JPH1079636A - Ｓａｗフィルタの周波数特性調整方法 - Google Patents
Ｓａｗフィルタの周波数特性調整方法Info
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- JPH1079636A JPH1079636A JP25385396A JP25385396A JPH1079636A JP H1079636 A JPH1079636 A JP H1079636A JP 25385396 A JP25385396 A JP 25385396A JP 25385396 A JP25385396 A JP 25385396A JP H1079636 A JPH1079636 A JP H1079636A
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- frequency
- filter
- resonance
- saw filter
- saw
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振合成型ＳＡＷフィルタにおいて、６つの
共振モードの周波数を４つの所定の周波数にほぼ一致さ
せることが必須であるが、通常の製造プロセスで処理し
た場合、上記条件を満たすことは難しく、それらの周波
数にバラツキが生ずるという問題があった。本発明は共
振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ２つの多重モードＳＡＷフィルタの一方
を保護膜で覆った上で、誘電体薄膜を形成し、あるいは
エッチングを施すことにより他方の多重モードＳＡＷフ
ィルタのみを周波数調整した後に前記保護膜を除去する
共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法である
共振モードの周波数を４つの所定の周波数にほぼ一致さ
せることが必須であるが、通常の製造プロセスで処理し
た場合、上記条件を満たすことは難しく、それらの周波
数にバラツキが生ずるという問題があった。本発明は共
振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ２つの多重モードＳＡＷフィルタの一方
を保護膜で覆った上で、誘電体薄膜を形成し、あるいは
エッチングを施すことにより他方の多重モードＳＡＷフ
ィルタのみを周波数調整した後に前記保護膜を除去する
共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法である
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳＡＷフィルタの周
波数調整法に関し、特に電気的に並列接続したＳＡＷフ
ィルタの周波数特性調整方法に関する。
波数調整法に関し、特に電気的に並列接続したＳＡＷフ
ィルタの周波数特性調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話等の通信方式のデジタル
化に伴い、第１ＩＦフィルタとして中心周波数が数１０
０ＭＨｚ、通過帯域幅が数１００ｋＨｚ（比帯域約０．
２％程度）で群遅延偏差の小さい（１μｓ以下）ＳＡＷ
フィルタの需要が増大している。上記のようなＳＡＷフ
ィルタについては、信学論（Ａ）,VOL.76-A NO.2「複合
縦モード共振器型ＳＡＷフィルタ」に開示されており、
また特願平０７−０２６２９５号には２つの縦結合型三
重モードフィルタを並列接続して縦型複合四重モードＳ
ＡＷフィルタ（以下、共振合成型ＳＡＷフィルタと称
す）を構成した例が詳しく記述されている。
化に伴い、第１ＩＦフィルタとして中心周波数が数１０
０ＭＨｚ、通過帯域幅が数１００ｋＨｚ（比帯域約０．
２％程度）で群遅延偏差の小さい（１μｓ以下）ＳＡＷ
フィルタの需要が増大している。上記のようなＳＡＷフ
ィルタについては、信学論（Ａ）,VOL.76-A NO.2「複合
縦モード共振器型ＳＡＷフィルタ」に開示されており、
また特願平０７−０２６２９５号には２つの縦結合型三
重モードフィルタを並列接続して縦型複合四重モードＳ
ＡＷフィルタ（以下、共振合成型ＳＡＷフィルタと称
す）を構成した例が詳しく記述されている。
【０００３】特願平０７−０２６２９５号に基づき共振
合成型ＳＡＷフィルタについて簡単に説明する。図２
（ａ）は表面波の伝搬方向に沿って３個のＩＤＴ１１、
１２、１３を配置し、ＩＤＴ１１と１３をそれぞれ入出
力としその両側に反射器１４ａ、１４ｂを配置して構成
した所謂縦結合型三重モードＳＡＷフィルタである。図
２（ａ）のように構成された電極上には図２（ｂ）に示
す３つの縦方向のモード即ち、１次、２次、３次モード
が強く励振され、これらを利用して縦結合型三重モード
ＳＡＷフィルタが構成できる。更に、帯域幅を広く、減
衰傾度を急峻にするため、図３に示すように同一圧電基
板上に２つの縦結合型三重モードＳＡＷフィルタＡ、Ｂ
を並列に配置し、フィルタＡの３つのモードの共振周波
数に対しフィルタＢの３つのモードの共振周波数を若干
異ならしめ、更に対応するそれぞれの共振モードの位相
を１８０度異ならしめて、フィルタＡとＢとを電気的に
並列接続すると共振合成型ＳＡＷフィルタを構成するこ
とができる。
合成型ＳＡＷフィルタについて簡単に説明する。図２
（ａ）は表面波の伝搬方向に沿って３個のＩＤＴ１１、
１２、１３を配置し、ＩＤＴ１１と１３をそれぞれ入出
力としその両側に反射器１４ａ、１４ｂを配置して構成
した所謂縦結合型三重モードＳＡＷフィルタである。図
２（ａ）のように構成された電極上には図２（ｂ）に示
す３つの縦方向のモード即ち、１次、２次、３次モード
が強く励振され、これらを利用して縦結合型三重モード
ＳＡＷフィルタが構成できる。更に、帯域幅を広く、減
衰傾度を急峻にするため、図３に示すように同一圧電基
板上に２つの縦結合型三重モードＳＡＷフィルタＡ、Ｂ
を並列に配置し、フィルタＡの３つのモードの共振周波
数に対しフィルタＢの３つのモードの共振周波数を若干
異ならしめ、更に対応するそれぞれの共振モードの位相
を１８０度異ならしめて、フィルタＡとＢとを電気的に
並列接続すると共振合成型ＳＡＷフィルタを構成するこ
とができる。
【０００４】共振合成型ＳＡＷフィルタはＩＤＴ１５の
図中の中央側のバスバーとＩＤＴ１９の図中の中央側の
バスバーとを接続して入力とし、ＩＤＴ１７の図中の中
央側のバスバーとＩＤＴ２１の図中の中央側のバスバー
とを接続して出力とし、ＩＤＴ１５、１７、１９、２１
の他方のバスバーをそれぞれ接地して構成したものであ
る。
図中の中央側のバスバーとＩＤＴ１９の図中の中央側の
バスバーとを接続して入力とし、ＩＤＴ１７の図中の中
央側のバスバーとＩＤＴ２１の図中の中央側のバスバー
とを接続して出力とし、ＩＤＴ１５、１７、１９、２１
の他方のバスバーをそれぞれ接地して構成したものであ
る。
【０００５】図４（ａ）は図３の縦結合三重モードＳＡ
ＷフィルタＡの終端インピーダンスをミスマッチさせた
場合の伝送特性であり、１次、２次、３次モードに相当
する３個の共振ピークが存在し、高周波側より共振周波
数をそれぞれｆａ１、ｆａ２、ｆａ３（ｆａ３＜ｆａ２
＜ｆａ１）とする。上記共振周波数に於ける位相関係
は、ｆａ１の位相を０度とするとｆａ２は１８０度、ｆ
ａ３は０度となっている。同様に、図３に示す縦結合Ｓ
ＡＷフィルタＢの終端インピーダンスをミスマッチさせ
てた場合の伝送特性を測定すると、図４（ｂ）に示すよ
うに、３個の共振ピークが存在し、それぞれの共振周波
数を高周波側よりｆｂ１、ｆｂ２、ｆｂ３（ｆｂ３＜ｆ
ｂ２＜ｆｂ１）とすると、それぞれの共振周波数に於け
る位相関係は、共振周波数ｆａ１の０度に対し共振周波
数ｆｂ１の位相を１８０度とし、ｆｂ２は０度、ｆｂ３
は１８０度になるようにＳＡＷフィルタＢのＩＤＴ電極
指の極性を考慮して配置する。
ＷフィルタＡの終端インピーダンスをミスマッチさせた
場合の伝送特性であり、１次、２次、３次モードに相当
する３個の共振ピークが存在し、高周波側より共振周波
数をそれぞれｆａ１、ｆａ２、ｆａ３（ｆａ３＜ｆａ２
＜ｆａ１）とする。上記共振周波数に於ける位相関係
は、ｆａ１の位相を０度とするとｆａ２は１８０度、ｆ
ａ３は０度となっている。同様に、図３に示す縦結合Ｓ
ＡＷフィルタＢの終端インピーダンスをミスマッチさせ
てた場合の伝送特性を測定すると、図４（ｂ）に示すよ
うに、３個の共振ピークが存在し、それぞれの共振周波
数を高周波側よりｆｂ１、ｆｂ２、ｆｂ３（ｆｂ３＜ｆ
ｂ２＜ｆｂ１）とすると、それぞれの共振周波数に於け
る位相関係は、共振周波数ｆａ１の０度に対し共振周波
数ｆｂ１の位相を１８０度とし、ｆｂ２は０度、ｆｂ３
は１８０度になるようにＳＡＷフィルタＢのＩＤＴ電極
指の極性を考慮して配置する。
【０００６】さらに、図３のＩＤＴ１５、１７とＩＤＴ
１９、２１の電極指ピッチをそれぞれＬT1とＬT2、中央
ＩＤＴ１６とＩＤＴ２０の電極指ピッチをそれぞれＬG1
とＬG2、反射器１４ａ、１４ｂと反射器２２ａ、２２ｂ
の電極指ピッチをそれぞれＬR1とＬR2とする。ここでＩ
ＤＴ電極指のピッチ比ＬT1／ＬG1及びＬT2／ＬG2を１よ
り僅かに大きく設定し、また、反射効率を高め低損失の
フィルタを実現するため反射器の電極指ピッチに対する
ＩＤＴの電極指ピッチの比ＬT1／ＬR1及びＬT2／ＬR2を
１より僅かに小さく設定する。更に、フィルタＡ、Ｂの
共振周波数関係を ｆａ２＝ｆｂ３ ｆａ１＝ｆｂ２ となるようにＩＤＴ電極指比ＬT1／ＬT2を設定する。ま
た、水晶圧電基板を用いる場合には各ＩＤＴの間隔及び
ＩＤＴと反射器の間隔は濾波特性が最適になるように実
験的に調整する必要がある。このように設定した後、図
３に示すように縦結合型ＳＡＷフィルタＡ、Ｂを電気的
に並列接続し、終端インピーダンスをミスマッチさせた
場合の伝送特性は、図４（ｃ）に示すように４つの共振
ピークを有することが分かる。これに適切な終端を施す
ことにより通過域が平坦で広帯域の共振合成型ＳＡＷフ
ィルタが得られるのである。
１９、２１の電極指ピッチをそれぞれＬT1とＬT2、中央
ＩＤＴ１６とＩＤＴ２０の電極指ピッチをそれぞれＬG1
とＬG2、反射器１４ａ、１４ｂと反射器２２ａ、２２ｂ
の電極指ピッチをそれぞれＬR1とＬR2とする。ここでＩ
ＤＴ電極指のピッチ比ＬT1／ＬG1及びＬT2／ＬG2を１よ
り僅かに大きく設定し、また、反射効率を高め低損失の
フィルタを実現するため反射器の電極指ピッチに対する
ＩＤＴの電極指ピッチの比ＬT1／ＬR1及びＬT2／ＬR2を
１より僅かに小さく設定する。更に、フィルタＡ、Ｂの
共振周波数関係を ｆａ２＝ｆｂ３ ｆａ１＝ｆｂ２ となるようにＩＤＴ電極指比ＬT1／ＬT2を設定する。ま
た、水晶圧電基板を用いる場合には各ＩＤＴの間隔及び
ＩＤＴと反射器の間隔は濾波特性が最適になるように実
験的に調整する必要がある。このように設定した後、図
３に示すように縦結合型ＳＡＷフィルタＡ、Ｂを電気的
に並列接続し、終端インピーダンスをミスマッチさせた
場合の伝送特性は、図４（ｃ）に示すように４つの共振
ピークを有することが分かる。これに適切な終端を施す
ことにより通過域が平坦で広帯域の共振合成型ＳＡＷフ
ィルタが得られるのである。
【０００７】上記共振合成型ＳＡＷフィルタを電気的等
価回路として表すと図５に示すように直列腕に２つの共
振回路を持ち、格子腕に２つの共振回路を持つラチス回
路で表すことができる。即ち、直列腕はＳＡＷフィルタ
Ａの共振回路ｆａ１とＳＡＷフィルタＢの共振回路ｆｂ
２との並列回路と、ＳＡＷフィルタＡの共振回路ｆａ３
との並列回路から構成される。また、格子腕はＳＡＷフ
ィルタＡの共振回路ｆａ２とＳＡＷフィルタＢの共振回
路ｆｂ３との並列回路と、 ＳＡＷフィルタＢの共振回
路ｆｂ１との並列回路から構成される。前述したように
ｆａ１とｆｂ２、ｆａ２とｆｂ３はそれぞれ同位相であ
りほぼ同一周波数であることが良好な共振合成型ＳＡＷ
フィルタとなる条件である。該共振合成型ＳＡＷフィル
タは４ポールフィルタに相当するため、減衰傾度は急峻
になり、通過域は広帯域となり且つ、通過帯域内での遅
延時間偏差を小さくできるという特徴を有する。従っ
て、このようなＳＡＷフィルタは、ＰＨＳコードレス電
話の第１ＩＦフィルタに要求される通過域が広帯域（３
ｄｂで３００ｋＨｚ以上）で、群遅延時間偏差（１μ
ｓ）の小さいフィルタには最適である。なお、同一基板
上に２個の縦結合型ＳＡＷフィルタを構成できるため小
型化に適しており、ＳＴカット水晶基板を用いればフィ
ルタの温度特性を良好にすることができる。
価回路として表すと図５に示すように直列腕に２つの共
振回路を持ち、格子腕に２つの共振回路を持つラチス回
路で表すことができる。即ち、直列腕はＳＡＷフィルタ
Ａの共振回路ｆａ１とＳＡＷフィルタＢの共振回路ｆｂ
２との並列回路と、ＳＡＷフィルタＡの共振回路ｆａ３
との並列回路から構成される。また、格子腕はＳＡＷフ
ィルタＡの共振回路ｆａ２とＳＡＷフィルタＢの共振回
路ｆｂ３との並列回路と、 ＳＡＷフィルタＢの共振回
路ｆｂ１との並列回路から構成される。前述したように
ｆａ１とｆｂ２、ｆａ２とｆｂ３はそれぞれ同位相であ
りほぼ同一周波数であることが良好な共振合成型ＳＡＷ
フィルタとなる条件である。該共振合成型ＳＡＷフィル
タは４ポールフィルタに相当するため、減衰傾度は急峻
になり、通過域は広帯域となり且つ、通過帯域内での遅
延時間偏差を小さくできるという特徴を有する。従っ
て、このようなＳＡＷフィルタは、ＰＨＳコードレス電
話の第１ＩＦフィルタに要求される通過域が広帯域（３
ｄｂで３００ｋＨｚ以上）で、群遅延時間偏差（１μ
ｓ）の小さいフィルタには最適である。なお、同一基板
上に２個の縦結合型ＳＡＷフィルタを構成できるため小
型化に適しており、ＳＴカット水晶基板を用いればフィ
ルタの温度特性を良好にすることができる。
【０００８】前記共振合成型ＳＡＷフィルタにおいては
共振周波数ｆａ２とｆｂ３、ｆａ１とｆｂ２とはほぼ一
致していなければならないが、これらの共振周波数がず
れると通過帯域内にリップルが生じ、遅延時間偏差も大
きくなる。図６（ａ）は上記共振周波数がほぼ一致して
いる場合の濾波特性であり、同６（ｂ）は上記共振周波
数がずれている場合の濾波特性で、通過域内にリップル
を生ずるとともに群遅延時間偏差にも大きな変動が生じ
ていることが分かる。
共振周波数ｆａ２とｆｂ３、ｆａ１とｆｂ２とはほぼ一
致していなければならないが、これらの共振周波数がず
れると通過帯域内にリップルが生じ、遅延時間偏差も大
きくなる。図６（ａ）は上記共振周波数がほぼ一致して
いる場合の濾波特性であり、同６（ｂ）は上記共振周波
数がずれている場合の濾波特性で、通過域内にリップル
を生ずるとともに群遅延時間偏差にも大きな変動が生じ
ていることが分かる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の共
振合成型ＳＡＷフィルタにおいて、６つの共振モードの
周波数を４つの所定の周波数にほぼ一致させることが必
須であるが、通常の製造プロセスで処理した場合、上記
周波数条件を満たすことは難しく、それらの周波数にバ
ラツキが生ずるという問題があった。これは一般にＳＡ
Ｗデバイスを製作する場合、フォトリソグラフィ技術を
用いて大きな圧電性基板（ウェハー）上に多数のＳＡＷ
デバイスのパターンを形成し、バッチ処理するため、Ｉ
ＤＴの電極膜厚のバラツキやＩＤＴ電極指のライン幅に
バラツキが発生し易い。これらのバラツキが上記共振周
波数の周波数ずれを引き起こし、ひいてはフィルタの濾
波特性を劣化させる原因となっている。本発明は上記問
題を解決するためになされたものであって共振合成型Ｓ
ＡＷフィルタの周波数特性調整方法を提供することを目
的とする。
振合成型ＳＡＷフィルタにおいて、６つの共振モードの
周波数を４つの所定の周波数にほぼ一致させることが必
須であるが、通常の製造プロセスで処理した場合、上記
周波数条件を満たすことは難しく、それらの周波数にバ
ラツキが生ずるという問題があった。これは一般にＳＡ
Ｗデバイスを製作する場合、フォトリソグラフィ技術を
用いて大きな圧電性基板（ウェハー）上に多数のＳＡＷ
デバイスのパターンを形成し、バッチ処理するため、Ｉ
ＤＴの電極膜厚のバラツキやＩＤＴ電極指のライン幅に
バラツキが発生し易い。これらのバラツキが上記共振周
波数の周波数ずれを引き起こし、ひいてはフィルタの濾
波特性を劣化させる原因となっている。本発明は上記問
題を解決するためになされたものであって共振合成型Ｓ
ＡＷフィルタの周波数特性調整方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法の
請求項１記載の発明は、圧電基板上に多重モードＳＡＷ
フィルタを２つ並列に配置すると共に両者を電気的に並
列接続して構成した共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数
特性調整方法であって、前記２つの多重モードＳＡＷフ
ィルタの一方を保護膜で覆った上で、誘電体薄膜を形成
し他方の多重モードＳＡＷフィルタのみを周波数調整し
た後に前記保護膜を除去することを特徴とする共振合成
型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法である。請求項
２の発明は圧電基板上に多重モードＳＡＷフィルタを２
つ並列に配置すると共に両者を電気的に並列接続して構
成した共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法
であって、前記２つの多重モードＳＡＷフィルタの一方
を保護膜で覆った上で、エッチングを施すことにより他
方の多重モードＳＡＷフィルタのみを周波数調整した後
に前記保護膜を除去することを特徴とする共振合成型Ｓ
ＡＷフィルタの周波数特性調整方法である。
に本発明に係るＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法の
請求項１記載の発明は、圧電基板上に多重モードＳＡＷ
フィルタを２つ並列に配置すると共に両者を電気的に並
列接続して構成した共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数
特性調整方法であって、前記２つの多重モードＳＡＷフ
ィルタの一方を保護膜で覆った上で、誘電体薄膜を形成
し他方の多重モードＳＡＷフィルタのみを周波数調整し
た後に前記保護膜を除去することを特徴とする共振合成
型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法である。請求項
２の発明は圧電基板上に多重モードＳＡＷフィルタを２
つ並列に配置すると共に両者を電気的に並列接続して構
成した共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法
であって、前記２つの多重モードＳＡＷフィルタの一方
を保護膜で覆った上で、エッチングを施すことにより他
方の多重モードＳＡＷフィルタのみを周波数調整した後
に前記保護膜を除去することを特徴とする共振合成型Ｓ
ＡＷフィルタの周波数特性調整方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る共
振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法の一実施
例を示す断面図である。２つの縦結合型三重モードＳＡ
ＷフィルタＡ、Ｂを並列に同一圧電基板上に形成した
後、図１のように一方のＳＡＷフィルタＡをフォトリソ
グラフィ技術あるいは直接塗布によりレジスト等の保護
膜２で覆い、保護膜で覆われていない他方のＳＡＷフィ
ルタＢに対して周波数調整を行う。周波数調整の方法と
しては誘電体、例えばＳｉＯ２、ポリイミイド等の薄膜
を縦結合型ＳＡＷフィルタの表面に形成し、該フィルタ
の周波数を低下させる方法、圧電基板表面をドライエッ
チングしＩＤＴの厚みを実効的に厚くすることによって
周波数を低下させる方法、ＩＤＴの薄膜電極をドライエ
ッチングまたはウェットエッチングすることによりＩＤ
Ｔの厚みを実効的に薄くし周波数を上昇させる方法等が
ある。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る共
振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法の一実施
例を示す断面図である。２つの縦結合型三重モードＳＡ
ＷフィルタＡ、Ｂを並列に同一圧電基板上に形成した
後、図１のように一方のＳＡＷフィルタＡをフォトリソ
グラフィ技術あるいは直接塗布によりレジスト等の保護
膜２で覆い、保護膜で覆われていない他方のＳＡＷフィ
ルタＢに対して周波数調整を行う。周波数調整の方法と
しては誘電体、例えばＳｉＯ２、ポリイミイド等の薄膜
を縦結合型ＳＡＷフィルタの表面に形成し、該フィルタ
の周波数を低下させる方法、圧電基板表面をドライエッ
チングしＩＤＴの厚みを実効的に厚くすることによって
周波数を低下させる方法、ＩＤＴの薄膜電極をドライエ
ッチングまたはウェットエッチングすることによりＩＤ
Ｔの厚みを実効的に薄くし周波数を上昇させる方法等が
ある。
【００１２】これらの方法を用いて保護膜で覆われてい
ない側のＳＡＷフィルタＢに対して必要な量だけ周波数
調整を行った後、保護膜２を除去すれば周波数がズレて
いた共振ピーク即ち、ｆａ２とｆｂ３、ｆａ１とｆｂ２
をほぼ一致させることが可能である。このようにフィル
タＡ、Ｂの周波数を所定の周波数配列に設定できれば前
記共振合成型ＳＡＷフィルタの通過帯域内のリップル、
遅延時間偏差を小さく抑えることができる。
ない側のＳＡＷフィルタＢに対して必要な量だけ周波数
調整を行った後、保護膜２を除去すれば周波数がズレて
いた共振ピーク即ち、ｆａ２とｆｂ３、ｆａ１とｆｂ２
をほぼ一致させることが可能である。このようにフィル
タＡ、Ｂの周波数を所定の周波数配列に設定できれば前
記共振合成型ＳＡＷフィルタの通過帯域内のリップル、
遅延時間偏差を小さく抑えることができる。
【００１３】以上、共振合成型フィルタを構成する２つ
の縦結合三重モードＳＡＷフィルタを例として説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく従来の縦三
重モード共振合成型ＳＡＷフィルタ、横三重モード共振
合成型ＳＡＷフィルタ等の共振合成型フィルタについて
も適用可能であることは云うまでもない。即ち ２つの
縦結合二重モードＳＡＷフィルタを同一基板上に並置し
電気的に並列接続して構成するＳＡＷフィルタが信学論
（Ａ）,VOL.76-A NO.2「複合縦モード共振器型ＳＡＷフ
ィルタ」、他（同著者）に開示されているが、一方の縦
結合型二重モードＳＡＷフィルタの共振周波数をｆａ
１、ｆａ２（ ｆａ２＜ｆａ１）とし、他方の縦結合型
二重モードＳＡＷフィルタの共振周波数をｆｂ１、ｆｂ
２（ ｆｂ２＜ｆｂ１）とすれば、この電気的に並列接
続した共振合成型ＳＡＷフィルタの通過域特性が平坦に
なり、群遅延時間偏差が小さくなる周波数条件はｆａ１
＝ｆｂ２である。この三重モード共振合成型ＳＡＷフィ
ルタにおいても上記周波数条件をほぼ満たすことは難し
く、周波数の調整が必要となる。この周波数調整に本発
明が適用できることは云うまでもない。
の縦結合三重モードＳＡＷフィルタを例として説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく従来の縦三
重モード共振合成型ＳＡＷフィルタ、横三重モード共振
合成型ＳＡＷフィルタ等の共振合成型フィルタについて
も適用可能であることは云うまでもない。即ち ２つの
縦結合二重モードＳＡＷフィルタを同一基板上に並置し
電気的に並列接続して構成するＳＡＷフィルタが信学論
（Ａ）,VOL.76-A NO.2「複合縦モード共振器型ＳＡＷフ
ィルタ」、他（同著者）に開示されているが、一方の縦
結合型二重モードＳＡＷフィルタの共振周波数をｆａ
１、ｆａ２（ ｆａ２＜ｆａ１）とし、他方の縦結合型
二重モードＳＡＷフィルタの共振周波数をｆｂ１、ｆｂ
２（ ｆｂ２＜ｆｂ１）とすれば、この電気的に並列接
続した共振合成型ＳＡＷフィルタの通過域特性が平坦に
なり、群遅延時間偏差が小さくなる周波数条件はｆａ１
＝ｆｂ２である。この三重モード共振合成型ＳＡＷフィ
ルタにおいても上記周波数条件をほぼ満たすことは難し
く、周波数の調整が必要となる。この周波数調整に本発
明が適用できることは云うまでもない。
【００１４】また、信学会秋期大会1994には「横モード
結合共振器を用いたディジタル携帯電話用平衡型ＩＦＳ
ＡＷフィルタ」が開示されているが、これは横結合型二
重モードＳＡＷフィルタに関するものである。但し、平
衡型回路とするため結合させるＳＡＷ共振子の結合部の
バスバーを分割している点に特色がある。いずれにして
も横結合型二重モードＳＡＷフィルタを同一基板上に２
つ並置し、電気的に並列接続したＳＡＷフィルタであ
り、該フィルタの通過域が平坦になり、群遅延時間偏差
が小さくなる構成条件は、一方の横結合二重モードＳＡ
Ｗフィルタの共振周波数をＦａ１、Ｆａ２（ Ｆａ１＜
Ｆａ２）とし、他方の横結合二重モードＳＡＷフィルタ
の共振周波数をＦｂ１、Ｆｂ２（ Ｆｂ１＜Ｆｂ２）と
すれば、Ｆａ２＝Ｆｂ１である。該ＳＡＷフィルタにお
いても通常の製造プロセスで上記の周波数条件をほぼ満
たすことは難しい。このような共振合成型ＳＡＷフィル
タにも本発明が適用できることは云うまでもない。
結合共振器を用いたディジタル携帯電話用平衡型ＩＦＳ
ＡＷフィルタ」が開示されているが、これは横結合型二
重モードＳＡＷフィルタに関するものである。但し、平
衡型回路とするため結合させるＳＡＷ共振子の結合部の
バスバーを分割している点に特色がある。いずれにして
も横結合型二重モードＳＡＷフィルタを同一基板上に２
つ並置し、電気的に並列接続したＳＡＷフィルタであ
り、該フィルタの通過域が平坦になり、群遅延時間偏差
が小さくなる構成条件は、一方の横結合二重モードＳＡ
Ｗフィルタの共振周波数をＦａ１、Ｆａ２（ Ｆａ１＜
Ｆａ２）とし、他方の横結合二重モードＳＡＷフィルタ
の共振周波数をＦｂ１、Ｆｂ２（ Ｆｂ１＜Ｆｂ２）と
すれば、Ｆａ２＝Ｆｂ１である。該ＳＡＷフィルタにお
いても通常の製造プロセスで上記の周波数条件をほぼ満
たすことは難しい。このような共振合成型ＳＡＷフィル
タにも本発明が適用できることは云うまでもない。
【００１５】また、ＳＡＷフィルタの電極構成を示す各
図において接地している端子を浮かし平衡入出力として
も本発明が適用可能であることは明らかである。
図において接地している端子を浮かし平衡入出力として
も本発明が適用可能であることは明らかである。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような調整方法
であるので、本発明による周波数特性調整方法を用いれ
ば、共振合成型ＳＡＷフィルタ（縦三重モード、縦四重
モード、横三重モード共振合成型ＳＡＷフィルタ）の共
振ピークのずれによる通過帯域内のリップルや遅延時間
偏差を大幅に改善することができ、共振合成型ＳＡＷフ
ィルタの生産性の向上、良品率の向上に著しい効果があ
る。
であるので、本発明による周波数特性調整方法を用いれ
ば、共振合成型ＳＡＷフィルタ（縦三重モード、縦四重
モード、横三重モード共振合成型ＳＡＷフィルタ）の共
振ピークのずれによる通過帯域内のリップルや遅延時間
偏差を大幅に改善することができ、共振合成型ＳＡＷフ
ィルタの生産性の向上、良品率の向上に著しい効果があ
る。
【図１】（ａ）は本発明に係る共振合成型ＳＡＷフィル
タの周波数調整方法の実施の一形態例を示す平面図、
（ｂ）はその断面図である。
タの周波数調整方法の実施の一形態例を示す平面図、
（ｂ）はその断面図である。
【図２】（ａ）は従来の縦結合三重モードＳＡＷフィル
タを示す概略図、（ｂ）はその電極上に誘起される１次
〜３次モードの変位強度を示す図である。
タを示す概略図、（ｂ）はその電極上に誘起される１次
〜３次モードの変位強度を示す図である。
【図３】従来の共振合成型ＳＡＷフィルタ（４重モー
ド）のＩＤＴ構成を示す図である。
ド）のＩＤＴ構成を示す図である。
【図４】（ａ）は縦結合三重モードＳＡＷフィルタ（フ
ィルタＡ）の共振特性と位相特性を示す図、（ｂ）は縦
結合三重モードＳＡＷフィルタ（フィルタＢ）の共振特
性と位相特性を示す図、（ｃ）はフィルタＡとフィルタ
Ｂを並列接続した場合の伝送特性を示す図である。
ィルタＡ）の共振特性と位相特性を示す図、（ｂ）は縦
結合三重モードＳＡＷフィルタ（フィルタＢ）の共振特
性と位相特性を示す図、（ｃ）はフィルタＡとフィルタ
Ｂを並列接続した場合の伝送特性を示す図である。
【図５】共振合成型ＳＡＷフィルタ（４重モード）をラ
チス等価回路で表した図である。
チス等価回路で表した図である。
【図６】（ａ）は共振合成型ＳＡＷフィルタ（４重モー
ド）のそれぞれの周波数が所定の周波数にほぼ一致して
いる場合の濾波特性と群遅延偏差特性、（ｂ）それぞれ
の周波数が所定の周波数からずれている場合の濾波特性
と群遅延偏差特性を示す図である。
ド）のそれぞれの周波数が所定の周波数にほぼ一致して
いる場合の濾波特性と群遅延偏差特性、（ｂ）それぞれ
の周波数が所定の周波数からずれている場合の濾波特性
と群遅延偏差特性を示す図である。
１・・・圧電基板 ２・・・保護膜 Ａ、Ｂ・・・ＳＡＷフィルタＡおよびＢ Ｐ、Ｐ・・・断面
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に多重モードＳＡＷフィルタ
を２つ並列に配置すると共に両者を電気的に並列接続し
て構成した共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整
方法であって、前記２つの多重モードＳＡＷフィルタの
一方を保護膜で覆った上で、誘電体薄膜を形成し他方の
多重モードＳＡＷフィルタのみを周波数調整した後に前
記保護膜を除去することを特徴とする共振合成型ＳＡＷ
フィルタの周波数特性調整方法。 - 【請求項２】 圧電基板上に多重モードＳＡＷフィルタ
を２つ並列に配置すると共に両者を電気的に並列接続し
て構成した共振合成型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整
方法であって、前記２つの多重モードＳＡＷフィルタの
一方を保護膜で覆った上で、エッチングを施すことによ
り他方の多重モードＳＡＷフィルタのみを周波数調整し
た後に前記保護膜を除去することを特徴とする共振合成
型ＳＡＷフィルタの周波数特性調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25385396A JPH1079636A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | Ｓａｗフィルタの周波数特性調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25385396A JPH1079636A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | Ｓａｗフィルタの周波数特性調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079636A true JPH1079636A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=17257052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25385396A Pending JPH1079636A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | Ｓａｗフィルタの周波数特性調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079636A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609967B1 (ko) * | 2001-06-06 | 2006-08-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성표면파 장치 |
| US9325046B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-04-26 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter |
| US9401537B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-07-26 | Mesaplexx Pty Ltd. | Multi-mode filter |
| US9406988B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-08-02 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter |
| US9614264B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-04-04 | Mesaplexxpty Ltd | Filter |
| US9843083B2 (en) | 2012-10-09 | 2017-12-12 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter having a dielectric resonator mounted on a carrier and surrounded by a trench |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP25385396A patent/JPH1079636A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609967B1 (ko) * | 2001-06-06 | 2006-08-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성표면파 장치 |
| US9401537B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-07-26 | Mesaplexx Pty Ltd. | Multi-mode filter |
| US9406988B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-08-02 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter |
| US9406993B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-08-02 | Mesaplexx Pty Ltd | Filter |
| US9437916B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-09-06 | Mesaplexx Pty Ltd | Filter |
| US9437910B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-09-06 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter |
| US9559398B2 (en) | 2011-08-23 | 2017-01-31 | Mesaplex Pty Ltd. | Multi-mode filter |
| US9698455B2 (en) | 2011-08-23 | 2017-07-04 | Mesaplex Pty Ltd. | Multi-mode filter having at least one feed line and a phase array of coupling elements |
| US9843083B2 (en) | 2012-10-09 | 2017-12-12 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter having a dielectric resonator mounted on a carrier and surrounded by a trench |
| US9325046B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-04-26 | Mesaplexx Pty Ltd | Multi-mode filter |
| US9614264B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-04-04 | Mesaplexxpty Ltd | Filter |
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