TWI432546B - A semiconductor thin film, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor device - Google Patents

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TWI432546B
TWI432546B TW098103979A TW98103979A TWI432546B TW I432546 B TWI432546 B TW I432546B TW 098103979 A TW098103979 A TW 098103979A TW 98103979 A TW98103979 A TW 98103979A TW I432546 B TWI432546 B TW I432546B
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Description

半導體用薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置
本發明係有關於一種半導體用薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
因應近年來電子設備之高機能化與行動用途之擴大，強烈地要求半導體裝置之高密度化、高積體化，並發展IC封裝之大電容高密度化。於該等半導體裝置的製造方法中，係將黏著片(切割片)黏貼於藉由矽、鎵、砷等所構成的半導體晶圓上，並藉由切塊切斷分離(單片化)成各個半導體元件後，進行業經擴展、單片化之半導體元件之拾取，其次，移送至將半導體元件晶粒結著於金屬引線框架、軟性載板及有機硬質基板等之半導體裝置的組裝程序。
另一方面，半導體裝置之輕薄短小化之技術革新驚人，目前提倡有各種封裝結構並且製品化，近年來，取代習知之引線框架接合，透過業已直接形成於半導體元件之電路面(機能面)上的突起電極接合半導體元件與電路板之區域安裝方式蔚為主流。
代表該區域安裝方式者包括倒裝晶片安裝。於倒裝晶片安裝中，以接合部分之補強或提升可靠性等為目的，一般會藉由樹脂組成物來密封半導體元件與電路板之間隙。
又，立體地重疊半導體元件被稱作堆疊封裝之方式亦成為主流。若將複數半導體元件配置成立體狀而非平面狀，則可縮小封裝體，再者，由於會增加在半導體元件彼此間往來之資訊，因此可提升全體之性能。
立體地積層半導體元件之方法包括：藉由線結合連接半導體元件彼此間之多晶片封裝(Multi-Chip Package,MCP)之技術。
相對於此，使用貫通電極(Through Silicon Via,TSV)之方法係於半導體元件上穿孔而填滿金屬，並進行半導體元件彼此間之連接。若藉由該方法，則由於無需連接用線，因此具有可縮窄半導體元件彼此之間隔的優點，故，一般認為該方法在今後作成立體地積層半導體元件之方法會成為主流。
另，該使用貫通電極之方法中，以接合部分之補強或提升可靠性等為目的，一般亦會藉由樹脂組成物來密封半導體元件與電路板之間隙。
樹脂密封方法一般可列舉如毛細管型底部填充方式。該方法係藉由於半導體元件之一邊或複數面塗佈液狀之密封樹脂組成物，並利用毛細管現象使密封樹脂組成物流入電路板與半導體元件之間隙來進行(參照專利文獻1：日本專利公開公報特開2007-217708號公報)。
然而，於毛細管型底部填充方式中，由於必須構成使用焊劑來接合半導體元件與電路板之程序及焊劑洗淨程序，因此程序會變長，且必須嚴格地進行洗淨廢液之處理問題等環境管理，又，由於藉由毛細管現象來進行密封，因此密封時間會變長且生產性會有問題。
又，近年來，隨著半導體封裝之薄型化之要求，通常亦會進行半導體元件之減薄、磨削。為了達成該目的，會經歷以下煩雜之程序，即：於業經加工之晶圓的元件機能面上壓接背面研磨膠帶，且於磨削晶圓之內面後，剝下該膠帶並壓接於切割膠帶上，且藉由切塊單片化並接合，因此，必須要有一種更精簡的方法。又，業經磨削之薄型晶圓亦會有在搬送或處理時破損的問題。
本發明之目的在提供一種無需焊劑洗淨程序且生產性優異，並可提升加工半導體晶圓時之作業性的半導體用薄膜。
又，本發明之目的在提供一種以良好之生產性接合半導體元件與包含有基板之結構體的半導體裝置的製造方法。
又，本發明之目的在提供一種具有前述半導體用薄膜之接著劑層之硬化物的半導體裝置。
又，本發明之目的在提供一種可適當地接合半導體元件與包含有基板之結構體的半導體裝置。
為了達成前述目的，如下述(1)至(25)所述之本發明包括：
(1)一種半導體用薄膜，其係具有片基材及設置於該片基材之其中一面側之接著劑層，又，前述接著劑層係藉由樹脂組成物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物；
(2)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其係接著半導體元件之電極端子面與前述半導體用薄膜之前述接著劑層來使用；
(3)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其係接著倒裝晶片型半導體元件之機能面與前述半導體用薄膜之前述接著劑層來使用；
(4)如前述第(3)項所述之半導體用薄膜，其中將前述半導體用薄膜之前述接著劑層自常溫以10℃/分之升溫速度升溫至熔融狀態時，初期係具有熔融黏度減少並於到達最低熔融黏度後再上升之特性，且前述最低熔融黏度係10Pa‧s以上、10,000Pa‧s以下；
(5)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其中於前述片基材與前述接著劑層間更具有脫模薄膜；
(6)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其中前述半導體用薄膜之前述接著劑層係具有於接著在半導體元件之表面的狀態下可辨識前述半導體元件之前述表面的透明性；
(7)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其中前述樹脂組成物更包含有薄膜形成性樹脂；
(8)如前述第(7)項所述之半導體用薄膜，其中前述樹脂組成物更包含有硬化劑；
(9)如前述第(8)項所述之半導體用薄膜，其中前述樹脂組成物更包含有無機填充劑；
(10)如前述第(9)項所述之半導體用薄膜，其中前述無機填充劑之平均粒子徑係0.5μm以下；
(11)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其中前述具有焊劑活性之化合物係具有焊劑活性之硬化劑；
(12)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其中前述具有焊劑活性之化合物係具有羧基及酚性羥基中之至少一者的化合物；
(13)如前述第(1)項所述之半導體用薄膜，其係用以接著半導體元件、與包含有基板及搭載於該基板之其中一面側的其他半導體元件之結構體的其他半導體元件，並接著前述半導體元件、與前述半導體用薄膜之前述接著劑層來使用；
(14)一種半導體裝置的製造方法，其係具有以下程序：接著程序，其係接著如前述第(1)項所述之半導體用薄膜之前述接著劑層與半導體晶圓之其中一面；單片化程序，其係將前述半導體晶圓於業已接著前述半導體用薄膜之狀態下單片化，而取得半導體元件；拾取程序，其係於前述片基材與前述接著劑層間剝離前述半導體用薄膜，並拾取具有前述接著劑層之半導體元件；及搭載程序，其係將前述半導體元件搭載於包含有基板之結構體，並接著前述接著劑層；
(15)如前述第(14)項所述之半導體裝置的製造方法，其中於前述接著程序與前述單片化程序間更具有研磨程序，其係研磨前述半導體晶圓之機能面呈相對側的面；
(16)如前述第(15)項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述結構體係具有前述基板及搭載於該基板之其中一面側的其他半導體元件，且於前述搭載程序中，將前述半導體元件搭載於前述結構體的前述其他半導體元件之另一面側；
(17)如前述第(16)項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述結構體係藉由其他接著層預先接合前述其他半導體元件與前述基板，且該其他接著層係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，而該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物；
(18)如前述第(17)項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述半導體晶圓之前述其中一面係業已預先形成突起電極之半導體晶圓之機能面；
(19)如前述第(18)項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述半導體晶圓係具有貫通其厚度方向之複數導體部，且於前述單片化程序中，係得到具有貫通厚度方向之導體部的半導體元件作為前述半導體元件；
(20)一種半導體裝置，其係具有如前述第(1)項所述之半導體用薄膜之前述接著劑層之硬化物；
(21)一種半導體裝置，其係具有：基板；第一半導體元件，其係設置於前述基板之至少一面側；及第二半導體元件，其係具有貫通厚度方向之導體部，又，前述第一半導體元件與前述第二半導體元件係透過突起電極電連接，且於前述第一半導體元件與前述第二半導體元件間配置有第一接著層，該第一接著層係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物；
(22)如前述第(21)項所述之半導體裝置，其中前述基板與前述第一半導體元件係透過突起電極電連接，且於前述基板與前述第一半導體元件間配置有第二接著層，該第二接著層係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物；
(23)如前述第(22)項所述之半導體裝置，其中前述樹脂組成物更包含有薄膜形成樹脂；
(24)如前述第(23)項所述之半導體裝置，其中前述具有焊劑活性之化合物係具有羧基及酚性羥基中之至少一者的化合物；及
(25)如前述第(24)項所述之半導體裝置，其中前述具有焊劑活性之化合物可作為前述可交聯反應之樹脂的硬化劑來發揮作用。
以下詳細說明本發明之半導體用薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
本發明之半導體用薄膜係具有片基材及設置於該片基材之其中一面側之接著劑層，又，前述接著劑層係藉由樹脂組成物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
又，本發明之半導體裝置的製造方法係具有以下程序，即：接著程序，其係接著前述半導體用薄膜之前述接著劑層與半導體晶圓之其中一面；單片化程序，其係將前述半導體晶圓於業已接著前述半導體用薄膜之狀態下單片化，而取得半導體元件；拾取程序，其係於前述片基材與前述接著劑層間剝離前述半導體用薄膜，並拾取具有前述接著劑層之半導體元件；及搭載程序，其係將前述半導體元件搭載於包含有基板之結構體，並接著前述接著劑層。
又，本發明之半導體裝置係具有前述半導體用薄膜之前述接著劑層之硬化物。
又，本發明之半導體裝置係具有：基板；第一半導體元件，其係設置於前述基板之至少一面側；及第二半導體元件，其係具有貫通厚度方向之導體部，又，前述第一半導體元件與前述第二半導體元件係透過突起電極電連接，且於前述第一半導體元件與前述第二半導體元件間配置有第一接著層，該第一接著層係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
(半導體用薄膜)
首先，說明半導體用薄膜。
如第一圖所示，半導體用薄膜10係藉由片基材1與設置於該片基材1之上面(其中一面)之接著劑層2所構成，雖未圖示，然而，亦可於片基材1與接著劑層2間設置脫模薄膜，藉此，可輕易地剝離片基材1與接著劑層2間，且可提升將半導體晶圓切塊所得到的半導體元件之拾取性。
半導體用薄膜10之接著劑層2係藉由樹脂組成物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
前述可交聯反應之樹脂例如除了環氧樹脂、氧環丁烷樹脂、酚樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂等被歸類在所謂熱硬化性樹脂者外，可列舉如：具有羧基、環氧基等官能基之熱可塑性樹脂等，其中，若由接著劑層2之硬化性與保存性、接著劑層2之硬化物的耐熱性、耐濕性、耐藥品性優異者來看，則適合使用環氧樹脂。
前述環氧樹脂可使用室溫下呈固態之環氧樹脂及室溫下呈液狀之環氧樹脂中的任一者，又，亦可併用室溫下呈固態之環氧樹脂與室溫下呈液狀之環氧樹脂，藉此，可進一步地提高接著劑層2之熔融動作的設計自由度。
前述室溫下呈固態之環氧樹脂並無特殊之限制，可列舉如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、三官能環氧樹脂、四官能環氧樹脂等多官能環氧樹脂等。更具體而言，前述室溫下呈固態之環氧樹脂宜包含有室溫下呈固態之三官能環氧樹脂與甲酚清漆型環氧樹脂，藉此，於製造如後述半導體裝置時，可提升其耐濕可靠性。
前述室溫下呈液狀之環氧樹脂並無特殊之限制，可列舉如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚A核加氫型環氧樹脂、4-第三丁基鄰苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等。
前述可交聯反應之樹脂含量雖無特殊之限制，然而，宜為前述樹脂組成物全體之25重量百分率以上、75重量百分率以下，特別是以45重量百分率以上、70重量百分率以下為佳。若含量為前述範圍內，則可得到接著劑層2良好之硬化性，同時可設計接著劑層2良好之熔融動作。
前述具有焊劑活性之化合物只要是具有可藉由加熱等來去除金屬氧化膜之效果者則無特殊之限制，舉例言之，可為活性松香、具有羧基之有機化合物等之有機酸、胺、酚、醇、吖嗪等本身具有焊劑活性、或具有可助長焊劑活性之作用的化合物。
該具有焊劑活性之化合物更具體而言可列舉如：於分子中具有至少一個以上之羧基及/或酚性羥基的化合物，又，其可為液狀亦可為固體。
前述含有羧基之化合物可列舉如：脂肪族酸酐、脂環族酸酐、芳族酸酐、脂肪族羧酸、芳族羧酸等。具有酚性羥基之焊劑化合物可列舉如：酚類。
前述脂肪族酸酐可列舉如：丁二酸酐、聚己二酸酐、聚壬二酸酐、聚癸二酸酐等。
前述脂環族酸酐可列舉如：甲基四氫鄰苯二甲酐、甲基六氫鄰苯二甲酐、甲基納迪克酸酐、六氫鄰苯二甲酐、四氫鄰苯二甲酐、三烷基四氫鄰苯二甲酐、甲環己烯二羧酸酐等。
前述芳族酸酐可列舉如：鄰苯二甲酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐、二苯基酮四羧酸酐、乙二醇雙偏苯三甲酸酯、丙三醇三偏苯三甲酸酯等。
前述脂肪族羧酸可列舉如：以下述式(1)所示之化合物等。
以前述式(1)所示之化合物若由焊劑活性、將接著劑層2接著於被接著物時可能產生之排氣量及接著劑層2之硬化物(例如後述第一接著層122)的彈性率或玻璃轉移溫度之平衡來看，則前述式(1)中的n雖無特殊之限制，然而，宜為3以上、10以下，較佳特別是以4以上、8以下為佳。藉由將n作成前述下限值以上，可抑制接著劑層2之硬化物的彈性率之增加，並提升與該被接著物間之接著性，又，藉由將n作成前述上限值以下，可抑制接著劑層2之硬化物的彈性率之降低，並進一步地提升所得到的半導體裝置之連接可靠性。
以前述式(1)所示之化合物可列舉如：n=3之戊二酸(HOOC-(CH2 )3 -COOH)、n=4之己二酸(HOOC-(CH2 )4 -COOH)、n=5之庚二酸(HOOC-(CH2 )5 -COOH)、n=8之癸二酸(HOOC-(CH2 )8 -COOH)及n=10之HOOC-(CH2 )10 -COOH-等。
其他脂肪族羧酸可列舉如：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、三甲基乙酸、己酸、辛酸、十二酸、十四酸、十六酸、十八酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、十八烯酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸等。
前述芳族羧酸可列舉如：苯甲酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、1,2,3-苯三甲酸、偏苯三甲酸、1,3,5-苯三甲酸、1,2,3,5-苯四甲酸、鉑酸(二酸)、苯均四酸、苯六甲酸、甲苯甲酸、二甲苯甲酸、2,3-二甲苯甲酸、3,5-二甲苯甲酸、2,3,4-三甲苯甲酸、甲苯甲酸、桂皮酸、水楊酸、2,3-二羥苯甲酸、2,4-二羥苯甲酸、龍膽酸(2,5-二羥苯甲酸)、2,6-二羥苯甲酸、3,5-二羥苯甲酸、沒食子酸(3,4,5-三羥苯甲酸)、1,4-二羥-2-萘甲酸、3,5-二羥-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物；還原酚酞；二酚酸等。
前述具有酚性羥基之化合物可列舉如：苯酚、鄰甲酚、2,6-二甲苯酚、對甲酚、間甲酚、鄰乙基苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5二甲苯酚、間乙基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4,6-三甲苯酚、3,5-二甲苯酚、對三級丁基苯酚、鄰苯二酚、對三級戊基苯酚、間苯二酚、對辛基苯酚、對苯基苯酚、雙酚A、雙酚F、雙酚AF、雙酚、二烯丙基雙酚F、二烯丙基雙酚A、三苯酚、四苯酚等含有酚性羥基之單體類、酚醛清漆樹脂、鄰甲酚清漆樹脂、雙酚F酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等。
又，此種具有焊劑活性之化合物宜為具有焊劑活性之硬化物，其係取入藉由與如環氧樹脂般可交聯反應之樹脂間的反應所形成之三維化學結構中，藉此，前述化合物在顯現焊劑活性作用後，除了可省略其洗淨程序外，更可提升所得到的半導體裝置之連接可靠性。
該具有焊劑活性之硬化劑可列舉如下述化合物，即：於一分子中具有至少一個在一分子中可加成於環氧樹脂等可交聯反應之樹脂的至少二個酚性羥基，與對金屬氧化膜顯示焊劑作用且與芳族直接鍵結的羧基。
具體而言，可列舉如：2,3-二羥苯甲酸、2,4-二羥苯甲酸、龍膽酸(2,5-二羥苯甲酸)、2,6-二羥苯甲酸、3,4-二羥苯甲酸、沒食子酸(3,4,5-三羥苯甲酸)等苯甲酸衍生物；1,4-二羥-2-萘甲酸、3,5-二羥-2-萘甲酸、3,7-二羥-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物；還原酚酞；及二酚酸等。
該等具有焊劑活性之化合物可單獨使用，亦可組合、使用二種以上。
前述具有焊劑活性之化合物含量雖無特殊之限制，然而，宜為前述樹脂組成物全體之1重量百分率以上、30重量百分率以下，特別是以5重量百分率以上、25重量百分率以下為佳。若含量小於前述下限值，則焊劑活性之效果不足，若大於前述上限值，則會殘留未與可交聯反應之樹脂反應的具有焊劑活性之化合物，並成為接著劑層2之硬化物(例如後述第一接著層122)中的遷移產生原因。又，若含量為前述範圍內，則可還原、除去電連接部(銅箔)表面之氧化膜，因此於電連接部彼此間可得到強度大之良好接合。
前述樹脂組成物並無特殊之限制，亦可包含有硬化劑。
前述硬化劑可列舉如：酚類、胺類、硫醇類。可交聯反應之樹脂使用環氧樹脂時，若根據與該環氧樹脂間良好之反應性、於硬化時接著劑層2之尺寸變化小、於硬化後之接著劑層2中可得到適當的物性(例如耐熱性、耐濕性)之觀點，則適合使用酚類。
前述酚類雖然無特殊之限制，然而，在考慮接著劑層2之硬化物(例如後述第一接著層122)的物性時，則以二官能以上為佳，舉例言之，可列舉如：雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、雙酚、雙酚F、二烯丙基雙酚F、三苯酚、四苯酚、酚醛清漆類、甲酚清漆類等，然而，在考慮接著劑層2之熔融黏度、酚類與環氧樹脂間的反應性及硬化後之接著劑層2的物性時，則可適當地使用酚醛清漆類及甲酚清漆類。
前述硬化劑使用酚醛清漆類時，其含量雖無特殊之限制，然而，若根據使前述可交聯反應之樹脂確實地硬化之觀點，則宜為前述樹脂組成物全體之5重量百分率以上，特別是以10重量百分率以上為佳。又，若殘留未與環氧樹脂反應的酚醛清漆類，則會成為接著劑層2之硬化物中的遷移產生原因，因此，為了使該等不會成為殘渣而殘留，前述含量宜為前述樹脂組成物全體之30重量百分率以下，特別是以25重量百分率以下為佳。
可交聯反應之樹脂為環氧樹脂時，酚醛清漆樹脂之含量可藉由相對於環氧樹脂之當量比來規定，具體而言，酚醛清漆類相對於環氧樹脂之當量比宜為0.5以上、1.2以下，特別是以0.6以上、1.1以下為佳，最為理想的是0.7以上、0.98以下。藉由將前述酚醛清漆樹脂相對於環氧樹脂之當量比作成前述下限值以上，可確保硬化後之接著劑層2之耐熱性、耐濕性，藉由將該當量比作成上限值以下，可減低硬化後之接著劑層2中未與環氧樹脂反應的殘留酚醛清漆樹脂量，並使接著劑層2之硬化物的耐遷移性良好。
其他硬化劑可列舉如：咪唑化合物、磷化合物等。
前述咪唑化合物雖無特殊之限制，然而，宜使用熔點為150℃以上之咪唑化合物，藉此，可輕易地兼顧使接著劑層2產生硬化之機能(接著劑層2之硬化性)與接著劑層2之焊劑機能，即，若咪唑化合物之熔點過低，則於除去電連接部(焊料凸塊)之氧化膜且電連接部彼此(焊料凸塊與電極)金屬接合前接著劑層2會硬化，又，可抑制連接變得不安定或接著劑層2(半導體用薄膜10)之保存性降低。
熔點為150℃以上之咪唑化合物可列舉如：2-苯基羥基咪唑、2-苯-4-甲基羥基咪唑、2-苯-4-甲基咪唑等。另，咪唑化合物之熔點上限並無特殊之限制，例如可按照接著劑層2之接著溫度適當地設定。
前述硬化劑使用咪唑化合物時，其含量雖無特殊之限制，然而，宜為前述樹脂組成物全體之0.005重量百分率以上、10重量百分率以下，特別是以0.01重量百分率以上、5重量百分率以下為佳。藉由將咪唑化合物之含量作成前述下限值以上，可更有效地發揮作為對可交聯反應之樹脂的硬化觸媒之機能，且可提升接著劑層2之硬化性。又，藉由將咪唑化合物之摻合比作成前述上限值以下，於焊料熔融之溫度中接著劑層2之熔融黏度不會過高，且可得到良好之焊接結構，又，可進一步地提升接著劑層2之保存性。
前述磷化合物可列舉如：三苯膦；四取代鏻與多官能酚化合物之分子性化合物；四取代鏻、質子給予體與三烷氧矽烷化合物之分子性化合物等，其中，接著劑層2之快速硬化性、對半導體元件之電連接部(鋁墊)之耐腐蝕性及接著劑層2之保存性更加優異的四取代鏻與多官能酚化合物之分子性化合物，以及四取代鏻、質子給予體與三烷氧矽烷化合物之分子性化合物是特別理想的。
前述樹脂組成物並無特殊之限制，亦可包含有與前述可交聯反應之樹脂不同的薄膜形成性樹脂。
前述薄膜形成性樹脂例如可使用：苯氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽氧烷改質聚醯亞胺樹脂、聚丁二烯、聚丙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物等苯乙烯系共聚物、聚縮醛樹脂、聚乙烯丁醛樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、丁基橡膠、氯丁二烯橡膠、聚醯胺樹脂、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙酸乙烯、尼龍、丙烯酸橡膠等，該等可單獨使用，亦可組合、使用二種以上。
薄膜形成性樹脂使用苯氧樹脂時，宜為其數量平均分子量為5,000以上、15,000以下之苯氧樹脂，藉由使用此種苯氧樹脂，可抑制硬化前之接著劑層2之流動性，且使層間厚度均一化。苯氧樹脂之骨架可列舉如：雙酚A型、雙酚F型、聯苯骨架型等，然而，並不限於該等，較為理想的是由於飽和吸水率為1%以下之苯氧樹脂在接合時或焊料安裝時之高溫下亦可抑制接著劑層2之發泡或剝離等之產生，因此較為理想。
又，以提升接著性或與其他樹脂間之相溶性為目的，前述薄膜形成性樹脂可使用具有腈基、環氧基、羥基、羧基之樹脂，此種樹脂例如可使用丙烯酸橡膠。
薄膜形成性樹脂使用丙烯酸橡膠時，可提升製作薄膜狀接著劑層2時之成膜安定性，又，由於可降低接著劑層2之硬化物的彈性率，並減低被接著物與接著劑層2之硬化物間的殘留應力，因此可提升接著劑層2之硬化物對被接著物之密接性。
丙烯酸橡膠宜為包含具有環氧基、羥基、羧基或腈基等之單體單位的(甲基)丙烯酸酯共聚物，藉此，可進一步地提升半導體元件之內面(與機能面呈相對側之面)及半導體元件上與塗覆材等被接著物間之密接性。此種(甲基)丙烯酸酯共聚物中所使用之單體可列舉如：具有縮水甘油基之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、具有羥基之(甲基)丙烯酸酯、具有羧基之(甲基)丙烯酸酯、具有腈基之(甲基)丙烯腈等。
其中，特別理想的是使用包含具有縮水甘油基或羧基之單體單位的(甲基)丙烯酸酯共聚物，藉此，可進一步地促進接著劑層2(構成接著劑層2之樹脂組成物)之硬化，更可提升對被接著物之接著性。
使用包含具有羧基之單體單位的(甲基)丙烯酸酯共聚物時，若根據進一步地提升對被接著物之接著性之觀點，則具有羧基之單體單位的共聚物中之含量係例如為(甲基)丙烯酸酯共聚物全體之0.5重量百分率以上，且較為理想的是1重量百分率以上。又，若根據更進一步地提升接著劑層2之保存性之觀點，則具有羧基之單體單位之含量係例如為(甲基)丙烯酸酯共聚物全體之10重量百分率以下，且較為理想的是5重量百分率以下。
(甲基)丙烯酸酯共聚物之重量平均分子量雖無特殊之限制，然而，宜為1,000以上、100萬以下，特別是以3,000以上、90萬以下為佳。藉由作成前述範圍，可進一步地提升構成接著劑層2之樹脂組成物的成膜性，同時可確保接著時之流動性。
(甲基)丙烯酸酯共聚物之重量平均分子量可藉由例如凝膠滲透層析法(GPC)來測定，測定條件例係例如藉由東曹(TOSOH)(股)製造、高速GPC SC-8020裝置，且管柱可使用TSK-GEL GMHXL-L、溫度40℃、溶劑四氫呋喃。
若根據抑制接著劑層2之黏著性過強而進一步地提升作業性之觀點，則(甲基)丙烯酸酯共聚物之玻璃轉移溫度係例如為0℃以上，且較為理想的是5℃以上，又，若根據進一步地提升於低溫之接著性之觀點，則(甲基)丙烯酸酯共聚物之玻璃轉移溫度係例如為30℃以下，且較為理想的是20℃以下。
(甲基)丙烯酸酯共聚物之玻璃轉移溫度可使用例如熱機械特性分析裝置(精工精密(SEIKO INSTRUMENTS)(股)製造，TMA/SS6100)，並由利用一定負載(10mN)自-65℃以升溫速度5℃/分使溫度上升並拉伸時的轉變點來測定。
薄膜形成性樹脂之含量雖無特殊之限制，然而，宜作成前述樹脂組成物全體之5重量百分率以上、50重量百分率以下。於前述範圍內摻合薄膜形成性樹脂時，由於可抑制構成接著劑層2之樹脂組成物的成膜性之降低，同時可抑制接著劑層2之硬化物的彈性率之增加，因此可進一步地提升與被接著物間之密接性。又，藉由作成前述範圍內，可抑制接著劑層2之熔融黏度之增加。
又，在特別要求接著劑層2之硬化物的耐熱性、尺寸安定性或耐濕性等特性時，於前述樹脂組成物中宜進一步地含有無機填充劑。此種無機填充劑可列舉如：滑石、燒黏土、未燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽、氧化鈦、氧化鋁、熔融二氧化矽(熔融球狀二氧化矽、熔融破碎二氧化矽)、結晶二氧化矽等之粉末等氧化物、碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物、硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽、硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽、氮化鋁、氮化硼、氮化矽等氮化物等。該等無機填充劑可單獨或混合使用，其中，熔融二氧化矽、結晶二氧化矽等二氧化矽粉末是較為理想的，特別是以球狀熔融二氧化矽為佳。
藉由於樹脂組成物中包含無機填充劑，可提升樹脂組成物之硬化物的耐熱性、耐濕性、強度等，又，可提升接著劑層2相對於片基材1之剝離性。另，無機填充劑之形狀雖無特殊之限制，然而，宜為正球狀，藉此，可提供一種特別是適合作成無各向異性之接著劑層2的樹脂組成物。
又，無機填充劑之平均粒徑雖無特殊之限制，然而，宜為0.5μm以下，特別是以0.01μm以上、0.5μm以下為佳，最為理想的是0.01μm以上、0.3μm以下。若該平均粒徑過小，則無機填充劑會變得容易凝結，其結果，強度會降低，另一方面，若過大，則接著劑層2之透明度降低，且半導體元件之表面的定位標示變得難以辨識，同時半導體元件與基板之定位變得困難。
在此，無機填充劑之含量雖無特殊之限制，然而，宜為前述樹脂組成物全體之10重量百分率以上、60重量百分率以下，特別是以20重量百分率以上、50重量百分率以下為佳。若無機填充劑之含量小於前述下限值，則會降低使接著劑層2之硬化物的耐熱性、耐濕性、強度等提升之效果，另一方面，若大於前述上限值，則會降低接著劑層2之透明性或降低接著劑層2之黏著性。
又，前述樹脂組成物亦可進一步地包含有矽烷耦合劑，藉由作成包含有矽烷耦合劑之構造，可進一步地提高接著劑層2對被接著物之密接性。矽烷耦合劑可列舉如：環氧矽烷耦合劑、含芳族胺基矽烷耦合劑等，該等可單獨使用，亦可組合、使用二種以上。矽烷耦合劑之含量雖無特殊之限制，然而，宜作成前述樹脂組成物全體之0.01重量百分率以上、5重量百分率以下。
前述樹脂組成物亦可包含有前述以外之成分，舉例言之，為了提升前述樹脂組成物中的樹脂彼此之相溶性、前述樹脂組成物或接著劑層2之安定性、前述樹脂組成物之成膜時之作業性等各種特性，亦可適當地添加各種添加劑。
片基材1係由支持基材與黏著劑層所構成，該支持基材例如可使用：耐熱性或耐藥品性優異的樹脂薄膜；及將構成樹脂薄膜之樹脂進行交聯處理的交聯薄膜；以及於該樹脂薄膜之表面塗佈矽氧樹脂等並進行剝離處理的薄膜。
另，構成樹脂薄膜之樹脂並無特殊之限制，舉例言之，可列舉如：聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯般的聚烯烴、氯乙烯、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯共聚物、聚酯、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯胺、聚胺基甲酸酯等。
又，片基材1之厚度雖無特殊之限制，然而，宜為3μm以上、500μm以下，且以3μm以上、100μm以下尤佳，特別理想的是10μm以上、75μm以下。
另一方面，接著劑層2之厚度雖無特殊之限制，然而，宜為3μm以上、100μm以下，特別是以10μm以上、75μm以下為佳。
若片基材1及接著劑層2之厚度分別小於前述下限值，則作成半導體用薄膜10之效果會降低，若大於前述上限值，則製品的製造困難且厚度精度降低。
其次，簡單地說明半導體用薄膜10的製造方法。
接著劑層2係藉由混合可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物等，並塗佈於聚酯片等剝離基材21上，且以預定溫度乾燥而取得。藉由僅將形成於剝離基材21上的接著劑層2之接著劑層2側進行半切穿，而可將接著劑層2作成與半導體晶圓大致相同之形狀，例如圓形狀，此時，可得到由接著劑層2與剝離基材21所構成的接著薄膜。
又，在將半導體用薄膜10作成於片基材1與接著劑層2間設置有未圖示之脫模薄膜的構造時，接著劑層2係藉由混合可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物等，並塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等脫模薄膜上，且以預定溫度乾燥而取得。再者，在將聚酯片等剝離基材21疊合於接著劑層2側後，藉由僅將脫模薄膜及接著劑層2側進行半切穿，而可將脫模薄膜及接著劑層2作成與半導體晶圓大致相同之形狀，例如圓形狀，此時，可得到由脫模薄膜、接著劑層2及剝離基材21所構成的接著薄膜。
又，藉由於接著薄膜之接著劑層2或脫模薄膜上積層片基材1並接連片基材1之黏著劑層，可得到由片基材1之支持基材、片基材1之黏著劑層、脫模薄膜、接著劑層2及剝離基材21所構成的帶有剝離基材21之半導體用薄膜10(參照第二圖)。
將半導體用薄膜10之接著劑層2自常溫以10℃/分之升溫速度升溫至熔融狀態時，初期具有熔融黏度減少並於到達最低熔融黏度後再上升之特性時，該前述最低熔融黏度雖無特殊之限制，然而，宜為10Pa‧s以上、10,000Pa‧s以下，特別是以100Pa‧s以上、3,000Pa‧s以下為佳，最為理想的是300Pa‧s以上、1,500Pa‧s以下。
藉由將熔融黏度作成前述下限值以上，可抑制加熱時接著劑層2自被接著物滲出所造成的接著可靠性之降低，且亦可抑制因滲出所造成的周邊構件之污染，再者，亦可防止接著劑層2中的氣泡之產生，例如在半導體元件與基板間樹脂組成物之未填充部位之產生等不良狀況，再者，亦可防止焊料過度地浸潤擴散且於基板側之鄰接電連接部(電極)彼此間短路之問題。
又，藉由作成前述上限值以下，在金屬接合電連接部彼此(焊料凸塊與電路板電極)時，由於會排除電連接部彼此間之樹脂組成物，因此可抑制不良接合。
又，接著劑層2達到前述最低熔融黏度之溫度雖無特殊之限制，然而，宜為120℃～180℃，特別是以140℃～170℃為佳，此係由於接著劑層2在前述溫度範圍顯示最低熔融黏度時，可輕易地將半導體元件搭載於基板(電路板)等之故。
接著劑層2之熔融黏度係例如藉由以下測定方法來求取。
可藉由黏彈性測定裝置(Rheo Stress RS-10 HAAKE(股)公司製造)，於升溫速度10℃/min、頻率0.1Hz下藉由應變一定-應力檢測來測定厚度100μm之接著劑層2。
接著劑層2雖無特殊之限制，然而，宜具有於接著在半導體元件之表面的狀態下可辨識該半導體元件之表面的透明性，藉此，可輕易地進行接合半導體元件與基板時之定位。
更具體而言，接著劑層2宜為在630nm之透過率為50%以上者，特別是以70%～100%者為佳。若透過率為前述範圍內，則特別會具有優異之半導體元件之辨識性，且可提升電連接部彼此間之連接率。
(半導體裝置的製造方法及半導體裝置)
其次，說明使用此種半導體用薄膜10來製造半導體裝置的方法及半導體裝置之實施形態。
首先，自帶有剝離基材21之半導體用薄膜10除去剝離基材21而準備半導體用薄膜10，另，接著劑層2(及脫模薄膜)係形成為與半導體晶圓大致相同之形狀(於本實施形態中為圓形)及尺寸。
其次，如第三圖所示，積層半導體晶圓3與半導體用薄膜10，使半導體晶圓3之機能面(其中一面)31與接著劑層2接觸(接著程序)。另，雖未圖示，然而，宜於該機能面31上預先形成焊料凸塊(突起電極)，藉此，可藉由將半導體晶圓單片化後安裝於基板之操作，輕易地製造半導體裝置。
其次，如第四圖所示，將片基材1之上側面(第四圖中的上側)固定於研磨裝置之研磨台4上，研磨裝置並無特殊之限制，可使用市售研磨裝置。又，於該狀態下，使研磨裝置作動，並研磨(背面研磨)半導體晶圓3的與機能面31呈相對側之面(另一面)(研磨程序)。另，該研磨程序只要依需要進行即可，亦可加以省略。
在此，業經背面研磨後之半導體晶圓3之厚度雖無特殊之限制，然而，宜作成30μm～600μm。
另，本發明之半導體用薄膜10係由於接著劑層2為包含具有焊劑活性之化合物的樹脂組成物，因此可直接疊合於半導體晶圓3之機能面31。
其次，如第五圖所示，將背面研磨後之半導體晶圓3設置於切割台5上，使片基材1與切割台5之上面(第五圖中的上側)接連，其次，於半導體晶圓3之周圍設置貼片環6，並固定半導體晶圓3。又，藉由刀片7切斷半導體晶圓3及接著劑層2將半導體晶圓3單片化，而得到具有接著劑層2之半導體元件(單片化程序)，此時，半導體薄膜10係具有緩衝作用，並防止切斷半導體晶圓3時之半導體元件的破裂、切口等。另，亦可於半導體用薄膜10上預先黏貼半導體晶圓3及貼片環6後再設置於切割台5上。
其次，藉由擴展裝置伸展半導體用薄膜10，並以一定間隔拉開業經單片化之具有接著劑層2之半導體元件彼此，然後，進行拾取(拾取程序)並搭載於基板(搭載程序)。又，使接著劑層2加熱、硬化而得到於基板上積層有半導體元件之半導體裝置。
依此，本發明之半導體用薄膜10係由於片基材1可具有背面研磨膠帶機能與切割膠帶機能，且接著劑層2具有焊劑活性，因此可省略焊劑塗佈程序等，故，無需焊劑洗淨程序且生產性優異，並可提升加工半導體晶圓3時之作業性。
其次，說明半導體裝置的製造方法及半導體裝置之其他實施形態。
首先，根據第六圖所示之較佳實施形態，詳細說明半導體裝置。
第六圖係顯示本發明之半導體裝置之一例(其他實施形態)之截面圖。
如第六圖所示，半導體裝置100具有：基板110；第一半導體元件(其他半導體元件)101，其係搭載於基板110之上側(第六圖中的上側)；及第二半導體元件102，其係搭載於第一半導體元件101之上側(第六圖中的上側)。於本實施形態中，藉由基板110與第一半導體元件101，構成搭載第二半導體元件102之結構體。
於基板110之上側面形成未圖示之電路圖案，並配置有電極墊(電連接部)。
第一半導體元件101與基板110係透過焊料凸塊(突起電極)111電連接，為了保護焊料凸塊111(接合部分)之周圍，於第一半導體元件101與基板110間配置有第二接著層(其他接著層)112，其係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
於第一半導體元件101上形成貫通其厚度方向之導體部113，且可往來於第一半導體元件101之機能面114與內面間之電信號，藉此，無需使用結合線，且可減薄半導體裝置100。再者，相較於使用結合線之情形，由於可縮短電信號之傳達距離，因此亦可提升反應速度。
又，第一半導體元件101與第二半導體元件102亦透過焊料凸塊(突起電極)121電連接，為了保護焊料凸塊121(接合部分)之周圍，於第一半導體元件101與第二半導體元件102間配置有第一接著層122，其係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
於第二半導體元件102上形成貫通其厚度方向之導體部123，且可於第二半導體元件2之機能面124與內面間往來電信號，藉此，無需使用結合線，且可減薄半導體裝置100。再者，相較於使用結合線之情形，由於可縮短電信號之傳達距離，因此亦可提升反應速度。
以下說明各構造。
基板110例如可使用陶瓷基板或有機基板等，陶瓷基板可使用氧化鋁基板、氮化鋁基板等，有機基板可使用將聚醯亞胺薄膜作成基板使用的聚醯亞胺薄膜基板、使玻璃布浸透環氧樹脂的FR-4基板、浸透雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂之BT基板等。
第一半導體元件101係例如使用記憶體、邏輯線路、處理器等，且大小可適當地使用1mm～20mm方形者。
連接第一半導體元件101與基板110之焊料凸塊(電連接部)111之尺寸雖無特殊之限制，然而，宜為10μm～600μm，特別是以30μm～200μm為佳。
又，保護焊料凸塊111之周圍並藉由樹脂組成物之硬化物所構成的第二接著層112，該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物，該樹脂組成物可使用與構成前述半導體用薄膜10之接著劑層2之樹脂組成物相同者。
又，保護焊料凸塊111之周圍的第二接著層112亦可使用所謂底部填充材，舉例言之，可得到於業已混合一種或複數種之環氧系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、氟系樹脂、矽氧系樹脂等者中添加有硬化劑、無機填充材或各種耦合劑等的液狀底部填充材。
藉由將該底部填充材塗佈於第一半導體元件101之一邊或複數面，而利用毛細管現象使其流入基板110與第一半導體元件101之間隙後，使其硬化並形成其硬化物而保護電連接部(電極)。
第二半導體元件102係例如使用記憶體、邏輯線路、處理器等，且大小係與第一半導體元件101相同程度之大小，可適當地使用1mm～20mm方形者。
連接第二半導體元件102與第一半導體元件101之焊料凸塊121之尺寸雖無特殊之限制，然而，宜為10μm～300μm，特別是以20μm～100μm為佳。
又，保護焊料凸塊121之周圍並藉由樹脂組成物之硬化物所構成的第一接著層122，該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物，該樹脂組成物可使用與構成前述半導體用薄膜10之接著劑層2之樹脂組成物相同者。
第一接著層122係藉由如前述樹脂組成物之硬化物所構成，藉此，可保護焊料凸塊(電極)121，並提升半導體裝置100之連接可靠性。
其次，說明半導體裝置100的製造方法。
第七圖係顯示本發明之半導體裝置的製造方法之一例(其他實施形態)之模式圖。
首先，製造與具有接著劑層2及片基材1之積層體，即，前述半導體用薄膜10相同的半導體用薄膜10’，且該接著劑層2係藉由樹脂組成物所構成，而該樹脂組成物包含有可交聯之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
另，本實施形態之半導體用薄膜10’係具有由支持基材9與黏著劑層8所構成的片基材1’及接著劑層2。
製造此種半導體用薄膜10’時，首先，如第七圖(a)所示，將包含有可交聯反應之化合物及具有焊劑活性之化合物的樹脂組成物塗佈於剝離基材21’上並乾燥，且得到接著劑層2。藉由將該接著劑層2側進行半切穿，而可將接著劑層2作成與半導體晶圓大致相同之形狀，例如圓形狀，此時，可得到由接著劑層2及剝離基材21’所構成的接著薄膜。
又，在作成於藉由支持基材9及黏著劑層8所構成的片基材1’與接著劑層2間設置有未圖示之脫模薄膜的構造時，接著劑層2係藉由混合可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物等，並塗佈於脫模薄膜上，且以預定溫度乾燥而取得。再者，在將剝離基材21’疊合於接著劑層2側後，藉由將脫模薄膜及接著劑層2側進行半切穿，而可將脫模薄膜及接著劑層2作成與半導體晶圓大致相同之形狀，例如圓形狀，此時，可得到由脫模薄膜、接著劑層2及剝離基材21’所構成的接著薄膜。
其次，藉由疊合機等，疊合由脫模薄膜、接著劑層2及剝離基材21’所構成的接著薄膜與藉由支持基材9及黏著劑層8所構成的片基材1’，使接著薄膜之接著劑層2或脫模薄膜與片基材1’之黏著劑層8接觸，並得到帶有剝離基材21’之半導體用薄膜10’(參照第七圖(b))。
其次，如第七圖(c)所示，將剝離基材21’自該帶有剝離基材21’之半導體用薄膜10’剝離，並積層為接著劑層2與具有貫通厚度方向之複數導體部123的半導體晶圓3’之其中一面(第七圖(c)中的下側面)接觸(接著程序)。
其次，將片基材1’之支持基材9設置於切割台上，並與切割台之上面接連(未圖示)，其次，於半導體晶圓3’之周圍設置貼片環，並固定半導體晶圓3’。又，藉由刀片切斷半導體晶圓3’及接著劑層2而將半導體晶圓3’單片化，而得到具有接著劑層2且具有貫通厚度方向之複數導體部123的第二半導體元件102(單片化程序)。
其次，藉由擴展裝置伸展半導體用薄膜10’，並以一定間隔拉開業經單片化之具有接著劑層2之第二半導體元件102彼此，然後，進行拾取(拾取程序)並搭載於業已預先搭載第一半導體元件101之基板110的該第一半導體元件101上(搭載程序)。又，使接著劑層2加熱、硬化而作成第一接著層122，並得到於基板110上積層有二個半導體元件101、102之半導體裝置100。
於本發明中，由於使用如前述具有焊劑活性之接著劑層2，因此，於第一及第二半導體元件101、102彼此之焊接時無需焊劑處理，又，耐回流性亦優異。
另，前述實施形態係說明積層二個半導體元件者，然而，亦可為三個、四個而積層複數個，又，第一半導體元件101亦可與第二半導體元件102相同地安裝於基板上。
[實施例]
以下根據實施例及比較例詳細說明本發明，然而，本發明並不限於此。
(第A一實施例)
一A、接著薄膜的製造
將作成可交聯反應之樹脂的環氧樹脂(NC6000(環氧當量200g/eq，日本化藥(股)製造)47.00重量百分率、作成薄膜形成性樹脂的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-丙烯酸-丙烯酸羥乙酯共聚物，長瀨(NAGASE CHEMTEX)(股)製造，SG-708-6，重量平均分子量：500,000)19.51重量百分率與丙烯酸樹脂(丙烯酸-苯乙烯共聚物，重量平均分子量：5,500，UC-3900，東亞合成(股)製造)9.75重量百分率、作成硬化劑的固態酚樹脂(PR-53647，羥基當量104g/OH基，住友電木(BAKELITE)(股)製造)10.26重量百分率、作成硬化促進劑的咪唑化合物(2P4MHZ，四國化成工業(股)製造)0.08重量百分率、作成焊劑化合物的還原酚酞12.88重量百分率、作成耦合劑的丙基三甲氧基矽烷(KBM303，信越化學工業(股)製造)0.52重量百分率溶解於甲乙酮(MEK)中，並得到樹脂固體成分40%之樹脂清漆。
使用刮刀式塗佈機，將該樹脂清漆塗佈於藉由聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度15μm)所構成的脫模薄膜上後，以90℃乾燥五分鐘，並於脫模薄膜上形成厚度40μm之接著劑層，然後，再將藉由厚度38μm之聚酯片所構成的剝離基材(覆蓋薄膜)疊合於接著劑層側，並得到由剝離基材、接著劑層及脫模薄膜所構成的接著薄膜。
二A、黏著薄膜的製造
將防刮材(CLEARTECH)CT-H717(可樂麗(KURARAY)製造)藉由押出機形成厚度100μm之薄膜，並將表面進行電暈處理而得到支持基材。
其次，將業已共聚合丙烯酸2-乙基己酯50重量份、丙烯酸丁酯10重量份、乙酸乙烯37重量份、甲基丙烯酸2-羥乙酯3重量份所得到的重量平均分子量500,000之共聚物，塗抹於業經剝離處理由厚度38μm之聚酯薄膜所構成的剝離基材(覆蓋薄膜)上，使乾燥後之厚度構成10μm，並以80℃乾燥五分鐘，且得到黏著劑層，然後，將該黏著劑層疊合於前述支持基材之電暈處理面，並得到由包含有支持基材與黏著劑層之片基材及剝離基材(覆蓋薄膜)所構成的黏著薄膜(帶有剝離基材(覆蓋薄膜)之片基材)。
三A、半導體用薄膜的製造
將前述接著薄膜之脫模薄膜及接著劑層側進行半切穿以保留接著於半導體晶圓之部分後，將剝離基材(覆蓋薄膜)自前述黏著薄膜之黏著劑層剝離，並黏貼成接著薄膜之脫模薄膜與黏著薄膜之黏著劑層接觸，藉此，得到片基材之支持基材、片基材之黏著劑層、脫模薄膜、接著劑層及剝離基材(覆蓋薄膜)依此順序積層的帶有剝離基材(覆蓋薄膜)之半導體用薄膜。
四A、半導體裝置的製造
剝離該帶有剝離基材(覆蓋薄膜)之半導體用薄膜的剝離基材(覆蓋薄膜)，並以溫度110℃、壓力0.3MPa將接著劑層黏貼於直徑八吋、厚度725μm之半導體晶圓帶有凸塊之面上，且得到業已接著半導體用薄膜之半導體晶圓。又，將片基材1之上側(支持基材)面(第四圖中的上側)固定於研磨裝置之研磨台4上，並進行磨削，直到半導體晶圓之厚度自725μm構成100μm為止。
其次，如第五圖所示，將該半導體晶圓設置成片基材1之支持基材與切割台5之上面接觸，並使用切割鋸刀，以轉軸旋轉數30,000rpm、切斷速度50mm/sec將半導體晶圓及接著劑層切塊(切斷)成5mm×5mm方形之尺寸。
其次，自半導體用薄膜之內面推起，並於接著劑層與脫模薄膜間剝離而得到接著有接著劑層(接著薄膜)之半導體元件(60μmΦ，Sn3Ag 0.5Cu凸塊，間距200μm，凸塊數225，帶有PI保護膜：日立超LSI公司製造)。於塗覆有阻焊劑(太陽油墨製造公司製造：PSR4000 AUS308)之BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂基板(0.8mmt)上將該半導體元件使用倒裝晶片接合器進行定位後，以250℃壓接十秒而得到倒裝晶片封裝體，又，使其以180℃進行後硬化一小時。
另，接著劑層之透過率係97%。
(第A二實施例)
除了未使用丙烯酸樹脂(丙烯酸-苯乙烯共聚物，重量平均分子量：5,500，UC-3900，東亞合成(股)製造)而將薄膜形成性樹脂作成丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-丙烯酸-丙烯酸羥乙酯共聚物，長瀨(NAGASE CHEMTEX)(股)製造，SG-708-6，重量平均分子量：500,000)29.26重量百分率以外，作成與第A一實施例相同。
另，接著劑層之透過率係97%。
(第A三實施例)
將可交聯反應之樹脂的環氧樹脂(NC6000(環氧當量200g/eq，日本化藥(股)製造)37.60重量百分率、作成薄膜形成性樹脂的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-丙烯酸-丙烯酸羥乙酯共聚物，長瀨(NAGASE CHEMTEX)(股)製造，SG-708-6，重量平均分子量：500,000)15.60重量百分率與丙烯酸樹脂(丙烯酸-苯乙烯共聚物，重量平均分子量：5,500，UC-3900，東亞合成(股)製造)7.80重量百分率、作成硬化劑的固態酚樹脂(PR-53647，羥基當量104g/OH基，住友電木(BAKELITE)(股)製造)8.21重量百分率、作成硬化促進劑的咪唑化合物(2P4MHZ，四國化成工業(股)製造)0.07重量百分率、作成焊劑化合物的還原酚酞10.30重量百分率、作成耦合劑的丙基三甲氧基矽烷(KBM303，信越化學工業(股)製造)0.42重量百分率溶解於甲乙酮(MEK)中，再加入二氧化矽(夸脫綸()SP-03B，扶桑化學工業(股)製造，平均粒徑0.02μm二氧化矽)20.00重量百分率且進行分散，並得到固體成分40%之樹脂清漆，除此以外則作成與第A一實施例相同。
另，接著劑層之透過率係52%。
(第A四實施例)
將可交聯反應之樹脂的環氧樹脂(環氧當量180g/eq，EPICLON840S，大日本油墨化學工業(股)製造)50.00重量百分率、作成薄膜形成性樹脂的苯氧樹脂(YL-6954，日本環氧樹脂(股)製造)20.00重量百分率、作成硬化劑的固態酚樹脂(PR-53647，羥基當量104g/OH基，住友電木(BAKELITE)(股)製造)25.00重量百分率、作成硬化促進劑的磷系化合物(四苯膦/丙基三甲氧基矽烷/2,3-二羥基萘之分子化合物)0.50重量百分率、作成焊劑化合物的癸二酸4.50重量百分率溶解於甲乙酮(MEK)中，並得到固體成分40%之樹脂清漆，除此以外則作成與第A一實施例相同。
另，接著劑層之透過率係98%。
(第A五實施例)
於半導體用薄膜的製造中，除了未使用脫模薄膜而依下述取得半導體用薄膜外，作成與第A一實施例相同。
使用刮刀式塗佈機，將前述樹脂清漆塗佈於藉由聚酯片(厚度38μm)所構成的剝離基材(覆蓋薄膜)上後，以90℃乾燥五分鐘，並於剝離基材(覆蓋薄膜)上形成厚度40μm之接著劑層，且得到由剝離基材(覆蓋薄膜)及接著劑層所構成的接著薄膜。
將前述接著薄膜之接著劑層側進行半切穿以保留接著於半導體晶圓之部分後，將剝離基材(覆蓋薄膜)自前述黏著薄膜之黏著劑層剝離，並黏貼成接著薄膜之接著劑層與黏著薄膜之黏著劑層接觸，藉此，得到片基材之支持基材、片基材之黏著劑層、接著劑層及剝離基材(覆蓋薄膜)依此順序積層的帶有剝離基材(覆蓋薄膜)之半導體用薄膜。
另，接著劑層之透過率係97%。
(第A一比較例)
將作成薄膜形成性樹脂的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物，長瀨(NAGASE CHEMTEX)(股)製造，SG-PZ，重量平均分子量：850,000)62.12重量百分率、作成焊劑化合物的還原酚酞12.88重量百分率溶解於甲乙酮(MEK)中，再加入二氧化矽(夸脫綸()SP-03B，扶桑化學工業(股)製造，平均粒徑0.02μm二氧化矽)25.00重量百分率且進行分散，並得到固體成分40%之樹脂清漆，除此以外則作成與第A一實施例相同。
另，接著劑層之透過率係98%。
(第A二比較例)
除了於第一實施例中未使用為焊劑活性物質的還原酚酞而作成固態酚樹脂(PR-53647，羥基當量104g/OH基，住友電木(BAKELITE)(股)製造)23.14重量百分率外，與第A一實施例相同地進行。
另，接著劑層之透過率係96%。
(第A三比較例)
將背面研磨膠帶(三井化學公司製造，品號ICROS TAPE)接著於半導體晶圓，又，在設置成背面研磨膠帶與背面研磨裝置之研磨台接連後，藉由背面研磨裝置將晶圓厚度自725μm磨削至100μm。
其次，自半導體晶圓剝離背面研磨膠帶，然後，重糊成切割片(住友電木(BAKELITE)製造，品號SUMILITE FSL)，且設置成該切割片與切割台之上面接觸，並使用切割鋸刀，以轉軸旋轉數30,000rpm、切斷速度50mm/sec切塊(切斷)成5mm×5mm方形之半導體元件(60μmΦ，Sn3Ag0.5Cu凸塊，間距200μm，凸塊數225，帶有PI保護膜：日立超LSI公司製造)之尺寸。
其次，將焊劑塗佈於該半導體元件機能面上，且於塗覆有阻焊劑(太陽油墨製造公司製造：PSR4000 AUS308)之BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂基板(0.8mmt)上使用倒裝晶片接合器進行定位後，以250℃壓接十秒而得到倒裝晶片封裝體。其次，使用焊劑洗淨液洗淨多餘的焊劑，然後，使液狀密封樹脂流入半導體元件與基板間，且以150℃進行硬化二小時，並得到半導體裝置。
其次，針對各實施例及比較例中所得到的半導體裝置進行以下評價，且將評價項目與內容同時地顯示，表一係顯示所得到的結果。
一、生產性
將第三比較例之生產工程數作為基準(100)，並比較其他實施例及比較例之生產性，各符號如以下所述。另，表中的-表示無法評價。
◎：將第三A比較例之生產工程數作為基準(100)，且生產工程數為40以上、小於60。
○：將第三A比較例之生產工程數作為基準(100)，且生產工程數為60以上、小於80。
△：將第三A比較例之生產工程數作為基準(100)，且生產工程數為80以上、小於100。
×：將第三A比較例之生產工程數作為基準(100)，且生產工程數為100以上。
二、接著劑層之滲出
接著劑層之滲出係以目測來評價，各符號如以下所述。
◎：幾乎未觀察到接著劑層之滲出。
○：觀察到接著劑層之滲出，但小於1mm。
△：觀察到接著劑層之滲出，且為1mm以上、小於5mm。
×：觀察到接著劑層之滲出，且為5mm以上。
三、連接可靠性
連接可靠性係藉由將所得到的半導體裝置在熱循環試驗後可否取得導通來評價。
具體而言，藉由數位萬用數位表來測定半導體元件、基板間之連接電阻，且測定係測定將半導體裝置製作後，以及-65℃中一小時與150℃中一小時之溫度循環1,000循環後的兩者，各符號如以下所述。
◎：於20/20個之半導體裝置中可取得導通。
○：於18～19/20個之半導體裝置中可取得導通。
△：於16～17/20個之半導體裝置中可取得導通。
×：於16以下/20個之半導體裝置中可取得導通。
[表一]
由表一中可知，在使用第A一實施例至第A五實施例之半導體用薄膜之半導體裝置的製造中，無需焊劑洗淨程序且可確認半導體裝置之生產性優異。
又，於第A一實施例至第A五實施例之半導體裝置(特別是第A二實施例及第A三實施例之半導體裝置)中，可確認亦能抑制接著劑之滲出。
又，於第A一實施例至第A五實施例之半導體裝置(特別是第A一實施例、第A四實施例及第A五實施例之實施例)中，連接可靠性亦優異。
(第B一實施例)
一B、接著薄膜的製造
首先，作成與第A一實施例相同，並得到樹脂清漆。
其次，使用刮刀式塗佈機，將該樹脂清漆塗佈於藉由聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度38μm)所構成的脫模薄膜上後，以90℃乾燥五分鐘，並於脫模薄膜上形成厚度35μm之接著劑層，且得到由接著劑層及脫模薄膜所構成的接著薄膜。
二B、黏著薄膜的製造
其次，作成與第A一實施例相同，並得到黏著薄膜。
三B、半導體用薄膜的製造
其次，作成與第A五實施例相同，並得到半導體用薄膜。
四B、第二半導體元件的製造
剝離該帶有剝離基材(覆蓋薄膜)之半導體用薄膜的剝離基材(覆蓋薄膜)，並以溫度110℃、壓力0.3MPa將接著劑層黏貼於半導體晶圓(直徑八吋、厚度100μm)之內面上，且得到業已接著半導體用薄膜之半導體晶圓。
其次，使用切割鋸刀，以轉軸旋轉數30,000rpm、切斷速度50mm/sec將該半導體晶圓切塊(切斷)成7mm×7mm方形之尺寸。又，自接著劑層之內面推起，並於半導體用薄膜之黏著劑層與接著劑層間剝離而得到接著有接著劑層之第二半導體元件(電極數480，柱徑30μm、高度20μm，間距50μm，錫銀焊料高度10μm)。
五B、半導體裝置的製造
於預先在塗覆有阻焊劑(太陽油墨製造公司製造：PSR4000 AUS308)之BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂基板(0.8mmt)上接合有第一半導體元件(尺寸7mm×7mm，厚度100μm，電極數480，柱徑30μm、高度20μm，間距50μm，錫銀焊料高度10μm)者上，將前述具有接著劑層之第二半導體元件使用倒裝晶片接合器進行定位，並使接著劑層與第一半導體元件接觸後，以250℃壓接十秒並進行搭載。又，藉由加熱180℃×60分鐘，使接著劑層硬化而作成接著層，並得到業已積層二個半導體元件之半導體裝置。
(第B二實施例)
除了未使用丙烯酸樹脂(丙烯酸-苯乙烯共聚物，重量平均分子量：5,500，UC-3900，東亞合成(股)製造)而將薄膜形成性樹脂作成丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-丙烯酸-丙烯酸羥乙酯共聚物，長瀨(NAGASE CHEMTEX)(股)製造，SG-708-6，重量平均分子量：500,000)29.26重量百分率以外，作成與第B一實施例相同。
(第B三實施例)
將可交聯反應之樹脂的環氧樹脂(NC6000(環氧當量200g/eq，日本化藥(股)製造)37.60重量百分率、作成薄膜形成性樹脂的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-丙烯酸-丙烯酸羥乙酯共聚物，長瀨(NAGASE CHEMTEX)(股)製造，SG-708-6，重量平均分子量：500,000)15.60重量百分率與丙烯酸樹脂(丙烯酸-苯乙烯共聚物，重量平均分子量：5,500，UC-3900，東亞合成(股)製造)7.80重量百分率、作成硬化劑的固態酚樹脂(PR-53647，羥基當量104g/OH基，住友電木(BAKELITE)(股)製造)8.21重量百分率、作成硬化促進劑的咪唑化合物(2P4MHZ，四國化成工業(股)製造)0.07重量百分率、作成焊劑化合物的還原酚酞10.30重量百分率、作成耦合劑的丙基三甲氧基矽烷(KBM303，信越化學工業(股)製造)0.42重量百分率溶解於甲乙酮(MEK)中，再加入二氧化矽(夸脫綸()SP-03B，扶桑化學工業(股)製造，平均粒徑0.02μm二氧化矽)20.00重量百分率且進行分散，並得到樹脂清漆，除此以外則作成與第B一實施例相同。
(第B四實施例)
除了樹脂清漆使用下述者外，作成與第一實施例相同。
將可交聯反應之樹脂的環氧樹脂(環氧當量180g/eq，EPICLON840S，大日本油墨化學工業(股)製造)62.5重量百分率、作成薄膜形成性樹脂的苯氧樹脂(YL-6954，日本環氧樹脂(股)製造)25.00重量百分率、作成硬化劑的固態酚樹脂(PR-53647，羥基當量104g/OH基，住友電木(BAKELITE)(股)製造)31.30重量百分率、作成硬化促進劑的磷系化合物(四苯膦/丙基三甲氧基矽烷/2,3-二羥基萘之分子化合物)0.50重量百分率、作成焊劑化合物的癸二酸5.70重量百分率溶解於甲乙酮(MEK)中，並得到固體成分40%之樹脂清漆。
(第B一比較例)
使用切割鋸刀，以轉軸旋轉數30,000rpm、切斷速度50mm/sec將半導體晶圓切塊(切斷)成7mm×7mm方形之尺寸，並得到第一半導體元件。
其次，將焊劑塗佈於該第一半導體元件之內面(機能元件面之相對面)上，且於塗覆有阻焊劑(太陽油墨製造公司製造：PSR4000 AUS308)之BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂基板(0.8mmt)上使用倒裝晶片接合器進行定位後，以250℃壓接十秒而得到倒裝晶片封裝體。
其次，使用焊劑洗淨液洗淨多餘的焊劑，然後，使液狀密封樹脂(住友電木(BAKELITE)公司製造，品號CRP-4152D1)流入半導體元件與基板間，且以150℃進行硬化二小時，並得到半導體裝置。
其次，使用切割鋸刀，以轉軸旋轉數30,000rpm、切斷速度50mm/sec將其他半導體晶圓切塊(切斷)成5mm×5mm方形之尺寸，並得到第二半導體元件(電極數480，柱徑30μm、高度20μm，間距50μm，錫銀焊料高度10μm)。
將焊劑塗佈於該第二半導體元件之內面(機能元件面之相對面)上，且於第一半導體元件上使用倒裝晶片接合器進行定位後，以250℃壓接十秒而得到倒裝晶片封裝體。其次，使用焊劑洗淨液洗淨多餘的焊劑，然後，使液狀密封樹脂(住友電木(BAKELITE)公司製造，品號CRP-4120B2)流入第一半導體元件與第二半導體元件間，且以150℃進行硬化二小時，並得到半導體裝置。
針對各實施例及比較例中所得到的半導體裝置進行以下評價，且將評價項目與內容同時地顯示，表二係顯示所得到的結果。
一、連接可靠性
連接可靠性係藉由將所得到的半導體裝置在熱循環試驗後可否取得導通來評價。
此係與前述連接可靠性中所揭示者相同地來進行。
二、耐回流性
耐回流性係將所得到的半導體裝置進行85℃/85%RH/168小時之吸濕處理後，進行三次260℃之IR回流，並藉由掃描型超音波探傷機(SAT)來評價，各符號如以下所述。
◎：完全無裂紋。
○：裂紋產生數為二個以下。
△：裂紋產生數為三個以上、五個以下。
×：裂紋產生數為六個以上。
三、生產性
將第B一比較例之生產工程數作為基準(100)，並與前述生產性中所揭示者相同地比較其他實施例及比較例之生產性。
[表二]
由表二中可知，第B一實施例至第B四實施例係連接可靠性優異，並暗示可適當地接合具有貫通電極之半導體元件與其他半導體元件。
又，第B一實施例至第B四實施例顯示出半導體裝置之生產性亦優異。
又，在如第B一比較例般使液狀密封樹脂流入半導體元件與基板間之方法中，要使液狀密封樹脂流入如前述狹窄間距之電極(配線)間是困難的，且填充性不足，並顯示出半導體裝置之連接可靠性降低。
 產業上之可利用性
若藉由本發明，則可得到一種無需焊劑洗淨程序且生產性優異，並可提升加工半導體晶圓時之作業性的半導體用薄膜。
又，若藉由本發明，則可得到一種以良好之生產性接合半導體元件與包含有基板之結構體的半導體裝置的製造方法。
又，若藉由本發明，則可得到一種具有前述半導體用薄膜之接著劑層之硬化物的半導體裝置。
又，若藉由本發明，則可得到一種可適當地接合半導體元件與包含有基板之結構體的半導體裝置，因此具有產業上之可利用性。
以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因此侷限本發明之專利保護範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之等效技術變化，均包含於本發明之權利保護範圍內，合予陳明。
1．．．片基材
1’．．．片基材
2．．．接著劑層
3．．．半導體晶圓
3’．．．半導體晶圓
31．．．機能面
4．．．研磨台
5．．．切割台
6．．．貼片環
7．．．刀片
8．．．黏著劑層
9．．．支持基材
10．．．半導體用薄膜
10’．．．半導體用薄膜
21．．．剝離基材
21’．．．剝離基材
100．．．半導體裝置
101．．．第一半導體元件
102．．．第二半導體元件
110．．．基板
111．．．焊料凸塊
112．．．第二接著層
113．．．導體部
114．．．機能面
121．．．焊料凸塊
122．．．第一接著層
123．．．導體部
124．．．機能面
第一圖係以模式顯示本發明之半導體用薄膜之截面圖。
第二圖係以模式顯示本發明之半導體用薄膜的製造方法之一例之截面圖。
第三圖係以模式顯示本發明之半導體裝置的製造方法之一例之截面圖。
第四圖係以模式顯示本發明之半導體裝置的製造方法之一例之截面圖。
第五圖係以模式顯示本發明之半導體裝置的製造方法之一例之截面圖。
第六圖係顯示本發明之半導體裝置之一例(其他實施形態)之截面圖。
第七圖係顯示本發明之半導體裝置的製造方法之一例(其他實施形態)之截面圖。
1．．．片基材
2．．．接著劑層
10．．．半導體用薄膜

Claims (24)

  1. 一種半導體用薄膜，係用於接著表面上設置有包含定位標示、電連接部及突起電極之圖案當中之至少一者之半導體元件之前述表面，係具有片基材及設置於該片基材之其中一面側之接著於前述半導體元件之前述表面之接著劑層，前述接著劑層具有透明性，係藉由樹脂組成物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物，在前述接著劑層接著於前述半導體元件的前述表面的狀態下可辨識於該表面所設置之前述圖案，結果可根據前述圖案定位前述半導體元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其係用以接著半導體元件之電極端子面與前述半導體用薄膜之前述接著劑層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其係用以接著倒裝晶片型半導體元件之機能面與前述半導體用薄膜之前述接著劑層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體用薄膜，其中將前述半導體用薄膜之前述接著劑層自常溫以10℃/分之升溫速度升溫至熔融狀態時，初期係具有熔融黏度減少並於到達最低熔融黏度後再上升之特性，且前述最低熔融黏度係10Pa．s以上、10,000Pa．s以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其中於前述片基材與前述接著劑層間更具有脫模薄膜。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其中前述樹脂組成物更包含有薄膜形成性樹脂。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體用薄膜，其中前述樹脂組成物更包含有硬化劑。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體用薄膜，其中前述樹脂組成物更包含有無機填充劑。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體用薄膜，其中前述無機填充劑之平均粒子徑係0.5μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其中前述具有焊劑活性之化合物係具有焊劑活性之硬化劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其中前述具有焊劑活性之化合物係具有羧基及酚性羥基中之至少一者的化合物。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜，其係用以接著第一半導體元件、與包含有基板及搭載於該基板之其中一面側的第二半導體元件之結構體的前述第二半導體元件，並接著前述第一及第二半導體元件、與前述半導體用薄膜之前述接著劑層。
  13. 一種半導體裝置的製造方法，其係包含以下程序：接著程序，其係接著如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜之前述接著劑層與半導體晶圓之其中一面；單片化程序，其係將前述半導體晶圓於業已接著前述半導體用薄膜之狀態下單片化，而取得半導體元件；拾取程序，其係於前述片基材與前述接著劑層間剝離前述半導體用薄膜，並拾取具有前述接著劑層之半導體元件；及搭載程序，其係將前述半導體元件搭載於包含有基板之結構體，並接著前述接著劑層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之半導體裝置的製造方法，其中於前述接著程序與前述單片化程序間更具有研磨程序，其係研磨前述半導體晶圓之機能面呈 相對側的面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述結構體係具有前述基板及搭載於該基板之其中一面側的第二半導體元件，且於前述搭載程序中，將前述半導體元件搭載於前述結構體的前述第二半導體元件之另一面側。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述結構體係藉由其他接著層預先接合前述其他半導體元件與前述基板，且該其他接著層係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，而該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述半導體晶圓之前述其中一面係業已預先形成突起電極之半導體晶圓之機能面。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之半導體裝置的製造方法，其中前述半導體晶圓係具有貫通其厚度方向之複數導體部，且於前述單片化程序中，係得到具有貫通厚度方向之導體部的半導體元件作為前述半導體元件。
  19. 一種半導體裝置，其係具有如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜之前述接著劑層之硬化物。
  20. 一種半導體裝置，其係包含：基板；第一半導體元件，其係設置於前述基板之至少一面側；及第二半導體元件，其係具有貫通厚度方向之導體部；又，前述第一半導體元件與前述第二半導體元件係透過突起電極電連接，且於前述第一半導體元件與前述第二半導體元件間配置有第一接著層，該第一接著層係 藉由如申請專利範圍第1項所述之半導體用薄膜之前述接著劑層之硬化物所構成。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之半導體裝置，其中前述基板與前述第一半導體元件係透過突起電極電連接，且於前述基板與前述第一半導體元件間配置有第二接著層，該第二接著層係藉由樹脂組成物之硬化物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之半導體裝置，其中前述樹脂組成物更包含有薄膜形成樹脂。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之半導體裝置，其中前述具有焊劑活性之化合物係具有羧基及酚性羥基中之至少一者的化合物。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之半導體裝置，其中前述具有焊劑活性之化合物可作為前述可交聯反應之樹脂的硬化劑來作用。
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