TWI583766B - 接著膜、切割片一體型接著膜、背面硏磨膠帶一體型接著膜、背面硏磨膠帶兼切割片一體型接著膜、疊層體、疊層體之硬化物、半導體裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

接著膜、切割片一體型接著膜、背面研磨膠帶一體型接著膜、背面研磨膠帶兼切割片一體型接著膜、疊層體、疊層體之硬化物、半導體裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係關於接著膜、切割片一體型接著膜、背面研磨膠帶一體型接著膜、背面研磨膠帶兼切割片一體型接著膜、疊層體、疊層體之硬化物、及半導體裝置、及半導體裝置之製造方法。
本願基於2013年3月7日向日本提申的日本特願2013-045020號主張優先權，其內容在此援用。
伴隨近年來電子設備之高機能化及輕薄短小化的要求，該等電子設備所使用之半導體裝置也較以往增加，變得更小型化及多針角化。為了獲得此等半導 體裝置中的電子零件彼此、及電子零件與電路零件間等之電性連接，廣泛使用焊接。此焊接，例如半導體晶片彼此之導通接合部、以覆晶晶片裝載之如封裝體的半導體晶片與電路基板間之導通接合部、半導體晶片與已作有電子電路之半導體晶圓之導通接合部、電路基板彼此之導通接合部等。此焊接部，為了確保電性連接強度及機械性連接強度，一般係使用樹脂材料予以密封。例如：半導體晶片與電路基板間，一般係注入了稱為底層填充材(underfill)的密封樹脂(底層填充密封)。
將以液狀密封樹脂(底層填充材)補強由於焊接部而產生之空隙(間隙)時，係於焊接後供給液狀密封樹脂(底層填充材)，並將其硬化以補強焊接部。但是伴隨半導體裝置之薄化、小型化，焊接部變得窄節距化/窄間隙化，故於焊接後即使供給液狀密封樹脂(底層填充材)，液狀密封樹脂(底層填充材)仍不會跨進間隙間，發生難以完全填充的問題。針對如此之問題，已知有利用稱為NCF(Non-Conductive-Film)之接著膜來密封焊接部的方法(例如：參照專利文獻1)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2009-277818號公報
但是習知之稱為NCF的接著膜，難以兼顧充分透明性、及焊接部之可靠性，會有難以提高更窄節距化/窄間隙化之焊接部中之接合性、及於半導體裝置之製造之產量的問題。
本發明之目的在於供給兼顧充分透明性、及焊接部之可靠性，提高了更窄節距化/窄間隙化之焊接部中之接合性、及半導體裝置之製造之產量的接著膜，及提供焊接部之可靠性提高的半導體裝置。
如此之目的可由下列(1)~(23)之本發明達成。
(1)一種接著膜，其係插入於表面具有多數第1端子之電子零件、與具有對應於該端子之多數第2端子之電路零件之間，將該第1端子與第2端子予以電性地連接之端子間連接用接著膜；其特徵為：該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，且B滿足2μm以上170μm以下，相鄰的第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下，該接著膜由含有10重量%以上70重量%以下之填充材的樹脂組成物構成，表面粗糙度Ra為0.03μm以上1.0μm以下，該表面粗糙度Ra係依據日本工業規格JIS-B0601測定之算術平均粗糙度。
(2)如(1)之接著膜，其中，該接著膜於700nm之透光率為15%以上100%以下。
(3)如(1)或(2)之接著膜，其中，令該表面粗糙度Ra為C、該接著膜於700nm之透光率為D時，該表面粗糙度Ra與該透光率之比[C/D]為1.8×10-2μm/%以下。
(4)如(1)至(3)中任一項之接著膜，其中，該填充材之平均粒徑為0.01μm以上、0.5μm以下。
(5)如(1)至(4)中任一項之接著膜，其中，該填充材為無機填充材。
(6)如(1)至(5)中任一項之接著膜，其中，該樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、及成膜性樹脂。
(7)如(1)至(6)中任一項之接著膜，其中，該樹脂組成物含有具有苯酚性羥基及/或具有羧基之化合物。
(8)如(7)之接著膜，其中，該化合物在樹脂組成物內的含量為3%以上20%以下。
(9)如(7)或(8)之接著膜，其中，該化合物在1分子中具有2個以上之苯酚性羥基及1個以上之羧基。
(10)如(7)或(8)之接著膜，其中，該化合物於1分子中含有1個以上的苯醚基。
(11)如(1)至(10)中任一項之接著膜，其中，該第1端子具有柱形狀。
(12)一種切割片一體型接著膜，係將切割片與如(1)至(11)中任一項之接著膜予以疊層。
(13)一種背面研磨膠帶一體型接著膜，係將背面研磨膠帶、與如(1)至(11)中任一項之接著膜予以疊層。
(14)一種背面研磨膠帶兼切割片一體型接著膜，係將背面研磨膠帶兼切割片、與如(1)至(11)中任一項之接著膜予以疊層。
(15)一種疊層體，具有：表面具有多數第1端子之電子零件、及設於該電子零件之第1端子側之如(1)至(11)中任一項之接著膜；其特徵為：該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下。
(16)如(15)之疊層體，具有多數該電子零件、及多數如(1)至(11)中任一項之接著膜。
(17)一種疊層體之硬化物，具有：表面具有多數第1端子之電子零件、具有對應於該第1端子之多數第2端子之電路零件、與插入於該電子零件與該電路零件之間之如(1)至(11)中任一項之接著膜之硬化物層；其特徵為： 該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下。
(18)如(17)之疊層體之硬化物，具有：多數該電子零件、與插入於多數該電子零件與該電路零件之間之多數如(1)至(11)中任一項之接著膜之硬化物層。
(19)如(17)或(18)之疊層體之硬化物，其中，該電路零件為中介片。
(20)如(17)或(18)之疊層體之硬化物，其中，該電路零件為半導體晶圓。
(21)一種疊層體之硬化物，係將如(20)之疊層體之硬化物予以分切而得。
(22)一種半導體裝置，包含如(17)至(19)、(21)中任一項之疊層體之硬化物。
(23)一種半導體裝置之製造方法，係在表面具有多數第1端子之電子零件與具有對應於該端子之多數第2端子之電路零件之間插入如(1)至(11)中任一項之該接著膜，並將該第1端子與第2端子予以電性地連接；其特徵為：該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下。
依照本發明，能提供兼顧充分透明性、及焊接部之可靠性，更窄節距化/窄間隙化之焊接部之接合性、及於電子零件之製造之產量提高的接著膜，及提供焊接部之可靠性提高的半導體裝置。
10‧‧‧接著膜
20‧‧‧半導體晶片(電子零件)
21‧‧‧第1端子
22‧‧‧對準記號
30‧‧‧中介片(電路零件)
31‧‧‧第2端子
32‧‧‧基板
33‧‧‧配線電路
34‧‧‧電極墊
35‧‧‧絕緣部
36‧‧‧對準記號
37‧‧‧疊層體
38‧‧‧疊層體之硬化物
40‧‧‧半導體晶圓(多電子零件20之集合體)
50‧‧‧切割片
51‧‧‧晶圓環
52‧‧‧切割刀片
53‧‧‧切口部
70‧‧‧凸塊
80‧‧‧密封層(接著膜之硬化物層)
81‧‧‧連接部
100‧‧‧半導體裝置
210‧‧‧切割膠帶一體型接著膜
211‧‧‧接著膜
213‧‧‧切割膠帶
213a‧‧‧切割膠帶之基材層
213b‧‧‧切割膠帶之黏著層
300‧‧‧半導體用膜
301‧‧‧背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜
302‧‧‧接著膜
321‧‧‧剝離基材
303‧‧‧半導體晶圓
331‧‧‧機能面
304‧‧‧研磨台座
305‧‧‧切割台
306‧‧‧晶圓環
307‧‧‧刀片
圖1顯示使用本發明之接著膜製造之半導體裝置100之一例之示意圖(圖1(a)為俯視圖、圖1(b)為圖1(a)中之X-X線剖面圖)。
圖2顯示本發明之半導體裝置100使用之電子零件20之一例之示意圖(圖2(a)為俯視圖、圖2(b)為圖2(a)中之Y-Y線剖面圖)。
圖3(a)、(b)、(c)顯示本發明之半導體裝置100之製造方法之一例之示意圖。
圖4(d)、(e)、(f)顯示本發明之半導體裝置100之製造方法之一例之示意圖。
圖5(a)、(b)、(c)、(d)、(e)顯示本發明之半導體裝置100之製造方法之一例之示意圖。
圖6顯示本發明之切割膠帶一體型接著膜之一形態之剖面圖。
圖7顯示本發明之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜之一形態之剖面圖。
圖8顯示本發明之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜之一形態之剖面圖。
圖9顯示針對本發明之半導體裝置，其製造步驟之剖面圖。
圖10顯示針對本發明之半導體裝置，其製造步驟之剖面圖。
圖11顯示針對本發明之半導體裝置，其製造步驟之剖面圖。
本發明之接著膜，係插入於表面具多數第1端子21之電子零件20、與具有對應於前述端子21之多數第2端子31的電路零件30之間，將前述第1端子與第2端子予以電性地連接之端子間連接用接著膜10，其特徵為：前述第1端子之寬為3μm以上100μm以下，前述第1端子具有覆蓋端子表面之至少一部分的低熔點之金屬組成物，且令前述第1端子之寬為A、前述金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，且B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有 之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下，前述接著膜係由含有10重量%以上70重量%以下之填充材的樹脂組成物構成，表面粗糙度Ra為0.03μm以上1.0μm以下。
本發明之切割片一體型接著膜，係將切割片與前述接著膜疊層而得。
本發明之疊層體37，具有：表面具有多數第1端子之電子零件20、及設於前述電子零件之第1端子側的前述接著膜10。
本發明之疊層體之硬化物38，具有：前述電子零件20、具有對應於前述第1端子21之多數第2端子31的前述電路零件30、及插入於前述電子零件與前述電路零件之間的前述接著膜之硬化物層80。
又，本發明之半導體裝置100包括前述疊層體之硬化物。
以下依據附圖詳細說明本發明之接著膜10、疊層體37、疊層體之硬化物38、半導體裝置100。
<半導體裝置>
圖1顯示使用本發明之接著膜10製造之半導體裝置100之一例之示意圖(圖1(a)為俯視圖、圖1(b)為圖1(a)中之X-X線剖面圖)。又，以下說明中，圖1中之上側稱為「上」、下側稱為「下」。
圖1所示之半導體裝置100，具有：半導體晶片(符合本發明之電子零件之一例。)20、支持半導體晶片20之中介片(相當於本發明之電路零件之一例。)30、及多數具有導電性之凸塊70。
半導體晶片20之平面視形狀，如圖1(a)所示，為正方形。又，半導體晶片20在其底面，具有用以與中介片30電性地接合的多數端子21(符合本發明之第1端子之一例)。該端子21形成於半導體晶片20之底面，不特別限定，例如由銅等導電性金屬材料構成。
又，中介片30為絕緣基板，例如以聚醯亞胺．環氧．氰酸酯．雙馬來醯亞胺三(BT樹脂)等各種樹脂材料構成。此中介片30之平面視形狀，如圖1(a)所示，為正方形。再者，中介片30於其頂面(其中一面)，具有例如由銅等導電性金屬材料構成之多數端子(符合本發明之第2端子。)31。
端子31，在半導體裝置100中，係以對應於設於半導體晶片20之端子21的方式，設置在中介片30頂面。並且，各對應的端子21與端子31，介隔連接部81而電性地連接。連接部81由導電性金屬構成。構成連接部81之導電性金屬，例如係將設置於半導體晶片20之端子21表面的至少一部分覆蓋的低熔點之金屬組成物變形而構成者。端子21之形狀不特別限定，可使用為柱形之金屬樁。金屬樁只要是以導電性金屬形成即可，不特別限定，可使用銅、鎳、鈦、鉭、鎢、金等。
又，在前述端子21與前述金屬組成物之間，可設置金屬製成的薄膜。例如：藉由具有由金等構成之薄膜，具有促進前述金屬組成物之透濕性的效果，藉由具有鎳等的阻隔金屬層，能有防止金屬組成物擴散到端子21內的效果。如此的薄膜可為單層也可以有多層。又，具有多層的情形，可以有多層由相同金屬構成之層，也可有多層由不同金屬構成之層。又，如此的薄膜為0.01μm以上、2μm以下較佳，0.05μm以上、1μm以下更理想。藉由為前述下限值以上，能於與前述金屬組成物之密合性具有充分效果，且藉由為前述下限值以下，從成本之觀點為有利。再者，也可於端子31預先設置低熔點之金屬組成物，或者端子31本身由構成連接部81之低熔點之金屬組成物構成，也可組合此等。
如此之低熔點之金屬組成物，只要是具有導電性且為低熔點者即可，不特別限定，例如含有選自於由錫、銀、鉛、鋅、鉍、銦及銅構成之群組中之至少2種以上之合金等。又，金屬之熔點為280℃以下較佳，更佳為240℃以下。藉由為前述理想範圍，連接部形成之加熱能於較低溫度實施，藉此能抑制後述密封層起泡。藉此能使本發明之半導體裝置之可靠性更提高。
又，本實施形態中，如圖1所示，端子31設置在形成於中介片30之凹部內。又，端子21係從半導體晶片20突出之柱狀。在此，端子21為金屬樁，為圓柱形狀，但不限圓柱形狀，也可為直方體形狀、圓錐形狀等。
又，於中介片30，貫穿其厚度方向形成有未圖示之多數通路孔(through hole：貫通孔)。
各凸塊70各藉由各通路孔而一端(上端)連接於端子31之一部分，另一端(下端)從中介片30之底面(另一面)突出。
凸塊70之從中介片30突出之部分，大致成球形(Ball shape)。
此凸塊70，主要以例如錫焊料、銀焊料、銅焊料、磷銅之類的焊材作為主材料。
又，半導體晶片20與中介片30之間之間隙，填充以各種樹脂材料構成之密封材，藉此密封材之硬化物，形成密封層80。此密封層80具有提高半導體晶片20與中介片30之接合強度的機能、或防止異物、水分等侵入前述間隙之機能。
該構成之半導體裝置100中，密封層80之形成可使用本發明之接著膜10。
如上述，已針對本發明之半導體裝置100中，以圖1記載之實施形態為中心說明，但不限於該實施形態。例如：電子零件20，除了半導體晶片以外，也可使用已作好電子電路之半導體晶圓及矽基板、或中介片、剛性基板、可撓性基板、剛性可撓性基板等印刷電路板，電路零件30除了使用中介片以外，也可使用半導體晶片、已作好電子電路之半導體晶圓及矽基板、或剛性基板、可撓性基板、剛性可撓性基板等印刷電路板。又，針對電子零件及電路零件，已針對正方形的態樣說明，但也可使用長方形者。又，本發明之半導體裝置100，也包括以下構成的電子零件：於中介片上於其厚度方向有多個疊層之多數半導體晶片，且有將多數半導體晶片間、及半導體晶片與中介片間有電性地接合之接合部，且具有將該接合部密封之多數密封層，該等密封層使用了本發明之接著膜的電子零件。如此之電子零件，半導體晶片可理想地使用TSV晶片(Through Silicon Vear Chip)。
圖2顯示使用本發明之接著膜10製造之半導體裝置100所含之電子零件20之一例之示意圖(圖2(a)為俯視圖、圖2(b)為圖1(a)中之Y-Y線剖面圖)。又，以下說明中，圖2中之上側稱為「上」、下側稱為「下」。
圖1所示之電子零件20為半導體晶片，具有多數第1端子21。該多數端子之下側具有覆蓋端子表面之至少一部分的低熔點之金屬組成物22。第1端子為 圓柱狀之柱狀，但不限於如此的形狀，也可使用有直方體形狀、圓錐形狀等者。又，第1端子不限於具有由電子零件為凸出狀之形狀，也可與前述中介片30同樣，設於設置在電子零件的凹部內。如此的情形，前述金屬組成物形成凸狀較佳。
本發明之電子零件20，當令前述第1端子之寬為A、前述金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4。更佳為0.8<A/B<1.2。藉由具有如此的結構，能防止相鄰的端子間發生漏電流，能提高焊接部之可靠性。又，當與電路零件接合時，能防止由於位置偏離之影響所致連接不良。又，B為2μm以上170μm以下，較佳為4μm以上150μm以下，更佳為10μm以上100μm以下。藉由為前述下限值以上，端子間之接合面積充足，能提高焊接部之可靠性。又，藉由為前述上限值以下，能防止相鄰端子間發生漏電流，可以提高焊接部之可靠性。又，本發明藉由使前述第1端子之寬度與前述金屬組成物之寬度為上述構成，利用接著膜之充分透明性，當將電子零件與電路零件接合時，電子零件之前述第1端子之形狀、排列可透過本發明之接著膜而充分地辨識，故能防止接合時之位置偏離。藉此能更提高本發明之半導體裝置之接合部之可靠性。又，由於防止位置偏離，可防止生產性下降，一併提高半導體裝置之製造產量。在此第1端子之寬度，係指垂直於端子之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離(參照圖2)。例如：端子有圓柱形狀時，其剖面帶有最大面積之剖面之直徑成為寬度，若端子為橢圓形狀，其剖面帶有最大面積之剖面之長徑成為寬度，若端子具有直方體形狀時，其剖面帶有最大面積之剖面之對角線成為寬度。又，針對金屬組成物之寬度，也和第1端子同樣，代表剖面中之最長距離(參照圖2)。
又，本發明之電子零件20，前述金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下，較佳為5μm以上50μm以下，更佳為7μm以上30μm以下。藉由為前述下限值以上、及接著膜之充分透明性之組合，能透過接著膜而充分辨識電子零件中之第1端子之形狀、排列，故與電路零件接合時，能充分防止位置偏離(符合圖2中之W)。藉此，能防止位置偏離之影響引起的連接不良。又，端子間之接合面積充足，能使焊接部之可靠性提高。又，由於防止位置偏離，可防止生產 性下降，一併提高半導體裝置之製造產量。藉由為前述下限值以上，可防止相鄰之端子間發生漏電流，能使焊接部之可靠性提高。又，藉由為前述上限值以下，能於每單位面積配置多數端子，能達成高密度之端子連接。
又，本發明之電子零件20，前述第1端子間之距離為5μm以上62μm以下較佳，更佳為7μm以上52μm以下，更佳為9μm以上32μm以下。藉由為前述下限值以上、及接著膜之充分透明性之組合，可透過接著膜充分辨識電子零件之第1端子之形狀、排列，故於與電路零件接合時，能充分防止位置偏離。藉此能防止由於位置偏離影響所致連接不良。又，端子間之接合面積充足，能使焊接部之可靠性提高。又，由於防止位置偏離，可防止生產性下降，一併提高半導體裝置之製造產量。藉由為前述上限值以下，能防止相鄰端子間發生漏電流並且可提高焊接部之可靠性。
<接著膜>
本發明之接著膜10，係插入於表面具多數第1端子21之電子零件20、與具有對應於前述端子21之多數第2端子31的電路零件30之間，將前述第1端子與第2端子予以電性地連接之端子間連接用接著膜10，其特徵為：前述接著膜由含有10重量%以上70重量%以下之填充材的樹脂組成物構成，且表面粗糙度Ra為0.03μm以上1.0μm以下。
前述接著膜10藉由具有如上述構成，能供給於兼顧充分透明性及焊接部之可靠性，較窄節距化/窄間隙化之焊接部之接合性、及於電子零件之製造之產量提高之接著膜、及提供焊接部之可靠性提高之半導體裝置。
前述接著膜10，藉由係由含填充材之樹脂組成物構成，在接合之前述電子零件與前述電路零件之間，能構成均勻厚度的密封層，藉此能提高接合部之可靠性。
又，前述接著膜，關於表面粗糙度具有上述構成，藉此當前述電子零件與前述電路零件接合時，具有充分透明性，能夠防止位置偏離。亦即，前述接著膜於將前述電子零件與前述電路零件接合時，係假定預先貼附在前述電子零件表面之狀態接合，但此時係以被覆前述第1端子的方式貼附。在此，前述電子 零件藉由組合有前述構成，能通過接著膜而充分地辨識電子零件之第1端子之形狀、排列，故與電路零件接合時，能充分防止位置偏離。藉此能防止位置偏離之影響所致連接不良。又，端子間之接合面積充足，能使焊接部之可靠性提高。又，由於防止位置偏離，可防止生產性下降，一併提高半導體裝置之製造產量。亦即，藉由使表面粗糙度Ra小於前述第1端子之寬度、及前述金屬組成物之寬度，能通過接著膜而充分辨識電子零件擁有的多數前述第1端子之形狀、排列，能防止位置偏離。
前述接著膜係以含填充材之樹脂組成物構成。此樹脂組成物不特別限定，宜為硬化性樹脂組成物較佳。作為硬化性樹脂組成物，可列舉因加熱而硬化的熱硬化性樹脂組成物、或因化學線照射而硬化之硬化性樹脂組成物等，該等之中，宜使用因加熱而硬化之熱硬化性樹脂組成物較佳。因加熱而硬化之熱硬化性樹脂組成物，硬化後之機械特性優異、保存安定性優異。
因加熱而硬化之熱硬化性樹脂組成物，含有熱硬化性樹脂成分，且於熱硬化性樹脂成分以外，也可視需要含有具助焊劑機能之化合物、成膜性樹脂、硬化劑、硬化促進劑、矽烷偶聯劑等。
(i)熱硬化性樹脂成分
熱硬化性樹脂成分只要是因加熱而熔融並硬化者即可，不特別限定，通常能使用可作為半導體裝置製造用之黏著劑成分者。
作為如此之熱硬化性樹脂成分不特別限定，例如：環氧樹脂、苯氧基樹脂、矽酮樹脂、氧雜環丁烷樹脂、苯酚樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚酯樹脂(不飽和聚酯樹脂)、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺前驅體樹脂)、雙馬來醯亞胺-三樹脂等。尤其，使用含有選自於環氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、馬來醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三樹脂構成之群組中之至少1種的熱硬化性樹脂較佳。尤其，該等之中，考慮硬化性與保存性、硬化物之耐熱性、耐濕性、耐藥品性優異之觀點，環氧樹脂為較佳。藉由使用環氧樹脂，能使前述電子零件與前述電路零件之密合更強，藉此，能提高本發明之半導體裝置之第1端子與 第2端子間之連接部之可靠性。又，由於硬化所致體積收縮小，故密封層形成時之厚度均勻性更良好。又，該等硬化性樹脂成分可以單獨使用1種也可併用2種以上。
前述環氧樹脂不特別限定，於室溫為液狀及於室溫為固體狀的任一環氧樹脂均可使用。又，也可以併用於室溫為液狀之環氧樹脂及於室溫為固體狀之環氧樹脂。使用液狀之環氧樹脂時，特別是單獨使用液狀之環氧樹脂時，宜為成膜性樹脂成分含有硬化性樹脂組成物之構成較佳。
於室溫(25℃)為液狀之環氧樹脂不特別限定，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等，可使用該等中之1種或組合2種。
於室溫為液狀之環氧樹脂之環氧當量宜為150~300g/eq較佳，160~250g/eq更佳，170~220g/eq尤佳。前述環氧當量若未達前述下限，取決於使用之環氧樹脂之種類，會有硬化物之收縮率增大的傾向，含前述接著膜之半導體裝置或具備此半導體裝置之電子設備會有出現翹曲之虞。又，若超過前述上限，當硬化性樹脂組成物中併用成膜性樹脂成分時，與成膜性樹脂成分，尤其與聚醯亞胺樹脂之反應性會有呈現下降的傾向。
再者，於室溫(25℃)為固體狀之環氧樹脂不特別限定，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、環氧丙酯型環氧樹脂、3官能環氧樹脂、4官能環氧樹脂等，可使用其中1種或組合使用2種以上。該等之中，使用固體3官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等較佳。
又，於室溫為固體狀之環氧樹脂之環氧當量為150~3000g/eq較佳、160~2500g/eq更佳，170~2000g/eq尤佳。
於室溫為固體狀之環氧樹脂之軟化點宜為約40~120℃較佳，約50~110℃更佳，約60~100℃尤佳。若前述軟化點落於前述範圍內，能抑制前述樹脂組成物之黏性，接著膜容易操作。
又，前述樹脂組成物中，前述硬化性樹脂成分之摻合量可因應使用之硬化性樹脂組成物之形態適當設定。
例如：硬化性樹脂成分之摻合量，在前述樹脂組成物中，為5重量%以上較佳，10重量%以上更佳，15重量%以上更理想、20重量%以上尤佳。又，90重量%以下較佳，85重量%以下更佳，80重量%以下更理想，75重量%以下又更理想、65重量%以下又更理想，60重量%以下尤佳。
前述樹脂組成物中之硬化性樹脂成分之摻合量若為前述範圍內，前述電子零件與前述電路零件之黏著強度能充分確保。
(ii)成膜性樹脂成分
如前述，前述樹脂組成物中，除了前述硬化性樹脂成分以外，宜更含有成膜性樹脂成分較佳。藉由含有成膜性樹脂成分，前述接著膜之成膜性提高且生產性提高。且一併地，前述接著膜之厚度均勻性提高，形成密封層時之厚度均勻性也提高。
作為如此之成膜性樹脂成分，只要單獨具有成膜性即可，不特別限定，可使用熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂中之任一者，也可組合此等使用。
具體而言，成膜性樹脂成分不特別限定，例如：(甲基)丙烯酸系樹脂、苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷改性聚醯亞胺樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丙烯樹脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、聚縮醛樹脂、聚乙烯基丁縮醛樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、丁基橡膠、氯丁二烯橡膠、聚醯胺樹脂、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙酸乙烯酯、尼龍等，可使用其中1種或組合使用2種以上。其中，(甲基)丙烯酸系樹脂、苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂及聚醯亞胺樹脂為較佳。
又，本說明書中，「(甲基)丙烯酸系樹脂」，係指(甲基)丙烯酸及其衍生物之聚合物、或(甲基)丙烯酸及其衍生物與其他單體之共聚物。在此，記載「(甲基)丙烯酸」等時，係指「丙烯酸或甲基丙烯酸」等。
(甲基)丙烯酸系樹脂不特別限定，例如：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丁酯、聚丙烯酸-2-乙基己酯等聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯等聚甲基丙烯酸酯、 聚丙烯腈、聚甲基丙烯腈、聚丙烯醯胺、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯腈-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-α-甲基苯乙烯共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-甲基丙烯酸2-羥基乙酯-甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-甲基丙烯酸2-羥基乙酯-丙烯酸共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸2-羥基乙酯共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸共聚物、丙烯酸乙酯-丙烯腈-N,N-二甲基丙烯醯胺共聚物等，可使用其中1種或組合使用2種以上。其中，丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸乙酯-丙烯腈-N,N-二甲基丙烯醯胺共聚物為較佳。
又，苯氧基樹脂之骨架不特別限定，例如：雙酚A類型、雙酚F類型、聯苯酚類型及聯苯類型等。又，苯氧基樹脂宜為吸水率低者較佳，吸水率2%以下者較佳，1%以下更佳。又，針對苯氧基樹脂之環氧當量不特別限定，環氧當量愈大，不作用為熱硬化性樹脂成分，在控制接著膜之硬化性方面不生弊害，故較理想，具體而言，環氧當量為3000g/eq以上較佳、5000g/eq以上更理想。
又，聚醯亞胺樹脂只要是在重複單元中帶有醯亞胺鍵之樹脂即可，不特別限定，例如：使二胺與酸二酐反應，將獲得之聚醯胺酸加熱、脫水閉環而得者。
二胺不特別限定，例如：3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、4,6-二甲基-間苯二胺、2,5-二甲基-對苯二胺等芳香族二胺、1,3-雙(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等矽氧烷二胺，可使用其中1種或組合使用2種以上。
又，酸二酐，例如：3,3’，4,4’-聯苯四羧酸、苯均四酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐等，可使用其中1種或組合使用2種以上。
聚醯亞胺樹脂可為能溶於溶劑者也可為不溶於溶劑者，從與其他成分(硬化性樹脂成分)混合時之清漆化容易進行、操作性優異之觀點，溶於溶劑者較佳。特別是，從能溶於各種有機溶劑之觀點，使用矽氧烷改性聚醯亞胺樹脂較佳。
成膜性樹脂之重量平均分子量不特別限定，約8,000~1,000,000較佳，約8,500~950,000更佳，約9,000~900,000又更佳。若成膜性樹脂之重量平均分子量為前述範圍，能使成膜性提高，且能抑制硬化前之前述接著膜之流動性。
又，成膜性樹脂之重量平均分子量可利用例如：GPC(凝膠滲透層析)測定。
又，成膜性樹脂成分可使用其本身的市售品，再者於不損及本發明之效果之範圍內，也可使用摻合了塑化劑、安定劑、無機填料、抗靜電劑、低應力劑、抗氧化劑、塗平劑或顏料等各種添加劑者。
又，前述樹脂組成物中，前述成膜性樹脂成分之摻合量可因應使用之硬化性樹脂組成物之形態適當設定。
例如：成膜性樹脂成分之摻合量，前述樹脂組成物中為0.1重量%以上較佳，3重量%以上更佳，5重量%以上又更佳。又，50重量%以下較佳，35重量%以下更佳，20重量%以下又更佳。成膜性樹脂成分之摻合量若為前述範圍內，能夠抑制熔融前之樹脂組成物之流動性，接著膜容易操作。
(iii)具有助焊劑(flux)機能之化合物
前述樹脂組成物，除了前述硬化性樹脂成分以外宜更含有具有助焊劑機能之化合物較佳。具有助焊劑機能之化合物，具有將形成在端子等的表面的金屬氧化膜去除的作用。所以，若樹脂組成物中含有此化合物，如後述半導體裝置之製造方法所詳述，即便在端子等的表面的低熔點之金屬的表面形成了氧化膜，仍能利用此化合物的作用確實地去除氧化膜。其結果，於前述電子零件與前述電路零件電性地連接的接合步驟中，低熔點之金屬組成物之透濕性提高，藉此，前述第1端子與前述第2端子之間以廣範圍擴大透濕，於廣範圍接合，藉此能使前述第1端子與前述第2端子確實地電性地連接。藉此，於接合部之可靠性提高，於溫度週期試驗等也呈現足夠好的結果，能使半導體裝置製造之產量提高。
如此之具有助焊劑機能之化合物不特別限定，例如：具有苯酚性羥基及/或羧基之化合物較佳。
具有苯酚性羥基之化合物，例如：苯酚、鄰甲酚、2,6-二甲酚、對甲酚、間甲酚、鄰乙基苯酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、間乙基苯酚、2,3-二甲酚、2,4,6-三甲酚(mesitol)、3,5-二甲酚、對第三丁基苯酚、兒茶酚、對第三戊苯酚、間苯二酚、對辛基苯酚、對苯基苯酚、雙酚F、雙酚A、聯苯酚、二烯丙基雙酚F、二烯丙基雙酚A、參苯酚、肆苯酚等含有苯酚性羥基之單體類、苯酚酚醛清漆樹脂、鄰甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚F酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等含有苯酚性羥基之樹脂等，可使用其中1種或組合使用2種以上。
又，具有羧基之化合物，例如：脂肪族酸酐、脂環族酸酐、芳香族酸酐、脂肪族羧酸、芳香族羧酸等。作為前述脂肪族酸酐，可列舉琥珀酸酐、聚己二酸酐、聚壬二酸酐、聚癸二酸酐等。前述脂環族酸酐可列舉甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基希米酸(methyl himic acid)酐、六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基環己烯二羧酸酐等。作為前述芳香族酸酐，可列舉鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐、二苯基酮四羧酸酐、雙偏苯三甲酸乙二醇酯、參偏苯三甲酸甘油酯等，可使用其中1種或組合使用2種以上。
作為脂肪族羧酸不特別限定，例如：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、三甲基乙酸、己酸、辛酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、油酸、富馬酸、馬來酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、庚二酸等，可使用其中1種或組合使用2種以上。該等之中，宜使用下式(1)表示之脂肪族羧酸較佳：HOOC-(CH2)n-COOH (1)
(式(1)中，n為1~20之整數。)
，其中己二酸、癸二酸、十二烷二酸更佳。
芳香族羧酸之結構不特別限定，下式(2)或下式(3)表示之化合物為較佳。
[式中，R1~R5各自獨立地為1價之有機基，R1~R5中至少其中之一為羥基。]
[式中，R6~R20各自獨立地為1價之有機基，R6~R20中至少其中之一為羥基或羧基。]
如此之芳香族羧酸，例如：苯甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、半蜜蠟酸(Hemimellitic acid)、偏苯三甲酸、對稱苯三甲酸、1,2,3,5-苯四甲酸(Mellophanic acid)、1,2,3,4-苯四甲酸(Prehnitic acid)、苯均四酸、蜜蠟酸、茬甲酸、2,3-二甲基苯甲酸(hemellitic acid)、均三甲酸、2,3,4-三甲苯甲酸(Prehnitylic acid)、甲苯甲酸、桂皮酸、2-羥基苯甲酸、3-羥基苯甲酸、4-羥基苯甲酸、2，3-二羥基苯甲酸、2,4-二羥基苯甲酸、龍膽酸(gentisinic acid)(2,5-二羥基苯甲酸)、2,6-二羥基苯甲酸、3,5-二羥基苯甲酸、没食子酸(3,4,5-三羥基苯甲酸)等苯甲酸衍生物、 1,4-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物、還原酚酞、二苯酚酸等，可使用其中1種或組合使用2種以上。
如此之具有助焊劑機能之化合物，宜使用具有苯酚性羥基及/或羧基且更含有苯醚基之化合物更佳。含有苯酚性羥基及/或羧基、及苯醚基之化合物，例如：2-苯氧基苯酚、3-苯氧基苯酚、4-苯氧基苯酚、2-(4-羥基苯氧基)苯酚、3-(4-羥基苯氧基)苯酚、4-(4-羥基苯氧基)苯酚、3-羥基呫噸-9-酮、5-硝基螢光素、6-硝基螢光素、9-苯基呫噸-9-醇、2,6,7-三羥基-9-苯基-3-異呫噸酮、1,3-雙(4-羥基苯氧基)苯、1,4-雙(3-羥基苯氧基)苯、4,4’-二羥基二苯醚、2,2’-二羥基二苯醚、螢光素等含有苯酚性羥基與苯醚基之化合物；2-苯氧基苯甲酸、3-苯氧基苯甲酸、4-苯氧基苯甲酸、2-(4-羧基苯氧基)苯甲酸、3-(4-羧基苯氧基)苯甲酸、4-(4-羧基苯氧基)苯甲酸、2-(9-側氧基呫噸-2-基)丙酸、呫噸-9-羧酸、3,5-雙(4-胺基苯氧基)苯甲酸、4,4’-氧基雙苯甲酸等含有羧基與苯醚基之化合物；2-(4-羥基苯氧基)苯甲酸、3-(4-羥基苯氧基)苯甲酸、4-(4-羥基苯氧基)苯甲酸、螢光素、DL-酪胺酸等含有苯酚性羥基與羧基與苯醚基之化合物，可使用其中1種或組合使用2種以上。含有羧基與苯醚基之化合物較佳，含有苯酚性羥基與羧基與苯醚基之化合物更理想。
如此之具有助焊劑機能之化合物，宜為顯示助焊劑作用，且同時具有作為使硬化性樹脂成分硬化之硬化劑的機能，亦即，具有能與硬化性樹脂成分反應之官能基較佳。
如此之官能基可因應硬化性樹脂成分之種類適當選擇，例如：硬化性樹脂成分為環氧樹脂之情形，可列舉如羧基、羥基、胺基之類之能與環氧基反應之官能基。如此之具有助焊劑機能之化合物，於硬化性樹脂組成物熔融時將在低熔 點之金屬組成物表面形成之氧化膜除去而提高該等表面之透濕性，容易成形連接部81，能使前述第1端子與前述第2端子電性地連接。再者，將利用連接部完成端子間電性連接後，此化合物作為硬化劑，附加於硬化性樹脂成分而發揮提高樹脂之彈性係數或Tg之機能。因此若使用如此之具有助焊劑機能之化合物作為助焊劑，不須助焊劑洗滌，能夠確實地抑制或防止因為助焊劑殘存引起的離子遷移發生等。
作為具有如此作用之助焊劑(flux)機能之化合物，可列舉具有至少1個羧基之化合物。例如：硬化性樹脂成分為環氧樹脂之情形，可列舉脂肪族二羧酸、及具有羧基與苯酚性羥基之化合物等。
作為前述脂肪族二羧酸不特別限定，可列舉於脂肪族烴基鍵結了2個羧基的化合物。前述脂肪族烴基可為飽和或不飽和非環族，也可為飽和或不飽和之環族。又，脂肪族烴基為非環族的情形，可為直鏈狀也可為分支狀。
如此之脂肪族二羧酸，例如：前述式(1)中之n為1~20之整數的化合物。前述式(1)中之n若為前述範圍內，則助焊劑活性、黏著時之散逸氣體及硬化性樹脂組成物之硬化後之彈性係數及玻璃轉移溫度之均衡性良好。尤其，考慮抑制硬化性樹脂組成物之硬化後彈性係數增加並且使與中介片30等被黏著物之黏著性提高之觀點，n為3以上較佳，考慮抑制彈性係數下降，且更提高連接可靠性之觀點，n為10以下較佳。
又，前述式(1)表示之脂肪族二羧酸，可列舉戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸、十四烷二酸、十五烷二酸、十八烷二酸、十九烷二酸、二十烷二酸等。其中，己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸較佳，癸二酸更理想。
再者，作為具有羧基與苯酚性羥基之化合物，可列舉2-羥基苯甲酸、3-羥基苯甲酸、4-羥基苯甲酸、2,3-二羥基苯甲酸、2,4-二羥基苯甲酸、龍膽酸(2,5-二羥基苯甲酸)、2,6-二羥基苯甲酸、3,4-二羥基苯甲酸、没食子酸(3,4,5-三羥基苯甲酸)等苯甲酸衍生物、1,4-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物、還原酚酞、二苯酚酸等。其中，還原酚酞、龍膽酸、2,4-二羥基苯甲酸、2,6-二羥基苯甲酸較佳，還原酚酞、龍膽酸更理想。
如前述具有助焊劑機能之化合物，可單獨使用1種也可併用2種以上。
又，任一化合物均易吸濕，成為空隙(void)發生的原因，故本發明宜於使用前預先使其乾燥較佳。
具有助焊劑機能之化合物之含量，可因應使用之樹脂組成物之形態適當設定。
如此之具有助焊劑機能之化合物之含量，相對於前述樹脂組成物之全部重量宜為1重量%以上較佳，3重量%以上更佳，5重量%以上尤佳。又，50重量%以下較佳，40重量%以下更佳，30重量%以下又更佳，25重量%以下尤佳。
具有助焊劑機能之化合物之含量若為前述範圍內，能將在低熔點之金屬組成物等的表面等形成的氧化膜確實除去，藉此能使前述電子零件與前述電路零件確實地電性地接合。再者，具有助焊劑機能之化合物為能與硬化性樹脂成分反應之化合物之情形，硬化時能以良好效率附加於硬化性樹脂成分而提高硬化性樹脂組成物之彈性係數或Tg。又，還能抑制未反應之具有助焊劑機能之化合物引起的離子遷移發生。藉此，接合部之可靠性提高，且於溫度周期試驗等也可達成高可靠性，能使半導體裝置製造之產量提高。
(iv)硬化劑
硬化劑不特別限定，例如：苯酚類、胺類、硫醇類等。如此之硬化劑可以因應硬化性樹脂成分之種類等適當選擇。例如：硬化性樹脂成分使用環氧樹脂時，考慮可獲得與環氧樹脂之良好反應性、硬化時之低尺寸變化及硬化後之適當物性(例如：耐熱性、耐濕性等)之觀點，硬化劑宜使用苯酚類較佳，考慮硬化性樹脂成分之硬化後之物性優良的觀點，宜使用2官能以上之苯酚類更佳。又，如此之硬化劑可以單獨使用1種也可併用2種以上。
苯酚類，例如：雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、聯苯酚、雙酚F、二烯丙基雙酚F、參苯酚、肆苯酚、苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等，可使用其中1種或組合使用2種以上。該等之中，考慮熔融黏度、與環氧樹脂之反應性良好、硬化後之物性優良的觀點，苯酚酚醛清漆樹脂及甲酚酚醛清漆樹脂為較佳。
又，硬化性樹脂組成物中，前述硬化劑之摻合量，於使用之硬化性樹脂成分或硬化劑之種類、及具有助焊劑機能之化合物具有作為硬化劑作用的官能基時，因應其官能基種類或使用量適當設定。
例如：硬化性樹脂使用環氧樹脂的情形，硬化劑之含量相對於前述樹脂組成物之全部重量宜為約0.1~50重量%較佳，約2~40重量%更佳，約4~40重量%更理想，8~30重量%尤佳。硬化劑之含量若為前述範圍內，在端子間形成之連接部之電連接強度及機械性黏著強度能夠充分確保。
(v)硬化促進劑
又，如前述，前述樹脂組成物可進一步添加硬化促進劑。藉此能使前述樹脂組成物確實且容易硬化。
硬化促進劑不特別限定，例如：咪唑、2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十五基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基二甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑化合物、1-氰基乙基-2-十一基咪唑啉偏苯三甲酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑啉偏苯三甲酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]-乙基-s-三、2,4-二胺基-6-[2’-十一基咪唑基(1’)]-乙基-s-三、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4-甲基咪唑基(1’)]-乙基-s-三、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]-乙基-s-三之異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑之異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑之異三聚氰酸加成物、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)十一烯等胺系硬化劑、三苯基膦或四取代鏻與多官能苯酚化合物之鹽等磷系硬化促進劑，可使用其中1種或組合使用2種以上。該等之中，宜為能兼具膜狀之樹脂層之硬化性、保存性、對於半導體元件上之金屬電極之耐腐蝕性的咪唑化合物、磷系硬化促進劑為較佳。
又，樹脂組成物中，前述硬化促進劑之摻合量，可因應使用之硬化促進劑之種類適當設定。
例如：使用咪唑化合物之情形，咪唑化合物之摻合量，於前述樹脂組成物中宜為0.001重量%以上較佳，0.003重量%以上更佳，0.005重量%以上又更佳。又，1.0重量%以下較佳，0.7重量%以下更佳，0.5重量%以下又更佳。咪唑化合物之摻合量若未達前述下限，取決於使用之硬化促進劑之種類，會有無法充分發揮 作為硬化促進劑之作用，硬化性樹脂組成物無法充分硬化的傾向。又，咪唑化合物之摻合量若超過前述上限，熔融狀態之低熔點之金屬組成物無法在硬化性樹脂組成物之硬化完成前發揮充分透濕性，電性連接有不足之虞。
(vi)矽烷偶聯劑
又，如前述，前述樹脂組成物可更添加矽烷偶聯劑。
矽烷偶聯劑不特別限定，例如：環氧矽烷偶聯劑、含有芳香族之胺基矽烷偶聯劑等。藉由添加如此之矽烷偶聯劑，接著膜與被黏附體間之密合性，尤其與中介片等之密合性能提高。
又，如此之矽烷偶聯劑可以單獨使用1種也可併用2種以上。
又，硬化性樹脂組成物中，前述矽烷偶聯劑之摻合量可因應前述被黏附體或硬化性樹脂成分等種類適當設定。例如：前述樹脂組成物中之0.01重量%以上較佳，0.05重量%以上更佳，0.1重量%以上又更佳。又，2重量%以下較佳，1.5重量%以下更佳，1重量%以下又更佳。
(vii)填充材
又，前述樹脂組成物含有填充材。藉此可對於接著膜附加各種物性、或達成可靠性提高。填充材可列舉橡膠粒子等由有機材料製得之填充材、或二氧化矽等無機填充材，但考慮可靠性提高之觀點，無機填充材為較佳。藉由含有無機填充材，能降低密封層之線膨脹係數，藉此可提高可靠性。
無機填充材不特別限定，例如：銀、氧化鈦、二氧化矽、雲母、氧化鋁等，也可含有此等中之多種。如上，無機填充材可從多種中選擇，但從成本等觀點，使用二氧化矽較理想。又，考慮熱傳導性等觀點，也可以使用氧化鋁、氮化鋁、 氧化鈦、氮化矽、氮化硼等。二氧化矽之形狀有破碎二氧化矽與球狀二氧化矽，但球狀二氧化矽為較佳。
前述無機填充材之平均粒徑不特別限定，宜為0.01μm以上、0.5μm以下較佳，0.05μm以上、0.3μm以下更理想。藉由為上述範圍，並進一步調整填充材種類、填充材之含量、樹脂清漆之調整條件、膜之樹脂組成物、成膜條件、及膜之膜厚等，能使接著膜之表面粗糙度成為理想範圍，能使接著膜之透明性更提高。又，能抑制接著膜之凝聚，使外觀性提高。
前述填充材之含量，相對於前述樹脂組成物為10重量%以上70重量%以下，較佳為20重量%以上65重量%以下，更佳為30重量%以上60重量%以下，又更佳為30重量%以上50重量%以下。藉由為上述範圍，並進一步調整填充材之種類、填充材之平均粒徑、樹脂清漆之調整條件、膜之樹脂組成物、成膜條件、及膜之膜厚等，能使接著膜之表面粗糙度成為理想範圍，使接著膜之透明性更提高。又，能抑制接著膜之凝聚，使外觀性提高。又，藉由為上述範圍，硬化後之密封層與被黏附體之間之線膨脹係數差減小，能使熱衝擊時產生之應力減小，故能使與被黏附體間的密合更提高。再者，能抑制硬化後之密封層之彈性係數變得太高，防止填充材被一併捲入接合部，故能使半導體裝置之可靠性更提高。
又，前述樹脂組成物中，除了前述各成分以外，也可以更摻合塑化劑、安定劑、黏著賦予劑、潤滑劑、抗氧化劑、抗靜電劑、低應力劑、塗平劑及顏料等。又，也可同時摻合熱硬化成分和潛在性硬化劑。作為潛在性硬化劑，可列舉二氰二醯胺型潛在性硬化劑、胺加成物型潛在性硬化劑、有機酸醯肼型潛在性硬化劑、芳香族鋶鹽型潛在性硬化劑、微膠囊型潛在性硬化劑、光硬化型潛 在性硬化劑，其中藉由含有胺加成物型潛在性硬化劑等，能取得前述接著膜之保存安定性與速硬化性之均衡性。
前述接著膜例如可依以下製造方法製造。
將構成前述接著膜之樹脂組成物溶於有機溶劑而得之清漆塗佈在基材等後，於既定溫度使其乾燥，能獲得基材層與接著膜之疊層體。前述基材只要可支持接著膜且於接著膜使用時能剝離者即可，不特別限定，例如可以使用聚酯片、或聚乙烯片、聚丙烯片、聚醯亞胺片、聚苯乙烯片、聚碳酸酯片等。又，為了使接著膜從基材理想地剝離，也可對於表面實施剝離處理。剝離處理可列舉於表面形成矽脫模劑之方法、或形成醇酸樹脂脫模劑之方法等，但不限於此等。
在此，基材之斷裂強度不特別限定，160MPa以上、300MPa以下較佳，180MPa以上、280MPa以下更理想。藉由為前述下限值以上，能防止接著膜之製造中或使用時非故意地斷裂，藉由為前述下限值以下，於製造中、使用時能理想地饋料，易操作、生產性提高。
前述接著膜之表面粗糙度Ra為0.03μm以上1.0μm以下，更佳為0.05μm以上0.8μm以下，又更佳為0.1μm以上0.5μm以下。藉由為前述上限值以下，前述黏著劑具有充分透明性，藉由為前述下限值以上，當辨識電子零件之表面時，防止不規則反射，藉此，電子零件之第1端子之形狀、排列等的可見性提高。又，提高滑動性，前述接著膜之作業性提高。
如此之接著膜之表面粗糙度Ra為算術平均粗糙度，不特別限定，可依據JISB0601測定。亦即，可針對測定距離1，設定X軸為測定方向，設定Y軸為高度方向，依市售表面粗糙度計測得之表面粗糙度曲線y=f(x)，使用以下數式1測定。
市售表面粗糙度計，可使用東京精密製表面粗糙度計SURFCOM1400D。
前述接著膜於700nm之透光率為15%以上100%以下較佳，20%以上100%以下更佳，25%以上100%以下更理想。藉由為前述下限值以上，前述黏著劑有充分透明性，藉由為前述上限值以下，辨識電子零件之表面時防止亂反射，藉此，電子零件之第1端子之形狀、排列等的可見性提高。
如此之接著膜之透光率不特別限定，例如可依JISK7375等記載之透過率測定，使用市售分光透光率測定機測定。市售分光透光率測定機，可使用例如島津製作所製分光光度計UV-160等。在此，將於波長400nm~900nm使入射光入射測定之接著膜，從透過之平行光線之比例測定透光率，將其中於700nm之測定值定義為透光率。
令前述接著膜之表面粗糙度Ra為C、前述接著膜於700nm之透光率為D時，前述表面粗糙度Ra與前述透光率之比[C/D]為1.8×10-2μm/%以下較佳，1.1×10-2μm/%以下更佳，5.0×10-4μm/%以上1.0×10-2μm/%以下又更佳。藉由為前述上限值以下、或前述下限值以上，當辨識電子零件之表面時，防止膜表面之 亂反射及膜中之散射，藉此電子零件之第1端子之形狀、排列等的可見性提高。又，滑動性提高，前述接著膜之作業性提高。
前述接著膜之最低熔融黏度為50,000Pa．s以下較佳，20,000Pa．s以下更佳，10,000Pa．s以下則更理想。又，0.01Pa．s以上較佳，0.05Pa．s以上更佳，0.1Pa．s以上則更理想。藉由為前述上限值以下，接著膜之透濕性提高，可防止在密封材內部殘留空隙。又，藉由為前述下限值以上，可防止由於前述接著膜過於流動、接著膜從電子零件突出而造成污染工具等不良情形。
如此之最低熔融黏度不特別限定，可使用市售之黏彈性測定裝置、流變儀等測定。其中，宜使用將接著膜夾於平行設置之圓形板之間，以一定條件施加轉矩以測定之旋轉式流變儀測定較佳。藉由使用如此之測定方法，可依據實際黏著電子零件與電路零件之步驟的條件來測定熔融黏度。本發明中，係將使用黏彈性測定裝置(Thermo Fisher Scientific Inc.製「MARS」)，平行板20mmφ、間隙0.05mm、頻率0.1Hz、升溫速度為10℃/分之條件測得之熔融黏度成最小之值定義為測定值。
前述樹脂組成物之Tg為80℃以上較佳，100℃以上更理想。藉由為前述理想範圍內，能使本發明之半導體裝置之可靠性更提高。又，就前述接著膜之平均線膨脹率而言，α1為100ppm以下較佳，75ppm以下更佳，50ppm以下則更理想。藉由為前述理想範圍內，能使本發明之半導體裝置之可靠性更提高。
如此之Tg、α1，可將接著膜以假定的硬化條件，於例如180℃、2小時等硬化條件處理，並使用一般使用之TMA等測定。
接著膜之厚度可依使用之電子零件之種類、電路零件之種類適當設定。尤其，依前述電子零件擁有之第1端子及連接部之設計適當設定較佳。例如：接著膜之厚度為100μm以下較佳，80μm以下更理想。又，3μm以上較佳，5μm以上更理想。
<半導體裝置之製造方法>
其次，說明使用本發明之接著膜10之半導體裝置100之製造方法。
[1]疊層步驟
[1-1]貼附步驟
如圖3(a)所示，使接著膜10與半導體晶圓40密合，且同時將接著膜10與半導體晶圓40(多數電子零件20之集合體)予以疊層。在此，接著膜10係預先製成與半導體晶圓40為大約同尺寸。又，半導體晶圓40中，和接著膜10黏著的面具有凸狀的多數第1端子(未圖示)。以覆蓋半導體晶圓40之第1端子的方式，將接著膜10貼附於半導體晶圓40(圖3(a))。
將接著膜10貼附於半導體晶圓40之方法，例如利用輥層合機、平板壓製機、晶圓層合機、彈性體壓製機等將接著膜10層合於半導體晶圓40之方法。該等之中，為了使層合時空氣不致捲入，宜為在真空下層合之方法(真空層合機)為較佳。
又，層合條件不特別限定，只要能無空隙地層合即可，具體而言於50~150℃加熱1秒~120秒之條件較佳，尤其於60~120℃加熱5~60秒之條件為較佳。層合條件若為前述範圍內，貼附性、及抑制樹脂突出之效果、及樹脂之硬化度之均衡性優異。又，加壓條件亦不特別限定，0.2~2.0MPa較佳，尤其0.5~1.5MPa為較佳。
上述疊層之結果，如圖3(b)所示，可獲得接著膜10與半導體晶圓40疊層成的疊層體37。
其次，如圖3(c)所示，在與半導體晶圓40之已黏著接著膜之面為相反側之面貼附切割片50。切割片50不特別限定，可以用包括支持膜與黏著劑層之一般使用者。在此，前述黏著劑層可以使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等的樹脂組成物構成者，該等之中，丙烯酸系黏著劑為較佳。又，為了控制黏著性，也可以添加胺甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸酯單體等光反應性單體及寡聚物、及光聚合起始劑。又，前述支持膜不特別限定，於黏著劑層含有光反應性單體等的情形，宜具有放射線透射性較佳。支持膜，可使用例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯．丙烯共聚物等。切割片50之貼附可以使用晶圓層合機等。此時，宜同時貼附晶圓環51，將半導體晶圓固定較佳。晶圓環51一般由不銹鋼鋼、鋁等各種金屬材料等構成，故剛性高，能確實防止疊層體變形。
[2]切割步驟
然後，準備未圖示之切割台，在切割台上載置疊層體以使得切割台與切割片50接觸。
之後，如圖4(d)所示，使用切割刀片52在疊層體形成多數切口53(切割)。切割刀片52以圓盤狀之鑽石刀片等構成，藉由將其邊旋轉邊抵接於疊層體之半導體晶圓40側之面，可形成切口53。並且，沿著於半導體晶圓40形成之電路圖案彼此之間隙，使切割刀片52相對地移動，將半導體晶圓40分切為已分切之多數半導體晶片20。此時被分切之半導體晶片20各於外部具有用以電性地連接的端子21。又，接著膜10也同樣分切成多數黏著層。如此之切割進行時，對於半導體晶圓40施加振動或衝擊，但因為半導體晶圓40之底面由切割膠帶50支持，能夠緩和上述振動或衝擊。其結果能確實防止半導體晶圓40及半導體晶片20的裂痕或缺損等不良情形。
[3]拾取步驟
[3-1]擴展步驟
然後將已形成多數切口53之疊層體37利用未圖示之擴展裝置向放射狀延伸(擴展)。藉此，如圖4(e)所示，於疊層體形成之切口53之寬度擴大，伴隨著，分切的半導體晶片20彼此的間隔也擴大。其結果，被分切的半導體晶片20彼此無干擾之虞，容易拾取已分切的各半導體晶片20。又，擴展裝置之構成為在後述步驟仍能維持如此之擴展狀態。
[3-2]拾取步驟
然後使用未圖示之黏晶機、或晶粒選包器(die sorter)，將半導體晶片20中的1個以套爪(collet)(晶片吸附部)吸附且同時向上方拉起，可獲得附有接著膜10之半導體晶片20(拾取)。此時可使用將切割膠帶50從下方往上突的針狀體(needle)等(未圖示)。又，切割膠帶50會由於紫外線照射、加熱而使黏著性下降，故為提高拾取性時，也可以於拾取前實施紫外線之照射、加熱處理。
[4]接合步驟
[4-1]黏著步驟
然後準備用以裝載(mount)已分切之半導體晶片(電子零件)20的中介片(電路零件)30。
此中介片30在與前述接著膜黏著之面具有端子(未圖示)。
其次，如圖4(f)所示，將已拾取之半導體晶片20介隔接著膜而載置於中介片30上。此時，係將已分切之半導體晶片(電子零件)20之第1端子21與中介片(電路零件)30之第2端子31進行位置對準並同時介隔接著膜10予以暫時壓接。
中介片30，如圖5(a)所示，係於基材32上設有配線電路33，且具有電極墊34作為端子。配線電路33，在電極墊34以外處設有絕緣部35。又，於絕緣部35，設有多數對準記號36作為位置對準用的圖案。
又，中介片30，可將此對準記號36替換為使用例如如圖5(a)所示之電極墊34(凹部)等的中介片30之既定部位作為對準記號。
圖5(b)例示已分切之半導體晶片(電子零件)20與接著膜10疊層而得之疊層體37之細節。已分切之半導體晶片20之第1端子21係於表面具有低熔點導電性金屬之金屬凸塊。又，已分切之半導體晶片20，設有多數對準記號22作為位置對準用的圖案。
又，已分切之半導體晶片20，也可將對準記號22替換為使用例如：圖5(b)所示之第1端子21(突起)等之已分切之半導體晶片20之既定部位作為對準記號。
亦即，作為用於中介片(電路零件)30及已分切之半導體晶片(電子零件)20之位置對準之圖案，不限於此位置對準專用之對準記號36、22，其他也可列舉例如：端子、電極、凸塊、配線圖案(配線)、墊部(例如：接合墊、電極墊)、切割線等。
藉由使中介片30之對準記號36與已分切之半導體晶片20之對準記號22，從中介片30或已分切之半導體晶片20之厚度方向看去為一致，以進行已分切之半導體晶片20對於中介片30之位置對準。並且，將中介片30與已分切之半導體晶片20介隔接著膜10而暫時壓接，在中介片30上固定已分切之半導體晶片20(圖5(c))。暫時壓接之方法不特別限定，可以使用壓接機、覆晶晶片黏晶機等實施。暫時壓接之條件特別限定，溫度為40℃~200℃較佳，60℃~180℃尤佳。又，時間為0.1秒~60秒較佳，1~60秒尤佳。又，壓力為0.1MPa~2.0MPa較佳， 0.3MPa~1.5MPa尤佳。暫時壓接之條件若為前述範圍內，能將已分切之半導體晶片20確實地暫時壓接在中介片30上。
[4-2]接合步驟
然後將中介片30與半導體晶片20予以電性地接合。
中介片30與半導體晶片20之電性接合，可藉由將第1端子21表面之低熔點之金屬組成物予以熔融而與電極墊34進行焊接，以形成電性地連接之連接部81以進行(圖5(d))。
焊接條件依使用之低熔點之金屬組成物之種類不同，例如Sn-Ag之情形，於220~260℃加熱5~500秒而焊接較佳，尤其於230~240℃加熱10~100秒較佳。
此焊接係將低熔點之金屬組成物熔解後以接著膜10會硬化之條件實施較佳。亦即，焊接宜於使低熔點之金屬組成物熔解但接著膜10之硬化反應不大會進行之條件實施較佳。藉此，能使連接時之連接部81之形狀成為連接可靠性優異之安定形狀。
[4-3]硬化步驟
然後使接著膜10加熱並硬化，形成密封層80。硬化條件不特別限定，溫度為130~220℃較佳，150~200℃尤佳。又，時間為30~500分鐘較佳，60~180分鐘尤佳。再者，也可以於加壓氣體環境下使接著膜10硬化。加壓方法不特別限定，可於烘箱中導入空氣、氮、氬氣等加壓流體以進行。前述壓力為0.1MPa10MPa較佳，0.5MPa~5MPa尤佳。若硬化條件為前述範圍內，能減小接著膜10中之空隙。
以此方式，可獲得中介片30與已分切之半導體晶片20利用接著膜之硬化物製得之密封層80黏著成的疊層體之硬化物38。
[5]凸塊形成步驟
然後於母板形成用以安裝半導體裝置100之凸塊70(圖5(e))。凸塊70只要是有導電性之金屬材料即可，不特別限定，宜為導電性與應力緩和性優異之焊料為較佳。又，凸塊70之形成方法不特別限定，可藉由利用助焊劑將焊球連接的方式形成。
以此方式，可獲得本實施形態中如圖5(e)所示之半導體裝置100，其包含：將中介片30與已分切之半導體晶片20利用接著膜之硬化物製得之密封層80予以黏著成的疊層體之硬化物38；及凸塊70。
依以上方法，不須要另外準備底層填充劑或助焊劑等，能更提升製造半導體晶片20與中介片30予以電性地連接而成之半導體裝置100之效率。
又，本實施形態中，已依序說明了於半導體晶圓40貼附接著膜10並進一步貼附切割片50，但也可以使用預先使切割片50與接著膜10一體化成的切割片一體型接著膜，於此接著膜貼附半導體晶圓40之實施形態進行。又，切割片以外，也可以使用在矽晶圓之背面研磨步驟使用之背面研磨膠帶或背面研磨膠帶兼切割膠帶等半導體製造步驟使用之步驟用片疊層了接著膜10而得的一體型接著膜。
又，本實施形態係將接著膜10貼附於半導體晶圓40，但不限於如此之製造方法，也可使用將接著膜10分切，並貼附在預先分切之半導體晶片，再將和接著膜10之貼有半導體晶片之面為相反側之面暫時壓接在中介片30，之後使其電性地連接的製造方法。
又，本實施形態中，係將已分切之半導體晶片20接合於中介片30，但不限於如此之製造方法，也可使用將已分切之多數半導體晶片接合在多個其他的半導體晶圓，製成在半導體晶圓上具有多數半導體晶片與多數接著膜之疊層體，將此半導體晶圓切割並分切，將已分切之疊層體進一步連接於中介片等而製造半導體裝置的製造方法。
<切割膠帶一體型接著膜>
然後針對本發明之切割膠帶一體型接著膜說明。
本發明之切割膠帶一體型接著膜，特徵為具有上述本發明之接著膜及切割膠帶。
圖6顯示本發明之切割膠帶一體型接著膜之一形態。圖6中，切割膠帶一體型接著膜210具有在切割膠帶213上形成了接著膜211的結構。圖6所示之形態中，切割膠帶213係由切割膠帶之基材層213a、與切割膠帶之黏著層213b之2層構成，以切割膠帶之黏著層213b與接著膜211接觸的方式疊層。
本發明之切割膠帶一體型接著膜之形態不限於圖6所示者，例如也可為於切割膠帶之黏著層213b與接著膜211之間具有插入層的形態。於此情形，切割膠帶之黏著層宜具有比插入層更高黏著性較佳。藉此，相較於插入層對於接著膜211之密合力，切割膠帶之黏著層對於插入層及基材層之密合力更大。故於電子零件之製造步驟中，例如：如半導體晶片拾取步驟之電子零件之製造步驟中，能於應使其剝離之所望界面(亦即插入層與接著膜之界面)發生剝離。
<切割膠帶>
本發明之切割膠帶一體型接著膜使用之切割膠帶，也可使用一般使用的任意切割膠帶。
作為切割膠帶之基材層213a之構成材料不特別限定，例如：聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚胺甲酸酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、乙烯基聚異戊二烯、聚碳酸酯、聚烯烴等，可使用該等中之1種或2種以上之混合物。
切割膠帶之基材層213a之平均厚度不特別限定，5μm~200μm較佳，約30μm~150μm更理想。藉此：基材層具有適度剛性，故能將接著膜確實地支持，容易操作割膠帶一體型接著膜，且藉由將切割膠帶一體型接著膜適度彎曲，能提高接著膜與具電極之被黏附體間之密合性。
切割膠帶之基材層213a之製法不特別限定，可使用輪壓法、擠製成形法等一般的成形方法。基材層213a之表面，宜有與構成黏著層213b之材料反應之官能基，例如：羥基或胺基等露出較佳。又，為了提高基材層213a與黏著層213b之密合性，宜對於基材層213a之表面事先進行電暈處理或增黏塗佈等表面處理較佳。
又，切割膠帶之黏著層213b之構成材料不特別限定，例如可使用包括丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等之樹脂組成物構成者。
丙烯酸系黏著劑，可使用例如(甲基)丙烯酸及此等之酯所構成之樹脂、(甲基)丙烯酸及此等之酯、及能與此等共聚合之不飽和單體(例如乙酸乙烯基、苯乙烯、丙烯腈等)之共聚物等。又，該等共聚物也可混合2種以上。
該等之中，宜為選自於由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、及、(甲基)丙烯酸丁酯構成之群組中之1種以上、與選自於由(甲基)丙烯酸羥基乙酯、及乙酸乙烯酯中之1種以上之共聚物為較佳。藉此，容易控制與切割膠帶之黏著層所黏著之對象(例如：上述插入層、基材層等)之密合性或黏著性。
上述切割膠帶之黏著層213b之平均厚度不特別限定，約1μm~100μm較佳，尤其約3μm~20μm更理想。切割膠帶之黏著層213b之平均厚度若為上述範圍內，能確保切割膠帶之黏著層213b之形狀追隨性，能更提高對於半導體晶圓等接著膜之被接物之密合性。
上述切割膠帶之製造方法不特別限定，例如可利用桿塗法、模塗法、照相凹版塗佈法等在切割膠帶之基材層213a上塗佈黏著層213b以製造。又，也可將黏著層213b另外塗佈在黏著層213b用基材上後，利用層合在切割膠帶之基材層213a上等方法予以轉印而製造。
設置插入層時，可於上述黏著層213b上進一步塗佈插入層，也可層合插入層另外塗佈在插入層用基材上者等方法製造。
又，本發明之切割膠帶一體型接著膜，例如可藉由將基材層213a、黏著層213b、及具有插入層之切割膠帶、及本發明之接著膜，以上述插入層與接著膜接觸的方式層合以獲得。
<背面研磨膠帶一體型接著膜>
然後針對本發明之背面研磨膠帶一體型接著膜說明。本發明之背面研磨膠帶一體型接著膜之特徵為：具有上述本發明之接著膜及背面研磨膠帶。
上述背面研磨膠帶不特別限定，可列舉於基材之單面形成黏著劑層者。前述基材不特別限定，例如：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等樹脂構成者。
形成前述黏著劑層之黏著劑不特別限定，宜為包括含有聚合性寡聚物且藉由將其聚合交聯會使黏著力下降之黏著劑較佳。如此之黏著劑，例如：含有分子內具有放射線聚合性不飽和鍵而成之丙烯酸烷酯系及/或甲基丙烯酸烷酯系之聚合性聚合物、與放射線聚合性之多官能寡聚物或單體作為主成分而成之光硬化型黏著劑等。
前述聚合性聚合物，可藉由例如預先合成於分子內帶有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物，與分子內具有會與前述官能基反應之官能基及放射線聚合性不飽和鍵之化合物反應而得。又，本說明書中，(甲基)丙烯酸系聚合物係指丙烯酸系聚合物及甲基丙烯酸系聚合物。
前述光硬化型黏著劑，除了前述聚合性聚合物及前述多官能寡聚物或單體以外宜更摻合光聚合起始劑較佳。藉此，利用照射紫外線等活性光線能確實地使黏著劑層與接著膜層之界面之密合力下降，故能使接著膜層不殘留黏著劑層之殘渣，而確實地剝離背面研磨膠帶。
上述背面研磨膠帶之製造方法不特別限定，例如可利用桿塗法、模塗法、照相凹版塗佈法等在背面研磨膠帶之基材層上塗佈黏著劑層以製造。又，也可利用將黏著劑層另外塗佈在黏著劑層形成用基材上後，層合於背面研磨膠帶之基材層上等方法予以轉印而製造。
藉由以此方式在製作之背面研磨膠帶層合上述接著膜，能製作背面研磨膠帶一體型接著膜。
<背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜>
然後針對本發明之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜說明。
本發明之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300，如圖7所示，由背面研磨膠帶兼切割膠帶301、及接著膜302構成。未圖示但在背面研磨膠帶兼切割膠帶301與接著膜302之間也可設置脫模膜。藉此，容易將背面研磨膠帶兼切割膠帶301與接著膜302之間剝離，能提高切割半導體晶圓後之半導體元件之拾取性。
又，背面研磨膠帶兼切割膠帶301，只要是利用例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氯化乙烯、聚醯胺、聚胺甲酸酯等製得之耐熱性或耐藥品性優良之膜則可使用。背面研磨膠帶兼切割膠帶1之厚度不特別限定，通常30μm~500μm為較佳。
然後簡單說明本發明之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300之製造方法。
接著膜302係依前述<接著膜>所述方法製作。將其切半，獲得圓形之接著膜302。
然後，於其上疊層背面研磨膠帶兼切割膠帶301，可獲得以背面研磨膠帶兼切割膠帶301、接著膜302、剝離基材321構成之附有背面研磨膠帶機能及附有切割膠帶機能之接著膜300(圖8)。
依此方式形成之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300之接著膜302之厚度不特別限定，為3μm以上、100μm以下較佳，尤其5μm以上、50μm以下又更佳。厚度若未達前述下限值，作為背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300之效果有時會下降，若超過前述上限值，製品之製造有時困難、厚度精度下降。
(半導體裝置之製造方法及半導體裝置)
然後針對半導體裝置之製造方法說明。
將上述方法獲得之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300之剝離基材321予以剝離，以接著膜302與半導體晶圓303之機能面331抵接的方式黏著(圖9)。
然後將背面研磨膠帶兼切割膠帶301之上側之面(圖10中之上側)固定在研磨裝置之研磨台座304。研磨裝置不特別限定，可以使用市售品。在此，背面研磨後之半導體晶圓303之厚度不特別限定，為約10μm~300μm較佳，更佳為10μm以上100μm以下。
然後將背面研磨後之半導體用晶圓303以背面研磨膠帶兼切割膠帶301接觸切割台305之頂面(圖11中之上側)的方式設置在切割台305(圖11)。然後，在半導體晶圓303之周圍設置晶圓環306，將半導體晶圓303固定。並且，以刀片307切斷半導體晶圓303，將半導體晶圓303分切而獲得具有接著膜302之半導體元件。此時，背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300具有緩衝作用，防止切斷半導體晶圓303時發生半導體元件裂痕、缺損等。又，也可在背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300預先黏貼半導體晶圓303及晶圓環306後再設置於切割台305。
然後，將背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜300以擴展裝置伸展，使具有分切之接著膜302的半導體元件彼此隔開一定間隔，之後拾取並裝載於基板，獲得半導體裝置。
如上，本發明之背面研磨膠帶兼切割膠帶一體型接著膜具有背面研磨膠帶機能、切割膠帶機能而且接著膜具有助焊劑活性，故有能省去助焊劑塗佈步驟等的作用。所以，無須助焊劑洗滌步驟，能使生產性優異且提高半導體晶圓之作業性。
【實施例】
以下依據實施例及比較例詳細說明本發明，但本發明不限於此。
[接著膜之製作]
(實施例1)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)14.26重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)39.73重量份、具有助焊劑活性之化合物即偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)10.50重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公司製YX-6954)5.07重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製2P4MZ)0.09重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.35重量份、二氧化矽填料(Admatechs公司製SC1050平均粒徑0.25μm)30.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃進行5分鐘乾燥，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜A)。
(實施例2)
<接著膜之製作>
將聯苯芳烷基型苯酚樹脂(明和化成(股)公司製MEH-7851)25.15重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)32.10重量份、具有助焊劑活性之化合物即偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)8.60重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公司製YX-6954)3.90重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製2P4MZ)0.05重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.20重量份、二氧化矽填料(日本AEROSIL(股)公司製AEROSIL 200)5.00重量份及二氧化矽填料((股)公司Admatechs製YA050C平均粒徑0.05μm)25.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜B)。
(實施例3)
<接著膜之製作>
將苯酚芳烷基樹脂(三井化學公司製XLC-4L)10.20重量份、雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON 840-S)22.00重量份、具有助焊劑活性之化合物即還原酚酞(東京化成工業公司製)8.20重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex公司製SG-P3)9.30重量份、作為硬化促進劑之2-甲基咪唑(四國化成工業公司製2MZ-H)0.05重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)0.25重量份、及二氧化矽填料 (Admatechs公司製SC1050平均粒徑0.25μm)50.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜C)。
(實施例4)
<接著膜之製作>
將雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)19.90重量份、參(羥基苯基)甲烷型環氧樹脂(三菱化學公司製jER1032H60)19.00重量份、具有助焊劑活性之化合物即偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)16.30重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(新日鐵化學公司製FX-280S)27.80重量份、作為硬化促進劑之微膠囊型硬化劑(旭化成E-materials公司製Novacure HX-3941HP)6.50重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)0.50重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公司製SC1050平均粒徑0.25μm)10.00重量份，解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，100℃乾燥5分鐘，獲得度25μm之接著膜(以下稱為膜D)。
(實施例5)
<接著膜之製作>
將苯酚酚醛清漆樹脂(住友電木公司製PR-55617)5.40重量份、雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON 840-S)6.10重量份、參(羥基苯基)甲烷型環氧樹脂(三 菱化學公司製jER1032H60)6.10重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex公司製SG-P3)12.40重量份、作為硬化促進劑之微膠囊型硬化劑(旭化成E-materials公司製Novacure HX-3941HP)4.50重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)0.50重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公司製SE3050平均粒徑1.0μm)65.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜E)。
(實施例6)
<接著膜之製作>
將聯苯芳烷基型苯酚樹脂(明和化成公司製MEH-7851)12.40重量份、參(羥基苯基)甲烷型環氧樹脂(三菱化學公司製jER1032H60)8.60重量份、具有助焊劑活性之化合物即4-(4-羥基苯氧基)苯甲酸(東京化成工業公司製)7.20重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex公司製SG-P3)21.10重量份、作為硬化促進劑之三苯基膦(北興化學工業公司製TPP)0.20重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.50重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公司製YC100C平均粒徑0.1μm)50.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜F)。
(實施例7)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)7.05重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)16.10重量份、作為具有助焊劑活性之化合物之二苯酚酸(東京化成工業公司製)3.00重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex公司製SG-80H)3.20重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製「2P4MZ」)0.15重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)0.50重量份、及YA050C平均粒徑0.05μm)70重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜G)。
(實施例8)
<接著膜之製作>
將苯酚芳烷基樹脂(三井化學公司製XLC-4L)9.40重量份、苯酚酚醛清漆樹脂(住友電木公司製PR-55617)9.00重量份、參(羥基苯基)甲烷型環氧樹脂(三菱化學公司製jER1032H60)9.80重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex公司製SG-P3)21.10重量份、作為硬化促進劑之三苯基膦(北興化學工業公司製TPP)0.20重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.50重量份、及二氧化矽填料((股)公司Admatechs製SC2050平均粒徑0.5μm)50.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，製成厚度25μm之接著膜(以下稱為膜H)。
(實施例9)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製、KA-1160)7.55重量份、酸酐(三菱化學公司製jER cureYH307)3.75重量份、二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON HP-7200H)13.30重量份、萘型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON HP-4770)9.95重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex製SG-80H)9.95重量份、作為硬化促進劑之2-甲基咪唑(四國化成工業公司製2MZ-H)0.10重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)1.00重量份、二氧化矽填料(Admatechs公司製SC1050平均粒徑0.25μm)50.00重量份、及丙烯酸系橡膠粒子(三菱嫘縈公司製Metablen W-450A平均粒徑0.2μm)4.40重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜I)。
(實施例10)
<接著膜之製作>
將聯苯芳烷基型苯酚樹脂(明和化成(股)公司製MEH-7851)14.20重量份、雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON840-S)36.40重量份、二環戊二烯型環氧樹 脂(DIC公司製EPICLON HP-7200H)12.50重量份、作為具有助焊劑活性之化合物之4-(4-羥基苯氧基)苯甲酸(東京化成工業公司製)10.30重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(新日鐵住金公司製FX-280S)15.30重量份、作為硬化促進劑之三苯基膦(北興化學工業公司製TPP)0.30重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)1.00重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公司製SE3050平均粒徑1.0μm)10.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜J)。
(實施例11)
<接著膜之製作>
將苯酚芳烷基樹脂(三井化學公司製Milex XLC-4L)7.10重量份、雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON840-S)18.25重量份、作為具有助焊劑活性之化合物之還原酚酞(東京化成工業公司製)5.10重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公司製YX-6954)3.90重量份、作為硬化促進劑之2-甲基咪唑(四國化成工業公司製2MZ-H)0.15重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)0.50重量份、二氧化矽填料(Admatechs公司製SC2050平均粒徑0.5μm)65.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜K)。
(實施例12)
<接著膜之製作>
將苯酚酚醛清漆樹脂(住友電木公司製PR-55617)11.20重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)27.70重量份、萘型環氧樹脂(DIC公司製EPICLON HP-4770)8.20重量份、具有助焊劑活性之化合物二苯酚酸(東京化成工業公司製)7.30重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex製SG-80H)14.60重量份、作為硬化促進劑之微膠囊型硬化劑(旭化成E-materials公司製Novacure HX-3941HP)5.00重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)1.00重量份、與二氧化矽填料(Tokuyama公司製SS-07平均粒徑0.7μm25.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈在基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜L)。
(實施例13)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)7.13重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)19.86重量份、作為具有助焊劑活性之化合物之偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)5.25重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公司製YX-6954)2.54重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製2P4MZ)0.04重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.18重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公 司製SC1050平均粒徑0.25μm)65.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜M)。
(比較例1)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)5.09重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)14.19重量份、具有助焊劑活性之化合物即偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)3.75重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公司製YX-6954)1.81重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製2P4MZ)0.03重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.13重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公司製SC1050)75.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜N)。
(比較例2)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)20.37重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)56.76重量份、具有助焊劑活性之化合物即偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)15.00重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公 司製YX-6954)7.24重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製2P4MZ)0.13重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.50重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜O)。
(比較例3)
<接著膜之製作>
將苯酚芳烷基樹脂(三井化學(股)公司製Milex XLC-4L)22.90重量份、雙酚A型環氧樹脂(DIC(股)公司製EPICLON 840-S)43.00重量份、具有助焊劑活性之化合物二苯酚酸(東京化成工業(股)公司製)11.80重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex(股)公司製SG-P3)10.70重量份、作為硬化促進劑之三苯基膦(北興化學工業(股)公司製TPP)0.60重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業(股)公司製KBE-503)1.00重量份、及二氧化矽填料(日本AEROSIL公司製AEROSIL200平均粒徑0.012μm)10.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜P)。
(比較例4)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)5.90重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)17.50重量份、作為成膜性樹脂之含環氧基之丙烯酸酯共聚物(NagaseChemtex製SG-80H)5.30重量份、作為硬化促進劑之2-甲基咪唑(四國化成工業公司製2MZ-H)0.30重量份、作為矽烷偶聯劑之3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製KBE-503)1.00重量份、及二氧化矽填料(Admatechs公司製SE3050平均粒徑1.0μm)70.00重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜Q)。
(比較例5)
<接著膜之製作>
將甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製KA-1160)20.37重量份、雙酚F型環氧樹脂(DIC公司製EXA-830LVP)56.76重量份、具有助焊劑活性之化合物即偏苯三甲酸(東京化成工業公司製)15.00重量份、作為成膜性樹脂之苯氧基樹脂(三菱化學公司製YX-6954)7.24重量份、作為硬化促進劑之2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製2P4MZ)0.13重量份、作為矽烷偶聯劑之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM-403)0.50重量份，溶解、分散於甲乙酮，製成樹脂濃度50%之樹脂清漆。
將獲得之接著膜用清漆塗佈於基材聚酯膜(基體膜、帝人杜邦薄膜(股)公司製商品名：Purex A53)使厚度成為50μm，於100℃乾燥5分鐘，獲得厚度25μm之接著膜(以下稱為膜R)後，對於獲得之膜之表面施以電暈處理。
[接著膜之評價]
<表面粗糙度Ra測定>
針對各實施例及比較例獲得之接著膜，將接著膜固定在載玻片上使接著膜之基體膜面密合於載玻片，以東京精密製表面粗糙度計SURFCOM1400D之探針掃描接著膜表面以測定表面粗糙度Ra。前述表面粗糙度Ra係依日本工業規格JIS-B0601測定之算術平均粗糙度。結果示於表1、2。
<透光率測定>
針對各實施例及比較例獲得之接著膜，使用島津製作所製分光光度計UV-160測定於700nm之透光率。結果示於表1、2。
<表面粗糙度Ra與透光率之比>
針對各實施例及比較例獲得之接著膜，求取令使用東京精密製表面粗糙度計SURFCOM1400D測得之表面粗糙度Ra為C，使用島津製作所製分光光度計UV-160測得之於700nm之透光率為D時，表面粗糙度Ra與透光率之比C/D(μm/%)。結果示於表1、2。
<熔融黏度測定>
將各實施例及比較例獲得之接著膜予以疊層以製成厚度100μm之測定用樣本，使用黏彈性測定裝置(Thermo fisher scientific公司製「MARS」)以平行板20mmφ、間隙0.05mm、頻率0.1Hz、升溫速度為10℃/分之條件測定熔融黏度，將成為最低之熔融黏度定義為測定值。結果示於表1、2。
<平均線膨脹係數測定>
將各實施例及比較例獲得之接著膜於180℃處理2小時，使用寬4mm、厚度100μm之條狀樣本測定線膨脹係數。測定條件係以拉伸模式、升溫速度10℃/分、 負荷30mN、夾頭間距離10mm測定，作為α1之於25~75℃之平均線膨脹係數之結果示於表1、2。
<半導體裝置之製造>
針對各實施例及比較例獲得之各接著膜10依以下方法製造半導體裝置100。首先準備單面具有多數表面含有作為低熔點導電性金屬之由錫、銀之合金構成之焊料的第1端子的多種矽晶圓A~C(直徑8吋、厚度100μm、半導體晶片尺寸10mm×10mm、第1端子之高度、第1端子之寬度、被覆第1端子表面之低熔點之金屬組成物之組成、金屬組成物之寬度、金屬組成物間之距離、第1端子間之距離、每第1端子之1半導體晶片之數目等示於表3。)。將預先切成與矽晶圓同尺寸之接著膜，以接觸各矽晶圓之具第1端子之面之方式，將接著膜與矽晶圓疊層。將其以層合機於貼合溫度80℃、壓力0.8MPa、2mm/s層合，獲得接著膜與矽晶圓之疊層體37。
然後，以層合機將切割膠帶貼合在和各矽晶圓之與貼合接著膜之面為相反的面。此時以貼合溫度為25℃、壓力0.8MPa、2mm/s，將接著膜與矽晶圓之疊層體貼合切割膠帶。
其次，將切割膠帶固定在晶圓環，疊層在切割機(DFD6360、Disco(股)製)之切割台，並固定矽晶圓，將基材層剝離。再者，從矽晶圓側使用切割機依以下條件切割(切斷)。藉此將矽晶圓分切，獲得以下切割尺寸之半導體晶片20。
《切割條件》
切割尺寸：10mm×10mm四方
切割速度：50mm/sec
心軸轉速：40,000rpm
切割最大深度：0.130mm(從矽晶圓之表面算起之切口量)
切割刀片之厚度：15μm
其次，以針從切割膠帶一體型接著膜之支持膜側(背面)將1個半導體晶片往上戳，被向上戳的半導體晶片的表面以黏晶機之套爪吸附的狀態被往上拉起。藉此拾取附有接著膜之半導體晶片。
然後使拾取之半導體晶片反轉，並使銅凸塊及接著膜位在下側。再者，準備具有多種對應於半導體晶片之第1端子之排列的墊的多種中介片，以使中介片之墊與各半導體晶片之多數第1端子抵接的方式進行位置對準，於此同時將半導體晶片以150℃、1秒、1kgf(=9.8N)的條件貼附於中介片。
再者，以覆晶晶片黏晶機的頭將半導體晶片於235℃、5秒、30N進行熱壓接，使凸塊表面之合金熔融而實施半導體晶片與中介片之焊接。
然後，於180℃、60分鐘、0.8MPa之流體壓力(空氣壓力)之氣體環境下加熱使接著膜硬化，獲得疊層體之硬化物38，其具有半導體晶片20、中介片30、插入於前述半導體晶片20與前述中介片30之間之接著膜10之硬化物層(密封層)80。獲得半導體裝置100，其含有前述疊層體之硬化物38，係將前述半導體晶片20與前述中介片30以前述接著膜10之硬化物密封而得。
<連接可靠性>
針對各實施例及比較例之接著膜、及使用各矽晶圓獲得之半導體裝置100各20個，交替各暴露於-55℃之條件下30分鐘、125℃之條件下30分鐘作為1個周期，溫度周期試驗進行100次周期，針對試驗後之半導體裝置，以數位多功能測定儀測定半導體晶片與電路基板之連接電阻值，並評價連接可靠性。結果如表4。各符號如下。
◎：全部20個半導體裝置的連接電阻值未達10Ω。
○：1個以上之半導體裝置之連接電阻值為10Ω以上、未達20Ω。
×：1個以上之半導體裝置之連接電阻值為20Ω以上。
<連接部之位置偏離>
針對使用各實施例及比較例之接著膜獲得之半導體裝置100，切斷並以SEM確認連接部20處，觀察連接部之位置偏離並評價。結果如表4。各符號如下。
◎：全部20個連接部無位置偏離。
○：有1個以上3個以下之連接部確認有位置偏離。
×：有4個以上之連接部確認有位置偏離。
由實施例、比較例可知：依照本發明可提供接著膜10，其兼顧充分透明性與焊接部之可靠性，且提高更窄節距化/窄間隙化之焊接部之接合性、及半導體裝置製造之產量，並可提供焊接部之可靠性提高之半導體裝置100。
20‧‧‧半導體晶片(電子零件)
21‧‧‧第1端子
30‧‧‧中介片(電路零件)
31‧‧‧第2端子
38‧‧‧疊層體之硬化物
70‧‧‧凸塊
80‧‧‧密封層(接著膜之硬化物層)
81‧‧‧連接部
100‧‧‧半導體裝置

Claims (21)

  1. 一種接著膜，其係插入於表面具有多數第1端子之電子零件、與具有對應於該第1端子之多數第2端子之電路零件之間，將該第1端子與第2端子予以電性地連接之端子間連接用接著膜；其特徵為：該第1端子具有柱形狀，係垂直於該第1端子之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、係垂直於該金屬組成物之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，且B滿足2μm以上170μm以下，相鄰的第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下，該接著膜由含有10重量%以上70重量%以下之填充材的樹脂組成物構成，表面粗糙度Ra為0.03μm以上1.0μm以下，該表面粗糙度Ra係依據日本工業規格JIS-B0601測定之算術平均粗糙度。
  2. 如申請專利範圍第1項之接著膜，其中，該接著膜於700nm之透光率為15%以上100%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之接著膜，其中，令該表面粗糙度Ra為C、該接著膜於700nm之透光率為D時，該表面粗糙度Ra與該透光率之比[C/D]為1.8×10-2μm/%以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之接著膜，其中，該填充材之平均粒徑為0.01μm以上、0.5μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之接著膜，其中，該填充材為無機填充材。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之接著膜，其中，該樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、及成膜性樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之接著膜，其中，該樹脂組成物含有具有苯酚性羥基、羧基中之至少一者之化合物。
  8. 如申請專利範圍第7項之接著膜，其中，該化合物在樹脂組成物內的含量為3%以上20%以下。
  9. 如申請專利範圍第7項之接著膜，其中，該化合物在1分子中具有2個以上之苯酚性羥基及1個以上之羧基。
  10. 如申請專利範圍第7項之接著膜，其中，該化合物於1分子中含有1個以上的苯醚基。
  11. 一種切割片一體型接著膜，係將切割片與如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜予以疊層。
  12. 一種背面研磨膠帶一體型接著膜，係將背面研磨膠帶、與如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜予以疊層。
  13. 一種背面研磨膠帶兼切割片一體型接著膜，係將背面研磨膠帶兼切割片、與如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜予以疊層。
  14. 一種疊層體，具有：表面具有多數第1端子之電子零件、及設於該電子零件之第1端子側之如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜；其特徵為：該第1端子具有柱形狀，係垂直於該第1端子之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、係垂直於該金屬組成物之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下。
  15. 如申請專利範圍第14項之疊層體，具有多數該電子零件、及多數如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜。
  16. 一種疊層體之硬化物，具有：表面具有多數第1端子之電子零件、具有對應於該第1端子之多數第2端子之電路零件、及插入於該電子零件與該電路零件之間之如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜之硬化物層；其特徵為：該第1端子具有柱形狀，係垂直於該第1端子之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、係垂直於該金屬組成物之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下。
  17. 如申請專利範圍第16項之疊層體之硬化物，具有：多數該電子零件、及插入於多數該電子零件與該電路零件之間之多數如申請專利範圍第1至10項中任一項之接著膜之硬化物層。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之疊層體之硬化物，其中，該電路零件為中介片。
  19. 如申請專利範圍第16或17項之疊層體之硬化物，其中，該電路零件為半導體晶圓。
  20. 一種半導體裝置，包含如申請專利範圍第16至18項中任一項之疊層體之硬化物。
  21. 一種半導體裝置之製造方法，係在表面具有多數第1端子之電子零件與具有對應於該第1端子之多數第2端子之電路零件之間插入如申請專利範圍第1至10項中任一項之該接著膜，並將該第1端子與第2端子予以電性地連接；其特徵為：該第1端子具有柱形狀，係垂直於該第1端子之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該第1端子之寬為3μm以上100μm以下，該第1端子具有被覆端子表面之至少一部分之低熔點之金屬組成物，令該第1端子之寬為A、係垂直於該金屬組成物之高度方向所形成之剖面當中，帶有最大面積之剖面中的最長距離的該金屬組成物之寬為B時，滿足0.6<A/B<1.4，B滿足2μm以上170μm以下，相鄰之第1端子彼此擁有之金屬組成物間之距離為3μm以上60μm以下。
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