JP2007019093A - 半導体研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】 仕上げ研磨の前段階に当たる研磨において、高い研磨レートと、研磨後のウエハ表面の面粗れ防止とを同時に満足する半導体研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 砥粒、塩基性低分子化合物および窒素含有基を含む水溶性高分子化合物を含み、塩基性低分子化合物によって高い研磨レートを実現し、窒素含有基を含む水溶性高分子化合物によって研磨レートを低下させることなく、研磨後のウエハ表面の面粗れ防止を実現する。窒素含有基を含む水溶性高分子化合物としてはポリエチレンイミンが特に好ましい。
【選択図】 なし
Description
1000ppm以上50000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは、1000ppm以上5000ppm以下である。
[実施例および比較例の組成]
半導体研磨用組成物としては、研磨使用時に40倍に希釈したものを用いる。以下に示す組成は、希釈済みの組成で、残部は水である。
砥粒 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径70nm) 3000ppm
塩基性低分子化合物:アミノエチルエタノールアミン 300ppm
高分子化合物 :ポリエチレンイミン(分子量200) 25ppm
(実施例2)
砥粒 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径70nm) 3000ppm
塩基性低分子化合物:アミノエチルエタノールアミン 300ppm
高分子化合物 :ポリエチレンイミン(分子量200) 100ppm
(実施例3)
砥粒 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径70nm) 3000ppm
塩基性低分子化合物:アミノエチルエタノールアミン 300ppm
高分子化合物 :ポリエチレンイミン(分子量10000) 25ppm
(実施例4)
砥粒 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径70nm) 1000ppm
塩基性低分子化合物:炭酸水素カリウム 1000ppm
高分子化合物 :ポリエチレンイミン(分子量250) 67ppm
砥粒 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径70nm) 3000ppm
塩基性低分子化合物:水酸化カリウム 250ppm
水溶性高分子 :ヒドロキシエチルセルロース(分子量16万) 30ppm
(比較例2)
砥粒 :コロイダルシリカ粒子(平均粒径70nm) 3000ppm
塩基性低分子化合物:アミノエチルエタノールアミン 300ppm
研磨レートは、単位時間当たりに研磨によって除去されたウエハの厚み(μm/min)で表される。研磨によって除去されたウエハの厚みは、ウエハ重量の減少量を測定し、ウエハの研磨面の面積で割ることで算出した。
ウエハ表面の面粗れを評価するために、実施例1〜3および比較例2を用いて下記の条件で研磨を行い、研磨後のウエハ表面の表面粗さを測定した。表面粗さとしては、二乗平均粗さ(rms)を測定した。測定装置として走査型白色干渉計(商品名:Zygo Maxim GP200、Zygo社製)を用いた。
シリコンウエハ:6インチシリコンウエハ
研磨装置:枚様式研磨装置、商品名Strasbaugh20、Strasbaugh社製
研磨パッド:商品名Whitex100、ニッタ・ハース株式会社製
研磨定盤回転速度:115rpm
加圧ヘッド回転速度:100rpm
研磨荷重面圧:約15kPa(150gf/cm2)
半導体研磨用組成物の流量:300ml/min
研磨時間:6分間
リンス時間:15秒間
Claims (9)
- 砥粒、塩基性低分子化合物および窒素含有基を含む水溶性高分子化合物を含むことを特徴とする半導体研磨用組成物。
- 前記窒素含有基を含むカチオン性水溶性高分子化合物は、少なくとも主鎖および側鎖に、アミノ基、イミノ基、アミド基、イミド基、第4級アンモニウム基、ピリジン基、ピペリジン基およびピペラジン誘導体基から選ばれる1種または2種以上の高分子化合物であることを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
- 前記窒素含有基を含むカチオン性水溶性高分子化合物は、ポリアルキレンイミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリオルニチン、ポリリジン、ポリビニルピリジンおよびポリビニルピペラジンから選ばれる1種または2種以上の高分子化合物であることを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
- 前記窒素含有基を含むカチオン性水溶性高分子化合物の数平均分子量は、200以上2000000以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体研磨用組成物。
- 前記窒素含有基を含むカチオン性水溶性高分子化合物は、ポリエチレンイミンであることを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
- 前記ポリエチレンイミンの数平均分子量は、200以上50000以下であることを特徴とする請求項5記載の半導体研磨用組成物。
- 前記ポリエチレンイミンの含有量は、半導体研磨用組成物全量の10ppm以上1000ppm以下であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体研磨用組成物。
- 前記塩基性低分子化合物は、アンモニア、アルカリ金属元素の水酸化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属元素の炭酸塩、第四級アンモニウム塩、第一級アミン、第二級アミンおよび第三級アミンから選ばれる1種または2種以上の化合物であることを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
- 前記塩基性低分子化合物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、アミノエチルピペラジン、ピペラジンから選ばれる1種または2種以上の化合物であることを特徴とする請求項1記載の半導体研磨用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005196497A JP2007019093A (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | 半導体研磨用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005196497A JP2007019093A (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | 半導体研磨用組成物 |
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JP2007019093A true JP2007019093A (ja) | 2007-01-25 |
Family
ID=37756026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005196497A Pending JP2007019093A (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | 半導体研磨用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007019093A (ja) |
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