JP2011150286A - 光学部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ThFを使用することなく、高い透過率を有し、表面粗さが良好な光学部品を提供すること。
【解決手段】 基材と赤外反射防止膜とからなる光学部品であって、基材はZnSeからなり、少なくとも一面に赤外反射防止膜が形成されている。また、赤外反射防止膜は、BaFからなる低屈折率層、ZnSe、ZnSもしくはGeからなる高屈折率層、およびアモルファスもしくは異方性を有する中間層から形成されている。このような構成とすることにより、ThFを使用しなくとも、高い透過率を有し、表面粗さが良好な光学部品を得ることが出来る。
【選択図】 図1

Description

本発明は、基材の表面に赤外反射防止膜を有する光学部品に関するものである。
近年、赤外光を利用した光学機器の開発が盛んに行われ、特に8〜14μm領域の赤外光の利用が注目されている。これに伴い、この領域の赤外光に有効な光学部品が種々提案されている。このような光学部品のうち、赤外反射防止機能を備えた光学部品として、赤外透過部材であるZnSe、ZnS、GaAs、Geなどを基板(基材)とし、この基板上にPbF、BaF、LaF、CeF、ThFなどのフッ化物からなる低屈折率層と、ZnSe、ZnS、GaAs、Geなどの高屈折率層とを組合せた赤外反射防膜を有する構造が知られている。
特に、COレーザなどの高出力レーザに使用される光学部品では、レーザを吸収することによって生じる発熱の影響を無視することができないため、赤外反射防膜の吸収率を低く抑える必要がある。赤外反射防膜の低屈折率層に用いられる材料のうち、そのような特性を満足させる物質としてThFが知られている。ところが、ThFは放射性物質のため、人体に有害で取扱い上の制約がある等の問題があった。
このような問題を解消するために、特許文献1では低屈折率層にBaFを用い、高屈折率層にZnSeを用いた光学部品が提案されている。
特開2002−148407号公報
特許文献1のような構造とすることで、ThFのような放射性物質を使用しなくても、吸収率が低い光学部品を製造することができる。ところが、特許文献1のように、低屈折率層にBaF、高屈折率層にZnSeを用いただけの構造では、ThFを用いた場合に比べて赤外反射防止膜の表面粗さが悪く、光学部品の外観が悪化するという問題があった。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、放射性物質であるThFを使用せずに、吸収率が低く、外観品質が良好な赤外反射防膜を有する光学部品を提供することを目的とする。
本発明の光学部品は、基材と赤外反射防止膜とからなる光学部品であって、基材はZnSeからなり、この基板の少なくとも一面に形成されている。そして、赤外反射防止膜は、主としてBaFからなる低屈折率層と、ZnSe、ZnSもしくはGeからなる高屈折率層と、アモルファスもしくは異方性を有する材料からなる中間層から形成されている。そして、光学部品は、表面粗さRaが3nm以下という特徴を有している。
また、本発明の光学部品は、波長10.6μmにおける吸収率が0.25%以下であることが好ましく、波長10.6μmにおける吸収率が0.18%以上0.24%以下であることがさらに好ましい。
また、本発明の光学部品の中間層は、ランタノイドのフッ化物、PbF、YFからなる群から選ばれる一種類以上のフッ化物からなる層、またはこれらの群から選ばれる一種類以上のフッ化物とBaFとを含む固溶体からなる層であることが好ましい。
また、本発明の光学部品は、中間層は、高屈折率層と低屈折率層との間、低屈折率層と基板との間、またはその両方に形成されていることが好ましい。
本発明によれば、ThFを使用しなくとも、吸収率が低く、外観品質が良好な赤外反射防膜を有する光学部品を提供することができる。
本発明の光学部品について、実施の一形態の断面図を模式的に示す説明図である。
本発明者は、特許文献1に開示された光学部品の問題点について検討を行った。その結果、多結晶体であるZnSe基板の表面に存在する結晶粒の凹凸が、BaF層に転写、あるいは増幅されて転写されていることが分かった。また、BaF層に明確な結晶性が現れていることも判明した。これらの事実から、本発明者は、このBaF層に生じた凹凸が光学部品の表面に影響を及ぼし、光学部品の外観品質の低下に繋がっていると考えた。
そこで、本発明者は、上記の問題の対策について種々の検討を行った結果、低屈折率層2の上面または下面に、赤外透過性を有し、かつアモルファスもしくは異方性を有する層を形成すればよいという知見を得た。すなわち、本発明の光学部品は、BaFからなる低屈折率層2とは別に、アモルファスもしくは異方性を有する中間層4を備えている点に特徴を有する。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の光学部品の断面図を模式的に示したものである。本発明の光学部品は、ZnSeからなる基板1と、主としてBaFからなる低屈折率層2、ZnSe、ZnSもしくはGeからなる高屈折率層3、およびアモルファスもしくは異方性を有する(明確な結晶方位を持たない)中間層4を備えた赤外反射防止膜5を有している。なお、主としてBaFからなる層とは、上述したように、ZnSe基板に蒸着した際にZnSe基板の結晶性がその層に反映されてしまう程度に、BaF以外の異種材料を含んでいる場合を含むことを意味する。
中間層4として種々の材料が考えられるが、高い赤外透過性能を有するフッ化物(BaFを除く)、あるいはBaFとBaF以外のフッ化物との固溶体からなる層であることが好ましい。なお、これらのフッ化物は、異なる材料を2種類以上含むものであっても良い。上記のフッ化物としては、ThFを除くことは言うまでもなく、YbF、DyFなどのランタノイドのフッ化物や、YF、PbFなどが好ましい。なお、TiOなどの酸化物でもアモルファスな層を形成することができるが、波長10.6μmにおける吸収率0.25%以下とすることが困難である。
中間層4は、低屈折率層と基板との間に第1の中間層として形成するのが良い。その厚みは、ZnSe基板の表面の凹凸が転写されない程度であれば良い。例えば、表面粗さRaを3nm以内に抑えるには、その厚みを10nm以上とすることが好ましい。また、BaFはその他のフッ化物に比べて吸収率が低いので、BaFを除くフッ化物、あるいはBaFとBaF以外のフッ化物との固溶体を使用する中間層は、吸収率を低く抑えるようできるだけ薄くすることが好ましい。従って、中間層の厚みは、1000nm以下が好ましく、100nm以下とするのがより好ましい。このような構成とすることで、ZnSe基板の表面の凹凸が赤外反射防止膜の表面に転写されなくなるので、赤外反射防止膜の表面を平滑にすることができる。本発明の構造とすることにより、赤外反射防止膜の表面粗さRaを3nm以下とすることができる。
また、中間層を低屈折率層と基板との間に形成された第1の中間層と、高屈折率層と低屈折率層との間に形成された第2の中間層との2層に分けて形成する場合は、第1の中間層の厚みを薄くし、具体的には10nm以上100nm以下とすることが好ましい。低屈折率層の上側にも中間層を設けることによって、光学部品の吸収率をコントロールすることができる。
次に実施例に基づいて、本発明の光学部品をさらに具体的に説明するが、本発明は実施例のみに限定されるものではない。
透過部材である厚さ8mmのZnSe部材を基板1とし、その表面にBaFとYFとの固溶体(BaF:YF=7:3・・・モル比)からなる中間層4、BaFからなる低屈折率層2、ZnSeからなる高屈折率層3を基材側から順に積層し、赤外反射防止膜5を両面に有する光学部品を作成した。それぞれの膜は、電子ビーム(EB)蒸着により真空度8×10−4Pa以下、蒸着速度0.03μm/minの条件で作成した。作成した光学部品については、赤外線吸収率の測定及び表面粗さの測定を行った。その結果を表1に示す。
赤外線の吸収率は、波長10.6μmのCOレーザ光を用いたレーザカロメトリ法により測定した。表面粗さについては、Zygo社製の非接触表面形状測定機NewView200により測定した。
また、基板1の表面にBaFとYFとの固溶体(BaF:YF=7:3)からなる中間層4をBaFからなる低屈折率層2の両側に形成した構造、低屈折率層2をThFとした構造、及びフッ化物固溶体からなる中間層4を有していない構造についても同様に作成し、評価を行った。
Figure 2011150286
表1の結果から分かるように、本発明の構造(資料番号1,2)では、低屈折率層2にBaFを使用してもThFを使用した場合と同等の性能が得られた。また、中間層4を有していない従来の構造(資料番号4)に比べ、表面粗さが改善され、吸収率が低い光学部品を得ることができた。
また、低屈折率層をThFからBaFに変更しただけのもの(試料番号4)は、低屈折率層がThFのもの(試料番号3)と吸収率が異なっている。そのため、レーザー光の吸収による基板温度上昇の結果生じる基板屈折率の変化量及び熱変形量が異なり、焦点位置にズレが生じてしまい、従来のThFを使用した光学部品との互換性が得られない。これに対し、本発明の構造のもの(試料番号2)は、中間層の存在により、低屈折率層をThFとしたものに吸収率を合わせることも可能であり、ThFを使用した光学部品と互換性を得ることも出来る。なお、吸収率は、中間層の厚みを変えることで調整することができる。
実施例1と同じ条件にて、膜材質やその厚みを変え、吸収率及び表面粗さの評価を行った。その結果を表2〜表6に示す。
Figure 2011150286
Figure 2011150286
Figure 2011150286
Figure 2011150286
Figure 2011150286
表2〜表6の結果より、BaFとは別に、アモルファスもしくは異方性を有する中間層を設けることにより、吸収率が低く、外観品質が良い光学部品が得られることがわかる。なお、試料番号21は、高屈折率層と低屈折率層との間(第2の中間層)にのみ中間層を形成したものであるが、中間層の厚みが比較的厚いにもかかわらず、表面粗さが少ししか改善されていない。従って、表面粗さを改善するためには、中間層を低屈折率層と基板との間(第1の中間層)に設けることが好ましいことが分かる。
なお、上述した例は、あくまでも例示であって本発明は実施例によって限定されるものではない。当業者であれば特許請求の範囲によって画定される本発明の技術的思想を逸脱することなく様々な変形若しくは変更が可能であることは言うまでもない。
本発明は、COレーザ等のハイパワーレーザに用いる光学部品に特に好適である。
1 ZnSeからなる基板
2 低屈折率層
3 高屈折率層
4 中間層
5 赤外反射防止膜

Claims (8)

  1. 基材と赤外反射防止膜とからなる光学部品であって、
    前記基材はZnSeであり、
    前記赤外反射防止膜は、前記基板の少なくとも一面に形成されているとともに、
    主としてBaFからなる低屈折率層と、
    ZnSe、ZnSもしくはGeからなる高屈折率層と、
    アモルファスもしくは異方性を有する材料からなる中間層からなり、
    前記赤外反射防止膜の表面粗さRaが3nm以下であることを特徴とする光学部品。
  2. 波長10.6μmにおける吸収率が0.25%以下である請求項1に記載の光学部品。
  3. 波長10.6μmにおける吸収率が0.18%以上0.24%以下である請求項1または2に記載の光学部品。
  4. 前記中間層はランタノイドのフッ化物、PbF、YFからなる群から選ばれる一種類以上のフッ化物からなる層、またはこれらの群から選ばれる一種類以上のフッ化物とBaFとを含む固溶体からなる層である請求項1〜3いずれかに記載の光学部品。
  5. 前記中間層は、低屈折率層と基板との間に形成された第1の中間層である請求項1〜4のいずれかに記載の光学部品。
  6. 前記第1の中間層の厚みは、10nm以上である請求項5に記載の光学部品。
  7. 前記第1の中間層の厚みは、1000nm以下である請求項5に記載の光学部品。
  8. 前記中間層は、高屈折率層と低屈折率層との間に形成された第2の中間層をさらに含み、前記第1の中間層の厚みが10nm以上100nm以下である請求項7に記載の光学部品。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193742A1 (ja) * 2017-04-20 2018-10-25 信越化学工業株式会社 反射防止部材及びその製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104459835B (zh) * 2014-12-24 2016-06-29 南京波长光电科技股份有限公司 一种红外玻璃gasir1增透膜及其制备方法
CN111630415B (zh) * 2018-01-25 2022-03-01 三菱电机株式会社 光学部件及激光加工机
CN110146943B (zh) * 2018-12-20 2021-03-23 上海欧菲尔光电技术有限公司 一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法
CN111090134B (zh) * 2019-11-21 2022-03-29 天津津航技术物理研究所 硫系玻璃基底激光、中波红外、长波红外复合减反射薄膜

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63294501A (ja) * 1987-05-27 1988-12-01 Nikon Corp 赤外用光学薄膜
JPH06313802A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Topcon Corp 赤外域多層膜
JP2000019305A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Minolta Co Ltd 赤外反射防止膜
JP2000117482A (ja) * 1998-10-15 2000-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用保護ウィンドウ部材、その再生方法、およびレーザ加工用組レンズ
JP2000147205A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Minolta Co Ltd 赤外反射防止膜
JP2002148407A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 赤外線レーザ用光学部品とその製造方法
JP2003149406A (ja) * 2002-07-12 2003-05-21 Topcon Corp 赤外反射防止膜
WO2004113966A1 (ja) * 2003-06-18 2004-12-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha 反射防止膜
JP2006072031A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp 赤外域用反射防止膜およびこれを用いた赤外線レンズ
JP2008032804A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Jasco Corp 光学素子
JP2009086533A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56106202A (en) * 1980-01-29 1981-08-24 Tokyo Optical Co Ltd Infrared reflection preventing film
US4436363A (en) 1982-08-06 1984-03-13 Westinghouse Electric Corp. Broadband antireflection coating for infrared transmissive materials
JPS59137901A (ja) * 1983-01-27 1984-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射防止膜
JP3249992B2 (ja) * 1990-12-25 2002-01-28 ミノルタ株式会社 シリコン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜
GB9619781D0 (en) * 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
US6020992A (en) * 1997-06-16 2000-02-01 Laser Power Corporation Low absorption coatings for infrared laser optical elements
KR100507842B1 (ko) 2002-01-11 2005-08-17 에스케이씨 주식회사 플라즈마 디스플레이 판넬용 전면 광학 필터
JP2006085933A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
US8373929B2 (en) * 2007-06-18 2013-02-12 Mark W. Youn Low absorption optical coating apparatus and related methods using ThF4/BaF2 combination
CN101464528B (zh) * 2008-01-23 2011-01-12 四川大学 一种dlc红外抗反射保护膜及其制备方法
JP2010226067A (ja) 2008-06-03 2010-10-07 Sumitomo Electric Ind Ltd AlxGa(1−x)As基板、赤外LED用のエピタキシャルウエハ、赤外LED、AlxGa(1−x)As基板の製造方法、赤外LED用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外LEDの製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63294501A (ja) * 1987-05-27 1988-12-01 Nikon Corp 赤外用光学薄膜
JPH06313802A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Topcon Corp 赤外域多層膜
JP2000019305A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Minolta Co Ltd 赤外反射防止膜
JP2000117482A (ja) * 1998-10-15 2000-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用保護ウィンドウ部材、その再生方法、およびレーザ加工用組レンズ
JP2000147205A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Minolta Co Ltd 赤外反射防止膜
JP2002148407A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 赤外線レーザ用光学部品とその製造方法
JP2003149406A (ja) * 2002-07-12 2003-05-21 Topcon Corp 赤外反射防止膜
WO2004113966A1 (ja) * 2003-06-18 2004-12-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha 反射防止膜
JP2006072031A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp 赤外域用反射防止膜およびこれを用いた赤外線レンズ
JP2008032804A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Jasco Corp 光学素子
JP2009086533A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193742A1 (ja) * 2017-04-20 2018-10-25 信越化学工業株式会社 反射防止部材及びその製造方法
CN110537116A (zh) * 2017-04-20 2019-12-03 信越化学工业株式会社 防反射构件及其制造方法
JPWO2018193742A1 (ja) * 2017-04-20 2020-05-21 信越化学工業株式会社 反射防止部材及びその製造方法
CN110537116B (zh) * 2017-04-20 2021-10-29 信越化学工业株式会社 防反射构件及其制造方法
JP7030792B2 (ja) 2017-04-20 2022-03-07 信越化学工業株式会社 反射防止部材及びその製造方法
TWI772388B (zh) * 2017-04-20 2022-08-01 日商信越化學工業股份有限公司 抗反射構件及其之製造方法
US11624858B2 (en) 2017-04-20 2023-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Antireflective member and method of manufacture therefor

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