WO2004113966A1 - 反射防止膜 - Google Patents

Abstract

複数のシリカ粒子及び少なくとも１種のバインダー化合物を含有する反射防止膜であって、シリカ粒子の含有量が３０重量％以上であり、算術平均粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ以下であり、且つ表面ケイ素原子含有量が１０ａｔｏｍ％以上であることを特徴とする反射防止膜。

Description

T JP2004/008505

1 明 細 書 反射防止膜 技術分野

本発明は、 反射防止膜に関する。 更に詳細には、 本発明は、 複数のシリカ粒子及び少なく とも' 1種のパイ ンダー化合物を 含有する反射防止膜であって、 該 数のシリ カ粒子同士が該 少なく とも 1 種のバイ ンダー化合物を介して結合されており、 シリカ粒子の含有量が 3 0 %以下、 算術平^粗さ （ R a ) が 2 n m以下、 且つ表面ケィ素原子含有量が 1 0 a 1： 0 111 %以 上である ことを特徴とする反射防止膜に関する。 本発明の反 射防止膜は優れた反射防止性能を有する と共に 、 機械的強度 及び耐擦傷性にも優れているため、 種々の光学 板 (眼鏡の レンズ及びデイ スプレイ装 gのスク リ一ン等） 上に SX.ける反 射防止膜として非常に有用である。 従来技術

光学部 P口P 、 眼鏡のレンズ、 デイ スプレイ装置のスク リーン などを被覆して用いる反射防止膜と しては、 単層または複数 層からなるちのが知られているが、 単層および 2層か らなる 反射防止膜は 、 反射率が大きく なってしまうため、 屈折率の 異なる 3 以上を積層したものが好ましいと考えられてきた 5

2 しかし、 3層以上を積層させるのは、 公知の真空蒸着法、 デ ィ ップコ一ティ ング法などの公知のどのような方法を用いて も、 単層や 2層のものに比べて工程が煩雑である とともに生 産性に劣る という欠点があった。

そこで、 単層あるいは 2層であっても、 下記の条件を満足 すれば反射率の低減が可能であることが見出され、 下記条件 を満足する単層あるいは 2層の反射防止膜の開発が検討され てきた。 すなわち、 基材の屈折率を n _s、 単層膜の屈折率を n と し、 n _s > nである場合、 反射率 Rは極小値と して （ n _s - n ² ) ² /■ ( n _s + n ² ) ²をとる。 ここで、，極小値と して R = 0 (すなわち ( n _s - n ² ) ² / ( n s + n ² ) ² = 0 ) の場 '合、 n = ( n s ) ^{1 / 2} となる。 したがって単層膜の屈折率 n を （ n _s ) ^{1 / 2}に近づける ことによって反射率 Rを低減させ る ことが試みられてきた。 また、 単層膜の屈折率 n を （ n _s ) ¹ / ²に近づけるのが困難な場合には、 n ²に近い高い屈折率 を有する高屈折率層を上記単層膜の直下に設け 2層構造とす る ことによって、 反射率 Rを低減させる ことも試みられてき た。

現在、 反射防止膜を有する光学部材として一般に市販され ているものは、 その可視光域における最低反射率が 2 %前後 のものであるが、 最低反射率が 2 %以下かつ実用的な機械的 強度と耐久性を有する ものは非常に少ない。 このため、 簡便 に製造する ことができ、 最低反射率が 2 %以下、 好ましく は 1 %以下であ り、 かつ、 実用的な機械的強度と耐久性を有す る反射防止膜の提供が求め られてレ る。

ところで、 反射防止膜の表面硬度を高めた り 、 表面におけ る光散乱による防眩性を発現させたりする 目的で反射防止膜 にシリ 力粒子を含有させ 表面に微小な凹凸を形成させる 式 みがなされている。 このよ に表面に微小な凹凸を形成させ る ことによ り 耐擦傷性の向上に 定の効果がある こ とは知 られている。 その理由は 、 反射防止膜が他の物体と接触する 際の実質的な接触面積を減少させる とができるからである と考えられている 。 しかしながら、 のような構造の反射防 止膜においては その凸部に局所-的に応力が集中する ことに よつて 、 表層の 部が削り取られたり 、 反射防止膜が押し潰 された り して膜厚が変化し、 色調の変化をもたらすという問 題が生じている この問題を回避するために表面硬度のさ ら なる上昇を目的としてシリ カ粒子の含有量を高めると、 表面 の凹凸がいつそ 激し < な り、 表面の摩擦抵抗の'増大ゃシリ 力粒子の脱落などを引さ起こすため 耐擦傷性はかえって低 下するなど、 表面の形状と硬度の制御が非常に困難である。

日本国特開平 3 _ 1 5 0 5 0 1 号公報及び日本国特開平 5 — 1 6 3 4 6 4号公報には、 シリ カ粒子を含有し、 表面に凹 凸を有する反射防止膜が開示されている。 これらの文献には、 耐擦傷性評価の結果はいずれも良好であるよう に記載されて いるが、 評価方法が事務用消しゴムによる摺動であ り 、 実用 性能を充分に評価しているとは言いがたい点がある。

曰本国特開平 1 1 一 2 9 2 5 6 8·号公報及び日本国特開 2

0 0 0 - 2 5 6 0 4 0号公報には 、 シリ カ粒子からなり、 算 術平均粗さ （ R a ) 力 5 n える反射防止膜が開示され ている。これらの文献には、乾布による耐擦傷性評価の 水接触角が 1 0 7度から 1 0 0度へ変化したことが記載され ているが、 この結果をもつて充分な実用性能を有するとは言 いがたい点がある。

日本国特開平 4 一 3 4 0 9 0 2号公報 、 日本国特開平 7 —

4 8 1 1 7号公報、 日本国特開 2 0 0 1 ― 1 8 8 1 0 4号公 報及び日本国特開 2 0 0 1 一 1 6 3 9 0 6号公幸 には、 シリ 力粒子からなる反射防止膜が開示 aれている。 しかし、 これ らに記載されている技術は 、 光学性能の向上を巨的としてシ リカ粒子を用いているのであつて、 実 に屈折率や反射率の 低い反射防止膜が得られているものの 、 耐 m Ί勿性は未だ不十 分なものである。

日本国特開 2 0 0 2 - 2 2 1 6 0 3 号公報には 、 算術平均 粗さ （ R a ) が 2〜 1 5 0 n mである 体シ一 を用いた反 射防止転写材および反射防止膜が開示されているが、 基体シ 一 卜の算術平均粗さ （ R a ) をこの 囲に制御するのは反射 防止膜の厚さの均一性を向上させるのが巨的でめつて、 得ら れた反射防止膜の強度に与える寄与については何ら記載がな い また反射防止膜に凹凸の少ない平坦な表面形状をもたせる ことによつても、 耐擦傷性が低下してしまう ことが知られて いる。 例えば、 国際公開特許 0 3 / 0 8 3 5 2 4号公報には シリカ粒子を含有する反射防止膜が開示されているが、 算術 平均粗さ （ R a ) が 3 n m未満では耐擦傷性が発現しにく い 旨が記載されている。 また日本国特開 2 0 0 2 — 7 9 6 0 0 号公報にもシリカ粒子を含有する反射防止膜が開示されてい るが、 算術平均粗さ （ R a ) が 2 n mを下回ると耐擦傷性が 低下する ことが記載されている。

このよう に、 優秀な反射防止性能と、 十分な機械的強度及 び耐擦傷性とを併せもつ反射防止膜は得られていないのが現 状であった。 発明の概要

このような状況下、 本発明者らは、 前記課題を解決するた めに鋭意検討を重ねた。 その結果、 複数のシリ カ粒子及び少 なく とも 1種のバイ ンダー化合物を含有する反射防止膜であ つて、 該複数のシリ カ粒子同士が該少なく とも 1 種のバイ ン ダ一化合物を介して結合されており 、 シリ カ粒子の含有量が 3 0 %以下、 算術平均粗さ （ R a ) が 2 n m以下、 且つ表面 ケィ素原子含有量が 1 0 a t o m %以上である ことを特徴と する反射防止膜が、 優れた反射防止性能を有すると共に、 機 械的強度及び耐擦傷性にも優れる こ とを見出した。 この知見 に基いて、 本発明は兀成された。

従って、 本発明の一つの目的は、 優れた反射防止性能を有 すると共に 、 機械的強度及び耐擦傷性にも優れる反射防止膜 を提供する とである 本発明の上記及びその他の諸目的、諸特徴並びに諸利益は、 添付の図面を参照しながら述べる次の詳細な説明及び請求の 範囲の記載から明らかになる。 図面の簡単な説明

添付の図面において ：

図 1 は 、 実施例 1 で製造した転写箔 Cの積層構造を示す模 式図であ り ；

図 2 は 、 実施例 1 で製造した光学部材 Dの積層構造を示す 模式 [^|であ り ；

図 3 は 、 比較例 1 で製造した光学部材 Εの積層構造を示す 模式 あ り ；

図 4は 、 実施例 2で製造した転写箔 Gの積層構造を示す模 式図であり ；

図 5 は 、 実施例 2 で製造した積層体 Ηの積層構造を示す模 式図であ Ό ；

図 6 は 、 実施例 2で製造した光学部材 I の積層構造を示す 式図であ り ； 図 7 は、 比較例 2で製造した光学部材 J の積層構造を示す 模式図であ り ； '

図 8 は、 比較例 3 で製造した転写箔 Lの積層構造を示す模 式図であり ；

図 9 は、 比較例 3 で製造した積層体 Mの積層構造を示す模 式図であり ； そして

図 1 0 は、 比較例 3で製造した光学部材 Nの積層構造を示 す模式図である。 符号の説明

1 ポリエチレンテレフ夕 レー トフィルム (仮基板）

2 剥離層

3 低屈折率層 （反射防止

4 帯電防止効果を有する高屈折率層

5 八一 ドコー 卜層

6 接着層

7 ポリ メタク リル酸メチル板 （光学基板）

8 フッ素系界面活性剤

9 ポリエチレンテレフ夕 レー トフィルム (光学基板）

1 0 未硬化の紫外線硬化型樹脂層

発明の詳細な説明 本発明の基本的な態様によれば、 複数のシリ カ粒子及び少 なく とも 1 種のバイ ンダー化合物を含有する反射防止膜であ つて、

該複数のシリ カ粒子同士が該少なく とも 1 種のバイ ンダー 化合物を介して結合されており 、

下記 （ a ) 〜 （ c ) の特徴を有する反射防止膜が提供され る。

( a ) 該シリカ粒子の含有量が、 反射防止膜の重量に対し て 3 0重量％以上であ り 、

( b ) 算術平均粗さ （ R a〉 が 2 n m以下であ り 、 そして ( c ) 反射防止膜の表面に関して X線光電子分光法 （ X P

S ) で測定した表面ケィ素原子含有量が 1 0 a t o m %以上 である。 次に、 本発明の理解を容易にするために、 まず本発明の基 本的特徴及び好ましい諸態様を列挙する。

1 . 複数のシリカ粒子及び少なく とも 1種のパイ ンダ一化合 物を含有する反射防止膜であって、

該複数のシリカ粒子同士が該少なく とも 1 種のバイ ンダー 化合物を介して結合されており、

下記 （ a ) ~ ( c ) の特徵を有する反射防止膜。

( a ) 該シリカ粒子の含有量が、 反射防止膜の重量に対し て 3 0重量％以上であ り、 -

( b ) 算術平均粗さ （ R a ) 力 n m以下であ り 、 そして

( c ) 反射防止膜の表面に関して X線光電子分光法 （ X P

S ) で測定した表面ケィ素原子含有量が 1 0 a t 0 111 %以上 である

2 . 該少なく とも 1種のバイ ンダ一化合物が官能基を有する 重合体であって、 該シリ力'粒子が該重合体の官能基と共有 口 合している ことを特徴とする前項 1 に記載の反射防止膜。

3 . 該重合体の官能基の 、 該シリカ粒子に含まれるケィ素原 子に対するモル比が 0 . 0 1 〜 5である ことを特徴とする目 U 項 2 に記載の反射防止膜

4 . 該シリ カ粒子が、 数珠状シリ カス ト リ ング及び繊維状シ リ カ粒子からなる群よ り選ばれる少なく とも 1種のス 卜 リ ン グ状シリ カ粒子を含有する ことを特徴とする前項 1 〜 3 のい ずれかに記載の反射防止膜。

5 . 該反射防止膜における該少なく とも 1種のス ト U ング状 シリ カ粒子の含有量が、 反射防止膜の直量にス、ナし 乙' 5 0重 量％以下であることを特徴とする前項 4 に記載の反射防止膜。 6 . 多孔性であ り、 空隙率が 3 5 0体積％である ことを特 徴とする前項 1 〜 5 のいずれかに記載の反射防止膜。

7 - 高屈折率膜、 及びその上に直接または間接的に積層され た 前項 1 6 のいずれかに記載の反射防止膜を含有する反 射防止積層膜であって、 該高屈折率膜は、 該反射防止膜の屈 折率よ り高い屈折率を有する ことを特徴とする反射防止積層 膜

8 該高屈折率膜が、 '

チタ ン、 ジルコニウム、 亜鉛、 セリ ウム、 タ ンタル、 イ ツ 卜 ゥム、 ハフニウム、 アルミニウム、 マグネシウム、 イ ン ジヴム、 スズ、 モリブデン、 アンチモン及びガリ ウムからな る奸よ り選ばれる少なく とも 1種の金属を含有する少なく と も 1 種の金属酸化物の複数の微粒子、 及び

少なく とも 1 種のバイ ンダー化合物

を含み、 該少なく とも 1 種の金属酸化物の複数の微粒子同士 が 該少なく とも 1種のバイ ンダー化合物を介して結合され ている、

とを特徴とする前項 7 に記載の反射防止積層膜。

9 光学基板、 及びその上に積層された、 前項 1 6 のいず れかに記載の反射防止膜を含有する光学部材。 1 0 . 該光学基板が透明樹脂基板である ことを特徴とする前 項 9 に記載の光学部材。

1 1 . 可視光領域内での最低反射率が 2 %以下である こ とを 特徴とする前項 9 または 1 0 に記載の光学部材。

1 2 . 鉛筆強度が 2 H以上である ことを特徴とする前項 9 〜 1 1 のいずれかに記載の光学部材。

1 3 . 下記工程 （ 1 ) 〜 （ 3 ) を含む方法によって得られる 'ことを特徴とする前項 9 〜 1 2 のいずれかに記載の光学部材。

( 1 ) 前項 1 〜 6 のいずれかに記載の反射防止膜を、 これ に対して剥離性 有する仮基板上に形成し、積層体（ i )を得、

( 2 ) 該積層体 （ i) の反射防止膜上に光学基板を積層し、 積層体 （ i i ) を得、 そして

( 3 ) 該積層体 （ i i) から仮基板を取り除いて光学部材を 得る。

1 4 . 光学基板、 及びその上に積層された、 前項 7 または 8 に記載の反射防止積層膜を含有する光学部材。

1 5 . 該光学基板が透明樹脂基板である ことを特徴とする前 項 1 4に記載の光学部材

1 6 . 可視光領域内での最低反射率が 2 %以下である こ とを 特徴とする前項 1 4または 1 5 に記載の光学部材。

1 7 . 鉛筆強度が 2 H以上である こ とを特徴とする前項 1 4

〜 1 6 のいずれかに記 の光学部材。

1 8 . 下記工程 （ 1 ) 〜 ( 4 ) を含む方法によって得られる ことを特徴とする前項 1 4〜 1 7 のいずれかに記載の光学部 材。

( 1 ) 前項 1 〜 6 のいずれかに記載の反射防止膜を、 これ に対して剥離性を有する仮基板上に形成し、 積層体 （ I ) を

( 2 ) 該積層体 （ I ) の反射防止膜上に高屈折率膜を積層 し、 禾貝層体 （ I I ) を得 、 そして

( 3 ) 該積層体 （ I I ) の高屈折率膜上に光学基板を積層 し、 積層体 （ I I I ) を得、 そして

( 4 ) 該積層体 （ I I I ) 力、ら仮基板を取り除いて光学部 材を得る 以下、 本発明を詳細に説明する。

本発明の反射防止膜は、 複数のシリ カ粒子及び少なく とも 1 種のバイ ンダ一化合物を含有し、 複数のシリ カ粒子同士が 少なく とも 1 種のバイ ンダー化合物を介して結合されている。

反射防止膜の厚さは、 通常 5 0 - 1 0 0 0 n m、 好ましく は 5 0 〜 5 0 0 11 111、 よ り好ましく は 6 0〜 2 0 0 n mであ る。 厚さが 5 O n m未満あるいは 1 0 0 O n mを超える場合 は、可視光領域における反射防止効果が低下する恐れがある。

本発明において、 反射防止膜中のシリ カ粒子含有量は 3 0 重量％以上であるこ とが必要であ り、 好ましく は 3 0〜 9 5 重量％、 より好ましく は 4 0 〜 9 0重量％、 更に好ましく は

5 0 〜 8 0重量％である。 シリ カ粒子の含有量が 3 0重量％ 以上であることによ り、 強度が十分に高い反射防止膜が得ら れる。 更に、 シリカ粒子同士の間の微小な空隙によ り、 屈折 率の低い反射防止膜を得る ことができる場合がある。 シリカ 粒子の含有量が 3 0重量％未満である場合、 強度が不十分に なるのみならず、 耐擦傷性などの機械特性を十分に向上され る ことができなく なる ことがある。 また、 シリ カ粒子の含有 量が 9 5重量％を超える場合も、 耐擦傷性などの機械特性十 分に向上されることができなく なる ことがある。

尚、 本発明において、 反射防止膜中のシリカ粒子含有量の 好ましい測定方法と しては、 例えば、 反射防止膜をスパッ夕 リ ングで削りながら、 X線光電子分光法 （ X P S ) で分析す る方法が挙げられる。

反射防止膜中のシリカ粒子の形状は限定されず、 球状、 板 4 状、 針状、 ス ト リ ング状またはブ ドウの房状になったものな どをシリカ粒子として用いる ことができる。

尚、 ス ト リ ング状のシリカ粒子とは、 例えば、 球状、 板状、 針状などの形状を有する複数の粒子が数珠状に連なったもの

(以下、 「数珠状シリカス 卜 U ング」 と称する） や、 日本国 特開 2 0 0 1 ― 1 8 8 1 0 4号公報に開示されているような 短繊維状のシ U力粒子などを指す。 これらス ト リ ング状シリ 力粒子は単独で用いてもよいし 、組み合わせて用いてもょレ ま /こ、 しれらス 卜 リ ング状シ U 力粒子は直鎖状でも分岐状で ちょい。

また、 ブ ゥの房状のシ U力粒子とは、 球状、 板状、 針状 などの形状を有する複数の粒子が凝集してブドウの房状にな つたものを指す

本発明において .、 球状のシ 力粒子とは、 シリカ粒子にお ける最も大さな径 (長径） と 、 長径に直交した方向の中で最 も小さな径 ( 径 ) との比 が 1 . ' 5未満のものを指し、 そ れ以外のものを非球状のシリカ粒子とする。 シリ カ粒子の形 状は、 例えば透過電子顕微鏡で観察する こ とによって確認で さる。

本発明におけるシリ 力粒子は 非球状のもの 、 すなわち、 板状、 針状 、 ス 卜 リ ング状、 ブド、ゥの房状の のなどを用い ると、 隣接する粒子間に微小な空隙が生じ、 屈折率の低い反 射防止膜を ことがでさるので好ましい。 球状、 針状または板状のシリカ粒子を用いる場合、 平均粒 子径は 1 0 n m〜 2 0 0 n mの範囲である ことが好ましい。 平均粒子径とは、 窒素吸着法 （ B E T法） により測定された 比表面積 （m ² Z g ) から、 平均粒子径 （ 2 7 2 0 /比表 面積） の式によって与えられた値である （特開平 1 — 3 1 7 1 1 5号参照） 。 シリ カ粒子の平均粒子径が 1 0 n m未満で は、 反射防止膜の十分な強度を得るのが困難な場合があ り、 平均粒子径が 2 0 0 n mを越えると、 反射防止膜の算術平均 粗さ （ R a ) が大きく なり、 へ一ズが発生しやすく なつたり、 透視像の解像度が低下しやすく なる場合がある。

上記ス ト リ ング状のシリカ粒子を用いる場合、 特に好適に 用いる ことができるものは、 5〜 3 0 n m、 より好ましく は 1 0〜 3 0 n mの平均粒子径を有する、 球状、 板状、 針状な どの形状のシリ カ粒子が複数連なり、 3 0〜 2 0 0 n mの平 均長さを有するまで連続した数珠状シリカス ト リ ングである。 こ こで、 平均長さ とは動的光散乱法による測定値であ り、 例 えば Journal of Chemical Physics, 第 5 7巻、 第 1 1 号、 4 8 1 4頁 （ 1 9 7 2年） に記載されている動的光散乱法に よ り測定する ことができる。

上記数珠状シリ カス ト リ ングを用いる場合、 数珠状シリカ ス ト リ ングを構成するシリカ粒子の平均粒子径が 1 0 n m未 満では、 反射防止膜の十分な強度を得るのが困難な場合があ り、 平均粒子径が 3 0 n mを越えると、 反射防止膜の算術平 均粗さ （ R a ) が大き く な り 、 ヘーズが発生しやすく なつた り 、 透視像の解像度が低下しやすぐな り 、 視認性が低下する 場合がある。 また、 数珠状シリ カス ト リ ングの平均長さが 3 0 n m未満では、 反射防止膜の十分な強度を得るのが困難な 場合があ り 、 平均長さが 2 0 0 n mを越える と、 反射防止膜 の算術平均粗さ （ R a ) が大き く な り 、 ヘーズが発生しやす く なつた り 、 透視像の解像度 （鮮明度） が低下しやすく な り 、 視認性が低下する場合がある。

本発明において、 シリ カ粒子と して上記ス ト リ ング状シリ 力粒子を用いる と、 シ リ カ粒子が反射防止膜の表面近傍に存 在し易く なるほか、 反射防止膜の表面か ら シリ カ粒子が脱落 しにく く な り 、 またシリ カ粒子 1 個当た り の、 他のシリ カ粒 子と接触し結着する点の数が多く なるため、 反射防止膜の強 度が高く なるので好ま しい。 ス ト リ ング状シリ カ粒子と して は、 特に上記数珠状シ リ カス ト リ ングが好ま し く 、 二次元ま たは三次元的に湾曲した形状を有する数珠状シリ カス ト リ ン グが最も好ま しい。 数珠状シリ カス ト リ ングの具体例と して は、 日本国 日産化学工業株式会社製の 「ス ノーテッ クス （登 録商標） 一〇 U P 」 、 「ス ノーテッ ク ス （登録商標） — U P」 、 「スノ一テッ クス （登録商標） 一 P S — S 」 、 「スノーテツ クス （登録商標） 一 P S — S O」 、 「ス ノ ーテッ クス （登録 商標） — p s — M」 、 「ス ノーテッ クス （登録商標） 一 P S 一 M 0」 、 日本国触媒化成工業株式会社製の 「フ ァイ ン力夕 2004/008505

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□イ ド F ― 1 2 0 」 等が挙げられる。 れら数珠状シリ 力ス 卜 リ ングは緻密なシ リ 力主骨格か ら.なり 、 二次元的に湾曲 し た形状を有するため、 本発明で用いるシ V 力粒子と して特に 好ま しい

本発明において、 シリ 力粒子と してス h U ング状シリ 力粒 子を用いる場合、 反射防止膜中のス 卜 ング状シリ 力粒子の 合 古 -S- Ή 凰は特に限定されず 、 比較的多く用いれば内部に大きな 容量の空隙を持ち屈折率の低い反射防止膜が得られ、 逆に少 なく用いれば反射防止膜表面の凹凸を低減し 、 算術平均粗さ

( R a ) の低い反射防止膜が得られる ス U ング状シリ 力 粒子の好ましい含有量は 、 反射防止膜中に いて 1 〜 9 0

'里 % 、 よ Ό好ま し く は 1 0 - 7 0 重量 、 さ ら に好まし く は

2 0 〜 5 0 量％である ス 卜 リ ング状シ U 力粒子の含有量 が 9 0 重量％を超える と、 反射防止膜の算術平均粗さ （ R a ) が 2 n mを超える場合がある。

また、 上記ス ト リ ング状シリ 力粒子と itにそれ以外のシリ 力粒子を用いる場合 、 その量比は特に限定されないが 、 上 pL スス ト卜 リリ ング状シリ 力粒子の 、 それ以外のシリ カ粒子に対する 重重量量比比は 0 . 0 1 〜 1 0 0 の範囲が好ま し < 、 0 . 1 〜 1 0 のの範範囲囲がよ り好ま し < 、 0 . 3 〜 3 の範囲が特に好ましい。

本本発発明の反射防止膜は、 上記のシリ 力粒子の他に少なく と もも 11 種種のバイ ンダー化合物を含有し、 シ V 力粒子同士が該少 ななくく ととも 1 種のノ'ィ ンダー化合物を介して結合されている。 04 008505

1 8 ィ ンダー化合物と しては 、 シリ 力粒子と化学的に結合する もの、 しないものいずれも用 いる こ.とができるが、 好ま し < はシリ 力粒子と化学的に結合する ものである。 好ま しいバイ ンダー化合物と しては、 以下のものが挙げられる。

( 1 ) テ ト ラメ 卜キシシラ ン、 テ 卜 ラエ トキシシラ ン 、 テ ト ラ ( n —プロボキシ） シラ ン、 テ 卜 ラ ( i 一プロポキシ ) シ ラ ン、 テ 卜 ラ （ n _ブ 卜キシ） シラ ン 、 テ 卜 ラー s e c 一ブ 卜キシシラ ン、 テ ト ラ ー t e r t 一ブ 卜キシシラ ン、 U メ 卜キシシラン、 ト リ エ トキシシラン、 メチル 卜 リ メ トキシシ ラ ン、 メチル ト リ エ 卜キシシラ ン 、 ェチル 卜 リ メ トキシシラ ン 、 ェチル ドリ エ 卜キシシラ ン、 プ口 ピル ト リ メ トキシシラ ン 、 プ口 ピル ト リ エ トキシシラ ン 、 ィ ソプチル ト リ エ キシ シラ ン 、 シク 口へキシル ト リ メ 卜キシシラ ン、 フエ二ル h U メ 卜キシシラン、 フエニル 卜 リ エ 卜キシシラ ン、 ビニル 卜 U メ 卜キシシラ ン、 ビニル ト リ エ 卜キシシラ ン、 ァ リ ル 卜 U メ 卜キシシラン、 ァ リ ル 卜 リ ェ 卜キシシラ ン、 メチル 卜 V 一 n 一プロポキシシラ ン、 メチル ト リ 一 i S 0 —プロポキシシラ ン 、 メチル ト リ ー n — ブ 卜キシシラ ン 、 メチル ト リ ー s e c

―ブ 卜キシシラ ン、 メチル 卜 リ ー t e r t 一ブ トキシシラ ン、

Xチル 卜 リ ー n —プロポキシシラ ン、 ェチル ト リ ー i S o ― プロボキシシラ ン、 ェチル 卜 リ ー n 一ブ トキシシラン 、 ェチ ル 卜 U 一 s e c ーブ 卜キシシラ ン 、 ェチル ト リ ー t e r t 一 ブ 卜キシシラ ン、 n — プロ ピル 卜 リ ー n —プロポキシシラ ン、 n -プ π ピル U 一 i s o 一プロホキシシラ ン、 n —プロ ピ ル ト リ ― n ―ブ トキシシラ ン、 n —プロ ピル ト リ ー s e c — ブ トキシシラ ン 、 n 一プロ ピル ト リ — t e r t ーブ トキシシ ラン、 i ―プ P ビル ト リ メ トキシシラ ン、 i —プ口 ビル ト リ ェ トキシシラ ン 、 i 一 -プロ ピル ト リ ー n —プロボキシシラ ン、 i 一プ Π ピル 卜 リ 一 i s o —プロポキシシラ ン 、 i —プロ ピ ル ト リ n ―ブキシシラ ン、 i —プロ ピル ト リ 一 s ε c —ブ 卜キシシラ ン 、 i 一 プロ ピノレ 卜 リ _ t e r t —ブ 卜キシシラ ン、 n ―ブチル 卜 U メ トキシシラ ン、 n —ブチル 卜 リ エ トキ シシラ ン 、 n ―プチル ト リ — n —プロボキシシラ ン、 η —ブ チル 卜 U ― i S 0 一プロポキシシラ ン、 n —ブチル ト リ _ η

-ブ 卜キシシラ ン、 n _ブチル ト リ 一 s e c 一ブ 卜キシシラ ン、 n ―ブチル 一 t e r t —ブ トキシシラ ン、 η —ブチ ル ト リ フェノキシシラ ン、 s e c —ブチル 卜 リ メ トキシシラ ン、 s e c ―ブチル一 卜 リ ー n —プロボキシシラ ン、 s e c 一プチル ― 卜 U 一 i s o —プロポキシシラ ン、 S 6 c —フチ ルー ト U ― n ―ブ 卜キシシラン、 s e c —ブチルー ト リ — s e c —ブ キシシラ ン、 s e c —ブチルー ト リ — t e r t — ブ 卜キシシラン 、 t 一プチル ト リ メ トキシシラ ン、 t ーブチ ル 卜 U ェ キシシラ ン、 t 一ブチル ト リ ー n—プロボキシシ ラ ン、 t ―ブチル 卜 リ ー i s 0 —プロポキシシラ ン、 t ーブ チル 卜 U ― n ―ブ 卜キシシラ ン、 t 一ブチル 卜 リ 一 s e c ~ ブ 卜キシシラ ン 、 t 一ブチル ト リ ー t e r t —ブ トキシシラ ン フ ―ル 卜 リ ー n プ口ホキシシラ ン フ X ル 卜 U — i s 0 ―プ口ポキシシラ ン 、 フエ二ル 卜 'J ― n ブ トキシシ ラ ン フェ ル ト リ ― s e c ブ トキシシラ ン フ X二ル ト t e r t ー ブ 卜キシシラ ン、 ジメ 卜キシシラ ン 、 ジェ 卜 キシシラ ン メチルジメ 卜キシシラ ン 、 メチルジェ 卜キシシ ラ ン ジメチルジメ 卜キシシラ ン、 ンメチルジェ 卜キシシラ ン ンメチルジ ( n プロポキシ） シラ ン ジメチルジ ( i プ Πポキシ ) シラ ン、 ジメチ レジ ' ( n —ブ 卜キシ） シラ ン、 ジメチルジ ( s e c ブ 卜キシ） シラ ン、 ンメチルジ （ t e r t ―ブ hキシシラン） ジェチルンメ 卜キシシラン、 ジェ チルンェ hキシシラ ン、 ンェチルジ ( n ―プ ポキシ-) シラ ン ンェチルジ （ i プ Dポキシ） シラ ン ジェチルジ ( n ブ 卜キシ ) シラ ン 、 ジェチルジ （ s e c ―ブ 卜キシ） シラ ン ンェチルジ （ t e r t ーブ トキシシラ ン ) ンフェニル ジメ 卜キシシラ ン、 ジフ X二ルジェ キシシラ ン ジフェ二 ルン ( n ―プロポキシ） シラ ン、 ジフェ二ルジ ( i ——プ口ポ キシ） シラ ン 、 ジフ X二ルジ n —ブ 卜キシ ) シラン、 ジフ

X ルン ( s e c —ブ 卜キシ） シラ ン 、 ンフェ ルジ （ t e r t ―ブ 卜キシシラ ン） メチルェチルジメ 卜キシシラ ン、 メチル Xチルジエ トキシシラ ン、 メチルェチルン ( n プロ ポキシ） シラ ン、 メチルエヂルジ （ i プロボキシ） シラ ン、 メチルェチルジ （ n ブ トキシ） シラ ン、 メチルェチルジ ( s e c ブ 卜キシ） シラ ン、 メチルェチルジ （ t e r t' ブ ト P T/JP2004/008505

2 キシシラ ン） 、 メチルプロ ピルジメ トキシシラ ン、 メチルプ ロ ピルジェ 卜キシシラ ン、 メチルプロ ピジ （ n _ プロボキシ） シラン、 メチルプ口 ピルジ （ i 一プロホキシ) シラ ン 、 メチ ルプ口 ピルジ ( n - ブ 卜キシ） シラ ン、 メチルプロ ピルジ （ s e c一ブ 卜キシ） シラ ン、 メチルプロ ピルジ （ t e r t 一ブ 卜キシシラ ン ) 、- メチルフエニルジメ 卜ヤシシラ ン 、 メチル フ X二ルジェ 卜キシシラ ン、 メチルフェニルジ ( n ―プ口ポ キシ) シラ ン， , メチルフエニルジ ( i 一プロポキシ） シラ ン、 メチルフエ二ルジ （ n ーブ 卜キシ） シラ ン、 メチルフェニル ジ ( s e c —ブ トキシ ) シラ ン、 メチルフェイルジ ( t e r t ―ブ 卜キシシラ ン） 、 ェチルフエ二ルジメ トキシシラン、 ェチルフエ二ルジェ 卜キシシラン、 ェチルフエニルジ ( n ― プ Πポキシ） シラ ン、 ェチルフエニルジ （ i 一プロポキシ） シラ ン、 ェチルフエ二ルジ （ n—ブ トキシ） シラ ン 、 ェチル フ Xニルジ （ s e c —ブトキシ） シラン、 ェチルフ 一ルジ

( t e r t —ブ 卜キシシラ ン） 、 メチルビ二ルジメ 卜キシシ ラ ン 、 メチルビ二ルジェ 卜キシシラ ン 、 メチルビ二ルジ ( n 一プ口ポキシ ) シラン 、 メチルビニルジ （ i —プロポキシ） シラ ン、 メチルビ二ルジ （ n—ブ 卜キシ） シラ ン、 メチルビ 一ルジ （ s e c 一ブ トキシ） シラ ン、 メチルビニルン ( t e r t 一ブ 卜キシシラン ) 、 ジビニルジメ 卜千シシラ ン 、 ジビ 一ルジェ 卜キシシラ ン 、 ジピニルジ （ n—プロポキシ ) シラ ン ジビ二ルジ （ i 一プロボキシ） シラン、 ジビニルジ ( n 一ブ hキシ ) ン フ ン、 ジビニルジ （ s e c 一ブ トキシ） シラ

、

ン、 ンビ一ルジ （ t e r t —ブ トキシシラン） 、 メ 卜キシシ ラン 、 ェ 卜キシシラ ン、 メチルメ トキシシラ ン、 メチルエ ト キシシラ ン 、 ジメチルメ トキシシラ ン 、 ジメチルエ トキシシ ラ ン 、 卜 U メチルメ 卜キシシラ ン、 卜 U メチルェ トキシシラ ン、 卜 U メチル （ n 一プロボキシ） シラ ン 、 ト リ メチル （ i 一プ口ポキシ） シラ ン、 ト リ メチル （ n 一ブ トキシ） シラ ン、 卜 U メチル ( s e c ーブ 卜キシ） シラ ン、 卜 リ メチル ( t e r t ―ブ 卜キシシラ ン） 、 ト リェチルメ トキシシラン、 ト リ ェチルェ キシシラン、 ト リ ェチル （ n ―プロポキシ） シラ ン、 h リ ェチル （ i 一プロボキシ） シラ ン 、 ト リ ェチル （ n 一ブ hキシ ) シラン 、 ト リ ェチル （ s e c ーブ 卜キシ） シラ ン、 b U ェチル （ t e r t 一ブ トキシシラ ン） 、 ト リ プロ ピ ルメ 卜キシシラ ン 、 ト リ プロ ピルエ トキシシラ ン、 ト リ プロ ピル ( n ―プロポキシ） シラ ン、 卜 リ プ口 ピル （ i 一プロボ キシ ) シラ ン 、 卜 プロ ピル （ n —ブ 卜キシ） シラ ン、 卜 リ プロ ピル ( s e c ―ブ トキシ） シラン 、 卜 リ プロ ピル （ t e r t ―ブ 卜キシシラ ン） 、 ト リ フエ二ルメ トキシシラ ン、 ト

U フ X ―ルェ 卜キシシラ ン、 卜 リ フ エニル ( n —プロボキシ） シラ ン 、 フェ一ル （ i 一プロボキシ） シラ ン、 卜 リ フエ ニル ( n ―ブ トキシ） シラ ン、 ト リ フ 二ル s e c —ブ 卜 キシ） シラ ン、 ト リ フエニル （ t e r t 一ブ トキシシラ ン） 、 メチルジェチルメ トキシシラ ン、 メチルジェチルェ トキシシ T JP2004/008505

2 3 ラ ン 、 メチルジェチル ( n —プロポキシ） シラ ン、 メチルジ ェチル ( i 一 プロボキシ） シラ ン、 メチルジェチル （ n —ブ 卜キシ ) シラ ン、 メチルジェチル ( s e c —ブ トキシ） シラ ン、 メチルジェチル （ t e r t —ブ トキシシラン） 、 メチル

、

ンフ π ピルメ 卜キシシラ ン、 メチルジプロ ピルェ トキシシラ ン、 メチルジプロ ピル ( n —プロボキシ） シラ ン、 メチルジ プロ ピル ( i 一プロボキシ） シラ ン、 メチルジプロ ピル （ n 一ブ 卜キシ ) シラン、 メチルジプロ ピル ( s e c —ブ トキシ） シラ ン 、 メチルジプロ ピル （ t e r t —ブ トキシシラ ン） 、 メチルジフェニルメ トキシシラ ン、 メチルジフエニルェ トキ シシラン 、 メチルジフエニル ( n —プロボキシ） シラ ン、 メ チルジフェニル （ i —プロボキシ） シラ ン、 メチルジフエ二 ル （ n 一ブ トキシ） シラン、 メチルジフエニル （ s e c —ブ 卜キシ ) シラ ン、 メチルジフエニル ( t e r t ーブ 卜キシシ ラン ) 、 ェチルジメチルメ トキシシラン、 ェチルジメチルェ 卜キシシラン、 ェチルジメチル （ n —プロボキシ） シラ ン、 ェチルジメチル （ i 一プロボキシ） シラ ン、 ェチルジメチル

( n ―ブ キシ） シラ ン、 ェチルジメチル （ s e c —ブ トキ シ） シラ ン 、 ェチルジメチル （ t e r t _ブ トキシシラ ン） 、

、■?·

ェチルンプロ ピルメ 卜キシシラ ン、 ェチルジプロ ピルェ トキ シシラン、 ェチルジプロ ピル （ n —プロポキシ） シラ ン、 ェ チルジプロ ピル ( i 一プロボキシ） シラ ン、 ェチルジプロ ピ ル （ n —ブ トキシ） シラ ン、 ェチルジプロ ピル （ s e c —ブ 卜キシ） シラ ン、 ェチルジプ口 ピル ( t e r t ―ブ 卜キシシ ラ ン ) 、 ェチルシフ X二ルメ トキシシラ ン、 ェチルジフエ二 ルェ 卜キシシラ ン 、 エヂルシフエ二ル （ n 一プ Pポキシ） シ ラ ン 、 ェチルンフェニル ( i 一プロポキシ） シラ ン、 ェチル

、ヽ、

ジフ X二ル ( n 一ブ 卜キシ ) シラ ン 、 ェチルンフェニル ( S e c 一ブ 卜キシ ) シラン 、 ェチ レジフェニル ( t e r t —ブ

、

卜キシシラ ン ) 、 プ口 ピルンメチルメ 卜キシシラ ン、 プロ ピ ルジメチルェ 卜キシシラン 、 プ口 ピルジメチル ( n —プロボ キシ ) シラ ン . , プロ ピルジメチル （ i 一プロポキシ " ) シラ ン、 プロ ピルジ チル ( n―ブ キシ） シラ ン、 プ Π ピルジメチ ル （ s e c 一ブ 卜キシ） シラ ン、 プ口 ピルジメチル （ t e r t 一ブ 卜キシシラン ) 、 プ D ピルジェチルメ hキシシラ ン、 プ口 ピルジェチル X 卜キシシラ ン、 プ口 ピルンェチル （ n — フ 口ポキシ ) シラ ン 、 プ ピルジェチル ( i ―プロポキシ）

·»、、

シラ ン、 プ Π ピルンェチル ( n -ブ 卜キシ） シラ ン、 プロ ピ ルジェチル ( s e c 一ブ キシ） シラ ン 、 プ D ピルジェチル

( t e r t ―ブ 卜キシシラ ン ) 、 プ口 ピルジフェニルメ トキ シシラ ン 、 フ 口 ピルジフ X ―ルエ トキシシラ ン 、 - プ口 ピルジ フエニル （ n —プロボキシ） シラ ン、 プロ ピルジフエ二ル （ i 一プロポキシ） シラ ン、 プロ ピルジフエ二ル （ n —ブ トキシ） シラ ン、 プロ ピルジフエ二ル （ s e c —ブ トキシ） シラ ン、 プロ ピルジフエニル （ t e r t 一ブ トキシシラン） フエニル ジメチルメ トキシシラン、 フエニルジメチルエ トキシ.シラ ン、 フェ一ルジメチル ( n 一プロボキシ） シラ ン、 フエ二ルジメ チル ( i 一プロポキシ ) シラ ン、 フ.ェニルジメチル （ n —ブ 卜キシ） シラン、 フ X 一ルジメチル ( s e c 一ブ トキシ） シ ラ ン 、 フェニルジメチル ( t e r t -ブ 卜キシシラン） 、 フ

ヽや 、■*«

X二ルンェチルメ 卜キシシラ ン、 フエニルンェチルェ トキシ シラン 、 フエニルジェチル ( n -プロポキシ ) シラン、 フエ ニルジェチル （ i ―プ Pポキシ） シラ ン、 フェニルジェチル

( n ―ブ トキシ） シラ ン 、 フエニルジェチル ( s e c —ブ 卜 キシ ) シラ ン、 フェ一ルジェチル （ t e r t —ブ トキシシラ ン） 、 フェニルシプ口 ピルメ トキシシラ ン 、 フエニルジプロ ピルェ 卜キシシラ ン 、 フェニルジプロ ピル ( n —プロボキシ）

ヽヽヽ

シラン 、 フエニルンプ ピル （ i ープ口ポキシ） シラン、 フ ェ二ルンプ口 ピル ( n ―ブ 卜キシ） シラ ンゝ フエニルジプロ ピル ( s e c —フ hキシ ) シラ ン、 フェ二ルジプロ ピル （ t e r t ―ブ 卜キシシラ ン ) 、 ト リ ビニルメ 卜キシシラン、 卜 リ ビ一ルェ 卜キシシラ ン 、 ト リ ビニル ( n 一プロポキシ） シ ラ ン 、 リ ビニル ( i - -プロポキシ） シラ ン、 ト リ ビニル （ n 一ブ卜キシ） シラ ン 、 卜 リ ビニル （ s e c ブ 卜キシ） シラ ン、 卜 U ビニル （ t e r t 一ブ トキシシラ ン ) 、 ビニルジメ チルメ 卜キシシラ ン 、 ビニルジメチルェ 卜キシシラン、 ビニ ルジメチル （ n —プ Pポキシ） シラ ン 、 ビ一ルジメチル ( i 一プ Dポキシ） シラン 、 ビニルジメチル （ n —ブ トキシ） シ ラ ン 、 ピ二ルジメチル ( S 6 C —ブ トキシ ) シラ ン、 ビニル ジメチル ( t e r t — ブ トキシシラ ン ) 、 ビニルジェチルメ 卜キシシラン、 ビ二ルジェチルェ トキシシラ ン、 ビニルジェ チル （ n —プロポキシ） シラ ン、 ビニルジェチル （ i ―プ口 十シ) シラ ン 、 ビ二ルジェチル ( n 一ブトキシ） シラ ン、

ヽ、、 ビニルジェチル ( s e c ーブ 卜キシ） シラ ン、 ビニルンェチ ル （ t e r t —ブ 卜キシシラ ン） 、 ビ一ルジプ口 ピルメ 卜キ シシラ ン、 ヒニルジプロ ピルエ トキシシラ ン、 ビニルジプ口 ピル （ n —プロポキシ） シラ ン、 ビニルジプ口 ピル （ i 一プ ロボキシ） シラ ン、 ビ二ルジプ口 ピル ( n —ブ トキシ ) シラ ン、 ビニルジブ口 ピル 、 s e c —ブ 卜キシ） シラ ン、 ビニル ジプロ ピル （ t e r t 一ブ 卜キシシラン ) 、 ビス （ 卜 U メ 卜 キシシリ ル） メ夕 ン 、 ビス （ ト リ エ トキシシリリレ） メ夕 ン、 ビス （ 卜 リ フエノ キシシリ ル） メタ ン 、 ビス （ 卜 リ メ キシ シリ ル） ェタ ン 、 ピス （ ト リ エ トキシシリ ル） ェタン 、 ビス

( ト リ フエノキシシリ ル） ェタ ン、 1 3 — ビス （ 卜 U メ 卜 キシシリ ル） プ Πパン、 1 , 3 — ビス ( ト リ エ トキシシリル） プロパン、 1 , 3 — ビス （ ト リ フエノキシシリ ル） プロパン、

1 , 4 一 ビス （ h リ メ トキシシリ ル） ベンゼン、 1 , 4 一 ビ ス （ ト リ ェ 卜キシシリ ル） ベンゼン、 へキサメ トキシジシ口 キサン、 へキサェ トキシジシロキサン 、 へキサフエノ キシジ シロキサン、 1 ， 1 ， 1 , 3 , 3 -ぺンタ メ トキシ一 3 一メ チルジシロキサン、 1 , 1 , 1 , 3 ， 3 —ペン夕エ トキシ一

3 ーメチルジシロキサン、 1 , 1 , 1 3 , 3 —ペン夕メ 卜 キン― 3 フェ ルンシロキサン、 1 , 1 1 3 ， 3 ぺ ン夕ェ hキシ ― 3 ―フェ二ルジシロ ·キサン 1 1 3 ， 3

―テ 卜 ラメ hキシ ― 1 , 3 - -ジメチルジシロキサン、 1 , 1 ，

3 ， 3 ―テ h ラェ キシ 1 , 3 ジメチルンシ □キサン、

1 1 3 3 ―テ h ラメ 卜キシー 1 , 3 ―ンフェニルジシ

□キサン 1 1 3 3 ーテ 卜 ラエ 卜キシ 1 3 ジフ ェ ルンシ πキサン 1 , 1 , 3 - 卜 リ メ キシ ― 1 3 ，

3 卜 U メチルンシ Uキサン、 1 , 1 , 3 ― h U ェ 卜キシ

1 3 3 ― U メチルジシロキサン、 1 1 3 - 卜 U メ 卜キシ 1 3 3 卜 U フエ二ルジシ口キサン 1 ， 1 ，

3 ― 卜 ェ hキシ 1 , 3 ， 3 - 卜 リ フエ二ルジシ Πキサン、

. 1 3 ―ンメ hキシ ― 1 , 1 , 3 , 3 —テ h ラメチルジシ口 キサン 1 3 ―ンェ 卜キシ— 1 , 1 , 3 3 ―テ 卜 ラメチ ルジシ □キサン 1 3 ジメ トキシー 1 1 3 3 テ 卜 ラフェ ―ルンシ □キサン 1 , 3 ジェ hキシ ― 1 1

3 3 テ ト ラフエニルジシロキサン、 3 ジメ トキシー 1 ,

1 3 , 3 テ 卜 フ メチルンシロキサン、 1 , 3 ジェ 卜キ シ 1 , 1 3 3 —テ 卜 ラメチルジシ口キサン、 1 , 3 - ンメ hキシー 1 , 1 , 3 3 ―テ 卜 ラフェ二ルジシ口キサン、

1 3 ージェ トキシ 1 1 , 3 , 3 テ 卜 ラフエニ レジシ

Pキサン、 3 ーク □ 口 プロ ピル ト リ メ 卜キシシラ ン 3 -ク

Π Πプ口 ピル 卜 リ エ トキシシラン、 3 - ヒ ド、 ロキシプ口 ピル h U メ トキシシラ ン 3 - ヒ ド ロキシプ口 ピル 卜 リ エ トキシ シラ ン、 3 ―メルカプ 卜 プ U ピル ト リ メ 卜キン ンフ ン、 3 一 メルカプ hプ D ピル Uェ hキシシ.ラ ン 、 卜 リ フルォロプロ ピル 卜 リ メ 卜キシシラ ン 、 h U フルォロプ口 ピル 卜 リ エ 卜キ シシラ ン 、 3 ―ァミ ノ プ □ピル 卜 リ エ 卜キシシラ ン、 . 3 一ァ ミ ノ プロ ピル 卜 U メ キシシラン、 N— ( 2 - -アミ ノ エチル） 一 3 —ァ ノ プ口 ピル 卜 U ェ キシシラ ン、 N - - ( 2 -ァミ ノ エチル） ― 3 一ァ ノ プ口 ピル ト リ メ 卜キシシラ ン、 テ 卜 ラァセ 卜ギシシラ ン 、 テ b ラキス （ 卜 リ ク π ロアセ 卜キシ） シラ ン、 テ h ラキス ( 卜 U フルォロアセ 卜キシ） シラ ン 、 卜 リ アセ 卜キ シラ ン 、 U ス ( 卜 U ク ロ 口ァセ 卜キシ） シラ ン、 卜 リ ス ( リ フルォ □ァセ トキシ） シラ ン、 メチル h U ァセ トキシシラ ン、 メチル 卜 ス （ 卜 リ ク π ロアセ 卜キシ） シラ ン、 メチル 卜 U ス ( 卜 U フルォロアセ 卜キシ） シラ ン、 フエニル U ァセ 卜キシシラ ン 、 フエ二ル 卜 リ ス （ 卜 リ ク □ ロアセ 卜キシ） シラ ン 、 フェ ―ル ト リ ス ( 卜 リ フルォロァセ トキシ） シラ ン、 メチルジァセ トキシシラ ン、 メチルビス （ ト

U ク Pァセ 卜キシ） シラ ン、 メチルビス （ ト リ フルォロア セ 卜キシ ) シラ ン 、 フエニルジァセ トキシシラ ン、 フエニル ビス ( h U ク D Dァセ トキシ） シラン、 フエ二ルビス （ ト リ フルォ Pァセ 卜キシ） シラ ン、ジメチルジァセ 卜キシシラ ン、 ジメチルビス ( 卜 リ ク ロ ロァセ トキシ） シラ ン 、 ジメチルビ ス （ U フルォ口ァセ 卜キシ） シラ ン、 メチルフエ二ルジァ セ 卜キシシラ ン、 メチルフ エニルビス （ ト リ ク ロ ロァセ トキ シ） シラ ン、 メチルフエニルビス ( ト リ フルォロアセ 卜キシ） シラ ン、 ジフエニルジァセ トキシシラ ン、 ジフエニルビス （ ト

U ク □ Πァセ 卜キシ） シラ ン 、 ジフエ二ルビス （ 卜 リ フルォ α 7セ hキシ ) シラ ン. . メチルァセ トキシシラ ン、 メチル （ ト

U ク □ □ァセ 卜キシ） シラ ン 、 メチル （ ト リ フルォロアセ 卜 キシ） シラ ン 、 フエ二ルァセ 卜キシシラン、 フエニル （ ト リ ク □ Πァセ 卜キシ） シラ ン、 フエニル （ ト リ フルォロアセ 卜 キシ） シラ ン 、 ジメチルァセ 卜キシシラ ン、 ジメチル （ ト リ ク Π □ァセ 卜キシ） シラ ン、 ジメチル （ 卜 リ フルォロアセ 卜 キシ） シラ ン、 ジフエ二ルァセ トキシシラ ン、 ジフエ二ル （ ト ク ロ ロァセ 卜キシ） シラン、 ン フ ェ二ル ( 卜 U フルォ口ァ セ hキシ） シラン、 卜 り メチルァセ トキシシラ ン 、 卜 リ メチ ル ( 卜 リ ク □ ロアセ 卜キシ） シラ ン、 卜 U メチル ( 卜 リ フル ォ πァセ 卜キシ） シラ ン 、 ト リ フエニルァセ 卜キシシラ ン、

U フ エニル ( 卜 U ク ロ ロアセ 卜キシ） シラ ン 、 h U フ工二 ル ( ト リ フルォロアセ トキシ） シラ ン、 テ 卜 ラク □ P シラ ン、 テ h ラブロモシラン、 テ ト ラ フルォロ シラ ン 、 卜 U ク □口 シ ラ ン 、 卜 リ ブ口モシラ ン 、 ト リ フルォロシラ ン 、 メチル ク 口 ロ シラ ン 、 メチル 卜 リ ブ口モシラ ン 、 メチル 卜 U フルォ

□シラ ン、 フェニル ト リ ク ロ ロ シラ ン、 フェ一ル U プ口モ シラ ン、 フエニル 卜 リ フルォロ シラ ン、 メチルジク D π シラ ン 、 メチルジブ口モシラ ン、 メチルジフルォ □シラ ン 、 フェ 一ルジク ロ ロ シラ ン、 フェニルジブロモシラ ン 、 フヱ一ルジ フルォロ シラ ン、 ジメチルジク ロ ロシラ ン、 ジメチルジブ口 モシラ ン、 ジメチルジフルォロ シラ ン、 メチルフエ二ルジク ロ ロ シラ ン、 メチルフエニルジブ口モシラ ン、 メチルフ エ二 ルジフリレオロ シラ ン、 ジフエニリレジク ロ ロ シラ ン、 ジフエ二 ルジブ口モシラ ン、 ジフエ二ルジフルォロシラ ン、 メチルク ロ ロ シラ ン、 メチルブロモシラ ン、 メチルフルォロ シラ ン、 フエニゾレク ロ ロ シラン、 フエ二ルブロモシラ ン、 フエニルフ ルォロシラ ン、 ジメチルク ロ ロ シラ ン、 ジメチルブロモシラ ン、 ジメチルフルォロシラン、 ジフエニルク ロ ロ シラ ン、 ジ フエ二ルブロモシラ ン、 ジフエニルフルォロシラ ン、 ト リ メ チルク ロ ロシラ ン、 ト リ メチルブロモシラ ン、 ト リ メチルフ ルォロ シラ ン、 ト リ フエニルク ロ ロシラ ン、 ト リ フエニルプ 口モシラ ン、 ト リ フエニルフルォロシラ ンなどの加水分解性 シラ ン類、 またはこれらの部分加水分解物及び Zまたは脱水 縮合物 （これらは反射防止膜中でシロキサン結合を介して 3 次元架撟している こ とが好ま しい） ；

( 2 ) 3 —グリ シ ドキシプロ ピル ト リ メ トキシシラ ン、 3 — グリ シ ドキシプロ ピル ト リ エ トキシシラン、 3 —ァク リ ロキ シプロ ピル ト リ メ トキシシラ ン、 3 —ァク リ ロキシプロ ピル 卜 リ エ トキシシラ ン、 3 —メ夕 ク リ ロキシプロ ビル ト リ メ ト キシシラ ン、 3 _メ夕ク リ ロキシプロ ピル ト リ ェ 卜キシシラ ン、 3 —ァク リ ロキシプロ ピル ト リ ァセ トキシシラ ン、 3 — ァク リ ロキシプロ ピル ト リ ス （ ト リ ク ロ ロアセ トキシ） シラ T JP2004/008505

3 1 ン、 3 一ァク リ ロキシプ口 ピル ト U ス ( 卜 U フルォロ アセ 卜 キシ ) シラ ン 、 3 一 メ 夕ク リ ロキシ'プ口 ピル ト リ ァセ 卜キシ シラ ン 、 3 一 メタク リ ロキシプ口 ピル 卜 リ ス ( 卜 リ ク 口 口ァ セ トキシ） シラ ン、 3 — メ 夕ク リ πキシプ口 ピル 卜 リ ス ( 卜

U フルォ口ァセ 卜キシ ) シラ ン、 3 ―グリ シ ドキシプロ ピル ト リ ァセ トキシシラ ン、 3 — グリ シ ドキシプロ ピリレ ト リ ス（ 卜

U ク □ ロアセ 卜キシ） シラ ン 、 3 一グリ シ ドキシプロ ピル ト

U ス （ 卜 リ フルォロ アセ トキシ） シラ ン、 3 —ァク リ ロキシ プ口 ピル ク ロ ロ シラ ン 、 3 一ァク リ ロキシプロ ピル 卜 リ ブ口モシラ ン 、 3 -ァク U キシプ口 ピル ト リ フルォロシラ ン 、 3 ―メ夕ク リ ロキシプ □ピル リ ク ロ ロ シシラ ン、 3 — メ夕ク U 口キシプ口 ピル 卜 ブ口モシラ ン、 3 —メタク リ ロ キシプ π ピル ト リ フルォ D シラ ンゝ 3 - ダリ シ ドキシプロ ピ ル 卜 U ク 口 πシラ ン、 3 ―グリ シ キシプロ ピル ト リ ブロモ シラ ン 、 3 一 グリ シ ドキシプ Π ピル ト リ フルォロシラ ン、 3

―グリ シ ドキシプ口 ピルメチルジメ トキシシラ ン、 3 — ダリ シ ドキシプロ ピルメチルジェ 卜キシシラ ン、 3 —グリ シ ドキ シプロ ピルジメチルメ 卜キシシラ ン 、 3 — グリ シ ドキシプ口 ピルジメチルェ 卜キシシラン 、 3 ―メタク リ ロキシプロ ピル メチルンメ 卜キシシラ ン 、 3 一 メ夕ク リ ロキシプロ ピルメチ ルジェ キシシラ ン、 3 ―メ夕 ク U ロキシプロ ピルジメチル メ 卜キシシラ ン、 3 — メ夕ク U oキシプロ ピルジメチルェ ト キシシラ ン、 3 —メタ ク U □キシプロ ピル 卜 リ ス (メ トキシ ェ hキシ） シフ ン、 3 一 メタク リ Pキシプ□ピルメチルシク

P D シラン 3 一メタク U ロキシプ □ピルジメチルク ロ D シ ラ ン 3 - メ夕ク U 口キシプ口 ピルシラ 卜 ラ ン 3 — メ 夕 ク

U □キシプ口 ピル 卜 リ プ Dポ千シシラ ン、 〇 ―メ 夕ク リ □キ シェチル― N ― 卜 'J ェ 卜キシシリ ルプ口 ピルク レ夕 ン、 N ―

( 3 ―メ夕 ク 口キシ一 2 ー ヒ ド キシプ □ピル） 一 3 ―ァ ノ プ口 ピル リ ェ 卜キシシラ ン 3 一メルカプ 卜プロ ピル

U メ 卜キシシラ ン 3 ―メルカプ hプ口 ピル リ エ トキシ シラン 3 ―メルカプ 卜プ口 ピルメチルジメ 卜キシシラ ン

3 ―メルカプ プ口 ピルメチルジ X キシシラン 3 ―メル 力プ プロ ピルジメチルメ 卜キシシラ ン、 3 ―メルカプ h プ ピルジメチルェ 卜キシシラ ンなどの 、 同一分子内に重口性 官能基およびシリ 力粒子と共有結 σ を形成する とが可能な 官能基とを併せ持つ加水分解性シラ ン またはこれらの部 分加水分解物及び Zまたは脱水縮合物 （これらは反射防止膜 中でシロキサン結合を介して 3 次元架橋している こ と、 また 重合性官能基が重合している こ とが好ま し く 、 その両方であ る こ とがよ り好ま しい） ； .

( 3 ) ケィ酸、 ト リ メチルシラ ノール、 ト リ フエニルシラ ノ ール、 ジメチルシラ ンジオ一ル、ジフエニルシランジオール、 シラ ノール末端ポ リ ジメチルシロキサン、 シラ ノール末端ポ リ ジフエニルシロキサン、 シラ ノール末端ポリ メチルフエ二 ルシロキサン、 シラ ノ ール末端ポリ メチルラダーシロキサン、 シラ ノール末端ポリ フ Xニルラダーシロキサン、 ォク 夕 ヒ ド 口キシォク 夕 シルセスキォキサンなどの.、 シラ ノ一ル基を含 有するケィ素化合物 ( れらは反射防止膜中でシ □キサン結 合を介して 3 次元架 している こ とが好ま しい）

( 4 ) 水ガラス、 ォル 卜ケィ酸ナ ト リ ウム 、 オル hゲイ酸力 リ ゥム 、 ォル 卜ケィ U チウム、 メタケイ酸ナ 卜 U ゥム 、 メ 夕ケィ酸力 U ゥム、 メ夕ケィ酸リ チウム、 才ル トケィ酸テ 卜 ラメチルァンモニゥム 、 オル トケィ酸テ ト ラプ口 ピルァンモ 二ゥム 、 メ 夕ケィ酸テ ラメチルア ンモニゥム、 . メタケイ酸 テ ト ラフ 口 ピルアンモニゥムなどのケィ 塩を酸ゃィ ォン父 換樹脂に接触させる こ とによ り得られる活性シリ カ （ れら は反射防止 中でシロキサンポロ 口 を介して 3 次元架橋してい る こ とが好ましい） ；

( 5 )ポリ エチレングリ コール、ポリ プ口 ピ レングリ コ一ル、 ポリ テ 卜 ラメチレングリ コ一ルなどのポ u ェ一テル類 、 ポ リ アク リ ルァ ド誘導体 、 ポ リ メ夕ク リ ルァミ ド誘導体 、 ポ リ

( N - ビニルピ□ u ド ン） 、 ポリ ( 一ァシルェチレンィ ン） などのァミ ド類、 ポ リ ビニルアルコ ―ル、 ポリ 酢酸ビ二 ル、 ポ リ アク リ ル酸誘導体、 ポリ メ 夕ク ル酸誘導体 、 ポ リ 力プロ ラク ンなどのエステル類 、 ポリ ィ ミ ド類、 ポ U ゥ レ タ ン類、 ポ u尿素類、 ポ リ 力ーポネー 卜 などの有機ポ リ マ 一 （尚、 これら有機ポリ マーの末端や主鎖中に、 重合性官能 基を有していス 但 A

口 、 反射防止瞠中で重口 している こ とが好 ま しい）

( 6 ) ァルキル （メタ） ァク リ レー ト、 アルキレンビス （メ 夕 ) ァク U レ一 .ト、 卜 リ メチロールプロノ ン ト U (メ夕） ァ ク U レー 卜 、 ペンタエリ ス リ トール ト リ （メタ ) ァク リ レ ぺン夕エリ ス リ トールテ ト ラ (メタ） ァク 、

V レ一卜、 ン 、、 ぺン夕ェ U ス リ トールペン夕 (メ タ） ァク リ レ ~~ 、 ジぺン 夕ェリ ス U トールへキサ (メタ） ァク リ レー ト 、 ァルキレン ビスグリ シジルエーテル、 ト リ メチ口一ルプロパン 卜 リ グ U シジルェ一テル、 ペン夕エリ ス リ ト一ル ト リ グリ シジルェ一 テル 、 ぺン夕エリ ス リ トールテ ト ラグリ シジル X ―テル、 ビ 一ルシク 口へキセンジエポキシ ドなどの重合性モノマー （ で 、 (メ 夕） ァク リ レー ト とはァク リ レー ト とメ夕ク リ レ 一 の両方を指す） （これらは反射防止膜中で硬化している とが好ま しい） ； そして

( 7 ) (メ夕） アク リ ル系 U V硬化性樹脂、 湿気硬化型シ コ一ン樹脂 、 熱硬化型シリ コーン樹脂、 ェポキシ樹脂、 フェ ノキシ榭脂 、 ノ ポラ ック樹脂、シリ コーンァク リ レ ト樹脂 、 メ ラミ ン樹脂、 フヱノール榭脂、 不飽和ポ リ エステル榭脂 ポリィ ミ 樹脂、 ウ レタ ン樹脂、 尿素樹脂などの公知の硬化 性樹脂、 などである （これらは反射防止膜中でシロキサン結 合を介して 3 次元架橋しているか、 重合性官能基が重合して いる こ とが好ま しい） 。

これらバイ ンダー化合物は単独で用いても、 複数を併用 し ても構わない。 上記バィ ンダー化合物の中で特に好ましいの は、 上記 （ 2 ) の同一分子内に重合性官能基およびシリ カ粒 子と共有結合を形成する ことが可能な官能基とを併せ持つ加 水分解性シラン類である。 また、 上記 （ 5 ) の有機ポリマ一 のうち末端や主鎖中に重合性官能基が含まれているものを上 記（ 6 ) の重合性モノマーと併用するのも好ましい。特に （ 2 ) のバイ ンダー化合物を用いる場合、 反射防止膜中でバイ ンダ —化合物がポリ マーと して存在するだけでなく 、 バイ ンダ一 化合物がシリカ粒子と共有結合を形成するために、 よ り機械 強度に優れた反射防止膜が得られる。 シリカ粒子を共有結合 を形成しないものであっても 、 分子間力 、 水素 口 、 ィォン 糸口ノロ'などにより シリ 力粒子同士を結合す ■ώ

バィ ンダ ―化合物の量は' 、 上記シリ 力粒子に対し 里比で

0 . 0 1 〜 2 0 、 好ましく は 0 . 1 〜 1 0 、 よ Ό好ましく は

0 . 2 〜 5 、 さ らに好まし < は 0 . 3 〜 2である

上記のバィ ンダー化合物の中でも特に 、 ( 2 ) の 一分子 内に重合性官能基およびシ 力粒子と共有結合を形成する こ とが可能な官能基とを併せ持つ加水分解性シラン類 、 または これらの部分加水分解物及び/または脱水縮合物が好ましレ その理由は、 反射防止膜中にシリ カ粒子が均一に分散し易い ため、 算術平均粗さ （ R a ) を小さ くすることや、 シリ カ粒 子を反射防止膜表面近傍に存在させる ことが容易に達成でき るからである。 このようなバイ ンダーの含有量は、 該反射防 JP2004/008505

3 6 止膜中のシ リ 力粒子に含まれるケィ素原子に対する、 該シ リ 力粒子と 有結合を形成する こ とが可能な官能基のモル数の 比で 0 0 1 〜 5 、 好ま し く は 0 . 0' 5 〜 3 、 さ ら に好ま し く は 0 1 〜 1 である。 なお該官能基の数え方に関しては、 例えば 卜 U メ トキシシ リル基、 メチルジメ トキシシリ ル基、 ジメチルメ 卜キシシ リ ル基のいずれも 1 個と数える。 ェ トキ シ 、 ァセチル基、 ク 口 口基等を有する シ リ ル基等の場合に も同様でめる。

本発明の反射防止膜は、 上記複数のシリ カ粒子、 少なく と も 1 種のバィ ンダ一化合物、 及び所望によ り添加物を分散媒 に分散した状態で光学基板上、 あるいは後述する仮基板上に 塗布する とによ り形成する こ とができる。用いる分散媒は、 実質的にシリ カ粒子 、 'バィ ンダー化合物及び添加物を安定に 分散させる こ とができれば特に限定されない。

上記分散媒の具体例 と して、 水、 炭素数 1 〜 6 の一価アル

山

コール 、 灰素数 1 〜 6 の二価アルコール、 グリ セリ ンなどの アルコ ル類の他、ホルムアミ ド、 N —メチルホルムアミ ド、

N —ェチルホルムアミ ド、 N , N —ジメチルホルムアミ ド、 N , N —ジェチルホルムアミ ド、 N —メチルァセ ト アミ ド、 N —ェチルァセ トアミ ド、 N ， N —ジメチルァセ トアミ ド、 N , N — ジェチルァセ 卜アミ ド、 N —メチルピロ リ ドンなど のアミ ド類、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ン、 ジェチルエーテル、 ジ （ n 一プロ ピル） エーテル、 ジイ ソプロ ピルエーテル、 ジグライ ム、 1 、 4 一ジォキサン、. エチレングリ コールジメチルエー テル、 エチレングリ コールジェチルェ一テル、 プロ ピレング リ コールジメチルエーテルなどのエーテル類、 エチレンダリ コールモノ メチルエーテル、 プロ ピレングリ コールモノ メチ ルエーテル、 エチレングリ コ一ルモノ エチルエーテル、 プロ ピレンダリ コールモノ ェチルエーテル、 エチレングリ コール モノ プロ ピルェ一テル、 プロ ピレングリ コールモノ プロ ピル エーテル、 エチレングリ コールモノ ブチルエーテル、 プロ ピ レングリ コールモノ ブチルェ一テルなどのアル力 ノ一ルェ一 テル類、 ギ酸ェチル、 酢酸メチル、 酢酸ェチル、 乳酸ェチル、 エチレング 3 ―ルモノ メチルエーテルァセテ一 卜、 ェチレ ングリ コ ルジァセテ― ト、 プロ ピレングリ コールモノ メチ ルェ一テルァセテ一 h 、 炭酸ジェチル、 炭酸ェチレン、 炭酸 プロ ピレン 、 Ύ 一ブチ口 ラク ト ン、 ァセ ト酢酸ェチルなどの エステル 、 ァセ 卜 ン、 メチルェチルケ ト ン、 メチルプロ ピ ルケ ト ン 、 メチル ( n―プチル） ケ ト ン、 メチルイ ソブチル

— %

ケ ト ン、 メチルァ 、 ルケ 卜 ン、 ァセチルァセ 卜 ン、 シク ロべ ンタノ ン 、 シク □へキサノ ンなどのケ ト ン類、 ァセ 卜ニ 卜 リ ル、 プロ ピォ二 卜 U ル、 n —プチロニ ト リ ル、 イ ソプチロニ 卜 リルなどの二 卜 U ル類 、 ジメチルスルホキシ ド、 ジメチル スルホン スルホラ ンなどが好適に用い られる

よ り好ま しい分散媒は 、 炭素数 1 〜 6 の一価アルコール類、 およびェチレング U 3 一ルモノ メチルエーテル 、 プロ ピレン P T/JP2004/008505

3 8 グリ コールモノ メチルエーテル、 エチレングリ コールモノ エ チルエーテル、 プロ ピレンダリ コールモノ ェチルエーテル、 エチレンダリ コールモノ プロ ピルエーテル、 プロ ピレンダリ コールモノ プロ ピルエーテル、 エチレングリ コールモノ ブチ ルエーテル、 プロ ピレンダリ コールモノ ブチルエーテルなど のアルカ ノ一ルエーテル類、ァセ ト ン、メチルェチルケ ト ン、 メチルプロ ピルケ ト ン、 メチル ( n ーブチル） ケ ト ン、 メチ ルイ ソブチルケ ト ン、 メチルアミルケ ト ン、 ァセチルァセ ト ン、 シク ロ.ペン夕 ノ ン、 シク ロへキサノ ンなどのケ ト ン類で ある。

これらの分散媒は、 本発明の目的を損なわない限り混合し た り 、 他の任意の溶媒または添加物を混合してもよい。

上記分散液中におけるシリ カ粒子の濃度は、 良好な成膜性 を与える上か らは、 好ま し く は 0 . 0 1 〜 1 0 重量％、 ょ り 好まし く は 0 . 0 5 〜 5 重量％である。 濃度が 0 . 0 1 重量％ 未満の場合、 所望の厚さ を もつ膜を得るのが困難となる。 一 方、 濃度が 1 0 重量％ を越える場合、 塗布液粘度が高 く な り すぎて、 成膜性が低下する傾向がある。

上記分散液を光学基板に塗布するにあた り 、 塗布性能およ び光学基板との接着力を高めるために、 公知の レべ リ ング剤 や結合助剤（カ ツ プリ ング剤）を添加する こ とも有効である。

尚、 バイ ンダ一化合物は、 シ リ カ粒子を含む分散液に予め 加えてから基板に塗布してもよいし、 光学基板に予めバイ ン ダー化合物またはバィ ンダ一化合物を含む溶液を塗布してか らシリ カ粒子を含む分散液を塗布してもよレ 。 の場 □ シ リカ粒子を含む分散液 ¾^塗布した後に、 バィ ンダ ―成分がシ リカ粒子層の一部または全部に浸透するよう に 、 バイ ンダ 化合物の粘度やシリカ分散媒の種類を調節したり 、 塗布後の 熱処理温度や時間を設 ¾したり、 プレスを行うなどによ Ό 、 反射防止膜の機械強度が向上する。 あるいは逆に 、 光学 板 に予めシリ カ粒子を含む分散液を塗 1Ϊした後に 、 バイ ンダ 化合物またはバイ ンダー化合物を含む溶液を塗布してもよレ 。 この場合も； バイ ンダ一化合物を含む溶液を,塗布した後に、 バイ ンダー成分がシリ カ粒子層の一部または全部に浸透する よう に 、バインダー化合物の粘度や溶媒の種類を調節した り、 塗布後の熱処理温度や時間を設定したり、 プレスを行うなど を行 のが好ましい。

また 、 シリカ粒子分散液がバイ ンダー化合物を含んでいる 場 □であっても、 別途バイ ンダー化合物を塗布ずる こ とが可 能でめる。 例えば、 加水分解性シラン類を含むシリカ粒子分 散液を塗布した後に、 （メタ） アク リ ル系紫外線硬化型樹脂 をさ らに塗布することもできる。

l。J 、 バイ ンダー化合物と して、 上記 ( 5 ) の有機ポリ マー の Ό ち末端や主鎖中に重合性官能基が含まれているものを上 記 ( 6 ) の重合性モノマーと併用する場合、 重合性モノマ一

( 6 ) の種類は、 反応の形態、 速度などに応じて適宜選択さ れる。 この場合には、 さ らに添加物と して重合開始剤を添加 する こ とが有効である。 重合開始斉 ijと しては、 熱ラジカル発 生剤、 光ラジカル発生剤、 熱酸発生剤、 光酸発生剤など公知 のものを、 上記の重合性官能基や重合性モノマーの反応形態 に応じて選ぶことができる。 熱 光ラジカル発生剤の具体例 と しては、 曰本国チバ · スぺシャ リティ · ケミカルズ株式会 社製ィルガキュア （登録商標） 及びダロキュア （登録商標） などのァセ 卜フエノ ン系、 ベンゾフエノ ン系、 ホスフィ ン才 キサイ ド系、 チタノセン系の各重合開始剤、 チォキサン ト ン 系重合開始剤、 ジァゾ系重合開始剤、 o —ァシルォキシム系 重合開始剤などが挙げられる。 これらの中でもィルガキュア (登録商標） 9 0 7、 ィルガキュア （登録商標） 3 6 9 、 ィ ルガキュア （登録商標） 3 7 9 等の分子内にアミ ノ基および Zまたはモルホリ ノ基を有する重合開始剤が特に好ましい。 また熱 Z光酸発生剤の具体例としては、 日本国三新化学工業 株式会社製サンエイ ド （商標） S I シリーズ、 日本国和光純 薬工業株式会社製 W P I シリーズ、 W P A Gシリーズ、 日本 国シグマアルド リ ツチジャパン株式会社製 P A G s シリーズ に代表される、 スルホニゥム系、 ョー ドニゥム系、 ジァゾメ タン系の各重合開始剤などが挙げられる。

バイ ンダー化合物として、 上記 （ 2 ) の加水分解性シラン 類、 （ 6 ) の重合性モノマー及び （ 5 ) の有機ポリマーのう ち末端や主鎖中に重合性官能基が含まれているもの ¾どの、 04 008505

4 1 重合性官能基を有するバイ ンダー化合物を用いる場合、 上 PL 分散媒に溶解または分散する範囲で予め重合して用いてもよ い。 特にこれらバイ ンダー化合物の中で沸点の低いものを組 み合わせて用いる場合には、 上記のよう に予め重合しておく ことで塗ェ時の膜厚均一性などの制御が容易になる。

よ / 、 バイ ンダ一化合物として上記 （ 1 ) 及び （ 2 ) の加 水分解性シラン類を用いる場合は 、 モノマ一の状態で用いる こともできるが 、 部分加水分解 - 脱水縮合させた方が好まし い。 部分加水分解 • 脱水縮合反応は、 加水分解性シラ ンを水 と反応させる とによって行うが 、 触媒として、 塩酸、 硫酸、 硝酸、 リ ン酸、 ホウ酸、 ギ酸、 酢酸などの酸類、 アンモニア、 ト リ アルキルアミ ン、 水酸化ナ ト リ ウム 、 水酸化力 リ ゥム、 コ リ ン'、 テ 卜ラァルキルアンモニゥムヒ 口キシ ドなどのァ ルカ リ類 、 ジラゥ リ ン酸ジプチルスズなどのスズ化合物など を用いてもよい。 予め加水分解性シラン類の部分加水分解 · 脱水縮合を行つた後にシリ カ粒子と混合してもよいし、 シリ 力粒子の存在下で加水分解 · 脱水縮合反応を行ってもよい。

本発明の反射防止膜は、 帯電防止剤、 紫外線吸収剤、 赤外 線吸収剤 、 レペリ ング剤、 色素、 金属塩 、 界面活性剤、 離型 剤など種々の添加物を、 本発明の趣旨を損なわない範囲で含 有させる ことも可能である。 これらの添加物の量は、 前述の シリカ粒子とバイ ンダー化合物の重量の和に対して 1 0 0重 量％以下である ことが好ましい。 ' 本発明の反射防止膜を製造する具体的方法は特に限定され ず、 上記のシリ カ粒子を含む分散液'およびバィ ンダー化合物 を含む溶液を用いて光学基板上に塗布する際に、 シリ カ粒子 の形状、 含有量、 塗布液の濃度、 バイ ンダー化合物および添 加物の種類およびそれらの濃度、 塗布方法、 塗布条件などを 適宜選択すれば、公知のどのような製膜方法を用いてもよい。

上記のシリカ粒子を含む分散液およびバイ ンダ一化合物を 含む溶液の塗布は、 デイ ツ ビング、 スピンコ一 ト、 ナイ フコ ー ト、 バーコー ト、 ブレー ドコー ト、 スクイズコー ト、 リバ 一スロールコー ト、グラビア口一ルコー ト、スライ ドコー 卜、 力一テンコー ト、 スプレイ コー ト、 ダイ コ一 卜、 キャ ップコ ー トなどの公知の方法を用いて実施する ことができる。 これ らのうち、 連続塗布が可能なナイ フコー ト、 バ一コー ト、 ブ レ一 ドコー ト、 スクイズコー ト、 リバースロールコー ト、 グ ラビアロールコー ト、 スライ ドコー ト、 カーテンコー ト、 ス プレーコー ト、 ダイ コー トおよびキャ ップコー トが好ましく 用いられる。

上記のシリカ粒子を含む分散液およびバイ ンダー化合物を 含む溶液を塗布した後は、 分散媒を揮発させたり、 シリ カ粒 子間およびバイ ンダー成分を縮合、 架橋させるために加熱を 行う のが有効である。 加熱温度と時間は光学基板の耐熱性に よって決定される。 例えば、 光学基板として、 ガラス基板を 用いる場合、 5 0 0 °C以上の加熱を行う ことができる。 光学 基板と して、 樹脂基板を用いる場合、 加熱温度は通常 5 0 °C 〜 2 0 0 °C、 好ま し く は 8 0 〜 1 5 ' 0 °Cであ り 、 加熱時間は 通常 1秒〜 1 時間、 好ま し く は 1 0 秒間〜 3 分間の範囲であ る。 また、 上記バイ ンダー化合物が放射線硬化性を有する場 合は、 紫外線、 電子線などを公知の方法によって照射する。

本発明において、 反射防止膜表面に滑り性や防汚性などを 付与するために、 被覆層を設けてもよい。 被覆層は、 例えば フ ッ素樹脂、 湿気硬化型シリ コーン樹脂、 熱硬化型シリ コ一 ン樹脂、 2酸化ケィ素、 （メタ） アク リ ル系樹脂、 （メタ） アク リル系 U V硬化性樹脂、エポキシ樹脂、 フエノ キシ榭脂、 ノ ポラ ッ ク樹脂、 シリ コーンァク リ レー ト樹脂、 メ ラ ミ ン樹 '脂、 フエノール樹脂、 不飽和ポリ エステル榭脂、 ポリイ ミ ド 樹脂、 ウ レタ ン樹脂、 尿素樹脂など、 公知の任意の材料で形 成される。 被覆層の膜厚は、 通常、 5 0 n m以下、 好ま し く は 3 0 n m以下、 よ り 好まし く は 1 5 n m以下、 特に好ま し く は 6 n m以下である。 被覆層は単層または複数層で構成さ れていてもよい。 防汚効果を発現させるために、 上記の中で も、 フ ッ素樹脂、 湿気硬化型シリ コーン樹脂および熱硬化型 シリ コーン樹脂が好ま しい。

本発明において、 反射防止膜表面に上記のよ うな被覆層を 設ける場合、 上記の算術平均粗さ及び表面ケィ素原子含有量 は、 被覆された表面に関して測定した値である。 被覆層を設 ける場合には、 一般的には、 算術平均粗さ （ R a ) が 2 n m 以下、 且つ表面ケィ素原子含有量が 1 0 a t 〇 m %以上であ る反射防止膜を製造し、 被覆層の厚'みを十分に小さ くするな どして、 上記の特性が維持されるよう にする

本発明の反射防止膜は 、 算術平均粗さ ( R a ) の値が 2 11 m以下であ り、 好ましく は 1 . 5 n m以下、 よ り好ましく は

1 n m以下である。 算術平均粗さ （ R a ) の値が 2 n mを越 えると、 耐擦傷性が急激に低下する。 尚 、 算 平均粗さ

( R a ) は 、 後述する走査型プローブ顕微鏡を用いて測定す 明において、 反射防止膜の表面における 、 X線光電子 分光法 ( X P S ) で測定した表面ケィ素原子含有量は、 1 0 a t o m %以上である ことが好ましく、 1 5 a t 0 m %以上 である とがよ り好ましい。 表面ケィ素原子含有量が 1 0 a t o rn %未満の場合 、 表面硬度が十分でなく 、 耐擦傷性が低 下する 合がある。

尚、 面ゲイ素原子含有量を 定する際の X線光電子分光 法 （ X P S ) の測定では、 反射防止膜の表面からおおよそ 1

〜 1 0 n mの範囲の元素が検出される。 測定条件は下記の通 りである

機 ： 日本国サ一モエレク h ロン株式会社製 E S CAL AB

2 5 0

励起源 ： 単色化 A 1 Κ α 1 5 k V X 1 0 m A

分析面積 ： 3 0 0 μ, m X 6 0 0 mの精円 測定方法 ： Survey Scan

取込領域 ： 1 , 1 0 0 0 e V ( C I S 0 1 s S i

2 P )

Pass Energy： 1 0 0 e V

本発明において、 反射防止膜の算術平均粗さ （ R a ) 及び 表面ケィ素原子含有量を定量する際には、 その測定点の決定 に留意する必要がある。 これは 測定点を全く 無作為に選ん でしまう と、 異物や凝集物、 ピンホール等の異常点における 値が得られてしまう場合があ り 信頼性が損なわれてしま ためである。 信頼性のある値を得るためには、 例えば算術平 均粗さ （ R a ) の定量を行う場合には、 反射防止膜の表面に 関して、 あらかじめ広い範囲における像を得ておいた上で 異物や凝集物、 ピンホ一ル等のない平均的な部分を測 Λ!— と して複数点選び出し、 その平均値を算術平均粗さ ( R a ) と することができる。 表面ケィ素原子含有量の定 を行ラ ¾ も同様であ り、 通常は目視にて異物や凝集物、 ピンホ —ル のない平均的な部分を測定点と して複数点選び出し その平 均値を表面ゲイ素原子含有量とする こ とができる しかし このような測定点の選び方をする ことによ り、 M常どの点を 測定してもほぼ同様の値が得られるので、 1 点のみの測定で も十分に信頼性のある値と見なすことができる

本発明の反射防止膜は、 表面ケィ素原子含有 が 1 0 0 a t o m %、 あるいは 1 0 0 a t o m %に近い場合であ'つても、 凹凸の少ない非常に平坦な表面形状を有する。 このような場 合、 表面が平坦であるにもかかわら'ず、 本発明の反射防止膜 は極めて優れた耐擦傷性を有する。 これは、 表面の硬度が極 めて高い上に、 反射防止膜が他の物体と摩れる際に、 表面に 存在するシ U力粒子の脱洛などが ることはない とや、 局所的に応力が集中する ともないためである と推察される m述したよう に、 従来 反射防止膜の反射防止性能および 強度を向上させるためにシリ 力の添加量を増加させると、 反 射防止膜の耐擦傷性が低下する という問題があつ广こが 、 本発 明は反射防止膜中のシリ 力含量を 3 0 重量％以上とすると共 に反射防止 表面のシリ 力含有里と算術平均粗さを特定の範 面に制御する ことによつて れらの課題を同時に解決した ものである

反射防止膜中には空隙は必ずし 必要ではないが 屈折率 を調節するために空隙を たせる ともできる。 空隙の量は 反射防止膜の体積に対して 0 〜 7 0体積％、 好まし < は 1 〜

6 0体積 % より好まし < は 3 〜 5 0体積％である 7 0体 禾貝 %を超えると、 反射防止膜の強度が低下する。 空 mの含有 里は シ リ力粒子の形状と里 、 パィ ンダー化合物の n類と量 を ιέ Α とによって制御する こ とができる。 こう して反射防 止膜の屈折 を 1 . 2 2 〜 1 . 5 5 の範囲で調節することが 亡 ましい 空隙率は、 分光光度計で られる屈折率の値から 算 -^·

出する とで求める こ とがでさる 本発明において、 該反射防止膜を 2 層以上積層して用いて よレ „

また、 本発明の反射防止膜は、 反射防止膜よ り高い屈折率 を有する高屈折率膜の上に直接または間接的に積層して反射 防止積層膜とする ことによ り 、 さ らに反射防止効果を高める とができるので好ましい 尚、 反射防止膜を高屈折率膜の 上に間接的に積層する とは 反射防止膜と高屈折率膜との間 に後 ； ΰ する 電防止層、 八 ―ド 3 — ト層など任意の を 、 本 発明の反射防止膜の効果を なわない厚さで設ける場 を指 咼屈折率膜としては例えば 、 チタン、 ジルコニ二ゥム、 亜鉛、 セリ ヴム、 夕ン夕ル 、 ィ ッ リ ウム、 ノ\フニゥム 、 アルミ二 ゥム マグネシゥム 、 ィ ンンゥム、 スズ、 モリ ブデン、 アン チモン及びガ U クムなどの金属からなる酸化物または複合酸 化物など公知の 機微粒子 及び無機微粒子同士を結合する バイ ンダー化合物を含有するものが用いられる 上記金属酸 化物のうち、 向屈折率と耐光性を併せ持つ酸化ンルコニゥム が特に好ましい バイ ンダ ―化合物と しては、 本発明の反射 防止膜のバィ ンダ一 ·化合物として挙げられた上記 ( 1 ) 〜 （ 7 ) のものを用いる とができるが、 その中でも好ましいのは

( 2 ) の同一分子内 . 口性官能基およびシリ 力粒子と共有 ホロ □ を形成する とが可能な官能基とを併せ持 加水分解性 シラン類、 （ 5 ) の有機ポ U マーの うち側鎖や末端 重合性 官能基を有するもの、 ( 6 ) の重合性モノ マ一、 （ 7 ) の硬 化性榭脂でめる これらバイ ンダー化合物の種類と量は、 目 的の屈折率 強度 、 耐光性、 黄変性などによって公知のもの を用いる とができる 。 高屈折率膜の屈折率は 1 . 4 2 .

5 、 好まし < は 1 . 5 5 2 . 5以下、 よ り好ましく は 1 .

6 1 . 9 の範囲であ り 、 厚さは 0 . 0 1 L m、 好まし く は 0 . 0 3 0 . 5 m、 よ り好ましく は 0 . 0 5 0 .

2 ^ mである れらは反射防止膜の屈折率や膜厚、 光学基 板の屈折率 反射防止積層膜に存在する他の層の屈折率や膜 厚に応じて 定される 。 上記のような積層膜 fま、 様々な屈折 率を有する光学基板用の反射防止膜として有利に使用するこ とができる

また、 本発明においては、 反射防止膜、 反射防止積層膜の 下 （即ち 光学基扳に対向する側） あるいは反射防止膜と上 記高屈折率膜との間に更に帯電防止層を設けると、 反射防止 膜または反射防止積層膜に埃が付着するのを防ぐことができ るので有効である。 帯電防止層としては、 界面活性剤、 ィォ ン性ポリ マーなどの公知の帯電防止剤や導電性微粒子などを バイ ンダー化合物に分散させたものが用いられる。 導電性微 粒子としては、 例えばイ ンジウム、 亜鉛、 スズ、 モリ ブデン、 アンチモン、 ガリ ウムなどの酸化物あるいは複合酸化物微粒 子、 銅、 銀、 ニッケル、 低融点合金 (ハンダなど） の金属微 粒子、 金属を被覆したポリマー微粒子、 各種のカーボンブラ 2004/008505

49 ッ ク、 ポリ ピロ一ル、 ポリ ア二リ ンなどの導電性ポリ マー粒 子、 金属繊維、 炭素繊維など、 公知めものが用い られる。 こ の中でも特にスズ含有酸化ィ ンジゥム ( I T 0 ) 粒子、 スズ 含有酸化アンチモン （ A T O ) 粒子が、 高い透明性と導電性 を発現させる こ とができるので好ま しい。 帯電防止層の厚さ は、 通常、 0 . 0 l m〜 l m、 好ましく は 0 . 0 3 〜 0 . 5 m、 よ り好ましく は 0. 0 5 〜 0 . 2 mに設定される。 帯電防止層のバイ ンダー化合物は、 反射防止膜のバイ ンダー 化合物として挙げられた上記 （ 1 ) 〜 （ 7 ) のものを用いる ことができるが、 その中でも好ま しいのは （ 2 ) の同一分子 内に重合性官能基およびシリカ粒子と共有結合を形成する こ とが可能な官能基とを併せ持つ加水分解性シラン類、 （ 5 ) の有機ポリマーのうち側鎖や末端に重合性官能基を有するも の、 （ 6 ) の重合性モノマ一、 （ 7 ) の硬化性樹脂である。

本発明において、 反射防止膜または反射防止積層膜の下、 あるいは反射防止膜と高屈折率膜との間にハー ドコー ト層を 設けると、 反射防止膜の鉛筆強度ゃ耐衝撃性を向上させる こ とができるので好ましい。 帯電防止層を設ける場合は、 ハー ドコー ト層は帯電防止層の下に設けられる。 ハー ドコー ト層 としては、 市販のシリ コーン系ハー ドコ一 ト、 （メタ） ァク リル系ハー ドコー ト、 エポキシ系ハー ドコー ト、 ウレタン系 ハー ドコー ト、 エポキシァク リ レー 卜系ハー ドコー ト、 ウレ タンァク リ レー ト系ハー ドコー トなど、 公知のものを用いる ことがでさる。 この他、 多官能モノマーなどと重合開始剤を 含む塗布液を塗布し、 多官能モノマ' —などを重合させる こと によつても形成できる 。 ハー ドコ一 ト層の厚さは、 通常、 0 . l a m 〜 1 0 m、 好ましく は 0 . 5 〜 8 111、 よ り好ま し く は 1 〜 6 H m ίこ好ましく は 2 〜 5 に設定される。

尚、 上記反射防止積層膜において 、 高屈折率膜、 帯電防止 層及び八一 ドコー ト層は、 これらの有する機能の 2つまたは 全てを 1 層にまとめてもよい。 例えば、 高い屈折率を有する 物質と導 性物質とを共に含む 1層を設けて帯電防止効果を 有する高屈折率層としてもよいし、 ハー ドコ一 卜層の中に導 電性物質を含有させて帯電防止ハ一 ドコー ト層とするなどの 手法を用いてもよい。 このような場合、 層の厚さは単独の八 ー ドコ ―卜層の厚さと同じ範囲に設定す^)。

なお 、 上記反射防止積層膜において、 反射防止膜、 高屈折 率膜、 fir電防止層及びハー ドコ一 卜層はそれぞれ 2層以上存 在していて fcよい。

本発明の反射防止膜及び反射防止積層膜は、 光学基板上に 積層して光学部材とすることによ り 、 優れた反射防止性能を 発揮するので好ましい

本発明の光学部材に用いられる光学基板としては、例えば、 ガラス板 、 (メタ） ァク リル榭脂板 、 （メタ） アク リル樹脂 シー 卜 、 スチレン一 （メ夕） ァク リル酸メチル共重合体樹脂 板、 スチレンー （メタ ) ァク リル酸メチル共重合体樹脂シー 卜、 ポ リ エチレンフィ ルム、 ヽ U プ口 ピレンフィ ルム、 卜 U ァセチルセル口一ス 、 セル Π―スァセテ一 プ □ピォネ一 卜 などのセルロースァセテ一卜系フ ィ ルム 、 延伸 したポ U ェチ レンテレフタ レ ― 卜 、 ポ リ ェチレンナフ夕 レ ― などのポ リ ェステル系フィ ルム 、 ポ リ 力一ポネ ― 卜系フィ ルム 、 ノルポ ネン系フィ ルム 、 ポ 'J ァ リ レ一 卜系フィ ルムおよびポ U スル フ オ ン系フ ィ ルムなどの樹脂板 、 樹脂シ一 卜 、 樹脂フィ ルム などのほか、 メガネ レン'ズ 、 ゴ一グル、 コ ン夕ク レンズな どの視力矯正用部材 、 車の窓やィ ンパネメ ―夕 ― 、 ナビゲー シ 3 ンシステムなどの自動車部 Π

PP 、 窓ガラスなどの住宅 • 建 築部材、 ビニル Λゥスの光透過性フイ ルムやシ一卜などの農 芸製品、 太陽電池、 光電池などの電池部材、 T Vブラウ ン管、 ブラズマディ スプレィパネル 、 ノ一 トパソコ ン、 電子手帳、 夕 ッチパネル 、 液晶 .テレビ、 液晶デイ スプレイ 、 車載用テレ ビ、 液晶ビデォ 、 プロジェクショ ンテレビ、 光フ ァイバ一、 光デイ スクなどの電子情報機 部品 、照明グローブ、蛍光灯、 鏡、 時計などの家庭用品、 シ 3 ーケース、 額、 半導体リ ソ グ ラ フィ一、 コ ピ一機器などの 務用部材、 液晶ゲーム機器、 パチンコ台ガラス、 ゲーム機など、 映 り込みの防止および/ または光透過性の向上が必要とされている光透過性光学基板 が挙げられる

本発明の光学部材の製造方法は限定されないが、 後述する 転写箔を経由 して光学部材を製造する と、 算術平均粗さ （ R 04 008505

5 2 a ) の値が 2 n m以下である反射防止膜を有する光学部材を 容易に得ることができるので好まし'い。 もちろん転写箔を経 由せず、 光学基板上に必要に応じてハー ドコー ト層ゃ帯電防 止層ゃ髙屈折率膜などを積層した上で、 あるいは積層せずに、 反射防止膜を形成しても、 算術平均粗さ （ R a ) の値が 2 n m以下である反射防止膜を有する光学部材を製造する こ とは 可能である。 しかしこの場合、 通常シリカ粒子の比重がバイ ンダー化合物の比重よ り大きいことと、 シリカ粒子の表面ェ ネルギ一がバイ ンダ一化合物の表面エネルギーよ り大きいた め、 .シリ カ粒子が反射防止膜の内部に埋没し,やすく 、 表面の シリカ濃度を十分高くするのが困難な場合がある。 また通常、 光学基板上に複数の層を順次形成させると、 それぞれの層の 厚さのムラや凹凸が層を重ねる ごとに増幅され、 結果と して 反射防止膜の算術平均粗さを小さ くするのが難しく なる場合 がある。

以下に、 転写箔を経由して反射防止膜又は反射防止積層膜 を製造する方法について具体的に説明する。

転写箔とは、 仮基板の上に、 本発明の反射防止膜又は反射 防止積層膜を積層したものである。 この転写箔は、 仮基板で ない側と光学基板とが向かい合うよう に光学基板上に貼り付 け、 仮基板側を剥離除去する ことによって光学基板上に反射 防止膜又は反射防止積層膜を転写するという手順で使用され る。 仮基板には任意のものが使用でき、 例えば、 ガラス板、 金 属板 、 （メタ） アク リ ル樹脂シー ト、 ポ リ ェチレンフ ィ ルム、 ポリ プ口 ピレンフィ ルム、 ト リ ァセチルセルロース セル口 一スァセテ一卜プロ ピオネー 卜などのセル口 —スァセテー ト 系フ イ ルム 、 延伸 したポリ エチレンテレフ夕 レ一 卜 ポ リ エ チレンナフ夕 レー トなどのポ リ エステル系フィ レム ポリ 力 一ボネー 卜系フィ ルム、 ノルボネン系フィ ル A 3 U ァ リ レ

― 卜系フィ ルムおよびポリ スルフ ォ ン系フィ ルム、 セルロー ス 卜 リ アセテー ト フィ ルム、 セル口 スァセテー 卜 プ口 ピオ ネ 卜 フ ィ ルム、 ポリ カーボネー ト フィ ルム '、 延伸ポリ エチ レンテレフタ レ 卜 フィ ルムなどの樹脂基板を用いる こ とが できる。

れらの仮基板は、 なるべく 表面が平滑でめる とが好ま しい 。 表面の平滑性をさ ら に向上させるために、 仮 板上に 刖述のよう なハー ドコー ト処理を行う のも有効である

仮基板と反射防止膜との剥離性を向上させるために 、 剥離 層を設けてもよい。 剥離層は特に限定されず 、 フ ッ 樹脂、 シリ コーン樹脂、 （メタ） アク リ ル樹脂 、 メ ラ ミ ン樹脂など 公知のものを用いる こ とができる。

発明においては、 仮基板の表面も し く は剥離層の表面に おける反射防止膜のぬれ性、 付着性を適切に制御する こ と に よって反射防止膜の算術平均粗さ を制御する こ とができる。 例えばフ ッ素系剥離層のよ う な表面エネルギーの低い表面を 有する仮基板を用いる場合には、 反射防止膜を形成する塗布 組成物にも表面ェネルギーを下げる'ような溶媒や添加物を用 いる ことによ てぬれ性を改善し 、 算術平均粗さをよ り低減 するこ とがでさるし、 低屈折率層が比較的多く の （メタ ) ァ ク リル を含んでいる士凰 A Ϊ

- 口 には、 (メタ） アク リル基の含有 量の比較的少ない剥離層 ¾: 択する こ とによって、 付着力を 制御して剥離を容易に ゝ 糸口果として算術平均粗さの低減が 可能でめる ことなどを例示する とができる。 .

これらの仮基板上に 、 刖 Μのシリ カ粒子を含有する塗布組 成物を塗布し、反射防止膜を形成する。'さ らに必要に応じて、 反射防止膜の上にさ らに刖 の高屈折率膜、 帯電防止層 、 八 ドコ一 卜 などを形成してもよい 。 この場合 、 十分な機械 的強度をもつハー ドコ一 卜層を選択する ことによ り、 得られ る反射防止膜の強度が向上する。 その他色素、 紫外線吸収剤 などを含む を、 本発明の趣旨を損なわない範囲で形成して もよい。

このよう にして得られた、 反射防止膜を有する転写箔から 光学部材を 造するには 写箔を光学基板上に転写する 光学基板としては、 前述の光学基板の中力ゝら任意のものを用 いる ことができる。 光学基板にはさ らに紫外線吸収層 m磁 波遮断層 赤外線吸収層 、 衝撃吸収層、 調色層など、 種々の 機能を有する任意の層を設けてもよい。

転写は 光学基板と、 m述の転写箔における仮 ¾ feでない 側の面とを、 接着層を介して貼り合わせる ことによ り行われ 接着 / の種類は限定されず、 公知の接着剤、 粘着性シ ― h 、 熱可 m性樹脂、 熱硬化性榭脂、 放射線硬化性樹脂など 、 光学基板と転写箔とを接着する機能を有するも のであればゝ いかなる のでも用いるこ とができる。 接着層は、 可視光 域で光学的に透明である ことが好ましい。 接着の方法は限定 されず 、 転写箔側に接着剤を塗布して貼り合わせる方法、 光 学フィルム側に接着剤を塗布して貼り合わせる方法、 転写箔 と光学フィ ルムの両方に接着剤を塗布して貼り合わせる方法 転写箔と光学フィ ルムとの間に接着性シー トを挟んでラミネ 一 卜する方法などを用いる ことができる。

転写泊と光学基板とを貼り合わせた後、 仮基板と反射防止 膜とを 剥離層を用いた場合には剥離層と反射防止膜とを剥 離させ 、 転写箔側の仮基板 (剥離層を用いた場合はこれも含 む） を取り除く ことによつて、 光学基板上に反射防止膜又は 反射防止禾貝層膜が積層された構造を有する光学部材を得る とがでさる 。 尚、 剥離層を用いた場合、 反射防止膜の表面近 傍に剥離層を構成する成分の一部が浸透もしく は付着して残 存している場合があるが、 反射防止膜の性能にほとんど影罾 を与えないならばそのままでよいし、 反射防止膜の性能に亜 影響を与える恐れがあるならば、 水や溶剤による洗浄、 拭き 取り、 加熱、 エッチング、 オゾン処理などの方法で除去する。

こ のよ う にして得られた光学部材は表面が非常に平滑であ りながら、 きわめて高い耐擦傷性を有する。

本発明の反射防止膜及び反射防止'積層膜は種々の光学基板 上に設ける ことができるが、 通常、 特に転写箔を経由する方 法を用いる場合には、 室温〜 2 0 0 °Cの温度範囲で光学基板 上に反射防止層を作成できる。 このため、 耐熱性の低い榭脂 基板上に反射防止膜を設ける際に、本発明は特に有効である。

本 明の光学部材は 、 可視光領域における反射率の最低値 が 2 %以下になるよ に、 反射防止膜の厚さ 、 屈折率及びそ の他の層の屈折率などを調節するのが好ましい。 反射率の最 低値が 2 %を越えると 、 反射防止膜を設けたことによる効果 を肉眼で判別し難く なる。

反射率が最低となる波長が 5 5 0 η m近傍になるよう に、 反射防止膜の厚さ と屈折率とを 、 さ らに高屈折率膜が存在す る場合には高屈折率'膜の厚さ と屈折率を制御する と、 反射防 止効果が最 有効に現れる 用途によつては、 反射率が最低 となる波長を任思に設定する とも有効である 。 例えば、 比 較的短波長側で反射率が最低となるよ に SS Atすれば、 反射 防止膜は肉眼で赤 色に見え 逆に比較的長波長側で反射率 が最低となるよう にすれば 反射防止膜は肉眼で青色に見え る。

本 明の反射防止膜又は反射防止積層膜を用いた光学部材 は、 鉛筆強度が Η以上である こ とが好まし よ り好ましぐ は 2 Η以上 m ¾好ましく は 3 H以上である 鉛筆強度が H 以上ならば、 夕 ッチパネルなど、 頻繁に人の手ゃス夕 ラス などによる衝搫を受ける用途にも用レ、る こ とができ 、 応用範 囲が広がる。 鉛筆強度を高めるには 、 反射防止膜に含まれる シリ 力粒子やバィ ンダ ―化合物の種 や量を最適に設定する こ とが有効でめ Ό 、 その他、 反射防止膜の下部にある八一 ド、 コー ト層や光子基板の種類を選ぶこ とによっても達成できる 本発明によれば 、 さわめて高い耐擦傷性を有し、 反射率が

2 %以下、 多ぐ の場口 •1 %以下である反射防止膜を達成する こ とが可能となる 本発明の反射防止膜及び反射防止膜を有 する光学部材は 、 ブラクン管、 液晶丁ィ スプレイ 、 プラズマ デイ スプレイ 、 夕 ッチパネル、 太陽 Λ池、 車や住宅の窓、 メ ガネ、 ショ ーケ ―スなど 、 非常に広 な用途に応用する こ と ができる

発明を実施するための最良の形態 以下、 合成例、 実施例及び比較例によ り本発明を具体的に 説明するが、 本発明はこれらによって何ら限定されるもので はない。

尚、 以下の実施例及び比較例において製造した反射防止膜 の特性や物性の測定は、 次のよう にして行った。

( 1 ) 走査型プローブ顕微鏡を用いた算術平均粗さ （ R a ) の評価 ,

反射防止膜の算術平均粗さ （ R a ) の測定は下記に示す条 件で行った。

装置 ： NanoScope (登録商標） IH a (米国 Digi tal Instruments社製)

カンチレバー ： N C H— 1 0 T型シリ コ ン単結晶プローブ (スイス国 NanoWorld社製）

M 0 d e ： タッ ピング

S c a n s i z e : l . 0 / m

S c a n r a t e ： 1 . 0 H z

T i p v e 1 o c i t y : 2 . 0 m / s

S e t p o i n t ： 1 . 5

I n t e g r a l g a i n : 0 . 4 6

P r o p o r t i o n a l g a i n : 1 . 3 8505

59 画像処理 ： F l a t t e n o r d e r = 0 にてフ ラ ッ ト 処理を行い、 垂直方向の補正を行った。

( 2 ) X線光電子分光法 ( X P S ) を用いた表面ケィ素原子 含有量の測定

反射防止膜の表面ケィ素原子含有量の測定は下記の条件で 行った。

装置 ： E S C A L A B 2 5 0 (日本国サ一モエレク ト ロ ン株式会社製）

励起源 ： 単色化 A 1 K a 1 5 k V X l ,0 mA

分析面積 ： 3 0 0 m X 6 0 0 x mの楕円

測定方法 ： S u r v e y S c a n

取込領域 ： 1 , 1 0 0 〜 0 e V ( C I S , O 1 s 、 S i 2

P )

P a s s E n e r g y ： 1 0 0 e V

( 3 ) 最低反射率の測定

F E - 3 0 0 0型反射分光計（日本国大塚電子株式会社製） を用いて、 波長 2 5 0 〜 8 0 0 n mの範囲での反射スぺク ト ルを測定した。 該波長範囲における反射率の最小値を光学部 材の最低反射率と定めた。

( 4 ) 耐擦傷性試験 ' 表面特性試験機（日本国株式会社井元製作所製）を用いた。 直径 1 5 mmのステンレス柱の片端にスチールウール (ボン スター （登録商標） # 0 0 0 0、 日本国日本スチールゥ一ル 株式会社製） を取り付け、 2 0 0 gの荷重をかけながら反射 防止膜上を 1 0 回往復させた後、 摩擦痕を目視で観察した。

( 5 ) 鉛筆硬度

J I S の K 5 4 0 0記載に基づき、 1 k g荷重下で行った。 合成例 1 ■ ,

平均直径が約 1 2 n mのシリカ一次粒子で構成された、 平 均長さが約 1 0.0 n mの数珠状シリカス ト リ ングの水性分散 液 （スノ ーテッ クス （登録商標） 〇 U P、 日本国日産化学ェ 業株式会社製、 シリ カ固形分濃度 1 5 . 5重量％ ) 8 9 . 1 g、 平均直径が約 1 0 n mの球状シリ カゾル （スノ ーテック ス （登録商標） O S、 日本国日産化学工業株式会社製、 シリ 力固形分濃度 2 0 . 3重量％ ) 6 8 . l g、 エタノール 7 5 . 7 g を室温で混合し、 さ らに 3 —メタク リ ロキシプロ ピルト リ メ トキシシラン （サイ ラエース S 7 1 0 、 日本国チッ ソ株 式会社製） 1 7 . 1 g を添加して 2 5 °Cにて 4時間攪拌し反 応させた。 この反応液 2 0 0 g に対し、 ィルガキュア （登録 商標） 3 6 9 (日本国チバ ' スぺシャ リティ ' ケミカルズ株 式会社製） 2 g とエタノール 2 5 2 gからなる混合溶液を加 6 え、 室温にて 5 分間攪拌混合し、 固形分濃度 7 . 5 重量％の 溶液を得た。 この溶液をイ ソプロ ピ'ルアルコールで固形分濃 度 3 . 4重量％になるまで希釈する こ とによって低屈折率層 用塗布組成物 Aを得た。 合成例 2

スズ含有酸化イ ンジウム微粒子分散液 （ E L C O M V - 2 5 0 6 、 日本国触媒化成工業株式会社製、固形分濃度 2 0 .

5 重量％ ) 9 2 9 g 酸化亜鉛微粒子分散液 ( Z N A P 1

5 W T % ― G 0 曰本国シ一アイ化成工業株,式会社製、 固形 分濃度 1 5 0

% ) 1 2 5 . 3 g を混合し 、 さ ら にイ ソ プ口 ピルァル Ώ ル 3 0 4 . 2 g、 エチレングリ コールモノ ブチルェ一テル 3 3 8 g 、 水 2 3 . 9 g力、 らなる混合溶媒 を添加し さ らにァク U ル系紫外線硬化型樹脂 (サンラ ッ ド

(商標） R C ― 6 0 0 日本国三洋化成工業株式会社製、 固 形分 1 0 0 B 里 % ) 9 • 9 g とメチルェチルケ 卜 ン 9 . 9 g からなる混口溶液を加え室温下攪拌する こ とによって、 固形 分濃度 8 • 0 量 %の溶液を得た。 この溶液をイ ソプロ ピル アル ルとェチレングリ コールモノ プチルェ一テル （重量 比 9 ： 1 ) か らなる A

混 P溶媒にて固形分 6 . 0 重量％ になる まで希釈する とによ Όて、 帯電防止効果を有する高屈折率 層用塗布組成物 B を得た 実施例 1

以下に示す方法で、 図 1 に示す転写箔 Cを作成した。

厚さ 5 0 mの二軸延伸ポリエチレンテレフタ レー ト フィ ルム （仮基板） 1 上に、 アク リル系紫外線硬化型樹脂 （サン ラッ ド （商標） R C— 6 0 0 、 日本国三洋化成工業株式会社 製、 固形分 1 0 0重量％ ) の 5 0 重量％メチルェチルケ ト ン 溶液をバ一コ一ター （米国 R . D . S p e c i a 1 t i e s , I n c . 製の # 7 ロッ ドを装着） で塗布し、 紫外線硬化装置 (日本国フュージョ ン U Vシステムズ · ジャパン株式会社製 L C — 6 B型） を用いて出力 1 8 0 W、 コ ンベア速度 1 2 ιτι Z分、 光源距離 5 3 m mにて紫外線照射 （積算光量 2 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う ことによって剥離層 2 を形成した。 低屈折率層用塗布組成物 Aを上記剥離層 2 の上にバーコ一 夕一 （米国 R . D . S e c i a l t i e s , I n c . 製の # 4 ロ ッ ドを装着） で塗布し、 循環温風乾燥機中で 1 2 0 °C にて 2分間加熱乾燥し、 続いて紫外線硬化装置 （日本国フユ —ジョ ン U Vシステムズ ' ジャパン株式会社製 L C— 6 B 型） を用いて出力 1 8 0 W、 コ ンベア速度 1 2 m /分、 光源 距離 5 3 m mにて紫外線照射 （積算光量 2 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う ことによって低屈折率層 （反射防止膜） 3 を形成 した。

帯電防止効果を有する高屈折率層用塗布組成物 Bを上記低 屈折率層 3 の上にバーコ一夕一 （米国 R . D . S p e c i a P T/JP2004/008505

63

1 t i e s , I n c . 製の # 4 ロ ッ ドを装着） で塗布し、 紫 外線硬化装置 （日本国フユ一ジョ ン 'U Vシステムズ · ジャパ ン株式会社製 L C一 6 B型） を用いて出力 1 8 0 W、 コ ンペ ァ速度 1 2 m /分、 光源距離 5 3 m mにて紫外線照射 （積算 光量 S S O m J Z c m ²) を 3 回行う こ とによって帯電防止 効果を有する高屈折率層 （高屈折率膜） 4 を形成した。

上記帯電防止効果を有する高屈折率層 4 の上に厚さ 5 m のウ レ夕 ンァク リ レー ト系ハー ド コ一 卜層 5 を 、 続けて厚さ

2 mの熱可塑性ゥ レタン系接着層 6 を形成し 、 転写箔 C と した。

厚さ 2 m mのポリ メタク リル酸メチル板 （丁ラグラス （登 録商標） A、 日本国旭化成ケミ 力ルズ株式会社製） （光学基 板） 7上に、 上記転写箔 Cを接着層 6 とポリ メタク リ ル酸メ チル板 7 が接触するよう に合わせ、 ラ ミネ一夕 ― ( M A Π—

5 5 0型 、 曰本国大成ラミネ一ター株式会社 ) を用いて、 ローラー <sm. ¾: 2 3 0 °C、 ローラー圧 1 k g、 送り速度 0 . 8 m m / 秒にて転写した。 室温まで冷却した後にポリ エチレン テレフ夕 レ一卜 フィ ルム 1 および剥離層 2 を剥離除去する こ とによ り 図 2 に示す光学部材 Dを得た。

光学部材 Dの物性は表 1 に示したとお り である。 算術平均 粗さ R aは 0 . 5 n mと小さ く 、表面ケィ素原子濃度は 2 1 . 6 a t o m % と高かった。 最低反射率は 0 . 8 2 %と低く 良 好な反射防止性能を有してお り 、 また耐擦傷性試験 おいて は傷、 色調の変化ともにみられず、 高い強度を有していた。 比較例 1

厚さ 2 mmのポリ メタク リル酸メチル板 （デラグラス （登 録商標） A、 日本国旭化成ケミカルズ株式会社製） （光学基 板） 7 上に厚さ 5 mのウレタンァク リ レー ト系ハ一 ドコ一 卜層 5 を形成した。

帯電防止効果を有する高屈折率層用塗布組成物 Bを上記八 — ド コ ー ト層 5 の上にノ、一コ一夕一 （米国 R . D . S p e c i a 1 t i e s , I n c . 製の # 4 ロ ッ ドを 着） で塗布し、 紫外線硬化装置 （日本国フュージョ ン U Vシステムズ · ジャ パン株式会社製 L C一 6 B型） を用いて出力 1 8 0 W、 コ ン ベア速度 1 2 mノ分、 光源距離 5 3 m mにて紫外線照射 （積 算光量 2 5 0 m J Z c m ² ) を 3 回行う ことによって帯電防 止効果を有する高屈折率層 4 を形成した。

低屈折率層用塗布組成物 Aを上記帯電防止効果を有する高 屈折率層 4の上にバーコ一ター （米国 R . D . S p e c i a 1 t i e s , I n c . 製の # 4 ロッ ドを装着） で塗布し、 循 環温風乾燥機中で 1 2 0 °Cにて 2分間加熱乾燥し、 続いて紫 外線硬化装置 （日本国フユ一ジョ ン U Vシステムズ ' ジャパ ン株式会社製 L C一 6 B型） を用いて出力 1 8 0 W、 コ ンペ ァ速度 1 2 m Z分、 光源距離 5 3 m mにて紫外線照射 （積算 光量 2 5 0 m J Z c m ² ) を 3 回行う こ とによって低'屈折率 層 （反射防止膜） 3 を形成し、 図 3 に示す光学部材 Eを得た。 光学部材 Eの物性は表 1 に示した'とお りである。 表面ケィ 素原子濃度は 2 2 . 7 a t o m%であ り実施例 1 の場合と同 等であつたが、 算術平均粗さ （ R a ) は 2 . 3 n mと大きか つた。 最低反射率は 0 . 8 2 %であ り実施例 1 の場合と同等 であったが、 耐擦傷性試験においては傷が多く発生し、 かつ 色調の変化もみられた。 合成例 3

平均直径が約 1 2 n mのシリ カ一次粒子 構成された、 平 均長さが約 1 0 0 n mの数珠状シリ カス ト リ ングの水性分散 液 （スノーテックス （登録商標） O U P、 日本国日産化学ェ 業株式会社製、 シリカ固形分濃度 1 5 . 5重量％ ) 2 . 0 g とエタノール 1 8 gを室温で混合し、 シリ カ固形分濃度 1 . 5重量％の数珠状シリカス ト リ ングゾルのェタノ一ル分散液 を得た。 次いで、 テ 卜ラエ トキシシラン 0 . 1 0 4 g、 I N 硝酸 0 . 0 1 5 g を添加して室温にて 1 晚攪拌し、 低屈折率 層用鋈布組成物 F を得た。 実施例 2

以下に示す方法で、 図 4 に示す転写箔 Gを作成した。

厚さ 5 0 mの二軸延伸ポリエチレンテレフタ レー トフィ ル ム （仮基板） 1 に、 アク リル系紫外線硬化型樹脂 （サンラ ッ ド （商標） R C — 6 0 0 、 日本国三洋化成工業株式会社製、 固形分 1 0 0重量％ ) の 5 0重量％ チルェチルケ トン溶液 をノ 一コ一夕一 （米国 R . D . S e c i a 1 t i e s ， I n c . 製の # 7 ロ ッ ドを装着） で塗布し、 紫外線硬化装置 （ U V C - 2 5 1 9型、 高圧水銀灯を装着、 日本国ゥシォ電機株 式会社製） を用いて出力 1 6 0 W、 コンベア速度 4 . 6 mZ 分、 光源距離 1 0 0 m mにて紫外線照射 （積算光量 3 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う ことによって剥離層 2 を形成した。 さ らにフ ッ素系界面活性剤 （フロラ一 ド （商標） F C - 4 4 3

0、 日本国住友ス リーェム株式会社製） の 1 · 0 %メチルイ ソブチルケ ト ン溶液をスピンコー ト法にて 1 0 0 0 r p m、

3 0秒間塗布し 循環温風乾燥機中で 1 2 0 °Cにて 2分間加 熱乾燥し、 フ ッ素系界面活性剤層 8 を形成した

上記の低屈折 層用塗布組成物 Fを、 上記のフッ 系界面 活性剤層 8 の上にスピンコー ト法によ り室温下 1 0 0 0 r p m、 3 0秒間塗布して塗布膜を形成し、 続いて ί盾 風乾燥 機にて 1 2 0 °C 、 2分間加熱処理を行い、 低屈折率層 (反射 防止膜） 3 とした

さ らにアンチ乇ン複酸化物微粒子 （セルナックス ( 標） C X— Z 4 0 1 M、 日本国日産化学工業株式ム社製） の

2 . 0 %ェ夕ノ ―ル分散液を上記低屈折率層 3 の上にスピン コー ト法にて 1 0 0 0 r p m、 3 0秒間塗布し 、 環温風乾 燥機を用いて 1 2 0 °Cで 2分間乾燥する ことによ 、 帯電防 止効果を有する高屈折率層 4 を形成して、 転写箔 Gと した。 これとは別に、 以下の方法で、 図' 5 に示す積層体 Hを作成 した。

厚さ 1 8 8 x mの二軸延伸ポリエチレンテレフ夕 レー トフ イルム （コスモシャイ ン （登録商標） A 4 3 0 0 、 日本国東 洋紡績株式会社製） (光学基板 ) 9 上に、 アク リル系紫外線 硬化型樹脂 （A C H— 0 1 、. 日本国日本化薬株式会社製） を スピンコー ト法によ り室温にて 1 0 0 0 r p m、 3 0秒間塗 布して塗布膜を形成し、続いて循環温風乾燥機にて 1 2 0 °C、 1分間加熱乾燥処理を行う ことによって、 硬化の紫外線硬 化型榭脂層 1 0 を形成して、 積層体 Hと した。

転写箔 Gと積層体 Hとを、 帯電防止効果を有する高屈折率 層 4 と未硬化の紫外線硬化型樹脂層 1 0 とが向かい合うよう に貼り合わせ、 ゴムローラーで圧着した後に、 紫外線硬化装 置 （1； ¥じー 2 5 1 9型、 高圧水銀灯を装着、 日本国ゥシォ 電機株式会社製） を用いて出力 1 6 0 W、 コンベア速度 4 . 6 m Z分、 光源距離 1 0 0 m mにて紫外線照射 （積算光量 3 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う ことによって紫外線を照射し、 未硬化の紫外線硬化型樹脂層 1 0 を硬化させてハー ドコー ト 層 5 に変換した。 転写箔 G側を剥離し、 ポリエチレンテレフ 夕 レー トフィルム （仮基板） 1 、 剥離層 2 、 およびフ ッ素系 界面活性剤層 8 を取り除く ことによって、 図 6 に示す光学部 材 I を得た。 ' 光学部材 I の物性は表 1 に示したとお りである。 算術平均 粗さ （ R a ) は 0 . 9 n mと小さ く'、 表面ケィ素原子濃度は 1 6 . l a t o m %と高かった。 最低反射率は 1 . 0 0 %と 低く 良好な反射防止性能を有しており、 また耐擦傷性試験に おいては傷、 色調の変化ともにみられず、 高い強度を有して いた。 比較例 2

以下の方法で、 図 7 に示す光学部材 J を作成した。

厚さ 1 8 8 の二軸延伸ポリエチレンテレフ夕 レー トフ イルム （コスモシャイ ン （登録商標） A 4 3 0 0 、 日本国東 洋紡績株式会社製） （光学基板） 9 上に、 アク リル系紫外線 硬化型樹脂 （サンラッ ド （商標） R C— 6 0 0 、 日本国三洋 化成工業株式会社製、 固形分 1 0 0重量％ ) の 5 0重量％メ チルェチルケ ト ン溶液をバーコ一夕一 （米国 R . D . S p e c i a 1 t i e s , I n c . 製の # 7 ロ ッ ドを装着） で塗布 し、 紫外線硬化装置 （1； （ ー 2 5 1 9型、 高圧水銀灯を装 着、 日本国ゥシォ電機株式会社製） を用いて出力 1 6 0 W、 コ ンベア速度 4. 6 mZ分、 光源距離 1 0 0 mmにて紫外線 照射 （積算光量 3 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う ことによつ てハ一 ドコ一 ト層 5 を形成した。

上記ハー ドコー ト層 5 上に、 低屈折率層用塗布組成物 F を スピンコー ト法によ り室温にて 1 0 0 0 r p m、 3 0秒間塗 布して塗布膜を形成した。 続いて循環温風乾燥機にて 1 2 0 °C、 2分間加熱処理を行い、 低屈'折率層 （反射防止膜） 3 を形成する ことによって、 光学部材 J を得た。

光学部材 J の物性は表 1 に示したとお りである。 表面ケィ 素原子濃度は 2 8 . 3 a t o m %であったが、 算術平均粗さ ( R a ) は 4 . 0 n mと大きかった。 最低反射率は 0 . 2 0 % であったが 耐擦傷性試験においては傷が多 <発生し、 かつ 色調の変化ちみられた 合成例 4

ジペン夕ェリス り 卜一ルへキサァク リ レ一 卜 0 . 1 g、 平 均直径が約 1 0〜 2 0 n mの球状シリ カゾル (スノ —テック ス （登録商標 ) 〇、 曰本国日産化学工業株式 社製 、 シリカ 固形分濃度 2 0重量％ ) 0 . 0 2 5 g、 ィルガキュァ （登録 商標） 3 6 9 (日本国チノ · スぺシャ リティ • ケミ力ルズ株 式会社製） 0 . 0 1 g 、 イ ソプロ ピルァルコ ル 6 . 9 g を 室温にて 5分間攪拌混合し、 固形分濃度 1 . 5重量 %の低屈 折率層用塗布組成物 Kを得た。 比較例 3

以下の方法で、 図 8 に示す転写箔 L を作成しノ

厚さ 1 8 8 i の二軸延伸ポリ ェチレンテレフ夕 レー トフ イ リレム （コスモシャイ ン （登録商標） A 4 3 0 0、 '曰本国東 2004/008505

7 0 洋紡繽株式会社製 ) (仮基板） 1 上に、 ァク リ ル系紫外線硬 化型榭脂 （サンラ ッ ド （商標） R C '一 6 0 0 、 曰本国三洋化 成工業株式会社製 、 固形分 1 0 0 量％ ) の 5 0 量％メチ ルェチルケ トン溶液をスピンコ一 法によ り室温にて 1 5 0

0 r p m 、 1秒間塗布し、 紫外線硬化装置 ( U V C - 2 5 1

9型、 高圧水銀灯を装着、 日本国ゥシォ 9機株式ム

：社製） を 用いて出力 1 6 0 w、 コンベァ速ノス 4 . 6 m Z分 、 光源距離

1 0 0 m mにて紫外線照射 (積算光量 3 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う ことによって剥離層 2 を形成した。

上 CJ剥離層 2 上に、 低屈折率層用塗布組成物 Kをス ピンコ

―.ト法によ り 曰

免 狐にて 1 5 0 0 r P m 、 1秒間塗布し 塗布 膜を形成した 1¾いて循環温風乾燥機にて 1 2 0 。c 、 2分間 加熱処理を行い、 さ らに紫外線硬化装置 ( U V C一 2 5 1 9 型、 高圧水銀灯を装着、 日本国ゥシォ電 株式会社製） を用 いて出力 1 6 0 W 、 コンペァ速 /又 4 . 6 m Z分、 光源距離 1

0 0 m mにて紫外線照射 （禾貝 -光旦

里 3 5 0 m J / c m ² ) を

3 回行ラ ことによつて低屈折率 μ (反射防止瞧） 3 を形成し 防止 果を有する高屈折率層用塗布組成物 Bを上記低 屈折率層 3上にス ピンコー ト法によ り室温にて 2 3 0 0 r p m 、 1秒間塗 して塗布膜を形成し 7こ 。 1¾いて紫外線硬化装 置 （U V C 2 5 1 9型、 高圧水銀灯を装着、 曰本国ゥシォ 電機株式会社 m ) を用いて出力 1 6 0 W 、 コンベァ速度 4 . 6 m Z分、 光源距離 1 0 0 m mにて紫外線照射 （積算光量 3 5 0 m J / c m ² ) を 3 回行う こと ^よって帯電防止効果を 有する高屈折率層 （ 4 ) を形成した。

上記帯電防止効果を有する高屈折率層 4上にァク リ ル系紫 外線硬化型樹脂 （サンラ ッ ド （商標） R C — 6 0 0 、 日本国 三洋化成工業株式会社製、固形分 1 0 0重量％ )の 5 0重量％ メチルェチルケ ト ン溶液をスピンコ一 ト法によ り室温にて 1 5 0 0 r p m、 1秒間塗布して塗布膜を形成し、 紫外線硬化 型樹脂層 1 0 を形成し、 転写箔 とした。

これとは別に、 以下の方法で、 図 9 に示す積層体 Mを作成 した。

厚さ 2 m mのポリ メタク リル酸メチル板 （デラグラス （登 録商標） A、 日本国旭化成ケミカルズ株式会社製） （光学基 板） 7上に、 アク リル系紫外線硬化型樹脂 （サンラッ ド （商 標） R C _ 6 0 0 、 日本国三洋化成工業株式会社製、 固形分 1 0 0重量％ ) の 5 0 重量％メチルェチルケ ト ン溶液をスピ ンコー ト法によ り室温にて 1 5 0 0 r p m、 1秒間塗布して 塗布膜を形成し、 紫外線硬化型樹脂層 1 0 を形成して、 積層 体 Mとした。

転写箔 L と積層体 Mとを、 それぞれの紫外線硬化型樹脂層 1 0 同士が向かい合う よう に貼り合わ'せ、 ゴムローラーで圧 着した後に、 紫外線硬化装置 （ U V C — 2 5 1 9型、 高圧水 銀灯を装着、 日本国ゥシォ電機株式会社製） を用いて出力 1 6 0 W、 コンベア速度 4 . 6 m /分、 光源距離 1 0 0 m mに て紫外線照射 （積算光量 3 5 0 m Jノ c m ² ) を 3 回行う こ とによつて紫外線を照射し 、 紫外線硬化型樹脂層 1 0 を硬化 させて八一ド Ώ一卜層 5 に変換した。 転写箔 L側を剥離し、 ポリエチレンテレフ夕 レ ―トフイ ルム （仮基板） 1 と離型層

2 を取り除く ことによつて 、 図 1 0 に示す光学部材 Nを得た。 光学部材 Nの物性は表 1 に示したとおりである。 算術平均 粗さ （ R a ) は 0 9 n mと小さかったが、 表面ケィ素原子 濃度は 9 . 2 a t o m % と低かった。 最低反射率は 1 . 4 1 % であった。 耐擦傷性試験においては色調の 化は見られなか つたものの、 多数の傷が生成していた。

表 1 取低 反射率が

算術 表面ケィ素

反射 最小値を 鉛筆

平均粗さ（Ra) 原子含有量 耐擦傷性

率 (%) とる波長 硬度

(nm; atom%)

(nm) 実施例 1 0.82 531 0.5 21.6 傷、色調変化ともになし 実施例 2 1.00 600 0.9 16.1 傷、色調変化ともになし 3H CO 比較例 1 •0.82 518 2.3 22.7 傷多く、色調変化あり 比較例 2 0.20 450 4.0 28.3 傷多 色調変化あり 2H 比較例 3 1.41 560 0.9 9.2_ 色調変化はないが、傷多い

産業上の利用可能性

本発明の反射防止膜は、 優れた反射防止性能を有すると共 に、 機械的強度及び耐擦傷性にも優れているため、 種 の光 学基板 (ブラウン管、 液晶デイ スプレイ、 プラズマディ スプ レイ 夕ッチパネル、 太陽電池、 車や住宅の窓、 メガネのレ ンズ 、 シ 3 一ケースなど） 上に P ける反射防止膜と して非常 に有用である

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 複数のシリ カ粒子及び少なく とも 1 種のバイ ンダ一化合 物を含有する反射防止膜であって、

該複数のシリ カ粒子同士が該少なく とも 1 種のバイ ンダー 化合物を介して結合されており、

下記 （ a〉 〜 （ c ) の特徴を有する反射防止膜。

( a ) 該シリ カ粒子の含有量が、 反射防止膜の重量に対し て 3 0重量％以上であ り、

( b ) 算術平均粗さ （ R a ) が 2 n m以下であ り、 そして ( c ) 反射防止膜の表面に関して X線光電子分光法 （ X P

S ) で測定した表面ケィ素原子含有量が 1 0 a t o m %以上 である。

2 . 該少なく とも 1種のバイ ンダー化合物が官能基を有する 重合体であって、 該シリ カ粒子が該重合体の官能基と共有結 合している ことを特徴とする請求項 1 に記載の反射防止膜。

3 . 該重合体の官能基の、 該シリ カ粒子に含まれるケィ素原 子に対するモル比が 0 . 0 1 〜 5 である ことを特徴とする請 求項 2 に記載の反射防止膜。

4 . 該シリ カ粒子が、 数珠状シリ カス ト リ ング及び繊維状シ リカ粒子からなる群よ り選ばれる少なく とも 1種のス ト リ ン グ状シリ カ粒子を含有する ことを特'徴とする請求項 1 3 の いずれかに記載の反射防止膜。

5 . 該反射防止膜における該少な < とち l mのス リ ング状 シリ 力粒子の含有

が、 反射防止膜の 対して 5 0重 量％以下である ことを特徵とする請求 4 に記載の反射防止

6 . 多孔性'であ り、 空隙率が 3 5 0体積％である ことを特 徵とする請求項 1 5 のいずれかに記載の反射防止膜。

7 . 高屈折率膜 、 及びその上に直接または間接的に積層され た、 請求 1 6 のいずれかに記載の反射防止膜を含有する 反射防止積層膜であって、 該高屈折率膜は、 該反射防止膜の 屈折率よ り高い屈折率を有する ことを特徴とする反射防止デ²1 層膜。 -

8 . 該高屈折率膜が、

チタン、 ジルコニウム、 亜鉛、 セリ ウム、 タンタル、 ィ V ト リ ウム、 八フ二ゥム、 アルミ二ゥム、 マグネシウム、 ィ ン ジゥム、 スズ、 モリ ブデン、 アンチモン及びガリ ウムからな る群よ り選ばれる少なく とも 1 種の金属を含有する少なく と も 1 種の金 ^m酸化物の複数の微粒子、 及び 少なく とち 1 種のバイ ンダー化合物 を含み 、 該少なく とも 1 種の金属酸化物の複数の微粒子同士が、 該 少なく とも 1 種のバイ ンダ一化合物を介して結合されている ことを特徴とする請求項 7 に記載の反射防止積層膜。

9 . 光学基板 、 及びその上に積層された、 請求項 1 〜 6 のい ずれかに記 の反射防止膜を含有する光学部材。

1 0 . 該光学基板が透明樹脂基板である ことを特徴とする請 求項 9 に記 の光学部材。

—載

1 1 . 可視光領域内での最低反射率が 2 %以下である ことを 特徴とする 求項 9 または 1 0 に記載の光学部材。

2 . 鉛筆強度が 2 H以上である こ とを特徴とする請求項 9 1 1 のいずれかに記載の光学部材。

3 . 下記工程 （ 1 ) 〜 （ 3 ) を含む方法によって得られる とを特徴とする請求項 9 〜 1 2 のいずれかに記載の光学部

( 1 ) 請求項 1 〜 6 のいずれかに記載の反射防止膜を、 こ れに対して剥離性を有する仮基板上に形成し、 積層体 （ i ) を 得、 '

( 2 ) 該積層体 （ i) の反射防止膜上に光学基板を積層 し、 積層体 （ i i ) を得、 そして

( 3 ) 該積層体 （ ii) から仮基板を取り除いて光学部材を 得る。

1 4. 光学基板、 及びその上に積層された、 請求項 7 または 8 に記載の反射防止積層膜を含有する光学部材。

1 5. 該光学基板が透明樹脂基板である ことを特徴とする請 求項 1 4 に記載の光学部材。

1 6 . 可視光領域内での最低反射率が 2 %以下である ことを 特徴とする請求項 1 4 または 1 5 に記載の光学部材。

1 7 . 鉛筆強度が 2 H以上である ことを特徴とする請求項 1 4〜 1 6 のいずれかに記載の光学部材。

1 8 . 下記工程 （ 1 ) 〜 （ 4 ) を含む方法によって得られる ことを特徴とする請求項 1 4〜 1 7 のいずれかに記載の光学 部材。

( 1 ) 請求項 1 〜 6 のいずれかに記載の反射防止膜を、 こ れに対して剥離性を有する仮基板上に形成し、 積層体 （ I ) を得、 '

( 2 ) 該積層体 （ I ) の反射防止膜上に高屈折率膜を積層 し、 積層体 （ I I ) を得、 そして

( 3 ) 該積層体 （ I I ) の高屈折率膜上に光学基板を積層 し、 積層体 （ I I I ) を得、 そして

( 4 ) 該積層体 （ I I I ) から仮基板を取り除いて光学部 材を得る。