TWI634140B - 聚乙烯醇系聚合物薄膜及薄膜捲 - Google Patents

聚乙烯醇系聚合物薄膜及薄膜捲 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種可收率良好地製造缺陷少之偏光薄膜及偏光板之PVA系聚合物薄膜，以及提供一種可製造從PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分至捲繞結束部分之表面特性之差異小且品質安定之偏光薄膜及偏光板的薄膜捲。
本發明係提供一種以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上為缺點之數在0.25個/m2以下的PVA系聚合物薄膜，以及提供一種長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲，對於以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上之缺點，該薄膜捲係相對於PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分中之該缺點數，PVA系聚合物薄膜之捲繞結束部分中之該缺點數為1.4倍以下。

Description

聚乙烯醇系聚合物薄膜及薄膜捲
本發明係有關一種可在偏光薄膜之製造時作為薄膜料捲等使用之聚乙烯醇系聚合物薄膜(以下，亦可將「聚乙烯醇」簡稱為「PVA」)、使用該聚乙烯醇系聚合物薄膜之偏光薄膜的製造方法，及偏光薄膜、PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲以及PVA系聚合物薄膜之製造方法。
PVA系聚合物薄膜係使用在利用有關透明性‧光學特性‧機械強度‧水溶性等之獨特性質的各種用途上，特別是，近來，利用該優異之光學特性而擴大了作為構成液晶顯示器(LCD)之基本構成要素的偏光板之偏光薄膜的製造原料(薄膜料捲)之用途。雖在液晶監聽器及液晶電視之領域中急速推展大銀幕，偏光板如有缺點即無法組入製品中而使良率(製品收成率)降低，故而要求比目前更無缺點之偏光板及偏光薄膜。
然而，已知有關偏光膜以外另包含保護膜及相位差膜等之光學薄膜，至今已有各種的技術。例如將聚酯、聚醯胺、聚烯烴之熱塑性樹脂加熱至該熔點以上作成熔融聚合物，並將此以噴嘴擠出並冷卻，在製造光 學用途等中使用之薄膜時等，存在於聚合物中之寡聚物(低聚物)在薄膜製造中析出表面並附著於鑄造轉筒或輥表面成為薄膜表面之缺點之問題，而已知用以解除該問題之方法係使用一種薄膜之製造裝置，該裝置係使用外周面之表面粗糙度在1S以下且表面具有相對於鉻原子含有碳原子之原子個數為0.5至5%之鍍鉻覆膜之薄膜製造用轉筒或輥(參照專利文獻1)。專利文獻1中具體記載：將聚對苯二甲酸乙二酯在275℃中熔融，經由T模擠出並在冷卻至25℃之鑄造轉筒中急驟冷卻作成非晶片之後，以配置在比鑄造轉筒更下游側之複數個金屬輥進行加熱或冷卻時，作為部分之該複數之金屬輥係使用具有特定之鍍鉻皮膜而成之輥。
並且，已知將高分子樹脂溶液流鑄於支撐體上以溶液成膜製造薄膜時，為解除表面缺點(薄膜表面有凸出物浮起之缺點)而得到可用於光學用途之透明性與表面平坦性優異之高分子樹脂薄膜，所使用之支撐體表面所存在之特定尺寸之缺點的每單位面積之數設為特定數值以下(參照專利文獻2)。專利文獻2中具體記載一種芳香族聚碳酸酯薄膜，其係使用使芳香族聚碳酸酯樹脂溶於乙醇與二氯甲烷之混合溶媒中而成之溶液與具有特定之表面特性的支撐體(由SUS-316而成之鏡面研磨板)，將該等之任一者溫度調整成15℃左右，並將該溶液以手製鑄模塗布在支撐體上並加以乾燥而製成者。
更且，已知以將經擠出機熔融擠出之膜狀的熱塑性樹脂(含有脂環式構造之聚合物或纖維素酯等)經 由冷卻轉筒冷卻之熔融流鑄製膜法而製造光學薄膜時，作為用以解除冷卻轉筒強力附著污垢或異物而產生稱為「壓傷」之外觀缺陷的問題等之方法，係使有機溶媒附著於冷卻轉筒表面，接著經由擦拭方法擦拭冷卻轉筒表面，與有機溶媒一起去除冷卻轉筒表面之污垢，再於擦拭後之冷卻轉筒表面部分，使由擠出機熔融擠出之膜狀的熱塑性樹脂附著並冷卻，藉此而製造光學薄膜(參照專利文獻3)。專利文獻3中記載，將包含有降莰烯系開環聚合物之氫化物及乙酸丙酸纖維素的混合物熔融擠出，使膜狀之樹脂熔融物密接於備有特定之清掃裝置之冷卻轉筒(具有維氏硬度800之硬化鍍鉻覆膜表面或維氏硬度1200之非晶質鍍鉻覆膜表面者)，使一邊運送一邊冷卻固化而成樹脂薄片。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-207210號公報
[專利文獻2]日本特開2000-84960號公報
[專利文獻3]日本特開2006-82261號公報
[專利文獻4]日本特公平1-19477號公報
[專利文獻5]日本特開2005-238833號公報
[專利文獻6]日本特開平9-1568號公報
[專利文獻7]日本特開2001-315138號公報
然而，僅單純地採用上述之以往技術，要以近年來所要求的等級製造缺陷少之偏光薄膜或偏光板者實為困難。亦即，在專利文獻1中，係需要將熱塑性樹脂加熱至其熔點以上作成熔融聚合物，惟PVA系聚合物除了特殊之改質PVA系聚合物，非為熱塑性樹脂，難以將如此之製膜方法採用在PVA系聚合物薄膜之製造中，例如即使可以採用亦無法得到表面特性優異之薄膜。並且，作為PVA系聚合物薄膜之製造方法，已知有使用PVA系聚合物溶解於液體介質而成之製膜原液或包含PVA系聚合物與液體介質並將PVA系聚合物熔融之製膜原液，將此流鑄於支撐體上並使乾燥而製膜之方法，惟該方法與實質上未含如專利文獻1中所記載之液體介質的熔融聚合物在鑄造轉筒上冷卻製膜之方法大為不同，因此，假使單獨地使用如專利文獻1中所記載之薄膜製造用轉筒，使用上述之製膜原液，即使將此流鑄在該膜製造用轉筒上並使之乾燥而製造PVA系聚合物薄膜製成膜，亦無法充分地控制存在於該薄膜製造用轉筒所具有之鍍鉻覆膜之表面的微細裂痕之細微的缺點，使用所得之PVA系聚合物薄膜所製造之偏光板或偏光薄膜無法充分達成近年來所要求的品質等級。
另一方面，專利文獻2係有關一種製膜方法，係將以高分子樹脂與溶媒為主成分之溶液澆鑄在支撐體上使之乾燥再去除溶媒者，惟例如即使藉由單純地採用專利文獻2之方法而可消除薄膜表面浮出凸起狀之缺點，亦無法充分地控制薄膜表面凹陷之缺點，使用所得PVA 系聚合物薄膜所製造之偏光板或偏光薄膜並無法充分達成近年來所要求的品質等級。
並且，專利文獻3之方法與專利文獻1之方法相同，係熱塑性樹脂之熔融物以冷卻轉筒冷卻者，故難以將專利文獻3之方法採用在PVA系聚合物薄膜之製造中，例如即使可以採用亦無法得到表面特性優異之薄膜。並且，假使單純地採用專利文獻3所記載之擦拭手段，使用PVA系聚合物溶解於液體介質而成之製膜原液或包含PVA系聚合物與液體介質並將PVA系聚合物熔融之製膜原液，將此流鑄於金屬支撐體上並使乾燥而製成PVA系聚合物薄膜，亦無法充分地控制凹狀之缺點，反而是，藉由使金屬支撐體表面接觸擦拭手段而在金屬支撐體表面產生裂痕等之缺陷，反而使所得PVA系聚合物薄膜的表面特性惡化。
在如上述之狀況下，本發明之目的係提供一種可收率良好地製造缺陷少之偏光薄膜及偏光板之PVA系聚合物薄膜。並且，本發明之目的係提供一種長形的PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲，以及提供一種可製造從PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分至捲繞結束部分之表面特性之差異小且品質安定之偏光薄膜及偏光板的薄膜捲。
並且，PVA系聚合物薄膜因保存及運送容易且可連續使用等之理由，而大多成為長形的PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲的形態，故在如此之薄膜捲中，因薄膜間的滑性不良等而容易在薄膜上產生皺摺 ，如此之皺摺容易成為使所製造之偏光薄膜之品質降低之原因。另一方面，在偏光薄膜中，上述缺陷亦有要求降低不同染色不均之情形。此處，本發明之另一面的目的係提供一種薄膜捲中不易產生皺摺且可容易地製造降低染色不均之偏光薄膜的PVA系聚合物薄膜，以及以此連續捲繞而成之薄膜捲。
並且，在使用PVA系聚合物薄膜作為薄膜料捲製造偏光薄膜時，通常，相對於PVA系聚合物薄膜係施行染色、單軸拉伸及固定處理等，惟以乾式進行單軸拉伸時，係在染色步驟及固定處理步驟中、並且，以濕式進行單軸拉伸時，除了該等步驟，係在單軸拉伸前的膨潤步驟及單軸拉伸步驟中，在使用之處理浴中係有部分PVA系聚合物溶出，溶出之PVA系聚合物在處理浴中析出並附著於薄膜或在薄膜上析出，作為異物殘留於所得偏光薄膜，而有品質及收率降低之情形。因此，本發明之目的係提供一種製造如此之異物少的偏光薄膜用的偏光薄膜之製造方法，以及藉此而製造之異物少的偏光薄膜。
更且，本發明之目的係提供一種可簡便地製造如上述之PVA系聚合物薄膜及薄膜捲之PVA系聚合物薄膜的製造方法。
本發明者等為達成上述目的而專心致志反覆檢討之結果，發現將溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物流鑄在轉筒或帶之金屬支撐體的表面上並使之乾燥而 製造PVA系聚合物薄膜時，存在於該金屬支撐體之表面的無數個裂痕中之小部分附著認為是樹脂堆積物的異物，並由此之凸狀轉印至薄膜等，成為薄膜表面凹陷之缺點數多的PVA系聚合物薄膜、以及如此之PVA系聚合物薄膜係由此而製造之偏光薄膜及偏光板中，缺陷變多，無法充分達成近年來所要求的品質等級，或導致偏光薄膜及偏光板的收率降低等之問題。
而且，在使用表面具有鍍鉻層以及表面硬度在特定範圍之金屬支撐體時，在如拋光研磨等之製膜開始前，經由於金屬支撐體之表面施行的一般性處理，亦可易於減低存在於金屬支撐體表面的裂痕數，相較於以往，可減低所得PVA系聚合物薄膜之薄膜表面凹陷之缺點數，以如此之PVA系聚合物薄膜作為偏光薄膜製造用的薄膜料捲使用時，發現出可收率良好地製造缺陷少、滿足近年來所要求之品質等級的偏光薄膜及偏光板。
並且，除了上述知識，亦發現出在使用表面具有鍍鉻層以及表面硬度在特定範圍之金屬支撐體時，PVA系聚合物薄膜即使經長時間連續製膜，亦可使薄膜表面凹陷之缺點數的變動維持在比往常低的等級，例如：在製造長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲時，可使從PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分至捲繞結束部分的表面特性之差異變小，可容易得到可製造品質安定之偏光薄膜及偏光板之薄膜捲。
更且，在使用表面具有鍍鉻層且表面硬度在特定範圍之金屬支撐體時，發現可容易得到薄膜兩面之 表面特性在特定範圍之PVA系聚合物薄膜，該PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲中難以發生皺摺而可抑制偏光薄膜品質的降低，並且如依該PVA系聚合物薄膜亦可容易得到染色不均降低之偏光薄膜，以及如使用該PVA系聚合物薄膜並依特定方法製造偏光薄膜時，可容易得到異物少之偏光薄膜。
本發明者等依據如此之知識進一步反覆檢討，遂而完成本發明。
亦即，本發明係有關下述者：
[1]一種PVA系聚合物薄膜，其以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上為缺點之數在0.25個/m2以下(以下，亦有將該PVA系聚合物薄膜稱為「PVA系聚合物薄膜(1)」之情形)；
[2]如上述[1]之PVA系聚合物薄膜，其中上述缺點之數在0.15個/m2以下；
[3]如上述[1]或[2]之PVA系聚合物薄膜，其中PVA系聚合物薄膜中所含之PVA系聚合物的聚合度為3,000以上10,000以下；
[4]如上述[1]至[3]中任一者之PVA系聚合物薄膜，其係長形聚乙烯醇系聚合物薄膜；
[5]如上述[4]之PVA系聚合物薄膜，其長度為6,000m以上；
[6]如上述[4]或[5]之PVA系聚合物薄膜，其中上述缺點係包含在薄膜的長度方向以實質上固定間隔實質上存在於薄膜的寬度方向之相同位置之缺點；
[7]一種薄膜捲，係長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成者，對於以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上之缺點，相對於PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分中之該缺點數，PVA系聚合物薄膜之捲繞結束部分中之該缺點數為1.4倍以下(以下，亦有將薄膜捲稱為「薄膜捲(1)」之情形)；
[8]如上述[7]之薄膜捲，其中上述缺點之數係0.25個/m2以下；
[9]如上述[7]之薄膜捲，其中上述缺點之數係0.15個/m2以下；
[10]如上述[7]至[9]中任一者之薄膜捲，其中PVA系聚合物薄膜中所含之PVA系聚合物之聚合度為3,000以上10,000以下；
[11]如上述[7]至[10]中任一者之薄膜捲，其中聚乙烯醇系聚合物薄膜之長度係6,000m以上；
[12]如上述[7]至[11]中任一者之薄膜捲，其中上述缺點係包含在薄膜的長度方向以實質上固定間隔實質上存在於薄膜的寬度方向之相同位置之缺點；
[13]一種PVA系聚合物薄膜，係分別在薄膜之兩面中測定均方根粗糙度時，所得2組之均方根粗糙度之差在0.3nm以上10nm以下，較小的均方根粗糙度在10nm以下(以下，亦有將該PVA系聚合物薄膜稱為「PVA系聚合物薄膜(2)」之情形)；
[14]如上述[13]之PVA系聚合物薄膜，其中較大的均方根粗糙度在1nm以上20nm以下；
[15]如上述[13]或[14]之PVA系聚合物薄膜，其係長形之PVA系聚合物薄膜；
[16]一種薄膜捲，係如上述[15]之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成者(以下，亦有將該薄膜捲稱為「薄膜捲(2)」之情形)。
[17]一種偏光薄膜之製造方法，係將如上述[13]至[15]中任一者之PVA系聚合物薄膜作為薄膜料捲使用，其具有染色步驟、單軸拉伸步驟、固定處理步驟以及乾燥步驟，在進入乾燥步驟之前的最後之處理浴中取出時，處理浴之液面與薄膜面所成之角度在30°以上85°以下，且薄膜上方側之面係在聚乙烯醇系聚合物薄膜中具有較小的均方根粗糙度之面；
[18]一種偏光薄膜，係藉由如上述[17]之製造方法所製造；
[19]一種PVA系聚合物薄膜之製造方法，係具有：表面有鍍鉻層，表面硬度之維氏硬度為550HV以上且小於900HV，表面溫度在50℃以上115℃以下之金屬支撐體的表面上，將溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物流鑄並使之乾燥而製膜之步驟，將溶液狀態或熔融狀態之聚乙烯醇系聚合物開始流鑄前，金屬支撐體之表面中的面積(最大寬度與最大端部間距離之積)在200μm2以上之龜裂數為0.7個/mm2以下；
[20]如上述[19]之製造方法，其中溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物係包含PVA系聚合物與水之製膜原液的形態；
[21]如上述[19]或[20]之製造方法，其中上述PVA系聚合物之聚合度為3,000以上10,000以下；
[22]如上述[19]至[21]中任一者之製造方法，其中上述金屬支撐體之表面硬度之維氏硬度為600HV以上且小於800HV；
[23]如上述[19]至[22]中任一者之製造方法，其中具有：表面有鍍鉻層，表面硬度之維氏硬度為550HV以上且小於900HV之金屬支撐體的表面溫度以0.5℃/小時以上之變溫速度作成50℃以上115℃以下之步驟；
[24]如[19]至[23]中任一者之製造方法，其係製造如上述[1]至[6]以及[13]至[15]中任一者之PVA系聚合物薄膜者。
如依本發明，即可提供一種PVA系聚合物薄膜，其係可收率良好地製造缺陷少之偏光薄膜以及偏光板。並且，如依本發明，即可提供一種長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲，其可製造從PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分至捲繞結束部分之表面特性之差異小且品質安定之偏光薄膜及偏光板。
如依本發明，即可提供薄膜捲中不易產生皺摺且可容易地製造降低染色不均之偏光薄膜的PVA系聚合物薄膜及將此連續捲繞而成之薄膜捲；以及用以製造異物少之偏光薄膜的偏光薄膜之製造方法以及藉此而製造異物少之偏光薄膜。
如依本發明，即可提供一種可簡便地製造上 述PVA系聚合物薄膜及薄膜捲之PVA系聚合物薄膜的製造方法。
[實施發明之形態]
以下，進一步詳細說明本發明。
[PVA系聚合物薄膜(1)]
本發明之PVA系聚合物薄膜[PVA系聚合物薄膜(1)]係以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上為缺點(以下，該缺點亦有稱為「缺點A」之情形)之數在0.25個/m2以下。存在於塑膠薄膜之缺點係可列舉如：薄膜中之空隙(氣泡)；因異物之混入‧附著的所謂魚眼：薄膜在操作中所產生之傷痕(多數為溝狀之凹進)；因製膜裝置上之凸形狀轉印所形成之缺點等，本發明者等發現，藉由特別控制上述缺點A之數即可達到可收率良好地製造缺陷少之偏光薄膜及偏光板等的優異效果。該缺點A可認為是上述製膜裝置上之凸形狀轉印之原因之一，特別是，如後述之，在使用轉筒或帶之金屬支撐體製造PVA系聚合物薄膜時，可認為是附著於金屬支撐體上之樹脂堆積物的異物使凸形狀轉印在薄膜之原因之一。由如此之原因，在長形之PVA系聚合物薄膜產生缺點A時，缺點A中之至少部分係有在薄膜的長度方向以實質上固定間隔且在薄膜的寬度方向實質上相同位置複數(例如3個以上)排列之傾向。其中，上述實質上固定間隔 ，典型上係對應轉筒或帶之金屬支撐體的一周分長度(全周長)，依情況，亦有對應一周分長度之整數倍的情形。並且，由異物之凸形狀可在金屬支撐體形成複數個，因此，如上述排列之缺點A之群組亦可存在複數個。
如上述之本發明的PVA系聚合物薄膜(1)中，缺點A之數必須在0.25個/m2以下。缺點A之數超出0.25個/m2時，由此所製造之偏光薄膜或偏光板中的缺陷增多，無法充分達成近年來所要求的品質等級，藉由廢棄缺陷多的偏光薄膜或偏光板等導致該等製品收率的降低。由如此之觀點，缺點A之數以0.20個/m2以下為佳，以0.15個/m2以下更佳，以0.10個/m2以下又更佳，尤以0.075個/m2以下為特佳。
另外，對於缺點A之數的下限並無特別限定，惟為了使缺點A之數變的極少，會有設置製膜設備用的成本變的極高等之虞慮，因此，缺點A之數以0.001個/m2以上為佳，以0.003個/m2以上更佳，以0.005個/m2以上又更佳。
缺點A係薄膜表面凹陷之缺點，以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上為缺點者。此處，缺點A係薄膜兩面中之至少一面向薄膜內部凹陷者即是，通常，缺點A之大部分係由與製膜時使用之下述之金屬支撐體接觸之面向薄膜內部凹陷。並且，缺點A之面積係指缺點A之開口部面積。更且，缺點A之深度係指由缺點A之開口部對薄膜面為垂直之方向的深度，為最深位置之深度。
缺點A之數(單位為個/m2)係，可由成為對象之PVA 系聚合物薄膜的一方之端尋找缺點A，發現以10個缺點A為止所檢查之PVA系聚合物薄膜的面積(單位為m2)除以10(個)而求得，具體上在實施例中可經由下述方法而求取。其中，每個缺點是否為缺點A之判斷係可使用非接觸式表面輪廓儀進行。
PVA系聚合物薄膜(1)之形狀並無特別限制，在使用該PVA系聚合物薄膜(1)作為偏光薄膜製造用之薄膜料捲時等之中，可產量優異地連續製造偏光薄膜，故以長形之PVA系聚合物薄膜為佳。
該長形之PVA系聚合物薄膜的長度並無特別限制，可因應PVA系聚合物薄膜(1)之用途等而適當地設定，具體而言，該長度係以1,000m以上為佳，以4,000m以上更佳，以6,000m以上又更佳，以7,000m以上為特佳，又以8,000m以上為最佳。特別是，如依下述PVA系聚合物薄膜之製造方法，除了可降低PVA系聚合物薄膜之缺點A的數，並且，歷經長時間連續製造PVA系聚合物薄膜時，亦可將缺點A之數的變動維持在低的等級，因此，即使上述長度更長(例如：6,000m以上)時，亦可簡便地得到缺點A之數降低之PVA系聚合物薄膜。而且如依如此更長之PVA系聚合物薄膜，在連續製造偏光薄膜時，歷經長時間即可收率良好地穩定製造缺陷少且可滿足近年來所要求的品質等級，並且，亦可減低更換薄膜捲所隨之而來的繁瑣及時間損失。長形之PVA系聚合物薄膜的長度上限並無特別限制，惟過長時，在作成薄膜捲時，重量及薄膜捲徑變的過大等，而有操作性降低使保管及運送 變的困難之情形等，因此該長度以30,000m以下為佳，以25,000m以下更佳，以20,000m以下又更佳。
長形之PVA系聚合物薄膜的寬度並無特別限制，可作成例如0.5m以上，惟近年來要求寬幅的偏光薄膜，故以1m以上為佳，以2m以上更佳，以4m以上又更佳。該長形之PVA系聚合物薄膜的寬度上限並無特別限制，惟該幅寬過於寬廣時，在以實用化裝置製造偏光薄膜時等，會有均一拉伸變難之傾向，故PVA系聚合物薄膜之寬度以7m以下為佳。
PVA系聚合物薄膜(1)之厚度並無特別限制，惟可依PVA系聚合物薄膜之用途等而適當地設定，具體上，該厚度以300μm以下為佳，以150μm以下更佳，以100μm以下又更佳。並且，近年來亦有要求薄的偏光薄膜，由如此觀點等，PVA系聚合物薄膜(1)之厚度以45μm以下為佳，以35μm以下更佳，以25μm以下又更佳。PVA系聚合物薄膜(1)之厚度下限並無特別限制，惟可更滑順地製造偏光薄膜等，該厚度以3μm以上為佳，以5μm以上更佳。
構成PVA系聚合物薄膜(1)之PVA系聚合物係可使用藉由將乙烯酯系單體聚合而得之乙烯酯系聚合物進行皂化所製造者。乙烯酯系單體之例可列舉如：甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、戊酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、支鏈烷烴羧酸乙烯酯(vinyl versatate)等，該等之中以乙酸乙烯酯為佳。
上述乙烯酯系聚合物係以僅使用作為單體之1種或2種以上之乙烯酯系單體而得者為佳，以僅使用作為單體之1種之乙烯酯系單體而得者更佳，亦可使用1種或2種以上之乙烯酯系單體與可與此共聚之其它單體的共聚物。
如此之可與乙烯酯系單體共聚之其它單體之例可列舉如：乙烯；丙烯、1-丁烯、異丁烯等碳數3至30之烯烴；丙烯酸或其鹽；丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯等丙烯酸酯；甲基丙烯酸或其鹽；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸十二酯、甲基丙烯酸十八酯等甲基丙烯酸酯；丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、丙烯醯胺丙磺酸或其鹽、丙烯醯胺丙基二甲胺或其鹽、N-羥甲基丙烯醯胺或其衍生物等之丙烯醯胺衍生物；甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺丙磺酸或其鹽、甲基丙烯醯胺丙基二甲胺或其鹽、N-經甲基甲基丙烯醯胺或其衍生物等之甲基丙烯醯胺衍生物；N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮等之N-乙烯醯胺；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、異 丁基乙烯基醚、第三丁基乙烯基醚、十二基乙烯基醚、硬脂基乙烯基醚等之乙烯基醚；丙烯腈、甲基丙烯腈等之丙烯腈；氯乙烯、二氯乙烯、氟乙烯、二氟乙烯等之鹵乙烯；乙酸丙烯酯、氯丙烯等之丙烯基化合物；馬來酸或其鹽、酯或酸酐；伊康酸或其鹽、酯或酸酐；乙烯三甲氧矽烷等之乙烯矽烷化合物；乙酸異丙烯酯等。上述乙烯酯系聚合物可具有源自該等之其它的單體中之1種或2種以上之構造單元。
上述乙烯酯系聚合物中所佔之源自上述其它單體的構造單元之比例並無特別限制，惟依據構成乙烯酯系聚合物之全部構造單元的莫耳數，以15莫耳%以下為佳，以5莫耳%以下更佳。
PVA系聚合物之聚合度不一定有限制，惟隨著聚合度的下降，薄膜強度有降低之傾向，故以200以上為佳，以300以上更佳，以400以上又更佳，尤以500以上為特佳。並且，聚合度過高時，水溶液或熔融之PVA系聚合物的黏度增高，而有難以製膜之傾向，故以10,000以下為佳，以9,000以下更佳，以8,000以下又更佳，以7,000以下為特佳。此處，PVA系聚合物之聚合度係指依據JIS K6726-1994之記載所測定之平均聚合度，將PVA系聚合物再皂化，精製後，在30℃之水中測定之極限黏度[η](單位：dl/g)，由此極限黏度[η]經下式而求取。
聚合度=([η]×103/8.29)(1/0.62)
並且，使用聚合度在3,000以上10,000以下之範圍內的PVA系聚合物並以下述方法製造PVA系聚合物 薄膜時，除了可得到缺點A之數極少之PVA系聚合物薄膜，同時將PVA系聚合物薄膜歷經長時間連續製膜，亦可維持缺點A之數的變動在更低等級，因而為佳。由如此之觀點，PVA系聚合物之聚合度以4,000以上更佳，以5,000以上又更佳。而且，藉由使用聚合度在3,000以上10,000以下之範圍內的PVA系聚合物而達成上述效果之理由並不一定清楚，惟可認為PVA系聚合物薄膜中之缺點A之數，使以溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物易於滲入金屬支撐體表面所存在之裂痕的情形增加，推論在使用上述聚合度之PVA系聚合物時可抑制該滲入之故。
PVA系聚合物之皂化度並無特別限制，惟例如可使用60莫耳%以上之PVA系聚合物，惟在使用PVA系聚合物薄膜，特別是偏光薄膜等之作為光學薄膜製造用之薄膜料捲使用時等，PVA系聚合物之皂化度以95莫耳%以上為佳，以98莫耳%以上更佳，以99莫耳%以上又更佳。此處，PVA系聚合物之皂化度係指，相對於PVA系聚合物所具有之經皂化而轉換為乙烯醇單元之構造單元(通常為乙烯酯系單體單元)與乙烯醇單元之總莫耳數，該乙烯醇單元之莫耳數所占的比例(莫耳%)。PVA系聚合物之皂化度可依據JIS K6726-1994之記載而測定。
在製造PVA系聚合物薄膜(1)時，可單獨地使用1種之PVA系聚合物，亦可將聚合度、皂化度、改質度等中之1個或2個以上互為相異之2種以上的PVA系聚合物併用。PVA系聚合物薄膜(1)中之PVA系聚合物的含有率以50質量%以上為佳，以70質量%以上更佳，以85質量 %以上又更佳。
PVA系聚合物薄膜(1)以包含塑化劑為佳。PVA系聚合物薄膜(1)藉由包含塑化劑即可防止作成薄膜捲時之皺摺的發生，及提高二次加工時之步驟的通過性。塑化劑係以多元醇為佳，具體上可列舉例如：乙二醇、丙三醇、二丙三醇、丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、三羥甲基丙烷等。該等塑化劑可單獨使用，亦可將2種以上併用。該等塑化劑中，由與PVA系聚合物之相溶性及取得性等之觀點，以乙二醇或丙三醇為佳。
PVA系聚合物薄膜(1)中之塑化劑含量，相對於PVA系聚合物100質量份，以在1至30質量份之範圍內為佳，以在3至25質量份之範圍內更佳，以在5至20質量份之範圍內又更佳。
PVA系聚合物薄膜(1)，由提升其製造中使用之金屬支撐體的剝離性及提升PVA系聚合物薄膜之操作性等之觀點，以包含界面活性劑為佳。界面活性劑之種類並無特別限制，可適用陰離子性或非陰離子性之界面活性劑。
陰離子性界面活性劑之例可列舉如：月桂酸鉀等之羧酸型、硫酸辛基酯等之硫酸酯型、十二烷基苯磺酸酯型等之磺酸型等。
非陰離子性界面活性劑之例可列舉如：聚氧伸乙基油基醚等之烷基醚型；聚氧伸乙基辛基苯基醚等之烷基苯基醚型；聚氧伸乙基月桂酸酯等之烷基酯型；聚氧伸乙基月桂基胺基醚等之烷基胺型；聚氧伸乙基月桂醯胺 等之烷基醯胺型；聚氧伸乙基聚氧伸丙基醚等之聚丙二醇醚型；月桂酸二乙醇醯胺、油酸二乙醇醯胺等之烷醇醯胺型；聚氧伸烷基烯丙基苯基醚等之烯丙基苯基醚等。
該等界面活性劑可單獨使用1種或將2種以上併用。
PVA系聚合物薄膜(1)中之界面活性劑含量，由從金屬支撐體的剝離性及PVA系聚合物薄膜之操作性等之觀點，相對於PVA系聚合物100質量份，以在0.01至1質量份之範圍內為佳，以在0.02至0.5質量份之範圍內更佳，以在0.05至0.3質量份之範圍內又更佳。
PVA系聚合物薄膜(1)中，可因應必要進一步含有上述PVA系聚合物、塑化劑及界面活性劑以外之其它成分。如此之其它成分之例可列舉如：水分、抗氧化劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、著色劑、填充劑(無機物粒子、澱粉等)、防腐劑、抗黴劑、上述成分以外之其它的高分子化合物等。
[薄膜捲(1)]
本發明之薄膜捲(薄膜捲(1))係長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之薄膜捲，相對於PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分(PVA系聚合物薄膜作為薄膜捲而捲繞開始時之薄膜部分)中之上述缺點A之數，PVA系聚合物薄膜之捲繞結束部分(PVA系聚合物薄膜作為薄膜捲而捲繞結束時之薄膜部分)中之上述缺點A之數為1.4倍以下。如此之薄膜捲中，由於從PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分至捲繞結束部分之表面特性差異小，因此如由 該薄膜捲即可製造品質安定之偏光薄膜及偏光板。由如此之觀點，相對於PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分中之上述缺點A之數，PVA系聚合物薄膜之捲繞結束部分中之上述缺點A之數以1.3倍以下為佳，以1.2倍以下更佳，尤以1.1倍以下又更佳。並且，在長形之PVA系聚合物薄膜之製膜中，缺點A之數大致上有經時增加之傾向，故相對於PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分中之上述缺點A之數，PVA系聚合物薄膜之捲繞結束部分中之上述缺點A之數一般大多成為0.6倍以上，並且，從製造品質安定之偏光薄膜及偏光板等之觀點，相對於PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分中之上述缺點A之數，PVA系聚合物薄膜之捲繞結束部分中之上述缺點A之數以0.7倍以上為佳，以0.75倍以上更佳，尤以0.8倍以上又更佳，以0.9倍以上為特佳。
本發明之薄膜捲(1)之PVA系聚合物薄膜中，每單位面積之缺點A之數並無特別限制，惟作為本發明之PVA系聚合物薄膜(1)中之缺點A之數而滿足上述之數，亦即，缺點A之數為0.25個/m2以下(對於上限，以0.20個/m2以下為佳，以0.15個/m2以下更佳，以0.10個/m2以下又更佳，尤以0.075個/m2以下為特佳；對於下限，以0.001個/m2以上為佳，以0.003個/m2以上更佳，以0.005個/m2以上又更佳)時，在連續製造偏光薄膜時，歷經長時間即可收率良好地穩定製造缺陷少且可滿足近年來所要求的品質等級，因而為佳。對於上述每單位面積之缺點A之數，在PVA系聚合物薄膜之捲繞開始部分與捲繞結 束部分之兩者，如為滿足上述之數，可認為是該數係滿足該PVA系聚合物薄膜之全部者。
本發明之薄膜捲(1)中使用之PVA系聚合物薄膜的長度(捲繞長度)並無特別限制，惟可因應PVA系聚合物薄膜之用途等而適當地設定，具體上，該長度可作成1,000m以上。然而，近年來，在偏光薄膜之製造中，為了降低薄膜捲在替換時所帶來的繁瑣及時間上的浪費，而有要求比以往4,000m左右之長度更長的PVA系聚合物薄膜之情形，即使在使用如此之更長PVA系聚合物薄膜並經長時間連續製造偏光薄膜時，亦可使製品之品質安定，故PVA系聚合物薄膜之長度以6,000m以上為佳，以7,000m以上更佳，尤以8,000m以上又更佳。長形之PVA系聚合物薄膜之長度上限並無特別限制，惟過長時，在作成薄膜捲時，因重量及膜捲徑變的過大等使操作性降低而有難以保管及運送之情形，並且，由於會有難以製造滿足本發明之規定的薄膜捲之傾向等，故該長度以30,000m以下為佳，以25,000m以下更佳，尤以20,000m以下又更佳。而且，該長度如為14,000m以下，尤其在10,000m以下時，即可更容易製造滿足本發明之規定的薄膜捲。
在有關本發明之薄膜捲(1)中使用之PVA系聚合物薄膜的其它構成方面，作為本發明之PVA系聚合物薄膜(1)之說明，可作成與上述內容相同者，故在此省略重複說明。
本發明之薄膜捲(1)係長形之PVA系聚合物 薄膜連續捲繞而成，例如使長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞圓筒狀之芯而成。在使用圓筒狀之芯時，該芯之兩端部以從薄膜捲之端面突出而形成突出部為佳。
上述圓筒狀之芯的種類並無特別限制，惟可列舉例如：金屬製品、塑膠製品、紙製品及木製品等。並且，亦可使用：經使用金屬與塑膠之兩者之物、經使用金屬與紙之兩者之物、經使用塑膠與紙之兩者之物等複合體形態之芯。該等之中，在考量強度、耐久性及低揚塵性等時，以金屬及/或塑膠製的芯為佳，即使重複使用亦不受磨損等影響，故以金屬製之芯更佳。上述金屬之例可列舉如：鐵、不鏽鋼、鋁等，該等之中可單獨使用1種亦可將2種以上併用。並且，上述塑膠之例可列舉如：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺、環氧樹脂、聚胺甲酸乙酯、聚脲、聚矽氧樹脂等，該等之中可單獨使用1種亦可將2種以上併用。並且，從強度等之觀點，該塑膠可為碳纖維強化塑膠等之纖維強化塑膠(FRP)。
[PVA系聚合物薄膜(2)]
本發明之PVA系聚合物薄膜(PVA系聚合物薄膜(2))係，分別在薄膜兩面測定均方根粗糙度(root-mean-square roughness)時，所得兩者之均方根粗糙度之差異在0.3nm以上10nm以下，較小者之均方根粗糙度在10nm以下。PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成之以往的薄膜捲中，因薄膜捲間的潤滑性不佳等而容易在薄膜中產生皺摺，惟如使用本發明之PVA系聚合物薄膜(2)即可減低該皺 摺的發生。而且，聚合物薄膜的皺摺係有：PVA系聚合物薄膜在捲繞時所產生者；以及一經作成薄膜捲後，將此薄膜捲在倉庫等保管時因殘存於PVA系聚合物薄膜的應力而產生捲繞過緊，此時在薄膜間因潤滑性的不佳所產生者，如使用本發明之PVA系聚合物薄膜(2)即可有效地降低前者之皺摺的發生，且亦可降低後者之皺摺的發生。此外，如使用本發明之PVA系聚合物薄膜(2)，即可容易地製造與上述缺陷相異染色不均的降低之偏光薄膜。
本發明之均方根粗糙度係指依JIS BO601：2001所記載之均方根粗糙度(Rq)，由薄膜的表面所得之粗糙度曲線中，可藉由將該平均線至粗糙度曲線的偏差之平方加以平均而求得。PVA系聚合物薄膜兩面中之各個的均方根粗糙度可在實施例中依下述方法測定。
本發明之PVA系聚合物薄膜(2)，分別在薄膜兩面中測定各個的均方根粗糙度時，所得之2個均方根粗糙度的差必需為0.3nm以上10nm以下。兩者之差在0.3nm以上時，即可有效地減低薄膜捲中之皺摺的發生。另一方面，兩者之差在10nm以下時，即可有效地減低偏光薄膜中的染色不均。由如此觀點，兩者之差以0.5nm以上為佳，以0.8nm以上更佳，以1.2nm以上又更佳，尤以1.5nm以上為特佳，以2nm以上為最佳，並且以7nm以下為佳，以5nm以下更佳。
本發明之PVA系聚合物薄膜(2)中，較小的均方根粗糙度必需為10nm以下。較小的均方根粗糙度為 10nm以下時，即可有效地減低偏光薄膜中之染色不均。由如此觀點，較小的均方根粗糙度以8nm以下為佳，以6nm以下更佳，以4nm以下又更佳。而且，為了使均方根粗糙度極度地降低而需要施行特殊加工，便容易使PVA系聚合物薄膜之製造成本提高，因此，較小的均方根粗糙度以0.3nm以上為佳，以0.6nm以上更佳，以0.9nm以上又更佳，尤以1.2nm以上為特佳。
PVA系聚合物薄膜(2)中，較大的均方根粗糙度係以1nm以上20nm以下者為佳。較大的均方根粗糙度在1nm以上時，即可有效地減低薄膜捲中之皺摺的發生。另一方面，較大的均方根粗糙度在20nm以下時，即可有效地減低偏光薄膜中的染色不均。由如此觀點，較大的均方根粗糙度以2nm以上為佳，以4nm以上更佳，並以15nm以下更佳，尤以11nm以下又更佳，以8nm以下為特佳，並且以6nm以下為最佳。
PVA系聚合物薄膜(2)之形狀並無特別限制，將PVA系聚合物薄膜(2)作為偏光薄膜製造用的薄膜料捲使用等中，因可生產性佳地連續製造偏光薄膜等，故以長形之PVA系聚合物薄膜為佳。
該長形之PVA系聚合物薄膜之長度並無特別限制，可因應PVA系聚合物薄膜(2)之用途等而適當地設定，具體而言，該長度以1,000m以上為佳，以4,000m以上更佳，以6,000m以上又更佳，以7,000m以上為特佳，以8,000m以上為最佳。如使用如此更長的PVA系聚合物薄膜，即可降低薄膜捲在替換時所帶來的繁瑣及時間上的浪費。 長形之PVA系聚合物薄膜之長度的上限並無特別限制，惟過長時在成為薄膜捲時因重量及捲徑過大等因操作性降低而會有難以保管及運送之情形等，故該長度以30,000m以下為佳，以25,000m以下更佳，以20,000m以下又更佳。而且，薄膜捲在保管時發生皺摺之原因之一，可列舉如：於PVA系聚合物薄膜殘留之應力而導致捲繞過緊，惟該捲繞過緊容易在較長較寬之PVA系聚合物薄膜中強烈呈現，故在更長的PVA系聚合物薄膜中可更顯著地達到本發明之效果。
長形之PVA系聚合物薄膜之寬度並無特別限制，例如可作成0.5m以上，惟近年來尋求幅度寬的偏光薄膜，故以1m以上為佳，以2m以上更佳，以4m以上又更佳。該長形之PVA系聚合物薄膜之寬度上限並無特別限制，惟該寬度過寬時，在以實用性裝置製造偏光薄膜等時，由於均一拉伸有變的困難之傾向，故PVA系聚合物薄膜之寬度以7m以下為佳。另外，與對PVA系聚合物薄膜之長度之說明相同，捲繞過緊容易在較長較寬之PVA系聚合物薄膜中明顯出現，故在更寬的PVA系聚合物薄膜中可更顯著地達到本發明之效果。
PVA系聚合物薄膜(2)之厚度並無特別限制，可因應PVA系聚合物薄膜之用途等而適當地設定，具體上，該厚度以300μm以下為佳，以150μm以下更佳，以100μm以下又更佳。並且，近年來，亦要求更薄之偏光薄膜，由如此之觀點等，PVA系聚合物薄膜(2)之厚度以45μm以下為佳，以35μm以下更佳，以25μm以下又更佳 。PVA系聚合物薄膜(2)之厚度的下限並無特別限制，惟由可滑順地製造偏光薄膜等，該厚度以3μm以上為佳，以5μm以上更佳。而且，由於薄膜捲中之皺摺係PVA系聚合物薄膜厚度愈薄者愈容易發生，故在更薄之PVA系聚合物薄膜中，本發明之效果可更顯著地達成。
對於本發明之PVA系聚合物薄膜(2)之其它構成，可作成與本發明之PVA系聚合物薄膜(1)之說明為相同內容者，故在此省略重複說明。
PVA系聚合物薄膜(2)之製造方法並無特別限制，如依下述本發明之PVA系聚合物薄膜的製造方法，即可簡便地製造目的之PVA系聚合物薄膜(2)，因而為佳。此時，連接金屬支撐體表面之側容易成為具有較大之均方根粗糙度的面。並且，除了該製造方法以外，可認為亦有下述方法：使表面粗糙度不同之金屬捲間製膜之PVA系聚合物薄膜通過之方法、及將PVA系聚合物薄膜之製造中使用之製膜原液中的異物(劣化樹脂或來自外部的污染等)利用濾器等去除並在製膜原液中添加無機物之超微粒子而在平滑面上製膜並調整兩面之均方根粗糙度的方法等。
[薄膜捲(2)]
本發明之薄膜捲(薄膜捲(2))係上述之PVA系聚合物薄膜(2)，係由長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成，例如為在圓筒狀之芯使PVA系聚合物薄膜(2)的長形之PVA系聚合物薄膜連續捲繞而成。在使用圓筒狀之芯時，該芯之兩端部係以從薄膜捲之端面形成突出之突出部 為佳。該芯可使用薄膜捲(1)之說明的上述者。在此可省略重複說明。
對於本發明之薄膜捲(2)之其它構成，亦可作成與本發明之薄膜捲(1)之說明為相同內容者，故在此省略重複說明。
本發明之薄膜捲(2)中，可降低以往薄膜捲在保管時容易發生之皺摺。在保管薄膜捲時之溫度方面，過高時，PVA系聚合物薄膜因變形而容易發生皺摺，故以40℃以下為佳，以35℃以下更佳，尤以30℃以下又更佳。另外，在保管薄膜捲時之溫度下限並無特別限制，惟該溫度以-10℃以上為佳，以-5℃以上更佳，以0℃以上又更佳。
[PVA系聚合物薄膜之製造方法]
為製造PVA系聚合物薄膜之本發明的製造方法係具有：表面有鍍鉻層，表面硬度之維氏硬度為550HV以上且小於900HV，表面溫度在50℃以上115℃以下之金屬支撐體的表面上，將溶液狀態或熔融狀態之聚乙烯醇系聚合物流鑄並使之乾燥而製膜之步驟。而且，將溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物開始流鑄前，金屬支撐體之表面中的面積(最大寬度與最大端部間距離之積)在200μm2以上之龜裂數為0.7個/mm2以下。如依該製造方法，即可簡便地製造上述本發明之PVA系聚合物薄膜(PVA系聚合物薄膜(1)及(2))，及本發明之薄膜捲(薄膜捲(1)及(2))中連續捲繞而成之長形的PVA系聚合物薄膜。
本發明中使用之金屬支撐體可列舉如轉筒或 帶等，在該表面上具有鍍鉻層，其中，金屬支撐體之表面係指溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物流鑄之表面(製膜面)，金屬支撐體為轉筒時，可在轉筒之外周面具有鍍鉻層，如為帶時，可在帶之連續面中之外側之面具有鍍鉻層。
鍍鉻層之厚度並無特別限制，惟可更有效地防止金屬支撐體表面之腐蝕，並容易減低下述龜裂之數，故以在10μm以上500μm以下之範圍內為佳。而且，鍍鉻層可為一次形成者，亦可分成複數次而形成者，例如將鍍鉻層分成複數次形成時，一經形成鍍鉻層之後，將該表面凹凸以研磨去除，並在其上進一步形成鍍鉻層即可。如此進行時，即可減低鍍鉻層之針孔。並且，如專利文獻4等所記載者，如在鍍鉻層之下方設有鍍鎳層，即可進一步減低鍍鉻層中之龜裂。
表面具有鍍鉻層之上述金屬支撐體中，該表面硬度之維氏硬度需為550HV以上且小於900HV。一般具有鍍鉻層之金屬支撐體為習知者(例如參照專利文獻4至7等)，然使用本發明之具有特定之表面硬度的金屬支撐體時，雖不明其理由，惟經由在如拋光研磨等製膜開始前，於金屬支撐體之表面施行一般處理，即可容易地減低存在於金屬支撐體之表面的龜裂數，可在所得之PVA系聚合物薄膜中比以往更降低上述缺點之數，並且，即使PVA系聚合物薄膜經長時間連續地製膜亦可確保上述缺點A之數的變動低於往常之等級。而且，可將薄膜之兩面的均方根粗糙度調整到所要求之範圍。上述表面硬度 之維氏硬度在900HV以上時，即難以降低金屬支撐體表面所存在之龜裂數，並且，PVA系聚合物薄膜經長時間連續地製膜時，會使上述缺點A之數的變動增大。此外，薄膜之兩面的均方根粗糙度不易在所要求之範圍內。由上述觀點，上述表面硬度之維氏硬度以小於800HV為佳，以小於780HV更佳。另外，上述表面硬度之維氏硬度小於550HV時，在連續製膜時及在清掃金屬支撐體之表面時容易產生傷痕等之問題，PVA系聚合物薄膜經長時間連續地製膜時，亦會使上述缺點A之數的變動加大。此外，薄膜之兩面的均方根粗糙度不易在所要求之範圍內。由如此之觀點，上述表面硬度之維氏硬度以在600HV以上為佳，以在650HV以上更佳，以在700HV以上又更佳。
金屬支撐體之表面硬度係使用硬度計等，在複數處測定鍍鉻層表面之維氏硬度，可藉由平均該等而求得。而且，該表面硬度(維氏硬度)之測定可在流鑄有溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物之表面(製膜面)進行，惟測定時產生之傷痕會使所得PVA系聚合物薄膜的品質降低，因此，即使為轉筒或帶之端部中形成有鍍鉻層之部分等、在流鑄有溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物之表面(製膜面)附近或者在流鑄有溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物之表面(製膜面)，製膜後，在對應經切邊等而去除之薄膜部分之表面進行表面硬度之測定，可將其值作為本發明中規定之表面硬度。金屬支撐體之表面硬度，具體而言，可在實施例中以下述方法求得。
表面具有鍍鉻層之金屬支撐體之表面硬度的調整本身，可容易依習知方法而進行，具體上可依下述方法進行：將鍍鉻處理時所使用之鍍鉻浴之溫度調整至特定範圍內之方法；將鍍鉻處理時之電流密度調整至特定範圍內之方法；調整鍍鉻浴之組成的方法；鍍鉻處理後可藉由熱處理(退火：annealing)或經氫氣曝露等而調整吸附在鍍鉻層中之氫濃度之方法等。該等之中，由於操作簡便等，故較佳者係將鍍鉻浴之溫度調整至特定範圍內之方法、將鍍鉻處理時之電流密度調整至特定範圍內之方法、在鍍鉻處理後調整吸附在鍍鉻層中之氫濃度之方法，而以鍍鉻浴之溫度調整至特定範圍內之方法更佳。關於上述方法，係使用一般的鍍鉻浴之鉻酸-硫酸水溶液，舉例來說，鍍鉻浴之溫度在40℃以上70℃以下之範圍內，以及電流密度在60A/dm2以下之範圍內進行鍍鉻處理時，鍍鉻浴之溫度愈高，以及電流密度愈低，表面硬度大致上會有變低之傾向。並且，關於鍍鉻層中所吸附的氫濃度係，愈使熱處理之溫度提高、處理時間增長、其濃度愈降低，表面硬度大致上會有變低之傾向。
上述鍍鉻層之形成方法，如為可作成表面硬度滿足上述範圍之金屬支撐體的方法即無特別限制，惟可採用習知之方法，其代表性方法係可例示如：首先，將金屬支撐體之表面以拋光研磨或研磨機研磨等之方法研磨而極力去除表面凹凸之後，進行浸漬脫脂、電解脫脂、鹽酸水溶液浸漬等之初步處理，然後，使用鍍鉻浴進行鍍鉻處理，進而進行熱處理之方法。鍍鉻浴係以薩 金特浴為代表，可適宜使用。薩金特浴之組成與鍍鉻處理之條件之例係如下所述。
<薩金特浴之組成>
鉻酸酐：100至300g/L(使用藥品基準之濃度)
硫酸：所使用之鉻酸酐的1/50至1/150(質量比例)
<鍍鉻處理之條件>
電流密度10至60A/dm2
鍍鉻浴之溫度係對如上述所得之金屬支撐體的表面硬度大為影響。鍍鉻浴之具體溫度係依鍍鉻處理中所採用之其它條件或鍍鉻處理後之熱處理的條件等而異，惟以50℃以上為佳，以53℃以上更佳，尤以54℃以上又更佳。鍍鉻浴之溫度過低時，所得金屬支撐體之表面硬度容易變的過高。另外，鍍鉻浴之溫度以66℃以下為佳，以63℃以下更佳，尤以61℃以下又更佳，以58℃以下為特佳。鍍鉻浴之溫度過高時，所得金屬支撐體之表面硬度容易變的過低。
鍍鉻處理後係以進行熱處理(退火)者為佳。在高溫中進行熱處理時，可縮短所要之時間，惟溫度過高時，容易在鍍鉻層中產生龜裂，故熱處理溫度以130℃以下為佳，以120℃以下更佳。反之，在低溫中進行熱處理時，龜裂發生之風險降低，惟需加長熱處理所需的時間，故熱處理溫度以70℃以上為佳，以90℃以上更佳。熱處理時間係依鍍鉻處理之條件及熱處理之溫度等而異，惟可在24至120小時之範圍內設定。
溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物係可列 舉如：如PVA系聚合物溶解於液體介質而成之製膜原液、或包含PVA系聚合物與液體介質且PVA系聚合物熔融之製膜原液等之包含PVA系聚合物與液體介質的製膜原液之形態者。該製膜原液可因應所需而進一步含有如上述之塑化劑、界面活性劑及其它成分。
製膜原液中之上述液體介質之例可列舉如：水、二甲基亞碸、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、乙二醇、丙三醇、丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、三羥甲基丙烷、乙二胺、二乙三胺等，可使用該等中之1種或2種以上。其中，由對環境負荷小者及回收性之觀點，以水為佳。亦即，溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物的較佳例可列舉如：包含PVA系聚合物與水之製膜原液的形態者。
藉由製膜原液之揮發分率(在製膜時，經揮發或蒸發而去除液體介質等之揮發性成分之製膜原液中的含有比例)係依製膜方法、製膜條件等而異，惟以在50至90質量%之範圍內為佳，以在55至80質量%之範圍內更佳。藉由使製膜原液之揮發分率為50質量%以上，製膜原液之黏度不致過高，使在調製製膜原液時之過濾及脫泡順利地進行，即可容易地製造異物及缺點少之PVA系聚合物薄膜。另外，藉由使製膜原液之揮發分率為90質量%以下，製膜原液之濃度不致過低，即可容易地製造工業用之PVA系聚合物薄膜。
上述製膜原液之調製方法並無特別限制，惟可列舉例如下述之方法：使PVA系聚合物溶解於水等之 液體介質中，此時可因應所需而添加塑化劑、界面活性劑及其它成分中之至少1種的方法，以及將包含水等之液體介質的狀態之PVA系聚合物以擠出機熔融混煉，此時可因應所需而與塑化劑、界面活性劑及其它成分中之至少1種一起熔融混煉之方法等。
為製造PVA系聚合物薄膜之本發明的製造方法中具有：在表面溫度為50℃以上115℃以下之上述金屬支撐體的表面上，流鑄上述溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物並使其乾燥而製膜的步驟。金屬支撐體之表面溫度超出115℃時，所得PVA系聚合物薄膜中之缺點A之數變多。並且，薄膜兩面之均方根粗糙度容易超出所要求之範圍。由此觀點，金屬支撐體之表面溫度以105℃以下為佳，以102℃以下更佳，尤以99℃以下又更佳，以96℃以下為特佳，更以95℃以下為最佳。另一方面，金屬支撐體之表面溫度小於50℃時，薄膜難以自金屬支撐體剝離、或者容易產生損及薄膜之透明性等的問題。由如此之觀點，金屬支撐體之表面溫度以60℃以上為佳，以70℃以上更佳，尤以80℃以上又更佳。而且，金屬支撐體之表面溫度係可採用金屬支撐體表面上之任意的複數處(例如10處以上)之表面溫度的平均值(平均溫度)。
製膜開始前，金屬支撐體之表面溫度設在上述範圍內之方法並無特別限制，例如將轉筒作為金屬支撐體使用時，可採用在轉筒內側通過水、油、水蒸氣等之熱媒或以設置在轉筒內側之感應加熱器加熱，或以使面對轉筒之表面而設置之紅外線加熱器或熱風加熱裝置 加熱之方法等。
製膜開始前，對於金屬支撐體之表面溫度設在上述範圍內時之變溫速度，例如，如專利文獻5所記載，可設在3℃/小時以下，惟在使用表面具有鍍鉻層，並具有上述表面硬度之金屬支撐體的本發明之製造方法時，雖不明其由，惟發現即使提高上述變溫速度亦可抑制存在於金屬支撐體表面之龜裂數的上升，即使在刪減溫度調整時間而提高生產性時，亦可抑制所得PVA系聚合物薄膜中之上述缺點A之數控制在低的等級。由如此觀點，在製膜開始前，將金屬支撐體之表面溫度設在上述範圍內時之變溫速度以0.5℃/小時以上為佳，以1℃/小時以上更佳，亦可為3.5℃/小時以上、4℃/小時以上、4.5℃/小時以上，以及5℃/小時以上。並且，上述變溫速度，由降低龜裂數之觀點，以10℃/小時以下為佳，以7℃/小時以下更佳。
在製膜開始前，將金屬支撐體之表面溫度設在上述範圍內時，減少金屬支撐體之寬度方向之溫度差者，由降低龜裂數之觀點上為佳，具體而言，將金屬支撐體之表面溫度在寬度方向連續測定，對於所得溫度分佈數據，在作成將寬度方向之位置為橫軸、溫度為縱軸之圖形時，其斜度之絕對值的最大值以10℃/m以下為佳，以5℃/m以下更佳，尤以4℃/m以下又更佳，又以3℃/m以下為特佳。
並且，為製造PVA系聚合物薄膜之本發明的製造方法中，溶液狀態或熔融狀態之聚乙烯醇系聚合物 在開始流鑄之前，金屬支撐體之表面中的面積為200μm2以上的龜裂數在0.7個/mm2以下。此處之龜裂面積係指龜裂之最大寬度與最大端部間距離之積。通常，在製膜開始前之金屬支撐體表面存在有鍍鉻層之裂痕等的龜裂。而且，製膜中，在如此龜裂中慢慢地附著認為是樹脂堆積物的異物而形成凸形狀，認為是該凸形狀轉印在薄膜而形成薄膜之缺點A。特別是，PVA系聚合物與其它聚合物相比較時，親水性高並與金屬具有良好的親和性，故可認為存在於金屬支撐體表面之龜裂容易有樹脂堆積物附著，可認為是在將乾燥之薄膜從金屬支撐體剝離時等，容易形成凸形狀並使其增大。由如此之理由，為了減低缺點A之數，以儘可能地降低存在於金屬支撐體表面之龜裂數為佳，惟如上所述，在使用表面具有鍍鉻層，並具有上述表面硬度之金屬支撐體時，雖不明其由，惟在如拋光研磨等之製膜開始前，在金屬支撐體表面施行之一般處理，可容易降低存在於金屬支撐體表面之龜裂數，可比往常降低所得PVA系聚合物薄膜中之上述缺點A之數，並且，PVA系聚合物薄膜即使經長時間連續製膜，亦可確保上述缺點A之數的變動比往常為低之等級。金屬支撐體表面之該龜裂數超出0.7個/mm2時，所得PVA系聚合物薄膜中之上述缺點A之數變多。由降低所得PVA系聚合物薄膜中之缺點A之數之觀點等，溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物在開始流鑄之前，金屬支撐體表面之上述龜裂數以0.3個/mm2以下為佳，以0.15個/mm2以下更佳。另一方面，極度降低金屬支撐體表面之上述龜裂 數實為繁瑣，且效果亦有達到高峰之傾向，因此該龜裂數以0.005個/mm2以上為佳，以0.01個/mm2以上更佳。
金屬支撐體表面中之面積200μm2以上的龜裂數係規定金屬支撐體表面上之25處，各自當中，使用顯微鏡，特別指定2mm×2mm(4mm2)之範圍中之「面積200μm2以上的龜裂數」，求取該4mm2之範圍×25處中的「面積200μm2以上的龜裂」之數，由此算出每1mm2之數而求得。其中，龜裂之面積係指各龜裂中之最大寬度與最大端部間距離之積，該最大端部間距離係指龜裂之端部僅為2個時之該等的端部間距離(直線距離)，如為複數個，複數之端部間距離中之最大的距離之意。金屬支撐體表面中之面積200μm2以上的龜裂數在具體上可由實施例中所述之方法求取。
金屬支撐體之寬度可因應目的之PVA系聚合物薄膜的寬度而適當地設定。金屬支撐體之具體寬度亦依目的之PVA系聚合物薄膜的寬度而異，例如為0.5m以上，並且，從有效地製造可作成寬幅的偏光薄膜之寬度的PVA系聚合物薄膜之觀點，以4.5m以上為佳，以5.0m以上更佳，尤以5.5m以上又更佳。並且，如考量金屬支撐體之成本及維修的容易度等，該金屬支撐體之寬度以7.5m以下為佳，以7.0m以下更佳，尤以6.5m以下又更佳。
在金屬支撐體之表面上流鑄溶液狀態或熔融狀態之PVA系聚合物之方法並無特別限制，可使用T型狹縫模、進料斗板、I模及唇塗布機模具等，並依習知方法 進行。另外，熔融狀態或溶液狀態之PVA系聚合物的溫度係以50℃以上105℃以下之範圍內為佳。
流鑄後之乾燥可依習知方法進行，可經由金屬支撐體所賦予之熱而乾燥，或經由吹噴熱風進行乾燥。並且，僅經由上述金屬支撐體的表面上之乾燥雖可製造所要之PVA系聚合物薄膜，惟經由習知方法等，在上述金屬支撐體的表面上部分乾燥後，藉由配置在該金屬支撐體的下游側且該金屬支撐體與旋轉軸互為平行之1個或2個以上之乾燥輥或熱風乾燥機進一步乾燥，亦可製造所要之PVA系聚合物薄膜。
如此操作而得之PVA系聚合物薄膜，亦可因應必要進行熱處理或將寬度方向兩端部(邊部)進行裁切。並且，亦可如上所述作成連續捲繞之薄膜捲。
[用途]
本發明之PVA系聚合物薄膜(PVA系聚合物薄膜(1)及(2))及由本發明之薄膜捲(薄膜捲(1)及(2))所捲出的PVA系聚合物薄膜係可運用：缺點A之數少、品質安定；不易發生皺摺等之優點而在各種用途上使用，惟由可更顯著地達成本發明之效果，以使用作為偏光薄膜或相位差膜等之光學薄膜製造用的薄膜料捲為佳，以使用作為偏光薄膜製造用的薄膜料捲更佳。
將上述PVA系聚合物薄膜作為薄膜料捲使用並製造偏光薄膜之方法並無特別限制，可採用習知方法，例如可使用上述PVA系聚合物薄膜進行染色、單軸拉伸、固定處理及乾燥，進一步可因應所需而進行清洗及 熱處理。此處，染色、單軸拉伸及固定處理等各處理之順序並無特別限制，亦可同時進行1種或2種以上之處理。並且，亦可將1種或2種以上之各處理進行2次或2次以上，例如：單軸拉伸亦可進行2次或2次以上。在進行染色、單軸拉伸及固定處理等各處理之前可因應必要進行澎潤處理。
染色可在單軸拉伸前、單軸拉伸時、單軸拉伸後之任一階段進行。染色所使用之染料可使用：碘-碘化鉀；直接黑17、19、154；直接棕44、106、195、210、223；直接紅2、23、28、31、37、39、79、81、240、242、247；直接藍1、15、22、78、90、98、151、168、202、236、249、270；直接紫9、12、51、98；直接綠1、85；直接黃8、12、44、86、87；直接橙26、39、106、107等之二色性染料等中之1種或2種以上。染色係可藉由將PVA系聚合物薄膜浸漬在含有上述染料之溶液(染色浴)中進行。另外，在製造PVA系聚合物薄膜時，亦可預先含有上述染料。
單軸拉伸可用濕式拉伸法或乾熱拉伸法之任一種進行，可在溫水(包含上述染色浴及下述固定處理浴)中進行，亦可使用吸水後之PVA系聚合物薄膜在空氣中進行。
單軸拉伸時之溫度並無特別限制，惟將PVA系聚合物薄膜在溫水中進行單軸拉伸(濕式拉伸)時，以30℃以上90℃以下之範圍內為佳，且在乾熱拉伸時，以在50℃以上180℃以下之範圍內為佳。
單軸拉伸之拉伸倍率(多階段時，在單軸拉伸時為拉伸倍率的總和)，由偏光性能之點係以4倍以上為佳，以5倍以上更佳。拉伸倍率之上限並無特別限制，惟以8倍以下可安定且容易地進行單軸拉伸，因而為佳。單軸拉伸後之薄膜厚度雖依所使用之PVA系聚合物薄膜之厚度而異，惟以3μm以上75μm以下之範圍內為佳，以5μm以上50μm以下之範圍內更佳。
使上述染料強固地吸附於PVA系聚合物薄膜為目的，大多進行固定處理。固定處理中所使用之固定處理浴係可使用包含硼酸、硼砂等之硼化合物之1種或2種以上的水溶液。固定處理浴中，可因應必要添加碘化合物。
在進行染色、單軸拉伸及固定處理等之各處理之後，乾燥之前，為除去附著於薄膜表面之各處理的處理浴液及異物等，以進行清洗為佳。清洗所使用之清洗液中可使用純水，且為抑制清洗時染料及硼化合物的流出，可使用添加有少量之該等藥劑之水。清洗液可以噴淋等將經各處理之薄膜表面進行噴霧，亦可使經各處理之薄膜浸漬在清洗浴中。
乾燥及熱處理以在30℃以上150℃以下之範圍內進行為佳，以在50℃以上150℃以下之範圍內進行更佳。
在使用PVA系聚合物薄膜(2)以及由薄膜捲(2)捲出之PVA系聚合物薄膜作為偏光薄膜製造用薄膜料捲，並經染色步驟、單軸拉伸步驟、固定處理步驟以及 乾燥步驟的各步驟而製造偏光薄膜時，在進入乾燥步驟之前的最後之處理浴(例如：固定處理浴或清洗浴等)中取出時，處理浴之液面與薄膜面所成之角度(銳角側之角度)成為30°以上85°以下，同時薄膜之上方側的面作為薄膜料捲使用之PVA系聚合物薄膜中使成為具有較小者之均方根粗糙度的面之方式，可容易得到異物少之偏光薄膜，因而為佳。
達成上述效果之緣由並不明確，惟可認為是藉由如上述操作製造偏光薄膜，降低在各處理浴所析出之PVA系聚合物及各處理中使用之處理液的附著之故。在進入乾燥步驟之前的最後之處理浴中取出時，因處理浴之液面與薄膜面所成之角度過大或過小將容易使所析出之PVA系聚合物及處理液的附著‧殘留，因此，該角度係以35°以上為佳，以40°以上更佳，尤以50°以上又更佳，並且以80°以下為佳，以75°以下更佳，尤以70°以下又更佳。
由上述操作所得之偏光薄膜，一般係使用該兩面或單面以光學性之透明且具有機械強度之保護膜貼合而作成偏光板使用。保護膜係可使用三乙酸纖維素(TAC)薄膜、乙酸‧丁酸纖維素(CAB)薄膜、丙烯酸系薄膜以及聚酯系薄膜等。並且，用以貼合之接著劑係可列舉如PVA系接著劑及胺甲酸乙酯系接著劑等，其中以PVA系接著劑為理想。
[實施例]
以下，將本發明藉由實施例具體說明，惟本 發明並不受限於該等。而且，以下之調製例、實施例、參考例以及比較例中所採用之各測定或評定方法係如下所示。
[製膜用轉筒之表面硬度的測定]
製膜用轉筒之表面(周面)中，各從兩端進入5mm內側之線上，將製膜用轉筒之全周長分為4等分，在各端部各定4點共8點。而且在各點中，UCI式硬度計MIC10(GE Sensing & Inspection Technologys股份有限公司製造；探針係使用MIC-2101-A)測定鍍鉻層表面之維氏硬度，並將該等之平均值作成製膜用轉筒之表面硬度。
[製膜用轉筒之表面中的面積為200μm2以上之龜裂數的測定]
製膜用轉筒之表面(周面)上任意指定25處，各自中，使用Digital video microscopy VHX-900(Keyence公司製)以1000倍之倍率拍攝2mm×2mm(4mm2)之範圍內所有之龜裂(鍍鉻層上之裂痕)的照片。而且，照片上可看到之各龜裂的最大寬度與最大端部間距離(端部僅為2個時，係指該等之端部間距離，如為複數個時，係指複數個端部間距離中之最大距離)係以μm單位求得並算出該等之積，該積成為200μm2以上之龜裂成為「面積為200μm2以上之龜裂」。如此操作，在上述4mm2之範圍×25處中求取「面積為200μm2以上之龜裂」之數，並由此算出每1mm2之數。
[製膜用轉筒之表面溫度的測定]
決定通過製膜用轉筒之表面(周面)上之任意1點之 寬度方向的1直線、與該1直線平行之該1直線一起將周面分成4等份之其它3直線(亦即，製膜用轉筒每1/4周位於相同直線上之直線)，將該等之4直線上中之溫度分佈係使用熱示踪TH9100MR(NEC Avio紅外線Technology股份有限公司製)測定。其次，由所得溫度分佈數據，對各直線，得到在寬度方向中央部與由兩端部朝中央部20cm之位置的各3點(共12點)的溫度，將該等12點之溫度的平均值作成此時之製膜用轉筒之表面溫度。並且，分別將所得之各直線的溫度分佈數據作成以寬度方向位置為橫軸且以溫度為縱軸之4條曲線，求取該斜度之絕對值的最大值，並將此作為此時之製膜用轉筒的最大溫度梯度。
[PVA薄膜之缺點數的測定]
一邊由薄膜捲捲出，一邊通過薄膜見到置於其後之螢光燈時的螢光燈影像的扭曲，由此發現薄膜的缺點，其周圍以油性魔術筆圈成圓圈。接著，將所發現之缺點以非接觸式表面輪廓儀「NewView 」 6300(Zygo公司製)進行觀察，判定由薄膜表面凹陷之缺點是否為面積(開口部面積)為400μm2以上且深度為0.3μm以上之缺點(缺點A)。將上述操作，由所製造之薄膜捲中捲繞結束部分(而且，為降低誤差而由薄膜長度方向之端部至10m之部分除外)開始，求取缺點A之數成為10個為止的PVA薄膜之面積(由操作開始至第10個缺點A為止時之長度×薄膜之寬度；單位為m2)，以該面積除以10(個)，求出捲繞結束部分中之缺點A之數(單位為個/m2)。並且，在10個缺點A中，求取在薄膜之寬度方向實質上相同之位置且薄膜 之長度方向的間隔與所使用之製膜用轉筒的全周長之整數倍實值上為一致關係之2個以上之缺點(以下亦有稱為「旋轉週期缺點」之情形。而且，如此之缺點亦包含供予測定之部分以外的部分，可認為是在薄膜之長度方向實質上以固定(製膜用轉筒的全周長之整數倍)間隔排列3個以上)之數，以上述面積(單位為m2)除以此數，求出捲繞結束部分中之旋轉週期缺點之數(單位為個/m2)。
接著，使用剩餘之薄膜捲並如下述製造偏光薄膜(由捲繞結束部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜)後，由大部分之PVA薄膜在未使用之狀態的殘留薄膜捲捲出PVA薄膜，並捲回成新的薄膜捲，藉此使當初之薄膜捲的捲繞開始部分位於新薄膜捲的外側。使用該新的薄膜捲進行與上述相同的操作，求取當初之薄膜捲的捲繞開始部分中之缺點A以及旋轉週期缺點之數(各單位均為個/m2)，使用殘餘的薄膜捲製造如下述之偏光薄膜(由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜)。
[薄膜捲之皺摺的評定]
以肉眼觀察薄膜捲，並以以下基準評定皺摺。
A：沒有觀察到皺摺
B：僅有些微皺摺，但為無使用上問題之等級
C：係有成為使用上問題之等級的皺摺
[PVA薄膜之均方根粗糙度的測定]
將PVA薄膜之一面的任意10處之均方根粗糙度使用白色干擾顯微鏡NV6300(Zygo公司製)測定，將該等之平均值作為其面之均方根粗糙度。其次，對於PVA薄膜之 另一面亦進行相同操作，得到均方根粗糙度。
[偏光薄膜之評定(20片試驗)]
將上述薄膜捲捲出之PVA薄膜以預備膨潤‧染色‧單軸拉伸‧固定處理‧乾燥‧熱處理之順序進行連續處理製作成偏光薄膜。
亦即，將PVA薄膜浸漬在30℃之水中進行30秒鐘之預備膨潤，接著，在碘濃度0.4g/L以及碘化鉀濃度40g/L之35℃的水溶液(染色浴)中浸漬3分鐘染色。接著，在硼酸濃度4%之50℃的水溶液(拉伸浴)中在長度方向以拉伸倍率5倍進行單軸拉伸，進一步在碘化鉀濃度40g/L、硼酸濃度40g/L以及氯化鋅濃度10g/L之30℃的水溶液(固定處理浴)中浸漬5分鐘進行固定處理。然後，將薄膜在40℃下進行熱風乾燥，進而在100℃下進行5分鐘之熱處理。
由所得之偏光薄膜之任意位置取得長度方向50cm、寬度方向25cm之試驗片。另外，準備缺陷少之50cm×50cm之偏光板，在該偏光板上使定向軸垂直之方式疊上上述各試驗片，將此置於X射線照片觀察用之X射線底片照明箱之上，確認在各試驗片中之缺陷。另外，試驗片中毫無缺陷時，重疊的偏光板/試驗片呈現全黑，而試驗片中出現缺陷時，可由該部分漏光認出點狀的明顯缺陷。觀察到2個以上該明顯缺陷之試驗片為不合格，求出20片之試驗片中的合格率。
[偏光薄膜之評定(100片試驗)]
除了將試驗片之數從20片變更至100片，除了觀察到 1個以上明顯缺陷之試驗片為不合格之外，上述20片試驗片進行相同操作，求出100片試驗片中之合格率。
[偏光薄膜之染色不均以及異物之評定]
由所得之偏光薄膜的任意位置取得長度方向50cm、寬度方向25cm之試驗片。另外，準備染色不均以及異物少之50cm×50cm之偏光板，在該偏光板上使定向軸垂直之方式疊上上述試驗片，將此置於X射線照片觀察用之X射線底片照明箱之上，以下述基準評定試驗片中之染色不均以及異物。
‧染色不均
A等級：沒有觀察到染色不均
B等級：僅有些微染色不均，但為無使用上問題之等級
C等級：係有成為使用上問題之等級的染色不均
‧異物
A等級：沒有觀察到異物
B等級：僅有些微異物，但為無使用上問題之等級
C等級：係有成為使用上問題之等級的異物
[調製例1]
《轉筒1之調製》
將寬度1.0m之碳鋼製之製膜用轉筒之轉筒表面(周面)進行拋光研磨與脫脂處理等之初步處理後，在該轉筒表面使用鍍鉻浴並以以下之條件施行鍍鉻處理。而且，以使用藥品基準之濃度，使成為鉻酸酐200g/L以及硫酸2g/L之方式，將該等藥品溶解於蒸餾水中而成者作為鍍 鉻浴。
‧鍍鉻浴溫度：55℃
‧電流密度：20A/dm2
‧鍍鉻層厚度(研磨後)：50μm
然後，在鍍鉻處理結束後，將該製膜用轉筒在102℃下熱處理50小時並放冷。
對於經由上述鍍鉻處理與熱處理而在表面(周面)形成鍍鉻層之製膜用轉筒，將該表面硬度依上述方法測定後為760HV。以下，將該製膜用轉筒稱為「轉筒1」。
[調製例2]
《轉筒2之調製》
除了將鍍鉻浴溫度變更為52℃以外，與調製例1相同操作，進行鍍鉻處理與熱處理，調製表面(周面)形成鍍鉻層之製膜用轉筒。對於該製膜用轉筒，將該表面硬度依上述方法測定後為840HV。以下，將該製膜用轉筒稱為「轉筒2」。
[調製例3]
《轉筒3之調製》
除了將鍍鉻浴溫度變更為48℃以外，與調製例1相同操作，進行鍍鉻處理與熱處理，調製表面(周面)形成鍍鉻層之製膜用轉筒。對於該製膜用轉筒，將該表面硬度依上述方法測定後為950HV。以下，將該製膜用轉筒稱為「轉筒3」。
[調製例4]
《轉筒4之調製》
除了將鍍鉻浴溫度變更為67℃以外，與調製例1相同操作，進行鍍鉻處理與熱處理，調製表面(周面)形成鍍鉻層之製膜用轉筒。對於該製膜用轉筒，將該表面硬度依上述方法測定後為525HV。以下，將該製膜用轉筒稱為「轉筒4」。
[實施例1]
將轉筒1裝設在鑄造製膜設備並連接溫水循環裝置。其次，將轉筒1之周面進行拋光研磨。拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.10個/mm2。其後，使轉筒1之表面溫度經溫水循環裝置以1℃/小時之變溫速度上升，並將表面溫度維持在90℃。此時之最大溫度梯度之最大為3.8℃/m。
另外，將皂化度99.9莫耳%、聚合度2,400之PVA(乙酸乙烯酯之均聚物之皂化物)的小片100質量份浸漬在35℃之蒸餾水2,500質量份24小時後，進行離心脫水，得到PVA含水小片。PVA含水小片中之揮發分率為70質量%。相對於該PVA含水小片333質量份(以乾燥狀態PVA換算為100質量份)，添加甘油12質量份以及界面活性劑(含有月桂酸二乙醇醯胺95質量%)0.3質量份之後，充分混合成為混合物，將此以最高溫度130℃之排氣式二軸擠出機加熱熔融。將所得之熔融狀態的PVA以熱交換機冷卻至100℃後，由900mm寬度之衣架模，在表面溫度成為90℃之上述轉筒1上擠出製膜，進一步通過熱風乾燥爐內進行乾燥，藉由將寬度方向兩端部(邊部)進行切邊，連續製 造寬度方向0.7m之長形的PVA薄膜。而且，製膜速度為8m/分鐘。製膜安定後之PVA薄膜(厚度60μm、長度8,000m)係連續捲繞直徑6吋之鋁製的圓筒狀之芯作成薄膜捲。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(20片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.102個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.031個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為100%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.098個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.029個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為100%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為0.96倍。
[實施例2]
除了將PVA薄膜長度由8,000m變更為3,000m以外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.11個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(20片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.110個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.044個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為100%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.121個/m2(其中，旋轉週期缺點係 0.036個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為100%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.10倍。
[參考例1]
除了將PVA薄膜長度由8,000m變更為15,000m以外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.10個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.108個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.032個/m2)、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.160個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.096個/m2)、相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.48倍。
[實施例3]
除了將PVA之聚合度由2,400變更為3,300，且PVA薄膜長度由8,000m變更為15,000m以外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.10個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(100片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.088個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.018個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造 之偏光薄膜的100片試驗中之合格率為98%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.118個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.024個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的100片試驗中之合格率為95%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.34倍。
[實施例4]
除了將PVA之聚合度由2,400變更為6,000，且PVA薄膜長度由8,000m變更為15,000m以外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.13個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(100片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.067個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.007個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的100片試驗中之合格率為99%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.074個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.007個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的100片試驗中之合格率為99%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.10倍。
[實施例5]
除了使用轉筒2取代轉筒1，且PVA薄膜長度由8,000m變更為3,000m以外，與實施例1相同操作，連續製 造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒2之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.39個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(20片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.172個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.052個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為90%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.224個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.134個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為85%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.30倍。
[實施例6]
除了轉筒1之表面溫度由90℃變更為110℃，且PVA薄膜長度由8,000m變更為3,000m以外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.13個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(20片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.132個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.053個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為95%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.180個/m2(其中，旋轉週期缺點係 0.090個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為90%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.36倍。
[實施例7]
除了將變溫速度由1℃/小時變更為5℃/小時以外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.10個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.110個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.044個/m2)、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.122個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.049個/m2)。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.11倍。
[比較例1]
除了使用轉筒3取代轉筒1之外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒3之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.73個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(20片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.291個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.175個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為80%、捲繞結束部 分中之缺點A之數為0.938個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.750個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為50%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為3.22倍。
[比較例2]
除了將轉筒1之表面溫度由90℃變更為120℃，且PVA薄膜長度由8,000m變更為3,000m之外，與實施例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.11個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定與偏光薄膜之評定(20片試驗)之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.252個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.101個/m2)、由捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為80%、捲繞結束部分中之缺點A之數為0.358個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.251個/m2)、捲繞開始部分側之PVA薄膜所製造之偏光薄膜的20片試驗中之合格率為65%。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為1.42倍。
[比較例3]
實施例1中，雖嘗試將轉筒1之表面溫度由90℃變更為40℃而製造PVA薄膜，惟在轉筒上之乾燥不足而難以將薄膜由轉筒剝離，因而無法進行各評定。
[比較例4]
除了將變溫速度由1℃/小時變更為5℃/小時之外，與比較例1相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒3之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.73個/mm2。
使用所得之薄膜捲，依上述方法進行PVA薄膜之缺點數的測定之後，捲繞開始部分中之缺點A之數為0.332個/m2(其中，旋轉週期缺點係0.166個/m2)、由捲繞結束部分中之缺點A之數為1.349個/m2(其中，旋轉週期缺點係1.214個/m2)。相對於捲繞開始部分中之缺點A之數，捲繞結束部分中之缺點A之數計算為4.06倍。
[實施例8]
將轉筒1裝設在鑄造製膜設備並連接溫水循環裝置。其次，將轉筒1之周面進行拋光研磨。拋光研磨後之轉筒1之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.10個/mm2。其後，使轉筒1之表面溫度經溫水循環裝置上升，並將表面溫度維持在90℃。
另外，將皂化度99.9莫耳%、聚合度2,400之PVA(乙酸乙烯酯之均聚物之皂化物)的小片100質量份浸漬在35℃之蒸餾水2,500質量份24小時後，進行離心脫水，得到PVA含水小片。PVA含水小片中之揮發分率為70質量%。相對於該PVA含水小片333質量份(以乾燥狀態PVA換算為100質量份)，添加甘油12質量份以及界面活性劑(含有月桂酸二乙醇醯胺95質量%)0.3質量份之後，充分混合成為混合物，將此以最高溫度130℃之排氣式二軸擠出機加 熱熔融。將所得之熔融狀態的PVA以熱交換機冷卻至100℃後，由900mm寬度之衣架模，在表面溫度成為90℃之上述轉筒1上擠出製膜，進一步通過熱風乾燥爐內進行乾燥，藉由將寬度方向兩端部(邊部)進行切邊，連續製造寬度0.7m之長形的PVA薄膜。而且，製膜速度為8m/分鐘。製膜安定後之PVA薄膜(厚度60μm、長度12,000m)係連續捲繞直徑6吋之鋁製的圓筒狀之芯作成薄膜捲。
將所得之薄膜捲的皺摺(在捲繞PVA薄膜時所產生之皺摺)，依上述方法評定時，為A等級。並且，使用由所得薄膜捲所捲出之PVA薄膜，依上述方法測定PVA薄膜之均方根粗糙度時，轉筒1之表面所接觸之側的面中之均方根粗糙度為4.1nm，另一面中之均方根粗糙度為1.9nm。計算兩者之差為2.2nm。
將由上述薄膜捲所捲出之PVA薄膜依序以預備膨潤‧染色‧固定處理‧單軸拉伸‧清洗‧乾燥進行連續處理，製作偏光薄膜。亦即，將PVA薄膜在30℃之水中浸漬60秒鐘預備膨潤，接著，在碘濃度0.4g/L以及碘化鉀濃度40g/L之35℃的水溶液(染色浴)中浸漬110秒鐘染色。接著，在硼酸濃度30g/L之30℃的水溶液(固定處理浴)中浸漬90秒鐘進行固定處理，進一步在硼酸濃度4%之50℃的水溶液(拉伸浴)中在長度方向以拉伸倍率5倍進行單軸拉伸。然後，在硼酸濃度15g/L之30℃的水溶液(清洗浴)中浸漬10秒鐘進行清洗，在55℃熱風乾燥作成偏光薄膜。而且，在進入乾燥步驟之前的最後處理浴中，由清洗浴中取出時的清洗浴之液面與薄膜面所成之角度 ，藉由變更導輥位置而將該角度設定為60°，並且，此時之薄膜上方側之面使成為使用之PVA薄膜中具有較小均方根粗糙度之面。
將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為A等級。並且，將所得偏光薄膜之異物依上述方法評定時，為A等級。
[實施例9]
除了使用轉筒2取代轉筒1以外，與實施例8相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒2之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.37個/mm2。
將所得之薄膜捲的皺摺(在捲繞PVA薄膜時所產生之皺摺)，依上述方法評定時，為B等級。並且，使用由所得薄膜捲所捲出之PVA薄膜，依上述方法測定PVA薄膜之均方根粗糙度時，轉筒2之表面所接觸之側的面中之均方根粗糙度為6.7nm，另一面中之均方根粗糙度為2.0nm。計算兩者之差為4.7nm。
相對於由上述薄膜捲所捲出之PVA薄膜，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為B等級。並且，將所得偏光薄膜之異物依上述方法評定時，為B等級。
[比較例5]
除了使用轉筒3取代轉筒1之外，與實施例8相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒3之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依 上述方法測定後為0.73個/mm2。
將所得之薄膜捲的皺摺(在捲繞PVA薄膜時所產生之皺摺)，依上述方法評定時，為A等級。並且，使用由所得薄膜捲所捲出之PVA薄膜，依上述方法測定PVA薄膜之均方根粗糙度時，轉筒3之表面所接觸之側的面中之均方根粗糙度為28.3nm，另一面中之均方根粗糙度為2.6nm。計算兩者之差為25.7nm。
相對於由薄膜捲所捲出之PVA薄膜，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為C等級。並且，將所得偏光薄膜之異物依上述方法評定時，為C等級。
[比較例6]
除了使用轉筒4取代轉筒1之外，與實施例8相同操作，連續製造PVA薄膜作成薄膜捲。而且，拋光研磨後之轉筒4之表面(周面)中的面積為200μm2以上之龜裂數依上述方法測定後為0.15個/mm2。
將所得之薄膜捲的皺摺(在捲繞PVA薄膜時所產生之皺摺)，依上述方法評定時，為C等級。並且，使用由所得薄膜捲所捲出之PVA薄膜，依上述方法測定PVA薄膜之均方根粗糙度時，轉筒4之表面所接觸之側的面中之均方根粗糙度為2.8nm，另一面中之均方根粗糙度為2.6nm。計算兩者之差為0.2nm。
相對於由上述薄膜捲所捲出之PVA薄膜，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為A等級。並且，將所得偏光薄膜之異 物依上述方法評定時，為A等級。
[實施例10]
使用實施例8所得薄膜捲，除了將由清洗浴中取出時之清洗浴的浴面與薄膜面所成角度由60°變更為45°以外，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為A等級。並且，將所得偏光薄膜之異物依上述方法評定時，為B等級。
[比較例7]
使用實施例8所得薄膜捲，除了由清洗浴中取出時之薄膜上方側之面使變更成為使用之PVA薄膜中具有較大均方根粗糙度之面以外，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為A等級。並且，將所得偏光薄膜之異物依上述方法評定時，為C等級。
[比較例8]
使用實施例8所得薄膜捲，除了將由清洗浴中取出時之清洗浴的液面與薄膜面所成角度由60°變更為25°以外，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為A等級。並且，將所得偏光薄膜之異物依上述方法評定時，為C等級。
[比較例9]
使用實施例8所得薄膜捲，除了由清洗浴中取出時之清洗浴的液面與薄膜面所成角度由60°變更為88°以外，與實施例8相同操作作成偏光薄膜。將所得偏光薄膜之染色不均依上述方法評定時，為A等級。並且，將所得偏光 薄膜之異物依上述方法評定時，為C等級。

Claims (10)

  1. 一種聚乙烯醇系聚合物薄膜，其以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上為缺點之數在0.25個/m2以下，且長度為1,000m以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚乙烯醇系聚合物薄膜，其中上述缺點之數在0.15個/m2以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之聚乙烯醇系聚合物薄膜，其中聚乙烯醇系聚合物薄膜中所含之聚乙烯醇系聚合物的聚合度為3,000以上10,000以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之聚乙烯醇系聚合物薄膜，其長度為6,000m以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之聚乙烯醇系聚合物薄膜，其中上述缺點係包含在薄膜的長度方向以實質上固定間隔實質上存在於薄膜的寬度方向之相同位置之缺點。
  6. 一種薄膜捲，其係長度為6,000m以上的長形之聚乙烯醇系聚合物薄膜連續捲繞而成者，對於以薄膜表面之凹陷面積在400μm2以上且深度在0.3μm以上之缺點，相對於聚乙烯醇系聚合物薄膜之捲繞開始部分中之該缺點數，聚乙烯醇系聚合物薄膜之捲繞結束部分中之該缺點數為1.4倍以下。
  7. 如申請專利範圍第6項之薄膜捲，其中上述缺點之數係0.25個/m2以下。
  8. 如申請專利範圍第6項之薄膜捲，其中上述缺點之數係0.15個/m2以下。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之薄膜捲，其中聚乙烯醇系聚合物薄膜中所含之聚乙烯醇系聚合物之聚合度為3,000以上10,000以下。
  10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之薄膜捲，其中上述缺點係包含在薄膜的長度方向以實質上固定間隔實質上存在於薄膜的寬度方向之相同位置之缺點。
TW105123051A 2012-03-30 2013-03-28 聚乙烯醇系聚合物薄膜及薄膜捲 TWI634140B (zh)

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