WO2009008543A1 - 有機発光素子の製造方法 - Google Patents

有機発光素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2009008543A1
WO2009008543A1 PCT/JP2008/062776 JP2008062776W WO2009008543A1 WO 2009008543 A1 WO2009008543 A1 WO 2009008543A1 JP 2008062776 W JP2008062776 W JP 2008062776W WO 2009008543 A1 WO2009008543 A1 WO 2009008543A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electron
organic compound
derivatives
emitting device
group
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/062776
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shohgo Yamauchi
Masataka Iwasaki
Original Assignee
Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Company, Limited filed Critical Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority to US12/667,955 priority Critical patent/US20100187518A1/en
Priority to EP08778193.6A priority patent/EP2178347A4/en
Priority to CN2008800237503A priority patent/CN101690399B/zh
Publication of WO2009008543A1 publication Critical patent/WO2009008543A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an organic light emitting device.
  • An organic light-emitting element is an element including an organic compound (organic light-emitting material) that emits light by current injection from a pair of electrodes. The energy when the electrons supplied from the cathode and the holes supplied from the anode are recombined in the organic light emitting material is taken out as light.
  • an organic light-emitting device an organic light-emitting device having an organic layer containing a polymer compound is known. [For example, Non-Patent Documents 1 and 2] In this device, an organic layer can be easily formed by wet coating. This is advantageous for large area and low cost.
  • Non-Patent Document 3 As an organic light emitting device using a polymer compound, an organic light emitting device having a layer made of PED0T: PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ⁇ polystyrenesulfonic acid) in contact with an anode is known.
  • PSS poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ⁇ polystyrenesulfonic acid
  • This organic light-emitting device is manufactured by a manufacturing method including a step of forming a layer on the anode using an acidic aqueous solution containing PED0T: PSS. Etc.
  • Non-Patent Document 1 Appl. Phys. Lett., 58 (1991) pp.1982
  • Non-Patent Document 2 Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) pp.L1941
  • Non-Patent Document 3 Appl. Phys. Lett., 84 (2004) pp.921 Disclosure of the Invention
  • the organic light-emitting device manufactured by the above-described known manufacturing method is not always easy to handle PED0T: PSS used for manufacturing, and the device performance and the like are not necessarily high. not enough. There was a case.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing an organic light-emitting device that can easily provide an organic light-emitting device excellent in light emission luminance and light emission efficiency.
  • the present invention has an anode, a layer containing an electron-accepting organic compound, a hole transport layer containing an organic compound, a light-emitting layer containing a polymer compound, and a cathode in this order.
  • a method for producing an organic light-emitting device wherein the layer containing the electron-accepting organic compound is in contact with the anode and the hole transport layer,
  • a method for producing an organic light-emitting device comprising: forming a layer containing the electron-accepting organic compound using a composition containing the electron-accepting organic compound and an organic solvent and melting the film. It is to provide.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of an organic light-emitting device of the present invention.
  • An anode of an organic light emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention supplies holes to a layer containing an electron-accepting organic compound, a hole transporting layer, a light emitting layer, and the like. Yes, it is preferable to have a work function of 4.5 eV or more.
  • the material for the anode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof.
  • anode materials include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (IT0), or metals such as gold, silver, chromium, and nickel. Examples thereof include a mixture or a laminate of a metal oxide and a metal. Further, from the viewpoint of preventing a short circuit, the center line average roughness (Ra) of the anode surface on the side in contact with the layer containing the electron-accepting organic compound is
  • Ra can be measured according to JIS-B0651 to JIS-B065 6 and JIS-B0671-1, etc., based on Japanese Industrial Standard JIS JIS-B0601-2001.
  • the electron-accepting organic compound used in the layer containing the electron-accepting organic compound included in the organic light-emitting device produced by the production method of the present invention has an oxidation-reduction half-wave potential E / 2 measured under the following conditions.
  • a compound satisfying the above condition is preferable from the viewpoint of the hole injection property from the anode.
  • SCE saturated calomel electrode
  • TAA ⁇ BF4 tetraptoyl ammonium tetrafluoroborate
  • electron-accepting organic compounds include P-benzoquinone derivatives, tetracyanoquinodimethane derivatives, 1,4-mononaphthoquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorene derivatives.
  • Electron-accepting organic compounds are p-benzoquinone derivatives And at least one selected from the group consisting of tetracyanoquinodimethane derivatives.
  • diphenoquinone derivative examples include 3,3 ′, 5,5′-tetrabromo-diphenoquinone (TBDQ).
  • TCNQ Tetracyanoquinodimethane
  • Eaw the work function energy of the anode
  • LUM0 the lowest vacant molecular orbital
  • the electron-accepting organic compound has the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy of the organic compound contained in the hole transport layer as Ehl, and the lowest vacant molecule of the electron-accepting organic compound.
  • HOMO occupied molecular orbital
  • the layer containing an electron-accepting organic compound included in the organic light-emitting device produced by the production method of the present invention may contain two or more kinds of electron-accepting organic compounds, and contains an organic compound other than the electron-accepting organic compounds. You may go out.
  • organic compounds other than electron-accepting organic compounds include force rubazol derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxaziazole derivatives, imidazolyl derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, F: n Direndiamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds Porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, organic silane derivatives, and polymers containing these structures, aniline copolymers, thiophene oligomers -Conductive polymers such as polythiophene, organic conductive materials such as oligomers, polypyr
  • the hole transport layer containing an organic compound included in the organic light emitting device produced by the production method of the present invention has a function of injecting holes from the anode side layer into the light emitting layer side layer, and a function of transporting holes. As long as it has either of these.
  • the organic compound used for the hole transport layer is usually a hole transport material.
  • As the hole transporting material known materials can be appropriately selected and used.
  • Examples thereof include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxaziazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, Lazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin series Compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazol) derivatives, organosilane derivatives, polymers containing these structures, aniline copolymers, thio Examples thereof include conductive polymer oligomers such as fenoligo-oma, polythiophene, and organic conductive materials such as polypyrrole.
  • the material may be a single component or a composition comprising a plurality of components.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • Examples of hole transporting materials include JP-A 63-70257 and JP-A 63-175.
  • Examples thereof include compounds disclosed in 988, JP-A-3-37992, JP-A-3-152184, JP-A-5-263073, JP-A-6-1972, O2005 / 52027, JP-A-2006-295203, and the like.
  • a polymer containing a repeating unit containing a structure of an aromatic tertiary amine compound is preferable.
  • repeating unit including the structure of the aromatic tertiary amine compound examples include a repeating unit represented by the following general formula (1).
  • Ar Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an arylene group which may have a substituent or a divalent heterocyclic group which may have a substituent
  • Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 each independently represent an aryl group which may have a substituent or a monovalent heterocyclic group which may have a substituent
  • n and m each independently represent 0 or 1 is represented, 0 ⁇ n + m ⁇ 2.
  • Ar 1 and Ar 3 may be bonded directly or via a divalent group such as 0 or S.
  • substituents examples include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl alkyl group, an arylalkyloxy group, an arylalkylthio group, an alkenyl group, an alkynyl group.
  • Substituents are vinyl group, acetylene group, butenyl group, acrylic group, acrylate group, acrylamide group, methacryl group, methacrylate group, methacrylamide group, biether ether group, vinylamino group, silanol group, small ring (for example, Cyclopropyl group, cyclobutyl group, epoxy group, oxetane group, diketene group, episulfide group, etc.), lactone group, lactam group, or siloxane It may be a crosslinking group such as a group containing a derivative structure.
  • the crosslinking group means a substituent having a function of linking polymer chains.
  • a combination of groups capable of forming an ester bond or an amide bond for example, an ester group and an amino group, an ester group and a hydroxyl group, etc. can be used as a crosslinking group.
  • Examples of the arylene group include a phenylene group, and examples of the divalent heterocyclic group include a pyridinediyl group. These groups may have a substituent.
  • Examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group.
  • Examples of the monovalent heterocyclic group include a pyridyl group, and these groups may have a substituent.
  • Examples of the repeating unit represented by the above formula (1) include the following repeating units and repeating units formed by bonding a substituent to these.
  • the polymer containing a repeating unit containing the structure of an aromatic tertiary amine compound may further have another repeating unit.
  • Other repeating units include arylene groups such as a phenylene group and a fluorenedyl group.
  • the hole transport layer and the light-emitting layer are in contact with each other, if both layers are formed by a coating method, the previously applied layer (lower layer) dissolves in the solvent contained in the later applied layer (upper layer). Thus, it may be difficult to create a laminated structure. In this case, a method of making the lower layer solvent insoluble can be used.
  • a polymer compound having a crosslinking group As a method for making the solvent insoluble, as a material for the lower layer, a polymer compound having a crosslinking group A method in which a low molecular compound having a crosslinking group having an aromatic ring typified by an aromatic bisazide is mixed as a crosslinking agent, a low molecular compound having a crosslinking group having no aromatic ring typified by an acrylate group And a method in which the lower layer is heated and insolubilized in the solvent used to form the upper layer. When the lower layer is heated, the heating temperature is usually about 150 ° to 300 ° C., and the time is usually about 1 minute to 1 hour.
  • Another method of laminating without dissolving the lower layer is to use solutions of different polarities in adjacent layers.
  • a water-soluble polymer compound is used for the lower layer and an oil-soluble polymer compound for the upper layer.
  • the hole transporting material is a low molecular compound (low molecular hole transporting material) such as a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, a triphenyldiamine derivative, etc.
  • hole transport is performed using a vacuum deposition method.
  • a layer can be formed.
  • These low-molecular hole-transport materials can be poly (N-vinylcarbazol), polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly (p-phenylene diylene) or derivatives thereof, poly ( 2,5-Chenylenevinylene) or its derivatives, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane, etc.
  • the hole transport layer may be formed by a coating method using a mixed solution dispersed in a polymer compound that does not absorb strongly.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy of the hole transporting material contained in the hole transporting layer of the organic light emitting device of the present invention is Ehh
  • the lowest vacant molecular orbital (LU M0) energy of the electron-accepting organic compound is If Eal,
  • a hole transporting material satisfying the above conditions is preferable.
  • the light emitting layer of the organic light emitting device of the present invention is capable of injecting holes from the layer adjacent to the anode side and injecting electrons from the layer adjacent to the cathode side when an electric field is applied.
  • the organic light-emitting device of the present invention has a function of moving injected charges (electrons and holes) by the force of an electric field, a function of recombination of electrons and holes, and a function of connecting this to light emission.
  • Examples of the polymer compound contained in the light emitting layer include a polymer light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence.
  • Polymer light-emitting materials include known polymer light-emitting materials such as polyfluorene derivatives (PF), polyparaphenylenevinylene derivatives (PPV), polyphenylene derivatives (PP), polyparaphenylene derivatives (PPP), polythiophene derivatives, Conjugated polymer compounds such as polydialkylfluorene (PDAF), polyfluorene benzothiadiazole (PFBT), and polyalkylthiophene (PAT) can be suitably used.
  • PF polyfluorene derivatives
  • PV polyparaphenylenevinylene derivatives
  • PP polyphenylene derivatives
  • PPP polyparaphenylene derivatives
  • PPP polythiophene derivatives
  • Conjugated polymer compounds such as polydialkylfluorene (PDAF), polyfluorene benzothiadiazole (PFBT), and polyalkylthiophene (PAT) can be suitably used.
  • PDAF polydialkylfluorene
  • the light-emitting layer further comprises perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone, naphthenic derivatives, anthracene Or a derivative thereof, perylene or a derivative thereof, a dye such as a polymethine group, a xanthene group or a cyanine group, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, an aromatic amine, a tetraphenylcyclopentene or a derivative thereof, or An organic dye compound such as tetraphenylbutadiene or a derivative thereof may be contained.
  • polymer light emitting materials examples include WO 99 13692, WO 99/48160, GB 2340304 A, WO 00/53656, WO 01 no 19834, WOO 0/55927, GB 2348316, WO 00/46321, WO 00/06 665, W0 99/54943, WO 99/54385, US 5777070, WO 98/06773, WO 97X05184, WO 00/35987, WO 0 0/53655, WO 01/34722, WO 99/24526.
  • polymer compound contained in the light emitting layer of the organic light emitting device of the present invention examples include non-conjugated high molecular compounds [for example, polyvinyl carbazole, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, Polysulfone, Polyphenylene oxide, Polybutadiene, Poly (N-vinylcarbazole), Hydrocarbon resin, Ketone resin, Phenoxy resin, Polyamide, Ethyl cellulose, Vinyl acetate, ABS resin, Polyurethane, Melamine resin, Unsaturated polyester resin, Alkyd Resin, Epoxy resin, Silicone resin, Power rubazole derivative, Triazole derivative, Oxazole derivative, Oxadiazole derivative, Imidazol derivative, Polyarylalkane derivative, Pyrazo Derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone
  • the light emitting layer may be composed of, for example, a composition of a non-conjugated polymer compound and the organic dye compound.
  • the low molecular weight organic dye compound include compounds described in JP-A-5-7-5 1 781, JP-A-59-919493, and the like.
  • the electron injection layer and the electron transport layer that the organic light emitting device of the present invention can have are any one of a function of injecting electrons from the negative electrode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode. What is necessary is just to have.
  • materials for the electron injection layer and the electron transport layer known materials can be appropriately selected and used.
  • Examples thereof include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives. , Anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carpositimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylvirazine derivatives, naphthalene, perylene aromatic ring tetracarboxylic anhydrides, phthalocyanine derivatives, 8 —Metalin complexes of quinolinol derivatives include metal phthalocyanines, various metal complexes represented by metal complexes having benzoxazole and benzothiazole as ligands, and organosilane derivatives.
  • the electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the preferred film thickness of each organic layer in the organic light-emitting device of the present invention varies depending on the type of material and the layer structure and is not particularly limited, but in general, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes tend to occur. On the other hand, if it is too thick, a high applied voltage is required and the efficiency tends to deteriorate, so the range of several nm to 1 m is preferable.
  • the cathode of the organic light emitting device of the present invention supplies electrons to an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer and the like.
  • a material of the cathode a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, An electrically conductive compound or a mixture thereof can be used.
  • cathode materials include alkali metals (Li, Na, K, etc.) and their fluorides or oxides, alkaline earth metals (Mg, Ca, Ba, Cs, etc.) and their fluorides.
  • oxides gold, silver, lead, aluminum, alloys or mixed metals [sodium-potassium alloys, sodium-potassium mixed metals, lithium-aluminum alloys, lithium-aluminum mixed metals, magnesium-silver alloys or magnesium-silver Mixed metals, etc.], rare earth metals [indium, ytterbium, etc.], and laminates thereof.
  • alloys or mixed metals sodium-potassium alloys, sodium-potassium mixed metals, lithium-aluminum alloys, lithium-aluminum mixed metals, magnesium-silver alloys or magnesium-silver Mixed metals, etc.
  • rare earth metals indium, ytterbium, etc.
  • An anode made of indium tin oxide (IT0) is formed on a glass or plastic substrate, a layer containing an electron-accepting organic compound is formed on the surface of the anode, and a hole transport layer is formed thereon, A structure in which a light emitting layer is formed thereon and a cathode is formed thereon is desirable.
  • the production method of the present invention includes the above organic light-emitting device, that is, an anode, a layer containing an electron-accepting organic compound, a hole transport layer containing an organic compound, a light-emitting layer containing a polymer compound, and a cathode.
  • the layer containing the electron-accepting organic compound is in contact with the anode and the hole transport layer, and the layer containing the electron-accepting organic compound comprises: Using a composition containing the electron-accepting organic compound and an organic solvent Create a film and melt it to form.
  • a composition containing the electron-accepting organic compound and an organic solvent Create a film and melt it to form.
  • the organic solvent a stable solvent in which the constituent components of the layer are uniformly dissolved or dispersed can be appropriately selected from known solvents.
  • solvents examples include alcohols (methanol, ethanol, isopropyl alcohol, etc.), nitrile solvents (acetonitrile, benzonitrile, etc.), ketones (acetone, methyl edyl ketone, etc.) Organic chlorine (black mouth form, 1,2-dichloroethane, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, toluene, xylene, etc.), aliphatic hydrocarbons (normal hexane, cyclohexane, etc.), amide [Dimethylformamide, etc.] and sulfoxides [dimethylsulfoxide etc.].
  • the solvent may be a single component or a mixture of a plurality of components.
  • the electron-accepting organic compound when TCNQ or F4-TCNQ is used as the electron-accepting organic compound, acetonitrile is preferred as the organic solvent.
  • concentration of the electron-accepting organic compound in the solvent is not particularly limited, but is usually 0.5% by weight or more and 10% by weight or less.
  • the composition may contain a resin, and the resin can be dissolved in an organic solvent or dispersed.
  • the resin include non-conjugated polymers (for example, polyvinyl carbazole) and conjugated polymers (for example, polyolefin polymers).
  • the composition may contain an antioxidant, a viscosity modifier, etc. depending on the purpose.
  • a coating method [casting method, spin coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, gravure printing, screen printing, Inkjet method is preferred.
  • a film can be formed by coating the composition on a desired layer (or anode).
  • known components can be used for the discharge and reproducibility of the ink.
  • a high boiling point solvent anisole, bicyclohexylbenzene, etc.
  • anisole, bicyclohexylbenzene, etc. can be used as a component in order to suppress evaporation from the nozzle. It is preferable to select the components so that the viscosity of the solution is 1 to 10 O mPa's.
  • the atmosphere of application is not particularly limited, and may be air or an inert atmosphere.
  • the drying temperature is not particularly limited, but is in the range of about 15 to 30 ° C.
  • the drying atmosphere is not particularly limited, and may be an application atmosphere.
  • the drying time is usually about 1 to 10 minutes. In the production method of the present invention, a film is prepared using the above composition, and the film is melted.
  • Melting is usually performed by heating, but the heating temperature varies depending on the composition and is not particularly limited as long as the film is melted, but it is usually about 100 ° C to 300 t: about, for example, with acetonitrile.
  • the preferred temperature when using a composition of F4-TCNQ is 150 ° C to 250 ° C.
  • the melting time is not particularly limited as long as the prepared film is melted, but it is usually 3 to 30 minutes, for example, when using a mixed composition of acetonitrile and F4-TCNQ.
  • the time is 5 to 15 minutes.
  • the melting atmosphere is not particularly limited, and may be in air or in an inert atmosphere. After melting the membrane, cool it below the heating temperature, usually at room temperature, and return the melted and liquid phase to the solid phase. It can be confirmed by visual observation that the film has been melted, for example, by comparing the film thickness before and after melting with a stylus type step gauge.
  • the film thickness after melting is 1
  • an anode, a layer containing an electron-accepting organic compound, a hole transport layer containing an organic compound, a light-emitting layer containing a polymer compound, and a cathode are formed in this order.
  • the cathode, the light emitting layer containing the polymer compound, the hole transport layer containing the organic compound, the layer containing the electron accepting organic compound, and the anode may be formed in this order.
  • the method for forming the layer is not particularly limited, and a known method can be used.
  • the coating method [casting method, spin coat method, bar coat method, blade coat method, roll coat method, It is preferable to form a film by gravure printing, screen printing, ink jet method, etc.
  • a coating solution is prepared, and the coating solution is applied and dried on a desired layer (or electrode).
  • the coating solution may contain a resin, and the resin can be dissolved or dispersed in a solvent, and the resin includes a non-conjugated polymer (for example, polyvinyl carbazol), conjugated polymer (for example, polyolefin polymer) can be used, for example, polyvinyl chloride, poly Boneto, polystyrene, polymethyl methacrylate Ichito, polybutyl methacrylate, polyester , Polysulfone, Polyphenylene oxide, Polybutadiene, Poly (N-vinylcarbazole), Hydrocarbon resin, Ketone resin, Phenoxy resin, Polyamide, Ethyl cell mouthpiece, Vinyl acetate, ABS resin, Polyurethane, Melamine resin, Unsaturated polyester Resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, etc.
  • a non-conjugated polymer for example, polyvinyl carbazol
  • conjugated polymer for example, polyolefin polymer
  • polyvinyl chloride poly
  • the coating solution may contain an antioxidant, a viscosity modifier, etc. depending on the purpose.
  • a stable one that dissolves or disperses the components of the thin film can be appropriately selected from known solvents.
  • solvents examples include alcohols (methanol, ethanol, isopropyl alcohol, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, etc.), organic chlorines (black mouth form, 1,2-dichloroethane, etc.), aromatic Group hydrocarbons (benzene, toluene, xylene, etc.), aliphatic hydrocarbons (normal hexane, cyclohexane, etc.), amides (dimethylformamide, etc.), sulfoxides (dimethyl sulfoxide, etc.), Etc.
  • the solvent may be a single component or a mixture of a plurality of components.
  • a solvent having a high boiling point anisol, bicyclohexylbenzene, etc.
  • anisol bicyclohexylbenzene, etc.
  • a solvent that dissolves the electron-accepting organic compound is not used in a step other than the step of forming the layer containing the electron-accepting organic compound. It is preferable in that it does not attack the layer.
  • the organic light emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention uses water substantially as a solvent. Compared with a device without a layer containing an electron-accepting organic compound, the light emission luminance and the light emission efficiency are excellent. In addition, the organic light emitting device has excellent life characteristics.
  • the use of the organic light emitting device produced by the production method of the present invention is not particularly limited, but can be used for an illumination light source, a sign light source, a backlight light source, a display device, a printer head, and the like.
  • As the display device a known drive technology, drive circuit, or the like can be used to select a configuration such as a sedanment type or a dot matrix type.
  • An electron accepting organic compound solution 1 was prepared by dissolving F4-TCNQ, which is an electron accepting organic compound, in a acetonitrile solution at a weight concentration of 1%.
  • the electron-accepting organic compound solution 1 was applied and formed at a rotational speed of 2000 rpm on a glass substrate on which an IT0 anode was formed by spin coating to form an electron-accepting organic compound film.
  • the film-formed glass substrate is 180 ° C in the atmosphere 1
  • the electron-accepting organic compound film was melted by heating for 0 minute.
  • the centerline average roughness (Ra) of the IT0 anode surface measured by the method described in JIS-B0671-1 was lnm.
  • a hole transporting polymer material exemplified as P1 in TO2005 / 52027 was prepared and dissolved in a xylene solvent at a weight concentration of 0.5% to obtain a hole transporting polymer material solution 1.
  • the hole transporting polymer material solution 1 was formed on the electron-accepting organic compound film-formed glass substrate by a spin coating method so as to have a film thickness of 20 nm, thereby forming a hole transporting layer.
  • the film-formed glass substrate was heat treated with 20 (TC for 15 minutes to insolubilize the hole transport layer.
  • polymer light-emitting material 1 was prepared and dissolved in a xylene solvent at a weight concentration of 1.4. Molecular light emitting material solution 1 was obtained. Polymer light-emitting material solution 1 was formed on the glass substrate on which the hole transport layer had been formed so as to have a film thickness of 70 nm by a spin coating method to form a light-emitting layer. Here, BP361 manufactured by Samesion Co., Ltd. was used as the polymer light emitting material 1. Next, the glass substrate on which the light emitting layer had been formed was heat-treated at 130 ° C. for 45 minutes to evaporate the solvent.
  • An electron-accepting organic compound solution 1 was prepared by dissolving TCNQ, which is an electron-accepting organic compound, in a acetonitrile solvent at a weight concentration of 1%.
  • the electron-accepting organic compound solution 1 was applied onto a glass substrate on which an IT0 anode was formed at a rotational speed of 2000 mm by spin coating to form an electron-accepting organic compound film.
  • the formed glass substrate was heated in the atmosphere at 180 ° C for 10 minutes to melt the electron-accepting organic compound film.
  • Example 3 a hole transport layer and a light emitting layer were sequentially formed in the same manner as in Example 1, and after forming a cathode in the same manner as in Example 1, the organic light emitting device 2 was formed.
  • Example 3
  • the electron-accepting organic compound DDQ was dissolved in acetonitrile solvent at a weight concentration of 1 to obtain an electron-accepting organic compound solution 1.
  • the electron-accepting organic compound solution 1 was applied and formed on a glass substrate on which an ITO anode was formed at a rotational speed of 2000 rpm by a spin coating method to form an electron-accepting organic compound film.
  • the deposited glass substrate was heated in the atmosphere for 180 10 minutes to melt the electron-accepting organic compound film.
  • An organic light emitting device was produced by the same manufacturing method as in Example 1 except that no electron-accepting organic compound film was formed. Prepare a constant voltage / current power supply, and make the organic light-emitting device by applying voltage by connecting the IT0 anode of 1 to 4 to the anode of the power supply and the aluminum cathode to the cathode of the power supply. Was made to emit light.
  • Table 1 shows the luminance of each element and the maximum luminous efficiency of each element when the driving voltage is 6V. table
  • the organic light-emitting devices 1 to 3 of the present invention having an electron-accepting organic compound film have significantly higher luminance and luminous efficiency than Comparative Example 1 having no electron-accepting organic compound film.
  • the light emission luminance and the light emission efficiency of the organic light emitting device 5 measured in the same manner as in the organic light emitting devices 1 to 4 were 1210 [CdAi2] and 6.8 [Cd / A], respectively.
  • the production method of the present invention it is possible to produce an organic light emitting device having excellent light emission luminance and light emission efficiency without substantially using water as a solvent.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

陽極と、電子受容性有機化合物を含む層と、有機化合物を含む正孔輸送層と、高分子化合物を含む発光層と、陰極とをこの順に有し、該電子受容性有機化合物を含む層が該陽極および該正孔輸送層と接している有機発光素子の製造方法であって、　該電子受容性有機化合物を含む層を、該電子受容性有機化合物と有機溶媒とを含有する組成物を用いて膜を作成し、この膜を融解して形成する、有機発光素子の製造方法。

Description

明 細 書 有機発光素子の製造方法 技術分野
本発明は有機発光素子の製造方法に関する。
背景技術
有機発光素子は一対の電極からの電流注入によつて発光する有機化合物 （有機 発光材料） を含む素子である。 陰極から供給された電子と陽極から供給された正 孔が有機発光材料内で再結合する際のエネルギーを光として外部へ取り出す。 有機発光素子の例として、 高分子化合物を含む有機層を有する有機発光素子が 知られており、 [例えば、 非特許文献 1〜 2] この素子は、 湿式塗布により簡便 に有機層を形成することができるので、 大面積化や低コスト化に有利である。 高分子化合物を用いた有機発光素子として、 PED0T:PSS (ポリ（3，4一エチレン ジォキシチォフェン） ·ポリスチレンスルフォン酸） からなる層を陽極に接して 有する有機発光素子が知られている。 [例えば、 非特許文献 3]
この有機発光素子は、 PED0T:PSSを含む酸性の水溶液を用いて陽極上に層を形 成する工程を含む製造方法により製造され、 この層を有しない素子に比較して、 発光輝度、 発光効率等に優れる。
〔非特許文献 1〕 Appl. Phys. Lett., 58 (1991) pp.1982
〔非特許文献 2〕 Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) pp.L1941
〔非特許文献 3〕 Appl. Phys. Lett., 84 (2004) pp.921 発明の開示
しかしながら、 上記公知の製造方法で製造された有機発光素子は、 製造に用い る PED0T:PSSの取り扱いが必ずしも容易ではなく、 また、 素子性能等が必ずしも 十分でない。 場合があった。
本発明の目的は、 簡便に、 発光輝度、 発光効率に優れた有機発光素子を与える ことができる有機発光素子の製造方法を提供することにある。 本発明は、 陽極と、 電子受容性有機化合物を含む層と、 有機化合物を含む正孔 輸送層と、 高分子化合物を含む発光層と、 陰極とをこの順に有し、
該電子受容性有機化合物を含む層が該陽極および該正孔輸送層と接している有機 発光素子の製造方法であつて、
該電子受容性有機化合物を含む層を、 該電子受容性有機化合物と有機溶媒とを 含有する組成物を用いて膜を作成し、 この膜を融解して形成する、 有機発光素子 の製造方法を提供するものである。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の有機発光素子の構造概略図である。 発明を実施するための形態 本発明の製造方法で製造される有機発光素子が有する陽極は、 電子受容性有機 化合物を含む層、 正孔輸送性層、 発光層等に正孔を供給するものであり、 4. 5eV 以上の仕事関数を有することが好ましい。 陽極の材料としては、 金属、 合金、 金 属酸化物、 電気伝導性化合物又はこれらの混合物等が挙げられる。 陽極の材料と して、 具体的には、 酸化スズ、 酸化亜鉛、 酸化インジウム、 酸化インジウムスズ (IT0)等の導電性金属酸化物、 又は金、 銀、 クロム、 ニッケル等の金属、 さらに 導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物等が挙げられる。 また、 短絡を防止する観点から、 前記電子受容性有機化合物を含む層と接する 側の陽極表面の中心線平均粗さ （Ra) が
Ra<5nm を満たすことがましく、
Ra<2nm
を満たすことがより好ましい
Raは、 日本工業規格 JISの JIS— B0601— 2001に基いて、 JIS— B0651から JIS— B065 6および JIS— B0671— 1等に準じて計測できる。 本発明の製造方法で製造される有機発光素子が有する電子受容性有機化合物を 含む層に用いる電子受容性有機化合物は、 下記条件下で測定された酸化還元半波 電位 E /2が
≥+0.20 [V]
を満たす化合物であることが、 陽極からの正孔注入性の観点から好ましい。 条件：飽和カロメル電極（SCE), テトラプチルアンモニゥムテトラフルォロボレ ート（TBA · BF4)を 0.1 moI/L支持塩として含むァセトニトリル溶媒， 温度 20〜22 °C， 電圧揷引速度 10〜20mV/s 電子受容性有機化合物としては、 P—ベンゾキノン誘導体、 テトラシァノキノ ジメタン誘導体、 1， 4一ナフトキノン誘導体、 ジフエノキノン誘導体、 フルォレ ン誘導体等が挙げられ、 電子受容性有機化合物が、 p-ベンゾキノン誘導体および テトラシァノキノジメタン誘導体からなる群から選ばれる 1種以上であることが 好ましい。 p一べンゾキノン誘導体としては、 2, 3-ジブロロ- 5, 6-ジシァノ- p-ベンゾキノン (DDQ) = +0.56(V)]、 2， 3 -ジブ口モ- 5， 6-ジシァノ- p -べンゾキノン (DBDQ) [ E'1/2 = +0.53(V)]、 2,3-ジョード-5,6-ジシァノ- -べンゾキノン(0100) 1 1/2 = +0.51(V)]、 2,3-ジシァノ- p -べンゾキノン（Q(CN)2) 1^1/2 = +0.3400]等があ げられる。
テトラシァノキノジメタン誘導体としては、 5, 6-テトラフルォロ- 7， 7, 8, 8 -テ トラシァノキノジメタン (F4- TCNQ)^1^ = +0.60(V)]、 トリフルォロメチル-テ トラシァノキノジメタン（CF3-TCNQ) [E【1/2 = +0.43(V)]、 2，5-ジフルオロ-テト ラシァノキノジメタン (F2-TCNQ) [^1/2 = +0.40(V)]、 モノフルォ口-テトラシァ ノキノジメタン (F-TCNQ) ハ = +0.3200]、 11, 11, 12, 12-tetracyanonaphtho- 2,6-quinodimethane(TNAP) [E'!/2 = +0.26(V)]、 テトラシァノキノジメタン（TCN Q) [E'1/2 = +0.22(V)]、 デシル-テトラシァノキノジメタン（CIO- TCNQ) = +0.20CV)], 等があげられる。
1， 4-ナフトキノン誘導体としては、 2， 3-ジシァノ -5 -二トロ- 1,4-ナフトキノ XDCNNQ) [E'I/2 = +0.38(V)〕、 2， 3-ジシァノ- 1， 4-ナフトキノン（DCNQ) [E1 1/2 = +0.21(V)]、 等があげられる。
ジフエノキノン誘導体としては、 3, 3' , 5, 5' -テトラブロモ-ジフエノキノン（TBDQ )等があげられる。 フルオレン誘導体としては、 9 -ジシァノメチレン- 2， 4, 5, 7-テトラニト口-フル オレン (DTENF) [E1! = +0.2300]、 等が例示される。
中でも、 テトラシァノキノジメタン (TCNQ) [E'1/2 = +0.22(V)、 LUM0=4.5 eV] 、 2， 3， 5, 6 -テトラフルォ口- 7， 7, 8， 8-テトラシァノキノジメタン （F4-TCNQ) [E1 , /2 = +0.6(V)、 LUM 0=5.24 eV]が好ましい。 電子受容性有機化合物は、 前記陽極の仕事関数エネルギーを Eaw、 前記電子受容 性有機化合物の最低空位分子軌道 (LUM0)エネルギーを Ealとした場合に、
-0.4 [eV]≤Eal-Eaw
を満たす化合物であることが好ましい。
これを満たす陽極と電子受容性有機化合物の組合せとしては、 例えば、 IT0[Eh h=4.9 eV]と F4- TCNQ [Eal =5.24 eV]の組合せが挙げられる。 また、 電子受容性有機化合物は、 前記正孔輸送層に含まれる有機化合物の最高 被占分子軌道 (HOMO)エネルギーを Ehl 該電子受容性有機化合物の最低空位分子 軌道 (LUMO)エネルギーを Ealとした場合に、
-0. 2 [eV]≤Eal-Ehh
を満たす化合物であることが好ましい。 本発明の製造方法で製造される有機発光素子が有する電子受容性有機化合物を 含む層は、 電子受容性有機化合物を 2種以上含んでいてもよく、 電子受容性有機 化合物以外の有機化合物を含んでいてもよい。 電子受容性有機化合物以外の有機 化合物としては、 例えば、 力ルバゾ一ル誘導体、 トリァゾ一ル誘導体、 ォキサゾ ール誘導体、 ォキサジァゾール誘導体、 イミダゾ一ル誘導体、 ポリアリールアル カン誘導体、 ピラゾリン誘導体、 ピラゾロン誘導体、 フ： n二レンジァミン誘導体 、 ァリールァミン誘導体、 ァミノ置換カルコン誘導体、 スチリルアントラセン誘 導体、 フルォレノン誘導体、 ヒドラゾン誘導体、 スチルベン誘導体、 シラザン誘 導体、 芳香族第三級ァミン化合物、 スチリルァミン化合物、 芳香族ジメチリディ ン系化合物、 ポルフィリン系化合物、 ポリシラン系化合物、 ポリ （N—ビニルカ ルバゾール） 誘導体、 有機シラン誘導体、 およびこれらの構造を含む重合体、 ァニリン系共重合体、 チォフェンオリゴマー、 ポリチォフェン等の導電性高分子 オリゴマー、 ポリピロール等の有機導電性材料、 ポリ塩化ビニル、 ポリカーボ ネート、 ポリスチレン、 ポリメチルメタクリレート、 ポリプチルメタクリレート 、 ポリエステル、 ポリスルホン、 ポリフエ二レンォキシド、 ポリブタジエン、 ポ リ （ N—ビニルカルバゾール） 、 炭化水素樹脂、 ケトン樹脂、 フエノキシ樹脂、 ポリアミド、 ェチルセルロース、 酢酸ビニル、 ABS樹脂、 ポリウレタン、 メラミ ン樹脂、 不飽和ポリエステル樹脂、 アルキド樹脂、 エポキシ樹脂、 シリコン樹脂 、 ァクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物 （ 例えば、 ジペンタエリスリトールへキサァクリレート等） 等があげられる。 本発明の製造方法で製造される有機発光素子が有する有機化合物を含む正孔輸 送層は、 陽極側の層から発光層側の層に正孔を注入する機能、 正孔を輸送する機 能のいずれかを有しているものであればよい。 正孔輸送層に用いられる有機化合物は，通常正孔輸送性材料である。 正孔輸送 性材料としては公知の材料を適宜選択して使用でき、 その例としては、 カルバゾ ール誘導体、 トリァゾール誘導体、 ォキサゾール誘導体、 ォキサジァゾール誘導 体、 イミダゾール誘導体、 ポリアリールアルカン誘導体、 ピラゾリン誘導体、 ピ ラゾロン誘導体、 フエ二レンジァミン誘導体、 ァリールァミン誘導体、 アミノ置 換カルコン誘導体、 スチリルアントラセン誘導体、 フルォレノン誘導体、 ヒドラ ゾン誘導体、 スチルベン誘導体、 シラザン誘導体、 芳香族第三級ァミン化合物、 スチリルアミン化合物、 芳香族ジメチリディン系化合物、 ポルフィリン系化合物 、 ポリシラン系化合物、 ポリ (N—ビニルカルバゾ一ル) 誘導体、 有機シラン誘 導体、 およびこれらの構造を含む重合体、 ァニリン系共重合体、 チォフェンオリ ゴマ一、 ポリチォフェン等の導電性高分子オリゴマー、 ポリピロール等の有機導 電性材料が挙げられる。 前記材料は単成分であつてもあるいは複数の成分からな る組成物であってもよい。 前記正孔輸送層は、 前記材料の 1種又は 2種以上から なる単層構造であってもよいし、 同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構 造であってもよい。
正孔輸送性材料の例としては、 特開昭 63— 70257、 特開昭 63— 175
860、 特開平 2— 135359、 特開平 2— 13536 1、 特開平 2— 209
988、 特開平 3— 37992、 特開平 3— 152 184、 特開平 5— 2630 73、 特開平 6— 1 972、 O2005/52027, 特開 2006— 295203、 等に 開示される化合物があげられる。
正孔輸送性材料としては、 芳香族第三級アミン化合物の構造を含む繰返し単位 を含む重合体が好ましい。
芳香族第三級ァミン化合物の構造を含む繰り返し単位としては、 下記一般式（1 )で表される繰り返し単位があげられる。
Figure imgf000008_0001
I
Ar6 -
J m
Ar7
式中、 Ar Ar2、 Ar3及び Ar4は、 それぞれ独立に、 置換基を有していてもよいァ リーレン基または置換基を有していてもよい 2価の複素環基を表し、 Ar5、 Ar6及 び Ar7はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいァリール基または置換基を有 していてもよい 1価の複素環基を表し、 n及び mはそれぞれ独立に、 0又は 1を表し 、 0≤n+m≤2である。 さらに Ar1と Ar3が直接または、 0、 S等の 2価の基を介して 結合していてもよい。 置換基としては、 ハロゲン原子、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチ ォ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 アルケニル基、 アルキニ ル基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 ァシル基、 ァシルォキシ 基、 アミド基、 酸イミド基、 ィミン残基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 置換シ リルォキシ基、 置換シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、 シァノ基、 ニトロ基、 1 価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロァリールチオ基、 アルキル ォキシカルポニル基、 7リールォキシカルポニル基、 ァリールアルキルォキシ力 ルポニル基、 ヘテロァリールォキシカルボニル基及び力ルポキシル基などがあげ られる。 。 置換基は、 ビニル基、 アセチレン基、 ブテニル基、 アクリル基、 ァク リレート基、 アクリルアミド基、 メタクリル基、 メタクリレート基、 メタクリル アミド基、 ビエルエーテル基、 ビニルァミノ基、 シラノール基、 小員環 （たとえ ばシクロプロピル基、 シクロブチル基、 エポキシ基、 ォキセタン基、 ジケテン基 、 ェピスルフイド基等） を有する基、 ラクトン基、 ラクタム基、 又はシロキサン 誘導体の構造を含有する基等の架橋基であってもよい。
ここに、 架橋基とはポリマー鎖同士を連結する働きを有する置換基をいう。 上記の基の他に、 エステル結合やアミド結合を形成可能な基の組み合わせ （例 えばエステル基とアミノ基、 エステル基とヒドロキシル基など） なども架橋基と して利用できる。
ァリーレン基としては、 フエ二レン基等があげられ、 2価の複素環基としては 、 ピリジンジィル基等があげられ、 これらの基は置換基を有していてもよい。 ァリール基としては、 フエニル基、 ナフチル基等があげられ、 1価の複素環基 としては、 ピリジル基等があげられ、 これらの基は置換基を有していてもよい。 上記式（1)に示される繰返し単位の例としては下記の繰り返し単位、 およびこれ らに置換基が結合してなる繰り返し単位等が挙げられる。
Figure imgf000010_0001
芳香族第三級ァミン化合物の構造を含む繰返し単位を含む重合体は、 さらに他 の繰り返し単位を有していてもよい。 他の繰り返し単位としては、 フエ二レン基 、 フルオレンジィル基等のァリーレン基があげられる。
なお、 この重合体の中では、 架橋基を含んでいるものが好ましい。 正孔輸送層と発光層が接している場合に両方の層を塗布法によって形成する場 合には、 先に塗布した層 （下層） が後から塗布する層 （上層） に含まれる溶媒に 溶解して積層構造を作成するのが困難になる場合がある。 この場合には、 下層を 溶媒不溶にする方法を用いることができる。
溶媒不溶にする方法としては、 下層の材料として、 架橋基を有する高分子化合物 を用いる方法、 芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低 分子化合物を架橋剤として混合させる方法、 ァクリレート基に代表される芳香環 を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合させる方法、 下層を 加熱して上層作成に用いる溶媒に対して不溶化する方法が挙げられる。 下層を加 熱する場合の加熱の温度は通常 1 5 0 1〜 3 0 0 °C程度であり、 時間は通常 1分 〜1時間程度である。
下層を溶解させずに積層するその他の方法として、 隣り合った層に異なる極性 の溶液を用いる方法があり、 たとえば、 下層に水溶性の高分子化合物を用い、 上 層に油溶性の高分子化合物を用いて、 塗布しても下層が溶解しないようにする方 法などがある。 正孔輸送性材料が、 ピラゾリン誘導体、 ァリールァミン誘導体、 スチルベン誘 導体、 トリフエ二ルジァミン誘導体、 等の低分子化合物 （低分子正孔輸送性材料 ) の場合には、 真空蒸着法を用いて正孔輸送層を形成することができる。 これら 低分子正孔輸送性材料を、 ポリ (N—ビニルカルバゾ一ル) 、 ポリア二リン若し くはその誘導体、 ポリチォフェン若しくはその誘導体、 ポリ （p—フエ二レンビ 二レン） 若しくはその誘導体、 ポリ ( 2 , 5—チェ二レンビニレン) 若しくはそ の誘導体、 ポリカーボネート、 ポリアクリレート、 ポリメチルァクリレート、 ポ リメチルメタクリレート、 ポリスチレン、 ポリ塩化ビニル、 ポリシロキサン、 等 の電荷輸送を極度に阻害せず可視光に対する吸収が強くない高分子化合物に分散 させた混合溶液を用いて、 塗布法により正孔輸送層を形成してもよい。
本発明の有機発光素子の正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料の最高被占分子 軌道 (HOMO)エネルギーを Ehh、 前記電子受容性有機化合物の最低空位分子軌道 (LU M0)エネルギ一を Ealとした場合に、
-0. 2 [eV]≤Eal-Ehh
を満たす正孔輸送性材料が好ましい。
これを満たす正孔輸送性材料と電子受容性有機化合物の組合せとしては、 例え ば、 特開 2 0 0 6— 2 9 5 2 0 3に開示される TFB [Ehh=5. 4 eV]と F4- TCNQ [Eal=5 .24 eV]との組合せ等が挙げられる。 本発明の有機発光素子が有する発光層は、 電界を印加した際に、 陽極側に隣接 する層より正孔を注入することができ、 陰極側に隣接する層より電子を注入する ことができる機能、 注入した電荷 (電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、 電 子と正孔の再結合の場を提供し、 これを発光につなげる機能を有するものである 本発明の有機発光素子が有する発光層が含む高分子化合物としては、 蛍光ある いは燐光を発光することが可能な高分子発光材料があげられる。
高分子発光材料としては、 公知の高分子発光材料である、 ポリフルオレン誘導体 (PF), ポリパラフエ二レンビニレン誘導体 (PPV)、 ポリフエ二レン誘導体 (PP)、 ポリパラフエ二レン誘導体 (PPP)、 ポリチォフェン誘導体、 ポリジアルキルフル オレン（PDAF)、 ポリフルオレンべンゾチアジアゾール (PFBT)、 ポリアルキルチオ フェン (PAT)等の共役系高分子化合物を好適に用いることができる。 発光層は、 さらにペリレン系色素、 クマリン系色素、 ローダミン系色素、 ルブ レン、 ペリレン、 9， 10—ジフエ二ルアントラセン、 テトラフェニルブタジエン、 ナイルレッド、 クマリン 6、 キナクリドン、 ナフ夕レン誘導体、 アントラセン若 しくはその誘導体、 ペリレン若しくはその誘導体、 ポリメチン系、 キサンテン系 、 シァニン系などの色素類、 8—ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属 錯体、 芳香族ァミン、 テトラフエエルシクロペン夕ジェン若しくはその誘導体、 又はテトラフエニルブタジエン若しくはその誘導体、 などの有機色素化合物を含 有していてもよい。 高分子発光材料の例としては、 WO 99 13692、 WO 99/48160、 GB 2340304 A、 WO 00/53656、 WO 01ノ 19834、 WOO 0/55927, GB 2348316, W〇 00/46321、 WO 00/06 665、 W〇 99/54943、 WO 99/54385, US 5777070, WO 98/06773, WO 97X05184, WO 00/35987, WO 0 0/53655、 WO 01/34722, WO 99/24526. WOO 0/2 2027、 WO 00/22026、 WO 98/27136, US 573636, WO 98/21262, US 5741921, WO 97/09394、 WO 96 29356、 WO 96/10617、 EP 0707020, WO 95/079 55、 特開平 2001— 181618、 特開平 2001— 123156、 特開平 2001— 3045、 特開平 2000— 351967、 特開平 2000— 303 066、 特開平 2000— 299189、 特開平 2000— 252065、 特開 平 2000— 136379、 特開平 2000— 104057、 特開平 2000— 80167、 特開平 10— 324870、 特開平 10— 114891、 特開平 9 - 111233, 特開平 9一 45478等に開示されているポリフルオレン、 そ の誘導体及び共重合体、 ポリアリーレン、 その誘導体及び共重合体、 ポリアリー レンビニレン、 その誘導体及び共重合体、 芳香族ァミン及びその誘導体の （共） 重合体が例示される。 本発明の有機発光素子が有する発光層が含む高分子化合物としては、 非共役系高 分子化合物 [例えば、 ポリビニルカルバゾール、 ポリ塩化ビニル、 ポリカーポネ ート、 ポリスチレン、 ポリメチルメタクリレート、 ポリブチルメタクリレート、 ポリエステル、 ポリスルホン、 ポリフエ二レンォキシド、 ポリブタジエン、 ポリ ( N—ビニルカルバゾール） 、 炭化水素樹脂、 ケトン樹脂、 フエノキシ樹脂、 ポ リアミド、 ェチルセルロース、 酢酸ビエル、 ABS樹脂、 ポリウレタン、 メラミン 樹脂、 不飽和ポリエステル樹脂、 アルキド樹脂、 エポキシ樹脂、 シリコン樹脂や 、 力ルバゾール誘導体、 トリァゾール誘導体、 ォキサゾール誘導体、 ォキサジァ ゾール誘導体、 イミダゾ一ル誘導体、 ポリアリ一ルアルカン誘導体、 ピラゾリン 誘導体、 ピラゾロン誘導体、 フエ二レンジァミン誘導体、 ァリ一ルァミン誘導体 、 ァミノ置換カルコン誘導体、 スチリルアントラセン誘導体、 フルォレノン誘導 体、 ヒドラゾン誘導体、 スチルベン誘導体、 シラザン誘導体、 芳香族第三級アミ ン化合物、 スチリルァミン化合物、 芳香族ジメチリディン系化合物、 ボルフイリ ン系化合物、 ポリシラン系化合物、 ポリ （N—ビニルカルバゾール） 誘導体、 有 機シラン誘導体を含む重合体] を用いることができる。 発光層は、 例えば、 非共役系高分子化合物と前記有機色素化合物との組成物から 構成されてもよい。 低分子の有機色素化合物としては、 特開昭 5 7— 5 1 7 8 1号、 同 5 9— 1 9 4 3 9 3号公報、 等に記載されている化合物が例示される。 本発明の有機発光素子が有することができる電子注入層及び電子輸送層は、 陰 極から電子を注入する機能、 電子を輸送する機能、 陽極から注入された正孔を障 壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。 電子注入層及び電子輸送 層の材料としては、 公知の材料を適宜選択して使用できるが、 その例としてはト リアゾール誘導体、 ォキサゾール誘導体、 ォキサジァゾール誘導体、 イミダゾー ル誘導体、 フルォレノン誘導体、 アントラキノジメタン誘導体、 アントロン誘導 体、 ジフエ二ルキノン誘導体、 チォピランジオキシド誘導体、 カルポジイミド誘 導体、 フルォレニリデンメタン誘導体、 ジスチリルビラジン誘導体、 ナフタレン 、 ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、 フタロシアニン誘導体、 8—キ ノリノール誘導体の金属錯体ゃメタルフタロシアニン、 ベンゾォキサゾールやべ ンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、 有機シラン 誘導体等が挙げられる。 前記電子注入層及び前記電子輸送層は、 前記材料の 1種 又は 2種以上からなる単層構造であつてもよいし、 同一組成又は異種組成の複数 層からなる多層構造であってもよい。 本発明の有機発光素子における各有機層の好ましい膜厚は材料の種類や層構成に よって異なり特に制限されないが、 一般的には膜厚が薄すぎるとピンホール等の 欠陥が生じやすくなる傾向があり、 逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効 率が悪くなる傾向があるため、 数 nmから 1 mの範囲が好ましい。 本発明の有機発光素子が有する陰極は、 電子注入層、 電子輸送層、 発光層等に 電子を供給するものであり、 陰極の材料としては、 金属、 合金、 金属ハロゲン化 物、 金属酸化物、 電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができる。 陰極の材料の例としては、 アルカリ金属 （L i、 Na、 K、 等） 及びそのフッ化物も しくは酸化物、 アルカリ土類金属 （Mg、 Ca、 Ba、 Cs、 等） 及びそのフッ化物もし くは酸化物、 金、 銀、 鉛、 アルミニウム、 合金または混合金属類 〔ナトリウム一 カリウム合金、 ナトリウム一 カリウム混合金属、 リチウム一 アルミニウム合 金、 リチウム一アルミニウム混合金属、 マグネシウム一銀合金もしくはマグネシ ゥムー銀混合金属、 等〕 、 希土類金属 〔インジウム、 イッテルビウム、 等〕 、 さ らにこれらの積層物等が挙げられる。 本発明の製造方法で製造される有機発光素子の素子構造としては
陽極 Z電子受容性有機化合物を含む層 正孔輸送層/発光層 陰極
陽極/電子受容性有機化合物を含む層 Z正孔輸送層 Z発光層ノ電子注入層 Z陰極 陽極/電子受容性有機化合物を含む層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層 Z電子 注入層 陰極
等が挙げられ、
、 ガラスまたはプラスチック基板上にインジウムスズ酸化物 （IT0) から成る 陽極が形成され、 陽極の表面に電子受容性有機化合物を含む層が成膜され、 その 上に正孔輸送層が成膜され、 その上に発光層が成膜され、 その上に陰極が形成さ れた構造が望ましい。 本発明の製造方法は、 上述の有機発光素子、 即ち、 陽極と、 電子受容性有機化 合物を含む層と、 有機化合物を含む正孔輸送層と、 高分子化合物を含む発光層と 、 陰極とをこの順に有し、 該電子受容性有機化合物を含む層が該陽極および該正 孔輸送層と接している有機発光素子の製造方法であって、 該電子受容性有機化合 物を含む層を、 該電子受容性有機化合物と有機溶媒とを含有する組成物を用いて 膜を作成し、 この膜を融解して形成する。 本発明の製造方法に用いる、 電子受容性有機化合物と有機溶媒とを含有する組 成物が含む電子受容性有機化合物の例、 好ましい例等は、 前記のとおりである。 有機溶媒としては、 層の構成成分を均一に溶解または分散し安定なものを公知 の溶媒から適宜選択して使用できる。 このような溶媒として、 アルコール類 〔メ 夕ノール、 ェタノ一ル、 イソプロピルアルコール、 等〕 、 二トリル系溶媒 〔ァセ トニトリル、 ベンゾニトリル、 等〕 、 ケトン類 〔アセトン、 メチルエヂルケトン 、 等〕 、 有機塩素類 〔クロ口ホルム、 1， 2—ジクロロェタン、 等〕 、 芳香族炭 化水素類 〔ベンゼン、 トルエン、 キシレン等〕 、 脂肪族炭化水素類 〔ノルマルへ キサン、 シクロへキサン等〕 、 アミド類 〔ジメチルホルムアミド、 等〕 、 スルホ キシド類 〔ジメチルスルホキシド等〕 が挙げられる。 溶媒は単成分であっても複 数の成分の混合物であってもよい。
例えば電子受容性有機化合物として TCNQ或いは F4- TCNQを用いる場合には、 有機 溶媒としては、 ァセトニトリルが好ましい。 電子受容性有機化合物の溶媒に対す る濃度は特に限定されないが、 通常 0. 5重量％以上 1 0重量％以下である。 当該組成物中には樹脂を含有させてもよく、 樹脂は有機溶媒に溶解状態とするこ とも、 分散状態とすることもできる。 前記樹脂としては、 例えば、 非共役系高分 子 （例えば、 ポリビニルカルバゾール） 、 共役系高分子 （例えば、 ポリオレフィ ン系高分子） が挙げられる。 より具体的には、 例えば、 ポリ塩化ビエル、 ポリ力 ーポネート、 ポリスチレン、 ポリメチルメタクリレート、 ポリプチルメタクリレ ート、 ポリエステル、 ポリスルホン、 ポリフエ二レンォキシド、 ポリブタジエン 、 ポリ （ N—ビニルカルバゾール） 、 炭化水素樹脂、 ケトン樹脂、 フエノキシ 樹脂、 ポリアミド、 ェチルセルロース、 酢酸ビエル、 ABS樹脂、 ポリウレタン、 メラミン樹脂、 不飽和ポリエステル樹脂、 アルキド樹脂、 エポキシ樹脂、 シリコ ン樹脂等から目的に応じて選択できる。 当該組成物は、 は目的に応じて、 酸化防止剤、 粘度調整剤、 等を含有してもよい
本発明の製造方法において、 当該組成物を用いて膜を作成する方法としては、 塗布法 〔キャスティング法、 スピンコート法、 バ一コート方、 ブレードコート法 、 ロールコート法、 グラビア印刷、 スクリーン印刷、 インクジェット法等〕 が好 ましい。
前記塗布法では、 所望の層 （あるいは陽極） 上に、 当該組成物を塗布することに よって膜を形成することができる。 ィンクジエツト法においてはィンクの吐出性ならびにその再現性のために公知 の成分を用いることができる。 たとえばノズルからの蒸発を押さえるために高沸 点の溶媒 〔ァニソール、 ビシクロへキシルベンゼン等〕 を成分に用いることがで きる。 成分を選択して溶液の粘度を 1〜1 0 O mPa ' sとすることが好ましい。 塗布の雰囲気は、 特に限定されず、 空気中でも不活性雰囲気下でもよい。
塗布後、 通常は、 乾燥する。 乾燥の温度は、 特に限定されないが、 1 5〜3 0 °C 程度の範囲である。 乾燥の雰囲気は特に限定されず、 塗布の雰囲気下でよい。 乾燥の時間は、 通常 1分〜 10分程度である。 本発明の製造方法においては、 上記組成物を用いて膜を作成し、 その膜を融解 する。
融解は、 通常加熱して行うが、 加熱の温度は組成物によって異なり、 成膜した 膜が融解される温度であれば特に限定はされないが、 通常 100°C〜300t:程度で、 例えばァセトニトリルと F4- TCNQの組成物を用いる場合の好ましい温度は 150°C〜 250でである。
融解の時間は作成した膜が融解される時間であれば特に限定されないが、 通常 3分〜 30分で、 例えばァセトニトリルと F4- TCNQの混合組成物を用いる場合の好ま し 時間は 5分〜 15分である。
融解の雰囲気は特に限定されず、 空気中でも、 不活性雰囲気下でもよい。 膜を融解させたあとは 加熱の温度未満、 通常は、 室温中で冷却し、 融解され て液相になった膜を、 固相にもどす。 膜が融解されたことは、 目視によって確認できるし、 例えば、 触針式段差計な どで融解解前後の膜厚を比較することでも確認できる。 例えば、 上記したァセト 二トリルに F4-TCNQを 1重量％混合させた組成物を用いてスピンコート法によって 回転数 2000i"pmで成膜した膜の場合、 融解後の膜厚は融解前の 1/5以下になる。 本発明の製造方法においては、 陽極、 電子受容性有機化合物を含む層、 有機化 合物を含む正孔輸送層、 高分子化合物を含む発光層、 陰極とをこの順に形成して もよいし、 陰極、 高分子化合物を含む発光層、 有機化合物を含む正孔輸送層、 電 子受容性有機化合物を含む層、 陽極の順に形成してもよいが、 陽極、 電子受容性 有機化合物を含む層、 有機化合物を含む正孔輸送層、 高分子化合物を含む発光層 、 陰極の順に層を形成することが、 製造工程の簡易性の観点から好ましい。 本発明の製造方法では、 前記電子受容性有機化合物を含む層以外の各層の形成 方法は特に限定されず公知の方法を使用できるが、 製造プロセスを簡略化できる 点で、 塗布法 〔キャスティング法、 スピンコ一ト法、 バーコート方、 ブレードコ —ト法、 ロールコート法、 グラビア印刷、 スクリーン印刷、 インクジェット法、 等〕 で成膜することが好ましい。 前記塗布法では、 塗布液を調製し、 該塗布液を 所望の層 （あるいは電極） 上に、 塗布 ·乾燥することによって形成することがで きる。 塗布液中には樹脂を含有させてもよく、 樹脂は溶媒に溶解状態とすること も、 分散状態とすることもできる。 前記樹脂としては、 非共役系高分子 （例えば 、 ポリビニルカルバゾ一ル） 、 共役系高分子 （例えば、 ポリオレフイン系高分子 ) を使用することができる。 例えば、 ポリ塩化ビニル、 ポリカーボネート、 ポリ スチレン、 ポリメチルメタクリレ一ト、 ポリブチルメタクリレート、 ポリエステ ル、 ポリスルホン、 ポリフエ二レンォキシド、 ポリブタジエン、 ポリ （ N—ビニ ルカルバゾール） 、 炭化水素樹脂、 ケトン樹脂、 フエノキシ樹脂、 ポリアミド 、 ェチルセル口一ス、 酢酸ビエル、 ABS樹脂、 ポリウレタン、 メラミン樹脂、 不 飽和ポリエステル樹脂、 アルキド樹脂、 エポキシ樹脂、 シリコン樹脂等から目的 に応じて選択できる。 塗布液は目的に応じて、 酸化防止剤、 粘度調整剤、 等を含 有してもよい。 塗布液の溶媒は、 例えば、 前記電子受容性有機化合物を含む層を侵さない範囲 内で、 薄膜の成分を均一に溶解または分散し安定なものを公知の溶媒から適宜選 択して使用できる。 このような溶媒として、 アルコール類 〔メタノール、 ェタノ ール、 イソプロピルアルコール、 等〕 、 ケトン類 〔アセトン、 メチルェチルケト ン、 等〕 、 有機塩素類 〔クロ口ホルム、 1， 2—ジクロロェタン、 等〕 、 芳香族 炭化水素類 〔ベンゼン、 トルエン、 キシレン、 等〕 、 脂肪族炭化水素類 〔ノルマ ルへキサン、 シクロへキサン、 等〕 、 アミド類 〔ジメチルホルムアミド、 等〕 、 スルホキシド類 〔ジメチルスルホキシド、 等〕 、 等が挙げられる。 溶媒は単成分 であっても複数の成分の混合物であってもよい。
ィンクジエツト法においてはィンクの吐出性ならびにその再現性のために公知の 成分を用いることができる。 たとえばノズルからの蒸発を押さえるために高沸点 の溶媒 〔ァニソール、 ビシクロへキシルベンゼン、 等〕 を成分に用いることがで きる。 また成分を選択して溶液の粘度を 1〜1 0 O mPa · sとすることが好まし い。
本発明の製造方法においては、 前記電子受容性有機化合物を含む層を形成するェ 程以外の工程において、 前記電子受容性有機化合物を溶解する溶媒を使用しない ことが、 電子受容性有機化合物を含む層を侵さない点で好ましい。
特に、 正孔輸送層を形成する工程で、 前記電子受容性有機化合物を溶解する溶 媒を使用しないことが好ましい。 本発明の製造方法で製造された有機発光素子は、 溶媒として実質的に水を用い ることなく製造でき、 電子受容性有機化合物を含む層が無い素子に比較して、 発 光輝度、 発光効率に優れる。 また、 当該有機発光素子は、 寿命特性にも優れる。 本発明の製造方法で製造された有機発光素子の用途は特に制限されないが、 照 明用光源、 サイン用光源、 バックライト用光源、 ディスプレイ装置、 プリンター ヘッド、 等に用いることができる。 ディスプレイ装置としては公知の駆動技術、 駆動回路、 等を用い、 セダンメント型、 ドットマトリクス型、 等の構成を選択す ることができる。
実施例 実施例 1
本発明における有機発光素子の構造と製造方法を図 1を参照しながら以下に説明 する。
電子受容性有機化合物である F4- TCNQをァセトニトリル溶媒に重量濃度 1%で溶解 させ電子受容性有機化合物溶液 1とした。 電子受容性有機化合物溶液 1を IT0陽 極が成膜されたガラス基板上にスピンコート法により回転数 2000rpmで塗布 ·成 膜し、 電子受容性有機化合物膜とした。 成膜されたガラス基板を大気中で 180°C 1
0分間加熱して電子受容性有機化合物膜を融解させた。
なお、 JIS- B0671- 1に記載された方法で測定した、 IT0陽極表面の中心線平均粗 さ （Ra) は、 lnmであった。 ついで、 TO2005/52027に P1として例示される正孔輸送性高分子材料を準備し、 キ シレン溶媒に重量濃度 0. 5%で溶解させ正孔輸送性高分子材料溶液 1とした。 正孔 輸送性高分子材料溶液 1を前記電子受容性有機化合物成膜済ガラス基板上にスピ ンコート法によって膜厚が 20nmとなるように成膜し、 正孔輸送層とした。 成膜さ れたガラス基板を 20(TCで 15分加熱処理して正孔輸送層を不溶化させた。 ついで、 高分子発光材料 1を準備し、 キシレン溶媒に重量濃度 1. 4で溶解させ高 分子発光材料溶液 1とした。 高分子発光材料溶液 1を前記正孔輸送層成膜済ガラ ス基板上にスピンコート法によって膜厚が 70nmとなるように成膜し、 発光層とし た。 ここで高分子発光材料 1にはサメイシヨン (株)製の BP361を用いた。 ついで、 前記発光層成膜済ガラス基板を 130°Cで 45分加熱処理して溶媒を蒸発さ せた。
ついで、 前記発光層成膜済ガラス基板上に真空蒸着装置にてパリゥムを 5nm堆積 させ、 続いてアルミニウムを l OOnm堆積させ陰極とした。
ついで、 2液混合エポキシ樹脂と封止ガラス板を用いて、 前記陰極形成済ガラス 基板を封止し、 有機発光素子 1とした。 実施例 2
電子受容性有機化合物である TCNQをァセ卜ニトリル溶媒に重量濃度 1%で溶解させ 電子受容性有機化合物溶液 1とした。 電子受容性有機化合物溶液 1を IT0陽極が 成膜されたガラス基板上にスピンコート法により回転数 2000卬 mで塗布 ·成膜し 、 電子受容性有機化合物膜とした。 成膜されたガラス基板を大気中で 180°C 10分 間加熱して電子受容性有機化合物膜を融解させた。
ついで、 実施例 1と同様に正孔輸送層、 発光層を順次成膜し、 実施例 1と同様 に陰極を形成した後に封止し、 有機発光素子 2とした。 実施例 3
電子受容性有機化合物である DDQをァセトニトリル溶媒に重量濃度 1 で溶解させ 電子受容性有機化合物溶液 1とした。 電子受容性有機化合物溶液 1を I TO陽極が 成膜されたガラス基板上にスピンコート法により回転数 2000rpmで塗布 ·成膜し 、 電子受容性有機化合物膜とした。 成膜されたガラス基板を大気中で 180 10分 間加熱して電子受容性有機化合物膜を融解させた。
ついで、 実施例 1と同様に正孔輸送層、 発光層を順次成膜し、 実施例 1と同様 に陰極を形成した後に封止し、 有機発光素子 3とした。 比較例 1
電子受容性有機化合物膜を成膜しない以外は実施例 1と同様の製造方法によって 有機発光素子を作製し、 有機発光素子 4とした。 定電圧 ·電流電源を準備して、 作製された有機発光素子 1〜4の IT0陽極を電源 の陽極に、 アルミニウム陰極を電源の陰極に接続して電圧を印加し、 電流注入に よって有機発光素子を発光させた。 駆動電圧 6V時の各素子の発光輝度と各素子の 最大発光効率を表 1に示す。 表
Figure imgf000022_0001
表 1から明らかな通り、 電子受容性有機化合物膜を有する本発明の有機発光素子 1〜 3の発光輝度 ·発光効率は、 電子受容性有機化合物膜を有しない比較例 1に 対して著しく高い。
以上、 本発明の実施例を挙げたが、 本発明はこれらの実施例に限定されるもので はない。 参考例 1 ITO陽極が成膜されたガラス基板上に、 正孔注入材料水溶液をスピンコ一ト法 によって成膜し、 膜厚 60nmの正孔注入層とした。 成膜されたガラス基板を 200°C で 10分加熱処理をして正孔注入層を不溶化させた。 ここで正孔注入材料溶液には スタルクヴィテック（株）より入手可能な PED0T :PSS溶液 （ポリ（3， 4-エチレンジォ キシチォフェン） ·ポリスチレンスルフォン酸、 製品名 Baytron) を用いた。 以降、 実施例 1と同様に、 正孔輸送層、 発光層、 陰極を順次施し、 封止した素 子を有機発光素子 5とした。
有機発光素子 1〜 4と同様の方法で測定した有機発光素子 5の発光輝度、 発光 効率は順に、 1210 [CdAi2]、 6. 8 [Cd/A]であった。 産業上の利用可能性
本発明の製造方法によれば、 溶媒として実質的に水を用いることなく、 発光輝 度、 発光効率に優れた有機発光素子を製造できる。

Claims

請求の範囲
1. 陽極と、 電子受容性有機化合物を含む層と、 有機化合物を含む正孔輸送層と 、 高分子化合物を含む発光層と、 陰極とをこの順に有し、
該電子受容性有機化合物を含む層が該陽極および該正孔輸送層と接している有機 発光素子の製造方法であつて、
該電子受容性有機化合物を含む層を、 該電子受容性有機化合物と有機溶媒とを 含有する組成物を用いて膜を作成し、 この膜を融解して形成する、 有機発光素子 の製造方法。
2. 下記条件下で測定された電子受容性有機化合物の酸化還元半波電位 （E / 2 ) が
E' 1 / 2 ≥+0. 20 [V]
を満たす請求項 1に記載の有機発光素子の製造方法。 条件：飽和カロメル電極 (SCE) , テトラプチルアンモニゥムテトラフルォロボレ ート（TBA · BF4)を 0. 1 mol/L支持塩として含むァセトニトリル溶媒， 温度 20〜22 °C， 電圧揷引速度 10〜20mV/s 3. 電子受容性有機化合物が、 p -べンゾキノン誘導体およびテトラシァノキノジ メタン誘導体からなる群から選ばれる 1種以上である請求項 1または 2に記載の 有機発光素子の製造方法。
4. 電子受容性有機化合物を含む層と接する側の陽極表面の中心線平均粗さ （Ra ) が を満たす請求項 1〜 3のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
5. 電子受容性有機化合物を含む層を形成する工程以外の工程において、 電子受 容性有機化合物を溶解する溶媒を使用しない請求項 1〜 4のいずれかに記載の有 機発光素子の製造方法。
6. 請求項 1〜 5のいずれかに記載の製造方法により製造された有機発光素子。
PCT/JP2008/062776 2007-07-12 2008-07-09 有機発光素子の製造方法 WO2009008543A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/667,955 US20100187518A1 (en) 2007-07-12 2008-07-09 Method of producing organic light emitting device
EP08778193.6A EP2178347A4 (en) 2007-07-12 2008-07-09 METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHTING COMPONENT
CN2008800237503A CN101690399B (zh) 2007-07-12 2008-07-09 有机发光元件的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007182982A JP2009021104A (ja) 2007-07-12 2007-07-12 有機発光素子の製造方法
JP2007-182982 2007-07-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009008543A1 true WO2009008543A1 (ja) 2009-01-15

Family

ID=40228708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/062776 WO2009008543A1 (ja) 2007-07-12 2008-07-09 有機発光素子の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100187518A1 (ja)
EP (1) EP2178347A4 (ja)
JP (1) JP2009021104A (ja)
KR (1) KR20100058466A (ja)
CN (1) CN101690399B (ja)
TW (1) TW200915913A (ja)
WO (1) WO2009008543A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011158799A1 (ja) * 2010-06-17 2011-12-22 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
EP2549837A4 (en) * 2010-03-15 2016-05-04 Udc Ireland Ltd PROCESS FOR PREPARING AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
JP2016115885A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201202389A (en) * 2010-04-20 2012-01-16 Sumitomo Chemical Co Organic light emitting element
US9083000B2 (en) * 2011-04-29 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
US9966539B2 (en) * 2012-08-31 2018-05-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
EP3382770B1 (en) 2017-03-30 2023-09-20 Novaled GmbH Ink composition for forming an organic layer of a semiconductor
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units

Citations (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US573636A (en) 1896-12-22 Car-truck
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05263073A (ja) 1992-03-17 1993-10-12 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH061972A (ja) 1991-06-05 1994-01-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1995007955A1 (de) 1993-09-15 1995-03-23 Hoechst Aktiengesellschaft Verwendung von polymeren mit isolierten chromophoren als elektrolumineszenzmaterialien
WO1996010617A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(paraphenylenvinylen)-derivate und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
EP0707020A2 (de) 1994-10-14 1996-04-17 Hoechst Aktiengesellschaft Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
WO1996029356A2 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Hoechst Aktiengesellschaft OLIGO-p-PHENYLEN-EINHEITEN ENTHALTENDE POLYMERE, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE IHRE VERWENDUNG
WO1997005184A1 (en) 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1997009394A1 (de) 1995-09-04 1997-03-13 Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
JPH09111233A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH09120890A (ja) * 1995-10-27 1997-05-06 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
WO1998006773A1 (en) 1996-08-13 1998-02-19 The Dow Chemical Company Poly(arylamines) and films thereof
US5741921A (en) 1994-11-25 1998-04-21 Hoechst Aktiengesellschaft Conjugated polymers containing hetero-spiro atoms and their use as electroluminescence materials
JPH10114891A (ja) 1996-08-21 1998-05-06 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998021262A1 (de) 1996-11-13 1998-05-22 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Geordnete poly(arylenvinylen)-terpolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
WO1998027136A1 (de) 1996-12-16 1998-06-25 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg ARYLSUBSTITUIERTE POLY(p-ARYLENVINYLENE), VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTROLUMINESZENZBAUELEMENTEN
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999013692A1 (en) 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Limited SELF-ASSEMBLED TRANSPORT LAYERS FOR OLEDs
WO1999024526A1 (de) 1997-11-05 1999-05-20 Axiva Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzelementen
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999054943A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO2000006665A1 (en) 1998-07-28 2000-02-10 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
JP2000080167A (ja) 1997-07-22 2000-03-21 Sumitomo Chem Co Ltd 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000104057A (ja) 1998-07-27 2000-04-11 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および高分子発光素子
WO2000022027A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere enthaltend 2,7-fluorenyleinheiten mit verbesserten eigenschaften
WO2000022026A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere, enthaltend spezielle fluoren-bausteine mit verbesserten eigenschaften
JP2000136379A (ja) 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2000035987A1 (de) 1998-12-15 2000-06-22 Celanese Ventures Gmbh Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
WO2000053655A1 (de) 1998-02-13 2000-09-14 Celanese Ventures Gmbh Triptycen-polymere und -copolymere
WO2000053656A1 (en) 1999-03-05 2000-09-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
JP2000252065A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子
WO2000055927A1 (en) 1999-03-12 2000-09-21 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
JP2000299189A (ja) 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子ならびにそれを用いた表示装置および面状光源
JP2000303066A (ja) 1999-04-21 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2000351967A (ja) 1999-04-09 2000-12-19 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001003045A (ja) 1999-04-21 2001-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001019834A1 (en) 1999-09-16 2001-03-22 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
JP2001123156A (ja) 1999-08-03 2001-05-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001034722A1 (de) 1999-11-09 2001-05-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2001181618A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子
JP2002056985A (ja) * 2000-05-29 2002-02-22 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2002203674A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003157981A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びそのドーパント層の形成方法
WO2005052027A1 (en) 2003-11-17 2005-06-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Crosslinkable arylamine compounds and conjugated oligomers of polymers based thereon
JP2006073636A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Japan Science & Technology Agency フレキシブル透明有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006216858A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Institute Of Physical & Chemical Research 有機ｅｌ素子
JP2006244917A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Pioneer Electronic Corp 塗布液被塗布材の製造方法
JP2007042729A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007049153A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh エレクトロルミネセンスデバイスおよびエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法
JP2007162009A (ja) * 2005-11-18 2007-06-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2007518220A (ja) * 2004-05-11 2007-07-05 エルジー・ケム・リミテッド 有機電気素子

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3153537B2 (ja) * 1988-03-29 2001-04-09 株式会社東芝 有機薄模素子
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP2004095388A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Pioneer Electronic Corp 有機ｅｌ素子
US6765349B2 (en) * 2002-09-30 2004-07-20 Eastman Kodak Company High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices
KR100991112B1 (ko) * 2002-12-19 2010-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
JP2004265623A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Denso Corp 有機電界発光素子
JP5092199B2 (ja) * 2004-02-02 2012-12-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2005089024A1 (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Mitsubishi Chemical Corporation 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法
TWI252051B (en) * 2004-03-31 2006-03-21 Fujitsu Ltd Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device
EP1624502B1 (en) * 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
JP5023598B2 (ja) * 2005-08-26 2012-09-12 株式会社デンソー 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
CN100487949C (zh) * 2005-12-28 2009-05-13 华东师范大学 有机发光二极管元件的制作方法
US7955889B1 (en) * 2006-07-11 2011-06-07 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
US8044390B2 (en) * 2007-05-25 2011-10-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display

Patent Citations (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US573636A (en) 1896-12-22 Car-truck
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH061972A (ja) 1991-06-05 1994-01-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05263073A (ja) 1992-03-17 1993-10-12 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1995007955A1 (de) 1993-09-15 1995-03-23 Hoechst Aktiengesellschaft Verwendung von polymeren mit isolierten chromophoren als elektrolumineszenzmaterialien
WO1996010617A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(paraphenylenvinylen)-derivate und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
EP0707020A2 (de) 1994-10-14 1996-04-17 Hoechst Aktiengesellschaft Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
US5741921A (en) 1994-11-25 1998-04-21 Hoechst Aktiengesellschaft Conjugated polymers containing hetero-spiro atoms and their use as electroluminescence materials
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1996029356A2 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Hoechst Aktiengesellschaft OLIGO-p-PHENYLEN-EINHEITEN ENTHALTENDE POLYMERE, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE IHRE VERWENDUNG
WO1997005184A1 (en) 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
WO1997009394A1 (de) 1995-09-04 1997-03-13 Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
JPH09111233A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH09120890A (ja) * 1995-10-27 1997-05-06 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
WO1998006773A1 (en) 1996-08-13 1998-02-19 The Dow Chemical Company Poly(arylamines) and films thereof
JPH10114891A (ja) 1996-08-21 1998-05-06 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998021262A1 (de) 1996-11-13 1998-05-22 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Geordnete poly(arylenvinylen)-terpolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
WO1998027136A1 (de) 1996-12-16 1998-06-25 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg ARYLSUBSTITUIERTE POLY(p-ARYLENVINYLENE), VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTROLUMINESZENZBAUELEMENTEN
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000080167A (ja) 1997-07-22 2000-03-21 Sumitomo Chem Co Ltd 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999013692A1 (en) 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Limited SELF-ASSEMBLED TRANSPORT LAYERS FOR OLEDs
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
WO1999024526A1 (de) 1997-11-05 1999-05-20 Axiva Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzelementen
WO2000053655A1 (de) 1998-02-13 2000-09-14 Celanese Ventures Gmbh Triptycen-polymere und -copolymere
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP2006295203A (ja) 1998-03-13 2006-10-26 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO1999054943A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
JP2000136379A (ja) 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000104057A (ja) 1998-07-27 2000-04-11 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および高分子発光素子
WO2000006665A1 (en) 1998-07-28 2000-02-10 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
WO2000022027A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere enthaltend 2,7-fluorenyleinheiten mit verbesserten eigenschaften
WO2000022026A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere, enthaltend spezielle fluoren-bausteine mit verbesserten eigenschaften
WO2000035987A1 (de) 1998-12-15 2000-06-22 Celanese Ventures Gmbh Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2000299189A (ja) 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子ならびにそれを用いた表示装置および面状光源
JP2000252065A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子
WO2000053656A1 (en) 1999-03-05 2000-09-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
WO2000055927A1 (en) 1999-03-12 2000-09-21 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
JP2000351967A (ja) 1999-04-09 2000-12-19 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2000303066A (ja) 1999-04-21 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001003045A (ja) 1999-04-21 2001-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001123156A (ja) 1999-08-03 2001-05-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001019834A1 (en) 1999-09-16 2001-03-22 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
WO2001034722A1 (de) 1999-11-09 2001-05-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2001181618A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子
JP2002056985A (ja) * 2000-05-29 2002-02-22 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2002203674A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003157981A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びそのドーパント層の形成方法
WO2005052027A1 (en) 2003-11-17 2005-06-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Crosslinkable arylamine compounds and conjugated oligomers of polymers based thereon
JP2007518220A (ja) * 2004-05-11 2007-07-05 エルジー・ケム・リミテッド 有機電気素子
JP2006073636A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Japan Science & Technology Agency フレキシブル透明有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006216858A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Institute Of Physical & Chemical Research 有機ｅｌ素子
JP2006244917A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Pioneer Electronic Corp 塗布液被塗布材の製造方法
JP2007042729A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007049153A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh エレクトロルミネセンスデバイスおよびエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法
JP2007162009A (ja) * 2005-11-18 2007-06-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APPL. PHYS. LETT., vol. 58, 1991, pages 1982
APPL. PHYS. LETT., vol. 84, 2004, pages 921
JPN. J. APPL. PHYS., vol. 30, 1991, pages 1941
See also references of EP2178347A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2549837A4 (en) * 2010-03-15 2016-05-04 Udc Ireland Ltd PROCESS FOR PREPARING AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
WO2011158799A1 (ja) * 2010-06-17 2011-12-22 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
JP2012003947A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2016115885A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100187518A1 (en) 2010-07-29
EP2178347A1 (en) 2010-04-21
EP2178347A4 (en) 2014-08-27
JP2009021104A (ja) 2009-01-29
CN101690399B (zh) 2012-12-05
TW200915913A (en) 2009-04-01
CN101690399A (zh) 2010-03-31
KR20100058466A (ko) 2010-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Huang et al. Crosslinkable hole-transporting materials for solution processed polymer light-emitting diodes
US7772761B2 (en) Organic electrophosphorescence device having interfacial layers
JP5655666B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および電子注入輸送層用塗工液
WO2009008543A1 (ja) 有機発光素子の製造方法
US7781959B2 (en) Organic electroluminescent device and production method thereof
JP5499482B2 (ja) 有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明
WO2013018850A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2017216557A1 (en) Methods for the production of organic electronic devices
WO2011087058A1 (ja) 高分子発光素子
JP6661272B2 (ja) 有機ｅｌ素子
CN101248543A (zh) 有机电致发光元件、其制备方法和用途
JP2010183010A (ja) 有機電界発光素子用組成物、有機薄膜、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
WO2022163199A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、並びにそれを具備した照明装置、表示装置及び印刷造形物
KR101883770B1 (ko) 유기 전계 발광 소자용 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
Andreopoulou et al. Organic Light‐emitting Diodes Based on Solution‐Processable Organic Materials
JP2009205985A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4835467B2 (ja) 有機発光素子およびその製造方法
US20170229672A1 (en) Organic light emitting devices and methods of making them
JP2008277506A (ja) 有機発光素子
JP2004296226A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法
JP2008282957A (ja) 有機発光素子
JP2022116901A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、並びにそれを具備した照明装置、表示装置及び印刷造形物
JP2010183009A (ja) 有機電界発光素子用組成物、有機薄膜、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
JP2005150098A (ja) 正孔輸送材料、層、有機エレクトロルミネッセンス素子および正孔輸送材料の精製方法
JP2009146972A (ja) 有機発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880023750.3

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08778193

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12667955

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008778193

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107002877

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A