WO2009096495A1 - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents

研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2009096495A1
WO2009096495A1 PCT/JP2009/051510 JP2009051510W WO2009096495A1 WO 2009096495 A1 WO2009096495 A1 WO 2009096495A1 JP 2009051510 W JP2009051510 W JP 2009051510W WO 2009096495 A1 WO2009096495 A1 WO 2009096495A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing composition
polishing
acid
nitrogen
containing compound
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/051510
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takahiro Mizuno
Yoshihiro Izawa
Tomohiko Akatsuka
Original Assignee
Fujimi Incorporated
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Incorporated filed Critical Fujimi Incorporated
Priority to US12/864,811 priority Critical patent/US10144849B2/en
Priority to CN2009801033315A priority patent/CN102084465A/zh
Priority to KR1020147033389A priority patent/KR101564676B1/ko
Priority to EP09705253A priority patent/EP2237311A4/en
Priority to JP2009551585A priority patent/JPWO2009096495A1/ja
Publication of WO2009096495A1 publication Critical patent/WO2009096495A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition used mainly in applications for polishing silicon materials such as single silicon such as silicon single crystal, amorphous silicon and polysilicon, and silicon compounds such as silicon nitride and silicon oxide, and the like. It relates to the polishing method used.
  • polishing for removing at least a part of single silicon such as silicon single crystal, amorphous silicon, or polysilicon may be performed.
  • Such polishing is usually performed using an alkaline polishing composition (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • an alkaline polishing composition see, for example, Patent Documents 1 and 2.
  • many of the conventionally known polishing compositions are not necessarily capable of polishing single silicon at a high removal rate that sufficiently satisfies the user's requirements.
  • Patent Documents 3 to 6 Prior art documents related to the present invention include Patent Documents 3 to 6 as well as Patent Documents 1 and 2 described above.
  • an object of the present invention is to provide a polishing composition that can be suitably used in applications for polishing silicon materials such as simple silicon and silicon compounds, and a polishing method using the same.
  • a first aspect of the present invention provides a polishing composition containing a nitrogen-containing compound and abrasive grains and having a pH of 1 to 7.
  • the nitrogen-containing compound contained in the polishing composition according to the first aspect has the general formula (1): R 1 —N (—R 2 ) —R 3 (where R 1 , R 2 , R 3 are each , represents an alkyl group or an alkyl group characteristic group is added to the group, two of R 1 ⁇ R 3 but may be composed of part of a heterocyclic ring, two of R 1 ⁇ R 3 And may be part of a heterocyclic ring together with the remaining one.
  • the compound having the structure represented by the general formula (1) is represented by the general formula (2): R 1 —N (—R 2 ) —C ( ⁇ O) —R 4 (where R 1 , R 2 , R 4 represents an alkyl group or a group in which a characteristic group is added to the alkyl group, and R 1 or R 2 may form part of a heterocyclic ring together with R 4 ). Or an amino acid type amphoteric surfactant or an amine type nonionic surfactant.
  • the nitrogen-containing compound contained in the polishing composition according to the first aspect is a carboxybetaine type amphoteric surfactant, a sulfobetaine type amphoteric surfactant, an imidazoline type amphoteric surfactant, and an amine oxide type amphoteric interface. It is preferably any of the active agents.
  • a polishing composition containing a water-soluble polymer and abrasive grains, containing no oxidizing agent, and having a pH of 1-8.
  • the water-soluble polymer contained in the polishing composition according to the second aspect is any of polysaccharides, polycarboxylic acids, polycarboxylic acid amides, polycarboxylic acid esters, polycarboxylic acid salts, polysulfonic acid, and vinyl polymers. It is preferable that
  • a polishing method characterized by polishing a silicon material using the polishing composition according to the first or second aspect.
  • the nitrogen-containing compound and abrasive grains are mixed with water together with a pH adjusting agent and a pH buffering agent as necessary so that the pH falls within the range of 1 to 7.
  • the polishing composition contains a nitrogen-containing compound, abrasive grains, and water, and further contains a pH adjuster and a pH buffer as necessary.
  • the polishing composition of the present embodiment is used for polishing a silicon material, that is, single silicon such as silicon single crystal, amorphous silicon, and polysilicon, and silicon compounds such as silicon nitride and silicon oxide, more specifically,
  • a silicon substrate such as a single crystal silicon substrate, or a single silicon film such as an amorphous silicon film or a polysilicon film formed on the silicon substrate, or a silicon compound film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film Mainly used for polishing.
  • the silicon compound film includes a low dielectric constant film having a relative dielectric constant of 3 or less.
  • the nitrogen-containing compound examples include amines, amides, imines, imides, ureas, ammoniums, quaternary ammoniums, amino acids, aminosulfonic acids, and aminophosphonic acids.
  • Amines and amides are classified as primary, secondary, and tertiary depending on the number of substituents on the nitrogen atom.
  • Primary amines include methylamine, ethylamine, butylamine, ethylenediamine, glycine, alanine, valine, etc.
  • Secondary amines include piperazine, piperidine, morpholine, N-methylglycine, etc.
  • Secondary amines include methylpiperidine, ethylpiperidine, methylpyrrolidine, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide and the like.
  • R 1 —N (—R 2 ) —R 3 can be suitably used as the nitrogen-containing compound contained in the polishing composition.
  • R 1 , R 2 and R 3 each represents an alkyl group or a group in which a characteristic group is added to the alkyl group. Two of R 1 to R 3 may form part of the heterocyclic ring, or two of R 1 to R 3 may be common and together with the remaining one may form part of the heterocyclic ring Good.
  • Specific groups added to the alkyl group include, for example, halogen, hydroxy, amino, imino, N-oxide, N-hydroxy, hydrazine, nitro, nitroso, azo, diazo, azide, oxy, epoxy, oxo, carbonyl, phenyl, Examples include phosphino, thio, S-oxide, and thioxy.
  • specific examples of the compounds in which two of R 1 to R 3 form part of the heterocyclic ring include methylpiperidine and ethylpiperidine.
  • Piperidines and similar compounds such as methylpyrrolidine, pyrroles and similar compounds such as methylpyrrole, morpholines and similar compounds such as methylmorpholine, piperazines such as methylpiperazine and dimethylpiperazine, and Examples thereof include hexamethylenetetramine and the like.
  • Specific examples of compounds in which two of R 1 to R 3 are in common and together with the remaining one form part of the heterocyclic ring include imidazole, pyrazole, triazole, tetrazole, thiazole, isothiazole, oxazole , Isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyritadine and the like.
  • all of the similar compounds referred to here include derivatives.
  • R 1 —N (—R 2 ) —C ( ⁇ O) —R 4 is It can be particularly suitably used as a nitrogen-containing compound contained in the polishing composition.
  • R 1 , R 2 and R 4 each represent an alkyl group or a group in which a characteristic group is added to the alkyl group.
  • R 1 or R 2 may form part of the heterocyclic ring together with R 4 .
  • Specific examples of the characteristic group to be added to the alkyl group are as described above.
  • the compound having the structure represented by the general formula (2) include N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacrylamide, 1-vinyl-2-pyrrolidone, N , N-dimethylacetoacetamide, N, N-diethylacrylamide, N-lauroyl sarcosine sodium hydrate, 1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrrolidone, N-oleoyl sarcosine, 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N-phenylmaleimide, N-vinyl- ⁇ -caprolactam, N-lauroylsarcosine, 1-n-octyl-2-pyrrolidone, N-acetoacetylmorpholine, N- (2-ethylhexyl) -5-norbornene-2,3- Dicarboximide, 1,3,5-triacryloylhexahydro-1,
  • the compound having the structure represented by the general formula (2) is particularly suitable as the nitrogen-containing compound contained in the polishing composition because these compounds are almost neutral.
  • the nitrogen-containing compound used is almost neutral, it is easy to adjust the pH of the polishing composition to 7 or less without adding a large amount of acid.
  • the nitrogen-containing compound used is strongly alkaline, it may be necessary to add a large amount of acid in order to adjust the pH of the polishing composition to 7 or less.
  • the use of a large amount of acid leads to aggregation of abrasive grains in the polishing composition.
  • amino acid type amphoteric surfactants and amine type nonionic surfactants can also be particularly suitably used as nitrogen-containing compounds contained in the polishing composition.
  • amino acid type amphoteric surfactant include alkylamino monopropionic acid, alkylamino dipropionic acid, and alkylamido sarcosine.
  • the amine-type nonionic surfactant include, for example, polyoxyethylene alkylamino ether, alkyldiethanolamine, polyoxyethylene alkylamine, polyoxypropylene and polyoxypropylene alkylamine having a block addition, N, N ′, N'-tris (2-hydroxyethyl) -N-alkyl-1,3-diaminopropane.
  • the content in the polishing composition is preferably 0.002 to 0.20 g / L.
  • the content of the polishing composition is preferably 0.002 to 1 g / L.
  • a carboxybetaine type amphoteric surfactant in addition to the compound having the structure represented by the general formula (1), a carboxybetaine type amphoteric surfactant, a sulfobetaine type amphoteric surfactant, an imidazoline type amphoteric surfactant, and an amine oxide type amphoteric surfactant. Can also be suitably used as a nitrogen-containing compound contained in the polishing composition.
  • Specific examples of the carboxybetaine-type amphoteric surfactant include alkyldimethylaminoacetic acid betaine (also known as alkylbetaine) and alkylamidopropyldimethylaminoacetic acid betaine (also known as alkylamidopropylbetaine).
  • the sulfobetaine-type amphoteric surfactant include alkylhydroxysulfobetaine.
  • Specific examples of the imidazoline type amphoteric surfactant include, for example, 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethyl imidazolinium betaine, 2-higher fatty acid-N′-carboxymethyl-N′-hydroxyethylethylenediamine. Can be mentioned.
  • Specific examples of the amine oxide type amphoteric surfactant include alkyldimethylamine oxide and higher fatty acid amidopropyldimethylamine oxide. When the polishing composition contains any of these amphoteric surfactants, the content in the polishing composition is preferably 0.002 to 0.20 g / L.
  • the type of abrasive grains contained in the polishing composition is not particularly limited, and for example, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium oxide, and cerium oxide can be used.
  • silicon dioxide can be suitably used when the polishing composition is used for polishing a silicon material, among which colloidal silica or fumed silica is particularly preferable.
  • colloidal silica or fumed silica is particularly preferable.
  • the polishing rate of the silicon material by the polishing composition is particularly greatly improved.
  • the average secondary particle diameter of the abrasive grains contained in the polishing composition is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more. As the average secondary particle size increases, the polishing rate of the silicon material by the polishing composition increases. In this respect, if the average secondary particle diameter of the abrasive grains is 5 nm or more, more specifically 10 nm or more, it becomes easy to improve the polishing rate of the silicon material by the polishing composition to a practically particularly suitable level. .
  • the average secondary particle diameter of the abrasive grains contained in the polishing composition is preferably 250 nm or less, more preferably 200 nm or less. As the average secondary particle size decreases, the dispersibility of the abrasive grains in the polishing composition improves. In this respect, if the average secondary particle diameter of the abrasive grains is 250 nm or less, more specifically 200 nm or less, it is easy to improve the dispersibility of the abrasive grains in the polishing composition to a particularly suitable level for practical use. It becomes.
  • the content of abrasive grains in the polishing composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more. As the abrasive grain content increases, the polishing rate of the silicon material by the polishing composition increases. In this respect, if the content of the abrasive grains in the polishing composition is 1% by mass or more, more specifically 3% by mass or more, the polishing rate of the silicon material by the polishing composition is practically particularly suitable. It becomes easy to improve.
  • the content of abrasive grains in the polishing composition is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less. As the content of the abrasive grains decreases, the dispersibility of the abrasive grains in the polishing composition improves. In this regard, if the content of the abrasive grains in the polishing composition is 25% by mass or less, and more specifically 20% by mass or less, the dispersibility of the abrasive grains in the polishing composition is particularly suitable for practical use. It becomes easy to improve to.
  • the pH adjuster contained as necessary in the polishing composition is not particularly limited, and any suitable amount can be used to adjust the pH of the polishing composition to a desired value between 1 and 7. It is also possible to use acids or alkalis.
  • the pH buffering agent included in the polishing composition as necessary is not particularly limited, and any appropriate amount of salt can be used to obtain a desired buffering action. . However, it is desirable to avoid using a substance having an oxidizing action, such as nitric acid or nitrate, that is, an oxidizing agent, as a pH adjusting agent or pH buffering agent.
  • nitric acid and nitrates not only nitric acid and nitrates, but also peroxides such as hydrogen peroxide, iodate, periodate, hypochlorite, chlorite, chlorate, perchlorate, persulfate, heavy
  • an oxidizing agent such as chromate, permanganate, ozone water, divalent silver salt or trivalent iron salt is contained in the polishing composition, an oxide film is formed on the surface of the silicon material being polished. As a result, the polishing rate of the silicon material by the polishing composition may be reduced.
  • acids that can be suitably used as a pH adjuster include inorganic acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, and phosphoric acid, acetic acid, glycolic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, lactic acid, ⁇ -alanine, glycine, and the like.
  • the organic acid is mentioned.
  • ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide etc. are mentioned, for example.
  • the polishing composition of this embodiment is suitable not only for use in polishing silicon materials, specifically for use in polishing single silicon or silicon compound alone, but also for use in polishing single silicon and silicon compound simultaneously. Can be used for The reason why polishing of the silicon material can be realized at a high removal rate by the polishing composition of the present embodiment is unknown, but there are unshared electron pairs present in the nitrogen atoms of the nitrogen-containing compound contained in the polishing composition.
  • the electron donating property of the unshared electron pair is considered to be particularly enhanced when the nitrogen-containing compound has a structure represented by the general formula (1).
  • the polishing composition of the second embodiment has a pH in the range of 1 to 8 by mixing the water-soluble polymer and abrasive grains with water together with a pH adjuster and a pH buffer as necessary. Manufactured in this way. Therefore, the polishing composition contains a water-soluble polymer, abrasive grains, and water, and further contains a pH adjuster and a pH buffer as necessary. That is, the polishing composition of the second embodiment is the first embodiment only in that it contains a water-soluble polymer instead of the nitrogen-containing compound and the pH is in the range of 1-8 instead of 1-7. It is different from the polishing composition in the form.
  • water-soluble polymer contained in the polishing composition examples include polysaccharides such as alginic acid, pectic acid, carboxymethyl cellulose, starch, agar, curdlan, and pullulan; polyaspartic acid, polyglutamic acid, polylysine, Polymalic acid, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid sodium salt, polymaleic acid, polyitaconic acid, polyfumaric acid, poly (p-styrenecarboxylic acid), polyacrylic acid, polyacrylamide, aminopolyacrylamide, polyacrylic Polycarboxylic acids such as methyl acid, ethyl polyacrylate, ammonium polyacrylate, sodium polyacrylate, polyamic acid, ammonium polyamic acid, sodium polyamic acid, polyglyoxylic acid, polycarboxylic acid Polysulfonic acid such as polystyrene sulfonic acid; amides, polycarboxylic acid ester
  • a water-soluble polymer containing no alkali metal, alkaline earth metal or halogen element in the molecule is used.
  • the content of the water-soluble polymer in the polishing composition is preferably 0.1 to 5.0 g / L.
  • the polishing composition of the second embodiment can be suitably used in applications where single silicon is polished.
  • the reason why the polishing of the second embodiment can achieve polishing of silicon alone at a high removal rate is unknown, but the surface of the silicon alone is modified by the water-soluble polymer contained in the polishing composition. It is guessed that it is brought about by this.
  • the polishing rate of single silicon by the polishing composition of the second embodiment may be reduced due to the presence of an oxidizing agent.
  • the polishing composition of the second embodiment does not contain an oxidizing agent, it is possible to avoid a decrease in the polishing rate of the silicon material caused by the oxidizing agent.
  • the first and second embodiments may be modified as follows.
  • -The polishing composition of 1st Embodiment may contain a 2 or more types of nitrogen containing compound.
  • the polishing composition of 2nd Embodiment may contain 2 or more types of water-soluble polymers.
  • the polishing composition of 1st and 2nd embodiment may contain a 2 or more types of abrasive grain, respectively.
  • the polishing composition of the first embodiment may contain components other than nitrogen-containing compounds, abrasive grains, and water.
  • chelating agents, water-soluble polymers, surfactants, antiseptics Additives such as an agent, a fungicide, and a rust inhibitor may be added.
  • the polishing composition of the second embodiment may contain components other than water-soluble polymers, abrasive grains, and water.
  • components other than water-soluble polymers, abrasive grains, and water For example, if necessary, chelating agents, surfactants, preservatives, and antifungals Additives such as agents and rust inhibitors may be added.
  • the polishing composition of 1st and 2nd embodiment may be prepared by diluting the undiluted
  • a polishing composition was prepared by mixing a nitrogen-containing compound and abrasive grains with water together with a pH adjuster as necessary.
  • polishing compositions were prepared by mixing abrasive grains with water together with a pH adjuster as necessary.
  • the details of the nitrogen-containing compound in the polishing composition of each example and the results of measuring the pH of the polishing composition of each example are shown in Table 1.
  • the abrasive used in each example is colloidal silica having an average secondary particle diameter of 30 nm, and the content of colloidal silica in the polishing composition is 5% by mass.
  • the pH adjuster used in each example is acetic acid or potassium hydroxide.
  • the surface of the substrate with a polysilicon film having a diameter of 200 mm was polished under the conditions shown in Table 2 using the polishing composition of each example.
  • the polysilicon polishing speed is obtained by dividing the difference in thickness of each substrate before and after polishing measured by using the optical interference type film thickness measuring device “Lambda Ace VM-2030” of Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. by the polishing time. Asked.
  • the relative value of the polysilicon polishing rate by the polishing composition of each example when the polysilicon polishing rate by the polishing composition of Example 4 was set to 100 is shown in the “Polysilicon polishing rate” column of Table 1. Show.
  • the surface of the substrate with a silicon nitride film having a diameter of 200 mm was polished under the conditions shown in Table 2.
  • the silicon nitride polishing rate was determined by dividing the difference in thickness of each substrate before and after polishing measured using an optical interference type film thickness measuring apparatus “Lambda Ace VM-2030” by the polishing time.
  • the “silicon nitride polishing rate” column shows a relative value of the silicon nitride polishing rate by the polishing composition of each example when the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition of Example 4 is 100. Show.
  • the silicon nitride polishing rate is high in the neutral to acidic region and shows a maximum peak near pH 5, but this silicon nitride polishing rate is also increased by the addition of the nitrogen-containing compound. Admitted to do.
  • the polishing composition of the present invention is suitably used not only for polishing single silicon such as polysilicon, but also for polishing a silicon compound such as silicon nitride simultaneously with single silicon. It was shown that it can.
  • a polishing composition was prepared by adding a pH adjuster and water to abrasive grains, and further adding an amphoteric surfactant.
  • a polishing composition was prepared by adding a pH adjuster and water to abrasive grains, and further adding a nitrogen-containing surfactant.
  • a polishing composition was prepared by adding a pH adjuster and water to abrasive grains, and further adding a water-soluble polymer.
  • a polishing composition was prepared by adding a pH adjuster and water to the abrasive grains.
  • Tables 3 to 6 show the details of the amphoteric surfactant, nitrogen-containing surfactant or water-soluble polymer and abrasive grains in the polishing composition of each example, and the measurement results of the pH of the polishing composition of each example. Shown in In addition, the pH adjuster used in each example is acetic acid.
  • A1a is colloidal silica having an average secondary particle diameter of 70 nm
  • A1b is colloidal silica having an average secondary particle diameter of 30 nm
  • A2 is a fumed silica having an average secondary particle size of 150 nm
  • B1 is 2-oleyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine
  • B2 is alkyl (C 12 -C 14 ) dimethylaminoacetic acid betaine
  • B3 is alkyl (C 12 -C 14 ) amidopropyldimethylaminoacetic acid betaine
  • B4 is alkyl (C 12 -C 14 ) dimethylamine oxide
  • B5 is lauryl hydroxysulfobetaine
  • B6 is an alkyl (C 12 -C 14 ) amido sarcosine
  • B7 is laurylaminopropionic acid
  • C1 is POE (2) lauryl amino ether
  • C2 is PO
  • D6a is polyvinyl alcohol having an average molecular weight of 8800
  • D6b is polyvinyl alcohol having an average molecular weight of 22026
  • D6c is polyvinyl alcohol having an average molecular weight of 66078
  • D6d is polyvinyl alcohol having an average molecular weight of 105725
  • D6e is polyvinyl alcohol having an average molecular weight of 146000
  • D7a is polyvinylpyrrolidone having an average molecular weight of 15000
  • D7b is polyvinylpyrrolidone having an average molecular weight of 29000
  • D7c is polyvinylpyrrolidone having an average molecular weight of 30,000
  • D7d is polyvinylpyrrolidone having an average molecular weight of 40,000
  • D7e is polyvinylpyrrolidone having an average molecular weight of 360,000
  • D8 is polyvinylpyridine having an average molecular weight of 60000

Abstract

　本発明の第１の態様に係る研磨用組成物は、窒素含有化合物及び砥粒を含有し、ｐＨが１～７である。研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物は、一般式：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｒ３（ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表しており、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが複素環の一部を構成してもよいし、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが共通し、残る１つとともに複素環の一部を構成してもよい。）で表される構造を有するか、あるいはカルボキシベタイン型両性界面活性剤、スルホベタイン型両性界面活性剤、イミダゾリン型両性界面活性剤、及びアミンオキサイド型両性界面活性剤のいずれかであることが好ましい。本発明の第２の態様に係る研磨用組成物は、水溶性高分子及び砥粒を含有し、酸化剤を含有せず、ｐＨが１～８である。

Description

研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
　本発明は、シリコン単結晶やアモルファスシリコン、ポリシリコンなどの単体シリコン、及び窒化シリコンや酸化シリコンなどのシリコン化合物のようなシリコン材料を研磨する用途において主に使用される研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法に関する。
　例えば半導体装置の製造工程において、シリコン単結晶やアモルファスシリコン、ポリシリコンなどの単体シリコンの少なくとも一部を除去するための研磨が行われることがある。このような研磨は通常、アルカリ性の研磨用組成物を用いて行われる（例えば特許文献１，２参照）。しかしながら、従来知られている研磨用組成物の多くは、必ずしもユーザの要求を十分に満足させるだけの高い除去速度で単体シリコンを研磨することができるものではない。
　また、単体シリコンを、窒化シリコンや酸化シリコンなどのシリコン化合物と同時に研磨しようとする場合などには、中性又は酸性の研磨用組成物の使用が望まれる。しかしながら、従来知られている中性又は酸性の研磨用組成物を用いてはユーザの要求を十分に満足させるだけの高い除去速度で単体シリコンを研磨することが困難である。
　本発明に関連する先行技術文献としては上記の特許文献１，２だけでなく特許文献３～６を挙げることができる。
特表２００２－５２５３８３号公報 特開平７－２４９６００号公報 特開２００１－０３１９５１号公報 特開２００６－０６０２０５号公報 特開平１１－３０２６３３号公報 特開２００４－２６６１５５号公報
　そこで、本発明の目的は、単体シリコン及びシリコン化合物のようなシリコン材料を研磨する用途で好適に使用することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様では、窒素含有化合物及び砥粒を含有し、ｐＨが１～７である研磨用組成物が提供される。
　第１の態様に係る研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物は、一般式（１）：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｒ３（ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表しており、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが複素環の一部を構成してもよいし、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが共通し、残る１つとともに複素環の一部を構成してもよい。）で表される構造を有することが好ましい。
　上記一般式（１）で表される構造を有する化合物は、一般式（２）：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ４（ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表しており、Ｒ１又はＲ２がＲ４とともに複素環の一部を構成してもよい。）で表される構造を有するか、あるいはアミノ酸型両性界面活性剤であるか、あるいはアミン型ノニオン界面活性剤であることが好ましい。
　あるいは、第１の態様に係る研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物は、カルボキシベタイン型両性界面活性剤、スルホベタイン型両性界面活性剤、イミダゾリン型両性界面活性剤、及びアミンオキサイド型両性界面活性剤のいずれかであることが好ましい。
　本発明の第２の態様では、水溶性高分子及び砥粒を含有し、酸化剤を含有せず、ｐＨが１～８である研磨用組成物が提供される。
　第２の態様に係る研磨用組成物中に含まれる水溶性高分子は、多糖、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸アミド、ポリカルボン酸エステル、ポリカルボン酸塩、ポリスルホン酸及びビニル系ポリマーのいずれかであることが好ましい。
　本発明の第３の態様では、上記第１又は第２の態様に係る研磨用組成物を用いて、シリコン材料を研磨することを特徴とする研磨方法が提供される。
　第１実施形態
　以下、本発明の第１実施形態を説明する。
　本実施形態の研磨用組成物は、窒素含有化合物及び砥粒を、必要に応じてｐＨ調整剤及びｐＨ緩衝剤とともに、水に混合することにより、ｐＨが１～７の範囲内になるようにして製造される。従って、研磨用組成物は、窒素含有化合物、砥粒及び水を含有し、必要に応じてｐＨ調整剤及びｐＨ緩衝剤をさらに含有する。
　本実施形態の研磨用組成物は、シリコン材料、すなわちシリコン単結晶やアモルファスシリコン、ポリシリコンなどの単体シリコン及び窒化シリコンや酸化シリコンなどのシリコン化合物を研磨する用途での使用、より具体的には、例えば、単結晶シリコン基板などのシリコン基板を研磨する用途、あるいはシリコン基板の上に形成されたアモルファスシリコン膜やポリシリコン膜などの単体シリコン膜又は窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などのシリコン化合物膜を研磨する用途で主に使用される。シリコン化合物膜には、比誘電率が３以下の低誘電率膜が含まれる。
　窒素含有化合物としては、具体的には、アミン類、アミド類、イミン類、イミド類、尿素類、アンモニウム類、第四級アンモニウム類、アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノホスホン酸類が挙げられる。アミン類及びアミド類は、窒素原子上の置換基の数により第一級、第二級、第三級に分類される。第一級アミンには、メチルアミン、エチルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン、グリシン、アラニン、バリンなどが含まれ、第二級アミンには、ピペラジン、ピペリジン、モルホリン、Ｎ－メチルグリシンなどが含まれ、第三級アミンには、メチルピペリジン、エチルピペリジン、メチルピロリジン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミドなどが含まれる。
　研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物として好適に使用されうるのは、一般式（１）：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｒ３で表される構造を有する化合物である。ただし、一般式（１）において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表す。Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが複素環の一部を構成してもよいし、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが共通し、残る１つとともに複素環の一部を構成してもよい。アルキル基に付加する特性基としては、例えば、ハロゲン、ヒドロキシ、アミノ、イミノ、Ｎ－オキシド、Ｎ－ヒドロキシ、ヒドラジン、ニトロ、ニトロソ、アゾ、ジアゾ、アジド、オキシ、エポキシ、オキソ、カルボニル、フェニル、ホスフィノ、チオ、Ｓ－オキシド、チオキシが挙げられる。一般式（１）で表される構造を有する化合物のうち、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが複素環の一部を構成している化合物の具体例としては、メチルピペリジンやエチルピペリジンなどのピペリジン類及びその類似化合物、メチルピロリジンなどのピロリジン類及びその類似化合物、メチルピロールなどのピロール類及びその類似化合物、メチルモルホリンなどのモルホリン類及びその類似化合物、メチルピペラジンやジメチルピペラジンなどのピペラジン類及びその類似化合物、ヘキサメチレンテトラミン及びその類似化合物が挙げられる。また、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが共通し、残る１つとともに複素環の一部を構成している化合物の具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリタジン及びそれらの類似化合物が挙げられる。なお、ここでいう類似化合物にはいずれも誘導体が含まれる。
　一般式（１）で表される構造を有する化合物の中でも、一般式（２）：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ４で表される構造を有する化合物は、研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物として特に好適に使用されうる。ただし、一般式（２）において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表す。Ｒ１又はＲ２がＲ４とともに複素環の一部を構成してもよい。アルキル基に付加する特性基の具体例は上記したとおりである。一般式（２）で表される構造を有する化合物の具体例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、１－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、１－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－ラウロイルサルコシンナトリウム水和物、１－（２－ヒドロキシエチル）－２－ピロリドン、Ｎ－オレオイルサルコシン、１－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－ビニル－ε－カプロラクタム、Ｎ－ラウロイルサルコシン、１－ｎ－オクチル－２－ピロリドン、Ｎ－アセトアセチルモルホリン、Ｎ－（２－エチルヘキシル）－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド、１，３，５－トリアクリロイルヘキサヒドロ－１，３，５－トリアジン、４－アクリロイルモルホリン、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアセタミド、Ｎ－アセチル－ε－カプロラクタム、Ｎ－フタロイルグリシン、４，４’－ビスマレイミドジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、４－アセチルモルホリン、Ｎ－ヒドロキシメチルフタルイミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルドデカンアミド、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）フタルイミド、１，３－ジメチルバルビツル酸、Ｎ－カルボエトキシフタルイミド、７－（２－ヒドロキシエチル）テオフィリン、Ｎ－メチル－ε－カプロラクタム、ビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン、クレアチニン、１－アセチル－４－（４－ヒドロキシフェニル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ－ジエチルクロロアセトアミド、Ｎ－（２－ブロモエチル）フタルイミド、１－エチル－２，３－ジオキソピペラジン、１－エチル－２－ピロリドン、ジアゾリジニル尿素、Ｎ－（３－ブロモプロピル）フタルイミド、ビス（Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド）三臭化水素酸塩、Ｎ－メチルマレイミド、３’，６’－ビス（ジエチルアミノ）－２－（４－ニトロフェニル）スピロ［イソインドール－１，９’－キサンテン］－３－オン、ペニシリンＧカリウム、Ｎ，Ｎ－ジエチルプロピオンアミド、Ｎ－ラウロイルサルコシンナトリウム水和物、クロルメザノン、Ｎ－メチル－４－ニトロフタルイミド、６－アミノペニシラン酸、フタルイミドアセトン、Ｎ－アセチルフタルイミド、３－ベンジルロダニン、３－エチルロダニン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラアセチルエチレンジアミン、３－アリルロダニン、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－（２，４，６－トリクロロフェニル）マレイミド、セファレキシン、Ｎ－メチルフタルイミド、フタルイミドＤＢＵ、２－フタルイミドアセトアルデヒドジエチルアセタール、ジクロルミド、Ｎ－ブチルフタルイミド、アンピシリン、４－エチル－２，３－ジオキソ－１－ピペラジンカルボニルクロリド、ロダニン－３－酢酸、Ｎ－エチルマレイミド、Ｎ－ベンジルフタルイミド、３，４，５，６－テトラフルオロ－Ｎ－メチルフタルイミド、セファゾリンナトリウム、１－アセチル－４－ピペリドン、Ｎ－エチルこはく酸イミド、アモキシシリン、Ｎ－（ブロモメチル）フタルイミド、４－ニトロ－Ｎ－フェニルフタルイミド、１－アセチルピペリジン、１－アセチルピペラジン、７－アミノデスアセトキシセファロスポラン酸、１－（３－ヒドロキシプロピル）－２－ピロリドン、４－アミノ－Ｎ－メチルフタルイミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルマロンアミド、１－アセチル－２－ピロリドン、Ｎ－（４－ブロモブチル）フタルイミド、１－ブチル－２－ピロリドン、イソシアン酸トリクロロアセチル、セフォタキシムナトリウム、セフトリアキソン二ナトリウム、Ｎ，Ｎ－ジエチルカルバモイルメチルホスホン酸ジブチル、フタリル－ＤＬ－グルタミン酸、２－ブチル－１，３－ジアザスピロ［４．４］ノナ－１－エン－４－オン塩酸、セフタジジム、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’－テトラアセチルグリコールウリル、オキサシリンナトリウム、１－アセチル－２－イミダゾリジノン、２－オキソ－１－ピロリジン酢酸メチル、２－シアノ－Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ロペラミド塩酸、Ｎ－ベンジルマレイミド、ロダニン－３－プロピオン酸、Ｎ－フタロイル－ＤＬ－グルタミン酸、（＋）－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－Ｌ－酒石酸ジアミド、Ｎ－（４－クロロフェニル）フタルイミド、（フタルイミドメチル）ホスホン酸ジエチル、（－）－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－Ｄ－酒石酸ジアミド、７－アミノセファロスポラン酸、Ｎ－（４－ブロモフェニル）フタルイミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルメタクリルアミド、１－ベンジル－５－フェニルバルビツル酸、ピペリン、トロピカミド、カプトプリル、Ｎ，Ｎ’－ジアセチルグリシン、Ｎ－ビニルフタルイミド、フタルイミドマロン酸ジエチル、（Ｒ）－Ｎ－グリシジルフタルイミド、（Ｓ）－Ｎ－グリシジルフタルイミド、Ｎ－フタロイル－Ｌ－フェニルアラニン、フタロイル－ＤＬ－アラニン、１，３，４，６－テトラ－Ｏ－アセチル－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノース、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラエチルマロンアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラプロピルマロンアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラブチルマロンアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラペンチルマロンアミド、Ｎ－クロロメチルフタルイミド、クロキサシリンナトリウム、Ｎ－（４－ニトロフェニル）マレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、１，５－ジメチル－２－ピペリドン、Ｌ－アラニル－Ｌ－プロリン、Ｎ－デカノイルサルコシンナトリウム、Ｎ－フタロイル－Ｌ－グルタミン酸、１－［（２Ｓ）－３－（アセチルチオ）－２－メチルプロピオニル］－Ｌ－プロリン、Ｎ，Ｎ－ジエチルカルバミルメチレンホスホン酸ジヘキシル、（Ｓ）－（＋）－２－ヒドロキシ－４－フタルイミド酪酸、２－ブロモ－２－シアノ－Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、１－アセチルピロリジン、Ｎ－メチルビス（トリフルオロアセトアミド）、ペニシリンＧナトリウム、グリキドン、１，３－ジメチル－２－チオヒダントイン、３－（Ｎ－アセチル－Ｎ－メチルアミノ）ピロリジン、リシノプリル、trans－１－メチル－４－カルボキシ－５－（３－ピリジル）－２－ピロリジノン、Ｎ－（３－ブテン－１－イル）フタルイミド、（Ｒ）－（－）－４－ベンジル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、（Ｓ）－（＋）－４－ベンジル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、ＮＡＭ、ピペラシリンナトリウム、Ｎ－ブロモメチル－２，３－ジクロロマレイミド、４－メトキシフェニル３，４，６－トリ－Ｏ－アセチル－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、１，３－ジシクロヘキシルバルビツル酸、グリシルサルコシン、（Ｓ）－（＋）－４－イソプロピル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、（Ｒ）－（－）－４－イソプロピル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、ケトコナゾール、Ｎ－クロロメチル－４－ニトロフタルイミド、３－（Ｎ－アセチル－Ｎ－エチルアミノ）ピロリジン、４，４’，４’’－トリス（４，５－ジクロロフタルイミド）トリチルブロミド、４－メトキシフェニル４，６－Ｏ－ベンジリデン－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、４－メトキシフェニル３－Ｏ－アリル－４，６－Ｏ－ベンジリデン－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、メチル３，４，６－トリ－Ｏ－アセチル－２－デオキシ－２－フタルイミド－１－チオ－β－Ｄ－グルコピラノシド、４－メトキシフェニル３－Ｏ－ベンジル－４，６－Ｏ－ベンジリデン－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、グリシル－Ｌ－プロリン、酒石酸エルゴタミン、３－アクリロイル－２－オキサゾリジノン、Ｎ－（８－ヒドロキシオクチル）フタルイミド、（Ｒ）－１－アセチル－３－ピロリジノール、メシル酸ジヒドロエルゴタミン、３－マレイミドプロピオン酸、Ｎ－（１－ピレニル）マレイミド、３－マレイミド安息香酸Ｎ－スクシンイミジル、酒石酸ジヒドロエルゴタミン、４－マレイミド酪酸Ｎ－スクシンイミジル、３－マレイミドプロピオン酸Ｎ－スクシンイミジル、６－マレイミドヘキサン酸Ｎ－スクシンイミジル、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，６－ビスマレイミドヘキサン、Ｎ－（４－アミノフェニル）マレイミド、Ｎ－エチル－Ｎ－（４－ピコリル）アトロパミド、Ｎ－［４－（２－ベンゾイミダゾリル）フェニル］マレイミド、（１Ｒ，２Ｒ）－２－（アントラセン－２，３－ジカルボキシイミド）シクロヘキサンカルボン酸、（１Ｓ，２Ｓ）－２－（アントラセン－２，３－ジカルボキシイミド）シクロヘキサンカルボン酸、（１Ｒ，２Ｒ）－２－（ナフタレン－２，３－ジカルボキシイミド）シクロヘキサンカルボン酸、（１Ｓ，２Ｓ）－２－（ナフタレン－２，３－ジカルボキシイミド）シクロヘキサンカルボン酸、６，７－メチレンジオキシ－４－メチル－３－マレイミドクマリン、２，４，７，８，９－ペンタ－Ｏ－アセチル－Ｎ－アセチルノイラミン酸メチル、GlcNPhth[346Ac]β(1-3)Gal[246Bn]-β-MP、Gal[2346Ac]β(1-3)GlcNPhth[46Bzd]-β-MP、４－メトキシフェニル３－Ｏ－ベンジル－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、４－メトキシフェニル３，６－ジ－Ｏ－ベンジル－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、４－メトキシフェニル４－Ｏ－アセチル－３，６－ジ－Ｏ－ベンジル－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、１－（ヒドロキシメチル）－５，５－ジメチルヒダントイン、Ｎ－（シクロヘキシルチオ）フタルイミド、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）－ピリミジノン、Ｎ－ヒドロキシフタルイミド、テトラメチル尿素、Ｎ－クロロフタルイミド、３－（４－クロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジクロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、１，３－ジメチルバルビツル酸、３－メチル－２－オキサゾリドン、７－（２－ヒドロキシエチル）テオフィリン、１－ピペラジンカルボン酸エチル、Ｎ－カルボベンゾキシオキシこはく酸イミド、１，３－ジメチル－５－ピラゾロン、ジアゾリジニル尿素、１，１－ジメチル尿素、１，１，３，３－テトラエチル尿素、１－エトキシカルボニル－４－ピペリドン、１－アリルヒダントイン、１－ベンジル－５－エトキシヒダントイン、１－メチルヒダントイン、Ｎ－（tert－ブトキシカルボニル）－Ｌ－プロリン、Ｎ－カルボベンゾキシ－Ｌ－プロリン、Ｎ－［（９Ｈ－フルオレン－９－イルメトキシ）カルボニル］－Ｌ－プロリン、１－ブチルヒダントイン、cis－１，３－ジベンジル－２－オキソ－４，５－イミダゾリジンジカルボン酸、Ｎ－（２－クロロベンジルオキシカルボニルオキシ）こはく酸イミド、１－ドデシルヒダントイン、４－クロロ－１－ピペリジンカルボン酸エチル、１，１－ジエチル尿素、Ｎ，Ｎ，Ｏ－トリアセチルヒドロキシルアミン、４－ヒドロキシ－１－ピペリジンカルボン酸エチル、１－ベンジルヒダントイン、４－アミノ－１－ピペリジンカルボン酸エチル、３－メタンスルホニル－２－オキソ－１－イミダゾリジンカルボニルクロリド、炭酸２－ブロモベンジルスクシンイミジル、Ｎ－ブロモフタルイミド、炭酸９－フルオレニルメチルＮ－スクシンイミジル、１，３，４，６－テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル、２－オキソ－１－イミダゾリジンカルボニルクロリド、キャプタン、１－ヘ
キサデシルヒダントイン、１，１，３，３－テトラブチル尿素、Ｎ－アミノフタルイミド、Ｎ，Ｎ’－ジメトキシ－Ｎ，Ｎ’－ジメチルオキサミド、ネオスチグミンブロミド、１－カルボベンゾキシピペラジン、Ｎ－アリルオキシフタルイミド、１－（tert－ブトキシカルボニル）－４－ピペリドン、１，１－ジメチル－３－［３－（トリフルオロメチル）フェニル］尿素、クエン酸ジエチルカルバマジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’－テトラアセチルグリコールウリル、１－（tert－ブトキシカルボニル）－４－ヒドロキシピペリジン、１，５，５－トリメチルヒダントイン、１－アセチル－２－イミダゾリジノン、メチル硫酸ネオスチグミン、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）、Ｎ－メトキシ－Ｎ－メチルアセトアミド、１，１’－（アゾジカルボニル）ジピペリジン、（－）－チアゾリジン－３，４－ジカルボン酸３－エチル、Ｎ－（tert－ブトキシカルボニル）－Ｌ－プロリノール、エトキシカルボニルイソチオシアナート、２－クロロ－Ｎ－メトキシ－Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ－（１，２，２，２－テトラクロロエトキシカルボニルオキシ）こはく酸イミド、Ｎ－（フェニルチオ）フタルイミド、ピリドスチグミンブロミド、１－ベンジル－５－フェニルバルビツル酸、Ｎ－カルボベンゾキシ－Ｄ－プロリン、Ｎ－（tert－ブトキシカルボニル）－Ｄ－プロリン、Ｎ－（tert－ブトキシカルボニル）－Ｌ－４－ヒドロキシプロリン、２－（５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド）－１，１，３，３－テトラメチルウロニウムテトラフルオロボラート、１－（tert－ブトキシカルボニル）ピペラジン、（３Ｓ）－２－ＣＢＺ－１，２，３，４－テトラヒドロイソキノリン－３－カルボン酸、Ｎ－カルボベンゾキシ－Ｌ－プロリンtert－ブチル、Ｎ－ヒドロキシ－４－ニトロフタルイミド、Ｎ－メトキシジアセトアミド、（Ｓ）－（－）－３－tert－ブトキシカルボニル－４－メトキシカルボニル－２，２－ジメチル－１，３－オキサゾリジン、Ｎ－［（９Ｈ－フルオレン－９－イルメトキシ）カルボニル］－Ｄ－プロリン、Ｎ－（tert－ブトキシカルボニル）－Ｏ－ベンジル－Ｌ－セリンＮ－スクシンイミジル、１－（tert－ブトキシカルボニル）イソニペコチン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－Ｏ－（Ｎ－スクシンイミジル）ウロニウムテトラフルオロボラート、４－アミノ－１－tert－ブトキシカルボニルピペリジン、炭酸tert－ブチルフタルイミド、３－（Ｎ－tert－ブトキシカルボニル－Ｎ－メチルアミノ）ピロリジン、Ｎ－［２－（トリメチルシリル）エトキシカルボニルオキシ］こはく酸イミド、Ｎ－（tert－ブトキシカルボニル）－Ｄ－プロリノール、１－（tert－ブトキシカルボニル）－４－ピペリジンメタノール、（Ｓ）－（＋）－４－ベンジル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、（Ｓ）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－３－ピロリジノール、（Ｒ）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－３－ピロリジノール、１，３－ジシクロヘキシルバルビツル酸、（Ｒ）－（－）－４－ベンジル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、１，１’－アゾビス（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、（Ｓ）－（＋）－４－イソプロピル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、トリス（カルボベンゾキシ）－Ｌ－アルギニン、（Ｎ－メトキシ－Ｎ－メチルカルバモイルメチル）ホスホン酸ジエチル、（Ｒ）－（－）－４－イソプロピル－３－プロピオニル－２－オキサゾリジノン、（３Ｒ）－（＋）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－３－アミノピロリジン、（３Ｓ）－（－）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－３－アミノピロリジン、（Ｎ－メトキシ－Ｎ－メチルカルバモイルメチル）ホスホン酸ジフェニル、Ｎ－アミノこはく酸イミド塩酸、４－ニトロフェニル酢酸Ｎ－スクシンイミジル、１－（tert－ブトキシカルボニル）－３－ヒドロキシアゼチジン、（Ｓ）－（－）－３－（tert－ブトキシカルボニル）－４－ホルミル－２，２－ジメチル－１，３－オキサゾリジン、３，３’－ジチオジプロピオン酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）、Ｓ－アセチルチオグリコール酸Ｎ－スクシンイミジル、３－アクリロイル－２－オキサゾリジノン、Ｎ－（ジエチルカルバモイル）－Ｎ－メトキシホルムアミド、６－（２，４－ジニトロアニリノ）ヘキサン酸Ｎ－スクシンイミジル、３－マレイミド安息香酸Ｎ－スクシンイミジル、（２Ｓ，４Ｒ）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－４－フルオロ－２－ピロリジンカルボン酸、（２Ｓ，４Ｓ）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－４－フルオロ－２－ピロリジンカルボン酸、４－マレイミド酪酸Ｎ－スクシンイミジル、３－マレイミドプロピオン酸Ｎ－スクシンイミジル、６－マレイミドヘキサン酸Ｎ－スクシンイミジル、Ｄ－ビオチンＮ－スクシンイミジル、４－［３，５－ジメチル－４－（４－ニトロベンジルオキシ）フェニル］－４－オキソ酪酸スクシンイミジル、（Ｓ）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－２－アゼチジンメタノール、（Ｒ）－１－（tert－ブトキシカルボニル）－２－アゼチジンメタノール、Ｎ－tert－ブトキシカルボニル－Ｎ－［３－（tert－ブトキシカルボニルアミノ）プロピル］グリシン、塩酸イリノテカン、６－［［７－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノスルホニル）－２，１，３－ベンゾオキサジアゾール－４－イル］アミノ］ヘキサン酸スクシンイミジル、（２Ｒ）－６－（テトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－２－イルオキシ）－２，５，７，８－テトラメチルクロマン－２－カルボン酸スクシンイミジル、フェニルＮ－ベンジル－２－アミノ－４，６－Ｏ－ベンジリデン－２－Ｎ，３－Ｏ－カルボニル－２－デオキシ－１－チオ－β－Ｄ－グルコピラノシドが挙げられる。研磨用組成物が一般式（２）で表される構造を有する化合物を含有する場合には、研磨用組成物中のその含有量は０．０５モル／Ｌ前後であることが好ましい。
　研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物として一般式（２）で表される構造を有する化合物が特に好適であるのは、これらの化合物がほぼ中性であるためである。使用される窒素含有化合物がほぼ中性である場合、大量の酸を加えたりしなくても、研磨用組成物のｐＨを７以下に調整することが容易である。これに対し、使用される窒素含有化合物が強アルカリ性である場合には、研磨用組成物のｐＨを７以下に調整するために大量の酸を加える必要が場合によってある。大量の酸の使用は、研磨用組成物中の砥粒の凝集を招く。
　一般式（１）で表される構造を有する化合物のうち、アミノ酸型両性界面活性剤及びアミン型ノニオン界面活性剤もまた、研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物として特に好適に使用されうる。アミノ酸型両性界面活性剤の具体例としては、例えば、アルキルアミノモノプロピオン酸、アルキルアミノジプロピオン酸、アルキルアミドサルコシンが挙げられる。アミン型ノニオン界面活性剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル、アルキルジエタノールアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシプロピレン及びポリオキシエチレンがブロック付加されたアルキルアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリス（２－ヒドロキシエチル）－Ｎ－アルキル－１，３－ジアミノプロパンが挙げられる。研磨用組成物がアミノ酸型両性界面活性剤を含有する場合には、研磨用組成物中のその含有量は０．００２～０．２０ｇ／Ｌであることが好ましい。研磨用組成物がアミン型ノニオン界面活性剤を含有する場合には、研磨用組成物のその含有量は０．００２～１ｇ／Ｌであることが好ましい。
　また、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物以外には、カルボキシベタイン型両性界面活性剤、スルホベタイン型両性界面活性剤、イミダゾリン型両性界面活性剤、アミンオキサイド型両性界面活性剤も、研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物として好適に使用されうる。カルボキシベタイン型両性界面活性剤の具体例としては、例えば、アルキルジメチルアミノ酢酸ベタイン（別名：アルキルベタイン）、アルキルアミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン（別名：アルキルアミドプロピルベタイン）が挙げられる。スルホベタイン型両性界面活性剤の具体例としては、例えば、アルキルヒドロキシスルホベタインが挙げられる。イミダゾリン型両性界面活性剤の具体例としては、例えば、２－アルキル－Ｎ－カルボキシメチル－Ｎ－ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、２－高級脂肪酸－Ｎ’－カルボキシメチル－Ｎ’－ヒドロキシエチルエチレンジアミンが挙げられる。アミンオキサイド型両性界面活性剤の具体例としては、例えば、アルキルジメチルアミンオキサイド、高級脂肪酸アミドプロピルジメチルアミンオキシドが挙げられる。研磨用組成物がこれらの両性界面活性剤のいずれかを含有する場合には、研磨用組成物中のその含有量は０．００２～０．２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
　研磨用組成物中に含まれる前記砥粒は特に種類が限定されず、例えば、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムを使用することができる。ただし、シリコン材料を研磨する用途で研磨用組成物が用いられる場合に好適に使用されうるのは二酸化ケイ素であり、その中でも特にコロイダルシリカ又はフュームドシリカである。二酸化ケイ素、中でもコロイダルシリカ又はフュームドシリカを砥粒として使用した場合には、研磨用組成物によるシリコン材料の研磨速度は特に大きく向上する。
　研磨用組成物中に含まれる砥粒の平均二次粒子径は５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上である。平均二次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物によるシリコン材料の研磨速度は向上する。この点、砥粒の平均二次粒子径が５ｎｍ以上、さらに言えば１０ｎｍ以上であれば、研磨用組成物によるシリコン材料の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
　また、研磨用組成物中に含まれる砥粒の平均二次粒子径は２５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２００ｎｍ以下である。平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物中での砥粒の分散性は向上する。この点、砥粒の平均二次粒子径が２５０ｎｍ以下、さらに言えば２００ｎｍ以下であれば、研磨用組成物中での砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
　研磨用組成物中の砥粒の含有量は１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは３質量％以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるシリコン材料の研磨速度は向上する。この点、研磨用組成物中の砥粒の含有量が１質量％以上、さらに言えば３質量％以上であれば、研磨用組成物によるシリコン材料の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
　また、研磨用組成物中の砥粒の含有量は２５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは２０質量％以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物中での砥粒の分散性は向上する。この点、研磨用組成物中の砥粒の含有量が２５質量％以下、さらに言えば２０質量％以下であれば、研磨用組成物中での砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
　研磨用組成物中に必要に応じて含まれる前記ｐＨ調整剤は特に限定されるものではなく、研磨用組成物のｐＨを１～７の間の所望の値にするために適宜の量のいずれの酸又はアルカリを使用することも可能である。同じく研磨用組成物中に必要に応じて含まれる前記ｐＨ緩衝剤もまた特に限定されるものではなく、所望の緩衝作用を得るために適宜の量のいずれの塩を使用することも可能である。ただし、ｐＨ調整剤あるいはｐＨ緩衝剤として、例えば硝酸や硝酸塩のように酸化作用を有する物質、すなわち酸化剤を使用することは避けることが望ましい。硝酸及び硝酸塩に限らず、過酸化水素などの過酸化物、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、二価の銀塩及び三価の鉄塩などの酸化剤が研磨用組成物中に含まれると、研磨中のシリコン材料の表面に酸化膜が形成されることにより、研磨用組成物によるシリコン材料の研磨速度が低下するおそれがある。ｐＨ調整剤として好適に使用可能な酸としては、例えば、硫酸、塩酸、リン酸等の無機酸や、酢酸、グリコ－ル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、α－アラニン、グリシンなどの有機酸が挙げられる。また、ｐＨ調整剤として好適に使用可能なアルカリ剤としては、例えば、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
　本実施形態によれば以下の利点を得ることができる。
　・　本実施形態の研磨用組成物を用いることにより、単体シリコン及びシリコン化合物のようなシリコン材料を高い除去速度で研磨することが可能である。従って、本実施形態の研磨用組成物は、シリコン材料を研磨する用途、具体的には、単体シリコン又はシリコン化合物を単独で研磨する用途だけでなく単体シリコンとシリコン化合物を同時に研磨する用途でも好適に使用することができる。本実施形態の研磨用組成物によりシリコン材料の研磨を高い除去速度で実現できる理由は詳細不明であるが、研磨用組成物中に含まれる窒素含有化合物の窒素原子に存在する非共有電子対が高い電子供与性を有しているために、中性から酸性の領域においてもシリコン材料に対する高い反応性が発揮されるものと推察される。この非共有電子対の電子供与性は、窒素含有化合物が上記の一般式（１）で表される構造を有する場合に、特に強まると考えられる。
　第２実施形態
　以下、本発明の第２実施形態を説明する。
　第２実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子及び砥粒を、必要に応じてｐＨ調整剤及びｐＨ緩衝剤とともに、水に混合することにより、ｐＨが１～８の範囲内になるようにして製造される。従って、研磨用組成物は、水溶性高分子、砥粒及び水を含有し、必要に応じてｐＨ調整剤及びｐＨ緩衝剤をさらに含有する。すなわち、第２実施形態の研磨用組成物は、窒素含有化合物の代わりに水溶性高分子を含有している点及びｐＨが１～７ではなく１～８の範囲である点でのみ第１実施形態の研磨用組成物とは異なっている。
　研磨用組成物中に含まれる前記水溶性高分子としては、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロ－ス、デンプン、寒天、カードラン、プルランなどの多糖；ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ－スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩、ポリグリオキシル酸などのポリカルボン酸、ポリカルボン酸アミド、ポリカルボン酸エステル又はポリカルボン酸塩；ポリスチレンスルホン酸などのポリスルホン酸；ポリビニルアルコール、ポリビニルピリジン、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレインなどのビニル系ポリマーが挙げられる。ただし、研磨されるシリコン材料がアルカリ金属、アルカリ土類金属又はハロゲン化物によって汚染されるのを防ぐためには、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はハロゲン元素を分子中に含んでいない水溶性高分子が好ましい。研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、０．１～５．０ｇ／Ｌであることが好ましい。
　第２実施形態によれば以下の利点を得ることができる。
　・　第２実施形態の研磨用組成物を用いることにより、単体シリコンを高い除去速度で研磨することが可能である。従って、第２実施形態の研磨用組成物は、単体シリコンを研磨する用途で好適に使用することができる。第２実施形態の研磨用組成物によりシリコン単体の研磨を高い除去速度で実現できる理由は詳細不明であるが、研磨用組成物中に含まれる水溶性高分子によってシリコン単体の表面が改質されることによりもたらされるものであると推察される。
　・　第１実施形態の研磨用組成物の場合と同様、第２実施形態の研磨用組成物による単体シリコンの研磨速度も酸化剤の存在によって低下するおそれがある。この点、第２実施形態の研磨用組成物は酸化剤を含有していないため、酸化剤に原因するシリコン材料の研磨速度の低下を回避することができる。
　前記第１及び第２実施形態は、次のようにして変更されてもよい。
　・　第１実施形態の研磨用組成物は二種類以上の窒素含有化合物を含有してもよい。
　・　第２実施形態の研磨用組成物は二種類以上の水溶性高分子を含有してもよい。
　・　第１及び第２実施形態の研磨用組成物はそれぞれ二種類以上の砥粒を含有してもよい。
　・　第１実施形態の研磨用組成物は、窒素含有化合物、砥粒及び水以外の成分を含有してもよく、例えば、必要に応じて、キレート剤や水溶性高分子、界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤などの添加剤が添加されてもよい。
　・　第２実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子、砥粒及び水以外の成分を含有してもよく、例えば、必要に応じて、キレート剤や界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤などの添加剤が添加されてもよい。
　・　第１及び第２実施形態の研磨用組成物はそれぞれ研磨用組成物の原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
　次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
　実施例１～２１及び参考例１～５では、窒素含有化合物及び砥粒を、必要に応じてｐＨ調整剤とともに水に混合して研磨用組成物を調製した。比較例１～５では、砥粒を必要に応じてｐＨ調整剤とともに水に混合して研磨用組成物を調整した。各例の研磨用組成物中の窒素含有化合物の詳細、並びに各例の研磨用組成物のｐＨを測定した結果を表１に示す。なお、各例において使用した砥粒は、平均二次粒子径が３０ｎｍのコロイダルシリカであり、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量はいずれも５質量％である。また、各例において使用したｐＨ調整剤は酢酸又は水酸化カリウムである。
　各例の研磨用組成物を用いて、直径２００ｍｍのポリシリコン膜付き基板の表面を表２に示す条件で研磨した。大日本スクリーン製造株式会社の光干渉式膜厚測定装置“ラムダエースＶＭ－２０３０”を使用して測定される研磨前後の各基板の厚さの差を研磨時間で除することによりポリシリコン研磨速度を求めた。実施例４の研磨用組成物によるポリシリコン研磨速度を１００としたときの各例の研磨用組成物によるポリシリコン研磨速度を相対値で表したものを表１の“ポリシリコン研磨速度”欄に示す。
　一部の各例の研磨用組成物を用いて、直径２００ｍｍの窒化シリコン膜付き基板の表面を表２に示す条件で研磨した。光干渉式膜厚測定装置“ラムダエースＶＭ－２０３０”を使用して測定される研磨前後の各基板の厚さの差を研磨時間で除することにより窒化シリコン研磨速度を求めた。実施例４の研磨用組成物による窒化シリコン研磨速度を１００としたときの各例の研磨用組成物による窒化シリコン研磨速度を相対値で表したものを表１の“窒化シリコン研磨速度”欄に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１から明らかなように、中性から酸性の領域におけるポリシリコン研磨速度は、窒素含有化合物を研磨用組成物に添加することにより増大することが認められた。この中性から酸性の領域におけるポリシリコン研磨速度の増大は、特に上記の一般式（１）で表される構造を有する化合物を窒素含有化合物として使用したときに著しかった（実施例２～１１参照）。窒素含有化合物の添加により研磨速度が増大するこのような傾向は、ポリシリコンの研磨時だけでなく、シリコン単結晶及びアモルファスシリコンの研磨時にも同様に認められた。また、これも表１から明らかなように、窒化シリコン研磨速度は中性から酸性の領域において高く、ｐＨ５付近で最大ピークを示すが、この窒化シリコン研磨速度もまた、窒素含有化合物の添加により増大することが認められた。以上のことから、本発明の研磨用組成物は、ポリシリコンのような単体シリコンを研磨する用途だけでなく、窒化シリコンのようなシリコン化合物を単体シリコンと同時に研磨する用途においても好適に使用することができることが示された。
　実施例１０１～１２３では、砥粒にｐＨ調整剤及び水を添加し、さらに両性界面活性剤を添加して研磨用組成物を調製した。実施例２０１～２０５では、砥粒にｐＨ調整剤及び水を添加し、さらに窒素含有界面活性剤を添加して研磨用組成物を調製した。実施例３０１～３３７では、砥粒にｐＨ調整剤及び水を添加し、さらに水溶性高分子を添加して研磨用組成物を調製した。比較例１０１～１０９では、砥粒にｐＨ調整剤及び水を添加して研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物中の両性界面活性剤、窒素含有界面活性剤又は水溶性高分子と砥粒の詳細、並びに各例の研磨用組成物のｐＨを測定した結果を表３～表６に示す。なお、各例において使用したｐＨ調整剤は酢酸である。
　表３～表６中、
Ａ１ａは、平均二次粒子径が７０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ１ｂは、平均二次粒子径が３０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ２は、平均二次粒子径が１５０ｎｍであるフュームドシリカ、
Ｂ１は、２－オレイル－Ｎ－カルボキシメチル－Ｎ－ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、
Ｂ２は、アルキル（Ｃ１２～Ｃ１４）ジメチルアミノ酢酸ベタイン、
Ｂ３は、アルキル（Ｃ１２～Ｃ１４）アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン、
Ｂ４は、アルキル（Ｃ１２～Ｃ１４）ジメチルアミンオキサイド、
Ｂ５は、ラウリルヒドロキシスルホベタイン、
Ｂ６は、アルキル（Ｃ１２～Ｃ１４）アミドサルコシン、
Ｂ７は、ラウリルアミノプロピオン酸、
Ｃ１は、ＰＯＥ（２）ラウリルアミノエーテル、
Ｃ２は、ＰＯＥ（１０）ラウリルアミノエーテル、
Ｃ３は、ＰＯＥ（５）オレイルアミノエーテル、
Ｄ１ａは、平均分子量が３０００のポリアクリル酸、
Ｄ１ｂは、平均分子量が５５００のポリアクリル酸、
Ｄ２は、平均分子量が２０００００のポリアクリル酸アミド、
Ｄ３は、平均分子量が８００００のカルボキシメチルセルロース、
Ｄ４は、和光純薬工業株式会社製のデンプン（生化学用試薬）、
Ｄ５は、株式会社林原生物化学研究所製のプルラン（試薬）、
Ｄ６ａは、平均分子量が８８００のポリビニルアルコール、
Ｄ６ｂは、平均分子量が２２０２６のポリビニルアルコール、
Ｄ６ｃは、平均分子量が６６０７８のポリビニルアルコール、
Ｄ６ｄは、平均分子量が１０５７２５のポリビニルアルコール、
Ｄ６ｅは、平均分子量が１４６０００のポリビニルアルコール、
Ｄ７ａは、平均分子量が１５０００のポリビニルピロリドン、
Ｄ７ｂは、平均分子量が２９０００のポリビニルピロリドン、
Ｄ７ｃは、平均分子量が３００００のポリビニルピロリドン、
Ｄ７ｄは、平均分子量が４００００のポリビニルピロリドン、
Ｄ７ｅは、平均分子量が３６００００のポリビニルピロリドン、
Ｄ８は、平均分子量が６００００のポリビニルピリジン、
Ｄ９は、平均分子量が１８３２０のポリスチレンスルホン酸を表す。
　表３～表６の“ポリシリコン研磨速度”欄には、各例の研磨用組成物を用いて、直径２００ｍｍのポリシリコン膜付き基板の表面を表７に示す条件で研磨したときの研磨速度を示す。研磨速度の値は、大日本スクリーン製造株式会社の光干渉式膜厚測定装置“ラムダエースＶＭ－２０３０”を使用して測定される研磨前後の各基板の厚さの差を研磨時間で除することにより求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表３～表６から明らかなように、両性界面活性剤、窒素含有界面活性剤又は水溶性高分子を添加することにより、研磨用組成物によるポリシリコンの研磨速度が増大する傾向が認められた。こうした傾向は、ポリシリコンの研磨時だけでなく、シリコン単結晶及びアモルファスシリコンを研磨したときにも同様に認められた。

Claims (11)

  1. 　窒素含有化合物及び砥粒を含有し、ｐＨが１～７であることを特徴とする研磨用組成物。
  2. 　前記窒素含有化合物は、一般式：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｒ３（ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表しており、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが複素環の一部を構成してもよいし、Ｒ１～Ｒ３のうちの２つが共通し、残る１つとともに複素環の一部を構成してもよい。）で表される構造を有する請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記窒素含有化合物は、一般式：Ｒ１－Ｎ（－Ｒ２）－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ４（ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４はそれぞれ、アルキル基あるいはアルキル基に特性基が付加した基を表しており、Ｒ１又はＲ２がＲ４とともに複素環の一部を構成してもよい。）で表される構造を有する請求項２に記載の研磨用組成物。
  4. 　前記窒素含有化合物は、１－メチル－２－ピロリドン、１－エチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、又はＮ，Ｎ－ジエチルアセトアミドである請求項３に記載の研磨用組成物。
  5. 　前記窒素含有化合物はアミノ酸型両性界面活性剤である請求項２に記載の研磨用組成物。
  6. 　前記窒素含有化合物はアミン型ノニオン界面活性剤である請求項２に記載の研磨用組成物。
  7. 　前記窒素含有化合物は、カルボキシベタイン型両性界面活性剤、スルホベタイン型両性界面活性剤、イミダゾリン型両性界面活性剤、及びアミンオキサイド型両性界面活性剤のいずれかである請求項１に記載の研磨用組成物。
  8. 　酸化剤を含有しない請求項１～７のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
  9. 　水溶性高分子及び砥粒を含有し、酸化剤を含有せず、ｐＨが１～８であることを特徴とする研磨用組成物。
  10. 　前記水溶性高分子は、多糖、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸アミド、ポリカルボン酸エステル、ポリカルボン酸塩、ポリスルホン酸及びビニル系ポリマーのいずれかである請求項９に記載の研磨用組成物。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、シリコン材料を研磨することを特徴とする研磨方法。
PCT/JP2009/051510 2008-02-01 2009-01-29 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 WO2009096495A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/864,811 US10144849B2 (en) 2008-02-01 2009-01-29 Polishing composition and polishing method using the same
CN2009801033315A CN102084465A (zh) 2008-02-01 2009-01-29 研磨用组合物以及使用其的研磨方法
KR1020147033389A KR101564676B1 (ko) 2008-02-01 2009-01-29 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
EP09705253A EP2237311A4 (en) 2008-02-01 2009-01-29 POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD THEREFOR
JP2009551585A JPWO2009096495A1 (ja) 2008-02-01 2009-01-29 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-023229 2008-02-01
JP2008023229 2008-02-01
JP2008151969 2008-06-10
JP2008-151969 2008-06-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009096495A1 true WO2009096495A1 (ja) 2009-08-06

Family

ID=40912840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/051510 WO2009096495A1 (ja) 2008-02-01 2009-01-29 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10144849B2 (ja)
EP (1) EP2237311A4 (ja)
JP (2) JPWO2009096495A1 (ja)
KR (2) KR101564676B1 (ja)
CN (2) CN102084465A (ja)
SG (2) SG10201605686XA (ja)
TW (1) TWI554600B (ja)
WO (1) WO2009096495A1 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011192995A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体を研磨する方法
JP2013021291A (ja) * 2011-06-14 2013-01-31 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2013021292A (ja) * 2011-06-14 2013-01-31 Fujimi Inc 研磨用組成物
WO2014034425A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び基板の製造方法
JPWO2013061771A1 (ja) * 2011-10-24 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法
WO2015068672A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 東亞合成株式会社 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物
WO2015115653A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 Hoya株式会社 磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
US9187718B2 (en) 2010-07-26 2015-11-17 Toyo Kohan Co., Ltd Rinsing agent, and method for production of hard disk substrate
JP5897200B2 (ja) * 2013-02-13 2016-03-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法
JP2016124743A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 花王株式会社 シリカ分散液
WO2016132951A1 (ja) * 2015-02-19 2016-08-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2016194006A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨物の製造方法
JP2017197654A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
WO2018055985A1 (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、ならびにこれを用いた研磨方法および半導体基板の製造方法
WO2018131341A1 (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2019169687A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2018150856A1 (ja) * 2017-02-17 2019-12-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
US11643573B2 (en) 2017-03-14 2023-05-09 Fujimi Incorporated Polishing composition, production method therefor, and polishing method and production method for substrate, using polishing composition

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102533122B (zh) * 2010-12-28 2016-01-20 安集微电子（上海）有限公司 一种用于抛光含钛基材的抛光浆料
KR102000304B1 (ko) * 2011-06-14 2019-07-15 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
JP6037416B2 (ja) * 2013-06-07 2016-12-07 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコンウエハ研磨用組成物
TWI654293B (zh) 2015-03-17 2019-03-21 德商福斯石油股份公司 添加劑組合物和工業處理流體
WO2017011115A1 (en) * 2015-07-10 2017-01-19 Ferro Corporation Slurry composition and additives and method for polishing organic polymer-based ophthalmic substrates
KR102463863B1 (ko) * 2015-07-20 2022-11-04 삼성전자주식회사 연마용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US9293339B1 (en) * 2015-09-24 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of polishing semiconductor substrate
KR102634780B1 (ko) * 2017-04-17 2024-02-07 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 양성 계면활성제를 포함하는 연마용 조성물
CN109971356A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109971358A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
WO2019189124A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US11111435B2 (en) * 2018-07-31 2021-09-07 Versum Materials Us, Llc Tungsten chemical mechanical planarization (CMP) with low dishing and low erosion topography
CN111378377A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN111378380B (zh) * 2018-12-29 2022-05-13 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
KR20230009927A (ko) * 2020-05-11 2023-01-17 주식회사 다이셀 세정제 조성물 및 화학적 기계적 연마용 조성물
CN114591686B (zh) * 2022-03-11 2023-05-26 万华化学集团电子材料有限公司 一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用
CN115160211B (zh) * 2022-06-23 2023-11-03 温州大学 一种异吲哚啉酮类化合物的绿色合成方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01135026A (ja) * 1987-10-16 1989-05-26 Wacker Chemitronic Ges Elekton Grundstoffe Mbh 半導体スライスのくもりのない研摩方法
JPH07249600A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Mitsubishi Materials Corp ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤
JPH11302633A (ja) 1998-04-20 1999-11-02 Toshiba Corp 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法
JP2000144109A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Okamoto Machine Tool Works Ltd 化学機械研磨用研磨剤スラリ−
JP2001031951A (ja) 1999-07-22 2001-02-06 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
JP2002525383A (ja) 1998-06-26 2002-08-13 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 化学機械的研磨スラリー及びその使用方法
JP2004172606A (ja) * 2002-11-08 2004-06-17 Sumitomo Chem Co Ltd 金属研磨材組成物及び研磨方法
JP2004266155A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
JP2006060205A (ja) 2004-08-18 2006-03-02 Samsung Electronics Co Ltd スラリー組成物、その製造方法、及びこれを用いた加工物の研磨方法
JP2007311779A (ja) 2006-04-21 2007-11-29 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4269959A (en) * 1979-10-22 1981-05-26 Whittaker Corporation Method of preparing improved imbibitive polymer
US4913841A (en) * 1985-05-09 1990-04-03 Sherex Chemical Company, Inc. Alkaline tolerant sulfobetaine amphoteric surfactants
DE69422624T2 (de) * 1994-09-27 2000-07-13 Agfa Gevaert Nv Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen Silberhalogenidemulsionen und Dispersionen von photographisch verwendbaren Verbindungen
JPH08295875A (ja) 1995-04-25 1996-11-12 Shinano Denki Seiren Kk スライシング用研磨液組成物
US5822738A (en) * 1995-11-22 1998-10-13 F.M.E. Corporation Method and apparatus for a modular postage accounting system
JP3707845B2 (ja) * 1995-12-27 2005-10-19 花王株式会社 磁気記録媒体基板製造用研磨材組成物及び磁気記録媒体用基板の製造方法
EP0786504A3 (en) * 1996-01-29 1998-05-20 Fujimi Incorporated Polishing composition
US20040134873A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-15 Li Yao Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
KR20050118314A (ko) * 1999-06-18 2005-12-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제
KR20010046395A (ko) * 1999-11-12 2001-06-15 안복현 연마용 조성물
JP2001185514A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP3869608B2 (ja) * 2000-01-25 2007-01-17 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 防食剤
US6555706B2 (en) * 2000-05-15 2003-04-29 Monsanto Company Process for making iminodiacetic acid compounds from monoethanolamine substrates
JP2002069340A (ja) * 2000-08-28 2002-03-08 Fuji Photo Film Co Ltd インクジェット記録用インク
KR100905266B1 (ko) * 2000-12-01 2009-06-29 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
CN1255854C (zh) * 2001-01-16 2006-05-10 卡伯特微电子公司 含有草酸铵的抛光系统及方法
US6786945B2 (en) * 2001-02-20 2004-09-07 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing compound and method for polishing substrate
JP4576117B2 (ja) 2001-10-26 2010-11-04 旭硝子株式会社 研磨剤、その製造方法及び研磨方法
WO2003064495A2 (en) * 2001-11-07 2003-08-07 Dow Global Technologies Inc. Planarized microelectronic substrates
JP4003116B2 (ja) * 2001-11-28 2007-11-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US6719920B2 (en) * 2001-11-30 2004-04-13 Intel Corporation Slurry for polishing a barrier layer
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US7524346B2 (en) * 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
JP2003306669A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨スラリー
FR2843061B1 (fr) * 2002-08-02 2004-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de polissage de tranche de materiau
JP3926293B2 (ja) * 2002-08-28 2007-06-06 花王株式会社 研磨液組成物
EP1403347B1 (en) * 2002-09-26 2006-11-15 Nippon Shokubai Co., Ltd. Thickener for water-based vibration damper
AU2003275655A1 (en) * 2002-10-25 2004-05-13 Showa Denko K.K. Polishing slurry and polished substrate
KR100516886B1 (ko) * 2002-12-09 2005-09-23 제일모직주식회사 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
JP4202172B2 (ja) 2003-03-31 2008-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TW200505975A (en) * 2003-04-18 2005-02-16 Ekc Technology Inc Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
JP4649871B2 (ja) * 2003-05-12 2011-03-16 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨剤キットを用いた化学機械研磨方法
TWI278507B (en) 2003-05-28 2007-04-11 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing agent and polishing method
JP2005034986A (ja) 2003-06-27 2005-02-10 Showa Denko Kk 研磨用組成物とそれを用いた基板研磨方法
WO2005000984A1 (en) 2003-06-27 2005-01-06 Showa Denko K.K. Polishing composition and method for polishing substrate using the composition
US20050014851A1 (en) * 2003-07-18 2005-01-20 Eastman Kodak Company Colloidal core-shell assemblies and methods of preparation
US7381690B1 (en) * 2003-09-25 2008-06-03 Ppt Research Inc Stable aqueous slurry suspensions
US20050079803A1 (en) 2003-10-10 2005-04-14 Siddiqui Junaid Ahmed Chemical-mechanical planarization composition having PVNO and associated method for use
US7247566B2 (en) * 2003-10-23 2007-07-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers
US7344988B2 (en) * 2003-10-27 2008-03-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Alumina abrasive for chemical mechanical polishing
DE102004009149A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Beiersdorf Ag Stabile Kosmetika
KR100582771B1 (ko) * 2004-03-29 2006-05-22 한화석유화학 주식회사 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리
US7198549B2 (en) * 2004-06-16 2007-04-03 Cabot Microelectronics Corporation Continuous contour polishing of a multi-material surface
JP2008504531A (ja) * 2004-06-24 2008-02-14 ザ スクリップス リサーチ インスティテュート 切断可能なリンカーを有するアレイ
RU2382554C2 (ru) * 2004-08-25 2010-02-27 Янссен Фармацевтика Н.В. Композиции имазалила, включающие алкоксилированные амины
US7563383B2 (en) * 2004-10-12 2009-07-21 Cabot Mircroelectronics Corporation CMP composition with a polymer additive for polishing noble metals
KR100674927B1 (ko) * 2004-12-09 2007-01-26 삼성전자주식회사 Ｃｍｐ용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한기판 연마 방법
JP2006269600A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 化学的機械的研磨方法及びこれに用いる研磨液
US7294044B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-13 Ferro Corporation Slurry composition and method for polishing organic polymer-based ophthalmic substrates
US20110045741A1 (en) * 2005-04-28 2011-02-24 Techno Semichem Co., Ltd. Auto-Stopping Abrasive Composition for Polishing High Step Height Oxide Layer
JP2007019093A (ja) 2005-07-05 2007-01-25 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
JP2007051200A (ja) 2005-08-17 2007-03-01 Tosoh Corp シリコンエッチング用組成物
US7842193B2 (en) * 2005-09-29 2010-11-30 Fujifilm Corporation Polishing liquid
TWI363790B (en) * 2005-10-19 2012-05-11 Hitachi Chemical Co Ltd Cerium oxide slurry, cerium oxide polishing solution and polishing method by utilizing the same
KR101243423B1 (ko) * 2005-11-11 2013-03-13 히타치가세이가부시끼가이샤 산화규소용 연마제, 첨가액 및 연마 방법
GB0525369D0 (en) * 2005-12-14 2006-01-18 Ineos Silicas Ltd Silicas
JP2007227446A (ja) 2006-02-21 2007-09-06 Fujifilm Corp バリア用研磨液及び研磨方法
US20070209287A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method to polish silicon nitride
JP2007305677A (ja) 2006-05-09 2007-11-22 Sony Corp 洗浄方法及び半導体装置の製造方法
JP2007326916A (ja) 2006-06-06 2007-12-20 Nitta Haas Inc 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法
JP2007335531A (ja) 2006-06-13 2007-12-27 Adeka Corp 金属ｃｍｐ用研磨組成物
KR100818996B1 (ko) * 2006-06-19 2008-04-04 삼성전자주식회사 금속배선 연마용 슬러리
US20080220610A1 (en) * 2006-06-29 2008-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Silicon oxide polishing method utilizing colloidal silica
US20080241081A1 (en) * 2006-11-07 2008-10-02 Hiroaki Suga Amide compound or salt thereof, and biofilm remover containing the same
US7696095B2 (en) * 2007-02-23 2010-04-13 Ferro Corporation Auto-stopping slurries for chemical-mechanical polishing of topographic dielectric silicon dioxide
US20090107520A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Wai Mun Lee Amidoxime compounds as chelating agents in semiconductor processes
AU2011249478B2 (en) * 2010-05-06 2014-12-04 Regenics As Use of cellular extracts for skin rejuvenation
US8961815B2 (en) * 2010-07-01 2015-02-24 Planar Solutions, Llc Composition for advanced node front-and back-end of line chemical mechanical polishing

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01135026A (ja) * 1987-10-16 1989-05-26 Wacker Chemitronic Ges Elekton Grundstoffe Mbh 半導体スライスのくもりのない研摩方法
JPH07249600A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Mitsubishi Materials Corp ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤
JPH11302633A (ja) 1998-04-20 1999-11-02 Toshiba Corp 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法
JP2002525383A (ja) 1998-06-26 2002-08-13 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 化学機械的研磨スラリー及びその使用方法
JP2000144109A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Okamoto Machine Tool Works Ltd 化学機械研磨用研磨剤スラリ−
JP2001031951A (ja) 1999-07-22 2001-02-06 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
JP2004172606A (ja) * 2002-11-08 2004-06-17 Sumitomo Chem Co Ltd 金属研磨材組成物及び研磨方法
JP2004266155A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
JP2006060205A (ja) 2004-08-18 2006-03-02 Samsung Electronics Co Ltd スラリー組成物、その製造方法、及びこれを用いた加工物の研磨方法
JP2007311779A (ja) 2006-04-21 2007-11-29 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2237311A4 *

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101737334B1 (ko) 2010-03-16 2017-05-18 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상과 폴리실리콘을 포함하는 기판의 연마 방법
JP2011192995A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体を研磨する方法
US9187718B2 (en) 2010-07-26 2015-11-17 Toyo Kohan Co., Ltd Rinsing agent, and method for production of hard disk substrate
JP2013021291A (ja) * 2011-06-14 2013-01-31 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2013021292A (ja) * 2011-06-14 2013-01-31 Fujimi Inc 研磨用組成物
JPWO2013061771A1 (ja) * 2011-10-24 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法
US9579769B2 (en) 2011-10-24 2017-02-28 Fujimi Incorporated Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate
JPWO2014034425A1 (ja) * 2012-08-31 2016-08-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び基板の製造方法
WO2014034425A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び基板の製造方法
US9505950B2 (en) 2012-08-31 2016-11-29 Fujimi Incorporated Polishing composition and method for producing substrate
JP5897200B2 (ja) * 2013-02-13 2016-03-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法
WO2015068672A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 東亞合成株式会社 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物
WO2015115653A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 Hoya株式会社 磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2016124743A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 花王株式会社 シリカ分散液
WO2016132951A1 (ja) * 2015-02-19 2016-08-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2016194006A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨物の製造方法
JP2017197654A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JPWO2018055985A1 (ja) * 2016-09-23 2019-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、ならびにこれを用いた研磨方法および半導体基板の製造方法
WO2018055985A1 (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、ならびにこれを用いた研磨方法および半導体基板の製造方法
US10907073B2 (en) 2017-01-11 2021-02-02 Fujimi Incorporated Polishing composition
WO2018131341A1 (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2018131341A1 (ja) * 2017-01-11 2019-11-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TWI749127B (zh) * 2017-01-11 2021-12-11 日商福吉米股份有限公司 研磨用組合物
JP2022109944A (ja) * 2017-01-11 2022-07-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP7331191B2 (ja) 2017-01-11 2023-08-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US11447660B2 (en) 2017-01-11 2022-09-20 Fujimi Incorporated Polishing composition
JP7153566B2 (ja) 2017-01-11 2022-10-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2018150856A1 (ja) * 2017-02-17 2019-12-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
JP7208019B2 (ja) 2017-02-17 2023-01-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
US11643573B2 (en) 2017-03-14 2023-05-09 Fujimi Incorporated Polishing composition, production method therefor, and polishing method and production method for substrate, using polishing composition
JP2019169687A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP7128005B2 (ja) 2018-03-26 2022-08-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100121469A (ko) 2010-11-17
US20100301014A1 (en) 2010-12-02
JPWO2009096495A1 (ja) 2011-05-26
KR101564673B1 (ko) 2015-10-30
TW200946660A (en) 2009-11-16
SG188090A1 (en) 2013-03-28
US10144849B2 (en) 2018-12-04
CN103131330B (zh) 2015-09-23
SG10201605686XA (en) 2016-08-30
JP2013251561A (ja) 2013-12-12
CN102084465A (zh) 2011-06-01
EP2237311A1 (en) 2010-10-06
EP2237311A4 (en) 2011-11-30
CN103131330A (zh) 2013-06-05
KR101564676B1 (ko) 2015-11-02
KR20140146225A (ko) 2014-12-24
TWI554600B (zh) 2016-10-21
JP5695708B2 (ja) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5695708B2 (ja) 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
TWI516579B (zh) A polishing composition, and a polishing method using the same
US9039925B2 (en) Polishing slurry composition
US20060278614A1 (en) Polishing composition and method for defect improvement by reduced particle stiction on copper surface
US20190062595A1 (en) Polishing composition and polishing method using the same
GB2419134A (en) Polishing composition and polishing method
JP2023109798A (ja) 研磨用組成物
WO2018180153A1 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
US9803107B2 (en) Polishing agent, polishing method and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
JP5413566B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
CN102211306A (zh) 表面露出铜和硅的晶片的抛光方法
TW202134365A (zh) 研磨組成物及其使用之方法
TW202317717A (zh) 拋光組成物及其使用方法
US11421132B2 (en) Polishing composition
TW202317716A (zh) 拋光組成物及其使用方法
JP2021161385A (ja) 研磨用組成物
WO2016052281A1 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP2022108413A (ja) 研磨用組成物
TW202219235A (zh) 研磨組成物及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980103331.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09705253

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2009551585

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009705253

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107016583

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12864811

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE