JP2011192818A - 半導体チップ接合用接着フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ化合物、前記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、硬化剤及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有する半導体チップ接合用接着フィルム。前記半導体チップ接合用接着フィルムは、上記エポキシ化合物と反応可能な靱性をもち、優れた耐衝撃性を発言することができる。
【選択図】なし

Description

本発明は、ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムに関する。

近年、ますます進展する半導体装置の小型化、高集積化に対応するために、ハンダ等からなる接続端子（バンプ）を有する半導体チップを用いたフリップチップ実装が多用されている。

フリップチップ実装においては、一般的に、複数のバンプを有する半導体チップを、バンプを介して他の半導体チップ又は基板に接続した後、アンダーフィルを充填する方法が用いられている。しかしながら、近年、半導体チップの小型化が進行するとともにバンプ間のピッチもますます狭くなっており、また、これらに伴って半導体チップ同士又は半導体チップと基板との間のギャップが狭くなっていることから、アンダーフィルの充填時に空気が巻き込まれ、ボイドが発生しやすくなっている。

この問題を解決するために、複数のバンプを有するウエハ上のバンプが形成された面に接着剤層を形成した後、ウエハを接着剤層ごとダイシングして、個々の接着剤層付き半導体チップに分割する方法が提案されている。ダイシングにより個片化された接着剤層付き半導体チップは、他の半導体チップ又は基板にボンディングされ、バンプを介して電気的に接続される。また、ダイシングする前の接着剤層付き半導体ウエハを、他の半導体ウエハ又は基板に接合して半導体ウエハ接合体を得た後、得られた半導体ウエハ接合体を分割して半導体チップ接合体とする方法も提案されている（例えば、特許文献１）。

このようなウエハ上に形成される接着剤層に用いられる接着剤組成物として、例えば、特許文献２には、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物であって、Ｂ−ステージ化後のタック値が０ｇｆ／５ｍｍφ以上５ｇｆ／５ｍｍφ以下であり、かつ、１３０℃における溶融粘度が０．０１Ｐａ・ｓ以上１．０Ｐａ・ｓ以下であるプリアプライド用封止樹脂組成物が記載されている。
しかしながら、特許文献２に記載のような接着剤組成物を用いた場合にも、また、接着剤組成物の代わりに接着フィルムを用いた場合にも、未だバンプ間のボイドを完全に排出するには至っておらず、ボイドの発生を充分に抑制して半導体装置の高信頼性を実現することのできる新たな接着剤組成物、接着フィルム等が求められている。

特開２００８−２９４３８２号公報 特開２００７−１１６０７９号公報

本発明は、ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムを提供することを目的とする。

本発明は、エポキシ化合物、前記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、硬化剤及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有する半導体チップ接合用接着フィルムである。
以下、本発明を詳述する。

一般に、半導体チップ接合用接着フィルムを製造する際には、例えば、セパレーター上に接着剤溶液を塗工した後、加熱等により溶剤を乾燥する方法が用いられる。このとき、溶剤を乾燥する際に塗膜内で発生する対流のため、得られる半導体チップ接合用接着フィルムは表面の平滑性が低下しやすく、半導体チップ等の電子部品を接合する際には、ボイドを発生させやすい。
これに対し、本発明者らは、半導体チップ接合用接着フィルムを製造するために用いられる接着剤溶液にポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを添加することで、得られる半導体チップ接合用接着フィルムは、表面平滑性の低下が抑制されることを見出した。即ち、本発明者らは、エポキシ化合物、エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、硬化剤及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有する半導体チップ接合用接着フィルムを用いることで、ボイドの発生を抑制しながら半導体チップ等の電子部品を接合することができ、信頼性の高い半導体装置が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、エポキシ化合物を含有する。
上記エポキシ化合物は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、及び、これらの変性物、水添化物等が挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、上記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物（以下、単に、反応可能な官能基を有する高分子化合物ともいう）を含有する。
上記反応可能な官能基を有する高分子化合物を含有することで、本発明の半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物は靭性をもち、優れた耐衝撃性を発現することができる。

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する高分子化合物等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子化合物を含有することで、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物は優れた靭性を発現する。即ち、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物は、上記エポキシ化合物に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた靭性とを兼備することにより、高い接合信頼性及び接続信頼性を発現することができる。

上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含み、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物が優れた機械的強度、耐熱性、靭性等を発現できることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有する高分子化合物は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特にエポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、該エポキシ基を有する高分子化合物の重量平均分子量の好ましい下限は１万である。上記重量平均分子量が１万未満であると、半導体チップ接合用接着フィルムを製造する際の造膜性が不充分となり、フィルムとして形状を保持することができないことがある。

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特にエポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、該エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量の好ましい下限は２００、好ましい上限は１０００である。上記エポキシ当量が２００未満であると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物が堅く、脆くなることがある。上記エポキシ当量が１０００を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物の機械的強度、耐熱性等が不充分となることがある。

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ化合物１００重量部に対する好ましい下限が１重量部、好ましい上限が５００重量部である。上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の含有量が１重量部未満であると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物は、熱によるひずみが発生する際、靭性が不充分となり、接合信頼性が劣ることがある。上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の含有量が５００重量部を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物の耐熱性が低下することがある。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、硬化剤を含有する。
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物硬化剤、フェノール系硬化剤等が挙げられる。なかでも、酸無水物硬化剤が好ましい。
上記酸無水物硬化剤は特に限定されないが、２官能の酸無水物硬化剤が好ましい。上記２官能の酸無水物硬化剤は特に限定されず、例えば、フタル酸誘導体の無水物、無水マレイン酸等が挙げられる。

また、上記硬化剤として、３官能以上の酸無水物硬化剤粒子を用いてもよい。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子は特に限定されず、例えば、無水トリメリット酸等の３官能の酸無水物からなる粒子、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等の４官能以上の酸無水物からなる粒子等が挙げられる。

上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい下限が０．１μｍ、好ましい上限が２０μｍである。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、硬化剤粒子の凝集が生じ、半導体チップ接合用接着フィルムを製造するために用いられる接着剤溶液が増粘して、ボイドの発生を充分に抑制することのできる半導体チップ接合用接着フィルムが得られないことがある。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径が２０μｍを超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムにおいて、硬化時に硬化剤粒子が充分に拡散することができず、硬化不良となることがある。

上記硬化剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が１５０重量部である。上記硬化剤の含有量が５重量部未満であると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムが充分に硬化しないことがある。上記硬化剤の含有量が１５０重量部を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの接続信頼性が低下することがある。
上記硬化剤の含有量は、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対するより好ましい下限が１０重量部、より好ましい上限が１４０重量部である。

また、上記硬化剤が、上記２官能の酸無水物硬化剤と上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子とを含有する場合、これらの配合比は特に限定されないが、上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量（重量）を上記２官能の酸無水物硬化剤の含有量（重量）で除した値［＝（３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量）／（２官能の酸無水物硬化剤の含有量）］の好ましい下限が０．１、好ましい上限が１０である。上記値が０．１未満であると、上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子を添加する効果が充分に得られないことがある。上記値が１０を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物が脆くなり、充分な接着信頼性が得られないことがある。上記値のより好ましい下限は０．２、より好ましい上限は８である。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、硬化促進剤を含有してもよい。
上記硬化促進剤は特に限定されないが、イミダゾール化合物が好ましい。上記イミダゾール化合物は上記エポキシ化合物との反応性が高いことから、上記イミダゾール化合物を含有することで、得られる半導体チップ接合用接着フィルムは速硬化性が向上する。

上記イミダゾール化合物は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール化合物（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名「２ＭＺ−Ａ」、四国化成工業社製）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名「２Ｐ４ＭＨＺ」、四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール化合物は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムが上記硬化促進剤を含有する場合、上記硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限が０．３重量部、好ましい上限が８重量部である。上記硬化促進剤の含有量が０．３重量部未満であると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムが充分に硬化しないことがある。上記硬化促進剤の含有量が８重量部を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムにおいて、未反応の硬化促進剤が接着界面に染み出すことにより、接合信頼性が低下することがある。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有する。
本発明の半導体チップ接合用接着フィルムを製造するために用いられる接着剤溶液が上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有することで、本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、上記接着剤溶液を乾燥する際に塗膜内で発生する対流に起因する表面平滑性の低下が抑制される。これは、上記接着剤溶液が上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有することで、塗膜内に対流が発生していても溶剤が樹脂表面から均一に乾燥されるためであると推測される。このように、本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、表面平滑性の低下が抑制されることにより、ボイドの発生を抑制しながら半導体チップ等の電子部品を接合することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
なお、上記効果は、例えばポリエーテル変性ポリシロキサン等の他のシリコン系界面活性剤では達成することはできない。

上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンとはポリジメチルシロキサンをポリエーテルで変性した化合物であり、ポリエーテル変性部位の他にも、エステル変性部位等の他の変性部位を有していてもよい。
また、上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンのポリエーテル変性部位は、ポリジメチルシロキサンの側鎖にあってもよく、末端にあってもよい。

上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンのポリエーテル鎖の構成単位は特に限定されず、例えば、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等が挙げられる。なお、上記ポリエーテル鎖は、単独の構成単位を有していてもよく、２種以上の構成単位を有していてもよい。

上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの重量平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限が２０００、好ましい上限が２０万である。上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの重量平均分子量が２０００未満であると、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンが溶剤乾燥時等に揮発し、半導体チップ接合用接着フィルムの表面平滑性の低下を抑制する効果が得られないことがある。上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの重量平均分子量が２０万を超えると、上記エポキシ化合物等の他の成分との相溶性が低下することがある。

上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンのうち、市販品として、例えば、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３０２、ＢＹＫ−３０６、ＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３３０（ビックケミー・ジャパン社製）、ＫＦ−６０１１、ＫＦ−６０１１Ｐ、ＫＦ−６０１２、ＫＦ−６０１３、ＫＦ−６０１５、ＫＦ−６０１６、ＫＦ−６０１７、ＫＦ−６０１７Ｐ、ＫＦ−６０４３、ＫＦ−６００４、ＫＦ−１００２、Ｘ−２２−４７４１（信越シリコーン社製）等が挙げられる。
また、上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンのうち、更にエステル基で変性されたポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、即ちポリエーテルエステル変性ポリジメチルシロキサンの市販品として、例えば、ＢＹＫ−３７０、ＢＹＫ−３７５（ビックケミー・ジャパン社製）等が挙げられる。

上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの含有量は特に限定されないが、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限が０．０１重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの含有量が０．０１重量部未満であると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムは、ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することができないことがある。上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの含有量が１０重量部を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムにおいて、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンが接着界面に染み出すことにより、接着信頼性が低下することがある。
上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンの含有量は、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対するより好ましい下限が０．１重量部、より好ましい上限が８重量部である。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、無機充填材を含有してもよい。
上記無機充填材を含有することで、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物の線膨張率を低下させることができ、接合された半導体チップへの応力の発生及びハンダ等の導通部分のクラックの発生を良好に防止することができる。
上記無機充填材は特に限定されず、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、ガラスパウダー、ガラスフリット等が挙げられる。

上記無機充填材として粒子状の無機充填材を用いる場合、平均粒子径の好ましい下限は０．０１μｍ、好ましい上限は３０μｍである。上記粒子状の無機充填材の平均粒子径が０．０１μｍ未満であると、半導体チップ接合用接着フィルムを製造するために用いられる接着剤溶液が増粘して、ボイドの発生を充分に抑制することのできる半導体チップ接合用接着フィルムが得られないことがある。上記粒子状の無機充填材の平均粒子径が３０μｍを超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムを用いて圧接合する際に、電極間で上記無機充填材を噛みこむことがある。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムが上記無機充填材を含有する場合、上記無機充填材の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限は５重量部、好ましい上限は５００重量部である。上記無機充填材の含有量が５重量部未満であると、上記無機充填材を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記無機充填材の含有量が５００重量部を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物の線膨張率は低下するものの、同時に弾性率が上昇し、接合された半導体チップへの応力及びハンダ等の導通部分のクラックが発生しやすくなることがある。
上記無機充填材の含有量は、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対するより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は４００重量部、更に好ましい下限は１５重量部、更に好ましい上限は３００重量部である。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、本発明の効果を阻害しない範囲内で希釈剤を含有してもよい。
上記希釈剤は特に限定されないが、半導体チップ接合用接着フィルムの加熱硬化時に硬化物に取り込まれる反応性希釈剤が好ましい。なかでも、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの接着信頼性を悪化させないために、１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤がより好ましい。
上記１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤として、例えば、脂肪族型エポキシ、エチレンオキサイド変性エポキシ、プロピレンオキサイド変性エポキシ、シクロヘキサン型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ、フェノール型エポキシ等が挙げられる。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムが上記希釈剤を含有する場合、上記希釈剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限は１重量部、好ましい上限は３００重量部である。上記希釈剤の含有量が１重量部未満であると、上記希釈剤を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記希釈剤の含有量が３００重量部を超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルムの硬化物が硬く脆くなるため、接着信頼性が劣ることがある。
上記希釈剤の含有量は、上記エポキシ化合物と、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物との合計１００重量部に対するより好ましい下限が５重量部、より好ましい上限が２００重量部である。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。上記無機イオン交換体のうち、市販品として、例えば、ＩＸＥシリーズ（東亞合成社製）等が挙げられる。本発明の半導体チップ接合用接着フィルムが上記無機イオン交換体を含有する場合、上記無機イオン交換体の含有量は特に限定されないが、本発明の半導体チップ接合用接着フィルム中の好ましい下限が１重量％、好ましい上限が１０重量％である。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムは、その他必要に応じて、ブリード防止剤、シランカップリング剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤、増粘剤等の添加剤を含有してもよい。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムの厚みは特に限定されないが、好ましい下限は２μｍ、好ましい上限は５００μｍである。上記厚みが２μｍ未満であると、異物の混入によって平滑なフィルムが得られないことがある。上記厚みが５００μｍを超えると、得られる半導体チップ接合用接着フィルム中に溶剤が残留しやすく、圧接合時及び硬化時に気泡が発生することがある。

本発明の半導体チップ接合用接着フィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、上記エポキシ化合物、上記反応可能な官能基を有する高分子化合物、上記硬化剤、上記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、及び、必要に応じて添加される上記無機充填材、溶剤等を所定量配合して混合し、接着剤溶液を調製した後、フィルム状に成形する方法等が挙げられる。
上記混合する方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を用いて混合する方法等が挙げられる。

上記フィルム状に成形する方法は特に限定されず、例えば、溶剤としてメチルエチルケトン等の低沸点溶剤を用いて、ダイコーター、バーコーター、グラビアコーター、スリットコーター等を使用して上記接着剤溶液をセパレーター上に塗工した後、加熱等により溶剤を乾燥する方法、また、溶剤としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の１２０〜２５０℃程度の沸点を有する中沸点溶剤又は高沸点溶剤を用いて、スピンコーター、スクリーン印刷等を使用して上記接着剤溶液をウエハ、基板等に直接印刷した後、溶剤を乾燥する方法等が挙げられる。

本発明によれば、ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムを提供することができる。

以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。

（実施例１〜４、比較例１〜５）
表１の組成に従って、ホモディスパーを用いて下記に示す各材料を攪拌混合し、接着剤溶液を調製した後、スピンコート法によって接着剤溶液をベアウエハ上に塗工し、溶剤を乾燥して３０μｍ厚の半導体チップ接合用接着フィルムを得た。

（１）エポキシ化合物
ビフェニル型エポキシ樹脂（商品名「ＹＸ−４０００」、ジャパンエポキシレジン社製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名「１００４ＡＦ」、ジャパンエポキシレジン社製）

（２）反応可能な官能基を有する高分子化合物
グリシジル基含有アクリル樹脂（商品名「Ｇ−２０５０Ｍ」、日油社製）

（３）硬化剤
トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸（商品名「ＹＨ−３０６」、ＪＥＲ社製）

（４）硬化促進剤
２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン イソシアヌル酸付加塩（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）

（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（商品名「ＢＹＫ−３３３」、ビックケミー・ジャパン社製）
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（商品名「ＢＹＫ−３３７」、ビックケミー・ジャパン社製）
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（商品名「ＫＦ−６０１２」、信越シリコーン社製）
（６）ポリエーテル変性ポリシロキサン
ポリエーテル変性ポリシロキサン（商品名「ＢＹＫ−３４７」、ビックケミー・ジャパン社製）
ポリエーテル変性ポリシロキサン（商品名「ＢＹＫ−３４９」、ビックケミー・ジャパン社製）
（７）その他界面活性剤
アクリル系共重合物（商品名「ＢＹＫ−３５０」、ビックケミー・ジャパン社製）

（８）無機充填材
無機フィラー（シリカ）（商品名「ＳＥ−４０００」、アドマテックス社製）

（９）その他
シランカップリング剤（商品名「ＫＢＭ−５７３」、信越化学工業社製）
溶剤（プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ））

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体チップ接合用接着フィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（１）表面平坦度
表面粗さ測定装置（製品名「Ｐ−１６＋」、ＫＬＡ ＴＥＮＣＯＲ社製）を用いて、得られた半導体チップ接合用接着フィルム表面の１０ｍｍ×１０ｍｍの範囲の表面粗さを測定し、表面平坦度として評価した。

（２）ボイドの発生の有無
得られた半導体チップ接合用接着フィルムを有するウエハを、ダイシングして１０ｍｍ×１０ｍｍ角に個片化し、得られた半導体チップを、２０μｍ厚の銅ポストがペリフェラル状に形成されたガラスエポキシ基板上に、１８０℃３０秒、２６０℃１０秒でフリップチップボンディングした。その後、１９０℃３０分でポストキュア（後硬化）を行った後、得られた積層体について、超音波探傷装置を用いてボイドの発生の有無の評価を行った。

（３）リフロー試験
上記ボイドの発生の有無の評価で得られた積層体について、６０℃、６０％ＲＨで４０時間吸湿させ、ピーク温度２６０℃のリフローオーブンに３回通し、半導体チップ−接着フィルム−基板の剥がれの評価を行った。８つの積層体について上記剥がれ評価を行い、剥がれが見られた積層体の個数を評価した。

（４）冷熱サイクル試験
上記リフロー試験を行った積層体について、−５５〜１２５℃（３０分／１サイクル）、１０００サイクルの冷熱サイクル試験を行い、半導体チップ−接着フィルム−基板の剥がれの評価を行った。８つの積層体について上記剥がれ評価を行い、剥がれが見られた積層体の個数を評価した。

本発明によれば、ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムを提供することができる。

Claims (3)

1. エポキシ化合物、前記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、硬化剤及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有することを特徴とする半導体チップ接合用接着フィルム。
2. ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンは、ポリエーテル変性部位がポリジメチルシロキサンの側鎖にあることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ接合用接着フィルム。
3. ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンは、ポリエーテル変性部位がポリジメチルシロキサンの末端にあることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ接合用接着フィルム。