JP5991335B2 - 接着フィルム、ダイシングシート一体型接着フィルム、バックグラインドテープ一体型接着フィルム、バックグラインドテープ兼ダイシングシート一体型接着フィルム、積層体、積層体の硬化物、および半導体装置、並び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着フィルム、ダイシングシート一体型接着フィルム、バックグラインドテープ一体型接着フィルム、バックグラインドテープ兼ダイシングシート一体型接着フィルム、積層体、積層体の硬化物、および半導体装置、並び半導体装置の製造方法に関するものである。
本願は、２０１３年３月７日に、日本に出願された特願２０１３−０４５０２０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体装置も、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。これら半導体装置における電子部品同士、および電子部品と回路部品間等における電気的な接続を得るため、半田接合が広く用いられている。この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、半導体チップと電子回路が作り込まれた半導体ウエハの導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度および機械的な接続強度を確保するために、一般的に樹脂材料を用いて封止されている。例えば、半導体チップと回路基板間では、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。

半田接合部によって生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、半導体装置の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。このような問題に対し、ＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ−Ｆｉｌｍ）と呼ばれる接着フィルムにより半田接合部を封止するという方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００９−２７７８１８号公報

しかしながら、従来のＮＣＦと呼ばれる接着フィルムでは、十分な透明性と、半田接合部の信頼性を両立することが難しく、より狭ピッチ化／狭ギャップ化する半田接合部における接合性と、半導体装置の製造における歩留まりの向上が困難であるという問題があった。
本発明の目的は、十分な透明性と、半田接合部の信頼性を両立し、より狭ピッチ化／狭ギャップ化した半田接合部における接合性と、半導体装置の製造における歩留まりを向上させる接着フィルムを供給すること、および半田接合部の信頼性の向上した半導体装置を供給することである。

このような目的は、下記（１）〜（２１）の本発明により達成される。
（１）表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記第一の端子と対応する複数の第二の端子を有する回路部品との間に介在し、前記第一の端子と第二の端子とを電気的に接続する端子間接続用接着フィルムであって、前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であって、前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たすものであって、隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であって、前記接着フィルムは充填材を１０重量％以上７０重量％以下含む樹脂組成物からなり、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上１．０μｍ以下であり、前記表面粗さＲａが、日本工業規格JIS-B0601に準じて測定される算術平均粗さであることを特徴とする接着フィルム。
（２）前記接着フィルムの７００ｎｍにおける光透過率が、１５％以上１００％以下である（１）に記載の接着フィルム。
（３）前記表面粗さＲａをＣとし、前記接着フィルムの７００ｎｍにおける光透過率をＤとしたとき、前記表面粗さＲａと前記光透過率との比［Ｃ／Ｄ］が、１．８×１０^−２μｍ／％以下である（１）又は（２）に記載の接着フィルム。
（４）前記充填材の平均粒径が、０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下である（１）〜（３）のいずれかに記載の接着フィルム。
（５）前記充填材が、無機充填材である（１）〜（４）のいずれかに記載の接着フィルム。
（６）前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤、およびフィルム形成性樹脂を含む（１）〜（５）のいずれかに記載の接着フィルム。
（７）前記樹脂組成物が、フェノール性水酸基、カルボキシル基のうち少なくとも一方を有する化合物を含む（１）〜（６）のいずれかに記載の接着フィルム。
（８）前記化合物が、樹脂組成物内に３％以上２０％以下含まれる（７）に記載の接着フィルム。
（９）前記化合物が、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、１つ以上のカルボキシル基とを備える（７）または（８）に記載の接着フィルム。
（１０）前記化合物が、１分子中に１つ以上のフェニルエーテル基を含む（７）または（８）に記載の接着フィルム。

（１１）ダイシングシートと、（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムと、を積層したダイシングシート一体型接着フィルム。
（１２）バックグラインドテープと、（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムと、を積層したバックグラインドテープ一体型接着フィルム。
（１３）バックグラインドテープ兼ダイシングシートと、（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムと、を積層したバックグラインドテープ兼ダイシングシート一体型接着フィルム。
（１４）表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記電子部品の第一の端子側において設けられた（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムと、を有する積層体であって、前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であり、前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たし、隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする積層体。
（１５）複数の前記電子部品と、前記複数の電子部品と前記回路部品との間に介在する複数の（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムと、を有する（１４）に記載の積層体。

（１６）表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記第一の端子と対応する複数の第二の端子を有する回路部品と、前記電子部品と前記回路部品との間に介在する（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物層と、を有する積層体の硬化物であって、前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であり、前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たし、隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする積層体の硬化物。
（１７）複数の前記電子部品と、前記複数の電子部品と前記回路部品との間に介在する複数の（１）〜（１０）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物層と、を有する（１６）に記載の積層体の硬化物。
（１８）前記回路部品が、インターポーザーである（１６）または（１７）に記載の積層体の硬化物。
（１９）前記回路部品が、半導体ウエハである（１６）または（１７）に記載の積層体の硬化物。
（２０）（１６）〜（１８）のいずれかに記載の積層体の硬化物を含む半導体装置。
（２１）表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記第一の端子と対応する複数の第二の端子を有する回路部品との間に、（１）〜（１０）のいずれかに記載の前記接着フィルムを介在し、前記第一の端子と第二の端子とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であり、前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たし、隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明によれば、十分な透明性と、半田接合部の信頼性を両立し、より狭ピッチ化／狭ギャップ化した半田接合部における接合性と、電子部品の製造における歩留まりを向上させる接着フィルムを供給すること、および半田接合部の信頼性の向上した半導体装置を供給することができる。

本発明の接着フィルムを用いて製造された半導体装置１００の一例を示す模式図（図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図）である。 本発明の半導体装置１００に用いる電子部品２０の一例を示す模式図（図２（ａ）は、平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図）である。 本発明の半導体装置１００の製造方法の一例を示す模式図である。 本発明の半導体装置１００の製造方法の一例を示す模式図である。 本発明の半導体装置１００の製造方法の一例を示す模式図である。 本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムの一形態を示した断面図である。 本発明のバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルムの一形態を示した断面図である。 本発明のバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルムの一形態を示した断面図である。 本発明の半導体装置について、その製造工程を示す断面図である。 本発明の半導体装置について、その製造工程を示す断面図である。 本発明の半導体装置について、その製造工程を示す断面図である。

本発明の接着フィルムは、表面に複数の第一の端子２１を有する電子部品２０と、前記端子と対応する複数の第二の端子３１を有する回路部品３０との間に介在し、前記第一の端子と第二の端子とを電気的に接続する端子間接続用接着フィルム１０であって、前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であって、前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たすものであって、隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であって、前記接着フィルムは充填材を１０重量％以上７０重量％以下含む樹脂組成物からなり、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする。

本発明のダイシングシート一体型接着フィルムは、ダイシングシートと、前記の接着フィルムと、を積層した。
本発明の積層体３７は、表面に複数の第一の端子を有する電子部品２０と、前記電子部品の第一の端子側において設けられた前記接着フィルム１０と、を有する。
本発明の積層体の硬化物３８は、前記電子部品２０と、前記第一の端子２１と対応する複数の第二の端子３１を有する前記回路部品３１と、前記電子部品と前記回路部品との間に介在する前記接着フィルムの硬化物層８０と、を有する。
また、本発明の半導体装置１００は、前記積層体の硬化物を含む。
以下、本発明の接着フィルム１０、積層体３７、積層体の硬化物３８、半導体装置１００を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の接着フィルム１０を用いて製造された半導体装置１００の一例を示す模式図（図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す半導体装置１００は、半導体チップ（本発明の電子部品の一例に該当する。）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（本発明の回路部品の一例に該当する。）３０と、複数の導電性を有するバンプ７０とを有している。
半導体チップ２０の平面視形状は、図１（ａ）に示すように、正方形状である。また、半導体チップ２０は、その下面に、インターポーザー３０と電気的に接合するための複数の端子２１（本発明の第一の端子の一例に該当する。）を有している。この端子２１は、半導体チップ２０の下面に形成されており、特に限定されないが、例えば、銅等の導電性金属材料で構成されている。

また、インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、図１（ａ）に示すように、正方形状である。さらに、インターポーザー３０は、その上面（一方の面）に、例えば、銅等の導電性金属材料で構成されている複数の端子（本発明の第２の端子に該当する。）３１を有している。

端子３１は、半導体装置１００において、半導体チップ２０に設けられている端子２１に対応するように、インターポーザー３０上面に設けられている。そして、それぞれ対応する端子２１と端子３１とは、接続部８１を介して電気的に接続されている。接続部８１
は、導電性金属で構成されている。接続部８１を構成する導電性金属は、例えば半導体チップ２０に設けられている端子２１表面に予め設けられている端子２１表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物が変形して構成されたものである。端子２１の形状は、特に限定されないが、ピラー形状を持つ金属ポストを用いることができる。金属ポストは、導電性の金属で形成されていれば特に限定されないが、銅、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、金等を用いることができる。

また、前記端子２１と前記金属組成物の間に、金属による薄膜を設けることができる。例えば、金等で構成される薄膜を有することで、前記金属組成物の濡れ性を促進させる効果を有し、ニッケル等のバリアメタル層を有することで、金属組成物が、端子２１内に拡散することを防止するという効果を有する。このような薄膜は、単層であってもよく、複数の層を有してもよい。また、複数の層を有する場合、同じ金属より構成される層を複数有してもよく、また、異なる金属より構成される層を複数有してもよい。また、このような薄膜は、０．０１μｍ以上、２μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上、１μｍ以下がより好ましい。前記下限値以上であることにより、前記金属組成物との密着性において、十分な効果を有することができ、また前記下限値以下であることにより、コストの観点から有利になる。さらに、端子３１にも予め低融点の金属組成物を設けることや、端子３１自体を接続部８１を構成する低融点の金属組成物で構成することもでき、これらを組み合わせることもできる。

このような低融点の金属組成物とは、導電性を有し、低融点のものであれば特に限定されないが、例えば、錫、銀、鉛、亜鉛、ビスマス、インジウム及び銅からなる群から選択される少なくとも２種以上を含む合金等が挙げられる。また、金属の融点は２８０℃以下が好ましく、より好ましくは２４０℃以下である。前記好ましい範囲であることにより、接続部の形成における加熱をより低い温度で行うことができ、これにより後述する封止層の発泡を抑制することができる。これにより本発明の半導体装置の信頼性をより向上させることができる。

また、本実施形態では、図１に示すように、端子３１は、インターポーザー３０に形成されている凹部内に設置されている。また、端子２１は、半導体チップ２０から突出するピラー形状をなしている。ここで、端子２１は、金属ポストであって、円柱形状をなしているが、円柱形状に限られず、直方体形状や、円錐形状等をなすこともできる。
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子３１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。
かかる構成の半導体装置１００において、封止層８０の形成に、本発明の接着フィルム１０が適用される。

上記のように、本発明における半導体装置１００について、図１に記載の実施形態を中心に説明したが、当該実施形態に限定されない。例えば、電子部品２０には、半導体チップの他に、電子回路が作り込まれた半導体ウエハ及びシリコン基板、または、インターポーザー、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のプリント配線板を用いることもでき、回路部品３０には、インターポーザーの他に、半導体チップ、電子回路が作り込まれた半導体ウエハ及びシリコン基板、または、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のプリント配線板を用いることができる。また、電子部品および回路部品について、正方形状の態様について説明したが、長方形状のものも用いることができる。また、本発明の半導体装置１００は、インターポーザー上に複数の半導体チップを、その厚み方向に複数個積層し、複数の半導体チップ間、および半導体チップとインターポーザー間を電気的に接合する接合部を有し、該接合部を封止する複数の封止層を有し、これらの封止層に本発明の接着フィルムが適用された電子部品も含まれる。このような電子部品には、半導体チップにおいて、ＴＳＶチップ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｅａｒ Ｃｈｉｐ）を好適に用いることができる。

図２は、本発明の接着フィルム１０を用いて製造された半導体装置１００に含まれる電子部品２０の一例を示す模式図（図２（ａ）は、平面図、図２（ｂ）は、図１（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図）である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す電子部品２０は、半導体チップであり、複数の第一の端子２１を有する。この複数の端子の下側には、端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物２２を有する。第一の端子として、円柱状のピラー形状を有しているが、このような形状に限られず、直方体形状や、円錐形状等を有するものを用いることもできる。また、第一の端子は、電子部品から凸状の形状を有するものに限られず、前記インターポーザー３０と同様に、電子部品に設けられた凹部内に設置することもできる。このような場合は、前記金属組成物を凸状に形成することが好ましい。

本発明にかかる電子部品２０は、前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たす。より好ましくは、０．８＜Ａ／Ｂ＜１．２である。このような構造を有することにより、隣接する端子間におけるリーク電流の発生を防止し、半田接合部の信頼性を向上させることができる。また、回路部品と接合する際に、位置ずれの影響による接続不良を防止することができる。また、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下であり、好ましくは４μｍ以上１５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下である。前記下限値以上であることにより、端子間の接合面積が十分となり、半田接合部の信頼性を向上させることができる。また、前記上限値以下であることにより、隣接する端子間におけるリーク電流の発生を防止し、半田接合部の信頼性を向上させることができる。さらに本発明は、前記第一の端子の幅と前記金属組成物の幅とを、上述の構成を有することと、接着フィルムの十分な透明性により、電子部品と回路部品とを接合する際に、電子部品における前記第一の端子の形状、配列を本発明の接着フィルムを通して十分に認識することができることから、接合時の位置ずれを防止することができる。これにより、本発明の半導体装置における接合部の信頼性を、より向上させることができる。また、位置ずれを防止することにより生産性が下がることを防止し、併せて半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。ここで第一の端子の幅とは、端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離を示す（図２参照）。例えば、端子が円柱形状を有する場合、その断面における最も大きい面積を持つ断面の直径が幅となり、端子が楕円形状であれば、その断面における最も大きい面積を持つ断面の長径が幅となり、端子が直方体形状を有する場合は、その断面における最も大きい面積を持つ断面の対角線が幅となる。また、金属組成物の幅についても、第一の端子と同様に断面における最も長い距離を示す（図２参照）。

また、本発明にかかる電子部品２０は、前記金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であって、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは７μｍ以上３０μｍ以下である。前記下限値以上であることと、接着フィルムの十分な透明性を組合せることにより、接着フィルムを通して電子部品における第一の端子の形状、配列を十分に認識することができることから、回路部品と接合する際に、位置ずれを十分に防止することができる（図２におけるＷに該当する）。これにより、位置ずれの影響による接続不良を防止することができる。また、端子間の接合面積が十分となり、半田接合部の信頼性を向上させることができる。また、位置ずれを防止することにより生産性が下がることを防止し、併せて半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。前記下限値以上であることにより、隣接する端子間におけるリーク電流の発生を防止し、半田接合部の信頼性を向上させることができる。また、前記上限値以下であることにより、単位面積当たりに多くの端子を配置できることから、高密度の端子接続を実現することができる。

また、本発明にかかる電子部品２０は、前記第一の端子間の距離が５μｍ以上６２μｍ以下が好ましく、より好ましくは７μｍ以上５２μｍ以下であり、さらに好ましくは９μｍ以上３２μｍ以下である。前記下限値以上であることと、接着フィルムの十分な透明性を組合せることにより、接着フィルムを通して電子部品における第一の端子の形状、配列を十分に認識することができることから、回路部品と接合する際に、位置ずれを十分に防ぐことができる。これにより、位置ずれの影響による接続不良を防止することができる。また、端子間の接合面積が十分となり、半田接合部の信頼性を向上させることができる。また、位置ずれを防止することにより生産性が下がることを防止し、併せて半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。前記上限値以下であることにより、隣接する端子間におけるリーク電流の発生を防止し、半田接合部の信頼性を向上させることができる。

＜接着フィルム＞
本発明の接着フィルム１０は、表面に複数の第一の端子２１を有する電子部品２０と、前記端子と対応する複数の第二の端子３１を有する回路部品３０との間に介在し、前記第一の端子と第二の端子とを電気的に接続する端子間接続用接着フィルム１０であって、前記接着フィルムは充填材を１０重量％以上７０重量％以下含む樹脂組成物からなり、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする。
前記接着フィルム１０は、上記のような構成を有することで、十分な透明性と、半田接合部の信頼性を両立し、より狭ピッチ化／狭ギャップ化した半田接合部における接合性と、電子部品の製造における歩留まりを向上させる接着フィルムを供給すること、および半田接合部の信頼性の向上した半導体装置を供給することである。
前記接着フィルム１０は、充填材を含む樹脂組成物からなることで、接合する前記電子部品と前記回路部品との間に、均一な厚さの封止層を構成することができ、これにより接合部の信頼性を向上することができる。

また、前記接着フィルムは、表面粗さについて上記の構成を有することにより、前記電子部品と前記回路部品とを接合する際に、十分な透明性を有することで、位置ずれを防止することができる。つまり、前記接着フィルムは、前記電子部品と前記回路部品を接合する際に、予め前記電子部品の表面に貼り付けた状態で接合することを想定しているが、その際に前記第一の端子を覆うように貼り付けられる。ここで、前記電子部品が、前記の構成を有することと組合せることで、接着フィルムを通して電子部品における第一の端子の形状、配列を十分に認識することができることから、回路部品と接合する際に、位置ずれを十分に防ぐことができる。これにより、位置ずれの影響による接続不良を防止することができる。また、端子間の接合面積が十分となり、半田接合部の信頼性を向上させることができる。また、位置ずれを防止することにより生産性が下がることを防止し、併せて半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。つまり、表面粗さＲａが前
記第一の端子の幅、及び前記金属組成物の幅よりも小さいことで、接着フィルムを通して電子部品が有する複数の前記第一の端子の形状、配列を十分に認識することができるため、位置ずれを防止することができる。

前記接着フィルムは、充填材を含有する樹脂組成物で構成される。この樹脂組成物は、特に限定されないが、硬化性樹脂組成物が好ましい。硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する熱硬化性樹脂組成物や、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する熱硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。加熱により硬化する熱硬化性樹脂組成物は、硬化後の機械特性に優れることや、保存安定性に優れる。

加熱により硬化する熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分を含有し、熱硬化性樹脂成分の他に、必要に応じてフラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等を含んでもよい。

（ｉ）熱硬化性樹脂成分
熱硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いることができる。
このような熱硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂を用いることで、前記電子部品と前記回路部品との密着をより強くすることができ、これにより、本発明の半導体装置における第一の端子と第二の端子との接続部の信頼性を向上することができる。また、硬化による体積収縮が小さいため、封止層形成の際における厚み均一性がより良好となる。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。液状のエポキシ樹脂を用いる場合、特に、液状のエポキシ樹脂を単独で用いる場合は、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が前記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、前記接着フィルムを含む半導体装置やこの半導体装置を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。

さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、前記樹脂組成物のタック性を抑えることができ、接着フィルムを容易に取り扱うことが可能となる。

また、前記樹脂組成物において、前述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
例えば、硬化性樹脂成分の配合量は、前記樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、６０重量％以下であることが特に好ましい。
前記樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、前記電子部品と前記回路部品との接着強度を十分に確保することが可能となる。

（ｉｉ）フィルム形成性樹脂成分
前述したように、前記樹脂組成物は、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有するのが好ましい。フィルム形成性樹脂成分を含むことで、前記接着フィルムの成膜性が向上し、生産性が向上する。併せて、前記接着フィルムの厚み均一性が向上し、封止層を形成する際における厚み均一性も向上させることができる。
このようなフィルム形成性樹脂成分としては、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。

具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。

なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との
共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体が好ましい。

また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプ、ビフェノールタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。また、フェノキシ樹脂は吸水率の低いものが好ましく、吸水率が２％以下のものが好ましく、１％以下であるものが更に好ましい。また、フェノキシ樹脂のエポキシ当量について、特に限定されないが、エポキシ当量が大きいほど熱硬化性樹脂成分として機能することがなく接着フィルムの硬化性を制御する上で弊害にならないため好ましく、具体的にはエポキシ当量が３０００ｇ／ｅｑ以上が好ましく、５０００ｇ／ｅｑ以上であることが更に好ましい。

また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。

フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が前記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬
化前の前記接着フィルムの流動性を抑制することができる。
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤、低応力剤、酸化防止剤、レベリング剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。

また、前記樹脂組成物において、前述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
例えば、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、前記樹脂組成物中において、０．１重量％以上であることが好ましく、３重量％以上であることがより好ましく、５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、３５重量％以下であることがより好ましく、２０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の樹脂組成物の流動性を抑制することができ、接着フィルムを容易に取り扱うことが可能となる。

（ｉｉｉ）フラックス機能を有する化合物
前記樹脂組成物は、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフラックス機能を有する化合物を含有する構成とするのが好ましい。フラックス機能を有する化合物は、端子等の表面に形成された金属酸化膜を除去する作用を有するものである。そのため、樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、半導体装置の製造方法で詳述するように、たとえ端子等の表面における低融点の金属における表面に、酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、前記電子部品と前記回路部品とを電気的に接続させる接合工程において、低融点の金属組成物の濡れ性が向上することで、前記第一の端子と前記第二の端子との間において広い範囲に濡れ拡がり、広い範囲で接合されることにより、前記第一の端子と前記第二の端子とを確実に電気的に接続させることができる。これにより、接合部における信頼性が向上し、温度サイクル試験等においても十分な結果を示し、半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。
このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。

フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メシトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒ
ドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：

ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_n−ＣＯＯＨ （１）
［式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。］

で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。

芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁵の少なくとも一つは水酸基である。］

［式中、Ｒ⁶〜Ｒ²⁰は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ⁶〜Ｒ²⁰の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］

このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このようなフラックス機能を有する化合物としては、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有し、さらにフェニルエーテル基を含む化合物がより好ましく用いられる。フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基、およびフェニルエーテル基を含む化合物としては、例えば、２−フェノキシフェノール、３−フェノキシフェノール、４−フェノキシフェノール、２−（４−ヒドロキシフェノキシ）フェノール、３−（４−ヒドロキシフェノキシ）フェノール、４−（４−ヒドロキシフェノキシ）フェノール、３−ヒドロキシキサンテン−９−オン、５−ニトロフルオレセイン、６−ニトロフルオレセイン、９−フェニルキサンテン−９−オール、２，６，７−トリヒドロキシ−９−フェニル−３−イソキサントン、１，３−ビス(４−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、１，４−ビス(３−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、２，２’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、フルオレセイン等のフェノール性水酸基とフェニルエーテル基とを含む化合物；２−フェノキシ安息香酸、３−フェノキシ安息香酸、４−フェノキシ安息香酸、２−（４−カルボキシフェノキシ）安息香酸、３−（４−カルボキシフェノキシ）安息香酸、４−（４−カルボキシフェノキシ）安息香酸、２−(
９−オキソキサンテン−２−イル)プロピオン酸、キサンテン−９−カルボン酸、３，５
−ビス(４−アミノフェノキシ)安息香酸、４，４’−オキシビス安息香酸等のカルボキシル基とフェニルエーテル基とを含む化合物；２−（４−ヒドロキシフェノキシ）安息香酸、３−（４−ヒドロキシフェノキシ）安息香酸、４−（４−ヒドロキシフェノキシ）安息
香酸、フルオレシン、ＤＬ−チロニン等のフェノール性水酸基とカルボキシル基とフェニルエーテル基とを含む化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。カルボキシル基とフェニルエーテル基とを含む化合物が好ましく、フェノール性水酸基とカルボキシル基とフェニルエーテル基とを含む化合物がより好ましい。

このようなフラックス機能を有する化合物は、フラックス作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。
このような官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時に、低融点の金属組成物表面に形成された酸化膜を除去してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８１を容易に形成し、前記第一の端子と前記第二の端子とを電気的に接続することが可能となる。さらに、接続部により端子間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。

このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。
前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、インターポーザー３０等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。

また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。

さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸
、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。

前述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。
なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。

このようなフラックス機能を有する化合物の含有量は、前記樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、３重量％以上がより好ましく、５重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
フラックス機能を有する化合物の含有量が前記範囲内であると、低融点の金属組成物等の表面等に形成された酸化膜を確実に除去することができ、これにより前記電子部品と前記回路部品とを確実に電気的に接合させることができる。さらに、フラックス機能を有する化合物が硬化性樹脂成分と反応可能な化合物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。これにより、接合部における信頼性が向上し、温度サイクル試験等でも高い信頼性を実現し、半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。

（ｉｖ）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。

フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。

また、硬化性樹脂組成物において、前述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は前記樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、４〜４０重量％程度であるのがさらに好ましく、８〜３０重量％であるのが特に好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子間に形成された接続部の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。

（ｖ）硬化促進剤
また、前述したように、前記樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、前記樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。

硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等のアミン系硬化剤、トリフェニルホスフィンやテトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩等のリン系硬化促進剤が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。またこれらの中でも、フィルム状の樹脂層の硬化性、保存性、半導体素子上の金属電極に対する耐腐食性を両立できるイミダゾール化合物、リン系硬化促進剤が好ましい。

また、樹脂組成物において、前述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、前記樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の低融点の金属組成物が十分な濡れ性を発揮できず、電気的な接続が不十分となるおそれがある。

（ｖｉ）シランカップリング剤
また、前述したように、前記樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、接着フィルムと被着体との密着性、特にインターポーザー等との密着性を高めることができる。
なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
また、硬化性樹脂組成物において、前述したシランカップリング剤の配合量は、前記被着体や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、前記樹脂組成物中にお
いて０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。

（ｖｉｉ）充填材
また、前記樹脂組成物は、充填材を含む。これにより、接着フィルムに様々な物性を付加することや、信頼性の向上を図ることができる。充填材としては、ゴム粒子等の有機材料による充填材や、シリカ等の無機充填材を挙げることができるが、信頼性の向上という観点から、無機充填材が好ましい。無機充填材を含むことで、封止層の線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
無機充填材は、特に限定されないが、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ、アルミナ等を挙げることができ、これらを複数種含めることもできる。このように無機充填材は複数種から選択することができるが、コスト等の観点からシリカを好ましく用いることができる。また、熱伝導性等の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、窒化珪素、窒化ホウ素、等を用いることもできる。シリカの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。

前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下であるのが好ましく、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、充填材の種類、充填材の含有量、樹脂ワニスの調整条件、フィルムの樹脂組成物、成膜条件、及びフィルムの膜厚等を更に調整することにより、接着フィルムの表面粗さを好ましい範囲とすることが可能となり、接着フィルムの透明性をより向上させることができる。また、接着フィルムにおける凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
前記充填材の含有量は、前記樹脂組成物に対して１０重量％以上７０重量％以下であるが、好ましくは２０重量％以上６５重量％以下、より好ましくは３０重量％以上６０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以上５０重量％以下である。上記範囲とすることで、充填材の種類、充填材の平均粒径、樹脂ワニスの調整条件、フィルムの樹脂組成物、成膜条件、及びフィルムの膜厚等を更に調整することにより、接着フィルムの表面粗さを好ましい範囲とすることが可能となり、接着フィルムの透明性をより向上させることができる。また、接着フィルムにおける凝集を抑制し、外観を向上させることができる。また、上記範囲とすることで、硬化後の封止層と被接体との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接体との密着をさらに向上させることができる。さらに、硬化後の封止層の弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができ、併せて接合部に充填材が巻き込まれることを防止するため、半導体装置の信頼性をより向上させる。

なお、前記樹脂組成物には、前述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、低応力剤、レベリング剤および顔料等が配合されていてもよい。また、熱硬化成分に併せて、潜在性硬化剤を配合されていてもよい。潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド型潜在性硬化剤、アミンアダクト型潜在性硬化剤、有機酸ヒドラジド型潜在性硬化剤、芳香族スルホニウム塩型潜在性硬化剤、マイクロカプセル型潜在性硬化剤、光硬化型潜在性硬化剤が挙げられ、中でもアミンアダクト型潜在性硬化剤等を含むことで、前記接着フィルムの保存安定性と、速硬化性のバランスを取ることができる。

前記接着フィルムは、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
前記接着フィルムを構成する樹脂組成物を、有機溶剤に溶解させて得られたワニスを、基材等に塗布した後、所定の温度で乾燥させることにより、基材層と接着フィルムの積層
体を得ることができる。前記基材は、接着フィルムを支持し、接着フィルムの使用時において剥離することができるものであれば特に限定されないが、例えば、ポリエステルシートや、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリイミドシート、ポリスチレンシート、ポリカーボネートシート等を用いることができる。また、接着フィルムを基材から好適に剥がすために、表面を剥離処理してもよい。剥離処理には、表面にシリコン離型剤を形成する方法や、アルキッド樹脂離型剤を形成する方法等が挙げられるが、これらに限定されない。

ここで、基材の破断強度は、特に限定されないが、１６０ＭＰａ以上、３００ＭＰａ以下が好ましく、１８０ＭＰａ以上、２８０ＭＰａ以下がより好ましい。前記下限値以上であることにより、接着フィルムの製造中や、使用時に、意図せず破断してしまうことを防ぐことができ、前記下限値以下であることで、製造中や、使用時に好適にフィードすることができ、取扱い易く、生産性が向上する。
前記接着フィルムは、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上１．０μｍ以下であるが、より好ましくは０．０５μｍ以上０．８μｍ以下であり、さらに好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。前記上限値以下であることで、前記接着剤は十分な透明性を有し、前記下限値以上であることで、電子部品の表面を認識する際に、乱反射を防ぐことで、電子部品の第一の端子の形状、配列等の視認性が向上する。また、滑り性が向上し、前記接着フィルムの作業性が向上する。

このような接着フィルムの表面粗さＲａは、算術平均粗さであり、特に限定されないが、ＪＩＳＢ０６０１に準じて測定することができる。つまり、測定距離ｌについて、測定方向にＸ軸を設定して、高さ方向にＹ軸を設定して、市販の表面粗さ計により測定された表面粗さ曲線ｙ＝ｆ（ｘ）より、以下の数式１を用いて測定することができる。

市販の表面粗さ計は、東京精密製、表面粗さ計ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄを用いることができる。

前記接着フィルムは、７００ｎｍにおける光透過率が、１５％以上１００％以下が好ましく、２０％以上１００％以下がより好ましく、２５％以上１００％以下がさらに好ましくい。前記下限値以上であることにより、前記接着剤は十分な透明性を有し、前記上限値以下であることで、電子部品の表面を認識する際に、乱反射を防ぐことで、電子部品の第一の端子の形状、配列等の視認性が向上する。
このような接着フィルムの光透過率は、特に限定されないが、例えばＪＩＳＫ７３７５等に記載の透過率測定に準じて、市販の分光透過率測定機を用いて測定することができる。市販の分光透過率測定機としては、例えば島津製作所製、分光光度計ＵＶ−１６０等を用いることができる。ここでは、波長４００ｎｍ〜９００ｎｍで測定する接着フィルムに入射光を入射させ、透過した平行光線の割合から透過率を測定し、そのうちの７００ｎｍでの測定値を光透過率とした。

前記接着フィルムの表面粗さＲａをＣとし、前記接着フィルムの７００ｎｍにおける光透過率をＤとしたとき、前記表面粗さＲａと前記光透過率との比［Ｃ／Ｄ］が、１．８×１０^−２μｍ／％以下であることが好ましく、１．１×１０^−２μｍ／％以下であること
がより好ましく、５．０×１０^−４μｍ／％以上１．０×１０^−２μｍ／％以下であることがさらに好ましい。前記上限値以下、又は前記下限値以上であることで、電子部品の表面を認識する際に、フィルム表面の乱反射とフィルム中の散乱を防ぐことで、電子部品の第一の端子の形状、配列等の視認性が向上する。また、滑り性が向上し、前記接着フィルムの作業性が向上する。

前記接着フィルムは、最低溶融粘度が５０，０００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、２０，０００Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、１０，０００Ｐａ・ｓ以下であればさらに好ましい。また、０．０１Ｐａ・ｓ以上が好ましく、０．０５Ｐａ・ｓ以上がより好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上であればさらに好ましい。前記上限値以下であることで、接着フィルムの濡れ性が向上し、封止材の内部にボイドが残ることを防止することができる。また、前記下限値以上であることにより、前記接着フィルムがフローしすぎることで、接着フィルムが電子部品からはみ出すことにより、ツールを汚す等の不具合を防ぐことができる。
このような最低溶融粘度は、特に限定されないが、市販の粘弾性測定装置、レオメーター等を用いて測定することができる。中でも、接着フィルムを平行に設置された円形プレート間に挟み、一定条件でトルクをかけることにより測定する回転式レオメーターを用いて測定することが好ましい。このような測定方法を用いることで、実際に電子部品と回路部品を接着する工程に準じた条件における溶融粘度を測定することができる。本発明においては粘弾性測定装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製「ＭＡＲＳ」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度は、１０℃／分の条件で測定した溶融粘度が最小となる値を測定値とした。

前記樹脂組成物のＴｇは８０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましい。前記好ましい範囲内であることで、本発明の半導体装置における信頼性がより向上する。また、前記接着フィルムの平均線膨張率としては、α１は１００ｐｐｍ以下が好ましく、７５ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以下であればさらに好ましい。前記好ましい範囲内であることで、本発明の半導体装置の信頼性がより向上する。
このようなＴｇ、α１は、接着フィルムを、想定される硬化条件、例えば１８０℃で２時間等の硬化条件で処理し、一般的に用いられるＴＭＡ等で測定することができる。

接着フィルムの厚みは、使用する電子部品の種類、回路部品の種類により、適宜設定することができる。特に、前記電子部品が有する第一の端子および接続部の設計により、適宜設定することが好ましい。例えば、接着フィルムの厚みは、１００μｍ以下が好ましく、８０μｍ以下がより好ましい。また、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。

＜半導体装置の製造方法＞
次に本発明の接着フィルム１０を用いた半導体装置１００の製造方法について説明する。
［１］積層工程
［１−１］貼り付け工程
図３（ａ）に示すように、接着フィルム１０と、半導体ウエハ４０とを密着させつつ、接着フィルム１０と半導体ウエハ４０（複数の電子部品２０の集合体）とを積層する。ここで、接着フィルム１０は、予め半導体ウエハ４０とほぼ同じサイズに作製されている。また、半導体ウエハ４０において、接着フィルム１０と接着する面は、凸状である複数の第一の端子（図示せず）を有するものである。この半導体ウエハ４０の第一の端子を覆うように、接着フィルム１０を半導体ウエハ４０に貼り付ける（図３（ａ））。
接着フィルム１０を半導体ウエハ４０に貼り付ける方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハラミネーター、弾性体プレス等により接着フィルム１０を半導体ウエハ４０にラミネートする方法が挙げられる。これらの中でもラミネート時に空気
を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。

また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には５０〜１５０℃で１秒〜１２０秒間加熱する条件が好ましく、特に６０〜１２０℃で５〜６０秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。また、加圧条件も特に限定されないが、０．２〜２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．５ＭＰａが好ましい。
上記積層の結果、図３（ｂ）に示すように、接着フィルム１０と半導体ウエハ４０とが積層されてなる積層体３７が得られる。
次に、図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハ４０における接着フィルムが接着した面と反対側の面に、ダイシングシート５０を貼り付ける。ダイシングシート５０は、特に限定されず、支持フィルムと粘着剤層を含む一般的に用いられているものを用いることができる。ここで、前記粘着剤層としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の樹脂組成物で構成されているものを用いることができ、これらの中でもアクリル系粘着剤が好ましい。また、粘着性を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー等の光反応性モノマーおよびオリゴマーと、光重合開始剤を添加してもよい。また、前記支持フィルムは、特に限定されないが、粘着剤層に光反応性モノマー等を含む場合は、放射線透過性を有していることが好ましい。支持フィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体等を用いることができる。ダイシングシート５０の貼り付けは、ウエハラミネーター等を用いることができる。この時、同時にウエハリング５１を貼り付け、半導体ウエハを固定することが好ましい。ウエハリング５１は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体の変形を確実に防止することができる。

［２］ダイシング工程
次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルとダイシングシート５０とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体を載置する。
続いて、図４（ｄ）に示すように、ダイシングブレード５２を用いて積層体に複数の切り込み５３を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード５２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体の半導体ウエハ４０側の面に押し当てることで切り込み５３が形成される。そして、半導体ウエハ４０に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード５２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハ４０が複数の個片化された半導体チップ２０に個片化される。このとき、個片化された半導体チップ２０は、それぞれ外部に電気的に接続するための端子２１を有している。また、接着フィルム１０も同様に、複数の接着層に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハ４０に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハ４０の下面がダイシングテープ５０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハ４０および半導体チップ２０における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。

［３］ピックアップ工程
［３−１］エキスパンド工程
次に、複数の切り込み５３が形成された積層体３７を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図４（ｅ）に示すように、積層体に形成された切り込み５３の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体チップ２０同士の間隔も拡大する。その結果、個片化された半導体チップ２０同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の個片化された半導体チップ２０をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得
るよう構成されている。

［３−２］ピックアップ工程
次に、図示しないダイボンダー、又はダイソーターにより、半導体チップ２０のうちの１つを、コレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げ、接着フィルム１０付きの半導体チップ２０を得ることができる（ピックアップ）。このとき、ダイシングテープ５０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いることができる（図示せず）。また、ダイシングテープ５０が紫外線の照射や、加熱によりその粘着性を低下させることで、ピックアップ性を向上させるものである場合、ピックアップ前に、紫外線の照射や、加熱処理を行うこともできる。

［４］接合工程
［４−１］接着工程
次に、個片化された半導体チップ（電子部品）２０を搭載（マウント）するためのインターポーザー（回路部品）３０を用意する。
このインターポーザー３０は、前記接着フィルムと接着する面に端子（図示せず）を有するものである。
次いで、図４（ｆ）に示すように、ピックアップされた半導体チップ２０を、接着フィルムを介してインターポーザー３０上に載置する。この際、個片化された半導体チップ（電子部品）２０の第一の端子２１と、インターポーザー（回路部品）３０の第二の端子３１とを位置合わせしながら、接着フィルム１０を介して仮圧着する。
インターポーザー３０は、図５（ａ）に示すように、基材３２上に配線回路３３が設けられており、端子として、電極パッド３４を有する。配線回路５２は、電極パッド３４を除き、絶縁部３５が設けられている。また、絶縁部３５には位置合わせに用いるパターンとして複数のアライメントマーク３６が設けられている。
なお、インターポーザー３０では、そのアライメントマーク３６に換えて、例えば、図５（ａ）に示す電極パッド３４（凹部）等のインターポーザー３０の所定部位をアライメントマークとして用いることができる。

図５（ｂ）に個片化された半導体チップ（電子部品）２０と接着フィルム１０とが積層された積層体３７の詳細を例示する。個片化された半導体チップ２０の第一の端子２１は表面に低融点の導電性金属を有する金属バンプである。また、個片化された半導体チップ２０には位置合わせに用いるパターンとして複数のアライメントマーク２２が設けられている。
なお、個片化された半導体チップ２０では、アライメントマーク２２に換えて、例えば、図５（ｂ）に示す第一の端子２１（突起）等の個片化された半導体チップ２０の所定部位をアライメントマークとして用いることができる。
すなわち、インターポーザー（回路部品）３０と個片化された半導体チップ（電子部品）２０との位置合わせに用いられるパターンとしては、その位置合わせ専用のアライメントマーク３６、２２に限らず、この他、例えば、端子、電極、バンプ、配線パターン（配線）、パッド部（例えば、ボンディングパッド、電極パッド）、ダイシングライン等が挙げられる。

インターポーザー３０のアライメントマーク３６と、個片化された半導体チップ２０のアライメントマーク２２とを、インターポーザー３０や個片化された半導体チップ２０の厚さ方向から見て一致させることにより、インターポーザー３０に対して、個片化された半導体チップ２０の位置合わせを行う。そして、インターポーザー３０と個片化された半導体チップ２０と接着フィルム１０を介して仮圧着し、インターポーザー３０上に個片化された半導体チップ２０を固定する（図５（ｃ））。仮圧着する方法としては、特に限定されないが、圧着機、フリップチップボンダー等を用いて行うことができる。仮圧着する
条件は、特に限定されないが、温度は４０℃〜２００℃が好ましく、６０℃〜１８０℃が特に好ましい。また、時間は０．１秒〜６０秒が好ましく、１〜６０秒が特に好ましい。さらに圧力は０．１ＭＰａ〜２．０ＭＰａが好ましく、０．３ＭＰａ〜１．５ＭＰａが特に好ましい。仮圧着する条件が前記範囲内であると、個片化された半導体チップ２０をインターポーザー３０上に確実に仮圧着することができる。

［４−２］接合工程
次に、インターポーザー３０と半導体チップ２０を電気的に接合する。
インターポーザー３０と半導体チップ２０の電気的な接合は、第一の端子２１表面の低融点の金属組成物を溶融して電極パッド３４と半田接合することにより電気的に接続する接続部８１を形成することで行うことができる（図５（ｄ））。
半田接合する条件は、使用する低融点の金属組成物の種類にもよるが、例えばＳｎ−Ａｇの場合、２２０〜２６０℃で５〜５００秒間加熱して半田接合することが好ましく、特に２３０〜２４０℃で１０〜１００秒間加熱することが好ましい。
この半田接合は、低融点の金属組成物が融解した後に、接着フィルム１０が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、低融点の金属組成物を融解させるが、接着フィルム１０の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、接続する際の接続部８１の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。

［４−３］硬化工程
次に、接着フィルム１０を加熱して硬化させ、封止層８０を形成する。硬化させる条件は、特に限定されないが、温度は１３０〜２２０℃が好ましく、１５０〜２００℃が特に好ましい。また、時間は３０〜５００分が好ましく、６０〜１８０分が特に好ましい。さらに、加圧雰囲気下で接着フィルム１０を硬化させてもよい。加圧方法としては、特に限定されないが、オーブン中に空気、窒素、アルゴン等の加圧流体を導入することにより行うことができる。前記圧力は０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａが好ましく、０．５ＭＰａ〜５ＭＰａが特に好ましい。硬化させる条件が前記範囲内であると、接着フィルム１０中のボイドを低減することができる。
このようにして、インターポーザー３０と個片化された半導体チップ２０とが接着フィルムの硬化物による封止層８０で接着された積層体の硬化物３８を得ることができる。

［５］バンプ形成工程
次に、マザーボードに半導体装置１００を実装するためのバンプ７０を形成する（図５（ｅ））。バンプ７０は導電性を有する金属材料であれば、特に限定されないが、導電性と応力緩和性に優れる半田が好ましい。また、バンプ７０の形成方法は、特に限定されないが、フラックスを利用して半田ボールを接続することにより形成することができる。
このようにして、本実施形態においては、図５（ｅ）に示すような、インターポーザー３０と個片化された半導体チップ２０とが接着フィルムの硬化物による封止層８０で接着された積層体の硬化物３８とバンプ７０とを含む半導体装置１００を得ることができる。
以上のような方法によれば、別途アンダーフィルやフラックス剤等を用意する必要がなく、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを電気的に接続した半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。

なお、本実施形態では、半導体ウエハ４０に接着フィルム１０を貼り付け、さらにダイシングシート５０を貼り付けるとの順番で説明したが、予めダイシングシート５０と接着フィルム１０が一体化されたダイシングシート一体型接着フィルムを用いて、ここに半導体ウエハ４０を貼り付けるような実施形態で行ってもよい。また、ダイシングシート以外にも、シリコンウエハのバックグラインド工程に用いられるバックグラインドテープまたはバックグラインドテープ兼ダイシングテープ等、半導体製造工程に用いられる工程用シ
ートに接着フィルム１０を積層した一体型接着フィルムを用いてもよい。

また、本実施形態では、接着フィルム１０を半導体ウエハ４０に貼り付けたが、このような製造方法に限られず、接着フィルム１０を個片化し、予め個片化された半導体チップに貼り付け、さらに接着フィルム１０の半導体チップを貼り付けた面と反対側の面をインターポーザー３０に仮圧着し、その後電気的に接続させるという製造方法を用いることができる。
また、本実施形態では、個片化された半導体チップ２０をインターポーザー３０に接合したが、このような製造方法に限られず、個片化された複数の半導体チップを別の半導体ウエハに複数個接合して、半導体ウエハ上に複数の半導体チップと複数の接着フィルムを有する積層体を作製して、この半導体ウエハをダイシングして個片化して、個片化された積層体をさらにインターポーザー等に接続して半導体装置を製造するという製造方法を用いることもできる。

＜ダイシングテープ一体型接着フィルム＞
次に、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムについて説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、上記本発明の接着フィルムと、ダイシングテープとを有することを特徴とする。
図６に、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムの一形態を示す。図６において、ダイシングテープ一体型接着フィルム２１０は、ダイシングテープ２１３上に接着フィルム２１１が形成された構造を有するものである。図６に示した形態では、ダイシングテープ２１３は、ダイシングテープの基材層２１３ａと、ダイシングテープの粘着層２１３ｂの２層からなるものであり、ダイシングテープの粘着層２１３ｂと接着フィルム２１１とが接するように積層されている。

本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムの形態は図６に示したものに限定されるものではなく、例えば、ダイシングテープの粘着層２１３ｂと接着フィルム２１１との間に、介在層を有した形態とすることもできる。この場合、ダイシングテープの粘着層は、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルム２１１に対する介在層の密着力よりも、介在層および基材層に対するダイシングテープの粘着層の密着力が大きくなる。そのため、電子部品の製造工程において、例えば、半導体チップピックアップ工程のような電子部品の製造工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着フィルムとの界面）で剥離を生じさせることができる。

＜ダイシングテープ＞
本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムに用いられるダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることができる。
ダイシングテープの基材層２１３ａの構成材料としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる。

ダイシングテープの基材層２１３ａの平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜２００μｍであるのが好ましく、３０μｍ〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、基材層は、適度な剛性を有するものとなるため、接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着フィルムの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着フィルムが適度に湾曲することで、接着フィルムと電極を有する被接体との密
着性を高めることができる。
ダイシングテープの基材層２１３ａの製法としては特に限定されないが、カレンダー法、押出成形法などの一般的な成形方法を用いることができる。基材層２１３ａの表面には、粘着層２１３ｂを構成する材料と反応する官能基、例えば、ヒドロキシル基またはアミノ基などが露出していることが好ましい。また、基材層２１３ａと粘着層２１３ｂとの密着性を向上するために、基材層２１３ａの表面をコロナ処理またはアンカーコート等で表面処理しておくのが好ましい。

また、ダイシングテープの粘着層２１３ｂの構成材料としては特に限定されないが、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む樹脂組成物で構成されているものを用いることができる。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。

これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシル、及び、（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、及び、酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープの粘着層が粘着する相手（例えば、上述した介在層、基材層等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
上記ダイシングテープの粘着層２１３ｂの平均厚さは、特に限定されないが、１μｍ〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３μｍ〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。ダイシングテープの粘着層２１３ｂの平均厚さが上記範囲内であれば、ダイシングテープの粘着層２１３ｂの形状追従性が確保され、半導体ウエハなどの接着フィルムの被接物に対する密着性をより高めることができる。

上記ダイシングテープの製造方法としては特に限定されないが、例えば、バーコート法、ダイコート法、グラビアコート法等により、ダイシングテープの基材層２１３ａ上に粘着層２１３ｂを塗工することにより製造することができる。また、粘着層２１３ｂは別途粘着層２１３ｂ用基材上に塗工した後に、ダイシングテープの基材層２１３ａ上にラミネートするなどの方法により転写して製造することもできる。
介在層を設ける場合は、上記粘着層２１３ｂ上にさらに介在層を塗工してもよいし、介在層を別途、介在層用基材上に塗工したものをラミネートするなどの方法により製造することもできる。
また、本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、例えば、基材層２１３ａ、粘着層２１３ｂ、及び、介在層を有するダイシングテープと、本発明の接着フィルムとを、上記介在層と接着フィルムとが接するようにラミネートすることにより得ることもできる。

<バックグラインドテープ一体型接着フィルム>
次に、本発明のバックグラインドテープ一体型接着フィルムについて説明する。本発明のバックグラインドテープ一体型接着フィルムは、上記本発明の接着フィルムと、バックグランドテープとを有することを特徴とする。
上記バックグラインドテープは、特に限定されるものではないが、基材の片面に粘着剤層が形成されているものを挙げることができる。前記基材としては特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等の樹脂からなるものが挙げられる。

前記粘着剤層を形成する粘着剤としては、特に限定されるものではないが、重合性オリゴマーを含有し、これが重合架橋することにより粘着力が低下する粘着剤からなることが好ましい。このような粘着剤としては、例えば、分子内に放射線重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、放射線重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分として含んでなる光硬化型粘着剤等が挙げられる。

前記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーをあらかじめ合成し、分子内に前記官能基と反応する官能基と放射線重合性の不飽和結合とを有する化合物と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において（メタ）アクリル系ポリマーとは、アクリル系ポリマー及びメタクリル系ポリマーを意味するものとする。

前記光硬化型粘着剤は、前記重合性ポリマー及び前記多官能オリゴマー又はモノマー以外に、光重合開始剤を配合することが好ましい。これにより、紫外線等の活性光線を照射することにより、粘着剤層と接着フィルム層との界面の密着力を確実に低下させることができるため、粘着剤層の残渣が接着フィルム層に残ることなく、バックグラインドテープを確実に剥離することができきる。

上記バックグラインドテープの製造方法としては特に限定されないが、例えば、バーコート法、ダイコート法、グラビアコート法等により、バックグラインドテープの基材層上に粘着剤層を塗工することにより製造することができる。また、粘着剤層は別途粘着剤層形成用の基材上に塗工した後に、バックグラインドテープの基材層上にラミネートするなどの方法により転写して製造することもできる。
このようにして作製されたバックグラインドテープに上記接着フィルムをラミネートすることで、バックグラインドテープ一体型接着フィルムを作製することが可能となる。

<バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム>
次に、本発明のバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルムについて説明する。
本発明のバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００は、図７に示すようにバックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１と、接着フィルム３０２とで構成されている。図示しないが、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１と接着フィルム３０２との間には、離型フィルムが設けられていても良い。これにより、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１と接着フィルム３０２との間の剥離が容易となり、半導体ウエハをダイシング後の半導体素子のピックアップ性を向上することができる。

また、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリウレタン等により作製された耐熱性や耐薬品性の優れたフィルムであれば使用できる。バックグラインドテープ兼ダイシングテープ１の厚さは、特に限定されないが、通常３０μｍ〜５００μｍが好ましい。

次に、本発明のバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００の製造方法について簡単に説明する。
接着フィルム３０２は、前述の＜接着フィルム＞で述べた方法により作製する。これをハーフカットすることにより円形状の接着フィルム３０２を得た。
そして、その上にバックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１を積層することで
、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１、接着フィルム３０２、剥離基材３２１で構成されるバックグラインドテープ機能付きおよびダイシングテープ機能付き接着フィルム３００を得ることができる（図８）。

このようにして形成されるバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００の接着フィルム３０２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、特に５μｍ以上、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。厚さが、前記下限値未満であるとバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００としての効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると製品の製造が難しく厚み精度が低下する場合がある。

（半導体装置の製造方法および半導体装置）
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
上述の方法で得られたバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００の剥離基材３２１を剥離し、接着フィルム３０２と半導体ウエハ３０３の機能面３３１とが当接するように接着する（図９）。

次に、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１の上側の面（図１０中の上側）を、研磨装置の研磨ステージ３０４に固定する。研磨装置は、特に限定されることは無く市販されているものを用いることができる。ここで、バックグラインドした後の半導体ウエハ３０３の厚さは、特に限定されないが、１０μｍ〜３００μｍ程度とすることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下である。

次に、バックグラインド後の半導体用ウエハ３０３を、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ３０１がダイサーテーブル３０５の上面（図１１中の上側）と接するようにダイサーテーブル３０５に設置する（図１１）。次に、半導体ウエハ３０３の周囲にウエハリング３０６を設置して、半導体ウエハ３０３を固定する。そして、ブレード３０７で半導体ウエハ３０３を切断して、半導体ウエハ３０３を個片化して接着フィルム３０２を有する半導体素子を得る。この際、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００は、緩衝作用を有しており、半導体ウエハ３０３を切断する際の半導体素子の割れ、欠け等を防止している。なお、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００に、半導体ウエハ３０３およびウエハリング３０６を予め貼着した後に、ダイサーテーブル３０５に設置しても良い。

次に、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム３００をエキスパンド装置で伸ばして、個片化した接着フィルム３０２を有する半導体素子同士を一定の間隔に開き、その後にピックアップして、基板に搭載して半導体装置を得る。
このように、本発明のバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルムは、バックグラインドテープ機能と、ダイシングテープ機能と有し、かつ接着フィルムがフラックス活性を有するのでフラックス塗布工程等を省略できる機能等を有している。そのため、フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることができる。

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
［接着フィルムの作製］
（実施例１）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）１４．２６重量部と、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）３９．７３重量部と、フラックス活性を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）１０．５０重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）５．０７重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０９重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．３５重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０ 平均粒径０．２５μｍ）３０.
００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＡとする。）を得た。

（実施例２）
＜接着フィルムの作製＞
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製、ＭＥＨ−７８５１）２５．１５重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）３２．１０重量部と、フラックス活性を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）８．６０重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）３．９０重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０５重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．２０重量部と、シリカフィラー（日本アエロジル株式会社製、ＡＥＲＯＳＩＬ ２００）５．００重量部とシリカフィラー（株式会社アドマテックス製、ＹＡ０５０Ｃ 平均粒径０．０５μｍ）２５．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＢとする。）を得た。

（実施例３）
＜接着フィルムの作製＞
フェノールアラルキル樹脂（三井化学社製 ＸＬＣ−４Ｌ）１０．２０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ８４０−Ｓ）２２．００重量部と、フラックス活性を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）８．２０重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−Ｐ３）９．３０重量部と、硬化促進剤として２−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＭＺ−Ｈ）０．０５重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）０．２５重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０ 平均粒径０．２５μｍ）５０．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＣとする。）を得た。

（実施例４）
＜接着フィルムの作製＞
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１９．９０重量部と、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０）１９．００重量部と、フラックス活性を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）１６．３０重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＦＸ−２８０Ｓ）２７．８０重量部と、硬化促進剤としてマイクロカプセル型硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製、ノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ）６．５０重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）０．５０重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０ 平均粒径０．２５μｍ）１０．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＤとする。）を得た。

（実施例５）
＜接着フィルムの作製＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５５６１７）５．４０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ８４０−Ｓ）６．１０重量部、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０）６．１０重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−Ｐ３）１２．４０重量部と、硬化促進剤としてマイクロカプセル型硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製、ノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ）４．５０重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）０．５０重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＥ３０５０ 平均粒径１．０μｍ）６５．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＥとする。）を得た。

（実施例６）
＜接着フィルムの作製＞
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１）１２．４０重量部と、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０）８．６０重量部と、フラックス活性を有する化合物である４−（４−ヒドロキシフェノキシ）安息香酸（東京化成工業社製）７．２０重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−Ｐ３）２１．１０重量部と、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（北興化学工業社製、ＴＰＰ）０．２０重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５０重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＹＣ１００Ｃ 平均粒径０．１μｍ）５０．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＦとする。）を得た。

（実施例７）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）７．０５重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１６．１０重量部、フラックス活性を有する化合物としてジフェノール酸（東京化成工業社製）３．００重量部、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−８０Ｈ）３．２０重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、「２Ｐ４ＭＺ」）０．１５重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）０．５０重量部と、ＹＡ０５０Ｃ 平均粒径０．０５μｍ）７０重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＧとする。）を得た。

（実施例８）
＜接着フィルムの作製＞
フェノールアラルキル樹脂（三井化学社製、ＸＬＣ−４Ｌ）９．４０重量部と、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５５６１７）９．００重量部と、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０）９．８０重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−Ｐ３）２１．１０重量部と、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（北興化学工業社製、ＴＰＰ）０．２０重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５０重量部と、シリカフィラー（株式会社アドマテックス製、ＳＣ２０５０ 平均粒径０．５μｍ）５０．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＨとする。）を得た。

（実施例９）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製 、ＫＡ−１１６０）７．５５重量部と、酸無
水物（三菱化学社製、ｊＥＲキュアＹＨ３０７）３．７５重量部と、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）１３．３０重量部と、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４７７０）９．９５重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ）９．９５重量部と、硬化促進剤として２−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＭＺ−Ｈ）０．１０重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）１．００重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０ 平均粒径０．２５μｍ）５０．００重量部と、アクリル系ゴム粒子（三菱レイヨン社製、メタブレンＷ−４５０Ａ 平均粒径０．２μｍ）４．４０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるよ
うに塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＩとする。）を得た。

（実施例１０）
＜接着フィルムの作製＞
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製、ＭＥＨ−７８５１）１４．２０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ８４０−Ｓ）３６．４０重量部と、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）１２．５０重量部と、フラックス活性を有する化合物として４−（４−ヒドロキシフェノキシ）安息香酸（東京化成工業社製）１０．３０重量部、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（新日鉄住金社製、ＦＸ−２８０Ｓ）１５．３０重量部と、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（北興化学工業社製、ＴＰＰ）０．３０重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）１．００重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＥ３０５０ 平均粒径１．０μｍ）１０．００重量部とを、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＪとする。）を得た。

（実施例１１）
＜接着フィルムの作製＞
フェノールアラルキル樹脂（三井化学社製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）７．１０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ８４０−Ｓ）１８．２５重量部と、フラックス活性を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）５．１０重量部、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）３．９０重量部と、硬化促進剤として２−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＭＺ−Ｈ）０．１５重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）０．５０重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ２０５０ 平均粒径０．５μｍ）６５．００重量部とを、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＫとする。）を得た。

（実施例１２）
＜接着フィルムの作製＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５５６１７）１１．２０重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２７．７０重量部と、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４７７０）８．２０重量部と、フラックス活性を有する化合物であるジフェノール酸（東京化成工業社製）７．３０重量部、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ）１４．６０重量部と、硬化促進剤としてマイクロカプセル型硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製、ノバキュア ＨＸ−３９４１ＨＰ）５．００重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）１．００重量部と、シリカフィラー（トクヤマ社製、ＳＳ−０７ 平均粒径０．７μｍ２５．００重量部とを、メチルエ
チルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＬとする。）を得た。

（実施例１３）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）７．１３重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１９．８６重量部と、フラックス活性を有する化合物としてトリメリット酸（東京化成工業社製）５．２５重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）２．５４重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４‐メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０４重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．１８重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０ 平均粒径０．２５μｍ）６５．００重量部とを、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＭとする。）を得た。

（比較例１）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）５．０９重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１４．１９重量部と、フラックス活性を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）３．７５重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）１．８１重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０３重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．１３重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）７５．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＮとする。）を得た。

（比較例２）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）２０．３７重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）５６．７６重量部と、フラックス活性を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）１５．００重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）７．２４重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１３重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５０重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人
デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＯとする。）を得た。

（比較例３）
＜接着フィルムの作製＞
フェノールアラルキル樹脂（三井化学株式会社製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２２．９０重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＥＰＩＣＬＯＮ８４０−Ｓ）４３．００重量部と、フラックス活性を有する化合物であるジフェノール酸（東京化成工業株式会社製）１１．８０重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス株式会社製、ＳＧ−Ｐ３)１０．７０
重量部と、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（北興化学工業株式会社製、ＴＰＰ）０．６０重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、ＫＢＥ−５０３）１．００重量部と、シリカフィラー （日本アエロジル社製、ＡＥＲＯＳＩＬ２００ 平均粒径０．０１２μｍ）１０．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＰとする。）を得た。

（比較例４）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）５．９０重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１７．５０重量部と、フィルム形成性樹脂としてエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス製、ＳＧ−８０Ｈ）５．３０重量部と、硬化促進剤として２−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＭＺ−Ｈ）０．３０重量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−５０３）１．００重量部と、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＥ３０５０ 平均粒径１．０μｍ）７０．００重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＱとする。）を得た。

（比較例５）
＜接着フィルムの作製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ−１１６０）２０．３７重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）５６．７６重量部と、フラックス活性を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）１５．００重量部と、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９５４）７．２４重量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１３重量部と、シランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５０重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるよ
うに塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルム（以下、フィルムＲとする。）を得た後に、得られたフィルムの表面にコロナ処理を施した。

［接着フィルムの評価］
＜表面粗さＲａ測定＞
各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、接着フィルムのベースフィルム面がスライドガラスに密着するように接着フィルムをスライドガラス上に固定し、接着フィルム表面を東京精密製、表面粗さ計ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄのプローブを走査することによって表面粗さＲａを測定した。前記表面粗さＲａが、日本工業規格JIS-B0601に
準じて測定される算術平均粗さである。結果を表１、２に示す。
＜光透過率測定＞
各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、島津製作所製、分光光度計ＵＶ−１６０を用いて７００ｎｍにおける光透過率を測定した。結果を表１、２に示す。
＜表面粗さＲａと光透過率の比＞
各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、東京精密製、表面粗さ計ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄを用いて測定した表面粗さＲａをＣとし，島津製作所製、分光光度計ＵＶ−１６０を用いて測定した７００ｎｍにおける光透過率をＤとした時、表面粗さＲａと光透過率の比Ｃ／Ｄ（μｍ／％）を求めた。結果を表１、２に示した。

＜溶融粘度測定＞
各実施例および比較例で得られた接着フィルムを積層することによって厚み１００μｍの測定用サンプルを作製し、粘弾性測定装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製「ＭＡＲＳ」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度は、１０℃／分の条件で溶融粘度を測定し、最低となる溶融粘度を測定値とした。結果を表１、２に示した。
＜平均線膨張係数測定＞
各実施例および比較例で得られた接着フィルムを、１８０℃２時間処理し、幅４ｍｍ、厚さ１００μｍの短冊状のサンプルを用いて線膨張係数を測定した。測定条件は、引張モード、昇温速度１０℃／分、荷重３０ｍＮ、チャック間距離１０ｍｍで測定し、α１として２５〜７５℃での平均線膨張係数の結果を表１、２に示した。

＜半導体装置の製造＞
各実施例および比較例で得られた各接着フィルム１０について、以下の方法で半導体装置１００の製造を行った。まず、表面に低融点の導電性金属として錫、銀を含む合金からなる半田を有する第一の端子を片面に複数有する複数種類のシリコンウエハＡ〜Ｃ（直径８インチ、厚さ１００μｍ、半導体チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、第一の端子の高さ、第一の端子の幅、第一の端子表面を覆う低融点の金属組成物の組成、金属組成物の幅、金属組成物間の距離、第一の端子間の距離、第一の端子の１半導体チップあたりの数等を表３に示す。）を用意した。予めシリコンウエハと同じサイズにカットした接着フィルムを、それぞれのシリコンウエハの第一の端子を有する面に接するように、接着フィルムとシリコンウエハを積層した。これをラミネーターで、貼り合わせ温度８０℃、圧力０．８ＭＰａ、２ｍｍ／ｓでラミネートして、接着フィルムとシリコンウエハの積層体３７を得た。
次に、各シリコンウエハの、接着フィルムと貼り合せた面と逆の面に、ダイシングテープをラミネーターで貼り合せた。このとき、貼り合せ温度は２５℃、圧力０．８ＭＰａ、２ｍｍ／ｓ接着フィルムとシリコンウエハの積層体と、ダイシングテープを貼り合せた。
次いで、ダイシングテープをウエハリングに固定して、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）のダイシングテーブルに積層し、シリコンウエハを固定した上で、基材層を剥離した。さらに、シリコンウエハ側から、ダイシングソーを用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハが個片化され、以下のダイシ
ングサイズの半導体チップ２０を得た。

≪ダイシング条件≫
ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハの表面から
の切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ

次いで、半導体チップの１つをダイシングテープ一体型接着フィルムの支持フィルム側（裏面）からニードルで突き上げ、突き上げた半導体チップの表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体チップをピックアップした。
次に、ピックアップした半導体チップを反転させて、銅バンプおよび接着フィルムを下側にした。さらに、複数種の半導体チップにおける第一の端子の配列と対応したパッドを有する複数種のインターポーザーを用意し、インターポーザーのパッドと、各半導体チップの複数の第一の端子とが当接するように位置あわせを行いながらインターポーザーに半導体チップを１５０℃、１秒間、１ｋｇｆ（＝９．８Ｎ）の条件で貼り付けた。
さらに、フリップチップボンダーのヘッドで、半導体チップを２３５℃、５秒間、３０Ｎで熱圧着して、バンプ表面の合金を溶融させて半導体チップとインターポーザーを半田接合を行った。
そして、１８０℃、６０分間、０．８ＭＰａの流体圧（空気圧）の雰囲気下で加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップ２０と、インターポーザー３０と、前記半導体チップ２０と前記インターポーザー３０との間に介在する接着フィルム１０の硬化物層（封止層）８０と、を有するが積層体の硬化物３８を得た。前記の積層体の硬化物３８を含む半導体装置１００であって、前記半導体チップ２０と、前記インターポーザー３０とが前記接着フィルム１０の硬化物で封止された半導体装置１００を得た。

＜接続信頼性＞
各実施例および比較例の接着フィルムおよび、各シリコンウエハを用いて得られた半導体装置１００それぞれ２０個ずつについて、−５５℃の条件下に３０分、１２５℃の条件下に３０分ずつ交互に晒すことを１サイクルとする、温度サイクル試験を１００サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体チップと回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。結果を表４に示す。各符号は、以下の通りである。
◎ ：２０個すべての半導体装置の接続抵抗値が１０Ω未満であった。
○ ：１個以上の半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以上、２０Ω未満であった。
× ：１個以上の半導体装置の接続抵抗値が２０Ω以上であった。
＜接続部の位置ずれ＞
各実施例および比較例の接着フィルムを用いて得られた半導体装置１００について、切断し、ＳＥＭにより接続部を２０箇所確認し、接続部の位置ずれを観察して評価した。結果を表４に示す。各符号は以下の通りである。
◎ ：２０個すべての接続部に位置ずれが無かった。
○ ：１個以上３個以下の接続部において位置ずれが確認された。
× ：４個以上の接続部に位置ずれが確認された。

実施例、比較例から明らかなように、本発明によれば、十分な透明性と、半田接合部の信頼性を両立し、より狭ピッチ化／狭ギャップ化した半田接合部における接合性と、半導体装置の製造における歩留まりを向上させる接着フィルム１０を供給すること、および半田接合部の信頼性の向上した半導体装置１００を供給することができる。

１０ 接着フィルム
２０ 半導体チップ（電子部品）
２１ 第一の端子
２２ アライメントマーク
３０ インターポーザー（回路部品）
３１ 第二の端子
３２ 基板
３３ 配線回路
３４ 電極パッド
３５ 絶縁部
３６ アライメントマーク
３７ 積層体
３８ 積層体の硬化物
４０ 半導体ウエハ（複数電子部品２０の集合体）
５０ ダイシングシート
５１ ウエハリング
５２ ダイシングブレード
５３ 切り込み部
７０ バンプ
８０ 封止層（接着フィルムの硬化物層）
８１ 接続部
１００ 半導体装置
２１０ ダイシングテープ一体型接着フィルム
２１１ 接着フィルム
２１３ ダイシングテープ
２１３ａ ダイシングテープの基材層
２１３ｂ ダイシングテープの粘着層
３００ 半導体用フィルム
３０１ バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着フィルム
３０２ 接着フィルム
３２１ 剥離基材
３０３ 半導体ウエハ
３３１ 機能面
３０４ 研磨ステージ
３０５ ダイサーテーブル
３０６ ウエハリング
３０７ ブレード

Claims (21)

1. 表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記第一の端子と対応する複数の第二の端子を有する回路部品との間に介在し、前記第一の端子と第二の端子とを電気的に接続する端子間接続用接着フィルムであって、
   前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、
   前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であって、
   前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、
   前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たすものであって、
   隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であって、
   前記接着フィルムは充填材を１０重量％以上７０重量％以下含む樹脂組成物からなり、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上１．０μｍ以下であり、
   前記表面粗さＲａが、日本工業規格ＪＩＳ−Ｂ０６０１に準じて測定される算術平均粗さであることを特徴とする接着フィルム。
2. 前記接着フィルムの７００ｎｍにおける光透過率が、１５％以上１００％以下である請求項１に記載の接着フィルム。
3. 前記表面粗さＲａをＣとし、前記接着フィルムの７００ｎｍにおける光透過率をＤとする場合、前記表面粗さＲａと前記光透過率との比［Ｃ／Ｄ］が、１．８×１０^−２μｍ／％以下である請求項１又は２に記載の接着フィルム。
4. 前記充填材の平均粒径が、０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の接着フィルム。
5. 前記充填材が、無機充填材である請求項１〜４のいずれかに記載の接着フィルム。
6. 前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤、およびフィルム形成性樹脂を含む請求項１〜５のいずれかに記載の接着フィルム。
7. 前記樹脂組成物が、フェノール性水酸基、カルボキシル基のうち少なくとも一方を有する化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載の接着フィルム。
8. 前記化合物が、樹脂組成物内に３％以上２０％以下含まれる請求項７に記載の接着フィルム。
9. 前記化合物が、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、１つ以上のカルボキシル基とを備える請求項７または８に記載の接着フィルム。
10. 前記化合物が、１分子中に１つ以上のフェニルエーテル基を含む請求項７または８に記載の接着フィルム。
11. ダイシングシートと、請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムと、を積層したダイシングシート一体型接着フィルム。
12. バックグラインドテープと、請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムと、を積層したバックグラインドテープ一体型接着フィルム。
13. バックグラインドテープ兼ダイシングシートと、請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムと、を積層したバックグラインドテープ兼ダイシングシート一体型接着フィルム。
14. 表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記電子部品の第一の端子側において設けられた請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムと、を有する積層体であって、
    前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、
    前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であり、
    前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、
    前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たし、
    隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする積層体。
15. 複数の前記電子部品と、複数の請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムと、を有する請求項１４に記載の積層体。
16. 表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記第一の端子と対応する複数の第二の端子を有する回路部品と、前記電子部品と前記回路部品との間に介在する請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物層と、を有する積層体の硬化物であって、
    前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、
    前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であり、
    前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、
    前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たし、
    隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする積層体の硬化物。
17. 複数の前記電子部品と、複数の前記電子部品と前記回路部品との間に介在する複数の請求項１〜１０のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物層と、を有する請求項１６に記載の積層体の硬化物。
18. 前記回路部品が、インターポーザーである請求項１６または１７に記載の積層体の硬化物。
19. 前記回路部品が、半導体ウエハである請求項１６または１７に記載の積層体の硬化物。
20. 請求項１６〜１８のいずれかに記載の積層体の硬化物を含む半導体装置。
21. 表面に複数の第一の端子を有する電子部品と、前記第一の端子と対応する複数の第二の端子を有する回路部品との間に、請求項１〜１０のいずれかに記載の前記接着フィルムを介在し、前記第一の端子と第二の端子とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、
    前記第一の端子が、ピラー形状を有するものであり、
    前記第一の端子の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記第一の端子の幅は３μｍ以上１００μｍ以下であり、
    前記第一の端子は端子表面の少なくとも一部を覆う低融点の金属組成物を有し、
    前記第一の端子の幅をＡとし、前記金属組成物の高さ方向と垂直に形成される断面のうち、最も大きい面積を持つ断面における最も長い距離である前記金属組成物の幅をＢとしたとき、０．６＜Ａ／Ｂ＜１．４を満たし、Ｂは２μｍ以上１７０μｍ以下を満たし、
    隣接する第一の端子同士が有する金属組成物間の距離が３μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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