JP6681683B2 - 光学膜及びその製造方法 - Google Patents

光学膜及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6681683B2
JP6681683B2 JP2015167862A JP2015167862A JP6681683B2 JP 6681683 B2 JP6681683 B2 JP 6681683B2 JP 2015167862 A JP2015167862 A JP 2015167862A JP 2015167862 A JP2015167862 A JP 2015167862A JP 6681683 B2 JP6681683 B2 JP 6681683B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical film
refractive index
substrate
examples
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015167862A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017044904A (ja
Inventor
伊村 正明
正明 伊村
暁大 石井
暁大 石井
仁 高村
仁 高村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku University NUC
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Tohoku University NUC
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku University NUC, Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Tohoku University NUC
Priority to JP2015167862A priority Critical patent/JP6681683B2/ja
Publication of JP2017044904A publication Critical patent/JP2017044904A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6681683B2 publication Critical patent/JP6681683B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Filters (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、光学膜及びその製造方法に関する。
従来、高い屈折率を有する光学膜としては、酸化チタン膜が用いられている。また、高い屈折率を有する光学膜は、低い屈折率を有する光学膜と交互に積層して、反射防止膜やバンドパスフィルタなどの誘電体多層膜を構成する膜として用いられている。
特許文献1においては、酸化チタンの単体からなる酸化チタン膜よりも高い屈折率を有する光学膜として、AlまたはGaを含有するチタン複合酸化物からなり、ルチル構造の結晶を含む光学膜が開示されている。
国際公開第2013/151091号
しかしながら、誘電体多層膜を構成する膜として、高い屈折率を有する光学膜を用いる場合、どのような特性を有することが望ましいかに関して、従来十分に検討されていなかった。
本発明の目的は、誘電体多層膜を構成する膜として用いた場合にも、良好な特性を発揮することができる光学膜及びその製造方法を提供することにある。
本発明の光学膜は、AlまたはGaを1〜18カチオン%含有するチタン複合酸化物からなり、ルチル構造の結晶を含み、波長550nmにおける屈折率が2.64以上であり、表面粗さRaが1.8nm以下であることを特徴としている。
本発明において、Alを1〜18カチオン%含有することが好ましい。
本発明において、X線回折におけるルチル型酸化チタン結晶の(110)面に対応するピークの半値幅は、1.3°以下であることが好ましい。
本発明の製造方法は、上記本発明の光学膜を製造することができる方法であって、基板を準備する工程と、基板の温度を320〜550℃の範囲内とし、酸素分圧を0.1〜4Paの範囲内にして、基板の上に物理的堆積法により前記光学膜を形成する工程とを備えることを特徴としている。
上記物理的堆積法は、パルスレーザー堆積法であることが好ましい。
上記基板は、ガラス基板であることが好ましい。
本発明によれば、誘電体多層膜を構成する膜として用いた場合にも、良好な特性を発揮することができる光学膜とすることができる。
本発明の実施例の光学膜のX線回折パターンを示す図である。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
本発明の光学膜は、AlまたはGaを1〜18カチオン%含有するチタン複合酸化物からなる。AlまたはGaの含有量が1カチオン%未満になると、波長550nmにおける屈折率が小さくなり、また表面粗さRaが大きくなる傾向にある。また、AlまたはGaの含有量が18カチオン%を超えると、ルチル構造の結晶が相対的に少なくなり、波長550nmにおける屈折率が小さくなる傾向にある。Al及びGaの両方を含む場合には、Al及びGaの含有量の合計が、1〜18カチオン%の範囲内であることが好ましい。本発明の光学膜は、AlまたはGaを2〜15カチオン%含有することがさらに好ましく、AlまたはGaを3〜12カチオン%含有することが特に好ましい。
本発明の光学膜は、ルチル構造の結晶を含んでいる。本発明の光学膜は、アモルファス構造や、アナターゼ構造の結晶を含んでいてもよいが、これらよりも多くルチル構造の結晶を含んでいることが好ましい。また、特許文献1の実施例1〜4の光学膜よりも、ルチル構造の結晶を多く含んでいることが好ましい。これにより、波長550nmにおける屈折率をより高くすることができ、表面粗さRaをより小さくすることができる。
本発明の光学膜は、波長550nmにおける屈折率が2.64以上である。したがって、可視光領域における屈折率が高いため、反射防止膜などの誘電体多層膜を構成する膜として用いた場合に、良好な反射防止特性等を得ることができる。あるいは反射ミラーとして用いた場合に、波長幅が広がり、反射率が高くなり、良好な赤外線カットフィルター特性等を得ることができる。波長550nmにおける屈折率は、2.66以上であることがさらに好ましく、2.68以上であることがより好ましく、2.70以上であることが特に好ましい。波長550nmにおける屈折率の上限値は特に設定されるものではないが、一般には2.95である。
また、本発明の光学膜は、波長400nmにおける屈折率が3.00以上であることが好ましく、3.01以上であることがさらに好ましく、3.02以上であることがより好ましく、3.03以上であることが特に好ましい。したがって、本発明の光学膜は、波長400nmにおける屈折率が、特許文献1の実施例1〜4の光学膜よりも高い。波長400nmにおける屈折率の上限値は特に設定されるものではないが、一般には3.28である。
本発明の光学膜は、表面粗さRaが1.8nm以下である。したがって、誘電体多層膜を構成する膜として用いた場合に、積層する膜界面における凹凸を小さくすることができ、この凹凸によって光が散乱するのを抑制することができる。このため、良好な特性を有する誘電体多層膜を形成することができる。表面粗さRaは、1.7nm以下であることが好ましく、1.5nm以下であることがさらに好ましく、1.3nm以下であることがより好ましく、1.1nm以下であることが特に好ましい。表面粗さRaの下限値は特に設定されるものではないが、一般には0.1nmである。
本発明の光学膜においては、X線回折におけるルチル型酸化チタン結晶の(110)面に対応するピークの半値幅が、1.3°以下であることが好ましい。ピークの半値幅が大きくなりすぎると、ルチル構造の結晶が少なくなり、屈折率が低下する場合がある。ピークの半値幅は、0.9〜1.3°の範囲内であることがさらに好ましい。ピークの半値幅が小さくなりすぎると、ルチル構造の結晶が大きくなり、表面粗さRaが大きくなる場合がある。
本発明の製造方法では、基板の温度を320〜550℃の範囲内とし、酸素分圧を0.1〜4Paの範囲内にして、基板の上に物理的堆積法により光学膜を形成する。基板の温度が低すぎると、ルチル構造の結晶が少なくなり、屈折率が低下しやすい。また、基板の温度が高すぎると、ルチル構造の結晶が大きくなり、表面粗さRaが大きくなりやすい。酸素分圧が低すぎると、形成された光学膜が十分に酸化されずに光吸収が大きくなる場合がある。酸素分圧が高すぎると、ルチル構造の結晶が少なくなり、屈折率が低下する場合がある。基板の温度は、330〜530℃の範囲内であることがさらに好ましく、350〜500℃の範囲内であることがより好ましい。酸素分圧は、0.2〜2.5Paの範囲内であることがさらに好ましく、0.3〜1.5Paの範囲内であることがより好ましい。
光学膜は、物理的堆積法により形成することができる。物理的堆積法の具体例としては、パルスレーザー堆積法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などが挙げられる。特に、パルスレーザー堆積法が好ましく用いられる。
基板としては、特に限定されず、例えば、ガラスや、高耐熱性プラスチック、樹脂、フィルムなどが挙げられる。ガラス基板が特に好ましく用いられる。
光学膜の厚みは、特に限定されないが、例えば、5nm〜1000nm程度とすることができる。
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
(実施例1〜3並びに比較例1及び2)
[ターゲットの作製]
TiO(株式会社高純度化学研究所製、純度99%)とAl(株式会社高純度化学研究所製、純度99%)とを、原子比でAl/Ti=10.0/90.0となるように混合して、酸化物粉末10gを得た。酸化物粉末10gと2−プロパノール30ccとを部分安定化ジルコニア製の容器に入れ、遊星型ボールミル装置で1時間混合し、スラリーとした。スラリーを乾燥し、64MPaで一軸プレスした後、250MPaの圧力で静水圧プレスし、1150℃で、36時間、大気中で焼成して、ターゲットを得た。
[光学膜の成膜]
次に、上記作製のターゲットを用い、パルスレーザー堆積(PLD)法により、以下の条件で、無アルカリガラス基板(日本電気硝子株式会社製のOA−10G、15mm角、0.7mm厚)の上に光学膜を成膜した。
雰囲気:酸素
酸素分圧:0.5Pa
雰囲気の圧力:1.5×10−5Pa以下(チャンバー内に酸素を供給する直前のチャンバー内の圧力)
ターゲットと基板との距離:35mm
成膜時の無アルカリガラス基板の温度:300℃(比較例1)、350℃(実施例1)、400℃(実施例2)、500℃(実施例3)、600℃(比較例2)
レーザー:波長248nmのKrFエキシマレーザー(レーザーパワー:200mJ/パルス、レーザーの周波数:5Hz)
成膜時間:20分
得られた光学膜の厚みは、155nm(比較例1)、131nm(実施例1)、150nm(実施例2)、152nm(実施例3)、150nm(比較例2)であった。光学膜の組成とターゲットの組成を、EDX(エネルギー分散型X線分光法)により測定した。その結果、光学膜における組成とターゲット組成は、ほぼ同一でAl/Ti=10.5/89.5であることが確認された。
[光学特性評価]
分子エリプソメトリーにより、波長400nm及び波長550nmにおける光学膜の屈折率nを測定した。なお、分子エリプソメトリーによる評価には、J.A. Woollam Japan製のM−2000を用いた。表1に、実施例1〜3並びに比較例1及び2の波長400nm及び波長550nmにおける光学膜の屈折率nをそれぞれ示す。
[表面粗さRaの測定]
AFM(JEOL社製JSPM−5200、カンチレバー:Si)を用いて、代表的な表面構造を有した5μm角の範囲を測定し、面内の平均表面粗さRaを算出した。
表1に、実施例1〜3並びに比較例1及び2の表面粗さRaの測定値を示す。
[X線回折測定]
実施例1〜3並びに比較例1及び2の光学膜について、X線回折パターンを測定した。X線回折測定は、X線回折装置(Bruker AXS製 D8 Advance)を用い、α−2θ(α=2°)法で行った。光源としては、Cu−Kα線(出力40kV−40mA)を用いた。光学系は平行ビーム光学系とした。走査範囲2θ=20〜50°、走査速度1°/分とした。
図1に、実施例1〜3並びに比較例1及び2の光学膜のX線回折パターンを示す。
各実施例及び比較例の光学膜のX線回折パターンについて、ルチル型酸化チタン結晶の(110)面に対応するピークの半値幅を求め、半値幅の測定値を表1に示した。
Figure 0006681683
表1に示すように、本発明に従う実施例1〜3の光学膜は、Alを1〜18カチオン%の範囲内で含有し、波長550nmにおける屈折率が2.64以上であり、表面粗さRaが1.8nm以下であることがわかる。また、図1に示すように、実施例1〜3の光学膜は、ルチル構造の結晶を含むことがわかる。
また、表1に示すように、X線回折におけるルチル型酸化チタン結晶の(110)面に対応するピークの半値幅が、1.3°以下である実施例1〜3の光学膜は、波長550nmにおける屈折率が2.64以上であり、表面粗さRaが1.8nm以下であることがわかる。また、実施例1〜3の光学膜は、波長400nmにおける屈折率が3.00以上であることがわかる。
(実施例4及び5)
[ターゲットの作製]
TiOとAlとを、原子比でAl/Ti=5.0/95.0となるように混合する以外は、実施例1〜3と同様にして、実施例4及び5に用いるターゲットを作製した。
[光学膜の成膜]
上記で作製したターゲットを用い、成膜時の無アルカリガラス基板の温度を、350℃(実施例4)、400℃(実施例5)とする以外は、実施例1〜3と同様にして光学膜を成膜した。得られた光学膜の厚みは、117nm(実施例4)、123nm(実施例5)であった。光学膜の組成とターゲットの組成を、EDX(エネルギー分散型X線分光法)により測定した。その結果、光学膜における組成とターゲット組成は、ほぼ同一でAl/Ti=4.6/95.4あることが確認された。
[光学膜の評価]
得られた実施例4及び5の光学膜について、上記と同様にして評価し、評価結果を表2に示した。
Figure 0006681683
表2に示すように、本発明に従う実施例4及び5の光学膜は、Alを1〜18カチオン%の範囲内で含有し、波長550nmにおける屈折率が2.64以上であり、表面粗さRaが1.8nm以下であることがわかる。
また、表2に示すように、X線回折におけるルチル型酸化チタン結晶の(110)面に対応するピークの半値幅が、1.3°以下である実施例4及び5の光学膜は、ルチル構造の結晶を含み、波長550nmにおける屈折率が2.64以上であり、表面粗さRaが1.8nm以下であることがわかる。また、実施例4及び5の光学膜は、波長400nmにおける屈折率が3.00以上であることがわかる。
(参考例1及び2)
特許文献1の実施例1及び実施例2を、参考例1(特許文献1の実施例1に相当)及び参考例2(特許文献1の実施例に相当)として以下に示す。
[ターゲットの作製]
TiOとAlとを、原子比でAl/Ti=10/90となるように混合する以外は、実施例1〜3と同様にして、参考例1に用いるターゲットを作製した。TiOとAlとを、原子比でAl/Ti=5/95となるように混合する以外は、実施例1〜3と同様にして、参考例2に用いるターゲットを作製した。
[光学膜の成膜]
上記で作製したターゲットを用い、成膜時の無アルカリガラス基板の温度を、500℃とし、酸素分圧を5Paとする以外は、実施例1〜3と同様にして参考例1及び2の光学膜を成膜した。得られた光学膜の厚みは、39nm(参考例1)、37nm(参考例2)であった。
[光学膜の評価]
得られた参考例1及び参考例2の光学膜について、上記と同様にして評価し、評価結果を表3に示した。
Figure 0006681683
表3に示すように、参考例1及び参考例2の光学膜は、波長400nmにおける屈折率が3.00未満であることがわかる。

Claims (4)

  1. Alを1〜18カチオン%含有するチタン複合酸化物からなり、ルチル構造の結晶を含み、波長550nmにおける屈折率が2.64以上であり、波長400nmにおける屈折率が3.00以上であり、表面粗さRaが1.8nm以下である、光学膜を製造する方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板の温度を320〜550℃の範囲内とし、酸素分圧を0.1〜4Paの範囲内にして、前記基板の上に物理的堆積法により前記光学膜を形成する工程とを備える、光学膜の製造方法。
  2. 前記光学膜のX線回折におけるルチル型酸化チタン結晶の(110)面に対応するピークの半値幅が、1.3°以下である、請求項1に記載の光学膜の製造方法
  3. 前記物理的堆積法が、パルスレーザー堆積法である、請求項1または2に記載の光学膜の製造方法。
  4. 前記基板が、ガラス基板である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光学膜の製造方法。
JP2015167862A 2015-08-27 2015-08-27 光学膜及びその製造方法 Active JP6681683B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015167862A JP6681683B2 (ja) 2015-08-27 2015-08-27 光学膜及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015167862A JP6681683B2 (ja) 2015-08-27 2015-08-27 光学膜及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017044904A JP2017044904A (ja) 2017-03-02
JP6681683B2 true JP6681683B2 (ja) 2020-04-15

Family

ID=58209846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015167862A Active JP6681683B2 (ja) 2015-08-27 2015-08-27 光学膜及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6681683B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6956447B2 (ja) * 2018-10-26 2021-11-02 株式会社大一商会 遊技機
JP6956448B2 (ja) * 2018-10-26 2021-11-02 株式会社大一商会 遊技機
JP6872569B2 (ja) * 2019-01-04 2021-05-19 株式会社大一商会 遊技機
JP2020108548A (ja) * 2019-01-04 2020-07-16 株式会社大一商会 遊技機
JP6872570B2 (ja) * 2019-01-04 2021-05-19 株式会社大一商会 遊技機
JP7252574B2 (ja) * 2020-10-09 2023-04-05 株式会社大一商会 遊技機

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI352071B (en) * 2003-01-28 2011-11-11 Koninkl Philips Electronics Nv Transparent titanium oxide-aluminum and/or aluminu
EP1680527B1 (en) * 2003-10-07 2012-03-21 Deposition Sciences, Inc. Apparatus and process for high rate deposition of rutile titanium dioxide
JP2006063382A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Kyoto Univ チタン酸化物薄膜を基板の表面に形成する方法
US20080187684A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-07 Imra America, Inc. Method for depositing crystalline titania nanoparticles and films
JPWO2013151091A1 (ja) * 2012-04-06 2015-12-17 日本電気硝子株式会社 光学膜

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017044904A (ja) 2017-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6681683B2 (ja) 光学膜及びその製造方法
JP3708429B2 (ja) 蒸着組成物の製造方法、蒸着組成物及び反射防止膜を有する光学部品の製造方法
JP6152761B2 (ja) 膜付部材及びその製造方法
JP2011107359A (ja) 光学物品
WO2021024834A1 (ja) 反射防止膜付き光学部材及びその製造方法
JP2006119525A (ja) 反射防止膜
JP7227473B2 (ja) 光学薄膜の製造方法、薄膜形成材料、光学薄膜、及び光学部材
JP2011150286A (ja) 光学部品
JP6800446B2 (ja) 光学膜及びその製造方法
JP2021055149A (ja) 光学薄膜の製造方法、光学薄膜、及び光学部材
JP7216471B2 (ja) 車載レンズ用のプラスチックレンズ及びその製造方法
JP5916821B2 (ja) 酸化ハフニウムコーティング
JP6627828B2 (ja) 薄膜の製造方法、薄膜形成材料、光学薄膜、及び光学部材
JP2014016459A (ja) 積層体の製造方法
JPWO2006114953A1 (ja) 透光性セラミックおよびその製造方法、ならびに光学部品および光学装置
TWI460078B (zh) 具親水性、抗反射及抗霧之多層複合薄膜及其製作方法
WO2022124030A1 (ja) 光学フィルタ
JP2009276447A (ja) 偏光子及び液晶プロジェクタ
JP2023020448A (ja) 膜付き基材及びその製造方法
US20200041694A1 (en) Thin film forming method and porous thin film
JP2011221465A (ja) 反射防止膜、及びこれを有する光学部材
WO2013151091A1 (ja) 光学膜
WO2023095574A1 (ja) バンドパスフィルタの製造方法及びバンドパスフィルタ
JP2018197171A (ja) 親水性反射防止膜付きレンズ及びその製造方法
KR102085747B1 (ko) 불화물 결합제로 인해 광 투과도가 향상된 반사 방지막

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150911

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200317

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200324

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6681683

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250