JP3139093B2 - 被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材 - Google Patents
被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材Info
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5027—Oxide ceramics in general; Specific oxide ceramics not covered by C04B41/5029 - C04B41/5051
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、被膜形成用塗布液、その
製造方法およびこの塗布液から形成された被膜を基材上
に有する被膜付基材に関し、さらに詳しくは、均一な凹
凸を有すると同時に耐久性に優れている被膜を形成でき
るような被膜形成用塗布液、その製造方法およびこのよ
うな被膜が基材上に積層された磁気ディスク、光磁気デ
ィスク、反射防止板などの被膜付基材に関する。
製造方法およびこの塗布液から形成された被膜を基材上
に有する被膜付基材に関し、さらに詳しくは、均一な凹
凸を有すると同時に耐久性に優れている被膜を形成でき
るような被膜形成用塗布液、その製造方法およびこのよ
うな被膜が基材上に積層された磁気ディスク、光磁気デ
ィスク、反射防止板などの被膜付基材に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来より、ガラス、プラスチッ
ク、金属などの基板の表面に耐久性、耐擦傷性などを付
与すると同時にグレアを防止できるような凹凸付被膜形
成用コーティング組成物が開発されている。たとえば、
特開平２−３４６８号公報には、一般式ＲＳｉ（Ｏ
Ｒ1 ）3 （式中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基であ
り、Ｒ1 は炭素数１〜６のアルキル基である。）で表わ
されるトリアルコキシシラン１００重量部と一般式Ｓｉ
（ＯＲ2 ）4 （式中、Ｒ2 は炭素数１〜６のアルキル基
である。）で表わされるテトラアルコキシシラン２０〜
１３０重量部とからなる有機ケイ素化合物の部分縮合物
と、シリカ微粒子とを含むこのようなコーティング組成
物が記載されている。
ク、金属などの基板の表面に耐久性、耐擦傷性などを付
与すると同時にグレアを防止できるような凹凸付被膜形
成用コーティング組成物が開発されている。たとえば、
特開平２−３４６８号公報には、一般式ＲＳｉ（Ｏ
Ｒ1 ）3 （式中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基であ
り、Ｒ1 は炭素数１〜６のアルキル基である。）で表わ
されるトリアルコキシシラン１００重量部と一般式Ｓｉ
（ＯＲ2 ）4 （式中、Ｒ2 は炭素数１〜６のアルキル基
である。）で表わされるテトラアルコキシシラン２０〜
１３０重量部とからなる有機ケイ素化合物の部分縮合物
と、シリカ微粒子とを含むこのようなコーティング組成
物が記載されている。
【０００３】また、磁気ディスクなどの磁気記録媒体を
製造する際にも、無機酸化物微粒子を含むコロイド溶液
とテトラヒドロキシシランとの混合溶液からなる被膜形
成用塗布液（特開昭６１−２２９２２７号公報、特開昭
６４−３３７２４号公報、特開平２−１３７１２０号公
報等）が用いられている。このような被膜形成用塗布液
を用いて形成された磁気ディスク、光磁気ディスクなど
の被膜付磁気記録媒体は、表面に微細な凹凸を有し、表
面が平滑である磁気記録媒体に比較して記録装置または
再生装置内で磁気ヘッドとの間に生じる摩擦力の大きさ
を表わす静摩擦係数が低い。
製造する際にも、無機酸化物微粒子を含むコロイド溶液
とテトラヒドロキシシランとの混合溶液からなる被膜形
成用塗布液（特開昭６１−２２９２２７号公報、特開昭
６４−３３７２４号公報、特開平２−１３７１２０号公
報等）が用いられている。このような被膜形成用塗布液
を用いて形成された磁気ディスク、光磁気ディスクなど
の被膜付磁気記録媒体は、表面に微細な凹凸を有し、表
面が平滑である磁気記録媒体に比較して記録装置または
再生装置内で磁気ヘッドとの間に生じる摩擦力の大きさ
を表わす静摩擦係数が低い。
【０００４】しかしながら、上記のような従来の被膜形
成用塗布液から得られた被膜付基材は、被膜中に含まれ
ている無機酸化物微粒子の分布が不均一であり、しかも
この無機酸化物微粒子同士が凝集していることがあり、
このため、この被膜付基材の表面に形成された凹凸が不
均一になってしまうという問題点がある。すなわち無機
酸化物微粒子によって形成される凸部の間隔および高さ
が不均一になってしまうという問題点がある。
成用塗布液から得られた被膜付基材は、被膜中に含まれ
ている無機酸化物微粒子の分布が不均一であり、しかも
この無機酸化物微粒子同士が凝集していることがあり、
このため、この被膜付基材の表面に形成された凹凸が不
均一になってしまうという問題点がある。すなわち無機
酸化物微粒子によって形成される凸部の間隔および高さ
が不均一になってしまうという問題点がある。
【０００５】なお被膜付磁気記録媒体の表面に形成され
た凹凸が不均一であると、記録装置または再生装置内で
磁気ヘッドが磁気記録媒体表面上を摺動する際に生じる
静摩擦係数および磁気ディスクの表面粗さが増大する傾
向がある。特に最近では磁気記録媒体の記録密度が高密
度化され、これに伴って磁気ヘッドの浮上高さ、すなわ
ち記録再生中の磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間隔は、
小さくなっており、最近では０．３μｍ以下に設定され
ている。このため、より一層均一な凹凸が表面に形成さ
れた被膜付磁気記録媒体が求められている。
た凹凸が不均一であると、記録装置または再生装置内で
磁気ヘッドが磁気記録媒体表面上を摺動する際に生じる
静摩擦係数および磁気ディスクの表面粗さが増大する傾
向がある。特に最近では磁気記録媒体の記録密度が高密
度化され、これに伴って磁気ヘッドの浮上高さ、すなわ
ち記録再生中の磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間隔は、
小さくなっており、最近では０．３μｍ以下に設定され
ている。このため、より一層均一な凹凸が表面に形成さ
れた被膜付磁気記録媒体が求められている。
【０００６】このような情況下で、本発明者らは、均一
な凹凸を有すると同時に耐久性に優れている被膜を基板
上に形成できるような被膜形成用塗布液およびこのよう
な被膜付基板を用いて高密度記録が可能な磁気記録媒体
を提供するため、鋭意研究を行なったところ、従来、注
目されていなかった被膜形成用塗布液中に存在する微量
のイオン（陰イオンおよび陽イオン）が、均一な凹凸を
有する被膜の形成に重要な因子として作用していること
を見出し、本発明を完成するに至った。
な凹凸を有すると同時に耐久性に優れている被膜を基板
上に形成できるような被膜形成用塗布液およびこのよう
な被膜付基板を用いて高密度記録が可能な磁気記録媒体
を提供するため、鋭意研究を行なったところ、従来、注
目されていなかった被膜形成用塗布液中に存在する微量
のイオン（陰イオンおよび陽イオン）が、均一な凹凸を
有する被膜の形成に重要な因子として作用していること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明者が従来の被膜形成用塗
布液を分析したところ、通常、分散媒として有機溶媒を
用いた無機化合物コロイド溶液には、コロイドの安定化
のためにアルカリ金属が添加され、このためＮａ+ イオ
ンなどのイオンが約１０〜３０ミリモル／リットル程度
含まれている。またアセチルアセトナトキレート、アル
コキシシラン、金属アルコキシドなどの部分加水分解物
を製造する際に、酸またはアンモニア水が用いられるた
めに、得られた被膜形成成分を含む液中にも多量のイオ
ンが存在している。このため、このような無機化合物コ
ロイド溶液および被膜形成成分を含む液を原料として用
いて得られたほとんどの被膜形成塗布液のイオン濃度
は、１．０ミリモル／リットルを超えている。
布液を分析したところ、通常、分散媒として有機溶媒を
用いた無機化合物コロイド溶液には、コロイドの安定化
のためにアルカリ金属が添加され、このためＮａ+ イオ
ンなどのイオンが約１０〜３０ミリモル／リットル程度
含まれている。またアセチルアセトナトキレート、アル
コキシシラン、金属アルコキシドなどの部分加水分解物
を製造する際に、酸またはアンモニア水が用いられるた
めに、得られた被膜形成成分を含む液中にも多量のイオ
ンが存在している。このため、このような無機化合物コ
ロイド溶液および被膜形成成分を含む液を原料として用
いて得られたほとんどの被膜形成塗布液のイオン濃度
は、１．０ミリモル／リットルを超えている。
【０００８】ところが被膜形成用塗布液を製造する際
に、有機溶媒中に、無機化合物コロイド粒子と、アセチ
ルアセトナトキレート、アルコキシシラン、金属アルコ
キシドなどから得られた部分加水分解物とを配合して調
製された被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリ
モル／リットル以下に減少させた場合、この塗布液から
形成された被膜中に含まれている無機酸化物微粒子の分
布は均一となり、しかもこの被膜の表面には、ほとんど
凝集粒子の痕跡が観察されず、その上このようにして得
られた被膜は、耐擦傷性に優れていることが見出され
た。
に、有機溶媒中に、無機化合物コロイド粒子と、アセチ
ルアセトナトキレート、アルコキシシラン、金属アルコ
キシドなどから得られた部分加水分解物とを配合して調
製された被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリ
モル／リットル以下に減少させた場合、この塗布液から
形成された被膜中に含まれている無機酸化物微粒子の分
布は均一となり、しかもこの被膜の表面には、ほとんど
凝集粒子の痕跡が観察されず、その上このようにして得
られた被膜は、耐擦傷性に優れていることが見出され
た。
【０００９】本発明は、上記知見に基づいて完成された
ものである。
ものである。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
するためになされたものであって、均一な凹凸を有する
と同時に耐擦傷性などのような耐久性に優れている被膜
を、ガラス、プラスチック、金属、セラミックスなどの
基材上に形成できるような被膜形成用塗布液およびその
製造方法を提供することを目的としている。
するためになされたものであって、均一な凹凸を有する
と同時に耐擦傷性などのような耐久性に優れている被膜
を、ガラス、プラスチック、金属、セラミックスなどの
基材上に形成できるような被膜形成用塗布液およびその
製造方法を提供することを目的としている。
【００１１】また、本発明は、このような被膜が基材上
に積層された被膜付基材、特に被膜付磁気記録媒体を提
供することをも目的としている。
に積層された被膜付基材、特に被膜付磁気記録媒体を提
供することをも目的としている。
【００１２】
【発明の概要】本発明に係る被膜形成用塗布液は、無機
化合物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレ
ートの部分加水分解物、アルコキシシランの部分加水分
解物および金属アルコキシドの部分加水分解物から選ば
れた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが有機溶媒
（ｃ）中に含まれ、この被膜形成用塗布液中のイオン濃
度が１．０ミリモル／リットル以下であることを特徴と
している。
化合物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレ
ートの部分加水分解物、アルコキシシランの部分加水分
解物および金属アルコキシドの部分加水分解物から選ば
れた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが有機溶媒
（ｃ）中に含まれ、この被膜形成用塗布液中のイオン濃
度が１．０ミリモル／リットル以下であることを特徴と
している。
【００１３】上記被膜形成用塗布液は、被膜形成用塗布
液の製造過程で、被膜形成用塗布液の原料として用いら
れる無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾルおよび被
膜形成成分（ｂ）を含む液ならびにこれらの原料から得
られた被膜形成用塗布液のいずれかに、陽イオン交換樹
脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なっ
て、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリモル
／リットル以下とすることによって製造できる。
液の製造過程で、被膜形成用塗布液の原料として用いら
れる無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾルおよび被
膜形成成分（ｂ）を含む液ならびにこれらの原料から得
られた被膜形成用塗布液のいずれかに、陽イオン交換樹
脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なっ
て、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリモル
／リットル以下とすることによって製造できる。
【００１４】また、本発明に係る被膜付基材は、上記の
ような被膜形成用塗布液から形成された被膜が基材上に
積層されていることを特徴としている。特にディスク基
板と、その上に形成された磁性層とを含み、前記ディス
ク基板と磁性層との間または前記磁性層上に、このよう
な被膜を有する磁気記録媒体は、高密度記録用磁気ディ
スクまたは高密度記録用光磁気ディスクとして好まし
い。
ような被膜形成用塗布液から形成された被膜が基材上に
積層されていることを特徴としている。特にディスク基
板と、その上に形成された磁性層とを含み、前記ディス
ク基板と磁性層との間または前記磁性層上に、このよう
な被膜を有する磁気記録媒体は、高密度記録用磁気ディ
スクまたは高密度記録用光磁気ディスクとして好まし
い。
【００１５】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る被膜形成用塗
布液、その製造方法および被膜付基板について具体的に
説明する。
布液、その製造方法および被膜付基板について具体的に
説明する。
【００１６】被膜形成用塗布液 まず、本発明に係る被膜形成用塗布液について具体的に
説明する。本発明に係る被膜形成用塗布液は、無機化合
物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレー
ト、アルコキシシランおよび金属アルコキシドの部分加
水分解物から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分
（ｂ）とが有機溶媒（ｃ）中に含有されている。
説明する。本発明に係る被膜形成用塗布液は、無機化合
物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレー
ト、アルコキシシランおよび金属アルコキシドの部分加
水分解物から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分
（ｂ）とが有機溶媒（ｃ）中に含有されている。
【００１７】本発明に係る被膜形成用塗布液中に用いら
れる無機化合物コロイド粒子（ａ）としては、具体的に
は、シリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、酸化
鉄、酸化タングステンなどの無機化合物のコロイド粒
子、これら無機化合物の２種以上からなる複合化合物の
コロイド粒子およびこれらコロイド粒子の混合物が挙げ
られる。また、本発明に係る被膜形成用塗布液は、これ
ら以外の無機化合物コロイド粒子を含んでいてもよい。
れる無機化合物コロイド粒子（ａ）としては、具体的に
は、シリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、酸化
鉄、酸化タングステンなどの無機化合物のコロイド粒
子、これら無機化合物の２種以上からなる複合化合物の
コロイド粒子およびこれらコロイド粒子の混合物が挙げ
られる。また、本発明に係る被膜形成用塗布液は、これ
ら以外の無機化合物コロイド粒子を含んでいてもよい。
【００１８】本発明で用いられる無機化合物コロイド粒
子は、平均粒子径が１０〜３００ｎｍ、好ましくは１０
〜１００ｎｍであり、粒子径の変動係数が３０％以下、
好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下で
あることが望ましい。
子は、平均粒子径が１０〜３００ｎｍ、好ましくは１０
〜１００ｎｍであり、粒子径の変動係数が３０％以下、
好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下で
あることが望ましい。
【００１９】また本発明に係る被膜形成用塗布液中に
は、アセチルアセトナトキレート、アルコキシシランお
よび金属アルコキシドの部分加水分解物から選ばれた少
なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）が含まれている。
は、アセチルアセトナトキレート、アルコキシシランお
よび金属アルコキシドの部分加水分解物から選ばれた少
なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）が含まれている。
【００２０】前記成分（ｂ）として用いられるアセチル
アセトナトキレートの部分加水分解物は、アセチルアセ
トンを配位子とするキレート化合物で、下記化学式１で
表される化合物の縮合体である。
アセトナトキレートの部分加水分解物は、アセチルアセ
トンを配位子とするキレート化合物で、下記化学式１で
表される化合物の縮合体である。
【００２１】
【化１】
【００２２】〔ただし、式中、ａ＋ｂは２〜４であり、
ａは０〜３であり、ｂは１〜４であり、Ｒは−Ｃn Ｈ
2n+1（ｎ＝３または４）であり、Ｘは−ＣＨ3 、−ＯＣ
Ｈ3 、−Ｃ2 Ｈ5 または−ＯＣ2 Ｈ5 である。Ｍ1 は周
期率表第ＩＢ族、第IIＡ、Ｂ族、第III Ａ、Ｂ族、第IV
Ａ、Ｂ族、第ＶＡ、Ｂ族、第VIＡ族、第VII Ａ族、第VI
II族から選ばれる元素またはバナジル（ＶＯ）である。
この内、これらの元素などとａ、ｂの好ましい組み合わ
せは、次表の通りである。〕
ａは０〜３であり、ｂは１〜４であり、Ｒは−Ｃn Ｈ
2n+1（ｎ＝３または４）であり、Ｘは−ＣＨ3 、−ＯＣ
Ｈ3 、−Ｃ2 Ｈ5 または−ＯＣ2 Ｈ5 である。Ｍ1 は周
期率表第ＩＢ族、第IIＡ、Ｂ族、第III Ａ、Ｂ族、第IV
Ａ、Ｂ族、第ＶＡ、Ｂ族、第VIＡ族、第VII Ａ族、第VI
II族から選ばれる元素またはバナジル（ＶＯ）である。
この内、これらの元素などとａ、ｂの好ましい組み合わ
せは、次表の通りである。〕
【００２３】
【表１】
【００２４】このようなアセチルアセトナトキレートの
具体例としては、たとえばジブトキシ−ビスアセチルア
セトナトジルコニウム、トリブトキシ−モノアセチルア
セトナトジルコニウム、ビスアセチルアセトナト鉛、ト
リスアセチルアセトナト鉄、ジブトキシ−ビスアセチル
アセトナトハフニウム、モノアセチルアセトナト−トリ
ブトキシハフニウムなどが挙げられる。
具体例としては、たとえばジブトキシ−ビスアセチルア
セトナトジルコニウム、トリブトキシ−モノアセチルア
セトナトジルコニウム、ビスアセチルアセトナト鉛、ト
リスアセチルアセトナト鉄、ジブトキシ−ビスアセチル
アセトナトハフニウム、モノアセチルアセトナト−トリ
ブトキシハフニウムなどが挙げられる。
【００２５】また前記成分（ｂ）として用いられるアル
コキシシランの部分加水分解物は、加水分解性を示す任
意のアルコキシシランから得られるが、本発明では、一
般式 Ｒ1 n Ｓｉ（ＯＲ2 ）4-n （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は、同一であっても異なっていても
よく、アリール基、アクリル基、ビニル基、炭素数１〜
８のアルキル基および−Ｃ2Ｈ4ＯＣmＨ2m+1から選ばれ
る基であり、ｍは１〜４の整数であり、ｎは０〜３の整
数である）で表わされるアルコキシシランから得られた
部分加水分解物が好ましい。
コキシシランの部分加水分解物は、加水分解性を示す任
意のアルコキシシランから得られるが、本発明では、一
般式 Ｒ1 n Ｓｉ（ＯＲ2 ）4-n （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は、同一であっても異なっていても
よく、アリール基、アクリル基、ビニル基、炭素数１〜
８のアルキル基および−Ｃ2Ｈ4ＯＣmＨ2m+1から選ばれ
る基であり、ｍは１〜４の整数であり、ｎは０〜３の整
数である）で表わされるアルコキシシランから得られた
部分加水分解物が好ましい。
【００２６】上記一般式で表わされるアルコキシシラン
としては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ
ブトキシシラン、テトラオクチルシラン、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリ
エトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、
オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
としては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ
ブトキシシラン、テトラオクチルシラン、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリ
エトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、
オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００２７】さらに前記成分（ｂ）として金属アルコキ
シドの部分加水分解物を用いることもできる。金属アル
コキシドの部分加水分解物は、Ｍ2（ＯＲ）n （式中、
Ｍ2は金属原子であり、Ｒはアルキル基または−ＣmＨ2m
Ｏ2であり、ｍは３〜１０の整数であり、ｎはＭ2の原子
価と同じ整数である。）で表わされる化合物の縮合体で
あり、これらの縮合体から選ばれる１種または２種以上
を組み合わせて用いることができる。上記式中のＭ
2は、金属原子であれば特に限定されないることはない
が、好ましいＭ2は、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＣｅまたはＣｕである。
シドの部分加水分解物を用いることもできる。金属アル
コキシドの部分加水分解物は、Ｍ2（ＯＲ）n （式中、
Ｍ2は金属原子であり、Ｒはアルキル基または−ＣmＨ2m
Ｏ2であり、ｍは３〜１０の整数であり、ｎはＭ2の原子
価と同じ整数である。）で表わされる化合物の縮合体で
あり、これらの縮合体から選ばれる１種または２種以上
を組み合わせて用いることができる。上記式中のＭ
2は、金属原子であれば特に限定されないることはない
が、好ましいＭ2は、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＣｅまたはＣｕである。
【００２８】このような加水分解性を示す金属アルコキ
シドとしては、具体的には、テトラブトキシジルコニウ
ム、テトラオクチルオキシチタニウム、ジイソプロポキ
シ−ジオクチルオキシチタニウムなどが挙げられる。
シドとしては、具体的には、テトラブトキシジルコニウ
ム、テトラオクチルオキシチタニウム、ジイソプロポキ
シ−ジオクチルオキシチタニウムなどが挙げられる。
【００２９】アセチルアセトナトキレート、アルコキシ
シランおよび金属アルコキシドの部分加水分解物は、公
知の方法、例えばメタノールまたはエタノールなどのア
ルコールに加水分解性のアセチルアセトナトキレート、
アルコキシシランおよび金属アルコキシドから選ばれた
１種または２種以上の化合物を混合し、この混合液に水
と酸またはアンモニア水を加える方法によって得られ
る。前記成分（ｂ）として用いられる部分加水分解物の
分子量は、約５００〜２００００、好ましくは１０００
〜７０００（ポリスチレン換算分子量）であることが均
一な膜厚を有する薄膜を形成する上で望ましい。
シランおよび金属アルコキシドの部分加水分解物は、公
知の方法、例えばメタノールまたはエタノールなどのア
ルコールに加水分解性のアセチルアセトナトキレート、
アルコキシシランおよび金属アルコキシドから選ばれた
１種または２種以上の化合物を混合し、この混合液に水
と酸またはアンモニア水を加える方法によって得られ
る。前記成分（ｂ）として用いられる部分加水分解物の
分子量は、約５００〜２００００、好ましくは１０００
〜７０００（ポリスチレン換算分子量）であることが均
一な膜厚を有する薄膜を形成する上で望ましい。
【００３０】本発明に係る被膜形成用塗布液に含まれて
いる無機化合物コロイド粒子（ａ）と被膜形成成分
（ｂ）との配合比率は、それぞれの成分を酸化物で換算
した際の重量％、すなわち、次式 ｛成分（ａ）／〔成分（ａ）＋成分（ｂ）〕｝×１００ で表わされる値が０．０００５〜５５、好ましくは０．
０１〜２５の範囲にあることが望ましい。
いる無機化合物コロイド粒子（ａ）と被膜形成成分
（ｂ）との配合比率は、それぞれの成分を酸化物で換算
した際の重量％、すなわち、次式 ｛成分（ａ）／〔成分（ａ）＋成分（ｂ）〕｝×１００ で表わされる値が０．０００５〜５５、好ましくは０．
０１〜２５の範囲にあることが望ましい。
【００３１】また、本発明に係る被膜形成用塗布液で
は、無機化合物コロイド粒子および被膜形成成分（ｂ）
を良好に分散し得るような有機溶媒（ｃ）が用いられ
る。このような有機溶媒（ｃ）としては、具体的には、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどのエチレングリコールエーテル類、エチレングリ
コール、プロピレングリコールなどのグリコール類、酢
酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ブチル
エーテル、テトラヒドロフランなどエーテル類等が挙げ
られる。
は、無機化合物コロイド粒子および被膜形成成分（ｂ）
を良好に分散し得るような有機溶媒（ｃ）が用いられ
る。このような有機溶媒（ｃ）としては、具体的には、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどのエチレングリコールエーテル類、エチレングリ
コール、プロピレングリコールなどのグリコール類、酢
酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ブチル
エーテル、テトラヒドロフランなどエーテル類等が挙げ
られる。
【００３２】本発明に係る被膜形成用塗布液は、上述し
たように有機溶媒中（ｃ）に無機化合物コロイド粒子
（ａ）および被膜形成成分（ｂ）を含んでなり、その固
形分濃度は、０．１〜３０重量％、好ましくは０．５〜
１０重量％の範囲にあることが望ましい。
たように有機溶媒中（ｃ）に無機化合物コロイド粒子
（ａ）および被膜形成成分（ｂ）を含んでなり、その固
形分濃度は、０．１〜３０重量％、好ましくは０．５〜
１０重量％の範囲にあることが望ましい。
【００３３】また、本発明に係る被膜形成用塗布液のイ
オン濃度は、前記固形分濃度に関係なく、１．０ミリモ
ル／リットル以下、好ましくは０．６ミリモル／リット
ル以下、さらに好ましくは０．１ミリモル／リットル以
下である。
オン濃度は、前記固形分濃度に関係なく、１．０ミリモ
ル／リットル以下、好ましくは０．６ミリモル／リット
ル以下、さらに好ましくは０．１ミリモル／リットル以
下である。
【００３４】このイオン濃度は、陽イオンおよび陰イオ
ンの合計イオン濃度を意味し、本発明では陽イオン濃度
および陰イオン濃度は、次のようにして測定される。被
膜形成用塗布液１０mlを９０mlの精製蒸留水と混合し、
室温で１時間攪拌した後、この混合液を濾過し、さらに
濾過後の濾材に１００mlの精製蒸留水を通して濾液を回
収する。
ンの合計イオン濃度を意味し、本発明では陽イオン濃度
および陰イオン濃度は、次のようにして測定される。被
膜形成用塗布液１０mlを９０mlの精製蒸留水と混合し、
室温で１時間攪拌した後、この混合液を濾過し、さらに
濾過後の濾材に１００mlの精製蒸留水を通して濾液を回
収する。
【００３５】この回収濾液に含まれている金属イオン濃
度を原子吸光法で測定し、アンモニウムイオン濃度およ
び陰イオン濃度をイオンクロマトグラフィー法で測定す
る。このような方法で測定される被膜形成用塗布液中の
イオン濃度が１．０ミリモル／リットルを超えると、こ
のような被膜形成用塗布液を基板上に塗布して得られた
被膜には凝集粒子の痕跡および瘡蓋状の隆起が観察さ
れ、また被膜表面には均一な凹凸が形成されていない。
被膜形成過程でこのような凝集粒子の痕跡が生じる原因
は、塗布液中に存在するイオンにより無機化合物コロイ
ド粒子の表面電位が小さくなり、このため反発力が小さ
くなり、このため塗布液中で無機化合物コロイド粒子同
士の凝集が起こりやすくなるためと推定される。また被
膜形成過程でこのような瘡蓋状の隆起が生じる原因は、
乾燥過程で溶媒が除去されるに従って、上記のようなコ
ロイド粒子同士の凝集に加えて被膜形成成分による膜厚
の不均一化が起こるためと推定される。これに対し、被
膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル／リッ
トル以下の場合には、このような被膜形成用塗布液を基
板上に塗布して得られた被膜には凝集粒子の痕跡は観察
されず、また被膜の膜厚は均一になり、被膜表面に均一
な凹凸が形成されている。
度を原子吸光法で測定し、アンモニウムイオン濃度およ
び陰イオン濃度をイオンクロマトグラフィー法で測定す
る。このような方法で測定される被膜形成用塗布液中の
イオン濃度が１．０ミリモル／リットルを超えると、こ
のような被膜形成用塗布液を基板上に塗布して得られた
被膜には凝集粒子の痕跡および瘡蓋状の隆起が観察さ
れ、また被膜表面には均一な凹凸が形成されていない。
被膜形成過程でこのような凝集粒子の痕跡が生じる原因
は、塗布液中に存在するイオンにより無機化合物コロイ
ド粒子の表面電位が小さくなり、このため反発力が小さ
くなり、このため塗布液中で無機化合物コロイド粒子同
士の凝集が起こりやすくなるためと推定される。また被
膜形成過程でこのような瘡蓋状の隆起が生じる原因は、
乾燥過程で溶媒が除去されるに従って、上記のようなコ
ロイド粒子同士の凝集に加えて被膜形成成分による膜厚
の不均一化が起こるためと推定される。これに対し、被
膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル／リッ
トル以下の場合には、このような被膜形成用塗布液を基
板上に塗布して得られた被膜には凝集粒子の痕跡は観察
されず、また被膜の膜厚は均一になり、被膜表面に均一
な凹凸が形成されている。
【００３６】被膜形成用塗布液の製造方法 以下に本発明に係る被膜形成用塗布液の製造方法につい
て具体的に説明する。本発明に係る被膜形成用塗布液
は、被膜形成用塗布液の製造過程で、被膜形成用塗布液
の原料として用いられる無機化合物コロイド粒子（ａ）
を含むゾルおよび被膜形成成分（ｂ）を含む液ならびに
これらの原料から得られた被膜形成用塗布液のいずれか
に、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂に
よる処理とを行なって、被膜形成用塗布液中のイオン濃
度を１．０ミリモル／リットル以下とすることによって
製造することができる。
て具体的に説明する。本発明に係る被膜形成用塗布液
は、被膜形成用塗布液の製造過程で、被膜形成用塗布液
の原料として用いられる無機化合物コロイド粒子（ａ）
を含むゾルおよび被膜形成成分（ｂ）を含む液ならびに
これらの原料から得られた被膜形成用塗布液のいずれか
に、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂に
よる処理とを行なって、被膜形成用塗布液中のイオン濃
度を１．０ミリモル／リットル以下とすることによって
製造することができる。
【００３７】上記本発明に係る被膜形成用塗布液の製造
方法を具体的に示すと以下の通りである。本発明に係る
被膜形成用塗布液は、例えば、以下の方法で製造され
る。
方法を具体的に示すと以下の通りである。本発明に係る
被膜形成用塗布液は、例えば、以下の方法で製造され
る。
【００３８】先ずアルコール系の有機溶媒を分散媒とす
る無機化合物コロイド粒子の分散液を陽イオン交換樹脂
および陰イオン交換樹脂で交互に処理し、該分散液の分
散媒中に存在する陽イオンおよび陰イオンを除去し、必
要に応じて、イオン濃度が１．０ミリモル／リットル以
下であるアルコール系以外の有機溶媒と混合または置換
して所望の有機溶媒を分散媒とする無機化合物コロイド
粒子の分散液を得る。
る無機化合物コロイド粒子の分散液を陽イオン交換樹脂
および陰イオン交換樹脂で交互に処理し、該分散液の分
散媒中に存在する陽イオンおよび陰イオンを除去し、必
要に応じて、イオン濃度が１．０ミリモル／リットル以
下であるアルコール系以外の有機溶媒と混合または置換
して所望の有機溶媒を分散媒とする無機化合物コロイド
粒子の分散液を得る。
【００３９】次にアセチルアセトナトキレート、アルコ
キシシランおよび金属アルコキシドから選ばれる１種ま
たは２種以上の加水分解性化合物を有機溶媒に溶解し、
水と酸とを加えて反応させるか、あるいはアンモニア水
を加えて反応させ、所望の分子量を有する部分加水分解
物が得られたところで、この部分加水分解物を含む液を
陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂で処理する。
キシシランおよび金属アルコキシドから選ばれる１種ま
たは２種以上の加水分解性化合物を有機溶媒に溶解し、
水と酸とを加えて反応させるか、あるいはアンモニア水
を加えて反応させ、所望の分子量を有する部分加水分解
物が得られたところで、この部分加水分解物を含む液を
陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂で処理する。
【００４０】上記のような工程を経て得られた無機化合
物コロイド粒子の分散液と部分加水分解物を含む液とを
混合する。また、本発明に係る被膜形成用塗布液は、以
下の方法でも製造できる。
物コロイド粒子の分散液と部分加水分解物を含む液とを
混合する。また、本発明に係る被膜形成用塗布液は、以
下の方法でも製造できる。
【００４１】有機溶媒を分散媒とする無機化合物コロイ
ド粒子の分散液と上記のようにして得られた部分加水分
解物を含む未処理の液とを混合するか、あるいは無機化
合物コロイド粒子の分散液と前記加水分解性化合物とを
混合した後にこの加水分解性化合物を部分加水分解し、
得られた混合液を陽イオン交換樹脂および陰イオン交換
樹脂で処理する。この混合液の処理は、陽イオン交換樹
脂と陰イオン交換樹脂とを交互に用いてもよく、また陽
イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との混合樹脂を用い
てもよい。
ド粒子の分散液と上記のようにして得られた部分加水分
解物を含む未処理の液とを混合するか、あるいは無機化
合物コロイド粒子の分散液と前記加水分解性化合物とを
混合した後にこの加水分解性化合物を部分加水分解し、
得られた混合液を陽イオン交換樹脂および陰イオン交換
樹脂で処理する。この混合液の処理は、陽イオン交換樹
脂と陰イオン交換樹脂とを交互に用いてもよく、また陽
イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との混合樹脂を用い
てもよい。
【００４２】被膜付基材 以下に本発明に係る被膜付基材について具体的に説明す
る。本発明に係る被膜付基材は、上記のような被膜形成
用塗布液から形成された被膜が基材上に積層されてい
る。
る。本発明に係る被膜付基材は、上記のような被膜形成
用塗布液から形成された被膜が基材上に積層されてい
る。
【００４３】このような被膜付基材の基材として、被膜
付基材の用途などに応じて、適宜、ガラス、プラスチッ
ク、金属、セラミックなどからなる平板、立体物、フィ
ルムなどを用いることができる。
付基材の用途などに応じて、適宜、ガラス、プラスチッ
ク、金属、セラミックなどからなる平板、立体物、フィ
ルムなどを用いることができる。
【００４４】特にディスク基板と、その上に形成された
磁性層とを含み、ディスク基板と磁性層との間および／
または磁性層上に、このような被膜を有する磁気記録媒
体は、高密度記録用磁気ディスクまたは高密度記録用光
磁気ディスクとして用いられる。
磁性層とを含み、ディスク基板と磁性層との間および／
または磁性層上に、このような被膜を有する磁気記録媒
体は、高密度記録用磁気ディスクまたは高密度記録用光
磁気ディスクとして用いられる。
【００４５】本発明に係る被膜付基材は、基材上に、直
接または磁性層などを形成した後、基材の形状などに応
じて、上記本発明に係る被膜形成用塗布液をディッピン
グ法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フ
レキソ印刷などの方法で塗布し、次いで常温〜９０℃で
乾燥し、さらに２００℃以上、好ましくは３００℃以上
に加熱して硬化するなどの方法で被膜を形成して得られ
る。さらに必要に応じて、上記塗布工程または乾燥工程
の後に、あるいは乾燥工程中に、未硬化段階の被膜に可
視光線よりも波長の短い電磁波を照射するかあるいは未
硬化段階の被膜を硬化反応を促進するガス雰囲気に晒す
ことにより、得られた被膜の硬化が促進され、被膜硬度
が高められる。このガス処理は、加熱硬化後に行なって
も同様の効果が得られる。
接または磁性層などを形成した後、基材の形状などに応
じて、上記本発明に係る被膜形成用塗布液をディッピン
グ法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フ
レキソ印刷などの方法で塗布し、次いで常温〜９０℃で
乾燥し、さらに２００℃以上、好ましくは３００℃以上
に加熱して硬化するなどの方法で被膜を形成して得られ
る。さらに必要に応じて、上記塗布工程または乾燥工程
の後に、あるいは乾燥工程中に、未硬化段階の被膜に可
視光線よりも波長の短い電磁波を照射するかあるいは未
硬化段階の被膜を硬化反応を促進するガス雰囲気に晒す
ことにより、得られた被膜の硬化が促進され、被膜硬度
が高められる。このガス処理は、加熱硬化後に行なって
も同様の効果が得られる。
【００４６】このような加熱前の未硬化段階の被膜に照
射する電磁波としては、具体的には紫外線、電子線、Ｘ
線、γ線などが例示されるが、紫外線が好ましい。たと
えば、発光強度が約２５０ｎｍと３６０ｎｍとにおいて
極大となり、光強度が１０ｍＷ／ｃｍ2以上である高圧
水銀ランプを紫外線源として使用し、１００ｍＪ／ｃｍ
2以上、好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ2以上のエネルギ
ー量の紫外線を未硬化段階の被膜に照射すると、未硬化
段階の被膜の硬化反応が促進される。
射する電磁波としては、具体的には紫外線、電子線、Ｘ
線、γ線などが例示されるが、紫外線が好ましい。たと
えば、発光強度が約２５０ｎｍと３６０ｎｍとにおいて
極大となり、光強度が１０ｍＷ／ｃｍ2以上である高圧
水銀ランプを紫外線源として使用し、１００ｍＪ／ｃｍ
2以上、好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ2以上のエネルギ
ー量の紫外線を未硬化段階の被膜に照射すると、未硬化
段階の被膜の硬化反応が促進される。
【００４７】また、加熱前の未硬化段階の被膜の硬化反
応を促進するガスとしては、たとえばアンモニア、オゾ
ンなどが例示される。またこのようなガス雰囲気による
被膜の硬化促進は、未硬化段階の被膜を、ガス濃度が１
００〜１００，０００ｐｐｍ、好ましくは１０００〜１
０，０００ｐｐｍであるような上記活性ガス雰囲気下
で、１〜６０分処理することによって達成される。
応を促進するガスとしては、たとえばアンモニア、オゾ
ンなどが例示される。またこのようなガス雰囲気による
被膜の硬化促進は、未硬化段階の被膜を、ガス濃度が１
００〜１００，０００ｐｐｍ、好ましくは１０００〜１
０，０００ｐｐｍであるような上記活性ガス雰囲気下
で、１〜６０分処理することによって達成される。
【００４８】本発明に係る被膜付基材は、さらに必要に
応じて、このようにして形成された被膜上に別の被膜が
形成される。例えばディスク基板上に、上記本発明に係
る被膜形成用塗布液を塗布・乾燥して被膜を形成し、得
られた被膜上に磁性層を形成することによっても磁気デ
ィスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体が製造され
る。
応じて、このようにして形成された被膜上に別の被膜が
形成される。例えばディスク基板上に、上記本発明に係
る被膜形成用塗布液を塗布・乾燥して被膜を形成し、得
られた被膜上に磁性層を形成することによっても磁気デ
ィスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体が製造され
る。
【００４９】
【発明の効果】本発明に係る被膜形成用塗布液によれ
ば、均一な凹凸を有し、表面に凝集粒子の痕跡がほとん
ど観察されず、耐擦傷性などの耐久性に優れ、しかも光
反射防止性能に優れている被膜を基材上に形成すること
ができる。
ば、均一な凹凸を有し、表面に凝集粒子の痕跡がほとん
ど観察されず、耐擦傷性などの耐久性に優れ、しかも光
反射防止性能に優れている被膜を基材上に形成すること
ができる。
【００５０】また、本発明に係る被膜形成用塗布液の製
造方法によれば、このような優れた性質を有する被膜を
形成することができる被膜形成用塗布液を簡単かつ確実
に製造できる。
造方法によれば、このような優れた性質を有する被膜を
形成することができる被膜形成用塗布液を簡単かつ確実
に製造できる。
【００５１】本発明に係る被膜付基材は、基材上に上記
のような優れた性質を有する被膜が形成されており、磁
気ディスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体、表示
装置の表示パネル、カメラのレンズなどとして好適であ
る。このような被膜が表面に設けられた磁気ディスク、
光磁気ディスクなどの磁気記録媒体では、この被膜上に
均一な凹凸が形成されているため、記録装置または再生
装置内で磁気記録媒体上を磁気ヘッドが摺動する際の静
摩擦係数が小さく、また磁気ヘッドが損傷することもな
く、浮上高さを小さい値に維持することができる。
のような優れた性質を有する被膜が形成されており、磁
気ディスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体、表示
装置の表示パネル、カメラのレンズなどとして好適であ
る。このような被膜が表面に設けられた磁気ディスク、
光磁気ディスクなどの磁気記録媒体では、この被膜上に
均一な凹凸が形成されているため、記録装置または再生
装置内で磁気記録媒体上を磁気ヘッドが摺動する際の静
摩擦係数が小さく、また磁気ヘッドが損傷することもな
く、浮上高さを小さい値に維持することができる。
【００５２】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５３】
【実施例１】イオン濃度が２０ミリモル／リットルの市
販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品
名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数
９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］
を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名
「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三
菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２
０」］中にそれぞれ１０回通し、コロイド溶液中のイオ
ン除去を行なった。次いでコロイド溶液の溶媒をヘキシ
レングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度
５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品
名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数
９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］
を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名
「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三
菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２
０」］中にそれぞれ１０回通し、コロイド溶液中のイオ
ン除去を行なった。次いでコロイド溶液の溶媒をヘキシ
レングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度
５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
【００５４】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
【００５５】この部分加水分解物と上記シリカコロイド
分散液８０．８ｇとを混合し、この混合物に、イソプロ
パノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレ
ングリコール２３８０ｇをさらに混合して、固形分濃度
が１．９重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒
子の割合が２．０重量％である被膜形成用塗布液を得
た。
分散液８０．８ｇとを混合し、この混合物に、イソプロ
パノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレ
ングリコール２３８０ｇをさらに混合して、固形分濃度
が１．９重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒
子の割合が２．０重量％である被膜形成用塗布液を得
た。
【００５６】この被膜形成用塗布液中に含まれている全
イオン濃度を前述の方法で測定した結果、０．９ミリモ
ル／リットルであった。次いで、この被膜形成用塗布液
を外径９５mm、内径２５mm、厚さ１．２０mm、表面平均
粗さ５０オングストロームのソーダライムガラス製ディ
スク基板上にスピンコーターで塗布し、８０℃で乾燥し
た後、４００ｍＪの紫外線を照射し、さらに３００℃の
温度で１時間焼成することにより、被膜平坦部の膜厚が
２７０オングストロームである被膜付基材を得た。
イオン濃度を前述の方法で測定した結果、０．９ミリモ
ル／リットルであった。次いで、この被膜形成用塗布液
を外径９５mm、内径２５mm、厚さ１．２０mm、表面平均
粗さ５０オングストロームのソーダライムガラス製ディ
スク基板上にスピンコーターで塗布し、８０℃で乾燥し
た後、４００ｍＪの紫外線を照射し、さらに３００℃の
温度で１時間焼成することにより、被膜平坦部の膜厚が
２７０オングストロームである被膜付基材を得た。
【００５７】この被膜付基材の被膜特性を次のようにし
て測定評価したところ、表２に示す結果が得られた。Ａ．粒子の凝集状態； 被膜表面の電子顕微鏡写真を撮影
し、得られた写真から、被膜表面上に観察された粒子の
凝集状態を次の４段階に分けて表示した。
て測定評価したところ、表２に示す結果が得られた。Ａ．粒子の凝集状態； 被膜表面の電子顕微鏡写真を撮影
し、得られた写真から、被膜表面上に観察された粒子の
凝集状態を次の４段階に分けて表示した。
【００５８】◎…凝集粒子の痕跡がほとんど観察され
ず、粒子の分布が均一である。 〇…観察された凝集粒子の痕跡が少なく、粒子の分布が
均一である。 △…凝集粒子の痕跡が多少観察されるが、３個以上の凝
集粒子の痕跡は少なく、粒子の分布が均一である。
ず、粒子の分布が均一である。 〇…観察された凝集粒子の痕跡が少なく、粒子の分布が
均一である。 △…凝集粒子の痕跡が多少観察されるが、３個以上の凝
集粒子の痕跡は少なく、粒子の分布が均一である。
【００５９】×…凝集粒子の痕跡が多く観察され、粒子
の分布が不均一である。Ｂ．平均凸部間隔； 電子顕微鏡写真で隣接する凸部間の
距離をノギスで測定し、その平均値（ｄ）および標準偏
差（σ）を求めた。なお測定数は１００個である。Ｃ．被膜の硬度； ＪＩＳ Ｄ ０２１２−８８により鉛
筆硬度で評価した。Ｄ．被膜の耐擦傷性； 事務用消しゴム（ＬＩＯＮ製 Ｎ
ｏ．５０−５０）を被膜上に置き、２kgの荷重をかけて
往復回数で３００回摺動させた後、被膜の剥離状態を目
視と光学顕微鏡で観察した。Ｅ．静摩擦係数； ＪＩＳ Ｋ ７１２５に従って測定し
た。
の分布が不均一である。Ｂ．平均凸部間隔； 電子顕微鏡写真で隣接する凸部間の
距離をノギスで測定し、その平均値（ｄ）および標準偏
差（σ）を求めた。なお測定数は１００個である。Ｃ．被膜の硬度； ＪＩＳ Ｄ ０２１２−８８により鉛
筆硬度で評価した。Ｄ．被膜の耐擦傷性； 事務用消しゴム（ＬＩＯＮ製 Ｎ
ｏ．５０−５０）を被膜上に置き、２kgの荷重をかけて
往復回数で３００回摺動させた後、被膜の剥離状態を目
視と光学顕微鏡で観察した。Ｅ．静摩擦係数； ＪＩＳ Ｋ ７１２５に従って測定し
た。
【００６０】次いで実施例１の被膜付基材に直流マグネ
トロンスパッタで厚さ１５００オングストロームのＣｒ
からなる下地膜と、厚さ７００オングストロームのＣｏ
Ｎｉからなる磁性膜と、厚さ３００オングストロームの
カーボンからなる保護膜を積層した。さらにパーフロロ
ポリエーテルからなる潤滑剤を保護膜上にスピンコータ
ーで厚さ３０オングストローム塗布し、実施例１の磁気
ディスクを得た。
トロンスパッタで厚さ１５００オングストロームのＣｒ
からなる下地膜と、厚さ７００オングストロームのＣｏ
Ｎｉからなる磁性膜と、厚さ３００オングストロームの
カーボンからなる保護膜を積層した。さらにパーフロロ
ポリエーテルからなる潤滑剤を保護膜上にスピンコータ
ーで厚さ３０オングストローム塗布し、実施例１の磁気
ディスクを得た。
【００６１】この磁気ディスクの表面粗さ［表面の平均
凹凸差；トンネル顕微鏡で測定］と、初期の静摩擦係数
を求めて特性を評価した。結果を表２に併記する。
凹凸差；トンネル顕微鏡で測定］と、初期の静摩擦係数
を求めて特性を評価した。結果を表２に併記する。
【００６２】
【実施例２】実施例１と同様にして、市販のオルガノシ
リカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカ
ル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．０％、濃
度１０重量％、溶媒イソプロパノール］を、陽イオン交
換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオン
ＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそ
れぞれ１０回通し、コロイド溶液中のイオン除去を行な
った後、コロイド溶液の溶媒をヘキシレングリコールに
加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカ
コロイド分散液を得た。
リカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカ
ル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．０％、濃
度１０重量％、溶媒イソプロパノール］を、陽イオン交
換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオン
ＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそ
れぞれ１０回通し、コロイド溶液中のイオン除去を行な
った後、コロイド溶液の溶媒をヘキシレングリコールに
加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカ
コロイド分散液を得た。
【００６３】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
【００６４】この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
２回通し、イオン除去を行なった。
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
２回通し、イオン除去を行なった。
【００６５】このイオン除去を行なった部分加水分解物
と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この
混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２
３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混
合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占め
るシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜
形成用塗布液を得た。
と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この
混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２
３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混
合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占め
るシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜
形成用塗布液を得た。
【００６６】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【００６７】結果を表２に併記する。
【００６８】
【実施例３】市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒
径の変動係数９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロ
パノール］をコロイド粒子中の陽イオンを溶出させるた
めに、オートクレーブを使用して１５０℃で２時間、熱
処理を行なった後、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イ
オン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤ
イオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン
除去を行なった後、溶媒をヘキシレングリコールに加熱
減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロ
イド分散液を得た。
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒
径の変動係数９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロ
パノール］をコロイド粒子中の陽イオンを溶出させるた
めに、オートクレーブを使用して１５０℃で２時間、熱
処理を行なった後、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イ
オン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤ
イオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン
除去を行なった後、溶媒をヘキシレングリコールに加熱
減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロ
イド分散液を得た。
【００６９】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
【００７０】この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
２回通し、イオン除去を行なった。
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
２回通し、イオン除去を行なった。
【００７１】このイオン除去を行なった部分加水分解物
と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この
混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２
３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混
合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占め
るシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜
形成用塗布液を得た。
と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この
混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２
３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混
合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占め
るシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜
形成用塗布液を得た。
【００７２】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【００７３】結果を表２に併記する。
【００７４】
【実施例４】実施例３で得られた被膜形成用塗布液をさ
らに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名
「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三
菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２
０」］中に通し、被膜形成用塗布液中のイオン濃度が
０．０５ミリモル／リットルになるまでイオン除去を行
ない、実施例４の被膜形成用塗布液を得た。なお、この
実施例４の被膜形成用塗布液の固形分濃度は１．９重量
％であり、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割
合が２．０重量％であった。
らに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名
「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三
菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２
０」］中に通し、被膜形成用塗布液中のイオン濃度が
０．０５ミリモル／リットルになるまでイオン除去を行
ない、実施例４の被膜形成用塗布液を得た。なお、この
実施例４の被膜形成用塗布液の固形分濃度は１．９重量
％であり、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割
合が２．０重量％であった。
【００７５】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【００７６】結果を表２に併記する。
【００７７】
【実施例５】市販のチタニアゾル［触媒化成工業（株）
製、商品名「ネオサンベール」；平均粒径１５ｎｍ、粒
径の変動係数１９．０％、濃度１０重量％、溶剤イソプ
ロパノール］を陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交
換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオン
ＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を
行なった後、溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸
留法で溶媒置換して、濃度５重量％のチタニアコロイド
分散液を得た。
製、商品名「ネオサンベール」；平均粒径１５ｎｍ、粒
径の変動係数１９．０％、濃度１０重量％、溶剤イソプ
ロパノール］を陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交
換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオン
ＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を
行なった後、溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸
留法で溶媒置換して、濃度５重量％のチタニアコロイド
分散液を得た。
【００７８】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート２８」；ＳｉＯ
2 換算で２８重量％］３１ｇ、濃硝酸０．５ｇ、ヘキシ
レングリコール２０３ｇおよびイオン交換水１０ｇを混
合した後、これにジブトキシ−ビスアセチルアセトナト
チタンのブタノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量％）
１２ｇを混合し、室温で１２時間攪拌して、部分加水分
解物（ポリスチレン換算で分子量３０００）を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート２８」；ＳｉＯ
2 換算で２８重量％］３１ｇ、濃硝酸０．５ｇ、ヘキシ
レングリコール２０３ｇおよびイオン交換水１０ｇを混
合した後、これにジブトキシ−ビスアセチルアセトナト
チタンのブタノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量％）
１２ｇを混合し、室温で１２時間攪拌して、部分加水分
解物（ポリスチレン換算で分子量３０００）を得た。
【００７９】この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
【００８０】この部分加水分解物と上記チタニアコロイ
ド分散液０．２ｇを混合し、この混合物に、イソプロパ
ノール３８５ｇ、ブタノール３８５ｇ、ヘキシレングリ
コール３８５ｇを混合し、さらに前記イオン交換樹脂で
イオン除去して、固形分が０．７重量％、全固形分中に
占めるチタニアコロイドの割合が０．１重量％である被
膜形成用塗布液を得た。
ド分散液０．２ｇを混合し、この混合物に、イソプロパ
ノール３８５ｇ、ブタノール３８５ｇ、ヘキシレングリ
コール３８５ｇを混合し、さらに前記イオン交換樹脂で
イオン除去して、固形分が０．７重量％、全固形分中に
占めるチタニアコロイドの割合が０．１重量％である被
膜形成用塗布液を得た。
【００８１】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【００８２】結果を表２に併記する。
【００８３】
【実施例６】市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径２５ｎｍ、粒
径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロ
パノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交
換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオン
ＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を
行なった後、溶媒をプロピレングリコールに加熱減圧蒸
留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分
散液を得た。
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径２５ｎｍ、粒
径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロ
パノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交
換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオン
ＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を
行なった後、溶媒をプロピレングリコールに加熱減圧蒸
留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分
散液を得た。
【００８４】一方、テトラメトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「メチルシリケート５１」；ＳｉＯ
2 換算で５１重量％］２７．６ｇ、モノメチルトリメト
キシシラン（ＳｉＯ2 換算で４０重量％）１９．５ｇ、
濃硝酸０．５ｇ、プロピレングリコール７３０ｇおよび
イオン交換水２８ｇを混合した後、これにジブトキシ−
ビスアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液
（ＺｒＯ2 換算で１０重量％）７７９ｇを混合し、室温
で２４時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換
算で分子量４０００）を得た。
業（株）製、商品名「メチルシリケート５１」；ＳｉＯ
2 換算で５１重量％］２７．６ｇ、モノメチルトリメト
キシシラン（ＳｉＯ2 換算で４０重量％）１９．５ｇ、
濃硝酸０．５ｇ、プロピレングリコール７３０ｇおよび
イオン交換水２８ｇを混合した後、これにジブトキシ−
ビスアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液
（ＺｒＯ2 換算で１０重量％）７７９ｇを混合し、室温
で２４時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換
算で分子量４０００）を得た。
【００８５】この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
【００８６】このイオン除去を行なった部分加水分解物
と上記シリカコロイド分散液４．０ｇを混合し、この混
合物に、イソプロパノール２６５０ｇ、ブタノール２６
５０ｇ、プロピレングリコール３１１１ｇをさらに混合
して、固形分濃度が１．０重量％、全固形分中に占める
シリカコロイド粒子の割合が０．２重量％である被膜形
成用塗布液を得た。
と上記シリカコロイド分散液４．０ｇを混合し、この混
合物に、イソプロパノール２６５０ｇ、ブタノール２６
５０ｇ、プロピレングリコール３１１１ｇをさらに混合
して、固形分濃度が１．０重量％、全固形分中に占める
シリカコロイド粒子の割合が０．２重量％である被膜形
成用塗布液を得た。
【００８７】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．
２０ｍｍ、表面平均粗さ８０オングストロームのアルミ
ニウム製ディスク基板上に実施例１と同様に塗布して得
られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施
例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例
１と同様にして測定評価した。
塗布液を用いて外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．
２０ｍｍ、表面平均粗さ８０オングストロームのアルミ
ニウム製ディスク基板上に実施例１と同様に塗布して得
られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施
例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例
１と同様にして測定評価した。
【００８８】結果を表２に併記する。
【００８９】
【実施例７】市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径８０ｎｍ、粒
径の変動係数１０．０％、濃度５重量％、溶媒エタノー
ル］を陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品
名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂
［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−
２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行な
い、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径８０ｎｍ、粒
径の変動係数１０．０％、濃度５重量％、溶媒エタノー
ル］を陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品
名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂
［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−
２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行な
い、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
【００９０】一方、ジブトキシ−ビスアセチルアセナト
ジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０重
量％）９９０ｇ、濃硝酸０．２ｇ、イオン交換水１２８
ｇを混合した後、室温で１２時間攪拌して、部分加水分
解物（ポリスチレン換算で分子量３０００）を得た。
ジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０重
量％）９９０ｇ、濃硝酸０．２ｇ、イオン交換水１２８
ｇを混合した後、室温で１２時間攪拌して、部分加水分
解物（ポリスチレン換算で分子量３０００）を得た。
【００９１】この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
【００９２】この部分加水分解物と上記シリカコロイド
分散液２０．０ｇを混合し、固形分濃度が３．０重量
％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が
１．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
分散液２０．０ｇを混合し、固形分濃度が３．０重量
％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が
１．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
【００９３】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【００９４】結果を表２に併記する。
【００９５】
【実施例８】市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径１００ｎｍ、
粒径の変動係数９．８％、濃度１０重量％、溶媒イソプ
ロパノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イ
オン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤ
イオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン
除去を行なった後、溶媒をプロピレングリコールに加熱
減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロ
イド分散液を得た。
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径１００ｎｍ、
粒径の変動係数９．８％、濃度１０重量％、溶媒イソプ
ロパノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イ
オン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤ
イオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン
除去を行なった後、溶媒をプロピレングリコールに加熱
減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロ
イド分散液を得た。
【００９６】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート２８」；ＳｉＯ
2 換算で２８重量％）７１４．３ｇ、酢酸２ｇ、プロピ
レングリコール２５５４ｇおよびイオン交換水６０ｇを
混合した後、４０℃で５時間攪拌して、部分加水分解物
（ポリスチレン換算で分子量５０００）を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート２８」；ＳｉＯ
2 換算で２８重量％）７１４．３ｇ、酢酸２ｇ、プロピ
レングリコール２５５４ｇおよびイオン交換水６０ｇを
混合した後、４０℃で５時間攪拌して、部分加水分解物
（ポリスチレン換算で分子量５０００）を得た。
【００９７】この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳ
Ｋ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
３回通し、イオン除去を行なった。
【００９８】この部分加水分解物と上記シリカコロイド
分散液８３．４ｇを混合し、この混合物にヘキシレング
リコール６７０ｇをさらに混合して、固形分濃度が５．
０重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割
合が０．４重量％である被膜形成用塗布液を得た。
分散液８３．４ｇを混合し、この混合物にヘキシレング
リコール６７０ｇをさらに混合して、固形分濃度が５．
０重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割
合が０．４重量％である被膜形成用塗布液を得た。
【００９９】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【０１００】結果を表２に併記する。
【０１０１】
【実施例９】外径９５mm、内径２５mm、厚さ１．２０m
m、表面平均粗さ５０オングストロームのソーダライム
ガラス製のディスク基板に直流マグネトロンスパッタで
厚さ１５００オングストロームのＣｒからなる下地膜
と、厚さ７００オングストロームのＣｏＮｉからなる磁
性膜とを順次積層し、得られた積層膜上に実施例４の被
膜形成用塗布液をスピンコーターで塗布し、８０℃で乾
燥した後、４０００ｍＪの紫外線を照射し、さらに３０
０℃の温度で１時間焼成することにより、被膜平坦部の
膜厚が３００オングストロームである被膜付基材を得
た。
m、表面平均粗さ５０オングストロームのソーダライム
ガラス製のディスク基板に直流マグネトロンスパッタで
厚さ１５００オングストロームのＣｒからなる下地膜
と、厚さ７００オングストロームのＣｏＮｉからなる磁
性膜とを順次積層し、得られた積層膜上に実施例４の被
膜形成用塗布液をスピンコーターで塗布し、８０℃で乾
燥した後、４０００ｍＪの紫外線を照射し、さらに３０
０℃の温度で１時間焼成することにより、被膜平坦部の
膜厚が３００オングストロームである被膜付基材を得
た。
【０１０２】次いでこの被膜付基材の被膜上にさらにパ
ーフロロポリエーテルからなる潤滑剤をスピンコーター
で厚さ３０オングストローム塗布し、磁気ディスクを得
た。得られた被膜付基材の被膜特性、および得られた磁
気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価し
た。
ーフロロポリエーテルからなる潤滑剤をスピンコーター
で厚さ３０オングストローム塗布し、磁気ディスクを得
た。得られた被膜付基材の被膜特性、および得られた磁
気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価し
た。
【０１０３】結果を表２に併記する。
【０１０４】
【実施例１０】市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工
業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、
粒径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプ
ロパノール］の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧
蒸留法で溶媒置換して、イオン除去処理を行っていない
濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、
粒径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプ
ロパノール］の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧
蒸留法で溶媒置換して、イオン除去処理を行っていない
濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
【０１０５】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキ
シレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．
７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニ
ウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０重量
％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナ
トジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で１０
重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、
部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）
を得た。
【０１０６】この部分加水分解物と上記シリカコロイド
分散液８０．８ｇを混合し、この混合物にイソプロピノ
ール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレング
リコール２３８０ｇを混合して、固形分濃度が１．９重
量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が
２．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
分散液８０．８ｇを混合し、この混合物にイソプロピノ
ール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレング
リコール２３８０ｇを混合して、固形分濃度が１．９重
量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が
２．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
【０１０７】この被膜形成用塗布液を、陽イオン交換樹
脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ
−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
２０回通して、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を０．
２ミリモル／リットルとした。
脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ
−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）
製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ
２０回通して、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を０．
２ミリモル／リットルとした。
【０１０８】このようにして得られた被膜形成用塗布液
のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にし
て得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から
実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実
施例１と同様にして測定評価した。
のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にし
て得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から
実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実
施例１と同様にして測定評価した。
【０１０９】結果を表２に併記する。また上記被膜付基
材の被膜表面における電子顕微鏡写真を図１に示す。
材の被膜表面における電子顕微鏡写真を図１に示す。
【０１１０】
【比較例１】実施例１０で陽イオン交換樹脂による処理
と陰イオン交換樹脂による処理とを行なう前の被膜形成
用塗布液のイオン濃度は、２．０ミリモル／リットルで
あった。
と陰イオン交換樹脂による処理とを行なう前の被膜形成
用塗布液のイオン濃度は、２．０ミリモル／リットルで
あった。
【０１１１】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【０１１２】結果を表２に併記する。また上記被膜付基
材の被膜表面における電子顕微鏡写真を図２に示す。
材の被膜表面における電子顕微鏡写真を図２に示す。
【０１１３】
【比較例２】市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒
径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロ
パノール］の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸
留法で溶媒置換して、イオン除去処理を行っていない濃
度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒
径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロ
パノール］の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸
留法で溶媒置換して、イオン除去処理を行っていない濃
度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
【０１１４】一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸２．４ｇ、ヘキ
シレングリコール１８４６．９ｇおよびイオン交換水６
３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチ
タニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０
重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルア
セナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で
１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌し
て、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量５００
０）を得た。
業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ
2 換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸２．４ｇ、ヘキ
シレングリコール１８４６．９ｇおよびイオン交換水６
３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチ
タニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ2 換算で１０
重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルア
セナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ2 換算で
１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌し
て、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量５００
０）を得た。
【０１１５】この部分加水分解物と上記シリカコロイド
分散液２５２．２ｇを混合し、この混合物に、イソプロ
パノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレ
ングリコール２３８０ｇを混合して、固形分濃度が２．
０重量％、全固形分中に占める無機化合物コロイド粒子
の割合が６．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
分散液２５２．２ｇを混合し、この混合物に、イソプロ
パノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレ
ングリコール２３８０ｇを混合して、固形分濃度が２．
０重量％、全固形分中に占める無機化合物コロイド粒子
の割合が６．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
【０１１６】この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基
材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にし
て得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして
測定評価した。
【０１１７】結果を表２に併記する。
【０１１８】
【表２】
【図１】図１は、本発明に係る被膜付磁気ディスクの被
膜表面状態を示す電子顕微鏡写真である。
膜表面状態を示す電子顕微鏡写真である。
【図２】図２は、比較例の被膜付磁気ディスクの被膜表
面状態を示す電子顕微鏡写真である。
面状態を示す電子顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−33724（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−229227（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−137120（ＪＰ，Ａ) 米国特許5035745（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09D 1/00 - 201/10 C08K 3/00 - 13/08 C08L 1/00 - 101/16 G11B 5/62 - 5/82
Claims (4)
- 【請求項１】無機化合物コロイド粒子（ａ）と、 アセチルアセトナトキレートの部分加水分解物、アルコ
キシシランの部分加水分解物および金属アルコキシドの
部分加水分解物から選ばれた少なくとも１種の被膜形成
成分（ｂ）とが、 有機溶媒（ｃ）中に含まれ、 この被膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル
／リットル以下であることを特徴とする均一な凹凸を有
する被膜を形成するための被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】被膜形成用塗布液の製造過程で、少なくと
も前記無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾル、前記
被膜形成成分（ｂ）を含む液および被膜形成用塗布液の
いずれかに、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交
換樹脂による処理とを行なって、得られる被膜形成用塗
布液の中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下
とすることを特徴とする請求項１記載の均一な凹凸を有
する被膜を形成するための被膜形成用塗布液の製造方
法。 - 【請求項３】請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を
形成するための被膜形成用塗布液から形成された被膜が
基材上に積層されていることを特徴とする被膜付基材。 - 【請求項４】ディスク基板と、その上に形成された磁性
層とを含み、前記ディスク基板と前記磁性層との間およ
び／または前記磁性層上に、請求項１記載の均一な凹凸
を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液から形
成された被膜を有する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03351648A JP3139093B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03351648A JP3139093B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163464A JPH05163464A (ja) | 1993-06-29 |
| JP3139093B2 true JP3139093B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=18418677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03351648A Expired - Lifetime JP3139093B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3139093B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| SG54108A1 (en) * | 1994-03-31 | 1998-11-16 | Catalysts & Chem Ind Co | Coating solution for formation of coating and use thereof |
| JP3480054B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2003-12-15 | 神鋼電機株式会社 | 短剱状物品の整送装置 |
| US7604866B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-10-20 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Antireflection film |
| JP2007272966A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2007238950A (ja) * | 2007-03-30 | 2007-09-20 | Univ Nihon | 硬化体 |
| JP6347597B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2018-06-27 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用組成物及びこれを用いたシリカ系被膜の製造方法 |
| WO2022196218A1 (ja) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 日本電気硝子株式会社 | スプレーコート用コーティング液及びその製造方法、並びにアンチグレア層付き基材の製造方法 |
| CN116897194A (zh) * | 2021-03-19 | 2023-10-17 | 日本电气硝子株式会社 | 喷涂用涂敷液和其制造方法以及带防眩光层的基材的制造方法 |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP03351648A patent/JP3139093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05163464A (ja) | 1993-06-29 |
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