JP5739372B2 - 接着剤組成物、並びにこれを用いた接着シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、接着剤組成物に関するものであり、特には、フリップチップ実装方式を用いた半導体装置の製造のために好適に使用することができる接着剤組成物に関する。さらには、当該接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに当該接着剤組成物の硬化物を備えた半導体装置に関する。

近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、半導体装置の高密度化及び高集積化の要求が強まっており、ＩＣパッケージの大容量化及び高密度化が進んでいる。これまで、半導体チップと基板とを接続するには、金属細線を用いるワイヤボンディング方式が広く適用されてきた。しかし、半導体装置の高密度化及び高集積化の要求に対応するため、半導体チップにバンプと呼ばれる導電性突起を形成し、基板電極と半導体チップのバンプとを直接接続するフリップチップ実装方式が主流になりつつある。

一般的に、フリップチップ実装方式においては、接続部分の補強や半導体装置の信頼性向上等を目的として、半導体チップと回路基板の間隙をアンダーフィル剤で封止する。アンダーフィル剤で封止する方法には、一般的に、キャピラリーアンダーフィル方式が採用されている。キャピラリーアンダーフィル方式とは、チップの一辺又は複数面にアンダーフィル剤を塗布し、毛細管現象を利用して回路基板とチップの間隙にアンダーフィル剤を流れ込ませて充填する方法である（特許文献１）。しかしながら、近年、半導体装置の高密度化及び高集積化の要求が益々強まっており、バンプ間ピッチ、及び、チップ間ギャップの狭小化が進み、アンダーフィル充填時に空気が巻き込まれやすく、ボイドが発生し、信頼性が損なわれるという問題を生じることがあった。

また、キャピラリーアンダーフィル方式では、図８に示される工程（ａ）〜（ｇ）が必要とされる。各工程を以下に説明する。
工程（ａ）：フラックス２１を回路基板２０に塗布する工程
工程（ｂ）：バンプ２２ａが形成された半導体チップ２２を回路基板２０上にフラックス２１を介してマウントする工程
工程（ｃ）：フラックス２１を介して半導体チップ２２と回路基板２０とを接合する工程（接合部２３）
工程（ｄ）：フラックス２１を洗浄により除去する工程
工程（ｅ）：半導体チップ２２の一辺又は複数面にアンダーフィル剤２４を塗布する工程
工程（ｆ）：毛細管現象を利用して回路基板２０と半導体チップ２２の間隙にアンダーフィル剤２４を流れ込ませる工程
工程（ｇ）：充填されたアンダーフィル剤を硬化し（２４ａ）、樹脂封止する工程

上記及び図８に示す通り、キャピラリーアンダーフィル方式は工程が煩雑であり、また、フラックス洗浄時の洗浄廃液の処理を必要とする。さらに、工程（ｆ）で毛細管現象を利用するため、充填時間が長くなり、半導体装置の生産性に問題を生じることがあった。

これらの問題を解決する方法として、複数のバンプを有するウエハ上のバンプが形成された面に接着剤層を形成した後、ウエハを接着剤層ごとダイシングして、接着剤層付の半導体チップに個片化する方法が提案されている。ダイシングにより個片化された接着剤層付き半導体チップは、他の半導体チップ、又は、基板にボンディングされ、バンプを介して電気的に接合される。このようなウエハ上に形成される接着剤層に用いられる接着剤組成物として、熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマーと、熱硬化剤とを有する接着剤組成物であり、ボンディング温度での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１５０００Ｐａ・ｓ以下である接着剤組成物が記載されている（特許文献２）。

特開２００７−２１７７０８号公報 特開２０１１−１５７５２９号公報

しかしながら、特許文献２記載の接着剤組成物では、ボンディング時のボイドの発生を抑えようとすると、実装時にバンプの位置ずれが生じてしまい、導通が取れなくなるという問題があった。また逆に、バンプの位置ずれが生じないように実装しようとすると、接合後のチップ間にボイドを生じることがあった。従って、特許文献２に開示されている方法では、半導体チップと回路基板との接続部分の補強や半導体装置の信頼性向上等の目的を十分達成することができない。そのため、ボンディング時のボイドの発生がなく、バンプの位置ずれを生じず、かつ、半田接合終了後においてもボイドの発生がない、接続信頼性に優れる半導体装置を提供することができる接着剤組成物の開発が強く望まれている。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、半導体装置の製造のために好適に使用することができる接着剤組成物、特に、ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、バンプの位置ずれを起こしにくく、また、半田接合終了後においてもボイドを生じにくい接着剤組成物を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有する接着剤組成物であって、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満、該最低溶融粘度となる温度が２００℃未満であり、かつ、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする接着剤組成物を提供する。
（Ａ）反応性官能基を有するポリマー
（Ｂ）熱硬化性樹脂
（Ｃ）フラックス活性を有する化合物。

このような組成物であれば、半導体装置の製造のために好適に使用することができる接着剤組成物、特に、ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、バンプの位置ずれを起こしにくく、また、半田接合終了後においてもボイドを生じにくいものとなる。

この場合、前記（Ａ）反応性官能基を有するポリマーが、シリコーン樹脂であることが好ましい。
（Ａ）成分がシリコーン樹脂であれば、ポリマーの分子量、反応性官能基種、反応性官能基量等の制御性や、接着剤組成物としての接着性、耐熱性、絶縁信頼性により優れるものとなる。

また、前記反応性官能基が、ヒドロキシル基及びエポキシ基のうちの少なくとも１つであることが好ましい。
ヒドロキシル基やエポキシ基は、（Ｂ）成分である熱硬化性樹脂との反応性や、接着剤組成物としての保存安定性を向上させることができるため、（Ａ）成分のポリマーが有する反応性官能基が、これらの基のうちの少なくとも１つであること好ましい。

また、前記（Ｂ）熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂であることが好ましい。
（Ｂ）成分がエポキシ樹脂であれば、接着剤組成物を硬化させる際に、（Ｂ）成分の熱硬化性樹脂と（Ａ）成分の反応性官能基を有するポリマーとが架橋反応するため、当該接着剤組成物を用いて形成される接着剤層の接着性、及び硬化物の接続信頼性がより向上する。

さらに、エポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。
これらを含有することにより、硬化反応を適切かつ均一に進めることができる。

また、前記（Ｃ）フラックス活性を有する化合物が、カルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物であることが好ましい。
（Ｃ）成分がカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物であれば、接着剤組成物を接着させた半導体チップの機能面を半田付け等する際に、該機能面上に存在するバンプの金属酸化膜を加熱等によって取り除く効果が特に高くなる。

また本発明は、前記接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シート、及び前記接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する半導体装置保護用材料を提供する。

このような本発明の半導体装置保護用材料や接着シートは、優れた接着性、耐熱性、耐湿性等を有するものとなる。

また本発明は、前記接着剤組成物の硬化物を備えた半導体装置を提供する。
このような本発明の半導体装置は、接続信頼性や絶縁信頼性に優れたものとなる。

以上説明したように、本発明の接着剤組成物は、反応性官能基を有するポリマーを含有することによって、柔軟性に優れた接着剤層を形成することができる。また、反応性官能基を有するポリマーと熱硬化性樹脂との熱硬化反応により架橋構造を形成し、半導体保護用材料として必要な、耐熱性、接着性、信頼性を確保することが可能となる。このような本発明の接着剤組成物は、接着シート及び半導体保護用材料のための接着剤層として好適に使用することができ、接続信頼性及び絶縁信頼性が保証された半導体装置を提供することができる。

また、本発明の接着剤組成物はフラックス活性を有する化合物を含有するため、加熱等によって金属酸化膜を取り除く効果（フラックス活性）を有する接着剤層を形成する。これにより、接続信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。また、当該接着剤層が半導体チップと回路基板を接合させる際にフラックスとして機能することにより、半導体チップを基板上にフリップチップ実装する際の、フラックスを回路基板に塗布等する工程（図８：工程（ａ））、フラックスを洗浄する工程（図８：工程（ｄ））、半導体チップの一辺又は複数面にアンダーフィル剤を塗布する工程（図８：工程（ｅ））、及び毛細管現象を利用して回路基板とチップの間隙にアンダーフィル剤を流れ込ませる工程（図８：工程（ｆ））が不要となり、半導体装置の生産性を向上することができる。

さらに、本発明の接着剤組成物は、２００℃未満に最低溶融粘度となる温度があり、さらにその最低溶融粘度は５００Ｐａ・ｓ未満であり、かつ、２００℃での溶融粘度は５００Ｐａ・ｓ以上であるため、凹凸のある基板やバンプにチップをボンディングしても空気を巻き込むことなく、また、フラックス成分とバンプや金属端子表面に存在する金属酸化膜との反応により生成する水（水蒸気）を封じ込めることが可能なため、このような本発明の接着剤組成物を用いてボンディングを行えば、ボイドなくボンディングを行うことが出来、バンプの位置ずれを起こしにくく、実装後にもボイドを生じない。

図１は、本発明の接着剤組成物を用いて形成された接着剤層を有する接着シートを半導体ウエハ上に圧着した態様を示すものである。 図２は、本発明の接着剤組成物を用いて形成された接着剤層を有する接着シートを介して、半導体ウエハを半導体加工用保護テープ上に搭載した態様を示すものである。 図３は、半導体ウエハを研削する態様を示すものである。 図４は、半導体ウエハをダイシングする態様を示すものである。 図５は、切断された半導体チップをピックアップする態様を示すものである。 図６は、ピックアップした半導体チップを、ベース基板上に位置決めして搭載する態様を示すものである。 図７は、半導体チップとベース基板が半田接合された態様を示すものである。 図８は、キャピラリーアンダーフィル方式におけるフリップチップ実装工程を示したフロー図である。 図９は、接着剤層の基板に対する接着力を測定した試験の実施態様である。

以下、本発明をより詳細に説明する。
上記のように、従来の接着剤組成物によっては、半導体チップと回路基板との接続部分の補強や半導体装置の信頼性向上等の目的を十分達成することができておらず、半導体装置の製造のために好適に使用することができる接着剤組成物、特に、ボンディング時のボイドの発生がなく、バンプの位置ずれを生じず、かつ、半田接合終了後においてもボイドの発生がない、接続信頼性に優れる半導体装置を提供することができる接着剤組成物の開発が強く望まれていた。

本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、反応性官能基を有するポリマー、熱硬化性樹脂、及び、フラックス活性を有する化合物からなる接着剤組成物であり、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満であり、かつ、該最低溶融粘度となる温度が２００℃未満であり、さらに、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上となる接着剤組成物が、半導体装置の製造のために好適に使用することができ、特にボンディング時及びバンプ接合後のボイドを抑制し、かつ、狭バンプピッチでの実装においても位置ずれを生じないことを見出し、本発明に至った。

即ち、本発明の接着剤組成物は、下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有する接着剤組成物であって、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満、該最低溶融粘度となる温度が２００℃未満であり、かつ、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
（Ａ）反応性官能基を有するポリマー
（Ｂ）熱硬化性樹脂
（Ｃ）フラックス活性を有する化合物。

以下、本発明についてより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜接着剤組成物＞
（Ａ）反応性官能基を有するポリマー
（Ａ）成分の反応性官能基は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エポキシ基等が挙げられる。これらのなかでも、ヒドロキシル基及びエポキシ基のうちの少なくとも１つを有するポリマーが、（Ｂ）成分である熱硬化性樹脂との反応性や接着剤組成物としての保存安定性の観点から好ましい。

上記反応性官能基を有するポリマーとしては、末端及び/又は側鎖に反応性官能基を有するポリマーであれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、ポリマーの分子量、反応性官能基種、反応性官能基量等の制御性、及び、接着性、耐熱性、絶縁信頼性に優れることから、シリコーン樹脂を用いることが最も望ましい。
これら（Ａ）成分のポリマーは、単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。

上記、（Ａ）反応性官能基を有するポリマーとしては、例えば下記に示すような反応性官能基を有するシリコーン樹脂を挙げることができる。

［上記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは０又は正数であり、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０を満たす。更に、Ｘ、Ｙはそれぞれ下記一般式（２）又は（３）で示される２価の有機基である。

（上記一般式（２）中、Ｚは、

より選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ^５、Ｒ^６は、それぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｋは０、１、又は２である。）

（上記一般式（３）中、Ｖは、

より選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ^７、Ｒ^８は、それぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１、又は２である。）］

上記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する反応性官能基を有するシリコーン樹脂は、接着剤組成物に圧着時の接着性、接着剤層形成時のフィルム形成性、機械的特性等を与えるものであり、絶縁信頼性にも優れるものである。

上記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一でも異なってもよい炭素数１〜８の１価炭化水素基を示し、好ましくは炭素数１〜６の１価炭化水素基を示す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

また、上記一般式（１）中、ｍは１〜１００の整数であり、好ましくは１〜８０の整数である。

さらに、上記一般式（１）中のａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０を満たし、基板に対する密着性、電気特性、信頼性の観点から、好ましくは０．１≦（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．５を満たし、更に好ましくは０．１５≦（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．２５を満たす。これに加えて、上記一般式（１）中のｃは０．０５≦ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．３を満たすことが好ましく、特に０．１≦ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．１５を満たすことが好ましい。またこれに加えて、上記一般式（１）中のｄは０．０５≦ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．３を満たすことが好ましく、特に０．２≦ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．２５を満たすことが好ましい。さらに、上記一般式（１）中のａ、ｂは０．４≦ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．９、０．４≦ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．９を満たすことが好ましい。

さらに、上記一般式（１）中、Ｘは上記一般式（２）で示される２価の有機基であり、Ｙは上記一般式（３）で示される２価の有機基である。上記一般式（２）又は（３）中のＺ又はＶは、

より選ばれる２価の有機基であり、ｎ又はｐは、０又は１である。

上記一般式（２）中のＲ^５、Ｒ^６は炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。Ｒ^５、Ｒ^６の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基等が挙げられる。

上記一般式（３）中のＲ^７、Ｒ^８は炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。Ｒ^７、Ｒ^８の具体例としては、上記一般式（２）中のＲ^５、Ｒ^６と同様なものが挙げられる。

また、上記一般式（２）又は（３）中のｋ又はｈは、０、１、又は２である。

本発明における（Ａ）成分として好適な反応性官能基を有するシリコーン樹脂は、圧着時の接着性、接着剤層形成時のフィルム形成性、機械的特性、溶融粘度特性の観点から、重量平均分子量が３，０００〜１００，０００が好ましく、より好ましくは５，０００〜８０，０００である。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値である。

上記一般式（１）で示される反応性官能基を有するシリコーン樹脂は、下記一般式（４）のハイドロジェンシルフェニレン（１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン）、

及び／又は下記一般式（５）のジヒドロオルガノシロキサンと、

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４、及びｍは、上記と同一である。）
下記一般式（６）で示されるジアリル基を有するフェノール化合物と、

（式中、Ｖ、Ｒ^７、Ｒ^８、ｐ、ｈは、上記と同一である。）
更に、必要に応じて下記一般式（７）で示されるジアリル基を有するフェノール化合物とを、触媒の存在下、所謂ハイドロシリレーション重合反応を行うことにより、製造することができる。

（式中、Ｚ、Ｒ^５、Ｒ^６、ｎ、ｋは、上記と同一である。）

なお、上記一般式（１）で示される反応性官能基を有するシリコーン樹脂の重量平均分子量は、上記ハイドロシリレーション重合反応をさせる上記一般式（６）及び上記一般式（７）で示されるジアリル基を有するフェノール化合物のアリル基の総数と、上記一般式（４）で示されるハイドロジェンシルフェニレン及び上記一般式（５）で示されるジヒドロオルガノシロキサンのヒドロシリル基の総数との比（アリル基の総数／ヒドロシリル基の総数）を調整することにより容易に制御することが可能である。あるいは、上記一般式（６）及び上記一般式（７）で示されるジアリル基を有するフェノール化合物と、上記一般式（４）で示されるハイドロジェンシルフェニレン及び上記一般式（５）で示されるジヒドロオルガノシロキサンのハイドロシリレーション重合時に、例えば、Ｏ−アリルフェノールのようなモノアリル化合物、又は、トリエチルヒドロシランのようなモノヒドロシランやモノヒドロシロキサンを分子量調整剤として使用することにより、上記一般式（１）で示されるシリコーン樹脂の重量平均分子量は容易に制御することが可能である。

上記ハイドロシリレーション重合反応における、触媒としては、例えば白金（白金黒を含む）、ロジウム、パラジウム等の白金族金属担体；Ｈ_２ＰｔＣｌ_４・ｘＨ_２Ｏ、Ｈ_２ＰｔＣｌ_６・ｘＨ_２Ｏ、ＮａＨＰｔＣｌ_６・ｘＨ_２Ｏ、ＫＨＰｔＣｌ_６・ｘＨ_２Ｏ、Ｎａ_２ＰｔＣｌ_６・ｘＨ_２Ｏ、Ｋ_２ＰｔＣｌ_４・ｘＨ_２Ｏ、ＰｔＣｌ_４・ｘＨ_２Ｏ、ＰｔＣｌ_２・ｘＨ_２Ｏ、Ｎａ_２ＨＰｔＣｌ_４・ｘＨ_２Ｏ（式中、ｘは０〜６の整数が好ましく、特に０又は６が好ましい。）等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩；アルコール変性塩化白金酸（米国特許第３，２２０，９７２号公報）；塩化白金酸とオレフィンとの錯体（米国特許第３，１５９，６０１号公報、米国特許第３，１５９，６６２号公報、米国特許第３，７７５，４５２号公報）；白金黒やパラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの；ロジウム−オレフィン錯体；クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（所謂ウィルキンソン触媒）；塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン（特にビニル基含有環状シロキサン）との錯体等が挙げられる。その使用量は触媒量であり、通常白金族金属として、上記一般式（４）〜（７）の重合反応物の総質量に対して、０．００１質量％から０．１質量％であることが好ましい。

上記ハイドロシリレーション重合反応においては、必要に応じて溶剤を使用してもよい。溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤が好ましい。

上記ハイドロシリレーション重合条件として、触媒が失活せず、かつ、短時間で重合の完結が可能という観点から、重合温度は例えば４０〜１５０℃、特に６０〜１２０℃が好ましい。

また、重合時間は、上記一般式（４）〜（７）の重合反応物の種類及び量にもよるが、重合反応系中に湿気の介入を回避するため、およそ０．５〜１００時間、特に０．５〜３０時間以内であることが好ましい。このようにしてハイドロシリレーション重合反応を終了後、溶剤を使用した場合はこれを留去することにより、上記一般式（１）で示されるシリコーン樹脂を得ることができる。

（Ｂ）熱硬化性樹脂
（Ｂ）成分は、接着剤組成物の接着性、及び硬化物の接続信頼性を向上させるために含有する。本発明において熱硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等を挙げることができる。中でも、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は（Ａ）反応性官能基を有するポリマーが含有する官能基（例えば、フェノール性水酸基やカルボキシル基等）と架橋反応することができる。従って、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であると、接着剤組成物を硬化させる際に、熱硬化性樹脂と（Ａ）反応性官能基を有するポリマーとが架橋反応するため、接着剤層の接着性、及び硬化物の接続信頼性がより向上する。

エポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はそれらに水素添化したもの、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂、ヘキサヒドロフタル酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等のグリシジルアミン系エポキシ樹脂等が挙げられ、好ましくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。これらの市販品としては、例えば、商品名で、ｊＥＲ１００１（三菱化学製）、エピクロン８３０Ｓ（ＤＩＣ製）、ｊＥＲ５１７（三菱化学製）、ＥＯＣＮ１０３Ｓ（日本化薬製）等が挙げられる。

また、熱硬化性樹脂としてフェノール樹脂を用いることもできる。該フェノール樹脂としては、例えば、フェノールやビスフェノールＡ、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、オクチルフェノール、ｐ−クミルフェノール等のアルキルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、クレゾール等を原料として調製したレゾール型フェノール樹脂及び／又はノボラック型フェノール樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

熱硬化性樹脂の配合量は特に限定されないが、（Ａ）成分１００質量部に対して５〜１００質量部であるのがよく、好ましくは１０〜５０質量部である。熱硬化性樹脂の配合量が上記範囲内であれば、接着剤組成物又は接着剤層を基材に圧着した時の接着性が向上する。また、当該接着剤組成物の硬化物は接続信頼性に優れた硬化物となるため好ましい。

また、本発明の接着剤組成物は、前記エポキシ樹脂に加え、更にエポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤のうち少なくとも１種を含有することにより、硬化反応を適切かつ均一に進めることができる。これらを配合する場合、エポキシ樹脂硬化剤の配合量は（Ａ）成分１００質量部に対して３〜２０質量部、好ましくは５〜１０質量部であるのがよく、エポキシ樹脂硬化促進剤の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜５質量部、好ましくは０．３〜３質量部であるのが良い。

エポキシ樹脂硬化剤は、通常使用されるものであればよく、特に限定されないが、耐熱性の観点から芳香族系硬化剤や脂環式硬化剤がより好ましい。当該エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、三フッ化ホウ素アミン錯塩、フェノール樹脂等が挙げられる。アミン系硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等の脂肪族アミン系硬化剤、イソホロンジアミン等の脂環式アミン系硬化剤、ジアミノジフェニルメタン、フェニレンジアミン等の芳香族アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等が挙げられる。中でも、芳香族アミン系硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、ピロメリット酸無水物、トリメリット酸無水物、ヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
上記エポキシ樹脂硬化剤は、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂硬化促進剤は、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、及びこれらの化合物のエチルイソシアネート化合物、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５（ＤＢＮ）、ＤＢＵの有機酸塩、ＤＢＵのフェノール樹脂塩、ＤＢＵ誘導体のテトラフェニルボレート塩等のＤＢＵ系化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリス（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−エトキシフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート等のトリオルガノホスフィン類、四級ホスホニウム塩、トリエチレンアンモニウム・トリフェニルボレート等の第三級アミン、及びそのテトラフェニルホウ素酸塩等が挙げられる。
上記エポキシ樹脂硬化促進剤は、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

（Ｃ）フラックス活性を有する化合物
（Ｃ）フラックス活性を有する化合物は、加熱等によって金属酸化膜を還元し取り除く効果（フラックス活性）を有していれば特に限定されず、例えば、活性化ロジン、カルボキシル基を有する有機酸、アミン、フェノール、アルコール、アジン等が挙げられる。

特に、本発明の接着剤組成物におけるフラックス活性を有する化合物は、分子中にカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物が好ましい。尚、フラックス活性を有する化合物は液状であっても固体であってもよい。フラックス活性を有する化合物が分子中にカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物であれば、接着剤組成物を接着させた半導体チップの機能面を半田付け等する際に、該機能面上に存在するバンプの金属酸化膜を加熱等によって取り除く効果が特に高くなるため好ましい。

カルボキシル基を有する化合物としては、例えば脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。また、前記フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えばフェノール類が挙げられる。

脂肪族酸無水物としては、例えば無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、及びポリセバシン酸無水物等が挙げられる。

脂環式酸無水物としては、例えばメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、及びメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。

芳香族酸無水物としては、例えば無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、及びグリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。

脂肪族カルボン酸としては、例えば、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸等が挙げられる。また、その他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、及び琥珀酸等が挙げられる。

芳香族カルボン酸としては、例えば安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、及び３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、及びジフェノール酸等が挙げられる。

フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、及びテトラキスフェノール、フェノールフタレイン等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類が挙げられる。

また、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の少なくとも一方と架橋反応できることが好ましい。（Ａ）成分や（Ｂ）成分と反応することによりフラックス活性を有する化合物を３次元的に架橋構造の中に取り込むことができる。特には、フラックス活性を有する樹脂硬化剤であることが好ましい。該フラックス活性を有する樹脂硬化剤としては、例えば１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。具体的には、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタレイン；及びジフェノール酸等が挙げられる。

フラックス活性を有する化合物を３次元的に架橋構造の中に取り込むことにより、フラックス活性を有する化合物の残渣が硬化物の３次元架橋構造から析出することを抑制することができる。これによって、当該化合物の残渣に由来するデンドライトの成長を抑制することができ、硬化物の絶縁信頼性（耐マイグレーション性）をより向上させることができる。

（Ｃ）フラックス活性を有する化合物の配合量は、特に限定されないが、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して１〜２０質量部、好ましくは、２〜１５質量部であるのがよい。（Ｃ）フラックス活性を有する化合物の含有量が上記下限値以上であれば、フラックス活性の効果を十分に得られ、また上記上限値以下であれば、フリップチップ実装工程後にフラックス活性を有する化合物が架橋構造から析出しデンドライトを成長させる原因となることもない。また、フラックス活性を有する化合物の配合量が上記範囲内にあれば、金属表面の酸化膜を十分に取り除くことができるため、半田接合時において強度の大きい良好な接合が得られる。

その他の成分
本発明の接着剤組成物は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外にも、必要に応じてその他の成分を添加してもよい。その他の成分としては、無機充填剤、シランカップリング剤等が挙げられる。

無機充填剤
本発明の接着剤組成物は、耐熱性、寸法安定性、耐湿性等の特性を得るために、無機充填剤を含有することができる。無機充填剤としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等の粉末等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩又は亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。
これらの無機充填剤は１種単独で混合しても、２種以上を併せて混合しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に溶融球状シリカが好ましい。

無機充填剤を含有することにより、本発明の接着剤組成物を硬化させた後の耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層と保護層とが積層してなる接着シートにおいて、接着剤層の保護層に対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填剤の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、異方性のない接着剤層を形成することができる。

無機充填剤の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下が好ましく、特には０．０１μｍ以上０．３μｍ以下が好ましい。無機充填剤の平均粒子径が上記下限値以上であれば、無機充填剤が凝集し難くなり、強度が向上するため好ましい。また上記上限値以下であれば、接着剤層の透明度が向上し、半導体チップ表面の位置合わせマークの認識が容易になり、半導体チップと基板の位置合わせがより容易となるため好ましい。

無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、本発明の接着剤組成物の総質量に対し５質量％以上６０質量％以下、好ましくは１０質量％以上５０質量％以下とすることが好ましい。無機充填剤の含有量が上記上限値以下であれば、接着剤層の透明性及びタック性が向上し、溶融粘度が上昇することもないため好ましい。

シランカップリング剤
本発明の接着剤組成物はシランカップリング剤を含んでも良い。シランカップリング剤を含むことにより、接着剤層の被接着体への密着性をさらに高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、本発明の接着剤組成物の総質量の０．０１質量％以上５質量％以下とすることが好ましい。

また、本発明の接着剤組成物は、さらに上記以外の成分を含んでいても良い。例えば、反応性官能基を有するポリマー（Ａ）と熱硬化性樹脂（Ｂ）の相溶性を向上するため、あるいは接着剤組成物の貯蔵安定性又は作業性等の各種特性を向上するために、各種添加剤を適宜添加しても良い。例えば、脂肪酸エステル・グリセリン酸エステル・ステアリン酸亜鉛・ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤、フェノール系、リン系、もしくは硫黄系酸化防止剤等を添加することができる。

その他の任意成分は、無溶剤で本発明の接着剤組成物に添加してもよいが、有機溶剤に溶解又は分散し、溶液又は分散液として調製してから添加してもよい。溶剤は接着剤組成物の分散液を調製するための溶剤として以下に説明する有機溶剤を使用することができる。

本発明の接着剤組成物は、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満であり、さらにその最低溶融粘度となる温度が２００℃未満であり、かつ、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上となる必要がある。

ボンディングを、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満、かつ該最低溶融粘度（５００Ｐａ・ｓ未満）となる温度が２００℃未満である組成物を用いて行った場合、凹凸のある基板やバンプにチップをボンディングしても空気を巻き込むことなく、従って、ボイドなくボンディングを行うことが出来、また、チップの位置ずれを防ぐこともできる。一方、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上の組成物や、最低溶融粘度が５００未満であっても該最低溶融粘度となる温度が２００℃以上である組成物を用いてボンディングを行った場合、ボンディング時の空気の巻き込みは防止できるものの、チップの位置ずれを防ぐことが出来ない。

また、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上となる場合、フラックス成分とバンプや金属端子表面に存在する金属酸化膜との反応により生成する水（水蒸気）を封じ込めることが可能なため実装後にボイドを生じない。一方、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満の場合、生成する水（水蒸気）を封じ込めることができず、実装時にボイドが発生してしまう。

なお、本明細書中のボンディングとは、接着剤組成物を半導体ウエハ又はチップ上に形成し、当該接着剤組成物を介して、他の半導体ウエハ、もしくは、チップ、又は、基板に接合する工程と、その後、バンプの接続を行うために、荷重もしくは位置を制御しながら加熱する工程を意味する。また、本明細書中のボンディング温度とは、接着剤組成物を形成したウエハ又はチップを、当該接着剤組成物を介して、他の半導体ウエハ、もしくは、チップ、又は、基板に接合する工程の温度である。このようなボンディング温度は、例えば、１００〜１８０℃とし、接着剤組成物の溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５００Ｐａ・ｓとなる温度でボンディングを行うことが望ましい。

また、本明細書中、溶融粘度とは、溶融粘度計を用いて、昇温速度１０℃／分で４０℃から２６０℃まで昇温しながら、周波数１Ｈｚで円形プレートのせん断により測定した溶融粘度を意味する。

接着剤組成物の調製
本発明の接着剤組成物は、反応性官能基を有するポリマー（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、フラックス活性を有する化合物（Ｃ）、及び所望によりその他の任意成分、並びに必要に応じて有機溶剤を同時あるいは別々に、必要により加熱処理を加えながら攪拌、溶解、混合、分散させることにより調製される。これらの操作に用いる装置は特に限定されないが、攪拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これらの装置を適宜組み合わせてもよい。有機溶剤は接着剤組成物の分散液を調製するための溶剤として以下に説明する有機溶剤であればよい。

本発明の接着剤組成物は２５℃での溶液粘度１０〜３０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは１００〜２０００ｍＰａ・ｓとなるように調整するのがよい。粘度は回転型粘度計を用いて測定することができる。

本発明の接着剤組成物を用いて接着剤層を形成する際には、接着剤組成物を有機溶剤に分散させた溶液として使用するのが好ましい。有機溶剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、好ましくはメチルエチルケトン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。これらの有機溶剤は、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。有機溶剤は固形成分濃度が３０〜７０質量％、好ましくは４０〜６５質量％となるように配合するのがよい。

＜接着シート＞
本発明は、上記接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シートを提供する。接着シートとしては、例えば、本発明の接着剤組成物から形成される接着剤層と、該接着剤層を被覆する保護層（離型基材）とを積層して得られる接着シートが挙げられる。

接着シートの製造
本発明の接着シートの製造方法の一例を以下に示す。
接着剤組成物を有機溶剤に分散して得た溶液を、リバースロールコータ、コンマコータ等を用いて保護層（離型基材）の上に塗布する。前記接着剤組成物の分散液が塗布された保護層（離型基材）をインラインドライヤに通し、８０〜１６０℃、２〜２０分間で有機溶剤を除去し乾燥させて接着剤層を形成し、接着剤層を有する接着シートとする。また、必要に応じて、別の保護層（離型基材）を前記接着剤層上にロールラミネータを用いて圧着し積層することにより接着シートとしてもよい。接着シートに形成される接着剤層の厚みは５〜１５０μｍであるのがよく、特には１０〜１００μｍであるのがよい。

接着シートの製造に使用する保護層（離型基材）は、接着剤層の形態を損なうことなく接着剤層から剥離できるものであれば特に限定されない。例えば、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリメチルペンテン（ＴＰＸ）フィルム、離型処理を施したポリエステルフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。

接着シートの使用
本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シートは、例えば、半導体ウエハ上に設けられたバンプと基板上に設けられた電極とを直接接続するフリップチップ実装のために使用することができる。また、貫通電極を有する半導体素子同士を接続するために使用することもできる。

本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シートを使用して半導体ウエハを実装する態様の一例を図１〜図７に示す。以下に各工程を説明する。

（工程１：図１）
保護層１と接着剤層２を積層して形成される接着シート２’を、予めバンプ１１（図６：図１〜５では不図示）が形成された半導体ウエハ３の機能面（バンプ形成面）に加熱圧着等により貼り合わせる。加熱圧着は、通常、温度８０〜１３０℃、圧力０．０１〜１ＭＰａ、時間５〜３００秒で行われる。あるいは、真空下５０〜１３００Ｐａで接着シートを貼り合わせ、その後、大気圧へ戻すことによる圧着で行われる。

（工程２：図２）
該半導体ウエハ３に貼り合わせられた接着シート２’の保護層１側の面を、半導体加工用保護テープ４上に貼り付け、ウエハリング５によりサポートする。半導体加工用保護テープ４は、一般的に用いられているもの（例えば、バックグラインドテープ、ダインシングテープという名称等で市販されているもの）を使用することができ、用途に応じて適宜選択すればよい。尚、半導体加工用保護テープ４と接着剤層２は、保護層１を介さずに直接貼り合わせることもできる。接着シートをテープ上に貼り付ける工程は、通常、温度２０〜４０℃、線圧５〜５０Ｎ／ｃｍ、圧着時間５〜６０秒である。該工程は粘着テープを使用して行ってもよい。また、真空下５０〜１３００Ｐａで貼り合わせ、その後、大気圧へ戻すことにより圧着することができる。

（工程３：図３）
次いで、半導体加工用保護テープ４を研削（研磨）ステージ（不図示）に固定し、半導体ウエハ３をグラインドホイール６により研削（研磨）する。グラインドホイールを有する研削（研磨）装置は、特に限定されることはなく通常用いられているものを使用すればよい。ここで、研削（研磨）後の半導体ウエハ７（図４）の厚さは、特に限定されないが、３０〜６００μｍ程度とすることが好ましい。

（工程４：図４）
研削（研磨）後の半導体ウエハ７は、半導体加工用保護テープ４側の面とダイサーテーブル９とが接するように、ダイサーテーブル９上に設置される。研削（研磨）後の半導体ウエハ７は、ダイシングブレード８を備えるダイシングソー（不図示）を使用して、保護層１及び接着剤層２と共に切断される。ダイシング時のスピンドル回転数及び切断速度は適宜選択すればよいが、通常、スピンドル回転数２５，０００〜４５，０００ｒｐｍ、切断速度１０〜５０ｍｍ／ｓｅｃである。

（工程５：図５）
半導体加工用保護テープ４をエキスパンド装置で伸ばして、接着シート２’と共に個片化された半導体チップ１２の、各々の間に一定の隙間を作る。接着剤層２と保護層１の間を剥離し、接着剤層を備えた半導体チップ１２をピックアップする。

（工程６：図６）
切断された半導体チップ１２の機能面上に備えたバンプ１１と、ベース基板１０上の電極１３とを、フリップチップボンダー（不図示）を用いて位置合わせし、ベース基板１０上に半導体チップ１２を搭載する。

（工程７：図７）
切断された半導体チップ１２の機能面上に備えたバンプ１１と、ベース基板１０上の電極１３とを加熱圧着により接合する（接合部１４）。加熱圧着は、通常、温度１００〜２８０℃、荷重１〜５００Ｎ、時間１〜３０秒で行われる。その後、加熱して接着剤組成物を硬化し、半導体チップ１２とベース基板１０との間隙を封止する。接着剤組成物の硬化は、通常、１６０〜２４０℃、特には１８０〜２２０℃、０．５〜６時間、特には１〜４時間で行われる。

上述の通り、本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シートを使用することにより、キャピラリーアンダーフィル方式（図８）における工程（ａ）、工程（ｄ）、工程（ｅ）及び工程（ｆ）を省略することが可能になる。また、本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層は、圧着時にベース基板に対する優れた接着性を有する。また、硬化後の接着剤層は接続信頼性及び絶縁信頼性に優れる。

＜半導体装置保護用材料＞
また、本発明は、上記接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する半導体装置保護用材料を提供する。半導体装置保護用材料としての使用態様は、例えば、本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層と半導体加工用保護テープとが積層された保護シートが挙げられる。該保護シートの接着剤層面を半導体装置の被保護面に貼り付け、保護テープを剥離したのち、接着剤層面を硬化して保護皮膜とすることにより半導体装置の表面を保護することができる。本発明の接着剤組成物の硬化物は接続信頼性及び絶縁信頼性に優れるため、半導体装置、及び、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品の保護皮膜として好適に機能することができる。保護皮膜としての使用態様は、例えば、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子表面のジャンクションコート膜、パッシベーション膜及びバッファーコート膜；ＬＳＩ等のα線遮蔽膜；多層配線の層間絶縁膜；プリントサーキットボードのコンフォーマルコート；イオン注入マスク；太陽電池の表面保護膜などが挙げられる。

＜半導体装置＞
さらに、本発明は、上記接着剤組成物の硬化物を備えた半導体装置を提供する。
上述の通り、このような本発明の半導体装置の製造方法の一態様としては、本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を介して半導体チップをベース基板に搭載し、その後、接着剤組成物を硬化させる方法が挙げられる。また、別の態様としては、本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する半導体装置保護用材料を半導体装置（被接着物）の保護面に貼り付け、その後、接着剤組成物を硬化して保護皮膜を形成する方法が挙げられる。本発明の接着剤組成物は、フィルム形成性及び基板への接着性に優れており、かつ、高温高湿条件下における接続信頼性及び絶縁信頼性（耐マイグレーション性）に優れた硬化物を提供することができるため、半導体装置の高密度化、高集積化への応用のために好適に利用できる。

以下、本発明における（Ａ）反応性官能基を有するポリマーとしてのシリコーン樹脂の合成例、本発明の接着剤組成物の実施例及び比較例を示して本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明における（Ａ）反応性官能基を有するポリマーとしてのシリコーン樹脂の合成例１及び２において使用する化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−６）の化学構造式を以下に示す。

合成例において、各重合体の重量平均分子量は、ＧＰＣカラム ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ（東ソー社製）を用い、流量０．６ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した。また、各重合体の¹Ｈ−ＮＭＲ分析は、ＪＮＭ−ＬＡ３００ＷＢ（ＪＥＯＬ社製）を用い、測定溶媒として重クロロホルムを使用して実施した。

［合成例１］
本発明における（Ａ）反応性官能基を有するポリマーとしてのシリコーン樹脂の合成例１について説明する。撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内に化合物（Ｍ−１）２２０．５ｇ、化合物（Ｍ−３）２２５．０ｇをトルエン１，８７５ｇに溶解後、化合物（Ｍ−４）９４９．６ｇ、化合物（Ｍ−５）６．１ｇを加え６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、内部反応温度が６５℃〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、９０℃まで加温後３時間保持し、再び６０℃まで冷却して、さらにカーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、化合物（Ｍ−６）１０７．３ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、８０℃まで上昇した。化合物（Ｍ−６）の滴下終了後、更に、９０℃で３時間保持した後、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１，７００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することでカーボン担持白金触媒を取り除いてシリコーン樹脂溶液を得た。更に、得られたシリコーン樹脂溶液に純水７６０ｇを加えて攪拌、静置、分液を行い下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返し、シリコーン樹脂溶液中の微量酸成分を取り除いた。その後、シリコーン樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを９５０ｇ添加して、固形分濃度６０質量％のシクロペンタノンを主溶剤とするシリコーン樹脂溶液（Ａ−１）を得た。このシリコーン樹脂溶液中の（Ａ）シリコーン樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量７５，０００であり、（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．５０である。

［合成例２］
本発明における（Ａ）反応性官能基を有するポリマーとしてのシリコーン樹脂の合成例２について説明する。撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内に化合物（Ｍ−１）３５２．８ｇ、化合物（Ｍ−２）１１６．１ｇをトルエン１，８７５ｇに溶解後、化合物（Ｍ−４）９４９．６ｇ、化合物（Ｍ−５）６．１ｇを加え６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、内部反応温度が６５℃〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、９０℃まで加温後３時間保持し、再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、化合物（Ｍ−６）１０７．３ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、７３℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間保持した後、室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１，７００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することでカーボン担持白金触媒を取り除いてシリコーン樹脂溶液を得た。更に、得られたシリコーン樹脂溶液に純水７６０ｇを加えて攪拌、静置、分液を行い下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返し、シリコーン樹脂溶液中の微量酸成分を取り除いた。その後、このシリコーン樹脂中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを９４０ｇ添加して、固形分濃度６０質量％のシクロペンタノンを主溶剤とするシリコーン樹脂溶液（Ａ−２）を得た。このシリコーン樹脂溶液中の（Ａ）シリコーン樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量５５，０００であり、（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．２０である。

［実施例１〜５及び比較例１〜３］
接着剤組成物の調製
表１に記載した組成で、（Ａ）上記合成例１〜２で合成した反応性官能基を有するポリマー（シリコーン樹脂）、（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物、その他の任意成分を配合した。さらに固形成分濃度が５０質量％となる量のシクロペンタノンを添加し、ボールミルを使用して撹拌し、混合及び溶解して、接着剤組成物の分散液を調製した。尚、表１中の配合量を示す数値の単位は「質量部」である。

接着剤組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。
（Ｂ）熱硬化性樹脂
・ｊＥＲ１００１（商品名）（三菱化学製、エポキシ当量：４５０〜５００）

さらに、以下に示すエポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤を使用した。
・エポキシ樹脂硬化剤：
フェノライトＴＤ−２０９３（商品名）（ＤＩＣ製、ＯＨ当量：１０４）
・エポキシ樹脂硬化促進剤：
キュアゾール２ＭＺＡ−ＰＷ（商品名）（四国化成製、２，４−ジアミノ−６− ［２‘−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン）
キュアゾール２Ｐ４ＭＺ（商品名）（四国化成製、２−フェニル−４−メチルイミダゾール）

（Ｃ）フラックス活性を有する化合物
・セバシン酸（和光純薬工業製）

その他の任意成分
・無機充填剤：シリカ（アドマテックス製、ＳＥ１０５０、平均粒径０．２５μｍ）

接着シートの作製
アプリケータで離型処理を施したポリエステルフィルム（保護層、東洋紡績製）表面に、接着剤組成物の分散液を乾燥後の厚さが２５μｍとなるように塗布し、１３０℃で５分間、送風オーブン内で乾燥することにより接着剤層を形成し、接着剤層を有する接着シートを作製した。各接着シートの特性を下記評価方法に従って評価した。結果を表１に示す。

評価１：接着剤層の溶融粘度測定
各接着シート（接着剤層厚み２５μｍ）を温度調節が可能なロールラミネーターにて、接着剤層厚みが５００μｍとなるまで重ね合わせた。
得られた接着シートを溶融粘度計（ＨＡＡＫＥ社製、ＭＡＲＳ）を用いて、昇温速度１０℃／分で４０℃から２６０℃まで昇温しながら、周波数１Ｈｚで円形プレートのせん断により溶融粘度を測定し、最低溶融粘度となる温度、最低溶融粘度、及び２００℃での溶融粘度をそれぞれ得た。得られた結果を表１に示す。

評価２：半導体パッケージ実装後のボイド有無（ＳＡＴ及び光学顕微鏡）
上述した接着シートの作製方法に則して、接着剤層の厚みが４０μｍである接着シートを作製した。バンプを備えた半導体ウエハ（８インチ、厚み７２５μｍ）のバンプ付着面と、各接着シートの接着剤層面を、真空フィルムラミネーター（温度：１１０℃、圧力：８０Ｐａ）を使用して貼り合わせた（図１）。その後、接着シートを備えた半導体ウエハの保護層面を、ウエハリングでサポートされたバックグラインドテープ（デンカ製）上に線圧約１０Ｎ／ｃｍ、室温で貼り合わせた。

次に、ダイシングブレードを備えるダイシングソーを使用して半導体ウエハを５ｍｍ×６ｍｍ角に切断し（図４、ただしここで、半導体ウエハは薄く研削されたものではない）、個片化した半導体チップをピックアップして（図５）、接着剤層を備える半導体チップ（バンプ径２５μｍ、バンプ高さ１０μｍのＣｕ上にバンプ高さ１５μｍのＳｎ−Ａｇバンプを作製し合計高さを２５μｍとした、バンプピッチ５０μｍ、バンプ数２，２００）を得た（図６の２、１１、１２に相当）。ダイシング時のスピンドル回転数は３０，０００ｒｐｍ、切断速度は２５ｍｍ／ｓｅｃとした。

次に、上述のチップに対応するようにバンプが配置された半導体ウエハ（８インチ、厚み７２５μｍ、バンプ径２５μｍ、Ｃｕバンプ高さ１０μｍ、バンプピッチ５０μｍ、バンプ数２，２００）を、ダイシングブレードを備えるダイシングソーを使用して１１ｍｍ×１１ｍｍ角に切断し、個片化した半導体基板を得た（図６の１０、１３に相当）。ダイシング時のスピンドル回転数は３０，０００ｒｐｍ、切断速度は２５ｍｍ／ｓｅｃとした。

次に、前記接着剤層を備える半導体チップ（図６の２、１１、１２に相当）を、個片化した半導体基板（図６の１０、１３に相当）にフリップチップボンダーを用いて位置合わせを行い、表１に示すボンディング温度にて、１０ｓｅｃ、５０Ｎで搭載した後、２５５℃で１５秒、１０Ｎの荷重を保つように加熱圧着し半導体パッケージを各１０個ずつ作製した（図７）。その後、該パッケージを１８０℃にて１時間加熱し、接着剤層を硬化させた。

このようにして得られた半導体パッケージについて、超音波映像装置（ＳＡＴ）（日立エンジニアリング・アンド・サービス社製、ＦＳ３００ ＩＩＩ）を用いてボイドの有無を確認し、ボイドが確認されない場合を○、ボイドが確認された場合を×として、ボイドの評価を行った。結果を表１に示す。○を合格と判定した。

また、得られた半導体パッケージを半導体チップ側から、チップと水平に、チップがなくなるまで研磨し、光学顕微鏡によりボイドの観察を行った。２５μｍ以上のボイドが確認されない場合を○、２５μｍより大きいボイドが確認された場合を×として、ボイドの評価を行った。結果を表１に示す。○を合格と判定した。

評価３：半導体パッケージ実装後のチップずれ（Ｘ線及び光学顕微鏡）
評価２と同様の方法でえられた、各々１０個の半導体パッケージについて、三次元計測Ｘ線ＣＴ装置（ヤマト科学社製、ＴＤＭ１０００−ＩＳ）にて、チップずれの発生を確認した。半導体チップ及び半導体基板が有するバンプの水平方向への最大ずれ量が、５μｍ未満の場合を○、５μｍ以上１０μｍ未満の場合を△、１０μｍ以上を×として、チップずれの評価を行った。結果を表１に示す。○を合格と判定した。さらに、Ｘ線観察を終了した半導体パッケージについて、半導体チップ及び半導体基板と垂直の方向に断面を研磨し、光学顕微鏡にて、上下のバンプ同士が接合されているか確認を行った。上下のバンプ同士が接合されている場合を○、接合されてない場合を×として評価を行った。結果を表１に示す。○を合格と判定した。

評価４：接着剤層の接着力
各接着シート（接着剤層厚み２５μｍ）を真空フィルムラミネーター（温度：１１０℃、圧力：８０Ｐａ、ＴＥＡＭ−１００、タカトリ社製）を用いて、６インチ半導体ウエハ（厚み６２５μｍ、信越半導体社製）に貼り合わせた（図１）。次いで、該接着シートが有するポリエステルフィルム面を、ウエハリングでサポートされたダイシングテープ（デンカ製）上に線圧約１０Ｎ／ｃｍ、室温で貼り付けた（図２）。半導体ウエハ及び接着シートを、ダイシングブレードを備えるダイシングソー（ＤＡＤ６８５、ＤＩＳＣＯ社製）を使用して２ｍｍ×２ｍｍ角の大きさに切断した（図４）。接着剤層とポリエステルフィルムの間を剥離して個片化した半導体チップをピックアップし、接着剤層を備えた半導体チップを得た（図５）。ダイシング時のスピンドル回転数は３０，０００ｒｐｍ、切断速度は２５ｍｍ／ｓｅｃとした。前記個片化した各半導体チップを、１５ｍｍ×１５ｍｍ角のシリコンウエハ（ベース基板）上に、接着剤層を介して最低溶融粘度となる温度にて、５０ｍＮの荷重にて貼り合わせた。その後、１８０℃にて１時間加熱して接着剤組成物を硬化させ、試験片を得た。試験片は各５個ずつ製造し、以下の接着力測定試験に供した。

ボンドテスター（Ｄａｇｅ ｓｅｒｉｅｓ ４０００−ＰＸＹ：Ｄａｇｅ社製）を用いて、半導体チップ（２ｍｍ×２ｍｍ）がベース基板（１５ｍｍ×１５ｍｍ角のシリコンウエハ）から剥離する時にかかる抵抗力を測定し、接着剤層の接着力を評価した。テスト条件は、テストスピード２００μｍ／ｓｅｃ、テスト高さ５０μｍで行った。接着力測定試験の実施図を図９に示す。図９において、ボンドテスターの測定治具（符号３０）の移動方向を矢印で示した（符号３１）。結果を表１に示す。表１に示される数値は、各々５個の試験体における測定値の平均であり、数値が高いほど接着シートの接着力が高いことを示す。

評価５：接続信頼性
上述した接着シートの作製方法に則して、接着剤層の厚みが６５μｍである接着シートを作製した。バンプを備えた半導体ウエハ（８インチ、厚み７２５μｍ）のバンプ付着面と、各接着シートの接着剤層面を、真空フィルムラミネーター（温度：１１０℃、圧力：８０Ｐａ）を使用して貼り合わせた（図１）。その後、接着シートを備えた半導体ウエハの保護層面を、ウエハリングでサポートされたバックグラインドテープ（デンカ製）上に線圧約１０Ｎ／ｃｍ、室温で貼り（図２）、研削（研磨）装置（ＤＡＧ８１０、ＤＩＳＣＯ社製）を使用して半導体ウエハの厚みが１００μｍとなるまで研削（研磨）した（図３）。

次に、ダイシングブレードを備えるダイシングソーを使用して半導体ウエハを１０ｍｍ×１０ｍｍ角に切断し（図４）、個片化した半導体チップをピックアップして（図５）、接着剤層を備える半導体チップ（直径８０μｍ、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕバンプ、バンプ高さ５０μｍ、ピッチ１５０μｍ、バンプ数３，８４４）を得た。ダイシング時のスピンドル回転数は４０，０００ｒｐｍ、切断速度は２５ｍｍ／ｓｅｃとした。

ソルダーレジスト（太陽インキ製、ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ７０３）でコーティングされたビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂基板（厚み０．９４ｍｍ）上に、前記接着剤層を備える半導体チップを、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行い、表１に示すボンディング温度にて、１０ｓｅｃ、６０Ｎで搭載した後（図６）、２５５℃で１５秒、１０Ｎの荷重を保つように加熱圧着しフリップチップパッケージを作製した（各１０個ずつ）。その後、該パッケージを１８０℃にて１時間加熱し、接着剤層を硬化させた。
なお、このＢＴ樹脂基板は、半導体チップが電気的に接合されたときに、半導体チップ内のメタル配線とデイジーチェーンとなるように銅で配線がされており、得られた半導体パッケージの導通（接続抵抗）を確認することが出来る。

上記方法により製造された半導体パッケージ各１０個の接続抵抗を測定し、初期の導通を確認した。その後、該パッケージをヒートサイクル試験（−２５℃で１０分保持、１２５℃で１０分保持を１０００サイクル繰り返す）に供し、ヒートサイクル試験後の導通を確認した。いずれも導通が取れたものを○、初期には導通が取れたがヒートサイクル試験後に導通が取れなくなったものを△、初期に導通が取れなかったものを×として、接続信頼性を評価した。結果を表１に示す。○を合格と判定した。

評価６：絶縁信頼性（耐マイグレーション性）
ガラス基板上にＣｕ厚み５μｍ、ライン幅／スペース幅＝２０μｍ／２０μｍの櫛型回路を作製し、真空フィルムラミネーター（温度：１１０℃、圧力：８０Ｐａ）を使用して、接着シートの接着剤層面で櫛形回路を覆うように貼り合わせた（端子部はマスキングテープによりマスキングした）。次に、接着シートの保護層を剥離し、１８０℃にて１時間加熱することで接着剤層を硬化させ、絶縁信頼性評価用サンプルを作製した（各５個ずつ）。各試験片に対して、温度８５℃、相対湿度８５％の条件下で、回路の両極に１０Ｖの直流電圧を印加し、マイグレーションテスター（ＩＭＶ社製、ＭＩＧ−８６）を用いて、絶縁信頼性を評価した。電圧印加後、１，０００時間以内に導体間で短絡（抵抗値の低下）が発生した場合、もしくは、デンドライトの成長が認められた場合を「不良」と評価して×で示し、１，０００時間経過後も抵抗値を維持し、かつ、デンドライトを生じなかった場合を「良」と評価して○で示した。結果を表１に示す。

実施例１〜５、比較例２の半導体パッケージ実装後のボイド有無は各々１０個全てのパッケージにおいて評価が○であった。比較例１及び３の半導体パッケージ実装後のボイド有無は１０個全てのパッケージにおいて評価が×であった。
実施例１〜５、比較例１の半導体パッケージ実装後のチップずれは各々１０個全てのパッケージにおいて評価が○であった。比較例２及び３の半導体パッケージ実装後のチップずれは各々１０個全てのパッケージにおいて評価が×であった。
実施例１〜５、比較例２の接続信頼性は、各々１０個全てのパッケージにおいて評価が○であった。比較例１及び３の接続信頼性は、１０個全てのパッケージにおいて評価が△であった。
実施例１〜５、比較例１〜３の絶縁信頼性は、各々５個全ての試験片において評価が○であった。

表１より、本発明要件である、２００℃における溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上を満たさない比較例１は、半導体パッケージ実装後において、ボイドの発生が見られた。比較例１の接着剤組成物は、ＪＩＳ Ｃ２１６１ Ｂに準拠して測定したゲルタイムが、ボンディング温度である１５０℃において９０秒であり、また、２４０℃におけるゲルタイムが１０秒であり、かつ、ボンディング温度での溶融粘度が６０Ｐａ・ｓであることから、特開２０１１−１５７５２９号公報に記載の要件を満たす接着剤組成物であるが、ボイドが発生してしまうことが確認された。また、比較例１では、実装後のボイドの影響により、接続信頼性においても不合格となることが確認された。

比較例２の接着剤組成物は、本発明要件である、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満を満たさないため、半導体パッケージ実装後においてチップずれを生じることが確認された。

また比較例３は本発明要件である、２００℃における溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上を満たさないため、半導体パッケージ実装後において、ボイドの発生が見られ、実装後のボイドの影響により、接続信頼性においても不合格となることが確認された。さらに比較例３は本発明要件である、最低溶融粘度となる温度２００℃未満も満たさないため、半導体パッケージ実装後においてチップずれを生じることが確認された。

これに対し、本発明の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層は、実装後においてボイドの発生が見られず、チップずれも確認されなかった。また、接着力にも優れており、接続信頼性及び絶縁信頼性にも優れていた。また、本発明の接着剤層で保護された半導体装置は接続信頼性並びに絶縁信頼性が保証された半導体装置となった。

本発明の接着剤組成物は、半導体パッケージ実装後において、ボイドの発生及びチップずれが見られず、基板への接着性に優れており、かつ、高温高湿条件下における接続信頼性及び絶縁信頼性（耐マイグレーション性）に優れた硬化物を提供することができる。そのため、本発明の接着剤組成物は、半導体装置の高密度化、高集積化への応用のために好適に利用されることが期待される。

尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…保護層、 ２…接着剤層、 ２’…接着シート、 ３…半導体ウエハ、
４…半導体加工用保護テープ、 ５…ウエハリング、 ６…グラインドホイール、
７…研削（研磨）された半導体ウエハ、 ８…ダイシングブレード、
９…ダイサーテーブル、 １０…ベース基板、 １１…バンプ、
１２…個片化された半導体チップ、 １３…電極、
１４…半導体チップと基板の接合部、 ２０…回路基板、 ２１…フラックス、
２２…半導体チップ、 ２２ａ…半導体チップのバンプ、
２３…半導体チップと基板の接合部、 ２４…アンダーフィル剤、
２４ａ…アンダーフィル剤の硬化物、 ３０…ボンドテスターの測定治具、
３１…ボンドテスターの測定治具移動方向。

Claims (8)

1. 下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有する接着剤組成物であって、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分は熱硬化反応により架橋構造を形成するものであり、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満、該最低溶融粘度となる温度が２００℃未満であり、かつ、２００℃での溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする接着剤組成物。
   （Ａ）反応性官能基を有するシリコーン樹脂
   （Ｂ）エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、及びポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂
   （Ｃ）フラックス活性を有する化合物。
2. 前記反応性官能基が、ヒドロキシル基及びエポキシ基のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載の接着剤組成物。
3. 前記（Ｂ）熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
4. さらに、エポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤のうち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項３に記載の接着剤組成物。
5. 前記（Ｃ）フラックス活性を有する化合物が、カルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着剤組成物。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シート。
7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する半導体装置保護用材料。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着剤組成物の硬化物を備えた半導体装置。

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