JP2012003947A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】全ての有機ＥＬ素子に共通する構成の有機ＥＬ層を全面に形成する場合に、隔壁の撥液性の低下を抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、支持基板上において予め設定される区画を画定する隔壁と、隔壁によって画定される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子とを備える発光装置の製造方法であって、前記隔壁および前記第１電極がそのうえに形成された前記支持基板を用意する工程と、前記第１の有機ＥＬ層となる材料からなるＥＬ層用薄膜を、前記複数の有機ＥＬ素子が設けられる表示領域に全面に亘って形成し、このＥＬ層用薄膜をさらに薄膜化することによって第１の有機ＥＬ層を形成する工程と、前記第２の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを、前記隔壁によって画定される領域に供給し、さらにこれを固化することによって第２の有機ＥＬ層を形成する工程と、第２電極を形成する工程とを含む、発光装置の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は発光装置の製造方法および発光装置に関する。
表示装置にはその構成や原理を異にする種々の装置がある。そのひとつとして現在、画素の光源に有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を利用した表示装置が実用化されつつある。
たとえばカラー表示装置では、３種類の有機ＥＬ素子が支持基板上に設けられる。すなわち（１）赤色の光を出射する赤色有機ＥＬ素子、（２）緑色の光を出射する緑色有機ＥＬ素子、および（３）青色の光を出射する青色有機ＥＬ素子が、それぞれ支持基板上に設けられる。支持基板上には通常、所定の区画を画定する隔壁が設けられており、上記３種類の有機ＥＬ素子は、この隔壁によって画定される区画（すなわち隔壁に囲まれた領域）にそれぞれ整列して配置されている。
有機ＥＬ素子は、一対の電極と、この電極間に設けられる１または複数の有機ＥＬ層とから構成され、隔壁に囲まれた領域にこれら一対の電極と有機ＥＬ層とを順次積層することによって形成される。なお有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層として少なくとも発光層を備える。
上述の有機ＥＬ層はたとえば塗布法によって形成することができる。図５を参照して有機ＥＬ層の形成方法について説明する。図５（１）に示すようにまず有機ＥＬ層１８となる材料を含むインキ１７を、隔壁１３に囲まれた領域１５に供給する。供給されたインキ１７は隔壁１３に囲まれた領域１５に収容され（図５（２）参照）る。そしてインキ１７の溶媒が気化することによって有機ＥＬ層１８が形成される（図５（３）参照）。なお隔壁１３がインキ１７に対して親液性を示す場合、隔壁１３に囲まれた領域に供給されたインキが、隔壁１３表面を伝わって、隣の領域に溢れ出ることがある。そのため支持基板１２上には一般にある程度撥液性を示す隔壁１３が設けられている（たとえば特許文献１参照。）。
上述の３種類の有機ＥＬ素子は有機ＥＬ層の層構成が異なる。たとえば有機ＥＬ層の１つである発光層は、当該発光層を構成する発光材料が素子の種類ごとに異なる。発光層のように、有機ＥＬ素子の種類ごとにその構成が異なる有機ＥＬ層は、有機ＥＬ素子の種類に応じてそれぞれ所定の区画に作り分ける必要がある。そのため有機ＥＬ層を形成する際には、隔壁に囲まれた所定の領域に、それぞれ種類の異なるインキを選択的に供給する必要が生じる。
他方、全ての有機ＥＬ素子に共通する構成の有機ＥＬ層（以下、共通層ということがある）は素子の種類に応じて作り分ける必要がないため、この共通層を支持基板上の全面に形成することも考えられる。たとえば正孔注入層と呼称される有機ＥＬ層は、共通層１９として３種類の有機ＥＬ素子に共通して設けられることがある（図６（１）参照）。この正孔注入層は、たとえばインキを支持基板上の全面に供給し、さらにこれを固化することによって形成することができる。このように共通層を全面に形成することによって、インキを選択的に供給する場合に比べて、共通層の形成工程を簡略化することができる。
特開２００２−３３４７８２号公報
図６は全面に共通層１９を形成した後に、さらに別の有機ＥＬ層を形成する工程を示す図である。共通層１９を全面に形成する場合、共通層１９によって隔壁１３が被覆される（図６（１）参照）。この共通層１９の存在によって、隔壁１３の表面のインキに対する性質が変化することがある。そのため、たとえ撥液性を示す隔壁１３を形成したとしても、共通層１９を全面に形成することによって、隔壁１３上の表面が親液性を示すように変化することある。そうすると、異なる種類のインキ１７をそれぞれ所定の区画に供給する際に（図６（２）参照）、供給されたインキが隔壁１３表面を伝わって隣の領域に溢れ出し、異なる種類のインキが混ざり合うことがある（図６（３）参照）。その結果としてたとえば意図した色とは異なる色の光を出射する有機ＥＬ素子が形成されるおそれがある。
したがって本発明の目的は、全ての有機ＥＬ素子に共通する構成の有機ＥＬ層を全面に形成する場合に、隔壁の撥液性の低下を抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供することにある。
本発明は、支持基板と、支持基板上において予め設定される区画を画定する隔壁と、隔壁によって画定される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子とを備える発光装置であり、前記有機ＥＬ素子が、第１電極、第１の有機ＥＬ層、第２の有機ＥＬ層および第２電極がこの順で支持基板上に積層されて構成される、発光装置の製造方法であって、
前記隔壁および前記第１電極がそのうえに形成された前記支持基板を用意する工程と、
前記第１の有機ＥＬ層となる材料からなるＥＬ層用薄膜を、前記複数の有機ＥＬ素子が設けられる表示領域に全面に亘って形成し、このＥＬ層用薄膜をさらに薄膜化することによって第１の有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記第２の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを、前記隔壁によって画定される領域に供給し、さらにこれを固化することによって第２の有機ＥＬ層を形成する工程と、
第２電極を形成する工程とを含む、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、前記ＥＬ層用薄膜を薄膜化することによって、膜厚が１０ｎｍ以下の第１の有機ＥＬ層を形成する、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、前記第１の有機ＥＬ層となる材料が、昇華性を示す材料であり、前記ＥＬ層用薄膜を加熱することによって前記ＥＬ層用薄膜の薄膜化を行う、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、前記第１の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを、支持基板上に供給することによって、前記ＥＬ層用薄膜を形成する、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、前記第１の有機ＥＬ層となる材料が、電子受容性を示す材料である、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、前記電子受容性を示す材料が、ｐ−ベンゾキノン誘導体およびテトラシアノキノジメタン誘導体からなる群から選択される１種以上の材料である、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、シート抵抗が５００Ω／□以上の第１の有機ＥＬ層を形成する、発光装置の製造方法に関する。
また本発明は、前記発光装置の製造方法によって製造された発光装置に関する。
本発明によれば、隔壁の撥液性の低下を抑制して、全ての有機ＥＬ素子に共通する構成の有機ＥＬ層を全面に形成することができる。そのため隔壁に囲まれた領域にインキを供給することによって、供給されたインキが、隔壁で隔てられた隣の領域に流出することを防ぐことができる。
発光装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図である。 発光装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。発 第１の有機ＥＬ層７を形成する工程を説明するための図である。 正孔輸送層８、第２の有機ＥＬ層９および陰極を形成する工程を説明するための図である。 有機ＥＬ層を形成する工程を説明するための図である。 有機ＥＬ層を形成する工程を説明するための図である。
本発明の発光装置の製造方法は、支持基板と、支持基板上において予め設定される区画を画定する隔壁と、隔壁によって画定される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子とを備える発光装置であり、前記有機ＥＬ素子が、第１電極、第１の有機ＥＬ層、第２の有機ＥＬ層および第２電極がこの順で支持基板上に積層されて構成される、発光装置の製造方法であって、前記隔壁および第１電極がそのうえに形成された前記支持基板を用意する工程と、前記第１の有機ＥＬ層となる材料からなるＥＬ層用薄膜を、前記複数の有機ＥＬ素子が設けられる表示領域に全面に亘って形成し、つぎに前記ＥＬ層用薄膜をさらに薄膜化することによって第１の有機ＥＬ層を形成する工程と、前記第２の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを、前記隔壁によって画定される領域に供給し、さらにこれを固化することによって第２の有機ＥＬ層を形成する工程と、第２電極を形成する工程とを含む。
発光装置はたとえば表示装置として利用される。表示装置には主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがあり、本発明は両方の型の表示装置に適用可能であるが、本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される発光装置について説明する。
＜発光装置の構成＞
まず発光装置の構成について説明する。図１は本実施形態の発光装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図であり、図２は本実施形態の発光装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。発光装置１は主に、支持基板２と、支持基板２上において予め設定される区画を画定する隔壁３と、隔壁３によって画定される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子４とを含んで構成される。
隔壁３は支持基板２上においてたとえば格子状またはストライプ状に形成される。なお図１では、実施の一形態として格子状の隔壁３が設けられた発光装置１を示しており、さらに隔壁３の設けられた領域にハッチングを施している。
支持基板２上には、隔壁３と支持基板２とによって規定される複数の凹部５が設定される。この凹部５が、隔壁３によって画定される区画に相当する。
本実施形態の隔壁３は格子状に設けられる。そのため支持基板２の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）、複数の凹部５がマトリクス状に配置されている。すなわち凹部５は行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。各凹部５の平面視における形状はとくに限定されず、たとえば略矩形状、略楕円状および小判形状などに設定される。本実施形態では平面視で略矩形状の凹部５が設けられている。なお上記の行方向Ｘおよび列方向Ｙは、支持基板の厚み方向Ｚに垂直な方向であって、かつ互いに垂直な方向を意味する。
他の実施形態としてストライプ状の隔壁が設けられる場合、隔壁は、たとえば行方向Ｘに延在する複数本の隔壁部材が、列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置されて構成される。この形態ではストライプ状の隔壁と支持基板とによって、ストライプ状の凹部が規定される。
有機ＥＬ素子４は隔壁３によって画定される区画（すなわち凹部５）に設けられる。本実施形態のように格子状の隔壁３が設けられる場合、各有機ＥＬ素子４は、それぞれ各凹部５に設けられ、各凹部５と同様に、マトリクス状に配置される。すなわち有機ＥＬ素子４は、支持基板２上において、行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。なお他の実施形態としてストライプ状の隔壁が設けられる他の実施形態では、有機ＥＬ素子４は行方向Ｘに延在する各凹部において、行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される。
本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子４が設けられる。すなわち（１）赤色の光を出射する赤色有機ＥＬ素子４Ｒ、（２）緑色の光を出射する緑色有機ＥＬ素子４Ｇ、および（３）青色の光を出射する青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる。これら３種類の有機ＥＬ素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、たとえば以下の（Ｉ）（ＩＩ）（ＩＩＩ）の行を、列方向Ｙにこの順で繰り返し配置することによって、それぞれ整列して配置される。
（Ｉ）赤色有機ＥＬ素子４Ｒが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
（ＩＩ）緑色有機ＥＬ素子４Ｇが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
（ＩＩＩ）青色有機ＥＬ素子４Ｂが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
有機ＥＬ素子４は、第１電極６、第１の有機ＥＬ層７、第２の有機ＥＬ層９および第２電極１０がこの順で支持基板２上に積層されて構成される。
有機ＥＬ素子４は、陽極および陰極からなる一対の電極として、第１電極６と第２電極１０とを備える。第１電極６および第２電極１０のうちの一方の電極は陽極として設けられ、他方の電極は陰極として設けられる。
本明細書では第１電極６と第２電極１０との間に設けられる複数の層をそれぞれ有機ＥＬ層という。有機ＥＬ素子４は有機ＥＬ層として少なくとも１層の発光層を備える。なお本発明の有機ＥＬ素子は２層以上の有機ＥＬ層を備える。そのため有機ＥＬ素子は、第１の有機ＥＬ層７、第２の有機ＥＬ層９に加えて、さらに有機ＥＬ層を備えることもある。一対の電極間には、有機ＥＬ層として、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、電子輸送層、電子注入層などが設けられる。
本実施形態では一例として、陽極として機能する第１電極６、正孔注入層として機能する第１の有機ＥＬ層７、正孔輸送層８、発光層として機能する第２の有機ＥＬ層９、陰極として機能する第２電極１０がこの順で支持基板２上に積層されて構成される有機ＥＬ素子４について説明する。
本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子が設けられるが、これらは、第２の有機ＥＬ層（本実施形態では発光層）９の構成がそれぞれ異なる。赤色有機ＥＬ素子４Ｒは赤色の光を放射する赤色発光層９Ｒを備え、緑色有機ＥＬ素子４Ｇは緑色の光を放射する緑色発光層９Ｇを備え、青色有機ＥＬ素子４Ｂは青色の光を放射する青色発光層９Ｂを備える。
本実施形態では第１電極６は有機ＥＬ素子４ごとに設けられる。すなわち有機ＥＬ素子４と同数の第１電極６が支持基板２上に設けられる。第１電極６は有機ＥＬ素子４の配置に対応して設けられ、有機ＥＬ素子４と同様にマトリクス状に配置される。なお本実施形態の隔壁３は、主に第１電極６を除く領域に格子状に形成されるが、さらに第１電極６の周縁部を覆うように形成されている（図２参照）。
正孔注入層に相当する第１の有機ＥＬ層７は、有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域に亘って連続して形成される。すなわち第１の有機ＥＬ層７は、表示領域において、支持基板２上の全面に形成される。そのため第１の有機ＥＬ層７は、第１電極６上だけでなく、隔壁３上にも形成され、複数の有機ＥＬ素子に亘って連続して形成されている。図２では第１の有機ＥＬ層７を太線で示している。
正孔輸送層８は凹部５において、第１の有機ＥＬ層７上に設けられる。この正孔輸送層８は、必要に応じて、有機ＥＬ素子の種類ごとにその材料または膜厚を異ならせて設けられる。なお正孔輸送層８の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ膜厚で全ての正孔輸送層８を形成してもよい。
発光層として機能する第２の有機ＥＬ層９は、凹部５において正孔輸送層８上に設けられる。上述したように発光層は有機ＥＬ素子の種類に応じて設けられる。そのため赤色発光層９Ｒは赤色有機ＥＬ素子４Ｒが設けられる凹部５に設けられ、緑色発光層９Ｇは緑色有機ＥＬ素子４Ｇが設けられる凹部５に設けられ、青色発光層９Ｂは青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる凹部５に設けられる。
第２電極１０は有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域において全面に形成される。すなわち第２電極１０は、第２の有機ＥＬ層９上だけでなく、隔壁３上にも形成され、複数の有機ＥＬ素子に亘って連続して形成されている。
以上の実施形態では隔壁３は、第１電極６の周縁部を覆って、支持基板２に接して設けられるとしているが、他の実施形態として、隔壁３と支持基板２との間に、さらに絶縁膜を設けてもよい。絶縁膜はたとえば隔壁と同様に格子状に形成され、第１電極６の周縁部を覆って形成される。このような絶縁膜は好ましくは隔壁３よりも親液性を示す材料によって形成される。
つぎに発光装置の製造方法について説明する。
（支持基板を用意する工程）
本工程では、隔壁３および第１電極６がそのうえに形成された前記支持基板２を用意する。本工程では、隔壁および第１電極がそのうえに形成された支持基板を市場から入手してもよいが、本工程において隔壁および第１電極を支持基板上に形成することによって、これらが形成された支持基板を用意してもよい。
アクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機ＥＬ素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を支持基板２として用いることができる。たとえばＴＦＴ（Thin Film Transistor）およびキャパシタなどが予め形成された基板を支持基板として用いることができる。
まず支持基板２上に複数の第１電極６をマトリクス状に形成する。第１電極６は、たとえば支持基板２上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってマトリクス状にパターニングすることによって形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを支持基板２上に配置し、このマスクを介して支持基板２上の所定の部位に導電性材料を選択的に堆積することにより第１電極６をパターン形成してもよい。第１電極６の材料については後述する。
つぎに隔壁３を支持基板２上に形成する。本実施形態では格子状の隔壁３を形成する。隔壁３は有機物または無機物によって構成される。隔壁３を構成する有機物としてはアクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリイミド樹脂などの樹脂を挙げることができる。また隔壁３を構成する無機物としてはＳｉＯｘやＳｉＮｘなどを挙げることができる。
隔壁３は、当該隔壁３に囲まれた凹部５に供給されるインキが凹部５から溢れ出ることを防ぐために、ある程度撥液性を示すことが好ましい。一般に無機物よりも有機物の方がインキに対して撥液性を示すため、隔壁は有機物によって構成することが好ましい。
有機物からなる隔壁３を形成する場合、まずたとえばポジ型またはネガ型の感光性樹脂を一面に塗布し、所定の部位を露光、現像する。さらにこれを硬化することによって、格子状の隔壁３が形成される。なお感光性樹脂としてはフォトレジストを用いることができる。また無機物からなる隔壁３を形成する場合、無機物からなる薄膜をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法などによって一面に形成し、つぎに所定の部位を除去することにより格子状の隔壁３が形成される。所定の部位の除去はたとえばフォトリソグラフィー法によって行われる。
なお格子状の絶縁膜を備える発光装置を作製する場合には、隔壁３を形成する工程の前に絶縁膜を形成する。絶縁膜はたとえば隔壁の材料として例示した材料を用いて、隔壁を形成する方法と同様にして格子状に形成することができる。なお絶縁膜は隔壁３よりも親液性を示すことが好ましく、一般に有機物よりも無機物の方がインキに対して親液性を示すため、無機物によって絶縁膜を構成することが好ましい。
隔壁３には必要に応じて撥液処理が施される。たとえば隔壁３が有機物から構成されている場合、フッ化物を含有する雰囲気においてプラズマ処理を行うことによって隔壁３に撥液性を付与することができる。
隔壁３の形状およびその配置は、画素数および解像度などの表示装置の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。たとえば隔壁３の行方向Ｘの幅Ｌ１は、５μｍ〜５０μｍ程度であり、隔壁３の高さＬ２は０．５μｍ〜５μｍ程度であり、行方向Ｘに隣り合う隔壁３間の間隔Ｌ３、すなわち凹部５の行方向Ｘの幅Ｌ３は、１０μｍ〜２００μｍ程度である。また第１電極６の行方向Ｘおよび列方向Ｙの幅はそれぞれ１０μｍ〜２００μｍ程度である。
（第１の有機ＥＬ層を形成する工程）
本工程では前記第１の有機ＥＬ層となる材料からなるＥＬ層用薄膜を、前記複数の有機ＥＬ素子が設けられる表示領域に亘って連続して形成し、このＥＬ層用薄膜をさらに薄膜化することによって第１の有機ＥＬ層７を形成する。
まずＥＬ層用薄膜７ａを形成する。ＥＬ層用薄膜７ａは少なくとも支持基板２上において有機ＥＬ素子が設けられる表示領域上を覆うように形成する。
以下、図３を参照して第１の有機ＥＬ層７を形成する工程を説明する。図３は第１の有機ＥＬ層７を形成する工程を説明するための図である。
図３（１）は本工程を行う直前の支持基板の状態を模式的に示している。図３（１）に示すように支持基板２上には隔壁３および第１電極６が形成されている。
まず図３（２）に示すように、ＥＬ層用薄膜７ａを、表示領域において支持基板上の全面に形成する。なお図３（２）ではＥＬ層用薄膜７ａにハッチングを施している。ＥＬ層用薄膜７ａを形成する方法はとくに限定されない。ＥＬ層用薄膜７ａはたとえば塗布法、および真空成膜法などによって形成することができる。
塗布法では、第１の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを所定の塗布法によって支持基板２上の全面に供給し、さらにこれを固化することによって、ＥＬ層用薄膜７ａを形成することができる。所定の塗布法としては、たとえばスピンコーティング法、スプレーコート法、スリットコーティング法、バーコート法、インクジェットプリント法、および各種印刷法（反転、フレキソ、グラビア、オフセット）などを挙げることができる。
つぎにＥＬ層用薄膜７ａをさらに薄膜化し、第１の有機ＥＬ層７を形成する（図３（３）参照）。ＥＬ層用薄膜７ａをさらに薄膜化する方法としては、ＥＬ層用薄膜７ａを加熱する方法、ＥＬ層用薄膜７ａが溶解する所定の塗布液でＥＬ層用薄膜７ａの表面を洗い流す方法などを挙げることができる。
たとえばＥＬ層用薄膜７ａが昇華性を示す材料からなる場合、前記ＥＬ層用薄膜を加熱することによって、ＥＬ層用薄膜７ａの一部を昇華させ、ＥＬ層用薄膜７ａをさらに薄膜化することができる。
以上のように第１の有機ＥＬ層７を全面に形成することによって、隔壁３が、第１の有機ＥＬ層７によって覆われる。その結果として隔壁３上の表面のインキに対する性質が変化し、たとえば隔壁３上の表面が親液性を示すようになることもありうるが、本実施形態のように第１の有機ＥＬ層７を薄膜化することによって、隔壁３上の表面の性状を、第１の有機ＥＬ層７に覆われる前の状態にある程度近づけることができる。すなわち第１の有機ＥＬ層７を薄膜化することによって、隔壁３上の表面を、ある程度撥液性を示す状態に保つことができる。
このような観点からは、第１の有機ＥＬ層７は薄い方が好ましく、本工程では膜厚が１０ｎｍ以下となるように第１の有機ＥＬ層７を形成することが好ましい。なお第１の有機ＥＬ層７が薄すぎると、意図しない穴が第１の有機ＥＬ層７に形成されたり、また第１の有機ＥＬ層７に求められる特性が十分に発揮されないこともあるため、その厚さは０．１ｎｍ以上であることが好ましい。
さらに本工程ではシート抵抗が５００Ω／□以上の第１の有機ＥＬ層７を形成することが好ましい。かりにシート抵抗の低い第１の有機ＥＬ層７が形成された場合、この第１の有機ＥＬ層７を介して第１電極６と第２電極１０とが導通することがある。そのため有機ＥＬ素子に電流を流す際に、発光層９を通らない、意図しない電流、すなわち第１の有機ＥＬ層７を通る電流が流れることがありうるが、シート抵抗の高い第１の有機ＥＬ層７を形成することによって、意図しない電流が流れることを防ぐことができる。なお第１の有機ＥＬ層７のシート抵抗の上限は、有機ＥＬ層として機能する範囲であれば、とくに限定されないが、たとえば１００ＭΩ／□である。なお第１の有機ＥＬ層７は、有機ＥＬ層に電荷を効率的に注入できる層であることが好ましいため、シート抵抗が高く、かつ有機ＥＬ層に電荷を効率的に注入できる層であることが好ましい。
このような第１の有機ＥＬ層となる材料としては、電子受容性を示す材料であることが好ましい。電子受容性を示す材料からなる第１の有機ＥＬ層を形成することによって、電気絶縁性の高く、かつ、電極からの電荷の注入も可能な第１の有機ＥＬ層を形成することができるからである。なお電子受容性を示す材料とは、酸化還元半波電位E1 1/2が、E1 1/2≧＋０．２（V）を満たす材料であることを意味する。酸化還元半波電位E1 1/2は、飽和カロメル電極(SCE)、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート(TBA・BF4)を0.1mol/L支持塩として含むアセトニトリル溶媒において、温度20〜22℃、電圧挿引速度10〜20mV/sの条件下で測定される。電子受容性を示す材料は、＋１．５（V）≧E1 1/2≧＋０．２（V）を満たす化合物であることが好ましい。
電子受容性を示す材料としては、たとえばｐ−ベンゾキノン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、１，４−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレン誘導体などがあげられ、電子受容性を示す材料は、ｐ−ベンゾキノン誘導体およびテトラシアノキノジメタン誘導体からなる群から選択される１種以上の材料であることが好ましい。
p-ベンゾキノン誘導体としては、2,3-ジブロロ-5,6-ジシアノ-p-ベンゾキノン(DDQ)[酸化還元半波電位E1 1/2=+0.56(V)]、2,3-ジブロモ-5,6-ジシアノ-p-ベンゾキノン(DBDQ)[E1 1/2=+0.53(V)]、2,3-ジヨード-5,6-ジシアノ-p-ベンゾキノン(DIDQ)[E1 1/2=+0.51(V)]、2,3-ジシアノ-p-ベンゾキノン(Q(CN)2)[E1 1/2=+0.34(V)]などがあげられる。
テトラシアノキノジメタン誘導体としては、5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4-TCNQ)[E1 1/2=+0.60(V)]、トリフルオロメチル-テトラシアノキノジメタン(CF3-TCNQ)[E1 1/2=+0.43(V)]、2,5-ジフルオロ-テトラシアノキノジメタン(F2-TCNQ)[E1 1/2=+0.40(V)]、モノフルオロ-テトラシアノキノジメタン(F-TCNQ)[E1 1/2=+0.32(V)]、11,11,12,12-tetracyanonaphtho-2,6-quinodimethane(TNAP)[E1 1/2=+0.26(V)]、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)[E1 1/2=+0.22(V)]、デシル-テトラシアノキノジメタン(C10-TCNQ)[E1 1/2=+0.20(V)]などがあげられる。
1,4-ナフトキノン誘導体としては、2,3-ジシアノ-5-ニトロ-1,4-ナフトキノン(DCNNQ)[E1 1/2=+0.38(V)]、2,3-ジシアノ-1,4-ナフトキノン(DCNQ)[E1 1/2=+0.21(V)]などがあげられる。
ジフェノキノン誘導体としては、3,3',5,5'-テトラブロモ-ジフェノキノン(TBDQ)などがあげられる。
フルオレン誘導体としては、9-ジシアノメチレン-2,4,5,7-テトラニトロ-フロレン(DTENF)[E1 1/2=+0.23(V)]などがあげられる。
これらのなかでも電子受容性を示す材料としては、テトラシアノキノジメタン（TCNQ）[E1 1/2=+0.22(V)、最低空位分子軌道LUMO=4.5eV]、2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン（F4-TCNQ）[E1 1/2=+0.6(V)、LUMO=5.24eV]が好適に用いられる。
上述の第１の有機ＥＬ層となる材料を含むインキの溶媒としては、アルコール類〔メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなど〕、ニトリル系溶媒〔アセトニトリル、ベンゾニトリルなど〕、ケトン類〔アセトン、メチルエチルケトンなど〕、有機塩素類〔クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなど〕、芳香族炭化水素類〔ベンゼン、トルエン、キシレンなど〕、脂肪族炭化水素類〔ノルマルヘキサン、シクロヘキサンなど〕、アミド類〔ジメチルホルムアミドなど〕、スルホキシド類〔ジメチルスルホキシドなど〕などを使用することができる。溶媒は、単成分のものであっても混合溶媒であってもよい。
電子受容性を示す材料としてたとえばTCNQまたはF4-TCNQを用いる場合、上述したインキの溶媒としては、アセトニトリルが好適に用いられる。またインキにおけるTCNQまたはF4-TCNQの濃度はとくに限定されないが、通常は０．５重量％以上である。
ＥＬ層用薄膜を加熱することによって、ＥＬ層用薄膜７ａをさらに薄膜化する場合、その加熱温度は通常１００℃〜３００℃程度であり、アセトニトリルとF4-TCNQとからなるインキを用いてＥＬ層用薄膜を形成した場合の好ましい加熱温度は１５０℃〜２５０℃である。加熱時間は通常３分〜３０分であり、アセトニトリルとF4-TCNQとからなるインキを用いてＥＬ層用薄膜を形成した場合の好ましい加熱時間は５分〜１５分である。
なお第１の有機ＥＬ層７を形成することによって、当然ながら第１電極６が第１の有機ＥＬ層７によって覆われる。その結果として第１電極６上の表面のインキに対する性質が変化するが、本実施形態のように第１の有機ＥＬ層７を薄膜化することによって、第１電極６上の表面の性状を、第１の有機ＥＬ層７に覆われる前の状態にある程度近づけることができる。
（第２の有機ＥＬ層を形成する工程）
図４は正孔輸送層８、第２の有機ＥＬ層９および陰極を形成する工程を説明するための図である。
まず正孔輸送層８を形成する。正孔輸送層８はたとえば正孔輸送層８となる材料を含むインキを隔壁３に囲まれた領域に供給し、さらにこれを固化することによって形成することができる。インキは、隔壁３の形状、成膜工程の簡易さ、および成膜性などを勘案して適宜最適な方法によって供給される。インキはたとえばインクジェットプリント法、ノズルコート法、凸版印刷法、凹版印刷法などによって供給される。図４（１）はインクジェットプリント法によってインキを隔壁３に囲まれた領域に供給する工程を模式的に示している。
なお正孔輸送層８となる材料を、蒸着法やスパッタリング法などによって隔壁３に囲まれた領域に堆積することによって正孔輸送層８を形成してもよい。
つぎに、発光層として機能する第２の有機ＥＬ層９を形成する。第２の有機ＥＬ層９は正孔輸送層８と同様に形成することができる。すなわち赤色発光層９Ｒ、緑色発光層９Ｇ、青色発光層９Ｂとなる材料を含む３種類のインキを、隔壁３に囲まれた領域にそれぞれ供給し、さらにこれを固化することによって各発光層９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを形成することができる。図４（３）はインクジェットプリント法によってインキを隔壁３に囲まれた領域に供給する工程を模式的に示している。
（第２電極を形成する工程）
つぎに第２電極１０を形成する。前述したように本実施形態では第２電極１０を支持基板２上の全面に形成する。これによって複数の有機ＥＬ素子を基板上に形成することができる。
以上説明したように、ＥＬ層用薄膜７ａを形成した後に、このＥＬ層用薄膜７ａをさらに薄膜化することによって、隔壁３上の表面を、ある程度撥液性を示す状態に保つことができる。そのため、第１の有機ＥＬ層７を形成した後に有機ＥＬ層（本実施形態では正孔輸送層８および第２の有機ＥＬ層９）を形成する際に、凹部５に供給されたインキが凹部５から溢れ出ることを防ぐことができる。これによって各凹部５に供給されたインキが隣の凹部５に供給されたインキと混合されることを防ぐことができ、意図した材料から構成される有機ＥＬ層（本実施形態では正孔輸送層および第２の有機ＥＬ層）を形成することができ、結果として意図した構成の有機ＥＬ素子を形成することができる。
なお上述の実施形態では陽極として機能する第１電極が、第２電極に対して支持基板寄りに配置される形態の有機ＥＬ素子について説明したが、本発明は陰極として機能する第１電極が、第２電極に対して支持基板寄りに配置される形態の有機ＥＬ素子にも適用することができる。また発光層に相当する第２の有機ＥＬ層が設けられる有機ＥＬ素子について説明したが、第２の有機ＥＬ層は発光層に限らず、たとえば上述の実施形態において第２の有機ＥＬ層は、正孔輸送層として設けられていてもよい。
＜有機ＥＬ素子の構成＞
以下では有機ＥＬ素子の構成についてさらに詳しく説明する。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層として少なくとも１層の発光層を有するが、上述したように有機ＥＬ層として、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などを有する。
＜陽極＞
発光層から放たれる光が陽極を通って素子外に出射する構成の有機ＥＬ素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。
陽極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
＜陰極＞
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層から放たれる光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。
陰極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。
正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
＜発光層＞
発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば１０３〜１０８程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
（色素系材料）
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、たとえばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
発光層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。
＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
電子輸送層の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
＜電子注入層＞
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、およびこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばＬｉＦ／Ｃａなどを挙げることができる。
電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。
上述の各有機ＥＬ層は、たとえばノズルプリンティング法、インクジェットプリンティング法、凸版印刷法、凹版印刷法、またはスピンコーティング法などの塗布法や、真空蒸着法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法などによって形成することができる。
なお塗布法では、各有機ＥＬ層となる有機ＥＬ材料を含むインキを塗布成膜し、さらにこれを固化することによって有機ＥＬ層を形成するが、その際に使用されるインキの溶媒には、たとえばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水などが用いられる。
（実験例１）
図３（１）〜図３（３）までの工程を行い、図３（１）〜図３（３）における隔壁３上および第１電極６上の表面の撥液性の程度を測定した。なお撥液性の指標として、溶液（水またはアニソール）との接触角を測定した。接触角は、自動接触角測定装置（英弘精機社製：OCA２０）を使用して測定した。
まず図３（１）と同様に、第１電極および隔壁が形成された支持基板を用意した。第１電極としてはＩＴＯ薄膜を用いた。
隔壁は、ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製、商品名「ＯＦＰＲ−８００」）を隔壁の材料に使用し、フォトリソグラフィー法によって、このポジ型フォトレジストを支持基板上にパターン形成し、さらに加熱硬化処理を施すことにより、溶媒に対して完全に不溶化した。
つぎに真空プラズマ処理装置を用いて、酸素ガスを導入したプラズマ処理を行うことにより基板表面を洗浄し、さらにＣＦ４ガスを導入したプラズマ処理を行うことにより撥液処理を行った。
つぎに図３（２）に示すようにＥＬ層用薄膜を形成した。まず電子受容性を示す材料に相当するＦ４−ＴＣＮＱを、アセトニトリル溶媒に１重量％の濃度で溶解し、インキを調製した。このインキをスピンコート法によって基板全面に塗布し、ＥＬ層用薄膜を形成した。このときのＥＬ層用薄膜の厚みは２５ｎｍであった。厚みは干渉式膜厚計を使用して測定した。
つぎに図（３）に示すようにＥＬ層用薄膜を薄膜化し、第１の有機ＥＬ層を形成した。具体的には、支持基板を大気中で１８０℃で１０分間加熱し、ＥＬ層用薄膜の一部を昇華させて第１の有機ＥＬ層を形成した。このとき、第１の有機ＥＬ層の厚みは３ｎｍであった。厚みは干渉式膜厚計を使用して測定した。
図３（１）〜図３（３）における隔壁３上の表面と、アニソールとの接触角を測定した。測定結果を表１に示す。なお図３（１）おける隔壁３上の表面と、アニソールとの接触角は、撥液処理を行った後に測定した。その測定結果を表１に示す。
表１に示すように、ＥＬ層用薄膜を形成することによって、隔壁上の表面が親液化されるが、ＥＬ層用薄膜を薄膜化することによって、隔壁３上の表面を、ある程度撥液性を示す状態に保つことができることを確認した。
（実験例２）
図３（１）、図３（２）、図３（３）にそれぞれ示す基板上に、同じ形成条件で、正孔輸送層、発光層をそれぞれ形成した。すなわち、（イ）Ｆ４−ＴＣＮＱが形成されていない基板（図３（１））上に、正孔輸送層または発光層を形成し、（ロ）ＥＬ層用薄膜が形成された基板（図３（２））上に、正孔輸送層または発光層を形成し、（ハ）第１の有機ＥＬ層が形成された基板（図３（３））上に、正孔輸送層または発光層を形成した。
まずアニソールとシクロヘキシルベンゼンを重量比で１：１に混合した混合溶媒に、正孔輸送層材料を０．３重量％の濃度で溶解し、正孔輸送層用のインキを調整した。つぎにこのインキを、インクジェット塗布装置（アルバック社製 Litrex 120L）を用いて、基板上の開口部分に塗布し、乾燥した。その後２００℃で６０分間加熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
またアニソールとシクロヘキシルベンゼンを重量比で１：１に混合した混合溶媒に、緑色に発光する有機発光材料を１．０重量％の濃度で溶解し、発光層用のインキを調整した。つぎにこのインキを、インクジェット塗布装置（アルバック社製 Litrex 120L）を用いて、基板上の開口部分に塗布し、これを乾燥して発光層を形成した。
正孔輸送層用のインキおよび発光層用のインキの塗布状態をそれぞれ観測した。実験結果を表１に示す。
表１に示すように、ＥＬ層用薄膜を薄膜化した基板（図３（３））に正孔輸送層用または発光層用のインキを塗布した場合、隔壁がある程度の撥液性を示すため、インキが隔壁から溢れ出さずに、隔壁内に収容されることを確認した。他方、ＥＬ層用薄膜を薄膜化していない基板（図３（２））に正孔輸送層用または発光層用のインキを塗布した場合、隔壁の撥液性が低いために、供給されたインキが隔壁１３表面を伝わって隣の領域に溢れ出すことを確認した。なおＦ４−ＴＣＮＱからなる薄膜を形成しない基板（図３（１））は、隔壁の撥液性が高いため、供給されたインキが隔壁から溢れ出さずに、隔壁内に収容されることを確認した。
Figure 2012003947
膜厚が３ｎｍのＦ４−ＴＣＮＱからなる正孔注入層を形成した有機ＥＬ素子１と、この正孔注入層を有しない有機ＥＬ素子２との発光効率を比較した。各有機ＥＬ素子の発光部の面積は、平面視で２ｍｍ×２ｍｍとした。
＜有機ＥＬ素子１の作製＞
陽極としてＩＴＯ薄膜が形成された基板に対して、酸素ガスを使用した真空プラズマ処理装置を用いてその表面を洗浄した。
次に電子受容性有機化合物であるF4-TCNQをアセトニトリル溶媒に重量濃度１％で溶解し、正孔注入層形成溶液を調整した。この正孔注入層形成溶液を基板上にスピンコート法により塗布し、膜厚が２０nmの薄膜を形成した。
次に基板を大気中で180℃、10分間加熱することによって、Ｆ４ＴＣＮＱからなる薄膜の一部を昇華させ、膜厚が３ｎｍのF4-TCNQからなる正孔注入層を形成した。
次に正孔輸送材料をキシレンに０．８重量％の濃度で溶解し、正孔輸送層形成溶液を調整した。この正孔輸送層形成溶液を基板上にスピンコート法により塗布し、２００℃、15分間加熱処理を行い膜厚２０nmの正孔輸送層を形成した。
次に緑色に発光する高分子発光材料をキシレンに１重量％の濃度で溶解し、発光層形成溶液を調整した。この発光層形成溶液を基板上にスピンコート法により塗布し、１３０℃、２０分加熱処理を行い膜厚７０nmの発光層を形成した。
次に上記有機発光層上に、真空蒸着装置でバリウムを５０Åの厚さで蒸着し、さらに、アルミニウムを２０００Å蒸着した。さらにエポキシ樹脂と封止用のガラスを用いて発光部を封止して、有機ＥＬ素子１を作製した。
＜有機ＥＬ素子２の作製＞
上記有機ＥＬ素子１の作製において、正孔注入層を形成しないこと以外は、有機ＥＬ素子１の作製と同様にして有機ＥＬ素子２を作製した。
＜評価＞
電源のプラス側をＩＴＯ電極側に接続し、電源のマイナス側をアルミニウム電極側に接続して、電圧を印加し、有機ＥＬ素子１、２に電流を流し、流れた電流量と発光輝度を測定して発光効率を計算した。有機ＥＬ素子１の発光効率を「１」とすると、有機ＥＬ素子２の発光効率は「０．５」であった。このように、膜厚が３ｎｍのＦ４−ＴＣＮＱからなる正孔注入層を有する有機ＥＬ素子は、この正孔注入層を有しない有機ＥＬ素子に比べて、高効率で発光することが確認された。
１ 発光装置
２ 支持基板
３ 隔壁
４ 有機ＥＬ素子
５ 凹部
６ 第１電極
７ 第１の有機ＥＬ層（正孔注入層）
７ａ ＥＬ層用薄膜
８ 正孔輸送層
９ 第２の有機ＥＬ層（発光層）
１０ 第２電極
１２ 支持基板
１３ 隔壁
１５ 隔壁に囲まれた領域
１７ インキ
１８ 有機ＥＬ層
１９ 共通層

Claims (8)

  1. 支持基板と、支持基板上において予め設定される区画を画定する隔壁と、隔壁によって画定される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子とを備える発光装置であり、前記有機ＥＬ素子が、第１電極、第１の有機ＥＬ層、第２の有機ＥＬ層および第２電極がこの順で支持基板上に積層されて構成される、発光装置の製造方法であって、
    前記隔壁および前記第１電極がそのうえに形成された前記支持基板を用意する工程と、
    前記第１の有機ＥＬ層となる材料からなるＥＬ層用薄膜を、前記複数の有機ＥＬ素子が設けられる表示領域に全面に亘って形成し、このＥＬ層用薄膜をさらに薄膜化することによって第１の有機ＥＬ層を形成する工程と、
    前記第２の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを、前記隔壁によって画定される領域に供給し、さらにこれを固化することによって第２の有機ＥＬ層を形成する工程と、
    第２電極を形成する工程とを含む、発光装置の製造方法。
  2. 前記ＥＬ層用薄膜を薄膜化することによって、膜厚が１０ｎｍ以下の第１の有機ＥＬ層を形成する、請求項１記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記第１の有機ＥＬ層となる材料が、昇華性を示す材料であり、前記ＥＬ層用薄膜を加熱することによって前記ＥＬ層用薄膜の薄膜化を行う、請求項１または２記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記第１の有機ＥＬ層となる材料を含むインキを、支持基板上に供給することによって、前記ＥＬ層用薄膜を形成する、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記第１の有機ＥＬ層となる材料が、電子受容性を示す材料である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記電子受容性を示す材料が、ｐ−ベンゾキノン誘導体およびテトラシアノキノジメタン誘導体からなる群から選択される１種以上の材料である、請求項５記載の発光装置の製造方法。
  7. シート抵抗が５００Ω／□以上の第１の有機ＥＬ層を形成する、請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
  8. 請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法によって製造された発光装置。
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