JPS6192011A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPS6192011A JPS6192011A JP21368784A JP21368784A JPS6192011A JP S6192011 A JPS6192011 A JP S6192011A JP 21368784 A JP21368784 A JP 21368784A JP 21368784 A JP21368784 A JP 21368784A JP S6192011 A JPS6192011 A JP S6192011A
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- Japan
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- etching
- surface acoustic
- substrate
- acoustic wave
- electrode
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は弾性表面波（５ｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉ
ｃｍｗａｖｅｓｓＡＷ）素子の製造方法に関する。
ｃｍｗａｖｅｓｓＡＷ）素子の製造方法に関する。
従来の技術
水晶やニオブ酸リチウム等の圧電性基板の上にアルｉ
ｍ極を設け、これに交番電圧を加えると、圧電性基板が
圧電効果によって柵械的振動（音波）を起す。この振動
は圧気性基板に沿って伝搬する。
ｍ極を設け、これに交番電圧を加えると、圧電性基板が
圧電効果によって柵械的振動（音波）を起す。この振動
は圧気性基板に沿って伝搬する。
弾性表面波素子は、上記圧電性基板を伝搬する振動のう
ち表面近傍に集中して伝搬する振動を利用したもので、
近年テレビの高周波回路やＩＦ回路等のフィルタや共振
子として具体化されている。
ち表面近傍に集中して伝搬する振動を利用したもので、
近年テレビの高周波回路やＩＦ回路等のフィルタや共振
子として具体化されている。
フィルタとして使用する場合には、第２図に示すように
基板１０上にくし形の交差電１１１ａ。
基板１０上にくし形の交差電１１１ａ。
１１ｂ、１２ａ、１２．ｂを２組形成して構成さ２れる
。一方の交差電極１１ａ、ｌｌｂが１次側、他方の交差
電極１２ａ、１２ｂが２次側となり、１次側に加えた信
号のうち、特定波長滅成分の信号を２次側から取り出す
ことができる。、一方、共振子として使用する場合には
、第８図に示すように基板１０上の中央に交差電極１８
ｓ１，１８ｂを設け、その両側に回折格子１４．１６（
反射器）を設けて＃Ｉ！成される。回折格子１４．１６
は共振子の共振周波数を決定するものである。
。一方の交差電極１１ａ、ｌｌｂが１次側、他方の交差
電極１２ａ、１２ｂが２次側となり、１次側に加えた信
号のうち、特定波長滅成分の信号を２次側から取り出す
ことができる。、一方、共振子として使用する場合には
、第８図に示すように基板１０上の中央に交差電極１８
ｓ１，１８ｂを設け、その両側に回折格子１４．１６（
反射器）を設けて＃Ｉ！成される。回折格子１４．１６
は共振子の共振周波数を決定するものである。
ところで、フィルタとして製作するにしろ、共振子とし
て製作するにしろ、製作当初から中心局 。
て製作するにしろ、製作当初から中心局 。
波数又は共振周波数（以下、両者を合わせて単に共振周
波数と表現する。）が所定の周波数に一致していること
はまれであり、そのため、所定の共振周波数となるよう
調整する必要がある。一般に、弾性表面波素子の共振周
波数は、交差Ｗ、極の実効膜厚に依存し、膜厚が薄くな
ると周波数が上がり、厚くなると周波数が下がることが
知られている。
波数と表現する。）が所定の周波数に一致していること
はまれであり、そのため、所定の共振周波数となるよう
調整する必要がある。一般に、弾性表面波素子の共振周
波数は、交差Ｗ、極の実効膜厚に依存し、膜厚が薄くな
ると周波数が上がり、厚くなると周波数が下がることが
知られている。
この場合、電極の膜厚は、リン酸や苛性ソーダ等でエツ
チングすることにより容易に薄くすることができるので
、共振周波数を上げることは簡単である。
チングすることにより容易に薄くすることができるので
、共振周波数を上げることは簡単である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、電極の膜厚を厚くすることは困難で、そ
のため従来は電極の膜厚を薄くする方向、即ち共振周波
数を上げる方向への調整だけを行なっていた。しかし、
製造された弾性表面波素子の中には共振周波数が所定値
より低いものもあり、これに対する調整ができなかった
ため、素子製造上の歩留りが悪い等の問題があり、その
ため、膜厚を厚くする方向への調整技術の確立が急務と
なっていた。尚、共振子については、回折格子（反射器
）の電極を一部レーザ光で焼きとばすといった方法で、
若干の周波数調整が可能であるが、バッチ処理ができな
いし、またフィルタ１他の素子には使えない等の問題が
ある。
のため従来は電極の膜厚を薄くする方向、即ち共振周波
数を上げる方向への調整だけを行なっていた。しかし、
製造された弾性表面波素子の中には共振周波数が所定値
より低いものもあり、これに対する調整ができなかった
ため、素子製造上の歩留りが悪い等の問題があり、その
ため、膜厚を厚くする方向への調整技術の確立が急務と
なっていた。尚、共振子については、回折格子（反射器
）の電極を一部レーザ光で焼きとばすといった方法で、
若干の周波数調整が可能であるが、バッチ処理ができな
いし、またフィルタ１他の素子には使えない等の問題が
ある。
問題点を解決するための手段
本発明はこのような点にあって、電極自体の膜厚を厚（
することは非常に困難であるとの認識から、電極自体の
膜厚を厚くするのではなく、電極が設けられた基板をエ
ツチングしてｉｓの実効膜厚を厚（するという巧みな方
法によって周波数の調整を可能としたものである。
することは非常に困難であるとの認識から、電極自体の
膜厚を厚くするのではなく、電極が設けられた基板をエ
ツチングしてｉｓの実効膜厚を厚（するという巧みな方
法によって周波数の調整を可能としたものである。
即ち、本発明に係る弾性表面波素子製造方法は、基板部
材を選択的に食刻し得る元素を用いたイオンミリング装
置で、共振周波数が未調整め弾性表面波素子をエツチン
グし、電極の実効膜厚を調整するようにしたことを特徴
としている。
材を選択的に食刻し得る元素を用いたイオンミリング装
置で、共振周波数が未調整め弾性表面波素子をエツチン
グし、電極の実効膜厚を調整するようにしたことを特徴
としている。
作用
基板部材をエツチングする場合に、電極をも同時に同量
ないしはそれ以上エツチングしたのでは実効膜厚を厚く
することはできない。この場合、ｉ極をマスクしておい
て、基板部材だけをエツチングすることが可能であるが
、それでは、作業性が悪い。本発明は基板部材だけを選
択的に食刻し得る元素を用いたイオンミリング装置によ
るので、作業性を損なうことなく、電極の実効膜厚を厚
くすることができるのである。
ないしはそれ以上エツチングしたのでは実効膜厚を厚く
することはできない。この場合、ｉ極をマスクしておい
て、基板部材だけをエツチングすることが可能であるが
、それでは、作業性が悪い。本発明は基板部材だけを選
択的に食刻し得る元素を用いたイオンミリング装置によ
るので、作業性を損なうことなく、電極の実効膜厚を厚
くすることができるのである。
尚、イオンミリング装置で基板部材だけを選択的に食刻
できる元素は、基板部材及び電極の材料によって異なる
ので、実施に際しては適切な元素を選択する必要がある
。
できる元素は、基板部材及び電極の材料によって異なる
ので、実施に際しては適切な元素を選択する必要がある
。
実施例
して例えば水晶基板、２はその上に形成された電極とし
て例えばアルミ製電極である。基板部材１だけを選択的
に食刻し得る元素としては酸素を用い、これをイオンミ
リング装置（図示せず）でプラズマ状態にし、酸素イオ
ンビームとして弾性表面波素子に照射しエツチングを行
なう。いわゆるドライエツチング法によるエツチングを
行なうのである。
て例えばアルミ製電極である。基板部材１だけを選択的
に食刻し得る元素としては酸素を用い、これをイオンミ
リング装置（図示せず）でプラズマ状態にし、酸素イオ
ンビームとして弾性表面波素子に照射しエツチングを行
なう。いわゆるドライエツチング法によるエツチングを
行なうのである。
このような酸素イオンビームのエツチングは、アルミ電
極に対する食刻が少なく、水晶基板に対する食刻が随分
大きいため、アルミ電極はイオンビームに対するマスク
の役割を果し、従って、はとんど水晶基板だけをエツチ
ングできる。この方法でエツチングした状況を第１図（
Ｂｌに示す。寅験によれば、共振周波数９１．２ＭＨｚ
の弾性表面波素子（ＳＡＷ共振子）を上記方法で１０分
間エツチングしたところ、周波数降下量は約７０ ＫＨ
ｚ（８０ｐｐｒｎ／ ｍｉｎ ）であった。
極に対する食刻が少なく、水晶基板に対する食刻が随分
大きいため、アルミ電極はイオンビームに対するマスク
の役割を果し、従って、はとんど水晶基板だけをエツチ
ングできる。この方法でエツチングした状況を第１図（
Ｂｌに示す。寅験によれば、共振周波数９１．２ＭＨｚ
の弾性表面波素子（ＳＡＷ共振子）を上記方法で１０分
間エツチングしたところ、周波数降下量は約７０ ＫＨ
ｚ（８０ｐｐｒｎ／ ｍｉｎ ）であった。
発明の詳細
な説明したように本発明に係る弾性表面素子の製造方法
によれば、電極の実効膜厚の調整が、電極自体の膜厚を
厚くするという困難な方法によることなく、また電極表
面にマスクをするという面倒なことを行なうことなく、
非常に容易に実施でき、従って、また膜厚を薄くすると
いう従来方法との併用により、弾性表面波素子を歩留り
良く製造できるといった優れた効果を奏するものである
０
によれば、電極の実効膜厚の調整が、電極自体の膜厚を
厚くするという困難な方法によることなく、また電極表
面にマスクをするという面倒なことを行なうことなく、
非常に容易に実施でき、従って、また膜厚を薄くすると
いう従来方法との併用により、弾性表面波素子を歩留り
良く製造できるといった優れた効果を奏するものである
０
第１図は（Ａ）（Ｂ）は本発明方法を説明する図、第２
図及び第８図は夫々、弾性表面波素子の一例を示す平面
図である。 １・・・基板部材、２・・・電極。 ￥ｆ訂出出願人 関西日計２′市ル末式会社（菅１１ Ｕ） ○
図及び第８図は夫々、弾性表面波素子の一例を示す平面
図である。 １・・・基板部材、２・・・電極。 ￥ｆ訂出出願人 関西日計２′市ル末式会社（菅１１ Ｕ） ○
Claims (2)
- （１）基板部材を選択的に食刻する元素を用いたイオン
ミリングにより共振周波数設定のエッチングを施し、前
記基板部材に対する電極の実効膜厚を調整することを特
徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - （２）弾性表面波素子が水晶基板上にアルミ電極を所定
形状に形成したものであり、前記イオンミリングの元素
が酸素である特許請求の範囲第（１）項に記載の弾性表
面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21368784A JPS6192011A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21368784A JPS6192011A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192011A true JPS6192011A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16643317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21368784A Pending JPS6192011A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192011A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284009A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
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-
1984
- 1984-10-11 JP JP21368784A patent/JPS6192011A/ja active Pending
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