JPH09246913A - 共振器型弾性表面波フィルタ - Google Patents
共振器型弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH09246913A JPH09246913A JP8057150A JP5715096A JPH09246913A JP H09246913 A JPH09246913 A JP H09246913A JP 8057150 A JP8057150 A JP 8057150A JP 5715096 A JP5715096 A JP 5715096A JP H09246913 A JPH09246913 A JP H09246913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- resonator
- series arm
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/14529—Distributed tap
- H03H9/14532—Series weighting; Transverse weighting
Abstract
(57)【要約】
【課題】 すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に距離
ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾性表
面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子および並列
腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている多段梯型
回路構成の共振器型弾性表面波フィルタであって、従来
より低損失でかつ高域側減衰域特性が改善され、さらに
従来より小型なフィルタを提供する。 【解決手段】 直列腕弾性表面波素子２１ａ〜２１ｎに
ついては前記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ
／２＋０．８１）λ1 の範囲の値としてある。並列腕弾
性表面波素子２３ａ〜２３ｎについては前記距離ｔを
（ｎ／２＋０．５）λ2 としてある。ｎは０または正の
整数である。λ1 とλ2 はそれぞれ直列腕弾性表面波共
振子、並列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波
の波長である。
ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾性表
面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子および並列
腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている多段梯型
回路構成の共振器型弾性表面波フィルタであって、従来
より低損失でかつ高域側減衰域特性が改善され、さらに
従来より小型なフィルタを提供する。 【解決手段】 直列腕弾性表面波素子２１ａ〜２１ｎに
ついては前記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ
／２＋０．８１）λ1 の範囲の値としてある。並列腕弾
性表面波素子２３ａ〜２３ｎについては前記距離ｔを
（ｎ／２＋０．５）λ2 としてある。ｎは０または正の
整数である。λ1 とλ2 はそれぞれ直列腕弾性表面波共
振子、並列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波
の波長である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、梯型回路構成の
共振器型弾性表面波フィルタに関するものである。
共振器型弾性表面波フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】共振器型弾性表面波フィルタ（以下、共
振器型ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave ）フィルタとも
いう。）は、梯型回路構成のタイプおよび二重モードタ
イプに分類できる。前者は、原理的に低損失、高減衰
量、狭帯域、そして整合回路不要という特徴を有する。
梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタは、ＳＡＷ共振
子を梯（ラダー）型に接続し構成される。梯型に接続さ
れるＳＡＷ共振子のうち、ＳＡＷフィルタの入力端子お
よび出力端子間に直列な接続関係となるものは直列腕Ｓ
ＡＷ共振子と称され、一方、入力端子（出力端子）およ
び接地端子間に並列な接続関係となるものは並列腕ＳＡ
Ｗ共振子と称される。直列腕、並列腕いずれのＳＡＷ共
振子も、基本的には、圧電基板と、これに作製されたす
だれ状電極および反射器とで構成される。すだれ状電極
はＩＤＴとも呼ばれるもので多数の電極指で構成されて
いる。反射器はすだれ状電極の両側に距離ｔを隔てて設
けられている。この反射器は典型的には多数の金属スリ
ットパタンを並置したグレーティング反射器で構成され
る。各電極指、各金属スリットパタンは一般にλ／２ピ
ッチで配置されている。さらにすだれ状電極と反射器と
の距離ｔ（電極指および金属スリットパタン間のピッ
チ）も、一般に、λ／２とされている。また交差長が一
定であるＳＡＷ共振子は正規型のＳＡＷ共振子と呼ばれ
ている。ここでλは、直列腕、並列腕の各ＳＡＷ共振子
それぞれで励振したい弾性表面波の波長であり、直列
腕、並列腕の各共振子で異なる波長である。
振器型ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave ）フィルタとも
いう。）は、梯型回路構成のタイプおよび二重モードタ
イプに分類できる。前者は、原理的に低損失、高減衰
量、狭帯域、そして整合回路不要という特徴を有する。
梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタは、ＳＡＷ共振
子を梯（ラダー）型に接続し構成される。梯型に接続さ
れるＳＡＷ共振子のうち、ＳＡＷフィルタの入力端子お
よび出力端子間に直列な接続関係となるものは直列腕Ｓ
ＡＷ共振子と称され、一方、入力端子（出力端子）およ
び接地端子間に並列な接続関係となるものは並列腕ＳＡ
Ｗ共振子と称される。直列腕、並列腕いずれのＳＡＷ共
振子も、基本的には、圧電基板と、これに作製されたす
だれ状電極および反射器とで構成される。すだれ状電極
はＩＤＴとも呼ばれるもので多数の電極指で構成されて
いる。反射器はすだれ状電極の両側に距離ｔを隔てて設
けられている。この反射器は典型的には多数の金属スリ
ットパタンを並置したグレーティング反射器で構成され
る。各電極指、各金属スリットパタンは一般にλ／２ピ
ッチで配置されている。さらにすだれ状電極と反射器と
の距離ｔ（電極指および金属スリットパタン間のピッ
チ）も、一般に、λ／２とされている。また交差長が一
定であるＳＡＷ共振子は正規型のＳＡＷ共振子と呼ばれ
ている。ここでλは、直列腕、並列腕の各ＳＡＷ共振子
それぞれで励振したい弾性表面波の波長であり、直列
腕、並列腕の各共振子で異なる波長である。
【０００３】梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタで
あって一段構成のものでは、得られる減衰量が小さい。
減衰量を大きくするために、多段梯型にすることが行な
われている。あまり多段にすると挿入損失が増加した
り、またフィルタが大型化するのでそれを回避するため
に、梯型回路部分に高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共
振子をさらに縦続接続してＳＡＷフィルタを構成する技
術が知られている（例えば文献Ｉ：IEEE TRANSACTIONS
ON ULTRASONICS, FERROELECTRICS,AND FREQUENCYCONTRO
L(アイイーイーイ トランサ゛クションス゛ オン ウルトラソニックス フェロエレクトリクス アント゛
フリケンシ コントロール),VOL.42,NO.4,JULY.1995,pp.495-508。
特に、Fig.15(a) 中やTABLE IV中の素子３，４）。
あって一段構成のものでは、得られる減衰量が小さい。
減衰量を大きくするために、多段梯型にすることが行な
われている。あまり多段にすると挿入損失が増加した
り、またフィルタが大型化するのでそれを回避するため
に、梯型回路部分に高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共
振子をさらに縦続接続してＳＡＷフィルタを構成する技
術が知られている（例えば文献Ｉ：IEEE TRANSACTIONS
ON ULTRASONICS, FERROELECTRICS,AND FREQUENCYCONTRO
L(アイイーイーイ トランサ゛クションス゛ オン ウルトラソニックス フェロエレクトリクス アント゛
フリケンシ コントロール),VOL.42,NO.4,JULY.1995,pp.495-508。
特に、Fig.15(a) 中やTABLE IV中の素子３，４）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、梯型回
路部分に高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を従属
接続した構成の共振器型ＳＡＷフィルタの場合、以下の
ような問題点があった。これについて図２７を参照して
説明する。図２７は、梯型回路部分に高域側の減衰特性
改善用のＳＡＷ共振子を従属接続した構成の共振器型Ｓ
ＡＷフィルタ１０についての回路構成図である。この図
２７において、１１はそれぞれ直列腕ＳＡＷ共振子、１
３はそれぞれ並列腕ＳＡＷ共振子、１７は梯型回路部
分、１７ａは梯型回路部分における各段、１９は高域側
の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子である。
路部分に高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を従属
接続した構成の共振器型ＳＡＷフィルタの場合、以下の
ような問題点があった。これについて図２７を参照して
説明する。図２７は、梯型回路部分に高域側の減衰特性
改善用のＳＡＷ共振子を従属接続した構成の共振器型Ｓ
ＡＷフィルタ１０についての回路構成図である。この図
２７において、１１はそれぞれ直列腕ＳＡＷ共振子、１
３はそれぞれ並列腕ＳＡＷ共振子、１７は梯型回路部
分、１７ａは梯型回路部分における各段、１９は高域側
の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子である。
【０００５】この従来技術では 第１に、高域側の減衰
特性改善用のＳＡＷ共振子１９を設けた分だけ通過域の
挿入損失が増加するという問題が生じる。
特性改善用のＳＡＷ共振子１９を設けた分だけ通過域の
挿入損失が増加するという問題が生じる。
【０００６】第２に、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ
共振子１９については、これを設ける目的上、その反共
振周波数が直列腕ＳＡＷ共振子１１の反共振周波数より
高くなるように設計する必要がある。そのため減衰特性
改善用のＳＡＷ共振子１９は、これに具わるすだれ状電
極の電極指のピッチや、反射器の金属スリットパタンの
ピッチが、直列腕ＳＡＷ共振子１１の場合より短くされ
たものとなる。このため、減衰特性改善用のＳＡＷ共振
子１９自身の共振周波数はＳＡＷフィルタでの通過域よ
り高域になるから、当該ＳＡＷフィルタ１０では、通過
域でのインピーダンス整合性が悪化するという問題が生
じる。
共振子１９については、これを設ける目的上、その反共
振周波数が直列腕ＳＡＷ共振子１１の反共振周波数より
高くなるように設計する必要がある。そのため減衰特性
改善用のＳＡＷ共振子１９は、これに具わるすだれ状電
極の電極指のピッチや、反射器の金属スリットパタンの
ピッチが、直列腕ＳＡＷ共振子１１の場合より短くされ
たものとなる。このため、減衰特性改善用のＳＡＷ共振
子１９自身の共振周波数はＳＡＷフィルタでの通過域よ
り高域になるから、当該ＳＡＷフィルタ１０では、通過
域でのインピーダンス整合性が悪化するという問題が生
じる。
【０００７】第３に、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ
共振子１９を設ける分、ＳＡＷフィルタ１０の大きさは
大きくなるという問題が生じる。
共振子１９を設ける分、ＳＡＷフィルタ１０の大きさは
大きくなるという問題が生じる。
【０００８】
【発明を解決するための手段】そこで、この発明によれ
ば、すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に距離ｔを隔
ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾性表面波共
振子により、直列腕弾性表面波共振子および並列腕弾性
表面波共振子がそれぞれ構成されている、１段梯型回路
構成の共振器型弾性表面波フィルタにおいて、直列腕弾
性表面波素子については前記距離ｔを（ｎ／２＋０．５
５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ2 の範囲のいずれか
の値としてあることを特徴とする。ただし、ｎは０また
は任意の正の整数であり、λ1 は直列腕弾性表面波共振
子で励振される弾性表面波の波長である。
ば、すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に距離ｔを隔
ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾性表面波共
振子により、直列腕弾性表面波共振子および並列腕弾性
表面波共振子がそれぞれ構成されている、１段梯型回路
構成の共振器型弾性表面波フィルタにおいて、直列腕弾
性表面波素子については前記距離ｔを（ｎ／２＋０．５
５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ2 の範囲のいずれか
の値としてあることを特徴とする。ただし、ｎは０また
は任意の正の整数であり、λ1 は直列腕弾性表面波共振
子で励振される弾性表面波の波長である。
【０００９】また、この発明であってかつ多段回路構成
の共振器型弾性表面波フィルタの場合は、少なくとも１
個の直列腕弾性表面波共振子について、すだれ状電極と
反射器との距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／
２＋０．８１）λ1 の範囲の値としてあり、他の直列腕
弾性表面波共振子については（距離ｔを上記範囲の値に
しなかった直列腕弾性表面波共振子が残っている場合に
ついては）該距離ｔを（ｎ／２＋０．５）λ1 としてあ
ることを特徴とする。もちろん、ここでいう多段にはπ
型の２段構成のように直列腕弾性表面波共振子を１個有
するものも含む。
の共振器型弾性表面波フィルタの場合は、少なくとも１
個の直列腕弾性表面波共振子について、すだれ状電極と
反射器との距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／
２＋０．８１）λ1 の範囲の値としてあり、他の直列腕
弾性表面波共振子については（距離ｔを上記範囲の値に
しなかった直列腕弾性表面波共振子が残っている場合に
ついては）該距離ｔを（ｎ／２＋０．５）λ1 としてあ
ることを特徴とする。もちろん、ここでいう多段にはπ
型の２段構成のように直列腕弾性表面波共振子を１個有
するものも含む。
【００１０】この発明によれば、距離ｔを（ｎ／２＋
０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲のい
ずれかの値としてある直列腕弾性表面波共振子によっ
て、通過域より高域側に新たに減衰極が生じるようにな
る（詳細は後の図４〜図６を用いた説明の項参照）。そ
のため、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を特別
に用いることなく、高域側の減衰特性の改善が図れる。
０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲のい
ずれかの値としてある直列腕弾性表面波共振子によっ
て、通過域より高域側に新たに減衰極が生じるようにな
る（詳細は後の図４〜図６を用いた説明の項参照）。そ
のため、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を特別
に用いることなく、高域側の減衰特性の改善が図れる。
【００１１】また、２個以上の直列腕弾性表面波共振子
を含む多段回路構成の共振器型弾性表面波フィルタに本
発明を適用する場合は、少なくとも２個の直列腕弾性表
面波共振子についての前記距離ｔを（ｎ／２＋０．５
５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲のいずれか
の値とすることもできる。その場合は、(a).そのように
した直列腕弾性表面波共振子の前記距離ｔを（ｎ／２＋
０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の中
の全て同じ値とするか、(b).そのようにした複数個の直
列腕弾性表面波共振子のうちの一部の前記距離ｔは他の
ものと違えるか（例えば３個のうちの２個は同じで１個
は違える等）、(c).そのようにした複数個の直列腕弾性
表面波共振子それぞれの前記距離ｔを互いに異なる値と
するかの、いずれかの構成とすることが出来る。これら
(a) 〜(c) の構成のうちで、(b) および(c) それぞれの
構成は、(a) の構成に比べ、通過域より高域側であって
高域側減衰特性を改善させるに好適な複数の周波数位置
に減衰極をそれぞれ出現させることを可能にするので、
高域側の減衰特性を改善するうえでより好ましい。
を含む多段回路構成の共振器型弾性表面波フィルタに本
発明を適用する場合は、少なくとも２個の直列腕弾性表
面波共振子についての前記距離ｔを（ｎ／２＋０．５
５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲のいずれか
の値とすることもできる。その場合は、(a).そのように
した直列腕弾性表面波共振子の前記距離ｔを（ｎ／２＋
０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の中
の全て同じ値とするか、(b).そのようにした複数個の直
列腕弾性表面波共振子のうちの一部の前記距離ｔは他の
ものと違えるか（例えば３個のうちの２個は同じで１個
は違える等）、(c).そのようにした複数個の直列腕弾性
表面波共振子それぞれの前記距離ｔを互いに異なる値と
するかの、いずれかの構成とすることが出来る。これら
(a) 〜(c) の構成のうちで、(b) および(c) それぞれの
構成は、(a) の構成に比べ、通過域より高域側であって
高域側減衰特性を改善させるに好適な複数の周波数位置
に減衰極をそれぞれ出現させることを可能にするので、
高域側の減衰特性を改善するうえでより好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照していくつかの
実施の形態について説明する。しかしながら説明に用い
る各図は、この発明を理解出来る程度に概略的に示して
あるにすぎない。また、各図において同様な構成成分に
ついては同一の番号を付して示しその重複する説明を省
略する。なお、以下の説明では、説明を容易にするため
に、すだれ状電極と反射器との距離ｔについて考慮した
発明を第１の発明と称することにする。またこの第１の
発明の構成にさらにすだれ状電極についての重み付け技
術を付加した発明を第２の発明と称することにする。
実施の形態について説明する。しかしながら説明に用い
る各図は、この発明を理解出来る程度に概略的に示して
あるにすぎない。また、各図において同様な構成成分に
ついては同一の番号を付して示しその重複する説明を省
略する。なお、以下の説明では、説明を容易にするため
に、すだれ状電極と反射器との距離ｔについて考慮した
発明を第１の発明と称することにする。またこの第１の
発明の構成にさらにすだれ状電極についての重み付け技
術を付加した発明を第２の発明と称することにする。
【００１３】１．第１の発明の説明 １−１．基本構成の説明 図１は第１発明の実施の形態の共振器型弾性表面波フィ
ルタ２０の全体構成を説明するための図である。ただ
し、多段梯型回路構成した共振器型弾性表面波フィルタ
に本発明を適用した例について示してある。また、この
図１では奇数段の構成例を示しているが、本発明は偶数
段（Ｔ型、π型）の構成例にも適用出来る（第２の発明
において同じ）。また、図２（Ａ）は該フィルタ２０に
備わる個々のＳＡＷ共振子のうちの、この発明の特徴と
なるＳＡＷ共振子の構成を説明するための図である。ま
た、図２（Ｂ）は該フィルタ２０に備わる個々のＳＡＷ
共振子のうちの、図２（Ａ）に示したもの以外のＳＡＷ
共振子の構成を説明するための図である。また図３は該
フィルタ２０に備わる個々のＳＡＷ共振子の周波数に関
する設計方法の説明図である。
ルタ２０の全体構成を説明するための図である。ただ
し、多段梯型回路構成した共振器型弾性表面波フィルタ
に本発明を適用した例について示してある。また、この
図１では奇数段の構成例を示しているが、本発明は偶数
段（Ｔ型、π型）の構成例にも適用出来る（第２の発明
において同じ）。また、図２（Ａ）は該フィルタ２０に
備わる個々のＳＡＷ共振子のうちの、この発明の特徴と
なるＳＡＷ共振子の構成を説明するための図である。ま
た、図２（Ｂ）は該フィルタ２０に備わる個々のＳＡＷ
共振子のうちの、図２（Ａ）に示したもの以外のＳＡＷ
共振子の構成を説明するための図である。また図３は該
フィルタ２０に備わる個々のＳＡＷ共振子の周波数に関
する設計方法の説明図である。
【００１４】この共振器型弾性表面波フィルタ２０は、
所望の段数に応じた数のＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎ、
２３ａ〜２３ｎを梯（ラダー）型接続して構成してあ
る。ただし、該フィルタ２０における直列腕ＳＡＷ共振
子２１ａ〜２１ｎのうちの少なくとも１個は、後に図２
（Ａ）を参照して詳述するように、すだれ状電極と反射
器との距離ｔを所定値としたＳＡＷ共振子で構成し、残
りのＳＡＷ共振子は既に説明した正規型のＳＡＷ共振子
で構成してある。以下、詳細に説明する。
所望の段数に応じた数のＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎ、
２３ａ〜２３ｎを梯（ラダー）型接続して構成してあ
る。ただし、該フィルタ２０における直列腕ＳＡＷ共振
子２１ａ〜２１ｎのうちの少なくとも１個は、後に図２
（Ａ）を参照して詳述するように、すだれ状電極と反射
器との距離ｔを所定値としたＳＡＷ共振子で構成し、残
りのＳＡＷ共振子は既に説明した正規型のＳＡＷ共振子
で構成してある。以下、詳細に説明する。
【００１５】先ず、ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎ、２３
ａ〜２３ｎいずれのものも、従来同様に、圧電基板３１
と、これに作製されたすだれ状電極３３および反射器３
５とで構成する。これらＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎ、
２３ａ〜２３ｎは、好ましくは共通な圧電基板３１に作
製する。また直列腕ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎそれぞ
れに備わるすだれ状電極３３は、多数の電極指３３ａを
λ1 ／２のピッチで配置した構成となっており、しか
も、多数の電極指３３ａのうちの例えば偶数番の電極指
同士は電気的に接続し、奇数番の電極指同士は電気的に
接続した構成となっている。また並列腕ＳＡＷ共振子２
３ａ〜２３ｎそれぞれに備わるすだれ状電極３３は、電
極指３３ａをλ2 ／２のピッチで配置したこと以外は直
列腕ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎと同様な構成となって
いる。ここで、λ1 は直列腕ＳＡＷ共振子で励振される
弾性表面波の波長、λ2 は並列腕ＳＡＷ共振子で励振さ
れる弾性表面波の波長である。これら波長λ1 、λ2
は、周知のようにまた後に図３を用いて説明することか
らも理解出来るように、直列腕、並列腕で異なる（以
下、同様。）。奇数番の電極指同士の接続点３３ｘや偶
数番の電極指同士の接続点３３ｙは、他のＳＡＷ共振子
との接続端子、或は当該フィルタ２０の入力端子、或は
当該フィルタ２０の出力端子として使用される。また、
いずれのＳＡＷ共振子においても反射器３５はすだれ状
電極３３の両側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けてある。
しかし、この距離ｔであるが、直列腕ＳＡＷ共振子２１
ａ〜２１ｎのうちの少なくとも１個のＳＡＷ共振子につ
いては、（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８
１）λ1 の範囲の値としてあり（図２（Ａ）参照）、そ
の他の直列腕ＳＡＷ共振子については、λ1 ／２（図２
（Ｂ）参照）としてある。なお、この場合の距離ｔは、
すだれ状電極３３における最も反射器に近い電極指３３
ａと、反射器３５における最もすだれ状電極に近い金属
スリットパタン３５ａとの中心間距離をいっている（以
下、特別の説明がない限り同様。）。また、いずれの反
射器３５も、従来同様に、多数の金属スリットパターン
３５ａを、直列腕ＳＡＷ共振子用のものにあってはλ1
／２、並列腕ＳＡＷ共振子用のものにあってはλ2 ／２
のピッチで、配置したグレーティング反射器で構成して
ある。すだれ状電極３３や反射器３５は、例えば、アル
ミニウム、または銅、またはシリコンを数％含むアルミ
ニウム合金により構成する。ここですだれ状電極３３の
膜厚Ｈは、ＳＳＢＷ（Surface Skimming Bulk Wave）に
起因するスプリアスを抑制する意味から、従来公知の通
り、波長λとの関係においてＨ／λ≧Ｃなる関係を満足
する膜厚とする。このＳＳＢＷは励振された弾性表面波
の基本モードが疑似弾性表面波の場合に主に発生する。
例えば、圧電基板３１として３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ
3 を用いて通過帯域幅２５ＭＨｚをもつ８００ＭＨｚ帯
の梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタを構成するとした
場合なら、Ｈ／λ≧０．０８〜０．１なる関係を満足す
るような膜厚とする。
ａ〜２３ｎいずれのものも、従来同様に、圧電基板３１
と、これに作製されたすだれ状電極３３および反射器３
５とで構成する。これらＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎ、
２３ａ〜２３ｎは、好ましくは共通な圧電基板３１に作
製する。また直列腕ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎそれぞ
れに備わるすだれ状電極３３は、多数の電極指３３ａを
λ1 ／２のピッチで配置した構成となっており、しか
も、多数の電極指３３ａのうちの例えば偶数番の電極指
同士は電気的に接続し、奇数番の電極指同士は電気的に
接続した構成となっている。また並列腕ＳＡＷ共振子２
３ａ〜２３ｎそれぞれに備わるすだれ状電極３３は、電
極指３３ａをλ2 ／２のピッチで配置したこと以外は直
列腕ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎと同様な構成となって
いる。ここで、λ1 は直列腕ＳＡＷ共振子で励振される
弾性表面波の波長、λ2 は並列腕ＳＡＷ共振子で励振さ
れる弾性表面波の波長である。これら波長λ1 、λ2
は、周知のようにまた後に図３を用いて説明することか
らも理解出来るように、直列腕、並列腕で異なる（以
下、同様。）。奇数番の電極指同士の接続点３３ｘや偶
数番の電極指同士の接続点３３ｙは、他のＳＡＷ共振子
との接続端子、或は当該フィルタ２０の入力端子、或は
当該フィルタ２０の出力端子として使用される。また、
いずれのＳＡＷ共振子においても反射器３５はすだれ状
電極３３の両側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けてある。
しかし、この距離ｔであるが、直列腕ＳＡＷ共振子２１
ａ〜２１ｎのうちの少なくとも１個のＳＡＷ共振子につ
いては、（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８
１）λ1 の範囲の値としてあり（図２（Ａ）参照）、そ
の他の直列腕ＳＡＷ共振子については、λ1 ／２（図２
（Ｂ）参照）としてある。なお、この場合の距離ｔは、
すだれ状電極３３における最も反射器に近い電極指３３
ａと、反射器３５における最もすだれ状電極に近い金属
スリットパタン３５ａとの中心間距離をいっている（以
下、特別の説明がない限り同様。）。また、いずれの反
射器３５も、従来同様に、多数の金属スリットパターン
３５ａを、直列腕ＳＡＷ共振子用のものにあってはλ1
／２、並列腕ＳＡＷ共振子用のものにあってはλ2 ／２
のピッチで、配置したグレーティング反射器で構成して
ある。すだれ状電極３３や反射器３５は、例えば、アル
ミニウム、または銅、またはシリコンを数％含むアルミ
ニウム合金により構成する。ここですだれ状電極３３の
膜厚Ｈは、ＳＳＢＷ（Surface Skimming Bulk Wave）に
起因するスプリアスを抑制する意味から、従来公知の通
り、波長λとの関係においてＨ／λ≧Ｃなる関係を満足
する膜厚とする。このＳＳＢＷは励振された弾性表面波
の基本モードが疑似弾性表面波の場合に主に発生する。
例えば、圧電基板３１として３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ
3 を用いて通過帯域幅２５ＭＨｚをもつ８００ＭＨｚ帯
の梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタを構成するとした
場合なら、Ｈ／λ≧０．０８〜０．１なる関係を満足す
るような膜厚とする。
【００１６】また、図３に示した様に、従来同様に、直
列腕ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎそれぞれは、その共振
周波数がｆ１でかつ反共振周波数がｆ２となるように設
計する。また、並列腕ＳＡＷ共振子２３ａ〜２３ｎそれ
ぞれは、その共振周波数がｆ３でかつ反共振周波数がｆ
４となるように設計する。しかも、上記ｆ２とｆ３とが
一致するように（実質的に一致も含む）直列腕ＳＡＷ共
振子２１ａ〜２１ｎおよび並列腕ＳＡＷ共振子２３ａ〜
２３ｎをそれぞれ設計する。こうすると、バンドパスフ
ィルタを構成できる。
列腕ＳＡＷ共振子２１ａ〜２１ｎそれぞれは、その共振
周波数がｆ１でかつ反共振周波数がｆ２となるように設
計する。また、並列腕ＳＡＷ共振子２３ａ〜２３ｎそれ
ぞれは、その共振周波数がｆ３でかつ反共振周波数がｆ
４となるように設計する。しかも、上記ｆ２とｆ３とが
一致するように（実質的に一致も含む）直列腕ＳＡＷ共
振子２１ａ〜２１ｎおよび並列腕ＳＡＷ共振子２３ａ〜
２３ｎをそれぞれ設計する。こうすると、バンドパスフ
ィルタを構成できる。
【００１７】１−２．（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ
／２＋０．８１）λ1 の根拠 次に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、それに備わる直列腕ＳＡＷ共振子のうちの少なくと
も１個の直列腕ＳＡＷ共振子の、すだれ状電極と反射器
との距離ｔを、（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋
０．８１）λ1 とするのが良い理由について説明する。
／２＋０．８１）λ1 の根拠 次に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、それに備わる直列腕ＳＡＷ共振子のうちの少なくと
も１個の直列腕ＳＡＷ共振子の、すだれ状電極と反射器
との距離ｔを、（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋
０．８１）λ1 とするのが良い理由について説明する。
【００１８】このため、正規型のＳＡＷ共振子（例えば
図２（Ｂ）参照）についてすだれ状電極とその両側の反
射器とのそれぞれの距離ｔ（以下、単に「距離ｔ」と略
称することもある。）を０．５λ〜λ（λ：波長）まで
の範囲で種々に違え、それらＳＡＷ共振子の伝送特性を
それぞれ調べる。ここでは、距離ｔを０．５００λ、
０．６２５λ、０．７５０λ、０．８７５λ、λの５水
準とした５つのＳＡＷ共振子を用いる。また、それぞれ
のＳＡＷ共振子について直列腕接続した状態（後の図２
２（Ｃ）に示した状態）での各ＳＡＷ共振子ごとの伝送
特性を調べる。ただし、各ＳＡＷ共振子のすだれ状電極
は、アルミニウム、または銅、またはシリコンを数％含
むアルミニウム合金で構成する。さらにすだれ状電極
は、その電極対数が１２０、交差長が１００μｍ、静電
容量Ｃ0 が４．８０ｐＦのものとする。この静電容量Ｃ
0 は、基板として３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 を用い、
かつ、単位長、単位対当たりの静電容量を４×１０2 ｐ
Ｆとし、 Ｃ0 ＝（対（つい）数）×（交差長）×（単位長、単位
対当たり静電容量） の式で計算した。この静電容量Ｃ0 の算出法は、例えば
文献II（信学技報US95-25,EMD95-21,CPM95-33(1995-0
7),p42) に説明されているものである。
図２（Ｂ）参照）についてすだれ状電極とその両側の反
射器とのそれぞれの距離ｔ（以下、単に「距離ｔ」と略
称することもある。）を０．５λ〜λ（λ：波長）まで
の範囲で種々に違え、それらＳＡＷ共振子の伝送特性を
それぞれ調べる。ここでは、距離ｔを０．５００λ、
０．６２５λ、０．７５０λ、０．８７５λ、λの５水
準とした５つのＳＡＷ共振子を用いる。また、それぞれ
のＳＡＷ共振子について直列腕接続した状態（後の図２
２（Ｃ）に示した状態）での各ＳＡＷ共振子ごとの伝送
特性を調べる。ただし、各ＳＡＷ共振子のすだれ状電極
は、アルミニウム、または銅、またはシリコンを数％含
むアルミニウム合金で構成する。さらにすだれ状電極
は、その電極対数が１２０、交差長が１００μｍ、静電
容量Ｃ0 が４．８０ｐＦのものとする。この静電容量Ｃ
0 は、基板として３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 を用い、
かつ、単位長、単位対当たりの静電容量を４×１０2 ｐ
Ｆとし、 Ｃ0 ＝（対（つい）数）×（交差長）×（単位長、単位
対当たり静電容量） の式で計算した。この静電容量Ｃ0 の算出法は、例えば
文献II（信学技報US95-25,EMD95-21,CPM95-33(1995-0
7),p42) に説明されているものである。
【００１９】距離ｔを０．５００λとしたＳＡＷ共振子
の伝送特性を図４（Ａ）に、また距離ｔを０．６２５λ
としたＳＡＷ共振子の伝送特性を図４（Ｂ）に、また距
離ｔを０．７５０λとしたＳＡＷ共振子の伝送特性を図
５（Ａ）に、また距離ｔを０．８７５λとしたＳＡＷ共
振子の伝送特性を図５（Ｂ）に、また距離ｔをλとした
ＳＡＷ共振子の伝送特性を図６にそれぞれ示した。ただ
し、図４〜図６では、横軸１目盛りは２０ＭＨｚ、縦軸
１目盛りは５ｄＢとしてある。また、各伝送特性では、
これら特性中に出現している減衰極やスプリアスに、マ
ーカーＭｘ〜Ｍｚを付してある。ここで、マーカーＭｘ
で示される減衰極は、ＳＡＷ共振子の反共振周波数に起
因する減衰極である。このマーカーＭｘの周波数位置を
説明の都合上、以下、「周波数位置ｆ0 」ともいう。ま
た表１に、上記減衰極やスプリアスそれぞれについての
減衰量を示した。
の伝送特性を図４（Ａ）に、また距離ｔを０．６２５λ
としたＳＡＷ共振子の伝送特性を図４（Ｂ）に、また距
離ｔを０．７５０λとしたＳＡＷ共振子の伝送特性を図
５（Ａ）に、また距離ｔを０．８７５λとしたＳＡＷ共
振子の伝送特性を図５（Ｂ）に、また距離ｔをλとした
ＳＡＷ共振子の伝送特性を図６にそれぞれ示した。ただ
し、図４〜図６では、横軸１目盛りは２０ＭＨｚ、縦軸
１目盛りは５ｄＢとしてある。また、各伝送特性では、
これら特性中に出現している減衰極やスプリアスに、マ
ーカーＭｘ〜Ｍｚを付してある。ここで、マーカーＭｘ
で示される減衰極は、ＳＡＷ共振子の反共振周波数に起
因する減衰極である。このマーカーＭｘの周波数位置を
説明の都合上、以下、「周波数位置ｆ0 」ともいう。ま
た表１に、上記減衰極やスプリアスそれぞれについての
減衰量を示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】図４〜図６の各伝送特性をみると、先ず、
すだれ状電極と反射器との距離ｔを０．６２５λにする
と、距離ｔを０．５００λとした場合に見られたＳＳＢ
Ｗのスプリアスすなわち図４（Ａ）にてマーカーＭｙの
位置に出現していたスプリアスが消えるが、代わりにマ
ーカーＭｚの位置に比較的帯域幅の広いスプリアスが発
生してくる。このスプリアスの発生する周波数位置はす
だれ状電極と反射器との距離ｔが広がっていくと低周波
数側（図５（Ａ）、図５（Ｂ）中のマーカーＭｚの位置
参照）に移動して行き、距離ｔがλになると距離ｔが
０．５００λであったときの特性に戻ることが分かる
（図４（Ａ）と図６参照）。このような伝送特性の変化
からみて、このマーカーＭｚで示されるスプリアス（以
下、「距離ｔに起因するスプリアス」ともいう。）は、
それが周波数位置ｆ0 から適性に高域側にあるなら、Ｓ
ＡＷ共振子の高域側の減衰域の減衰特性を改善するため
のポールとして使用できると考えられる。ここで適性に
高域側とは、距離ｔに起因するスプリアスの位置が周波
数位置ｆ0 に対しあまりに近いと該スプリアスが減衰域
の特性改善用ポールとして意味をなさず、あまりに遠い
と（例えば高域側の減衰域の幅をあまり越えるようであ
ると）該スプリアスが減衰域の特性改善用ポールとして
意味をなさないから、これらを除いた範囲である。図４
〜図６の例でいえば、距離ｔを０．６２５λとした場
合、および距離ｔを０．７５０とした場合それぞれは、
スプリアスが適性に高域側にある例といえる。ここで周
波数位置ｆ0と、距離ｔに起因するスプリアスの位置と
の周波数差をΔｆとすると、距離ｔを０．６２５λとし
た場合ではΔｆは２０ＭＨｚ、距離ｔを０．７５０λと
した場合ではΔｆは１０ＭＨｚとなっている。そこで、
このΔｆの適性範囲が５〜２５ＭＨｚであると仮定し、
そしてこのようにΔｆを示させることができる距離ｔ
を、上記の値から推定する。なおΔｆの適性範囲が５〜
２５ＭＨｚと仮定した根拠は次の通りである。通過帯域
２５ＭＨｚの８００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタでは、一
般的な規格からして、高域の減衰域は２５ＭＨｚは必要
である。このような減衰域を得たい場合に、距離ｔに起
因するスプリアスが減衰域の特性改善用ポールとして意
味をもつのは、周波数位置ｆ0 より適性に高い範囲すな
わち周波数位置ｆ0 から５〜２５ＭＨｚ高域側の範囲と
考えられるからである。距離ｔを０．６２５λ、距離ｔ
を０．７５０λとした場合のΔｆは、上述の通り２０Ｍ
Ｈｚ、１０ＭＨｚであるから、距離ｔが０．６２５λ〜
０．７５０λ近傍での距離ｔに対するΔｆの変化率は、
（２０−１０）／（０．６２５−０．７５０）λ＝−８
ＭＨｚ／０．１λになる。実際には実験のバラツキの影
響によりΔｆの変化率は−８ＭＨｚ〜−１０ＭＨｚと考
えられる。また、Ｐ＝０．６２５λ付近のΔｆの変化率
よりもｔ＝０．７５０λ付近のΔｆの変化率の方が大き
いと考えられるのでここでは、ｔ＝０．６２５λ付近で
のΔｆの変化率を−８ＭＨｚ／０．１λと考え、ｔ＝
０．７５０付近でのΔｆの変化率を−１０ＭＨｚ／０．
１λと考える。そして、この前者の変化率を基に、Δｆ
を２５ＭＨｚとし得る距離ｔを推定する。すなわち、
０．６２５λ−（２５−２０）×０．１λ÷８＝０．６
２５−０．０６２５≒０．５６λと推定する。また、後
者の変化率を基に、Δｆを５ＭＨｚとし得る距離ｔを推
定する。すなわち、０．７５０λ−（５−１０）×０．
１λ÷１０＝０．７５０＋０．０５０≒０．８００λと
推定する。よって、この推定値に誤差も考慮に入れると
すだれ状電極と反射器との距離ｔに起因するスプリアス
がフィルタの高域減衰域の特性改善に意味を持つように
できるのは、当該距離ｔが０．５５λ〜０．８１λの範
囲といえる。さらに、この距離ｔに起因するスプリアス
の発生位置は図４〜図６をみて分かるようにλ／２の周
期で繰り返されるから、すだれ状電極と反射器との距離
ｔに起因するスプリアスがフィルタの高域減衰域の特性
改善に意味を持つようにできるのは、当該距離ｔが（ｎ
／２＋０．５５）λ〜（ｎ／２＋０．８１）λの範囲と
一般化できることが分かる（ｎは０または正の整数）。
ただし、ｎを１以上とすると、すだれ状電極と反射器と
の距離ｔがその分大きくなる。これは弾性表面波をＳＡ
Ｗ共振子内に閉じ込めて伝送損失を少なくする意味から
は好ましくない。したがって、好ましくはｎ＝０とする
のが良い。
すだれ状電極と反射器との距離ｔを０．６２５λにする
と、距離ｔを０．５００λとした場合に見られたＳＳＢ
Ｗのスプリアスすなわち図４（Ａ）にてマーカーＭｙの
位置に出現していたスプリアスが消えるが、代わりにマ
ーカーＭｚの位置に比較的帯域幅の広いスプリアスが発
生してくる。このスプリアスの発生する周波数位置はす
だれ状電極と反射器との距離ｔが広がっていくと低周波
数側（図５（Ａ）、図５（Ｂ）中のマーカーＭｚの位置
参照）に移動して行き、距離ｔがλになると距離ｔが
０．５００λであったときの特性に戻ることが分かる
（図４（Ａ）と図６参照）。このような伝送特性の変化
からみて、このマーカーＭｚで示されるスプリアス（以
下、「距離ｔに起因するスプリアス」ともいう。）は、
それが周波数位置ｆ0 から適性に高域側にあるなら、Ｓ
ＡＷ共振子の高域側の減衰域の減衰特性を改善するため
のポールとして使用できると考えられる。ここで適性に
高域側とは、距離ｔに起因するスプリアスの位置が周波
数位置ｆ0 に対しあまりに近いと該スプリアスが減衰域
の特性改善用ポールとして意味をなさず、あまりに遠い
と（例えば高域側の減衰域の幅をあまり越えるようであ
ると）該スプリアスが減衰域の特性改善用ポールとして
意味をなさないから、これらを除いた範囲である。図４
〜図６の例でいえば、距離ｔを０．６２５λとした場
合、および距離ｔを０．７５０とした場合それぞれは、
スプリアスが適性に高域側にある例といえる。ここで周
波数位置ｆ0と、距離ｔに起因するスプリアスの位置と
の周波数差をΔｆとすると、距離ｔを０．６２５λとし
た場合ではΔｆは２０ＭＨｚ、距離ｔを０．７５０λと
した場合ではΔｆは１０ＭＨｚとなっている。そこで、
このΔｆの適性範囲が５〜２５ＭＨｚであると仮定し、
そしてこのようにΔｆを示させることができる距離ｔ
を、上記の値から推定する。なおΔｆの適性範囲が５〜
２５ＭＨｚと仮定した根拠は次の通りである。通過帯域
２５ＭＨｚの８００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタでは、一
般的な規格からして、高域の減衰域は２５ＭＨｚは必要
である。このような減衰域を得たい場合に、距離ｔに起
因するスプリアスが減衰域の特性改善用ポールとして意
味をもつのは、周波数位置ｆ0 より適性に高い範囲すな
わち周波数位置ｆ0 から５〜２５ＭＨｚ高域側の範囲と
考えられるからである。距離ｔを０．６２５λ、距離ｔ
を０．７５０λとした場合のΔｆは、上述の通り２０Ｍ
Ｈｚ、１０ＭＨｚであるから、距離ｔが０．６２５λ〜
０．７５０λ近傍での距離ｔに対するΔｆの変化率は、
（２０−１０）／（０．６２５−０．７５０）λ＝−８
ＭＨｚ／０．１λになる。実際には実験のバラツキの影
響によりΔｆの変化率は−８ＭＨｚ〜−１０ＭＨｚと考
えられる。また、Ｐ＝０．６２５λ付近のΔｆの変化率
よりもｔ＝０．７５０λ付近のΔｆの変化率の方が大き
いと考えられるのでここでは、ｔ＝０．６２５λ付近で
のΔｆの変化率を−８ＭＨｚ／０．１λと考え、ｔ＝
０．７５０付近でのΔｆの変化率を−１０ＭＨｚ／０．
１λと考える。そして、この前者の変化率を基に、Δｆ
を２５ＭＨｚとし得る距離ｔを推定する。すなわち、
０．６２５λ−（２５−２０）×０．１λ÷８＝０．６
２５−０．０６２５≒０．５６λと推定する。また、後
者の変化率を基に、Δｆを５ＭＨｚとし得る距離ｔを推
定する。すなわち、０．７５０λ−（５−１０）×０．
１λ÷１０＝０．７５０＋０．０５０≒０．８００λと
推定する。よって、この推定値に誤差も考慮に入れると
すだれ状電極と反射器との距離ｔに起因するスプリアス
がフィルタの高域減衰域の特性改善に意味を持つように
できるのは、当該距離ｔが０．５５λ〜０．８１λの範
囲といえる。さらに、この距離ｔに起因するスプリアス
の発生位置は図４〜図６をみて分かるようにλ／２の周
期で繰り返されるから、すだれ状電極と反射器との距離
ｔに起因するスプリアスがフィルタの高域減衰域の特性
改善に意味を持つようにできるのは、当該距離ｔが（ｎ
／２＋０．５５）λ〜（ｎ／２＋０．８１）λの範囲と
一般化できることが分かる（ｎは０または正の整数）。
ただし、ｎを１以上とすると、すだれ状電極と反射器と
の距離ｔがその分大きくなる。これは弾性表面波をＳＡ
Ｗ共振子内に閉じ込めて伝送損失を少なくする意味から
は好ましくない。したがって、好ましくはｎ＝０とする
のが良い。
【００２２】１−３．実施例および比較例 次に、実施例として、４段Ｔ型梯型回路構成の共振器型
ＳＡＷフィルタであって、すべての直列腕ＳＡＷ共振子
についてのすだれ状電極と反射器との距離ｔを１７λ1
／２４（０．７０８λ1 ）とし、すべての並列腕ＳＡＷ
共振子についての距離ｔを０．５λ2 としたＳＡＷフィ
ルタを構成し、そしてその伝送特性を調べる。図７
（Ａ）にこの実施例のＳＡＷフィルタ３７の回路構成図
を示し、図７（Ｂ）にその伝送特性を示した。なお、図
７（Ａ）において、３８はそれぞれすだれ状電極と反射
器との距離ｔを１７λ1 ／２４としてある直列腕ＳＡＷ
共振子、３９はそれぞれすだれ状電極と反射器との距離
ｔをλ2 ／２としてある並列腕ＳＡＷ共振子である。各
直列腕ＳＡＷ共振子３８は静電容量が４．８４ｐＦのも
の、各並列腕ＳＡＷ共振子３９は静電容量が１．９６ｐ
Ｆのものを用いる。また、図７（Ｂ）では、マーカＭａ
〜Ｍｂ間は通過帯域、Ｍｃ〜Ｍｄ間は高域側減衰域を示
している（図８（Ｂ）において同じ。）。また、図７
（Ｂ）において横軸１目盛りは２０ＭＨｚ、縦軸１目盛
りは１０ｄＢとしてある（図８（Ｂ）において同
じ。）。
ＳＡＷフィルタであって、すべての直列腕ＳＡＷ共振子
についてのすだれ状電極と反射器との距離ｔを１７λ1
／２４（０．７０８λ1 ）とし、すべての並列腕ＳＡＷ
共振子についての距離ｔを０．５λ2 としたＳＡＷフィ
ルタを構成し、そしてその伝送特性を調べる。図７
（Ａ）にこの実施例のＳＡＷフィルタ３７の回路構成図
を示し、図７（Ｂ）にその伝送特性を示した。なお、図
７（Ａ）において、３８はそれぞれすだれ状電極と反射
器との距離ｔを１７λ1 ／２４としてある直列腕ＳＡＷ
共振子、３９はそれぞれすだれ状電極と反射器との距離
ｔをλ2 ／２としてある並列腕ＳＡＷ共振子である。各
直列腕ＳＡＷ共振子３８は静電容量が４．８４ｐＦのも
の、各並列腕ＳＡＷ共振子３９は静電容量が１．９６ｐ
Ｆのものを用いる。また、図７（Ｂ）では、マーカＭａ
〜Ｍｂ間は通過帯域、Ｍｃ〜Ｍｄ間は高域側減衰域を示
している（図８（Ｂ）において同じ。）。また、図７
（Ｂ）において横軸１目盛りは２０ＭＨｚ、縦軸１目盛
りは１０ｄＢとしてある（図８（Ｂ）において同
じ。）。
【００２３】また、比較例として、４段Ｔ型梯型回路構
成の共振器型ＳＡＷフィルタであって、直列腕、並列腕
それぞれ距離ｔをλ1 ／２、λ2 ／２としたＳＡＷ共振
子で構成した梯型回路部分を有し、かつ、この梯型回路
部分の後段に高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を
さらに縦続接続してあるＳＡＷフィルタを構成し、そし
てその伝送特性を調べる。図８（Ａ）にこの比較例のＳ
ＡＷフィルタ４０の回路構成図を示し、図８（Ｂ）にそ
の伝送特性を示した。なお、図８（Ａ）において、４１
はそれぞれ距離ｔをλ1 ／２とした直列腕ＳＡＷ共振
子、４３はそれぞれ距離ｔをλ2 ／２とした並列腕ＳＡ
Ｗ共振子、４５は距離ｔをλ3 ／２とした高域側の減衰
特性改善用のＳＡＷ共振子である。ここで、λ3 は高域
側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子で励振される弾性表
面波の波長である。各直列腕ＳＡＷ共振子４１は静電容
量が４．８４ｐＦのもの、各並列腕ＳＡＷ共振子４３は
静電容量が１．９６ｐＦのもの、高域側の減衰特性改善
用のＳＡＷ共振子４５は静電容量が５．７６ｐＦのもの
を用いる。また、図７（Ｂ）および図８（Ｂ）の各伝送
特性中のマーカーＭａ〜Ｍｄについての減衰量を表２に
示す。
成の共振器型ＳＡＷフィルタであって、直列腕、並列腕
それぞれ距離ｔをλ1 ／２、λ2 ／２としたＳＡＷ共振
子で構成した梯型回路部分を有し、かつ、この梯型回路
部分の後段に高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を
さらに縦続接続してあるＳＡＷフィルタを構成し、そし
てその伝送特性を調べる。図８（Ａ）にこの比較例のＳ
ＡＷフィルタ４０の回路構成図を示し、図８（Ｂ）にそ
の伝送特性を示した。なお、図８（Ａ）において、４１
はそれぞれ距離ｔをλ1 ／２とした直列腕ＳＡＷ共振
子、４３はそれぞれ距離ｔをλ2 ／２とした並列腕ＳＡ
Ｗ共振子、４５は距離ｔをλ3 ／２とした高域側の減衰
特性改善用のＳＡＷ共振子である。ここで、λ3 は高域
側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子で励振される弾性表
面波の波長である。各直列腕ＳＡＷ共振子４１は静電容
量が４．８４ｐＦのもの、各並列腕ＳＡＷ共振子４３は
静電容量が１．９６ｐＦのもの、高域側の減衰特性改善
用のＳＡＷ共振子４５は静電容量が５．７６ｐＦのもの
を用いる。また、図７（Ｂ）および図８（Ｂ）の各伝送
特性中のマーカーＭａ〜Ｍｄについての減衰量を表２に
示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】図７（Ｂ）および図８（Ｂ）それぞれの特
にマーカＭｃ〜マーカＭｄに渡る高域側減衰域の特性同
士を比較することで分かるように、実施例のフィルタ３
７では、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を用い
ていないにもかかわらず、比較例のものと同様の減衰特
性改善効果が得られることが分かる。また、表２、図７
（Ｂ）および図８（Ｂ）それぞれの例えばマーカＭａの
位置での挿入損失同士、マーカーＭｂの位置での挿入損
失同士をそれぞれ比較することで分かるように、実施例
のフィルタ３７では高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共
振子を用いていない分、通過域の挿入損失が改善されて
いることが分かる。また、実施例のフィルタ３０では高
域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を用いていない
分、フィルタの小型化が図れることが分かる。
にマーカＭｃ〜マーカＭｄに渡る高域側減衰域の特性同
士を比較することで分かるように、実施例のフィルタ３
７では、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を用い
ていないにもかかわらず、比較例のものと同様の減衰特
性改善効果が得られることが分かる。また、表２、図７
（Ｂ）および図８（Ｂ）それぞれの例えばマーカＭａの
位置での挿入損失同士、マーカーＭｂの位置での挿入損
失同士をそれぞれ比較することで分かるように、実施例
のフィルタ３７では高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共
振子を用いていない分、通過域の挿入損失が改善されて
いることが分かる。また、実施例のフィルタ３０では高
域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子を用いていない
分、フィルタの小型化が図れることが分かる。
【００２６】上述の説明では、多段梯型構成の共振器型
ＳＡＷフィルタ中の全ての直列腕ＳＡＷ共振子について
のすだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／２＋０．５
５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の値でかつ
同じ値とした例を、説明した。しかし、この発明はこれ
に限られない。１段梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタ
にももちろん適用出来、その場合も実施例と同様の効果
が得られる。また、多段梯型構成の共振器型ＳＡＷフィ
ルタにおける全部の直列腕ＳＡＷ共振子にではなく少な
くとも１個について距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1
〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の値としても高域側減衰域
改善用のポールは生じるから実施例と同様の効果が得ら
れる。また、多段梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタに
おける直列腕ＳＡＷ共振子の少なくとも２個について上
記距離ｔを所定範囲の値とする思想を適用する際にそれ
ら共振子ごとの上記距離ｔを、（ｎ／２＋０．５５）λ
1〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲において一部違え
たり全部違えても良い。このように距離ｔを違えた直列
腕共振子を含むようにした方が、減衰域改善用のポール
が複数個所に生じるので特性改善効果が高まる（これに
ついては後述の第２の発明の第１の実施の形態の実施例
２の結果説明において詳述する。）。
ＳＡＷフィルタ中の全ての直列腕ＳＡＷ共振子について
のすだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／２＋０．５
５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の値でかつ
同じ値とした例を、説明した。しかし、この発明はこれ
に限られない。１段梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタ
にももちろん適用出来、その場合も実施例と同様の効果
が得られる。また、多段梯型構成の共振器型ＳＡＷフィ
ルタにおける全部の直列腕ＳＡＷ共振子にではなく少な
くとも１個について距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1
〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の値としても高域側減衰域
改善用のポールは生じるから実施例と同様の効果が得ら
れる。また、多段梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタに
おける直列腕ＳＡＷ共振子の少なくとも２個について上
記距離ｔを所定範囲の値とする思想を適用する際にそれ
ら共振子ごとの上記距離ｔを、（ｎ／２＋０．５５）λ
1〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲において一部違え
たり全部違えても良い。このように距離ｔを違えた直列
腕共振子を含むようにした方が、減衰域改善用のポール
が複数個所に生じるので特性改善効果が高まる（これに
ついては後述の第２の発明の第１の実施の形態の実施例
２の結果説明において詳述する。）。
【００２７】また、上述の説明では、特定の圧電基板材
料、特定の電極材料、特定の使用周波数、通過帯域幅に
おいて発明を説明した。しかし、すだれ状電極および反
射器を構成する金属材料を上記例示以外の他の金属に変
えた場合、また、圧電基板の材料、使用周波数および通
過帯域幅が上記例示以外のものであっても、すだれ状電
極膜厚Ｈ／λとスプリアスとの条件は若干変化するが、
この第１の発明を適用出来、その場合も実施の形態と同
様の効果が得られる。
料、特定の電極材料、特定の使用周波数、通過帯域幅に
おいて発明を説明した。しかし、すだれ状電極および反
射器を構成する金属材料を上記例示以外の他の金属に変
えた場合、また、圧電基板の材料、使用周波数および通
過帯域幅が上記例示以外のものであっても、すだれ状電
極膜厚Ｈ／λとスプリアスとの条件は若干変化するが、
この第１の発明を適用出来、その場合も実施の形態と同
様の効果が得られる。
【００２８】２．第２の発明の説明 上述の第１の発明の実施の形態の説明から明らかよう
に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおける直
列腕ＳＡＷ共振子のすだれ状電極と反射器との距離ｔを
（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1
の範囲とすることで、種々の利点が得られることが分か
る。このため、第１の発明によれば充分に実用に耐える
フィルタが実現できる。しかし、より特性に優れるフィ
ルタを構成しようとした場合、上記第１の発明の構成で
は、通過域に生じるリップルについて改善の余地がまだ
ある。この第２の発明はその対策を考慮したものであ
る。以下、詳細に説明する。
に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおける直
列腕ＳＡＷ共振子のすだれ状電極と反射器との距離ｔを
（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1
の範囲とすることで、種々の利点が得られることが分か
る。このため、第１の発明によれば充分に実用に耐える
フィルタが実現できる。しかし、より特性に優れるフィ
ルタを構成しようとした場合、上記第１の発明の構成で
は、通過域に生じるリップルについて改善の余地がまだ
ある。この第２の発明はその対策を考慮したものであ
る。以下、詳細に説明する。
【００２９】先ず、通過域のリップルについて説明す
る。例えば図７を用いて説明した第１の発明に係る多段
構成の共振器型ＳＡＷフィルタ３７の伝送特性における
リップルに着目した場合、図９に概略的に示した伝送特
性図に示すように、通過域５１中の低域側（低周波数
端）に生じるリップルＲL と通過域５１中の高域側（高
周波数端）に生じるリップＲH と、高域側減衰域５３よ
りさらに高域に生じるリップルＲが比較的顕著である。
リップルＲL は並列腕ＳＡＷ共振子３９（図７（Ａ）参
照）の高次モードに起因して発生するもの、リップルＲ
H は直列腕ＳＡＷ共振子３８（図７（Ａ）参照）の高次
モードに起因して発生するもの、リップルＲは直列腕Ｓ
ＡＷ共振子３８のＳＳＢＷに起因して発生するものであ
る。なお図９において、５５は低域側減衰域、５７は並
列腕ＳＡＷ共振子３９の共振周波数による減衰極、５９
は直列腕ＳＡＷ共振子３８の反共振周波数による減衰
極、６１はすだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／２
＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲と
してある直列腕ＳＡＷ共振子のスプリアスによる減衰極
である。並列腕ＳＡＷ共振子３９のＳＳＢＷに起因して
発生するリップルは、減衰極５９付近に存在するが、こ
こではそれは省略してある。
る。例えば図７を用いて説明した第１の発明に係る多段
構成の共振器型ＳＡＷフィルタ３７の伝送特性における
リップルに着目した場合、図９に概略的に示した伝送特
性図に示すように、通過域５１中の低域側（低周波数
端）に生じるリップルＲL と通過域５１中の高域側（高
周波数端）に生じるリップＲH と、高域側減衰域５３よ
りさらに高域に生じるリップルＲが比較的顕著である。
リップルＲL は並列腕ＳＡＷ共振子３９（図７（Ａ）参
照）の高次モードに起因して発生するもの、リップルＲ
H は直列腕ＳＡＷ共振子３８（図７（Ａ）参照）の高次
モードに起因して発生するもの、リップルＲは直列腕Ｓ
ＡＷ共振子３８のＳＳＢＷに起因して発生するものであ
る。なお図９において、５５は低域側減衰域、５７は並
列腕ＳＡＷ共振子３９の共振周波数による減衰極、５９
は直列腕ＳＡＷ共振子３８の反共振周波数による減衰
極、６１はすだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／２
＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲と
してある直列腕ＳＡＷ共振子のスプリアスによる減衰極
である。並列腕ＳＡＷ共振子３９のＳＳＢＷに起因して
発生するリップルは、減衰極５９付近に存在するが、こ
こではそれは省略してある。
【００３０】通過域におけるリップルＲL およびＲH
は、通過域の特性に悪影響を及ぼすのでそれらは抑制さ
れるのが好ましい。なかでも、並列腕ＳＡＷ共振子の高
次モードによるリップルＲL の影響が大きく、それが原
因で通過域中の低域側の挿入損失が高域側より増加し、
そのため、平坦な通過帯域特性が得られないという問題
が生じる。これらリップルＲL 、ＲH の問題を解決する
ため、この第２発明では、第１発明の構成にさらに以下
に説明するような構成を付加する。
は、通過域の特性に悪影響を及ぼすのでそれらは抑制さ
れるのが好ましい。なかでも、並列腕ＳＡＷ共振子の高
次モードによるリップルＲL の影響が大きく、それが原
因で通過域中の低域側の挿入損失が高域側より増加し、
そのため、平坦な通過帯域特性が得られないという問題
が生じる。これらリップルＲL 、ＲH の問題を解決する
ため、この第２発明では、第１発明の構成にさらに以下
に説明するような構成を付加する。
【００３１】２−１．第２発明の第１の実施の形態 先ず、通過域における低域側のリップルＲL を抑制する
例を説明する。図１０（Ａ）、（Ｂ）はその説明図であ
り、第２発明の第１の実施の形態の共振器型ＳＡＷフィ
ルタ７０の回路構成図および概略的な伝送特性図であ
る。このＳＡＷフィルタ７０では、直列腕ＳＡＷ共振子
７１のうちの少なくとも１個については、図２（Ａ）を
参照して既に説明したと同様に、すだれ状電極と反射器
との距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ〜（ｎ／２＋０．
８１）λの範囲としてある。そのようにしない直列腕Ｓ
ＡＷ共振子が残っている場合は、それらは距離ｔがλ1
／２正規型のＳＡＷ共振子とする。また、すべての並列
腕ＳＡＷ共振子７３は、すだれ状電極を構成している電
極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダイズ法に
従う重み付けを実施してある。すべての並列腕ＳＡＷ共
振子７３のすだれ状電極を構成している電極指のうちの
５０％以上の電極指に対し、アポダイズ法に従う重み付
けを実施したフィルタでは、詳細な理由および特性は後
述するが、図１０（Ｂ）に概略的に示した伝送特性図の
ように、通過域における低域側のリップルＲL を抑制す
ることができる。以下、(a) 並列腕ＳＡＷ共振子に対す
る重み付けの具体例、(b) 重み付けを５０％以上とする
根拠、(c) 実験結果について順に説明する。
例を説明する。図１０（Ａ）、（Ｂ）はその説明図であ
り、第２発明の第１の実施の形態の共振器型ＳＡＷフィ
ルタ７０の回路構成図および概略的な伝送特性図であ
る。このＳＡＷフィルタ７０では、直列腕ＳＡＷ共振子
７１のうちの少なくとも１個については、図２（Ａ）を
参照して既に説明したと同様に、すだれ状電極と反射器
との距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ〜（ｎ／２＋０．
８１）λの範囲としてある。そのようにしない直列腕Ｓ
ＡＷ共振子が残っている場合は、それらは距離ｔがλ1
／２正規型のＳＡＷ共振子とする。また、すべての並列
腕ＳＡＷ共振子７３は、すだれ状電極を構成している電
極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダイズ法に
従う重み付けを実施してある。すべての並列腕ＳＡＷ共
振子７３のすだれ状電極を構成している電極指のうちの
５０％以上の電極指に対し、アポダイズ法に従う重み付
けを実施したフィルタでは、詳細な理由および特性は後
述するが、図１０（Ｂ）に概略的に示した伝送特性図の
ように、通過域における低域側のリップルＲL を抑制す
ることができる。以下、(a) 並列腕ＳＡＷ共振子に対す
る重み付けの具体例、(b) 重み付けを５０％以上とする
根拠、(c) 実験結果について順に説明する。
【００３２】２−１−１．並列腕ＳＡＷ共振子での重み
付け 並列腕ＳＡＷ共振子に実施するアポダイズ法に従う重み
付けの具体例について図１１、図１２を参照して説明す
る。図１１の例の場合、すだれ状電極を構成している電
極指３３ａのうちのすべて（すなわち１００％）の電極
指に対しアポダイズ法に従う重み付けであって菱形の重
み付けを実施してある。すなわち、すだれ状電極３３の
両端から中央に向かうに従い交差長が長くなるように重
み付けをしてある。図１１の特に（Ａ）図において菱形
状の破線で囲まれる領域内が重み付けにより出来たＳＡ
Ｗ励振領域８１であり、直角三角形状の破線で囲まれる
領域それぞれはダミー領域８３ａ〜８３ｄである。ただ
しダミー領域といえど、この領域にある電極指部分は実
質に反射器として機能する。重み付けがされた各電極指
における、ダミー領域８３ａ〜８３ｄに所属する部分
が、反射器として機能することについて図１１（Ｂ）を
参照して説明する。ここで、図１１（Ｂ）は図１１
（Ａ）に示したＳＡＷ共振子のｓ部分の拡大図である。
図１１（Ｂ）においてＩ−Ｉ線を境にその上側の電極指
部分８１ｘ，８１ｙ，８１ｚそれぞれはＳＡＷ励振領域
８１内のもの、Ｉ−Ｉ線を境にその下側の電極指部分８
３ｘ，８３ｙ，８３ｚはダミー領域８３ｄ内のものであ
る。
付け 並列腕ＳＡＷ共振子に実施するアポダイズ法に従う重み
付けの具体例について図１１、図１２を参照して説明す
る。図１１の例の場合、すだれ状電極を構成している電
極指３３ａのうちのすべて（すなわち１００％）の電極
指に対しアポダイズ法に従う重み付けであって菱形の重
み付けを実施してある。すなわち、すだれ状電極３３の
両端から中央に向かうに従い交差長が長くなるように重
み付けをしてある。図１１の特に（Ａ）図において菱形
状の破線で囲まれる領域内が重み付けにより出来たＳＡ
Ｗ励振領域８１であり、直角三角形状の破線で囲まれる
領域それぞれはダミー領域８３ａ〜８３ｄである。ただ
しダミー領域といえど、この領域にある電極指部分は実
質に反射器として機能する。重み付けがされた各電極指
における、ダミー領域８３ａ〜８３ｄに所属する部分
が、反射器として機能することについて図１１（Ｂ）を
参照して説明する。ここで、図１１（Ｂ）は図１１
（Ａ）に示したＳＡＷ共振子のｓ部分の拡大図である。
図１１（Ｂ）においてＩ−Ｉ線を境にその上側の電極指
部分８１ｘ，８１ｙ，８１ｚそれぞれはＳＡＷ励振領域
８１内のもの、Ｉ−Ｉ線を境にその下側の電極指部分８
３ｘ，８３ｙ，８３ｚはダミー領域８３ｄ内のものであ
る。
【００３３】図１１（Ｂ）の構成においては、電極指部
分８１ｘにより励振されたＳＡＷは先ず電極指部分８１
ｘからλ／２離れた位置にある電極指部分８３ｙで反射
され（図中８５参照）、この電極指部分８３ｙで反射し
きれないＳＡＷは次に電極指部分８１ｘから２λ／２離
れた位置にある電極指部分８３ｚで反射される（図中８
７参照）。このように電極指部分８１ｘで励振されたＳ
ＡＷは電極指部分８１ｘからｎλ／２（ｎ＝１，２，・
・）離れた位置にある他の電極指部分で反射される。同
様に電極指部分８１ｙで励振されたＳＡＷ（図中８９）
はこの電極指部分８１ｙからｎλ／２（ｎ＝１，２，・
・）離れた位置にある電極指部分８３ｚ、・・で反射さ
れる。このように重み付けにより出来たダミー領域中の
電極指部分はすだれ状電極内部では反射器の役割をする
ことになり、すだれ状電極両端部から外部へＳＡＷが漏
れることを少なくする役割を果たす。したがって、重み
付けの程度によっては例えば上記の実験例では重み付け
を１００％実施した並列腕ＳＡＷ共振子では、すだれ状
電極両側に距離λ／２（本願発明の波長の記号で述べる
ならλ2 ／２）隔てて反射器３５（図２（Ｂ）参照）を
設けなくとも良い場合が生じる（図１１（Ａ）ではその
例を示している。）。もちろん、反射器３５を設けなく
とも良い重み付けの程度は１００％未満の場合もあり得
ると考える。
分８１ｘにより励振されたＳＡＷは先ず電極指部分８１
ｘからλ／２離れた位置にある電極指部分８３ｙで反射
され（図中８５参照）、この電極指部分８３ｙで反射し
きれないＳＡＷは次に電極指部分８１ｘから２λ／２離
れた位置にある電極指部分８３ｚで反射される（図中８
７参照）。このように電極指部分８１ｘで励振されたＳ
ＡＷは電極指部分８１ｘからｎλ／２（ｎ＝１，２，・
・）離れた位置にある他の電極指部分で反射される。同
様に電極指部分８１ｙで励振されたＳＡＷ（図中８９）
はこの電極指部分８１ｙからｎλ／２（ｎ＝１，２，・
・）離れた位置にある電極指部分８３ｚ、・・で反射さ
れる。このように重み付けにより出来たダミー領域中の
電極指部分はすだれ状電極内部では反射器の役割をする
ことになり、すだれ状電極両端部から外部へＳＡＷが漏
れることを少なくする役割を果たす。したがって、重み
付けの程度によっては例えば上記の実験例では重み付け
を１００％実施した並列腕ＳＡＷ共振子では、すだれ状
電極両側に距離λ／２（本願発明の波長の記号で述べる
ならλ2 ／２）隔てて反射器３５（図２（Ｂ）参照）を
設けなくとも良い場合が生じる（図１１（Ａ）ではその
例を示している。）。もちろん、反射器３５を設けなく
とも良い重み付けの程度は１００％未満の場合もあり得
ると考える。
【００３４】また、図１２は、並列腕ＳＡＷ共振子のす
だれ状電極における全電極指のうち５０％程度の電極指
に対しアポダイズ法に従う重み付けを実施した例を示し
ている。５０％程度の重み付けをする場合、一般には、
すだれ状電極の両端から２５％程度ずつ電極指に対しア
ポダイズ法に従う重み付けをするのが一般的であるの
で、ここでもそうしている。このような場合では、図１
２中、略正三角形状の破線で囲まれた領域それぞれが重
み付けによりできたＳＡＷ励振領域９１ａ，９１ｂであ
り、直角三角形状の破線で囲まれた領域それぞれはダミ
ー領域９３ａ〜９３ｄである。重み付けされていないす
だれ状電極領域（四角形状の破線で囲まれた領域）もＳ
ＡＷ励振領域（正規領域）９５である。このような重み
付けの場合もダミー領域９３ａ〜９３ｄ内の電極指部分
それぞれは実質的に反射器として機能するが、この場合
は、重み付け率が少ない分ダミー領域が狭いから、ダミ
ー領域内の電極指部分だけではＳＡＷ励振領域で励振さ
れたＳＡＷの反射効率が低下しＳＡＷが外部に漏れてし
まう。従って、図１２のようにすだれ状電極３３の両端
に距離λ／２を隔てたグレーティング反射器３５をそれ
ぞれ設ける。なお、この場合の反射器３５は、金属スリ
ットパターン本数が５０本程度の反射器で良い。
だれ状電極における全電極指のうち５０％程度の電極指
に対しアポダイズ法に従う重み付けを実施した例を示し
ている。５０％程度の重み付けをする場合、一般には、
すだれ状電極の両端から２５％程度ずつ電極指に対しア
ポダイズ法に従う重み付けをするのが一般的であるの
で、ここでもそうしている。このような場合では、図１
２中、略正三角形状の破線で囲まれた領域それぞれが重
み付けによりできたＳＡＷ励振領域９１ａ，９１ｂであ
り、直角三角形状の破線で囲まれた領域それぞれはダミ
ー領域９３ａ〜９３ｄである。重み付けされていないす
だれ状電極領域（四角形状の破線で囲まれた領域）もＳ
ＡＷ励振領域（正規領域）９５である。このような重み
付けの場合もダミー領域９３ａ〜９３ｄ内の電極指部分
それぞれは実質的に反射器として機能するが、この場合
は、重み付け率が少ない分ダミー領域が狭いから、ダミ
ー領域内の電極指部分だけではＳＡＷ励振領域で励振さ
れたＳＡＷの反射効率が低下しＳＡＷが外部に漏れてし
まう。従って、図１２のようにすだれ状電極３３の両端
に距離λ／２を隔てたグレーティング反射器３５をそれ
ぞれ設ける。なお、この場合の反射器３５は、金属スリ
ットパターン本数が５０本程度の反射器で良い。
【００３５】２−１−２．重み付けを５０％以上とする
根拠 次に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、それに備わるすべての並列腕ＳＡＷ共振子に５０％
以上の重み付けをするのが良い理由について説明する。
根拠 次に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、それに備わるすべての並列腕ＳＡＷ共振子に５０％
以上の重み付けをするのが良い理由について説明する。
【００３６】このため、正規型でかつ距離ｔがλ／２の
ＳＡＷ共振子（例えば図２（Ｂ）参照）におけるすだれ
状電極の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けを０
〜１００％の範囲で種々に違えたＳＡＷ共振子を構成
し、そしてそれらの伝送特性および反射特性をそれぞれ
調べる。ここでは、重み付けなし（０％）、重み付け３
３％、重み付け５０％、重み付け８３％、重み付け１０
０％の５水準とした５つのＳＡＷ共振子を用いる。ま
た、それぞれのＳＡＷ共振子について並列腕接続した状
態（図１３（Ｃ）に示した状態）での伝送特性および反
射特性を調べる。ただし、重み付けは図１２に例示した
と同様、すだれ状電極の両端から菱形状に行う。また、
各ＳＡＷ共振子のすだれ状電極は、アルミニウム、また
は銅、またはシリコンを数％含むアルミニウム合金で構
成する。さらにすだれ状電極は、その電極対数が１２
０、交差長が１００μｍ、静電容量Ｃ0 が４．８０ｐＦ
のものとする。この静電容量Ｃ0 は、基板として３６°
回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 を用い、かつ、単位長、単位対当
たりの静電容量を４×１０2 ｐＦとし、 Ｃ0 ＝（対（つい）数）×（交差長）×（単位長、単位
対当たり静電容量） の式で計算した。この静電容量Ｃ0 の算出法は、例えば
文献II（信学技報US95-25,EMD95-21,CPM95-33(1995-0
7),p42) に説明されているものである。
ＳＡＷ共振子（例えば図２（Ｂ）参照）におけるすだれ
状電極の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けを０
〜１００％の範囲で種々に違えたＳＡＷ共振子を構成
し、そしてそれらの伝送特性および反射特性をそれぞれ
調べる。ここでは、重み付けなし（０％）、重み付け３
３％、重み付け５０％、重み付け８３％、重み付け１０
０％の５水準とした５つのＳＡＷ共振子を用いる。ま
た、それぞれのＳＡＷ共振子について並列腕接続した状
態（図１３（Ｃ）に示した状態）での伝送特性および反
射特性を調べる。ただし、重み付けは図１２に例示した
と同様、すだれ状電極の両端から菱形状に行う。また、
各ＳＡＷ共振子のすだれ状電極は、アルミニウム、また
は銅、またはシリコンを数％含むアルミニウム合金で構
成する。さらにすだれ状電極は、その電極対数が１２
０、交差長が１００μｍ、静電容量Ｃ0 が４．８０ｐＦ
のものとする。この静電容量Ｃ0 は、基板として３６°
回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 を用い、かつ、単位長、単位対当
たりの静電容量を４×１０2 ｐＦとし、 Ｃ0 ＝（対（つい）数）×（交差長）×（単位長、単位
対当たり静電容量） の式で計算した。この静電容量Ｃ0 の算出法は、例えば
文献II（信学技報US95-25,EMD95-21,CPM95-33(1995-0
7),p42) に説明されているものである。
【００３７】重み付けなしのＳＡＷ共振子の伝送特性を
図１３（Ａ）にまたその反射特性を図１３（Ｂ）に示し
た。また、重み付けを３３％としたＳＡＷ共振子の伝送
特性を図１４（Ａ）にまたその反射特性を図１４（Ｂ）
に示した。また、重み付けを５０％としたＳＡＷ共振子
の伝送特性を図１５（Ａ）にまたその反射特性を図１５
（Ｂ）に示した。また、重み付けを８３％としたＳＡＷ
共振子の伝送特性を図１６（Ａ）にまたその反射特性を
図１６（Ｂ）に示した。また、重み付けを１００％とし
たＳＡＷ共振子の伝送特性を図１７（Ａ）にまたその反
射特性を図１７（Ｂ）に示した。いずれの反射特性もス
ミスチャートで示している。高次モードに起因するスプ
リアスの変化はスミスチャートで見たほうが分かり易い
からである。また、各伝送特性および反射特性では、各
特性中に出現している減衰極、スプリアスにマーカーＭ
１〜Ｍ４（Ｍ４は図１５以降）を付してある。ここで、
マーカーＭ１で示される減衰極は、ＳＡＷ共振子の反共
振周波数に起因する減衰極である。マーカーＭ２で示さ
れるスプリアスは高次モードに起因するリップルであ
る。マーカーＭ３はマーカーＭ１より２０ＭＨｚ高い周
波数位置にありこの周波数位置はＳＡＷ共振子を梯型回
路構成した８００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタでは通過帯
域の低周波数端にあたる周波数である。また、表３にマ
ーカーＭ３の減衰量を示す。
図１３（Ａ）にまたその反射特性を図１３（Ｂ）に示し
た。また、重み付けを３３％としたＳＡＷ共振子の伝送
特性を図１４（Ａ）にまたその反射特性を図１４（Ｂ）
に示した。また、重み付けを５０％としたＳＡＷ共振子
の伝送特性を図１５（Ａ）にまたその反射特性を図１５
（Ｂ）に示した。また、重み付けを８３％としたＳＡＷ
共振子の伝送特性を図１６（Ａ）にまたその反射特性を
図１６（Ｂ）に示した。また、重み付けを１００％とし
たＳＡＷ共振子の伝送特性を図１７（Ａ）にまたその反
射特性を図１７（Ｂ）に示した。いずれの反射特性もス
ミスチャートで示している。高次モードに起因するスプ
リアスの変化はスミスチャートで見たほうが分かり易い
からである。また、各伝送特性および反射特性では、各
特性中に出現している減衰極、スプリアスにマーカーＭ
１〜Ｍ４（Ｍ４は図１５以降）を付してある。ここで、
マーカーＭ１で示される減衰極は、ＳＡＷ共振子の反共
振周波数に起因する減衰極である。マーカーＭ２で示さ
れるスプリアスは高次モードに起因するリップルであ
る。マーカーＭ３はマーカーＭ１より２０ＭＨｚ高い周
波数位置にありこの周波数位置はＳＡＷ共振子を梯型回
路構成した８００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタでは通過帯
域の低周波数端にあたる周波数である。また、表３にマ
ーカーＭ３の減衰量を示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】図１３〜図１７の各特性を比較すると分か
るように、重み付けの割合を増加してゆくと、反射特性
（スミスチャート）上のマーカーＭ２付近の不連続なへ
こみがなくなっていく。詳細には、重み付けの割合が約
５０％以上になると重み付けの効果が現れマーカーＭ２
付近の不連続なへこみがほとんどなくなり高次モードの
スプリアスが十分に抑制されることが分かる。同時に、
重み付けの割合が０〜１００％へ増加してゆくと伝送特
性上のマーカーＭ３の損失が−１．９４２６ｄＢから−
０．５２０１ｄＢへ減少（表３参照）することから、通
過域での低損失化も図れることが分かる。ただし、５０
％以上の菱形重み付けを実施した場合マーカーＭ２の周
波数位置以外に別の高次モード（図１５〜図１７のマー
カーＭ４）が生じる。しかし、この高次モードの周波数
位置はフィルタの通過帯域から低域にずれた位置である
ので、この高次モードによる通過帯域への影響はほとん
どない。
るように、重み付けの割合を増加してゆくと、反射特性
（スミスチャート）上のマーカーＭ２付近の不連続なへ
こみがなくなっていく。詳細には、重み付けの割合が約
５０％以上になると重み付けの効果が現れマーカーＭ２
付近の不連続なへこみがほとんどなくなり高次モードの
スプリアスが十分に抑制されることが分かる。同時に、
重み付けの割合が０〜１００％へ増加してゆくと伝送特
性上のマーカーＭ３の損失が−１．９４２６ｄＢから−
０．５２０１ｄＢへ減少（表３参照）することから、通
過域での低損失化も図れることが分かる。ただし、５０
％以上の菱形重み付けを実施した場合マーカーＭ２の周
波数位置以外に別の高次モード（図１５〜図１７のマー
カーＭ４）が生じる。しかし、この高次モードの周波数
位置はフィルタの通過帯域から低域にずれた位置である
ので、この高次モードによる通過帯域への影響はほとん
どない。
【００４０】これらのことから、すだれ状電極を構成し
ている電極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダ
イズ法に従う重み付けを実施してあるＳＡＷ共振子によ
って、梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタのすべての並
列腕共振子をそれぞれ構成すると、フィルタの通過帯域
中の低域側リップルＲL （並列腕ＳＡＷ共振子の高次モ
ードに起因するスプリアス）を抑制出来ることが理解出
来る。
ている電極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダ
イズ法に従う重み付けを実施してあるＳＡＷ共振子によ
って、梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタのすべての並
列腕共振子をそれぞれ構成すると、フィルタの通過帯域
中の低域側リップルＲL （並列腕ＳＡＷ共振子の高次モ
ードに起因するスプリアス）を抑制出来ることが理解出
来る。
【００４１】２−１−３．実施例１、実施例２ 次に、実施例１として、４段Ｔ型梯型回路構成の共振器
型ＳＡＷフィルタであって、すべての直列腕ＳＡＷ共振
子についてすだれ状電極と反射器との距離ｔを１７λ1
／２４（０．７０８λ1 ）とし、すべての並列腕ＳＡＷ
共振子については距離ｔをλ2 ／２としかつそれぞれの
すだれ状電極にアポダイズ法に従う１００％の重み付け
（菱形重み付け）を実施したＳＡＷフィルタを構成し、
そしてその伝送特性を調べる。図１８（Ａ）にこの実施
例１のＳＡＷフィルタ１００の回路構成図を示し、図１
８（Ｂ）にその伝送特性を示した。なお、図１８（Ａ）
において、１０１は距離ｔを１７λ1 ／２４としてある
直列腕ＳＡＷ共振子、１０３は距離ｔをλ2 ／２として
ありかつすだれ状電極に１００％菱形重み付けをした並
列腕ＳＡＷ共振子である。各直列腕ＳＡＷ共振子１０１
は静電容量が４．８４ｐＦのもの、各並列腕ＳＡＷ共振
子１０３は静電容量が１．９６ｐＦのものを用いる。ま
た、図１８（Ｂ）の伝送特性図中には、第１発明におけ
る図７（Ｂ）と同様、マーカーＭａ〜マーカーＭｄを付
してある（図１９（Ｂ）において同じ。）。また、図１
８（Ｂ）において横軸１目盛りは２０ＭＨｚ、縦軸１目
盛りは１０ｄＢとしてある（図１９（Ｂ）において同
じ。）。
型ＳＡＷフィルタであって、すべての直列腕ＳＡＷ共振
子についてすだれ状電極と反射器との距離ｔを１７λ1
／２４（０．７０８λ1 ）とし、すべての並列腕ＳＡＷ
共振子については距離ｔをλ2 ／２としかつそれぞれの
すだれ状電極にアポダイズ法に従う１００％の重み付け
（菱形重み付け）を実施したＳＡＷフィルタを構成し、
そしてその伝送特性を調べる。図１８（Ａ）にこの実施
例１のＳＡＷフィルタ１００の回路構成図を示し、図１
８（Ｂ）にその伝送特性を示した。なお、図１８（Ａ）
において、１０１は距離ｔを１７λ1 ／２４としてある
直列腕ＳＡＷ共振子、１０３は距離ｔをλ2 ／２として
ありかつすだれ状電極に１００％菱形重み付けをした並
列腕ＳＡＷ共振子である。各直列腕ＳＡＷ共振子１０１
は静電容量が４．８４ｐＦのもの、各並列腕ＳＡＷ共振
子１０３は静電容量が１．９６ｐＦのものを用いる。ま
た、図１８（Ｂ）の伝送特性図中には、第１発明におけ
る図７（Ｂ）と同様、マーカーＭａ〜マーカーＭｄを付
してある（図１９（Ｂ）において同じ。）。また、図１
８（Ｂ）において横軸１目盛りは２０ＭＨｚ、縦軸１目
盛りは１０ｄＢとしてある（図１９（Ｂ）において同
じ。）。
【００４２】また、実施例２として、実施例１の構成に
おける３個の直列腕ＳＡＷ共振子について、すだれ状電
極と反射器との距離ｔを、１つは１６λ1 ／２４（０．
６６７λ1 ）とし、１つは１７λ1 ／２４（０．７０８
λ1 ）とし、１つは１８λ１／２４（０．７５０λ
１ ）とし、それ以外は実施例１と同様にして４段Ｔ型
梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタを構成する。そ
してその伝送特性を調べる。図１９（Ａ）にこの実施例
２のＳＡＷフィルタ１１０の回路構成図を示し、図１９
（Ｂ）にその伝送特性を示した。なお、図１９（Ａ）に
おいて、１１１ａ〜１１１ｃは、距離ｔをそれぞれ１６
λ1 ／２４、１７λ1 ／２４、１８λ1 ／２４と互いに
違えた直列腕ＳＡＷ共振子、１１３は距離ｔをλ2 ／２
としてありかつすだれ状電極に１００％菱形重み付けを
した並列腕ＳＡＷ共振子である。各直列腕ＳＡＷ共振子
１１１ａ〜１１１ｃは静電容量が４．８４ｐＦのもの
を、各並列腕ＳＡＷ共振子１１３は静電容量が１．９６
ｐＦのものを用いる。
おける３個の直列腕ＳＡＷ共振子について、すだれ状電
極と反射器との距離ｔを、１つは１６λ1 ／２４（０．
６６７λ1 ）とし、１つは１７λ1 ／２４（０．７０８
λ1 ）とし、１つは１８λ１／２４（０．７５０λ
１ ）とし、それ以外は実施例１と同様にして４段Ｔ型
梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタを構成する。そ
してその伝送特性を調べる。図１９（Ａ）にこの実施例
２のＳＡＷフィルタ１１０の回路構成図を示し、図１９
（Ｂ）にその伝送特性を示した。なお、図１９（Ａ）に
おいて、１１１ａ〜１１１ｃは、距離ｔをそれぞれ１６
λ1 ／２４、１７λ1 ／２４、１８λ1 ／２４と互いに
違えた直列腕ＳＡＷ共振子、１１３は距離ｔをλ2 ／２
としてありかつすだれ状電極に１００％菱形重み付けを
した並列腕ＳＡＷ共振子である。各直列腕ＳＡＷ共振子
１１１ａ〜１１１ｃは静電容量が４．８４ｐＦのもの
を、各並列腕ＳＡＷ共振子１１３は静電容量が１．９６
ｐＦのものを用いる。
【００４３】なお、図１８（Ｂ）および図１９（Ｂ）の
各伝送特性中のマーカーＭａ〜Ｍｄの減衰量を表４に示
す。
各伝送特性中のマーカーＭａ〜Ｍｄの減衰量を表４に示
す。
【００４４】
【表４】
【００４５】第１発明の実施例で説明したフィルタ３０
では、マーカーＭａでの損失とマーカーＭｂでの損失の
差が、（−２．０３−（−１．５０））＝−０．５３で
あったのに対し（表２参照）、第２発明の実施例１のフ
ィルタ１００ではそれが（−１．９７−（−２．０
２））＝０．０５、第２発明の実施例２のフィルタ１１
０ではそれが（−２．０３−（−１．８４））＝−０．
１９となることが分かる。これらのことから、第２発明
の実施の形態によれば、通過域特性の平坦化が達成でき
ることが分かる。これは、通過域中の低域側のリップＲ
L が抑制出来たことを意味する。ここで、第１発明の実
施例で説明したフィルタ３０（図７参照）のマーカーＭ
ａ位置での損失と、第２発明の実施例１および実施例２
の各フィルタ１００、１１０それぞれのマーカーＭａ位
置での損失を比較すると、両者に差が見られないので、
第２発明では通過域中の低域側のリップルＲH が抑制さ
れていないように感じるかもしれない。しかし、これは
製造バラツキなどの他の要因によるものであるので、こ
れによって第２発明の第１の実施の形態が有する効果は
否定されない。
では、マーカーＭａでの損失とマーカーＭｂでの損失の
差が、（−２．０３−（−１．５０））＝−０．５３で
あったのに対し（表２参照）、第２発明の実施例１のフ
ィルタ１００ではそれが（−１．９７−（−２．０
２））＝０．０５、第２発明の実施例２のフィルタ１１
０ではそれが（−２．０３−（−１．８４））＝−０．
１９となることが分かる。これらのことから、第２発明
の実施の形態によれば、通過域特性の平坦化が達成でき
ることが分かる。これは、通過域中の低域側のリップＲ
L が抑制出来たことを意味する。ここで、第１発明の実
施例で説明したフィルタ３０（図７参照）のマーカーＭ
ａ位置での損失と、第２発明の実施例１および実施例２
の各フィルタ１００、１１０それぞれのマーカーＭａ位
置での損失を比較すると、両者に差が見られないので、
第２発明では通過域中の低域側のリップルＲH が抑制さ
れていないように感じるかもしれない。しかし、これは
製造バラツキなどの他の要因によるものであるので、こ
れによって第２発明の第１の実施の形態が有する効果は
否定されない。
【００４６】また、この実施例１と実施例２とから、次
の点も明らかになった。すなわち、第１発明についての
効果なのであるが、複数個の直列腕ＳＡＷ共振子を具え
る多段梯型構成の共振器ＳＡＷフィルタでは、これら直
列腕ＳＡＷ共振子それぞれのすだれ状電極と反射器との
距離ｔを違えた方が、高域側減衰特性が改善されるので
ある。これは、図１８（Ｂ）、図１９（Ｂ）それぞれの
マーカーＭｃとマーカーＭｄとの間の周波数域で、実施
例２の方が減衰量が大きくできている（山がつぶれた状
態になっている）ことから明確である。これは、実施例
２の方が減衰域特性改善用のポールが多数出現すること
に起因する。
の点も明らかになった。すなわち、第１発明についての
効果なのであるが、複数個の直列腕ＳＡＷ共振子を具え
る多段梯型構成の共振器ＳＡＷフィルタでは、これら直
列腕ＳＡＷ共振子それぞれのすだれ状電極と反射器との
距離ｔを違えた方が、高域側減衰特性が改善されるので
ある。これは、図１８（Ｂ）、図１９（Ｂ）それぞれの
マーカーＭｃとマーカーＭｄとの間の周波数域で、実施
例２の方が減衰量が大きくできている（山がつぶれた状
態になっている）ことから明確である。これは、実施例
２の方が減衰域特性改善用のポールが多数出現すること
に起因する。
【００４７】２−２．第２発明の第２の実施の形態 次に、通過域における低域側のリップルＲL および高域
側のリップルＲH 双方を抑制する例を説明する。図２０
（Ａ）、（Ｂ）はその説明図であり、第２発明の第２の
実施の形態の共振器型ＳＡＷフィルタ１２０の回路構成
図および概略的な伝送特性図である。このＳＡＷフィル
タ１２０では、直列腕ＳＡＷ共振子１２１のうちの少な
くとも１個については、図２（Ａ）を参照して既に説明
したと同様に、すだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ
／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範
囲としてある。しかも、直列腕ＳＡＷ共振子１２１のう
ちの少なくとも１個については、そのすだれ状電極を構
成している電極指のうちの３０〜８０％の電極指に対し
アポダイズ法に従う重み付けを実施してある。そのよう
にしない直列腕ＳＡＷ共振子が残っている場合は、それ
らは距離ｔがλ1 ／２のＳＡＷ共振子とする。なお、距
離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８
１）λ1 の範囲とすることと、３０〜８０％の重み付け
をすることを、ある直列腕ＳＡＷ共振子に対しそれぞれ
実施しても良いし、あるＳＡＷ共振子に対しては距離ｔ
の工夫のみを実施し、別のＳＡＷ共振子には重み付けの
みを実施するというように、別々の直列腕ＳＡＷ共振子
に対し実施しても良い。いずれをとるかは設計に応じ決
めることが出来る。後に、同じ直列腕共振子に対し、距
離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８
１）λ1 の範囲とすることと、３０〜８０％の重み付け
をすることとを、実施した例（図２１に示す例）説明す
る。また、第１の実施の形態と同様に、すべての並列腕
ＳＡＷ共振子１２３は、すだれ状電極を構成している電
極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダイズ法に
従う重み付けを実施してある。
側のリップルＲH 双方を抑制する例を説明する。図２０
（Ａ）、（Ｂ）はその説明図であり、第２発明の第２の
実施の形態の共振器型ＳＡＷフィルタ１２０の回路構成
図および概略的な伝送特性図である。このＳＡＷフィル
タ１２０では、直列腕ＳＡＷ共振子１２１のうちの少な
くとも１個については、図２（Ａ）を参照して既に説明
したと同様に、すだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ
／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範
囲としてある。しかも、直列腕ＳＡＷ共振子１２１のう
ちの少なくとも１個については、そのすだれ状電極を構
成している電極指のうちの３０〜８０％の電極指に対し
アポダイズ法に従う重み付けを実施してある。そのよう
にしない直列腕ＳＡＷ共振子が残っている場合は、それ
らは距離ｔがλ1 ／２のＳＡＷ共振子とする。なお、距
離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８
１）λ1 の範囲とすることと、３０〜８０％の重み付け
をすることを、ある直列腕ＳＡＷ共振子に対しそれぞれ
実施しても良いし、あるＳＡＷ共振子に対しては距離ｔ
の工夫のみを実施し、別のＳＡＷ共振子には重み付けの
みを実施するというように、別々の直列腕ＳＡＷ共振子
に対し実施しても良い。いずれをとるかは設計に応じ決
めることが出来る。後に、同じ直列腕共振子に対し、距
離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８
１）λ1 の範囲とすることと、３０〜８０％の重み付け
をすることとを、実施した例（図２１に示す例）説明す
る。また、第１の実施の形態と同様に、すべての並列腕
ＳＡＷ共振子１２３は、すだれ状電極を構成している電
極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダイズ法に
従う重み付けを実施してある。
【００４８】直列腕ＳＡＷ共振子１２１のうちの少なく
とも１個について、そのすだれ状電極を構成している電
極指のうちの３０〜８０％の電極指に対し、アポダイズ
法に従う重み付けを実施したフィルタでは、詳細な理由
および特性は後述するが、図２０（Ｂ）に概略的に示し
た伝送特性図のように、通過域における高域側のリップ
ルＲH を抑制することができる。また、該１の実施の形
態で説明したことであるが、すべての並列腕ＳＡＷ共振
子１２３に対する重み付けにより、通過域における低域
側のリップルＲL を抑制することができる。よって、こ
の第２の実施の形態のフィルタ１２０では、第１の発明
の効果に加え、通過域における低域側のリップルＲL お
よび高域側のリップルＲH 双方も抑制できる。以下、
(a) 直列腕ＳＡＷ共振子に対しての重み付けの具体例、
(b) 重み付けを３０〜８０％とする根拠について順に説
明する。
とも１個について、そのすだれ状電極を構成している電
極指のうちの３０〜８０％の電極指に対し、アポダイズ
法に従う重み付けを実施したフィルタでは、詳細な理由
および特性は後述するが、図２０（Ｂ）に概略的に示し
た伝送特性図のように、通過域における高域側のリップ
ルＲH を抑制することができる。また、該１の実施の形
態で説明したことであるが、すべての並列腕ＳＡＷ共振
子１２３に対する重み付けにより、通過域における低域
側のリップルＲL を抑制することができる。よって、こ
の第２の実施の形態のフィルタ１２０では、第１の発明
の効果に加え、通過域における低域側のリップルＲL お
よび高域側のリップルＲH 双方も抑制できる。以下、
(a) 直列腕ＳＡＷ共振子に対しての重み付けの具体例、
(b) 重み付けを３０〜８０％とする根拠について順に説
明する。
【００４９】２−２−１．直列腕ＳＡＷ共振子での重み
付け 直列腕ＳＡＷ共振子に実施するアポダイズ法に従う重み
付けの具体例について図２１を参照して説明する。図２
１の例の場合、すだれ状電極を構成している電極指３３
ａのうちの３０〜８０％の電極指に対しアポダイズ法に
従う重み付けであって菱形の重み付けを実施してある。
すなわち、すだれ状電極３３の両端から、全電極指数の
１５〜４０％ずつの電極指に対し中央に向かうに従い交
差長が長くなるように重み付けをしてある。なお、すだ
れ状電極の両端に設ける反射器３５は、すだれ状電極の
両端からλ／２の距離を隔てて（図２１（Ｂ）参照）設
けてある。この図２１の特に（Ａ）図において略二等辺
三角形状の破線で囲まれる領域内が重み付けにより出来
たＳＡＷ励振領域１３１ａ，１３１ｂであり、直角三角
形状の破線で囲まれる領域それぞれはダミー領域１３３
ａ〜１３３ｄである。ダミー領域といえど、この領域中
の電極指部分は実質的に反射器として機能する。その理
由は第１の実施の形態において図１１を参照して説明し
た理由と同じであるので、図２１（Ｃ）中にＳＡＷの反
射を１３５として示すのみで、説明は省略する。ただ
し、この第２の実施の形態では重み付けされた電極指を
次のように工夫してある。これを特に図２１（Ｃ）を参
照して説明する。ここで図２１（Ｃ）は図２１（Ａ）に
示したＳＡＷ共振子のｓ部分の拡大図である。図２１
（Ｃ）においてＩ−Ｉ線を境にその上側の電極指部分１
３１ｘ，１３１ｙ，１３１ｚそれぞれはＳＡＷ励振領域
１３１ａ内のもの、Ｉ−Ｉ線を境にその下側の電極指部
分１３３ｘ，１３３ｙ，１３３ｚはダミー領域１３３ｄ
内のものである。
付け 直列腕ＳＡＷ共振子に実施するアポダイズ法に従う重み
付けの具体例について図２１を参照して説明する。図２
１の例の場合、すだれ状電極を構成している電極指３３
ａのうちの３０〜８０％の電極指に対しアポダイズ法に
従う重み付けであって菱形の重み付けを実施してある。
すなわち、すだれ状電極３３の両端から、全電極指数の
１５〜４０％ずつの電極指に対し中央に向かうに従い交
差長が長くなるように重み付けをしてある。なお、すだ
れ状電極の両端に設ける反射器３５は、すだれ状電極の
両端からλ／２の距離を隔てて（図２１（Ｂ）参照）設
けてある。この図２１の特に（Ａ）図において略二等辺
三角形状の破線で囲まれる領域内が重み付けにより出来
たＳＡＷ励振領域１３１ａ，１３１ｂであり、直角三角
形状の破線で囲まれる領域それぞれはダミー領域１３３
ａ〜１３３ｄである。ダミー領域といえど、この領域中
の電極指部分は実質的に反射器として機能する。その理
由は第１の実施の形態において図１１を参照して説明し
た理由と同じであるので、図２１（Ｃ）中にＳＡＷの反
射を１３５として示すのみで、説明は省略する。ただ
し、この第２の実施の形態では重み付けされた電極指を
次のように工夫してある。これを特に図２１（Ｃ）を参
照して説明する。ここで図２１（Ｃ）は図２１（Ａ）に
示したＳＡＷ共振子のｓ部分の拡大図である。図２１
（Ｃ）においてＩ−Ｉ線を境にその上側の電極指部分１
３１ｘ，１３１ｙ，１３１ｚそれぞれはＳＡＷ励振領域
１３１ａ内のもの、Ｉ−Ｉ線を境にその下側の電極指部
分１３３ｘ，１３３ｙ，１３３ｚはダミー領域１３３ｄ
内のものである。
【００５０】重み付けされた各電極指において、それら
のＳＡＷ励振領域内に所属する電極指部分同士は従来同
様λ／２ピッチで配置された構造となっている。またダ
ミー領域内に所属する電極指部分同士も従来同様λ／２
ピッチで配置された構造となっている。しかし、電極指
部分１３１ｘと電極指部分１３３ｘとの関係、電極指部
分１３１ｙと電極指部分１３３ｙとの関係、電極指部分
１３１ｚと電極指部分１３３ｚとの関係から分かるよう
に、ＳＡＷ励振領域に所属する電極指部分とダミー領域
に所属する電極指部分との位置関係を、電極指の並ぶ方
向に沿って、相対的に０．０５λ〜０．３１λの範囲の
任意の値分ずらしてある。従って、電極指の配置方向に
沿っての、電極指部分１３１ｘと電極指部分１３３ｘと
の距離（間隔）など（図２１（Ｂ）中のｔ１）は、０．
０５λ〜０．３１λの範囲の任意の同値になる。しか
も、電極指部分１３１ｘと電極指部分１３３ｘ、電極指
部分１３１ｚと電極指部分１３３ｚのように、同一電極
指のそれぞれ一部ずつがＳＡＷ励振領域或はダミー領域
に所属する電極指は、境界線Ｉ−Ｉのところで電極指の
一部が鍵状の形状になる。これらのことから、例えばあ
る電極指と、これに対しては反射器として機能する電極
指（例えば電極指部分１３１ｘと電極指部分１３３ｙ）
との距離ｔは、λ／２＋０．０５λ〜λ／２＋０．３１
λ、すなわち０．５５λ〜０．８１λとなる。このこと
から分かるように、従来の正規型のＳＡＷ共振子におい
て距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ〜（ｎ／２＋０．８
１）λとした場合と、３０〜８０％の重み付けをしたＳ
ＡＷ共振子とでは同じ反射条件となり同じ反射効果があ
る。
のＳＡＷ励振領域内に所属する電極指部分同士は従来同
様λ／２ピッチで配置された構造となっている。またダ
ミー領域内に所属する電極指部分同士も従来同様λ／２
ピッチで配置された構造となっている。しかし、電極指
部分１３１ｘと電極指部分１３３ｘとの関係、電極指部
分１３１ｙと電極指部分１３３ｙとの関係、電極指部分
１３１ｚと電極指部分１３３ｚとの関係から分かるよう
に、ＳＡＷ励振領域に所属する電極指部分とダミー領域
に所属する電極指部分との位置関係を、電極指の並ぶ方
向に沿って、相対的に０．０５λ〜０．３１λの範囲の
任意の値分ずらしてある。従って、電極指の配置方向に
沿っての、電極指部分１３１ｘと電極指部分１３３ｘと
の距離（間隔）など（図２１（Ｂ）中のｔ１）は、０．
０５λ〜０．３１λの範囲の任意の同値になる。しか
も、電極指部分１３１ｘと電極指部分１３３ｘ、電極指
部分１３１ｚと電極指部分１３３ｚのように、同一電極
指のそれぞれ一部ずつがＳＡＷ励振領域或はダミー領域
に所属する電極指は、境界線Ｉ−Ｉのところで電極指の
一部が鍵状の形状になる。これらのことから、例えばあ
る電極指と、これに対しては反射器として機能する電極
指（例えば電極指部分１３１ｘと電極指部分１３３ｙ）
との距離ｔは、λ／２＋０．０５λ〜λ／２＋０．３１
λ、すなわち０．５５λ〜０．８１λとなる。このこと
から分かるように、従来の正規型のＳＡＷ共振子におい
て距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ〜（ｎ／２＋０．８
１）λとした場合と、３０〜８０％の重み付けをしたＳ
ＡＷ共振子とでは同じ反射条件となり同じ反射効果があ
る。
【００５１】２−２−２．重み付けを３０％〜８０％と
する根拠 次に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、それに備わる直列腕ＳＡＷ共振子のうちの少なくと
も１個の直列腕ＳＡＷ共振子のすだれ状電極に３０〜８
０％の重み付けをするのが良い理由について説明する。
する根拠 次に、梯型回路構成の共振器型ＳＡＷフィルタにおい
て、それに備わる直列腕ＳＡＷ共振子のうちの少なくと
も１個の直列腕ＳＡＷ共振子のすだれ状電極に３０〜８
０％の重み付けをするのが良い理由について説明する。
【００５２】このため、正規型でかつ距離ｔがλ／２の
ＳＡＷ共振子（例えば図２（Ｂ）参照）におけるすだれ
状電極の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けを０
〜１００％の範囲で種々に違えたＳＡＷ共振子を構成
し、そしてこれらの伝送特性および反射特性をそれぞれ
調べる。ここでは、重み付けなし（０％）、重み付け３
３％、重み付け５０％、重み付け８３％、重み付け１０
０％の５水準とした５つのＳＡＷ共振子を用いる。ま
た、それぞれのＳＡＷ共振子について直列腕接続した状
態（図２２（Ｃ）の状態）での伝送特性および反射特性
を調べる。ただし、重み付けは図２１に例示したと同
様、すだれ状電極の両端から菱形状に行う。また、各Ｓ
ＡＷ共振子のすだれ状電極は、アルミニウム、または
銅、またはシリコンを数％含むアルミニウム合金で構成
する。さらにすだれ状電極は、その電極対数が１２０、
交差長が１００μｍ、静電容量Ｃ0 が４．８０ｐＦのも
のとする。この静電容量Ｃ0 は、基板として３６°回転
Ｙ板ＬｉＴａＯ3 を用い、かつ、単位長、単位対当たり
の静電容量を４×１０2 ｐＦとし、 Ｃ0 ＝（対（つい）数）×（交差長）×（単位長、単位
対当たり静電容量） の式で計算した。この静電容量Ｃ0 の算出法は、例えば
文献II（信学技報US95-25,EMD95-21,CPM95-33(1995-0
7),p42) に説明されているものである。
ＳＡＷ共振子（例えば図２（Ｂ）参照）におけるすだれ
状電極の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けを０
〜１００％の範囲で種々に違えたＳＡＷ共振子を構成
し、そしてこれらの伝送特性および反射特性をそれぞれ
調べる。ここでは、重み付けなし（０％）、重み付け３
３％、重み付け５０％、重み付け８３％、重み付け１０
０％の５水準とした５つのＳＡＷ共振子を用いる。ま
た、それぞれのＳＡＷ共振子について直列腕接続した状
態（図２２（Ｃ）の状態）での伝送特性および反射特性
を調べる。ただし、重み付けは図２１に例示したと同
様、すだれ状電極の両端から菱形状に行う。また、各Ｓ
ＡＷ共振子のすだれ状電極は、アルミニウム、または
銅、またはシリコンを数％含むアルミニウム合金で構成
する。さらにすだれ状電極は、その電極対数が１２０、
交差長が１００μｍ、静電容量Ｃ0 が４．８０ｐＦのも
のとする。この静電容量Ｃ0 は、基板として３６°回転
Ｙ板ＬｉＴａＯ3 を用い、かつ、単位長、単位対当たり
の静電容量を４×１０2 ｐＦとし、 Ｃ0 ＝（対（つい）数）×（交差長）×（単位長、単位
対当たり静電容量） の式で計算した。この静電容量Ｃ0 の算出法は、例えば
文献II（信学技報US95-25,EMD95-21,CPM95-33(1995-0
7),p42) に説明されているものである。
【００５３】重み付けなしのＳＡＷ共振子の伝送特性を
図２２（Ａ）にまたその反射特性を図２２（Ｂ）に示し
た。また、重み付けを３３％としたＳＡＷ共振子の伝送
特性を図２３（Ａ）にまたその反射特性を図２３（Ｂ）
に示した。また、重み付けを５０％としたＳＡＷ共振子
の伝送特性を図２４（Ａ）にまたその反射特性を図２４
（Ｂ）に示した。また、重み付けを８３％としたＳＡＷ
共振子の伝送特性を図２５（Ａ）にまたその反射特性を
図２５（Ｂ）に示した。また、重み付けを１００％とし
たＳＡＷ共振子の伝送特性を図２６（Ａ）にまたその反
射特性を図２６（Ｂ）に示した。いずれの反射特性もス
ミスチャートで示している。高次モードに起因するスプ
リアスの変化はスミスチャートで見たほうが分かり易い
からである。また、各伝送特性および反射特性では、特
性中に出現している減衰極、スプリアスに、マーカーＭ
１〜Ｍ４（Ｍ４は図２５以降）を付してある。ここで、
マーカーＭ１で示される減衰極は、ＳＡＷ共振子の反共
振周波数に起因する減衰極である。マーカーＭ２で示さ
れるスプリアスは高次モードに起因するスプリアスであ
る。この高次モードによるスプリアスは反射特性上（ス
ミスチャート上）ではマーカーＭ２付近の不連続なへこ
みの点に対応している。またマーカーＭ３で示されるス
プリアスは、反共振周波数による減衰極の周波数位置か
ら２０ＭＨｚ低い周波数位置にあり、この周波数位置は
ＳＡＷ共振子を梯型回路構成した８００ＭＨｚ帯の共振
器型ＳＡＷフィルタでは通過帯域の高周波数端にあたる
周波数である。また、表５に、マーカーＭ３の減衰量を
示す。
図２２（Ａ）にまたその反射特性を図２２（Ｂ）に示し
た。また、重み付けを３３％としたＳＡＷ共振子の伝送
特性を図２３（Ａ）にまたその反射特性を図２３（Ｂ）
に示した。また、重み付けを５０％としたＳＡＷ共振子
の伝送特性を図２４（Ａ）にまたその反射特性を図２４
（Ｂ）に示した。また、重み付けを８３％としたＳＡＷ
共振子の伝送特性を図２５（Ａ）にまたその反射特性を
図２５（Ｂ）に示した。また、重み付けを１００％とし
たＳＡＷ共振子の伝送特性を図２６（Ａ）にまたその反
射特性を図２６（Ｂ）に示した。いずれの反射特性もス
ミスチャートで示している。高次モードに起因するスプ
リアスの変化はスミスチャートで見たほうが分かり易い
からである。また、各伝送特性および反射特性では、特
性中に出現している減衰極、スプリアスに、マーカーＭ
１〜Ｍ４（Ｍ４は図２５以降）を付してある。ここで、
マーカーＭ１で示される減衰極は、ＳＡＷ共振子の反共
振周波数に起因する減衰極である。マーカーＭ２で示さ
れるスプリアスは高次モードに起因するスプリアスであ
る。この高次モードによるスプリアスは反射特性上（ス
ミスチャート上）ではマーカーＭ２付近の不連続なへこ
みの点に対応している。またマーカーＭ３で示されるス
プリアスは、反共振周波数による減衰極の周波数位置か
ら２０ＭＨｚ低い周波数位置にあり、この周波数位置は
ＳＡＷ共振子を梯型回路構成した８００ＭＨｚ帯の共振
器型ＳＡＷフィルタでは通過帯域の高周波数端にあたる
周波数である。また、表５に、マーカーＭ３の減衰量を
示す。
【００５４】
【表５】
【００５５】図２２〜図２６の各特性を比較すると分か
るように、重み付けの割合を増加してゆくと、反射特性
（スミスチャート）上のマーカーＭ２付近の不連続なへ
こみがなくなっていく。詳細には、重み付けの割合が約
３０〜８０％になると重み付けの効果が十分に現われる
のでマーカーＭ２の高次モードのスプリアスが抑制され
ることが分かる。また、約８０％以上の菱形重み付けを
施すとマーカーＭ２以外に別のスプリアス（図２５，図
２６のマーカーＭ４）が生じる。このスプリアスの周波
数位置は、フィルタの通過帯域の中央付近になるだけで
なくＭ４のリップルの影響によりＭ３の損失も増加する
ので、菱形重み付けを８０％以上施したＳＡＷ共振子
は、梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタの直列腕ＳＡＷ
共振子としては利用出来ない。
るように、重み付けの割合を増加してゆくと、反射特性
（スミスチャート）上のマーカーＭ２付近の不連続なへ
こみがなくなっていく。詳細には、重み付けの割合が約
３０〜８０％になると重み付けの効果が十分に現われる
のでマーカーＭ２の高次モードのスプリアスが抑制され
ることが分かる。また、約８０％以上の菱形重み付けを
施すとマーカーＭ２以外に別のスプリアス（図２５，図
２６のマーカーＭ４）が生じる。このスプリアスの周波
数位置は、フィルタの通過帯域の中央付近になるだけで
なくＭ４のリップルの影響によりＭ３の損失も増加する
ので、菱形重み付けを８０％以上施したＳＡＷ共振子
は、梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタの直列腕ＳＡＷ
共振子としては利用出来ない。
【００５６】これらのことから、すだれ状電極を構成し
ている電極指のうちの３０〜８０％の電極指に対しアポ
ダイズ法に従う重み付けを実施してあるＳＡＷ共振子に
よって、梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタの少なくと
も１個の直列腕共振子を構成すると、フィルタの通過帯
域中の高域側リップルＲH （直列腕ＳＡＷ共振子の高次
モードに起因するスプリアス）を抑制出来ることが理解
出来る。
ている電極指のうちの３０〜８０％の電極指に対しアポ
ダイズ法に従う重み付けを実施してあるＳＡＷ共振子に
よって、梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタの少なくと
も１個の直列腕共振子を構成すると、フィルタの通過帯
域中の高域側リップルＲH （直列腕ＳＡＷ共振子の高次
モードに起因するスプリアス）を抑制出来ることが理解
出来る。
【００５７】２ー３．第２発明の第３の実施の形態 上述の第１の実施の形態では、直列腕ＳＡＷ共振子につ
いての距離ｔと、並列腕共振子についての重み付けとを
考慮し例を説明し、また、第２の実施に形態では、直列
腕ＳＡＷ共振子についての距離ｔと、並列腕共振子につ
いての重み付けと、直列腕共振子についての重み付けと
を考慮した例を説明した。しかし、この第２発明では、
梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタの少なくも１個の直
列腕共振子のすだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／
２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 とし、
かつ、少なくとも１個の直列腕共振子のすだれ状電極に
３０〜８０％の重み付けを実施する構成をとっても良
い。すなわち、第２の実施の形態の構成から、並列腕Ｓ
ＡＷ共振子のすだれ状電極に対しての重み付けを行う構
成を除いた構成をとっても良い。この場合は、減衰域の
特性改善と、通過域中の高域側リップルＲH の抑制とが
図れる。
いての距離ｔと、並列腕共振子についての重み付けとを
考慮し例を説明し、また、第２の実施に形態では、直列
腕ＳＡＷ共振子についての距離ｔと、並列腕共振子につ
いての重み付けと、直列腕共振子についての重み付けと
を考慮した例を説明した。しかし、この第２発明では、
梯型構成の共振器型ＳＡＷフィルタの少なくも１個の直
列腕共振子のすだれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／
２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 とし、
かつ、少なくとも１個の直列腕共振子のすだれ状電極に
３０〜８０％の重み付けを実施する構成をとっても良
い。すなわち、第２の実施の形態の構成から、並列腕Ｓ
ＡＷ共振子のすだれ状電極に対しての重み付けを行う構
成を除いた構成をとっても良い。この場合は、減衰域の
特性改善と、通過域中の高域側リップルＲH の抑制とが
図れる。
【００５８】上述の第２の発明の各実施の形態では、多
段型の例について説明したが、この第２の発明は１段梯
型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにももちろん
適用出来る。
段型の例について説明したが、この第２の発明は１段梯
型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにももちろん
適用出来る。
【００５９】また、この第２の発明を多段梯型回路構成
の共振器型弾性表面波フィルタに適用する場合におい
て、以下の様な構成をとる場合も上記の実施の形態と同
様な効果が得られる。
の共振器型弾性表面波フィルタに適用する場合におい
て、以下の様な構成をとる場合も上記の実施の形態と同
様な効果が得られる。
【００６０】先ず、２個以上の並列腕ＳＡＷ共振子を含
む多段フィルタ（２段Ｔ型は該当しない趣旨）において
は、これら並列腕ＳＡＷ共振子に対し実施する重み付け
の割合が５０％以上であれば、各並列腕ＳＡＷ共振子ご
とで重み付け割合が一部違っても互いに違っていても良
い。
む多段フィルタ（２段Ｔ型は該当しない趣旨）において
は、これら並列腕ＳＡＷ共振子に対し実施する重み付け
の割合が５０％以上であれば、各並列腕ＳＡＷ共振子ご
とで重み付け割合が一部違っても互いに違っていても良
い。
【００６１】また、２個以上の直列腕ＳＡＷ共振子を含
む多段フィルタ（２段π型は該当しない趣旨）において
少なくとも２個の直列腕ＳＡＷ共振子に対し重み付けを
実施する場合は、重み付けの割合が３０〜８０％であれ
ば、これら直列腕ＳＡＷ共振子ごとで重み付け割合が一
部違っても互いに違っていても良い。
む多段フィルタ（２段π型は該当しない趣旨）において
少なくとも２個の直列腕ＳＡＷ共振子に対し重み付けを
実施する場合は、重み付けの割合が３０〜８０％であれ
ば、これら直列腕ＳＡＷ共振子ごとで重み付け割合が一
部違っても互いに違っていても良い。
【００６２】また、２個以上の直列腕ＳＡＷ共振子を含
む多段フィルタ（２段π型は該当しない趣旨）において
少なくとも２個の直列腕ＳＡＷ共振子に距離ｔの工夫と
重み付けの工夫とをそれぞれ実施する場合は、重み付け
の割合が３０〜８０％の範囲であればこれら直列腕ＳＡ
Ｗ共振子ごとで重み付け割合が一部違っても互いに違っ
ていても良く、また、ＳＡＷ励振領域に所属する電極指
部分とダミー領域に所属する電極指部分との相対的な位
置ずれ距離（図２１（Ｃ）中のｔ１）が０．０５λ〜
０．３１λの範囲であればこれら直列腕ＳＡＷ共振子ご
とで該距離ｔ１が一部違っても互いに違っていても良
い。
む多段フィルタ（２段π型は該当しない趣旨）において
少なくとも２個の直列腕ＳＡＷ共振子に距離ｔの工夫と
重み付けの工夫とをそれぞれ実施する場合は、重み付け
の割合が３０〜８０％の範囲であればこれら直列腕ＳＡ
Ｗ共振子ごとで重み付け割合が一部違っても互いに違っ
ていても良く、また、ＳＡＷ励振領域に所属する電極指
部分とダミー領域に所属する電極指部分との相対的な位
置ずれ距離（図２１（Ｃ）中のｔ１）が０．０５λ〜
０．３１λの範囲であればこれら直列腕ＳＡＷ共振子ご
とで該距離ｔ１が一部違っても互いに違っていても良
い。
【００６３】また、上述の実施の形態では、直列腕ＳＡ
Ｗ共振子およびまたは並列腕ＳＡＷ共振子に対しアポダ
イズ法であって重み付け軌跡が菱形になる方法で重み付
けをした。しかし、重み付け軌跡が他の形になるように
（例えばcosine状になるように）交差長に重み付けをす
るアポダイズ法であっても実施の形態と同様の効果が得
られる。
Ｗ共振子およびまたは並列腕ＳＡＷ共振子に対しアポダ
イズ法であって重み付け軌跡が菱形になる方法で重み付
けをした。しかし、重み付け軌跡が他の形になるように
（例えばcosine状になるように）交差長に重み付けをす
るアポダイズ法であっても実施の形態と同様の効果が得
られる。
【００６４】また、すだれ状電極および反射器を構成す
る金属材料を上記例示以外の他の金属に変えた場合、ま
た、圧電基板の材料、使用周波数および通過帯域幅が上
記例示以外のものであっても、すだれ状電極膜厚Ｈ／λ
とスプリアスとの条件は若干変化するが、この第２発明
を適用出来、その場合も実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
る金属材料を上記例示以外の他の金属に変えた場合、ま
た、圧電基板の材料、使用周波数および通過帯域幅が上
記例示以外のものであっても、すだれ状電極膜厚Ｈ／λ
とスプリアスとの条件は若干変化するが、この第２発明
を適用出来、その場合も実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
【００６５】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタによ
れば、これに備わる直列腕弾性表面波共振子におけるす
だれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）
λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の値としてあ
る。このため、当該直列腕ＳＡＷ共振子自体が、通過域
より高域側に信号減衰用のポールを生じさせるようにな
る。そのため、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子
を特別に用いることなく、高域側の減衰特性の改善が図
れる。したがって、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共
振子を用いていた場合に生じていた問題を解決できる。
発明の梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタによ
れば、これに備わる直列腕弾性表面波共振子におけるす
だれ状電極と反射器との距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）
λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の値としてあ
る。このため、当該直列腕ＳＡＷ共振子自体が、通過域
より高域側に信号減衰用のポールを生じさせるようにな
る。そのため、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振子
を特別に用いることなく、高域側の減衰特性の改善が図
れる。したがって、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共
振子を用いていた場合に生じていた問題を解決できる。
【００６６】また、この発明の梯型回路構成の共振器型
弾性表面波フィルタであって、並列腕弾性表面波共振子
およびまたは直列腕弾性表面波共振子のすだれ状電極に
重み付けをさらに実施した構成のフィルタでは、該重み
付けによりフィルタの通過域中のリップル発生を抑制で
きる。このため、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振
子を特別に用いることなく、高域側の減衰特性の改善が
図れ、しかも、フィルタの通過域特性をさらに改善でき
る。
弾性表面波フィルタであって、並列腕弾性表面波共振子
およびまたは直列腕弾性表面波共振子のすだれ状電極に
重み付けをさらに実施した構成のフィルタでは、該重み
付けによりフィルタの通過域中のリップル発生を抑制で
きる。このため、高域側の減衰特性改善用のＳＡＷ共振
子を特別に用いることなく、高域側の減衰特性の改善が
図れ、しかも、フィルタの通過域特性をさらに改善でき
る。
【図１】第１の発明の説明図であり、第１の発明に係る
フィルタの回路構成を示した図である。
フィルタの回路構成を示した図である。
【図２】第１の発明の説明図であり、（Ａ）は直列腕Ｓ
ＡＷ共振子として用いたＳＡＷ共振子の説明図、（Ｂ）
は並列腕ＳＡＷ共振子として用いたＳＡＷ共振子の説明
図である。
ＡＷ共振子として用いたＳＡＷ共振子の説明図、（Ｂ）
は並列腕ＳＡＷ共振子として用いたＳＡＷ共振子の説明
図である。
【図３】第１の発明の説明図であり、各ＳＡＷ共振子の
周波数についての設計法の説明図である。
周波数についての設計法の説明図である。
【図４】第１の発明の説明図であり、距離ｔの好適範囲
の説明図（その１）である。
の説明図（その１）である。
【図５】第１の発明の説明図であり、距離ｔの好適範囲
の説明図（その２）である。
の説明図（その２）である。
【図６】第１の発明の説明図であり、距離ｔの好適範囲
の説明図（その３）である。
の説明図（その３）である。
【図７】第１の発明の実施例の説明図である。
【図８】第１の発明の比較例の説明図である。
【図９】第２の発明の説明図であり、第２の発明が解決
しようとする課題の説明図である。
しようとする課題の説明図である。
【図１０】第２発明の第１の実施の形態の説明図であ
る。
る。
【図１１】第２発明の第１の実施の形態の説明図であ
り、並列腕ＳＡＷ共振子に重み付けを１００％する場合
の具体例の説明図である。
り、並列腕ＳＡＷ共振子に重み付けを１００％する場合
の具体例の説明図である。
【図１２】第２発明の第１の実施の形態の説明図であ
り、並列腕ＳＡＷ共振子に重み付けを５０％する場合の
具体例の説明図である。
り、並列腕ＳＡＷ共振子に重み付けを５０％する場合の
具体例の説明図である。
【図１３】並列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを０％
とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図１４】並列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを３３
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図１５】並列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを５０
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図１６】並列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを８３
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図１７】並列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを１０
０％とした際の伝送特性および反射特性の説明図であ
る。
０％とした際の伝送特性および反射特性の説明図であ
る。
【図１８】第２発明第１実施形態の実施例１の説明図で
ある。
ある。
【図１９】第２発明の第１実施形態の実施例２の説明図
である。
である。
【図２０】第２発明第２の実施の形態の説明図である。
【図２１】第２発明第２の実施の形態の説明図であり、
直列腕ＳＡＷ共振子に重み付けをする場合の具体例の説
明図である。
直列腕ＳＡＷ共振子に重み付けをする場合の具体例の説
明図である。
【図２２】直列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを０％
とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図２３】直列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを３３
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図２４】直列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを５０
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図２５】直列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを８３
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
％とした際の伝送特性および反射特性の説明図である。
【図２６】直列腕ＳＡＷ共振子に対する重み付けを１０
０％とした際の伝送特性および反射特性の説明図であ
る。
０％とした際の伝送特性および反射特性の説明図であ
る。
【図２７】課題の説明図である。
２０：多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタ ２１ａ〜２１ｎ：直列腕ＳＡＷ共振子（少なくとも１個
はｔ＝０．５５λ1 〜０．８１λ1 ） ２３ａ〜２３ｎ：正規型の並列腕ＳＡＷ共振子 ３３：すだれ状電極 ３３ａ：電極指 ３５：反射器 ３５ａ：金属スリットパタン ８１：ＳＡＷ（弾性表面波）励振領域 ８３ａ〜８３ｄ：ダミー領域 ８１ｘ〜８１ｚ：ＳＡＷ励振領域内の（ＳＡＷ励振領域
に所属する）電極指部分 ８３ｘ〜８３ｚ：ダミー領域内の（ダミー領域に所属す
る）電極指部分
はｔ＝０．５５λ1 〜０．８１λ1 ） ２３ａ〜２３ｎ：正規型の並列腕ＳＡＷ共振子 ３３：すだれ状電極 ３３ａ：電極指 ３５：反射器 ３５ａ：金属スリットパタン ８１：ＳＡＷ（弾性表面波）励振領域 ８３ａ〜８３ｄ：ダミー領域 ８１ｘ〜８１ｚ：ＳＡＷ励振領域内の（ＳＡＷ励振領域
に所属する）電極指部分 ８３ｘ〜８３ｚ：ダミー領域内の（ダミー領域に所属す
る）電極指部分
Claims (22)
- 【請求項１】 すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に
距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾
性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている、１
段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 直列腕弾性表面波素子については前記距離ｔを（ｎ／２
＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲の
いずれかの値としてあることを特徴とする共振器型弾性
表面波フィルタ（ただし、ｎは０または任意の正の整数
であり、λ1 は前記直列腕弾性表面波共振子で励振され
る弾性表面波の波長である。）。 - 【請求項２】 すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に
距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾
性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている、１
段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 直列腕弾性表面波共振子については前記距離ｔを（ｎ／
２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．８１）λ1 の範囲
のいずれかの値としてあり、 並列腕弾性表面波共振子についてはすだれ状電極を構成
している電極指のうちの５０％以上の電極指に対し、ア
ポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特徴と
する共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０また
は任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表面波
共振子で励振される弾性表面波の波長である。また、前
記並列腕弾性表面波共振子については、前記重み付けの
程度によって前記反射器を具えない場合があっても良
い。）。 - 【請求項３】 すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に
距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾
性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている、１
段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 直列腕弾性表面波共振子についてはすだれ状電極を構成
している電極指のうちの３０〜８０％の電極指に対し、
アポダイズ法に従う重み付けを実施してあり、しかも、
該重み付けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表
面波励振領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に
所属する電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に
沿って０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの
値だけ相対的にずれた構造のものとしてあることを特徴
とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は前
記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の波
長である。また、前記直列腕弾性表面波共振子について
は、前記重み付けの程度によって前記反射器を具えない
場合があっても良い。）。 - 【請求項４】 すだれ状電極と該すだれ状電極の両側に
距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える弾
性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている、１
段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 直列腕弾性表面波共振子についてはすだれ状電極を構成
している電極指のうちの３０〜８０％の電極指に対し、
アポダイズ法に従う重み付けを実施してあり、しかも、
該重み付けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表
面波励振領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に
所属する電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に
沿って０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの
値だけ相対的にずれた構造のものとしてあり、 並列腕弾性表面波共振子についてはすだれ状電極を構成
している電極指のうちの５０％以上の電極指に対し、ア
ポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特徴と
する共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は前記
直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の波長
である。また、前記直列腕弾性表面波共振子および並列
腕弾性表面波共振子それぞれについては、前記重み付け
の程度によって前記反射器を具えない場合があっても良
い。）。 - 【請求項５】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両側
に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える
弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子およ
び並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも１個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値としてあることを特徴
とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０ま
たは任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表面
波共振子で励振される弾性表面波の波長である。）。 - 【請求項６】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両側
に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える
弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子およ
び並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されていて、
かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、多段
梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおいて、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値でかつ同じ値としてあ
ることを特徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただ
し、ｎは０または任意の正の整数であり、λ1 は前記直
列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の波長で
ある。）。 - 【請求項７】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両側
に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える
弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子およ
び並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されていて、
かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、多段
梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおいて、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値としてあり、かつ、そ
のようにした複数個の直列腕弾性表面波共振子のうちの
一部については前記距離ｔを他のものと違えてあること
を特徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎ
は０または任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾
性表面波共振子で励振される弾性表面波の波長であ
る。）。 - 【請求項８】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両側
に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える
弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子およ
び並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されていて、
かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、多段
梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおいて、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値でかつ互いに異なる値
としてあることを特徴とする共振器型弾性表面波フィル
タ（ただし、ｎは０または任意の正の整数であり、λ1
は前記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波
の波長である。）。 - 【請求項９】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両側
に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具える
弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子およ
び並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されている、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも１個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値としてあり、すべての
並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極を構成し
ている電極指のうちの５０％以上の電極指に対しアポダ
イズ法に従う重み付けを実施してあることを特徴とする
共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０または任
意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表面波共振
子で励振される弾性表面波の波長である。また、前記並
列腕弾性表面波共振子については、前記重み付けの程度
によってはすだれ状電極両側の反射器を具えない場合が
あっても良い。）。 - 【請求項１０】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値でかつ同じ値としてあ
り、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０
または任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表
面波共振子で励振される弾性表面波の波長である。ま
た、前記並列腕弾性表面波共振子については、前記重み
付けの程度によってはすだれ状電極両側の反射器を具え
ない場合があっても良い。）。 - 【請求項１１】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値としてあり、かつ、そ
のようにした複数個の直列腕弾性表面波共振子のうちの
一部については前記距離ｔを他のものと違えてあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０
または任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表
面波共振子で励振される弾性表面波の波長である。ま
た、前記並列腕弾性表面波共振子については、前記重み
付けの程度によってはすだれ状電極両側の反射器を具え
ない場合があっても良い。）。 - 【請求項１２】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値でかつ互いに異なる値
としてあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０
または任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表
面波共振子で励振される弾性表面波の波長である。ま
た、前記並列腕弾性表面波共振子については、前記重み
付けの程度によってはすだれ状電極両側の反射器を具え
ない場合があっても良い。）。 - 【請求項１３】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
る、多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタに
おいて、 少なくとも１個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けを実施して
あり、しかも、該共振子における前記重み付けした各電
極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振領域内に所
属する電極指部分とダミー領域内に所属する電極指部分
との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って０．０５λ1
〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値だけ相対的にずれ
た構造のものとしてあることを特徴とする共振器型弾性
表面波フィルタ（ただし、λ1 は前記直列腕弾性表面波
共振子で励振される弾性表面波の波長である。また、前
記直列腕弾性表面波共振子については、前記重み付けの
程度によってはすだれ状電極両側の反射器を具えない場
合があっても良い。）。 - 【請求項１４】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けをそれぞれ
実施してあり、しかも、これら共振子ごとの前記重み付
けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振
領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に所属する
電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って
０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値であ
って各共振子に共通な値だけ相対的にずれた構造のもの
としてあることを特徴とする共振器型弾性表面波フィル
タ（ただし、λ1 は前記直列腕弾性表面波共振子で励振
される弾性表面波の波長である。また、前記直列腕弾性
表面波共振子については、前記重み付けの程度によって
はすだれ状電極両側の反射器を具えない場合があっても
良い。）。 - 【請求項１５】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けをそれぞれ
実施してあり、しかも、これら共振子ごとの前記重み付
けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振
領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に所属する
電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って
０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値だけ
（ただし一部の共振子については他の共振子と異なる値
とする）相対的にずれた構造のものとしてあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は
前記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の
波長である。また、前記直列腕弾性表面波共振子につい
ては、前記重み付けの程度によってはすだれ状電極両側
の反射器を具えない場合があっても良い。）。 - 【請求項１６】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けをそれぞれ
実施してあり、しかも、これら共振子ごとの前記重み付
けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振
領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に所属する
電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って
０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値であ
って各共振子ごとで異なる値だけずれた構造のものとし
てあることを特徴とする共振器型弾性表面波フィルタ
（ただし、λ1 は前記直列腕弾性表面波共振子で励振さ
れる弾性表面波の波長である。また、前記直列腕弾性表
面波共振子については、前記重み付けの程度によっては
すだれ状電極両側の反射器を具えない場合があっても良
い。）。 - 【請求項１７】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
る、多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタに
おいて、 少なくとも１個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けを実施して
あり、しかも、該共振子における前記重み付けした各電
極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振領域内に所
属する電極指部分とダミー領域内に所属する電極指部分
との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って０．０５λ1
〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値だけ相対的にずれ
た構造のものとしてあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は
前記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の
波長である。また、前記直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子それぞれについては、前記重み
付けの程度によって前記反射器を具えない場合があって
も良い。）。 - 【請求項１８】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けをそれぞれ
実施してあり、しかも、これら共振子ごとの前記重み付
けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振
領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に所属する
電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って
０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値であ
って各共振子に共通な値だけ相対的にずれた構造のもの
としてあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は
前記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の
波長である。また、前記直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子それぞれについては、前記重み
付けの程度によって前記反射器を具えない場合があって
も良い。）。 - 【請求項１９】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けをそれぞれ
実施してあり、しかも、これら共振子ごとの前記重み付
けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振
領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に所属する
電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って
０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値だけ
（ただし一部の共振子については他の共振子と異なる値
とする）相対的にずれた構造のものとしてあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は
前記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の
波長である。また、前記直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子それぞれについては、前記重み
付けの程度によって前記反射器を具えない場合があって
も良い。）。 - 【請求項２０】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも２個の直列腕弾性表面波共振子についてはす
だれ状電極を構成している電極指のうちの３０〜８０％
の電極指に対しアポダイズ法に従う重み付けをそれぞれ
実施してあり、しかも、これら共振子ごとの前記重み付
けした各電極指は、該重み付けで生じた弾性表面波励振
領域内に所属する電極指部分とダミー領域内に所属する
電極指部分との位置関係が電極指の並ぶ方向に沿って
０．０５λ1 〜０．３１λ1 の範囲のいずれかの値であ
って各共振子ごとで異なる値だけずれた構造のものとし
てあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、λ1 は
前記直列腕弾性表面波共振子で励振される弾性表面波の
波長である。また、前記直列腕弾性表面波共振子および
並列腕弾性表面波共振子それぞれについては、前記重み
付けの程度によって前記反射器を具えない場合があって
も良い。）。 - 【請求項２１】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも１個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値としてあり、 距離ｔを前記範囲のいずれかの値とした直列腕弾性表面
波共振子とは別の少なくとも１個の直列腕弾性表面波共
振子についてはすだれ状電極を構成している電極指のう
ちの３０〜８０％の電極指に対しアポダイズ法に従う重
み付けをそれぞれ実施してあることを特徴とする共振器
型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０または任意の正
の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表面波共振子で励
振される弾性表面波の波長である。また前記直列腕弾性
表面波共振子については、前記重み付けの程度によって
前記反射器を具えない場合があっても良い。）。 - 【請求項２２】 すだれ状電極と、該すだれ状電極の両
側に距離ｔを隔ててそれぞれ設けられた反射器とを具え
る弾性表面波共振子により、直列腕弾性表面波共振子お
よび並列腕弾性表面波共振子がそれぞれ構成されてい
て、かつ、２個以上の直列腕弾性表面波共振子を含む、
多段梯型回路構成の共振器型弾性表面波フィルタにおい
て、 少なくとも１個の直列腕弾性表面波共振子については前
記距離ｔを（ｎ／２＋０．５５）λ1 〜（ｎ／２＋０．
８１）λ1 の範囲のいずれかの値としてあり、 距離ｔを前記範囲のいずれかの値とした直列腕弾性表面
波共振子とは別の少なくとも１個の直列腕弾性表面波共
振子についてはすだれ状電極を構成している電極指のう
ちの３０〜８０％の電極指に対しアポダイズ法に従う重
み付けをそれぞれ実施してあり、 すべての並列腕弾性表面波共振子におけるすだれ状電極
を構成している電極指のうちの５０％以上の電極指に対
しアポダイズ法に従う重み付けを実施してあることを特
徴とする共振器型弾性表面波フィルタ（ただし、ｎは０
または任意の正の整数であり、λ1 は前記直列腕弾性表
面波共振子で励振される弾性表面波の波長である。ま
た、前記直列腕弾性表面波共振子および並列腕共振子そ
れぞれについては、前記重み付けの程度によって前記反
射器を具えない場合があっても良い。）。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05715096A JP3614234B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| US08/789,582 US6025763A (en) | 1996-03-14 | 1997-01-28 | Resonator-type surface-acoustic-wave ladder filter with improved upper stopband attenuation and reduced insertion loss |
| DE69715705T DE69715705T2 (de) | 1996-03-14 | 1997-03-10 | Akustisches Resonator-Oberflächenwellenfilter mit verbesserter Sperrdämpfung im oberen Sperrbereich und niedrigem Dämpfungsverlust |
| EP97301560A EP0795958B1 (en) | 1996-03-14 | 1997-03-10 | Resonator-type surface-acoustic-wave filter with improved upper stopband attenuation and reduced insertion loss |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05715096A JP3614234B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246913A true JPH09246913A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3614234B2 JP3614234B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=13047549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05715096A Expired - Lifetime JP3614234B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6025763A (ja) |
| EP (1) | EP0795958B1 (ja) |
| JP (1) | JP3614234B2 (ja) |
| DE (1) | DE69715705T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096533A1 (fr) * | 2002-05-14 | 2003-11-20 | Tdk Corporation | Element elastique a ondes de surface, dispositif elastique a ondes de surface et filtre ramifie |
| WO2006078001A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | National University Corporation Chiba University | 弾性表面波装置 |
| JP2009027689A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-02-05 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器 |
| WO2014103953A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ |
| WO2018168439A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 株式会社村田製作所 | ノッチフィルタ |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19638451A1 (de) * | 1996-09-19 | 1998-04-02 | Siemens Matsushita Components | Reaktanzfilter mit OFW-Resonatoren |
| JP3419339B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 |
| JP3341704B2 (ja) | 1999-03-18 | 2002-11-05 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
| JP3449352B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2003-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP3382920B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2003-03-04 | 沖電気工業株式会社 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| JP3863712B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2006-12-27 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波共振器 |
| JP3432492B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2003-08-04 | 富士通株式会社 | 弾性表面波共振器及びこれを用いた弾性表面波フィルタ |
| WO2002082647A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-17 | Infineon Technologies Ag | Filter device |
| JP2002314359A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Alps Electric Co Ltd | 電源用フィルタ回路 |
| DE10135871B4 (de) * | 2001-07-24 | 2012-10-25 | Epcos Ag | Wandler für Oberflächenwellen mit verbesserter Unterdrückung störender Anregung |
| JP2003198317A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
| EP1324489A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-02 | Temex | Method for realising surface acoustic wave filter arrangements and filter arrangement obtained in accordance to this method |
| JP3846409B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2006-11-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
| JP2005045475A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信機 |
| JP5039290B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2012-10-03 | 太陽誘電株式会社 | フィルタおよびアンテナ分波器 |
| WO2007077825A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ |
| JPWO2007108269A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2009-08-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子 |
| CN101821944B (zh) * | 2007-10-18 | 2012-12-26 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波谐振器以及梯型滤波器 |
| JP4900420B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-03-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP5397477B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-01-22 | 株式会社村田製作所 | ラダー型弾性波フィルタ装置及び分波器 |
| JP2015073207A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波共振器 |
| DE102017121221A1 (de) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | RF360 Europe GmbH | SAW-Resonator und diesen umfassendes Filter |
| CN111917392A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5549022A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Hitachi Ltd | Elastic surface-wave propagation element |
| JPS5717217A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Cavity type elastic surface wave resonator |
| JPH02270416A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-11-05 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子 |
| JPH02220510A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Ｓａｗ共振子 |
| JPH06164297A (ja) * | 1992-02-12 | 1994-06-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH06338756A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Fujitsu Ltd | 共振子型弾性表面波フィルタ |
| JP3243976B2 (ja) * | 1995-08-14 | 2002-01-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| US5638036A (en) * | 1995-09-11 | 1997-06-10 | Motorola, Inc. | Acoustic wave ladder filter with unequal series and shunt transducer periodicities and method of making |
| US5654680A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-05 | Motorola, Inc. | Saw-based ladder filter including multiple coUpling coefficients (K2), Method therefor and radio incorporating same |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP05715096A patent/JP3614234B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-28 US US08/789,582 patent/US6025763A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-10 DE DE69715705T patent/DE69715705T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-10 EP EP97301560A patent/EP0795958B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096533A1 (fr) * | 2002-05-14 | 2003-11-20 | Tdk Corporation | Element elastique a ondes de surface, dispositif elastique a ondes de surface et filtre ramifie |
| JPWO2003096533A1 (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-15 | Tdk株式会社 | 弾性表面波素子、弾性表面波装置及び分波器 |
| WO2006078001A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | National University Corporation Chiba University | 弾性表面波装置 |
| US8106726B2 (en) | 2005-01-21 | 2012-01-31 | National University Corporation Chiba University | Elastic surface wave device comprising dummy electrodes |
| JP2009027689A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-02-05 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器 |
| WO2014103953A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ |
| WO2018168439A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 株式会社村田製作所 | ノッチフィルタ |
| JPWO2018168439A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2019-07-25 | 株式会社村田製作所 | ノッチフィルタ |
| CN110383688A (zh) * | 2017-03-13 | 2019-10-25 | 株式会社村田制作所 | 陷波滤波器 |
| US11043933B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-06-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Notch filter |
| CN110383688B (zh) * | 2017-03-13 | 2023-01-24 | 株式会社村田制作所 | 陷波滤波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0795958A3 (en) | 1998-02-04 |
| US6025763A (en) | 2000-02-15 |
| JP3614234B2 (ja) | 2005-01-26 |
| DE69715705T2 (de) | 2003-05-22 |
| DE69715705D1 (de) | 2002-10-31 |
| EP0795958B1 (en) | 2002-09-25 |
| EP0795958A2 (en) | 1997-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09246913A (ja) | 共振器型弾性表面波フィルタ | |
| KR100817849B1 (ko) | 일단자쌍 탄성 표면파 공진자 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터 | |
| JP5942740B2 (ja) | ラダー型フィルタ及び分波器 | |
| US7728699B2 (en) | Acoustic wave filter | |
| WO2015198709A1 (ja) | ラダー型フィルタ | |
| CN110800212A (zh) | 弹性波装置以及复合滤波器装置 | |
| KR100735068B1 (ko) | 탄성표면파 공진기 및 이를 사용한 탄성표면파 필터 | |
| JP4687462B2 (ja) | Ｓａｗフィルタ | |
| US6259336B1 (en) | Surface acoustic wave filter device | |
| JPH07273597A (ja) | 共振器型弾性表面波フィルタ | |
| KR20060041296A (ko) | 탄성 표면파 필터 | |
| US7772942B2 (en) | Elastic wave filter utilizing a sub-propagation mode response to increase out of band attenuation | |
| JPH09246911A (ja) | 共振器型弾性表面波フィルタ | |
| JPH1188112A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP4183165B2 (ja) | 弾性表面波共振子及びこれを用いたラダー型弾性表面波フィルタ | |
| JP2002111443A (ja) | 複合弾性表面波フィルタ | |
| US7221074B2 (en) | Surface acoustic device | |
| JP3442202B2 (ja) | 表面弾性波フィルタ | |
| JP2002152010A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3780496B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2002111444A (ja) | 複合弾性表面波フィルタ | |
| US6559739B2 (en) | String weighted surface acoustic wave transducer | |
| JP2002359541A (ja) | 共振子型弾性表面波フィルタ | |
| JP2967432B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3688419B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040326 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041001 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041026 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |