CN105112859A - 一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，该方法为：一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；二、将钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，然后进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；三、对板坯进行包套处理，然后抽真空密封；四、将板坯热压烧结，然后进行去包套处理，得到钠掺杂钼平面靶材。本发明制备成本低、材料利用率高且靶材中Na含量和组织可控、产品一致性好，能够较好的满足工业化生产用钠掺杂钼平面靶材的需求。
Description
技术领域
本发明属于钼材料加工成型技术领域，具体涉及一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法。
背景技术
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是一种性能优良，具有高光电转化效率的多元半导体材料，以它为基础设计薄膜太阳能电池，其光电转化效率已达到20.4％，属于世界最高水平。研究发现，在CIGS中掺杂少量的碱金属Na(约5at％)能够显著提高其光电转化效率。对于工业生产的CIGS电池板而言，需要将Na掺杂到大面积的CIGS吸收层，以提高其光电转化效率。一般是直接使用石灰碳酸钠玻璃(SLG)作基板生产CIGS电池板，以SLG作为Na源材料。在使用SLG作为Na源材料制备CIGS吸收层的过程中，必须将SLG基板加热至约600℃以促进Na渗透至Mo背极层，从而掺杂到CIGS吸收层中，这种掺杂方法不易控制，导致Na分布不均匀，且SLG是硬性材料，不能做柔性太阳能电池板，因此必须开发新的Na源材料以替代SLG。目前在电池板的基板和Mo背极层间添加Mo-Na层作为Na源材料可以有效地将Na均匀掺杂到CIGS吸收层中，且容易控制。Mo-Na层由直流磁控溅射沉积而成，与制备Mo背极层的工艺相同，只需将Mo靶材换成Mo-Na靶材即可，操作简单，适合工业生产使用。而且，在不锈钢和高分子柔性基板上也可沉积Mo-Na层，从而制备柔性太阳能电池板。
作为制备柔性CIGS太阳能电池板Mo-Na层必备材料的Mo-Na溅射靶材，目前只有Plansee公司出售该产品。国内对Mo-Na溅射靶材的研究及生产还处于起步阶段，目前还没有成熟的Mo-Na靶材相关产品。随着CIGS太阳能电池技术的日益成熟，市场上对不同Na含量的Mo-Na靶材的需求必然增加，因此，为了避免国外公司对国内市场的继续垄断，对不同Na含量Mo-Na溅射靶材制备技术的研究势在必行。由于Mo元素(熔点2623℃)和Na元素(熔点97.7℃)的熔点相差大，不能直接形成化合物和固溶体，并且低熔点的Na在高温熔炼时极易挥发等原因，因此现有技术中制备Mo-Na溅射靶材最有效的方法是粉末冶金技术，其中Na主要以二水合钼酸钠(Na2MoO4)的形式存在于Mo-Na溅射靶材中。
目前，Mo-Na溅射靶材的制备方法见诸报道的有很多，从专利技术来看，主要有热等静压法、常规烧结法和真空热压法等，从这些专利分析来看，热等静压法是国内外普遍采用的方法，该方法可以制备出合格的Mo-Na溅射靶材，但其材料利用率低且制造成本高；常规烧结法是中国专利201310033234.1中提出的，该专利中没有考虑到Na的挥发性而不具有实际的工业应用价值；热压法是中国专利201410308148.1中提出的，该方法成本相对低，但没有提出对靶材组织的控制，而且该方法中热压温度低，Mo-Na坯料致密度相对较差，且由于大量二水合钼酸钠(二水合钼酸钠熔点687℃)的挥发性污染，会造成炉腔体表面附着大量白色的二水合钼酸钠，Na的含量不易控制等弊端。因此，现有技术亟需开发一种成本低、材料利用率高且Na含量和组织可控、产品一致性好的制备钠掺杂钼平面靶材的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，该方法制备成本低、材料利用率高且靶材中Na含量和组织可控、产品一致性好，能够较好的满足工业化生产用钠掺杂钼平面靶材的需求。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为5.26％～26.3％，余量为钼粉，所述钼粉的平均粒度为2.0μm～3.0μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述去离子水的用量为钼粉质量的5％～20％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为160MPa～200MPa的条件下进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；
步骤三、对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后将包套处理后的板坯抽真空密封；
步骤四、在温度为1200℃～1600℃，压力为45MPa～55MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结3h～5h，然后对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到钠掺杂钼平面靶材。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中采用真空电子束焊机进行抽真空密封，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中采用热压机进行热压烧结，所述热压机的升温速率为15℃/min～25℃/min。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中所述热压烧结的温度为1200℃～1400℃。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中所述包套处理采用的包套材料为不锈钢薄板。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中所述包套处理采用的包套材料为纯钛薄板。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，所述纯钛薄板为TA1纯钛薄板或TA2纯钛薄板。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，所述包套材料的厚度为1mm～2mm。
上述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中所述冷等静压模具为橡胶包套。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明首先对钼粉进行选择，钼粉的平均粒度不宜太小，钼粉粒度过小，则粉末自由度越高，粉末相互之间碰撞摩擦几率越大，相应使物料体系能量较高，团聚度高，在后续的热压烧结过程中，由于大颗粒和小颗粒以及团聚颗粒所需的烧结驱动力不同，在同样热压烧结的温度下晶粒生长趋势也不一致，容易造成板坯中晶粒组织的大小不均匀，钼粉粒度也不宜过大，粒度过大则孔隙尺寸和扩散距离也大，热压烧结时形成闭孔所需能量加大，则所需热压烧结温度较高；因此，本发明中选择钼粉的平均粒度为2.0μm～3.0μm(马尔文粒度仪测试结果)，粒度分布范围窄，钼粉颗粒大小均匀，热压烧结所需驱动力趋于一致，因此热压烧结后板坯组织的晶粒大小也相对均匀。
2、本发明将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与水搅拌均匀后进行喷雾干燥处理，该处理能够造粒得到钠掺杂钼颗粒，其中二水合钼酸钠均匀的包覆在钼粉颗粒里面，钠的分布也较为均为，而且在热压烧结过程中，钠不会分布在晶界上，而是被包裹在晶粒内，不会影响钠的均匀性。
3、对于钠掺杂钼平面靶材的生产来说，传统采用粉末装填模具后热压的制备工艺，但是该制备工艺的弊端是粉末装填不均匀，且热压收缩量大，会造成热压的板坯在厚度方向上的密度不一样；而本发明中预先采用冷等静压的方式成型得到板坯，对板坯进行包套处理和抽真空密封处理后再进行热压，如此很好的避免了粉末装填模具后热压的弊端，在对板坯进行包套处理后，避免了二水合钼酸钠的挥发性逸出，也不会污染炉体，而且有利于钠含量的准确控制，并提高了板坯的致密度。
4、本发明热压烧结过程中板坯位于包套材料内，热压烧结后得到的成品材料尺寸规整，只需要少量切削就可以得到所需规格尺寸的钠掺杂钼平面靶材，相对于传统热等静压制备Mo-Na溅射靶材的方法，本发明制备的板坯少切削，因此材料利用率高，所用设备造价低，具有明显的成本优势。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明实施例1制备钠掺杂钼平面靶材的低倍组织图。
图2为本发明实施例1制备钠掺杂钼平面靶材的金相组织图。
图3为本发明实施例1制备钠掺杂钼平面靶材断口的扫描电镜图。
具体实施方式
实施例1
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述钼粉的平均粒度为2.0μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为6.3％，余量为钼粉，所述去离子水的用量为钼粉质量的12.5％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为180MPa的条件下对钠掺杂钼颗粒进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；所述冷等静压模具优选为圆柱状的橡胶包套，所述板坯的尺寸为Φ110mm×18mm；
步骤三、将步骤二中所述板坯经机械加工修整至尺寸为Φ100mm×18mm，对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后优选采用真空电子束焊机将包套处理后的板坯抽真空密封；所述包套处理采用的包套材料为厚度为1mm的TA1纯钛薄板，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa；
步骤四、优选采用热压机在温度为1600℃，压力为50MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结3h，然后采用机械加工的方式对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到尺寸为Φ90mm×10mm的钠掺杂钼平面靶材；所述热压机的升温速率为20℃/min。
从图1中可以看出，本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材表面呈现明显的金属光泽，从图2中可以看出，该钠掺杂钼平面靶材的金相组织中晶粒均匀细小，从图3中可以看出，该钠掺杂钼平面靶材内部烧结晶粒呈现等轴状结构。
本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材的密度为9.8g/cm3，相对密度达到99％以上，含钠约1.2wt％，完全满足用于CIGS薄膜太阳能电池的溅射靶材所需的相对密度(95％)，且该钠掺杂钼平面靶材的晶粒更加细小、组织分布均匀，另外，由于热压烧结过程中板坯位于包套材料内，二水合钼酸钠不会逸出造成设备污染，可以实现在更高的温度下达到物料的致密化，对于提高钠掺杂钼平面靶材的致密度进而提高溅射后薄膜的晶体质量更具优势。
实施例2
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述钼粉的平均粒度为2.5μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为7.9％，余量为钼粉，所述去离子水的用量为钼粉质量的15％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为180MPa的条件下对钠掺杂钼颗粒进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；所述冷等静压模具优选为圆柱状的橡胶包套，所述板坯的尺寸为Φ110mm×18mm；
步骤三、将步骤二中所述板坯经机械加工修整至尺寸为Φ100mm×18mm，对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后优选采用真空电子束焊机将包套处理后的板坯抽真空密封；所述包套处理采用的包套材料为厚度为1mm的TA2纯钛薄板，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa；
步骤四、优选采用热压机在温度为1500℃，压力为50MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结4h，然后采用机械加工的方式对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到尺寸为Φ90mm×10mm的钠掺杂钼平面靶材；所述热压机的升温速率为15℃/min。
本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材表面具有金属光泽，金相组织中晶粒呈等轴状结构且均匀细小；该钠掺杂钼平面靶材的密度为9.6g/cm3，相对密度达到98％以上，含钠约1.5wt％，完全满足用于CIGS薄膜太阳能电池的溅射靶材所需的相对密度(95％)，且该钠掺杂钼平面靶材的晶粒更加细小、组织分布均匀，另外，由于热压烧结过程中板坯位于包套材料内，二水合钼酸钠不会逸出造成设备污染，可以实现在更高的温度下达到物料的致密化，对于提高钠掺杂钼平面靶材的致密度进而提高溅射后薄膜的晶体质量更具优势。
实施例3
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述钼粉的平均粒度为2.5μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为7.9％，余量为钼粉，所述去离子水的用量为钼粉质量的5％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为180MPa的条件下对钠掺杂钼颗粒进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；所述冷等静压模具优选为圆柱状的橡胶包套，所述板坯的尺寸为Φ110mm×18mm；
步骤三、将步骤二中所述板坯经机械加工修整至尺寸为Φ100mm×18mm，对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后优选采用真空电子束焊机将包套处理后的板坯抽真空密封；所述包套处理采用的包套材料为厚度为2mm的不锈钢薄板，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa；
步骤四、优选采用热压机在温度为1400℃，压力为45MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结4h，然后采用机械加工的方式对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到尺寸为Φ90mm×10mm的钠掺杂钼平面靶材；所述热压机的升温速率为25℃/min。
本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材表面具有金属光泽，金相组织中晶粒呈等轴状结构且均匀细小；该钠掺杂钼平面靶材的密度为9.54g/cm3，相对密度达到97％以上，含钠约1.5wt％，完全满足用于CIGS薄膜太阳能电池的溅射靶材所需的相对密度(95％)，且该钠掺杂钼平面靶材的晶粒更加细小、组织分布均匀，另外，由于热压烧结过程中板坯位于包套材料内，二水合钼酸钠不会逸出造成设备污染，可以实现在更高的温度下达到物料的致密化，对于提高钠掺杂钼平面靶材的致密度进而提高溅射后薄膜的晶体质量更具优势。
实施例4
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述钼粉的平均粒度为3.0μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为26.3％，余量为钼粉，所述去离子水的用量为钼粉质量的20％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为200MPa的条件下进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；所述冷等静压模具优选为圆柱状的橡胶包套，所述板坯的尺寸为Φ120mm×20mm；
步骤三、将步骤二中所述板坯经机械加工修整至尺寸为Φ115mm×20mm，对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后优选采用真空电子束焊机将包套处理后的板坯抽真空密封；所述包套处理采用的包套材料为厚度为1.5mm的不锈钢薄板，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa；
步骤四、优选采用热压机在温度为1300℃，压力为55MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结4.5h，然后采用机械加工的方式对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到尺寸为Φ105mm×14mm的钠掺杂钼平面靶材；所述热压机的升温速率为20℃/min。
本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材表面具有金属光泽，金相组织中晶粒呈等轴状结构且均匀细小；该钠掺杂钼平面靶材的密度为9.65g/cm3，相对密度达到98％以上，含钠约5wt％，完全满足用于CIGS薄膜太阳能电池的溅射靶材所需的相对密度(95％)，且该钠掺杂钼平面靶材的晶粒更加细小、组织分布均匀，另外，由于热压烧结过程中板坯位于包套材料内，二水合钼酸钠不会逸出造成设备污染，可以实现在更高的温度下达到物料的致密化，对于提高钠掺杂钼平面靶材的致密度进而提高溅射后薄膜的晶体质量更具优势。
实施例5
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述钼粉的平均粒度为2.3μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为5.26％，余量为钼粉，所述去离子水的用量为钼粉质量的5％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为160MPa的条件下进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；所述冷等静压模具优选为圆柱状的橡胶包套，所述板坯的尺寸为Φ115mm×20mm；
步骤三、将步骤二中所述板坯经机械加工修整至尺寸为Φ112mm×20mm，对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后优选采用真空电子束焊机将包套处理后的板坯抽真空密封；所述包套处理采用的包套材料为厚度为1.5mm的TA1纯钛薄板，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa；
步骤四、优选采用热压机在温度为1200℃，压力为55MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结5h，然后采用机械加工的方式对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到尺寸为Φ110mm×14mm的钠掺杂钼平面靶材；所述热压机的升温速率为20℃/min。
本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材表面具有金属光泽，金相组织中晶粒呈等轴状结构且均匀细小；该钠掺杂钼平面靶材的密度为9.70g/cm3，相对密度达到98.5％以上，含钠约1wt％，完全满足用于CIGS薄膜太阳能电池的溅射靶材所需的相对密度(95％)，且该钠掺杂钼平面靶材的晶粒更加细小、组织分布均匀，另外，由于热压烧结过程中板坯位于包套材料内，二水合钼酸钠不会逸出造成设备污染，可以实现在更高的温度下达到物料的致密化，对于提高钠掺杂钼平面靶材的致密度进而提高溅射后薄膜的晶体质量更具优势。
实施例6
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述钼粉的平均粒度为2.5μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为15.8％，余量为钼粉，所述去离子水的用量为钼粉质量的10％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为160MPa的条件下对钠掺杂钼颗粒进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；所述冷等静压模具优选为圆柱状的橡胶包套，所述板坯的尺寸为Φ115mm×20mm；
步骤三、将步骤二中所述板坯经机械加工修整至尺寸为Φ112mm×20mm，对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后优选采用真空电子束焊机将包套处理后的板坯抽真空密封；所述包套处理的包套材料为厚度为1mm的不锈钢薄板，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa；
步骤四、优选采用热压机在温度为1200℃，压力为55MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结5h，然后采用机械加工的方式对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到尺寸为Φ110mm×15mm的钠掺杂钼平面靶材；所述热压机的升温速率为15℃/min。
本实施例制备的钠掺杂钼平面靶材表面具有金属光泽，金相组织中晶粒呈等轴状结构且均匀细小；该钠掺杂钼平面靶材的密度为9.76g/cm3，相对密度达到98.5％以上，含钠约3wt％，完全满足用于CIGS薄膜太阳能电池的溅射靶材所需的相对密度(95％)，且该钠掺杂钼平面靶材的晶粒更加细小、组织分布均匀，另外，由于热压烧结过程中板坯位于包套材料内，二水合钼酸钠不会逸出造成设备污染，可以实现在更高的温度下达到物料的致密化，对于提高钠掺杂钼平面靶材的致密度进而提高溅射后薄膜的晶体质量更具优势。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
Claims (9)
1.一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将钼粉和二水合钼酸钠的混合粉末与去离子水搅拌均匀，喷雾干燥处理后得到钠掺杂钼颗粒；所述混合粉末中二水合钼酸钠的质量含量为5.26％～26.3％，余量为钼粉，所述钼粉的平均粒度为2.0μm～3.0μm，所述钼粉的粒度分布为1μm～10μm，所述去离子水的用量为钼粉质量的5％～20％；
步骤二、将步骤一中所述钠掺杂钼颗粒装入冷等静压模具后密封，在压力为160MPa～200MPa的条件下进行冷等静压压制，压制后去除冷等静压模具，得到板坯；
步骤三、对步骤二中所述板坯进行包套处理，然后将包套处理后的板坯抽真空密封；
步骤四、在温度为1200℃～1600℃，压力为45MPa～55MPa的条件下将步骤三中经抽真空密封后的板坯热压烧结3h～5h，然后对热压烧结后的板坯进行去包套处理，得到钠掺杂钼平面靶材。
2.按照权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中采用真空电子束焊机进行抽真空密封，所述真空电子束焊机的真空度不大于10-2Pa。
3.按照权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中采用热压机进行热压烧结，所述热压机的升温速率为15℃/min～25℃/min。
4.按照权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中所述热压烧结的温度为1200℃～1400℃。
5.按照权利要求4所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中所述包套处理采用的包套材料为不锈钢薄板。
6.按照权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中所述包套处理采用的包套材料为纯钛薄板。
7.按照权利要求6所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，所述纯钛薄板为TA1纯钛薄板或TA2纯钛薄板。
8.按照权利要求5或6所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，所述包套材料的厚度为1mm～2mm。
9.按照权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中所述冷等静压模具为橡胶包套。
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