JP2009276447A - 偏光子及び液晶プロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一方向に周期的な凹凸表面を有する透明基板上に、高屈折率透光材料からなる第1層と、低屈折率透光材料からなる第2層とを、スパッタリングによる堆積及びイオンエッチングを順次施すことにより、前記透明基板の凹凸表面に対応した形状で交互に積層して多層構造体を形成してなる偏光子において、前記高屈折率透光材料が、少なくともTiを含有する屈折率が2.50以上の材料からなり、前記偏光子のヘイズ率が3%未満であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
しかしながら、高屈折率の材料を用いることで、前記偏光子の合計積層数を減らすことはできるものの、この材料は光学的な散乱が多く、透過させるべき波長の光についての透過率が低下し、偏光特性が低下するという問題があった。さらに、前記偏光子の製造工程において、前記第1層は、前記高屈折率透光材料をスパッタリングにより堆積させた後、イオンエッチングを施すことにより形成するため、イオンのエネルギーが熱エネルギーに変換され、前記第1層の結晶化が進む結果、さらに光学散乱が大きくなるという問題があった。
本発明における偏光子は、いわゆるフォトニック結晶と呼ばれる偏光子であり、図1に示すように、表面の少なくとも一方向に周期的な凹凸を有する透明基板2上に、高屈折率透光材料からなる第1層3と低屈折率透光材料からなる第2層4とを、前記透明基板の凹凸表面に対応した形状で交互に積層して多層構造体5を形成してなる偏光子である。
一方、前記偏光子の合計積層数を減らすために、前記高屈折率透光材料として屈折率の高いTiO2を用いる偏光子が挙げられるが、上述したように、前記合計積層数を減らすことはできるものの、TiO2は膜中にグレインバウンダリーが生じ、このグレインバウンダリー部分で光学的な散乱が起こる結果、前記TM透過率をも低下させることとなり、高い偏光特性を得ることはできない。
上記構成を採用することによって、前記Nb又はTaが結晶学的に不純物金属として作用してTiO2の結晶化を抑制し、前記第1層3を非晶質化することができるため、前記グレインバウンダリーに起因した光学的散乱を低減することができる結果、前記TM透過率を低下させることがなく、さらに、前記複合金属酸化物は、通常高屈折率材料として用いられるNb2O5やTa2O5等と比べると、その屈折率が高いため、前記多層構造体5の合計積層数を少なくすることが可能となる。
まず、基板2上に、電子ビームリソグラフィとドライエッチングの組み合わせ等)の技術を用いて、図2に示すような周期的な凹凸表面形状を形成する。また、前記基板2の凹凸表面の形成については、フォトリソグラフィや干渉露光、金型によるスタンピング技術や、ゾルゲル材料によるナノインプリント技術を用いても構わない。さらに、図2では前記凹凸形状が矩形で示されているが、三角形等の断面形状でもよい。さらにまた、前記基板2に用いる材料は、透光材料であれば特に限定されず、例えば石英ガラス等を用いることができる。なお、特に限定はしないが、有効に偏光特性を得ることができる点から、前記基板2の凹凸表面形状の周期Wは、150〜250nm範囲であり、その溝の深さDは50〜150 nmであることが好ましい。
上記構成を採用することによって、従来の偏光子に比べて、高い偏光特性を有しつつ、合計積層数の少ない偏光子の製造が可能となるためである。
なお、前記Tiの酸化物と、Nbの酸化物との複合酸化物のスパッタリング方法としては、TiとNbの金属総量に対するNbの金属割合を20〜80 atm%とした複合金属をターゲットとして用いて、酸化性ガス(酸素等)雰囲気下で反応性スパッタを行うことにより得ることができる。あるいは、TiとNbの2本のターゲットからの同時スパッタにより実施することも可能である。
(実施例1〜6及び比較例1〜4)
各実施例及び各比較例の偏光子は、図1に示すように、石英ガラス板に対して、電子ビームリソグラフィ及びドライエッチングを順次施すことにより、断面形状が周期的な矩形の凹凸表面(周期W:0.19μm、凹部の幅:0.1μm、凹部の深さ:0.1μm)を有する基板2を形成した。その後、表1に示すスパッタリング条件及びエッチング条件によって、前記基板2上に、SiO2からなる第2層を形成し、該第2層4上に、表1に示すスパッタリング条件及びエッチング条件によって、Tiの酸化物とNbの酸化物との複合酸化物からなる第1層3を形成した。前記第1層3と前記第2層4は、TM平均透過率が最も高くなるようにその膜厚を設計し、それぞれ交互に35層ずつ、計70層積層させた多層構造体5を形成することにより、サンプルとなる偏光子1を作製した。
なお、前記第1層3及び第2層4の屈折率については、分光エリプソ法を用いて、波長450nmの光に対する屈折率を測定し、その結果を表2に示す。
また、前記第1層3の材料である前記複合酸化物中の金属成分に対するNbの割合(atm%)については、ICP法を用いて測定し、その結果を表2に示す。
さらに、前記第1層3中の結晶構造については、XRD法を用い、柱状構造の有無については、SEMを用いて層中の破断面を高倍観察することにより、それぞれ観察し、その結果を表2に示す。
(1)ヘイズ率
上記実施例1〜6及び比較例1〜4で作製した本発明による偏光子について、JIS−K7136(2000)、ISO−14782(1999)に準拠した方法(スガ試験製ヘイズメーター:HGM−2DP)により、波長430nm〜500nmの光を入射させた際のヘイズ率(%)を計測し、以下の基準に従って評価した。それぞれの計測値及び評価結果を表3に示す。
○:3%未満
△:3%以上、5%未満
×:5%以上
上記実施例1〜6及び比較例1〜4で作製した本発明による偏光子について、分光光度計等を用いることにより、波長430nm〜500nmの入射光に対する、TM平均透過率(%)及びTE平均透過率(%)を測定し、その結果からコントラスト(TM平均透過率/TE平均透過率)を算出し、以下の基準に従って評価した。それぞれの測定値及び評価結果を表3に示す。
○:コントラスト:250以上、かつ、TM透過率:80%以上
△:○と×以外の範囲になった場合
×:コントラスト:200未満、又は、TM透過率:70%未満
2 基板
3 第1層
4 第2層
5 多層構造体
Claims (5)
- 少なくとも一方向に周期的な凹凸表面を有する透明基板上に、高屈折率透光材料からなる第1層と、低屈折率透光材料からなる第2層とを、スパッタリングによる堆積及びイオンエッチングを順次施すことにより、前記透明基板の凹凸表面に対応した形状で交互に積層して多層構造体を形成してなる偏光子において、
前記高屈折率透光材料が、少なくともTiを含有する屈折率が2.50以上の材料からなり、前記偏光子のヘイズ率が3%未満であることを特徴とする偏光子。 - 前記高屈折率透光材料は、Tiの酸化物と、Nbの酸化物との複合酸化物であり、該複合酸化物の金属成分に対するNbの割合が20〜80atm%の範囲であることを特徴とする請求項1記載の偏光子。
- 前記多層構造体は、その合計積層数が、80層以下であり、その平均TM透過率が80%以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の偏光子。
- 前記偏光子の使用波長帯域が、780nm以下であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の偏光子。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の偏光子を具えることを特徴とする液晶プロジェクタ。
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