JPH03284009A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH03284009A JPH03284009A JP2086236A JP8623690A JPH03284009A JP H03284009 A JPH03284009 A JP H03284009A JP 2086236 A JP2086236 A JP 2086236A JP 8623690 A JP8623690 A JP 8623690A JP H03284009 A JPH03284009 A JP H03284009A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
弾性表面波素子に関し、
高周波数帯域に用いる多電極構成型の弾性表面波素子、
たとえば、弾性表面波フィルタの通過帯域中を拡大する
ことを目的とし、 圧電体基板上に、すだれ状電極からなる複数の入力用電
極と複数の出力用電極とを交互に入り組ませて配列し、
最外側の両側にストリップ型の反射器を設けた多電極構
成型の弾性表面波素子において、前記出力用電極と反射
器の両方、または、出力用電極が占める基板領域の各櫛
型電極指下部を除く部分の前記圧電体基板の表面に浅い
溝を形成して多電極構成型の弾性表面波素子を構成する
。
たとえば、弾性表面波フィルタの通過帯域中を拡大する
ことを目的とし、 圧電体基板上に、すだれ状電極からなる複数の入力用電
極と複数の出力用電極とを交互に入り組ませて配列し、
最外側の両側にストリップ型の反射器を設けた多電極構
成型の弾性表面波素子において、前記出力用電極と反射
器の両方、または、出力用電極が占める基板領域の各櫛
型電極指下部を除く部分の前記圧電体基板の表面に浅い
溝を形成して多電極構成型の弾性表面波素子を構成する
。
あるいは、前記出力用電極と反射器の両方、または、出
力用電極の各櫛型電極指の上に付加層を形成して多電極
構成型の弾性表面波素子を構成する９〔産業上の利用分
野〕 本発明は弾性表面波素子、とくに、多電極構成型の弾性
表面波フィルタの通過帯域中特性を改善するための素子
構造の改良に関する。
力用電極の各櫛型電極指の上に付加層を形成して多電極
構成型の弾性表面波素子を構成する９〔産業上の利用分
野〕 本発明は弾性表面波素子、とくに、多電極構成型の弾性
表面波フィルタの通過帯域中特性を改善するための素子
構造の改良に関する。
近年、情報処理機器や通信機器の高速化にともなって１
．搬送波や信号波の周波数帯は益々高周波域にシフトし
てきており、それに対応して高周波ムこおける安定度の
高い基準信号の発生や１位相同期用の素子、あるいは、
フィルタなどが必要となり、最近はこれらの用途に弾性
表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタや弾性表面
波共振子が使用されるようになってきた。
．搬送波や信号波の周波数帯は益々高周波域にシフトし
てきており、それに対応して高周波ムこおける安定度の
高い基準信号の発生や１位相同期用の素子、あるいは、
フィルタなどが必要となり、最近はこれらの用途に弾性
表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタや弾性表面
波共振子が使用されるようになってきた。
今後、その小形、安価という特徴を生かして、自動車電
話、携帯電話などの移動体無線への展開が期待されてお
り、より安価で高性能、たとえば、通過帯域特性の優れ
た弾性表面波フィルタの開発が求められている。
話、携帯電話などの移動体無線への展開が期待されてお
り、より安価で高性能、たとえば、通過帯域特性の優れ
た弾性表面波フィルタの開発が求められている。
弾性表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタは、電
気−機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい圧電体基板、たとえば、３６°回転Ｙカッ
トーＸ伝播ＬｉＴａ０ｓ（３６’ Ｙ−Ｘ ＬｉＴａ０
Ｊ）単結晶基板の上に、八！などからなる入力用および
出力用のすだれ状電極を設けた３端子あるいは４端子型
素子である。
気−機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい圧電体基板、たとえば、３６°回転Ｙカッ
トーＸ伝播ＬｉＴａ０ｓ（３６’ Ｙ−Ｘ ＬｉＴａ０
Ｊ）単結晶基板の上に、八！などからなる入力用および
出力用のすだれ状電極を設けた３端子あるいは４端子型
素子である。
すだれ状電極（櫛型電極とも呼ばれる）の櫛歯すなわち
、電極指の巾（Ｌ）、電極指間のスペース（Ｓ）、電極
指間ピッチ（Ｐ）は表面波の波長をλとすると、通常、
Ｌ ＝Ｓ ＝λ／４．Ｐ＝λ／２といった設計値のもの
が多い。たとえば、中心周波数８３６ＭＨｚを得るため
には、前記基板１のＸ伝播表面波あ音速４０９０ｍ／ｓ
からλ＝４．８μｍが算出され、電極ピッチは２．４μ
ｍ、電極巾および電極間隔は１．２μｍといった値とな
る。
、電極指の巾（Ｌ）、電極指間のスペース（Ｓ）、電極
指間ピッチ（Ｐ）は表面波の波長をλとすると、通常、
Ｌ ＝Ｓ ＝λ／４．Ｐ＝λ／２といった設計値のもの
が多い。たとえば、中心周波数８３６ＭＨｚを得るため
には、前記基板１のＸ伝播表面波あ音速４０９０ｍ／ｓ
からλ＝４．８μｍが算出され、電極ピッチは２．４μ
ｍ、電極巾および電極間隔は１．２μｍといった値とな
る。
通常、入力用および出力用のすだれ状電極の一組を対面
させた構成のものが多いが、用途によって、たとえば、
自動車電話や携帯電話などの分野では低損失（たとえば
、挿入損失；３〜５ ｄＢ以下）広帯域（たとえば、中
心周波数：８３６ＭＦｌｚ以上で通過帯域中：２５ＭＨ
ｚ以）：）、抑圧度の優れた（たとえば帯域外減衰量：
２４〜２５ｄＢ）弾性表面波フィルタが要求されるよう
になっている。
させた構成のものが多いが、用途によって、たとえば、
自動車電話や携帯電話などの分野では低損失（たとえば
、挿入損失；３〜５ ｄＢ以下）広帯域（たとえば、中
心周波数：８３６ＭＦｌｚ以上で通過帯域中：２５ＭＨ
ｚ以）：）、抑圧度の優れた（たとえば帯域外減衰量：
２４〜２５ｄＢ）弾性表面波フィルタが要求されるよう
になっている。
このような性能を満たすために、種々の方法が提案され
ているが、その代表的なものに多電極構成型の弾性表面
波フィルタがある（たとえば、Ｈ９Ｌｅｔｎｉｓ、！９
８２ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ。
ているが、その代表的なものに多電極構成型の弾性表面
波フィルタがある（たとえば、Ｈ９Ｌｅｔｎｉｓ、！９
８２ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ。
ＰＩ３）。
第１４図は多電極構成型弾性表面波フィルタの電極配置
例を示す模式図で、７人カー６出力の場合である。図中
、１は圧電体基板、２は入力用電極、３は出力用電極、
２０は入力端子部、３０は出力端子部、４は反射器で図
示したごとく電気的負荷が開放されているオープンスト
リップ型の場合を示しである。入力用電極２と出力用電
極３とは交互に入り込んで配置された多段電極構成にな
っている。
例を示す模式図で、７人カー６出力の場合である。図中
、１は圧電体基板、２は入力用電極、３は出力用電極、
２０は入力端子部、３０は出力端子部、４は反射器で図
示したごとく電気的負荷が開放されているオープンスト
リップ型の場合を示しである。入力用電極２と出力用電
極３とは交互に入り込んで配置された多段電極構成にな
っている。
入出力電極は櫛歯電極指の交差長が等しい、いわゆる、
正規型−正規型構成の場合を示し、電極指の巾や本数は
図面の簡略化のため、反射器を含めて正確なものではな
く模式的に示しである。
正規型−正規型構成の場合を示し、電極指の巾や本数は
図面の簡略化のため、反射器を含めて正確なものではな
く模式的に示しである。
第１５図は従来の素子例を示す断面図である。図中、２
１．３１および４１は入力用電極２．出力用電極３゜反
射器４それぞれの櫛型電極指である。また、しは電極指
の巾、Ｓは電極指間のスペース、Ｐは電極指間ピッチで
ある。ｄは入力用電極２．出力用電極３、反射器４それ
ぞれ最外側の電極指間のスペースで通常はλ／４である
が、本発明者らはすてにｄ＝λ／２にすることによって
通過帯域特性を改善することを提案している。
１．３１および４１は入力用電極２．出力用電極３゜反
射器４それぞれの櫛型電極指である。また、しは電極指
の巾、Ｓは電極指間のスペース、Ｐは電極指間ピッチで
ある。ｄは入力用電極２．出力用電極３、反射器４それ
ぞれ最外側の電極指間のスペースで通常はλ／４である
が、本発明者らはすてにｄ＝λ／２にすることによって
通過帯域特性を改善することを提案している。
第１６図は従来例の通過帯域特性の一例を示す図で、縦
軸に減衰量１横軸に周波数を取っである。
軸に減衰量１横軸に周波数を取っである。
コノ例は圧電体基板１として３６°Ｙ −Ｘ ＬｉＴａ
０＋単結晶基板を用い、前回で説明した電極構成でｄ＝
λ／２とした場合である。通過帯域内リップル１゜５ｄ
Ｂを保証する帯域中Δｆは２１ＭＨ２が得られている。
０＋単結晶基板を用い、前回で説明した電極構成でｄ＝
λ／２とした場合である。通過帯域内リップル１゜５ｄ
Ｂを保証する帯域中Δｆは２１ＭＨ２が得られている。
第１７図は従来例のインパルス応答の一例を示す図であ
る。試料は前記第１６図で説明したものと同じもので、
主応答と第１エコーのピーク間の遅延時間τ１は３２．
３ ｎｓである。
る。試料は前記第１６図で説明したものと同じもので、
主応答と第１エコーのピーク間の遅延時間τ１は３２．
３ ｎｓである。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来の多電極構成型の弾性表面波フィルタ
では、最近のと（に広帯域を要求される用途、たとえば
、自動車電話や携帯電話に用いられるバンドパスフィル
タなどの要求性能（たとえば、Δｆ ＞２５ＭＨｚ）を
満たすことができないといった問題があり、その解決が
必要であった。
では、最近のと（に広帯域を要求される用途、たとえば
、自動車電話や携帯電話に用いられるバンドパスフィル
タなどの要求性能（たとえば、Δｆ ＞２５ＭＨｚ）を
満たすことができないといった問題があり、その解決が
必要であった。
上記の課題は、圧電体基板１上に、すだれ状電極からな
る複数の入力用電極２と複数の出力用電極３とを交互に
入り組ませて配列し、最外側の両側にストリップ型の反
射器４を設けた多電極構成型の弾性表面波素子において
、前記出力用電極３と反射器４の両方、または、出力用
電極３が占める基板領域の各櫛型電極指下部を除く部分
の前記圧電体基板１の表面に浅い溝を形成した多電極構
成型の弾性表面波素子、あるいは、前記出力用電極３と
反射器４の両方、または、出力用電極３の各櫛型電極指
の上に付加層を形成した多電極構成型の弾性表面波素子
によって解決することができる。
る複数の入力用電極２と複数の出力用電極３とを交互に
入り組ませて配列し、最外側の両側にストリップ型の反
射器４を設けた多電極構成型の弾性表面波素子において
、前記出力用電極３と反射器４の両方、または、出力用
電極３が占める基板領域の各櫛型電極指下部を除く部分
の前記圧電体基板１の表面に浅い溝を形成した多電極構
成型の弾性表面波素子、あるいは、前記出力用電極３と
反射器４の両方、または、出力用電極３の各櫛型電極指
の上に付加層を形成した多電極構成型の弾性表面波素子
によって解決することができる。
第１２図はインパルス応答特性を示す図で、縦軸にレス
ポンスを、横軸に時間を取っである。また、第１３図は
周波数応答特性に及ぼす第１エコー波の遅れ時間の影響
を示す図である。いずれも多電極構成型の弾性表面波フ
ィルタの幾つかの例についてネットワーク・アナライザ
を用いて測定したものである。
ポンスを、横軸に時間を取っである。また、第１３図は
周波数応答特性に及ぼす第１エコー波の遅れ時間の影響
を示す図である。いずれも多電極構成型の弾性表面波フ
ィルタの幾つかの例についてネットワーク・アナライザ
を用いて測定したものである。
弾性表面波フィルタの通過帯域のリップルは、櫛型電極
からの反射波の影響を強く受けることが知られており、
とくに、インパルス応答特性における主応答と第１エコ
ーとの遅れ時間τ、とリップル周期Δ、ｆとの間にはΔ
ｒｆ″＝、１／τ１の関係がある。
からの反射波の影響を強く受けることが知られており、
とくに、インパルス応答特性における主応答と第１エコ
ーとの遅れ時間τ、とリップル周期Δ、ｆとの間にはΔ
ｒｆ″＝、１／τ１の関係がある。
後述する実施例に詳しく示すごとく、本発明により出力
用電極３と反射器４の両方、または、出力用電極３が占
める基板領域の各櫛型電極指下部を除く部分の前記圧電
体基板１０表面に浅い溝を形成した場合、あるいは、前
記出力用電極３と反射器４の両方、または、出力用電極
３の各櫛型電極指の上に付加層を形成した場合、第１２
図の破線で示した第１エコーＢのごとく、従来例の実線
で示した第１エコー＾に比較して、主応答波に対する遅
れ時間τ１が小さくなる。すなわち、τＩ□〈τ、とな
り、したがって、Δ、ｆ 、 ＞ΔＰｆ Ａとなり、結
局、本発明により多電極構成型弾性表面波フィルタの通
過帯域中の拡大が可能になるのである。
用電極３と反射器４の両方、または、出力用電極３が占
める基板領域の各櫛型電極指下部を除く部分の前記圧電
体基板１０表面に浅い溝を形成した場合、あるいは、前
記出力用電極３と反射器４の両方、または、出力用電極
３の各櫛型電極指の上に付加層を形成した場合、第１２
図の破線で示した第１エコーＢのごとく、従来例の実線
で示した第１エコー＾に比較して、主応答波に対する遅
れ時間τ１が小さくなる。すなわち、τＩ□〈τ、とな
り、したがって、Δ、ｆ 、 ＞ΔＰｆ Ａとなり、結
局、本発明により多電極構成型弾性表面波フィルタの通
過帯域中の拡大が可能になるのである。
第１図は本発明の第１実施例を示す図である。
図中、■は圧電体基板で、たとえば、厚さ０．５ｍｍ、
巾１．２ ｍｍ、長さ２．２ｍｍの３６＠Ｙ −ＸＬｉ
Ｔａ０３単結晶基板、２は入力用電極、３は出力用電極
、４は反射器である。２１は入力用電極２の櫛型電極指
、３１は出力用電極３の櫛型電極指、４１は反射器４の
櫛型電極指で、いずれも櫛歯電極指の交差長が等しい、
いわゆる、正規型−正規型構成の７人カー６出力の多電
極構成型の弾性表面波フィルタとした。反射器４は電気
的負荷が開放されているオ−プンストリップ型を用いた
。中心周波数ｆｏ＝８３６ ＭＨｚを得るように、各電
極指中りとスペースＳとが１／４λ＝１．２ μｍ、電
極指ピッチＰ ＝１／２ λ＝２．４μｍとし、入力用
電極２．出力用電極３９反射器４のそれぞれ最外側の電
極指間のスペースｄ＝λ／２＝２．４ μｍにした。
巾１．２ ｍｍ、長さ２．２ｍｍの３６＠Ｙ −ＸＬｉ
Ｔａ０３単結晶基板、２は入力用電極、３は出力用電極
、４は反射器である。２１は入力用電極２の櫛型電極指
、３１は出力用電極３の櫛型電極指、４１は反射器４の
櫛型電極指で、いずれも櫛歯電極指の交差長が等しい、
いわゆる、正規型−正規型構成の７人カー６出力の多電
極構成型の弾性表面波フィルタとした。反射器４は電気
的負荷が開放されているオ−プンストリップ型を用いた
。中心周波数ｆｏ＝８３６ ＭＨｚを得るように、各電
極指中りとスペースＳとが１／４λ＝１．２ μｍ、電
極指ピッチＰ ＝１／２ λ＝２．４μｍとし、入力用
電極２．出力用電極３９反射器４のそれぞれ最外側の電
極指間のスペースｄ＝λ／２＝２．４ μｍにした。
それぞれの電極はｌ／！−Ｃｕを厚さ約１７０ｎｍにス
パッタして薄膜を形成し、各電極が上記数値になるよう
にホトエツチングにより形成した。
パッタして薄膜を形成し、各電極が上記数値になるよう
にホトエツチングにより形成した。
出力用電極３が占める基板領域の各櫛型電極指３１の下
部を除く部分の前記圧電体基板１の表面には、図示した
ごとく浅い溝、たとえば、８４ｎｍの深さの溝３２を形
成した。
部を除く部分の前記圧電体基板１の表面には、図示した
ごとく浅い溝、たとえば、８４ｎｍの深さの溝３２を形
成した。
第５図は第１実施例の特性を示す図で、主応答波からの
第１エコー波の遅れ時間τ１＝３１．７ ｎｓと小さ（
なった結果、平坦度１．５ｄＢ以内の帯域中Δｆ ＝
２７ＭＨｚと従来の溝３２を形成しない場合の２１ＭＨ
ｚに比較して改善されている。
第１エコー波の遅れ時間τ１＝３１．７ ｎｓと小さ（
なった結果、平坦度１．５ｄＢ以内の帯域中Δｆ ＝
２７ＭＨｚと従来の溝３２を形成しない場合の２１ＭＨ
ｚに比較して改善されている。
第２図は本発明の第２実施例を示す図で、この例では出
力用電極部だけでなく反射器４が占める基板領域の各櫛
型電極指下部を除く部分の前記圧電体基板１の表面にに
も浅い溝、たとえば、同じ＜８４ｎｍの深さの溝４２を
形成した場合である。
力用電極部だけでなく反射器４が占める基板領域の各櫛
型電極指下部を除く部分の前記圧電体基板１の表面にに
も浅い溝、たとえば、同じ＜８４ｎｍの深さの溝４２を
形成した場合である。
なお、前記の諸国面で説明したものと同等の部分につい
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
第６図は第２実施例の特性を示す図で、τ１＝３０．９
ｎｓと前記実施例よりさらに小さくなった結果、Δｆ
＝ ３９Ｍ１（ｚと大巾に通過帯域の拡大が実現した
。
ｎｓと前記実施例よりさらに小さくなった結果、Δｆ
＝ ３９Ｍ１（ｚと大巾に通過帯域の拡大が実現した
。
なお、入力用電極２０領域に同様な溝を形成した場合は
、ｒ −＝３２．３ ｎｓ、Δｆ ＝ ２０ＭＨｚとな
り、反射器４の領域に同様な溝を形成した場合は、τ。
、ｒ −＝３２．３ ｎｓ、Δｆ ＝ ２０ＭＨｚとな
り、反射器４の領域に同様な溝を形成した場合は、τ。
＝３８．２ ｎｓ、Δｆ＝８ＭＨｚとなり、また、入力
電極２と反射器４の両方の領域に同様な溝を形成した場
合は、Ｔ Ｉ ＝３５．２ ｎｓ、Δｆ ＝２０Ｍ）ｌ
ｚとなって、いずれもて、は従来例の場合よりも大きく
なり。
電極２と反射器４の両方の領域に同様な溝を形成した場
合は、Ｔ Ｉ ＝３５．２ ｎｓ、Δｆ ＝２０Ｍ）ｌ
ｚとなって、いずれもて、は従来例の場合よりも大きく
なり。
したがって、帯域中Δｆもかえって悪くなるという結果
となった。
となった。
第３図は本発明の第３実施例を示す図である。
この実施例では出力用電極３の各櫛型電極指３１の上に
付加層３３を形成した。付加層３３としては、たとえば
、ＡＩｌからなる電極指３１の上に厚さ１５ｎｍのＣｒ
とさらにその上に厚さ３５ｎｍのＣｒｚＯ，を重畳形成
した。なお、前記の諸国面で説明したものと同等の部分
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
付加層３３を形成した。付加層３３としては、たとえば
、ＡＩｌからなる電極指３１の上に厚さ１５ｎｍのＣｒ
とさらにその上に厚さ３５ｎｍのＣｒｚＯ，を重畳形成
した。なお、前記の諸国面で説明したものと同等の部分
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
第７図は第３実施例の特性を示す図である。τ。
＝３２．０ｎｓと小さくなった結果、平坦度１．５ｄＢ
以内の帯域中Δｆ ＝２７ＭＨｚと従来の付加層３３を
形成しない場合の２１ＭＨｚに比較して改善されている
。
以内の帯域中Δｆ ＝２７ＭＨｚと従来の付加層３３を
形成しない場合の２１ＭＨｚに比較して改善されている
。
第４図は本発明の第４実施例を示す図で、この例では出
力用電極３の櫛型電極指３１の上だけでなく反射器４の
櫛型電極指４１の上にも、同様に厚さ１５ｎｍのＣｒと
さらにその上に厚さ３５ｎｍのＣｒ、０゜を重畳形成し
た付加層４３を設けた場合である。
力用電極３の櫛型電極指３１の上だけでなく反射器４の
櫛型電極指４１の上にも、同様に厚さ１５ｎｍのＣｒと
さらにその上に厚さ３５ｎｍのＣｒ、０゜を重畳形成し
た付加層４３を設けた場合である。
第８図は第４実施例の特性を示す図で、τ１＝３１、Ｏ
ｎｓ、Δｆ −３８ＭＨｚと大巾に通過帯域中が拡大し
た。
ｎｓ、Δｆ −３８ＭＨｚと大巾に通過帯域中が拡大し
た。
第９図は帯域中、中心周波数と溝の深さの関係を示す図
（第２実施例）で、縦軸に帯域中Δｆと中心周波数ｆ６
を、横軸に溝の深さを取っである。
（第２実施例）で、縦軸に帯域中Δｆと中心周波数ｆ６
を、横軸に溝の深さを取っである。
図かられかるように、溝が深くなるほど帯域中が広（な
るが中心周波数は低下する。したがって、フィルタの設
計にあたってはこの周波数低下分を見込んでおく必要が
ある。
るが中心周波数は低下する。したがって、フィルタの設
計にあたってはこの周波数低下分を見込んでおく必要が
ある。
なお、余り溝を深くしすぎると弾性表面波の伝播に影響
して挿入損失が増加するが、実施例に示した程度の範囲
では問題がなく、シたがって、溝の深さの限度について
は許容される挿入損失の値によって適宜定めればよい。
して挿入損失が増加するが、実施例に示した程度の範囲
では問題がなく、シたがって、溝の深さの限度について
は許容される挿入損失の値によって適宜定めればよい。
第１０図は帯域中、中心周波数とＣｒ膜厚の関係を示す
図（第４実施例）で、縦軸に帯域中Δｆと中心周波数ｆ
０を、横軸にＣｒ膜厚を取っである。図かられかるよう
に、Ｃｒ膜厚が厚くなるほど帯域中が広くなるが中心周
波数は低下する。したがって、この場合もフィルタの設
計にあたっては周波数低下分を見込んでおく必要がある
。
図（第４実施例）で、縦軸に帯域中Δｆと中心周波数ｆ
０を、横軸にＣｒ膜厚を取っである。図かられかるよう
に、Ｃｒ膜厚が厚くなるほど帯域中が広くなるが中心周
波数は低下する。したがって、この場合もフィルタの設
計にあたっては周波数低下分を見込んでおく必要がある
。
次に、本発明の実施例素子を製作するための具体的な例
を説明する。
を説明する。
第１）図は本発明実施例素子の製造工程の例を示す図で
ある。
ある。
同図（イ）は第１および第２実施例の溝形成の主な工程
を（１）〜（５）の順に示したもので、また、同図（ロ
）は第３および第４実施例の付加層形成の主な工程を（
１）〜（５）の順に示したものである。
を（１）〜（５）の順に示したもので、また、同図（ロ
）は第３および第４実施例の付加層形成の主な工程を（
１）〜（５）の順に示したものである。
先ず、同図（イ）の溝形成は圧電体基板１の上に、たと
えば、厚さ１７０ｎｍのＡ １−Ｃｕ膜１００をＤＣス
パッタ法で被着し、公知のレジストワークにより第１の
レジストパターン１０１を形成する。次いで、たとえば
、イオンエツチングにより入出力電極２，３および反射
器４の各櫛型電極指２１．３１および４１を形成する。
えば、厚さ１７０ｎｍのＡ １−Ｃｕ膜１００をＤＣス
パッタ法で被着し、公知のレジストワークにより第１の
レジストパターン１０１を形成する。次いで、たとえば
、イオンエツチングにより入出力電極２，３および反射
器４の各櫛型電極指２１．３１および４１を形成する。
次いで、第１のレジストパターン１０１を残したま＼、
溝付けしない部分の電極領域に第２のレジストパターン
１０２を形成する。
溝付けしない部分の電極領域に第２のレジストパターン
１０２を形成する。
第２のレジストパターン１０２の境界は各最外側の電極
指間の中間とした。その後で第１のレジストパターン１
０１と第２のレジストパターン１０２をマスクとして、
イオンエツチングにより電極指間を溝付けした。なお、
溝の深さはエツチング時間の長さにより制御した。最後
に第１のレジストパターン１０１と第２のレジストパタ
ーン１０２を溶剤で除去すれば本発明の多電極構成型の
弾性表面波フィルタが作成できる。
指間の中間とした。その後で第１のレジストパターン１
０１と第２のレジストパターン１０２をマスクとして、
イオンエツチングにより電極指間を溝付けした。なお、
溝の深さはエツチング時間の長さにより制御した。最後
に第１のレジストパターン１０１と第２のレジストパタ
ーン１０２を溶剤で除去すれば本発明の多電極構成型の
弾性表面波フィルタが作成できる。
同図（ロ）には櫛型電極指上に付加層を形成する方法の
一例を示す。上記同図（イ）の場合と同様に圧電体基板
１上に＾１−Ｃｕ膜１００を被着したあと、たとえば、
厚さ５０ｎｍのＣｒ膜１０３と厚さ３５ｎｍのＣｒｚＯ
ｉ膜１０４を真空蒸着法で形成し、前記実施例と同様に
第１のレジストパターン１０１ヲ形成する。次いで、こ
の第１のレジストパターン１０１をマスクとして、たと
えば、イオンエツチングしたあと第１のレジストパター
ン１０１を除去すると、入出力電極２，３および反射器
４の各櫛型電極指２１．３１および４１などの上に付加
層が重畳された電極指パターンが得られる。次いで、付
加層を残す電極領域の電極指を覆って、図示したごとく
第２のレジストパターン１０２をコートした。次いで、
露出した電極指上のＣｒｚＯ，膜１０４とＣｒ膜とを硝
酸第二セリウムシンモニウム水溶液で順次エツチング除
去した。なお、このとき下層のＡ！は硝酸第二セリウム
シンモニウム水溶液でエツチングされることはなかった
。最後に第１のレジストパターン１０１を溶剤で除去す
れば本発明の他の構成になる多電極構成型の弾性表面波
フィルタが作成できる。
一例を示す。上記同図（イ）の場合と同様に圧電体基板
１上に＾１−Ｃｕ膜１００を被着したあと、たとえば、
厚さ５０ｎｍのＣｒ膜１０３と厚さ３５ｎｍのＣｒｚＯ
ｉ膜１０４を真空蒸着法で形成し、前記実施例と同様に
第１のレジストパターン１０１ヲ形成する。次いで、こ
の第１のレジストパターン１０１をマスクとして、たと
えば、イオンエツチングしたあと第１のレジストパター
ン１０１を除去すると、入出力電極２，３および反射器
４の各櫛型電極指２１．３１および４１などの上に付加
層が重畳された電極指パターンが得られる。次いで、付
加層を残す電極領域の電極指を覆って、図示したごとく
第２のレジストパターン１０２をコートした。次いで、
露出した電極指上のＣｒｚＯ，膜１０４とＣｒ膜とを硝
酸第二セリウムシンモニウム水溶液で順次エツチング除
去した。なお、このとき下層のＡ！は硝酸第二セリウム
シンモニウム水溶液でエツチングされることはなかった
。最後に第１のレジストパターン１０１を溶剤で除去す
れば本発明の他の構成になる多電極構成型の弾性表面波
フィルタが作成できる。
なお、上記実施例では付加層３３あるいは４３としてＣ
ｒｔＯｓ／Ｃｒの２層膜を用いたが、その他の金属ある
いは絶縁物の組み合せでもよく、また、それらのうちの
単層膜で形成してもよい。
ｒｔＯｓ／Ｃｒの２層膜を用いたが、その他の金属ある
いは絶縁物の組み合せでもよく、また、それらのうちの
単層膜で形成してもよい。
上記実施例は何れも基板１として、３６°Ｙ −ＸＬｉ
Ｔａ０３単結晶基板を用いる場合について示したが、他
の圧電体を用いても同様に本発明の方法を適用して多電
極構成型の弾性表面波フィルタを製作できることは言う
までもない。
Ｔａ０３単結晶基板を用いる場合について示したが、他
の圧電体を用いても同様に本発明の方法を適用して多電
極構成型の弾性表面波フィルタを製作できることは言う
までもない。
また、中心周波数についても上記実施例の８３６ＭＨｚ
に限定されるものでなく、その他の周波数でも同様に本
発明が適用できることは勿論である。
に限定されるものでなく、その他の周波数でも同様に本
発明が適用できることは勿論である。
すなわち、以上述べた実施例は数例を示したもので、本
発明の趣旨に添うものである限り、使用する素材や構成
など適宜好ましいもの、あるいはその組み合わせを用い
ることができることは言うまでもない。
発明の趣旨に添うものである限り、使用する素材や構成
など適宜好ましいもの、あるいはその組み合わせを用い
ることができることは言うまでもない。
以上述べたように、本発明の特定の電極指間の溝付け、
あるいは、特定の電極指上へ付加層を設けることにより
、インパルス応答特性における主応答波に対する第１エ
コー波の遅れ時間τ、が小さ（なる。したがって、通過
帯域中Δｆが拡大するので多電極構成型弾性表面波フィ
ルタの性能の向上に寄与するところが極めて大きい。
あるいは、特定の電極指上へ付加層を設けることにより
、インパルス応答特性における主応答波に対する第１エ
コー波の遅れ時間τ、が小さ（なる。したがって、通過
帯域中Δｆが拡大するので多電極構成型弾性表面波フィ
ルタの性能の向上に寄与するところが極めて大きい。
第１図は本発明の第１実施例を示す図、第２図は本発明
の第２実施例を示す図、第３図は本発明の第３実施例を
示す図、第４図は本発明の第４実施例を示す図、第５図
は第１実施例の特性を示す図、 第６図は第２実施例の特性を示す図、 第７図は第３実施例の特性を示す図、 第８図は第４実施例の特性を示す図、 第９図は帯域中、中心周波数と溝の深さの関係を示す図
（第２実施例）、 第１０図は帯域中、中心周波数とＣｒ膜厚の関係を示す
図（第４実施例）、 第１）図は本発明実施例素子の製造工程の例を示す図、 第１２図はインパルス応答特性を示す図、第１３図は周
波数応答特性に及ぼす第１エコー波の遅れ時間の影響を
示す図、 第１４図は多電極構成型弾性表面波フィルタの電極配置
例を示す模式図、 第１５図は従来の素子例を示す断面図、第１６図は従来
例の通過帯域特性の一例を示す図、第１７図は従来例の
インパルス応答の一例を示す図である。 図において、 １は圧電体基板、 ２は入力用電極、 ３は出力用電極、 ４は反射器、 ２Ｌ３１，４１は櫛型電極指、 ３２．４２は溝、 ３３、４３は付加層である。
の第２実施例を示す図、第３図は本発明の第３実施例を
示す図、第４図は本発明の第４実施例を示す図、第５図
は第１実施例の特性を示す図、 第６図は第２実施例の特性を示す図、 第７図は第３実施例の特性を示す図、 第８図は第４実施例の特性を示す図、 第９図は帯域中、中心周波数と溝の深さの関係を示す図
（第２実施例）、 第１０図は帯域中、中心周波数とＣｒ膜厚の関係を示す
図（第４実施例）、 第１）図は本発明実施例素子の製造工程の例を示す図、 第１２図はインパルス応答特性を示す図、第１３図は周
波数応答特性に及ぼす第１エコー波の遅れ時間の影響を
示す図、 第１４図は多電極構成型弾性表面波フィルタの電極配置
例を示す模式図、 第１５図は従来の素子例を示す断面図、第１６図は従来
例の通過帯域特性の一例を示す図、第１７図は従来例の
インパルス応答の一例を示す図である。 図において、 １は圧電体基板、 ２は入力用電極、 ３は出力用電極、 ４は反射器、 ２Ｌ３１，４１は櫛型電極指、 ３２．４２は溝、 ３３、４３は付加層である。
Claims (4)
- （１）圧電体基板（１）上に、すだれ状電極からなる複
数の入力用電極（２）と複数の出力用電極（３）とを交
互に入り組ませて配列し、最外側の両側にストリップ型
の反射器（４）を設けた多電極構成型の弾性表面波素子
において、 前記出力用電極（３）が占める基板領域の各櫛型電極指
（３１）下部を除く部分の前記圧電体基板（１）の表面
に浅い溝（３２）を形成することを特徴とした多電極構
成型の弾性表面波素子。 - （２）圧電体基板（１）上に、すだれ状電極からなる複
数の入力用電極（２）と複数の出力用電極（３）とを交
互に入り組ませて配列し、最外側の両側にストリップ型
の反射器（４）を設けた多電極構成型の弾性表面波素子
において、 前記出力用電極（３）と反射器（４）とが占める基板領
域の各櫛型電極指（３１，４１）下部を除く部分の前記
圧電体基板（１）の表面に浅い溝（３２，４２）を形成
することを特徴とした多電極構成型の弾性表面波素子。 - （３）圧電体基板（１）上に、すだれ状電極からなる複
数の入力用電極（２）と複数の出力用電極（３）とを交
互に入り組ませて配列し、最外側の両側にストリップ型
の反射器（４）を設けた多電極構成型の弾性表面波素子
において、 前記出力用電極（３）の各櫛型電極指（３１）の上に付
加層（３３）を形成することを特徴とした多電極構成型
の弾性表面波素子。 - （４）圧電体基板（１）上に、すだれ状電極からなる複
数の入力用電極（２）と複数の出力用電極（３）とを交
互に入り組ませて配列し、最外側の両側にストリップ型
の反射器（４）を設けた多電極構成型の弾性表面波素子
において、 前記出力用電極（３）と反射器（４）との各櫛型電極指
（３１，４１）の上に付加層（３３，４３）を形成する
ことを特徴とした多電極構成型の弾性表面波素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086236A JP2982208B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 弾性表面波素子 |
| CA002038474A CA2038474C (en) | 1990-03-19 | 1991-03-18 | Surface-acoustic-waver filter having a plurality of electrodes |
| EP91302376A EP0448357B1 (en) | 1990-03-19 | 1991-03-19 | Surface-acoustic-wave filter having a plurality of electrodes |
| KR1019910004351A KR940009395B1 (ko) | 1990-03-19 | 1991-03-19 | 복수의 전극을 갖는 서페이스-아코스틱-웨이버필터(Surface-Acoustic Waver Filter) |
| DE69123620T DE69123620T2 (de) | 1990-03-19 | 1991-03-19 | Akustischer Oberflächenwellenfilter mit mehreren Elektroden |
| US07/672,018 US5179310A (en) | 1990-03-19 | 1991-03-19 | Surface-acoustic-waver filter having a plurality of electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086236A JP2982208B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03284009A true JPH03284009A (ja) | 1991-12-13 |
| JP2982208B2 JP2982208B2 (ja) | 1999-11-22 |
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ID=13881161
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086236A Expired - Fee Related JP2982208B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-30 | 弾性表面波素子 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2010081211A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
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-
1990
- 1990-03-30 JP JP2086236A patent/JP2982208B2/ja not_active Expired - Fee Related
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