ｃ（ＣＮ）2）基である。Ｒ２０～Ｒ２２，Ｒ２４～Ｒ２６およびＲ２９～Ｒ３１，Ｒ３３～Ｒ３５は各々独立して水素原子または炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ２３およびＲ３２は各々独立して炭素数１以上１０以下の直鎖または環状のアルキル基あるいはその誘導体である。Ｒ１９，Ｒ２７，Ｒ２８，Ｒ３６は、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、直鎖，分岐または環状のアルキル基、フェニル基、直鎖または縮環した芳香族化合物を有する基、ハロゲン化物を有する基、パーシャルフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリルアルキル基、シリルアルコキシ基、アリールシリル基、アリールスルファニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィド基、アルキルスルフィド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、カルボキソアミド基、カルボアルコキシ基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、カルコゲン化物を有する基、ホスフィン基、ホスホン基あるいはそれらの誘導体である。）
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