WO2010098139A9 - 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 - Google Patents

弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 Download PDF

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    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14594—Plan-rotated or plan-tilted transducers

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave resonator and a surface acoustic wave oscillator equipped with the same, and more particularly to a surface acoustic wave resonator of a type in which a groove is provided on a substrate surface, and a surface acoustic wave oscillator equipped with the same.
  • the change in frequency temperature characteristics includes the formation of a stop band of SAW, a cut angle of a piezoelectric substrate (for example, a quartz substrate), and an IDT (interdigital transducer).
  • SAW surface acoustic wave
  • the change in frequency temperature characteristics includes the formation of a stop band of SAW, a cut angle of a piezoelectric substrate (for example, a quartz substrate), and an IDT (interdigital transducer). The influence of the form etc. is great.
  • Patent Document 1 discloses a configuration for exciting each of the upper end mode and the lower end mode of the SAW stop band, and the distribution of each standing wave in the upper end mode and the lower end mode of the stop band.
  • Patent Documents 2 to 5 describe that the frequency temperature characteristic is better in the upper end mode of the stop band in SAW than in the lower end mode of the stop band.
  • the cut angle of the quartz substrate is adjusted and the normalized film thickness (H / ⁇ ) of the electrode is set. It is described that the thickness is increased to about 0.1.
  • Patent Document 4 describes that in a SAW device using Rayleigh waves, the cut angle of the quartz substrate is adjusted and the standardized film thickness (H / ⁇ ) of the electrode is increased by about 0.045 or more. Yes.
  • Patent Literature 5 uses a rotation Y-cut X-propagation quartz crystal substrate and uses the resonance at the upper end of the stop band to improve the frequency-temperature characteristics as compared with the case of using the resonance at the lower end of the stop band. Are listed.
  • Patent Document 6 and Non-Patent Document 1 in a SAW device using an ST cut quartz substrate, a groove is provided between electrode fingers constituting the IDT and between conductor strips constituting the reflector. Are listed. Non-Patent Document 1 describes that the frequency temperature characteristic changes depending on the depth of the groove.
  • Patent Document 7 describes a configuration for making a curve indicating frequency temperature characteristics a cubic curve in a SAW device using an LST cut quartz substrate, and in a SAW device using a Rayleigh wave. It is described that a substrate having a cut angle having a temperature characteristic as shown by a cubic curve could not be found.
  • Patent Document 1 JP 11-214958 A
  • Patent Document 2 JP 2006-148622
  • Patent Document 3 JP 2007-208771
  • Patent Document 4 JP 2007-267033
  • Patent Document 5 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-100959
  • Patent Document 6 Japanese Patent Laid-Open No. 57-5418
  • Patent Document 7 Japanese Patent No. 3851336
  • Manufacturing conditions and characteristics of groove type SAW resonator ( IEICE Technical Report MW82-59 (1982))
  • the problems in providing a surface acoustic wave resonator and a surface acoustic wave oscillator in the present invention are, first, to realize a good frequency temperature characteristic, secondly to improve environmental resistance characteristics, and thirdly to a high Q value. Is to get.
  • the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.
  • ⁇ is the wavelength of G and the depth of the inter-electrode finger groove is G
  • the line occupancy of the IDT is ⁇ , the depth G of the inter-electrode finger groove and the line occupancy ⁇
  • the resonance frequency shift between individuals is suppressed within the correction range. be able to.
  • the surface acoustic wave resonator having such characteristics, it is possible to realize a good frequency temperature characteristic within the operating temperature range. Moreover, according to having such a characteristic, it becomes possible to suppress degradation of the environmental resistance characteristics accompanying the increase in the electrode film thickness.
  • Application Example 4 The surface acoustic wave resonator according to Application Example 3, wherein the line occupancy ⁇ is A surface acoustic wave resonator characterized by satisfying the following relationship: By defining ⁇ so as to satisfy the formula (8) within the range of the electrode film thickness in Application Example 3, it becomes possible to keep the secondary temperature coefficient within approximately ⁇ 0.01 ppm / ° C. 2 .
  • a surface acoustic wave resonator By manufacturing a surface acoustic wave resonator using a quartz substrate cut with a cut angle having such characteristics, a surface acoustic wave resonator exhibiting good frequency temperature characteristics in a wide range can be obtained.
  • Application Example 7 The surface acoustic wave resonator according to any one of Application Examples 1 to 6, wherein the frequency of the stop band upper end mode in the IDT is ft2, and the IDT is the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the frequency of the stop band lower end mode in the reflector arranged so as to be sandwiched between fr1 is fr1
  • the frequency of the stop band upper end mode of the reflector is fr2
  • of the reflector increases at the frequency ft2 of the IDT stopband upper end mode, and the stopband upper end mode surface acoustic wave excited from the IDT is generated in the reflector. Therefore, it is reflected to the IDT side with a high reflection coefficient. And the energy confinement of the surface acoustic wave of the stop band upper end mode becomes strong, and a surface acoustic wave resonator having a low loss can be realized.
  • Application Example 9 A surface acoustic wave oscillator comprising the surface acoustic wave resonator according to any one of Application Examples 1 to 8, and an IC for driving the IDT.
  • Application Example 10 Electronic equipment comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 1 or Application Example 2.
  • Application Example 11 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 3.
  • Application Example 12 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 4.
  • Application Example 13 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 5.
  • Application Example 14 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 6.
  • Application Example 15 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 7.
  • Application Example 16 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave resonator according to Application Example 8.
  • Application Example 17 An electronic apparatus comprising the surface acoustic wave oscillator according to Application Example 9.
  • G is 3% ⁇
  • (F) is the groove depth G is 4% ⁇
  • (G) is the groove depth G is 5% ⁇
  • (H) is the groove depth G is 6% ⁇
  • (I) is the groove. It is a graph in case the depth G is 8% ⁇ . It is a graph which shows the relationship between the depth of the electrode finger groove
  • FIG. 7 is a diagram showing a range where
  • FIG. 6 is a diagram showing a range where
  • A) shows the case of ⁇ 1
  • (B) shows the case of ⁇ 2.
  • FIG. 6 is a diagram showing a range where
  • A) shows the case of ⁇ 1, and (B) shows the case of ⁇ 2.
  • FIG. 6 is a diagram showing a range where
  • FIG. 10 is a diagram showing a range where
  • FIG. 10 is a diagram showing a range where
  • FIG. 10 is a diagram showing
  • 6 is a diagram showing a range where
  • the range of the electrode film thickness H is 0.010 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.015 ⁇ , it is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • the range of the electrode film thickness H is 0.015 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.020 ⁇ , it is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • the range of the electrode film thickness H is 0.025 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.030 ⁇ , it is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • the range of the electrode film thickness H is 0.030 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.035 ⁇ , it is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • (A) Are the maximum and minimum values of ⁇
  • (B) is a graph showing the region of ⁇ that satisfies the requirement of ⁇ . It is a graph which shows the relationship between Euler angle (theta) and secondary temperature coefficient (beta) in electrode film thickness 0.02 (lambda) and depth of electrode finger groove
  • FIG. 2 is a graph showing frequency temperature characteristics of a SAW resonator
  • (A) is a graph showing frequency temperature characteristics of a SAW resonator disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-203408, and (B) is in a substantial operating temperature range. It is a graph which shows the range of the frequency temperature characteristic in. It is a graph which shows the change of the frequency fluctuation amount in the operating range in the SAW resonator which coat
  • SYMBOLS 10 Surface acoustic wave resonator (SAW resonator), 12 ?? IDT, 14a, 14b .... Comb-like electrode, 16a, 16b ?? Bus bar, 18a, 18b ?? Electrode finger, 20 ......... Reflector, 22 ......... Conductor strip, 30 ......... Quartz substrate, 32 ......... Groove.
  • SAW resonator Surface acoustic wave resonator
  • FIG. 1A is a plan view of a SAW resonator
  • FIG. 1B is a partially enlarged sectional view
  • FIG. 1C is an enlarged view for explaining details in FIG. 1B
  • FIG. 1D is a cross-sectional shape that can be assumed when the SAW resonator according to the present invention is manufactured using a photolithographic technique and an etching technique with respect to a partially enlarged view of FIG.
  • the line occupancy ⁇ is a convexity at a height that is 1 ⁇ 2 of (G + H), which is a value obtained by adding the depth (pedestal height) G of the groove 32 and the electrode film thickness H from the bottom of the groove 32.
  • the ratio of the width L to the value obtained by adding the width L of the portion and the width S of the groove 32 (L + S) is appropriate.
  • the SAW resonator 10 is configured based on a quartz substrate 30, an IDT 12, and a reflector 20.
  • FIG. 2 is a diagram showing the orientation of the wafer 1 that is the base material of the quartz crystal substrate 30 used in the present invention.
  • the X axis is an electric axis of quartz
  • the Y axis is a mechanical axis of quartz
  • the Z axis is an optical axis of quartz.
  • the wafer 1 has a surface obtained by rotating a surface 2 perpendicular to the Y axis by an angle ⁇ ′ degrees in the direction of rotation from the + Z axis toward the ⁇ Y axis with the X axis as a rotation axis.
  • the axis perpendicular to the rotated surface is the Y ′ axis
  • the axis parallel to the rotated surface and perpendicular to the X axis is the Z ′ axis.
  • the IDT 12 and the reflector 20 constituting the SAW resonator 10 have + ⁇ degrees (or ⁇ ) with the X axis of the crystal as a rotation axis and the rotation direction from the + X axis toward the + Z ′ axis as a positive direction.
  • the quartz crystal substrate 30 constituting the SAW resonator 10 is cut out from the wafer 1 and separated into pieces.
  • the shape of the quartz substrate 30 in plan view is not particularly limited.
  • the quartz substrate 30 is represented by Euler angles ( ⁇ 1.5 ° ⁇ ⁇ ⁇ 1.5 °, 117 ° ⁇ ⁇ ⁇ 142 °, 42.79 ° ⁇
  • An in-plane rotating ST-cut quartz substrate was adopted.
  • the Euler angle will be described.
  • a substrate represented by Euler angles (0 °, 0 °, 0 °) is a Z-cut substrate having a main surface perpendicular to the Z-axis.
  • ⁇ of Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) relates to the first rotation of the Z-cut substrate, and the positive rotation angle is the direction rotating from the + X axis to the + Y axis side with the Z axis as the rotation axis.
  • Euler's angle ⁇ is related to the second rotation after the first rotation of the Z-cut substrate.
  • the X axis after the first rotation is the rotation axis
  • the rotation from the + Y axis after the first rotation to the + Z axis is performed.
  • This is a second rotation angle in which the direction to perform is a positive rotation angle.
  • the cut surface of the piezoelectric substrate is determined by the first rotation angle ⁇ and the second rotation angle ⁇ .
  • the Euler angle ⁇ relates to the third rotation performed after the second rotation of the Z-cut substrate.
  • the Z axis after the second rotation is used as the rotation axis, and the second rotation from the + X axis after the second rotation.
  • This is a third rotation angle in which the direction of rotation toward the + Y-axis side after rotation is a positive rotation angle.
  • the propagation direction of SAW is represented by a third rotation angle ⁇ with respect to the X axis after the second rotation.
  • the IDT 12 includes a pair of comb-like electrodes 14a and 14b in which the base ends of the plurality of electrode fingers 18a and 18b are respectively connected by bus bars 16a and 16b, and the electrode fingers 18a constituting one comb-like electrode 14a;
  • the electrode fingers 18b constituting the other comb-like electrode 14b are alternately arranged at a predetermined interval. Further, as shown in FIG. 1A, the electrode fingers 18a and 18b are arranged so that the extending direction of the electrode fingers is orthogonal to the X ′ axis, which is the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the SAW excited by the SAW resonator 10 configured as described above is a Rayleigh type (Rayleigh type) SAW, and has vibration displacement components on both the Y ′ axis and the X ′ axis.
  • X axis which is the crystal axis of the quartz crystal
  • FIG. 3A is a plan view showing an embodiment of the tilted IDT 12a, in which the X ′ axis, which is the SAW propagation direction determined by the Euler angle, and the directions of the electrode fingers 18a and 18b of the tilted IDT 12a are orthogonal to each other.
  • the arrangement form of the electrode fingers 18a and 18b in the inclined IDT 12a is inclined so as to be in a relationship.
  • FIG. 3B is a plan view showing another embodiment of the tilted IDT 12a.
  • the bus bars 16a and 16b that connect the electrode fingers 18a and 18b to each other are inclined so that the electrode finger arrangement direction is inclined with respect to the X ′ axis.
  • the X ′ axis and the extending direction of the electrode fingers 18a and 18b are configured to be orthogonal to each other.
  • the electrode fingers are arranged so that the direction perpendicular to the X ′ axis is the extension direction of the electrode fingers as in these embodiment examples.
  • a low-loss SAW resonator can be realized while maintaining the characteristics.
  • each standing wave is an antinode (or The positions of the nodes are shifted by ⁇ / 2.
  • FIG. 4 is a diagram showing the distribution of standing waves in the stopband upper end mode and lower end mode in the normal type IDT 12.
  • the standing wave in the stop band lower end mode indicated by the solid line has an antinode at the center position of the electrode finger 18, that is, the reflection center position, and the stop band upper end mode indicated by the alternate long and short dash line.
  • the standing wave has a node at the reflection center position.
  • the SAW vibration cannot be efficiently converted into electric charges by the electrode fingers 18 (18a, 18b), and the mode is excited as an electric signal, or In many cases, it cannot be received.
  • the standing wave in the stopband upper end mode is changed to a solid line in FIG.
  • a pair of reflectors 20 are provided so as to sandwich the IDT 12 in the SAW propagation direction.
  • both ends of a plurality of conductor strips 22 provided in parallel with the electrode fingers 18 constituting the IDT 12 are connected.
  • end face reflection type SAW resonators that actively use the reflected wave from the end face of the quartz substrate in the SAW propagation direction, and that the IDT itself excites SAW standing waves by increasing the number of electrode finger pairs of the IDT.
  • the reflector is not always necessary.
  • the material of the electrode film constituting the IDT 12 and the reflector 20 thus configured, aluminum (Al) or an alloy mainly composed of Al can be used.
  • Al aluminum
  • the influence of the temperature characteristics of the electrodes is minimized.
  • a good frequency temperature characteristic is derived by taking a large depth of the groove of the quartz substrate portion and utilizing the good temperature characteristic of the quartz according to the performance of the groove of the quartz substrate portion.
  • the influence of the temperature characteristics of the electrode on the temperature characteristics of the SAW resonator can be reduced, and good temperature characteristics can be maintained if the mass of the electrode varies within 10%.
  • the metal other than Al as the main component may be 10% or less, preferably 3% or less by weight.
  • the thickness of the electrode may be adjusted so that the mass of the electrode is within ⁇ 10% of the case where Al is used. In this way, good temperature characteristics equivalent to those obtained when Al is used can be obtained.
  • the quartz crystal substrate 30 in the SAW resonator 10 having the above basic configuration is provided with grooves (interelectrode finger grooves) 32 between the electrode fingers of the IDT 12 and between the conductor strips of the reflector 20.
  • the groove 32 provided in the quartz substrate 30 has the SAW wavelength in the stop band upper end mode as ⁇ and the groove depth as G. And good.
  • the range is good. This is because by defining the groove depth G in such a range, the amount of frequency fluctuation within the operating temperature range ( ⁇ 40 ° C. to + 85 ° C.) can be made 25 ppm or less as a target value to be described in detail later. .
  • the groove depth G is: The range is good.
  • the line occupancy ⁇ is the line width of the electrode finger 18 (in the case of only the crystal convex portion, it means the width of the convex portion) L.
  • the value divided by the pitch ⁇ / 2 between 18 ( L + S). Therefore, the line occupancy ⁇ can be expressed by Equation (4).
  • the line occupancy ⁇ may be determined in a range that satisfies the expressions (5) and (6).
  • ⁇ can be derived by determining the depth G of the groove 32.
  • the film thickness of the electrode film material (IDT 12, reflector 20, etc.) in the SAW resonator 10 according to the present embodiment is as follows: It is desirable to be in the range.
  • the electrode film thickness H As the electrode film thickness increases, the variation in electrical characteristics (especially resonance frequency) increases as the electrode film thickness increases, and the electrode film thickness H is within ⁇ 0.04 within the range of equations (5) and (6).
  • H> 0.035 ⁇ there is a high possibility that a manufacturing variation greater than ⁇ 0.04 will occur.
  • the electrode film thickness H is in the range of the formulas (5) and (6) and the variation in the line occupancy ⁇ is within ⁇ 0.04, a SAW device having a small secondary temperature coefficient ⁇ can be realized. . That is, the line occupancy ⁇ can be allowed up to the range of the formula (9) obtained by adding a tolerance of ⁇ 0.04 to the formula (8).
  • the secondary temperature coefficient ⁇ is set within ⁇ 0.01 (ppm / ° C. 2 ), and preferably the SAW operating temperature range is ⁇ 40 ° C. to + 85 ° C.
  • the object is to improve the frequency temperature characteristic to such an extent that the frequency fluctuation amount ⁇ F within the operating temperature range can be 25 ppm or less.
  • the temperature characteristic of a surface acoustic wave resonator is generally expressed by the following equation.
  • ⁇ f ⁇ ⁇ (T ⁇ T 0 ) + ⁇ ⁇ (T ⁇ T 0 ) 2
  • ⁇ f is a frequency change amount (ppm) between the temperature T and the apex temperature T 0
  • ⁇ is a primary temperature coefficient (ppm / ° C.)
  • ⁇ is a secondary temperature coefficient (ppm / ° C. 2 )
  • T is a temperature
  • T0 means the temperature (apex temperature) at which the frequency is maximum.
  • the first order constant ⁇ 0.
  • second-order constant ⁇ ⁇ 0.034, which is shown in FIG.
  • the temperature characteristic depicts an upwardly convex parabola (secondary curve).
  • the SAW resonator as shown in FIG. 6 has a very large frequency fluctuation amount with respect to a temperature change, and it is necessary to suppress the frequency change amount ⁇ f with respect to the temperature change. Accordingly, the elastic surface is adjusted so that the secondary temperature coefficient ⁇ shown in FIG. 6 is closer to 0 and the frequency change ⁇ f with respect to the change in temperature (operating temperature) when the SAW resonator is actually used approaches 0. It is necessary to realize a wave resonator based on new knowledge. Accordingly, one of the objects of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to make the surface temperature wave device have excellent frequency-temperature characteristics, and to operate with a stable frequency even if the temperature changes. It is to realize the device.
  • the frequency variation ⁇ F within the operating temperature range is about 133 (ppm) when the operating temperature range is the same.
  • the secondary temperature coefficient ⁇ is about ⁇ 0.034 (ppm / ° C. 2 ).
  • a stop band in a SAW resonator using an in-plane rotating ST-cut quartz substrate in which the cut angle and SAW propagation direction of the quartz substrate are expressed as Euler angles (0, 123 °, 45 °) and the operating temperature range is the same.
  • the frequency fluctuation amount ⁇ F is about 63 ppm
  • the secondary temperature coefficient ⁇ is about ⁇ 0.016 (ppm / ° C. 2 ).
  • All of these SAW resonators using ST-cut quartz substrates and in-plane rotating ST-cut quartz substrates use surface acoustic waves called Rayleigh waves, compared to surface acoustic waves called leaky waves of LST-cut quartz substrates. Since the variation of the frequency and frequency temperature characteristics with respect to the processing accuracy of the quartz substrate and the electrode is extremely small, it is excellent in mass productivity and is used in various SAW devices.
  • SAW resonators using ST-cut quartz substrates and in-plane rotated ST-cut quartz substrates that have been conventionally used have secondary temperature characteristics in which the curve indicating the frequency temperature characteristics is a quadratic curve as described above. Further, since the absolute value of the secondary temperature coefficient of the secondary temperature characteristic is large, the amount of frequency fluctuation in the operating temperature range is large, and a resonator used in a wired communication device or a wireless communication device for obtaining frequency stability, It could not be used for SAW devices such as oscillators.
  • the secondary temperature coefficient ⁇ corresponding to an improvement of 1/3 or less of the secondary temperature coefficient ⁇ of the ST-cut quartz substrate and 37% or more of the secondary temperature coefficient ⁇ of the in-plane rotated ST-cut quartz substrate is ⁇ 0.01. If a frequency temperature characteristic having a secondary temperature characteristic of (ppm / ° C. 2 ) or less is obtained, an apparatus for obtaining such frequency stability can be realized. Further, it is more desirable that the secondary temperature coefficient ⁇ is substantially zero and that a tertiary temperature characteristic having a cubic curve representing the frequency temperature characteristic is obtained, the frequency stability is further improved in the operating temperature range. With such third-order temperature characteristics, even within a wide operating temperature range of ⁇ 40 ° C. to + 85 ° C., extremely high frequency stability that could not be realized with conventional SAW devices of ⁇ 25 ppm or less can be obtained.
  • the change in the frequency temperature characteristic of the SAW resonator 10 is related to the line occupancy ⁇ , the electrode film thickness H, the groove depth G, and the like of the electrode fingers 18 in the IDT 12. It was clarified by the knowledge based on the simulation and experiment conducted.
  • the SAW resonator 10 according to the present embodiment uses stopband upper end mode excitation.
  • H 0% ⁇
  • 7A shows the secondary temperature coefficient ⁇ in the resonance of the stop band upper end mode when the groove depth G is 0.02 ⁇
  • FIG. 7B shows the groove depth G of 0.02 ⁇ .
  • the secondary temperature coefficient ⁇ in the resonance of the stop band lower end mode is shown.
  • FIG. 7C shows the secondary temperature coefficient ⁇ in resonance in the stop band upper end mode when the groove depth G is 0.04 ⁇
  • FIG. 7D shows the groove depth G of 0.
  • the secondary temperature coefficient ⁇ in the resonance of the stop band lower end mode when .04 ⁇ is set is shown.
  • the simulation shown in FIG. 7 shows an example in which SAW is propagated in some form to the quartz crystal substrate 30 not provided with an electrode film in order to reduce the factor that fluctuates the frequency temperature characteristic.
  • the cut angle of the quartz substrate 30 was Euler angles (0 °, 123 °, ⁇ ). For ⁇ , a value that minimizes the absolute value of the secondary temperature coefficient ⁇ is appropriately selected.
  • the secondary temperature coefficient ⁇ changes greatly when the line occupancy ⁇ is 0.6 to 0.7 in both the stop band upper end mode and the lower end mode. it can.
  • the change in the secondary temperature coefficient ⁇ in the stop band upper end mode is compared with the change in the secondary temperature coefficient ⁇ in the stop band lower end mode, the following can be read. That is, the characteristic of the change in the secondary temperature coefficient ⁇ in the stop band lower end mode is deteriorated by changing from the minus side to the minus side (the absolute value of the secondary temperature coefficient ⁇ is increased).
  • the change in the secondary temperature coefficient ⁇ in the stop band upper end mode is improved by changing from the minus side to the plus side (there is a point where the absolute value of the secondary temperature coefficient ⁇ becomes small). It is that).
  • FIG. 9 is a graph plotting ⁇ 1 and ⁇ 2 at which the secondary temperature coefficient ⁇ becomes 0 when the groove depth G is changed.
  • FIG. 9 shows that ⁇ 1 and ⁇ 2 become smaller as the groove depth G increases.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the frequency variation ⁇ F and the groove depth G at the point ( ⁇ 1) at which the secondary temperature coefficient ⁇ is minimum at each groove depth G.
  • the lower limit value of the groove depth G at which the frequency fluctuation amount ⁇ F is 25 ppm or less, which is the target value is 0.01 ⁇
  • the range of the groove depth G is more than that, that is, 0. 01 ⁇ G.
  • the graph shown in FIG. 5 is a simulation in a state where the electrode film such as the IDT 12 and the reflector 20 is not formed on the quartz substrate 30.
  • the SAW resonator 10 is considered to be able to reduce the frequency fluctuation amount ⁇ F when the electrode film is provided. Accordingly, if the upper limit value of the groove depth G is determined, the maximum value in a state where the electrode film is not formed, that is, G ⁇ 0.094 ⁇ , may be set, and the groove depth G suitable for achieving the target is set. As a range, Can be shown.
  • FIG. 11 shows individual frequency fluctuation amounts ⁇ f of the SAW resonator 10 when the groove depth G is shifted by ⁇ 0.001 ⁇ when the line occupation ratio ⁇ is constant.
  • G 0.04 ⁇
  • ⁇ 0.001 ⁇ when the groove depth G is shifted by ⁇ 0.001 ⁇ , that is, when the groove depth is 0.039 ⁇ ⁇ G ⁇ 0.041 ⁇ , It can be read that ⁇ f is about ⁇ 500 ppm.
  • the frequency variation ⁇ f is less than ⁇ 1000 ppm
  • the frequency can be adjusted by various frequency fine adjustment means.
  • the adjustment of the frequency affects the static characteristics such as the Q value and the CI (crystal impedance) value and the long-term reliability, and the SAW resonator 10 is obtained. This leads to a decrease in the yield rate.
  • the graph of is shown.
  • the quartz substrate 30 has Euler angles (0 °, 123 °, ⁇ ).
  • In the graph of electrode film thickness H 0.02 ⁇ in FIG. 34 (FIG.
  • Table 1 shows the coordinates of the points a to h in FIG.
  • the secondary temperature coefficient ⁇ is allowed to be within ⁇ 0.01 (ppm / ° C. 2 ), in 0.0100 ⁇ ⁇ G ⁇ 0.0500 ⁇ , both the expressions (3) and (5) are satisfied, In the case of 0.0500 ⁇ ⁇ G ⁇ 0.0695 ⁇ , the second-order temperature coefficient ⁇ is within ⁇ 0.01 (ppm / ° C. 2 ) if both the expressions (3) and (6) are satisfied. It was confirmed.
  • the relationship between the groove depth G and the line occupation ratio ⁇ in the quartz crystal substrate 30 without the electrode film is as shown in FIG.
  • the electrode film thickness H As the electrode film thickness increases, the variation in electrical characteristics (especially resonance frequency) increases as the electrode film thickness increases, and the electrode film thickness H is within ⁇ 0.04 within the range of equations (5) and (6).
  • H> 0.035 ⁇ there is a high possibility that a manufacturing variation greater than ⁇ 0.04 will occur.
  • the electrode film thickness H is in the range of the formulas (5) and (6) and the variation in the line occupancy ⁇ is within ⁇ 0.04, a SAW device having a small secondary temperature coefficient ⁇ can be realized. . That is, when the secondary temperature coefficient ⁇ is set within ⁇ 0.01 ppm / ° C. 2 in consideration of the manufacturing variation of the line occupancy, the line occupancy ⁇ adds ⁇ 0.04 tolerance to the equation (8).
  • the range of the formula (9) is acceptable.
  • the electrode film thicknesses are 0.01 ⁇ (1% ⁇ ), 0.015 ⁇ (1.5% ⁇ ), 0.02 ⁇ (2% ⁇ ), and 0.025 ⁇ (2.5% ⁇ , respectively). ), 0.03 ⁇ (3% ⁇ ), 0.035 ⁇ (3.5% ⁇ ), and the relationship between the line occupancy ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the groove depth G is changed. A graph is shown.
  • FIGS. 21 to 26 are graphs showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency fluctuation amount ⁇ F in the SAW resonator 10 corresponding to FIGS. 15 to 20, respectively. Note that all quartz substrates have Euler angles (0 °, 123 °, ⁇ ), and an angle that minimizes ⁇ F is appropriately selected for ⁇ .
  • FIGS. 15A to 15F are diagrams showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the electrode film thickness H is 0.01 ⁇
  • FIG. (F) to (F) are diagrams showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency variation ⁇ F when the electrode film thickness H is 0.01 ⁇ .
  • FIGS. 16A to 16F are diagrams showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the electrode film thickness H is 0.015 ⁇
  • FIGS. (F) is a diagram showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency variation ⁇ F when the electrode film thickness H is 0.015 ⁇ .
  • FIGS. 17A to 17F are diagrams showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the electrode film thickness H is 0.02 ⁇
  • FIGS. (F) is a diagram showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency variation ⁇ F when the electrode film thickness H is 0.02 ⁇ .
  • FIGS. (F) is a diagram showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency variation ⁇ F when the electrode film thickness H is 0.025 ⁇ .
  • FIGS. 19A to 19F are diagrams showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the electrode film thickness H is 0.03 ⁇
  • FIGS. (F) is a diagram showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency variation ⁇ F when the electrode film thickness H is 0.03 ⁇ .
  • FIGS. (F) is a diagram showing the relationship between the line occupancy ⁇ and the frequency variation ⁇ F when the electrode film thickness H is 0.035 ⁇ .
  • FIGS. 15 to 26 Although there is a slight difference in any of the graphs, the line occupancy ⁇ , the secondary temperature coefficient ⁇ , and the line occupancy of only the quartz substrate 30 are ascertained. It can be seen that the graph is similar to FIGS. 8 and 10 which are graphs showing the relationship between the rate ⁇ and the frequency variation ⁇ F. That is, it can be said that the effect according to the present embodiment can also be achieved in the propagation of the surface acoustic wave in the crystal substrate 30 alone excluding the electrode film.
  • FIG. 27A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.000 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.005 ⁇ .
  • Table 3 FIG. 28 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 27A and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 27B is a graph showing the relationship between ⁇ 2 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.000 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.005 ⁇ .
  • Table 4 28 is a table showing the coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 27B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 28A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.005 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.010 ⁇ .
  • Table 5 FIG. 29 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 28A and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 28B is a graph showing the relationship between ⁇ 2 that satisfies the above range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.005 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.010 ⁇ .
  • FIG. 29 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 28B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 29A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.010 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.015 ⁇ .
  • Table 7 30 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 29A and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 29B is a graph showing the relationship between ⁇ 2 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.010 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.015 ⁇ .
  • Table 8 30 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 29B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 30A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.015 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.020 ⁇ .
  • Table 9 FIG. 31 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 30A and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 30B is a graph showing the relationship between ⁇ 2 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.015 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.020 ⁇ .
  • Table 10 FIG. 31 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for defining the range shown in FIG. 30B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 31A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.020 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.025 ⁇ .
  • Table 11 FIG. 32 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for defining the range shown in FIG. 31A and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 31B is a graph showing the relationship between ⁇ 2 that satisfies the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.020 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.025 ⁇ .
  • Table 12 FIG. 32 is a table showing the coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for defining the range shown in FIG. 31B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 32A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.025 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.030 ⁇ .
  • Table 13 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 32A and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 32B is a graph showing the relationship between ⁇ 2 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.025 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.030 ⁇ .
  • Table 14 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for determining the range shown in FIG. 32B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 33A is a graph showing the relationship between ⁇ 1 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.030 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.035 ⁇ .
  • Table 15 It is a table
  • FIG. 33 (B) is a graph showing the relationship between ⁇ 2 satisfying the range of ⁇ and the groove depth G when the electrode film thickness H is 0.030 ⁇ ⁇ H ⁇ 0.035 ⁇ .
  • FIG. 34 is a table showing coordinates (G / ⁇ , ⁇ ) of main measurement points for defining the range shown in FIG. 33B and the value of ⁇ at the measurement points.
  • FIG. 35 summarizes the relationship between ⁇ obtained by ⁇ 1 in the graph shown in FIG. 34 and the groove depth G.
  • the reason for selecting ⁇ 1 is as described above.
  • the optimum angle of ⁇ may change according to the variation of the groove depth G. I understand. This can also be said to support that the ratio of the change in the secondary temperature coefficient ⁇ is high due to the form of the crystal substrate 30.
  • FIG. 38A is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 39A is a graph showing a range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 40A is a graph showing a range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 41A is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 42A is a graph showing a range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 43A is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 44A is a graph showing the range of ⁇ that satisfies the requirement of
  • a range sandwiched between a straight line connecting plots indicating the maximum value of ⁇ and a broken line connecting plots indicating the minimum value of ⁇ is a range satisfying the above condition.
  • FIG. 45 shows the change in the secondary temperature coefficient ⁇ when the angle ⁇ is swung, that is, the relationship between ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ .
  • the SAW device used for the simulation is a quartz substrate in which the cut angle and the SAW propagation direction are represented by Euler angles (0, ⁇ , ⁇ ) and the groove depth G is 0.04 ⁇ , and the electrode thickness H Is 0.02 ⁇ .
  • ⁇ a value that minimizes the absolute value of the secondary temperature coefficient ⁇ was appropriately selected within the above-described angle range based on the set angle of ⁇ . Further, ⁇ was set to 0.6383 according to the above formula (8).
  • the absolute value of the secondary temperature coefficient ⁇ is 0.00 when the ⁇ is in the range of 117 ° to 142 °. It can be read that it is within the range of 01 (ppm / ° C. 2 ). Therefore, it can be said that the SAW resonator 10 having good frequency temperature characteristics can be configured by setting ⁇ within the range of 117 ° ⁇ ⁇ ⁇ 142 ° in the above set values. Tables 17 to 19 are shown as simulation data supporting the relationship between ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ .
  • Table 17 is a table showing the relationship between ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the electrode film thickness H is changed.
  • the electrode film thickness H is 0.01% ⁇
  • the electrode film thickness H is 3%.
  • the value of the secondary temperature coefficient ⁇ at the critical value of ⁇ (117 °, 142 °) in the case of .50% ⁇ is shown. Note that the groove depth G in this simulation is 4% ⁇ . From Table 17, when the thickness of the electrode film thickness H is changed within the range of 117 ° ⁇ ⁇ ⁇ 142 ° (0 ⁇ 0.01% ⁇ and 3.5% ⁇ defined as the critical value of the electrode film thickness). Even so, it can be read that
  • Table 18 is a table showing the relationship between ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the groove depth G is changed, and ⁇ when the groove depth G is 1.00% ⁇ and 6.95% ⁇ .
  • the values of the secondary temperature coefficient ⁇ at the critical values (117 °, 142 °) are shown. Note that the electrode film thickness H in this simulation is 2.00% ⁇ . From Table 18, in the range of 117 ° ⁇ ⁇ ⁇ 142 °, the groove depth G is changed (1.00% ⁇ and 6.95% ⁇ defined as the critical value of the groove depth G). However, it can be read that
  • Table 19 is a table showing the relationship between ⁇ and the secondary temperature coefficient ⁇ when the line occupancy ⁇ is changed.
  • the critical value of ⁇ when the line occupancy ⁇ is 0.62 and 0.76 The values of the secondary temperature coefficient ⁇ at 117 °, 142 °) are shown.
  • the electrode film thickness H is 2.00% ⁇
  • the groove depth G is 4.00% ⁇ .
  • the electrode film thickness H is in the range of 0.020 ⁇ to 0.025 ⁇ .
  • FIG. 31A showing the relationship between the line occupancy ⁇ ( ⁇ 1) and the groove depth G, the minimum and maximum values of ⁇ when the groove depth is 4% ⁇ It can be read that
  • a crystal substrate 30 of Euler angle display ( ⁇ , 123 °, 43.77 °) is used, the groove depth G is 0.04 ⁇ , the electrode film thickness H is 0.02 ⁇ , and the line occupancy ⁇ is It is a graph which shows the relationship between the angle of (phi), and secondary temperature coefficient (beta), when it is set to 0.65.
  • the secondary temperature coefficient ⁇ is lower than ⁇ 0.01, but ⁇ is ⁇ 1.5 ° to + 1.5 °. If it is within the range, it can be reliably read that the absolute value of the secondary temperature coefficient ⁇ is within the range of 0.01. Therefore, by setting ⁇ within the range of ⁇ 1.5 ° ⁇ ⁇ ⁇ + 1.5 °, preferably ⁇ 1 ° ⁇ ⁇ ⁇ + 1 ° at the set value as described above, good frequency temperature characteristics can be obtained.
  • the SAW resonator 10 can be configured.
  • FIG. 47 shows a highly desirable relationship between ⁇ and ⁇ that minimizes the amount of frequency fluctuation at ⁇ 40 ° C. to + 85 ° C., and an approximate expression is obtained.
  • the angle of ⁇ changes as the angle of ⁇ increases, and rises to draw a cubic curve.
  • ⁇ can be determined by defining ⁇ , and the range of ⁇ when the range of ⁇ is 117 ° ⁇ ⁇ ⁇ 142 ° is 42.79 ° ⁇ ⁇ ⁇ 49.57 °. it can.
  • the film thickness H of the electrode film is set in the range of 0 ⁇ H ⁇ 0.035 ⁇ , and the frequency is set.
  • the temperature characteristics are improved. This is to improve the frequency temperature characteristics while maintaining the environmental resistance characteristics, unlike the conventional technique in which the film thickness H is extremely increased to improve the frequency temperature characteristics.
  • FIG. 54 shows the relationship between the electrode film thickness (Al electrode film thickness) and the frequency fluctuation in the heat cycle test. The results of the heat cycle test shown in FIG. 54 show that the SAW resonator was exposed to a ⁇ 55 ° C. atmosphere for 30 minutes, then the temperature was raised to + 125 ° C.
  • the frequency variation (F variation). ) Can be read as 1/3 or less.
  • H + G 0.06 ⁇ is set for all plots.
  • FIG. 49 is a graph showing the relationship between the step and the CI value when the step is changed from 0.062 ⁇ to 0.071 ⁇ . According to FIG. 49, it can be read that the CI value converges when the step is set to 0.067 ⁇ , and does not improve (is not lowered) even when the step is further increased.
  • FIG. 50 shows the frequencies, equivalent circuit constants, and static characteristics of the SAW resonator 10 exhibiting frequency temperature characteristics as shown in FIG.
  • F is a frequency
  • Q is a Q value
  • ⁇ is a capacitance ratio
  • CI is a CI (Crystal Impedance) value
  • M is a figure of merit ( Figure of Merit).
  • FIG. 52 shows a graph for comparing the relationship between the step and the Q value in the conventional SAW resonator and the SAW resonator 10 according to the present embodiment.
  • the graph indicated by the bold line shows the characteristics of the SAW resonator 10 according to the present embodiment, and a groove is provided between the electrode fingers and the resonance in the stop band upper end mode is used.
  • a graph indicated by a thin line shows the characteristics of a conventional SAW resonator, and uses a stop band upper end mode resonance without providing a groove between electrode fingers. As is apparent from FIG.
  • the gap between the electrode fingers is in a region where the step (G + H) is 0.0407 ⁇ (4.07% ⁇ ) or more.
  • the step (G + H) is 0.0407 ⁇ (4.07% ⁇ ) or more.
  • the basic data of the SAW resonator according to the simulation is as follows.
  • G Change IDT line occupancy ⁇ i: 0.6
  • 120 Crossing width: 40 ⁇ ( ⁇ 10 ⁇ m) Number of reflectors (per one side): 60 No inclination angle of electrode fingers
  • Basic data of conventional SAW resonator H Change G: Zero IDT line occupancy ⁇ i: 0.4 Reflector line occupancy ⁇ r: 0.3 Euler angles (0 °, 123 °, 43.5 °)
  • 120 Crossing width: 40 ⁇ ( ⁇ 10 ⁇ m) Number of reflectors (per one side): 60 No electrode finger tilt angle
  • the frequency ft2 at the upper end of the stop band of the IDT 12 is set to the frequency fr1 at the lower end of the stop band of the reflector 20 and the reflector. What is necessary is just to set between the frequency fr2 of 20 stopband upper ends. That is, It may be set so as to satisfy the relationship.
  • the reflection coefficient ⁇ of the reflector 20 becomes large at the frequency ft2 at the upper end of the stop band of the IDT 12, and the SAW in the stop band upper end mode excited from the IDT 12 is reflected by the reflector 20 toward the IDT 12 with a high reflection coefficient. Will come to be. And the energy confinement of the SAW in the stop band upper end mode becomes stronger, and a low-loss resonator can be realized.
  • the relationship between the frequency ft2 at the upper end of the stop band of the IDT 12 and the frequency fr1 at the lower end of the stop band of the reflector 20 and the frequency fr2 at the upper end of the stop band of the reflector 20 is set to a state of ft2 ⁇ fr1 or fr2 ⁇ ft2. If set, the reflection coefficient ⁇ of the reflector 20 becomes small at the stop band upper end frequency ft2 of the IDT 12, and it becomes difficult to realize a strong energy confinement state.
  • the frequency of the stop band of the reflector 20 it is necessary to shift the frequency of the stop band of the reflector 20 to a higher frequency side than the stop band of the IDT 12. Specifically, this can be realized by making the arrangement period of the conductor strips 22 of the reflector 20 smaller than the arrangement period of the electrode fingers 18 of the IDT 12.
  • the film thickness of the electrode film formed as the conductor strip 22 of the reflector 20 is made thinner than the film thickness of the electrode film formed as the electrode finger 18 of the IDT 12, or between the electrode fingers of the IDT 12 This can be realized by making the depth of the groove between the conductor strips of the reflector 20 shallower than the depth of the groove. Also, a combination of these methods may be applied.
  • FIG. 51 is a graph showing the relationship between impedance Z and frequency in the SAW resonator obtained in FIG. From FIG. 51, it can be read that there is no useless spurious near the resonance point.
  • the IDT 12 constituting the SAW resonator 10 is shown as all electrode fingers intersecting alternately.
  • the SAW resonator 10 according to the present invention can have a considerable effect only by the quartz substrate. For this reason, even if it is a case where the electrode finger 18 in IDT12 is thinned, the same effect can be produced.
  • the groove 32 may be partially provided between the electrode fingers 18 or between the conductor strips 22 of the reflector 20.
  • the groove 32 may be provided only in that portion. Even with such a structure, the SAW resonator 10 having good frequency-temperature characteristics can be obtained.
  • the electrode film may be configured using other metal materials as long as the metal can achieve the same effect as the above embodiment.
  • the above embodiment is a one-terminal-pair SAW resonator provided with only one IDT, but the present invention can also be applied to a two-terminal-pair SAW resonator provided with a plurality of IDTs.
  • the present invention is also applicable to other types of dual mode SAW filters and multimode SAW filters.
  • the SAW oscillator according to the present invention accommodates the SAW resonator 10 described above, an IC (integrated circuit) 50 that controls driving by applying a voltage to the IDT 12 of the SAW resonator 10, and these. Package.
  • FIG. 55 FIG. 55 (A) is a plan view excluding the lid, and FIG. 55 (B) is a view showing a cross section AA in FIG. 55 (A).
  • the SAW resonator 10 and the IC 50 are accommodated in the same package 56, the electrode patterns 54 a to 54 g formed on the bottom plate 56 a of the package 56, and the comb-like electrode 14 a of the SAW resonator 10. 14b and the pads 52a to 52f of the IC 50 are connected by a metal wire 60.
  • the cavity of the package 56 that houses the SAW resonator 10 and the IC 50 is hermetically sealed by the lid 58. With such a configuration, the IDT 12 (see FIG. 1), the IC 50, and an external mounting electrode (not shown) formed on the bottom surface of the package 56 can be electrically connected.
  • the SAW resonator according to the present invention or the SAW oscillator including the SAW resonator realizes a significant improvement in frequency temperature characteristics, for example, mobile phones, hard disks, personal computers, BSs and CS broadcasts can be used.
  • electronic devices such as network devices and wireless communication devices, it greatly contributes to the realization of products with excellent frequency temperature characteristics, as well as excellent jitter and phase noise characteristics, and further improves system reliability and quality. Needless to say, it contributes greatly.
  • the SAW resonator according to the present invention has an inflection point in the operating temperature range (operating temperature range: ⁇ 40 ° C. to + 85 ° C.) as shown in FIG.
  • a frequency temperature characteristic of about 20 ppm or less with a very small frequency fluctuation amount close to a curve or a cubic curve could be realized.
  • FIG. 56A is a graph showing the frequency temperature characteristics of the SAW resonator disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-203408.
  • the frequency-temperature characteristic shows a cubic curve, but as you can see, the inflection point exists in the region beyond the operating temperature range (operating temperature range: -40 ° C to + 85 ° C).
  • FIG. 56 (B) a quadratic curve having an upwardly convex vertex is obtained. For this reason, the frequency fluctuation amount is an extremely large value of 100 (ppm).
  • the SAW resonator according to the present invention achieves a frequency fluctuation amount close to a cubic curve or a cubic curve within the operating temperature range, and realizes a drastic reduction in the frequency fluctuation amount.
  • FIG. 57 and FIG. 58 show changes in the frequency fluctuation amount within the operating range in the SAW resonator in which the IDT and the reflector are covered with the protective film.
  • the example shown in FIG. 57 is a diagram showing the amount of frequency fluctuation within the operating temperature range when alumina as a protective film is coated on the electrode. According to FIG. 57, it can be read that the amount of frequency fluctuation within the operating temperature range can be 10 (ppm) or less.
  • Example shown in FIG. 58 is a diagram showing a frequency variation in the operating temperature range in the case where the film of SiO 2 as a protective film against the electrodes. According to FIG. 58, it can be read that the frequency fluctuation amount within the operating temperature range can be 20 (ppm) or less.

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Abstract

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。 【解決手段】上記課題を解決するためのＳＡＷ共振子は、オイラー角（－１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、 ０．０１λ≦Ｇ を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが －２．００００×Ｇ／λ＋０．７２００≦η≦－２．５０００×Ｇ／λ＋０．７７７５　ただし０．０１００λ≦Ｇ≦０．０５００λ －３．５８９８×Ｇ／λ＋０．７９９５≦η≦－２．５０００×Ｇ／λ＋０．７７７５　ただし０．０５００λ＜Ｇ≦０．０６９５λ の関係を満たすことを特徴とする。

Description

弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
　本発明は、弾性表面波共振子、およびこれを搭載した弾性表面波発振器に係り、特に基板表面に溝を設けたタイプの弾性表面波共振子、およびこれを搭載した弾性表面波発振器に関する。
　弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）装置（例えばＳＡＷ共振子）において、周波数温度特性の変化には、ＳＡＷのストップバンドや圧電基板（例えば水晶基板）のカット角、およびＩＤＴ（interdigitaltransducer）の形成形態等が及ぼす影響が大きい。
　例えば特許文献１には、ＳＡＷのストップバンドの上端モード、下端モードのそれぞれを励起させる構成、およびストップバンドの上端モード、下端モードにおけるそれぞれの定在波の分布などが開示されている。
　また、特許文献２～５には、ＳＡＷにおけるストップバンドの上端モードの方が、ストップバンドの下端モードよりも周波数温度特性が良好である点が記載されている。そして、特許文献２、３には、レイリー波を利用したＳＡＷ装置において良好な周波数温度特性を得るために、水晶基板のカット角を調整すると共に、電極の基準化膜厚（Ｈ／λ）を０．１程度まで厚くする事が記載されている。
　また、特許文献４には、レイリー波を利用したＳＡＷ装置において水晶基板のカット角を調整すると共に、電極の基準化膜厚（Ｈ／λ）を０．０４５程度以上厚くする旨が記載されている。
　また、特許文献５には、回転ＹカットＸ伝搬の水晶基板を用い、ストップバンドの上端の共振を利用することで、ストップバンドの下端の共振を用いる場合よりも周波数温度特性が向上する旨が記載されている。
　また、特許文献６、および非特許文献１には、ＳＴカット水晶基板を用いたＳＡＷ装置において、ＩＤＴを構成する電極指間や反射器を構成する導体ストリップ間に溝（グルーブ）を設けることが記載されている。また非特許文献１には、溝の深さにより周波数温度特性が変化する旨が記載されている。
　また、特許文献７には、ＬＳＴカットの水晶基板を用いたＳＡＷ装置において、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とするための構成が記載されていると共に、レイリー波を用いたＳＡＷ装置においては、三次曲線で示されるような温度特性を持つカット角の基板は発見することができなかった旨が記載されている。
    ［特許文献１］特開平１１－２１４９５８号公報
　　［特許文献２］特開２００６－１４８６２２号公報
　　［特許文献３］特開２００７－２０８８７１号公報
　　［特許文献４］特開２００７－２６７０３３号公報
　　［特許文献５］特開２００２－１００９５９号公報
　　［特許文献６］特開昭５７－５４１８号公報
　　［特許文献７］特許第３８５１３３６号公報
　　［非特許文献１］グルーブ形ＳＡＷ共振器の製造条件と特性（電子通信学会技術研究報告ＭＷ８２－５９（１９８２））
　上記のように、周波数温度特性を改善するための要素は多岐に亙り、特にレイリー波を用いたＳＡＷ装置では、ＩＤＴを構成する電極の膜厚を厚くすることが周波数温度特性に寄与する要因の１つであると考えられている。しかし本願出願人は、電極の膜厚を厚くすると、経時変化特性や耐温度衝撃特性等の耐環境特性が劣化することを実験的に見出した。また、周波数温度特性の改善を主目的とした場合には、前述したように電極膜厚を厚くしなければならず、これに伴って経時変化特性や耐温度衝撃特性等の劣化を余儀なくされていた。これはＱ値に関しても当てはめられることであり、電極膜厚を厚くせずに高Ｑ化実現させることは困難であった。
　したがって本願発明において弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器を提供する際の課題は、第１に、良好な周波数温度特性の実現、第２に耐環境特性の向上、第３に高いＱ値を得る、というものである。
　本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
　［適用例１］オイラー角（－１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝を有する弾性表面波共振子であって、前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをＧとした場合に、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さＧと前記ライン占有率ηとが
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　このような特徴を持つ弾性表面波共振子によれば、周波数温度特性の向上を図ることができる。
　［適用例２］適用例１に記載の弾性表面波共振子であって、前記電極指間溝の深さＧが、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　このような特徴を持つ弾性表面波共振子によれば、電極指間溝の深さＧが製造時の誤差によりずれた場合であっても、個体間における共振周波数のシフトを補正範囲内に抑えることができる。
　［適用例３］適用例１または適用例２に記載の弾性表面波共振子であって、前記ＩＤＴの電極膜厚をＨとした場合に、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　このような特徴を有する弾性表面波共振子によれば、動作温度範囲内において良好な周波数温度特性を示すことを実現することができる。また、このような特徴を有することによれば、電極膜厚の増加に伴う耐環境特性の劣化を抑制することが可能となる。
　［適用例４］適用例３に記載の弾性表面波共振子であって、前記ライン占有率ηが、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　適用例３における電極膜厚の範囲内において式（８）を満たすようにηを定めることで、二次温度係数を略、±０．０１ｐｐｍ／℃２以内に収めることが可能となる。
　［適用例５］適用例３または適用例４に記載の弾性表面波共振子であって、前記電極指間溝の深さＧと前記電極膜厚Ｈとの和が、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　電極指間溝の深さGと電極膜厚Hとの和を上式のように定めることで、従来の弾性表面波共振子よりも高いＱ値を得ることができる。
　［適用例６］適用例１乃至適用例５のいずれか１例に記載の弾性表面波共振子であって、前記ψと前記θが、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　このような特徴を有するカット角で切り出された水晶基板を用いて弾性表面波共振子を製造することで、広い範囲で良好な周波数温度特性を示す弾性表面波共振子とすることができる。
　［適用例７］適用例１乃至適用例６のいずれか１例に記載の弾性表面波共振子であって、前記ＩＤＴにおけるストップバンド上端モードの周波数をｆｔ２、前記ＩＤＴを弾性表面波の伝搬方向に挟み込むように配置される反射器におけるストップバンド下端モードの周波数をｆｒ１、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をｆｒ２としたとき、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
 の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
　このような特徴を有することにより、ＩＤＴのストップバンド上端モードの周波数ｆｔ２において、反射器の反射係数｜Γ｜が大きくなり、ＩＤＴから励振されたストップバンド上端モードの弾性表面波が、反射器にて高い反射係数でＩＤＴ側に反射されるようになる。そしてストップバンド上端モードの弾性表面波のエネルギー閉じ込めが強くなり、低損失な弾性表面波共振子を実現することができる。
　［適用例８］適用例１乃至適用例７のいずれか１例に記載の弾性表面波共振子であって、前記反射器を構成する導体ストリップ間に導体ストリップ間溝を設け、前記電極指間溝よりも前記導体ストリップ間溝の深さの方が浅いことを特徴とする弾性表面波共振子。
　このような特徴を有することで、反射器のストップバンドをＩＤＴのストップバンドよりも高域側へ周波数シフトさせることができる。このため、式（３２）の関係を実現させることが可能となる。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
［適用例９］適用例１乃至適用例８のいずれか１例に記載の弾性表面波共振子と、前記ＩＤＴを駆動するためのＩＣを備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
［適用例１０］適用例１または適用例２に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１１］適用例３に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１２］適用例４に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１３］適用例５に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１４］適用例６に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１５］適用例７に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１６］適用例８に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
［適用例１７］適用例９に記載の弾性表面波発振器を備えたことを特徴とする電子機器。
実施形態に係るＳＡＷデバイスの構成を示す図であって、（Ａ）は平面構成を示す図であり、（Ｂ）は側面における部分拡大断面を示す図であり、（Ｃ）は（Ｂ）における詳細を説明するための部分拡大図であり、（Ｄ）は（Ｃ）における部分拡大図であって、ＳＡＷ共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定しえる溝部の断面形状を示す図である。 本発明で用いる水晶基板の母材となるウェーハの方位を示す図である。 傾斜型ＩＤＴを採用した場合におけるＳＡＷデバイスの構成例を示す図であって、（Ａ）は電極指を傾斜させてＸ´軸に直交させた形態の例であり、（Ｂ）は電極指を繋ぐバスバーを傾斜させたＩＤＴを有するＳＡＷデバイスの例である。 ストップバンド上端モードと下端モードとの関係を示す図である。 電極指間溝の深さと動作温度範囲内における周波数変動量との関係を示すグラフである。 ＳＴカット水晶基板における温度特性を示す図である。 ストップバンド上端モードの共振点とストップバンド下端モードの共振点におけるライン占有率ηの変化に伴う二次温度係数の変化の違いを示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを２％λとした場合におけるストップバンド上端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、（Ｂ）は溝深さＧを２％λとした場合におけるストップバンド下端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、（Ｃ）は溝深さＧを４％λとした場合におけるストップバンド上端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、（Ｄ）は溝深さＧを４％λとした場合におけるストップバンド下端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフである。 電極膜厚を０として電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを１％λ、（Ｂ）は溝深さＧを１．２５％λ、（Ｃ）は溝深さＧを１．５％λ、（Ｄ）は溝深さＧを２％λ、（Ｅ）は溝深さＧを３％λ、（Ｆ）は溝深さＧを４％λ、（Ｇ）は溝深さＧを５％λ、（Ｈ）は溝深さＧを６％λ、（Ｉ）は溝深さＧを８％λとした場合におけるグラフである。 電極膜厚を０とした場合における二次温度係数が０となる電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を示すグラフである。 電極膜厚を０として電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを１％λ、（Ｂ）は溝深さＧを１．２５％λ、（Ｃ）は溝深さＧを１．５％λ、（Ｄ）は溝深さＧを２％λ、（Ｅ）は溝深さＧを３％λ、（Ｆ）は溝深さＧを４％λ、（Ｇ）は溝深さＧを５％λ、（Ｈ）は溝深さＧを６％λ、（Ｉ）は溝深さＧを８％λとした場合におけるグラフである。 電極指間溝の深さと、該電極指間溝の深さが±０．００１λずれた場合の周波数変動量との関係を示すグラフである。 電極膜厚を変化させた場合における二次温度係数が０となる電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は電極膜厚を１％λ、（Ｂ）は電極膜厚を１．５％λ、（Ｃ）は電極膜厚を２％λ、（Ｄ）は電極膜厚を２．５％λ、（Ｅ）は電極膜厚を３％λ、（Ｆ）は電極膜厚を３．５％λとした場合におけるグラフである。 各電極膜厚における二次温度係数β≒０（ｐｐｍ／℃２）となるη１と電極指間溝の深さとの関係をグラフにまとめた図であり、（Ａ）は電極膜厚を１％λ～３．５％λまで変化させた際の溝深さＧとη１との関係を示し、（Ｂ）は、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）となる領域が点Ａ乃至Ｈを結んでなる多角形ないであることを説明する図である。 電極膜厚Ｈ≒０からＨ＝０．０３５λまでの電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を近似曲線で示した図である。 電極膜厚を０．０１λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０１５λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを１．５％λ、（Ｄ）は溝深さＧを２．５％λ、（Ｅ）は溝深さＧを３．５％λ、（Ｆ）は溝深さＧを４．５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０２λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０２５λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを１．５％λ、（Ｄ）は溝深さＧを２．５％λ、（Ｅ）は溝深さＧを３．５％λ、（Ｆ）は溝深さＧを４．５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０３λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０３５λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０１λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０１５λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを１．５％λ、（Ｄ）は溝深さＧを２．５％λ、（Ｅ）は溝深さＧを３．５％λ、（Ｆ）は溝深さＧを４．５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０２λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０２５λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを１．５％λ、（Ｄ）は溝深さＧを２．５％λ、（Ｅ）は溝深さＧを３．５％λ、（Ｆ）は溝深さＧを４．５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０３λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚を０．０３５λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は溝深さＧを０、（Ｂ）は溝深さＧを１％λ、（Ｃ）は溝深さＧを２％λ、（Ｄ）は溝深さＧを３％λ、（Ｅ）は溝深さＧを４％λ、（Ｆ）は溝深さＧを５％λの場合におけるグラフである。 電極膜厚Ｈを０≦Ｈ＜０．００５λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚Ｈを０．００５λ≦Ｈ＜０．０１０λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚Ｈを０．０１０λ≦Ｈ＜０．０１５λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚Ｈを０．０１５λ≦Ｈ＜０．０２０λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚Ｈを０．０２０λ≦Ｈ＜０．０２５λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚Ｈを０．０２５λ≦Ｈ＜０．０３０λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚Ｈを０．０３０λ≦Ｈ＜０．０３５λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さＧの関係を示すグラフによって｜β｜≦０．０１となる範囲を示す図であり、（Ａ）はη１、（Ｂ）はη２の場合を示す。 電極膜厚、ライン占有率η（η１：実線、η２：破線）を定めた際の電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフであり、（Ａ）は電極膜厚を１％λ、（Ｂ）は電極膜厚を１．５％λ、（Ｃ）は電極膜厚を２％λ、（Ｄ）は電極膜厚を２．５％λ、（Ｅ）は電極膜厚を３％λ、（Ｆ）は電極膜厚を３．５％λとした場合のグラフである。 各電極膜厚Ｈにおける電極指間溝の深さＧとオイラー角ψとの関係をグラフにまとめた図である。 二次温度係数βが－０．０１（ｐｐｍ／℃２）となる電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。 二次温度係数βが＋０．０１（ｐｐｍ／℃２）となる電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０＜Ｈ≦０．００５λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０．００５λ＜Ｈ≦０．０１０λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０．０１０λ＜Ｈ≦０．０１５λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０．０１５λ＜Ｈ≦０．０２０λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０．０２０λ＜Ｈ≦０．０２５λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０．０２５λ＜Ｈ≦０．０３０λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚Ｈの範囲を０．０３０λ＜Ｈ≦０．０３５λとした場合において、｜β｜≦０．０１（ｐｐｍ／℃２）の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、（Ａ）はψの最大値と最小値、（Ｂ）は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。 電極膜厚０．０２λ、電極指間溝の深さ０．０４λにおけるオイラー角θと二次温度係数βとの関係を示すグラフである。 オイラー角φと二次温度係数βとの関係を示すグラフである。 周波数温度特性が良好となるオイラー角θとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。 周波数温度特性が最も良好となった条件下における４つの試験片での周波数温度特性データの例を示す図である。 電極指間溝の深さと電極膜厚との和である段差とＣＩ値との関係を示すグラフである。 本実施形態に係るＳＡＷ共振子における等価回路定数や静特性の例を示す表である。 本実施形態に係るＳＡＷ共振子におけるインピーダンスカーブデータである。 従来のＳＡＷ共振子における段差とＱ値の関係と本実施形態に係るＳＡＷ共振子段差とＱ値の関係を比較するためのグラフである。 ＩＤＴと反射器のＳＡＷ反射特性を示す図である。 ヒートサイクル試験における電極膜厚Ｈと周波数変動との関係を示すグラフである。 実施形態に係るＳＡＷ発振器の構成を示す図である。 ＳＡＷ共振子の周波数温度特性を示すグラフであり、（Ａ）は特開２００６－２０３４０８号に開示されているＳＡＷ共振子の周波数温度特性を示すグラフ、（Ｂ）は実質的な動作温度範囲内における周波数温度特性の範囲を示すグラフである。 ＩＤＴおよび反射器に保護膜としてアルミナを被覆したＳＡＷ共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化を示すグラフである。 ＩＤＴおよび反射器に保護膜としてＳｉＯ２を被覆したＳＡＷ共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化を示すグラフである。
　１０………弾性表面波共振子（ＳＡＷ共振子）、１２………ＩＤＴ、１４ａ，１４ｂ………櫛歯状電極、１６ａ，１６ｂ………バスバー、１８ａ，１８ｂ………電極指、２０………反射器、２２………導体ストリップ、３０………水晶基板、３２………溝。
以下、本発明の弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器に係る実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
　まず、図１を参照して、本発明の弾性表面波（ＳＡＷ）共振子に係る第１の実施形態について説明する。なお図１において、図１（Ａ）はＳＡＷ共振子の平面図であり、図１（Ｂ）は部分拡大断面図、図１（Ｃ）は同図（Ｂ）における詳細を説明するための拡大図、図１（Ｄ）は図１（Ｃ）の部分拡大図に関して、本発明に係るＳＡＷ共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定しえる断面形状であって、断面形状が矩形ではなく台形状となった場合における、ＩＤＴ電極指のライン占有率ηの特定方法を説明するための図である。ライン占有率ηは、溝３２の底部から、溝３２の深さ（台座の高さ）Ｇと電極膜厚Ｈとを足した値である（Ｇ＋Ｈ）の１／２となる高さにおける、凸部の幅Ｌと溝３２の幅Ｓとを足した値（Ｌ＋Ｓ）に対する前記幅Ｌの占める割合とするのが適切である。
　本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０は、水晶基板３０と、ＩＤＴ１２、および反射器２０を基本として構成される。
　図２は、本発明で用いる水晶基板３０の母材となるウェーハ１の方位を示す図である。図２において、Ｘ軸は水晶の電気軸、Ｙ軸は水晶の機械軸、Ｚ軸は水晶の光学軸である。ウェーハ１は、Ｙ軸に垂直な面２を、Ｘ軸を回転軸として、＋Ｚ軸から－Ｙ軸に向かって回転する方向に角度θ´度（ディグリー）回転させた面を有している。この回転した面に垂直な軸がＹ´軸、回転した面に平行且つＸ軸に垂直な軸がＺ´軸である。さらに、ＳＡＷ共振子１０を構成するＩＤＴ１２および反射器２０は、水晶のＸ軸を、Ｙ´軸を回転軸とし、＋Ｘ軸から＋Ｚ´軸に向かって回転する方向を正として＋ψ度（または－ψ度）回転させたＸ´軸に沿って配置される。ＳＡＷ共振子１０を構成する水晶基板３０は、ウェーハ１から切り出されて個片化されたものである。水晶基板３０の平面視形状は特に限定されないが、例えばＹ´軸を回転軸としてＺ´軸を＋ψ度回転させたＺ´´軸に平行な短辺を有し、Ｘ´軸に平行な長辺を有する長方形であってもよい。尚、θ´とオイラー角におけるθとの関係は、θ´＝θ―９０°となる。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　本実施形態では水晶基板３０として、オイラー角（－１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）で表される面内回転ＳＴカット水晶基板を採用した。ここで、オイラー角について説明する。オイラー角（０°，０°，０°）で表される基板は、Ｚ軸に垂直な主面を有するＺカット基板となる。ここで、オイラー角（φ，θ，ψ）のφはＺカット基板の第１の回転に関するものであり、Ｚ軸を回転軸とし、＋Ｘ軸から＋Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第１回転角度である。オイラー角のθはＺカット基板の第１の回転後に行う第２の回転に関するものであり、第１の回転後のＸ軸を回転軸とし、第１の回転後の＋Ｙ軸から＋Ｚ軸へ回転する方向を正の回転角度とした第２の回転角度である。圧電基板のカット面は、第１回転角度φと第２回転角度θとで決定される。オイラー角のψはＺカット基板の第２の回転後に行う第３の回転に関するものであり、第２の回転後のＺ軸を回転軸とし、第２の回転後の+Ｘ軸から第２の回転後の+Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第３回転角度である。ＳＡＷの伝搬方向は、第２の回転後のＸ軸に対する第３回転角度ψで表される。
　ＩＤＴ１２は、複数の電極指１８ａ、１８ｂの基端部をそれぞれバスバー１６ａ，１６ｂで接続した櫛歯状電極１４ａ，１４ｂを一対有し、一方の櫛歯状電極１４ａを構成する電極指１８ａと、他方の櫛歯状電極１４ｂを構成する電極指１８ｂとを所定の間隔をあけて交互に配置している。さらに、図１（Ａ）に示す如く電極指１８ａ、１８ｂは、それら電極指の延長方向が、弾性表面波の伝播方向であるＸ′軸と直交するように配置される。このようにして構成されるＳＡＷ共振子１０によって励起されるＳＡＷは、Ｒａｙｌｅｉｇｈ型（レイリー型）のＳＡＷであり、Ｙ´軸とＸ´軸の両方に振動変位成分を有する。そしてこのように、ＳＡＷの伝播方向を水晶の結晶軸であるＸ軸からずらすことで、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励起することが可能となるのである。
　また、更に、本発明に係るＳＡＷ共振子１０は、図３に示す如き形態とすることができる。即ち、図３に示す如くＸ´軸からパワーフロー角（以下、ＰＦＡと称す）δだけ傾斜させたＩＤＴを適用する場合であっても、以下の要件を満たすことによって高Ｑ化することができる。図３（Ａ）は、傾斜型ＩＤＴ１２ａの一実施形態例を示す平面図であり、オイラー角で決まるＳＡＷの伝播方向であるＸ´軸と傾斜型ＩＤＴ１２ａの電極指１８ａ，１８ｂの方向とが直交関係となるように、傾斜型ＩＤＴ１２ａにおける電極指１８ａ，１８ｂの配置形態を傾斜させたものである。
　図３（Ｂ）は、傾斜型ＩＤＴ１２ａの別の実施形態例を示す平面図である。本例では、電極指１８ａ，１８ｂを相互に接続するバスバー１６ａ，１６ｂを傾斜させることにより、Ｘ´軸に対して電極指配列方向を傾斜させて配置しているが、図３（Ａ）と同様にＸ´軸と電極指１８ａ，１８ｂの延長方向とが直交関係となるように構成されている。
　どのような傾斜型ＩＤＴを用いたとしても、これらの実施形態例のようにＸ´軸に垂直な方向が電極指の延長方向となるよう電極指を配置することにより、本発明における良好な温度特性を維持しつつ、低損失なＳＡＷ共振子を実現することができる。
　ここで、ストップバンド上端モードのＳＡＷと下端モードのＳＡＷの関係について説明する。図４に示すような正規型ＩＤＴ１２（図４に示すのはＩＤＴ１２を構成する電極指１８）によって形成されるストップバンド下端モード、および上端モードのＳＡＷにおいて、それぞれの定在波は、腹（又は節）の位置が互いにπ／２ずれている。図４は、正規型ＩＤＴ１２におけるストップバンド上端モードおよび下端モードの定在波の分布を示す図である。
図４によれば上述したように、実線で示すストップバンド下端モードの定在波は、電極指１８の中央位置、すなわち反射中心位置に腹が存在し、一点鎖線で示したストップバンド上端モードの定在波は反射中心位置に節が存在する。このような電極指間の中心位置に節が存在するモードでは、ＳＡＷの振動を電極指１８（１８ａ，１８ｂ）によって効率良く電荷に変換することができず、そのモードは電気信号として励振、もしくは、受信することができない場合が多い。しかし、本出願に記載の手法では、オイラー角におけるψを零でなくし、ＳＡＷの伝播方向を水晶の結晶軸であるＸ軸からずらすことで、ストップバンド上端モードの定在波を図４の実線の位置、すなわち、そのモードの定在波の腹を電極指１８の中央位置にシフトさせることが可能となり、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励起することが可能となるのである。
　また、反射器２０は、前記ＩＤＴ１２をＳＡＷの伝播方向に挟み込むように一対設けられる。具体的構成例としては、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８と平行に設けられる複数の導体ストリップ２２の両端をそれぞれ接続したものである。
　なお、水晶基板のＳＡＷ伝搬方向の端面からの反射波を積極的に利用する端面反射型ＳＡＷ共振子や、ＩＤＴの電極指対数を多くすることでＩＤＴ自体でＳＡＷの定在波を励起する多対ＩＤＴ型ＳＡＷ共振子においては、反射器は必ずしも必要ではない。
　このようにして構成されるＩＤＴ１２や反射器２０を構成する電極膜の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）やＡｌを主体とした合金を用いることができる。
　ＩＤＴ１２や反射器２０を構成する電極膜の電極の厚みを極力少なくすることにより電極が有する温度特性の影響を最小限としている。更に、水晶基板部の溝の深さを大きく採り、水晶基板部の溝の性能によって、すなわち水晶の良好な温度特性を利用することで、良好な周波数温度特性を引き出している。それによって電極の温度特性がＳＡＷ共振子の温度特性に与える影響を小さくすることができ、電極の質量が１０％以内の変動であれば良好な温度特性を維持することができる。
なお、上記の理由により電極膜材料として合金を用いる場合、主成分となるＡｌ以外の金属は重量比で１０％以下、望ましくは３％以下にすればよい。
Ａｌ以外の金属を主体とした電極を用いる場合には、電極の質量がＡｌを用いた場合の±１０％以内となるようにその電極の膜厚を調整すれば良い。このようにすることでＡｌを用いたときと同等の良好な温度特性が得られる。
　上記のような基本構成を有するＳＡＷ共振子１０における水晶基板３０は、ＩＤＴ１２の電極指間や反射器２０の導体ストリップ間に溝（電極指間溝）３２を設けている。
　水晶基板３０に設ける溝３２は、ストップバンド上端モードにおけるＳＡＷの波長をλとし、溝深さをＧとした場合、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 とすると良い。なお溝深さＧについて上限値を定める場合には、図５を参照することで読み取れるように、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
 の範囲とすると良い。溝深さＧをこのような範囲で定めることにより、動作温度範囲内（－４０℃～＋８５℃）における周波数変動量を、詳細を後述する目標値としての２５ｐｐｍ以下とすることができるからである。また、溝深さＧについて望ましくは、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
 の範囲とすると良い。溝深さＧをこのような範囲で定めることにより、溝深さＧに製造上のばらつきが生じた場合であっても、ＳＡＷ共振子１０個体間における共振周波数のシフト量を補正範囲内に抑えることができる。
　また、ライン占有率ηとは図１（Ｃ）や図１（Ｄ）に示すように、電極指１８の線幅（水晶凸部のみの場合には凸部の幅をいう）Ｌを電極指１８間のピッチλ／２（＝Ｌ＋Ｓ）で除した値である。したがって、ライン占有率ηは、式（４）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
　ここで本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０は、ライン占有率ηを式（５）、（６）を満たすような範囲で定めると良い。なお、数（５）、（６）からも解るようにηは溝３２の深さＧを定めることにより導き出すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
　また、本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０における電極膜材料（ＩＤＴ１２や反射器２０等）の膜厚は、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000016
 の範囲とすることが望ましい。
　さらに、ライン占有率ηについて式（７）で示した電極膜の厚みを考慮した場合、ηは式（８）により求めることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000017
　ライン占有率ηは、電極膜厚が厚いほど電気的特性（特に共振周波数）の製造ばらつきが大きくなり、電極膜厚Ｈが式（５）、（６）の範囲内においては±０．０４以内の製造ばらつき、Ｈ＞０．０３５λにおいては±０．０４より大きい製造ばらつきが生じる可能性が大きい。しかしながら、電極膜厚Ｈが式（５）、（６）の範囲内であり、且つライン占有率ηのばらつきが±０．０４以内であれば、二次温度係数βの小さいＳＡＷデバイスが実現できる。即ちライン占有率ηは、式（８）に±０．０４の公差を加えた式（９）の範囲まで許容できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000018
　上記のような構成の本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０では、二次温度係数βを±０．０１（ｐｐｍ／℃２）以内とし、望ましくはＳＡＷの動作温度範囲を－４０℃～＋８５℃とした場合に、当該動作温度範囲内における周波数変動量ΔＦを２５ｐｐｍ以下とすることができる程度まで、周波数温度特性を向上させることを目的としている。
　ところで、一般的に弾性表面波共振子の温度特性は、下式で示される。
Δｆ＝α×（Ｔ－Ｔ０）＋β×（Ｔ－Ｔ０）２
　ここで、Δｆは温度Ｔと頂点温度Ｔ０間の周波数変化量（ｐｐｍ）、αは１次温度係数（ｐｐｍ／℃）、βは２次温度係数（ｐｐｍ／℃２）、Ｔは温度、Ｔ０は周波数が最大となる温度（頂点温度）を意味する。
　例えば、圧電基板がいわゆるＳＴカット（オイラー角（φ、θ、ψ）＝（０°、１２０°～１３０°、０°））の水晶板で形成されている場合、１次定数α＝０．０、２次定数β＝－０．０３４となり、グラフに示すと図６のようになる。図６において、温度特性は上に凸の放物線（２次曲線）を描いている。
　図６に示すようなＳＡＷ共振子は、温度の変化に対する周波数変動量が極めて大きく、温度変化に対する周波数変化量Δｆを抑圧することが必要となる。従って、図６に示す２次温度係数βをより０に近づけて、ＳＡＷ共振子が実際に使用される際の温度（動作温度）の変化に対する周波数変化量Δｆが０に近づくように、弾性表面波共振子を新たな知見に基づいて実現する必要があるのである。
　従って、本発明の目的の１つは、上記の如き課題を解消し、弾性表面波デバイスの周波数温度特性を極めて良好なものとし、温度が変化しても周波数が安定して動作する弾性表面波デバイスを実現することである。
　上記の如き技術思想（技術要素）を備えた構成とするＳＡＷデバイスとすれば、前述の如き課題を解決することを実現し得ること、即ち、本願発明者がシミュレーションと実験を繰り返すことによって、如何にして本発明に係る知見に想到したのかについて、以下に詳細に説明し、証明する。
　なお、前述のＳＴカットと呼ばれる水晶基板を用いて伝搬方向を結晶Ｘ軸方向としたＳＡＷ共振子は、動作温度範囲を同一とした場合、動作温度範囲内における周波数変動量ΔＦは約１３３（ｐｐｍ）となり、二次温度係数βは、－０．０３４（ｐｐｍ／℃２）程度となる。また、水晶基板のカット角とＳＡＷ伝搬方向をオイラー角表示で（０，１２３°，４５°）とし、動作温度範囲を同一とした面内回転ＳＴカット水晶基板を用いたＳＡＷ共振子においてストップバンド下端モードの励振を利用した場合、周波数変動量ΔＦは約６３ｐｐｍ、二次温度係数βは－０．０１６（ｐｐｍ／℃２）程度となる。
　これらＳＴカット水晶基板や面内回転ＳＴカット水晶基板を用いたＳＡＷ共振子はいずれもレイリー波と呼ばれる弾性表面波を利用しており、ＬＳＴカット水晶基板のリーキー波と呼ばれる弾性表面波に比べて水晶基板や電極の加工精度に対する周波数や周波数温度特性のばらつきが極めて小さいため、量産性に優れ、各種のＳＡＷ装置に利用されている。しかしながら、従来利用されていたＳＴカット水晶基板や面内回転ＳＴカット水晶基板などを用いたＳＡＷ共振子は、前述のとおり、周波数温度特性を示す曲線を二次曲線とした２次温度特性であり、更に、その２次温度特性の２次温度係数の絶対値が大きいので、動作温度範囲における周波数変動量が大きく、周波数の安定性を求める有線通信装置や無線通信装置に使用される共振子や発振器などのＳＡＷ装置には利用できなかった。例えば、ＳＴカット水晶基板の２次温度係数βの１／３以下、面内回転ＳＴカット水晶基板の２次温度係数βの３７％以上の改善に相当する２次温度係数βが±０．０１（ｐｐｍ／℃２）以下の２次温度特性を持つ周波数温度特性が得られれば、そのような周波数の安定性を求める装置を実現できる。更に、２次温度係数βがほぼ零であり、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とした３次温度特性が得られれば、動作温度範囲において、より周波数の安定性が高まり、より望ましい。このような３次温度特性では－４０℃～＋８５℃もの広い動作温度範囲においても±２５ｐｐｍ以下の従来の如きＳＡＷデバイスでは実現し得なかった極めて高い周波数安定度が得られる。
　ＳＡＷ共振子１０の周波数温度特性の変化には上述したように、ＩＤＴ１２における電極指１８のライン占有率ηや電極膜厚Ｈ、及び溝深さＧなどが関係していることが、本願発明者が行ったシミュレーションと実験に基づく知見により明らかとなった。そして本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０は、ストップバンド上端モードの励振を利用する。
　図７は、図１（Ｃ）において、電極膜厚Ｈを零（Ｈ＝０％λ）として、即ち、水晶基板３０の表面に凹凸の水晶からなる溝３２を形成した状態において、水晶基板３０の表面にＳＡＷを励起して伝播させた場合のライン占有率ηの変化に対する二次温度係数βの変化を示すグラフである。図７において図７（Ａ）は溝深さＧを０．０２λとした場合のストップバンド上端モードの共振における二次温度係数βを示し、図７（Ｂ）は溝深さＧを０．０２λとした場合のストップバンド下端モードの共振における二次温度係数βを示す。また、図７において図７（Ｃ）は溝深さＧを０．０４λとした場合のストップバンド上端モードの共振における二次温度係数βを示し、図７（Ｄ）は溝深さＧを０．０４λとした場合のストップバンド下端モードの共振における二次温度係数βを示す。なお、図７に示すシミュレーションは、周波数温度特性を変動させる因子を減らすために、電極膜を設けない水晶基板３０に何らかの形でＳＡＷを伝搬させた場合の例を示すものである。また、水晶基板３０のカット角は、オイラー角（０°，１２３°，ψ）のものを使用した。なお、ψに関しては、二次温度係数βの絶対値が最小となる値を適宜選択している。
　図７からは、ストップバンド上端モードの場合も下端モードの場合も、ライン占有率ηが０．６～０．７となるあたりで二次温度係数βが大きく変化していることを読み取ることができる。そして、ストップバンド上端モードにおける二次温度係数βの変化とストップバンド下端モードにおける二次温度係数βの変化とを比較すると、次のような事を読み取ることができる。すなわち、ストップバンド下端モードにおける二次温度係数βの変化は、マイナス側からさらにマイナス側へ変化する事により特性が低下している（二次温度係数βの絶対値が大きくなっている）。これに対し、ストップバンド上端モードにおける二次温度係数βの変化は、マイナス側からプラス側へ変化することにより特性が向上している（二次温度係数βの絶対値が小さくなる点が存在している）ということである。
　このことより、ＳＡＷデバイスにおいて良好な周波数温度特性を得るためには、ストップバンド上端モードの振動を用いることが望ましいということが明らかとなった。
　次に発明者は、溝深さＧを種々変化させた水晶基板においてストップバンド上端モードのＳＡＷを伝搬させた際におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係について調べた。
　図８（Ａ）乃至（Ｉ）は、図７と同様に電極膜厚Ｈを零（Ｈ＝０％λ）として、それぞれ溝深さＧを０．０１λ（１％λ）から０．０８λ（８％λ）まで変化させたときのライン占有率ηと二次温度係数βとの関係をシミュレーションしたときの評価結果を示すグラフである。評価結果から、溝深さＧを図８（Ｂ）に示す如く０．０１２５λ（１．２５％λ）としたあたりからβ＝０となる点、すなわち周波数温度特性を示す近似曲線が三次曲線を示す点が現れ始めていることが読み取れる。そして、図８からは、β＝０となるηがそれぞれ２箇所（ηが大きな方におけるβ＝０となる点（η１）や、ηが小さい方におけるβ＝０となる点（η２））が存在することも判明した。更に、図８に示す評価結果から、η２の方が、η１よりも溝深さＧの変化に対するライン占有率ηの変動量が大きいという事も読み取ることができる。
　この点については、図９を参照することによりその理解を深めることができる。図９は、溝深さＧを変えていった場合において二次温度係数βが０となるη１、η２をそれぞれプロットしたグラフである。図９は、溝深さＧが大きくなるにつれて、η１、η２は互いに小さくなるが、η２の方は、縦軸ηのスケールを０．５λ～０．９λの範囲で示したグラフにおいて、溝深さＧ＝０．０４λとなったあたりでスケールアウトしてしまうほど変動量が大きいということを読み取ることができる。つまり、η２は、溝深さＧの変化に対する変動量が大きいということがいえる。
　図１０（Ａ）乃至（Ｉ）は、図７や図８と同様に電極膜厚Ｈを零（Ｈ＝０％λ）として、図８における縦軸を二次温度係数βに替えて周波数変動量ΔＦとして示したグラフである。図１０からは当然に、β＝０となる２つの点（η１、η２）において、周波数変動量ΔＦが低下する事を読み取ることができる。さらに図１０からは、β＝０となる２つの点では、溝深さＧを変えたいずれのグラフにおいても、η１にあたる点の方が、周波数変動量ΔＦが小さく抑えられているということを読み取ることができる。
　上記傾向によると、製造時に誤差が生じ易い量産品に関しては、溝深さＧの変動に対するβ＝０となる点の周波数変動量が少ない方、すなわちη１を採用することが望ましいと考えられる。図５には、各溝深さＧにおいて二次温度係数βが最小となる点（η１）での周波数変動量ΔＦと溝深さＧとの関係のグラフを示す。図５によると、周波数変動量ΔＦが目標値である２５ｐｐｍ以下となる溝深さＧの下限値は、溝深さＧが０．０１λとなり、溝深さＧの範囲はそれ以上、すなわち０．０１≦Ｇということになる。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　なお、図５にはシミュレーションよって、溝深さＧが０．０８以上となる場合の例も追加した。このシミュレーションによれば溝深さＧは、０．０１λ以上で周波数変動量ΔＦが２５ｐｐｍ以下となり、その後、溝深さＧが増す毎に周波数変動量ΔＦが小さくなる。しかし、溝深さＧが約０．０９λ以上となった場合に、周波数変動量ΔＦは再び増加し、０．０９４λを越えると周波数変動量ΔＦが２５ｐｐｍを超えることとなる。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図５に示すグラフは水晶基板３０上に、ＩＤＴ１２や反射器２０等の電極膜を形成していない状態でのシミュレーションであるが、詳細を以下に示す図２１～図２６を参照すると解るように、ＳＡＷ共振子１０は電極膜を設けた方が周波数変動量ΔＦを小さくすることができると考えられる。よって溝深さＧの上限値を定めるとすれば電極膜を形成していない状態での最大値、すなわちＧ≦０．０９４λとすれば良く、目標を達成するために好適な溝深さＧの範囲としては、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000019
と示すことができる。
　なお、量産工程において溝深さＧは、最大±０．００１λ程度のバラツキを持つ。よって、ライン占有率ηを一定とした場合において、溝深さＧが±０．００１λだけズレた場合におけるＳＡＷ共振子１０の個々の周波数変動量Δｆについて図１１に示す。図１１によれば、Ｇ＝０．０４λの場合において、溝深さＧが±０．００１λズレた場合、すなわち溝深さが０．０３９λ≦Ｇ≦０．０４１λの範囲においては、周波数変動量Δｆが±５００ｐｐｍ程度であるということを読み取ることができる。
　ここで、周波数変動量Δｆが±１０００ｐｐｍ未満であれば、種々の周波数微調整手段により周波数調整が可能である。しかし、周波数変動量Δｆが±１０００ｐｐｍ以上となった場合には、周波数の調整によりＱ値、ＣＩ（crystal impedance）値等の静特性や、長期信頼性への影響が生じ、ＳＡＷ共振子１０として良品率の低下へと繋がる。
　図１１に示すプロットを繋ぐ直線について、周波数変動量Δｆ［ｐｐｍ］と溝深さＧとの関係を示す近似式を導くと、式（１０）を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000020
　ここで、Δｆ＜１０００ｐｐｍとなるＧの値を求めると、Ｇ≦０．０６９５λとなる。したがって、本実施形態に係る溝深さＧの範囲として好適には、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000021
 とすることが望ましいということができる。
　次に、図１２（Ａ）乃至（Ｆ）に、二次温度係数β＝０となるη、すなわち三次温特を示すライン占有率ηと溝深さＧとの関係をシミュレーションしたときの評価結果のグラフを示す。水晶基板３０は、オイラー角を（０°，１２３°，ψ）とした。ここでψについては、周波数温度特性が三次曲線の傾向を示す角度、すなわち二次温度係数β＝０となる角度を適宜選択している。なお、図１２と同様な条件において、β＝０となるηを得た際のオイラー角ψと溝深さＧとの関係を図３４に示す。図３４の電極膜厚Ｈ＝０．０２λのグラフ（図３４（Ｃ））において、ψ＜４２°のプロットが表示されていないが、このグラフのη２のプロットはＧ＝０．０３λにてψ＝４１．９°となっている。各電極膜厚における溝深さＧとライン占有率ηとの関係については、詳細を後述する図１５～図２０に基づいてプロットを得ている。
　図１２（Ａ）乃至（Ｆ）に示す評価結果からは、いずれの膜厚においても、上述したように、η１はη２に比べて溝深さＧの変化による変動が少ないということを読み取ることができる。このため、図１２におけるそれぞれの膜厚の溝深さＧとライン占有率ηとの関係を示すグラフからη１を抜き出し図１３（Ａ）にβ≒０となる点をプロットしてまとめた。それに対して、β≒０とはならずとも、｜β｜≦０．０１を満足する領域を評価したところ、図１３（Ｂ）に示す如く実線で示す多角形の中にη１が集中していることが明らかとなった。
　図１３（Ｂ）の点ａ乃至ｈの座標を下表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図１３（Ｂ）は、点ａ乃至ｈで囲まれた多角形内であれば、電極膜厚Ｈの厚みに係わらず｜β｜≦０．０１が保証され、良好な周波数温度特性が得られることを示している。この良好な周波数温度特性が得られる範囲は、下に示す式（１１）と式（１２）、および式（１３）の両方を満足する範囲である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000024
 　式（１１）、（１２）、（１３）より、図１３（Ｂ）において実線で囲った範囲において、ライン占有率ηは、式（５）と式（６）の両方を満たす範囲として特定することができるといえる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000026
　ここで、二次温度係数βを±０．０１（ｐｐｍ／℃２）以内まで許容する場合、０．０１００λ≦Ｇ≦０．０５００λにおいては、式（３）と式（５）を共に満たし、０．０５００λ≦Ｇ≦０．０６９５λにおいては、式（３）と式（６）を共に満たすように構成すれば、二次温度係数βが±０．０１（ｐｐｍ／℃２）以内になることを確認した。
　尚、点ａ乃至ｈにおける各電極膜厚Ｈの二次温度係数βの値を下表２に示す。表２からは、全ての点において、｜β｜≦０．０１となっていることが確認できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　また、式（１１）～（１３）およびこれにより導かれる式（５）、（６）を踏まえて電極膜厚Ｈ≒０、０．０１λ、０．０２λ、０．０３λ、０．０３５λとしたＳＡＷ共振子１０についてそれぞれ、β＝０となる溝深さＧとライン占有率ηとの関係を近似直線で示すと図１４のようになる。なお、電極膜を設けない水晶基板３０における溝深さＧとライン占有率ηとの関係については、図９に示した通りである。
　電極膜厚Ｈを３．０％λ（０．０３０λ）以下で変化させたときに、β＝０、即ち、３次曲線の周波数温度特性が得られる。このとき、周波数温度特性が良好となるＧとηとの関係式は式（８）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000027
 ここで、Ｇ、Ｈの単位はλである。
　但し、この式（８）は、電極膜厚Ｈが、０＜Ｈ≦０．０３０λの範囲において成立するものである。
　ライン占有率ηは、電極膜厚が厚いほど電気的特性（特に共振周波数）の製造ばらつきが大きくなり、電極膜厚Ｈが式（５）、（６）の範囲内においては±０．０４以内の製造ばらつき、Ｈ＞０．０３５λにおいては±０．０４より大きい製造ばらつきが生じる可能性が大きい。しかしながら、電極膜厚Ｈが式（５）、（６）の範囲内であり、且つライン占有率ηのばらつきが±０．０４以内であれば、二次温度係数βの小さいＳＡＷデバイスが実現できる。即ち、ライン占有率の製造ばらつきを考慮した上で二次温度係数βを±０．０１ｐｐｍ／℃２以内とする場合、ライン占有率ηは、式（８）に±０．０４の公差を加えた式（９）の範囲まで許容できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000028
　図１５～図２０に、電極膜厚をそれぞれ０．０１λ（１％λ）、０．０１５λ（１．５％λ）、０．０２λ（２％λ）、０．０２５λ（２．５％λ）、０．０３λ（３％λ）、０．０３５λ（３．５％λ）とした場合において、溝深さＧを変化させた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係のグラフを示す。
　また、図２１～図２６には、図１５～図２０にそれぞれ対応したＳＡＷ共振子１０におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係のグラフを示す。なお、水晶基板はいずれもオイラー角（０°，１２３°，ψ）のものを使用し、ψについては適宜ΔＦが最小となる角度を選択する。
　ここで、図１５（Ａ）乃至（Ｆ）は、電極膜厚Ｈを０．０１λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図２１（Ａ）乃至（Ｆ）は電極膜厚Ｈを０．０１λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示す図である。
　また、図１６（Ａ）乃至（Ｆ）は、電極膜厚Ｈを０．０１５λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図２２（Ａ）乃至（Ｆ）は電極膜厚Ｈを０．０１５λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示す図である。
　また、図１７（Ａ）乃至（Ｆ）は、電極膜厚Ｈを０．０２λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図２３（Ａ）乃至（Ｆ）は電極膜厚Ｈを０．０２λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示す図である。
　また、図１８（Ａ）乃至（Ｆ）は、電極膜厚Ｈを０．０２５λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図２４（Ａ）乃至（Ｆ）は電極膜厚Ｈを０．０２５λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示す図である。
　また、図１９（Ａ）乃至（Ｆ）は、電極膜厚Ｈを０．０３λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図２５（Ａ）乃至（Ｆ）は電極膜厚Ｈを０．０３λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示す図である。
　また、図２０（Ａ）乃至（Ｆ）は、電極膜厚Ｈを０．０３５λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図２６（Ａ）乃至（Ｆ）は電極膜厚Ｈを０．０３５λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔＦとの関係を示す図である。
　これらの図（図１５～図２６）においては、いずれのグラフにおいても微差はあるものの、その変化の傾向に関しては、水晶基板３０のみにおけるライン占有率ηと二次温度係数β、およびライン占有率ηと周波数変動量ΔＦの関係を示すグラフである図８、図１０と似ていることが解る。
　つまり、本実施形態に係る効果は、電極膜を除いた水晶基板３０単体における弾性表面波の伝播においても奏することができるということが言える。
　二次温度係数βが０となる２点のη１、η２の各々に対して、βの範囲を｜β｜≦０．０１まで拡張したときのη１、η２の範囲について、電極膜厚Ｈの範囲を定めて溝深さＧを変化させた場合について、それぞれシミュレーションを実施した。なお、η１、η２はそれぞれ、｜β｜≦０．０１となる大きい方のηをη１、｜β｜≦０．０１となる小さい方のηをη２としている。なお、水晶基板はいずれもオイラー角（０°，１２３°，ψ）のものを使用し、ψについては適宜ΔＦが最少となる角度を選択する。
　図２７（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．０００λ＜Ｈ≦０．００５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表３は、図２７（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　図２７（Ａ）と表３から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０９λの範囲において、計測点ａ－ｒで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図２７（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．０００λ＜Ｈ≦０．００５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表４は、図２７（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　図２７（Ｂ）と表４から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０３λ≦Ｇ≦０．０９λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図２８（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．００５λ＜Ｈ≦０．０１０λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表５は、図２８（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　図２８（Ａ）と表５から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０８λの範囲において、計測点ａ－ｐで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図２８（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．００５λ＜Ｈ≦０．０１０λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表６は、図２８（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　図２８（Ｂ）と表６から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０２λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｌで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図２９（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．０１０λ＜Ｈ≦０．０１５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表７は、図２９（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　図２９（Ａ）と表７から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０８λの範囲において、計測点ａ－ｐで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図２９（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．０１０λ＜Ｈ≦０．０１５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表８は、図２９（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　図２９（Ｂ）と表８から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３０（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．０１５λ＜Ｈ≦０．０２０λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表９は、図３０（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　図３０（Ａ）と表９から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３０（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．０１５λ＜Ｈ≦０．０２０λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１０は、図３０（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
　図３０（Ｂ）と表１０から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３１（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．０２０λ＜Ｈ≦０．０２５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１１は、図３１（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
　図３１（Ａ）と表１１から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３１（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．０２０λ＜Ｈ≦０．０２５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１２は、図３１（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　図３１（Ｂ）と表１２から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３２（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．０２５λ＜Ｈ≦０．０３０λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１３は、図３２（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　図３２（Ａ）と表１３から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３２（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．０２５λ＜Ｈ≦０．０３０λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１４は、図３２（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　図３２（Ｂ）と表１４から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３３（Ａ）は、電極膜厚Ｈを０．０３０λ＜Ｈ≦０．０３５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη１と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１５は、図３３（Ａ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
　図３３（Ａ）と表１５から、η１では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３３（Ｂ）は、電極膜厚Ｈを０．０３０λ＜Ｈ≦０．０３５λとした場合において、上記βの範囲を満たすη２と溝深さＧの関係を示すグラフであり、表１６は、図３３（Ｂ）に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標（Ｇ／λ、η）と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　図３３（Ｂ）と表１６から、η２では電極膜厚Ｈが上記範囲内である場合、溝深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの範囲において、計測点ａ－ｎで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
　図３５に、図３４に示すグラフにおけるη１によって得られるψと溝深さＧとの関係をまとめた。なお、η１を選択した理由については上述した通りである。図３５に示すように、電極膜の膜厚が変化した場合であっても、ψの角度には殆ど違いは無く、ψの最適角度は溝深さＧの変動にしたがって変化して行くことが解る。これも、二次温度係数βの変化が水晶基板３０の形態に起因する割合が高いことの裏付けということができる。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　上記と同様にして、二次温度係数β＝－０．０１（ｐｐｍ／℃２）となるψとβ＝＋０．０１（ｐｐｍ／℃２）となるψについて溝深さＧとの関係を求め、図３６、図３７にまとめた。これらのグラフ（図３５～図３７）から－０．０１≦β≦＋０．０１とすることのできるψの角度を求めると、上記条件下における好適なψの角度範囲は４３°＜ψ＜４５°と定めることができ、さらに好適には４３．２°≦ψ≦４４．２°と定めることができる。
　なお、電極膜厚Ｈを変化させた場合において、溝深さＧを変化させた際に｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲についてシミュレーションを行った。そのシミュレーションの結果を、図３８～図４４に示す。なお、水晶基板はいずれもオイラー角（０°，１２３°，ψ）のものを使用し、ψについては適宜ΔＦが最少となる角度を選択する。
　図３８（Ａ）は、電極膜厚Ｈの範囲を０＜Ｈ≦０．００５λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図３８（Ａ）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図３８（Ｂ）のように示すことができ、図３８（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図３８（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（１４）、（１５）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000030
　図３９（Ａ）は、電極膜厚Ｈの範囲を０．００５λ＜Ｈ≦０．０１０λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図３９（Ａ）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図２９（Ｂ）のように示すことができ、図３９（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図３９（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（１６）、（１７）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000032
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図４０（Ａ）は、電極膜厚Ｈの範囲を０．０１０λ＜Ｈ≦０．０１５λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図４０（Ａ）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図４０（Ｂ）のように示すことができ、図４０（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図４０（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（１８）、（１９）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000034
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図４１（Ａ）は、電極膜厚Ｈの範囲を０．０１５λ＜Ｈ≦０．０２０λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図４１（Ａ）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図４１（Ｂ）のように示すことができ、図４１（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図４１（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（２０）、（２１）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000036
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図４２（A）は、電極膜厚Ｈの範囲を０．０２０λ＜Ｈ≦０．０２５λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図４２（A）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図４２（Ｂ）のように示すことができ、図４２（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図４２（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（２２）～（２４）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000039
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図４３（Ａ）は、電極膜厚Ｈの範囲を０．０２５λ＜Ｈ≦０．０３０λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図４３（Ａ）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図４３（Ｂ）のように示すことができ、図４３（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図４３（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（２５）～（２７）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000042
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図４４（Ａ）は、電極膜厚Ｈの範囲を０．０３０λ＜Ｈ≦０．０３５λとした場合において、｜β｜≦０．０１の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　溝深さＧを０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの範囲として、図４４（Ａ）に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図４４（Ｂ）のように示すことができ、図４４（Ｂ）において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図４４（Ｂ）に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式（２８）～（３０）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000045
　次に、図４５にθの角度を振った際の二次温度係数βの変化、すなわちθと二次温度係数βとの関係を示す。ここで、シミュレーションに用いたＳＡＷデバイスは、カット角とＳＡＷ伝搬方向をオイラー角表示で（０，θ，ψ）とし、溝深さＧを０．０４λとした水晶基板であり、電極膜厚Ｈは０．０２λとしている。なお、ψに関しては、θの設定角度に基づいて、上述した角度範囲内において、適宜二次温度係数βの絶対値が最小となる値を選択した。また、ηに関しては、上記式（８）に従って、０．６３８３とした。
　このような条件の下、θと二次温度係数βとの関係を示す図４５からは、θが１１７°以上１４２°以下の範囲内であれば、二次温度係数βの絶対値が０．０１（ｐｐｍ／℃２）の範囲内にある事を読み取ることができる。よって、上記のような設定値において、θを１１７°≦θ≦１４２°の範囲で定めることによれば、良好な周波数温度特性を持ったＳＡＷ共振子１０を構成することができると言える。
　θと二次温度係数βとの関係を裏付けるシミュレーションデータとして、表１７～１９を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
 表１７は、電極膜厚Ｈを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、電極膜厚Ｈを０．０１％λとした場合と、電極膜厚Ｈを３．５０％λとした場合におけるθの臨界値（１１７°、１４２°）での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける溝深さＧは、いずれも４％λである。表１７からは、１１７°≦θ≦１４２°の範囲では、電極膜厚Ｈの厚みを変えた場合（電極膜厚の臨界値として規定した０≒０．０１％λと３．５％λ）であっても、その厚みに依存する事無く｜β｜≦０．０１を満足するということを読み取ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
　表１８は、溝深さＧを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、溝深さＧを１．００％λと６．９５％λとした場合におけるθの臨界値（１１７°、１４２°）での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける電極膜厚Ｈは、いずれも２．００％λである。表１８からは、１１７°≦θ≦１４２°の範囲では、溝深さＧを変えた場合（溝深さＧの臨界値として規定した１．００％λと６．９５％λ）であっても、その深さに依存する事無く｜β｜≦０．０１を満足するということを読み取ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　表１９は、ライン占有率ηを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、ライン占有率ηを０．６２と０．７６とした場合におけるθの臨界値（１１７°、１４２°）での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける電極膜厚Ｈは、いずれも２．００％λであり、溝深さＧは、いずれも４．００％λである。表１９からは、１１７°≦θ≦１４２°の範囲では、ライン占有率ηを変えた場合（η＝０．６２、０．７６は、電極膜厚Ｈを０．０２０λ～０．０２５λの範囲としてライン占有率η（η１）と溝深さＧの関係を示した図３１（Ａ）において、溝深さを４％λとした場合におけるηの最小値と最大値）であっても、その値に依存する事無く｜β｜≦０．０１を満足するということを読み取ることができる。
　図４６は、オイラー角表示で（φ，１２３°，４３．７７°）の水晶基板３０を用い、溝深さＧを０．０４λ、電極膜厚Ｈを０．０２λ、及びライン占有率ηを０．６５とした場合において、φの角度と二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
　図４６からは、φが－２°、＋２°の場合にはそれぞれ二次温度係数βが－０．０１よりも低くなってしまっているが、φが－１．５°から＋１．５°の範囲であれば確実に、二次温度係数βの絶対値が０．０１の範囲内にある事を読み取ることができる。よって、上記のような設定値においてφを－１．５°≦φ≦＋１．５°、好適には－１°≦φ≦＋１°の範囲で定めることによれば、良好な周波数温度特性を持ったＳＡＷ共振子１０を構成することができる。
　上記説明では、φ、θ、ψはそれぞれ、一定条件の下に溝深さＧとの関係において最適値の範囲を導き出している。これに対し、図４７では、－４０℃～＋８５℃における周波数変動量が最小となる非常に望ましいθとψの関係を示しており、その近似式を求めている。図４７によれば、ψの角度は、θの角度上昇に伴って変化し、三次曲線を描くように上昇する。なお、図４７の例では、θ＝１１７°とした場合のψは４２．７９°であり、θ＝１４２°とした場合のψは４９．５７°である。これらのプロットを近似曲線として示すと図４７中破線で示す曲線となり、近似式としては式（３１）で示すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000046
　このことより、ψはθが定まることにより定めることができ、θの範囲を１１７°≦θ≦１４２°とした場合におけるψの範囲は４２．７９°≦ψ≦４９．５７°とすることができる。なお、シミュレーションにおける溝深さＧ、電極膜厚Ｈはそれぞれ、Ｇ＝０．０４λ、Ｈ＝０．０２λとした。
　上記のような理由により、本実施形態において種々定めた条件によりＳＡＷ共振子１０を構成することによれば、目標値を満たす良好な周波数温度特性を実現可能なＳＡＷ共振子とすることができる。
　また、本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０では、式（７）や図１５～図２６に示したように、電極膜の膜厚Ｈを０＜Ｈ≦０．０３５λの範囲とした上で周波数温度特性の改善を図っている。これは、従来のように膜厚Ｈを極度に厚くして周波数温度特性の改善を図るものとは異なり、耐環境特性を維持したまま周波数温度特性の改善を実現するものである。図５４に、ヒートサイクル試験における電極膜厚（Ａｌ電極膜厚）と周波数変動との関係を示す。なお、図５４に示したヒートサイクル試験の結果は、－５５℃雰囲気下においてＳＡＷ共振子を３０分間晒した上で雰囲気温度＋１２５℃まで上昇させて３０分晒すというサイクルを８回続けた後のものである。図５４からは、電極膜厚Ｈを０．０６λにし、且つ電極指間溝を設けない場合に比べ、本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０の電極膜厚Ｈの範囲では、周波数変動（Ｆ変動）が、１／３以下になっていることを読み取ることができる。なお、図５４は何れのプロットもＨ＋Ｇ＝０．０６λとしている。
　また、図５４と同じ条件で製造されたＳＡＷ共振子について、１２５℃雰囲気に１０００時間放置する高温放置試験を行ったところ、従来のＳＡＷ共振子（Ｈ＝０．０６λ且つＧ＝０）に比べ、本実施形態に係るＳＡＷ共振子（Ｈ＝０．０３λ且つＧ＝０．０３λ、Ｈ＝０．０２λ且つＧ＝０．０４λ、Ｈ＝０．０１５λ且つＧ＝０．０４５λ、Ｈ＝０．０１λ且つＧ＝０．０５λの４条件）の試験前後の周波数変動量が１／３以下になることを確認した。
　上記のような条件の下、Ｈ＋Ｇ＝０．０６７λ（アルミ膜厚２０００Å、溝深さ４７００Å）、ＩＤＴのライン占有率ηｉ＝０．６、反射器のライン占有率ηｒ＝０．８、オイラー角（０°，１２３°，４３．５°）、ＩＤＴの対数１２０対、交差幅４０λ（λ＝１０μｍ）、反射器本数（片側あたり）７２本（３６対）、電極指の傾斜角度なし（電極指の配列方向とＳＡＷの位相速度方向が一致）、といった条件で製造されたＳＡＷ共振子１０では、図４８に示すような周波数温度特性を示すこととなる。
　図４８は、試験片個数ｎ＝４個による周波数温度特性をプロットしたものである。図４８によれば、これらの試験片による動作温度範囲内における周波数変動量ΔＦは約２０ｐｐｍ以下に抑制されていることを読み取ることができる。
　本実施形態では溝深さＧや電極膜厚Ｈ等による周波数温度特性への影響を説明してきた。しかし溝深さＧと電極膜厚Ｈを合わせた深さ（段差）は、等価回路定数やＣＩ値等の静特性やＱ値にも影響を与える。例えば図４９、段差を０．０６２λ～０．０７１λまで変化させた場合における段差とＣＩ値との関係を示すグラフである。図４９によればＣＩ値は、段差を０．０６７λとした時に収束し、段差をそれ以上大きくした場合であっても良化しない（低くならない）ということを読み取ることができる。
　図４８に示すような周波数温度特性を示すＳＡＷ共振子１０における周波数と等価回路定数、および静特性を図５０にまとめた。ここで、Ｆは周波数、ＱはＱ値、γは容量比、ＣＩはＣＩ（クリスタルインピーダンス：Crystal Impedance）値、Ｍは性能指数（フィギュアオブメリット：Figure of Merit）をそれぞれ示す。
　また、図５２には、従来のＳＡＷ共振子と、本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０における段差とＱ値との関係を比較するためのグラフを示す。なお、図５２においては、太線で示すグラフが本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０の特性を示すものであり、電極指間に溝を設け、且つストップバンド上端モードの共振を用いたものである。細線で示すグラフが従来のＳＡＷ共振子の特性を示すものであり、電極指間に溝を設けずにストップバンド上端モードの共振を用いたものである。図５２から明らかなように、電極指間に溝を設け、且つストップバンド上端モードの共振を用いると、段差（Ｇ＋Ｈ）が０．０４０７λ（４．０７％λ）以上の領域において、電極指間に溝を設けずにストップバンド下端モードの共振を用いた場合よりも高いＱ値が得られる。
　なお、シミュレーションに係るＳＡＷ共振子の基本データは以下の通りである。
・本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０の基本データ
Ｈ：０．０２λ
Ｇ：変化
ＩＤＴライン占有率ηｉ：０．６
反射器ライン占有率ηｒ：０．８
オイラー角（０°，１２３°，４３．５°）
対数：１２０
交差幅：４０λ（λ＝１０μｍ）
反射器本数（片側あたり）：６０
電極指の傾斜角度なし
・従来のＳＡＷ共振子の基本データ
Ｈ：変化
Ｇ：ゼロ
ＩＤＴライン占有率ηｉ：０．４
反射器ライン占有率ηｒ：０．３
オイラー角（０°，１２３°，４３．５°）
対数：１２０
交差幅：４０λ（λ＝１０μｍ）
反射器本数（片側あたり）：６０
電極指の傾斜角度なし
　これらのＳＡＷ共振子の特性を比較するため図５０や図５２を参照すると、本実施形態に係るＳＡＷ共振子１０が、いかに高Ｑ化されているかを理解することができる。このような高Ｑ化は、エネルギー閉じ込め効果の向上によるものであると考えられ、以下の理由による。
　ストップバンドの上端モードで励振した弾性表面波を効率良くエネルギー閉じ込めするためには、図５３のように、ＩＤＴ１２のストップバンド上端の周波数ｆｔ２を、反射器２０のストップバンド下端の周波数ｆｒ１と反射器２０のストップバンド上端の周波数ｆｒ２との間に設定すれば良い。即ち、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000047
 の関係を満たすように設定すれば良い。これにより、ＩＤＴ１２のストップバンド上端の周波数ｆｔ２において、反射器２０の反射係数Γが大きくなり、ＩＤＴ１２から励振されたストップバンド上端モードのＳＡＷが、反射器２０にて高い反射係数でＩＤＴ１２側に反射されるようになる。そしてストップバンド上端モードのＳＡＷのエネルギー閉じ込めが強くなり、低損失な共振子を実現することができる。
　これに対し、ＩＤＴ１２のストップバンド上端の周波数ｆｔ２と反射器２０のストップバンド下端の周波数ｆｒ１、反射器２０のストップバンド上端の周波数ｆｒ２との関係をｆｔ２＜ｆｒ１の状態やｆｒ２＜ｆｔ２の状態に設定してしまうと、ＩＤＴ１２のストップバンド上端周波数ｆｔ２において反射器２０の反射係数Γが小さくなってしまい、強いエネルギー閉じ込め状態を実現することが困難になってしまう。
　ここで、式（３２）の状態を実現するためには、反射器２０のストップバンドをＩＤＴ１２のストップバンドよりも高域側へ周波数シフトする必要がある。具体的には、ＩＤＴ１２の電極指１８の配列周期よりも、反射器２０の導体ストリップ２２の配列周期を小さくすることで実現できる。また、他の方法としては、ＩＤＴ１２の電極指１８として形成された電極膜の膜厚よりも反射器２０の導体ストリップ２２として形成された電極膜の膜厚を薄くしたり、ＩＤＴ１２の電極指間溝の深さよりも反射器２０の導体ストリップ間溝の深さを浅くすることで実現できる。また、これらの手法を複数組み合わせて適用しても良い。
　なお図５０によれば、高Ｑ化の他、高いフィギュアオブメリットＭを得ることができているということができる。また、図５１は、図５０を得たＳＡＷ共振子におけるインピーダンスＺと周波数との関係を示すグラフである。図５１からは、共振点付近に無用なスプリアスが存在していない事を読み取ることができる。
　上記実施形態では、ＳＡＷ共振子１０を構成するＩＤＴ１２はすべての電極指が交互に交差しているように示した。しかし、本発明にかかるＳＡＷ共振子１０は、その水晶基板のみによっても相当な効果を奏することができる。このため、ＩＤＴ１２における電極指１８を間引きした場合であっても、同様な効果を奏することができる。
　また、溝３２に関しても、電極指１８間や反射器２０の導体ストリップ２２間に部分的に設けるようにしても良い。特に、振動変位の高いＩＤＴ１２の中央部は周波数温度特性に支配的な影響を与えるため、その部分のみに溝３２を設ける構造としても良い。このような構造であっても、周波数温度特性が良好なＳＡＷ共振子１０とすることができる。
　また、上記実施形態では、電極膜としてＡｌまたはＡｌを主体とする合金を用いる旨記載した。しかしながら、上記実施形態と同様な効果を奏することのできる金属であれば、他の金属材料を用いて電極膜を構成しても良い。
　また、上記実施形態はＩＤＴを一つだけ設けた一端子対ＳＡＷ共振子であるが、本発明はＩＤＴを複数設けた二端子対ＳＡＷ共振子にも適用可能であり、縦結合型や横結合型の二重モードＳＡＷフィルタや多重モードＳＡＷフィルタにも適用可能である。
　次に、本発明に係るＳＡＷ発振器について、図５５を参照して説明する。本発明に係るＳＡＷ発振器は図５５に示すように、上述したＳＡＷ共振子１０と、このＳＡＷ共振子１０のＩＤＴ１２に電圧を印加して駆動制御するＩＣ（integrated circuit）５０と、これらを収容するパッケージとから成る。なお、図５５において、図５５（Ａ）はリッドを除いた平面図であり、図５５（Ｂ）は、同図（Ａ）におけるＡ－Ａ断面を示す図である。
　実施形態に係るＳＡＷ発振器１００では、ＳＡＷ共振子１０とＩＣ５０とを同一のパッケージ５６に収容し、パッケージ５６の底板５６ａに形成された電極パターン５４ａ～５４ｇとＳＡＷ共振子１０の櫛歯状電極１４ａ，１４ｂ、およびＩＣ５０のパッド５２ａ～５２ｆとを金属ワイヤ６０により接続している。そして、ＳＡＷ共振子１０とＩＣ５０とを収容したパッケージ５６のキャビティは、リッド５８により気密に封止している。このような構成とすることで、ＩＤＴ１２（図１参照）とＩＣ５０、及びパッケージ５６の底面に形成された図示しない外部実装電極とを電気的に接続することができる。
　よって、近年の情報通信の高速化によるリファレンスクロックの高周波化に加え、ブレードサーバをはじめとする筐体の小型化に伴い、内部発熱の影響が大きくなり、内部に搭載される電子デバイスに求められる動作温度範囲の拡大や高精度化の要求、更には、屋外に設置される無線基地局など低温から高温の環境において、長期に亘って安定した動作が必要とされている市場において、本発明に係るＳＡＷ発振器は、動作温度範囲（使用温度範囲：－４０℃～＋８５℃）で周波数変動量が約２０（ｐｐｍ）以下という極めて良好な周波数温度特性を有しているので好適である。 
　更に、本発明に係るＳＡＷ共振子或は当該ＳＡＷ共振子を備えたＳＡＷ発振器は周波数温度特性の大幅な改善を実現しているので、例えば、携帯電話，ハードディスク，パーソナルコンピューター，ＢＳおよびＣＳ放送を受信するチューナ，同軸ケーブル中を伝播する高周波信号または光ケーブル中を伝播する光信号を処理する機器，広い温度範囲にて高周波・高精度クロック（低ジッタ、低位相雑音）を必要とされるサーバ・ネットワーク機器や無線通信用機器などの電子機器において、極めて良好な周波数温度特性と共に、ジッタ特性、位相ノイズ特性に優れた製品を実現することに大きく寄与し、さらなるシステムの信頼性と品質の向上に大きく貢献することは言うまでもない。
　以上、説明したように、本発明に係るＳＡＷ共振子は、図４８で示す如く動作温度範囲（使用温度範囲：－４０℃～＋８５℃）内に変曲点を有しているので、３次曲線若しくは３次曲線に近い周波数変動量の極めて小さい、約２０ｐｐｍ以下という周波数温度特性を実現できた。
[規則91に基づく訂正 06.07.2010]　
　図５６（Ａ）は、特開２００６－２０３４０８号に開示されているＳＡＷ共振子の周波数温度特性を示すグラフである。周波数温度特性が３次曲線を示しているが、ご覧のとおり変曲点が動作温度範囲（使用温度範囲：－４０℃～＋８５℃）を超えた領域に存在しているため、実質的には図５６（Ｂ）に示す如く上に凸の頂点を有する２次曲線となる。このため、周波数変動量は１００（ｐｐｍ）という極めて大きな値となっている。
　それに対して、本発明に係るＳＡＷ共振子は、動作温度範囲内で３次曲線もしくは３次曲線に近い周波数変動量とし、周波数変動量を飛躍的に小さくすることを実現したのである。ＩＤＴおよび反射器に保護膜を被覆したＳＡＷ共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化について、図５７、および図５８に示す。
　図５７に示す例は、電極に対して保護膜としてのアルミナを皮膜した場合における動作温度範囲内における周波数変動量を示す図である。図５７によれば、動作温度範囲内における周波数変動量は、１０（ｐｐｍ）以下とすることができることを読み取ることができる。
・図５７に示す例に係るＳＡＷ共振子の基本データ
Ｈ（材質：アルミ）：２０００（Å）
Ｇ：４７００（Å）
（Ｈ+Ｇ＝０．０６７）
ＩＤＴライン占有率ηｉ：０．６
反射器ライン占有率ηｒ：０．８
オイラー角（０°，１２３°，４３．５°）の面内回転ＳＴカット基板
対数：１２０
交差幅：４０λ（λ＝１０（μｍ））
反射器本数（片側あたり）：３６
電極指の傾斜角度なし
保護膜（アルミナ）の膜厚４００（Å）
二次温度係数β＝＋０．０００７（ｐｐｍ／℃２）
　図５８に示す例は、電極に対して保護膜としてのＳｉＯ２を皮膜した場合における動作温度範囲内における周波数変動量を示す図である。図５８によれば、動作温度範囲内における周波数変動量は、２０（ｐｐｍ）以下とすることができることを読み取ることができる。
・図５８に示す例に係るＳＡＷ共振子の基本データ
Ｈ（材質：アルミ）：２０００（Å）
Ｇ：４７００（Å）
（Ｈ+Ｇ＝０．０６７）
ＩＤＴライン占有率ηｉ：０．６
反射器ライン占有率ηｒ：０．８
オイラー角（０°，１２３°，４３．５°）の面内回転ＳＴカット基板
対数：１２０
交差幅：４０λ（λ＝１０（μｍ））
反射器本数（片側あたり）：３６
電極指の傾斜角度なし
保護膜（ＳｉＯ２）の膜厚４００（Å）
二次温度係数β＝＋０．００３９（ｐｐｍ／℃２）

Claims (17)

  1. 　オイラー角（－１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝を有する弾性表面波共振子であって、
    　前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをＧとした場合に、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000048
     を満たし、
    　かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さＧと前記ライン占有率ηとが
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000049
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000050
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  2. 　請求項１に記載の弾性表面波共振子であって、
    　前記電極指間溝の深さＧが、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000051
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  3. 　請求項１または請求項２に記載の弾性表面波共振子であって、
    　前記ＩＤＴの電極膜厚をＨとした場合に、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000052
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  4. 　請求項３に記載の弾性表面波共振子であって、
    　前記ライン占有率ηが、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000053
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  5. 　請求項３または請求項４に記載の弾性表面波共振子であって、
    　前記電極指間溝の深さＧと前記電極膜厚Ｈとの和が、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000054
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  6. 　請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子であって、前記ψと前記θが、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000055
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  7. 　請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子であって、
    　前記ＩＤＴにおけるストップバンド上端モードの周波数をｆｔ２、前記ＩＤＴを弾性表面波の伝搬方向に挟み込むように配置される反射器におけるストップバンド下端モードの周波数をｆｒ１、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をｆｒ２としたとき、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000056
     の関係を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
  8. 　請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子であって、
    　前記反射器を構成する導体ストリップ間に導体ストリップ間溝を設け、
    　前記電極指間溝よりも前記導体ストリップ間溝の深さの方が浅いことを特徴とする弾性表面波共振子。
  9. 　請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子と、前記ＩＤＴを駆動するためのＩＣを備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
  10. 請求項１または請求項２に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  11. 請求項３に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  12. 請求項４に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  13. 請求項５に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  14. 請求項６に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  15. 請求項７に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  16. 請求項８に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
  17. 請求項９に記載の弾性表面波発振器を備えたことを特徴とする電子機器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933612B2 (en) 2009-02-27 2015-01-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4645923B2 (ja) 2009-02-27 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
JP5678486B2 (ja) 2010-06-17 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
JP5934464B2 (ja) 2010-08-26 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012049817A (ja) 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012049818A (ja) 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器
JP2012060422A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060418A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060421A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060420A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060417A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060419A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP5652606B2 (ja) * 2010-12-03 2015-01-14 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
JP5648908B2 (ja) 2010-12-07 2015-01-07 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器
JP5648695B2 (ja) * 2010-12-24 2015-01-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US20130335170A1 (en) * 2011-01-27 2013-12-19 Kyocera Corporation Acoustic wave element and acoustic wave device using same
CN103929147B (zh) * 2013-01-11 2017-02-01 中国科学院声学研究所 一种高品质因子的单端对声表面波谐振器
JP5835765B2 (ja) * 2013-06-28 2015-12-24 リバーエレテック株式会社 弾性波素子
JP6274223B2 (ja) * 2013-12-26 2018-02-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置
DE102014105860A1 (de) 2014-04-25 2015-10-29 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement und Kristallschnitte für elektroakustische Bauelemente
JP5850109B2 (ja) * 2014-08-14 2016-02-03 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
DE102015106191A1 (de) * 2015-04-22 2016-10-27 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement mit verbesserter Akustik
TWI679747B (zh) * 2017-02-28 2019-12-11 穩懋半導體股份有限公司 聲波元件與變容二極體整合結構暨聲波元件、變容二極體與功率放大器整合結構及其製造方法
CN111649839B (zh) * 2020-06-10 2022-01-04 北京遥测技术研究所 一种非线性自校正的谐振型声表面波温度传感器

Family Cites Families (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US382217A (en) * 1888-05-01 Sand-molding machine
US4130813A (en) * 1977-05-23 1978-12-19 Raytheon Company Surface wave device having enhanced reflectivity gratings
JPS54156455A (en) 1978-05-31 1979-12-10 Toshiba Corp Surface acoustic wave element and its trimming method
JPS55110155A (en) 1979-02-16 1980-08-25 Toray Silicone Co Ltd Organopolysiloxane composition forming releasable film
JPS5799813A (en) * 1980-12-13 1982-06-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Surface acoustic wave resonator
JPS575418A (en) 1980-06-13 1982-01-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Cavity type surface elastic wave resonator
GB2078042B (en) * 1980-06-13 1984-08-08 Nippon Telegraph & Telephone Surface acoustic wave resonator
US4837355A (en) * 1980-08-21 1989-06-06 Ici Australia Limited Process for the synthesis of phenoxyalkane derivatives
JPS5833309A (ja) 1981-08-21 1983-02-26 Toyo Commun Equip Co Ltd すべり波共振器
JPS59865A (ja) 1982-06-28 1984-01-06 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 鉛蓄電池陽極板の製造法
JPS6192011A (ja) 1984-10-11 1986-05-10 Nec Kansai Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JPS6388910A (ja) 1986-10-02 1988-04-20 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波共振子
JPS6434411A (en) 1987-07-29 1989-02-03 Hitachi Ltd Controlling device for injection amount of flocculant in purification plant
JPS6468114A (en) 1987-09-09 1989-03-14 Hiroshi Shimizu Structure for idt exciting type piezoelectric resonator
JPH01231412A (ja) 1988-03-11 1989-09-14 Fujitsu Ltd 弾性表面波ディバイスの周波数特性調整方法
JPH02189011A (ja) 1989-01-18 1990-07-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
JPH02224591A (ja) * 1989-02-27 1990-09-06 Ricoh Co Ltd 磁気記録再生装置
JP2982208B2 (ja) 1990-03-30 1999-11-22 富士通株式会社 弾性表面波素子
CA2038474C (en) * 1990-03-19 1994-09-20 Yoshio Satoh Surface-acoustic-waver filter having a plurality of electrodes
JP3126416B2 (ja) 1991-06-26 2001-01-22 キンセキ株式会社 弾性表面波装置
JPH0590865A (ja) 1991-09-30 1993-04-09 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フイルタの中心周波数調整方法
JPH06232671A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波素子の製造方法
JP3411124B2 (ja) 1994-05-13 2003-05-26 松下電器産業株式会社 弾性表面波モジュール素子の製造方法
US5895996A (en) * 1994-09-29 1999-04-20 Seiko Epson Corporation Saw device
US5815900A (en) * 1995-03-06 1998-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a surface acoustic wave module
JPH10270974A (ja) 1997-03-25 1998-10-09 Kenwood Corp 表面弾性波素子
JP3266846B2 (ja) * 1998-01-20 2002-03-18 東洋通信機株式会社 反射反転型弾性表面波変換器及びフィルタ
JP3301399B2 (ja) * 1998-02-16 2002-07-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
FR2779289B1 (fr) * 1998-05-29 2000-09-01 Thomson Csf Transducteur unidirectionnel grave a ondes acoustiques de surface
JP3840852B2 (ja) 1998-10-15 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置及び２ポート弾性表面波共振子
WO2000041523A2 (en) * 1999-01-12 2000-07-20 Hunter Douglas Inc. Nonwoven fabric and method and apparatus for manufacturing same
JP2000216632A (ja) 1999-01-20 2000-08-04 Kubota Corp 表面弾性波発振器
US6674215B1 (en) * 1999-11-16 2004-01-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Elastic wave device
JP2002100959A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイス
JP3897229B2 (ja) * 2001-04-27 2007-03-22 株式会社村田製作所 表面波フィルタ
AUPR507601A0 (en) * 2001-05-21 2001-06-14 Microtechnology Centre Management Limited Surface acoustic wave sensor
JP3724575B2 (ja) * 2001-08-09 2005-12-07 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置
JP3622202B2 (ja) * 2001-08-29 2005-02-23 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置の温度特性調整方法
JP2003188675A (ja) 2001-12-19 2003-07-04 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波素子及びそれを備えたデュプレクサ
JP2003258601A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機器
JP2003283282A (ja) 2002-01-15 2003-10-03 Murata Mfg Co Ltd 電極を有する電子部品、及びその製造方法、通信装置
JP3826877B2 (ja) 2002-01-22 2006-09-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置
WO2003088483A1 (fr) 2002-04-15 2003-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a ondes acoustiques de surface, appareil de communication mobile et capteur mettant tous deux en oeuvre ledit dispositif
US7154659B1 (en) * 2002-04-18 2006-12-26 General Photonics Corporation Optical depolarizers and DGD generators based on optical delay
JP2004040636A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JP2004274696A (ja) * 2002-10-04 2004-09-30 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置および弾性表面波装置の温度特性調整方法
JP4306458B2 (ja) * 2003-03-20 2009-08-05 セイコーエプソン株式会社 電圧制御型発振器、クロック変換器及び電子機器
JP2005012736A (ja) 2003-06-17 2005-01-13 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波変換器とこれを用いた電子装置
US7135805B2 (en) * 2003-04-08 2006-11-14 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface acoustic wave transducer
JP2005086233A (ja) 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置の周波数温度特性調整方法および弾性表面波装置
US7053521B2 (en) * 2003-11-10 2006-05-30 General Electric Company Method for enhancing epoxy adhesion to gold surfaces
JP4246604B2 (ja) 2003-11-18 2009-04-02 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス
JP2005204275A (ja) * 2003-12-12 2005-07-28 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子片およびその製造方法並びに弾性表面波装置
BR0318689A (pt) * 2003-12-30 2006-12-19 Telecom Italia Spa método e sistema para avaliar o campo recebido a partir de pelo menos uma fonte de campo eletromagnético em uma posição determinada do território coberto por uma rede de comunicação, rede de comunicação, terminal de rede de comunicação, métodos pára simular e planejar uma rede de rádio móvel e para localizar terminais móveis em uma rede de radio móvel e produto de programa de computador
US7315805B2 (en) * 2004-02-05 2008-01-01 Raytheon Company Operations and support discrete event stimulation system and method
WO2005099089A1 (ja) 2004-04-01 2005-10-20 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. 弾性表面波デバイス
JP2006013576A (ja) 2004-06-22 2006-01-12 Epson Toyocom Corp Ｓａｗデバイスとこれを用いた装置
JP2006074136A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子片および弾性表面波装置
JP2006148622A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置および電子機器
JP2006203408A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Epson Toyocom Corp 弾性表面波デバイス
EP1675260A3 (en) * 2004-12-03 2007-08-15 Epson Toyocom Corporation Surface acoustic wave device
JP2006186623A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、その製造方法、及び弾性表面波デバイス
CN1825759B (zh) * 2005-02-24 2011-11-16 京瓷株式会社 声表面波元件、分波器和通信设备
JP2006295311A (ja) 2005-04-06 2006-10-26 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子片および弾性表面波装置
JP3851336B1 (ja) 2005-05-31 2006-11-29 隆彌 渡邊 弾性表面波装置
US8066967B2 (en) * 2005-06-13 2011-11-29 Electrox Corporation System and method for the manipulation, classification sorting, purification, placement, and alignment of nano fibers using electrostatic forces and electrographic techniques
JPWO2006137464A1 (ja) * 2005-06-21 2009-01-22 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器
TWI295771B (en) * 2005-08-08 2008-04-11 Rdc Semiconductor Co Ltd Faulty storage area self markup access control method and system
JP2007093213A (ja) 2005-09-26 2007-04-12 Epson Toyocom Corp 圧力センサ
JP2007288812A (ja) * 2005-09-30 2007-11-01 Epson Toyocom Corp 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法
JP4809042B2 (ja) 2005-11-10 2011-11-02 日本電波工業株式会社 弾性表面波素子及びその製造方法
JP4569447B2 (ja) 2005-11-18 2010-10-27 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス
JP2006166466A (ja) 2005-12-09 2006-06-22 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JP4412292B2 (ja) * 2006-02-06 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置および電子機器
DE202006001907U1 (de) * 2006-02-07 2006-04-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit vergossenem Sockel
JP2007228012A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子
JP2007259414A (ja) 2006-02-24 2007-10-04 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置
JP2007267033A (ja) 2006-03-28 2007-10-11 Epson Toyocom Corp 弾性表面波素子及び弾性表面波デバイス
JP5141856B2 (ja) 2006-04-04 2013-02-13 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置の製造方法、及び弾性表面波装置
JP4968510B2 (ja) * 2006-04-27 2012-07-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波素子片の周波数温度特性調整方法、及び弾性表面波素子片、並びに弾性表面波デバイス
JP2007300287A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Epson Toyocom Corp 弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びに電子機器
JP2007333500A (ja) 2006-06-14 2007-12-27 Epson Toyocom Corp 圧力センサの製造方法および圧力センサ
JP4158818B2 (ja) 2006-06-21 2008-10-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP2008078739A (ja) 2006-09-19 2008-04-03 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイスおよびフィルタ
JP2008078984A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Epson Toyocom Corp Ｓａｗデバイスおよび電子機器
US7504705B2 (en) * 2006-09-29 2009-03-17 International Business Machines Corporation Striped on-chip inductor
JP4645957B2 (ja) 2006-09-29 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波素子片および弾性表面波装置
JP4465625B2 (ja) 2006-09-29 2010-05-19 Ｔｄｋ株式会社 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波共振器
JP2008177886A (ja) 2007-01-19 2008-07-31 Seiko Epson Corp Ｆｓｋ変調器
JP2008236295A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Seiko Epson Corp Ｓａｗ共振子
JP2008278349A (ja) 2007-05-02 2008-11-13 Seiko Epson Corp Ｓａｗ共振子
JP5018227B2 (ja) 2007-05-15 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 力検知ユニット
JP2008286521A (ja) 2007-05-15 2008-11-27 Epson Toyocom Corp 回転速度検知ユニット、及び回転速度センサ
JP4591800B2 (ja) * 2008-02-20 2010-12-01 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器
JP5146160B2 (ja) 2008-07-02 2013-02-20 株式会社村田製作所 弾性波共振子及びラダー型フィルタ
EP2335365B1 (en) * 2008-10-10 2018-09-12 Intel Corporation Crest factor reduction for ofdm communications systems by transmitting phase shifted resource blocks
US8344815B2 (en) * 2008-10-24 2013-01-01 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit
KR20110133037A (ko) * 2009-02-27 2011-12-09 세이코 엡슨 가부시키가이샤 탄성 표면파 공진자, 탄성 표면파 발진기, 및 전자 기기
JP4645923B2 (ja) * 2009-02-27 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
JP5678486B2 (ja) * 2010-06-17 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
JP2012049817A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012049818A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器
JP5934464B2 (ja) * 2010-08-26 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012060420A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060422A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060421A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060418A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012060419A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP5652606B2 (ja) * 2010-12-03 2015-01-14 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
JP5648908B2 (ja) * 2010-12-07 2015-01-07 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器
WO2012137027A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Gvr Trade Sa Surface acoustic wave resonator
JP5799813B2 (ja) 2012-01-10 2015-10-28 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路ユニット及び電気接続箱

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933612B2 (en) 2009-02-27 2015-01-13 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument
US8952596B2 (en) 2009-02-27 2015-02-10 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument

Also Published As

Publication number Publication date
US20100244626A1 (en) 2010-09-30
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US9762207B2 (en) 2017-09-12
JP5488825B2 (ja) 2014-05-14
KR20110133037A (ko) 2011-12-09
JP2013138495A (ja) 2013-07-11
CN102334289B (zh) 2015-10-07
JP2014112949A (ja) 2014-06-19
US8933612B2 (en) 2015-01-13

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