CN110383688A - 陷波滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够抑制通带中的阻带响应并能够抑制纹波的陷波滤波器。陷波滤波器(1)具备：具有压电性的基板(12)，由高声速构件(4)、设置在高声速构件(4)上的低声速膜(3)、以及设置在低声速膜(3)上的压电薄膜(2)构成；IDT电极(5)，设置在压电薄膜(2)上；以及反射器(16、17)，设置在IDT电极(5)的弹性波传播方向两侧。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的波长设为λ时，并在将IDT电极(5)的电极指中的位于最靠反射器(16、17)侧的电极指与反射器(16、17)的电极指中的位于最靠IDT电极(5)侧的电极指的电极指中心间距离设为IR间隙GIR时，IR间隙GIR在0.1λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.9λ中的一个范围内。
Description
技术领域
本发明涉及陷波滤波器。
背景技术
在下述的专利文献1公开了使用声表面波的陷波滤波器的一个例子。该陷波滤波器具有构成在压电基板的多个弹性波谐振器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-257050号公报
发明内容
发明要解决的课题
例如，在使用了由LiTaO3构成的压电基板的以往的陷波滤波器中，在通带内不易产生作为起因于阻带上端的响应的阻带响应。另外，所谓阻带，是指由于弹性波被封闭在光栅中而使弹性波的波长变得固定的区域。另一方面，在使用了层叠有压电薄膜、低声速膜以及高声速构件的层叠体的陷波滤波器的情况下，虽然Q值高，元件的特性良好，但是具有连阻带响应也变大的倾向。因此，具有通带内的纹波变大的倾向。
本发明的目的在于，提供一种能够抑制通带中的阻带响应并能够抑制纹波的陷波滤波器。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的陷波滤波器具备：具有压电性的基板，由高声速构件、设置在所述高声速构件上的低声速膜、以及设置在所述低声速膜上的压电薄膜构成，在所述低声速膜传播的体波(bulk wave)的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低，在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高；IDT电极，设置在所述具有压电性的基板的所述压电薄膜上；以及反射器，在所述具有压电性的基板的所述压电薄膜上，设置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，所述IDT电极以及所述反射器分别具有电极指，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，并在将所述IDT电极的所述电极指中的位于最靠所述反射器侧的电极指与所述反射器的所述电极指中的位于最靠所述IDT电极侧的电极指的电极指中心间距离设为IR间隙GIR时，所述IR间隙GIR在0.1λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.9λ中的一个范围内。
在本发明涉及的陷波滤波器的某个特定的方面中，所述IR间隙GIR在0.4λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.6λ中的一个范围内。在该情况下，能够容易地形成IDT电极以及反射器，能够提高生产率。
在本发明涉及的陷波滤波器的另一个特定的方面中，所述IR间隙GIR在0.2λ≤GIR≤0.4λ以及0.6λ≤GIR≤0.8λ中的一个范围内。在该情况下，能够在通带中更进一步抑制纹波。
在本发明涉及的陷波滤波器的又一个特定的方面中，所述反射器的所述电极指的根数为21根以下。在该情况下，能够在通带中更进一步抑制纹波。
在本发明涉及的陷波滤波器的另一个特定的方面中，在将由所述反射器的电极指间距规定的波长设为λR时，0.91λ≤λR≤5λ。在该情况下，能够在通带中更进一步抑制纹波。
在本发明涉及的陷波滤波器的又一个特定的方面中，所述高声速构件由支承基板和高声速膜构成，所述高声速膜形成在所述支承基板上且所传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够抑制通带中的阻带响应并能够抑制纹波的陷波滤波器。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的陷波滤波器的主视剖视图。
图2是本发明的第一实施方式涉及的陷波滤波器的电路图。
图3是示出本发明的第一实施方式中的配置在第一端子侧的弹性波谐振器的电极结构的示意性俯视图。
图4是示出IR间隙GIR为0.1λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图5是示出IR间隙GIR为0.2λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图6是示出IR间隙GIR为0.3λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图7是示出IR间隙GIR为0.4λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图8是示出IR间隙GIR为0.45λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图9是示出IR间隙GIR为0.55λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图10是示出IR间隙GIR为0.6λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图11是示出IR间隙GIR为0.7λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图12是示出IR间隙GIR为0.8λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图13是示出IR间隙GIR为0.9λ的本发明的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。
图14是示出IR间隙GIR为0.01λ的第二比较例的衰减量频率特性的图。
图15是示出IR间隙GIR为1λ的第三比较例的衰减量频率特性的图。
图16是示出在本发明的第一实施方式以及第一参考例中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器的电极指的根数为21根、11根、0根的情况下的衰减量频率特性的图。
图17是示出在本发明的第一实施方式以及第一参考例中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器的电极指的根数为21根、11根、0根的情况下的衰减量频率特性的图。
图18是示出在第二参考例中反射器的电极指的根数为21根、11根、0根的情况下的衰减量频率特性的图。
图19是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.1λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的衰减量频率特性的图。
图20是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.1λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的衰减量频率特性的图。
图21是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为0.91λ、0.92λ、0.93λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图22是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为0.94λ、0.95λ、0.96λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图23是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为0.97λ、0.98λ、0.99λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图24是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.01λ、1.02λ、1.03λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图25是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.04λ、1.05λ、1.06λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图26是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.07λ、1.08λ、1.09λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图27是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为2λ、3λ、5λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图28是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为0.91λ、0.92λ、0.93λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图29是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为0.94λ、0.95λ、0.96λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图30是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为0.97λ、0.98λ、0.99λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图31是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.01λ、1.02λ、1.03λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图32是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.04λ、1.05λ、1.06λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图33是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.07λ、1.08λ、1.09λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图34是示出在本发明的第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为2λ、3λ、5λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。
图35是示出在第三参考例中反射器中的波长λR为0.95λ、1.1λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的衰减量频率特性的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，需要指出，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的陷波滤波器的主视剖视图。
陷波滤波器1具有基板12，基板12具有压电性。具有压电性的基板12是由高声速构件4、设置在高声速构件4上的低声速膜3、以及设置在低声速膜3上的压电薄膜2构成的层叠体。在本实施方式中，压电薄膜2由LiTaO3构成。另外，压电薄膜2也可以由LiNbO3等LiTaO3以外的压电单晶构成。
低声速膜3是所传播的体波的声速比在压电薄膜2传播的弹性波的声速低的膜。在本实施方式中，低声速膜3由SiO2构成。另外，低声速膜3例如由以玻璃、氮氧化硅、氧化钽或氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物为主成分的材料等构成。低声速膜3的材料只要是相对低声速的材料即可。
另一方面，高声速构件4是所传播的体波的声速比在压电薄膜2传播的弹性波的声速高的构件。在本实施方式中，高声速构件4是由Si构成的高声速基板。另外，高声速构件4也可以由支承基板和形成在支承基板上的高声速膜构成。另外，高声速膜是所传播的体波的声速比在压电薄膜2传播的弹性波的声速高的膜。
另外，高声速构件4例如也可以由以氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石为主成分的材料等构成。高声速构件4的材料只要是相对高声速的材料即可。
在压电薄膜2上设置有IDT电极5。若对IDT电极5施加交流电压，则可激励弹性波。在压电薄膜2上，在IDT电极5的弹性波传播方向两侧设置有反射器16以及反射器17。
像上述的那样，陷波滤波器1具有压电薄膜2、低声速膜3以及高声速构件4的层叠体，因此能够有效地封闭弹性波的能量。由此，能够提高陷波滤波器1的特性。更具体地，例如，能够在增大阻带中的衰减量的同时在通带中减小插入损耗。
图2是第一实施方式涉及的陷波滤波器的电路图。
陷波滤波器1具有第一端子8以及第二端子9。在第一端子8与第二端子9之间，相互串联地连接有弹性波谐振器S1以及弹性波谐振器S2。在弹性波谐振器S1和弹性波谐振器S2之间的连接点与接地电位之间，相互并联地连接有弹性波谐振器P1以及电感器L。另外，陷波滤波器1的电路结构并不限定于上述电路结构。
弹性波谐振器S1是图1所示的具有IDT电极5、反射器16以及反射器17的单端口型的弹性波谐振器。以下，更具体地说明弹性波谐振器S1的结构。
图3是示出第一实施方式中的配置在第一端子侧的弹性波谐振器的电极结构的示意性俯视图。另外，在图3中，省略了与IDT电极连接的布线等。
如上所述，弹性波谐振器S1具有IDT电极5和反射器16以及反射器17。IDT电极5具有相互对置的第一汇流条6a以及第二汇流条7a。IDT电极5具有一端与第一汇流条6a连接的多个第一电极指6b。进而，IDT电极5具有一端与第二汇流条7a连接的多个第二电极指7b。多个第一电极指6b和多个第二电极指7b彼此相互交替插入。反射器16也具有多个电极指16b。同样地，反射器17也具有多个电极指17b。
IDT电极5、反射器16以及反射器17可以由层叠了多个金属层的层叠金属膜构成，或者，也可以由单层的金属膜构成。图2所示的弹性波谐振器S2以及弹性波谐振器P1也同样地分别具有IDT电极以及反射器。
通过下述的表1示出弹性波谐振器S1、弹性波谐振器S2以及弹性波谐振器P1的设计参数。另一方面，图2所示的电感器L的电感为2nH。另外，电感器L的电感并不限定于上述电感。弹性波谐振器S1、弹性波谐振器S2以及弹性波谐振器P1的设计参数也不限定于表1的值。
[表1]
| 弹性波谐振器S1 | 弹性波谐振器S2 | 弹性波谐振器P1 | |
| IDT电极的波长(μm) | 1.546 | 1.619 | 1.567 |
| 反射器的波长(μm) | 1.546 | 1.619 | 1.567 |
| 反射器的电极指的根数(根) | 21 | 21 | 21 |
在此，将IDT电极5的第一电极指6b以及第二电极指7b中的最靠反射器16侧的电极指与反射器16的电极指16b中的最靠IDT电极5侧的电极指的电极指中心间距离设为IR间隙GIR。同样地，IDT电极5的第一电极指6b以及第二电极指7b中的最靠反射器17侧的电极指与反射器17的电极指17b中的最靠IDT电极5侧的电极指的电极指中心间距离也设为IR间隙GIR。将由IDT电极5的电极指间距规定的波长设为λ。在本实施方式中，反射器16侧以及反射器17侧的IR间隙GIR相同。另外，反射器16侧以及反射器17侧的IR间隙GIR未必一定要相同。
本实施方式的特征在于，具有图1所示的具有压电性的基板12，且IR间隙GIR被设为0.1λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.9λ中的一个范围内。由此，能够抑制通带中的阻带响应，能够抑制纹波。以下，通过对本实施方式和第一比较例、第二比较例以及第三比较例进行比较，从而对此进行说明。
另外，在第一比较例、第二比较例以及第三比较例中，IR间隙GIR与本实施方式不同。更具体地，第一比较例的IR间隙GIR为0.5λ，第二比较例的IR间隙GIR为0.01λ，第三比较例的IR间隙GIR为1λ。
图4是示出IR间隙GIR为0.1λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。在图4中，实线示出第一实施方式的结果，虚线示出第一比较例的结果。
如图4所示，可知在第一比较例中，在比阻带靠高频侧的通带中，产生了大的纹波。从IDT电极向弹性波传播方向泄漏的弹性波被反射器反射到IDT电极侧，此时产生杂散。第一比较例的陷波滤波器与第一实施方式同样地具有由压电薄膜、低声速膜以及高声速构件构成的层叠体，因此Q值高。由此，虽然能量效率高，但是上述杂散也变大。因此，在第一比较例中，在通带中产生了大的纹波。
相对于此，如图4所示，可知在第一实施方式中，在比阻带靠高频侧的通带中，抑制了纹波。在第一实施方式中，IR间隙GIR在0.1λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.9λ中的一个范围内。更具体地，在图4所示的情况下，IR间隙GIR为0.1λ。由此，在反射器中反射弹性波时，可抑制杂散的产生，可抑制阻带响应。因此，能够在通带中抑制纹波。
以下，示出在第一实施方式中即使在IR间隙GIR为0.1λ以外的情况下也能够在通带中抑制纹波。另外，还一并示出IR间隙GIR小于0.1λ的第二比较例以及IR间隙GIR大于0.9λ的第三比较例。
图5是示出IR间隙GIR为0.2λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图6是示出IR间隙GIR为0.3λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图7是示出IR间隙GIR为0.4λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图8是示出IR间隙GIR为0.45λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图9是示出IR间隙GIR为0.55λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图10是示出IR间隙GIR为0.6λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图11是示出IR间隙GIR为0.7λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图12是示出IR间隙GIR为0.8λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图13是示出IR间隙GIR为0.9λ的第一实施方式以及第一比较例的衰减量频率特性的图。图14是示出IR间隙GIR为0.01λ的第二比较例的衰减量频率特性的图。图15是示出IR间隙GIR为1λ的第三比较例的衰减量频率特性的图。
与图4所示的情况同样地，如图5～图13所示，可知在IR间隙GIR在0.1λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.9λ中的一个范围内的情况下，能够在通带中抑制纹波。
另外，在IR间隙GIR小于0.1λ的第二比较例中，如图14所示，在通带中产生大的纹波。在IR间隙GIR大于0.9λ的第三比较例中，如图15所示，也在通带中产生大的纹波。
IR间隙GIR优选在0.4λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.6λ中的一个范围内。在该情况下，能够容易地形成IDT电极以及反射器，能够提高生产率。
IR间隙GIR优选在0.2λ≤GIR≤0.4λ以及0.6λ≤GIR≤0.8λ中的一个范围内。在该情况下，如图5～图7以及图10～图12所示，能够在通带中更进一步抑制纹波。
反射器的电极指的根数优选为21根以下。使用下述的图16以及图17对此进行说明。
对反射器的电极指的根数为21根的情况和反射器的根数为11根的情况进行了比较。进而，也一并比较了不具有反射器的第一参考例。另外，以下，在不具有反射器的情况下，有时表述为反射器的电极指的根数为0根。在下述的图16示出将IR间隙GIR设为0.45λ的情况。在下述的图17示出将IR间隙GIR设为0.55λ的情况。
图16是示出在第一实施方式以及第一参考例中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器的电极指的根数为21根、11根、0根的情况下的衰减量频率特性的图。图17是示出在第一实施方式以及第一参考例中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器的电极指的根数为21根、11根、0根的情况下的衰减量频率特性的图。在图16以及图17中，实线示出反射器的电极指的根数为0根的结果，单点划线示出电极指的根数为11根的结果，虚线示出电极指的根数为21根的结果。
如图16以及图17所示，在反射器的电极指的根数为21根以下的情况下，能够有效地抑制通带中的纹波。进而，可知根数越少，越能够更进一步抑制纹波。通过减少反射器的电极指的根数，从而能够抑制在由反射器反射从IDT电极泄漏的弹性波时产生杂散。因此，能够更进一步抑制通带中的阻带响应，能够更进一步抑制纹波。
在下述的图18中，示出IR间隙GIR为0.5λ、且反射器的电极指的根数为21根以下的第二参考例。
图18是示出在第二参考例中反射器的电极指的根数为21根、11根、0根的情况下的衰减量频率特性的图。
如图18所示，可知在IR间隙GIR为0.5λ的情况下，也可通过将反射器的电极指的根数设为21根以下而得到抑制纹波的效果。
在此，在将由反射器的电极指间距规定的波长设为λR时，在本实施方式中，λR为1λ。以下，对反射器中的波长λR与IDT电极中的波长λ不同的第二实施方式涉及的陷波滤波器进行说明。
在第二实施方式中，波长λR在0.91λ≤λR＜λ以及λ＜λR≤5λ中的一个范围内。除了上述的方面以外，第二实施方式的陷波滤波器具有与图1所示的第一实施方式的陷波滤波器1同样的结构。另外，λ和1λ为相同的值。
图19是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.1λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的衰减量频率特性的图。图20是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.1λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的衰减量频率特性的图。在图19以及图20中，实线示出波长λR为1.1λ的情况下的结果，虚线示出波长λR为1λ的情况下的结果。
如图19以及图20所示，在用实线示出的第二实施方式中，能够更进一步抑制通带中的纹波。在第二实施方式中，反射器中的波长λR与IDT电极中的波长λ不同。由此，能够抑制在由反射器反射从IDT电极泄漏的弹性波时产生的杂散的强度变大。因此，能够更进一步抑制通带中的阻带响应，能够更进一步抑制纹波。
以下，使反射器中的波长λR不同而对衰减量频率特性进行了比较。在下述的图21～图27示出IR间隙GIR为0.45的情况下的各结果。在下述的图28～图34示出IR间隙GIR为0.55λ的情况下的各结果。
图21是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为0.91λ、0.92λ、0.93λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图22是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为0.94λ、0.95λ、0.96λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图23是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为0.97λ、0.98λ、0.99λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图24是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.01λ、1.02λ、1.03λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图25是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.04λ、1.05λ、1.06λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图26是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为1.07λ、1.08λ、1.09λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图27是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.45λ、且反射器中的波长λR为2λ、3λ、5λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。在图21～图27中，实线、单点划线以及双点划线示出第二实施方式的结果，虚线示出波长λR为1λ的情况下的结果。
图28是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为0.91λ、0.92λ、0.93λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图29是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为0.94λ、0.95λ、0.96λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图30是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为0.97λ、0.98λ、0.99λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图31是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.01λ、1.02λ、1.03λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图32是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.04λ、1.05λ、1.06λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图33是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为1.07λ、1.08λ、1.09λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。图34是示出在第二实施方式中IR间隙GIR为0.55λ、且反射器中的波长λR为2λ、3λ、5λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的通带附近的衰减量频率特性的图。在图28～图34中，实线、单点划线以及双点划线示出第二实施方式的结果，虚线示出波长λR为1λ的情况下的结果。
如图21～图34分别所示，可知在第二实施方式中，更进一步抑制了通带中的纹波。
在下述的图35中，示出IR间隙GIR为0.5λ、且反射器中的波长λR在0.91λ≤λR＜λ以及λ＜λR≤5λ中的一个范围内的第三参考例。
图35是示出在第三参考例中反射器中的波长λR为0.95λ、1.1λ的情况以及波长λR为1λ的情况下的衰减量频率特性的图。在图35中，实线示出波长λR为0.95λ的情况下的结果，单点划线示出波长λR为1.1λ的情况下的结果，虚线示出波长λR为1λ的情况下的结果。
如图35所示，可知在IR间隙GIR为0.5λ的情况下，也可通过将反射器中的波长λR设为0.91λ≤λR＜λ以及λ＜λR≤5λ中的一个范围内而得到抑制通带中的纹波的效果。
附图标记说明
1：陷波滤波器；
2：压电薄膜；
3：低声速膜；
4：高声速构件；
5：DT电极；
6a、7a：第一汇流条、第二汇流条；
6b、7b：第一电极指、第二电极指；
8、9：第一端子、第二端子；
12：具有压电性的基板；
16、17：反射器；
16b、17b：电极指；
L：电感器；
P1、S1、S2：弹性波谐振器。
Claims (6)
1.一种陷波滤波器，具备：
具有压电性的基板，由高声速构件、设置在所述高声速构件上的低声速膜、以及设置在所述低声速膜上的压电薄膜构成，在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低，在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高；
IDT电极，设置在所述具有压电性的基板的所述压电薄膜上；以及
反射器，在所述具有压电性的基板的所述压电薄膜上，设置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，
所述IDT电极以及所述反射器分别具有电极指，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，并在将所述IDT电极的所述电极指中的位于最靠所述反射器侧的电极指与所述反射器的所述电极指中的位于最靠所述IDT电极侧的电极指的电极指中心间距离设为IR间隙GIR时，所述IR间隙GIR在0.1λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.9λ中的一个范围内。
2.根据权利要求1所述的陷波滤波器，其中，
所述IR间隙GIR在0.4λ≤GIR＜0.5λ以及0.5λ＜GIR≤0.6λ中的一个范围内。
3.根据权利要求1所述的陷波滤波器，其中，
所述IR间隙GIR在0.2λ≤GIR≤0.4λ以及0.6λ≤GIR≤0.8λ中的一个范围内。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的陷波滤波器，其中，
所述反射器的所述电极指的根数为21根以下。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的陷波滤波器，其中，
在将由所述反射器的电极指间距规定的波长设为λR时，0.91λ≤λR≤5λ。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的陷波滤波器，其中，
所述高声速构件由支承基板和高声速膜构成，所述高声速膜形成在所述支承基板上且所传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高。
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