CN105580108B - 过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加热装置以及处理液供给路径的预处理方法 - Google Patents

过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加热装置以及处理液供给路径的预处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105580108B
CN105580108B CN201480053266.0A CN201480053266A CN105580108B CN 105580108 B CN105580108 B CN 105580108B CN 201480053266 A CN201480053266 A CN 201480053266A CN 105580108 B CN105580108 B CN 105580108B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solvent
treatment fluid
pretreatment
filter unit
feed path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480053266.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105580108A (zh
Inventor
吉田勇
吉田勇一
内藤亮郎
内藤亮一郎
A·A·J·道恩多弗
高柳康治
宫崎忍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN105580108A publication Critical patent/CN105580108A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105580108B publication Critical patent/CN105580108B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D37/00—Processes of filtration
    • B01D37/02—Precoating the filter medium; Addition of filter aids to the liquid being filtered
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/18—Heating or cooling the filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

在一实施方式中，进行以下工序：在将新的过滤器单元(3)安装到处理液供给装置之后，在使包含溶剂的处理液流动之前，利用预处理用的溶剂浸渍过滤器单元，之后排出该溶剂。过滤器单元中的过滤器部(31)的构成材料相对于该溶剂的溶解度比该结构材料相对于处理液的溶解度高。利用该工序，在处理液流到过滤器单元之前，能够将从过滤器部溶出到处理液中并有可能成为异物(颗粒)的成分从过滤器单元除去。

Description

过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加 热装置以及处理液供给路径的预处理方法
技术领域
本发明涉及一种为了防止产生有可能包含在处理液中的异物而对处理液供给路径和设置于处理液供给路径的过滤器单元进行预处理的技术，该处理液含有用于对被处理体进行液处理的溶剂。
背景技术
在半导体制造工艺之中，存在将处理液供给到基板上来进行液处理的工序。这样的液处理工序是通过将从处理液罐经由供给路径输送来的处理液从喷嘴喷出到基板上来进行的。为了除去处理液罐内的处理液所包含的异物或者源自配管、供给设备的异物，而在处理液供给路径中设置有过滤器单元。
但是，如果在装置安装时或者维护时，将新的过滤器单元安装到了配管后立刻开始处理，过滤器单元的过滤性能(从过滤器流出的液体的清洁度)就不稳定，不能进行正常的处理。因此，在过滤器单元安装之后，进行以下预处理直至过滤器单元的过滤性能稳定：反复进行虚拟分配，或是使溶剂长时间循环等。另外，即使在新过滤器单元的处理开始之后，过滤器单元的过滤性能降低，也还是需要虚拟分配等作业。
但是，如果执行这样的处理，则溶剂的消耗量增加或者基板液处理前的等待时间变长，导致生产率降低。通过发明人的研究发现，由于处理液中的溶剂使树脂从过滤器单元的过滤器部溶出是过滤器单元的过滤性能不稳定的原因之一，另外，通过发明人的研究也发现，由源自该溶出物的异物导致在基板上产生缺陷是过滤器单元的过滤性能不稳定的原因之一。在由于图案的微细化使得对异物缺陷的容许级别变得严格的最近情况下，存在不能无视来自该过滤器部的溶出物的问题。
另外，在安装新的抗蚀液供给装置时，或者抗蚀液供给装置所使用的抗蚀液的种类发生改变时，推荐对抗蚀液供给路径内进行清洗。因此，例如进行以下处理：将纯水装满配管内并放置规定时间。然而，该清洗处理需要较长时间，另外，清洗液的使用量也较多。另外，伴随着电路图案的复杂化，也要求通过除去附着在配管内、供给设备等的液体接触部位的有机物来提高抗蚀液的清洁度，以排除成品率下降的主要因素。
在专利文献1中，记载了在基板处理装置中使过滤器部的温度变化而使异物相对于过滤器部的吸附降低的方法，但是所要解决的问题与以下公开的技术不同。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特开2013-30690号公报
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种如下技术：在将包含溶剂的处理液经由设置于处理液供给路径的过滤器单元向被处理体供给并执行液处理的过程中，能够抑制由过滤器单元引起的被处理体的污染，并且能够缩短由过滤器单元的预处理引起的等待时间。
本发明的另一个目的在于提供一种如下技术：在将处理液向被处理体供给并执行液处理的过程中，能够在利用处理液供给路径的预处理抑制由处理液供给路径内的有机物引起的被处理体的污染的同时，迅速执行预处理。
用于解决问题的方案
采用本发明的一个技术方案，提供一种过滤器单元的预处理方法，在该过滤器单元的预处理方法中，为了除去包含在处理液中的异物而对设置于处理液供给路径的过滤器单元进行预处理，该处理液含有用于对被处理体进行液处理的溶剂，该过滤器单元的预处理方法的特征在于，包含将过滤器部浸渍于预处理用的溶剂的工序，构成所述过滤器单元的过滤器部的树脂相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述树脂相对于所述处理液所使用的溶剂的溶解度高。
采用本发明的另一技术方案，提供一种处理液供给装置，液处理用的处理液供给装置是将包含用于对被处理体进行液处理的溶剂的处理液向被处理体供给的处理液供给装置，其特征在于，该处理液供给装置具有：处理液供给路径，其一端侧设置有用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部，其另一端侧与处理液供给源连接；过滤器单元，其为了除去处理液中的异物而设置于所述处理液供给路径，并具有由树脂构成的过滤器部；预处理机构，其形成将所述过滤器部浸渍在预处理用的溶剂的状态，构成所述过滤器单元的过滤器部的树脂相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述树脂相对于所述处理液所使用的溶剂的溶解度高。
“包含溶剂的处理液”包括处理液100％由溶剂构成的情况和由溶剂与涂覆膜成分等其他成分的混合物构成处理液的情况这两种情况。
采用本发明的又一技术方案，提供一种过滤器单元的加热装置，该过滤器单元的加热装置为了除去包含在处理液中的异物而对设置于处理液供给路径的过滤器单元进行加热，该处理液含有用于对被处理体进行液处理的溶剂，其特征在于，该过滤器单元的加热装置具有收纳该过滤器单元的主体和用于对该主体进行加热的加热部，所述加热部具有：第1收纳部，其用于收纳第1反应物质；第2收纳部，其用于收纳通过与所述第1反应物质接触而产生发热反应的第2反应物质且与所述第1收纳部隔离开；隔离解除部，其用于解除第1反应物质和第2反应物质之间的隔离状态而使两者接触。
采用本发明的又一技术方案，提供一种处理液供给路径的预处理方法，在该处理液供给路径的预处理方法中，为了除去由包含在处理液中的有机物形成的异物而对处理液供给路径进行预处理，该处理液含有用于对被处理体进行液处理的溶剂，其特征在于，该处理液供给路径的预处理方法具有：将预处理用的溶剂向处理液供给路径供给的工序；以及之后，将所述预处理用的溶剂从处理液供给路径排出的工序，所述有机物相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述有机物相对于所述处理液所包含的溶剂的溶解度高。
采用本发明的又一技术方案，提供一种处理液供给装置，其用于将包含用于对被处理体进行液处理的溶剂的处理液向被处理体供给，其特征在于，该处理液供给装置具有：处理液供给路径，其一端侧设置有用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部，其另一端侧与处理液供给源连接；预处理机构，其用于将预处理用的溶剂向处理液供给路径的内部供给，有机物相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述有机物相对于所述处理液所包含的溶剂的溶解度高。
采用上述技术方案中的几个技术方案，因为在液处理时可能从构成过滤器部的树脂溶出的成分在液处理之前就被积极地溶出，即使处理液长时间滞留于过滤器单元，也能够抑制所述树脂溶出到处理液中，所以例如能够直接开始接下来的液处理。另外，能够缩短在将新的过滤器单元安装到了处理液供给路径之后紧接着进行的预处理的时间。
采用上述技术方案中的其他几个技术方案，能够利用预处理用的溶剂以较高的除去率将附着于预处理供给路径的有机物除去，而且能够以较短时间进行预处理。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的溶剂供给装置的配管图。
图2是表示在第1实施方式中被预处理的过滤器单元和相关的机构部分的一例的局部纵剖视图。
图3是表示在第1实施方式中被预处理的过滤器单元和相关的机构部分的一例的纵剖视图。
图4是表示所述溶剂供给装置的运转方法的流程图。
图5是表示超高分子聚乙烯和高密度聚乙烯的分子量分布的图表。
图6是表示本发明的第2实施方式所使用的进行过滤器单元的预处理的装置的一个形态的配管图。
图7是表示第2实施方式所使用的预处理装置的主要部件的一例的纵剖视图。
图8是表示第2实施方式所使用的预处理装置的主要部件的其他一例的纵剖视图。
图9是表示本发明的第3实施方式的溶剂供给装置的配管图。
图10是用于说明汉森溶解度参数的图。
图11是用于说明聚乙烯相对于各溶剂的溶解度的图表。
图12是表示本发明的第4实施方式所使用的过滤器单元的预处理装置的概略图。
图13是表示本发明的第5实施方式的溶剂供给装置的配管图。
图14是表示本发明的第6实施方式的溶剂供给装置的配管图。
图15是表示本发明的第7实施方式的溶剂供给装置的配管图。
图16是表示评价试验的结果的图表。
图17是表示评价试验的结果的图表。
图18是表示评价试验的结果的图表。
图19是表示评价试验的结果的图表。
具体实施方式
(第1实施方式)
图1是表示作为本发明的处理液供给装置的实施方式之一的溶剂供给装置的整个配管系统的图。该溶剂供给装置从上游侧依次将包含溶剂瓶的溶剂供给源21、液体端罐23、过滤器单元3、第1收集器24、泵25、第2收集器26、分配阀27、喷嘴13配置在例如作为配管的溶剂供给路径1。附图标记V11～V25是阀，附图标记10是液处理部。过滤器单元3是用于除去溶剂中的异物(颗粒)的装置，第1收集器24、第2收集器26是用于除去溶剂中的气泡的装置。在该例子中，溶剂相当于处理液。
液处理部10具有：旋转卡盘11，其用于保持被处理体例如晶圆W；杯组件12，其设置在旋转卡盘11的周围。来自喷嘴13的溶剂例如供给到晶圆W的旋转中心，并扩散到整个晶圆W表面，由此利用溶剂将晶圆W的整个表面湿润。例如利用未图示的其他喷嘴将抗蚀液供给到被供给了溶剂的晶圆W，并利用旋涂法形成抗蚀膜。在该例子中，为了使抗蚀液在晶圆W上均匀地扩散，在作为预先湿润晶圆W的液处理的预湿工序中使用溶剂。图1所示的溶剂供给装置具有：机构部分2，其用于进行湿润处理，在该湿润处理中，使溶剂渗入新安装的过滤器单元3内的过滤器部31来形成不使气泡残留在过滤器部31内的状态；机构部分4，其用于进行使构成过滤器部31的树脂的一部分强制地溶解的预处理。
首先，简单说明用于进行湿润处理的机构部分2。该机构部分2具有：收集罐28，其底部借助阀V18与过滤器部31的通气口333连接；收集罐29，其底部借助阀V19与连接于过滤器部31的流出口332的供给路径的分支路径连接；排气路径201、202，其与这些收集罐28、29各自的上表面连接。收集罐28、29的底部分别与排液路径203、204连接。
如下那样进行湿润处理。首先，在关闭各阀的状态下，将处于干燥状态的过滤器单元3安装于溶剂供给路径1。然后，打开阀V11、V12、V14、V18、V21，将从溶剂供给源21经由液体端罐23、过滤器单元3、收集罐28并到达排液路径的路径开放，利用N2对溶剂供给源21内进行加压以送出溶剂，并且利用溶剂将过滤器单元3内充满。接着，关闭阀V18，打开阀V19、V22，利用N2对溶剂供给源21内进行加压以使溶剂从过滤器单元3向收集罐29流通。接着，打开阀V23、V24，从收集罐28、29的排气路径201、202进行排气。由此，减少过滤器单元3内部的压力，使溶入到过滤器单元3内部的溶剂的气体变成气泡而溶出到溶剂中。通过打开阀V15、V20，将包含了该气泡的溶剂收集到第1收集器24，并从排液路径205将该溶剂排出。接着，打开阀V16、V17、V25，将溶剂储存在第2收集器26之后，打开分配阀27，驱动泵25，由此进行溶剂(处理液)从喷嘴13向液处理部10的供给。
接着，与过滤器单元3的结构一起说明用于进行预处理的机构部分4。如图2和图3所示，将过滤器单元3的除去上部的部位嵌合到有底筒状的发热覆盖体41之中。过滤器单元3由过滤器部31、外壳体32以及内壳体34构成。过滤器部31是例如通过将片材弯折成折皱状之后卷成筒状而构成的，该片材是在由超高分子量聚乙烯(UPE)构成的面状的过滤器主体部分的两个面上粘贴由高密度聚乙烯(HDPE)构成的网状的支承材料而构成的。内壳体34具有同心的外筒和内筒，在这些外筒和内筒上分别开设有多个通液口。将卷成筒状的上述片材(过滤器部31)嵌入这些外筒和内筒之间的环状空间内。在外壳体32的上部存在用于将该外壳体32的内部和外部连接的三个端口(流入口331、流出口332、通气口333)。在外壳体32和内壳体34之间的圆周面上设置有通流口，该通流口供溶剂流通。以包围外壳体32的下部的方式设置发热覆盖体41。
发热覆盖体41由导热性良好的材料例如铝构成，其内部形成为空心。发热覆盖体41的内部例如成为被由聚乙烯构成的面状的密封体42分割而成的两层结构，分别在上层(第1收纳部)43例如储存水(H2O)，在下层(第2收纳部)44例如储存氧化钙(CaO)。所储存的物质的组合只要是能够利用上层43的物质和下层44的物质的反应所产生的发热有效进行后述的预处理且不使溶剂沸腾，那么并不限于H2O和CaO。将用于刺破密封体42的例如针状的破封刀45从发热覆盖体41的上方突入到内部。在破封刀45上部嵌入有止挡件46，用于防止在非必要时破封刀45刺破密封体42。
利用控制部100控制上述溶剂供给装置。控制部100由CPU、主存储器以及总线等构成，利用编入有命令(各步骤)的程序以执行各部位的控制且进行规定的处理的方式进行控制。该程序存储在计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)等存储部并安装到主存储器中。在这里，在安装到主存储器的程序中也包含用于控制旋转卡盘11、N2气体供给源22、阀V11～V25以及过滤器单元3等的程序，该程序被读入到CPU中来控制所述各部。
接着，参照图4所示的流程图说明上述实施方式的作用。在将嵌入到发热覆盖体41的新的过滤器单元3与溶剂供给路径1连接之后，如已描述的那样进行过滤器部31的湿润处理，使溶剂渗透过滤器部31，形成在过滤器部31内没有气泡残留的状态(步骤S1)。湿润处理可以是操作员使用构成控制部100的一部分的操作面板手动进行阀的操作，也可以将编入有湿润处理的序列的程序预先储存在控制部100的存储器内并执行该程序。
接着，进行预处理(溶解处理)，在该预处理中，从构成过滤器单元3的过滤器部31的树脂使能够溶出到溶剂中的成分积极地溶出。具体而言，操作员拆下止挡件46，并将破封刀45向内部压入，刺破密封体42，从而使H2O层43和CaO层44发生反应，而使发热覆盖体41发热(步骤S2)。由此，过滤器单元3例如被加热到60℃，在被加热的状态下例如将过滤器单元3放置两个小时(步骤S3)。接着，打开与通气口333连通的阀V18，利用溶剂清洗过滤器单元3内(步骤S4)。清洗完成后，再打开与流出口332连通的阀V19，再次利用溶剂清洗过滤器单元3内(步骤S5)。
然后，将过滤器单元3内的溶剂从流出口332排出(步骤S6)。将从步骤S4到步骤S6的一系列步骤反复规定次数例如反复两次。到该反复动作结束为止，过滤器单元3处于被加热到上述的60℃的状态。这样一来，在预处理结束之后，将作为处理液的新的溶剂从溶剂供给源21注入到溶剂供给路径1(步骤S7)，从而处于用于进行液处理的待机状态。另外，在上述形态下，虽然过滤器单元3的加热温度为60℃，但是加热温度并不限于此，只要是在常温23℃以上且不使过滤器部31变质的温度范围之中即可。
在上述预处理结束之后，可以在将发热覆盖体41安装在过滤器单元3上的状态下进行之后的工序，或者也可以将发热覆盖体41从过滤器单元3上拆下来。以在所述预处理中发热所需时间的方式调整发热覆盖体41的H2O和CaO的充填量，在该情况下，在预处理结束之后，过滤器单元3的温度降到气氛温度。因此，在对基板的液处理不受溶剂的温度的影响的情况下，在预处理结束之后，也可以不拆下发热覆盖体41而接着利用溶剂进行液处理。但是，在利用溶剂或者之后的溶剂对基板的液处理受到溶剂的温度影响的情况下，希望在预处理之后从过滤器单元3拆下发热覆盖体41，而进行液处理用的溶剂的温度控制(例如升温)。无论在何种情况下，在上述预处理结束之后，都使用溶剂供给装置对晶圆W进行液处理。作为液处理，例如利用泵部25进行加压，从而将溶剂例如以每次0.1mL喷出到晶圆W上，并且利用旋涂法进行溶剂向晶圆W的涂覆。
说明上述的溶剂供给装置的运转方法所带来的效果。如上所述，过滤器单元3的过滤器部31由过滤器主体部分和支承材料构成，该过滤器主体部分由UPE构成，该支承材料由从过滤器主体部分的两个面支承过滤器主体部分的HDPE构成。图5表示UPE和HDPE的分子量分布。由图5可知，UPE的分子量的峰值为450万左右，HDPE的分子量的峰值为10万左右，两者的分子量的分布几乎不重叠。
对于在使溶剂滞留在过滤器单元3中时液体中的颗粒增大这样的已描述过的问题，推测其原因如下：在构成过滤器部31的支承材料的HDPE的成分之中的、在图5中由虚线的四边形围住的部分、即作为HDPE的低分子成分的低密度聚乙烯溶出到溶剂中。因此，在本发明的实施方式中，在将过滤器单元3安装于溶剂供给路径1之际，使加热了的溶剂与过滤器部31接触。加热了的溶剂相当于预处理用的溶剂，并且作为除去对象的树脂相对于该加热了的溶剂的溶解度比相对于液处理所使用的溶剂的溶解度大，因此，在进行为了液处理的运转之前能够使过滤器部31的低分子量成分积极地溶出。
因此，即使液处理用的溶剂(处理液)长时间滞留在过滤器单元中，也能够抑制所述树脂溶出到该溶剂中。在本实施方式中，通过对供给到过滤器单元3内的溶剂进行加热，而使低密度聚乙烯溶出到加热了的溶剂中。即、发热覆盖体41能够称为针对聚乙烯的强制溶解机构。另外，在上述实施方式中，虽然过滤器单元3的加热是在使溶剂通过了过滤器单元3之后才开始的，但是也可以先开始过滤器单元3的加热，之后进行过滤器单元3的通液。另外，如后述第2实施方式所示那样，也可以利用加热带等对过滤器单元3的配管进行预热。
(第2实施方式)
第2实施方式涉及针对安装到处理液供给装置之前的新的过滤器部3使用图6所示的专用预处理装置5进行已描述的预处理。在预处理装置5中，将溶剂供给路径501突入到储存了溶剂的瓶21a，并将过滤器单元3的流入口331与溶剂供给路径50连接。在将溶剂排出路径503与过滤器单元3的流出口332连接的同时，将通风管502与过滤器单元3的通气口333连接。另外，通风管502和溶剂排出路径503合流而形成溶剂排出路径504。附图标记V12、V51、V52是阀，附图标记21a是溶剂供给源，附图标记22a是N2气体供给源。过滤器单元3被浸渍在液槽51内，液槽51内被利用加热器53加热了的温水充满。
图6是表示将过滤器单元3安装在了预处理装置5的状态。首先，新的过滤器单元3例如安装于图1所示的溶剂供给装置(不使用发热覆盖体41)的溶剂供给路径1，并如上述那样实施湿润处理。之后，将过滤器单元3安装于预处理装置5并浸渍在液槽51中，通过将过滤器单元3放置规定时间来对过滤器单元3内的溶剂进行加热。然后，在打开阀V12和V51且关闭阀V52的状态下，通过从N2气体供给源22a加压输送N2气体而将溶剂从瓶21a加压输送到过滤器单元3，并且打开通气口333并对过滤器单元3内进行清洗。之后，在关闭阀V51且打开阀V52的状态下，通过从N2气体供给源22a加压输送N2气体而将溶剂加压输送到过滤器单元3，并且使溶剂从流出口332喷出并对过滤器单元3内进行清洗。然后，将过滤器单元3内的溶剂排出。这些工序反复进行恒定次数例如两次，最后将新的溶剂注入过滤器单元3内。图7是表示用于将过滤器单元3浸渍在液槽51中的升降机构52、54。
完成了上述的预处理的过滤器单元3被从预处理装置5取出，并再次安装于第1实施方式的溶剂供给装置的溶剂供给路径1，之后对晶圆W进行液处理。第2实施方式的方法对于在例如处理液供给装置中需要避免火、高温的情况是有效的，另外对于在针对过滤器单元3的预处理中需要控制温度、时间的情况也是有利的。另外，在对过滤器单元3进行加热时，为了防止由于未被加热的溶剂流入过滤器单元3内而导致过滤器单元3内的温度降低所引起的溶出物凝固并再沉淀的现象，也可以如图8所示，将配管501(过滤器单元3的上游侧的配管)的一部分浸渍于液槽51。另外，也可以代替将配管501浸渍于液槽51的做法，利用加热带等对配管501进行加热，由此对流入过滤器单元3的溶剂进行加热以防止溶出物的再沉淀。
(第3实施方式)
参照图9，说明本发明的处理液供给装置的第3实施方式的溶剂供给装置。对于与第1实施方式的溶剂供给装置相同的结构要素，标注相同的附图标记而省略说明。对于该第3实施方式的溶剂供给装置中的比阀V14靠下游侧的结构，除了未设置具有发热覆盖体41的机构部分4以外，与第1实施方式的溶剂供给装置的结构相同。在设有过滤器单元3的溶剂供给路径105的比阀V14靠上游侧的部分，借助切换阀V26将溶剂供给路径105分支成两条分支路径(101+102；103+104)。在一条分支路径上从上游侧依次设置有N2气体供给源22、第1溶剂供给源21以及液体端罐23。在另一条分支路径上从上游侧依次设置有N2气体供给源62、第2溶剂供给源61以及液体端罐63。
接着，说明第3实施方式的溶剂供给装置的运转方法。在溶剂供给装置安装时或者维护时，将新的过滤器单元3安装于溶剂供给装置。将切换阀V26切换为瓶61侧，并按照第1实施方式所说明的顺序使用第2溶剂进行湿润处理。针对湿润处理完成的过滤器单元3，继续利用第2溶剂进行预处理。在第3实施方式不存在第1实施方式所使用的发热覆盖体41，因此，在未对过滤器单元3进行加热就进行该预处理的方面与第1实施方式不同。
预处理完成之后，针对晶圆W进行液处理。具体而言，将切换阀V26切换为瓶21侧，通过从N2气体供给源22将N2气体加压输送到瓶21内，将第1溶剂从第1溶剂供给源21供给到溶剂供给路径1a内。然后，利用由泵部25进行的加压使第1溶剂从喷嘴13喷出到晶圆W上，并且利用旋涂法在晶圆W上形成液膜。在该第3实施方式中，第1溶剂是液处理用的溶剂即处理液。
接着，说明能够在该第3实施方式中使用的第2溶剂的种类。第2溶剂是预处理用的溶剂，是聚乙烯(构成过滤器部)相对于该第2溶剂的溶解度比聚乙烯相对于第1溶剂的溶解度高那样的溶剂。作为表示溶剂的性质的指标之一，公知有汉森溶解度参数(HSP)。HSP是利用由图10所示那样的色散项dD、偶极项(极性项)dP以及氢键项dH构成的多维矢量(合成矢量200)来规定物质彼此的(例如某种物质相对于溶剂的)溶解性。色散项与源自分子间的范德华力的能量对应，偶极项与源自分子间的极性力的能量对应，氢键项与源自分子间的氢键力的能量对应。如果物质(溶剂)的分子结构被确定，则各项的数值被唯一地决定。
图11是表示各溶媒的汉森溶解度参数中的偶极项的大小和氢键项的大小与聚乙烯的偶极项的大小和氢键项的大小之间差值的图表。对于各项而言，差值越接近0，则越与聚乙烯性质类似，因此，越是描绘在接近图表的原点的位置的溶媒，聚乙烯相对于该溶媒的溶解度越高。在本发明的实施方式中，处理液并不限于溶剂(溶剂100％的处理液)，也可以是抗蚀液。作为抗蚀液所包含的溶媒(第1溶剂)，例如使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)、或者这两种的混合溶媒。这些溶媒相当于“液处理用的处理液所包含的溶剂”。比这些溶媒更好地溶解聚乙烯的溶剂、即在图11中比PGMEA、PGME的位置接近原点的溶剂，例如萘烷、环己酮、正丁基胺能够用作该第3实施方式中的第2溶剂。
在该第3实施方式中，将以下溶剂用作预处理用的溶剂，构成过滤器单元的过滤器部的树脂在这里是聚乙烯相对于该溶剂的溶解度比该树脂在这里是聚乙烯相对于在对被处理体进行液处理时所使用的“液处理用的处理液所包含的溶剂”的溶解度高。在第1和第2实施方式中，使用加热了的液处理用的溶剂作为预处理用的溶剂。与此相对，在第3实施方式中，将在相同温度下比液处理用的处理液所包含的溶剂更好地对溶解对象物进行溶解、且将与该溶剂不同种类的溶剂用作预处理用的溶剂。即、第2溶剂供给机构可以称为关于聚乙烯的强制溶解机构。
(第4实施方式)
也可以使用图12所示的使用了超声波的预处理装置来代替第1～第3实施方式的预处理装置或者与这些实施方式组合起来。图12中的附图标记7是第4实施方式中的使用了超声波的预处理装置，容器72是用于收纳过滤器单元3的容器，在该容器72内充满有作为超声波传播介质的液体例如水。附图标记81是超声波产生部。过滤器单元3内部的低分子成分在从超声波产生部81施加的超声波的作用下被溶解在溶剂中。通过对液处理用的溶剂施加超声波，使得低分子量成分的溶解度变大。即、在该第4实施方式中，被施加了超声波的溶剂相当于预处理用的溶剂。在该第4实施方式中，也一边施加超声波一边按照例如图4所示的流程进行预处理。在该第4实施方式中，也能够获得与上述实施方式相同的效果。预处理装置7可以被组装到上述溶剂供给装置，另外也可以是独立于溶剂供给装置的单独的装置。
另外，在上述实施方式中，使过滤器部积极地溶出到预处理用的溶剂，但也可以由难以溶出到溶剂的材质构成过滤器单元3的过滤器部31。例如也可以由相对于有机溶剂难溶且是水溶性的物质例如硅树脂构成过滤器部31的支承构件。
处理液并不限于成分的100％是溶剂的处理液，例如也可以是将抗蚀膜或者绝缘膜的前体等涂覆膜构成成分溶解于溶剂而成的处理液。在该情况下，作为溶解了抗蚀膜、绝缘膜的前体的溶媒的溶剂相当于处理液所包含的溶剂。而且，在上述实施方式中，预处理所使用的溶剂的成分的100％是溶剂，但是并不限于此，例如也可以是具有与包含溶剂的处理液相同成分的被加热了的液体。作为具体例，在抗蚀液供给装置中，将过滤器部31浸渍在温度比液处理时(将抗蚀液向晶圆W供给时)的抗蚀液的温度高的抗蚀液的情况也相当于将过滤器部31浸渍于预处理用的溶剂的工序。
(第5实施方式)
图13是表示作为本发明的处理液供给装置的第5实施方式的抗蚀液供给装置的图。在图1的实施方式中，溶剂供给源21和液体端罐23的结构是用于供给作为处理液的溶剂的结构。与此相对，在图13的实施方式中，利用与图1相同的附图标记来表示溶剂供给源和液体端罐，但是从这些构件供给来的溶剂不是液处理用的溶剂，而是预处理用的溶剂、即用于对配管内进行清洗的溶剂。对于作为处理液的抗蚀液的供给源(抗蚀液瓶)和液体端罐(缓冲罐)，分别标注附图标记301和303。附图标记302表示N2气体供给源，附图标记V301～V304表示阀。另外，抗蚀液供给路径的结构与第1～第4实施方式中的溶剂供给路径1的结构相同，所以为了说明方便而利用相同的附图标记1来表示。
第5实施方式涉及一种利用溶剂清洗并除去作为异物的有机物的结构，该异物附着在作为抗蚀液供给路径1的配管内、阀等供给设备零件的液体接触部位。在第5实施方式中，未设置在第1实施方式中所设置的用于覆盖过滤器单元3的发热覆盖体41。将加热套71安装于液体端罐23，将温度检测部T设置在液体端罐23内部。控制部100具有用于实施在在后述的作用的说明中所述的由溶剂进行的清洗处理的程序，该程序为了实施后述的作用而编入步骤组。在以后所述的实施方式的装置中，设置有相同的控制部100。
接下来说明第5实施方式的作用。抗蚀液供给路径1的清洗例如在将新的抗蚀液供给装置安装到液处理装置时或者将抗蚀液更换为种类不同的抗蚀液时等进行。首先，在将设在抗蚀液供给源301和缓冲罐303之间的阀V302关闭的状态下，利用从溶剂供给源21输送出来的溶剂充满液体端罐23、缓冲罐303以及缓冲罐303的下游侧的抗蚀液供给路径1内。接着，利用加热套71对液体端罐23的内部的溶剂进行加热。加热目标液温(设定温度)是能够溶解附着在后述的抗蚀液供给路径1内的有机物的温度，并且是不使过滤器单元3变质的温度。更详细而言，溶剂的设定温度只要是即使在到溶剂到达喷嘴13为止的期间内溶剂与配管接触而被冷却、也能够维持有机物溶解的状态那样的温度即可。设定温度例如是60℃～100℃，作为一例是70℃。
在液体端罐23的内部的溶剂达到设定温度之后，打开阀V14、V15、V16、V18、V21、V23，对泵25内进行减压，并且将加热了的溶剂从液体端罐23的内部经由抗蚀液供给路径1向泵25内抽吸。然后，在使溶剂在泵25内滞留恒定时间例如10秒之后，打开阀V25和分配阀27，通过对泵25进行加压，使溶剂从喷嘴13喷出。在将泵25内的溶剂喷出之后，再次关闭所有的阀。
接着，将利用温度检测部T检测出的溶剂的温度与设定温度相比，在溶剂的温度处于自设定温度起的恒定的范围内的情况下，再次进行溶剂向泵25内的吸入以及溶剂从喷嘴13的喷出。在溶剂的温度下降到超出自设定温度起的所述恒定范围的情况下，再次进行溶剂的加热直至溶剂的温度到达设定温度。然后，在溶剂达到设定温度的时刻再次进行溶剂向的泵25内的吸入以及溶剂从喷嘴13的喷出。
上述的加热了的溶剂的向泵25内的吸入步骤以及从喷嘴13的喷出步骤，分别例如反复进行100次直至例如为配管容积的液体的两倍的量的溶剂从喷嘴13喷出。另外，为了防止在液体端罐23处于空的状态下进行加热，可以在泵25的吸入的时刻打开阀V12，将适量的溶剂从溶剂供给源21向液体端罐23的内部补充。
在上述抗蚀液供给路径1的清洗处理结束之后，在抗蚀液供给装置中利用抗蚀液进行液处理，首先，例如关闭阀V303，将抗蚀液供给路径1内部的溶剂排出。接着，打开阀V30、V302以及V304，从抗蚀液供给源301向抗蚀液供给路径1内供给抗蚀液。然后，通过利用泵25进行加压，将缓冲罐303内的抗蚀液例如以每次0.1mL喷出到晶圆W上，并利用旋涂法实施溶剂向晶圆W的涂覆。
说明由上述溶剂供给装置进行的运转的效果。在该第5实施方式中，在将抗蚀液向晶圆W上供给的运转之前，利用液体端罐23对溶剂进行加热，并将加热了的溶剂供给到抗蚀液供给路径1内部。抗蚀液是使抗蚀成分溶解在溶剂中而成的，在将抗蚀液供给到晶圆W并进行液处理(抗蚀膜的成膜处理)时的抗蚀液的温度是常温。有机物相对于加热了的溶剂的溶解度比有机物相对于液处理时使用的溶剂的溶解度大。另外，通过对溶剂进行加热而使溶剂相对于有机物的亲和性变大，因此，溶剂容易进入配管的内壁或者阀等零件的液体接触部位与附着在其上的有机物之间。而且，有机物自身有时也被加热并软化。因此，有机物易于溶解并从配管的内壁等剥离，所以能够以较短时间进行抗蚀液供给路径1内的清洗，另外也减少溶剂的消耗量。采用该第5实施方式，在使用抗蚀液进行液处理时之前，利用溶剂能够减少附着在抗蚀液供给路径1内的有机物的量。
在上述第5实施方式中，溶剂的加热是利用安装于液体端罐23的加热套71来进行的。然而，也可以利用加热带代替加热套71对液体端罐23进行加热。另外，也可以用调温水对液体端罐23整体进行加温。这些情况也能够获得相同的效果。
(第6实施方式)
图14是表示作为本发明的处理液供给装置的第6实施方式的溶剂供给装置的整个配管系统的图。在第6实施方式(后述的第7实施方式同样)中，对于与第5实施方式相同的结构要件，标注相同的附图标记而省略说明。第6实施方式与第5实施方式的差异在于：代替将加热套71安装于液体端罐23的做法，利用加热带82覆盖从溶剂供给源21连通到喷嘴13的配管表面，并且，将温度检测部T设置在例如分配阀27紧前方的配管表面。
在第6实施方式中，利用加热带82将抗蚀液供给路径1的内部的溶剂加热到设定温度。然后，与第5实施方式同样，将利用泵25吸引溶剂的步骤和在恒定时间之后将溶剂从泵25经由喷嘴13喷出的步骤反复进行规定次数。这样一来，通过使加热了的溶剂在抗蚀液供给路径1内部流通，能够获得与第5实施方式相同的效果。
(第7实施方式)
图15是表示本发明的第7实施方式的整个配管系统的图。该第7实施方式与第5实施方式的差异在于，代替加热套71，在过滤器单元3上安装第1实施方式所使用的发热覆盖体41，并且，设置有在分配阀27的紧前方的上游侧从抗蚀液供给路径1分支且借助阀V73使溶剂返回液体端罐23的分支路径73。在该第7实施方式中，温度检测部T例如设置在过滤器单元3的紧后方的下游侧。
接着说明第7实施方式的作用。首先，在将设在抗蚀液供给源301和缓冲罐303之间的阀V302关闭的状态下，在包含液体端罐23、缓冲罐303以及缓冲罐303的下游侧的过滤器单元3的抗蚀液供给路径1内，充满溶剂供给源21内的溶剂。接着，利用发热覆盖体41对过滤器单元3的内部的溶剂进行加热。
在过滤器单元3的内部的溶剂达到设定温度之后，打开阀V14、V15、V16、V18、V21、V23，并对泵25内进行减压，将加热了的溶剂从液体端罐23的内部经由抗蚀液供给路径1抽吸到泵25内。然后，在将溶剂滞留在泵25内恒定时间之后，通过打开阀V17、V73来对泵25加压，从而使溶剂回到液体端罐23。在喷出泵25内的溶剂之后，关闭阀V17、V73。上述加热了的溶剂向泵25内吸入的步骤和从泵25向液体端罐23返回的步骤可以反复进行，直到例如配管容积的两倍的量的液体在由液体端罐23、抗蚀液供给路径1以及分支路径73构成的循环路径中循环。
在第7实施方式中，在抗蚀液供给路径1内部利用过滤器单元3对溶剂进行加热，并且将加热了的溶剂经由分支路径73返回液体端罐23而进行再利用，因此，溶剂的温度很难降低。另外，能够减少溶剂的消耗量。
在第7实施方式中，通过在过滤器单元3上设置发热覆盖体41并对过滤器单元3进行加热，可以对在抗蚀液供给路径1内流通的溶剂进行加热和保温。然而，在抗蚀液供给路径1中，对溶剂进行加热的部位并不限于过滤器单元3。例如，既可以对液体端罐23或者泵25进行加热，也可以对构成抗蚀液供给路径1的配管的特定长度范围进行局部加热。
从上述第5实施方式到第7实施方式的各装置结构能够彼此组合。例如，能够将第5实施方式的具有加热套71的液体端罐23和第6实施方式的利用加热带82覆盖了的抗蚀液供给路径1进行组合。利用这样的组合，在利用液体端罐23对溶剂进行加热的基础上，能够一边利用加热带82防止溶剂的温度降低，一边使溶剂流通到喷嘴13。
另外，也可以将从上述第5实施方式到第7实施方式的各装置结构与从第1实施方式到第4实施方式的过滤器单元3的清洗组合。例如，也可以是，通过将加热了的溶剂从液体端罐供给到抗蚀液供给路径1，从抗蚀液供给路径1内部排出有机物，之后，将用于使过滤器单元3内的成为颗粒的原因的树脂溶解的溶剂供给到抗蚀液供给路径1，而进行过滤器单元3的清洗。另外，也可以是，将第1实施方式的发热覆盖体41等加热部安装于过滤器单元3，利用该加热部进行溶剂等的加热，从而进行对抗蚀液供给路径1和过滤器单元3的清洗。
在从第5实施方式到第7实施方式中，处理液供给装置是抗蚀液供给装置，但是例如如第1实施方式所示，处理液供给装置也可以是在将抗蚀液向晶圆W供给之前利用溶剂对晶圆W的表面进行预湿的溶剂供给装置。在该情况下，在溶剂供给路径的比用于供给作为处理液的预湿用的溶剂的处理用的溶剂供给源(溶剂罐)21靠下游侧的部分中，能够采用从第5实施方式到第7实施方式所记载的结构，另外，也能够采用与从第5实施方式到第7实施方式所记载的预处理的方法相同的预处理的方法。另外，也可以采用这样的结构：使自用于供给清洗专用的被加热了的溶剂的溶剂供给源的配管在处理用的溶剂供给源(溶剂罐)21(参照图1)的下游侧与溶剂供给路径1合流。在该情况下，在进行溶剂供给路径1(处理液供给路径)的清洗处理时，例如通过切换阀将溶剂供给路径1的连接源头从处理用的溶剂供给源21切换到用于供给被加热了的溶剂的清洗用的溶剂供给源。
实施例
针对用于评价本发明的评价试验和用于确认本发明的效果的比较试验进行描述。
A.关于过滤器通液后的溶剂滞留和颗粒数量之间的相关性的评价试验
(评价试验A)
使用具有从上述第1实施方式的溶剂供给装置(1)省略了发热覆盖体(41)的结构的液处理装置，在安装了新的过滤器单元之后进行了如下那样的试验。首先，首日在23℃将1加仑(约3.8L)稀释剂(OK73稀释剂，注册商标，东京应化工业社制造)导入溶剂供给装置内来除去气泡(参照上述的湿润处理)。接着，使0.5L(升)的溶剂从溶剂瓶(21)流入到溶剂供给路径(1)(通过从喷嘴(13)进行的虚拟分配废弃该0.5L的液体。)，之后，将溶剂从喷嘴(13)喷出3mL，并向旋转的晶圆W的中心部供给。之后，对残留在该晶圆W上的颗粒的数量进行了计数。再然后，与上述同样，在使0.5L(累计量1L)的溶剂从溶剂瓶流入溶剂供给路径之后，与上述同样，将3mL溶剂供给到晶圆W，并且对残留在晶圆上W的颗粒的数量进行了计数。之后，在使累计量为1.5L、4.0L、8.0L的溶剂分别流入溶剂供给路径(1)之后，同样将3mL溶剂供给到晶圆W，并对残留在晶圆上W的颗粒的数量进行了计数。在首日(第1天)进行了以上的一系列的试验之后，在使溶剂滞留在溶剂供给路径(1)内的状态下进行放置。
第2天，将1加仑新的溶剂导入溶剂供给路径(1)内以对溶剂供给路径内进行清洗，之后，将3mL溶剂从喷嘴(13)喷出到晶圆W，并对残留在晶圆W上的颗粒的数量进行了计数。之后，在使溶剂滞留在过滤器单元(3)内的状态下放置一个小时。之后，从喷嘴(13)向旋转的晶圆W的中心喷出3mL溶剂，并对残留在晶圆W上的颗粒的数量进行了计数。在第2天执行了以上的一系列的试验之后，在使溶剂滞留在溶剂供给路径(1)内的状态下进行放置。而且，在第3天、第30天、第75天以及第150天分别执行与第2天相同的试验。另外，在该试验和其他的试验中，只将直径28nm以上的粒子作为计数对象的颗粒。
在图16中将评价试验A的结构作为图表来表示。根据图表所表示出的结果能够确认以下现象：在第2天、第3天、第30天、第75天以及第150天中的任一天中，在使稀释剂滞留在装置内之后，稀释剂中的颗粒的数都增加。第2天中的滞留后的颗粒数的増加率(滞留1h后/刚通液后)最大。观察到即使从向装置安装新的过滤器单元之后经过了数个月、滞留后颗粒的数量也增加的现象。
B.关于过滤器部预处理和颗粒数量之间的相关性的评价试验1
(评价试验B)
进行用于评价由上述第2实施方式进行的预处理的效果的试验。使用与图6所示的第2实施方式的预处理装置相同的预处理装置(5)，按照与第2实施方式所说明的顺序相同的顺序在60℃进行了过滤器单元(3)的预处理。将预处理完成的过滤器单元(3)安装到溶剂供给装置的溶剂供给路径。使两加仑与评价试验A所使用的稀释剂相同的稀释剂流向溶剂供给路径(1)以清洗溶剂供给路径(1)，紧接着将3mL稀释剂喷出到旋转的晶圆W上，之后对残留在晶圆W上的颗粒的数量进行了计数。之后，在使稀释剂滞留在溶剂供给路径(1)内的状态下放置一小时，之后将3mL稀释剂喷出到旋转的晶圆W上，之后对残留在晶圆W上的颗粒的数量进行了计数。在进行了以上的试验之后，在使溶剂滞留在溶剂供给路径(1)内的状态下进行放置。在第2天，将1加仑新的溶剂导入溶剂供给路径(1)以对溶剂供给路径内进行清洗，之后，将3mL溶剂从喷嘴(13)喷出到晶圆W，并且对残留在晶圆W上的颗粒的数量进行了计数。之后，在稀释剂滞留在溶剂供给路径(1)内的状态下放置一小时，之后将3mL稀释剂喷出到旋转的晶圆W上，之后对残留在晶圆W的颗粒的数量进行了计数。在第3天、第7天也按照与第2天相同的顺序进行稀释剂的喷出以及颗粒的数量的计数。而且作为比较例，将未进行预处理的过滤器单元(3)安装于溶剂供给装置的溶剂供给路径(1)，按照与上述相同的顺序向晶圆W喷出稀释剂并且测量颗粒的数量。比较例的试验只在第1天进行。
在图17中将评价试验B的结果作为图表来表示。作为对照，在左端表示未进行预处理的过滤器单元的结果。根据图表所表示的结果可知，在针对过滤器单元进行了预处理的情况下，与未进行预处理的情况相比，能够抑制在使稀释剂滞留在装置内之后的颗粒的数量的增加是显而易见的。另外，在第3天和第7天中，观察到在滞留之后颗粒的数量小幅增加。考虑该颗粒数量的増加的原因如下：与第1天、第2天相比，整个过滤器单元浸渍于稀释剂的浸渍度变高，而导致颗粒的物质自未浸渍于稀释剂的部分溶出到稀释剂中。
C.关于过滤器部预处理和颗粒数量之间的相关性的评价试验2
(评价试验C)
分别针对过滤器部由UPE构成的过滤器单元以及过滤器部由尼龙构成的过滤器单元，使用与预处理装置5相同的预处理装置，进行了用于评价预处理中的加温效果的试验。具体而言，对于各种过滤器单元，准备同批次的多个过滤器，并且将这些多个过滤器分为两组，针对其中一组实施与评价试验B相同的伴随着加温的预处理，针对另外一组进行没有伴随着加温的预处理作为对照。与评价试验B同样，使两加仑的与评价试验A所使用的稀释剂相同的稀释剂流向溶剂供给路径(1)以对溶剂供给路径(1)进行清洗，紧接着将3mL稀释剂喷出到旋转的晶圆W上，之后对残留在晶圆W上的颗粒的数量进行计数。之后，在使稀释剂滞留在溶剂供给路径(1)内的状态下放置16个小时，之后将3mL稀释剂喷出到旋转的晶圆W上，之后对残留在晶圆W的颗粒的数量进行了计数。
在图18、图19中，将评价试验C的结果作为图表来表示。在预处理中伴随着加温时的结果表示在右侧，在预处理中没有伴随着加温时的结果表示在左侧作为对照。图18表示从过滤器部由UPE构成的过滤器单元排出的颗粒的数量，图19表示从过滤器部由尼龙构成的过滤器单元排出的颗粒的数量。从两个图表能够确认的是，通过进行在进行预处理时的加温，与没有进行加温的情况相比，能够抑制在使稀释剂滞留之后的颗粒的数量的增加。如果对图18和图19所表示的颗粒的数量进行分散分析，能够确认显著性差异(日文：有意差)。由此，可以说本发明的对过滤器单元进行的预处理能够抑制由于使稀释剂滞留在过滤器单元内而颗粒的数量增加的现象。

Claims (13)

1.一种过滤器单元的预处理方法，在该过滤器单元的预处理方法中，为了除去包含在处理液中的异物而对设置于处理液供给路径的过滤器单元进行预处理，该处理液含有用于对被处理体进行液处理的溶剂，其特征在于，
该过滤器单元的预处理方法包含将过滤器部浸渍于预处理用的溶剂的工序，
构成所述过滤器单元的过滤器部的树脂相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述树脂相对于所述处理液所使用的溶剂的溶解度高，
所述预处理用的溶剂是与所述处理液所包含的溶剂不同种类的溶剂。
2.根据权利要求1所述的过滤器单元的预处理方法，其特征在于，
将过滤器部浸渍于所述预处理用的溶剂的工序包含将存在于过滤器单元内的预处理用的溶剂置换为新的预处理用的溶剂的工序。
3.根据权利要求1所述的过滤器单元的预处理方法，其特征在于，
所述预处理用的溶剂是被加热了的溶剂。
4.根据权利要求3所述的过滤器单元的预处理方法，其特征在于，
该过滤器单元的预处理方法包含在将所述预处理用的溶剂导入所述过滤器单元之前对所述预处理用的溶剂进行预热的工序。
5.根据权利要求1所述的过滤器单元的预处理方法，其特征在于，
该过滤器单元的预处理方法包含对所述预处理用的溶剂施加超声波的工序。
6.一种处理液供给装置，该处理液供给装置是将包含用于对被处理体进行液处理的溶剂的处理液向被处理体供给的处理液供给装置，其特征在于，
该处理液供给装置具有：
处理液供给路径，其一端侧设置有用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部，其另一端侧与处理液供给源连接；
过滤器单元，其为了除去处理液中的异物而设置于所述处理液供给路径，并具有由树脂构成的过滤器部；
预处理机构，其形成将所述过滤器部浸渍在预处理用的溶剂的状态，
构成所述过滤器单元的过滤器部的树脂相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述树脂相对于所述处理液所包含的溶剂的溶解度高，
所述预处理机构包含用于对所述过滤器部进行加热的加热机构，
所述加热机构具有收纳有过滤器单元的主体和用于对该主体进行加热的加热部，所述加热部具有：第1收纳部，其用于收纳第1反应物质；第2收纳部，其用于收纳通过与所述第1反应物质接触而产生发热反应的第2反应物质且与所述第1收纳部隔离开；隔离解除部，其用于解除第1反应物质和第2反应物质之间的隔离状态而使两者接触。
7.根据权利要求6所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述预处理机构包含在将预处理用的溶剂导入所述过滤器单元之前对预处理用的溶剂进行预热的加热机构。
8.根据权利要求6所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述预处理机构包含用于对过滤器部施加超声波的超声波震荡部。
9.一种处理液供给装置，该处理液供给装置是将包含用于对被处理体进行液处理的溶剂的处理液向被处理体供给的处理液供给装置，其特征在于，
该处理液供给装置具有：
处理液供给路径，其一端侧设置有用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部，其另一端侧与处理液供给源连接；
过滤器单元，其为了除去处理液中的异物而设置于所述处理液供给路径，并具有由树脂构成的过滤器部；
预处理机构，其形成将所述过滤器部浸渍在预处理用的溶剂的状态，
构成所述过滤器单元的过滤器部的树脂相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述树脂相对于所述处理液所包含的溶剂的溶解度高，
所述预处理机构具有：预处理用的溶剂供给源，其用于供给与所述处理液所包含的溶剂不同种类的预处理用的溶剂；流路切换机构，其用于在将处理液从所述处理液供给源向所述过滤器部供给的处理液供给路径和将溶剂从所述预处理用的溶剂供给源向所述过滤器部供给的溶剂供给路径之间切换。
10.根据权利要求9所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述预处理机构包含用于对过滤器部施加超声波的超声波震荡部。
11.根据权利要求9所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述预处理机构包含在将预处理用的溶剂导入所述过滤器单元之前对预处理用的溶剂进行预热的加热机构。
12.一种处理液供给路径的预处理方法，在该处理液供给路径的预处理方法中，为了除去由包含在处理液中的有机物形成的异物而对处理液供给路径进行预处理，该处理液含有用于对被处理体进行液处理的溶剂，其特征在于，
该处理液供给路径的预处理方法具有：
将预处理用的溶剂向处理液供给路径供给的工序；以及
之后，将所述预处理用的溶剂从处理液供给路径排出的工序，
所述有机物相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述有机物相对于所述处理液所包含的溶剂的溶解度高，
将所述预处理用的溶剂向处理液供给路径供给的工序包含将存在于处理液供给路径内部的预处理用的溶剂置换为新的预处理用的溶剂的工序，
所述预处理用的溶剂是被加热了的溶剂。
13.一种处理液供给装置，其用于将包含用于对被处理体进行液处理的溶剂的处理液向被处理体供给，其特征在于，
该处理液供给装置具有：
处理液供给路径，其一端侧设置有用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部，其另一端侧与处理液供给源连接；
预处理机构，其用于将预处理用的溶剂向处理液供给路径的内部供给，
有机物相对于所述预处理用的溶剂的溶解度比所述有机物相对于所述处理液所包含的溶剂的溶解度高，
所述预处理机构包含用于对所述处理液供给路径进行加热的加热机构，
所述预处理机构包含用于将加热了的溶剂向所述处理液供给路径的内部供给的溶剂供给机构。
CN201480053266.0A 2013-09-27 2014-09-26 过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加热装置以及处理液供给路径的预处理方法 Active CN105580108B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013201867 2013-09-27
JP2013-201867 2013-09-27
JP2014020640A JP6107690B2 (ja) 2013-09-27 2014-02-05 フィルタユニットの前処理方法、処理液供給装置、フィルタユニットの加熱装置
JP2014-020640 2014-02-05
PCT/JP2014/075692 WO2015046455A1 (ja) 2013-09-27 2014-09-26 フィルタユニットの前処理方法、処理液供給装置、フィルタユニットの加熱装置及び処理液供給路の前処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105580108A CN105580108A (zh) 2016-05-11
CN105580108B true CN105580108B (zh) 2018-03-06

Family

ID=52743580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480053266.0A Active CN105580108B (zh) 2013-09-27 2014-09-26 过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加热装置以及处理液供给路径的预处理方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10493387B2 (zh)
JP (1) JP6107690B2 (zh)
KR (1) KR102217821B1 (zh)
CN (1) CN105580108B (zh)
TW (2) TWI576159B (zh)
WO (1) WO2015046455A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170296952A1 (en) * 2014-05-19 2017-10-19 Mycropore Corporation Ltd. Method for pre-wetting pp filter for filtering slurry and pp filter package
JP6445382B2 (ja) * 2015-04-24 2018-12-26 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用塗布膜形成用組成物の製造方法及びパターン形成方法
JP6607820B2 (ja) * 2016-04-12 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 フィルタ立ち上げ装置、処理液供給装置、治具ユニット、フィルタの立ち上げ方法
US10525416B2 (en) * 2017-05-16 2020-01-07 Tokyo Electron Limited Method of liquid filter wetting
JP6984431B2 (ja) * 2018-01-19 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 流路洗浄方法及び流路洗浄装置
KR102452090B1 (ko) * 2018-03-26 2022-10-07 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
KR102463218B1 (ko) * 2018-03-30 2022-11-04 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 필터 유닛
JP6837037B2 (ja) * 2018-09-14 2021-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理装置、処理システム、および処理方法
TW202135914A (zh) * 2020-02-05 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 過濾器洗淨系統及過濾器洗淨方法
CN112657786A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 滁州卷烟材料厂 一种瓦楞纸储胶方法
KR20240006780A (ko) 2022-07-07 2024-01-16 (주)코사플러스 마모방지 구조를 통한 고내구성 공압 밸브개폐기

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002058922A (ja) * 2000-08-22 2002-02-26 Unitica Fibers Ltd 濾 材
JP2003053244A (ja) * 2001-08-17 2003-02-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2012111139A1 (ja) * 2011-02-18 2012-08-23 オルガノ株式会社 フィルターの清浄化方法、及び被処理体の洗浄または乾燥方法
JP2012167384A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd 印刷用塗工紙
WO2013129252A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0584402A (ja) * 1991-09-27 1993-04-06 Hitachi Ltd Ｈｆ薬液中重金属除去フイルタの製造方法
JPH09299767A (ja) * 1996-05-13 1997-11-25 Nkk Corp 水処理装置のフィルタモジュール洗浄方法及びその装置
JPH10172881A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Sony Corp フォトレジスト塗布装置
JPH11226387A (ja) * 1998-02-13 1999-08-24 Karasawa Fine:Kk 流体による処理方法および装置
JP2003059884A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US6861371B2 (en) * 2001-11-05 2005-03-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
JP4637476B2 (ja) * 2002-12-19 2011-02-23 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物の製造方法
KR100621765B1 (ko) * 2004-01-20 2006-09-08 삼성전자주식회사 반도체 소자에서의 박막 형성방법 및 그에 따른 박막형성장치
JP3884440B2 (ja) * 2004-03-15 2007-02-21 株式会社東芝 フィルタおよび半導体処理装置
JP4806401B2 (ja) * 2004-06-07 2011-11-02 ナトリックス セパレイションズ インコーポレーテッド 支持型多孔質ゲルを含む安定な複合材料
JP5043050B2 (ja) * 2009-01-26 2012-10-10 東洋濾紙株式会社 液体濾過用カートリッジフィルター
JP6026087B2 (ja) 2011-07-29 2016-11-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、フィルタ洗浄方法、およびフィルタ洗浄装置
US9656197B2 (en) * 2012-11-12 2017-05-23 Pall Corporation Systems and methods for conditioning a filter assembly

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002058922A (ja) * 2000-08-22 2002-02-26 Unitica Fibers Ltd 濾 材
JP2003053244A (ja) * 2001-08-17 2003-02-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012167384A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd 印刷用塗工紙
WO2012111139A1 (ja) * 2011-02-18 2012-08-23 オルガノ株式会社 フィルターの清浄化方法、及び被処理体の洗浄または乾燥方法
WO2013129252A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201713414A (zh) 2017-04-16
KR102217821B1 (ko) 2021-02-18
JP6107690B2 (ja) 2017-04-05
TWI576159B (zh) 2017-04-01
TWI613008B (zh) 2018-02-01
US10974181B2 (en) 2021-04-13
CN105580108A (zh) 2016-05-11
TW201526994A (zh) 2015-07-16
US20160236124A1 (en) 2016-08-18
KR20160064107A (ko) 2016-06-07
JP2015088719A (ja) 2015-05-07
US20200016521A1 (en) 2020-01-16
US10493387B2 (en) 2019-12-03
WO2015046455A1 (ja) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105580108B (zh) 过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加热装置以及处理液供给路径的预处理方法
CN101563169B (zh) 用于喷涂系统的流体供应装置及其供应方法和向表面喷涂油漆的应用
US5593091A (en) Dual solution application system
JPH0734882B2 (ja) 吹付け塗装器
CN209139317U (zh) 一种改进的清洗除锈一体机
KR102055960B1 (ko) 웨이퍼-형상 물체의 액체 처리를 위한 장치 및 방법
CN100366332C (zh) 高压处理装置和高压处理方法
CN107264039A (zh) 一种打印设备及喷头的清洗控制方法
TW200306224A (en) Chemical supply apparatus
CN106925492B (zh) 涂布液回收装置及涂布系统
CN104971522B (zh) 一种半导体处理系统中流体除气泡装置及其除气泡方法
JP2010221176A (ja) 被洗浄物の洗浄方法および洗浄システム
JP6308267B2 (ja) 処理液供給路の前処理方法及び処理液供給装置
CN205851200U (zh) 一种涂料喷枪的自动清洗装置
CN105170040B (zh) 一种生产臭氧化油的反应装器
WO1989004727A1 (en) Method and apparatus for preventing coating of nozzle
CN212916181U (zh) 一种试剂瓶清洗枪
CN104056831B (zh) 用来处理容器的装置和方法
CN108914109A (zh) 一种pvc喷胶工艺的磷化处理装置
CN210435007U (zh) 一种w/o型膏霜乳化锅的清洗装置
CN104608494B (zh) 一种喷墨打印机的维护方法及维护系统
CN108855663A (zh) 一种离子液体掺混高压二氧化碳作混合溶剂的涂料喷涂系统及方法
JP7395691B1 (ja) 付着物除去装置および付着物除去方法ならびにスラリ回収装置
CN207793429U (zh) 一种汽车喷涂前处理用磷化机构
JP2676333B2 (ja) ノズルの皮張り防止方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant