WO2013129252A1 - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents

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WO2013129252A1
WO2013129252A1 PCT/JP2013/054517 JP2013054517W WO2013129252A1 WO 2013129252 A1 WO2013129252 A1 WO 2013129252A1 JP 2013054517 W JP2013054517 W JP 2013054517W WO 2013129252 A1 WO2013129252 A1 WO 2013129252A1
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liquid
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circulation
pump
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吉原　孝介
克憲 一野
智伸 古庄
卓志 佐々
勝裕 土屋
寺下　裕一
博史 竹口
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Tokyo Electron Ltd
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    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Definitions

  • the present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for supplying a processing liquid to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD.
  • a liquid processing apparatus and a liquid processing method for supplying a processing liquid to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD.
  • a photoresist is applied to a semiconductor wafer, FPD substrate or the like (hereinafter referred to as a wafer), and the resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern.
  • the circuit pattern is formed on the resist film by developing the exposure pattern.
  • bubbles or particles such as nitrogen gas may be mixed into a processing solution such as a resist solution or a developer supplied to a wafer or the like due to various causes. If a processing liquid in which is mixed is supplied to a wafer or the like, coating unevenness or defects may occur. For this reason, an apparatus for removing bubbles and particles mixed in the processing liquid is provided in the processing liquid pipe.
  • a temporary storage container, a filter, and a pump are provided in a supply pipe line that connects a supply nozzle and a processing liquid storage container, and the supply pipe line and filter between the processing liquid storage container and the temporary storage container are provided.
  • a processing liquid supply apparatus having a circulation line connected to the pipe and a variable throttle provided in the circulation line (see, for example, Patent Document 1).
  • This processing liquid supply apparatus includes a plurality of supply nozzles in order to improve the efficiency and diversification of processes performed in the photolithography process, and selects and uses the supply nozzles according to the purpose.
  • the gas dissolved in the processing liquid is bubbled by reducing the liquid pressure of the processing liquid bubbled out by the filter by the variable throttle, and the bubbles are passed from the circulation path through the supply pipe. It is removed by passing through the filter again. Therefore, the gas dissolved in the processing liquid can be efficiently removed.
  • the processing liquid stays in the filter provided in the supply pipe connected to the unused supply nozzle.
  • the treatment liquid is retained for a long time in a place with a large capacity such as a filter
  • air bubbles and gel staying in the filter grow and increase as particles at the interface between the filter and the treatment liquid. Therefore, as a method of preventing the increase of particles mixed in the processing liquid, the processing liquid is regularly discharged to a place other than the wafer etc. so that the processing liquid does not stay in a place with a large capacity such as a filter for a long time. The method of doing so can be considered (so-called dummy discharge).
  • the discharged processing liquid is discarded in the dummy discharge, there is a problem that the consumption amount of the processing liquid increases.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to efficiently suppress an increase in particles in a processing liquid without wasting the processing liquid wastefully.
  • a liquid processing apparatus of the present invention is a liquid processing apparatus connected to one processing liquid supply nozzle among a plurality of processing liquid supply nozzles for supplying a processing liquid to a substrate to be processed.
  • a supply line for connecting the processing liquid storage container for storing the processing liquid and the one processing liquid supply nozzle;
  • a filter device that is provided in the supply pipe and filters the treatment liquid and removes foreign matters mixed in the treatment liquid;
  • a pump provided in the supply line on the secondary side of the filter device;
  • a circulation line connecting the discharge side of the pump and the suction side of the filter device;
  • a supply control valve provided in the supply line on the secondary side of the pump;
  • a circulation control valve provided in the circulation line;
  • a controller for controlling the pump, the supply control valve and the circulation control valve, When the supply of the processing liquid from the one processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped by closing the supply control valve by the control device, the circulation control valve is opened and the pump is driven. Then, the treatment liquid is circulated between the supply pipe
  • the processing liquid staying in the filter device is supplied to the supply pipe line. It can be circulated through a circulation line.
  • the idle state is a state in which supply of the processing liquid from one processing liquid supply nozzle to the substrate to be processed is stopped, as well as processing on the substrate to be processed immediately after the processing liquid storage container is installed.
  • the state up to the start of liquid supply shall be included.
  • the present invention is a liquid processing method using a liquid processing apparatus
  • the liquid processing apparatus includes a supply pipe line that connects a processing liquid storage container that stores a processing liquid and a processing liquid supply nozzle that supplies the processing liquid to a substrate to be processed.
  • a filter device that is provided in the supply pipe and filters the treatment liquid and removes foreign matters mixed in the treatment liquid;
  • a pump provided in the supply line on the secondary side of the filter device;
  • a supply control valve provided in the supply line on the secondary side of the pump;
  • a circulation control valve provided in the circulation line;
  • the processing liquid is circulated between the circulation pipe and the supply pipe when the processing liquid is not supplied to the substrate to be processed.
  • the staying processing liquid can be circulated through the supply line and the circulation line.
  • the processing liquid staying in the filter device can be circulated through the supply line and the circulation line in the unused state, the dummy liquid is not discharged at the time of use. An increase in particles can be suppressed. Therefore, it is possible to efficiently prevent an increase in particles in the processing liquid without wasting the processing liquid.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing the entire processing system in which an exposure processing apparatus is connected to a coating / developing processing apparatus to which a liquid processing apparatus according to the present invention is applied. It is a schematic plan view of the processing system.
  • FIG. 3 shows an outline of the configuration of the first embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view
  • FIG. 3B is a portion A in FIG.
  • FIG. 11 It is a schematic sectional drawing which shows the circulation processing operation in the said liquid processing apparatus. It is a schematic sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention. It is a schematic sectional drawing which shows 3rd Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention. It is a schematic sectional drawing which shows 4th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention. It is a schematic sectional drawing which shows 5th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention. The whole deaeration mechanism of 5th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is shown, (a) of FIG. 11 is sectional drawing, (b) of FIG. 11 is in (a) of FIG.
  • the coating / development processing apparatus includes a carrier station 1 for carrying in and out a carrier 10 for hermetically storing a plurality of, for example, 25 wafers W which are substrates to be processed, and this carrier station A processing unit 2 that performs resist coating, development processing, and the like on the wafer W taken out from 1, and an exposure unit 4 that performs immersion exposure on the surface of the wafer W while a liquid layer that transmits light is formed on the surface of the wafer W;
  • the interface unit 3 is connected between the processing unit 2 and the exposure unit 4 and transfers the wafer W.
  • the carrier station 1 includes a placement portion 11 on which a plurality of carriers 10 can be placed side by side, an opening / closing portion 12 provided on the front wall surface as viewed from the placement portion 11, and the carrier 10 via the opening / closing portion 12. Delivery means A1 for taking out the wafer W is provided.
  • the interface unit 3 includes a first transfer chamber 3A and a second transfer chamber 3B that are provided between the processing unit 2 and the exposure unit 4 in the front-rear direction, and each includes a first wafer transfer unit 30A and a second transfer chamber 3B.
  • a second wafer transfer unit 30B is provided.
  • a processing unit 2 surrounded by a housing 20 is connected to the back side of the carrier station 1, and the processing unit 2 is a shelf unit in which heating / cooling units are sequentially arranged from the front side.
  • U1, U2, U3, liquid processing units U4, U5, and main transfer means A2, A3 for transferring the wafer W between the units are alternately arranged.
  • the main transport means A2 and A3 include one surface portion on the shelf units U1, U2 and U3 side arranged in the front-rear direction when viewed from the carrier station 1, and one surface portion on the right side liquid processing units U4 and U5 side which will be described later.
  • a space surrounded by a partition wall 21 composed of a rear surface portion forming one surface on the left side.
  • a temperature / humidity provided with a temperature control device for the processing liquid used in each unit, a duct for temperature / humidity control, and the like.
  • An adjustment unit 22 is arranged.
  • the shelf units U1, U2, and U3 are configured by laminating various units for performing pre-processing and post-processing of the processing performed in the liquid processing units U4 and U5 in a plurality of stages, for example, 10 stages. Includes a heating unit (not shown) for heating the wafer W (so-called baking process), a cooling unit (not shown) for cooling the wafer W, and the like. Further, in the liquid processing units U4 and U5 that perform processing by supplying a predetermined processing liquid to the wafer W, for example, as shown in FIG. 1, an antireflection film is applied on a chemical solution storage section 14 such as a resist or a developing solution.
  • a chemical solution storage section 14 such as a resist or a developing solution.
  • the coating unit (COT) 24 includes the liquid processing apparatus 5 and the liquid processing unit 100 according to the present invention.
  • FIGS. 1-10 An example of the wafer flow in the coating / developing apparatus configured as described above will be briefly described with reference to FIGS.
  • the wafer W is transferred to the main transfer means A2 via a transfer unit (not shown) that forms one stage of the shelf unit U1, and, for example, an antireflection film forming process and a cooling process are performed as preprocessing of the coating process.
  • a resist solution is applied by a coating unit (COT) 24.
  • COT coating unit
  • the wafer W is heated (baked) by the heating unit that forms one shelf of the shelf units U1 and U2 by the main transfer means A2, and after being cooled, the interface unit passes through the delivery unit of the shelf unit U3. It is carried in to 3.
  • the first wafer transfer unit 30 ⁇ / b> A and the second wafer transfer unit 30 ⁇ / b> B of the first transfer chamber 3 ⁇ / b> A and the second transfer chamber 3 ⁇ / b> B are transferred to the exposure unit 4 and face the surface of the wafer W.
  • exposure means (not shown) is arranged to perform exposure.
  • the wafer W is transferred to the main transfer means A3 through the reverse path and developed by the developing unit (DEV) 25 to form a pattern. Thereafter, the wafer W is returned to the original carrier 10 placed on the placement unit 11.
  • DEV developing unit
  • the liquid processing apparatus 5 discharges the resist liquid L to a processing liquid storage container 60 (hereinafter referred to as a resist container 60) that stores a resist liquid L that is a processing liquid, and a wafer W.
  • the supply pipe 51 is connected to one processing liquid supply nozzle 7a of the processing liquid supply nozzle 7 to be described later, and is provided in the supply pipe 51 to remove particles by filtering the resist liquid L.
  • a filter device 52a for removing foreign matters (bubbles) mixed in the resist solution L A filter device 52a for removing foreign matters (bubbles) mixed in the resist solution L, a first trap tank 53 provided in a supply pipe 51 on the secondary side of the filter device 52a, and a first trap
  • the pump P provided in the supply line 51 on the secondary side of the tank 53
  • the second trap tank 54 provided in the supply line 51 on the secondary side of the pump P, the discharge side of the pump P, and the filter device 52a sucking And a circulation control valve 56 provided in the circulation pipeline 55, and a supply control valve 57 provided in the supply pipeline 51 on the secondary side of the second trap tank 54.
  • the supply line 51 includes a first processing liquid supply line 51a that connects the resist container 60 and a buffer tank 61 as a processing liquid temporary storage container that temporarily stores the processing liquid guided from the resist container 60;
  • the second processing liquid supply pipe 51 b connects the buffer tank 61 and the processing liquid supply nozzle 7. Therefore, the filter device 52a, the first trap tank 53, the pump P, the second trap tank 54, and the supply control valve 57 are provided in the second processing liquid supply conduit 51b.
  • the circulation line 55 connects the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side of the pump P and the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side of the filter device 52a via the second trap tank 54. Connecting. Note that the second trap tank 54 is provided at a connection portion that connects the supply pipe 51 and the circulation pipe 55.
  • the pump P is a diaphragm pump that sucks and discharges the processing liquid in the second processing liquid supply pipe 51b.
  • the pump P is partitioned into a pump chamber 72 corresponding to a pump portion and a working chamber 73 corresponding to a drive portion by a diaphragm 71 which is a flexible member.
  • the suction port of the pump P is provided with an electromagnetic on-off valve V31 that allows the resist solution L to flow into the pump P from the second processing liquid supply pipe 51b.
  • An on-off valve V32 is provided. The on-off valves V31 and V32 communicate with the pump chamber 72.
  • the working chamber 73 is connected to a driving means 74 having an electropneumatic regulator that controls decompression and pressurization of the gas in the working chamber 73 based on a signal from the controller 200.
  • the on-off valves V31 and V32 are controlled based on a signal from the controller 200.
  • the controller 200 is mainly composed of a central processing unit (CPU) as a control device described later.
  • processing liquid supply nozzle 7 provided in the nozzle unit 70 is connected to the second processing liquid supply pipe 51 b on the secondary side of the supply control valve 57.
  • the supply control valve 57 for example, a flow control valve provided with a dispense valve is used.
  • the nozzle unit 70 is provided with a plurality of processing liquid supply nozzles 7a to 7d (four cases are shown in the drawing), and the processing liquid supply nozzles 7a are connected to the liquid processing apparatus 5 of this embodiment.
  • the resist containers, filter devices, and pumps similar to the resist container 60, the filter device 52a, and the pump P are connected to the other processing liquid supply nozzles 7b to 7d.
  • the first gas supply line 8a is provided with an electropneumatic regulator R which is a pressure adjusting means that can be variably adjusted.
  • the electropneumatic regulator R includes an operation unit that operates according to a control signal from the controller 200, for example, a proportional solenoid, and a valve mechanism that opens and closes by the operation of the proportional solenoid, and adjusts the pressure by opening and closing the valve mechanism. It is configured as follows.
  • An electromagnetic switching valve V1 is provided between the electropneumatic regulator R of the first gas supply line 8a and the resist container 60. Further, an electromagnetic on-off valve V2 is provided between the resist container 60 and the buffer tank 61 in the first processing liquid supply pipe 51a.
  • the first gas supply line 8 a is connected to a second gas supply line 8 b that has one end branched from the first gas supply line 8 a and the other end connected to the upper portion of the buffer tank 61. Yes.
  • the second gas supply line 8b is provided with a switching valve V3 that is switchably connected to the inside of the buffer tank 61 and the atmospheric part 63 or the nitrogen gas supply source 62 that is open to the atmosphere.
  • the switching valve V3 is formed by an electromagnetic switching valve whose position can be switched to three ports for switching between one port on the buffer tank 61 side, two ports on the nitrogen gas supply source 62 side, and two ports on the atmosphere part 63 side.
  • the buffer tank 61 is configured to be able to communicate with the atmosphere side or the nitrogen gas supply source 62 side by the switching operation of the switching valve V3.
  • a drain pipe 51c for exhausting the atmosphere in the filter device 52a is provided above the filter device 52a, and an electromagnetic on-off valve V4a is provided in the drain tube 51c.
  • drain pipes 51d and 51h for exhausting the atmosphere in the first trap tank 53 and the second trap tank 54 are also provided above the first trap tank 53 and the second trap tank 54.
  • the drain pipes 51d and 51h are provided with electromagnetic on-off valves V5a and V5b.
  • the on-off valves V4a, V5a, V5b, the circulation control valve 56, and the supply control valve 57 are electrically connected to the controller 200 so that a switching operation and an opening / closing operation are performed based on a control signal from the controller 200. It has become.
  • the buffer tank 61 is provided with an upper limit liquid level sensor 61 a and a lower limit liquid level sensor 61 b that detect the upper limit liquid level and the lower limit liquid level of the resist liquid L in the buffer tank 61. Signals detected by the upper limit liquid level sensor 61 a and the lower limit liquid level sensor 61 b are transmitted to the controller 200.
  • electropneumatic regulator R the switching valve V1, the on-off valve V2, and the switching valve V3 are electrically connected to the controller 200 and operate based on a control signal from the controller 200.
  • the connection with 200 is not shown in FIGS.
  • the filter device 52a mainly includes a filter 52f formed in a cylindrical shape, a holding portion 52i that holds the filter 52f so as to surround the filter 52f, and an outer wall portion 52o. Further, a space 52s filled with a circulating resist solution L is provided on the inner peripheral side of the filter 52f. A resist solution passage 52p is provided between the outer wall portion 52o and the holding portion 52i of the filter device 52a. The secondary side of the resist solution passage 52p communicates with the space 52s through the filter 52f. The primary side and secondary side of the space 52s communicate with the second processing liquid supply pipe 51b, and the secondary side of the resist liquid path 52p communicates with the drain pipe 51c.
  • the on-off valves V4a, V5a, V5b are opened by a signal from a controller (not shown), and bubbles dissolved in the filter device 52a, the first trap tank 53, and the second trap tank 54 It is discharged to the outside through 51c, 51d, 51h.
  • the filter device 52a When the pump P is driven in a state where the supply control valve 57 provided in the second treatment liquid supply pipe 51b is closed and the circulation control valve 56 provided in the circulation pipe 55 is opened, the filter device 52a The staying resist solution L flows into the circulation line 55 via the first trap tank 53 and the second trap tank 54, and the resist solution L flowing into the circulation line 55 is on the primary side of the filter device 52a. It flows into the second processing liquid supply pipe 51b. Therefore, when supplying the processing liquid from the processing liquid supply nozzle 7d to the wafer W, the second control liquid supply line 51b is closed by closing the supply control valve 57 and opening the circulation control valve 56 and driving the pump P. And the circulation line 55 circulate the resist solution L (circulation process). And a processing liquid supply process is performed after a circulation process is completed.
  • the resist is supplied from the processing liquid supply nozzle 7d to the wafer W, and the supply of the resist liquid L from the processing liquid supply nozzle 7a to the wafer W is stopped (idle state).
  • the resist solution L staying in the apparatus 52a can be circulated through the second processing solution supply line 51b and the circulation line 55. Therefore, even in an idle state in which the supply of the resist solution L from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W is stopped, the number of particles in the resist solution L is increased without performing dummy discharge when the processing solution is supplied. Can be suppressed. Therefore, the increase in the particles of the resist solution L can be efficiently suppressed without wastefully consuming the resist solution L.
  • the resist solution L be circulated between the second processing solution supply line 51b and the circulation line 55 at intervals of about 15 minutes.
  • the resist solution L can be kept from staying in the filter device 52a. Therefore, the idle state is completed and the resist solution L is transferred from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W.
  • the resist liquid L can be supplied to the wafer W without circulating the resist liquid L by the liquid processing apparatus 5. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • the second treatment liquid supply line 51b on the secondary side of the pump P and the buffer tank 61 are connected via the second trap tank 54. Therefore, by driving the pump P with the supply control valve 57 and the switching valve V1 closed and the circulation control valve 56 opened, the resist solution L sucked into the pump P is passed through the circulation line 55 to the buffer tank 61. It is stored in.
  • the circulation line 55 may connect the discharge port of the pump and the buffer tank 61.
  • the increase in particles in the resist solution L can be suppressed without performing dummy ejection when supplying the processing solution. it can. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • the pump P used in the third embodiment has one suction port for sucking the processing liquid in the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side, and the second processing liquid supply pipe on the secondary side. Two discharge ports for discharging the processing liquid are formed in the passage 51 b and the circulation pipe 55.
  • An electromagnetic on-off valve V33 that allows the resist solution L to flow into the pump P from the second processing solution supply pipe 51b on the primary side by operating based on a signal from the controller 200. (Suction-side open / close valve V33) is provided.
  • an electromagnetic on-off valve V34 (first opening / closing valve) that enables discharge of the resist liquid L from the pump P to the processing liquid supply nozzle 7a by operating based on a signal from the controller 200 is provided at the discharge port.
  • an electromagnetic on-off valve V35 (second on-off valve V35) that selectively enables the supply of the resist solution L to the circulation line 55 of the valve V34) and the pump P and the discharge of the gas in the pump P. ing.
  • the suction-side on-off valve V33, the first on-off valve V34, and the second on-off valve V35 are in communication with the pump chamber 72.
  • the working chamber 73 is connected to a driving means 74 having an electropneumatic regulator that controls decompression and pressurization of the gas in the working chamber 73 based on a signal from the controller 200.
  • the suction-side on-off valve V33, the first on-off valve V34, and the second on-off valve V35 are controlled based on signals from the controller 200.
  • the circulation control valve 56 is provided in the circulation line 55, but in the third embodiment, the circulation control valve 56 is not provided in the circulation line 55.
  • the second trap tank 54 is provided in the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side of the pump P. No two trap tanks are provided.
  • the circulation line 55 connects the discharge port of the pump P connected via the 2nd on-off valve V35, and the 2nd process liquid supply line 51b of the primary side of the filter apparatus 52a. is doing.
  • the circulation of the resist solution L in the third embodiment will be described.
  • the first on-off valve V34 and the supply control valve 57 are closed by a signal from the controller 200, and the suction-side on-off valve V33 and the second on-off valve V35 are open.
  • the pump P is driven in this state, the resist solution L staying in the filter device 52a flows into the circulation line 55 via the first trap tank 53, and the resist solution L flowing into the circulation line 55 is It flows into the second processing liquid supply pipe 51b on the primary side of the filter device 52a.
  • the increase in particles in the resist solution L can be suppressed without performing dummy ejection when supplying the processing solution. it can. Accordingly, it is possible to efficiently suppress an increase in particles of the resist solution L without wasting the resist solution L wastefully.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • the circulation line 55 in the fourth embodiment includes a first circulation line 55a that connects the first trap tank 53 and the pump P, and a second treatment liquid on the primary side of the first trap tank 53 and the filter device 52a. It consists of the 2nd circulation line 55b which connects the supply line 51b.
  • the second circulation line 55b is provided with a circulation control valve 56 that operates based on a signal from the controller 200 to enable the flow from the pump P to the filter device 52a.
  • the circulation of the resist solution L in the fourth embodiment will be described.
  • the first on-off valve V34 and the supply control valve 57 are closed by a signal from the controller 200, and the suction-side on-off valve V33 and the second on-off valve V35 are open.
  • the pump P is driven in this state, the resist solution L staying in the filter device 52a flows into the first circulation line 55a via the first trap tank 53 and the pump P, and enters the first circulation line 55a.
  • the resist solution L that has flowed in flows through the first trap tank 53 and the second circulation conduit 55b into the second processing solution supply conduit 51b on the primary side of the filter device 52a.
  • FIGS. 10, 11 (a), and 11 (b) A fifth embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 10, 11 (a), and 11 (b).
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the liquid processing apparatus 5 of the fifth embodiment is a second processing liquid supply pipe on the secondary side of the connection point between the circulation pipe 55 and the second processing liquid supply pipe 51b and on the primary side of the filter device 52a.
  • a deaeration mechanism 80 is provided in the path 51b.
  • the deaeration mechanism 80 has a container 81 and a semipermeable membrane tube 82, and is configured to remove gas present in the resist solution L. Yes.
  • the container 81 also has an inflow port 83 and an outflow port 84 connected to the second processing liquid supply conduit 51b.
  • the container 81 also has an exhaust port 85 to which a discharge pipe 86 for discharging the gas present in the resist solution L to the outside is connected.
  • the exhaust pipe 86 is connected to an exhaust pump (not shown).
  • the semipermeable membrane tube 82 is disposed in the container 81 and connected to both ports 83 and 84.
  • the whole is made of, for example, a tetrafluoroethylene-based or polyolefin-based hollow fiber membrane. Therefore, when the pump P is driven, the resist solution L flows into the semipermeable membrane tube 82, and the air around the semipermeable membrane tube 82 in the container 81 is exhausted by driving an exhaust pump (not shown). The air around 82 is decompressed, and the gas in the resist solution L can be made obvious. The actualized gas is discharged to the outside through the discharge pipe 86 by driving the exhaust pump.
  • the gas dissolved in the resist liquid L can be discharged
  • the gas in the resist liquid L which circulates in the supply line 51 or the circulation line 55 is made. It can deaerate (a deaeration process). For this reason, gas can be prevented from being mixed into the resist solution L supplied to the wafer W.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • FIG. 12 ⁇ Sixth Embodiment> Based on FIG. 12, FIG. 13, 6th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the liquid processing apparatus 5 of the sixth embodiment includes a vibrating body 58 that ultrasonically vibrates the processing liquid in the filter device 52a.
  • the vibrating body 58 includes, for example, a vibrating plate 58a bonded to the bottom surface of the filter device 52a, an ultrasonic generator 58b that drives the vibrating plate 58a, and includes an ultrasonic power source 58c.
  • Mainly consists of.
  • the ultrasonic generator 58b is electrically connected to the controller 200, and drive control is performed based on a control signal from the controller 200.
  • an ultrasonic vibrator is used as the vibrating body 58.
  • a filter 52f for removing foreign matter is provided inside the filter device 52a.
  • the vibration of the diaphragm 58a based on the control signal from the controller 200 to the filter 52f, the resist solution L can be prevented from staying in the filter 52f, and the particles of the resist solution L staying in the filter 52f can be prevented. Can be efficiently prevented.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • FIG. 15 7th Embodiment of the liquid processing apparatus which concerns on this invention is described.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the liquid processing apparatus 5 of the seventh embodiment includes a temperature sensor 59a that detects the temperature of the resist liquid L in the filter apparatus 52a, and the resist liquid L in the filter apparatus 52a.
  • a temperature controller 59b is provided as a temperature control device for controlling the temperature.
  • the temperature sensor 59a is provided in the second processing liquid supply pipe 51b on the secondary side of the filter device 52a.
  • the temperature controller 59b is attached so as to cover the filter device 52a.
  • the temperature sensor 59a, the temperature controller 59b, and the temperature control power source 59c are connected to the controller 200.
  • a thermistor is used as the temperature sensor 59a.
  • a thermocouple is used as the temperature controller 59b.
  • temperature control of the temperature controller 59b when the temperature of the resist solution L in the filter device 52a detected by the temperature sensor 59a is a predetermined temperature, for example, 22 ° C. or less, a control signal is sent from the controller 200 to the temperature controller 59b. Is transmitted, the control of increasing the temperature of the resist solution L in the filter device 52a to 40 ° C. is performed.
  • the temperature of the resist solution L staying in the filter device 52a can be detected, and the temperature of the resist solution L can be controlled by the temperature controller 59b and the controller 200.
  • the viscosity of the resist solution L can be kept below a predetermined value, and the resist solution L can be prevented from staying in the filter device 52a. Therefore, it is possible to efficiently prevent an increase in particles in the resist solution L staying in the filter device 52a.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • a plurality of, for example, two filter devices provided in the liquid treatment apparatus 5 of the first embodiment are connected in series. Drain pipes 51c and 51e for exhausting the atmosphere in the filter devices 52a and 52b are provided above the filter devices 52a and 52b, and electromagnetic open / close valves V4a and V4b are provided in the drain tubes 51c and 51e. It has been.
  • two filter devices 52a and 52b are connected in series, but three or more may be connected in series.
  • the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore the same parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • a filter device 52c is provided in the second processing liquid supply conduit 51b on the secondary side of the supply control valve 57. Yes.
  • the filter device 52c is provided in the second processing liquid supply pipe 51b in the vicinity of the processing liquid supply nozzle 7a.
  • a return pipe 51f for returning bubbles separated by the filter 52c to the buffer tank 61 is formed at the upper part of the filter 52c.
  • the return pipe 51f is connected to the upper part of the buffer tank 61.
  • the return pipe 51f is provided with an electromagnetic on-off valve V7, which is opened and closed by a control signal from the controller 200.
  • the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the resist solution L is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a to the wafer W after the idle state is completed, the resist solution L is circulated by the solution processing apparatus 5.
  • the resist solution L can be supplied to the wafer W. Therefore, the time required for the step of supplying the resist solution L to the wafer W can be shortened.
  • the second on-off valve V6 is the primary side of the filter device 52a and the second processing liquid supply pipe on the secondary side of the connection portion with the second circulation pipe 55b. It is provided in the path 51b.
  • a level sensor (not shown) that detects the level of the resist solution L stored in the first trap tank 53 is provided.
  • the pump P is divided into a pump chamber 72 corresponding to a pump portion and a working chamber 73 corresponding to a drive portion by a diaphragm 71 which is a flexible member.
  • the primary side passage 72a connected to the filter device 52a side, the secondary side passage 72b connected to the treatment liquid supply nozzle 7a side via the first on-off valve V34, and the second on-off valve V35.
  • a circulation / exhaust side communication path 72c connected to the first circulation pipe 55a is provided.
  • driving means is connected to the working chamber 73. That is, a supply / discharge path 73a communicating with the working chamber 73 is provided, and an air pressurization source 75a (hereinafter referred to as a pressurization source 75a) and a pressure reduction source are connected to the supply / discharge path 73a via a supply / discharge switching valve V36.
  • a conduit 76 that selectively communicates with 75b is connected.
  • the pipe line 76 is connected to the working chamber 73, the main line 76a is branched from the main line 76a, the exhaust line 76b is connected to the pressure reducing source 75b, and the pressure line 76c is connected to the pressure source 75a. It consists of and.
  • the main line 76a is provided with a flow meter 77 as a flow rate sensor, a pressure adjusting mechanism for adjusting the exhaust pressure provided in the exhaust line 76b, and a pressurization, that is, an air pressure, provided in the pressure line 76c.
  • the pressure adjusting mechanism is configured in the coupled pressure adjusting mechanism 78.
  • the coupled pressure adjusting mechanism 78 has two stops that block communication between the common communication block 78a that selectively connects the exhaust pipe 76b and the pressurization pipe 76c and the exhaust pipe 76b or the pressurization pipe 76c.
  • an electropneumatic regulator provided with an electromagnetic switching unit 78d for switching the blocks 78b and 78c and the communication block 78a and the stop blocks 78b and 78c.
  • a pressure sensor 79 is provided in the coupled pressure adjustment mechanism 78 (hereinafter referred to as an electropneumatic regulator 78), and the pressure in the working chamber 73 to which the pipe line 76 is connected is detected by the pressure sensor 79.
  • the flow meter 77, the pressure sensor 79 and the electropneumatic regulator 78 constituting the driving means are respectively connected to the controller 200 and Electrically connected.
  • the exhaust flow rate in the pipe line 76 detected by the flow meter 77 and the pressure in the pipe line 76 detected by the pressure sensor 79 are transmitted (input) to the controller 200, and a control signal from the controller 200 is electropneumatic. It is configured to be transmitted (output) to the regulator 78.
  • the on-off valves V4a and V5a, the suction-side on-off valve V33, the first on-off valve V34, the second on-off valve V35, the supply / discharge switching valve V36, and the circulation control valve 56 are controlled by the controller 200 shown in FIG. Open / close operation is performed based on the signal.
  • the first trap tank 53 is provided with a sensor line I1 for setting an upper limit of the amount of the resist solution L stored by a level sensor (not shown).
  • a sensor line I1 for setting an upper limit of the amount of the resist solution L stored by a level sensor (not shown).
  • the air in the working chamber 73 is exhausted in a state where the on-off valve V33, the first on-off valve V34, the second on-off valve V35, the on-off valves V4a and V5a, and the circulation control valve 56 are closed,
  • the pump chamber 72 becomes negative pressure.
  • fine bubbles present in the resist solution L flowing into the pump chamber 72 are manifested (bubble manifestation step). Since the gas in the processing liquid that has become obvious due to the negative pressure of the processing liquid sucked into the pump in the bubble clarification process is discharged to the outside by the deaeration process, the gas in the processing liquid must be removed reliably.
  • the air bubbles attached to the filter can be easily removed by circulating the treatment liquid.
  • the operation chamber 73 is opened with the on-off valve V33 being opened and the first on-off valve V34, the second on-off valve V35, the on-off valves V4a and V5a, and the circulation control valve 56 being closed.
  • the air inside may be exhausted.
  • the air in the working chamber 73 is exhausted with the suction-side open / close valve V33 open, the bubbles of the resist solution L replenished in the pump chamber 72 and the first trap tank 53 are revealed.
  • the required displacement of the diaphragm type pump P can be reduced.
  • the reason why the exhaust amount of the diaphragm type pump P can be reduced by exhausting the air in the working chamber 73 with the suction side on-off valve V33 being opened will be described.
  • the volume of the pump chamber 72 is increased as the air in the working chamber 73 is exhausted, the volume of the resist solution L in the pump chamber 72 and the first trap tank 53 hardly changes, but the first trap tank 53 is not changed.
  • the volume of the air layer increases. Therefore, the pressure in the gas layer decreases as the volume increases. Further, since the pressure of the resist solution L in contact with the gas layer is balanced with the pressure of the gas layer, the pressure of the resist solution L also decreases. Since the fine bubbles that can be dissolved in the resist solution L decrease as the pressure of the resist solution L decreases, the pressure of the resist solution L decreases, and bubbles that cannot be dissolved become apparent.
  • the second on-off valve 35 and the circulation control valve 56 are opened with the suction-side on-off valve V33 closed, and the supply / discharge switching valve V36 is switched to the pressurizing source 75a side.
  • the electropneumatic regulator 78 is communicated with the pressurizing side to supply air into the working chamber 73.
  • bubbles that have become apparent in the resist solution L flowing into the pump chamber 72 move to the resist solution L stored in the first trap tank 53 (bubble moving step). .
  • the on-off valve V5a since the on-off valve V5a is closed, the bubbles that have moved to the first trap tank 53 become a gas layer above the first trap tank 53, and the resist solution L in the first trap tank 53 is added. Pressed. Therefore, a part of the resist solution L stored in the first trap tank 53 flows through the second circulation pipe 55b, and the storage amount of the resist solution L stored in the first trap tank 53 decreases. .
  • the on-off valve V5a is opened with the circulation control valve 56 closed, and the bubbles in the first trap tank 53 are discharged to the outside through the drain pipe 51d (deaeration step).
  • the third on-off valve V6 is opened, and a part of the resist solution L stored in the buffer tank 61 flows into the first trap tank 53 via the second processing solution supply pipe 51b.
  • the third on-off valve V6 is closed when the level of the resist solution L flowing into the first trap tank 53 reaches the sensor line I1, and the inflow of the resist solution L into the first trap tank 53 is completed. .
  • the liquid processing unit 100 connected to the liquid processing apparatus 5 includes a nitrogen gas supply source 101 that supplies an inert gas, for example, nitrogen gas (N 2 ), and a resist container that stores the resist liquid L. 102, a buffer tank 103 that temporarily stores the processing liquid guided from the resist container 102, two pumps P1 and P2 that discharge the resist liquid L stored in the buffer tank 103, and two pumps P1 and P2. And four filter devices 104a to 104d (hereinafter represented by the filter device 104) provided on the next side.
  • diaphragm pumps are used for the pumps P1 and P2.
  • a resist container 60 is provided on the secondary side of the filter device 104 via an electromagnetic on-off valve V8.
  • the first processing liquid supply pipe 51a, the liquid processing apparatus 5, the processing liquid supply nozzle 7, and the like described in the first to tenth embodiments are provided. Yes.
  • a primary gas supply line 110 a connected to the nitrogen gas supply source 101 is provided on the primary side of the resist container 102.
  • An electromagnetic switching valve V9 is provided between the nitrogen gas supply source 101 and the resist container 102 in the third gas supply pipe line 110a.
  • a pressure control valve V10 and a pressure gauge 105 are provided between the nitrogen gas supply source 101 and the resist container 102 in the third gas supply line 110a.
  • a gas drain line 110b is connected between the pressure control valve V10 and the switching valve V9 of the third gas supply line 110a, and a relief valve V11 is provided in the gas drain line 110b.
  • the primary side of the resist container 102 is provided with a fourth gas supply line 110 c that has one end branched from the third gas supply line 110 a and the other end connected to the upper portion of the buffer tank 103.
  • the fourth gas supply line 110c is provided with an open / close valve V12 that is switchably communicated with the inside of the buffer tank 103 and the atmospheric part 106 opened to the atmosphere or the nitrogen gas supply source 101.
  • the fourth gas supply line 110c is provided with an electromagnetic on-off valve V13 and a check valve V14.
  • a third processing liquid supply conduit 111a connected to the buffer tank 103 is provided on the secondary side of the resist container 102.
  • the third processing liquid supply pipe 111a is provided with an electromagnetic on-off valve V15.
  • a fourth processing liquid supply conduit 111b is provided on the secondary side of the buffer tank 103.
  • the fourth treatment liquid supply line 111b is provided with electromagnetic on-off valves V8 and V16, pumps P1 and P2, a filter device 104, and a resist container 60.
  • the pumps P1 and P2 are provided in parallel with the fourth treatment liquid supply pipe 111b on the primary side of the filter device 104, and check valves V17 to V20 are provided on the primary side and the secondary side of the pump, respectively.
  • a drain line 111d having an open / close valve V27 is connected to the secondary side of the open / close valve V16 of the fourth processing liquid supply line 111b connecting the open / close valve V16 and the pumps P1 and P2.
  • filter devices 104a to 104d are provided in series in the fourth treatment liquid supply pipe 111b on the secondary side of the pumps P1 and P2. Drain pipes 112a to 112d are provided above the filter devices 104a to 104d. Electromagnetic on-off valves V21 to V24 corresponding to the filter devices 104a to 104d are provided in the drain pipes 112a to 112d. Is provided.
  • a return pipe 111c is branched from the fourth processing liquid supply pipe 111b on the secondary side of the filter device 104.
  • the return conduit 111 c is connected to the upper part of the buffer tank 103. Further, a drain line 112 is connected to the return line 111c.
  • the return pipe 111c is provided with electromagnetic on-off valves V25 and V26.
  • the drain pipe 112 is provided with an electromagnetic on-off valve V28.
  • the primary side drain line 112 of the on-off valve V28 communicates with the resist solution L supplied via the filter device 104 so as to be switchable to the drain or return line 111c via the atmosphere 107.
  • Open / close valve V29 is provided.
  • the on-off valves V12, V29, on-off valves V13, V15, V16, V21 to V28 are electrically connected to a controller (not shown), and a switching operation and an opening / closing operation are performed based on a control signal from the controller. It is like that.
  • the buffer tank 103 is provided with an upper limit liquid level sensor 103a and a lower limit liquid level sensor 103b, and signals detected by the upper limit liquid level sensor 103a and the lower limit liquid level sensor 103b are illustrated. It is configured to be transmitted to the controller that does not.
  • the resist solution L supplied from the resist container 102 is supplied (supplemented) to the buffer tank 103 via the third processing solution supply line 111a, the resist solution L comes into contact with the gas (atmosphere) in the buffer tank 103. By doing so, by increasing the atmospheric contact area of the resist solution L, the gas dissolved in the resist solution L becomes obvious, and bubbles are easily generated or generated.
  • the pumps P1 and P2 are alternately driven, so that the resist solution L stored in the buffer tank 103 flows into the return pipe 111c through the filter device 104. Further, the resist solution L that has flowed into the return conduit 111 c flows into the buffer tank 103. Accordingly, the resist liquid L is circulated between the fourth processing liquid supply pipe 111 b and the return pipe 111 c, and the resist liquid L from which particles and bubbles are removed by passing through the filter device 104 is stored in the buffer tank 103. Stored.
  • the bubbles dissolved in the filter device 104 are discharged to the atmospheric part 107 through the drain lines 112a to 112d. Further, as described above in the first embodiment, the resist solution L supplied to the resist container 60 is discharged (supplied) from the processing solution supply nozzle 7a onto the wafer W, or the resist solution L is supplied. It circulates between the pipeline 51 and the circulation pipeline 55.
  • the time for filtering the resist liquid L stored in the buffer tank 103 is as follows. This is a quarter of the case where only one filter device is used. Therefore, it is possible to shorten the time required for removing particles and bubbles in the resist solution L by circulation of the resist solution L.

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Abstract

　被処理基板に処理液を供給する処理液供給ノズルに接続される液処理装置であって、処理液貯留容器と当該処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、供給管路に設けられたフィルタ装置と、フィルタ装置の二次側のポンプと、ポンプの吐出側とフィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、ポンプの二次側の供給管路に設けられた供給制御弁と、循環管路に設けられた循環制御弁と、ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御装置と、を具備し、制御装置により、供給制御弁を閉じることで当該処理液供給ノズルから被処理基板への処理液の供給が停止している際に、循環制御弁を開き、ポンプを駆動して、フィルタ装置を有する供給管路と循環管路との間で処理液が循環される。

Description

液処理装置及び液処理方法
　この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板表面に処理液を供給して処理する液処理装置及び液処理方法に関する。
　本願は、２０１２年２月２７日に日本国に出願された特願２０１２－３９５３８号、及び２０１２年１２月２８日に日本国に出願された特願２０１２－２８８５１５号に基づく優先権を主張し、その内容をここに援用している。
　一般に、半導体デバイスの製造のフォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
　このようなフォトリソグラフィ工程において、ウエハ等に供給されるレジスト液や現像液等の処理液には、様々な原因によって窒素ガス等の気泡やパーティクル（異物）が混入する虞があり、気泡やパーティクルが混在した処理液がウエハ等に供給されると塗布ムラや欠陥が発生する虞がある。このため、処理液中に混在する気泡やパーティクルを除去するための装置が処理液の管路に設けられている。
　従来、この種の装置として、供給ノズルと処理液貯留容器とを接続する供給管路に一時貯留容器とフィルタとポンプを設け、処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路及びフィルタに接続する循環管路と、循環管路に設けられた可変絞りを有する処理液供給装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この処理液供給装置は、フォトリソグラフィ工程で行われる処理の効率、多様化を図るため、複数の供給ノズルを備えており、目的に応じて供給ノズルを選択して使用している。
　この処理液供給装置においては、フィルタで泡抜きされた処理液の液圧が可変絞りによって低下することで処理液に溶存する気体が気泡化され、この気泡が循環経路から供給管路を介して再びフィルタを通過することで除去される。そのため、処理液中に溶存する気体を効率的に除去することができる。
日本国特開２０１０－１３５５３５号公報（特許請求の範囲、図３、図４）
　ところで、複数の供給管路を備える処理液供給装置では、使用していない供給ノズルと接続する供給管路に設けられたフィルタにおいて、処理液の滞留が生じる。ここで、フィルタ等の容量の大きい場所で処理液を長時間滞留させると、特にフィルタに滞留している気泡やゲルがフィルタと処理液との界面でパーティクルとして成長、増加する傾向が見られる。そのため、処理液中に混在するパーティクルの増加を防止する方法として、処理液の吐出をウエハ等以外の場所に定期的に行うことで、フィルタ等の容量の大きい場所で処理液を長時間滞留させないようにする方法が考えられる（いわゆる、ダミー吐出）。しかしながら、ダミー吐出では吐出した処理液を廃棄することになるため、処理液の消費量が増大するという問題がある。
　この発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、処理液を無駄に消費することなく処理液中のパーティクルの増加を効率的に抑制することを目的とする。
　前記課題を解決するために、この発明の液処理装置は、被処理基板に処理液を供給する複数の処理液供給ノズルのうちの一つの処理液供給ノズルに接続される液処理装置であって、
前記処理液を貯留する処理液貯留容器と前記一つの処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
前記供給管路に設けられ、前記処理液を濾過すると共に、前記処理液中に混入している異物を除去するフィルタ装置と、
前記フィルタ装置の二次側の前記供給管路に設けられたポンプと、
前記ポンプの吐出側と前記フィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、
前記ポンプの二次側の前記供給管路に設けられた供給制御弁と、
前記循環管路に設けられた循環制御弁と、
前記ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御装置と、を具備し、
前記制御装置により、前記供給制御弁を閉じることで前記一つの処理液供給ノズルから前記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、前記循環制御弁を開き、前記ポンプを駆動して、前記フィルタ装置を有する前記供給管路と前記循環管路との間で前記処理液が循環されるように構成されている。
　このように構成することにより、一の処理液供給ノズルから被処理基板に処理液の供給が停止されている状態（いわゆる、アイドル状態）で、フィルタ装置に滞留する処理液を、供給管路と循環管路とを介して循環させることができる。
　なお、この発明において、アイドル状態とは、一の処理液供給ノズルから被処理基板に処理液の供給が停止されている状態の他に、処理液貯留容器のインストール直後から被処理基板への処理液の供給開始までの状態を含むものとする。
　また、別な観点によれば、本発明は、液処理装置を用いた液処理方法であって、
前記液処理装置は、処理液を貯留する処理液貯留容器と被処理基板に前記処理液を供給する処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
前記供給管路に設けられ、前記処理液を濾過すると共に、前記処理液中に混入している異物を除去するフィルタ装置と、
前記フィルタ装置の二次側の前記供給管路に設けられたポンプと、
前記ポンプの吐出側と前記フィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、
前記ポンプの二次側の前記供給管路に設けられた供給制御弁と、
前記循環管路に設けられた循環制御弁と、
前記ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御装置とを具備している。
そして前記供給制御弁を開くと共に前記循環制御弁を閉じ、前記ポンプを駆動させることで前記被処理基板に前記処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液供給工程を行わない時に前記供給制御弁を閉じると共に前記循環制御弁を開き、前記ポンプを駆動させることで前記循環管路と前記供給管路との間で前記処理液を循環させる循環工程と、を有している。
　このような方法を用いることにより、被処理基板への処理液の供給を行わない時に前記循環管路と前記供給管路との間で前記処理液を循環させるため、アイドル状態で、フィルタ装置に滞留する処理液を供給管路と循環管路とを介して循環させることができる。
　この発明によれば、不使用状態で、フィルタ装置に滞留する処理液を供給管路と循環管路とを介して循環させることができるので、使用時にダミー吐出を行うことなく、処理液中のパーティクルの増加を抑制することができる。そのため、処理液を無駄に消費することなく処理液中のパーティクルの増加を効率的に防止することができる。
この発明に係る液処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略斜視図である。 前記処理システムの概略平面図である。 この発明に係る液処理装置の第１実施形態の構成の概略を示しており、図３の（ａ）は概略断面図であり、図３の（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ部概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第１実施形態のフィルタ装置付近を示す拡大概略断面図である。 前記液処理装置における通常処理動作を示す概略断面図である。 前記液処理装置における循環処理動作を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第２実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第３実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第４実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第５実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第５実施形態の脱気機構の全体を示しており、図１１の（ａ）は断面図であり、図１１の（ｂ）は、図１１の（ａ）におけるＢ部拡大断面図である。 この発明に係る液処理装置の第６実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第６実施形態のフィルタ装置付近を示す拡大概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第７実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第７実施形態のフィルタ装置付近を示す拡大概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第８実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第９実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第１０実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第１０実施形態のポンプ付近を示す拡大概略断面図である。 この発明に係る液処理装置の第１０実施形態の概略図であり、図２０の（ａ）は、気泡顕在化工程を示し、図２０の（ｂ）は脱気工程を示している。 この発明に係る液処理装置の第１０実施形態においてトラップタンクに処理液を補充する動作を示す概略図である。 この発明に係る液処理装置に接続される液処理ユニットを示す概略断面図である。
　以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る液処理装置としてのレジスト液処理装置を、塗布・現像処理装置に搭載した場合について説明する。
　前記塗布・現像処理装置は、図１及び図２に示すように、被処理基板であるウエハＷを複数枚例えば２５枚密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布、現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。
　キャリアステーション１には、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
　インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。
　また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、液処理ユニットＵ４、Ｕ５、及び各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２、Ａ３が交互に配列して設けられている。
　また、主搬送手段Ａ２、Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４、Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に配置されている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。
　棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３は、液処理ユニットＵ４、Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせにはウエハＷを加熱（いわゆるベーク処理）する加熱ユニット（図示せず）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（図示せず）等が含まれる。また、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニットＵ４、Ｕ５は、例えば図１に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部１４の上に反射防止膜を塗布する反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３、ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。塗布ユニット（ＣＯＴ）２４は、この発明に係る液処理装置５及び液処理ユニット１００を具備する。
　前記のように構成される塗布・現像処理装置におけるウエハの流れの一例について、図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリア１０が載置部１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そして、ウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われた後、塗布ユニット（ＣＯＴ）２４にてレジスト液が塗布される。次いで、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは棚ユニットＵ１、Ｕ２の、一の棚をなす加熱ユニットで加熱（ベーク処理）され、更に冷却された後、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へと搬入される。このインターフェース部３において、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂの第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂによって露光部４に搬送され、ウエハＷの表面に対向するように露光手段（図示せず）が配置されて露光が行われる。露光後、ウエハＷは逆の経路で主搬送手段Ａ３まで搬送され、現像ユニット（ＤＥＶ）２５にて現像されることでパターンが形成される。しかる後、ウエハＷは載置部１１上に載置された元のキャリア１０へと戻される。
　次に、この発明に係る液処理装置の第１実施形態について説明する。
　＜第１実施形態＞
　この発明に係る液処理装置５は、図３に示すように、処理液であるレジスト液Ｌを貯留する処理液貯留容器６０（以下、レジスト容器６０という）と、ウエハＷにレジスト液Ｌを吐出して供給する、後述の処理液供給ノズル７の１つの処理液供給ノズル７ａとを接続する供給管路５１と、供給管路５１に設けられ、レジスト液Ｌを濾過してパーティクルを除去すると共に、レジスト液Ｌ中に混入している異物（気泡）を除去するフィルタ装置５２ａと、フィルタ装置５２ａの二次側の供給管路５１に設けられた第１のトラップタンク５３と、第１のトラップタンク５３の二次側の供給管路５１に設けられたポンプＰと、ポンプＰの二次側の供給管路５１に設けられた第２のトラップタンク５４と、ポンプＰの吐出側とフィルタ装置５２ａの吸入側とを接続する循環管路５５と、循環管路５５に設けられる循環制御弁５６と、第２のトラップタンク５４の二次側の供給管路５１に設けられた供給制御弁５７を具備する。
　供給管路５１は、レジスト容器６０と、このレジスト容器６０から導かれた処理液を一時貯留する処理液一時貯留容器としてのバッファタンク６１とを接続する第１の処理液供給管路５１ａと、バッファタンク６１と処理液供給ノズル７とを接続する第２の処理液供給管路５１ｂとから構成される。従って、フィルタ装置５２ａ、第１のトラップタンク５３、ポンプＰ、第２のトラップタンク５４、供給制御弁５７は、第２の処理液供給管路５１ｂに設けられている。
　循環管路５５は、ポンプＰの二次側の第２の処理液供給管路５１ｂとフィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂとを第２のトラップタンク５４を介して接続する。なお、第２のトラップタンク５４は、供給管路５１と循環管路５５とを接続する接続部に設けられている。
　図３（ｂ）に示すように、ポンプＰには第２の処理液供給管路５１ｂ内の処理液を吸入、吐出するダイヤフラムポンプが用いられる。ポンプＰは、可撓性部材であるダイヤフラム７１にてポンプ部分に相当するポンプ室７２と、駆動部分に相当する作動室７３に仕切られている。また、ポンプＰの吸入口には、第２の処理液供給管路５１ｂからポンプＰへのレジスト液Ｌの流入を可能にする電磁式の開閉弁Ｖ３１が設けられ、吐出口には電磁式の開閉弁Ｖ３２が設けられている。開閉弁Ｖ３１、Ｖ３２は、ポンプ室７２と連通している。
　作動室７３にはコントローラ２００からの信号に基づいて作動室７３内の気体の減圧及び加圧を制御する電空レギュレータを備える駆動手段７４が接続されている。開閉弁Ｖ３１、Ｖ３２はコントローラ２００からの信号に基づいて制御されている。コントローラ２００は、後述する制御装置としての中央演算処理装置（ＣＰＵ）を主体として構成されている。
　また、供給制御弁５７の二次側の第２の処理液供給管路５１ｂには、ノズルユニット７０に設けられた処理液供給ノズル７が接続されている。供給制御弁５７としては、例えば、ディスペンスバルブを備えた流量制御弁が用いられる。
　ノズルユニット７０には複数本（図面では４本の場合を示す）の処理液供給ノズル７ａ～７ｄが設けられており、そのうちの処理液供給ノズル７ａがこの実施形態の液処理装置５と接続される。また、他の処理液供給ノズル７ｂ～７ｄには、上述したレジスト容器６０やフィルタ装置５２ａやポンプＰと同様のレジスト容器、フィルタ装置、ポンプが接続されている。
　レジスト容器６０の上部には、不活性ガス、例えば窒素ガス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給源６２と接続する第１の気体供給管路８ａが設けられている。また、この第１の気体供給管路８ａには、可変調整可能な圧力調整手段である電空レギュレータＲが設けられている。この電空レギュレータＲは、コントローラ２００からの制御信号によって作動する操作部、例えば比例ソレノイドと、該比例ソレノイドの作動によって開閉する弁機構とを具備しており、弁機構の開閉によって圧力を調整するように構成されている。
　前記第１の気体供給管路８ａの電空レギュレータＲとレジスト容器６０との間には電磁式の切換弁Ｖ１が設けられている。また、第１の処理液供給管路５１ａのレジスト容器６０とバッファタンク６１との間には電磁式の開閉弁Ｖ２が設けられている。
　また、第１の気体供給管路８ａには、一端が第１の気体供給管路８ａから分岐され、他端がバッファタンク６１の上部に接続する第２の気体供給管路８ｂが接続されている。この第２の気体供給管路８ｂには、バッファタンク６１内と大気に開放する大気部６３又は窒素ガス供給源６２とに切換可能に連通する切換弁Ｖ３が設けられている。切換弁Ｖ３は、バッファタンク６１側の１つのポートと、窒素ガス供給源６２側と、大気部６３側の２つのポートとを切り換える３ポートに位置切換可能な電磁切換弁にて形成されており、この切換弁Ｖ３の切換操作によってバッファタンク６１内が大気側又は窒素ガス供給源６２側に連通可能に形成されている。
　一方、フィルタ装置５２ａの上部には、フィルタ装置５２ａ内の雰囲気を排気するためのドレイン管５１ｃが設けられ、ドレイン管５１ｃには電磁式の開閉弁Ｖ４ａが設けられている。また、第１のトラップタンク５３及び第２のトラップタンク５４の上部にも、第１のトラップタンク５３、第２のトラップタンク５４内の雰囲気を排気するためのドレイン管５１ｄ、５１ｈが設けられ、ドレイン管５１ｄ、５１ｈには電磁式の開閉弁Ｖ５ａ、Ｖ５ｂが設けられている。
　開閉弁Ｖ４ａ、Ｖ５ａ、Ｖ５ｂ、循環制御弁５６、供給制御弁５７はコントローラ２００と電気的に接続されており、このコントローラ２００からの制御信号に基づいて、切換動作や開閉動作が行われるようになっている。なお、バッファタンク６１にはバッファタンク６１内のレジスト液Ｌの上限液面と下限液面を検知する、上限液面センサ６１ａ及び下限液面センサ６１ｂが設けられている。これら上限液面センサ６１ａ及び下限液面センサ６１ｂによって検知された信号がコントローラ２００に伝達される。また、電空レギュレータＲ、切換弁Ｖ１、開閉弁Ｖ２、切換弁Ｖ３はコントローラ２００に電気的に接続されており、このコントローラ２００からの制御信号に基づいて作動する。なお、電空レギュレータＲ、上限液面センサ６１ａ、下限液面センサ６１ｂ、切換弁Ｖ１、Ｖ３、開閉弁Ｖ２、Ｖ４ａ～Ｖ７、開閉弁Ｖ３１～Ｖ３３、循環制御弁５６、供給制御弁５７とコントローラ２００との接続は、図４～図１７において図示されていない。
　次に、図４に基づいて、前記液処理装置のフィルタ装置５２ａの構成について説明する。フィルタ装置５２ａは、円筒状に形成されたフィルタ５２ｆと、フィルタ５２ｆを囲むように保持する保持部５２ｉと、外壁部５２ｏとから主に構成されている。また、フィルタ５２ｆの内周側には、循環するレジスト液Ｌが満たされる空間部５２ｓが設けられている。フィルタ装置５２ａの外壁部５２ｏと保持部５２ｉとの間には、レジスト液通路５２ｐが設けられている。また、レジスト液通路５２ｐの二次側はフィルタ５２ｆを介して空間部５２ｓと連通している。また、空間部５２ｓの一次側及び二次側は第２の処理液供給管路５１ｂと連通し、レジスト液通路５２ｐの二次側はドレイン管５１ｃと連通している。
　次に、前記液処理装置の動作態様について、図３（ａ）ないし図６を参照して説明する。なお、図５、図６においては、コントローラ２００等の制御系は省略してある。
　・バッファタンクへのレジスト液供給
　まず、レジスト容器６０をセット（インストール）した後、コントローラ２００からの制御信号に基づいて、第１の気体供給管路８ａに設けられた切換弁Ｖ１と第１の処理液供給管路５１ａに設けられた開閉弁Ｖ２が開放し、窒素ガス供給源６２からレジスト容器６０内に供給される窒素ガスの加圧によって、レジスト液Ｌをバッファタンク６１内に供給する。このとき、切換弁Ｖ３は大気部６３側に切り換えられており、バッファタンク６１内は大気に連通されている。
　・レジスト液の窒素ガス加圧―レジスト液吐出
　図５に示すように、バッファタンク６１内に所定量のレジスト液Ｌが補充されると、上限液面センサ６１ａからの検知信号を受けた図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、切換弁Ｖ１と開閉弁Ｖ２が閉じると共に、切換弁Ｖ３が窒素ガス供給源６２側に切り換わる。これにより、窒素ガス供給源６２から窒素ガスがバッファタンク６１内に供給される一方、第２の処理液供給管路５１ｂの供給制御弁５７が開放し、ポンプＰが駆動することで、レジスト液Ｌが処理液供給ノズル７ａからウエハＷに吐出（供給）されて処理が施される（処理液供給工程）。このとき、開閉弁Ｖ４ａ、Ｖ５ａ、Ｖ５ｂは、図示しないコントローラからの信号によって開かれており、フィルタ装置５２ａ、第１のトラップタンク５３、第２のトラップタンク５４中に溶存する気泡は、ドレイン管５１ｃ、５１ｄ、５１ｈを介して外部に排出される。
　・レジスト液の循環
　次に、供給管路５１と循環管路５５とを介して行われるレジスト液Ｌの循環について説明する。図６に示すように、処理液供給ノズル７ｄからウエハＷにレジスト液を供給する際には、図示しないコントローラからの信号によって供給制御弁５７が閉じられることで、処理液供給ノズル７ａからウエハＷへのレジスト液Ｌの供給が停止される（アイドル状態）。このアイドル状態で、図示しないコントローラからの信号によって循環制御弁５６が開かれる。
　第２の処理液供給管路５１ｂに設けられた供給制御弁５７が閉じられ、循環管路５５に設けられた循環制御弁５６が開かれた状態でポンプＰを駆動させると、フィルタ装置５２ａに滞留しているレジスト液Ｌが第１のトラップタンク５３、第２のトラップタンク５４を介して循環管路５５に流れ込み、循環管路５５に流れ込んだレジスト液Ｌは、フィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂに流れ込む。従って、処理液供給ノズル７ｄからウエハＷに処理液を供給する際に、供給制御弁５７を閉じると共に循環制御弁５６を開き、ポンプＰを駆動することで、第２の処理液供給管路５１ｂと循環管路５５との間でレジスト液Ｌが循環される（循環工程）。そして、循環工程が完了した後に処理液供給工程が行われる。
　このように構成することにより、処理液供給ノズル７ｄからウエハＷにレジストが供給され、処理液供給ノズル７ａからウエハＷへのレジスト液Ｌの供給が停止している状態（アイドル状態）で、フィルタ装置５２ａに滞留するレジスト液Ｌを第２の処理液供給管路５１ｂと循環管路５５とを介して循環させることができる。従って、処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌの供給が停止されているアイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。そのため、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率よく抑制することができる。
　なお、レジスト容器６０をインストールした後、処理液供給工程を開始するまでのアイドル状態の時間が長い場合においても、処理液供給工程を開始する前に循環工程を行うことが好ましい。このように処理液供給工程を開始する前に循環工程を行うことで、処理液供給工程を開始する前のレジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができるため、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。
　ここで、第２の処理液供給管路５１ｂと循環管路５５との間でのレジスト液Ｌの循環は１５分程度の間隔で行うことが好ましい。このレジスト液Ｌの循環を所定の間隔で行うことで、フィルタ装置５２ａへのレジスト液Ｌの滞留を常に抑制することができるため、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第２実施形態＞
　図７に基づいて、この発明に係る液処理装置の第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第２実施形態の循環管路５５は、ポンプＰの二次側の第２の処理液供給管路５１ｂとバッファタンク６１とを第２のトラップタンク５４を介して接続されている。従って、供給制御弁５７と切換弁Ｖ１を閉じ循環制御弁５６を開いた状態でポンプＰを駆動させることで、ポンプＰに吸入されているレジスト液Ｌが循環管路５５を介してバッファタンク６１に貯留される。なお、循環管路５５は、ポンプの吐出口とバッファタンク６１とを接続するものであってもよい。
　このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第３実施形態＞
　図８に基づいて、この発明に係る液処理装置の第３実施形態を説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第３実施形態で用いられるポンプＰには、一次側の第２の処理液供給管路５１ｂ内の処理液を吸入するための吸入口が１カ所、二次側の第２の処理液供給管路５１ｂと循環管路５５内に処理液を吐出する吐出口が２カ所形成されている。この吸入口には、コントローラ２００からの信号に基づいて作動することで一次側の第２の処理液供給管路５１ｂからポンプＰへのレジスト液Ｌの流入を可能にする電磁式の開閉弁Ｖ３３（吸入側の開閉弁Ｖ３３）が設けられている。また、この吐出口には、コントローラ２００からの信号に基づいて作動することでポンプＰから処理液供給ノズル７ａへのレジスト液Ｌの吐出を可能にする電磁式の開閉弁Ｖ３４（第１の開閉弁Ｖ３４）とポンプＰの循環管路５５へのレジスト液Ｌの供給とポンプＰ内の気体の排出を選択的に可能にする電磁式の開閉弁Ｖ３５（第２の開閉弁Ｖ３５）が設けられている。吸入側の開閉弁Ｖ３３、第１の開閉弁Ｖ３４、第２の開閉弁Ｖ３５は、ポンプ室７２と連通している。
　作動室７３にはコントローラ２００からの信号に基づいて作動室７３内の気体の減圧及び加圧を制御する電空レギュレータを備える駆動手段７４が接続されている。吸入側の開閉弁Ｖ３３、第１の開閉弁Ｖ３４、第２の開閉弁Ｖ３５はコントローラ２００からの信号に基づいて制御されている。
　第１実施形態及び第２実施形態には、循環管路５５に循環制御弁５６が設けられているが、第３実施形態では循環管路５５に循環制御弁５６は設けられていない。また、第１実施形態及び第２実施形態では、第２のトラップタンク５４がポンプＰの二次側の第２の処理液供給管路５１ｂに設けられているが、第３実施形態では、第２のトラップタンクは設けられていない。また、第３実施形態では、循環管路５５は、第２の開閉弁Ｖ３５を介して連通するポンプＰの吐出口と、フィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂを接続している。
　次に、第３実施形態におけるレジスト液Ｌの循環について説明する。アイドル状態では、コントローラ２００からの信号によって第１の開閉弁Ｖ３４及び供給制御弁５７が閉じられ、吸入側の開閉弁Ｖ３３及び第２の開閉弁Ｖ３５が開いている。この状態でポンプＰを駆動させると、フィルタ装置５２ａに滞留しているレジスト液Ｌが第１のトラップタンク５３を介して循環管路５５に流れ込み、循環管路５５に流れ込んだレジスト液Ｌは、フィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂに流れ込む。
　このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
　＜第４実施形態＞
　図９に基づいて、この発明に係る液処理装置の第４実施形態を説明する。なお、第４実施形態において、第３実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第４実施形態における循環管路５５は、第１のトラップタンク５３とポンプＰを接続する第１循環管路５５ａと、第１のトラップタンク５３とフィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂとを接続する第２循環管路５５ｂとからなる。また、第２循環管路５５ｂには、コントローラ２００からの信号に基づいて作動することでポンプＰからフィルタ装置５２ａへの流通を可能にする循環制御弁５６が設けられている。
　次に、第４実施形態におけるレジスト液Ｌの循環について説明する。アイドル状態では、コントローラ２００からの信号によって第１の開閉弁Ｖ３４及び供給制御弁５７が閉じられ、吸入側の開閉弁Ｖ３３及び第２の開閉弁Ｖ３５が開いている。この状態でポンプＰを駆動させると、フィルタ装置５２ａに滞留しているレジスト液Ｌが第１のトラップタンク５３、ポンプＰを介して第１循環管路５５ａに流れ込み、第１循環管路５５ａに流れ込んだレジスト液Ｌは第１のトラップタンク５３、第２循環管路５５ｂを介して、フィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂに流れ込む。
　このように構成することにより、第３実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第３実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
　＜第５実施形態＞
　図１０、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に基づいて、この発明に係る液処理装置の第５実施形態を説明する。なお、第５実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第５実施形態の液処理装置５は、循環管路５５と第２の処理液供給管路５１ｂの接続点の二次側であり、かつフィルタ装置５２ａの一次側の第２の処理液供給管路５１ｂに脱気機構８０が設けられている。
　脱気機構８０は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、容器８１及び半透膜チューブ８２を有しており、レジスト液Ｌ中に存在する気体を除去するように構成されている。また、容器８１は、第２の処理液供給管路５１ｂに接続する流入用ポート８３及び流出用ポート８４を有している。また、容器８１は、レジスト液Ｌ中に存在する気体を外部に排出するための排出管８６が接続される排気用ポート８５を有している。なお、排出管８６は図示しない排気ポンプに接続されている。
　一方、半透膜チューブ８２は容器８１内に配置され、かつ両ポート８３、８４に接続されている。そして、全体が例えば四弗化エチレン系あるいはポリオレフィン系の中空糸膜によって形成されている。そのため、ポンプＰの駆動時に半透膜チューブ８２内にレジスト液Ｌを流入させ、容器８１内の半透膜チューブ８２周辺の空気を図示しない排気ポンプを駆動させて排気することで半透膜チューブ８２周辺の空気が減圧され、レジスト液Ｌ中の気体を顕在化させることができる。顕在化された気体は、前記排気ポンプの駆動により排出管８６を介して外部に排出される。
　このように構成することにより、脱気機構８０によってレジスト液Ｌ中に溶存する気体を外部に排出することができるため、供給管路５１又は循環管路５５で循環するレジスト液Ｌ中の気体を脱気することができる（脱気工程）。そのため、ウエハＷに供給されるレジスト液Ｌへの気体の混入を抑制することができる。
　また、このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第６実施形態＞
　図１２、図１３に基づいて、この発明に係る液処理装置の第６実施形態を説明する。なお、第６実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第６実施形態の液処理装置５は、フィルタ装置５２ａ内の処理液を超音波振動させる振動体５８を具備する。この場合、振動体５８は、図１３に示すように、例えばフィルタ装置５２ａの底面に接着される振動板５８ａと、振動板５８ａを駆動し、超音波電源５８ｃを具備する超音波発生器５８ｂと、から主に構成されている。超音波発生器５８ｂは、コントローラ２００と電気的に接続されており、コントローラ２００からの制御信号に基づいて、駆動制御が行われるようになっている。また、振動体５８としては、例えば、超音波振動子が用いられる。
　フィルタ装置５２ａの内側には、異物を除去するためのフィルタ５２ｆが設けられている。このフィルタ５２ｆに、コントローラ２００からの制御信号に基づく振動板５８ａの振動が与えられることにより、フィルタ５２ｆでのレジスト液Ｌの滞留を防止することができ、フィルタ５２ｆに滞留するレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に防止することができる。
　また、このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第７実施形態＞
　図１４、図１５に基づいて、この発明に係る液処理装置の第７実施形態を説明する。なお、第７実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第７実施形態の液処理装置５は、第１実施形態の液処理装置に加えて、フィルタ装置５２ａ内のレジスト液Ｌの温度を検出する温度センサ５９ａと、フィルタ装置５２ａ内のレジスト液Ｌの温度を制御する温度制御装置として、温調器５９ｂが配設される。温度センサ５９ａは、フィルタ装置５２ａの二次側の第２の処理液供給管路５１ｂに設けられている。また、温調器５９ｂはフィルタ装置５２ａを覆うように取り付けられている。温度センサ５９ａ、温調器５９ｂ、温調電源５９ｃはコントローラ２００に接続されている。温度センサ５９ａとしては、例えば、サーミスタが用いられる。また、温調器５９ｂとしては、例えば、熱電対が用いられる。
　温調器５９ｂの温度制御としては、温度センサ５９ａによって検出されたフィルタ装置５２ａ内のレジスト液Ｌの温度が所定の温度例えば２２℃以下であるときに、コントローラ２００から温調器５９ｂに制御信号が伝達されることで、フィルタ装置５２ａ内のレジスト液Ｌの温度を４０℃に上昇させる制御を行っている。
　このように構成することにより、フィルタ装置５２ａに滞留しているレジスト液Ｌの温度を検出し、温調器５９ｂ及びコントローラ２００によってレジスト液Ｌの温度を制御することができるため、温度に起因するレジスト液Ｌの粘性を所定値以下に保ち、レジスト液Ｌがフィルタ装置５２ａに滞留するのを抑制することができる。そのため、フィルタ装置５２ａに滞留するレジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を効率的に防止することができる。
　また、このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第８実施形態＞
　図１６に基づいて、この発明に係る液処理装置の第８実施形態を説明する。なお、第８実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第８実施形態の液処理装置５は、第１実施形態の液処理装置５に設けられているフィルタ装置を直列に複数個、例えば２個接続させている。各フィルタ装置５２ａ、５２ｂの上部には、フィルタ装置５２ａ、５２ｂ内の雰囲気を排気するためのドレイン管５１ｃ、５１ｅが設けられ、ドレイン管５１ｃ、５１ｅには電磁式の開閉弁Ｖ４ａ、Ｖ４ｂが設けられている。第８の実施形態では、フィルタ装置５２ａ、５２ｂを２個直列に接続しているが、３個以上直列に接続してもよい。なお、第８実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同一であるので、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　このように構成することにより、第２の処理液供給管路５１ｂにフィルタ装置５２ａを一つ設けた場合よりもより多くの異物（パーティクル及び気泡）を除去することが可能となる。
　また、このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第９実施形態＞
　図１７に基づいて、この発明に係る液処理装置の第９実施形態を説明する。なお、第９実施形態において、第１実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　第９実施形態の液処理装置５は、第１実施形態の液処理装置５に加えて、供給制御弁５７の二次側の第２の処理液供給管路５１ｂにフィルタ装置５２ｃが設けられている。換言すれば、このフィルタ装置５２ｃは、処理液供給ノズル７ａの近傍の第２の処理液供給管路５１ｂに設けられている。また、フィルタ装置５２ｃの上部にはフィルタ装置５２ｃによって分離された気泡をバッファタンク６１に戻す戻り管路５１ｆが形成されており、この戻り管路５１ｆはバッファタンク６１の上部に接続されている。また、戻り管路５１ｆには、電磁式の開閉弁Ｖ７が設けられており、この開閉弁Ｖ７はコントローラ２００からの制御信号によって開閉される。なお、第９実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同一であるので、同一部分に同一符号を付して説明は省略する。
　このように構成することにより、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給（吐出）する際に、レジスト液Ｌがフィルタ装置５２ｃを通過するため、フィルタ装置５２ａや第１のトラップタンク５３、第２のトラップタンク５４で除去しきれなかったレジスト液Ｌ中の異物（パーティクル及び気泡）を除去することが可能となる。
　また、このように構成することにより、第１実施形態と同様に、アイドル状態であっても、処理液の供給の際にダミー吐出を行うことなく、レジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を抑制することができる。従って、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌのパーティクルの増加を効率的に抑制することができる。また、第１実施形態と同様に、アイドル状態が終了して処理液供給ノズル７ａからウエハＷにレジスト液Ｌを吐出（供給）する際に、液処理装置５によるレジスト液Ｌの循環を行うことなく、レジスト液ＬをウエハＷに供給することができる。そのため、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する工程に要する時間を短縮することができる。
＜第１０実施形態＞
　図１８～図２１に基づいて、この発明に係る液処理装置の第１０実施形態を説明する。
　図１８に示される液処理装置５には、第３の開閉弁Ｖ６がフィルタ装置５２ａの一次側であって第２循環管路５５ｂとの接続部の二次側の第２の処理液供給管路５１ｂに設けられている。また、第１０実施形態では、第１のトラップタンク５３中に貯留されるレジスト液Ｌの液面レベルを検知する図示しないレベルセンサが設けられている。
　図１９に示すように、前記ポンプＰは、可撓性部材であるダイヤフラム７１にてポンプ部分に相当するポンプ室７２と駆動部分に相当する作動室７３に仕切られており、ポンプ室７２には、フィルタ装置５２ａ側に接続する一次側連通路７２ａと、第１の開閉弁Ｖ３４を介して処理液供給ノズル７ａ側に接続する二次側連通路７２ｂと、第２の開閉弁Ｖ３５を介して第１循環管路５５ａに接続する循環兼排気側連通路７２ｃが設けられている。
　また、作動室７３には、駆動手段が接続されている。すなわち、作動室７３に連通する給排路７３ａが設けられており、この給排路７３ａに給排切換弁Ｖ３６を介して、エアー加圧源７５ａ（以下に加圧源７５ａという）と減圧源７５ｂに選択的に連通する管路７６が接続されている。この場合、管路７６は、作動室７３に接続する主管路７６ａと、この主管路７６ａから分岐され、減圧源７５ｂに接続する排気管路７６ｂと、加圧源７５ａに接続する加圧管路７６ｃとで構成されている。主管路７６ａには流量センサであるフローメータ７７が設けられ、排気管路７６ｂに設けられた排気圧を調整する圧力調整機構と、加圧管路７６ｃに設けられた、加圧すなわちエアー圧を調整する圧力調整機構とが連成圧力調整機構７８において構成されている。この場合、連成圧力調整機構７８は、排気管路７６ｂと加圧管路７６ｃとを選択的に接続する共通の連通ブロック７８ａと排気管路７６ｂ又は加圧管路７６ｃの連通を遮断する２つの停止ブロック７８ｂ、７８ｃと、連通ブロック７８ａ、停止ブロック７８ｂ、７８ｃを切換操作する電磁切換部７８ｄを備える電空レギュレータによって構成されている。また、連成圧力調整機構７８（以下、電空レギュレータ７８という）には圧力センサ７９が設けられており、圧力センサ７９によって管路７６が接続する作動室７３内の圧力が検出される。
　前記のように構成されるポンプＰの作動室７３側に接続される作動エアーの給排部において、駆動手段を構成する前記フローメータ７７、圧力センサ７９及び電空レギュレータ７８は、それぞれコントローラ２００と電気的に接続されている。そして、フローメータ７７によって検出された管路７６内の排気流量と、圧力センサ７９によって検出された管路７６内の圧力がコントローラ２００に伝達（入力）され、コントローラ２００からの制御信号が電空レギュレータ７８に伝達（出力）されるように形成されている。
　次に、図２０、２１に基づいて、ダイヤフラムポンプ内のレジスト液Ｌ中の気体を顕在化させ、顕在化した気体を外部に吐出する工程について説明する。なお、開閉弁Ｖ４ａ、Ｖ５ａ、吸入側の開閉弁Ｖ３３、第１の開閉弁Ｖ３４、第２の開閉弁Ｖ３５、給排切換弁Ｖ３６、循環制御弁５６は図１９に示されるコントローラ２００からの制御信号に基づいて開閉動作を行う。
　図２０（ａ）に示すように、第１のトラップタンク５３には、図示しないレベルセンサによってレジスト液Ｌの貯留量の上限を設定するセンサーラインＩ１が設けられており、レジスト液ＬがセンサーラインＩ１を超えたときに第３の開閉弁Ｖ６を閉じることで、ポンプ室７２及び第１のトラップタンク５３へのレジスト液Ｌの補充が終了する。このとき、第１のトラップタンク５３の上部には気層が形成されており、ポンプ室７２内にはレジスト液Ｌが満たされている。
　次いで、吸入側の開閉弁Ｖ３３、第１の開閉弁Ｖ３４、第２の開閉弁Ｖ３５、開閉弁Ｖ４ａ、Ｖ５ａ、循環制御弁５６が閉じた状態で作動室７３内のエアーを排気することで、ポンプ室７２が負圧になる。ポンプ室７２を負圧にすることで、ポンプ室７２に流入しているレジスト液Ｌに存在する微細な気泡が顕在化する（気泡顕在化工程）。気泡顕在化工程でポンプに吸入される処理液が負圧になることで顕在化した処理液中の気体が脱気工程により外部に排出されるため、処理液中の気体を確実に除去することができ、当該処理液を循環させることによりフィルタに付着している気泡を容易に除去できる。
　ここで、前記気泡顕在化工程は吸入側の開閉弁Ｖ３３を開き、第１の開閉弁Ｖ３４、第２の開閉弁Ｖ３５、開閉弁Ｖ４ａ、Ｖ５ａ、循環制御弁５６が閉じた状態で作動室７３内のエアーを排気してもよい。吸入側の開閉弁Ｖ３３を開いた状態で作動室７３内のエアーを排気することで、ポンプ室７２及び第１のトラップタンク５３内に補充されているレジスト液Ｌの気泡を顕在化させる際に必要なダイヤフラム型のポンプＰの排気量を少なくすることができる。
　ここで、吸入側の開閉弁Ｖ３３を開いた状態で作動室７３内のエアーを排気することで、ダイヤフラム型のポンプＰの排気量を少なくすることができる理由について説明する。作動室７３内のエアーの排気に伴ってポンプ室７２の体積を増加させると、ポンプ室７２及び第１のトラップタンク５３内のレジスト液Ｌの体積はほとんど変化しないが、第１のトラップタンク５３内の気層の体積は増加する。そのため、この気層の圧力は体積の増加に伴って減少する。また、この気層と接しているレジスト液Ｌの圧力は気層の圧力と釣り合うため、レジスト液Ｌの圧力も減少する。レジスト液Ｌ内に溶け込むことができる微細な気泡がレジスト液Ｌの圧力が減少するにつれて減少するため、レジスト液Ｌの圧力が減少することで、溶け込むことのできない気泡が顕在化する。
　従って、吸入側の開閉弁Ｖ３３を開いた状態で作動室７３内のエアーを排気することで、排気量の少ないダイヤフラムポンプであってもレジスト液Ｌに存在する微細な気泡を顕在化させることができる。
　次いで、図２１（ｂ）に示すように、吸入側の開閉弁Ｖ３３を閉じた状態で第２の開閉弁３５と循環制御弁５６が開き、給排切換弁Ｖ３６が加圧源７５ａ側に切り換えられた状態で、電空レギュレータ７８を加圧側に連通して、作動室７３内にエアーを供給する。作動室７３内にエアーを供給することでポンプ室７２に流入しているレジスト液Ｌ中で顕在化した気泡が第１のトラップタンク５３に貯留されるレジスト液Ｌに移動する（気泡移動工程）。ここで、開閉弁Ｖ５ａは閉じているため、第１のトラップタンク５３に移動した気泡が第１のトラップタンク５３上部の気層となって、第１のトラップタンク５３内のレジスト液Ｌが加圧される。そのため、第１のトラップタンク５３に貯留されているレジスト液Ｌの一部が第２循環管路５５ｂに流通し、第１のトラップタンク５３に貯留されているレジスト液Ｌの貯留量は減少する。
　気泡顕在化工程及び気泡移動工程を複数回行うことで、第１のトラップタンク５３に貯留されているレジスト液Ｌの貯留量が、図示しないレベルセンサによって検知されるセンサーラインＩ２以下になると、図２１に示すように循環制御弁５６が閉じた状態で開閉弁Ｖ５ａが開き、第１のトラップタンク５３内の気泡がドレイン管５１ｄを介して外部に排出される（脱気工程）。このとき、第３の開閉弁Ｖ６が開き、バッファタンク６１に貯留されているレジスト液Ｌの一部が第２の処理液供給管路５１ｂを介して第１のトラップタンク５３に流入する。第３の開閉弁Ｖ６は第１のトラップタンク５３に流入されるレジスト液Ｌの液面がセンサーラインＩ１に達した時に閉じられ、第１のトラップタンク５３へのレジスト液Ｌの流入が終了する。
　このように構成することにより、ポンプＰ内に補充されたレジスト液Ｌ中に溶在する気体を顕在化させた上で脱気することができる。そのため、レジスト液Ｌに供給されるレジスト液Ｌへの気体の混入を抑制することができる。
　また、このように気泡顕在化工程及び脱気工程が繰り返されるため、ポンプ室７２及び第１のトラップタンク５３に貯留されるレジスト液Ｌ中に存在する気泡の除去を効率よく行うことが可能になる。
＜第１１実施形態＞
　図２２に基づいて、この発明に係る液処理装置に接続される液処理ユニットを説明する。液処理装置５に接続される液処理ユニット１００は、図２２に示すように、不活性ガス、例えば窒素ガス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給源１０１と、レジスト液Ｌを貯留するレジスト容器１０２と、レジスト容器１０２から導かれた処理液を一時貯留するバッファタンク１０３と、バッファタンク１０３に貯留されているレジスト液Ｌを吐出する２個のポンプＰ１、Ｐ２と、ポンプＰ１、Ｐ２の二次側に設けられている４個のフィルタ装置１０４ａ～１０４ｄ（以下、フィルタ装置１０４で代表する）と、を具備する。この実施形態ではポンプＰ１、Ｐ２にダイヤフラムポンプが用いられている。
　また、フィルタ装置１０４の二次側には、電磁式の開閉弁Ｖ８を介してレジスト容器６０が設けられている。このレジスト容器６０の二次側には、第１の実施形態から第１０の実施形態で説明した第１の処理液供給管路５１ａ、液処理装置５、処理液供給ノズル７等が設けられている。
　レジスト容器１０２の一次側には、窒素ガス供給源１０１と接続する第３の気体供給管路１１０ａが設けられている。この第３の気体供給管路１１０ａの窒素ガス供給源１０１とレジスト容器１０２との間には、電磁式の切換弁Ｖ９が設けられている。また、第３の気体供給管路１１０ａの窒素ガス供給源１０１とレジスト容器１０２との間には、圧力制御弁Ｖ１０が設けられると共に、圧力計１０５が設けられている。また、第３の気体供給管路１１０ａの圧力制御弁Ｖ１０と切換弁Ｖ９との間には、気体ドレイン管路１１０ｂが接続され、この気体ドレイン管路１１０ｂにリリーフ弁Ｖ１１が設けられている。
　また、レジスト容器１０２の一次側には、一端が第３の気体供給管路１１０ａから分岐され、他端がバッファタンク１０３の上部に接続する第４の気体供給管路１１０ｃが設けられている。この第４の気体供給管路１１０ｃには、バッファタンク１０３内と大気に開放する大気部１０６又は窒素ガス供給源１０１と切換可能に連通する開閉弁Ｖ１２が設けられている。また、第４の気体供給管路１１０ｃには、電磁式の開閉弁Ｖ１３及び逆止弁Ｖ１４が設けられている。
　レジスト容器１０２の二次側には、バッファタンク１０３と接続する第３の処理液供給管路１１１ａが設けられている。この第３の処理液供給管路１１１ａには、電磁式の開閉弁Ｖ１５が設けられている。
　バッファタンク１０３の二次側には、第４の処理液供給管路１１１ｂが設けられている。第４の処理液供給管路１１１ｂには、電磁式の開閉弁Ｖ８、Ｖ１６、ポンプＰ１、Ｐ２、フィルタ装置１０４、レジスト容器６０が設けられている。ポンプＰ１、Ｐ２は、フィルタ装置１０４の一次側の第４の処理液供給管路１１１ｂに並列に設けられており、ポンプの一次側及び二次側にそれぞれ逆止弁Ｖ１７～Ｖ２０が設けられている。なお、開閉弁Ｖ１６とポンプＰ１、Ｐ２を接続する第４の処理液供給管路１１１ｂの開閉弁Ｖ１６の二次側には、開閉弁Ｖ２７を有するドレイン管路１１１ｄが接続されている。
　また、フィルタ装置１０４ａ～１０４ｄは、ポンプＰ１、Ｐ２の二次側の第４の処理液供給管路１１１ｂに直列に４個設けられている。各フィルタ装置１０４ａ～１０４ｄの上部には、ドレイン管路１１２ａ～１１２ｄが設けられており、これらのドレイン管路１１２ａ～１１２ｄには各フィルタ装置１０４ａ～１０４ｄに対応する電磁式の開閉弁Ｖ２１～Ｖ２４が設けられている。
　フィルタ装置１０４の二次側の第４の処理液供給管路１１１ｂからは、戻り管路１１１ｃが分岐している。この戻り管路１１１ｃは、バッファタンク１０３の上部に接続されている。また、戻り管路１１１ｃにはドレイン管路１１２が接続されている。また、戻り管路１１１ｃには、電磁式の開閉弁Ｖ２５、Ｖ２６が設けられている。
　ドレイン管路１１２には、電磁式の開閉弁Ｖ２８が設けられている。この開閉弁Ｖ２８の一次側のドレイン管路１１２には、フィルタ装置１０４を介して供給されるレジスト液Ｌを、大気部１０７を介したドレイン又は戻り管路１１１ｃに切換可能に連通する、電磁式の開閉弁Ｖ２９が設けられている。
　前記開閉弁Ｖ１２、Ｖ２９、開閉弁Ｖ１３、Ｖ１５、Ｖ１６、Ｖ２１～Ｖ２８は、図示しないコントローラと電気的に接続されており、このコントローラからの制御信号に基づいて、切換動作や開閉動作が行われるようになっている。なお、バッファタンク１０３にはバッファタンク６１と同様に、上限液面センサ１０３ａ及び下限液面センサ１０３ｂが設けられており、これら上限液面センサ１０３ａ及び下限液面センサ１０３ｂによって検知された信号が図示しないコントローラに伝達されるように形成されている。
　次に、液処理ユニットの動作態様について、説明する。
　・バッファタンクへのレジスト液供給
　まず、レジスト容器１０２をセットした後、図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、第３の気体供給管路１１０ａに設けられた切換弁Ｖ９と第３の処理液供給管路１１１ａに設けられた開閉弁Ｖ１５が開放し、窒素ガス供給源１０１からレジスト容器１０２内に供給される窒素ガスの加圧によってレジスト液Ｌをバッファタンク１０３内に供給する。このとき、開閉弁Ｖ１２は大気部１０６側に切り換えられており、バッファタンク１０３内は大気に連通されている。レジスト容器１０２から供給されたレジスト液Ｌが第３の処理液供給管路１１１ａを介してバッファタンク１０３に供給（補充）される際、レジスト液Ｌはバッファタンク１０３内の気体（大気）と接触することで、レジスト液Ｌの大気接触面積の増大により、レジスト液Ｌ中に溶存するガスを顕在化して、気泡が発生又は発生しやすくする。
　・レジスト液の循環
　次に、第４の処理液供給管路１１１ｂと戻り管路１１１ｃとを介して行われるレジスト液Ｌの循環について説明する。バッファタンク１０３内に所定量のレジスト液Ｌが供給（補充）されると、上限液面センサ１０３ａからの検知信号を受けた図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、開閉弁Ｖ１５が閉じると共に開閉弁Ｖ１６が開く。
　レジスト液Ｌを循環する際には、ポンプＰ１、Ｐ２が交互に駆動することによって、バッファタンク１０３に貯留されているレジスト液Ｌがフィルタ装置１０４を介して戻り管路１１１ｃに流れ込む。また、戻り管路１１１ｃに流れ込んだレジスト液Ｌは、バッファタンク１０３に流れ込む。従って、第４の処理液供給管路１１１ｂと戻り管路１１１ｃとの間でレジスト液Ｌが循環され、フィルタ装置１０４を通過することによりパーティクルや気泡を除去したレジスト液Ｌが、バッファタンク１０３に貯留される。
　・レジスト液の窒素ガス加圧―レジスト容器供給
　バッファタンク１０３からレジスト容器６０へのレジスト液Ｌへの供給について説明する。バッファタンク１０３からレジスト容器６０にレジスト液Ｌを供給する場合には、図示しないコントローラからの制御信号に基づいて、切換弁Ｖ９、開閉弁Ｖ１５が閉じると共に開閉弁Ｖ１３が開き、開閉弁Ｖ１３が窒素ガス供給源１０１側に切り換わる。これにより、窒素ガス供給源１０１から窒素ガスがバッファタンク１０３内に供給される一方、第４の処理液供給管路１１１ｂの開閉弁Ｖ８、Ｖ１６が開かれ、ポンプＰ１、Ｐ２が駆動することで、レジスト液Ｌがフィルタ装置１０４、レジスト容器６０に供給される。このとき、フィルタ装置１０４中に溶存する気泡はドレイン管路１１２ａ～１１２ｄを介して大気部１０７に排出される。また、レジスト容器６０に供給されたレジスト液Ｌは、第１の実施形態で上述したように、レジスト液Ｌが処理液供給ノズル７ａからウエハＷに吐出（供給）され、又はレジスト液Ｌが供給管路５１と循環管路５５との間を循環する。
　このように、第４の処理液供給管路１１１ｂに４個のフィルタ装置１０４ａ～１０４ｄが設けられる構成を有しているため、バッファタンク１０３に貯留されているレジスト液Ｌを濾過する時間は、１個のフィルタ装置のみを用いた場合の４分の１となる。そのため、レジスト液Ｌの循環によるレジスト液Ｌ内のパーティクルや気泡の除去に要する時間を短縮することができる。
　＜その他の実施形態＞
　なお、前記実施形態では、この発明に係る処理液供給装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト以外の処理液例えば現像液等の供給装置や洗浄処理の供給装置にも適用可能である。
　また、第１実施形態に第２実施形態から第１０実施形態の少なくとも一つを組み込んだ形態とすることも可能である。これにより、レジスト液Ｌを無駄に消費することなくレジスト液Ｌ中のパーティクルの増加を重畳的に防止することができる。
５　液処理装置
７、７ａ～７ｄ　処理液供給ノズル
５１　供給管路
５１ａ　第１の処理液供給管路
５１ｂ　第２の処理液供給管路
５２ａ　フィルタ装置
５３　第１のトラップタンク
５４　第２のトラップタンク
５５　循環管路
５６　循環制御弁
５７　供給制御弁
５８　振動体
５９ａ　温度センサ
５９ｂ　温調器
６０　レジスト容器
６１　バッファタンク
７１　ダイヤフラム
７２　ポンプ室
７３　作動室
８０　脱気機構
８１　容器
８２　半透膜チューブ
８３　流入用ポート
８４　流出用ポート
８５　排気用ポート
８６　排出管
２００　コントローラ
Ｌ　レジスト液
Ｐ　ポンプ
Ｖ６　第３の開閉弁
Ｖ３１、Ｖ３２　開閉弁
Ｖ３３　吸入側の開閉弁
Ｖ３４　第１の開閉弁０
Ｖ３５　第２の開閉弁
Ｖ３６　給排切換弁
Ｖ４ａ、Ｖ５ａ　開閉弁
Ｗ　ウエハ

Claims (16)

  1. 被処理基板に処理液を供給する複数の処理液供給ノズルのうちの一つの処理液供給ノズルに接続される液処理装置であって、
    前記処理液を貯留する処理液貯留容器と前記一つの処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
    前記供給管路に設けられ、前記処理液を濾過すると共に、前記処理液中に混入している異物を除去するフィルタ装置と、
    前記フィルタ装置の二次側の前記供給管路に設けられたポンプと、
    前記ポンプの吐出側と前記フィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、
    前記ポンプの二次側の前記供給管路に設けられた供給制御弁と、
    前記循環管路に設けられた循環制御弁と、
    前記供給制御弁を閉じることで前記一つの処理液供給ノズルから前記被処理基板への処理液の供給が停止している際に、前記循環制御弁を開き、前記ポンプを駆動して、前記フィルタ装置を有する前記供給管路と前記循環管路との間で前記処理液が循環されるように、
    前記ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御装置と、
    を有する。
  2. 請求項１記載の液処理装置において、
    前記循環管路は前記ポンプの二次側の前記供給管路と前記フィルタ装置の一次側の前記供給管路とを接続している。
  3. 請求項１記載の液処理装置において、
    前記フィルタ装置の一次側の前記供給管路に設けられ、前記処理液の一部を貯留する処理液一時貯留容器を具備し、
    前記循環管路は前記ポンプの二次側の前記供給管路と前記処理液一時貯留容器とを接続している。
  4. 請求項１記載の液処理装置において、
    前記フィルタ装置と前記ポンプとの間の前記供給管路に設けられ、前記処理液中に存在する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを具備し、
    前記循環管路は前記ポンプの吐出口と前記フィルタ装置の一次側の前記供給管路とを接続している。
  5. 請求項１記載の液処理装置において、
    前記フィルタ装置と前記ポンプとの間の前記供給管路に設けられ、前記処理液中に存在する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを具備し、
    前記循環管路は、前記トラップタンクと前記ポンプを接続する第１循環管路と、前記トラップタンクと前記フィルタ装置の一次側の供給管路とを接続する第２循環管路とからなる。
  6. 請求項５記載の液処理装置において、
    前記ポンプは、ポンプ部分と駆動部分を区画するダイヤフラムを、駆動手段の駆動により往復駆動させるダイヤフラムポンプによって構成され、
    前記ダイヤフラムポンプの吸入側に、前記ポンプ部分への前記処理液の流入を選択的に可能にする吸入側の開閉弁を設け、
    前記ダイヤフラムポンプの吐出側に、前記一つの処理液供給ノズルへの前記処理液の供給を選択的に可能にする第１の開閉弁、及び前記循環管路への前記処理液の供給を選択的に可能にする第２の開閉弁を設け、さらに前記トラップタンクで分離された気泡を、ドレイン管を介して外部に排出することを選択的に可能にする切換弁を設け、
    前記第２循環管路に前記循環制御弁を設けると共に前記フィルタ装置の一次側であって前記第２循環管路と前記供給管路との接続部の二次側の前記供給管路に、第３の開閉弁を設け、
    前記第１の開閉弁、第２の開閉弁、吸入側の開閉弁及び循環制御弁を閉じた状態で、前記駆動手段の駆動により前記ポンプ部分を負圧にすることで、前記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化し、
    前記吸入側の開閉弁、第１の開閉弁、第３の開閉弁及び切換弁を閉じ、前記第２の開閉弁、循環制御弁を開くことで、顕在化された気泡を前記トラップタンクに移動させ、
    前記第１の開閉弁、第２の開閉弁及び循環制御弁を閉じ、前記吸入側の開閉弁、第３の開閉弁及び切換弁を開くことで前記トラップタンク内の気泡をドレイン管を介して外部に排出する。
  7. 請求項６記載の液処理装置において、
    前記第１の開閉弁、第２の開閉弁、第３の開閉弁、切換弁及び循環制御弁を閉じ、前記吸入側の開閉弁を開いた状態で、前記駆動手段の駆動により前記ポンプ部分を負圧にすることで、前記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化する。
  8. 請求項１に記載の液処理装置において、
    前記制御装置による前記処理液の循環は、所定の間隔で行なわれる。
  9. 請求項１に記載の液処理装置において、
    前記処理液を循環させる前記供給管路又は前記循環管路の少なくとも一の管路に、前記処理液中の気体を脱気する脱気機構が設けられる。
  10. 請求項１に記載の液処理装置において、
    前記フィルタ装置内の処理液に振動を与える振動体を有する。
  11. 請求項１に記載の液処理装置において、
    前記フィルタ装置内の処理液の温度を検出する温度センサと、
    前記温度センサからの信号に基づいて前記フィルタ装置内の処理液の温度を制御する温度制御装置と、を有する。
  12. 請求項１に記載の液処理装置において、
    前記フィルタ装置は前記供給管路に複数設けられている。
  13. 液処理装置を用いた液処理方法であって、
    前記液処理装置は、
    処理液を貯留する処理液貯留容器と被処理基板に前記処理液を供給する処理液供給ノズルとを接続する供給管路と、
    前記供給管路に設けられ、前記処理液を濾過すると共に、前記処理液中に混入している異物を除去するフィルタ装置と、
    前記フィルタ装置の二次側の前記供給管路に設けられたポンプと、
    前記ポンプの吐出側と前記フィルタ装置の吸入側とを接続する循環管路と、
    前記ポンプの二次側の前記供給管路に設けられた供給制御弁と、
    前記循環管路に設けられた循環制御弁と、
    前記ポンプ、供給制御弁及び循環制御弁を制御する制御装置とを具備し、
    前記液処理方法は、
    前記供給制御弁を開くと共に前記循環制御弁を閉じ、前記ポンプを駆動させることで前記被処理基板に前記処理液を供給する処理液供給工程と、
    前記処理液供給工程を行わない時に前記供給制御弁を閉じると共に前記循環制御弁を開き、前記ポンプを駆動させることで前記循環管路と前記供給管路との間で前記処理液を循環させる循環工程と、を有する。
  14. 請求項１３に記載の液処理方法において、
    前記循環工程で処理液を循環する前記循環管路若しくは前記供給管路に、前記処理液中の気体を脱気する脱気機構が設けられ、
    前記循環工程は前記脱気機構による処理液中の気体の脱気を行う脱気工程を含む。
  15. 請求項１３に記載の液処理方法において、
    前記ポンプは、ポンプ部分と駆動部分を区画するダイヤフラムを、駆動手段の駆動により往復駆動させるダイヤフラムポンプによって構成され、
    前記循環管路は、トラップタンクと前記ポンプを接続する第１循環管路と、前記トラップタンクと前記フィルタ装置の一次側の供給管路とを接続する第２循環管路とからなり、
    前記ダイヤフラムポンプの吸入側に、前記ポンプ部分への前記処理液の流入を選択的に可能にする吸入側の開閉弁を設け、
    前記ダイヤフラムポンプの吐出側に、前記処理液供給ノズルへの前記処理液の供給を選択的に可能にする第１の開閉弁、及び前記循環管路への前記処理液の供給を選択的に可能にする第２の開閉弁を設け、さらに前記トラップタンクで分離された気泡を、ドレイン管を介して外部に排出することを選択的に可能にする切換弁を設け、
    前記第２循環管路に前記循環制御弁を設けると共に前記フィルタ装置の一次側であって前記第２循環管路と前記供給管路との接続部の二次側の前記供給管路に第３の開閉弁を設け、
    前記第１の開閉弁、第２の開閉弁、吸入側の開閉弁、切換弁及び循環制御弁を閉じた状態で、前記駆動手段の駆動により前記ポンプ部分を負圧にすることで、前記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化する気泡顕在化工程と、
    該気泡顕在化工程の後、吸入側の開閉弁、前記第１の開閉弁、第３の開閉弁を閉じ、前記第２の開閉弁、循環制御弁を開いた状態で、顕在化された気泡を前記トラップタンクに移動させる気泡移動工程と、
    前記第１の開閉弁、第２の開閉弁及び循環制御弁を閉じ、前記吸入側の開閉弁、第３の開閉弁及び切換弁を開くことで前記トラップタンク内の気泡をドレイン管を介して外部に排出する脱気工程と、を備え、
    前記気泡顕在化工程、気泡移動工程及び前記脱気工程は、前記処理液供給工程の終了後前記循環工程の開始前に行われる。
  16. 請求項１５に記載の液処理方法において、
    前記気泡顕在化工程は、前記第１の開閉弁、第２の開閉弁、第３の開閉弁、切換弁及び循環制御弁を閉じ、前記吸入側の開閉弁を開いた状態で、前記駆動手段の駆動により前記ポンプ部分を負圧にすることで、前記処理液中に存在する微細な気泡を顕在化する工程である。
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