CN115142015A - 一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法 - Google Patents
一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115142015A CN115142015A CN202111530757.8A CN202111530757A CN115142015A CN 115142015 A CN115142015 A CN 115142015A CN 202111530757 A CN202111530757 A CN 202111530757A CN 115142015 A CN115142015 A CN 115142015A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- coating material
- optical coating
- organic bonding
- niobium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 20
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006136 alcoholysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100023231 Lysosomal alpha-mannosidase Human genes 0.000 description 1
- 101710135169 Lysosomal alpha-mannosidase Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及C23C光学蒸镀材料制备技术领域，更具体地，本发明提供了一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法。本发明以五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉为原料，通过特定的制备工艺，制备得到的光学镀膜材料与基板间具有优异的附着力，并且可以保持镜头的长期洁净度，同时可见光吸收范围达到了400‑780nm；反射率和透射率均有显著提升，达到了0.1％以下，在光学蒸镀材料领域具有深远的意义，尤其在光学镀膜镜头领域有着潜在的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及C23C光学蒸镀材料制备技术领域，更具体地，本发明提供了一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法。
背景技术
随着光学零件的大量制造和广泛应用，市场对光学零件的综合性能提出了更高的要求。各种各样的光学镀膜材料的出现为提升光学零件的综合性能提供了一种重要思路，伴随着工业科技的不断发展，光学镀膜材料已经成为了光学零件中不可或缺的一部分。现有技术中光学镀膜材料的透过率、反射率以及可见光吸收范围已经不能满足光学零件日益发展的需要。
在专利公开号为CN110257773A的中国发明专利中以二氧化硅粉、铬粉、钛粉、铁粉为原料，按照一定配比进行混合高温烧结制得的镀膜材料，在500～750nm的反射率在2％以下，在可见光中反射率低，无重影现象，很大程度上解决了重影问题，但是可见光范围、反射率等关键技术指标扔有待提高。
在专利公开号为CN110456427A的中国发明发明专利中以二氧化硅、五氧化二铌为原料，经过混合、造粒、烧结，得到的光学镀膜材料着重解决了现有技术中二氧化硅光学镀膜材料在塑料元件表面中附着力小，易膜裂、脱模的问题，但是其光学镀膜材料的可见光范围、透过率并未突出体现。
因此，随着光学镀膜镜头的不断发展，对镀膜材料提出了更高的要求，开发一种可见光吸收范围广，光谱曲线重复性好的光学镀膜在光学蒸镀材料领域具有深远的意义，尤其在光学镀膜镜头领域有着潜在的应用前景。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种高吸收光学镀膜材料，制备原料包括以下组分：五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉，有机粘结助剂。
作为本发明一种优选的技术方案，所述五氧化二铌、铌粉、钽粉、铁粉，镍粉的重量比为(80-100)：(1-10)：(0.5-3.5)：(0.5-3.5)：(0.5-2.5)。
作为本发明一种优选的技术方案，所述五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉的粒径50-500nm。
作为本发明一种优选的技术方案，所述有机粘结助剂为热塑性有机粘结助剂，热塑性有机粘结助剂的加入量为五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉总重量的3-5％。
作为本发明一种优选的技术方案，所述热塑性有机粘结助剂包括聚乙烯醇有机粘结助剂、聚酯胶有机粘结助剂、聚醚有机粘结助剂、聚酰胺有机粘结助剂、聚丙烯酸酯有机粘结助剂中的至少一种。
作为本发明一种更优选的技术方案，所述热塑性有机粘结助剂为聚乙烯醇有机粘结助剂。
作为本发明一种优选的技术方案，所述聚乙烯醇有机粘结助剂的聚合度为1500-1800，醇解度为85-95％。
作为本发明一种更优选的技术方案，所述聚乙烯醇有机粘结助剂的聚合度为1700，醇解度为86.5-89％。
本发明第二方面提供了一种高吸收光学镀膜材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将五氧化二铌、铌粉、钽粉、铁粉、镍粉、有机粘结助剂按比例称量后依次放入混料装置中，充分搅拌，得到充分混合后的原料；
(2)将装有步骤(1)所述原料的坩埚置于高温烧结炉中，在有氧条件下升温后，保温1-3h；
(3)开启抽真空系统，进行抽真空，升温至1000-1500℃后充入氩气，继续升温，保持3-6小时后，降温至20-30℃，即得所述光学镀膜材料。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(1)所述混料装置包括球研机、锥形混料机中的一种。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(1)所述搅拌时间为20-40min。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(1)所述坩埚的材质包括钼、钨中的一种。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(2)所述升温至500-700℃。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(2)所述保温时间为1-3h。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(3)所述升温的速度为8-10℃/min。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(3)所述降温的速度为20-60℃/h。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明制备得到的高吸收光学镀膜材料，当同时采用五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉为原料，并严格控制五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉的重量比为90:5:2:2:1时，在特定的制备工艺下，改善了原料在高温环境中的扩散均匀度和扩散速度，增强了体系的稳定性，形成了稳定的薄膜结构，提高了镀膜材料的可见光吸收范围，使得可见光吸收范围达到了400-780nm；反射率和透射率均有显著提升，达到了0.1％以下，进一步提高了产品的应用领域和使用范围；
2、本发明制备得到的高吸收光学镀膜材料，将装有特定形状原料的坩埚置于高温烧结炉中，将其在有氧条件下升温至500-700℃，并维持在此温度1-3h，尤其当温度为600℃，保温时间为2h时，可以在不影响原料光泽度、稳定性的同时，将原料中的聚乙烯醇完全碳化降解，保证膜层结构的致密度和稳定性；
3、本发明制备得到的高吸收光学镀膜材料，使高温烧结炉的真空度达到10-3Pa，当炉内温度达到1400℃后充入氩气，继续升温至1700℃时，尤其当升高温度的速度为10℃/min，保温时间为4h时，可以改善高温烧结炉中残留气体分子与本体系中五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉颗粒间的碰撞频率，控制沉积度，增强镀的均匀度和聚集密度，同时可以减少五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉在高温环境中的损失，增强薄膜的综合质量和光学性能，提升每个原料的利用率；此外，通过严格控制升温的速度和保温时间，在保证原料中氧气的完全释放的同时，降低了镀膜过程中易喷溅的现象，提升了生产效率。
4、本发明制备得到的高吸收光学镀膜材料，当控制本发明制备方法步骤(4)的高温时间为4h，并保持降温速度为50℃/h时，可以保证原料在坩埚中的充分定向沉积效果，改善体系中蒸发粒子的凝聚和生长程度，提升了镀膜的膜层厚度的控制度以及均匀度，提升镀膜材料的光学性能；
5、本发明制备得到高吸收光学镀膜材料，采用重量比为90:5:2:2:1的五氧化二铌、铌粉、钽粉、铁粉、镍粉，可以降低镀膜材料电子与电子空穴的回复效率，在镀膜的表面形成了电子稳定的流动通路，形成了一层稳定的电子表层，一方面去提升光学镀膜与基板间的附着力，另一方面避免了环境中有机物对光学镀膜镜头的污染，保持镜头的长期洁净度。
附图说明
图1为实施例1制备得到的光学镀膜材料的反射率曲线图；
图2为实施例1制备得到的光学镀膜材料的透过率曲线图；
图3为实施例1制备得到的光学镀膜材料的光谱曲线重复性测试图。
具体实施方式
实施例
实施例1
本实施例1第一方面提供了一种高吸收光学镀膜材料，制备原料包括以下组分：五氧化二铌90重量份，铌粉5重量份，钽粉2重量份，铁粉2重量份，镍粉1重量份。
所述五氧化二铌购自浙江亚美纳米科技有限公司，粒径为200nm；
所述铌粉购自上海函朗新材料科技有限公司，粒径为80nm；
所述钽粉购自西安齐岳生物科技有限公司，粒径为50nm；
所述铁粉购自上海函朗新材料科技有限公司，粒径为50nm；
所述镍粉购自上海茂果纳米科技有限公司，粒径为50nm；
所述制备原料还包括有机粘结助剂，有机粘结助剂为聚乙烯醇有机粘结助剂，加入量为五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉总重量的4％，购自郑州奥瑞金化工产品有限公司，型号为1788，聚合度为1500-1800，醇解度为85-95％。
所述高吸收光学镀膜材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将五氧化二铌、铌粉、钽粉、铁粉、镍粉放入混料装置中，然后加入有机粘结助剂充分搅拌；
(2)通过压机压制成颗粒状装入坩埚中，将坩埚置于高温烧结炉中，在有氧条件下升温至600℃，并维持在此温度下保温，使原料中的有机物充分降解；
(3)开启抽真空系统，使高温烧结炉真空度达到10-3Pa，当炉内温度达到1400℃后充入氩气，继续升温至1700℃，并在此温度下保温4小时，再以50℃/h的速度缓慢降温至室温，即得所述光学镀膜材料。
步骤(1)所述混料装置包括球研机。
步骤(1)所述搅拌时间为30min。
步骤(2)所述保温时间为2h。
步骤(3)所述升高温度的速度为10℃/min
所述光学镀膜材料的反射率曲线图见图1；
所述光学镀膜材料的透过率曲线图见图2；
所述光学镀膜材料的光谱曲线重复性测试图见图3。
Claims (10)
1.一种高吸收光学镀膜材料，其特征在于，制备原料包括以下组分：五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉，有机粘结助剂。
2.根据权利要求1所述高吸收光学镀膜材料，其特征在于，五氧化二铌、铌粉、钽粉、铁粉，镍粉的重量比为(80-100)：(1-10)：(0.5-3.5)：(0.5-3.5)：(0.5-2.5)。
3.根据权利要求1或2所述高吸收光学镀膜材料，其特征在于，所述五氧化二铌，铌粉，钽粉，钽粉，铁粉，镍粉的粒径50-500nm。
4.根据权利要求1所述高吸收光学镀膜材料，其特征在于，所述有机粘结助剂为热塑性有机粘结助剂，热塑性有机粘结助剂的加入量为五氧化二铌，铌粉，钽粉，铁粉，镍粉总重量的3-5％。
5.根据权利要求4所述高吸收光学镀膜材料，其特征在于，所述热塑性有机粘结助剂包括聚乙烯醇有机粘结助剂、聚酯胶有机粘结助剂、聚醚有机粘结助剂、聚酰胺有机粘结助剂、聚丙烯酸酯有机粘结助剂中的至少一种。
6.根据权利要求5所述高吸收光学镀膜材料，其特征在于，所述聚乙烯醇有机粘结助剂的聚合度为1500-1800，醇解度为85-95％。
7.一种如权利要求1-6任一项所述高吸收光学镀膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将五氧化二铌、铌粉、钽粉、铁粉、镍粉、有机粘结助剂按比例称量后依次放入混料装置中，充分搅拌，得到充分混合后的原料；
(2)将装有步骤(1)所述原料的坩埚置于高温烧结炉中，在有氧条件下升温后，保温1-3h；
(3)开启抽真空系统，进行抽真空，升温至1000-1500℃后充入氩气，继续升温，保持3-6小时后，降温至20-30℃，即得所述光学镀膜材料。
8.根据权利要求7所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(2)所述升温至500-700℃。
9.根据权利要求7所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(3)所述升温的速度为8-10℃/min。
10.根据权利要求7所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(3)所述降温的速度为20-60℃/h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111530757.8A CN115142015B (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111530757.8A CN115142015B (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115142015A true CN115142015A (zh) | 2022-10-04 |
| CN115142015B CN115142015B (zh) | 2024-04-30 |
Family
ID=83405459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111530757.8A Active CN115142015B (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115142015B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101178440A (zh) * | 2006-11-07 | 2008-05-14 | 北京有色金属研究总院 | 高折射率光学薄膜用LaTiO3蒸发材料及其制备方法和用途 |
| CN101851740A (zh) * | 2009-04-02 | 2010-10-06 | 宜兴佰伦光电材料科技有限公司 | 用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材及生产方法 |
| EP2757176A1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-23 | Fondazione Bruno Kessler | Multilayer coating with high absorption of solar energy and with low thermal emissivity, related cermet composite, a use thereof and processes for producing them |
| CN105506549A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-20 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法 |
| CN105506737A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-20 | 常州瞻驰光电科技有限公司 | 一种非化学计量比氧化铌多晶镀膜材料及其生长技术 |
| JP2016218335A (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 旭硝子株式会社 | 光学多層膜付きガラス部材 |
| CN106747439A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 湖南稀土金属材料研究院 | 氧化铌靶材及其制备方法 |
| CN110257773A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-09-20 | 常州瞻驰光电科技股份有限公司 | 一种用于蒸镀高吸收膜层的蒸镀材料及其制备方法 |
| CN111690904A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-22 | 国家纳米科学中心 | 一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途 |
| CN112110725A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-12-22 | 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 | 一种高密度环状氧化物镀膜材料及其制备方法 |
-
2021
- 2021-12-14 CN CN202111530757.8A patent/CN115142015B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101178440A (zh) * | 2006-11-07 | 2008-05-14 | 北京有色金属研究总院 | 高折射率光学薄膜用LaTiO3蒸发材料及其制备方法和用途 |
| CN101851740A (zh) * | 2009-04-02 | 2010-10-06 | 宜兴佰伦光电材料科技有限公司 | 用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材及生产方法 |
| EP2757176A1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-23 | Fondazione Bruno Kessler | Multilayer coating with high absorption of solar energy and with low thermal emissivity, related cermet composite, a use thereof and processes for producing them |
| JP2016218335A (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 旭硝子株式会社 | 光学多層膜付きガラス部材 |
| CN105506737A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-20 | 常州瞻驰光电科技有限公司 | 一种非化学计量比氧化铌多晶镀膜材料及其生长技术 |
| CN105506549A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-20 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法 |
| CN106747439A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 湖南稀土金属材料研究院 | 氧化铌靶材及其制备方法 |
| CN110257773A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-09-20 | 常州瞻驰光电科技股份有限公司 | 一种用于蒸镀高吸收膜层的蒸镀材料及其制备方法 |
| CN111690904A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-22 | 国家纳米科学中心 | 一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途 |
| CN112110725A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-12-22 | 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 | 一种高密度环状氧化物镀膜材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115142015B (zh) | 2024-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101786885B (zh) | 一种控制晶粒度制造ito靶材的方法 | |
| CN113563063B (zh) | 高致密细晶粒的氧化锌掺杂氧化锡基陶瓷靶材及其制备方法 | |
| CN114524664B (zh) | 一种太阳能电池用陶瓷靶材及其制备方法 | |
| CN102408765B (zh) | 一种紫外线和电子束固化隔热涂料 | |
| CN1792929A (zh) | 用于生产高折射率层的汽相沉积材料 | |
| CN114873992A (zh) | 一种高铟含量的ito靶材的制备方法 | |
| CN103221572A (zh) | 制造高密度氧化锡铟(ito)溅射靶 | |
| CN101985735A (zh) | 一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜 | |
| CN113233870B (zh) | 一种掺杂氧化镉靶材及其制备方法与应用 | |
| CN108002428B (zh) | 一种蒸镀用ito颗粒的制备方法及由该方法制备的ito颗粒 | |
| CN113183380A (zh) | 5g高频覆铜板用陶瓷改性ptfe薄膜的加工方法 | |
| CN101062787A (zh) | 高纯度、高密度烧结氧化钨材料 | |
| CN105112859A (zh) | 一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法 | |
| CN115142015A (zh) | 一种高吸收光学镀膜材料及其制备方法 | |
| CN109879667B (zh) | 致密失氧氧化锌陶瓷体的制备方法 | |
| CN102180653A (zh) | 一种高密度氧化铟锡靶材的制备方法 | |
| CN105272210A (zh) | 高透节能玻璃用tzo半导体材料的制备方法 | |
| CN113550007A (zh) | 一种五氧化三钛晶体的制备方法 | |
| CN110467462A (zh) | 一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材及其制备方法 | |
| CN104045221B (zh) | 一种柔性超薄玻璃的制备方法 | |
| CN111628146B (zh) | 一种沥青填充微晶石墨制备锂离子电池负极材料的工艺 | |
| CN114031408A (zh) | 一种SiBCN纳米颗粒的制备 | |
| CN101870580A (zh) | 一种透明导电膜用zd(h)o材料及其制备方法 | |
| CN111874928A (zh) | 一种硅氧铝三元复合光学镀膜材料及其制备方法 | |
| CN115745603B (zh) | 一种大尺寸高性能氧化铌靶材的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |