CN111690904A - 一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途，所述方法包括以下步骤：对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。采用本发明的方法制备得到的减反光学膜可以降低反射率到0.3％以下，减反中心波长可在400nm‑1000nm范围调节，工作温度从0℃到1000℃，可用于高温应用场景下光学器件(如光学窗口、透镜、偏振镜片、滤光片等)的增透。
Description
技术领域
本发明属于光学功能薄膜制备技术领域，涉及一种减反光学膜及其制备方法和用途，尤其涉及一种耐高温减反光学膜及其磁控溅射制备方法和用途。
背景技术
光学薄膜是一类重要的光学元件，它广泛地应用于现代光学、光电子学、光学工程以及其他相关的科学技术领域。在光的传输、调制，光谱和能量的分割与合成以及光与其他能态的转换过程中起着不可替代的作用。
在一些极端条件下的应用需求，对于薄膜耐高温性能提出了很高的要求。例如原位光学显微成像的材料生长系统镜片需要耐受1000℃高温的光学膜，此外投影仪中的滤波片、各种光伏热伏电池系统中的反射镜、以及航天器中用到的高温热辐射屏蔽器件等等也都需要具有一定耐高温性能的光学薄膜器件。由于光源的强度以及热源的温度很高，这些器件在满足一定光学性能的同时，还要具有较高的耐高温性能。这对传统的薄膜材料提出了挑战。
目前制备高温薄膜，通常采用硅、锗等半导体材料和银、铝、铜一等金属材料，然而都存在一定的局限性。如硅和锗在可见光波段不透明，并且易于被氧化；而金属银、铜、铝容易于被氧化。对于多层结构的光学膜，传统的高折射率材料如五氧化二铌、五氧化二钽、二氧化钛也没有很好的耐高温性能，原因在于这些材料在一定温度下都会发生重结晶，伴随着颗粒长大、表面龟裂等，造成薄膜的光学性能偏离设计结果。光学镜片材料二氧化硅能经受1000℃的高温，己经基本满足薄膜耐高温需求，但是现有的光学薄膜工作温度一般不能超过500-600℃。然而这样的工作温度并不能满足某些特殊应用的需要。
CN 109467317 A公开了一种表层具有封孔结构内层具有介孔结构的二氧化硅增透膜及其制备方法，所述增透膜为上下双层膜结构，上层SiO2薄膜中SiO2纳米颗粒致密排布，下层SiO2薄膜中SiO2纳米颗粒排布形成多个纳米孔洞结构，所述孔洞结构的孔径为2～50nm。该二氧化硅膜，表面为封孔结构二氧化硅膜，底层的二氧化硅介孔膜为网状结构，表层中二氧化硅缩聚物之间结合紧密，从而使上层为孔隙率很低的致密的二氧化硅膜，由于表层为闭孔结构，水分子无法进入薄膜孔隙中，从而增透膜具有优良的环境稳定性和耐候性。但是，此专利所需原料种类繁多、制备流程复杂、制备周期长、良率低。由于原料复杂，所以制备出的二氧化硅膜中会有多种杂质残留，影响二氧化硅薄膜的使用条件和使用寿命，造成薄膜难以在高于700℃的温度下长时间使用。
CN 106892575 A公开了一种多孔二氧化硅减反射膜的制备方法，包括以下步骤：1)以正硅酸乙酯、十六烷基三甲基溴化铵、磷酸缓冲液、碱催化剂为原料制备二氧化硅纳米空心颗粒溶胶；2)将二氧化硅纳米空心颗粒溶胶用透析袋进行透析后烘干退火，得到二氧化硅空心球颗粒；3)以二氧化硅空心球颗粒、正硅酸乙酯、去离子水、酸催化剂、无水乙醇为原料制备胶液；4)将干净的玻璃基底在胶液中提拉镀膜并进行退火，得到多孔二氧化硅减反射膜。采用该方法制备的减反射膜为闭孔多孔膜，同时兼具透过率高，硬度、膜层附着力大，耐候性好的特点。但是，此专利与CN 109467317 A同样存在原料种类多、流程复杂、制备周期长、良率低以及无法长时间在高于700℃下使用的问题。
综上所述，如何制备耐受温度达到1000℃的光学膜仍是目前亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种减反光学膜及其制备方法和用途，尤其在于提供一种耐高温减反光学膜及其磁控溅射制备方法和用途。本发明以二氧化硅和升华性材料为原料，先制备二者的混合膜(例如采用磁控溅射法制备混合膜)，经过后期高温处理后得到了可耐高温的光学二氧化硅膜，所得膜具有减反射性能，可以降低反射率到0.3％以下，减反中心波长可在400-1000nm范围调节，工作温度从0℃到1000℃，可用于高温应用场景下光学器件(如光学窗口、透镜、偏振镜片、滤光片等)的增透。
本发明所述“耐高温减反光学膜”指：本发明的减反射光学膜可以在包括200℃-1000℃的高温环境下长时间正常工作。
为达上述目的，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供一种减反光学膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：
对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。
本发明的方法中，所述高温处理的温度大于升华性材料升华的温度，从而使其升华性材料升华为气态而去除，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。
本发明的方法，使用的原料少、制备流程简单、制备周期短、制备二氧化硅薄膜良率高。由于薄膜所含杂质少，所以孔隙结构稳定，可以长时间在0℃-1000℃温度范围内长时间工作。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为对本发明提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
优选地，所述混合膜的制备方法包括：
采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，溅射镀膜，制备得到升华性材料和二氧化硅的混合膜。
本发明中，优选升华性材料具有较高的熔点，以保证其作为靶材溅射的良好效果，优选熔点大于等于300℃。
此优选技术方案采用磁控溅射仪，以升华性材料和二氧化硅靶材作为溅射源，制备升华性材料、二氧化硅混合膜。
此优选技术方案采用磁控溅射的方法制备混合膜，与电子束蒸镀、真空蒸镀等方法相比，磁控溅射法具有许多优点，如任何物质均可以溅射，尤其是高熔点、低蒸气压的元素和化合物；溅射膜与基板之间的附着性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重复性好；尤其是可实现不同组分混合膜均匀可控的生长制备。
优选地，所述升华性材料包括二氧化钼、三氧化钼、三氧化二锑或二氧化硒中的任意一种或任意组合。
优选地，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，例如15％、16％、18％、20％、23％、25％、27％、30％、35％、40％、43％、46％、50％、55％、58％、60％、65％、70％、75％或80％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。若体积分数小于15％，会导致二氧化硅薄膜孔隙结构太小太少，不能起到减反射的作用；若体积分数大于80％，会导致二氧化硅薄膜连续性变差，一方面会导致薄膜稳定性变差，另一方面导致薄膜无法实现减反射的效果。更优选为60％-75％。
优选地，所述混合膜的厚度为100nm-200nm，例如100nm、120nm、125nm、130nm、140nm、150nm、165nm、180nm或200nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述高温处理的温度为200-950℃，例如200℃、220℃、230℃、260℃、280℃、300℃、325℃、350℃、400℃、500℃、600℃、700℃、725℃、750℃、800℃、850℃、900℃或950℃等。但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明的高温处理的温度需满足升华性材料合适的饱和蒸气压范围，优选大于等于10毫米汞柱而小于沸点，随温度升高，饱和蒸气压增大，为了获得该合适的饱和蒸气压范围，对应最低处理温度和最高处理温度，若温度低于最低处理温度，会导致升华性材料短时间内无法升华，导致无法制备出具有孔隙结构的二氧化硅膜；若温度高于最高处理温度，会导致升华速率过快，不利于形成结构稳定的二氧化硅孔隙结构，同时也会造成薄膜减反射能力下降。
更优选地，升华性材料为三氧化二锑时，高温处理的温度为700℃-950℃(例如700℃、775℃、780℃、790℃、800℃、825℃、850℃、880℃、900℃、920℃或950℃等)，优选为750℃-900℃；升华性材料为三氧化钼和/或二氧化钼时，高温处理的温度为800℃-950℃(例如800℃、825℃、850℃、880℃、900℃、920℃或950℃等)，优选为850℃-900℃；升华性材料为二氧化硒时，高温处理的温度为200℃-300℃(例如200℃、210℃、220℃、240℃、255℃、282℃或300℃等)，优选为220℃-300℃。
以升华性材料为三氧化钼和/或二氧化钼为例进行说明，在优选范围800℃-950℃内，可以避免温度过低导致升华性材料短时间内无法升华，导致无法制备出具有孔隙结构的二氧化硅膜；也可以避免温度过高导致升华速率过快，不利于形成结构稳定的二氧化硅孔隙结构而劣化薄膜减反射能力。更优选为850℃-900℃。
优选地，所述高温处理的时间为5h-20h，例如5h、6h、8h、10h、12h、15h、18h或20h等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述混合膜可以单独存在，也可以设置于基体的表面，可以是位于基体的单侧表面，也可以是设置于基体的双侧表面。
作为本发明所述方法的进一步优选技术方案，所述方法包括以下步骤：
(1)采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，在基体的表面溅射镀膜，得到升华性材料和二氧化硅的混合膜，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，所述混合膜的厚度为100nm-200nm；
(2)于高温处理5h-20h，得到具有纳米孔隙结构的减反光学膜；
其中，所述升华性材料为二氧化钼、三氧化钼或三氧化二锑中的任意一种或任意组合。
第二方面，本发明提供一种调节减反光学膜减反射能力的方法，所述方法包括：通过调节升华性材料在混合膜中的体积分数调节减反光学膜的减反射能力。
第三方面，本发明提供一种调节减反光学膜反射最小值的范围的方法，所述方法包括：通过调节混合膜的厚度调节减反光学膜的光谱反射最小值的范围。
第四方面，本发明提供如第一方面所述的方法制备得到的减反光学膜，所述减反光学膜包括具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。
优选地，所述减反光学膜的厚度为100nm-200nm，例如100nm、120nm、125nm、130nm、140nm、150nm、165nm、180nm或200nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述减反光学膜的减反中心波长在400nm-1000nm范围内连续可调，工作温度范围在0℃-1000℃。波长例如400nm、500nm、600nm、650nm、700nm、800nm、900nm、950nm或1000nm等，工作温度例如25℃、30℃、35℃、40℃、55℃、80℃、100℃、150℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃或1000℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
第五方面，本发明提供如第四方面所述的减反光学膜的用途，所述减反光学膜用于包括高温光学元件在内的光学元件，所述光学元件包括光学窗口、透镜、偏振镜片或滤光片。
本发明的减反光学膜具有优良的耐高温特性，可用于耐高温光学元件。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明以升华性材料和二氧化硅为原料，先制备二者的混合膜(例如采用磁控溅射法制备混合膜)，经过后期高温处理后得到了可耐高温的光学二氧化硅膜。本发明所述方法操作简便，容易控制，所得膜具有减反射性能，可以降低反射率到0.3％以下，减反中心波长可在400-1000nm范围调节，工作温度从0℃到1000℃，可用于高温应用场景下光学器件(如光学窗口、透镜、偏振镜片、滤光片等)的增透。
(2)本发明的方法还可通过调节工艺参数以调节制备得到二氧化硅耐高温减反光学膜的性能，可通过调节升华性材料含量以及膜厚度来调节膜的减反射能力和反射最小值的范围。
附图说明
图1是本发明制备二氧化硅耐高温减反光学膜的示意图；
图2是本发明实施例1二氧化硅耐高温减反光学膜纳米孔结构的AFM图；
图3是本发明实施例1提供的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片的反射率图；
图4是本发明实施例2提供的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片在室温和800℃的反射率图；
图5是本发明实施例3-6提供的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片和对比例1是纯石英的反射率图；
图6是本发明实施例7-9提供的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片的反射率图；
图7是本发明实施例10-11提供的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片和对比例1的纯石英的反射率图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
以下为本发明典型但非限制性实施例：
实施例1：
采用磁控溅射制备具有耐高温特性的显微镜镜片
本实施例中采用的是美国Lesker公司生产的Lab 18磁控溅射镀膜系统。
其制备方法包括以下步骤：
(1)将三氧化钼钯材和二氧化硅靶材分别放入溅射仪中相邻的两个钯位，通过调控两个靶的溅射功率，溅射三氧化钼体积分数为70％、二氧化硅体积分数30％的三氧化钼、二氧化硅混合膜；
(2)以石英镜片为衬底，通过计算机控制时间溅射出110nm的三氧化钼、二氧化硅混合膜；
(3)将所制备的溅射有三氧化钼、二氧化硅混合膜的镜片置于马弗炉中，调节恒温的温度为900℃，在该温度上恒温10小时后取出，三氧化钼经高温挥发后得到溅射有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片，用光谱仪测量反射率；
(4)将900℃处理后的镜片再置于马弗炉中，调节恒温的温度为1000℃，在该温度上恒温10小时后取出，用光谱仪测量反射率；
本实施例得到的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片反射率结果如图3所示。1000℃处理后的曲线较900℃的曲线反射率略有升高，但仍具有明显的减反射效果，可见该光学膜在常温至1000℃下均可保持良好的稳定性。
实施例2：
(1)将二氧化钼钯材和二氧化硅靶材分别放入溅射仪中相邻的两个钯位，通过调控两个靶的溅射功率溅射二氧化钼体积分数为80％、二氧化硅体积分数为20％的二氧化钼、二氧化硅混合膜；
(2)以石英镜片为衬底，通过计算机控制时间溅射出100nm的二氧化钼、二氧化硅混合膜；
(3)将所制备的溅射有二氧化钼、二氧化硅混合膜的镜片置于马弗炉中，调节恒温的温度为950℃，在该温度上恒温5小时后取出，待温度降为常温后用光谱仪测量反射率；
(4)将镜片置于高温管式炉中，调节恒温的温度为800℃，在该温度上用光谱仪测量反射率；
本实施例得到的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片反射率结果如图4所示。由图4可知，该高温减反膜常温下的反射率数据与800℃下的反射率数据几乎完全重合，可见从常温到800℃，该滤光片的光学性质不会因为温度改变而发生变化。
实施例3：
(1)将三氧化钼钯材和二氧化硅靶材分别放入溅射仪中相邻的两个钯位，以石英镜片为衬底，通过调控两个靶的溅射功率在衬底上溅射三氧化钼体积为15％、二氧化硅体积分数为85％的三氧化钼、二氧化硅混合膜；
(2)通过计算机控制时间在石英衬底上溅射出100nm的三氧化钼、二氧化硅混合膜；
(3)将所制备的溅射有三氧化钼、二氧化硅混合膜的镜片置于马弗炉中，调节恒温的温度为900℃，在该温度上恒温10小时后取出，用光谱仪测量反射率；
实施例4：
除了通过调控两个靶的溅射功率分别在衬底上溅射三氧化钼体积为30％、二氧化硅体积分数为70％的三氧化钼、二氧化硅混合膜外，其他制备方法和条件与实施例3相同。
实施例5：
除了通过调控两个靶的溅射功率分别在衬底上溅射三氧化钼体积为60％、二氧化硅体积分数为40％的三氧化钼、二氧化硅混合膜外，其他制备方法和条件与实施例3相同。
实施例6：
除了通过调控两个靶的溅射功率分别在衬底上溅射三氧化钼体积为70％、二氧化硅体积分数为30％的三氧化钼、二氧化硅混合膜外，其他制备方法和条件与实施例3相同。
通过实施例3-6制备得到了具有不同三氧化钼含量的三氧化钼、二氧化硅混合膜，经高温处理得到了不同孔隙含量的二氧化硅耐高温减反光学膜。实施例3-6得到的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片反射率结果如图6所示。三氧化钼在混合膜中体积含量在15％、30％、60％和70％，随着三氧化钼在混合膜中体积含量的增大，所得减反光学膜的反射率减小，故可通过调节升华性材料在混合膜中的体积含量调节减反光学膜的减反能力。
实施例7：
(1)将三氧化二锑钯材和二氧化硅靶材分别放入溅射仪中相邻的两个钯位，通过调控两个靶的溅射功率溅射三氧化二锑体积分数为70％的三氧化二锑、二氧化硅混合膜；
(2)以石英镜片为衬底，通过计算机控制时间在镜片上溅射出100nm的三氧化二锑、二氧化硅混合膜；
(3)将所制备的溅射有不同厚度三氧化二锑、二氧化硅混合膜的镜片置于马弗炉中，调节恒温的温度为750℃，在该温度上恒温20小时后取出，用光谱仪测量反射率。
实施例8：
除了将溅射厚度调整为150nm，其他制备方法和条件与实施例1相同。
实施例9：
除了将溅射厚度调整为200nm，其他制备方法和条件与实施例1相同。
通过实施例7-9制备得到了具有不同厚度的三氧化二锑、二氧化硅混合膜，经高温处理得到了不同厚度的二氧化硅耐高温减反光学膜。实施例7-9得到的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片反射率结果如图6所示。膜厚度在100nm～200nm之间时，随着膜厚度的增大，溅射有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片反射最小值红移，故可通过调节溅射的厚度调节反射最小值的范围。
实施例10：
(1)将三氧化钼钯材和二氧化硅靶材分别放入溅射仪中相邻的两个钯位，通过调控两个靶的溅射功率溅射三氧化钼体积分数为70％的三氧化钼、二氧化硅混合膜；
(2)通过计算机控制时间在石英镜片一面上溅射出100nm的三氧化钼、二氧化硅混合膜；
(3)将所制备的溅射有不同厚度三氧化钼、二氧化硅混合膜的镜片置于马弗炉中，调节恒温的温度为900℃，在该温度上恒温10小时后取出，用光谱仪测量反射率。
实施例11：
除了在石英镜片上双面均溅射100nm的三氧化钼、二氧化硅混合膜外，其他制备方法和条件与实施例10相同。
通过实施例10-11制备得到的单面具有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片和双面具有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片。实施例10-11得到的有二氧化硅耐高温减反光学膜的镜片反射率结果如图7所示。相较纯石英镜片，单面溅射镜片和双面溅射镜片反射率均有很大降低，且双面溅射镜片与单面溅射镜片相比反射率有很大降低，故可通过双面溅射进一步降低反射率。
实施例12：
除了通过调控两个靶的溅射功率分别在衬底上溅射三氧化钼体积为10％、二氧化硅体积分数为90％的三氧化钼、二氧化硅混合膜外，其他制备方法和条件与实施例3相同。
实施例13：
除了将通过调控两个靶的溅射功率分别在衬底上溅射三氧化钼体积为90％、二氧化硅体积分数为10％的三氧化钼、二氧化硅混合膜外，其他制备方法和条件与实施例3相同。
通过实施例12-13制备得到的二氧化硅膜与未镀膜的纯石英相比反射率并没有明显的下降，故升华性材料使用过多或过少都会导致二氧化硅膜降低反射率的能力下降。
实施例14：
除了将热处理温度调整为650℃，其他制备方法和条件与实施例1相同。
经过650℃高温处理之后，所得薄膜与未处理的混合膜相似，为暗黑色半透明状，反射率与未镀膜的纯石英相比未减反增，故处理温度过低会导致升华性材料无法升华，无法得到具有孔隙结构的二氧化硅薄膜。
实施例15：
除了将热处理温度调整为1050℃，其他制备方法和条件与实施例1相同。
经过1050℃高温处理之后，所得薄膜反射率与未镀膜的纯石英相比减小非常微弱，故处理温度过高会造成二氧化硅膜的性能遭到破坏，起不到明显的减反射效果。
对比例1：
除了不溅射三氧化钼和二氧化硅混合膜，其他处理条件与实施例1相同。
高温处理前后，纯石英的反射率没有明显变化，故高温处理对纯石英反射率没有影响。
由上述实施例和对比例可以得出，本发明采用磁控溅射法，通过对原料及工艺参数的选择，实现了二氧化硅耐高温减反光学膜的制备，在高温显微镜镜片、波片或在200℃-1000℃高温下进行光学测量用的薄膜器件方面应用前景广阔。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种减反光学膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合膜的制备方法包括：
采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，溅射镀膜，制备得到升华性材料和二氧化硅的混合膜。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述升华性材料包括二氧化钼、三氧化钼、三氧化二锑或二氧化硒中的任意一种或任意组合；
优选地，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，优选为60％-75％。
优选地，所述混合膜的厚度为100nm-200nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述高温处理的温度为200-950℃；
优选地，升华性材料为三氧化二锑时，高温处理的温度为700℃-950℃，优选为750℃-900℃；升华性材料为三氧化钼和/或二氧化钼时，高温处理的温度为800℃-950℃，优选为850℃-900℃；升华性材料为二氧化硒时，高温处理的温度为200℃-300℃，优选为220℃-300℃；
优选地，所述高温处理的时间为5h-20h。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述混合膜设置于基体的单侧表面或者双侧表面。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，在基体的表面溅射镀膜，得到升华性材料和二氧化硅的混合膜，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，所述混合膜的厚度为100nm-200nm；
(2)于高温处理5h-20h，得到具有纳米孔隙结构的减反光学膜；
其中，所述升华性材料为二氧化钼、三氧化钼、三氧化二锑或二氧化硒中的任意一种或任意组合。
7.一种调节减反光学膜减反射能力的方法，其特征在于，所述方法包括：通过调节升华性材料在混合膜中的体积分数调节减反光学膜的减反射能力。
8.一种调节减反光学膜光谱反射最小值的范围的方法，其特征在于，所述方法包括：通过调节混合膜的厚度调节减反光学膜的光谱反射最小值的范围。
9.如权利要求1-6任一项所述方法制备得到的减反光学膜，其特征在于，所述减反光学膜包括具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜；
优选地，所述减反光学膜的厚度为100nm-200nm；
优选地，所述减反光学膜的减反中心波长在400nm-1000nm范围内连续可调，工作温度范围在0℃-1000℃。
10.如权利要求9所述的减反光学膜的用途，其特征在于，所述减反光学膜用于光学元件，所述光学元件包括光学窗口、透镜、偏振镜片或滤光片。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200922 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |