TW202120659A - 研磨組成物及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

一種研磨組成物，其包括：一研磨劑；一pH調節劑；一障壁膜移除速率增強劑；一第一低k移除速率抑制劑；一第二低k移除速率抑制劑；一含唑腐蝕抑制劑；及一鈷腐蝕抑制劑。本揭露內容亦有關於一種使用本文所述之該研磨組成物來研磨一包含鈷之基材的方法。

Description

研磨組成物及其使用方法
相關申請的交叉參考
本申請案主張2019年9月24日申請之美國臨時申請案第62/904,857號的優先權，其內容特此以全文引用之方式併入。
本發明係有關於研磨組成物及其使用方法。
發明背景
半導體工業不斷地被方法、材料及積體創新所驅動，而藉由裝置的進一步小型化來改進晶片效能。早期材料創新包括引入銅來代替鋁作為互連結構中之導電材料，且將鉭(Ta)/氮化鉭(TaN)用作擴散障壁以使Cu導電材料與非導電/絕緣體介電材料分離。銅(Cu)由於其較低電阻率及對電遷移(electro-migration)之優良耐受性而被選擇作為互連材料。
然而，隨著較新一代晶片縮小之特徵，多層Cu/障壁/介電堆疊必須更薄且更具保形性，以維持後段製程(Back End of Line，BEOL)中之有效互連電阻率。更薄的Cu及Ta/TaN障壁膜方案在沉積中具有電阻率及可撓性問題。舉例而言，在較小尺寸及高級製造節點之情況下，電阻率會呈指數性下降且電晶體電路速度(在前段製程(FEOL)處)之改進則會因來自導電Cu/障壁佈線(BEOL)之延遲而減半。鈷(Co)已成為用作襯墊材料、障壁層以及導電層的主要候選物。此外，亦在研究鈷在多種應用中作為鎢(W)金屬之替代物，該等應用諸如W金屬觸點、插塞、通孔及閘極材料。
許多目前可用的CMP漿液經特定設計以移除在早期晶片設計中更常見之材料，諸如前述銅及鎢。此等早期CMP漿液中之某些組分可能會引起鈷中之有害及不可接受的缺陷，因為鈷更易受化學腐蝕影響。因此，當在鈷層上使用銅研磨漿液時，通常會發生不可接受的腐蝕、晶圓形貌及移除速率選擇性。
隨著鈷(Co)作為金屬組件在半導體製造中之使用日益增加，存在對CMP漿液之需求，該等CMP漿液可有效地研磨含Co表面上之介電組件或障壁組件，而無顯著的Co腐蝕。
發明概要
提供此發明概要以介紹下文在實施方式中進一步描述的概念之選擇。此發明內容不意欲標識所請求標的之關鍵特徵或基本特徵，其亦不意欲用於輔助限制所請求標的之範圍。
如本文所定義，除非另外說明，否則所表示之所有百分比應理解為相對於化學機械研磨組成物之總重量的重量百分比。
在一個態樣中，本文揭示之具體例係關於一種研磨組成物，其包括研磨劑； pH調節劑；障壁膜移除速率增強劑；第一低k移除速率抑制劑；第二低k移除速率抑制劑，其不同於該第一低k移除速率抑制劑；含唑腐蝕抑制劑；及鈷腐蝕抑制劑。
在另一態樣中，本文揭示之具體例係關於一種研磨組成物，其包括研磨劑； pH調節劑；有機酸或其鹽；非離子界面活性劑；兩親媒性共聚物；含唑腐蝕抑制劑；及陰離子界面活性劑。
在又一態樣中，本文揭示之具體例係關於一種研磨基材之方法，其包括以下步驟：將如請求項1之研磨組成物塗覆至基材之表面，其中該表面包含鈷；及使一墊與該基材之該表面接觸且相對於該基材移動該墊。
將由以下載述內容及所附申請專利範圍顯而易知所請求標的之其他態樣及優點。
詳細說明
本文揭示之具體例大體上係關於組成物及使用該等組成物來研磨基材之方法，該等基材包括至少鈷部分，更特定言之，包括至少鈷及銅部分。本文所揭示之組成物可有效地抑制低k移除速率、最小化鈷襯墊損耗且減少研磨之後銅表面上觀測到的缺陷，同時仍有效地移除障壁膜(例如，Ta或TaN膜)。舉例而言，本文所揭示之組成物可尤其適用於研磨包括銅、鈷襯墊、障壁(Ta、TaN)及介電材料(TEOS、低k、超低k等)之高級節點膜。
隨著引入鈷(Co)作為障壁層、導電層及/或W替代物，市場存在對CMP漿液之需求，該等CMP漿液可以有效材料移除速率來研磨Co而不經歷顯著Co腐蝕，且在其他金屬及金屬氧化物(Cu、Ti、Ta2 O5 、TiO2 、RuO2 等)及介電膜(SiN、氧化矽、聚Si、低k介電質(例如摻碳氧化矽)等)之研磨速率方面具有一選擇性範圍。因為Co比Cu及其他貴金屬更具有化學反應性，所以防止Co腐蝕在高級節點漿液設計中極具挑戰性。當前金屬研磨漿液無法良好地研磨包括Co之表面，此係因為該等漿液在CMP處理期間遭受Co腐蝕問題。另外，一般需要在研磨期間移除一定量之Co，以在圖案化半導體基材中形成光滑表面用於後續製造過程。舉例而言，在一些製造過程期間，在移除過量銅沉積之後銅部分及鈷部分中通常存在大量凹陷。出於此原因，在後續障壁研磨步驟期間，本揭露內容之研磨組成物可經調配以高於其自襯墊及銅金屬中移除鈷之速率研磨障壁材料(Ta或TaN)，以校正先前凹陷，使得經研磨膜可具有平滑形貌。因此，本揭露內容中之研磨組成物的目標為具有適合之Co移除速率，同時有效地移除某些目標材料(諸如Ta或TaN)。
在一或多個具體例中，該研磨組成物包括研磨劑；pH調節劑；障壁膜移除速率增強劑；第一低k移除速率抑制劑；第二低k移除速率抑制劑；含唑腐蝕抑制劑；及鈷腐蝕抑制劑。在一或多個具體例中，該研磨組成物亦可包括螯合劑。在一或多個具體例中，根據本揭露內容之研磨組成物可包括約0.1重量%至約50重量%研磨劑、約0.05重量%至約10重量% pH調節劑、約0.02重量%至約4重量%障壁膜移除速率增強劑、約0.005重量%至約5重量%第一低k移除速率抑制劑、約0.005重量%至約5重量%第二低k移除速率抑制劑、約0.0001重量%至約1重量%含唑腐蝕抑制劑、約0.0001重量%至約1重量%鈷腐蝕抑制劑及剩餘重量% (例如約20重量%至約99重量%)之溶劑(例如去離子水)。在一或多個具體例中，該研磨組成物可進一步包括約0.001%至約1%之螯合劑。
在一或多個具體例中，本揭露內容提供一種濃縮的研磨組成物，其可在使用之前用水稀釋至多為二倍，或至多為四倍，或至多為六倍，或至多為八倍或至多為十倍。在其他具體例中，本揭露內容提供一種用於鈷基材上之使用點(point-of-use，POU)研磨組成物，其包含上述研磨組成物、水且任擇地包含氧化劑。
在一或多個具體例中，POU研磨組成物可包括約0.1重量%至約12重量%研磨劑、約0.05重量%至約5重量% pH調節劑、約0.02重量%至約2重量%障壁膜移除速率增強劑、約0.005重量%至約0.5重量%第一低k移除速率抑制劑、約0.005重量%至約0.5重量%第二低k移除速率抑制劑、約0.0001重量%至約0.1重量%含唑腐蝕抑制劑、約0.0001重量%至約0.1重量%鈷腐蝕抑制劑，任擇地約0.1重量%至約5重量%氧化劑及約80重量%至約99重量%溶劑(例如去離子水)。在一或多個具體例中，POU研磨組成物可進一步包括0.001%至0.1%之螯合劑。
在一或多個具體例中，濃縮的研磨組成物可包括約1重量%至約50重量%研磨劑、約0.5重量%至約10重量% pH調節劑、約0.2重量%至約4重量%障壁膜移除速率增強劑、約0.05重量%至約5重量%第一低k移除速率抑制劑、約0.05重量%至約5重量%第二低k移除速率抑制劑、約0.001重量%至約1重量%含唑腐蝕抑制劑、約0.001重量%至約1重量%鈷腐蝕抑制劑及剩餘重量% (例如約20重量%至約98.5重量%)之溶劑(例如去離子水)。在一或多個具體例中，濃縮的研磨組成物可進一步包括約0.01%至約1%之螯合劑。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)研磨劑。在一些具體例中，至少一種研磨劑選自由以下組成之群：陽離子研磨劑、實質上中性研磨劑及陰離子研磨劑。在一或多個具體例中，至少一種研磨劑選自由以下組成之群：氧化鋁、氧化矽、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯；其共形成產物(亦即氧化鋁、氧化矽、氧化鈦、氧化鈰或氧化鋯之共形成產物)；被覆研磨材(coated abrasive)、表面改質研磨劑及其混合物。在一些具體例中，至少一種研磨劑不包括氧化鈰。在一些具體例中，至少一種研磨劑為高純度的，且可具有低於約100 ppm之醇、低於約100 ppm之氨及低於約100十億分率(ppb)之鹼金屬陽離子，諸如鈉陽離子。研磨劑可以按POU研磨組成物之總重量計的約0.1%至約12% (例如，約0.5%至約10%)或其任何子範圍之量存在。
在一些具體例中，至少一種研磨劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.1重量% (例如，至少約0.5重量%、至少約1重量%、至少約2重量%、至少約4重量%、至少約5重量%、至少約10重量%、至少約12重量%、至少約15重量%或至少約20重量%)至至多約50重量% (例如，至多約45重量%、至多約40重量%、至多約35重量%、至多約30重量%、至多約25重量%、至多約20重量%、至多約15重量%、至多約12重量%、至多約10重量%或至多約5重量%)。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種) pH調節劑。在一些具體例中，該至少一種pH調節劑選自由以下組成之群：氫氧化銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銫、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、氫氧化四丁基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四甲基銨、氫氧化乙基三甲基胺、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化二甲基二丙基銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化參(2-羥基乙基)甲基銨、氫氧化膽鹼及其任何組合。
在一些具體例中，至少一種pH調節劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.05重量% (例如，至少約0.1重量%、至少約0.2重量%、至少約0.4重量%、至少約0.5重量%、至少約0.8重量%、至少約1重量%、至少約2重量%、至少約5重量%或至少約7重量%)至至多約10重量% (例如，至多約9重量%、至多約8重量%、至多約7重量%、至多約6重量%、至多約5重量%、至多約4重量%、至多約3重量%、至多約2重量%、至多約1重量%、至多約0.5重量%、至多約0.2重量%或至多約0.1重量%)。
在一些具體例中，該研磨組成物之pH值可在至少約7 (例如，至少約7.5、至少約8、至少約8.5、至少約9、至少約9.5、至少約10、至少約10.5、至少約11、至少約11.5或至少約12)至至多約14 (例如，至多約13.5、至多約13、至多約12.5、至多約12、至多約11.5、至多約11、至少約10.5、至多約10、至多約9.5或至多約9)範圍內。不希望受理論所束縛，咸信pH低於7之研磨組成物將顯著增加鈷移除速率及腐蝕，且pH高於14之研磨組成物可影響懸浮研磨劑之穩定性且將顯著增加粗糙度及降低由此類組成物研磨之膜的總體品質。為了得到所需pH，可調節本文所述之研磨組成物中成分的相對濃度。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)障壁膜移除速率增強劑。在一些具體例中，至少一種障壁膜移除速率增強劑為有機酸(諸如羧酸、胺基酸、磺酸或膦酸)或其鹽。在一些具體例中，該障壁膜移除速率增強劑可為選自由以下組成之群的有機酸或其鹽：葡萄糖酸、乳酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、乙醇酸、丙二酸、甲酸、草酸、乙酸、丙酸、過氧乙酸、丁二酸、乳酸、胺基乙酸、苯氧基乙酸、二羥乙甘胺酸(bicine)、二乙醇酸、甘油酸、麥黃酮(tricine)、丙胺酸、組胺酸、纈胺酸、苯丙胺酸、脯胺酸、麩醯胺酸、天冬胺酸、麩胺酸、精胺酸、離胺酸、酪胺酸、苯甲酸、1,2-乙二磺酸、4-胺基-3-羥基-1-萘磺酸、8-羥基喹啉-5-磺酸、胺基甲磺酸、苯磺酸、羥胺O-磺酸、甲磺酸、間二甲苯-4-磺酸、聚(4-苯乙烯磺酸)、聚茴香腦磺酸(polyanetholesulfonic acid)、對甲苯磺酸、三氟甲烷-磺酸、乙基磷酸、氰基乙基磷酸、苯基磷酸、乙烯基磷酸、聚(乙烯基膦酸)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、氮基三(甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(甲基膦酸)、N,N,N'N'-乙二胺肆(亞甲基膦酸)、正己基膦酸、苯甲基膦酸、苯基膦酸，其鹽及其混合物。不希望受理論所束縛，出人意料的為有機酸或其鹽(諸如上文所述之彼等)可用作本文所述之研磨組成物中之有效的屏障移除速率增強劑，以改進半導體基材中之障壁膜(例如Ta或TaN膜)的移除速率。
在一些具體例中，障壁膜移除速率增強劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.02重量% (例如，至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.2重量%、至少約0.4重量%、至少約0.5重量%、至少約0.6重量%、至少約0.8重量%、至少約1重量%、至少約1.5重量%、或至少約2重量%)至至多約4重量% (例如，至多約3.5重量%、至多約3重量%、至多約2.5重量%、至多約2重量%、至多約1.5重量%或至多約1重量%)。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)第一低k移除速率抑制劑。在一些具體例中，至少一種第一低k移除速率抑制劑為非離子界面活性劑。在一或多個具體例中，該非離子界面活性劑係選自由以下組成之群：醇烷氧基化物、烷基酚烷氧基化物、三苯乙烯基酚烷氧基化物、脫水山梨糖醇酯烷氧基化物、聚烷氧基化物、聚氧化烯嵌段共聚物、四羥基寡聚物、烷氧基化二胺及其混合物。在一或多個具體例中，該非離子界面活性劑為數目平均分子量為至少約1,000公克/莫耳、或至少約2,500公克/莫耳、或至少約5,000公克/莫耳、或至少約7,500公克/莫耳、或至少約10,000公克/莫耳之聚合物。在一或多個具體例中，該非離子界面活性劑為數目平均分子量為至多約1,000,000公克/莫耳，或至多約750,000公克/莫耳，或至多約500,000公克/莫耳，或至多約250,000公克/莫耳，或至多約100,000公克/莫耳之聚合物。在一或多個具體例中，烷氧基化非離子界面活性劑之烷氧基化物基團為乙氧基化物、丙氧基化物或乙氧基化物與丙氧基化物基團之組合。不希望受理論所束縛，出人意料的為非離子界面活性劑(諸如上文所述之彼等)可用作本文所述之研磨組成物中之低k移除速率抑制劑，以降低或最小化半導體基材中之低k膜(例如，摻碳氧化矽膜)的移除速率。
在一些具體例中，第一低k移除速率抑制劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.005重量% (例如，至少約0.01重量%、至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.5重量%、至少約1重量%、至少約1.5重量%、至少約2重量%或至少約3重量%)至至多約5重量% (例如，至多約4.5重量%、至多約4重量%、至多約3.5重量%、至多約3重量%、至多約2.5重量%、至多約2重量%、至多約1.5重量%、至多約1重量%、至多約0.5重量%或至多約0.1重量%)。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)第二低k移除速率抑制劑。在一些具體例中，至少一種第二低k移除速率抑制劑為兩親媒性共聚物。在一或多個具體例中，該兩親媒性共聚物為苯乙烯順丁烯二酸酐共聚物。在一或多個具體例中，兩親媒性共聚物之數目平均分子量為至少約1,000公克/莫耳(例如，至少約2,500公克/莫耳、至少約5,000公克/莫耳、至少約7,500公克/莫耳、至少約10,000公克/莫耳)至至多約200,000公克/莫耳(例如，至多約150,000公克/莫耳、至多約100,000公克/莫耳、至多約50,000公克/莫耳或至多約25,000公克/莫耳)。不希望受理論所束縛，出人意料的為兩親媒性共聚物(諸如上文所述之彼等)可在本文所述之研磨組成物中用作低k移除速率抑制劑以降低或最小化半導體基材中之低k膜(例如，摻碳氧化矽膜)的移除速率。
在一些具體例中，第二低k移除速率抑制劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.005重量% (例如，至少約0.01重量%、至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.5重量%、至少約1重量%、至少約1.5重量%、至少約2重量%或至少約3重量%)至至多約5重量% (例如，至多約4.5重量%、至多約4重量%、至多約3.5重量%、至多約3重量%、至多約2.5重量%、至多約2重量%、至多約1.5重量%、至多約1重量%、至多約0.5重量%或至多約0.1重量%)。
不希望受理論所束縛，已出人意料地發現，在本文所述之研磨組成物中包括非離子界面活性劑(亦即第一低k移除速率抑制劑)及兩親媒性共聚物(亦即第二低k移除速率抑制劑)兩者可產生協同效應，且與單獨使用時各組分之移除速率降低相加相比，可大大降低低k膜(例如，摻碳氧化矽膜)之移除速率。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)含唑腐蝕抑制劑。在一些具體例中，至少一種含唑腐蝕抑制劑係選自由以下組成之群：經取代或未經取代之三唑、經取代或未經取代之四唑、經取代或未經取代之苯并三唑、經取代或未經取代之吡唑及經取代或未經取代之咪唑。在一或多個具體例中，該含唑腐蝕抑制劑可選自由以下組成之群：三唑、1,2,4-三唑、四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、乙基苯并三唑、丙基苯并三唑、丁基苯并三唑、戊基苯并三唑、己基苯并三唑、二甲基苯并三唑、氯苯并三唑、二氯苯并三唑、氯甲基苯并三唑、氯乙基苯并三唑、苯基苯并三唑、苯甲基苯并三唑、胺基三唑、胺基苯并咪唑、胺基四唑及其混合物。不希望受理論所束縛，咸信含唑腐蝕抑制劑(諸如上文所述之彼等)可顯著減小或最小化半導體基材中之銅的移除速率。
在一些具體例中，含唑腐蝕抑制劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.0001重量% (例如，至少約0.0002重量%、至少約0.0005重量%、至少約0.001重量%、至少約0.002重量%、至少約0.005重量%、至少約0.01重量%、至少約0.02重量%、至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.2重量%或至少約0.5重量%)至至多約1重量% (例如，至多約0.8重量%、至多約0.6重量%、至多約0.5重量%、至多約0.4重量%、至多約0.2重量%、至多約0.1重量%、至多約0.05重量%、至多約0.02重量%、至多約0.01重量%或至多約0.005重量%)。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)鈷腐蝕抑制劑。在一些具體例中，至少一種鈷腐蝕抑制劑為陰離子界面活性劑。在一或多個具體例中，陰離子界面活性劑包含一或多個磷酸基及以下基團中之一或多者：六至二十四個碳烷基鏈、零至十八個環氧乙烷基或其組合。在一或多個具體例中，烷基鏈可具有至少八個碳、至少十個碳、至少十二個碳或至少十四個碳。在一或多個具體例中，烷基鏈可具有至多22個碳，或至多20個碳，或至多18個碳。不希望受理論所束縛，出人意料的為陰離子界面活性劑(諸如上文所述之彼等)可用作本文所述之研磨組成物中之鈷腐蝕抑制劑以降低或最小化半導體基材中之鈷的移除速率。
在一些具體例中，鈷腐蝕抑制劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.0001重量% (例如，至少約0.0002重量%、至少約0.0005重量%、至少約0.001重量%、至少約0.002重量%、至少約0.005重量%、至少約0.01重量%、至少約0.02重量%、至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.2重量%或至少約0.5重量%)至至多約1重量% (例如，至多約0.8重量%、至多約0.6重量%、至多約0.5重量%、至多約0.4重量%、至多約0.2重量%、至多約0.1重量%、至多約0.05重量%、至多約0.02重量%、至多約0.01重量%或至多約0.005重量%)。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可包括至少一種(例如，二種或三種)任擇的螯合劑。在一些具體例中，至少一種任擇的螯合劑可為含胺基羧酸(例如聚胺基聚羧酸)或膦酸。在一些具體例中，螯合劑選自由以下組成之群：乙二胺四乙酸、亞胺二乙酸、N-羥基乙基-乙二胺三乙酸、氮基三乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、羥基乙基乙二胺三乙酸、三伸乙基四胺六乙酸、二胺基環己烷四乙酸、氮基三甲基膦酸、乙二胺四(亞甲基膦酸)、1-羥基亞乙基-1,1,-二膦酸、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)及其組合。不希望受理論所束縛，咸信在本文所述之研磨組成物中包括螯合劑(諸如上文所述之彼等)可顯著減少或最小化在半導體基材(諸如，銅晶圓)上觀測到的缺陷。
在一些具體例中，螯合劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.001重量% (例如，至少約0.002重量%、至少約0.005重量%、至少約0.01重量%、至少約0.02重量%、至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.2重量%或至少約0.5重量%)至至多約1重量% (例如，至多約0.8重量%、至多約0.6重量%、至多約0.5重量%、至多約0.4重量%、至多約0.2重量%、至多約0.1重量%、至多約0.05重量%、至多約0.02重量%、至多約0.01重量%或至多約0.005重量%)。
當稀釋濃縮的漿液時可添加任擇的氧化劑，以形成POU漿液。該氧化劑可選自由以下組成之群：過氧化氫、過硫酸銨、硝酸銀(AgNO3 )、硝酸鐵或氯化鐵、過酸或鹽、臭氧水、鐵氰化鉀、二鉻酸鉀(potassium dichromate)、碘酸鉀、溴酸鉀、過碘酸鉀、過碘酸、三氧化二釩、次氯酸、次氯酸鈉、次氯酸鉀、次氯酸鈣、次氯酸鎂、硝酸鐵、高錳酸鉀、其他無機或有機過氧化物及其混合物。在一個具體例中，氧化劑為過氧化氫。
在一些具體例中，氧化劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.05重量% (例如，至少約0.1重量%、至少約0.2重量%、至少約0.4重量%、至少約0.5重量%、至少約1重量%、至少約1.5重量%、至少約2重量%、至少約2.5重量%、至少約3重量%、至少約3.5重量%、至少約4重量%或至少約4.5重量%)至至多約5重量% (例如，至多約4.5重量%、至多約4重量%、至多約3.5重量%、至多約3重量%、至多約2.5重量%、至多約2重量%、至多約1.5重量%、至多約1重量%、至多約0.5重量%或至多約0.1重量%)。在一些具體例中，不希望受理論束縛，咸信氧化劑可藉由與螯合劑形成金屬錯合物幫助移除金屬膜，使得金屬可在CMP處理期間移除。在一些具體例中，在不希望受理論束縛的情況下，咸信形成於金屬膜與氧化劑之間的金屬錯合物可形成鈍化層，其可保護金屬免受腐蝕。在一些具體例中，氧化劑會縮短研磨組成物之存放期。在此類具體例中，可在使用點時將氧化劑添加至研磨組成物中隨即研磨。
在一些具體例中，本文所述之研磨組成物可包括溶劑(例如，主溶劑)，諸如水。在一些具體例中，溶劑(例如水)之量為本文所述之研磨組成物的至少約20% (例如，至少約25重量%、至少約30重量%、至少約35重量%、至少約40重量%、至少約45重量%、至少約50重量%、至少約55重量%、至少約60重量%、至少約65重量%、至少約70重量%、至少約75重量%、至少約80重量%、至少約85重量%、至少約90重量%、至少約92重量%、至少約94重量%、至少約95重量%或至少約97重量%)至至多約99% (例如，至多約98重量%、至多約96重量%、至多約94重量%、至多約92重量%、至多約90重量%、至多約85重量%、至多約80重量%、至多約75重量%、至多約70重量%或至多約65重量%)。
在一或多個具體例中，任擇的次級溶劑(例如，有機溶劑)可用於本揭露內容之研磨組成物(例如，POU或濃縮的研磨組成物)中，其可幫助溶解含唑腐蝕抑制劑。在一或多個具體例中，次級溶劑可為一或多種醇、伸烷基二醇或伸烷基二醇醚。在一或多個具體例中，次級溶劑包含選自由以下組成之群的一或多種溶劑：乙醇、1-丙醇、2-丙醇、正丁醇、丙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、丙二醇丙基醚及乙二醇。
在一些具體例中，次級溶劑之量為本文所述之研磨組成物的至少約0.0025% (例如，至少約0.005重量%、至少約0.01重量%、至少約0.02重量%、至少約0.05重量%、至少約0.1重量%、至少約0.2重量%、至少約0.4重量%、至少約0.6重量%、至少約0.8重量%或至少約1重量%)至至多約2% (例如，至多約1.8重量%、至多約1.6重量%、至多約1.5重量%、至多約1.4重量%、至多約1.2重量%、至多約1重量%、至多約0.8重量%、至多約0.6重量%、至多約0.5重量%或至多約0.1重量%)。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物可實質上不含某些成分中之一或多者，諸如有機溶劑、pH調節劑、四級銨化合物(例如鹽或氫氧化物)、胺、鹼性鹼(諸如鹼金屬氫氧化物)、含氟化合物、矽烷(例如烷氧基矽烷)、亞胺(例如脒，諸如1,8-二吖雙環[5.4.0]-7-十一烯(DBU)及1,5-二吖雙環[4.3.0]壬-5-烯(DBN))、鹽(例如鹵化物鹽或金屬鹽)、聚合物(例如陽離子或陰離子聚合物)、界面活性劑(例如陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑或非離子界面活性劑)、塑化劑、氧化劑(例如，H2 O2 )、腐蝕抑制劑(例如，唑或非唑腐蝕抑制劑)及/或某些研磨劑(例如，氧化鈰研磨劑、非離子研磨劑、表面改質研磨劑或帶負電/帶正電研磨劑)。可自研磨組成物排除之鹵化物鹽包括鹼金屬鹵化物(例如鹵化鈉或鹵化鉀)或鹵化銨(例如氯化銨)，且可為氯化物、溴化物或碘化物。如本文所用，研磨組成物「實質上不含」之成分係指未有意添加至研磨組成物中之成分。在一些具體例中，本文所述之研磨組成物可具有實質上不含該研磨組成物之以上成分中之一或多者的至多約1000 ppm (例如，至多約500 ppm、至多約250 ppm、至多約100 ppm、至多約50 ppm、至多約10 ppm或至多約1 ppm)。在一些具體例中，本文所述之研磨組成物可完全不含以上成分中之一或多者。
在一或多個具體例中，本文所述之研磨組成物的氧化矽(例如TEOS)、障壁材料(例如Ta、TaN)之移除速率與Cu、Co或低k介電材料之移除速率(亦即移除速率選擇性)的比率可為至少約3:1 (例如，至少約4:1、至少約5:1、至少約10:1、至少約25:1、至少約50:1、至少約60:1、至少約75:1、至少約100:1、至少約150:1、至少約200:1、至少約250:1、或至少約300:1)至至多約1000:1 (例如，至多約500:1)。在一或多個具體例中，在量測研磨毯覆式晶圓或圖案化晶圓(例如，包括導電層、障壁層及/或介電層之晶圓)的移除速率時，上文所述之比率可為適用的。
在一或多個具體例中，當使用根據本揭露內容之研磨組成物研磨晶圓時，直徑為12吋(亦即，約300 mm)之晶圓上(例如，晶圓之銅表面上)的總缺陷數為至多800 (例如，至多700、至多600、至多500、至多400、至多300、至多250、至多200、至多150、至多100或至多50)。在一或多個具體例中，缺陷可由刮痕、有機殘餘物、粒子汙染物(例如，研磨劑)以及其組合產生。一般而言，可藉由使用雷射散射檢測系統對缺陷進行計數，且隨後藉由使用掃描電子顯微鏡(SEM)檢視拍攝的經研磨晶圓之影像來分析且分類該等缺陷。在一或多個具體例中，計數之缺陷的尺寸為至少約100奈米。
本揭露內容亦思索一種使用上述研磨組成物(例如，濃縮物或POU漿液)中之任一者的方法。在濃縮物下，該方法可包含稀釋濃縮物以形成POU漿液(例如，至少二倍)，且隨後使至少部分地包含鈷之表面與POU漿液接觸的步驟。在一些具體例中，可在稀釋之前或之後向漿液中添加氧化劑。在POU漿液下，該方法包含使至少部分地包含鈷之表面與漿液接觸的步驟。
在一或多個具體例中，本揭露內容之特徵在於一種研磨方法，其可包括將根據本揭露內容之研磨組成物塗覆至基材(例如，晶圓)，在該基材之表面上具有至少鈷；及使一墊與該基材之該表面接觸且相對於該基材移動該墊。在一些具體例中，當基材包括氧化矽及/或障壁材料(例如，Ta、TaN)中之至少一或多者時，以上方法可移除此等材料之至少一部分而不會顯著移除鈷。應注意，本文所述之術語「氧化矽」明確地意欲包括未經摻雜及經摻雜型式之氧化矽兩者。舉例而言，在一或多個具體例中，氧化矽可摻雜有選自以下之至少一種摻雜劑：碳、氮、氧、氫或任何其他已知氧化矽摻雜劑。氧化矽膜類型之一些實施例包含TEOS (原矽酸四-乙酯)、SiOC、SiOCN、SiOCH、SiOH及SiON。
在一些具體例中，使用本文所述之研磨組成物的方法可進一步包括自藉由該研磨組成物經由一或多個步驟處理之基材製造半導體裝置。舉例而言，光刻、離子植入、乾式/濕式蝕刻、電漿灰化、沉積(例如，PVD、CVD、ALD、ECD)、晶圓安裝、晶粒切割、封裝及測試可用以自藉由本文所述之研磨組成物處理的基材製造半導體裝置。
以下特定實施例僅解釋為例示性的，且以任何方式限制本揭露內容之其餘部分。無需進一步詳細描述，咸信熟習此項技術者可基於本文中之描述最大程度利用本發明。 實施例
在此等實施例中，使用AMAT Mirra CMP研磨機，Fujibo H804墊，在1.5 psi之下壓力(downforce pressure)下以120/114 rpm之壓板頭(platen head)速度及175 mL/min之漿液流速對200 mm晶圓進行研磨。
以下實施例中所用之一般組成物係顯示於下表1中。當論述各別實施例時，將進一步詳細地解釋關於所測試組成物之差異的特定細節。表1
組分 佔組成物之重量 %
pH調節劑(鹼) 0.05-5
障壁膜移除速率增強劑(有機酸) 0.02-2
低k移除速率抑制劑 0.01-1
含唑腐蝕抑制劑 0.0001-0.1
鈷腐蝕抑制劑(陰離子界面活性劑) 0.0001-0.1 (若使用)
螯合劑 0.0001-0.1 (若使用)
研磨劑(氧化矽) 0.1-12
氧化劑 0.1-5                                                           
溶劑(去離子水) 80-99
pH 7-12
實施例1
下表2顯示當使用組成物1至6研磨時，TEOS、Ta、黑金剛石1 (BD-1)及黑金剛石2 (BD-2)毯覆式晶圓之移除速率。除了下文及表2中識別之差異以外，組成物1至6含有相同濃度之相同成分。組成物1包括單聚烷氧基化物低k移除速率抑制劑(LK RRI；非離子界面活性劑)且充當對照。組成物2至6中之各者包括在若干濃度下之二種不同LK RRI (亦即烷氧基化二胺非離子界面活性劑(LK RRI-1)及兩親媒性共聚物(LK RRI-2))的組合，如表2中所示。BD-1及BD-2毯覆式晶圓係塗佈於矽晶圓上之低k介電材料(亦即，摻碳氧化矽)。
結果顯示，出人意料地，非離子界面活性劑及兩親媒性共聚物可用作低k移除速率抑制劑，且此等二種抑制劑(亦即，LK RRI-1及LK RRI-2)之組合比比LK RRI可更有效地抑制研磨速率。此外，數據顯示，隨著LK RRI-1與LK RRI-2之組合中的LK RRI-1之濃度增加，BD-1及BD-2毯覆式晶圓之低k介電材料的移除速率比TEOS及Ta之移除速率顯著降低得多，表明其等對低k移除速率之影響。表2
  比較 1 對照 1x LK RRI 比較 2 1x(LK RRI-1 + LK RRI-2) 比較 3 3x(LK RRI-1 + LK RRI-2) 比較 4 5x(LK RRI-1 + LK RRI-2) 比較 5 10x(LK RRI-1 + LK RRI-2) 比較 6 30x(LK RRI-1 + LK RRI-2)
TEOS RR (Å/min) 223 197 197 185 186 157
Ta RR (Å/min) 217 213 222 204 208 215
BD-1 RR (Å/min) 90 42 16 6 5 3
BD-2 RR (Å/min) 496 178 106 69 39 11
RR = 移除速率 實施例2
下表3顯示當使用組成物7至14研磨時，Cu、TEOS、Ta及BD-1毯覆式晶圓之移除速率。除了下文及表3中識別之差異以外，組成物7至14含有相同濃度之相同成分。組成物7使用LK RRI及苯并三唑作為銅腐蝕抑制劑(CI-1)，且充當對照。組成物8至14包括二種不同LK RRI (LK RRI-1及LK RRI-2)之組合及選自CI-1 (苯并三唑)及CI-3至CI-5 (經取代之苯并三唑)之銅腐蝕抑制劑。另外，組成物8至14亦使腐蝕抑制劑之濃度自6倍變化至25倍，如表3中所示。
二種不同LK RRI (LK RRI-1及LK RRI-2)之組合與選自CI-1及CI-3至CI-5之銅腐蝕抑制劑展現出與由組成物7達成之TEOS及Ta研磨速率類似的研磨速率及優良的Cu移除速率抑制效能(參見組成物8至14)。換言之，結果顯示，低k移除速率抑制劑及銅腐蝕抑制劑實質上不會影響TEOS及Ta之移除速率。另一方面，結果顯示包括經取代之苯并三唑可顯著降低銅移除速率(參見組成物10至14)。表3
  Cu RR (Å/min) TEOS RR (Å/min) Ta RR (Å/min) BD-1 RR (Å/min)
比較 7 對照 LK RRI 1×Cl-1 124 238 307 218
比較 8 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 6×Cl-1 127 196 275 11
比較 9 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 12×Cl-1 21 184 275 11
比較 10 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 10×Cl-3 9 199 312 7
比較 11 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 25×Cl-3 5 224 316 8
比較 12 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 6×Cl-4 7 201 271 10
比較 13 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 10×Cl-4 0 193 247 8
比較 14 5×(LK RRI-1+LK RRI-2) 10×Cl-5 0 176 220 7
實施例3
下表4顯示當使用研磨組成物15至21研磨時，Cu、Co及BD毯覆式晶圓之移除速率以及Cu晶圓上之缺陷數。除了下文及表4中識別之差異以外，組成物15至21含有相同濃度之相同成分。組成物15包括二種不同LK RRI (LK RRI 1及LK RRI 2)之組合及苯并三唑作為銅腐蝕抑制劑(CI-1)。組成物16在組成上與組成物15相同，但所用銅腐蝕抑制劑為烷基苯并三唑(CI-5)而非苯并三唑(CI-1)。此變化使得在Cu晶圓上觀測到顯著較少缺陷。
除了銅腐蝕抑制劑(CI-5)以外，組成物17亦包括磷酸類陰離子界面活性劑作為鈷腐蝕抑制劑(Co-CI)。儘管所用CI-5之量為組成物16中所用量的一半，但此添加顯著降低鈷研磨速率且出人意料地亦顯著減少在Cu晶圓上觀測到的缺陷。
組成物18至21出人意料地表明，添加螯合劑(CA)可降低鈷移除速率及在銅晶圓上觀測到的缺陷。特定言之，在組成物19中使用較高濃度胺基聚羧酸類螯合劑CA-1造成極低的鈷移除速率及優越的在銅晶圓上之缺陷減少。組成物20及21類似於組成物18及19，但使用不同及比較性的螯合劑(CA-2)。CA-2為磺酸類螯合劑，且當與組成物19中所用之CA-1相比時，未表現出在較高濃度下減少Cu晶圓上之缺陷的相同能力。表4
  Cu RR (Å/min) Co RR (Å/min) BD RR (Å/min) Cu 上的缺陷
比較 15 5.8×Cl-1 29 19 15 939
比較 16 0×CI-1 1×Cl-5 2 11 14 546
比較 17 0×CI-1 0.5×Cl-5 0.5×Co CI 22 2 15 232
比較 18 4.6×CI-1 1×CA-1 12 17 16 797
比較 19 4.6×CI-1 4×CA-1 11 3 14 85
比較 20 4.6×CI-1 1×CA-2 10 11 19 754
比較 21 4.6×CI-1 4×CA-2 11 15 32 882
實施例4
在此實施例中，在60℃下將具有鈷襯墊之銅的圖案化試片浸泡於研磨組成物22至24中之各者中持續五分鐘。除了下文及表5中識別之差異以外，組成物22至24含有相同濃度之相同成分(亦即，表1所示之所有組分)。在浸泡之後，用ICP-MS分析所得漿液以確定自圖案化試片蝕刻之鈷離子的濃度。
下表5顯示在添加Co CI之情況下研磨漿液的鈷離子濃度降低，表明在研磨期間Co CI之保護能力(參見「60℃下SER Co離子濃度」下方的欄位)。表5亦顯示自Cu或Co之測試毯覆式試片得到的電化學測試數據，其中當在含有表1中所示之所有組分(除了組成物22不包括鈷腐蝕抑制劑)的研磨漿液中量測時，比較鈷及銅之腐蝕電位(Ecorr)及對應於腐蝕電位之電流(Icorr)。一般而言，Ecorr之較高值或Icorr之較低值指示相關材料得到較好保護/鈍化。因此，可看出，包括最高量之Co CI的組成物24對鈷具有最高保護/鈍化。另外，顯示出添加Co CI不會明顯地影響銅之腐蝕電位。表5
  60 ℃ SER Co 離子濃度 (ppb) Co Ecorr. (mV) Co Icorr. (µA) Cu Ecorr. (mV) Cu Icorr. (µA)
比較 22 w/o Co CI 12.6 185.86 4.48 153.04 0.012
比較 23 w/ 0.5x Co CI 10.1 202.47 3.09 150.22 0.012
比較 24 w/ 1x Co CI 9.0 222.31 1.52 154.35 0.008
實施例5
下表6顯示當使用研磨組成物25至29研磨時，Cu、TEOS、TaN、黑金剛石1 (BD-1)及超低k (ULK)毯覆式晶圓之移除速率。除了下文及表4中識別之差異以外，組成物25至29含有相同濃度之相同成分。具體言之，組成物25不包括低k移除速率抑制劑，組成物26包括單聚烷氧基化物低k移除速率抑制劑(LK RRI)，組成物27及28僅包括LK RRI-1或LK RRI-2中之一者，且組成物29包括二種不同LK RRI (亦即烷氧基化二胺非離子界面活性劑(LK RRI-1)及兩親媒性共聚物(LK RRI-2))之組合。
結果顯示，出人意料地，非離子界面活性劑(LK RRI及LK RRI-1)及兩親媒性共聚物(LK RRI-2)可用作低k移除速率抑制劑，且LK RRI-1與LK RRI-2兩者之組合比單獨使用之比較LK RRI或LK RRI-1及LK RRI-2中之各者更有效地抑制BD-1之研磨速率。表6
  比較 25 w/o LK RRI 比較 26 1x LK RRI 比較 27 1x LK RRI-1 比較 28 1x LK RRI-2 比較 29 1x (LK RRI-1 + LK RRI-2)
Cu (Å/min) 178 158 183 187 147
TEOS (Å/min) 126 105 109 106 119
TaN (Å/min) 234 238 166 225 248
BD-1 (Å/min) 1358 53 22 30 18
ULK (Å/min) 1828 459 427 352 246
儘管上文已詳細描述了幾個例示具體例，但熟習此項技術者將易於瞭解，在不實質上脫離本發明之情況下，例示具體例中之諸多修改係可能的。因此，所有此類修改意欲包括於如以下申請專利範圍中所界定之本揭示內容之範疇內。

Claims (24)

  1. 一種研磨組成物，其包含： 一研磨劑； 一pH調節劑； 一障壁膜移除速率增強劑； 一第一低k移除速率抑制劑； 一第二低k移除速率抑制劑，其不同於該第一低k移除速率抑制劑； 一含唑腐蝕抑制劑；以及 一鈷腐蝕抑制劑。
  2. 如請求項1之研磨組成物，其中該研磨劑係選自由以下組成之群：氧化鋁、氧化矽、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯；氧化鋁、氧化矽、氧化鈦、氧化鈰或氧化鋯之共形成產物；被覆研磨材(coated abrasive)、表面改質研磨劑及其混合物。
  3. 如請求項1之研磨組成物，其中該研磨劑之量為該組成物的約0.1重量%至約50重量%。
  4. 如請求項1之研磨組成物，其中該障壁膜移除速率增強劑為選自由以下組成之群的一種有機酸或一其鹽：葡萄糖酸、乳酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、乙醇酸、丙二酸、甲酸、草酸、乙酸、丙酸、過氧乙酸、丁二酸、乳酸、乙酸鉀、檸檬酸鉀、胺基乙酸、苯氧基乙酸、二羥乙甘胺酸(bicine)、二乙醇酸、甘油酸、麥黃酮(tricine)、丙胺酸、組胺酸、纈胺酸、苯丙胺酸、脯胺酸、麩醯胺酸、天冬胺酸、麩胺酸、精胺酸、離胺酸、酪胺酸、苯甲酸、1,2-乙二磺酸、4-胺基-3-羥基-1-萘磺酸、8-羥基喹啉-5-磺酸、胺基甲磺酸、苯磺酸、羥胺O-磺酸、甲磺酸、間二甲苯-4-磺酸、聚(4-苯乙烯磺酸)、聚茴香腦磺酸(polyanetholesulfonic acid)、對甲苯磺酸、三氟甲烷-磺酸、乙基磷酸、氰基乙基磷酸、苯基磷酸、乙烯基磷酸、聚(乙烯基膦酸)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、氮基三(甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(甲基膦酸)、N,N,N'N'-乙二胺肆(亞甲基膦酸)、正己基膦酸、苯甲基膦酸、苯基膦酸，其鹽及其混合物。
  5. 如請求項1之研磨組成物，其中該障壁膜移除速率增強劑之量為該組成物的約0.02重量%至約4重量%。
  6. 如請求項1之研磨組成物，其中該第一低k移除速率抑制劑為一非離子界面活性劑。
  7. 如請求項6之研磨組成物，其中該非離子界面活性劑係選自由以下組成之群：醇烷氧基化物、烷基酚烷氧基化物、三苯乙烯基酚烷氧基化物、脫水山梨糖醇酯烷氧基化物、聚烷氧基化物、聚氧化烯嵌段共聚物、四羥基寡聚物、烷氧基化二胺及其混合物。
  8. 如請求項1之研磨組成物，其中該第一低k移除速率抑制劑之量為該組成物的約0.005重量%至約5重量%。
  9. 如請求項1之研磨組成物，其中該第二低k移除速率抑制劑為一兩親媒性共聚物。
  10. 如請求項1之研磨組成物，其中該兩親媒性共聚物為一種苯乙烯順丁烯二酸酐共聚物。
  11. 如請求項1之研磨組成物，其中該第二低k移除速率抑制劑之量為該組成物的約0.005重量%至約5重量%。
  12. 如請求項1之研磨組成物，其中該含唑腐蝕抑制劑係選自由以下組成之群：三唑、四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、乙基苯并三唑、丙基苯并三唑、丁基苯并三唑、戊基苯并三唑、己基苯并三唑、二甲基苯并三唑、氯苯并三唑、二氯苯并三唑、氯甲基苯并三唑、氯乙基苯并三唑、苯基苯并三唑、苯甲基苯并三唑、胺基三唑、胺基苯并咪唑、吡唑、咪唑、胺基四唑及其混合物。
  13. 如請求項1之研磨組成物，其中該含唑腐蝕抑制劑之量為該組成物的約0.0001重量%至約1重量%。
  14. 如請求項1之研磨組成物，其中該鈷腐蝕抑制劑為一陰離子界面活性劑。
  15. 如請求項14之研磨組成物，其中該陰離子界面活性劑包含一或多個磷酸基及以下中之一或多者：六至二十四個碳的烷基鏈、零至十八個環氧乙烷基或其組合。
  16. 如請求項1之研磨組成物，其中該鈷腐蝕抑制劑之量為該組成物的約0.0001重量%至約1重量%。
  17. 如請求項1之研磨組成物，其中該pH調節劑係選自由以下組成之群：氫氧化銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銫、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、氫氧化四丁基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四甲基銨、氫氧化乙基三甲基胺、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化二甲基二丙基銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化參(2-羥基乙基)甲基銨、氫氧化膽鹼及其任何組合。
  18. 如請求項1之研磨組成物，其中該pH調節劑之量為該組成物的約0.05重量%至約10重量%。
  19. 如請求項1之研磨組成物，其進一步包含： 選自由以下組成之群的一螯合劑：乙二胺四乙酸、亞胺二乙酸、N-羥基乙基-乙二胺三乙酸、氮基三乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、羥基乙基乙二胺三乙酸、三伸乙基四胺六乙酸、二胺基環己烷四乙酸(diaminocycloheanetetraacetic acid)、氮基三甲基膦酸、乙二胺四(亞甲基膦酸)、1-羥基亞乙基-1,1,-二膦酸、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)及其組合。
  20. 如請求項19之研磨組成物，其中該螯合劑之量為該組成物的約0.001重量%至約1重量%。
  21. 如請求項1之研磨組成物，其中該組成物包含： 該研磨劑，其量為該組成物的約0.1重量%至約50重量%； 該pH調節劑，其量為該組成物的約0.05重量%至約10重量%； 該障壁膜移除速率增強劑，其量為該組成物的約0.02重量%至約4重量%； 該第一低k移除速率抑制劑，其量為該組成物的約0.005重量%至約5重量%； 該第二低k移除速率抑制劑，其量為該組成物的約0.005重量%至約5重量%； 該含唑腐蝕抑制劑，其量為該組成物的約0.0001重量%至約1重量%；以及 該鈷腐蝕抑制劑，其量為該組成物的約0.0001重量%至約1重量%。
  22. 如請求項1之研磨組成物，其中該組成物之該pH在約7與約14之間。
  23. 一種研磨組成物，其包含： 一研磨劑； 一pH調節劑； 一種有機酸或一其鹽； 一非離子界面活性劑； 一兩親媒性共聚物； 一含唑腐蝕抑制劑；以及 一陰離子界面活性劑。
  24. 一種研磨一基材之方法，其包含以下步驟： 將如請求項1之研磨組成物塗覆至一基材之一表面，其中該表面包含鈷；以及 使一墊與該基材之該表面接觸且相對於該基材移動該墊。
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