JPWO2013151091A1 - 光学膜 - Google Patents

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Abstract

酸化チタン膜よりも高い屈折率を有する光学膜を提供する。光学膜は、アルミニウムチタン複合酸化物またはガリウムチタン複合酸化物からなる。アルミニウムチタン複合酸化物において、AlとTiとの比(Al/Ti)は、原子比で17/83以下である。ガリウムチタン複合酸化物において、GaとTiとの比(Ga/Ti)は、原子比で20/80以下である。アルミニウムチタン複合酸化物またはガリウムチタン複合酸化物は、ルチル構造の結晶を含む。

Description

本発明は、光学膜に関する。
従来、高い屈折率を有する光学膜としては、酸化チタン膜が用いられている。しかしながら、近年、反射防止膜等の膜数の低減や、高性能化が強く求められるようになってきており、それに伴い、酸化チタンの単体からなる酸化チタン膜(以下、実質的に酸化チタンのみからなる膜を「酸化チタン膜」とする。)よりも高い屈折率を有する光学膜が求められている。例えば、特許文献1には、酸化チタンに他の金属酸化物を添加した高屈折率誘電体膜が開示されている。
特開2002−277630号公報
特許文献1に記載された高屈折率誘電体膜では、酸化チタン膜と同等の屈折率が実現されているものの、酸化チタン膜よりも高い屈折率を得ることは困難である。
本発明は、酸化チタン膜よりも高い屈折率を有する光学膜を提供することを主な目的とする。
本発明に係る光学膜は、AlまたはGaを含有するチタン複合酸化物からなり、ルチル構造の結晶を含む。
本発明の第1の局面に係る光学膜は、アルミニウムチタン複合酸化物からなる。アルミニウムチタン複合酸化物において、AlとTiとの比(Al/Ti)は、原子比で17/83以下である。アルミニウムチタン複合酸化物は、ルチル構造の結晶を含む。
本発明の第2の局面に係る光学膜は、ガリウムチタン複合酸化物からなる。ガリウムチタン複合酸化物において、GaとTiとの比(Ga/Ti)は、原子比で20/80以下である。ガリウムチタン複合酸化物は、ルチル構造の結晶を含む。
波長400nmにおける光学膜の屈折率が2.8以上であることが好ましい。
光学膜は、アモルファス領域を含んでいてもよい。
本発明によれば、酸化チタン膜よりも高い屈折率を有する光学膜を提供することができる。
図1は、実施例1,2及び参考例1〜3の光学膜におけるAlの原子比と屈折率との関係を示すグラフである。 図2は、実施例1の光学膜の電子線回折パターンである。 図3は、実施例3,4及び参考例4,5の光学膜におけるGaの原子比と屈折率との関係を示すグラフである。 図4は、実施例3,4及び参考例4,5の光学膜のX線回折パターンである。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、以下の実施形態は、単なる一例であり、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
(第1の局面の実施形態)
本実施形態に係る光学膜は、アルミニウムチタン複合酸化物からなる。アルミニウムチタン複合酸化物に含まれるAlとTiとの比(Al/Ti)は、原子比で17/83以下である。光学膜は、アルミニウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶を含む。このため、本実施形態に係る光学膜は、例えば波長400nmにおいて2.8以上という高い屈折率を有する。
より高い屈折率を得る観点からは、アルミニウムチタン複合酸化物に含まれるAlとTiとの比(Al/Ti)は、原子比で2/98〜17/83程度であることが好ましく、5/95〜12/88程度であることがより好ましい。
光学膜は、アルミニウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶のみからなるものであってもよいが、アルミニウムチタン複合酸化物のアモルファス領域や、アルミニウムチタン複合酸化物のアナターゼ構造の結晶を含んでいてもよい。但し、より高い屈折率を得る観点からは、光学膜におけるアルミニウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶の占める割合が高い方が好ましい。
(第2の局面の実施形態)
本実施形態に係る光学膜は、ガリウムチタン複合酸化物からなる。ガリウムチタン複合酸化物に含まれるGaとTiとの比(Ga/Ti)は、原子比で20/80以下である。光学膜は、ガリウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶を含む。このため、本実施形態に係る光学膜は、例えば波長400nmにおいて2.8以上という高い屈折率を有する。
より高い屈折率を得る観点からは、ガリウムチタン複合酸化物に含まれるGaとTiとの比(Ga/Ti)は、原子比で2/98〜20/80程度であることが好ましく、10/90〜18/82程度であることがより好ましい。
光学膜は、ガリウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶のみからなるものであってもよいが、ガリウムチタン複合酸化物のアモルファス領域や、ガリウムチタン複合酸化物のアナターゼ構造の結晶を含んでいてもよい。但し、より高い屈折率を得る観点からは、光学膜におけるガリウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶の占める割合が高い方が好ましい。
(第1の局面及び第2の局面に共通の実施形態)
光学膜の厚みは、特に限定されないが、例えば、5nm〜1000nm程度とすることができる。
光学膜を、420℃以上の温度の基板上に成膜することが好ましく、450℃以上の温度の基板上に成膜することがより好ましい。光学膜を成膜する際の基板の温度を高めることにより、より高い屈折率を得ることが可能となる。この理由は定かではないが、光学膜に占めるアルミニウムチタン複合酸化物またはガリウムチタン複合酸化物のルチル構造の結晶の割合が高くなるためであると考えられる。
光学膜は、例えば、物理的堆積法等により成膜することができる。物理的堆積法の具体例としては、パルスレーザー堆積法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などが挙げられる。
基板としては、特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチック、樹脂、フィルムなどが挙げられる。
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
<第1の局面>
(実施例1)
[ターゲットの作製]
TiO(株式会社高純度化学研究所製、純度99%)とAl(株式会社高純度化学研究所製、純度99%)とを、原子比でAl/Ti=10/90となるように混合して、酸化物粉末10gを得た。酸化物粉末10gと2−プロパノール30ccとを部分安定化ジルコニア製の容器に入れ、遊星型ボールミル装置で1時間混合し、スラリーとした。スラリーを乾燥し、64MPaで一軸プレスした後、250MPaの圧力で静水圧プレスし、1150℃で、36時間、大気中で焼成して、ターゲットを得た。
[光学膜の成膜]
次に、上記作製のターゲットを用い、パルスレーザー堆積(PLD)法により、以下の条件で、無アルカリガラス基板(日本電気硝子株式会社製のOA−10G、15mm角、0.7mm厚)の上に光学膜を成膜した。
雰囲気:酸素
雰囲気の圧力/1.5×10−5Pa以下
ターゲットと基板との距離/35mm
成膜時の無アルカリガラス基板の温度/500℃
レーザー/波長248nmのKrFエキシマレーザー(レーザーパワー/200mJ/パルス、レーザーの周波数/5Hz)
成膜時間/20分
得られた光学膜の厚みは、39nmであった。光学膜の組成とターゲットの組成を、EDX(エネルギー分散型X線分光法)により測定した。その結果、光学膜における組成とターゲット組成は、ほぼ同一であることが確認された。
[光学特性評価]
分子エリプソメトリーにより、波長400nmにおける光学膜の屈折率nを測定した。波長400nmにおける光学膜の屈折率は、図1に示されるように2.98であった。なお、分子エリプソメトリーによる評価には、Horiba Jobin Yvon製のAuto SEを用いた。
[電子線回折パターンの測定]
原子分解能分析電子顕微鏡(日本電子株式会社製のJEM−ARM200F)を用いて、実施例1で得られた光学膜の電子線回折パターンを測定した。電子線回折パターンを図2に示す。図2に示されるように、実施例1で得られた光学膜には、ルチル型の結晶とアナターゼ型の結晶が含まれていることが確認された。また、光学膜には、アモルファス領域も存在していた。
(実施例2)
TiOとAlとを、原子比でAl/Ti=5/95となるように混合してターゲットを作製したこと以外は、実施例1と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは、37nmであった。次に、実施例1と同様にして、光学膜の組成を測定し、光学特性を評価した。光学膜の屈折率は、2.92であった。また、図示していないが、実施例1と同様に、実施例2で得られた光学膜には、ルチル型の結晶とアナターゼ型の結晶が含まれていることが確認された。
(参考例1)
Alを混合せずにターゲットを作製したこと以外は、実施例1と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは、21nmであった。次に、実施例1と同様にして、光学膜の組成を測定し、光学特性を評価した。光学膜の屈折率は、2.81であった。また、図示していないが、参考例1で得られた光学膜には、ルチル型の結晶は含まれておらず、アナターゼ型の結晶が含まれていることが確認された。
(参考例2)
TiOとAlとを、原子比でAl/Ti=20/80となるように混合してターゲットを作製したこと以外は、実施例1と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは、32nmであった。次に、実施例1と同様にして、光学膜の組成を測定し、光学特性を評価した。光学膜の屈折率は、2.69であった。また、図示していないが、参考例2で得られた光学膜には、ルチル型の結晶もアナターゼ型の結晶も含まれていないことが確認された。
(参考例3)
TiOとAlとを、原子比でAl/Ti=40/60となるように混合してターゲットを作製したこと以外は、実施例1と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは、31nmであった。次に、実施例1と同様にして、光学膜の組成を測定し、光学膜の屈折率は、2.39であった。また、図示していないが、参考例3で得られた光学膜には、ルチル型の結晶もアナターゼ型の結晶も含まれていないことが確認された。
<第2の局面>
(実施例3)
[ターゲットの作製]
実施例1のターゲットの作製において、Alに代えて、Ga(株式会社高純度化学研究所製、純度99%)を用い、TiOとGaとを、原子比でGa/Ti=10/90となるように混合して、酸化物粉末を得た。これを用いて、実施例1と同様にしてターゲットを得た。
[光学膜の成膜]
次に、上記作製のターゲットを用い、パルスレーザー堆積(PLD)法により、以下の条件で、無アルカリガラス基板(日本電気硝子株式会社製のOA−10G、15mm角、0.7mm厚)の上に光学膜を成膜した。
雰囲気:酸素
雰囲気の圧力/1.5×10−5Pa以下
ターゲットと基板との距離/50mm
成膜時の無アルカリガラス基板の温度/500℃
レーザー/波長248nmのKrFエキシマレーザー(レーザーパワー/200mJ/パルス、レーザーの周波数/5Hz)
成膜時間/20分
得られた光学膜の厚みは、131nmであった。光学膜の組成を、EDXで測定した。光学膜におけるGa量は、15.6%であった。従って、光学膜におけるGa/Tiは、15.6/84.4であった。従って、ガリウムチタン複合酸化物の場合、光学膜におけるGaとTiの割合は、ターゲット組成に比較してGa量が増加していた。
[光学特性の評価]
実施例1と同様にして、分子エリプソメトリーにより、波長400nmにおける光学膜の屈折率nを測定した。波長400nmにおける光学膜の屈折率は、2.98であった。
(実施例4)
GaとTiOとを、原子比でGa/Ti=5/95となるように混合してターゲットを作製したこと以外は、実施例3と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは157nmであった。次に、実施例3と同様にして、光学膜の組成を測定した。光学膜の組成は、Ga/Tiが7.3/92.7であった。また、実施例3と同様にして、光学特性を評価した。光学膜の屈折率は、2.84であった。
(参考例4)
Gaを混合せずにターゲットを作製したこと以外は、実施例3と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは、143nmであった。次に、実施例3と同様にして、光学特性を評価した。光学膜の屈折率は、2.81であった。
(参考例5)
GaとTiOとを、原子比でGa/Ti=20/80となるように混合してターゲットを作製したこと以外は、実施例3と同様にして光学膜を成膜した。光学膜の厚みは、139nmであった。次に、実施例3と同様にして光学膜の組成を測定し、光学特性を評価した。光学膜の組成は、Ga/Ti=26.3/73.7であった。光学膜の屈折率は、2.63であった。
図3に、実施例3,4及び参考例4,5の光学膜におけるGaの原子比と屈折率との関係を示す。図3に示すように、Gaを含み、かつGaとTiとの比(Ga/Ti)が20/80以下であるときに、参考例4のチタン酸化物より高い屈折率を示すことが分かる。
[X線回折パターンの測定]
実施例3,4及び参考例4,5で得られた光学膜について、X線回折パターンを測定した。X線回折パターンを図4に示す。図4に示されるように、実施例3及び4の光学膜は、27.5度にルチル型結晶のピークが、ショルダーとして観察されている。従って、光学膜にはルチル型結晶が含まれていることが分かる。参考例4及び参考例5においては、このルチル型結晶のピークがほとんど認められなくなっている。

Claims (5)

  1. AlまたはGaを含有するチタン複合酸化物からなり、ルチル構造の結晶を含む、光学膜。
  2. 原子比でAl/Tiが17/83以下であるアルミニウムチタン複合酸化物からなる、請求項1に記載の光学膜。
  3. 原子比でGa/Tiが20/80以下であるガリウムチタン複合酸化物からなる、請求項1に記載の光学膜。
  4. 波長400nmにおける屈折率が2.8以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光学膜。
  5. アモルファス領域を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光学膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6681683B2 (ja) * 2015-08-27 2020-04-15 日本電気硝子株式会社 光学膜及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2964513B2 (ja) * 1988-12-27 1999-10-18 東芝ライテック株式会社 高耐熱性高屈折率複合酸化物薄膜、その形成用組成物及び白熱電球
JP3397824B2 (ja) * 1993-01-22 2003-04-21 日本板硝子株式会社 熱線反射膜及び熱線反射体
TWI352071B (en) * 2003-01-28 2011-11-11 Koninkl Philips Electronics Nv Transparent titanium oxide-aluminum and/or aluminu
JP4711619B2 (ja) * 2003-12-19 2011-06-29 京セラ株式会社 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置
JP2008052913A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法
JP2008050677A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 金属酸化物膜

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