JP2014203971A - アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 熱伝導性に優れるとともに、半導体素子と基板との間の空間を良好に充填できるアンダーフィルフィルム及び封止シートを提供する。【解決手段】 樹脂及び熱伝導性フィラーを含み、前記熱伝導性フィラーの含有量が５０体積％以上であり、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が３０％以下の値であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が８０％以下の値であるアンダーフィルフィルムに関する。【選択図】 図１

Description

本発明は、アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

半導体パッケージなどの放熱性を高める方法として、ヒートシンクなどの放熱部材を設置する方法がある。

例えば、特許文献１は、ロジックＬＳＩに放熱部材を取り付け、ロジックＬＳＩの熱を放熱する技術を開示している。特許文献２は、ドライバチップの発熱を放熱金属箔に伝導させて放熱させる技術を開示している。

しかしながら、デジタルカメラや携帯電話などの筐体サイズに制限がある機器内に放熱部材を設置することは望ましくない。また、放熱部材を設置すると、放熱部材の部材費が必要となるだけでなく、製造プロセスが増加するため、コストアップにつながるという問題もある。

ところで、フリップチップ実装の半導体パッケージでは、半導体素子と基板の間の接続信頼性を確保するために、半導体素子と基板の間の空間にアンダーフィル材（封止樹脂）が充填されている。このようなアンダーフィル材として液状タイプが広く用いられている（特許文献３）。

特開２００８−２５８３０６号公報 特開２００８−２７５８０３号公報 特開２０１１−１７６２７８号公報

フリップチップ実装の半導体パッケージの放熱性を高める方法として、アンダーフィル材の熱伝導性を高める方法が考えられる。しかしながら、熱伝導性を高めるために、液状タイプのアンダーフィル材にフィラーを多量に配合すると、粘度が高くなり、半導体素子と基板の間の空間を充填することが難しくなる場合がある。小型高密度の半導体パッケージでは、充填できない場合もある。

特許文献３では、アンダーフィル組成物にジビニルアレーンジエポキシドを配合することにより、高水準のフィラーを配合しても低粘度のアンダーフィル組成物が得られることを開示しているが、シリカを使用しているため、熱伝導性が充分でない。また、液状タイプであるため、充填性について改善の余地がある。

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、熱伝導性に優れるとともに、半導体素子と基板との間の空間を良好に充填できるアンダーフィルフィルム及び封止シートを提供することを目的とする。

本発明のアンダーフィルフィルムは、樹脂及び熱伝導性フィラーを含み、前記熱伝導性フィラーの含有量が５０体積％以上であり、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が３０％以下の値であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が８０％以下の値である。

本発明のアンダーフィルフィルムでは、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、熱伝導性フィラーの平均粒径を３０％以下に設定し、熱伝導性フィラーの最大粒径を８０％以下に設定しているため、熱伝導性フィラーの含有量を５０体積％以上という高い値に設定できる。つまり、熱伝導性フィラーを比較的密にパッキングできるので、優れた熱伝導性が得られる。また、アンダーフィルフィルムの厚みに対する熱伝導性フィラーの平均粒径及び最大粒径を最適化しているため、半導体素子と基板との間の空間を良好に充填できる。

本発明のアンダーフィルフィルムは、熱伝導率が２Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。このような熱伝導率により、半導体素子から発生した熱を効率的に外部に放散させることができる。

前記熱伝導性フィラーの含有量が５０〜８０体積％であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が１０〜３０％の値であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が４０〜８０％の値であることが好ましい。熱伝導性フィラーの含有量及び形態を具体的にこのような特定の値とすることにより、アンダーフィルフィルムの放熱性を良好に向上できる。

本発明のアンダーフィルフィルムは、表面粗さ（Ｒａ）が３００ｎｍ以下であることが好ましい。特定の含有量及び特定の形態の熱伝導性フィラーを採用するため、表面粗さ（Ｒａ）を３００ｎｍ以下とすることができる。表面粗さ（Ｒａ）を３００ｎｍ以下とすることにより、基板やチップとの良好な接着力を得ることができる。

本発明のアンダーフィルフィルムは、前記熱伝導性フィラーとして、平均粒径の異なる熱伝導性フィラーを含むことが好ましい。これにより、平均粒径の大きい熱伝導性フィラーの間に、平均粒径の小さい熱伝導性フィラーを充填でき、熱伝導性を高めることができる。

本発明のアンダーフィルフィルムは、全光線透過率が５０％以上であることが好ましい。５０％以上であると、後述の位置整合工程を含む製法において半導体素子の位置を精度良く検出できるので、ダイシング位置の決定が容易である。また、半導体素子と被着体間の電気的接続も容易に形成できる。

本発明はまた、前記アンダーフィルフィルム及び粘着テープを備え、前記粘着テープは、基材及び前記基材上に設けられた粘着剤層を有し、前記アンダーフィルフィルムが前記粘着剤層上に設けられている封止シートに関する。

前記アンダーフィルフィルムの前記粘着剤層からの剥離力が０．０３〜０．１０Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。これにより、ダイシング時のチップ飛びを防止できる。

前記粘着テープが、半導体ウェハの裏面研削用テープ又はダイシングテープであることが好ましい。

本発明はまた、被着体と、前記被着体と電気的に接続された半導体素子と、前記被着体と前記半導体素子との間の空間を充填するアンダーフィルフィルムとを備える半導体装置の製造方法であって、前記アンダーフィルフィルムが半導体素子に貼り合わされたアンダーフィルフィルム付き半導体素子を準備する準備工程、及び前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記アンダーフィルフィルム付き半導体素子の前記アンダーフィルフィルムで充填しつつ前記被着体と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

本発明の半導体装置の製造方法は、前記アンダーフィルフィルム付き半導体素子の前記アンダーフィルフィルムの露出面に対して斜光を照射し、前記半導体素子と前記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程を含むことが好ましい。これにより、半導体素子と被着体との接続予定位置への位置整合を容易に行うことができる。

前記アンダーフィルフィルムの露出面に対し５〜８５°の入射角で斜光を照射することが好ましい。このような入射角で斜光を照射することにより、正反射光を防止して半導体素子の位置検出精度を高めることができ、接続予定位置への整合の精度をより向上させることができる。

前記斜光は４００〜５５０ｎｍの波長を含むことが好ましい。斜光が上記特定波長を含むと、無機充填剤を含む一般的な材料で形成されたアンダーフィル材に対しても良好な透過性を示すので、半導体素子と被着体との接続予定位置への整合をより容易に行うことができる。

前記斜光を前記アンダーフィルフィルムの露出面に対して２以上の方向又は全方向から照射することが好ましい。多方向ないし全方向（全周方向）からの斜光照射により、半導体素子からの拡散反射を増大させて位置検出の精度を高めることができ、被着体との接続予定位置への整合の精度をより向上させることができる。

本発明はまた、前記アンダーフィルフィルムを用いて作製した半導体装置に関する。

本発明はまた、前記方法で作製した半導体装置に関する。

本発明の封止シート断面の模式図である。 実施形態１の半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。 実施形態１のダイシング位置決定工程を示す図である。 実施形態１の位置整合工程を示す図である。 実施形態２の半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。

［アンダーフィルフィルム］
本発明のアンダーフィルフィルムは、樹脂及び熱伝導性フィラーを含み、前記熱伝導性フィラーの含有量が５０体積％以上であり、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が３０％以下の値であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が８０％以下の値である。

本発明のアンダーフィルフィルムは熱伝導性フィラーを含む。

熱伝導性フィラーとしては特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、炭化珪素等の電気絶縁性のものが挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、酸化アルミニウムは高伝導率であり、分散性に優れ、入手の容易さの点から好ましい。

熱伝導性フィラーの熱伝導率は、アンダーフィルフィルムに熱伝導性を付与可能な限り特に限定されないが、好ましくは１２Ｗ／ｍＫ以上であり、より好ましくは１５Ｗ／ｍＫ以上であり、さらに好ましくは２５Ｗ／ｍＫ以上である。１２Ｗ／ｍＫ以上であると、アンダーフィルフィルムに２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を付与できる。熱伝導性フィラーの熱伝導率は、例えば、７０Ｗ／ｍＫ以下である。

熱伝導性フィラーの含有量は、アンダーフィルフィルムにおいて５０体積％以上であり、好ましくは５５体積％以上である。５０体積％以上であるので、アンダーフィルフィルムの熱伝導率を高めることができ、半導体パッケージで発生した熱を効率良く放散できる。一方、熱伝導性フィラーの含有量は、アンダーフィルフィルムにおいて好ましくは８０体積％以下であり、より好ましくは７５体積％以下である。８０体積％以下であると、アンダーフィルフィルム中の接着成分の相対的な減少を防止でき、半導体素子などに対する濡れ性及び接着性を確保できる。

熱伝導性フィラーの平均粒径は、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、３０％以下であり、好ましくは２５％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは４％以下である。３０％を超えると、基板、半導体素子の凹凸に対して埋まり性が不十分になりボイドの原因となることがある。一方、平均粒径の下限は特に限定されないが、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、好ましくは０．５％以上であり、より好ましくは１％以上である。

熱伝導性フィラーの最大粒径は、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、８０％以下であり、好ましくは７０％以下、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。８０％を超えると、半導体素子、基板に対する埋まり性が低下するとともに、接続端子間に噛みこみが発生し、接合不良を引き起こすことがある。一方、最大粒径の下限は特に限定されないが、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、好ましくは１％以上であり、より好ましくは５％以上である。なお、熱伝導性フィラーの最大粒径とは、アンダーフィルフィルムに含まれる熱伝導性フィラー全体の中で最も大きい粒径をいう。

熱伝導性フィラーの平均粒径及び最大粒径は、レーザー回折式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

本発明のアンダーフィルフィルムは、平均粒径が異なる熱伝導性フィラーを含むことが好ましい。これにより、平均粒径の大きい熱伝導性フィラーの間に、平均粒径の小さい熱伝導性フィラーを充填でき、熱伝導性を高めることができる。
平均粒径の小さい熱伝導性フィラーの平均粒径は、平均粒径の大きい熱伝導性フィラーの平均粒径に対して、１〜５０％が好ましい。前記範囲であると、熱伝導性を一層高めることができる。

熱伝導性フィラーの粒子形状は特に限定されず、例えば、球状、楕円球体状、扁平形状、針状、繊維状、フレーク状、スパイク状、コイル状等が挙げられる。これらの形状のうち、分散性に優れ、充填率を向上できる点で球状が好ましい。

本発明のアンダーフィルフィルムは樹脂を含む。樹脂としては特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、熱硬化性樹脂などが挙げられる。なかでも、アクリル樹脂、熱硬化性樹脂を併用することが好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

アンダーフィルフィルム中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは２重量％以上であり、より好ましくは５重量％以上である。２重量％以上であると、シートが可とう性を有し取扱い性を向上させることができる。また、アンダーフィルフィルム中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは３０重量％以下であり、より好ましくは２５重量％以下である。３０重量％以下であると、基板、半導体素子の凹凸に対して十分な埋まり込み性が得られる。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない点、ダイシングの切断面においてアンダーフィルフィルムの糊はみ出しを抑制でき、切断面同士の再付着（ブロッキング）を抑制できる点からエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、アンダーフィルフィルムの特性が劣化し易くなる。

アンダーフィルフィルム中の熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは５重量％以上であり、より好ましくは１０重量％以上である。５重量％以上であると、硬化後の熱的特性が向上し、信頼性を保持しやすくなる。また、アンダーフィルフィルム中の熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは８０重量％以下であり、より好ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。８０重量％以下であると、信頼性を保持しやすくなる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

熱硬化促進触媒の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量１００重量部に対して、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上である。０．０１重量部以上であると、熱処理による硬化時間が短くなり生産性を向上させることができる。また、熱硬化促進触媒の含有量は、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。５重量部以下であると、熱硬化性樹脂の保存性を向上させることができる。

アンダーフィルフィルムには、はんだバンプの表面の酸化膜を除去して半導体素子の実装を容易にするために、フラックスを添加してもよい。フラックスとしては特に限定されず、従来公知のフラックス作用を有する化合物を用いることができ、例えば、オルトアニス酸、ジフェノール酸、アジピン酸、アセチルサリチル酸、安息香酸、ベンジル酸、アゼライン酸、ベンジル安息香酸、マロン酸、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、サリチル酸、ｏ−メトキシ安息香酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、コハク酸、２，６−ジメトキシメチルパラクレゾール、安息香酸ヒドラジド、カルボヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、サリチル酸ヒドラジド、イミノジ酢酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド、クエン酸トリヒドラジド、チオカルボヒドラジド、ベンゾフェノンヒドラゾン、４，４’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド及びアジピン酸ジヒドラジド等が挙げられる。フラックスの添加量は上記フラックス作用が発揮される程度であればよく、通常、アンダーフィルフィルムに含まれる樹脂成分（アクリル樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂成分）１００重量部に対して０．１〜２０重量部程度である。

アンダーフィルフィルムは、必要に応じて着色しても良い。アンダーフィルフィルムにおいて、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色、緑色などが好ましい。着色に際しては、顔料、染料などの公知の着色剤の中から適宜選択して用いることができる。

アンダーフィルフィルムを予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。

前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。

なお、アンダーフィルフィルムには、前記成分以外にも他の添加剤を適宜に配合できる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

アンダーフィルフィルムは、例えば、以下のようにして作製される。まず、アンダーフィルフィルムの形成材料である前記各成分を配合し、溶媒（例えば、メチルエチルケトン、酢酸エチル等）に溶解ないし分散させて塗布液を調製する。次に、調製した塗布液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させ、アンダーフィルフィルムを形成する。

本発明のアンダーフィルフィルムの熱伝導率は、通常、２Ｗ／ｍＫ以上であり、３Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましく、５Ｗ／ｍＫ以上であることがより好ましい。２Ｗ／ｍＫ以上であると、半導体パッケージで発生した熱を効率良く放散できる。熱伝導率の上限は特に限定されないが、例えば、７０Ｗ／ｍＫ以下である。

本発明のアンダーフィルフィルムの熱硬化前の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは３００ｎｍ以下であり、より好ましくは２５０ｎｍ以下である。３００ｎｍ以下であると、基板や半導体素子に対して良好な濡れ性が得られる。表面粗さ（Ｒａ）の下限は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ以上である。
なお、表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づき、Ｖｅｅｃｏ社製の非接触三次元粗さ測定装置（ＮＴ３３００）を用いて測定できる。具体的には、測定条件は、５０倍とし、測定値は、測定データにＭｅｄｉａｎ ｆｉｌｔｅｒをかけて求めることができる。

本発明のアンダーフィルフィルムの厚さは、半導体素子と被着体との間のギャップや接続部材の高さを考慮して適宜設定すればよい。例えば、厚さは１０μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましい。また、厚さは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。

本発明のアンダーフィルフィルムは、セパレータにより保護されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまでアンダーフィルフィルムを保護する保護材としての機能を有している。セパレータはアンダーフィルフィルム上に半導体素子を貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

本発明のアンダーフィルフィルムの全光線透過率は高いほど好ましい。具体的には、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上である。なお、後述の位置整合工程を含む製法であれば、５０％程度の全光線透過率であっても半導体素子の位置を精度良く検出できるので、ダイシング位置の決定が容易である。また、半導体素子と被着体間の電気的接続も容易に形成できる。
全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７３６１に従い、ヘイズメーターＨＭ−１５０（村上色彩技術研究所製）を用いて測定できる。

本発明のアンダーフィルフィルムは、半導体素子と被着体との間の空間を充填する封止用フィルムとして使用できる。被着体としては、配線回路基板、フレキシブル基板、インターポーザー、半導体ウェハ、半導体素子などが挙げられる。

本発明のアンダーフィルフィルムは、粘着テープと一体化して使用できる。これにより、半導体装置を効率よく製造できる。

［封止シート（粘着テープ一体型アンダーフィルフィルム）］
本発明の封止シートは、アンダーフィルフィルム及び粘着テープを備える。

図１は、本発明の封止シート１０断面の模式図である。図１に示すように、封止シート１０は、アンダーフィルフィルム２及び粘着テープ１を備える。粘着テープ１は、基材１ａ及び粘着剤層１ｂを備え、粘着剤層１ｂは基材１ａ上に設けられている。アンダーフィルフィルム２は粘着剤層１ｂ上に設けられている。
なお、アンダーフィルフィルム２は、図１に示したように粘着テープ１の全面に設けられている必要はなく、半導体ウェハ３（図２Ａ参照）との貼り合わせに十分なサイズで設けられていればよい。

粘着テープ１は、基材１ａと、基材１ａ上に積層された粘着剤層１ｂとを備えている。

上記基材１ａは封止シート１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層１ｂが紫外線硬化型である場合、基材１ａは紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。

基材１ａの表面には、慣用の表面処理を施すことができる。

上記基材１ａは、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１ａには、帯電防止能を付与するため、上記の基材１ａ上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１ａは単層又は２種以上の複層でもよい。

基材１ａの厚さは適宜に決定でき、一般的には５μｍ以上２００μｍ以下程度であり、好ましくは３５μｍ以上１２０μｍ以下である。

なお、基材１ａには、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等）が含まれていてもよい。

粘着剤層１ｂの形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては、超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性がよいという点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

上記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。上記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

さらに、上記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

上記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、上記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

粘着剤層１ｂは放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。放射線としては、Ｘ線、紫外線、電子線、α線、β線、中性子線等が挙げられる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、上記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。

上記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと上記化合物のいずれの側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。

上記内在型の放射線硬化性粘着剤は、上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に上記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

上記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層１ｂの表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層１ｂの表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

なお、粘着剤層１ｂには、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等）が含まれていてもよい。

粘着剤層１ｂの厚さは特に限定されず、例えば、１〜５０μｍ程であり、好ましくは２〜３０μｍ、さらには好ましくは５〜２５μｍである。

粘着テープ１としては、半導体ウェハの裏面研削用テープ、ダイシングテープを好適に使用できる。

封止シート１０は、例えば、粘着テープ１及びアンダーフィルフィルム２を別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。

封止シート１０において、アンダーフィルフィルム２の粘着剤層１ｂからの剥離力が０．０３〜０．１０Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。０．０３Ｎ／２０ｍｍ以上であると、ダイシング時のチップ飛びを防止できる。０．１０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、良好なピックアップ性が得られる。

［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体装置の製造方法は、被着体と、前記被着体と電気的に接続された半導体素子と、前記被着体と前記半導体素子との間の空間を充填するアンダーフィルフィルムとを備える半導体装置を製造する。

そして、本発明の半導体装置の製造方法は、アンダーフィルフィルムが半導体素子に貼り合わされたアンダーフィルフィルム付き半導体素子を準備する準備工程、及び前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記アンダーフィルフィルム付き半導体素子の前記アンダーフィルフィルムで充填しつつ前記被着体と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程を含む。

本発明の半導体装置の製造方法は、準備工程及び接続工程を含む限り特に限定されないが、前記アンダーフィルフィルム付き半導体素子の前記アンダーフィルフィルムの露出面に対して斜光を照射し、前記半導体素子と前記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程を含むことが好ましい。これにより、半導体素子と被着体との接続予定位置への位置整合を容易に行うことができる。

以下、実施形態を掲げ、本発明の半導体装置の製造方法を詳細に説明するが、本発明の半導体装置の製造方法はこれらの実施形態に限定されるものではない。

（実施形態１）
実施形態１の半導体装置の製造方法について説明する。図２は、実施形態１の半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。

実施形態１では封止シート１０を用いる。
実施形態１の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ３の接続部材４が形成された回路面３ａと封止シート１０のアンダーフィルフィルム２とを貼り合わせる貼合せ工程、半導体ウェハ３の裏面３ｂを研削する研削工程、半導体ウェハ３の裏面３ｂにダイシングテープ１１を貼りつけるウェハ固定工程、粘着テープ１を剥離する剥離工程、アンダーフィルフィルム２付き半導体ウェハ３のアンダーフィルフィルム２の露出面に対して斜光Ｌを照射し、ダイシング位置を決定するダイシング位置決定工程、半導体ウェハ３をダイシングしてアンダーフィルフィルム２付きの半導体素子５を形成するダイシング工程、及びアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５をダイシングテープ１１から剥離するピックアップ工程、アンダーフィルフィルム２付き半導体素子５のアンダーフィルフィルム２の露出面に対して斜光Ｌを照射し、半導体素子５と被着体６との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び被着体６と半導体素子５の間の空間をアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５のアンダーフィルフィルム２で充填しつつ被着体６と半導体素子５とを電気的に接続する接続工程を含む。

＜貼合せ工程＞
貼合せ工程では、半導体ウェハ３の接続部材４が形成された回路面３ａと封止シート１０のアンダーフィルフィルム２とを貼り合わせる（図２Ａ参照）。

半導体ウェハ３の回路面３ａには、複数の接続部材４が形成されている（図２Ａ参照）。接続部材４の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等のはんだ類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。接続部材４の高さも用途に応じて定められ、一般的には１５〜１００μｍ程度である。もちろん、半導体ウェハ３における個々の接続部材４の高さは同一でも異なっていてもよい。

まず、封止シート１０のアンダーフィルフィルム２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図２Ａに示すように、半導体ウェハ３の接続部材４が形成された回路面３ａとアンダーフィルフィルム２とを対向させ、アンダーフィルフィルム２と半導体ウェハ３とを貼り合わせる（マウント）。

貼り合わせの方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着の圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．２ＭＰａ以上である。０．１ＭＰａ以上であると、半導体ウェハ３の回路面３ａの凹凸を良好に埋め込むことができる。また、圧着の圧力の上限は特に限定されないが、好ましくは１ＭＰａ以下、より好ましくは０．５ＭＰａ以下である。

貼り合わせの温度は、好ましくは６０℃以上であり、より好ましくは７０℃以上である。６０℃以上であると、アンダーフィルフィルム２の粘度が低下し、半導体ウェハ３の凹凸を空隙なく充填できる。また、貼り合わせの温度は、好ましくは１００℃以下であり、より好ましくは８０℃以下である。１００℃以下であると、アンダーフィルフィルム２の硬化反応を抑制したまま貼り合わせが可能となる。

貼り合わせは、減圧下で行うことが好ましく、例えば、１０００Ｐａ以下、好ましくは５００Ｐａ以下である。下限は特に限定されず、例えば、１Ｐａ以上である。

＜研削工程＞
研削工程では、半導体ウェハ３の回路面３ａとは反対側の面（すなわち、裏面）３ｂを研削する（図２Ｂ参照）。半導体ウェハ３の裏面研削に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、研磨パッド等を例示できる。また、エッチング等の化学的方法にて裏面研削を行ってもよい。裏面研削は、半導体ウェハ３が所望の厚さ（例えば、７００〜２５μｍ）になるまで行われる。

＜ウェハ固定工程＞
研削工程後、半導体ウェハ３の裏面３ｂにダイシングテープ１１を貼りつける（図２Ｃ参照）。なお、ダイシングテープ１１は、基材１１ａ上に粘着剤層１１ｂが積層された構造を有する。基材１１ａ及び粘着剤層１１ｂとしては、粘着テープ１の基材１ａ及び粘着剤層１ｂの項で示した成分及び製法を用いて好適に作製することができる。

＜剥離工程＞
次いで、粘着テープ１を剥離する（図２Ｄ参照）。これにより、アンダーフィルフィルム２が露出した状態となる。

裏面研削用テープ１を剥離する際、粘着剤層１ｂが放射線硬化性を有する場合には、粘着剤層１ｂに放射線を照射して粘着剤層１ｂを硬化させることで、剥離を容易に行うことができる。放射線の照射量は、用いる放射線の種類や粘着剤層の硬化度等を考慮して適宜設定すればよい。

＜ダイシング位置決定工程＞
図２Ｅ及び図３に示すように、アンダーフィルフィルム２付き半導体ウェハ３のアンダーフィルフィルム２の露出面に対して斜光Ｌを照射し、半導体ウェハ３におけるダイシング位置を決定する。これにより、半導体ウェハ３のダイシング位置を高精度で検出することができ、半導体ウェハ３のダイシングを簡便かつ効率的に行うことができる。

具体的には、ダイシングテープ１１に固定された半導体ウェハ３の上方に、撮像装置２１及びリング照明（発光面が円状となっている照明）２２を配置する。次に、リング照明２２からアンダーフィルフィルム２の露出面２ａに対して所定の入射角αで斜光Ｌを照射する。アンダーフィルフィルム２に進入し、半導体ウェハ３で反射した光を撮像装置２１で反射像として受け取る。受け取った反射像を画像認識装置で解析し、ダイシングすべき位置を決定する。その後、ダイシング装置（例えば、ダイシングブレード、レーザー発振器等）を移動させダイシング位置に整合させることで本工程が完了する（図示せず）。

斜光照射のための照明としては、上記のようにリング照明２２を好適に用いることができるが、これに限定されず、ライン照明（発光面が直線状になっている照明）やスポット照明（発光面が点状となっている照明）等を用いることができる。また、複数のライン照明を多角形状に組み合わせた照明、スポット照明を多角形状又はリング状に組み合わせた照明であってもよい。

照明の光源としては特に限定されず、ハロゲンランプ、ＬＥＤ、蛍光灯、タングステンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ブラックライト等が挙げられる。また、光源から照射される斜光Ｌは、平行光線又は放射光線（非平行光線）のいずれであってもよいが、照射効率や上記入射角αの設定の容易性を考慮すると、平行光線が好ましい。ただし、斜光Ｌを平行光線として照射するには物理的な限界があることから、実質的な平行光線（半値角が３０°以内）であればよい。また、斜光Ｌは偏光であってもよい。

本実施形態では、斜光Ｌをアンダーフィルフィルム２の露出面２ａに対して２以上の方向又は全方向から照射することが好ましい。多方向ないし全方向（全周方向）からの斜光照射により、半導体ウェハ３からの拡散反射を増大させて位置検出の精度を高めることができ、ダイシング位置の検出の精度をより向上させることができる。多方向からの照射は、上記ライン照明やスポット照明の一方又は両方を組み合わせる等して行うことができる。また、全方向又は全周方向の照射は、上記複数のライン照明を多角形状に組み合わせたり、リング照明を用いたりすることで容易に行うことができる。

上記入射角αとしては斜光Ｌがアンダーフィルフィルム２の露出面２ａに対して傾斜して照射される限り特に限定されないものの、５〜８５°が好ましく、１５〜７５°がより好ましく、３０〜６０°が特に好ましい。入射角αを上記範囲とすることで、ハレーション現象の原因となる半導体ウェハ３からの正反射光を防止して、半導体ウェハ３のダイシング位置の検出精度を高めることができる。なお、斜光Ｌが放射光線（非平行光線）であると、斜光Ｌの照射の起点とアンダーフィルフィルム２の露出面２ａでの到達点との関係によっては入射角αにある程度の幅が生じる場合がある。その場合は、斜光Ｌの光量が最大となる角度が上記入射角αの範囲内に入ればよい。

上記斜光Ｌの波長としては、半導体ウェハ３からの反射像が得られ、半導体ウェハ３にダメージを与えない限り特に限定されないが、好ましくは４００〜５５０ｎｍである。斜光Ｌの波長を上記範囲にすると、斜光Ｌがアンダーフィルフィルム２を良好な透過できるので、ダイシング位置の検出をより容易に行うことができる。

また、斜光照射による位置検出のための半導体ウェハ３における認識対象としては、図２Ｅ及び図３では半導体ウェハ３に形成された接続部材（例えば、バンプ）４となっているが、これに限定されず、アライメントマーク、端子、回路パターン等、任意のマーク又は構造物を認識対象とすることができる。

＜ダイシング工程＞
ダイシング工程では、図２Ｆに示すように半導体ウェハ３及びアンダーフィルフィルム２をダイシングしてダイシングされたアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５を形成する。ダイシングは、半導体ウェハ３のアンダーフィルフィルム２を貼り合わせた回路面３ａから常法に従い行われる。例えば、ダイシングテープ１１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。

なお、ダイシング工程に続いてダイシングテープ１１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。

＜ピックアップ工程＞
ダイシングテープ１１に接着固定されたアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５を回収するために、図２Ｆに示すように、アンダーフィルフィルム２付き半導体素子５をダイシングテープ１１より剥離する（アンダーフィルフィルム２付き半導体素子５をピックアップする）。

ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。

ここでピックアップは、ダイシングテープ１１の粘着剤層１１ｂが紫外線硬化型の場合、該粘着剤層１１ｂに紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層１１ｂの半導体素子５に対する粘着力が低下し、半導体素子５の剥離が容易になる。その結果、半導体素子５を損傷させることなくピックアップが可能となる。

［位置整合工程］
次に、位置整合工程では、図２Ｈ及び図４に示すように、アンダーフィルフィルム２付き半導体素子５のアンダーフィルフィルム２の露出面に対して斜光Ｌを照射し、半導体素子５と被着体６との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる。これにより、半導体素子５の位置を高精度で検出することができ、半導体素子５と被着体６との接続予定位置への整合を簡便かつ効率的に行うことができる。

具体的には、半導体素子５の接続部材４が形成された面（半導体ウェハ３の回路面３ａに対応）が被着体６と対向するように、アンダーフィルフィルム２付き半導体素子５を被着体６の上方に配置する。次いで、撮像装置３１及びリング照明３２をアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５と被着体６との間に配置した後、リング照明３２からアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５に向かってアンダーフィルフィルム２の露出面２ａに対して所定の入射角αで斜光Ｌを照射する。アンダーフィルフィルム２に進入し、半導体素子５で反射した光を撮像装置３１で反射像として受け取る。次に、受け取った反射像を画像認識装置で解析し、予め決定されている接続予定位置とのズレを求め、最後に、求めたズレ量だけアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５を移動させて半導体素子５と被着体６との相対位置を接続予定位置に整合させる（図示せず）。

この位置整合工程における斜光照射の態様は、ダイシング位置決定工程における斜光の照射とはアンダーフィルフィルム２の露出面２ａと撮像装置３１及び照明３２との位置が上下反転しているだけである。従って、斜光照射のための諸条件、例えば、斜光照射のための照明、照明の光源、照射方向、入射角αの範囲、斜光の波長、斜光照射による位置検出のための半導体素子における認識対象等としては、ダイシング位置決定工程の項で説明した条件を好適に採用することができ、同様の効果を得ることができる。

＜接続工程＞
接続工程では、被着体６と半導体素子５の間の空間をアンダーフィルフィルム２付き半導体素子５のアンダーフィルフィルム２で充填しつつ、半導体素子５と被着体６とを電気的に接続する（図２Ｉ参照）。
具体的には、半導体素子５に形成されている接続部材４を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材７に接触させて押圧しながら導電材７を溶融させることにより、半導体素子５と被着体６とを電気的に接続する。半導体素子５の接続部材４が形成された面にはアンダーフィルフィルム２が貼り付けられているので、半導体素子５と被着体６との電気的接続と同時に、半導体素子５と被着体６との間の空間がアンダーフィルフィルム２により充填されることになる。

接続工程における加熱条件は特に限定されないが、通常、加熱条件は１００〜３００℃であり、加圧条件は０．５〜５００Ｎである。

＜硬化工程＞
半導体素子５と被着体６との電気的接続を行った後は、アンダーフィルフィルム２を加熱により硬化させることが好ましい。これにより、半導体素子５の表面を保護することができるとともに、半導体素子５と被着体６との間の接続信頼性を確保することができる。アンダーフィルフィルム２の硬化のための加熱温度としては特に限定されず、例えば、１５０〜２００℃で１０〜１２０分間である。なお、接続工程における加熱処理によりアンダーフィルフィルム２を硬化させてもよい。

＜封止工程＞
次に、実装された半導体素子５を備える半導体装置３０全体を保護するために封止工程を行ってもよい。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。

封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）が好ましく、公知の封止樹脂から適宜選択して用いることができる。

＜半導体装置＞
半導体装置３０では、半導体素子５と被着体６とが、半導体素子５上に形成された接続部材４及び被着体６上に設けられた導電材７を介して電気的に接続されている。また、半導体素子５と被着体６との間には、その空間を充填するようにアンダーフィルフィルム２が配置されている。半導体装置３０は、斜光照射による位置合わせを採用する製造方法にて得られるので、半導体素子５と被着体６との間で良好な電気的接続が達成されている。

（実施形態２）
実施形態２の半導体装置の製造方法について説明する。図５は、実施形態２の半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。

実施形態２では封止シート１０を用いる。
実施形態２の半導体装置の製造方法は、接続部材４４を有する回路面が両面に形成された半導体ウェハ４３と封止シート１０のアンダーフィルフィルム２とを貼り合わせる貼合せ工程、半導体ウェハ４３をダイシングしてアンダーフィルフィルム２付き半導体チップ４５を形成するダイシング工程、アンダーフィルフィルム２付き半導体チップ４５を粘着テープ１から剥離するピックアップ工程、アンダーフィルフィルム２付き半導体素子４５のアンダーフィルフィルム２の露出面に対して斜光Ｌを照射し、半導体素子４５と被着体６との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程、及び被着体６と半導体素子４５の間の空間をアンダーフィルフィルム２付き半導体素子４５のアンダーフィルフィルム２で充填しつつ被着体６と半導体素子４５とを電気的に接続する接続工程を含む。

＜貼合せ工程＞
貼合せ工程では、図５Ａに示すように、接続部材４４を有する回路面が両面に形成された半導体ウェハ４３と封止シート１０のアンダーフィルフィルム２とを貼り合わせる。なお、通常、半導体ウェハ４３の強度は弱いことから、補強のために半導体ウェハ４３をサポートガラス等の支持体に固定することがある（図示せず）。この場合は、半導体ウェハ４３とアンダーフィルフィルム２との貼り合わせ後に、支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。半導体ウェハ４３のいずれの回路面とアンダーフィルフィルム２とを貼り合わせるかは、目的とする半導体装置の構造に応じて変更すればよい。

半導体ウェハ４３の両面の接続部材４４同士は電気的に接続されていてもよく、接続されていなくてもよい。接続部材４４同士の電気的接続には、ＴＳＶ形式と呼ばれるビアを介しての接続による接続等が挙げられる。貼り合わせ条件としては、実施形態１の貼合せ工程で例示した条件を採用できる。

＜ダイシング工程＞
ダイシング工程では、半導体ウェハ４３及びアンダーフィルフィルム２をダイシングしてアンダーフィルフィルム２付き半導体チップ４５を形成する（図４５参照）。ダイシング条件としては、実施形態１のダイシング工程で例示した条件を採用できる。

＜ピックアップ工程＞
ピックアップ工程では、アンダーフィルフィルム２付き半導体チップ４５を粘着テープ１から剥離する（図５Ｃ）。ピックアップ条件としては、実施形態１のピックアップ工程で例示した条件を採用できる。

＜位置整合工程＞
アンダーフィルフィルム２付き半導体素子４５のアンダーフィルフィルム２の露出面に対して斜光Ｌを照射し、半導体素子４５と被着体６との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる（図５Ｄ）。具体的な位置整合方法は、実施形態１と同様の方法を採用できる。

＜接続工程＞
接続工程では、被着体６と半導体素子４５の間の空間をアンダーフィルフィルム２付き半導体素子４５のアンダーフィルフィルム２で充填しつつ被着体６と半導体素子４５とを電気的に接続する。具体的な接続方法は、実施形態１の接続工程で説明した内容と同様である。

＜硬化工程及び封止工程＞
硬化工程及び封止工程は、実施形態１の硬化工程及び封止工程で説明した内容と同様である。これにより、半導体装置８０を製造することができる。

（実施形態３）
実施形態３の半導体装置の製造方法について説明する。実施形態３は、封止シート１０に代えて、基材上にアンダーフィルフィルムが設けられているものを用いる点以外は実施形態１と同様である。基材としては、基材１ａと同様のものを使用できる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

以下、実施例及び比較例で使用した各種成分について、まとめて説明する。
アクリル樹脂：根上工業株式会社製のパラクロンＷ−１９７ＣＭ（アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー
エポキシ樹脂１：ＪＥＲ株式会社製のエピコート１００４
エポキシ樹脂２：ＪＥＲ株式会社製のエピコート８２８
フェノール樹脂：三井化学株式会社製のミレックスＸＬＣ−４Ｌ
アルミナフィラー１：ＣＩＫナノテック株式会社製のＡＬＭＥＫ３０ＷＴ％−Ｎ４０（平均粒径０．３５μｍ、最大粒径３．０μｍ、熱伝導率４０Ｗ／ｍＫ）
アルミナフィラー２：昭和電工株式会社製のＡＳ−５０（平均粒径９．３μｍ、最大粒径３０μｍ、熱伝導率４１Ｗ／ｍＫ）
アルミナフィラー３：電気化学工業株式会社製のＤＡＷ−０７（平均粒径８．２μｍ、最大粒径２７μｍ、熱伝導率４０Ｗ／ｍＫ）
アルミナフィラー４：電気化学工業株式会社製のＤＡＷ−０５（平均粒径５．１μｍ、最大粒径１８μｍ、熱伝導率４０Ｗ／ｍＫ）
有機酸：東京化成株式会社製のオルトアニス酸
イミダゾール触媒：四国化成株式会社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）

［実施例１〜２及び比較例１〜３］
（アンダーフィルフィルムの作製）
表１に示す配合比に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。

この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０μｍのアンダーフィルフィルムを作製した。

得られたアンダーフィルフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（表面粗さ（Ｒａ））
アンダーフィルフィルムの表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づき、Ｖｅｅｃｏ社製の非接触三次元粗さ測定装置（ＮＴ３３００）を用いて測定した。測定条件は、５０倍とし、測定値は、測定データにＭｅｄｉａｎ ｆｉｌｔｅｒをかけて求めた。測定は、測定箇所を変更しながら５回行い、その平均値を表面粗さ（Ｒａ）とした。

（熱伝導率）
アンダーフィルフィルムを、乾燥機内において１７５℃、１時間で熱処理を行い、熱硬化させた。その後、ＴＷＡ法（温度波熱分析法、測定装置；アイフェイズモバイル、（株）アイフェイズ製）により、アンダーフィルフィルムの熱拡散率α（ｍ^２／ｓ）を測定した。次に、アンダーフィルフィルムの比熱Ｃｐ（Ｊ／ｇ・℃）を、ＤＳＣ法により測定した。比熱測定は、エスアイアイナノテクノロジー（株）製のＤＳＣ６２２０を用い、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度２０〜３００℃の条件下で行い、得られた実験データを基に、ＪＩＳハンドブック（比熱容量測定方法Ｋ−７１２３）により算出した。更に、アンダーフィルフィルムの比重を測定した。

熱拡散率α、比熱Ｃｐ及び比重の値を基に、下記式により熱伝導率を算出した。結果を表１に示す。

（充填性）
（１）ダイシングテープ一体型アンダーフィルフィルムの作製
アンダーフィルフィルムを、ダイシングテープテープ（商品名「Ｖ−８−Ｔ」日東電工株式会社製）の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型アンダーフィルフィルムを作製した。

（２）半導体装置の作製
片面にバンプが形成されている片面バンプ付きシリコンウェハを用意し、この片面バンプ付きシリコンウェハのバンプ形成面に、ダイシングテープ一体型アンダーフィルフィルムを、アンダーフィルフィルムを貼り合わせ面として貼り合わせた。片面バンプ付きシリコンウェハとしては、以下のものを用いた。また、貼り合わせ条件は以下の通りである。アンダーフィル材の厚さＹ（＝３０μｍ）の接続部材の高さＸ（＝３５μｍ）に対する比（Ｙ／Ｘ）は、０．８６であった。

・片面バンプ付きシリコンウェハ
シリコンウェハの直径：８インチ
シリコンウェハの厚さ：０．２ｍｍ（研削装置「ＤＦＧ−８５６０ ディスコ株式会社製」を用いて０．７ｍｍから０．２ｍｍに裏面研削したもの）
バンプの高さ：３５μｍ
バンプのピッチ：５０μｍ
バンプの材質：ＳｎＡｇはんだ＋銅ピラー
・貼り合わせ条件
貼り付け装置：商品名「ＤＳＡ８４０−ＷＳ」日東精機株式会社製
貼り付け速度：５ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．２５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：８０℃
貼り付け時の真空度：１５０Ｐａ

貼り合わせ後、下記条件にてシリコンウェハのダイシングを行った。ダイシングは７．３ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。
・ダイシング条件
ダイシング装置：商品名「ＤＦＤ−６３６１」ディスコ社製
ダイシングリング：「２−８−１」（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＢＢ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ
Ｚ２；４０，０００ｒｐｍ
カット方式：ステップカット
ウェハチップサイズ：７．３ｍｍ角

次に、ダイシングテープの基材側からニードルによる突き上げ方式で、アンダーフィルフィルムと片面バンプ付き半導体チップとの積層体（アンダーフィルフィルム付き半導体チップ）をピックアップした。

アンダーフィルフィルムの露出面に入射角αを４５°にして斜光照射による位置整合を行い、下記の実装条件により、半導体チップのバンプ形成面とＢＧＡ基板とを接続予定位置にて対向させた状態で半導体チップのＢＧＡ基板への実装を行った。これにより、半導体チップがＢＧＡ基板に実装された半導体装置を得た。なお、本実装工程では、実装条件１に続いて実装条件２を行う２段階の処理を行った。

・実装条件１
ピックアップ装置：商品名「ＦＣＢ−３」パナソニック製
加熱温度：１５０℃
荷重：１０ｋｇ
保持時間：１０秒
・実装条件２
ピックアップ装置：商品名「ＦＣＢ−３」パナソニック製
加熱温度：２６０℃
荷重：１０ｋｇ
保持時間：１０秒

（３）充填性の評価
得られた半導体装置について、チップと平行面に接続端子が現れるまで研磨を実施した。その平行断面を顕微鏡で観察し、面積に対してボイドが５％以下のものを○と評価し、５％を超えるものを×と評価した。

［実施例３〜４及び比較例４］
表２に示す配合比に従った点、及び厚さを１０μｍにした点以外は実施例１と同様の方法で、アンダーフィルフィルムを作製した。

得られたアンダーフィルフィルムについて、実施例１と同様の方法で、表面粗さと熱伝導率を評価した。また、バンプの高さが１２μｍの片面バンプ付きシリコンウェハを用いた点以外は実施例１と同様の方法で、充填性を評価した。結果を表２に示す。

１ 粘着テープ
１ａ 基材
１ｂ 粘着剤層
２ アンダーフィルフィルム
２ａ アンダーフィルフィルムの露出面
３、４３ 半導体ウェハ
３ａ 半導体ウェハの回路面
３ｂ 半導体ウェハの回路面とは反対側の面
４、４４ 接続部材
５、４５ 半導体素子（半導体チップ）
６ 被着体
７ 導通材
１０ 封止シート
１１ ダイシングテープ
１１ａ 基材
１１ｂ 粘着剤層
２１、３１、７１ 撮像装置
２２、３２、７２ リング照明
３０、８０ 半導体装置
Ｌ 斜光
α 斜光の入射角

Claims (16)

1. 樹脂及び熱伝導性フィラーを含み、
   前記熱伝導性フィラーの含有量が５０体積％以上であり、
   アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が３０％以下の値であり、
   前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が８０％以下の値であるアンダーフィルフィルム。
2. 熱伝導率が２Ｗ／ｍＫ以上である請求項１に記載のアンダーフィルフィルム。
3. 前記熱伝導性フィラーの含有量が５０〜８０体積％であり、
   前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が１０〜３０％の値であり、
   前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が４０〜８０％の値である請求項１又は２に記載のアンダーフィルフィルム。
4. 表面粗さ（Ｒａ）が３００ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載のアンダーフィルフィルム。
5. 前記熱伝導性フィラーとして、平均粒径の異なる熱伝導性フィラーを含む請求項１〜４のいずれかに記載のアンダーフィルフィルム。
6. 全光線透過率が５０％以上である請求項１〜５のいずれかに記載のアンダーフィルフィルム。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載のアンダーフィルフィルム及び粘着テープを備え、
   前記粘着テープは、基材及び前記基材上に設けられた粘着剤層を有し、
   前記アンダーフィルフィルムが前記粘着剤層上に設けられている封止シート。
8. 前記アンダーフィルフィルムの前記粘着剤層からの剥離力が０．０３〜０．１０Ｎ／２０ｍｍである請求項７に記載の封止シート。
9. 前記粘着テープが、半導体ウェハの裏面研削用テープ又はダイシングテープである請求項７又は８に記載の封止シート。
10. 被着体と、前記被着体と電気的に接続された半導体素子と、前記被着体と前記半導体素子との間の空間を充填するアンダーフィルフィルムとを備える半導体装置の製造方法であって、
    請求項１〜６のいずれかに記載のアンダーフィルフィルムが半導体素子に貼り合わされたアンダーフィルフィルム付き半導体素子を準備する準備工程、及び
    前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記アンダーフィルフィルム付き半導体素子の前記アンダーフィルフィルムで充填しつつ前記被着体と前記半導体素子とを電気的に接続する接続工程を含む半導体装置の製造方法。
11. 前記アンダーフィルフィルム付き半導体素子の前記アンダーフィルフィルムの露出面に対して斜光を照射し、前記半導体素子と前記被着体との相対位置を互いの接続予定位置に整合させる位置整合工程を含む請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記アンダーフィルフィルムの露出面に対し５〜８５°の入射角で斜光を照射する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記斜光は４００〜５５０ｎｍの波長を含む請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記斜光を前記アンダーフィルフィルムの露出面に対して２以上の方向又は全方向から照射する請求項１１〜１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
15. 請求項１〜６のいずれかに記載のアンダーフィルフィルムを用いて作製した半導体装置。
16. 請求項１０〜１４のいずれかに記載の方法で作製した半導体装置。
    

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